WO2015087942A1

WO2015087942A1 - 表面処理銅箔、銅張積層板、プリント配線板、電子機器及びプリント配線板の製造方法

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Publication number: WO2015087942A1
Application number: PCT/JP2014/082766
Authority: WO
Inventors: 新井　英太; 敦史三木; 康修新井; 嘉一郎中室
Original assignee: Jx日鉱日石金属株式会社
Priority date: 2013-12-10
Filing date: 2014-12-10
Publication date: 2015-06-18
Also published as: JPWO2015087942A1; JP5819571B1; CN105980609A; TW201532485A; PH12016501130A1; TWI573500B; KR20160086378A; CN105980609B; KR101944166B1; MY183375A

Abstract

　樹脂と良好に接着し、且つ、樹脂越しに観察した際に、優れた視認性を実現する表面処理銅箔を提供する。一方の表面および他方の表面にそれぞれ表面処理が行われた表面処理銅箔であって、表面処理銅箔と、銅箔に張り合わせ前の下記ΔＢ（ＰＩ）が５０以上６５以下であるポリイミドとを積層して構成した銅張積層板における、ポリイミド越しの表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上となる。銅箔を、表面処理が行われている表面側から積層させた前記ポリイミド越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、観察地点－明度グラフにおいて、ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）が４０以上となる。表面処理銅箔の他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの十点平均粗さＲｚが、０．３５μｍ以上である。

Description

表面処理銅箔、銅張積層板、プリント配線板、電子機器及びプリント配線板の製造方法

　本発明は、表面処理銅箔、銅張積層板、プリント配線板、電子機器及びプリント配線板の製造方法に関する。

　スマートフォンやタブレットＰＣといった小型電子機器には、配線の容易性や軽量性からフレキシブルプリント配線板（以下、ＦＰＣ）が採用されている。近年、これら電子機器の高機能化により信号伝送速度の高速化が進み、ＦＰＣにおいてもインピーダンス整合が重要な要素となっている。信号容量の増加に対するインピーダンス整合の方策として、ＦＰＣのベースとなる樹脂絶縁層（例えば、ポリイミド）の厚層化が進んでいる。また配線の高密度化要求によりＦＰＣの多層化がより一層進んでいる。一方、ＦＰＣは液晶基材への接合やＩＣチップの搭載などの加工が施されるが、この際の位置合わせは銅箔と樹脂絶縁層との積層板における銅箔をエッチングした後に残る樹脂絶縁層を透過して視認される位置決めパターンを介して行われるため、樹脂絶縁層の視認性が重要となる。

　また、銅箔と樹脂絶縁層との積層板である銅張積層板は、表面に粗化めっきが施された圧延銅箔を使用しても製造できる。この圧延銅箔は、通常タフピッチ銅（酸素含有量１００～５００重量ｐｐｍ）又は無酸素銅（酸素含有量１０重量ｐｐｍ以下）を素材として使用し、これらのインゴットを熱間圧延した後、所定の厚さまで冷間圧延と焼鈍とを繰り返して製造される。

　このような技術として、例えば、特許文献１には、ポリイミドフィルムと低粗度銅箔とが積層されてなり、銅箔エッチング後のフィルムの波長６００ｎｍでの光透過率が４０％以上、曇価（ＨＡＺＥ）が３０％以下であって、接着強度が５００Ｎ／ｍ以上である銅張積層板に係る発明が開示されている。
　また、特許文献２には、電解銅箔による導体層を積層された絶縁層を有し、当該導体層をエッチングして回路形成した際のエッチング領域における絶縁層の光透過性が５０％以上であるチップオンフレキ（ＣＯＦ）用フレキシブルプリント配線板において、前記電解銅箔は、絶縁層に接着される接着面にニッケル－亜鉛合金による防錆処理層を備え、該接着面の表面粗度（Ｒｚ）は０．０５～１．５μｍであるとともに入射角６０°における鏡面光沢度が２５０以上であることを特徴とするＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に係る発明が開示されている。
　また、特許文献３には、印刷回路用銅箔の処理方法において、銅箔の表面に銅－コバルト－ニッケル合金めっきによる粗化処理後、コバルト－ニッケル合金めっき層を形成し、更に亜鉛－ニッケル合金めっき層を形成することを特徴とする印刷回路用銅箔の処理方法に係る発明が開示されている。

特開２００４－９８６５９号公報ＷＯ２００３／０９６７７６特許第２８４９０５９号公報

　特許文献１において、黒化処理又はめっき処理後の有機処理剤により接着性が改良処理されて得られる低粗度銅箔は、銅張積層板に屈曲性が要求される用途では、疲労によって断線することがあり、樹脂透視性に劣る場合がある。
　また、特許文献２では、粗化処理がなされておらず、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板以外の用途においては銅箔と樹脂との密着強度が低く不十分である。
　さらに、特許文献３に記載の処理方法では、銅箔へのＣｕ－Ｃｏ－Ｎｉによる微細処理は可能であったが、当該銅箔を樹脂越しに観察した際に、優れた視認性を実現できていない。
　本発明は、樹脂と良好に接着し、且つ、樹脂越しに観察した際に、優れた視認性を実現する表面処理銅箔を提供する。

　本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、表面処理によって表面の色差が所定範囲に制御された銅箔を、当該処理面側から積層させたポリイミド基板越しにＣＣＤカメラで撮影した当該銅箔の画像から得られる観察地点－明度グラフにおいて描かれる銅箔端部付近の明度曲線の傾きに着目し、当該明度曲線の傾きを制御することが、基板樹脂フィルムの種類や基板樹脂フィルムの厚さの影響を受けずに、樹脂透明性が良好となることを見出した。

　以上の知見を基礎として完成された本発明は一側面において、一方の表面および他方の表面にそれぞれ表面処理が行われた表面処理銅箔であって、表面処理銅箔を前記一方の表面側から、銅箔に張り合わせ前の下記ΔＢ（ＰＩ）が５０以上６５以下であるポリイミドと積層して構成した銅張積層板における、前記ポリイミド越しの表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上となり、前記銅箔を一方の表面側から積層させた前記ポリイミド越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、前記撮影によって得られた画像について、観察された前記銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、前記銅箔の端部から前記銅箔がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）が４０以上となり、前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの十点平均粗さＲｚが、０．３５μｍ以上である表面処理銅箔である。

　本発明は別の一側面において、一方の表面および他方の表面にそれぞれ表面処理が行われた表面処理銅箔であって、表面処理銅箔を前記一方の表面側から、銅箔に張り合わせ前の下記ΔＢ（ＰＩ）が５０以上６５以下であるポリイミドと積層して構成した銅張積層板における、前記ポリイミド越しの表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上となり、前記銅箔を、一方の表面側から積層させた前記ポリイミド越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、前記撮影によって得られた画像について、観察された前記銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、前記銅箔の端部から前記銅箔がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差をΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）とし、前記観察地点－明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．０以上となり、
　　Ｓｖ＝（ΔＢ×０．１）／（ｔ１－ｔ２）　　　（１）
　前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの十点平均粗さＲｚが、０．３５μｍ以上である表面処理銅箔である。

　本発明の表面処理銅箔は別の一実施形態において、前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの平均粗さＲｚが、０．３５μｍ以上である。

　本発明の表面処理銅箔は更に別の一実施形態において、前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの算術平均粗さＲａが、０．０５μｍ以上である。

　本発明は更に別の一側面において、一方の表面および他方の表面にそれぞれ表面処理が行われた表面処理銅箔であって、表面処理銅箔を前記一方の表面側から、銅箔に張り合わせ前の下記ΔＢ（ＰＩ）が５０以上６５以下であるポリイミドと積層して構成した銅張積層板における、前記ポリイミド越しの表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上となり、前記銅箔を一方の表面側から積層させた前記ポリイミド越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、前記撮影によって得られた画像について、観察された前記銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、前記銅箔の端部から前記銅箔がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）が４０以上となり、前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの算術平均粗さＲａが、０．０５μｍ以上である表面処理銅箔である。

　本発明は更に別の一側面において、一方の表面および他方の表面にそれぞれ表面処理が行われた表面処理銅箔であって、表面処理銅箔を前記一方の表面側から、銅箔に張り合わせ前の下記ΔＢ（ＰＩ）が５０以上６５以下であるポリイミドと積層して構成した銅張積層板における、前記ポリイミド越しの表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上となり、前記銅箔を、一方の表面側から積層させた前記ポリイミド越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、前記撮影によって得られた画像について、観察された前記銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、前記銅箔の端部から前記銅箔がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差をΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）とし、前記観察地点－明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．０以上となり、
　　Ｓｖ＝（ΔＢ×０．１）／（ｔ１－ｔ２）　　　（１）
　前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの算術平均粗さＲａが、０．０５μｍ以上である表面処理銅箔である。

　本発明の表面処理銅箔は更に別の一実施形態において、前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの二乗平均平方根高さＲｑが、０．０８μｍ以上である。

　本発明は更に別の一側面において、一方の表面および他方の表面にそれぞれ表面処理が行われた表面処理銅箔であって、表面処理銅箔を前記一方の表面側から、銅箔に張り合わせ前の下記ΔＢ（ＰＩ）が５０以上６５以下であるポリイミドと積層して構成した銅張積層板における、前記ポリイミド越しの表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上となり、前記銅箔を一方の表面側から積層させた前記ポリイミド越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、前記撮影によって得られた画像について、観察された前記銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、前記銅箔の端部から前記銅箔がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）が４０以上となり、前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの二乗平均平方根高さＲｑが、０．０８μｍ以上である表面処理銅箔である。

　本発明は更に別の一側面において、一方の表面および他方の表面にそれぞれ表面処理が行われた表面処理銅箔であって、表面処理銅箔を前記一方の表面側から、銅箔に張り合わせ前の下記ΔＢ（ＰＩ）が５０以上６５以下であるポリイミドと積層して構成した銅張積層板における、前記ポリイミド越しの表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上となり、前記銅箔を、一方の表面側から積層させた前記ポリイミド越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、前記撮影によって得られた画像について、観察された前記銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、前記銅箔の端部から前記銅箔がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差をΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）とし、前記観察地点－明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．０以上となり、
　　Ｓｖ＝（ΔＢ×０．１）／（ｔ１－ｔ２）　　　（１）
　前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの二乗平均平方根高さＲｑが、０．０８μｍ以上である表面処理銅箔である。

　本発明の表面処理銅箔は更に別の一実施形態において、前記他方の表面の表面処理が粗化処理である。

　本発明に係る表面処理銅箔の別の実施形態においては、前記観察地点－明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．０以上となる。
　　Ｓｖ＝（ΔＢ×０．１）／（ｔ１－ｔ２）　　　（１）

　本発明に係る表面処理銅箔の更に別の実施形態においては、前記表面処理銅箔を前記一方の表面側から、銅箔に張り合わせ前の下記ΔＢ（ＰＩ）が５０以上６５以下であるポリイミドと積層して構成した銅張積層板における、前記ポリイミド越しの表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５３以上となる。

　本発明に係る表面処理銅箔の更に別の実施形態においては、前記明度曲線における（１）式で定義されるＳｖが３．５以上となる。

　本発明に係る表面処理銅箔の更に別の実施形態においては、前記明度曲線における（１）式で定義されるＳｖが３．９以上となる。

　本発明に係る表面処理銅箔の更に別の実施形態においては、前記明度曲線における（１）式で定義されるＳｖが５．０以上となる。

　本発明に係る表面処理銅箔の更に別の実施形態においては、前記一方の表面の接触式粗さ計で測定したＴＤの十点平均粗さＲｚが０．２０～０．６４μｍであり、前記銅箔表面の三次元表面積Ａと二次元表面積Ｂとの比Ａ／Ｂが１．０～１．７である。

　本発明に係る表面処理銅箔の更に別の実施形態においては、前記一方の表面の接触式粗さ計で測定したＴＤの十点平均粗さＲｚが０．２６～０．６２μｍである。

　本発明に係る表面処理銅箔の更に別の実施形態においては、前記Ａ／Ｂが１．０～１．６である。

　本発明は更に別の側面において、本発明の表面処理銅箔と樹脂基板とを積層して構成した銅張積層板である。

　本発明は更に別の側面において、本発明の表面処理銅箔を用いたプリント配線板である。

　本発明は更に別の側面において、本発明のプリント配線板を少なくとも１つ用いた電子機器である。

　本発明は更に別の側面において、絶縁樹脂基板と、絶縁樹脂基板上に設けられた銅回路とを有するプリント配線板であって、前記銅回路は、前記絶縁樹脂基板側の一方の表面と、表面処理が行われた他方の表面とを有し、前記絶縁樹脂基板越しの前記銅回路表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、前記銅回路を、前記絶縁樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、前記撮影によって得られた画像について、観察された前記銅回路が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、前記銅回路の端部から前記銅回路がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）が４０以上となり、前記他方の表面処理がされた銅回路表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの十点平均粗さＲｚが、０．３５μｍ以上であるプリント配線板である。

　本発明は更に別の側面において、絶縁樹脂基板と、絶縁樹脂基板上に設けられた銅回路とを有するプリント配線板であって、前記銅回路は、前記絶縁樹脂基板側の一方の表面と、表面処理が行われた他方の表面とを有し、前記絶縁樹脂基板越しの前記銅回路表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、前記銅回路を、前記絶縁樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、前記撮影によって得られた画像について、観察された前記銅回路が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、前記銅回路の端部から前記銅回路がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差をΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）とし、前記観察地点－明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記銅回路に最も近い交点の位置を示す値をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記銅回路に最も近い交点の位置を示す値をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．０以上となり、
　　Ｓｖ＝（ΔＢ×０．１）／（ｔ１－ｔ２）　　　（１）
　前記他方の表面処理がされた銅回路表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの十点平均粗さＲｚが、０．３５μｍ以上であるプリント配線板である。

　本発明のプリント配線板は別の一実施形態において、前記他方の表面処理がされた銅回路表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの算術平均粗さＲａが、０．０５μｍ以上である。

　本発明は更に別の一側面において、絶縁樹脂基板と、絶縁樹脂基板上に設けられた銅回路とを有するプリント配線板であって、前記銅回路は、前記絶縁樹脂基板側の一方の表面と、表面処理が行われた他方の表面とを有し、前記絶縁樹脂基板越しの前記銅回路表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、前記銅回路を、前記絶縁樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、前記撮影によって得られた画像について、観察された前記銅回路が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、前記銅回路の端部から前記銅回路がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）が４０以上となり、前記他方の表面処理がされた銅回路表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの算術平均粗さＲａが、０．０５μｍ以上であるプリント配線板である。

　本発明は更に別の一側面において、絶縁樹脂基板と、絶縁樹脂基板上に設けられた銅回路とを有するプリント配線板であって、前記銅回路は、前記絶縁樹脂基板側の一方の表面と、表面処理が行われた他方の表面とを有し、前記絶縁樹脂基板越しの前記銅回路表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、前記銅回路を、前記絶縁樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、前記撮影によって得られた画像について、観察された前記銅回路が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、前記銅回路の端部から前記銅回路がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差をΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）とし、前記観察地点－明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記銅回路に最も近い交点の位置を示す値をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記銅回路に最も近い交点の位置を示す値をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．０以上となり、
　　Ｓｖ＝（ΔＢ×０．１）／（ｔ１－ｔ２）　　　（１）
　前記他方の表面処理がされた銅回路表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの算術平均粗さＲａが、０．０５μｍ以上であるプリント配線板である。

　本発明のプリント配線板は更に別の一実施形態において、前記他方の表面処理がされた銅回路表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの二乗平均平方根高さＲｑが、０．０８μｍ以上である。

　本発明は更に別の一側面において、絶縁樹脂基板と、絶縁樹脂基板上に設けられた銅回路とを有するプリント配線板であって、前記銅回路は、前記絶縁樹脂基板側の一方の表面と、表面処理が行われた他方の表面とを有し、前記絶縁樹脂基板越しの前記銅回路表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、前記銅回路を、前記絶縁樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、前記撮影によって得られた画像について、観察された前記銅回路が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、前記銅回路の端部から前記銅回路がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）が４０以上となり、前記他方の表面処理がされた銅回路表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの二乗平均平方根高さＲｑが、０．０８μｍ以上であるプリント配線板である。

　本発明は更に別の一側面において、絶縁樹脂基板と、絶縁樹脂基板上に設けられた銅回路とを有するプリント配線板であって、前記銅回路は、前記絶縁樹脂基板側の一方の表面と、表面処理が行われた他方の表面とを有し、前記絶縁樹脂基板越しの前記銅回路表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、前記銅回路を、前記絶縁樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、前記撮影によって得られた画像について、観察された前記銅回路が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、前記銅回路の端部から前記銅回路がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差をΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）とし、前記観察地点－明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記銅回路に最も近い交点の位置を示す値をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記銅回路に最も近い交点の位置を示す値をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．０以上となり、
　　Ｓｖ＝（ΔＢ×０．１）／（ｔ１－ｔ２）　　　（１）
　前記他方の表面処理がされた銅回路表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの二乗平均平方根高さＲｑが、０．０８μｍ以上であるプリント配線板である。

　本発明のプリント配線板は更に別の一実施形態において、前記他方の表面の表面処理が粗化処理である。

　本発明は更に別の側面において、本発明のプリント配線板を２つ以上接続して、プリント配線板が２つ以上接続したプリント配線板を製造する方法である。

　本発明は更に別の側面において、本発明のプリント配線板を少なくとも１つと、もう一つの本発明のプリント配線板又は本発明のプリント配線板に該当しないプリント配線板とを接続する工程を少なくとも含む、プリント配線板が２つ以上接続したプリント配線板を製造する方法である。

　本発明は更に別の側面において、本発明のプリント配線板が少なくとも１つ接続したプリント配線板を１つ以上用いた電子機器である。

　本発明は更に別の側面において、本発明のプリント配線板に用いられている表面処理銅箔である。

　本発明は更に別の側面において、絶縁樹脂基板と、絶縁樹脂基板上に設けられた銅箔とを有する銅張積層板であって、前記銅箔は、前記絶縁樹脂基板側の一方の表面と、表面処理が行われた他方の表面とを有し、前記絶縁樹脂基板越しの前記銅箔の表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、前記銅張積層板の前記銅箔を、エッチングによりライン状の銅箔とした後に、前記絶縁樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、前記撮影によって得られた画像について、観察された前記ライン状の銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、前記ライン状の銅箔の端部から前記ライン状の銅箔がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）が４０以上となり、前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの十点平均粗さＲｚが、０．３５μｍ以上である銅張積層板である。

　本発明は更に別の側面において、絶縁樹脂基板と、絶縁樹脂基板上に設けられた銅箔とを有する銅張積層板であって、前記銅箔は、前記絶縁樹脂基板側の一方の表面と、表面処理が行われた他方の表面とを有し、前記絶縁樹脂基板越しの前記銅箔の表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、前記銅張積層板の前記銅箔を、エッチングによりライン状の銅箔とした後に、前記絶縁樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、前記撮影によって得られた画像について、観察された前記ライン状の銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、前記ライン状の銅箔の端部から前記ライン状の銅箔がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）とし、前記観察地点－明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記ライン状の銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記ライン状の銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．０以上となり、
　　Ｓｖ＝（ΔＢ×０．１）／（ｔ１－ｔ２）　　　（１）
　前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの十点平均粗さＲｚが、０．３５μｍ以上である銅張積層板である。

　本発明の銅張積層板は一実施形態において、他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの平均粗さＲｚが、０．３５μｍ以上である。

　本発明の銅張積層板は別の一実施形態において、前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの算術平均粗さＲａが、０．０５μｍ以上である。

　本発明は更に別の一側面において、絶縁樹脂基板と、絶縁樹脂基板上に設けられた銅箔とを有する銅張積層板であって、前記銅箔は、前記絶縁樹脂基板側の一方の表面と、表面処理が行われた他方の表面とを有し、前記絶縁樹脂基板越しの前記銅箔の表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、前記銅張積層板の前記銅箔を、エッチングによりライン状の銅箔とした後に、前記絶縁樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、前記撮影によって得られた画像について、観察された前記ライン状の銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、前記ライン状の銅箔の端部から前記ライン状の銅箔がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）が４０以上となり、前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの算術平均粗さＲａが、０．０５μｍ以上である銅張積層板である。

　本発明は更に別の一側面において、絶縁樹脂基板と、絶縁樹脂基板上に設けられた銅箔とを有する銅張積層板であって、前記銅箔は、前記絶縁樹脂基板側の一方の表面と、表面処理が行われた他方の表面とを有し、前記絶縁樹脂基板越しの前記銅箔の表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、前記銅張積層板の前記銅箔を、エッチングによりライン状の銅箔とした後に、前記絶縁樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、前記撮影によって得られた画像について、観察された前記ライン状の銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、前記ライン状の銅箔の端部から前記ライン状の銅箔がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）とし、前記観察地点－明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記ライン状の銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記ライン状の銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．０以上となり、
　　Ｓｖ＝（ΔＢ×０．１）／（ｔ１－ｔ２）　　　（１）
　前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの算術平均粗さＲａが、０．０５μｍ以上である銅張積層板である。

　本発明の銅張積層板は更に別の一実施形態において、前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの二乗平均平方根高さＲｑが、０．０８μｍ以上である。

　本発明は更に別の一側面において、絶縁樹脂基板と、絶縁樹脂基板上に設けられた銅箔とを有する銅張積層板であって、前記銅箔は、前記絶縁樹脂基板側の一方の表面と、表面処理が行われた他方の表面とを有し、前記絶縁樹脂基板越しの前記銅箔の表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、前記銅張積層板の前記銅箔を、エッチングによりライン状の銅箔とした後に、前記絶縁樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、前記撮影によって得られた画像について、観察された前記ライン状の銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、前記ライン状の銅箔の端部から前記ライン状の銅箔がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）が４０以上となり、前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの二乗平均平方根高さＲｑが、０．０８μｍ以上である銅張積層板である。

　本発明は更に別の一側面において、絶縁樹脂基板と、絶縁樹脂基板上に設けられた銅箔とを有する銅張積層板であって、前記銅箔は、前記絶縁樹脂基板側の一方の表面と、表面処理が行われた他方の表面とを有し、前記絶縁樹脂基板越しの前記銅箔の表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、前記銅張積層板の前記銅箔を、エッチングによりライン状の銅箔とした後に、前記絶縁樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、前記撮影によって得られた画像について、観察された前記ライン状の銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、前記ライン状の銅箔の端部から前記ライン状の銅箔がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）とし、前記観察地点－明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記ライン状の銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記ライン状の銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．０以上となり、
　　Ｓｖ＝（ΔＢ×０．１）／（ｔ１－ｔ２）　　　（１）
　前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの二乗平均平方根高さＲｑが、０．０８μｍ以上である銅張積層板である。

　本発明の銅張積層板は更に別の一実施形態において、前記他方の表面の表面処理が粗化処理である。

　本発明は更に別の側面において、本発明の銅張積層板に用いられている表面処理銅箔である。

　本発明は更に別の側面において、本発明の銅張積層板を用いて製造したプリント配線板である。

　本発明によれば、樹脂と良好に接着し、且つ、樹脂越しに観察した際に、優れた視認性を実現する表面処理銅箔を提供することができる。

Ｂｔ及びＢｂを定義する模式図である。ｔ１及びｔ２及びＳｖを定義する模式図である。明度曲線の傾き評価の際の、撮影装置の構成及び明度曲線の傾きの測定方法を表す模式図である。Ｒｚ評価の際の比較例１の銅箔表面のＳＥＭ観察写真である。Ｒｚ評価の際の実施例１の銅箔表面のＳＥＭ観察写真である。実施例で用いた夾雑物の外観写真である。実施例で用いた夾雑物の外観写真である。

　〔表面処理銅箔の形態及び製造方法〕
　本発明において使用する銅箔は、樹脂基板に積層させて積層体を作製し、エッチングにより回路を形成することで使用される銅箔等に有用である。
　本発明において使用する銅箔は、電解銅箔或いは圧延銅箔いずれでも良い。通常、銅箔の、樹脂基板と接着する面（本発明では、当該面を「一方の表面」とも呼ぶ）には積層後の銅箔の引き剥し強さを向上させることを目的として、脱脂後の銅箔の表面にふしこぶ状の電着を行う粗化処理が施されてもよい。電解銅箔は製造時点で凹凸を有しているが、粗化処理により電解銅箔の凸部を増強して凹凸を一層大きくすることができる。本発明においては、この粗化処理は銅－コバルト－ニッケル合金めっきや銅－ニッケル－りん合金めっき等の合金めっき好ましくは銅合金めっきにより行うことができる。粗化前の前処理として通常の銅めっき等が行われることがあり、粗化後の仕上げ処理として電着物の脱落を防止するために通常の銅めっき等が行なわれることもある。
　本発明において使用する銅箔は、一方の表面において、粗化処理を行った後、又は、粗化処理を省略して、耐熱めっき層や防錆めっき層を表面に施されていてもよい。粗化処理を省略して、耐熱めっき層や防錆めっき層を表面に施す処理として、下記条件のＮｉ－Ｗめっき浴によるめっき処理を用いることができる。なお、本発明に用いられる、電解、表面処理又はめっき等に用いられる処理液の残部は特に明記しない限り水である。

　めっき浴組成：Ｎｉ：２０～３０ｇ／Ｌ、Ｗ：１５～４０ｍｇ／Ｌ
　ｐＨ：３．０～４．０
　温度：３５～４５℃
　電流密度Ｄ_k：１．７～２．３Ａ／ｄｍ²
　めっき時間：１８～２５秒
　なお、本発明において使用する銅箔の厚みは特に限定する必要は無いが、例えば１μｍ以上、２μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上であり、例えば３０００μｍ以下、１５００μｍ以下、８００μｍ以下、３００μｍ以下、１５０μｍ以下、１００μｍ以下、７０μｍ以下、５０μｍ以下、４０μｍ以下である。

　なお、本願発明に係る銅箔にはＡｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｖ、Ｂ、Ｃｏ等の元素を一種以上含む銅合金箔も含まれる。上記元素の濃度が高くなる（例えば合計で１０質量％以上）と、導電率が低下する場合がある。圧延銅箔の導電率は、好ましくは５０％ＩＡＣＳ以上、より好ましくは６０％ＩＡＣＳ以上、更に好ましくは８０％ＩＡＣＳ以上である。また、圧延銅箔にはタフピッチ銅（ＪＩＳ　Ｈ３１００　Ｃ１１００）や無酸素銅（ＪＩＳ　Ｈ３１００　Ｃ１０２０）を用いて製造した銅箔も含まれる。

　また、本願発明に用いる電解銅箔の製造条件を以下に示す。
　＜電解液組成＞
　銅：９０～１１０ｇ／Ｌ
　硫酸：９０～１１０ｇ／Ｌ
　塩素：５０～１００ｐｐｍ
　レベリング剤１（ビス（３スルホプロピル）ジスルフィド）：１０～３０ｐｐｍ
　レベリング剤２（アミン化合物）：１０～３０ｐｐｍ
　上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。

（上記化学式中、Ｒ₁及びＲ₂はヒドロキシアルキル基、エーテル基、アリール基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。）

　＜製造条件＞
　電流密度：７０～１００Ａ／ｄｍ²
　電解液温度：５０～６０℃
　電解液線速：３～５ｍ／ｓｅｃ
　電解時間：０．５～１０分間

　粗化処理としての銅－コバルト－ニッケル合金めっきは、電解めっきにより、付着量が１５～４０ｍｇ／ｄｍ²の銅－１００～３０００μｇ／ｄｍ²のコバルト－１００～１５００μｇ／ｄｍ²のニッケルであるような３元系合金層を形成するように実施することができる。Ｃｏ付着量が１００μｇ／ｄｍ²未満では、耐熱性が悪化し、エッチング性が悪くなることがある。Ｃｏ付着量が３０００μｇ／ｄｍ² を超えると、磁性の影響を考慮せねばならない場合には好ましくなく、エッチングシミが生じ、また、耐酸性及び耐薬品性の悪化がすることがある。Ｎｉ付着量が１００μｇ／ｄｍ²未満であると、耐熱性が悪くなることがある。他方、Ｎｉ付着量が１５００μｇ／ｄｍ²を超えると、エッチング残が多くなることがある。好ましいＣｏ付着量は１０００～２５００μｇ／ｄｍ²であり、好ましいニッケル付着量は５００～１２００μｇ／ｄｍ²である。ここで、エッチングシミとは、塩化銅でエッチングした場合、Ｃｏが溶解せずに残ってしまうことを意味しそしてエッチング残とは塩化アンモニウムでアルカリエッチングした場合、Ｎｉが溶解せずに残ってしまうことを意味するものである。

　このような３元系銅－コバルト－ニッケル合金めっきを形成するためのめっき浴及びめっき条件は次の通りである：
　めっき浴組成：Ｃｕ１０～２０ｇ／Ｌ、Ｃｏ１～１０ｇ／Ｌ、Ｎｉ１～１０ｇ／Ｌ
　ｐＨ：１～４
　温度：３０～５０℃
　電流密度Ｄ_k：２０～３０Ａ／ｄｍ²
　めっき時間：１～５秒

　また、本発明の粗化処理としての銅－ニッケル－りん合金めっき条件を以下に示す。
　めっき浴組成：Ｃｕ１０～５０ｇ／Ｌ、Ｎｉ３～２０ｇ／Ｌ、Ｐ１～１０ｇ／Ｌ
　ｐＨ：１～４
　温度：３０～４０℃
　電流密度Ｄ_k：２０～５０Ａ／ｄｍ²
　めっき時間：０．５～３秒

　また、本発明の粗化処理としての銅－ニッケル－コバルト－タングステン合金めっき条件を以下に示す。
　めっき浴組成：Ｃｕ５～２０ｇ／Ｌ、Ｎｉ５～２０ｇ／Ｌ、Ｃｏ５～２０ｇ／Ｌ、Ｗ１～１０ｇ／Ｌ
　ｐＨ：１～５
　温度：３０～５０℃
　電流密度Ｄ_k：２０～５０Ａ／ｄｍ²
　めっき時間：０．５～５秒

　また、本発明の粗化処理としての銅－ニッケル－モリブデン－リン合金めっき条件を以下に示す。
　めっき浴組成：Ｃｕ５～２０ｇ／Ｌ、Ｎｉ５～２０ｇ／Ｌ、Ｍｏ１～１０ｇ／Ｌ、Ｐ１～１０ｇ／Ｌ
　ｐＨ：１～５
　温度：２０～５０℃
　電流密度Ｄ_k：２０～５０Ａ／ｄｍ²
　めっき時間：０．５～５秒

　粗化処理後、粗化処理面上に耐熱層、防錆層および耐候性層の群から選択される層の内１種以上を設けてもよい。また、各層は２層、３層等、複数の層であってもよく、各層を積層する順はいかなる順であってもよく、各層を交互に積層してもよい。

　ここで、耐熱層としては公知の耐熱層を用いることが出来る。また、例えば以下の表面処理を用いることが出来る。
　耐熱層、防錆層としては公知の耐熱層、防錆層を用いることができる。例えば、耐熱層および／または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる１種以上の元素を含む層であってもよく、ニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる１種以上の元素からなる金属層または合金層であってもよい。また、耐熱層および／または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる１種以上の元素を含む酸化物、窒化物、珪化物を含んでもよい。また、耐熱層および／または防錆層はニッケル－亜鉛合金を含む層であってもよい。また、耐熱層および／または防錆層はニッケル－亜鉛合金層であってもよい。前記ニッケル－亜鉛合金層は、不可避不純物を除き、ニッケルを５０ｗｔ％～９９ｗｔ％、亜鉛を５０ｗｔ％～１ｗｔ％含有するものであってもよい。前記ニッケル－亜鉛合金層の亜鉛及びニッケルの合計付着量が５～１０００ｍｇ／ｍ²、好ましくは１０～５００ｍｇ／ｍ²、好ましくは２０～１００ｍｇ／ｍ²であってもよい。また、前記ニッケル－亜鉛合金を含む層または前記ニッケル－亜鉛合金層のニッケルの付着量と亜鉛の付着量との比（＝ニッケルの付着量／亜鉛の付着量）が１．５～１０であることが好ましい。また、前記ニッケル－亜鉛合金を含む層または前記ニッケル－亜鉛合金層のニッケルの付着量は０．５ｍｇ／ｍ²～５００ｍｇ／ｍ²であることが好ましく、１ｍｇ／ｍ²～５０ｍｇ／ｍ²であることがより好ましい。耐熱層および／または防錆層がニッケル－亜鉛合金を含む層である場合、スルーホールやビアホール等の内壁部がデスミア液と接触したときに銅箔と樹脂基板との界面がデスミア液に浸食されにくく、銅箔と樹脂基板との密着性が向上する。防錆層はクロメート処理層であってもよい。クロメート処理層には公知のクロメート処理層を用いることが出来る。例えばクロメート処理層とは無水クロム酸、クロム酸、二クロム酸、クロム酸塩または二クロム酸塩を含む液で処理された層のことをいう。クロメート処理層はコバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタン等の元素（金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物等どのような形態でもよい）を含んでもよい。クロメート処理層の具体例としては、純クロメート処理層や亜鉛クロメート処理層等が挙げられる。本発明においては、無水クロム酸または二クロム酸カリウム水溶液で処理したクロメート処理層を純クロメート処理層という。また、本発明においては無水クロム酸または二クロム酸カリウムおよび亜鉛を含む処理液で処理したクロメート処理層を亜鉛クロメート処理層という。

　例えば耐熱層および／または防錆層は、付着量が１ｍｇ／ｍ²～１００ｍｇ／ｍ²、好ましくは５ｍｇ／ｍ²～５０ｍｇ／ｍ²のニッケルまたはニッケル合金層と、付着量が１ｍｇ／ｍ²～８０ｍｇ／ｍ²、好ましくは５ｍｇ／ｍ²～４０ｍｇ／ｍ²のスズ層とを順次積層したものであってもよく、前記ニッケル合金層はニッケル－モリブデン、ニッケル－亜鉛、ニッケル－モリブデン－コバルトのいずれか一種により構成されてもよい。また、耐熱層および／または防錆層は、ニッケルまたはニッケル合金とスズとの合計付着量が２ｍｇ／ｍ²～１５０ｍｇ／ｍ²であることが好ましく、１０ｍｇ／ｍ²～７０ｍｇ／ｍ²であることがより好ましい。また、耐熱層および／または防錆層は、［ニッケルまたはニッケル合金中のニッケル付着量］／［スズ付着量］＝０．２５～１０であることが好ましく、０．３３～３であることがより好ましい。

　また、耐熱層および／または防錆層として、付着量が２００～２０００μｇ／ｄｍ²のコバルト－５０～７００μｇ／ｄｍ²のニッケルのコバルト－ニッケル合金めっき層を形成することができる。この処理は広い意味で一種の防錆処理とみることができる。このコバルト－ニッケル合金めっき層は、銅箔と基板の接着強度を実質的に低下させない程度に行う必要がある。コバルト付着量が２００μｇ／ｄｍ²未満では、耐熱剥離強度が低下し、耐酸化性及び耐薬品性が悪化することがある。また、もう一つの理由として、コバルト量が少ないと処理表面が赤っぽくなってしまうので好ましくない。

　粗化処理後、粗化面上に付着量が２００～３０００μｇ／ｄｍ²のコバルト－１００～７００μｇ／ｄｍ²のニッケルのコバルト－ニッケル合金めっき層を形成することができる。この処理は広い意味で一種の防錆処理とみることができる。このコバルト－ニッケル合金めっき層は、銅箔と基板の接着強度を実質的に低下させない程度に行う必要がある。コバルト付着量が２００μｇ／ｄｍ²未満では、耐熱剥離強度が低下し、耐酸化性及び耐薬品性が悪化することがある。また、もう一つの理由として、コバルト量が少ないと処理表面が赤っぽくなってしまうので好ましくない。コバルト付着量が３０００μｇ／ｄｍ²を超えると、磁性の影響を考慮せねばならない場合には好ましくなく、エッチングシミが生じる場合があり、また、耐酸性及び耐薬品性の悪化することがある。好ましいコバルト付着量は５００～２５００μｇ／ｄｍ²である。一方、ニッケル付着量が１００μｇ／ｄｍ²未満では耐熱剥離強度が低下し耐酸化性及び耐薬品性が悪化することがある。ニッケルが１３００μｇ／ｄｍ²を超えると、アルカリエッチング性が悪くなる。好ましいニッケル付着量は２００～１２００μｇ／ｄｍ²である。

　また、コバルト－ニッケル合金めっきの条件は次の通りである：
　めっき浴組成：Ｃｏ１～２０ｇ／Ｌ、Ｎｉ１～２０ｇ／Ｌ
　ｐＨ：１．５～３．５
　温度：３０～８０℃
　電流密度Ｄ_k：１．０～２０．０Ａ／ｄｍ²
　めっき時間：０．５～４秒

　本発明に従えば、コバルト－ニッケル合金めっき上に更に付着量の３０～２５０μｇ／ｄｍ²の亜鉛めっき層が形成される。亜鉛付着量が３０μｇ／ｄｍ²未満では耐熱劣化率改善効果が無くなることがある。他方、亜鉛付着量が２５０μｇ／ｄｍ²を超えると耐塩酸劣化率が極端に悪くなることがある。好ましくは、亜鉛付着量は３０～２４０μｇ／ｄｍ²であり、より好ましくは８０～２２０μｇ／ｄｍ²である。

　上記亜鉛めっきの条件は次の通りである：
　めっき浴組成：Ｚｎ１００～３００ｇ／Ｌ
　ｐＨ：３～４
　温度：５０～６０℃
　電流密度Ｄk：０．１～０．５Ａ／ｄｍ²
　めっき時間：１～３秒

　なお、亜鉛めっき層の代わりに亜鉛－ニッケル合金めっき等の亜鉛合金めっき層を形成してもよく、さらに最表面にはクロメート処理やシランカップリング剤の塗布等によって防錆層を形成してもよい。

　耐候性層としては公知の耐候性層を用いることが出来る。また、耐候性層としては例えば公知のシランカップリング処理層を用いることができ、また以下のシランを用いて形成するシランカップリング処理層を用いることが出来る。
　シランカップリング処理に用いられるシランカップリング剤には公知のシランカップリング剤を用いてよく、例えばアミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤、メルカプト系シランカップリング剤を用いてよい。また、シランカップリング剤にはビニルトリメトキシシラン、ビニルフェニルトリメトキシラン、γ‐メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ‐グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、４‐グリシジルブチルトリメトキシシラン、γ‐アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ‐β（アミノエチル）γ‐アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ‐３‐（４‐（３‐アミノプロポキシ）プトキシ）プロピル‐３‐アミノプロピルトリメトキシシラン、イミダゾールシラン、トリアジンシラン、γ‐メルカプトプロピルトリメトキシシラン等を用いてもよい。

　前記シランカップリング処理層は、エポキシ系シラン、アミノ系シラン、メタクリロキシ系シラン、メルカプト系シランなどのシランカップリング剤などを使用して形成してもよい。なお、このようなシランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。中でも、アミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤を用いて形成したものであることが好ましい。

　ここで言うアミノ系シランカップリング剤とは、Ｎ‐（２‐アミノエチル）‐３‐アミノプロピルトリメトキシシラン、３‐（Ｎ‐スチリルメチル‐２‐アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３‐アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス（２‐ヒドロキシエチル）‐３‐アミノプロピルトリエトキシシラン、アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ‐メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ‐フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ‐（３‐アクリルオキシ‐２‐ヒドロキシプロピル）‐３‐アミノプロピルトリエトキシシラン、４‐アミノブチルトリエトキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルトリメトキシシラン、Ｎ‐（２‐アミノエチル‐３‐アミノプロピル）トリメトキシシラン、Ｎ‐（２‐アミノエチル‐３‐アミノプロピル）トリス（２‐エチルヘキソキシ）シラン、６‐（アミノヘキシルアミノプロピル）トリメトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシシラン、３‐（１‐アミノプロポキシ）‐３，３‐ジメチル‐１‐プロペニルトリメトキシシラン、３‐アミノプロピルトリス（メトキシエトキシエトキシ）シラン、３‐アミノプロピルトリエトキシシラン、３‐アミノプロピルトリメトキシシラン、ω‐アミノウンデシルトリメトキシシラン、３‐（２‐Ｎ‐ベンジルアミノエチルアミノプロピル）トリメトキシシラン、ビス（２‐ヒドロキシエチル）‐３‐アミノプロピルトリエトキシシラン、（Ｎ，Ｎ‐ジエチル‐３‐アミノプロピル）トリメトキシシラン、（Ｎ，Ｎ‐ジメチル‐３‐アミノプロピル）トリメトキシシラン、Ｎ‐メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ‐フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、３‐（Ｎ‐スチリルメチル‐２‐アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、γ‐アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ‐β（アミノエチル）γ‐アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－３－（４－（３－アミノプロポキシ）プトキシ）プロピル－３－アミノプロピルトリメトキシシランからなる群から選択されるものであってもよい。

　シランカップリング処理層は、ケイ素原子換算で、０．０５ｍｇ／ｍ²～２００ｍｇ／ｍ²、好ましくは０．１５ｍｇ／ｍ²～２０ｍｇ／ｍ²、好ましくは０．３ｍｇ／ｍ²～２．０ｍｇ／ｍ²の範囲で設けられていることが望ましい。前述の範囲の場合、基材樹脂と表面処理銅箔との密着性をより向上させることができる。

　通常、銅箔表面に粗化処理が施される場合には硫酸銅水溶液におけるやけめっきが従来技術であるが、めっき浴中に銅以外の金属を含んだ銅－コバルト－ニッケル合金めっきや銅－ニッケル－りん合金めっきなどの合金めっきにより、当該銅箔を前記一方の表面側から、銅箔に張り合わせ前のΔＢ（ＰＩ）が５０以上６５以下であるポリイミドと積層して構成した銅張積層板における、ポリイミド越しの表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上となる表面処理を行うことができる。

　〔表面色差ΔＥ＊ａｂ〕
　本発明の表面処理銅箔は、一方の表面側から、銅箔に張り合わせ前の下記ΔＢ（ＰＩ）が５０以上６５以下であるポリイミドと積層して構成した銅張積層板における、前記ポリイミド越しの表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上に制御されている。このような構成により、背面とのコントラストが鮮明となり、当該銅箔をポリイミド基板越しに観察した際の視認性が高くなる。この結果、当該銅箔を回路形成に使用した場合等において、当該ポリイミド基板を透過して視認される位置決めパターンを介して行うＩＣチップ搭載時の位置合わせ等が容易となる。当該色差ΔＥ＊ａｂが５０未満であると、背面とのコントラストが不鮮明になる可能性が生じる。当該色差ΔＥ＊ａｂは、より好ましくは５３以上、５５以上、より好ましくは６０以上である。色差ΔＥ＊ａｂの上限は特に限定する必要はないが、例えば９０以下、８８以下、あるいは８７以下、あるいは８５以下、あるいは７５以下、あるいは７０以下である。
　ここで、色差ΔＥ＊ａｂは、色差計で測定され、黒/白/赤/緑/黄/青を加味し、ＪＩＳＺ８７３０に基づくＬ*ａ*ｂ表色系を用いて示される総合指標であり、ΔＬ：白黒、Δａ：赤緑、Δｂ：黄青として、下記式で表される；

　〔銅箔表面の十点平均粗さＲｚ〕
　本発明の表面処理銅箔は、銅箔の一方の表面において、無粗化処理銅箔でも、粗化粒子が形成された粗化処理銅箔でもよく、粗化処理表面の接触式粗さ計で測定したＴＤの十点平均粗さＲｚが０．２０～０．６４μｍであるのが好ましい。このような構成により、ピール強度が高くなって樹脂と良好に接着し、且つ、銅箔をエッチングで除去した後の樹脂の透明性が高くなる。この結果、当該樹脂を透過して視認される位置決めパターンを介して行うＩＣチップ搭載時の位置合わせ等が容易となる。銅箔の一方の表面において、接触式粗さ計で測定したＴＤの十点平均粗さＲｚが０．２０μｍ未満であると、銅箔表面の粗化処理が不十分であるおそれがあり、樹脂と十分に接着できないという問題が生じるおそれがある。一方、銅箔の一方の表面において、接触式粗さ計で測定したＴＤの十点平均粗さＲｚが０．６４μｍ超であると、銅箔をエッチングで除去した後の樹脂表面の凹凸が大きくなるおそれがあり、その結果樹脂の透明性が不良となる問題が生じるおそれがある。銅箔の一方の表面の接触式粗さ計で測定したＴＤの十点平均粗さＲｚは、０．２６～０．６２μｍがより好ましく、０．４０～０．５５μｍが更により好ましい。

　視認性の効果を達成するために、表面処理前の銅箔の一方の表面における接触式粗さ計で測定したＴＤの粗さ（Ｒｚ）及び光沢度を制御する。具体的には、表面処理前の銅箔の一方の表面における接触式粗さ計で測定したＴＤの表面粗さ（Ｒｚ）を０．２０～０．５５μｍとし、好ましくは０．２０～０．４２μｍとする。このような銅箔としては、圧延油の油膜当量を調整して圧延を行う（高光沢圧延）、或いは、ケミカルエッチングのような化学研磨やリン酸溶液中の電解研磨により作製する。このように、処理前の銅箔の一方の表面におけるＴＤの表面粗さ（Ｒｚ）と光沢度とを上記範囲にすることで、処理後の銅箔の一方の表面における表面粗さ（Ｒｚ）及び表面積を制御しやすくすることができる。

　また、表面処理前の銅箔は、一方の表面におけるＴＤの６０度光沢度が３００～９１０％とし、５００～８１０％であるのがより好ましく、５００～７１０％であることがより好ましい。表面処理前の銅箔の一方の表面におけるＭＤの６０度光沢度が３００％未満であると３００％以上の場合よりも上述の樹脂の透明性が不良となるおそれがあり、９１０％を超えると、製造することが難しくなるという問題が生じるおそれがある。
　なお、高光沢圧延は以下の式で規定される油膜当量を１３０００～２４０００以下とすることで行うことが出来る。
　油膜当量＝｛（圧延油粘度[ｃＳｔ]）×（通板速度[ｍｐｍ]＋ロール周速度[ｍｐｍ]）｝/｛（ロールの噛み込み角[ｒａｄ]）×（材料の降伏応力[ｋｇ／ｍｍ²]）｝
　圧延油粘度[ｃＳｔ]は４０℃での動粘度である。
　油膜当量を１３０００～２４０００とするためには、低粘度の圧延油を用いたり、通板速度を遅くしたりする等、公知の方法を用いればよい。
　化学研磨は硫酸－過酸化水素－水系またはアンモニア－過酸化水素－水系等のエッチング液で、通常よりも濃度を低くして、長時間かけて行う。

　〔明度曲線〕
　本発明の表面処理銅箔は、一方の表面側から、銅箔に張り合わせ前の下記ΔＢ（ＰＩ）が５０以上６５以下であるポリイミドを積層させた後、銅箔をポリイミド越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、撮影によって得られた画像について、観察された銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、銅箔の端部から銅箔がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）が４０以上となる。
　また、前記観察地点－明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．０以上となるのが好ましい。
　　Ｓｖ＝（ΔＢ×０．１）／（ｔ１－ｔ２）　　　（１）

　ここで、「明度曲線のトップ平均値Ｂｔ」、「明度曲線のボトム平均値Ｂｂ」、及び、後述の「ｔ１」、「ｔ２」、「Ｓｖ」について、図を用いて説明する。
　図１（ａ）及び図１（ｂ）に、銅箔の幅を約０．３ｍｍとした場合のＢｔ及びＢｂを定義する模式図を示す。銅箔の幅を約０．３ｍｍとした場合、図１（ａ）に示すようにＶ型の明度曲線となる場合と、図１（ｂ）に示すように底部を有する明度曲線となる場合がある。いずれの場合も「明度曲線のトップ平均値Ｂｔ」は、銅箔の両側の端部位置から５０μｍ離れた位置から３０μｍ間隔で５箇所（両側で合計１０箇所）測定したときの明度の平均値を示す。一方、「明度曲線のボトム平均値Ｂｂ」は、明度曲線が図１（ａ）に示すようにＶ型となる場合は、このＶ字の谷の先端部における明度の最低値を示し、図１（ｂ）の底部を有する場合は、約０．３ｍｍの中心部の値を示す。なお、マークの幅は、０．２ｍｍ、０．１６ｍｍ、０．１ｍｍ程度としてもよい。さらに、「明度曲線のトップ平均値Ｂｔ」は、マークの両側の端部位置から１００μｍ離れた位置、３００μｍ離れた位置、或いは、５００μｍ離れた位置から、それぞれ３０μｍ間隔で５箇所（両側で合計１０箇所）測定したときの明度の平均値としてもよい。

　図２に、ｔ１及びｔ２及びＳｖを定義する模式図を示す。「ｔ１（ピクセル×０．１）」は、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記銅箔に最も近い交点を示す。「ｔ２（ピクセル×０．１）」は、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記銅箔に最も近い交点を示す。このとき、ｔ１およびｔ２を結ぶ線で示される明度曲線の傾きについては、ｙ軸方向に０．１ΔＢ、ｘ軸方向に（ｔ１－ｔ２）で計算されるＳｖ（階調／ピクセル×０．１）で定義される。なお、横軸の１ピクセルは１０μｍ長さに相当する。また、Ｓｖは、銅箔の両側を測定し、小さい値を採用する。さらに、明度曲線の形状が不安定で上記「明度曲線とＢｔとの交点」が複数存在する場合は、最も銅箔に近い交点を採用する。

　ＣＣＤカメラで撮影した上記画像において、銅箔がない部分では高い明度となるが、銅箔端部に到達したとたんに明度が低下する。ポリイミド基板越しに見たときの視認性が良好であれば、このような明度の低下状態が明確に観察される。一方、ポリイミド基板越しに見たときの視認性が不良であれば、明度が銅箔端部付近で一気に「高」から「低」へ急に下がるのではなく、低下の状態が緩やかとなり、明度の低下状態が不明確となってしまう。

　本発明はこのような知見に基づき、本発明の表面処理銅箔は、表面処理が行われている表面側から、銅箔に張り合わせ前の下記ΔＢ（ＰＩ）が５０以上６５以下であるポリイミドを積層させた後、銅箔をポリイミド越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、撮影によって得られた画像について、観察された銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、銅箔の端部から銅箔がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）が４０以上に制御されている。または、本発明の表面処理銅箔は、上記Ｓｖ値が３．０以上に制御されている。

　このような構成によれば、基板樹脂の種類や厚みの影響を受けずに、ＣＣＤカメラによるポリイミド越しの銅箔の識別力が向上する。このため、ポリイミド基板越しから観察する際の良好な視認性が得られ、電子基板製造工程等でポリイミド基板に所定の処理を行う場合の銅箔によるマーキング等の位置決め精度が向上し、これによって歩留まりが向上する等の効果が得られる。

　本発明において、Ｓｖは好ましくは３．５以上、より好ましくは３．９以上、より好ましくは４．５以上、より好ましくは５．０以上、より好ましくは５．５以上である。Ｓｖの上限は特に限定する必要はないが、例えば１５以下、１０以下である。このような構成によれば、銅箔と銅箔で無い部分との境界がより明確になり、位置決め精度が向上して、銅箔画像認識による誤差が少なくなり、より正確に位置合わせができるようになる。
　なお、表面処理銅箔をポリイミドの両表面に積層させた後、両表面の銅箔をエッチングで除去して一方の表面の銅箔のみ回路状に成形し、当該回路状の銅箔をポリイミド越しに観察して得られる視認性が良好であれば、そのような表面処理銅箔は、ポリイミドに積層させた後、ポイリミド越しに観察して得られる視認性が良好となる。

　〔表面積比〕
　銅箔の一方の表面の三次元表面積Ａと二次元表面積Ｂとの比Ａ／Ｂは、上述の樹脂の透明性に大いに影響を及ぼす。すなわち、表面粗さＲｚが同じであれば、比Ａ／Ｂが小さい銅箔ほど、上述の樹脂の透明性が良好となる。このため、本発明の表面処理銅箔は、当該比Ａ／Ｂが１．０～１．７であるのが好ましく、１．０～１．６であるのがより好ましい。ここで、表面処理側の表面の粗化粒子の三次元表面積Ａと二次元表面積Ｂとの比Ａ／Ｂは、例えば当該表面が粗化処理されている場合、粗化粒子の表面積Ａと、銅箔を銅箔表面側から平面視したときに得られる面積Ｂとの比Ａ／Ｂとも云うことができる。

　粒子形成時などの表面処理時の電流密度とメッキ時間とを制御することで、粒子の形態や形成密度、表面の凹凸状態などの表面状態が決まり、上記表面粗さＲｚ、光沢度及び銅箔表面の表面積比Ａ／Ｂを制御することができる。

　本発明の表面処理銅箔は、銅箔の、樹脂基板と接着する面の反対側の表面（本発明では、当該面を「他方の表面」とも呼ぶ）にも表面処理が行われている。表面処理銅箔を一方の表面側から樹脂基板に貼り合わせる際、一般に、樹脂基板／表面処理銅箔／保護フィルムをこの順で積層し、当該保護フィルム側からラミネートロールにより熱と圧力をかけながら貼り合わせる。このとき、表面処理銅箔の樹脂基板側とは反対側の表面（他方の表面）に保護フィルムが貼り付いてしまう（表面処理銅箔と保護フィルムとの間で滑らなくなる）という問題が生じることがある。このような問題が生じると、銅箔の他方の表面にシワやスジが発生してしまう。これに対し、本発明の表面処理銅箔は他方の表面が表面処理されており、銅箔と保護フィルムとの間の接触面積を増やすことで、樹脂基板との積層工程の際の銅箔に保護フィルムが貼り付いてしまうという問題を良好に抑制することができる。

　本発明の表面処理銅箔は、一側面において、他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの十点平均粗さＲｚが、０．３５μｍ以上である。このような構成により、銅箔と保護フィルムとの間の接触面積をより増やすことで、樹脂基板との積層工程の際の銅箔に保護フィルムが貼り付いてしまうという問題をより良好に抑制することができる。本発明の表面処理銅箔は、他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの十点平均粗さＲｚが、０．４０μｍ以上であるのがより好ましく、０．５０μｍ以上であるのが更により好ましく、０．６０μｍ以上であるのが更により好ましく、０．８μｍ以上であるのが更により好ましく、典型的には０．４０～４．０μｍであり、より典型的には０．５０～３．０μｍである。なお、本発明の表面処理銅箔の、他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの十点平均粗さＲｚの上限は特に限定する必要は無いが、典型的には４．０μｍ以下であり、より典型的には３．０μｍ以下であり、より典型的には２．５μｍ以下であり、より典型的には２．０μｍ以下である。

　本発明の表面処理銅箔は、別の側面において、他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの算術平均粗さＲａが、０．０５μｍ以上である。このような構成により、銅箔と保護フィルムとの間の接触面積をより増やすことで、樹脂基板との積層工程の際の銅箔に保護フィルムが貼り付いてしまうという問題をより良好に抑制することができる。本発明の表面処理銅箔は、他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの算術平均粗さＲａが、０．０８μｍ以上であるのがより好ましく、０．１０μｍ以上であるのが更により好ましく、０．２０μｍ以上であるのが更により好ましく、０．３０μｍ以上であるのが更により好ましい。なお、本発明の表面処理銅箔の、他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの算術平均粗さＲａの上限は特に限定する必要は無いが、典型的には０．８０μｍ以下であり、より典型的０．６５μｍ以下であり、より典型的には０．５０μｍ以下であり、より典型的には０．４０μｍ以下である。

　本発明の表面処理銅箔は、別の側面において、他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの二乗平均平方根高さＲｑが、０．０８μｍ以上である。このような構成により、銅箔と保護フィルムとの間の接触面積をより増やすことで、樹脂基板との積層工程の際の銅箔に保護フィルムが貼り付いてしまうという問題をより良好に抑制することができる。本発明の表面処理銅箔は、他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの二乗平均平方根高さＲｑが、０．１０μｍ以上であるのがより好ましく、０．１５μｍ以上であるのが更により好ましく、０．２０μｍ以上であるのが更により好ましく、０．３０μｍ以上であるのが更により好ましく、典型的には０．０８～０．６０μｍであり、より典型的には０．１０～０．５０μｍである。なお、本発明の表面処理銅箔の、他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの二乗平均平方根高さＲｑの上限は特に限定をする必要は無いが、典型的には０．８０μｍ以下であり、より典型的には０．６０μｍ以下であり、より典型的には０．５０μｍ以下であり、より典型的には０．４０μｍ以下である。

　本発明の表面処理銅箔における他方の表面処理としては、特に限定されず、粗化処理であってもよく、粗化処理を省略して、めっき（正常めっき、粗化めっきでないめっき）により耐熱層または防錆層を設ける処理であってもよい。
　例えば、硫酸銅と硫酸水溶液を含むめっき液を用いて粗化処理を行ってもよく、また硫酸銅と硫酸水溶液から成るめっき液を用いて粗化処理を行ってもよい。銅－コバルト－ニッケル合金めっきや銅－ニッケル－りん合金めっき、ニッケル－亜鉛合金めっき等の合金めっきでもよい。また、好ましくは銅合金めっきにより行うことができる。銅合金めっき浴としては例えば銅と銅以外の元素を一種以上含むめっき浴、より好ましくは銅とコバルト、ニッケル、砒素、タングステン、クロム、亜鉛、リン、マンガンおよびモリブデンからなる群から選択されたいずれか１種以上とを含むめっき浴を用いることが好ましい。

　また本発明の表面処理銅箔における他方の表面処理としては、上記の粗化処理やめっき処理以外の表面処理であってもよい。
　他方の表面に凹凸を形成するための表面処理としては、電解研磨による表面処理を行ってもよい。例えば、硫酸銅と硫酸水溶液から成る溶液中で、銅箔の他方の表面を電解研磨することにより、銅箔の他方の表面に凹凸を形成させることができる。一般に電解研磨は平滑化を目的とするが、本発明の他方の表面処理では電解研磨により凹凸を形成するので、通常とは逆の考え方である。電解研磨により凹凸を形成する方法は公知の技術で行っても良い。前記凹凸を形成するための電解研磨の公知の技術の例としては特開2005-240132、特開2010-059547、特開2010-047842に記載の方法が挙げられる。電解研磨で凹凸を形成させる処理の具体的な条件としては、例えば、
　　・処理溶液：Ｃｕ：２０ｇ／Ｌ、Ｈ₂ＳＯ₄：１００ｇ／Ｌ、温度：５０℃
　　・電解研磨電流：１５Ａ／ｄｍ²
　　・電解研磨時間：１５秒
などが挙げられる。

　他方の表面に凹凸を形成するための表面処理としては、例えば、他方の表面を機械研磨することで凹凸を形成しても良い。機械研磨は公知の技術で行ってもよい。
　なお、本発明の表面処理銅箔における他方の表面処理後に、耐熱層や防錆層や耐候性層を設けても良い。耐熱層や防錆層および耐候性層は、上記記載や実験例記載の方法でもよいし、公知の技術の方法でもよい。

　本発明の表面処理銅箔を、一方の表面側から絶縁樹脂基板に貼り合わせて積層体を製造することができる。絶縁樹脂基板はプリント配線板等に適用可能な特性を有するものであれば特に制限を受けないが、例えば、リジッドＰＷＢ用に紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂等を使用し、ＦＰＣ用にポリエステルフィルムやポリイミドフィルム、液晶ポリマー（ＬＣＰ）フィルム、テフロン（登録商標）フィルム等を使用する事ができる。

　貼り合わせの方法は、リジッドＰＷＢ用の場合、ガラス布などの基材に樹脂を含浸させ、樹脂を半硬化状態まで硬化させたプリプレグを用意する。銅箔を被覆層の反対側の面からプリプレグに重ねて加熱加圧させることにより行うことができる。ＦＰＣの場合、ポリイミドフィルム等の基材に接着剤を介して、又は、接着剤を使用せずに高温高圧下で銅箔に積層接着して、又は、ポリイミド前駆体を塗布・乾燥・硬化等を行うことで積層板を製造することができる。
　ポリイミド基材樹脂の厚みは特に制限を受けるものではないが、一般的に２５μｍや５０μｍが挙げられる。

　本発明の積層体は各種のプリント配線板（ＰＷＢ）に使用可能であり、特に制限されるものではないが、例えば、導体パターンの層数の観点からは片面ＰＷＢ、両面ＰＷＢ、多層ＰＷＢ（３層以上）に適用可能であり、絶縁基板材料の種類の観点からはリジッドＰＷＢ、フレキシブルＰＷＢ（ＦＰＣ）、リジッド・フレックスＰＷＢに適用可能である。本発明の電子機器は、このようなプリント配線板を用いて作製することができる。

　また、本発明のプリント配線板は、絶縁樹脂基板と、絶縁樹脂基板上に設けられた銅回路とを有するプリント配線板であって、前記銅回路は、前記絶縁樹脂基板側の一方の表面と、表面処理が行われた他方の表面とを有し、絶縁樹脂基板越しの銅回路表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、銅回路を、絶縁樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、撮影によって得られた画像について、観察された銅回路が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、銅回路の端部から銅回路がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）が４０以上となる。このようなプリント配線板を用いると、プリント配線板の位置決めをより正確に行うことが出来る。

　また、本発明のプリント配線板は、絶縁樹脂基板と、絶縁樹脂基板上に設けられた銅回路とを有するプリント配線板であって、前記銅回路は、前記絶縁樹脂基板側の一方の表面と、表面処理が行われた他方の表面とを有し、前記絶縁樹脂基板越しの前記銅回路表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、前記銅回路を、前記絶縁樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、前記撮影によって得られた画像について、観察された前記銅回路が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、前記銅回路の端部から前記銅回路がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差をΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）とし、前記観察地点－明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記銅回路に最も近い交点の位置を示す値をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記銅回路に最も近い交点の位置を示す値をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．０以上となる。このようなプリント配線板を用いると、プリント配線板の位置決めをより正確に行うことが出来る。
　　Ｓｖ＝（ΔＢ×０．１）／（ｔ１－ｔ２）　　　（１）

　また、本発明の銅張積層板は、絶縁樹脂基板と、絶縁樹脂基板上に設けられた銅箔とを有する銅張積層板であって、前記銅箔は、前記絶縁樹脂基板側の一方の表面と、表面処理が行われた他方の表面とを有し、絶縁樹脂基板越しの銅箔の表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、銅張積層板の前記銅箔を、エッチングによりライン状の銅箔とした後に、絶縁樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、撮影によって得られた画像について、観察された前記ライン状の銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、ライン状の銅箔の端部からライン状の銅箔がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）が４０以上となる。
　上記本発明の銅張積層板の銅箔は、本発明の表面処理銅箔を用いることができる。
　このような銅張積層板を用いてプリント配線板を製造すると、プリント配線板の位置決めをより正確に行うことが出来る。

　また、本発明の銅張積層板は、絶縁樹脂基板と、絶縁樹脂基板上に設けられた銅箔とを有する銅張積層板であって、前記銅箔は、前記絶縁樹脂基板側の一方の表面と、表面処理が行われた他方の表面とを有し、前記絶縁樹脂基板越しの前記銅箔の表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、前記銅張積層板の前記銅箔を、エッチングによりライン状の銅箔とした後に、前記絶縁樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、前記撮影によって得られた画像について、観察された前記ライン状の銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、前記ライン状の銅箔の端部から前記ライン状の銅箔がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）とし、前記観察地点－明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記ライン状の銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記ライン状の銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．０以上となる。
　上記本発明の銅張積層板の銅箔は、本発明の表面処理銅箔を用いることができる。
　このような銅張積層板を用いてプリント配線板を製造すると、プリント配線板の位置決めをより正確に行うことが出来る。
　　Ｓｖ＝（ΔＢ×０．１）／（ｔ１－ｔ２）　　　（１）

　また、上述の本発明のプリント配線板又は銅張積層板は、銅回路又は銅箔の、樹脂基板と接着する面の反対側の表面（他方の表面）にも表面処理が行われている。プリント配線板又は銅張積層板をロールｔｏロールの製造ラインに通過させるときに、製造ライン中の搬送ロールと、プリント配線板又は銅張積層板の樹脂基板側とは反対側の表面との間で貼りついてしまう（滑らなくなる）という問題が生じることがある。このような問題が生じると、銅回路又は銅箔の他方の表面にシワやスジが発生してしまう。これに対し、本発明のプリント配線板又は銅張積層板は他方の表面が表面処理されており、銅回路又は銅箔と保護フィルムとの間の接触面積を増やすことで、製造ライン中の搬送ロールに貼りついて（滑らなくなって）しまうという問題を良好に抑制することができる。さらに、他方の表面と、ドライフィルム、カバーレイとの密着性が良好となるため、プリント配線板又は銅張積層板の耐候性が向上する。

　（積層体及びそれを用いたプリント配線板の位置決め方法）
　本発明の金属と樹脂との積層体の位置決めをする方法について説明する。まず、金属と樹脂との積層体を準備する。金属と樹脂との積層体としては、樹脂に金属を貼り合わせて構成されているものであれば、特に形態は限定されない。本発明の金属と樹脂との積層体の具体例としては、本体基板と付属の回路基板と、それらを電気的に接続するために用いられる、ポリイミド等の樹脂の少なくとも一方の表面に銅等の金属配線が形成されたフレキシブルプリント基板とで構成される電子機器において、フレキシブルプリント基板を正確に位置決めして当該本体基板及び付属の回路基板の配線端部に圧着させて作製される積層体が挙げられる。すなわち、この場合であれば、積層体は、フレキシブルプリント基板及び本体基板の配線端部が圧着により貼り合わせられた積層体、或いは、フレキシブルプリント基板及び回路基板の配線端部が圧着により貼り合わせられた積層体となる。積層体は、当該金属配線の一部や別途材料で形成したマークを有している。マークの位置については、当該積層体を構成する樹脂越しにＣＣＤカメラ等の撮影手段で撮影可能な位置であれば特に限定されない。

　このように準備された積層体において、上述のマークを樹脂越しに撮影手段で撮影し、前記撮影によって得られた画像について、観察された前記マークが伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して観察地点－明度グラフを作製し、前記マークの端部から前記マークがない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）を用いて前記マークの位置を検出して、前記検出されたマークの位置に基づき金属と樹脂との積層体の位置決めをする。

　また、このとき、上記Ｓｖ値のみを用いて前記マークの位置を検出して、前記検出されたマークの位置に基づき金属と樹脂との積層体の位置決めを行ってもよく、上記ΔＢ値とＳｖ値との両方を用いて前記マークの位置を検出して、前記検出されたマークの位置に基づき金属と樹脂との積層体の位置決めをしてもよい。

　このような位置決め方法によれば、マークとマークでない部分との境界がより明確になり、位置決め精度が向上して、マーク画像認識による誤差が少なくなり、より正確に位置合わせができるようになる。例えば、ΔＢ値、Ｓｖ値、或いは、ΔＢ値及びＳｖ値の値が所定の値以上の場合は、マークが当該位置に存在するという判定を、位置を検出する装置が行うことが出来る。具体的には、例えば、ΔＢ値のみで判定を行う場合はΔＢが４０以上のとき、Ｓｖ値のみで判定を行う場合はＳｖが３．０以上のとき、或いは、ΔＢ値とＳｖ値とで判定を行う場合はΔＢが４０以上且つＳｖが３．０以上のときにマークが当該位置に存在するという判定を、位置を検出する装置が行うことが出来る。このような位置決め方法を用いると、プリント配線板の位置決めをより正確に行うことが出来る。

　そのため、一つのプリント配線板ともう一つのプリント配線板を接続する際に、接続不良が低減し、歩留まりが向上すると考えられる。このとき、銅箔は、表面処理を行ったものであってもよい。なお、一つのプリント配線板ともう一つのプリント配線板を接続する方法としては半田付けや異方性導電フィルム（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ、ＡＣＦ）を介した接続、異方性導電ペースト（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ、ＡＣＰ）を介した接続または導電性を有する接着剤を介しての接続など公知の接続方法を用いることができる。なお、本発明において、「プリント配線板」には部品が装着されたプリント配線板およびプリント回路板およびプリント基板も含まれることとする。また、本発明のプリント配線板を２つ以上接続して、プリント配線板が２つ以上接続したプリント配線板を製造することができ、また、本発明のプリント配線板を少なくとも１つと、もう一つの本発明のプリント配線板又は本発明のプリント配線板に該当しないプリント配線板とを接続することができ、このようなプリント配線板を用いて電子機器を製造することもできる。なお、本発明において、「銅回路」には銅配線も含まれることとする。

　なお、本発明の実施の形態に係る位置決め方法は積層体（銅と樹脂の積層体やプリント配線板を含む）を移動させる工程を含んでいてもよい。移動工程においては例えばベルトコンベヤーやチェーンコンベヤーなどのコンベヤーにより移動させてもよく、アーム機構を備えた移動装置により移動させてもよく、気体を用いて積層体を浮遊させることで移動させる移動装置や移動手段により移動させてもよく、略円筒形などの物を回転させて積層体を移動させる移動装置や移動手段（コロやベアリングなどを含む）、油圧を動力源とした移動装置や移動手段、空気圧を動力源とした移動装置や移動手段、モーターを動力源とした移動装置や移動手段、ガントリ移動型リニアガイドステージ、ガントリ移動型エアガイドステージ、スタック型リニアガイドステージ、リニアモーター駆動ステージなどのステージを有する移動装置や移動手段などにより移動させてもよい。また、公知の移動手段による移動工程を行ってもよい。
　なお、本発明の実施の形態に係る位置決め方法は表面実装機やチップマウンターに用いてもよい。
　また、本発明において位置決めされる前記金属と樹脂との積層体が、樹脂板及び前記樹脂板の上に設けられた回路を有するプリント配線板であってもよい。また、その場合、前記マークが前記回路であってもよい。

　本発明において「位置決め」とは「マークや物の位置を検出すること」を含む。また、本発明において、「位置合わせ」とは、「マークや物の位置を検出した後に、前記検出した位置に基づいて、当該マークや物を所定の位置に移動すること」を含む。

　実施例１～９及び比較例１～６として、各銅箔を準備し、一方の表面に、粗化処理として表２及び表３に記載の条件にてめっき処理を行った。

　圧延銅箔は以下のように製造した。所定の銅インゴットを製造し、熱間圧延を行った後、３００～８００℃の連続焼鈍ラインの焼鈍と冷間圧延を繰り返して１～２ｍｍ厚の圧延板を得た。この圧延板を３００～８００℃の連続焼鈍ラインで焼鈍して再結晶させ、表１の厚みまで最終冷間圧延し、銅箔を得た。表１の「タフピッチ銅」はＪＩＳＨ３１００Ｃ１１００に規格されているタフピッチ銅を示す。表１の「無酸素銅」はＪＩＳＨ３１００Ｃ１０２０に規格されている無酸素銅を示す。表１に記載の添加元素の「ｐｐｍ」は、質量ｐｐｍを示す。また、例えば表１の金属箔（表面処理前）の種類欄の「タフピッチ銅＋Ａｇ１８０ｐｐｍ」はタフピッチ銅にＡｇを１８０質量ｐｐｍを添加したことを意味する。

　電解銅箔は、以下の条件にて作製した。
　・電解液組成（銅：１００ｇ／Ｌ、硫酸：１００ｇ／Ｌ、塩素：５０ｐｐｍ、レベリング剤１（ビス（３スルホプロピル）ジスルフィド）：１０～３０ｐｐｍ、レベリング剤２（アミン化合物）：１０～３０ｐｐｍ）
　・電解液温度：５０～６０℃
　・電流密度：７０～１００Ａ／ｄｍ²
　・電解時間：１分
　・電解液線速：４ｍ／秒
　なお、アミン化合物には以下のアミン化合物を用いた。

　表１に、一方の表面における、表面処理前の銅箔作製工程のポイントを記載した。「高光沢圧延」は、最終の冷間圧延（最終の再結晶焼鈍後の冷間圧延）を記載の油膜当量の値で行ったことを意味する。
　また、比較例５については上記実施例２と同様の表面処理を行い、比較例６については上記実施例６と同様の表面処理を行った。

　また、実施例については、銅箔の他方の表面に、以下の表面処理を行った。
　・表面処理条件
　　めっき液浴例
　　Ｃｕ：１５ｇ／Ｌ、Ｃｏ：９ｇ／Ｌ、Ｎｉ：９ｇ／Ｌ
　　ｐＨ：３
　　温度：３８℃
　　電流密度：２５Ａ／ｄｍ²
　　めっき時間：１秒

　上述のようにして作製した実施例及び比較例の各サンプルについて、各種評価を下記の通り行った。
・表面粗さ（Ｒｚ）の測定；
　各実施例、比較例の表面処理後の銅箔について、株式会社小阪研究所製接触式粗さ計Ｓｕｒｆｃｏｒｄｅｒ　ＳＥ－３Ｃを使用してＪＩＳ　Ｂ０６０１－１９９４に準拠して十点平均粗さを一方の表面について測定した。測定基準長さ０．８ｍｍ、評価長さ４ｍｍ、カットオフ値０．２５ｍｍ、送り速さ０．１ｍｍ／秒の条件で、圧延銅箔については圧延方向と垂直な方向（ＴＤ）に測定位置を変えて、または、電解銅箔については電解銅箔の製造装置における電解銅箔の進行方向と垂直な方向（ＴＤ）に測定位置を変えて、それぞれ１０回行い、１０回の測定での値を求めた。
　なお、表面処理前の銅箔についても、同様にして表面粗さ（Ｒｚ）を求めておいた。

　また、各実施例、比較例の表面処理後の他方の表面については非接触式の方法を用いて表面の粗さを測定することが好ましい。具体的にはレーザー顕微鏡で測定した粗さの値で各実施例、比較例の表面処理後の他方の表面の状態を評価する。表面の状態をより詳細に評価することができるからである。
　表面処理銅箔の他方の表面について、オリンパス社製レーザー顕微鏡ＯＬＳ４０００にて、表面粗さ（十点平均粗さ）ＲｚをＪＩＳ　Ｂ０６０１　１９９４に準拠して測定した。対物レンズ５０倍を使用して、銅箔表面の観察において評価長さ２５８μｍ、カットオフ値ゼロの条件で、圧延銅箔については圧延方向と垂直な方向（ＴＤ）の測定で、または、電解銅箔については電解銅箔の製造装置における電解銅箔の進行方向と垂直な方向（ＴＤ）の測定で、それぞれ値を求めた。なお、レーザー顕微鏡による表面粗さＲｚの測定環境温度は２３～２５℃とした。Ｒｚを任意に１０箇所測定し、そのＲｚの１０箇所の平均値を表面粗さ（十点平均粗さ）Ｒｚの値とした。また、測定に用いたレーザー顕微鏡のレーザー光の波長は４０５ｎｍとした。

・表面の二乗平均平方根高さＲｑの測定；
　各実施例、比較例の銅箔の他方の表面について、オリンパス社製レーザー顕微鏡ＯＬＳ４０００にて、銅箔表面の二乗平均平方根高さＲｑをＪＩＳ　Ｂ０６０１　２００１に準拠して測定した。対物レンズ５０倍を使用して、銅箔表面の観察において評価長さ２５８μｍ、カットオフ値ゼロの条件で、圧延銅箔については圧延方向と垂直な方向（ＴＤ）の測定で、または、電解銅箔については電解銅箔の製造装置における電解銅箔の進行方向と垂直な方向（ＴＤ）の測定で、それぞれ値を求めた。なお、レーザー顕微鏡による表面の二乗平均平方根高さＲｑの測定環境温度は２３～２５℃とした。Ｒｑを任意に１０箇所測定し、そのＲｑの１０箇所の平均値を二乗平均平方根高さＲｑの値とした。また、測定に用いたレーザー顕微鏡のレーザー光の波長は４０５ｎｍとした。

・表面の算術平均粗さＲａの測定；
　各実施例、比較例の表面処理後の銅箔の他方の表面について、表面粗さＲａを、ＪＩＳ　Ｂ０６０１－１９９４に準拠して、オリンパス社製レーザー顕微鏡ＯＬＳ４０００にて測定した。対物レンズ５０倍を使用して、銅箔表面の観察において評価長さ２５８μｍ、カットオフ値ゼロの条件で、圧延銅箔については圧延方向と垂直な方向（ＴＤ）の測定で、また、電解銅箔については電解銅箔の製造装置における電解銅箔の進行方向と垂直な方向（ＴＤ）の測定で、それぞれ値を求めた。なお、レーザー顕微鏡による表面の算術平均粗さＲａの測定環境温度は２３～２５℃とした。Ｒａを任意に１０箇所測定し、そのＲａの１０箇所の平均値を算術平均粗さＲａの値とした。また、測定に用いたレーザー顕微鏡のレーザー光の波長は４０５ｎｍとした。

・ポリイミド越しの色差ΔＥ＊ａｂの測定；
　表面処理銅箔と、銅箔に張り合わせ前のΔＢ（ＰＩ）が５０以上６５以下であるポリイミドフィルム（カネカ製厚み２５μｍまたは５０μｍ）とを積層して構成した銅張積層板における、ポリイミドフィルム越しの表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂを測定した。色差ΔＥ＊ａｂの測定は、ＨｕｎｔｅｒＬａｂ社製色差計ＭｉｎｉＳｃａｎ　ＸＥ　Ｐｌｕｓを使用して、ＪＩＳＺ８７３０に準拠して行った。なお、前述の色差計では、白色板の測定値をΔＥ＊ａｂ＝０、黒い袋で覆って暗闇で測定したときの測定値をΔＥ＊ａｂ＝９０として、色差を校正する。ΔＥ＊ａｂは、Ｌ*ａ*ｂ表色系を用い、ΔＬ：白黒、Δａ：赤緑、Δｂ：黄青として、下記式に基づいて測定した。ここで色差ΔＥ＊ａｂは白色をゼロ、黒色を９０で定義される；

　なお、銅回路表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂは、例えば日本電色工業株式会社製の微小面分光色差計（型式：ＶＳＳ４００など）やスガ試験機株式会社製の微小面分光測色計（型式：ＳＣ－５０μなど）など公知の測定装置を用いて測定をすることができる。

・銅箔表面の面積比（Ａ／Ｂ）；
　銅箔の一方の表面の表面積はレーザー顕微鏡による測定法を使用した。各実施例、比較例の表面処理後の銅箔の一方の表面について、オリンパス社製レーザー顕微鏡ＯＬＳ４０００を用いて処理表面の倍率２０倍における６４７μｍ×６４６μｍ相当面積Ｂ（実データでは４１７，９５３μｍ²）における三次元表面積Ａを測定して、三次元表面積Ａ÷二次元表面積Ｂ＝面積比（Ａ／Ｂ）とする手法により設定を行った。なお、レーザー顕微鏡による三次元表面積Ａの測定環境温度は２３～２５℃とした。

・光沢度；
　ＪＩＳ　Ｚ８７４１に準拠した日本電色工業株式会社製光沢度計ハンディーグロスメーターＰＧ－１を使用し、圧延銅箔については、圧延方向（圧延時の銅箔の進行方向、すなわち幅方向）に直角な方向（ＴＤ）の入射角６０度で表面処理前の一方の表面について測定した。また、電解銅箔については、電解処理時の銅箔運搬方向に直角な方向（すなわち幅方向）（ＴＤ）の入射角６０度で表面処理前の表面（マット面）について測定した。

・明度曲線の傾き
　作製した銅箔を一方の表面側からポリイミドフィルムに向けてポリイミドフィルムの両面に積層した。
　ここで、上記ポリイミドフィルムについては、カネカ製厚み２５μｍまたは５０μｍのポリイミドフィルム〔ＰＩＸＥＯ（ポリイミドタイプ：ＦＲＳ）、銅張積層板用接着層付ポリイミドフィルム、ＰＭＤＡ（ピロメリット酸無水物）系のポリイミドフィルム（ＰＭＤＡ－ＯＤＡ（４、４’-ジアミノジフェニルエーテル）系のポリイミドフィルム）〕を使用した。
　なお、後述の「視認性（樹脂透明性）」、「ピール強度（接着強度）」、及び、「歩留まり」の評価において、各試験例に関する表面処理銅箔の表面を貼り合わせるポリイミドフィルムは、当該「明度曲線の傾き」の評価において使用したポリイミドフィルムと同様のものである。
　そして、一方の面の銅箔を全てエッチングにより除去した。また、他方の面の銅箔をエッチングして幅０．３ｍｍのライン状にした。その後、幅０．３ｍｍのライン状にした銅箔の背面に白紙を敷き、当該ポリイミドフィルム越しにＣＣＤカメラ（８１９２画素のラインＣＣＤカメラ）で撮影し、撮影によって得られた画像について、観察された銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、マークの端部からマークがない部分にかけて生じる明度曲線からΔＢ及びｔ１、ｔ２、Ｓｖを測定した。このとき用いた撮影装置の構成及び明度曲線の測定方法を表す模式図を図３に示す。なお、明度曲線の傾きの評価に用いた厚さ２５μｍまたは５０μｍのポリイミドは、銅箔に張り合わせ前のポリイミドについてのΔＢ（ＰＩ）が５０以上６５以下であるポリイミドを用いた。なお、当該銅箔に張り合わせ前のポリイミドについてのΔＢ（ＰＩ）の測定の際には幅０．３ｍｍのライン状の銅箔の代わりに、幅０．３ｍｍのライン状の黒色の印を白紙に印刷したもの（ライン状の黒色マークを印刷した印刷物）を用いて、ΔＢ（ＰＩ）の測定を行った。

　また、ΔＢ及びｔ１、ｔ２、Ｓｖは、下記撮影装置で測定した。なお、横軸の１ピクセルは１０μｍ長さに相当する。
　また、上記「幅０．３ｍｍのライン状にした銅箔の背面」に敷いた「白紙」には光沢度４３．０±２の白色の光沢紙を用いた。
　上記「ライン状の黒色マークを印刷した印刷物」は、光沢度４３．０±２の白色の光沢紙上にＪＩＳ　Ｐ８２０８（１９９８）（図１　きょう雑物計測図表のコピー）及びＪＩＳ　Ｐ８１４５（２０１１）（附属書ＪＡ（規定）目視法異物比較チャート　図ＪＡ．１－目視法異物比較チャートのコピー）のいずれにも採用されている図６に示す透明フィルムに各種の線等が印刷されたきょう雑物（夾雑物）（株式会社朝陽会製　品名：「きょう雑物測定図表-フルサイズ判」　品番：ＪＱＡ１６０－２０１５１－１（独立行政法人国立印刷局で製造された））を載せたものを使用した。
　上記光沢紙の光沢度は、ＪＩＳ　Ｚ８７４１に準拠した日本電色工業株式会社製光沢度計ハンディーグロスメーターＰＧ－１を使用し、入射角６０度で測定した。

　撮影装置は、ＣＣＤカメラ、サンプルの銅箔を積層したポリイミド基板を置く白紙（銅箔を積層したポリイミド基板はライン状の銅箔を有する面とは反対側の面をＣＣＤカメラに向けて置かれる）、ポリイミド基板の撮影部に光を照射する照明用電源、撮影対象の銅箔及びポリイミド基板をステージ上に搬送する搬送機（不図示）を備えている。当該撮影装置の主な仕様を以下に示す：
・撮影装置：株式会社ニレコ製シート検査装置Ｍｕｊｉｋｅｎ
・ラインＣＣＤカメラ：８１９２画素（１６０ＭＨｚ）、１０２４階調ディジタル（１０ビット）
・照明用電源：高周波点灯電源（電源ユニット×２）
・照明：蛍光灯（３０Ｗ、形名：ＦＰＬ２７ＥＸ－Ｄ、ツイン蛍光灯）

　ΔＢ（ＰＩ）測定用のラインは、０．７ｍｍ²の図５の夾雑物に描かれた矢印で示すラインを使用した。当該ラインの幅は０．３ｍｍである。また、ラインＣＣＤカメラ視野は図５の点線の配置とした。
　ラインＣＣＤカメラによる撮影では、フルスケール２５６階調にて信号を確認し、測定対象のポリイミドフィルム（ポリイミド基板）を置かない状態で、印刷物の黒色マークが存在しない箇所（上記白色の光沢紙の上に上記透明フィルムを載せ、透明フィルム側から夾雑物に印刷されているマーク外の箇所をＣＣＤカメラで測定した場合）のピーク階調信号が２３０±５に収まるようにレンズ絞りを調整した。カメラスキャンタイム（カメラのシャッターが開いている時間、光を取り込む時間）は２５０μ秒固定とし、上記階調以内に収まるようにレンズ絞りを調整した。
　なお、図３に示された明度について、０は「黒」を意味し、明度２５５は「白」を意味し、「黒」から「白」までの灰色の程度（白黒の濃淡、グレースケール）を２５６階調に分割して表示している。

・視認性（樹脂透明性）；
　銅箔を一方の表面側からポリイミドフィルムの両面に貼り合わせ、銅箔をエッチング（塩化第二鉄水溶液）で除去してサンプルフィルムを作成した。得られた樹脂層の一面に印刷物（直径６ｃｍの黒色の円）を貼り付け、反対面から樹脂層越しに印刷物の視認性を判定した。印刷物の黒色の円の輪郭が円周の９０％以上の長さにおいてはっきりしたものを「◎」、黒色の円の輪郭が円周の８０％以上９０％未満の長さにおいてはっきりしたものを「○」（以上合格）、黒色の円の輪郭が円周の０～８０％未満の長さにおいてはっきりしたもの及び輪郭が崩れたものを「×」（不合格）と評価した。

・ピール強度（接着強度）；
　ＩＰＣ－ＴＭ－６５０に準拠し、引張り試験機オートグラフ１００で常態ピール強度を測定し、上記常態ピール強度が０．７Ｎ／ｍｍ以上を積層基板用途に使用できるものとした。なお、本ピール強度の測定にはポリイミドフィルムと本発明の実験例に係る表面処理銅箔の一方の表面である表面処理面とを貼り合わせたサンプルを用いた。なお、ピール強度の測定は銅箔厚みを１８μｍとして測定を行った。厚みが１８μｍに満たない銅箔については銅めっきを行って銅箔厚みを１８μｍとした。また、厚みが１８μｍよりも大きい場合にはエッチングを行って銅箔厚みを１８μｍとした。

・歩留まり；
　銅箔の一方の表面側からポリイミドフィルムの両面に貼り合わせ、銅箔をエッチング（塩化第二鉄水溶液）して、Ｌ／Ｓが３０μｍ／３０μｍの回路幅のＦＰＣを作成した。その後、２０μｍ×２０μｍ角のマークをポリイミド越しにＣＣＤカメラで検出することを試みた。１０回中９回以上検出できた場合には「◎」、７～８回検出できた場合には「○」、６回検出できた場合には「△」、５回以下検出できた場合には「×」とした。
　なお、プリント配線板または銅張積層板においては、樹脂を溶かして除去することで、銅回路または銅箔表面について、前述の（１）表面粗さ（Ｒｚ）、（３）銅箔表面の面積比（Ａ／Ｂ）を測定することができる。

・ラミネート加工による銅箔シワ等の評価；
　厚さ２５μｍのポリイミド樹脂の両表面に、それぞれ実施例、比較例の表面処理銅箔を、一方の表面側から積層し、さらに、各表面処理銅箔の他方の表面側へ厚さ１２５μｍの保護フィルム（ポリイミド製）を積層させた状態、すなわち、保護フィルム／表面処理銅箔／ポリイミド樹脂／表面処理銅箔／保護フィルムの５層とした状態で、両方の保護フィルムの外側からラミネートロールを用いて熱と圧力をかけながら貼り合わせ加工（ラミネート加工）を行い、ポリイミド樹脂の両面に表面処理銅箔を貼り合わせた。続いて、両表面の保護フィルムを剥がした後、表面処理銅箔の他方の表面を目視観察し、シワ又はスジの有無を確認し、シワ又はスジが全く発生しないときを◎、銅箔長さ５ｍあたりにシワ又はスジが１箇所だけ観察されるときを○、銅箔５ｍあたりシワ又はスジが２箇所以上観察されるときを×と評価した。
　上記各試験の条件及び評価を表１～４に示す。

　（評価結果）
　実施例１～９は、いずれもポリイミド越しの色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、且つ、ΔＢが４０以上であり、視認性が良好であった。また、他方の表面に表面処理が形成されているため、両面ラミネート工法における銅箔の当該他方の表面にシワやスジの発生が良好に抑制されていた。
　比較例１～４は、ポリイミド越しの色差ΔＥ＊ａｂが５０未満、または、ΔＢが４０未満であり、視認性が不良であった。
　また、比較例１～４及び比較例５及び６は、他方の表面に表面処理が形成されていないため、両面ラミネート工法における銅箔の当該他方の表面に生じるシワやスジの発生が抑制できなかった。

　図４に、上記Ｒｚ評価の際の、（ａ）比較例１、（ｂ）実施例１の銅箔表面のＳＥＭ観察写真をそれぞれ示す。
　また、上記実施例１～９において、幅０．３ｍｍのライン状にした銅箔であるマーク並びに夾雑物のマークの幅を０．３ｍｍから０．１６ｍｍ（夾雑物のシートの面積０．５ｍｍ²の０．５の記載に近いほうから３番目のマーク（図６の矢印が指すマーク））に変更して同様のΔＢ（ＰＩ）、Ｓｖ値およびΔＢ値の測定を行ったが、いずれもΔＢ（ＰＩ）、Ｓｖ値およびΔＢ値はマークの幅を０．３ｍｍとした場合と同じ値となった。
　さらに、上記実施例１～９において、「明度曲線のトップ平均値Ｂｔ」について、マークの両側の端部位置から５０μｍ離れた位置を、１００μｍ離れた位置、３００μｍ離れた位置、５００μｍ離れた位置として、当該位置から、それぞれ３０μｍ間隔で５箇所（両側で合計１０箇所）測定したときの明度の平均値に変更して同様のΔＢ（ＰＩ）、Ｓｖ値およびΔＢ値の測定を行ったが、いずれもΔＢ（ＰＩ）、Ｓｖ値およびΔＢ値は、マークの両側の端部位置から５０μｍ離れた位置から３０μｍ間隔で５箇所（両側で合計１０箇所）測定したときの明度の平均値を「明度曲線のトップ平均値Ｂｔ」とした場合のΔＢ（ＰＩ）、Ｓｖ値およびΔＢ値と同じ値となった。

　なお、前記各実施例と同じ銅箔を用いて一方の表面について表面処理を行ったのと同じ条件で銅箔の両面に、表面処理を行い、表面処理銅箔を製造して評価した結果、両面共に前記各実施例の一方の表面と同じ評価結果が得られた。なお、銅箔について電解研磨または化学研磨を行っている場合には、両面に電解研磨または化学研磨を行った後に表面処理を行った。また、実施例８については銅箔の光沢面（電解銅箔製造時にドラムと接触している側の面）について電解研磨および／または化学研磨を行うことにより、そのＴＤの粗さＲｚと光沢度を析出面と同じとした後に所定の表面処理または中間層等の形成を行った。
　銅箔の両面に粗化処理等の表面処理を行う場合、両面に同時に表面処理をしてもよく、一方の面と、他方の面とに、それぞれ別々に表面処理を行ってもよい。なお、両面に同時に表面処理を行う場合には、銅箔の両面側にアノードを設けた、表面処理装置（めっき装置）を用いて表面処理を行うと良い。なお、本実施例では、同時に両面に表面処理を行った。

　また、各実施例の粗化処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの十点平均粗さＲｚは、いずれも０．３５μｍ以上であった。また、各実施例の粗化処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの算術平均粗さＲａは、いずれも０．０５μｍ以上であった。また、各実施例の粗化処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの二乗平均平方根高さＲｑは、いずれも０．０８μｍ以上であった。

Claims

　一方の表面および他方の表面にそれぞれ表面処理が行われた表面処理銅箔であって、
　表面処理銅箔を前記一方の表面側から、銅箔に張り合わせ前の下記ΔＢ（ＰＩ）が５０以上６５以下であるポリイミドと積層して構成した銅張積層板における、前記ポリイミド越しの表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上となり、
　前記銅箔を一方の表面側から積層させた前記ポリイミド越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、
　前記撮影によって得られた画像について、観察された前記銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、
　前記銅箔の端部から前記銅箔がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）が４０以上となり、
　前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの十点平均粗さＲｚが、０．３５μｍ以上である表面処理銅箔。
　一方の表面および他方の表面にそれぞれ表面処理が行われた表面処理銅箔であって、
　表面処理銅箔を前記一方の表面側から、銅箔に張り合わせ前の下記ΔＢ（ＰＩ）が５０以上６５以下であるポリイミドと積層して構成した銅張積層板における、前記ポリイミド越しの表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上となり、
　前記銅箔を、一方の表面側から積層させた前記ポリイミド越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、
　前記撮影によって得られた画像について、観察された前記銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、
　前記銅箔の端部から前記銅箔がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差をΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）とし、前記観察地点－明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．０以上となり、
　　Ｓｖ＝（ΔＢ×０．１）／（ｔ１－ｔ２）　　　（１）
　前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの十点平均粗さＲｚが、０．３５μｍ以上である表面処理銅箔。
　前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの算術平均粗さＲａが、０．０５μｍ以上である請求項１又は２に記載の表面処理銅箔。
　一方の表面および他方の表面にそれぞれ表面処理が行われた表面処理銅箔であって、
　表面処理銅箔を前記一方の表面側から、銅箔に張り合わせ前の下記ΔＢ（ＰＩ）が５０以上６５以下であるポリイミドと積層して構成した銅張積層板における、前記ポリイミド越しの表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上となり、
　前記銅箔を一方の表面側から積層させた前記ポリイミド越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、
　前記撮影によって得られた画像について、観察された前記銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、
　前記銅箔の端部から前記銅箔がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）が４０以上となり、
　前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの算術平均粗さＲａが、０．０５μｍ以上である表面処理銅箔。
　一方の表面および他方の表面にそれぞれ表面処理が行われた表面処理銅箔であって、
　表面処理銅箔を前記一方の表面側から、銅箔に張り合わせ前の下記ΔＢ（ＰＩ）が５０以上６５以下であるポリイミドと積層して構成した銅張積層板における、前記ポリイミド越しの表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上となり、
　前記銅箔を、一方の表面側から積層させた前記ポリイミド越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、
　前記撮影によって得られた画像について、観察された前記銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、
　前記銅箔の端部から前記銅箔がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差をΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）とし、前記観察地点－明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．０以上となり、
　　Ｓｖ＝（ΔＢ×０．１）／（ｔ１－ｔ２）　　　（１）
　前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの算術平均粗さＲａが、０．０５μｍ以上である表面処理銅箔。
　前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの二乗平均平方根高さＲｑが、０．０８μｍ以上である請求項１～５のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
　一方の表面および他方の表面にそれぞれ表面処理が行われた表面処理銅箔であって、
　表面処理銅箔を前記一方の表面側から、銅箔に張り合わせ前の下記ΔＢ（ＰＩ）が５０以上６５以下であるポリイミドと積層して構成した銅張積層板における、前記ポリイミド越しの表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上となり、
　前記銅箔を一方の表面側から積層させた前記ポリイミド越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、
　前記撮影によって得られた画像について、観察された前記銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、
　前記銅箔の端部から前記銅箔がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）が４０以上となり、
　前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの二乗平均平方根高さＲｑが、０．０８μｍ以上である表面処理銅箔。
　一方の表面および他方の表面にそれぞれ表面処理が行われた表面処理銅箔であって、
　表面処理銅箔を前記一方の表面側から、銅箔に張り合わせ前の下記ΔＢ（ＰＩ）が５０以上６５以下であるポリイミドと積層して構成した銅張積層板における、前記ポリイミド越しの表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上となり、
　前記銅箔を、一方の表面側から積層させた前記ポリイミド越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、
　前記撮影によって得られた画像について、観察された前記銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、
　前記銅箔の端部から前記銅箔がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差をΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）とし、前記観察地点－明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．０以上となり、
　　Ｓｖ＝（ΔＢ×０．１）／（ｔ１－ｔ２）　　　（１）
　前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの二乗平均平方根高さＲｑが、０．０８μｍ以上である表面処理銅箔。
　前記他方の表面の表面処理が粗化処理である請求項１～８のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
　前記観察地点－明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．０以上となる請求項１、３、４、６、７及び９のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
　　Ｓｖ＝（ΔＢ×０．１）／（ｔ１－ｔ２）　　　（１）
　前記表面処理銅箔を前記一方の表面側から、銅箔に張り合わせ前の下記ΔＢ（ＰＩ）が５０以上６５以下であるポリイミドと積層して構成した銅張積層板における、前記ポリイミド越しの表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５３以上となる請求項１～１０のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
　前記明度曲線における（１）式で定義されるＳｖが３．５以上となる請求項２、３、５、６、８～１１のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
　前記明度曲線における（１）式で定義されるＳｖが３．９以上となる請求項１２に記載の表面処理銅箔。
　前記明度曲線における（１）式で定義されるＳｖが５．０以上となる請求項１３に記載の表面処理銅箔。
　前記一方の表面の接触式粗さ計で測定したＴＤの十点平均粗さＲｚが０．２０～０．６４μｍであり、前記銅箔表面の三次元表面積Ａと二次元表面積Ｂとの比Ａ／Ｂが１．０～１．７である請求項１～１４のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
　前記一方の表面の接触式粗さ計で測定したＴＤの十点平均粗さＲｚが０．２６～０．６２μｍである請求項１５に記載の表面処理銅箔。
　前記Ａ／Ｂが１．０～１．６である請求項１５又は１６に記載の表面処理銅箔。
　請求項１～１７のいずれか一項に記載の表面処理銅箔と樹脂基板とを積層して構成した銅張積層板。
　請求項１～１７のいずれか一項に記載の表面処理銅箔を用いたプリント配線板。
　請求項１９に記載のプリント配線板を少なくとも１つ用いた電子機器。
　絶縁樹脂基板と、絶縁樹脂基板上に設けられた銅回路とを有するプリント配線板であって、
　前記銅回路は、前記絶縁樹脂基板側の一方の表面と、表面処理が行われた他方の表面とを有し、
　前記絶縁樹脂基板越しの前記銅回路表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、
　前記銅回路を、前記絶縁樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、
　前記撮影によって得られた画像について、観察された前記銅回路が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、
　前記銅回路の端部から前記銅回路がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）が４０以上となり、前記他方の表面処理がされた銅回路表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの十点平均粗さＲｚが、０．３５μｍ以上であるプリント配線板。
　絶縁樹脂基板と、絶縁樹脂基板上に設けられた銅回路とを有するプリント配線板であって、
　前記銅回路は、前記絶縁樹脂基板側の一方の表面と、表面処理が行われた他方の表面とを有し、
　前記絶縁樹脂基板越しの前記銅回路表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、
　前記銅回路を、前記絶縁樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、
　前記撮影によって得られた画像について、観察された前記銅回路が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、
　前記銅回路の端部から前記銅回路がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差をΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）とし、前記観察地点－明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記銅回路に最も近い交点の位置を示す値をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記銅回路に最も近い交点の位置を示す値をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．０以上となり、
　　Ｓｖ＝（ΔＢ×０．１）／（ｔ１－ｔ２）　　　（１）
　前記他方の表面処理がされた銅回路表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの十点平均粗さＲｚが、０．３５μｍ以上であるプリント配線板。
　前記他方の表面処理がされた銅回路表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの算術平均粗さＲａが、０．０５μｍ以上である請求項２１又は２２に記載のプリント配線板。
　絶縁樹脂基板と、絶縁樹脂基板上に設けられた銅回路とを有するプリント配線板であって、
　前記銅回路は、前記絶縁樹脂基板側の一方の表面と、表面処理が行われた他方の表面とを有し、
　前記絶縁樹脂基板越しの前記銅回路表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、
　前記銅回路を、前記絶縁樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、
　前記撮影によって得られた画像について、観察された前記銅回路が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、
　前記銅回路の端部から前記銅回路がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）が４０以上となり、前記他方の表面処理がされた銅回路表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの算術平均粗さＲａが、０．０５μｍ以上であるプリント配線板。
　絶縁樹脂基板と、絶縁樹脂基板上に設けられた銅回路とを有するプリント配線板であって、
　前記銅回路は、前記絶縁樹脂基板側の一方の表面と、表面処理が行われた他方の表面とを有し、
　前記絶縁樹脂基板越しの前記銅回路表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、
　前記銅回路を、前記絶縁樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、
　前記撮影によって得られた画像について、観察された前記銅回路が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、
　前記銅回路の端部から前記銅回路がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差をΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）とし、前記観察地点－明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記銅回路に最も近い交点の位置を示す値をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記銅回路に最も近い交点の位置を示す値をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．０以上となり、
　　Ｓｖ＝（ΔＢ×０．１）／（ｔ１－ｔ２）　　　（１）
　前記他方の表面処理がされた銅回路表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの算術平均粗さＲａが、０．０５μｍ以上であるプリント配線板。
　前記他方の表面処理がされた銅回路表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの二乗平均平方根高さＲｑが、０．０８μｍ以上である請求項２１～２５のいずれか一項に記載のプリント配線板。
　絶縁樹脂基板と、絶縁樹脂基板上に設けられた銅回路とを有するプリント配線板であって、
　前記銅回路は、前記絶縁樹脂基板側の一方の表面と、表面処理が行われた他方の表面とを有し、
　前記絶縁樹脂基板越しの前記銅回路表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、
　前記銅回路を、前記絶縁樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、
　前記撮影によって得られた画像について、観察された前記銅回路が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、
　前記銅回路の端部から前記銅回路がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）が４０以上となり、前記他方の表面処理がされた銅回路表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの二乗平均平方根高さＲｑが、０．０８μｍ以上であるプリント配線板。
　絶縁樹脂基板と、絶縁樹脂基板上に設けられた銅回路とを有するプリント配線板であって、
　前記銅回路は、前記絶縁樹脂基板側の一方の表面と、表面処理が行われた他方の表面とを有し、
　前記絶縁樹脂基板越しの前記銅回路表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、
　前記銅回路を、前記絶縁樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、
　前記撮影によって得られた画像について、観察された前記銅回路が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、
　前記銅回路の端部から前記銅回路がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差をΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）とし、前記観察地点－明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記銅回路に最も近い交点の位置を示す値をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記銅回路に最も近い交点の位置を示す値をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．０以上となり、
　　Ｓｖ＝（ΔＢ×０．１）／（ｔ１－ｔ２）　　　（１）
　前記他方の表面処理がされた銅回路表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの二乗平均平方根高さＲｑが、０．０８μｍ以上であるプリント配線板。
　前記他方の表面の表面処理が粗化処理である請求項２１～２８のいずれか一項に記載のプリント配線板。
　請求項２１～２９のいずれか一項に記載のプリント配線板を２つ以上接続して、プリント配線板が２つ以上接続したプリント配線板を製造する方法。
　請求項２１～２９のいずれか一項に記載のプリント配線板を少なくとも１つと、もう一つの請求項２１～２９のいずれか一項に記載のプリント配線板又請求項２１～２９のいずれか一項に記載のプリント配線板に該当しないプリント配線板とを接続する工程を少なくとも含む、プリント配線板が２つ以上接続したプリント配線板を製造する方法。
　請求項２１～２９のいずれか一項に記載のプリント配線板が少なくとも１つ接続したプリント配線板を１つ以上用いた電子機器。
　請求項２１～２９のいずれか一項に記載のプリント配線板に用いられている表面処理銅箔。
　絶縁樹脂基板と、絶縁樹脂基板上に設けられた銅箔とを有する銅張積層板であって、
　前記銅箔は、前記絶縁樹脂基板側の一方の表面と、表面処理が行われた他方の表面とを有し、
　前記絶縁樹脂基板越しの前記銅箔の表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、
　前記銅張積層板の前記銅箔を、エッチングによりライン状の銅箔とした後に、前記絶縁樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、
　前記撮影によって得られた画像について、観察された前記ライン状の銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、
　前記ライン状の銅箔の端部から前記ライン状の銅箔がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）が４０以上となり、前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの十点平均粗さＲｚが、０．３５μｍ以上である銅張積層板。
　絶縁樹脂基板と、絶縁樹脂基板上に設けられた銅箔とを有する銅張積層板であって、
　前記銅箔は、前記絶縁樹脂基板側の一方の表面と、表面処理が行われた他方の表面とを有し、
　前記絶縁樹脂基板越しの前記銅箔の表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、
　前記銅張積層板の前記銅箔を、エッチングによりライン状の銅箔とした後に、前記絶縁樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、
　前記撮影によって得られた画像について、観察された前記ライン状の銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、
　前記ライン状の銅箔の端部から前記ライン状の銅箔がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）とし、前記観察地点－明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記ライン状の銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記ライン状の銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．０以上となり、
　　Ｓｖ＝（ΔＢ×０．１）／（ｔ１－ｔ２）　　　（１）
　前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの十点平均粗さＲｚが、０．３５μｍ以上である銅張積層板。
　前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの算術平均粗さＲａが、０．０５μｍ以上である請求項３４又は３５に記載の銅張積層板。
　絶縁樹脂基板と、絶縁樹脂基板上に設けられた銅箔とを有する銅張積層板であって、
　前記銅箔は、前記絶縁樹脂基板側の一方の表面と、表面処理が行われた他方の表面とを有し、
　前記絶縁樹脂基板越しの前記銅箔の表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、
　前記銅張積層板の前記銅箔を、エッチングによりライン状の銅箔とした後に、前記絶縁樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、
　前記撮影によって得られた画像について、観察された前記ライン状の銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、
　前記ライン状の銅箔の端部から前記ライン状の銅箔がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）が４０以上となり、前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの算術平均粗さＲａが、０．０５μｍ以上である銅張積層板。
　絶縁樹脂基板と、絶縁樹脂基板上に設けられた銅箔とを有する銅張積層板であって、
　前記銅箔は、前記絶縁樹脂基板側の一方の表面と、表面処理が行われた他方の表面とを有し、
　前記絶縁樹脂基板越しの前記銅箔の表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、
　前記銅張積層板の前記銅箔を、エッチングによりライン状の銅箔とした後に、前記絶縁樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、
　前記撮影によって得られた画像について、観察された前記ライン状の銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、
　前記ライン状の銅箔の端部から前記ライン状の銅箔がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）とし、前記観察地点－明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記ライン状の銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記ライン状の銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．０以上となり、
　　Ｓｖ＝（ΔＢ×０．１）／（ｔ１－ｔ２）　　　（１）
　前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの算術平均粗さＲａが、０．０５μｍ以上である銅張積層板。
　前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの二乗平均平方根高さＲｑが、０．０８μｍ以上である請求項３４～３８のいずれか一項に記載の銅張積層板。
　絶縁樹脂基板と、絶縁樹脂基板上に設けられた銅箔とを有する銅張積層板であって、
　前記銅箔は、前記絶縁樹脂基板側の一方の表面と、表面処理が行われた他方の表面とを有し、
　前記絶縁樹脂基板越しの前記銅箔の表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、
　前記銅張積層板の前記銅箔を、エッチングによりライン状の銅箔とした後に、前記絶縁樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、
　前記撮影によって得られた画像について、観察された前記ライン状の銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、
　前記ライン状の銅箔の端部から前記ライン状の銅箔がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）が４０以上となり、前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの二乗平均平方根高さＲｑが、０．０８μｍ以上である銅張積層板。
　絶縁樹脂基板と、絶縁樹脂基板上に設けられた銅箔とを有する銅張積層板であって、
　前記銅箔は、前記絶縁樹脂基板側の一方の表面と、表面処理が行われた他方の表面とを有し、
　前記絶縁樹脂基板越しの前記銅箔の表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが５０以上であり、
　前記銅張積層板の前記銅箔を、エッチングによりライン状の銅箔とした後に、前記絶縁樹脂基板越しにＣＣＤカメラで撮影したとき、
　前記撮影によって得られた画像について、観察された前記ライン状の銅箔が伸びる方向と垂直な方向に沿って観察地点ごとの明度を測定して作製した、観察地点－明度グラフにおいて、
　前記ライン状の銅箔の端部から前記ライン状の銅箔がない部分にかけて生じる明度曲線のトップ平均値Ｂｔとボトム平均値Ｂｂとの差ΔＢ（ΔＢ＝Ｂｔ－Ｂｂ）とし、前記観察地点－明度グラフにおいて、明度曲線とＢｔとの交点の内、前記ライン状の銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ１として、明度曲線とＢｔとの交点からＢｔを基準に０．１ΔＢまでの深さ範囲において、明度曲線と０．１ΔＢとの交点の内、前記ライン状の銅箔に最も近い交点の位置を示す値をｔ２としたときに、下記（１）式で定義されるＳｖが３．０以上となり、
　　Ｓｖ＝（ΔＢ×０．１）／（ｔ１－ｔ２）　　　（１）
　前記他方の表面処理がされた銅箔表面のレーザー光の波長が４０５ｎｍであるレーザー顕微鏡で測定したＴＤの二乗平均平方根高さＲｑが、０．０８μｍ以上である銅張積層板。
　前記他方の表面の表面処理が粗化処理である請求項３４～４１のいずれか一項に記載の銅張積層板。
　請求項３４～４２のいずれか一項に記載の銅張積層板に用いられている表面処理銅箔。
　請求項３４～４２のいずれか一項に記載の銅張積層板を用いて製造したプリント配線板。
　請求項４４に記載のプリント配線板を用いた電子機器。