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TWI573500B - Manufacturing method of surface-treated copper foil, copper-clad laminate, printed wiring board, electronic machine and printed wiring board - Google Patents

Manufacturing method of surface-treated copper foil, copper-clad laminate, printed wiring board, electronic machine and printed wiring board Download PDF

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Publication number
TWI573500B
TWI573500B TW103143259A TW103143259A TWI573500B TW I573500 B TWI573500 B TW I573500B TW 103143259 A TW103143259 A TW 103143259A TW 103143259 A TW103143259 A TW 103143259A TW I573500 B TWI573500 B TW I573500B
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TW
Taiwan
Prior art keywords
copper foil
copper
treated
brightness
measured
Prior art date
Application number
TW103143259A
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English (en)
Other versions
TW201532485A (zh
Inventor
Hideta Arai
Atsushi Miki
Kohsuke Arai
Kaichiro Nakamuro
Original Assignee
Jx Nippon Mining & Metals Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jx Nippon Mining & Metals Corp filed Critical Jx Nippon Mining & Metals Corp
Publication of TW201532485A publication Critical patent/TW201532485A/zh
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Publication of TWI573500B publication Critical patent/TWI573500B/zh

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Description

表面處理銅箔、覆銅積層板、印刷配線板、電子機器及印刷配線板之製造方法
本發明係關於一種表面處理銅箔、覆銅積層板、印刷配線板、電子機器及印刷配線板之製造方法。
就配線之容易性或輕量性而言，智慧型手機或平板PC等小型電子機器採用可撓性印刷配線板(以下記為FPC)。近年來，隨著該等電子機器之高功能化，訊號傳輸速度之高速化不斷發展，於FPC中阻抗匹配亦成為重要因素。作為因應訊號容量增加之阻抗匹配之對策，作為FPC基底之樹脂絕緣層(例如聚醯亞胺)之厚層化不斷發展。又，隨著配線之高密度化要求，FPC之多層化更進一步發展。另一方面，FPC會被實施對液晶基材之接合或IC晶片之搭載等加工，此時之位置對準係經由透過在將銅箔與樹脂絕緣層之積層板中之銅箔蝕刻後殘留之樹脂絕緣層所識別到的定位圖案進行，因此，樹脂絕緣層之識別性變得重要。
又，銅箔與樹脂絕緣層之積層板即覆銅積層板亦可使用表面實施有粗化鍍敷之壓延銅箔進行製造。該壓延銅箔通常係使用精銅(含氧量100~500重量ppm)或無氧銅(含氧量10重量ppm以下)作為原材料，對該等鑄錠進行熱軋後，反覆進行冷軋與退火直至既定之厚度而製造。
作為此種技術，例如，專利文獻1中揭示有如下發明：一種 覆銅積層板，其係積層聚醯亞胺膜與低粗糙度銅箔而成，銅箔蝕刻後之膜於波長600nm之透光率為40%以上，霧度(HAZE)為30%以下，接著強度為500N/m以上。
又，專利文獻2中揭示有如下發明：一種COF用可撓性印刷配線板，其具有積層有由電解銅箔形成之導體層之絕緣層，對該導體層進行蝕刻而形成電路時蝕刻區域中之絕緣層之透光性為50%以上，其特徵在於：上述電解銅箔於與絕緣層接著之接著面具備利用鎳-鋅合金之防銹處理層，該接著面之表面粗糙度(Rz)為0.05~1.5μm，並且於入射角60°之鏡面光澤度為250以上。
又，專利文獻3中揭示有如下發明：一種印刷電路用銅箔之處理方法，其係處理印刷電路用銅箔之方法，其特徵在於：對銅箔之表面進行利用銅-鈷-鎳合金鍍敷之粗化處理後，形成鈷-鎳合金鍍層，進而形成鋅-鎳合金鍍層。
[專利文獻1]日本特開2004-98659號公報
[專利文獻2]WO2003/096776
[專利文獻3]日本專利第2849059號公報
於專利文獻1中，黑化處理或鍍敷處理後之藉由有機處理劑將接著性改良處理而獲得的低粗糙度銅箔，於對覆銅積層板要求彎曲性之用途方面，有時會因疲勞而斷線，且存在樹脂透視性差之情況。
又，於專利文獻2中未進行粗化處理，於COF用可撓性印刷配線板以 外之用途方面，銅箔與樹脂之密合強度低，而不充足。
進而，於專利文獻3所記載之處理方法中，雖然可對銅箔進行利用Cu-Co-Ni之微細處理，但隔著樹脂觀察該銅箔時無法實現優異之辨識性。
本發明提供一種與樹脂良好地接著，且隔著樹脂進行觀察時實現優異之辨識性的表面處理銅箔。
本發明人等反覆進行潛心研究，結果著眼於自針對藉由表面處理而將表面色差控制在特定範圍之銅箔，利用CCD攝影機，隔著自該處理面側積層之聚醯亞胺基板進行攝影所得之該銅箔的圖像獲得之觀察地點-亮度圖表中所繪製之銅箔端部附近之亮度曲線之斜率，發現對該亮度曲線之斜率進行控制並不受基板樹脂膜之種類或基板樹脂膜之厚度影響，樹脂透明性變良好。
將以上見解作為基礎而完成之本發明於一態樣中，係一種表面處理銅箔，其係一個表面及另一個表面分別經表面處理而成者，於將表面處理銅箔自上述一個表面側，與貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺積層而構成之覆銅積層板中，隔著上述聚醯亞胺之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著自一個表面側積層之上述聚醯亞胺對上述銅箔進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，自上述銅箔之端部至無上述銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的十點平均粗糙度Rz為 0.35μm以上。
本發明於另一態樣中，係一種表面處理銅箔，其係一個表面及另一個表面分別經表面處理而成者，於將表面處理銅箔自上述一個表面側，與貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺積層而構成之覆銅積層板中，隔著上述聚醯亞胺之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著自一個表面側積層之上述聚醯亞胺對上述銅箔進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述銅箔之端部至無上述銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於上述觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述銅箔之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述銅箔之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.0以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)
上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的十點平均粗糙度Rz為0.35μm以上。
本發明之表面處理銅箔於另一實施形態中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的平均粗糙度Rz為0.35μm以上。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD 的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
本發明於再另一態樣中，係一種表面處理銅箔，其係一個表面及另一個表面分別經表面處理而成者，於將表面處理銅箔自上述一個表面側，與貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺積層而構成之覆銅積層板中，隔著上述聚醯亞胺之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著自一個表面側積層之上述聚醯亞胺對上述銅箔進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，自上述銅箔之端部至無上述銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
本發明於再另一態樣中，係一種表面處理銅箔，其係一個表面及另一個表面分別經表面處理而成者，於將表面處理銅箔自上述一個表面側，與貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺積層而構成之覆銅積層板中，隔著上述聚醯亞胺之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著自一個表面側積層之上述聚醯亞胺對上述銅箔進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述銅箔之端部至無上述銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於上述觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接 近上述銅箔之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述銅箔之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.0以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)
上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
本發明於再另一態樣中，係一種表面處理銅箔，其係一個表面及另一個表面分別經表面處理而成者，於將表面處理銅箔自上述一個表面側，與貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺積層而構成之覆銅積層板中，隔著上述聚醯亞胺之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著自一個表面側積層之上述聚醯亞胺對上述銅箔進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，自上述銅箔之端部至無上述銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
本發明於再另一態樣中，係一種表面處理銅箔，其係一個表面及另一個表面分別經表面處理而成者，於將表面處理銅箔自上述一個表 面側，與貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺積層而構成之覆銅積層板中，隔著上述聚醯亞胺之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著自一個表面側積層之上述聚醯亞胺對上述銅箔進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述銅箔之端部至無上述銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於上述觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述銅箔之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述銅箔之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.0以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)
上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，上述另一個表面之表面處理係粗化處理。
本發明之表面處理銅箔於另一實施形態中，於上述觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述銅箔之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述銅箔之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.0以上。
Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，於將上述表面處理銅箔自上述一個表面側，與貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺積層而構成之覆銅積層板中，隔著上述聚醯亞胺之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為53以上。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，上述亮度曲線中之(1)式定義之Sv為3.5以上。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，上述亮度曲線中之(1)式定義之Sv為3.9以上。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，上述亮度曲線中之(1)式定義之Sv為5.0以上。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，上述一個表面之以接觸式粗糙度計測得之TD的平均粗糙度Rz為0.20~0.64μm，上述銅箔表面之三維表面積A與二維表面積B之比A/B為1.0~1.7。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，上述一個表面之以接觸式粗糙度計測得之TD的平均粗糙度Rz為0.26~0.62μm。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，上述A/B為1.0~1.6。
本發明於再另一態樣中，係一種覆銅積層板，其係將本發明之表面處理銅箔與樹脂基板積層而構成。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板，其使用有本發明之表面處理銅箔。
本發明於再另一態樣中，係一種電子機器，其使用有至少一 個本發明之印刷配線板。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板，其係具有絕緣樹脂基板與設置於絕緣樹脂基板上之銅電路者，上述銅電路具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅電路表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板對上述銅電路進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅電路延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，自上述銅電路之端部至無上述銅電路之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上，上述另一經表面處理的銅電路表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的十點平均粗糙度Rz為0.35μm以上。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板，其係具有絕緣樹脂基板與設置於絕緣樹脂基板上之銅電路者，上述銅電路具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅電路表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板對上述銅電路進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅電路延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述銅電路之端部至無上述銅電路之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於上述觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t1， 將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.0以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)
上述另一經表面處理的銅電路表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的十點平均粗糙度Rz為0.35μm以上。
本發明之印刷配線板於另一實施形態中，上述另一經表面處理的銅電路表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板，其係具有絕緣樹脂基板與設置於絕緣樹脂基板上之銅電路者，上述銅電路具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅電路表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板對上述銅電路進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅電路延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，自上述銅電路之端部至無上述銅電路之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上，上述另一經表面處理的銅電路表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板，其係具有絕緣樹脂基板與設置於絕緣樹脂基板上之銅電路者，上述銅電路具有上述絕緣 樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅電路表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板對上述銅電路進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅電路延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述銅電路之端部至無上述銅電路之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於上述觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.0以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)
上述另一經表面處理的銅電路表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
本發明之印刷配線板於再另一實施形態中，上述另一經表面處理的銅電路表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板，其係具有絕緣樹脂基板與設置於絕緣樹脂基板上之銅電路者，上述銅電路具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅電路表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板對上述銅電路進行攝影時，對由上述 攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅電路延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，自上述銅電路之端部至無上述銅電路之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上，上述另一經表面處理的銅電路表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板，其係具有絕緣樹脂基板與設置於絕緣樹脂基板上之銅電路者，上述銅電路具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅電路表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板對上述銅電路進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅電路延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述銅電路之端部至無上述銅電路之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於上述觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.0以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)
上述另一經表面處理的銅電路表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
本發明之印刷配線板於再另一實施形態中，上述另一個表面之表面處理係粗化處理。
本發明於再另一態樣中，係一種製造印刷配線板之方法，其係將2個以上本發明之印刷配線板連接，製造連接有2個以上印刷配線板的印刷配線板。
本發明於再另一態樣中，係一種製造連接有2個以上印刷配線板的印刷配線板之方法，其包含下述步驟：將至少1個本發明之印刷配線板、與另一個本發明之印刷配線板或並不相當於本發明之印刷配線板的印刷配線板連接。
本發明於再另一態樣中，係一種電子機器，其使用有1個以上連接有至少1個本發明之印刷配線板的印刷配線板。
本發明於再另一態樣中，係一種表面處理銅箔，其被使用於本發明之印刷配線板。
本發明於再另一態樣，係一種覆銅積層板，其係具有絕緣樹脂基板與設置於絕緣基板上之銅箔者，上述銅箔具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅箔之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，藉由蝕刻使上述覆銅積層板之上述銅箔形成為線狀銅箔後，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述線狀銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，自上述線狀銅箔之端部至無上述線狀銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為 40以上，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的十點平均粗糙度Rz為0.35μm以上。
本發明於再另一態樣，係一種覆銅積層板，其係具有絕緣樹脂基板與設置於絕緣基板上之銅箔者，上述銅箔具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅箔之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，藉由蝕刻使上述覆銅積層板之上述銅箔形成為線狀銅箔後，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述線狀銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述線狀銅箔之端部至無上述線狀銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於上述觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀銅箔之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀銅箔之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.0以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)
上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的十點平均粗糙度Rz為0.35μm以上。
本發明之覆銅積層板於一實施形態中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的十點平均粗糙度Rz為0.35μm以上。
本發明之覆銅積層板於另一實施形態中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
本發明於再另一態樣，係一種覆銅積層板，其係具有絕緣樹脂基板與設置於絕緣基板上之銅箔者，上述銅箔具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅箔之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，藉由蝕刻使上述覆銅積層板之上述銅箔形成為線狀銅箔後，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述線狀銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，自上述線狀銅箔之端部至無上述銅箔線狀銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
本發明於再另一態樣，係一種覆銅積層板，其係具有絕緣樹脂基板與設置於絕緣基板上之銅箔者，上述銅箔具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅箔之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，藉由蝕刻使上述覆銅積層板之上述銅箔形成為線狀銅箔後，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述線狀銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述線狀銅箔之端部至無上述線狀銅箔之部分所產 生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於上述觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀銅箔之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀銅箔之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.0以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)
上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
本發明之覆銅積層板於再另一實施形態中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
本發明於再另一態樣，係一種覆銅積層板，其係具有絕緣樹脂基板與設置於絕緣基板上之銅箔者，上述銅箔具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅箔之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，藉由蝕刻使上述覆銅積層板之上述銅箔形成為線狀銅箔後，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述線狀銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，自上述線狀銅箔之端部至無上述銅箔線狀銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的 雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
本發明於再另一態樣，係一種覆銅積層板，其係具有絕緣樹脂基板與設置於絕緣基板上之銅箔者，上述銅箔具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅箔之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，藉由蝕刻使上述覆銅積層板之上述銅箔形成為線狀銅箔後，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述線狀銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述線狀銅箔之端部至無上述線狀銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於上述觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀銅箔之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀銅箔之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.0以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)
上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
本發明之覆銅積層板於再另一實施形態中，上述另一個表面之表面處理係粗化處理。
本發明於再另一態樣中，係一種表面處理銅箔，其被使用於本發明之覆銅積層板。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板，其使用本發明之覆銅積層板而製得。
根據本發明，可提供一種與樹脂良好地接著，且隔著樹脂進行觀察時實現優異之辨識性的表面處理銅箔。
圖1係定義Bt及Bb之模式圖。
圖2係定義t1、t2及Sv之模式圖。
圖3係表示亮度曲線之斜率評價時之攝影裝置之構成及亮度曲線之斜率測定方法的模式圖。
圖4a係Rz評價時之比較例1之銅箔表面的SEM觀察照片。
圖4b係Rz評價時之實驗例1之銅箔表面的SEM觀察照片。
圖5係實施例中所使用之夾雜物之外觀照片。
圖6係實施例中所使用之夾雜物之外觀照片。
[表面處理銅箔之形態及製造方法]
於本發明中使用之銅箔適合於用以積層於樹脂基板而製作積層體，並利用蝕刻形成電路之銅箔等。
本發明中使用之銅箔可為電解銅箔或壓延銅箔中之任一者。通常，為了提高銅箔之與樹脂基板接著之面(於本發明中，亦將該面稱作「一個表面」)於積層後之銅箔之剝離強度，亦可對脫脂後之銅箔之表面實施進行瘤狀電沉積之粗化處理。電解銅箔於製造時即具有凹凸，可藉由粗化處理使 電解銅箔之凸部增強而進一步增大凹凸。於本發明中，該粗化處理可藉由鍍銅-鈷-鎳合金或鍍銅-鎳-磷合金等鍍合金，較佳為鍍銅合金而進行。有時進行通常之鍍銅等作為粗化前之預處理，有時亦為了防止電沉積物之脫落而進行通常之鍍銅等作為粗化後之精加工處理。
於本發明中使用之銅箔於一個表面中，亦可於進行粗化處理後，或省略粗化處理，將耐熱鍍層或防銹鍍層設置於表面。作為省略粗化處理，而將耐熱鍍層或防銹鍍層設置於表面之處理，可使用利用下述條件之Ni-W鍍浴之鍍敷處理。再者，用於本發明中所使用之電解、表面處理或鍍敷等的處理液的剩餘部分，只要未特別明記則為水。
鍍浴組成：Ni：20~30g/L、W：15~40mg/L
pH值：3.0~4.0
溫度：35~45℃
電流密度Dk：1.7~2.3A/dm2
電鍍時間：18~25秒
再者，本發明中使用之銅箔之厚度無需特別限定，例如為1μm以上、2μm以上、3μm以上、5μm以上，且例如為3000μm以下、1500μm以下、800μm以下、300μm以下、150μm以下、100μm以下、70μm以下、50μm以下、40μm以下。
再者，於本案發明之銅箔亦包含含有1種以上之Ag、Sn、In、Ti、Zn、Zr、Fe、P、Ni、Si、Te、Cr、Nb、V、B、Co等元素之銅合金箔。若上述元素之濃度變高(例如合計為10質量%以上)，則有導電率降 低之情形。壓延銅箔之導電率較佳為50%IACS以上，更佳為60%IACS以上，進而更佳為80%IACS以上。又，壓延銅箔亦包含使用精銅(JIS H3100 C1100)或無氧銅(JIS H3100 C1020)製造之銅箔。
又，將本案發明中使用之電解銅箔之製造條件表示如下。
<電解液組成>
銅：90~110g/L
硫酸：90~110g/L
氯：50~100ppm
調平劑1(雙(3-磺丙基)二硫醚)：10~30ppm
調平劑2(胺化合物)：10~30ppm
上述胺化合物可使用以下化學式之胺化合物。
(上述化學式中，R1及R2為選自由羥烷基、醚基、芳基、經芳香族取代之烷基、不飽和烴基、烷基組成之群中者)
<製造條件>
電流密度：70~100A/dm2
電解液溫度：50~60℃
電解液線速：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
作為粗化處理之銅-鈷-鎳合金鍍敷可以藉由電鍍，形成如附著量為15~40mg/dm2之銅-100~3000μg/dm2之鈷-100~1500μg/dm2之鎳的三元合金層之方式實施。若Co附著量未達100μg/dm2，則有耐熱性變差，蝕刻性變差之情況。若Co附著量超過3000μg/dm2，則有必需考慮磁性影響時欠佳，且蝕刻斑產生，又，耐酸性及耐化學品性變差之情況。若Ni附著量未達100μg/dm2，則有耐熱性變差之情況。另一方面，若Ni附著量超過1500μg/dm2，則有蝕刻殘留物變多之情況。Co附著量較佳為1000~2500μg/dm2，鎳附著量較佳為500~1200μg/dm2。此處，所謂蝕刻斑意指於利用氯化銅進行蝕刻之情形時，Co未溶解而殘留之情況，又，所謂蝕刻殘留物意指於利用氯化銨進行鹼性蝕刻之情形時，Ni未溶解而殘留之情況。
用以形成上述三元系銅-鈷-鎳合金鍍敷之鍍浴及鍍敷條件係如下所述：
鍍浴組成：Cu 10~20g/L、Co 1~10g/L、Ni 1~10g/L
pH：1~4
溫度：30~50℃
電流密度Dk：20~30A/dm2
鍍敷時間：1~5秒
又，將本發明之作為粗化處理之銅-鎳-磷合金鍍敷之條件 示於以下。
鍍浴組成：Cu 10~50g/L、Ni 3~20g/L、P 1~10g/L
pH：1~4
溫度：30~40℃
電流密度Dk；20~50A/dm2
鍍敷時間：0.5~3秒
又，將本發明之作為粗化處理之鍍銅-鎳-鈷-鎢合金之條件示於以下。
鍍浴組成：Cu 5~20g/L、Ni 5~20g/L、Co 5~20g/L、W 1~10g/L
pH：1~5
溫度：30~50℃
電流密度Dk：20~50A/dm2
鍍敷時間：0.5~5秒
又，將本發明之作為粗化處理之銅-鎳-鉬-磷合金鍍敷之條件示於以下。
鍍浴組成：Cu 5~20g/L、Ni 5~20g/L、Mo 1~10g/L、P 1~10g/L
pH：1~5
溫度：20~50℃
電流密度Dk：20~50A/dm2
鍍敷時間：0.5~5秒
於粗化處理後，在粗化處理面上亦可設置選自耐熱層、防銹層及耐候性層之群中的1種以上之層。又，各層亦可為2層、3層等複數層，積層各層的順序為任何順序皆可，亦可為將各層交互積層。
此處，做為耐熱層，可使用公知之耐熱層。又，例如可使用以下之表面處理。
作為耐熱層、防銹層，可使用公知的耐熱層、防銹層。例如，耐熱層及/或防銹層可為含有選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭之群中1種以上元素之層，或亦可為由選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭之群中1種以上元素構成之金屬層或合金層。又，耐熱層及/或防銹層亦可含有氧化物、氮化物、矽化物，該氧化物、氮化物、矽化物含有選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭之群中1種以上元素。又，耐熱層及/或防銹層亦可為含有鎳-鋅合金之層。又，耐熱層及/或防銹層亦可為鎳-鋅合金層。前述鎳-鋅合金層，不包括不可避免之雜質，亦可為含有鎳50wt%~99wt%、鋅50wt%~1wt%者。前述鎳-鋅合金層之鋅及鎳的合計附著量亦可為5~1000mg/m2，較佳為10~500mg/m2，更佳為20~100mg/m2。又，前述含有鎳-鋅合金之層或前述鎳-鋅合金層的鎳附著量與鋅附著量之比(=鎳附著量/鋅附著量)較佳為1.5~10。又，前述含有鎳-鋅合金之層或前述鎳-鋅合金層的鎳附著量較佳為0.5mg/m2~500mg/m2，更佳為1mg/m2~50mg/m2。於耐熱層及/或防銹層為含有鎳-鋅合金之層的情形時，當通孔或導孔等之內壁部與去膠渣液接觸時，銅箔與樹 脂基板之界面不易被去膠渣液侵蝕，而提升銅箔與樹脂基板之密合性。防銹層亦可為鉻酸鹽處理層。防銹層亦可使用鉻酸鹽處理層。鉻酸鹽處理層可使用公知之鉻酸鹽處理層。例如，所謂鉻酸鹽處理層係指利用含有鉻酸酐、鉻酸、重鉻酸、鉻酸鹽或重鉻酸鹽之液體進行處理之層。鉻酸鹽處理層亦可含有鈷、鐵、鎳、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷及鈦等元素(亦可為金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任何形態)。作為鉻酸鹽處理層之具體例，可列舉：純鉻酸鹽處理層或鉻酸鋅處理層等。於本發明中，將利用鉻酸酐或重鉻酸鉀水溶液進行處理之鉻酸鹽處理層稱為純鉻酸鹽處理層。另外，於本發明中，將利用含有鉻酸酐或重鉻酸鉀及鋅之處理液進行處理之鉻酸鹽處理層稱為鉻酸鋅處理層。
例如耐熱層及/或防銹層亦可為依序積層附著量為1mg/m2~100mg/m2(較佳為5mg/m2~50mg/m2)之鎳或鎳合金層與附著量為1mg/m2~80mg/m2(較佳為5mg/m2~40mg/m2)錫層者，前述鎳合金層亦可由鎳-鉬、鎳-鋅、鎳-鉬-鈷中之任一種構成。又，耐熱層及/或防銹層，鎳或鎳合金與錫之合計附著量較佳為2mg/m2~150mg/m2，更佳為10mg/m2~70mg/m2。又，耐熱層及/或防銹層，較佳為[鎳或鎳合金中之鎳附著量]/[錫附著量]=0.25~10，更佳為0.33~3。
另外，可形成附著量為200~2000μg/dm2之鈷-50~700μg/dm2之鎳之鈷-鎳合金鍍層作為耐熱層及/或防銹層。該處理在廣義上可看作一種防銹處理。該鈷-鎳合金鍍層必需進行至不使銅箔與基板之接著強度實質降低之程度。若鈷附著量未達200μg/dm2，則有耐熱剝離強度降低，耐氧化性及耐化學品性變差之情況。又，作為另一原因，若鈷 量較少，則處理表面發紅，故而欠佳。
粗化處理後，可於粗化面上形成附著量為200~3000μg/dm2鈷-100~700μg/dm2鎳之鈷-鎳合金鍍層。該處理在廣義上可看作一種防銹處理。該鍍鈷-鎳合金層必需進行至不使銅箔與基板之接著強度實質降低之程度。若鈷附著量未達200μg/dm2，則有耐熱剝離強度降低，耐氧化性及耐化學品性變差之情況。又，作為另一原因，若鈷量較少，則處理表面發紅，故而欠佳。若鈷附著量超過3000μg/dm2，則當必需考慮磁性之影響時欠佳，且有蝕刻斑產生之情形，又，有耐酸性及耐化學品性變差之情況。鈷附著量較佳為500~2500μg/dm2。另一方面，若鎳附著量未達100μg/dm2，則有耐熱剝離強度降低，耐氧化性及耐化學品性變差之情況。若鎳超過1300μg/dm2，則鹼性蝕刻性變差。鎳附著量較佳為200~1200μg/dm2。
又，鈷-鎳合金鍍敷之條件如下所述：
鍍浴組成：Co 1~20g/L、Ni 1~20g/L
pH值：1.5~3.5
溫度：30~80℃
電流密度Dk：1.0~20.0A/dm2
鍍敷時間：0.5~4秒
若根據本發明，亦可於鈷-鎳合金鍍層上進而形成附著量為30~250μg/dm2之鋅鍍層。若鋅附著量未達30μg/dm2，則有耐熱劣化率改善效果消失之情形。另一方面，若鋅附著量超過250μg/dm2，則有耐鹽酸劣化率極度變差之情形。鋅附著量較佳為30~240μg/dm2，更佳 為80~220μg/dm2。
上述鍍鋅之條件如下所述：
鍍浴組成：Zn 100~300g/L
pH值：3~4
溫度：50~60℃
電流密度Dk：0.1~0.5A/dm2
鍍敷時間：1~3秒
另外，亦可形成鋅-鎳合金鍍層等鋅合金鍍層而代替鋅鍍層，進而亦可於最表面藉由鉻酸鹽處理或矽烷偶合劑之塗佈等而形成防銹層。
作為耐候性層，可使用公知之耐候性層。另外，作為耐候性層，例如可使用公知之矽烷偶合處理層，另外，可使用利用以下之矽烷所形成之矽烷偶合處理層。
矽烷偶合處理所使用之矽烷偶合劑可使用公知之矽烷偶合劑，例如可使用胺基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑、巰基系矽烷偶合劑。另外，矽烷偶合劑亦可使用乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基苯基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、4-環氧丙基丁基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、咪唑矽烷、三矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷等。
上述矽烷偶合處理層亦可使用環氧系矽烷、胺基系矽烷、甲 基丙烯醯氧基系矽烷、巰基系矽烷等矽烷偶合劑等而形成。另外，此種矽烷偶合劑亦可混合2種以上而使用。其中，較佳為使用胺基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑所形成之矽烷偶合處理層。
此處所謂胺基系矽烷偶合劑，亦可為選自由N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、胺基丙基三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(3-丙烯醯氧基-2-羥基丙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、4-胺基丁基三乙氧基矽烷、(胺基乙基胺基甲基)苯乙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三(2-乙基己氧基)矽烷、6-(胺基己基胺基丙基)三甲氧基矽烷、胺基苯基三甲氧基矽烷、3-(1-胺基丙氧基)-3,3-二甲基-1-丙烯基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、ω-胺基十-烷基三甲氧基矽烷、3-(2-N-苄基胺基乙基胺基丙基)三甲氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、(N,N-二乙基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、(N,N-二甲基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷所組成之群中之胺基系矽烷偶合劑。
矽烷偶合處理層較理想為以矽原子換算計，於0.05mg/m2~200mg/m2、較佳為0.15mg/m2~20mg/m2、較佳為0.3mg/m2~2.0mg/m2之範圍內進行設置。於為上述範圍之情形時，可使基材樹脂與表面處理銅箔之密接性更為提高。
通常，於對銅箔表面實施粗化處理之情形時，硫酸銅水溶液中之燒鍍為先前技術，但藉由於鍍浴中含有銅以外之金屬之銅-鈷-鎳合金鍍敷或銅-鎳-磷合金鍍敷等合金鍍敷，可進行下述表面處理：使將該銅箔自上述一個表面側與貼合於銅箔前之△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺積層而構成之覆銅積層板中隔著聚醯亞胺之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab成為50以上。
[表面色差△E＊ab]
本發明之表面處理銅箔係將自一個表面側與貼合於銅箔前之△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺積層而構成之覆銅積層板中隔著上述聚醯亞胺之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab控制在50以上。藉由上述構成，與背面之對比度變鮮明，而隔著聚醯亞胺基板對該銅箔進行觀察時之辨識性變高。其結果，於將該銅箔用於電路形成之情形等中，經由透過該聚醯亞胺基板所辨識之定位圖案進行之IC晶片搭載時之位置對準等變容易。若該色差△E＊ab未達50，則有與背面之對比度變得不鮮明之可能性。該色差△E＊ab更佳為53以上、55以上，更佳為60以上。色差△E＊ab之上限無需特別限定，例如為90以下、88以下、或87以下、或85以下、或75以下、或70以下。
此處，色差△E＊ab係利用色差計進行測定，且係加上黑/白/紅/ 緑/黃/藍，並使用基於JIS Z8730之L＊a＊b表色系統進行表示之綜合指標，設為△L：白黑、△a：紅綠、△b：黃藍，以下述式表示；
[銅箔表面之十點平均粗糙度Rz]
本發明之表面處理銅箔於銅箔的一個表面，可為未經粗化處理銅箔，亦可為形成有粗化粒子之粗化處理銅箔，粗化處理表面之以接觸式粗糙度計測得之TD之十點平均粗糙度Rz較佳為0.20~0.64μm。藉由上述構成，剝離強度變高，與樹脂良好地接著，且利用蝕刻去除銅箔後樹脂之透明性變高。其結果，經由透過該樹脂所辨識之定位圖案進行之IC晶片搭載時之位置對準等變容易。若於銅箔的一個表面，以接觸式粗糙度計測得之TD之十點平均粗糙度Rz未達0.20μm，則有銅箔表面之粗化處理不充分之虞，而有產生無法與樹脂充分接著之問題之虞。另一方面，若於銅箔的一個表面，以接觸式粗糙度計測得之TD之十點平均粗糙度Rz超過0.64μm，則有利用蝕刻去除銅箔後樹脂表面之凹凸變大之虞，其結果有樹脂之透明性變不良之問題產生之虞。銅箔的一個表面之以接觸式粗糙度計測得之TD之十點平均粗糙度Rz更佳為0.26~0.62μm，進而更佳為0.40~0.55μm。
為了達成辨識性之效果，而控制表面處理前之銅箔的一個表面之以接觸式粗糙度計測得之TD之表面粗糙度(Rz)及光澤度。具體而言，將表面處理前之銅箔的一個表面之以接觸式粗糙度計測得之TD之表面粗糙度(Rz)設為0.20~0.55μm，較佳為設為0.20~0.42μm。作為此種銅箔，係藉由調整壓延油之油膜當量進行壓延(高光澤壓延)而製作、或者藉由如化學蝕刻之化學研磨或磷酸溶液中之電解研磨而進行製作。如上述 般，將處理前之銅箔的一個表面之TD之表面粗糙度(Rz)與光澤度設為上述範圍，藉此可容易地控制處理後之銅箔之一個表面之表面粗糙度(Rz)及表面積。
又，表面處理前之銅箔其一個表面之TD之60度光澤度設為300~910%，更佳為500~810%，進而更佳為500~710%。若表面處理前銅箔之一個表面之TD之60度光澤度未達300%，則有與上述光澤度為300%以上之情形相比，上述樹脂之透明性變不良之虞，若超過910%，則有難以進行製造之問題產生之虞。
再者，高光澤壓延可藉由將下式所規定之油膜當量設為13000~24000以下進行。
油膜當量={(壓延油黏度[cSt])×(通過速度[mpm]+輥周速度[mpm])}/{(輥之咬角[rad])×(材料之降伏應力[kg/mm2])}
壓延油黏度[cSt]係於40℃之動黏度。
為了將油膜當量設為13000~24000，只要使用如下公知之方法即可，即使用低黏度之壓延油，或使穿過速度變慢等。
化學研磨係利用硫酸-過氧化氫-水系或氨-過氧化氫-水系等蝕刻液，使濃度低於通常之濃度，耗費長時間進行。
[亮度曲線]
本發明之表面處理銅箔，於將自一個表面側與貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺積層後，利用CCD攝影機，隔著聚醯亞胺對銅箔進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表， 於該圖表中，將自銅箔之端部至無銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)設為40以上。
又，於上述觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近銅箔之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述銅箔之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv較佳為3.0以上。
Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)
此處，針對「亮度曲線之頂部平均值Bt」、「亮度曲線之底部平均值Bb」、及下述之「t1」、「t2」、「Sv」，使用圖進行說明。
於圖1(a)及圖1(b)中表示對銅箔之寬度設為約0.3mm之情形之Bt及Bb進行定義的示意圖。將銅箔之寬度設為約0.3mm之情形時，有如圖1(a)所示般成為V型之亮度曲線之情形、與如圖1(b)所示般成為具有底部之亮度曲線之情形。「亮度曲線之頂部平均值Bt」於任一種情形時均表示自距離銅箔之兩側之端部位置50μm之位置以30μm間隔測定5處(兩側合計10處)時之亮度的平均值。另一方面，「亮度曲線之底部平均值Bb」於亮度曲線如圖1(a)所示般成為V型之情形時，表示該V字之谷之尖端部中亮度的最低值，於圖1(b)之具有底部之情形時，表示約0.3mm之中心部之值。再者，標記之寬度亦可設為0.2mm、0.16mm、0.1mm左右。進而，「亮度曲線之頂部平均值Bt」亦可設為自距離標記之兩側之端部位置100μm之位置、300μm之位置、或500μm之位置，分別以30μm間隔測定5處(兩側合計10處)時之亮度的平均值。
於圖2中表示定義t1及t2及Sv之示意圖。「t1(像素×0.1)」 表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述銅箔之交點。「t2(像素×0.1)」表示於以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍中，亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述銅箔之交點。此時，關於將t1及t2連接之線所示之亮度曲線之斜率，以利用y軸方向0.1△B、x軸方向(t1-t2)進行計算之Sv(灰階/像素×0.1)進行定義。再者，橫軸之1像素相當於10μm長度。又，Sv係測定銅箔之兩側，採用較小值。進而，於亮度曲線之形狀不穩定，且上述「亮度曲線與Bt之交點」存在複數個之情形時，採用最接近銅箔之交點。
於CCD攝影機所攝影之上述圖像中，於無銅箔之部分中成為較高亮度，但一到達銅箔端部，亮度就降低。若隔著聚醯亞胺基板進行觀察時之辨識性良好，則明確觀察到此種亮度之降低狀態。另一方面，若隔著聚醯亞胺基板進行觀察時之辨識性不良，則亮度於銅箔端部附近並非一下子自「高」向「低」急速降低，而是降低之狀態變平緩，從而亮度之降低狀態變得不明確。
本發明基於上述見解，而將本發明之表面處理銅箔於自經過表面處理之表面側與貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺積層後，利用CCD攝影機，隔著聚醯亞胺對銅箔進行攝影時，對由攝影獲得之圖像，沿與觀察到之銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自銅箔之端部至無銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)控制在40以上。或者是，本發明之表面處理銅箔將上述Sv值控制在3.0以上。
根據上述構成，利用CCD攝影機之隔著聚醯亞胺之銅箔之識別力提高，並不受基板樹脂之種類或厚度之影響。因此，可獲得隔著聚醯亞胺基板進行觀察時之良好之辨識性，而於電子基板製造步驟等中對聚醯亞胺基板進行特定處理之情形時利用銅箔之標記等之定位精度提高，藉此，可獲得良率提高等效果。
於本發明中，Sv較佳為3.5以上，更佳為3.9以上，更佳為4.5以上，更佳為5.0以上，更佳為5.5以上。Sv之上限無需特別限定，例如為15以下、10以下。根據上述構成，銅箔與並非銅箔之部分之交界變得更為明確，定位精度提高，利用銅箔圖像辨識之誤差變少，而可更準確地進行位置對準。
再者，若將表面處理銅箔積層於聚醯亞胺之兩表面後，利用蝕刻將兩表面之銅箔去除並僅將一表面之銅箔成形為電路狀，隔著聚醯亞胺對該電路狀之銅箔進行觀察而獲得之辨識性良好，則此種表面處理銅箔在積層於聚醯亞胺後，隔著聚醯亞胺進行觀察而獲得之辨識性變良好。
[表面積比]
銅箔之一個表面之三維表面積A與二維表面積B之比A/B對上述樹脂之透明性造成較大影響。即，若表面粗糙度Rz相同，則比A/B愈小之銅箔，上述樹脂之透明性變得越良好。因此，本發明之表面處理銅箔之該比A/B較佳為1.0~1.7，更佳為1.0~1.6。此處，表面處理側之表面之粗化粒子之三維表面積A與二維表面積B之比A/B例如於對該表面進行有粗化處理之情形時，亦可稱為粗化粒子之表面積A、與自銅箔表面側俯視銅箔時獲得之面積B的比A/B。
藉由控制粒子形成時等表面處理時之電流密度與鍍敷時間，從而粒子之形態或形成密度、表面之凹凸狀態等表面狀態固定，而可控制上述表面粗糙度Rz、光澤度及銅箔表面之表面積比A/B。
本發明之表面處理銅箔於銅箔的與樹脂基板接著之面的相反側表面(於本發明中，亦稱該面為「另一個表面」)亦進行表面處理。於從一表面側將表面處理銅箔貼合於樹脂基板時，一般而言，以樹脂基板/表面處理銅箔/保護膜之順序進行積層，自該保護膜側利用層疊輥一邊施加熱與壓力一邊使其貼合。此時，有產生於與表面處理銅箔之樹脂基板側相反側的表面(另一個表面)貼附有保護膜(於表面處理銅箔與保護膜之間變得不滑)之問題之虞。若產生此種問題，則於銅箔的另一個表面產生皺褶或條紋。相對於此，本發明之表面處理銅箔藉由另一個表面經表面處理，增加銅箔與保護膜間之接觸面積，而可良好地抑制於與樹脂基板之積層步驟時保護膜貼附於銅箔之問題。
本發明之表面處理銅箔於另一態樣中，另一經表面處理之銅箔表面的利用雷射光波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之十點平均粗糙度Rz為0.35μm以上。藉由此種構成，可更良好地抑制如下問題：由於使銅箔與保護膜之間之接觸面積更加增大，故而於與樹脂基板之積層步驟時保護膜貼附於銅箔之問題。本發明之表面處理銅箔於另一經表面處理之銅箔表面之利用雷射光波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之十點平均粗糙度Rz更佳為0.40μm以上，進而更佳為0.50μm以上，進而更佳為0.60μm以上，進而更佳為0.80μm以上；典型而言為0.40~4.0μm，更典型而言為0.50~3.0μm。再者，本發明之表面處理銅箔之另一經 表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之十點平均粗糙度Rz之上限無需特別限定，典型而言為4.0μm以下，更典型而言為3.0μm以下，更典型而言為2.5μm以下，更典型而言為2.0μm以下。
本發明之表面處理銅箔於另一態樣中，另一經表面處理之銅箔表面的利用雷射光波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。藉由此種構成，可更良好地抑制如下問題：由於使銅箔與保護膜之間之接觸面積更加增大，故而於與樹脂基板之積層步驟時保護膜貼附於銅箔之問題。本發明之表面處理銅箔於另一經表面處理之銅箔表面之利用雷射光波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之算術平均粗糙度Ra更佳為0.08μm以上，進而更佳為0.10μm以上，進而更佳為0.20μm以上，進而更佳為0.30μm以上。再者，本發明之表面處理銅箔之另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之算術平均粗糙度Ra之上限無需特別限定，典型而言為0.80μm以下，更典型而言為0.65μm以下，更典型而言為0.50μm以下，更典型而言為0.40μm以下。
本發明之表面處理銅箔於另一態樣中，另一經表面處理之銅箔表面的利用雷射光波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之均方根高度Rq為0.08μm以上。藉由此種構成，可更良好地抑制如下問題：由於使銅箔與保護膜之間之接觸面積更加增大，故而於與樹脂基板之積層步驟時保護膜貼附於銅箔之問題。本發明之表面處理銅箔於另一經表面處理之銅箔表面之利用雷射光波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之均方根 高度Rq更佳為0.10μm以上，進而更佳為0.15μm以上，進而更佳為0.20μm以上，進而更佳為0.30μm以上；典型而言為0.08~0.60μm，更典型而言為0.10~0.50μm。再者，本發明之表面處理銅箔之另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之均方根高度Rq之上限無需特別限定，典型而言為0.80μm以下，更典型而言為0.60μm以下，更典型而言為0.50μm以下，更典型而言為0.40μm以下。
作為本發明之表面處理銅箔中另一個表面處理，並未特別限定，亦為可粗化處理，亦可為省略粗化處理，藉由鍍敷(正常鍍敷，並非粗化鍍敷之鍍敷)而設置耐熱層或防銹層之處理。
例如可使用含有硫酸銅與硫酸水溶液之鍍敷液而進行粗化處理，另外，亦可使用由硫酸銅與硫酸水溶液所組成之鍍敷液而進行粗化處理。亦可為銅-鈷-鎳合金鍍敷或銅-鎳-磷合金鍍敷、鎳-鋅合金鍍敷等合金鍍敷。另外，較佳為可藉由鍍銅合金而進行。作為銅合金鍍浴，例如較佳為使用含有銅與1種以上之銅以外之元素之鍍浴，更佳為含有銅與選自由鈷、鎳、砷、鎢、鉻、鋅、磷、錳及鉬所組成之群中之任一種以上之鍍浴。
另外，作為本發明之表面處理銅箔中另一個表面處理，亦可為上述粗化處理或鍍敷處理以外之表面處理。
作為用以於另一個表面形成凹凸之表面處理，亦可進行利用電解研磨之表面處理。例如於由硫酸銅與硫酸水溶液所組成之溶液中，對銅箔之另一個表面進行電解研磨，藉此可於銅箔之另一個表面形成凹凸。通常電解研磨係以平滑化為目的，但對於本發明之另一個表面處理而言，藉由電解研磨而形成凹凸，因此與通常想法相反。藉由電解研磨而形成凹凸之方法 亦可利用公知之技術進行。作為用以形成上述凹凸之電解研磨之公知技術之例，可列舉：日本特開2005-240132、日本特開2010-059547、日本特開2010-047842所記載之方法。作為利用電解研磨形成凹凸之處理之具體條件，例如可列舉：
．處理溶液：Cu：20g/L、H2SO4：100g/L、溫度：50℃
．電解研磨電流：15A/dm2
．電解研磨時間：15秒
等。
作為用以於另一個表面形成凹凸之表面處理，例如亦可藉由對另一個表面進行機械研磨而形成凹凸。機械研磨亦可利用公知之技術進行。
再者，亦可於本發明之表面處理銅箔之另一個表面處理後，設置耐熱層或防銹層或耐候性層。耐熱層或防銹層及耐候性層可利用上述記載或實驗例記載之方法形成，亦可利用公知之技術方法形成。
可將本發明之表面處理銅箔自一個表面側貼合於絕緣樹脂基板而製造積層體。絕緣樹脂基板只要具有可應用於印刷配線板等之特性，則不受特別限制，例如，於剛性PWB用可使用紙基材酚系樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂等，於FPC用可使用聚酯膜或聚醯亞胺膜、液晶聚合物(LCP)膜、Teflon(註冊商標)膜等。
貼合之方法於剛性PWB用之情形時，係準備將樹脂含浸於 玻璃布等基材中，而使硬化樹脂至半硬化狀態的預浸體。可藉由自與被覆層相反側之面將銅箔與預浸體重疊並進行加熱加壓而進行。於FPC之情形時，可藉由經由接著劑或不使用接著劑而於高溫高壓下將聚醯亞胺膜等基材積層接著於銅箔上，或者對聚醯亞胺前驅物進行塗佈、乾燥、硬化等而製造積層板。
聚醯亞胺基材樹脂之厚度不受特別限制，通常可列舉25μm或50μm。
本發明之積層體可用於各種印刷配線板(PWB)，並無特別限制，例如，就導體圖案之層數之觀點而言，可應用於單面PWB、兩面PWB、多層PWB(3層以上)，就絕緣基板材料之種類之觀點而言，可應用於剛性PWB、可撓性PWB(FPC)、軟硬複合PWB。本發明之電子機器可使用上述印刷配線板進行製作。
又，本發明之印刷配線板係具有絕緣樹脂基板、與設置於絕緣樹脂基板上之銅電路者，上述銅電路具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著絕緣樹脂基板之銅電路表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著絕緣樹脂基板對銅電路進行攝影時，對由攝影獲得之圖像，沿與觀察到之銅電路延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，自銅電路之端部至無銅電路之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)成為40以上。若使用此種印刷配線板，則可更準確地進行印刷配線板之定位。
又，本發明之印刷配線板係具有絕緣樹脂基板與設置於絕緣樹脂基板上之銅電路者，上述銅電路具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面 與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅電路表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板對上述銅電路進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅電路延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述銅電路之端部至無上述銅電路之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於上述觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv成為3.0以上。若使用此種印刷配線板，則可更準確地進行印刷配線板之定位。
Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)
又，本發明之覆銅積層板，係具有絕緣樹脂基板與設置於絕緣基板上之銅箔者，上述銅箔具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著絕緣樹脂基板之銅箔之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，藉由蝕刻使覆銅積層板之上述銅箔形成為線狀銅箔後，於利用CCD攝影機，隔著絕緣樹脂基板進行攝影時，對由攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述線狀銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，自線狀銅箔之端部至無線狀銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)成為40以上。
上述本發明之覆銅積層板的銅箔可使用本發明之表面處理銅箔。
若使用此種覆銅積層板而製造印刷配線板，則可更準確地進行印刷配線板之定位。
又，本發明之覆銅積層板，係具有絕緣樹脂基板與設置於絕緣基板上之銅箔者，上述銅箔具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅箔之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，藉由蝕刻使上述覆銅積層板之上述銅箔形成為線狀銅箔後，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述線狀銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述線狀銅箔之端部至無上述線狀銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於上述觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀銅箔之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀銅箔之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.0以上。
上述本發明之覆銅積層板的銅箔可使用本發明之表面處理銅箔。
若使用此種覆銅積層板而製造印刷配線板，則可更準確地進行印刷配線板之定位。
Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)
又，上述本發明之印刷配線板或覆銅積層板，亦對銅電路或銅箔之與樹脂基板接著的面之相反側的表面(另一個表面)進行表面處理。 於使印刷配線板或覆銅積層板通過輥對輥之製造線時，有產生下述問題之虞：製造線中之搬運輥和與印刷配線板或覆銅積層板之樹脂基板側相反側之表面間會黏貼(變得不滑)。若產生此種問題，則於銅電路或銅箔的另一個表面產生皺褶或條紋。相對於此，本發明之印刷配線板或覆銅積層板藉由另一個表面經表面處理，增加銅電路或銅箔與保護膜間之接觸面積，而可良好地抑制黏貼(變得不滑)於製造線中之搬運輥。此外，由於其他表面與乾膜、覆蓋絞紋之密合性變得良好，因此印刷配線板或覆銅積層板之耐候性提高。
(積層體及使用其之印刷配線板之定位方法)
對本發明之金屬與樹脂之積層體之定位方法進行說明。首先，準備金屬與樹脂之積層體。作為金屬與樹脂之積層體，只要為將金屬貼合於樹脂而構成者即可，型態上並無特別限制。作為本發明之金屬與樹脂之積層體之具體例，可列舉：於由本體基板、附屬之電路基板及用以將該等電性連接之聚醯亞胺等樹脂之至少一個表面形成有銅等金屬配線之可撓性印刷基板構成的電子機器中，準確地定位可撓性印刷基板並壓接於該本體基板及附屬之電路基板之配線端部而製作的積層體。即，只要為此情形，則積層體會成為藉由將可撓性印刷基板與本體基板之配線端部壓接而使之貼合的積層體、或藉由將可撓性印刷基板與電路基板之配線端部壓接而使之貼合的積層體。積層體具有由該金屬配線之一部分或其他材料形成之標記。標記之位置只要為可隔著構成該積層體之樹脂利用CCD攝影機等攝影手段進行攝影的位置，則並無特別限定。
於以上述方式準備之積層體中，利用攝影手段，隔著樹脂對 上述標記進行攝影，對由上述攝影獲得之圖像，沿著與觀察之上述標記延伸之方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，使用自上述標記之端部至無上述標記之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)檢測上述標記之位置，並基於上述被檢測出之標記之位置進行金屬與樹脂之積層體之定位。
又，此時，亦可僅使用上述Sv值而檢測上述標記之位置，並基於上述被檢測出之標記之位置進行金屬與樹脂之積層體之定位，亦可使用上述△B值與Sv值兩者而檢測上述標記之位置，並基於上述被檢測出之標記之位置進行金屬與樹脂之積層體之定位。
根據上述定位方法，標記與並非標記之部分之交界變得更為明確，定位精度提高，利用標記圖像辨識之誤差變少，而可進行更準確地位置對準。例如於△B值、Sv值、或者△B值及Sv值為特定值以上之情形時，檢測位置之裝置可進行標記存在於該位置之判定。具體而言，例如於僅以△B值進行判定之情形係△B為40以上時，檢測位置之裝置可進行標記存在於該位置之判定，於僅以Sv值進行判定之情形係於Sv為3.0以上時，檢測位置之裝置可進行標記存在於該位置之判定，或者於以△B值與Sv值進行判定之情形係△B為40以上且Sv為3.0以上時，檢測位置之裝置可進行標記存在於該位置之判定。若使用上述定位方法，則可更準確地進行印刷配線板之定位。
因此，可認為於將一個印刷配線板與另一個印刷配線板進行連接時，連接不良減少，良率提高。此時，銅箔亦可為經表面處理者。再者，作為將一個印刷配線板與另一個印刷配線板進行連接之方法，可使用 經由焊接或異向性導電膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)之連接、經由異向性導電漿料(Anisotropic Conductive Paste，ACP)之連接、或經由具有導電性之接著劑之連接等公知之連接方法。再者，於本發明中，「印刷配線板」亦包含安裝有零件之印刷配線板及印刷電路板及印刷基板。又，可連接2個以上本發明之印刷配線板，而製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板，又，可將至少1個本發明之印刷配線板、與另一個本發明之印刷配線板或並不相當於本發明之印刷配線板之印刷配線板加以連接，亦可使用上述印刷配線板製造電子機器。再者，於本發明中，「銅電路」亦包括銅配線。
再者，本發明之實施形態之定位方法亦可包含使積層體(包括銅與樹脂之積層體或印刷配線板)移動之步驟。於移動步驟中，例如可藉由帶式輸送機或鏈式輸送機等輸送機使積層體移動，亦可藉由具備臂機構之移動裝置使積層體移動，亦可利用藉由使用氣體使積層體懸浮而使之體移動之移動裝置或移動手段使積層體移動、亦可藉由使大致圓筒形等者旋轉而使積層體移動之移動裝置或移動手段(包括輥或軸承等)、以油壓為動力源之移動裝置或移動手段、以空氣壓為動力源之移動裝置或移動手段、以馬達為動力源之移動裝置或移動手段、支架移動型線性導軌台、支架移動型空氣導軌台、堆疊型線性導軌台、線性馬達驅動台等具有台之移動裝置或移動手段等使積層體移動。又，亦可進行利用公知之移動手段之移動步驟。
再者，本發明之實施形態之定位方法亦可用於表面安裝機或晶片貼片機。
又，於本發明中，所定位之上述金屬與樹脂之積層體亦可為具有樹脂板及設置於上述樹脂板上之電路的印刷配線板。又，於該情形時，上述標記亦可為上述電路。
於本發明中，所謂「定位」包括「檢測標記或物之位置」。又，於本發明中，所謂「位置對準」包括「於檢測標記或物之位置後，基於上述檢測出之位置，使該標記或物向特定位置移動」。
[實施例]
作為實施例1~9及比較例1~6，準備各銅箔，並利用表2及表3所記載之條件，對一個表面進行鍍敷處理作為粗化處理。
壓延銅箔係以下述方式進行製造。製造既定之銅鑄錠，進行熱軋後，反覆進行300~800℃之連續退火線之退火與冷軋，而獲得1~2mm厚之壓延板。將該壓延板於300~800℃之連續退火線中進行退火，使其再結晶，進行最終冷軋直至表1之厚度，而獲得銅箔。表1之「精銅」係表示以JIS H3100 C1100為標準之精銅。表1之「無氧銅」係表示以JIS H3100 C1020為標準之無氧銅。表1所記載之添加元素之「ppm」表示質量ppm。又，例如表1金屬箔(表面處理前)之種類欄之「精銅+Ag 180ppm」意指於精銅中添加有180質量ppm之Ag。
電解銅箔係利用下述條件進行製造。
．電解液組成(銅：100g/L、硫酸：100g/L、氯：50ppm、調平劑1(雙(三磺丙基)二硫化物)：10~30ppm、調平劑2(胺化合物)：10~30ppm)
．電解液溫度：50~60℃
．電流密度：70~100A/dm2
．電解時間：1分鐘
．電解液線速：4m/sec
再者，就胺化合物而言，使用以下之胺化合物。
(上述化學式中，R1及R2為選自由羥烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成之群者)。
於表1記載有一個表面中之表面處理前之銅箔製作步驟之要點。「高光澤壓延」意指以記載之油膜當量之值進行最終之冷軋(最終之再結晶退火後之冷軋)。
又，關於比較例5，進行與上述實施例2相同的表面處理，關於比較例6，進行與上述實施例6相同的表面處理，又，關於實施例，對銅箔之另一個表面進行以下之表面處理。
．表面處理條件
鍍敷液浴例
Cu：15g/L，Co：9g/L，Ni：9g/L
pH值：3
溫度：38℃
電流密度：25A/dm2
鍍敷時間：1秒
針對以上述方式製作之實施例及比較例之各樣品，如下述般進行各種評價。
．表面粗糙度(Rz)之測定：
針對各實施例、比較例之表面處理後之銅箔，使用小阪研究所股份有限公司製造之接觸式粗糙度計Surfcorder SE-3C，依據JIS B0601-1994，針對一個表面測定十點平均粗糙度。針對壓延銅箔，將測定位置變更為與壓延方向垂直之方向(TD)，或針對電解銅箔，將測定位置變更為與電解銅箔之製造裝置中之電解銅箔之前進方向垂直的方向(TD)，於測定基準長度0.8mm、評價長度4mm、截斷值0.25mm、輸送速度0.1mm/秒之條件下分別進行10次測定，而求出10次測定之值。
再者，表面處理前之銅箔亦以相同之方式求出表面粗糙度(Rz)。
又，針對各實施例、比較例之表面處理後之另一個表面，較佳為使用非接觸式之方法測定表面之粗糙度。具體而言，以利用雷射顯微鏡而測得之粗糙度之值評價各實施例、比較例之表面處理後之另一個表面之狀態。其原因在於：可更詳細地評價表面之狀態。
針對表面處理銅箔之另一個表面，利用Olympus公司製造之雷射顯微鏡OLS4000，依據JIS B0601 1994而測定表面粗糙度(十點平均粗糙度)Rz。 使用物鏡50倍，觀察銅箔表面，於評價長度258μm、截斷值為零之條件下，針對壓延銅箔，進行與壓延方向垂直之方向(TD)之測定，或者針對電解銅箔，進行與電解銅箔之製造裝置中之電解銅箔之前進方向垂直之方向(TD)之測定，並求出各自之值。另外，利用雷射顯微鏡之表面粗糙度Rz之測定環境溫度設為23~25℃。於任意10處測定Rz，將10處Rz之平均值設為表面粗糙度(十點平均粗糙度)Rz之值。另外，測定時所使用之雷射顯微鏡之雷射光之波長係設為405nm。
．表面均方根高度Rq之測定：
針對各實施例、比較例之銅箔的另一個表面，利用Olympus公司製造之雷射顯微鏡OLS4000，依據JIS B0601 2001而測定銅箔表面之均方根高度Rq。使用物鏡50倍，觀察銅箔表面，於評價長度258μm、截斷值為零之條件下，針對壓延銅箔，進行與壓延方向垂直之方向(TD)之測定，或者針對電解銅箔，進行與電解銅箔之製造裝置中之電解銅箔之前進方向垂直之方向(TD)之測定，並求出各自之值。另外，利用雷射顯微鏡之表面之均方根高度Rq之測定環境溫度設為23~25℃。於任意10處測定Rq，將10處Rq之平均值設為均方根高度Rq之值。另外，測定時所使用之雷射顯微鏡之雷射之波長係設為405nm。
．表面之算術平均粗糙度Ra之測定：
針對各實施例、比較例之表面處理後之銅箔之另一個表面，依據JIS B0601-1994，利用Olympus公司製造之雷射顯微鏡OLS4000，對表面粗糙度Ra進行測定。使用物鏡50倍，觀察銅箔表面，於評價長度258μm、截斷值為零之條件下，針對壓延銅箔，進行與壓延方向垂直之方向(TD)之 測定，或者針對電解銅箔，進行與電解銅箔之製造裝置中之電解銅箔之前進方向垂直之方向(TD)之測定，並求出各自之值。另外，利用雷射顯微鏡之表面之算術平均粗糙度Ra之測定環境溫度設為23~25℃。於任意10處測定Ra，將10處Ra之平均值設為算術平均粗糙度Ra之值。另外，測定時所使用之雷射顯微鏡之雷射之波長係設為405nm。
．隔著聚醯亞胺之色差△E＊ab之測定：
對積層表面處理銅箔、與貼合於銅箔前之△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺膜(Kaneka製造厚度25μm或50μm)而構成之覆銅積層板中隔著聚醯亞胺膜之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab進行測定。色差△E＊ab之測定係使用HunterLab公司製造之色差計MiniSean XE Plus，依據JIS Z8730進行。再者，於上述之色差計中，將白色板之測定值設為△E＊ab=0，將於以黑色袋覆蓋之暗處進行測定時之測定值設為△E＊ab=90，而對色差進行校正。△E＊ab係使用L＊a＊b表色系統，設為△L：白黑、△a：紅綠、△b：黃藍，並基於下述式進行測定。此處，色差△E＊ab係以0定義白色，以90定義黑色；
再者，銅電路表面之基於JIS Z8730之色差△E＊ab例如可使用日本電色工業股份有限公司製造之微小面分光色差計(型式：VSS400等)或Suga Test Instruments股份有限公司製造之微小面分光測色計(型式：SC-50μ等)等公知之測定裝置進行測定。
．銅箔表面之面積比(A/B)：
銅箔之一個表面之表面積係使用利用雷射顯微鏡之測定法。針對各實 施例、比較例之表面處理後之銅箔之一個表面，使用Olympus公司製造之雷射顯微鏡OLS4000，測定處理表面之相當於倍率20倍下之647μm×646μm之面積B(於實際資料中為417,953μm2)中之三維表面積A，並藉由設為三維表面積A÷二維表面積B=面積比(A/B)之方法進行設定。再者，利用雷射顯微鏡之三維表面積A之測定環境溫度係設為23~25℃。
．光澤度：
使用依據JIS Z8741之日本電色工業股份有限公司製造之光澤度計Handy gloss meter-PG-1，針對壓延銅箔，以垂直於壓延方向(壓延時銅箔之前進方向，即寬度方向)之方向(TD)之入射角60度對表面處理前之一個表面進行測定。又，針對電解銅箔，以垂直於電解處理時之銅箔搬運方向之方向(即寬度方向)(TD)之入射角60度對表面處理前之表面(無光澤面)進行測定。
．亮度曲線之斜率
將所製作之銅箔自一個表面側朝著聚醯亞胺膜積層於聚醯亞胺膜之兩面。
此處，關於上述聚醯亞胺膜，係使用鐘化製造之厚度25μm或50μm之聚醯亞胺膜[PIXEO(聚醯亞胺膜型式：FRS)、附有覆銅積層板用接著層之聚醯亞胺膜、PMDA(焦蜜石酸酐)系之聚醯亞胺膜(PMDA-ODA(4,4'-二胺二苯醚)系之聚醯亞胺膜)]。
再者，於後述之「識別性(樹脂透明性)」、「剝離強度(接著強度)」、及「良率」之評價中，貼合與各實驗例相關之表面處理銅箔之表面的聚醯亞胺膜和於該「亮度曲線之斜率」之評價中所使用的聚醯亞胺膜相同。
然後，藉由蝕刻，將一面之銅箔全部去除。又，對另一面之銅箔進行蝕刻而製成寬度0.3mm之線狀。其後，於製成寬度0.3mm線狀之銅箔之背面敷上白紙，利用CCD攝影機(8192像素之線陣CCD攝影機)，隔著該聚醯亞胺膜進行攝影，針對藉由攝影獲得之圖像，沿著與所觀察之銅箔延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，根據自標記之端部至無標記之部分產生之亮度曲線，對△B及t1、t2、Sv進行測定。將表示此時使用之攝影裝置之構成及亮度曲線之測定方法的示意圖示於圖3。再者，亮度曲線之斜率之評價所使用之厚度25μm或50μm之聚醯亞胺係使用貼合於銅箔前之聚醯亞胺之△B(PI)為50以上且65以下者。再者，於測定貼合於該銅箔前之聚醯亞胺之△B(PI)時，使用於白紙上印刷有寬度0.3mm線狀之黑色記號者(印刷有線狀之黑色標記之印刷物)代替寬度0.3mm線狀的銅箔，而進行△B(PI)之測定。
又，△B及t1、t2、Sv係利用下述攝影裝置進行測定。再者，橫軸之1像素相當於10μm長度。
又，就鋪設於上述「製成寬度0.3mm之線狀之銅箔之背面」之「白紙」而言，使用光澤度43.0±2之白色之光澤紙。
上述「印刷有線狀之黑色標記之印刷物」係使用於光澤度43.0±2之白色光澤紙上載有JIS P8208(1998)(圖1包含物計測圖表之複製)及JIS P8145(2011)(附件JA(規定)目視法異物比較圖 圖JA.1-目視法異物比較圖之複製)均採用之於圖6所示之透明膜印刷有各種線等之包含物(夾雜物)(朝陽會股份有限公司製造 品名：「包含物測定圖表-全片幅紙」編號： JQA160-20151-1(獨立行政法人國立印刷局所製造))者。
上述光澤紙之光澤度係使用依據JIS Z8741之日本電色工業股份有限公司製造之光澤度計Handy gloss meter-PG-1，以入射角60度進行測定。
攝影裝置具備：CCD攝影機、隔著積層有樣品之銅箔之聚醯亞胺基板之白紙(積層有銅箔之聚醯亞胺基板係將與具有線狀銅箔之面相反側之面朝向CCD攝影機而進行設置)、對聚醯亞胺基板之攝影部照射光之照明用電源、將攝影對象之銅箔及聚醯亞胺基板於台上進行搬送之搬送機(未圖示)。將該攝影裝置之主要規格示於以下：
．攝影裝置：尼利可股份有限公司製造之片材檢測裝置Mujiken
．線陣CCD攝影機：8192像素(160MHz)、1024灰階數位(10比特(bit))
．照明用電源：高頻照明電源(電源單元×2)
．照明：螢光燈(30W，型號：FPL27EX-D，雙螢光燈)
△B(PI)測定用之線係使用0：7mm2之圖5之夾雜物所繪製之箭頭所示之線。該線之寬度為0.3mm。又，線陣CCD攝影機視野係設為圖5之虛線之配置。
於利用線陣CCD攝影機之攝影中，利用滿刻度256灰階確認訊號，於未放置測定對象之聚醯亞胺膜(聚醯亞胺基板)之狀態下，以印刷物之黑色標記不存在之部位(將上述透明膜置於上述白色之光澤紙上，利用CCD攝影機，自透明膜側對印刷於夾雜物之標記外之部位進行測定之情形)的波峰灰階訊號收於230±5之方式調整透鏡鎖光圈。攝影機掃描時間(攝影機之快門打開之時間，攝入光之時間)係固定為250μ秒，且以收於上述灰階以內之方式調整透鏡鎖光圈。
再者，關於圖3所示之亮度，0表示「黑」，亮度255表示「白」，將「黑」與「白」之間之灰色程度(白黑之濃淡、灰度)分割為256個灰階而顯示。
．識別性(樹脂透明性)：
將銅箔自一個表面側貼合於聚醯亞胺膜之兩面，利用蝕刻(三氯化鐵水溶液)去除銅箔而製作樣品膜。於獲得之樹脂層之一面貼附印刷物(直徑6cm之黑色圓)，自相反面隔著樹脂層判定印刷物之辨識性。將印刷物之黑色圓之輪廓於圓周的90%以上之長度中清楚者評價為「◎」，將黑色圓之輪廓於圓周之80%以上且未達90%之長度中清楚者評價為「○」(以上合格)，將黑色圓之輪廓於圓周之未達0~80%之長度中清楚者及輪廓崩潰者評價為「×」(不合格)。
．剝離強度(接著強度)：
依據IPC-TM-650，利用拉伸試驗機Autograph 100對常態剝離強度進行測定，將上述常態剝離強度為0.7N/mm以上者設為可用於積層基板用途者。再者，本剝離強度之測定中，使用將聚醯亞胺膜與本發明之實驗例之表面處理銅箔之一個表面即表面處理面貼合而成之樣品。再者，剝離強度之測定係將銅箔厚度設為18μm而進行測定。針對厚度未達18μm之銅箔，進行鍍銅而使銅箔厚度為18μm。又，於厚度厚於18μm之情形時，進行蝕刻而使銅箔厚度為18μm。
．良率
自銅箔的一個表面側貼合於聚醯亞胺膜之兩面，對銅箔進行蝕刻(三氯化鐵水溶液)，製成L/S為30μm/30μm之電路寬度之FPC。其後，嘗試隔著聚醯亞胺利用CCD攝影機檢測20μm×20μm見方之標記。將10次 中可檢測到9次以上之情形設為「◎」，將可檢測到7~8次之情形設為「○」，將可檢測到6次之情形設為「△」，將可檢測到5次以下之情形設為「×」。
再者，於印刷配線板或覆銅積層板中，可藉由使樹脂溶解並去除，而針對銅電路或銅箔表面測定上述之(1)表面粗糙度(Rz)、(3)銅箔表面之面積比(A/B)。
．因層疊加工所致之銅箔皺褶等之評價：
於分別將實施例、比較例之表面處理銅箔自一個表面側積層於厚度25μm之聚醯亞胺樹脂之兩表面，進而向各表面處理銅箔之另一個表面側積層125μm之保護膜(聚醯亞胺製)之狀態下，即設為保護膜/表面處理銅箔/聚醯亞胺樹脂/表面處理銅箔/保護膜之5層之狀態下，使用層疊輥，自兩保護膜之外側施加熱與壓力並且進行貼合加工(層疊加工)，而於聚醯亞胺樹脂之兩面貼合表面處理銅箔。其次，將兩表面之保護膜剝離後，目視觀察表面處理銅箔之另一個表面，確認有無皺褶或條紋，將皺褶或條紋完全未產生時評價為◎，將銅箔長度每5m僅觀察到1處皺褶或條紋時評價為○，將銅箔每5m觀察到2處以上之褶皺或條紋時評價為×。
將上述各試驗之條件及評價示於表1~4。
(評價結果)
關於實施例1~9，隔著聚醯亞胺之色差△E＊ab均為50以上，且△B為40以上，而辨識性良好。又，由於另一個表面經表面處理，因此兩面層疊處理中之於銅箔之該另一個表面皺褶或條紋之發生被良好地抑制。
比較例1~4之隔著聚醯亞胺之色差△E＊ab未達50，或△B未達40，辨識性不良。
又，比較例1~4及比較例5及6，由於另一個表面未經表面處理，因此無法抑制兩面層疊處理中之於銅箔之該另一個表面皺褶或條紋之發生。
於圖4中分別表示上述Rz評價時之(a)比較例1、(b)實施例1之銅箔表面之SEM觀察照片。
又，於上述實施例1~9中，將作為製成寬度0.3mm之線狀之銅箔之標記以及夾雜物之標記之寬度自0.3mm變更為0.16mm(自夾雜物之片之面積0.5mm2的接近0.5之記載開始第3個標記(圖6之箭頭所指之標記))，進行相同之△B(PI)、Sv值及△B值之測定，但△B(PI)、Sv值及△B值均成為與將標記之寬度設為0.3mm之情形相同之值。
進而，於上述實施例1~9中，關於「亮度曲線之頂部平均值Bt」，係變更為將距離標記之兩側之端部位置50μm之位置設為距離100μm之位置、距離300μm之位置、距離500μm之位置，自該等位置分別以30μm間隔測定5處(兩側合計10處)時之亮度的平均值，進行相同之△B(PI)、Sv值及△B值之測定，△B(PI)、Sv值及△B值均成為與將自距離標記之兩側之端部位置50μm的位置以30μm間隔測定5處(兩側合計10處)時之亮度之平均值設為「亮度曲線之頂部平均值Bt」的情形之△B(PI)、 Sv值及△B值相同。
再者，以使用與上述各實施例相同之銅箔對一個表面進行表面處理之情形時相同的條件對銅箔之兩面進行表面處理，從而製造表面處理銅箔並進行評價，其結果，兩面均獲得與上述各實施例之一個表面相同之評價結果。另外，於對銅箔進行電解研磨或化學研磨之情形時，對兩面進行電解研磨或化學研磨後進行表面處理。又，關於實施例8，針對銅箔之光澤面(製造電解銅箔時與轉筒接觸側之面)進行電解研磨及/或化學研磨，藉此使其TD之粗糙度Rz及光澤度與析出面相同後進行既定之表面處理或形成中間層等。
於對銅箔之兩面進行粗化處理等之表面處理的情形，可對兩面同時進行表面處理，亦可分別對一個面與另一個面進行表面處理。再者，於對兩面同時進行表面處理之情形時，亦可使用於銅箔之兩面側設置有陽極之表面處理裝置(鍍敷裝置)而進行表面處理。此外，於本實施例中，同時對兩面進行表面處理。
又，各實施例之經粗化處理之銅箔表面之利用雷射光波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之十點平均粗糙度Rz均為0.35μm以上。又，各實施例之經粗化處理之銅箔表面之利用雷射光波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之算術平均粗糙度Ra均為0.05μm以上。又，各實施例之經粗化處理之銅箔表面之利用雷射光波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之均方根高度Rq均為0.08μm以上。

Claims (55)

  1. 一種表面處理銅箔，係一個表面及另一個表面分別經表面處理而成者，於將表面處理銅箔自上述一個表面側，與貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺積層而構成之覆銅積層板中，隔著上述聚醯亞胺之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著自一個表面側積層之上述聚醯亞胺對上述銅箔進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，自上述銅箔之端部至無上述銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的十點平均粗糙度Rz為0.35μm以上。
  2. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
  3. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
  4. 如申請專利範圍第2項之表面處理銅箔，其中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均 方根高度Rq為0.08μm以上。
  5. 一種表面處理銅箔，其係一個表面及另一個表面分別經表面處理而成者，於將表面處理銅箔自上述一個表面側，與貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺積層而構成之覆銅積層板中，隔著上述聚醯亞胺之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著自一個表面側積層之上述聚醯亞胺對上述銅箔進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述銅箔之端部至無上述銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於上述觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述銅箔之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述銅箔之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.0以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的十點平均粗糙度Rz為0.35μm以上。
  6. 如申請專利範圍第5項之表面處理銅箔，其中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算 術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
  7. 如申請專利範圍第5項之表面處理銅箔，其中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
  8. 如申請專利範圍第6項之表面處理銅箔，其中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
  9. 一種表面處理銅箔，係一個表面及另一個表面分別經表面處理而成者，於將表面處理銅箔自上述一個表面側，與貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺積層而構成之覆銅積層板中，隔著上述聚醯亞胺之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，且利用CCD攝影機，隔著自一個表面側積層之上述聚醯亞胺對上述銅箔進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，自上述銅箔之端部至無上述銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
  10. 如申請專利範圍第9項之表面處理銅箔，其中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均 方根高度Rq為0.08μm以上。
  11. 一種表面處理銅箔，其係一個表面及另一個表面分別經表面處理而成者，於將表面處理銅箔自上述一個表面側，與貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺積層而構成之覆銅積層板中，隔著上述聚醯亞胺之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著自一個表面側積層之上述聚醯亞胺對上述銅箔進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述銅箔之端部至無上述銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於上述觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述銅箔之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述銅箔之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.0以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
  12. 如申請專利範圍第11項之表面處理銅箔，其中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均 方根高度Rq為0.08μm以上。
  13. 一種表面處理銅箔，係一個表面及另一個表面分別經表面處理而成者，於將表面處理銅箔自上述一個表面側，與貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺積層而構成之覆銅積層板中，隔著上述聚醯亞胺之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著自一個表面側積層之上述聚醯亞胺對上述銅箔進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，自上述銅箔之端部至無上述銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
  14. 如申請專利範圍第1~4、9、10、13項中任一項之表面處理銅箔，其中，於上述觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述銅箔之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述銅箔之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.0以上。Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)
  15. 一種表面處理銅箔，係一個表面及另一個表面分別經表面處理而成者， 於將表面處理銅箔自上述一個表面側，與貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺積層而構成之覆銅積層板中，隔著上述聚醯亞胺之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著自一個表面側積層之上述聚醯亞胺對上述銅箔進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述銅箔之端部至無上述銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於上述觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述銅箔之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述銅箔之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.0以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
  16. 如申請專利範圍第1至13、15項中任一項之表面處理銅箔，其中，上述另一個表面之表面處理係粗化處理。
  17. 如申請專利範圍第1至13、15項中任一項之表面處理銅箔，其中，於將上述表面處理銅箔自上述一個表面側，與貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺積層而構成之覆銅積層板中，隔 著上述聚醯亞胺之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為53以上。
  18. 如申請專利範圍第5~8、11、12、15項中任一項之表面處理銅箔，其中，上述亮度曲線中之(1)式定義之Sv為3.5以上。
  19. 如申請專利範圍第18項之表面處理銅箔，其中，上述亮度曲線中之(1)式定義之Sv為3.9以上。
  20. 如申請專利範圍第19項之表面處理銅箔，其中，上述亮度曲線中之(1)式定義之Sv為5.0以上。
  21. 如申請專利範圍第1至13、15項中任一項之表面處理銅箔，其中，上述一個表面之以接觸式粗糙度計測得之TD的平均粗糙度Rz為0.20~0.64μm，上述銅箔表面之三維表面積A與二維表面積B之比A/B為1.0~1.7。
  22. 如申請專利範圍第21項之表面處理銅箔，其中，上述一個表面之以接觸式粗糙度計測得之TD的平均粗糙度Rz為0.26~0.62μm。
  23. 如申請專利範圍第21項之表面處理銅箔，其中，上述A/B為1.0~1.6。
  24. 一種覆銅積層板，其係將申請專利範圍第1至23項中任一項之表面處理銅箔與樹脂基板積層而構成。
  25. 一種印刷配線板，其使用有申請專利範圍第1至23項中任一項之表面處理銅箔。
  26. 一種電子機器，其使用有至少一個申請專利範圍第25項之印刷配線板。
  27. 一種印刷配線板，係具有絕緣樹脂基板與設置於絕緣樹脂基板上之銅電路者，上述銅電路具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之 另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅電路表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板對上述銅電路進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅電路延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，自上述銅電路之端部至無上述銅電路之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上，上述另一經表面處理的銅電路表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的十點平均粗糙度Rz為0.35μm以上。
  28. 如申請專利範圍第27項之印刷配線板，其中，上述另一經表面處理的銅電路表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
  29. 一種印刷配線板，係具有絕緣樹脂基板與設置於絕緣樹脂基板上之銅電路者，上述銅電路具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅電路表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板對上述銅電路進行攝 影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅電路延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述銅電路之端部至無上述銅電路之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於上述觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.0以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)上述另一經表面處理的銅電路表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的十點平均粗糙度Rz為0.35μm以上。
  30. 如申請專利範圍第29項之印刷配線板，其中，上述另一經表面處理的銅電路表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
  31. 一種印刷配線板，係具有絕緣樹脂基板與設置於絕緣樹脂基板上之銅電路者，上述銅電路具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅電路表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上， 於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板對上述銅電路進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅電路延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，自上述銅電路之端部至無上述銅電路之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上，上述另一經表面處理的銅電路表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
  32. 一種印刷配線板，係具有絕緣樹脂基板與設置於絕緣樹脂基板上之銅電路者，上述銅電路具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅電路表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板對上述銅電路進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅電路延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述銅電路之端部至無上述銅電路之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於上述觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交 點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.0以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)上述另一經表面處理的銅電路表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
  33. 如申請專利範圍第27至32項中任一項之印刷配線板，其中，上述另一經表面處理的銅電路表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
  34. 如申請專利範圍第33項中任一項之印刷配線板，其中，上述另一個表面之表面處理係粗化處理。
  35. 一種印刷配線板，係具有絕緣樹脂基板與設置於絕緣樹脂基板上之銅電路者，上述銅電路具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅電路表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板對上述銅電路進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅電路延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表， 於該圖表中，自上述銅電路之端部至無上述銅電路之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上，上述另一經表面處理的銅電路表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
  36. 一種印刷配線板，係具有絕緣樹脂基板與設置於絕緣樹脂基板上之銅電路者，上述銅電路具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅電路表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板對上述銅電路進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅電路延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述銅電路之端部至無上述銅電路之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於上述觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.0以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1) 上述另一經表面處理的銅電路表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
  37. 如申請專利範圍第27至32、35、36項中任一項之印刷配線板，其中，上述另一個表面之表面處理係粗化處理。
  38. 一種製造印刷配線板之方法，其係將2個以上申請專利範圍第27至37項中任一項之印刷配線板連接，製造連接有2個以上印刷配線板的印刷配線板。
  39. 一種製造連接有2個以上印刷配線板的印刷配線板之方法，其包含下述步驟：將至少1個申請專利範圍第27至37項中任一項之印刷配線板、與另一個申請專利範圍第27至37項中任一項之印刷配線板或並不相當於申請專利範圍第27至37項中任一項之印刷配線板的印刷配線板連接。
  40. 一種電子機器，其使用有1個以上連接有至少1個申請專利範圍第27至37項中任一項之印刷配線板的印刷配線板。
  41. 一種表面處理銅箔，其被使用於申請專利範圍第27至37項中任一項之之印刷配線板。
  42. 一種覆銅積層板，係具有絕緣樹脂基板與設置於絕緣基板上之銅箔者，上述銅箔具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅箔之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，藉由蝕刻使上述覆銅積層板之上述銅箔形成為線狀銅箔後，於利 用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述線狀銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，自上述線狀銅箔之端部至無上述線狀銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的十點平均粗糙度Rz為0.35μm以上。
  43. 如申請專利範圍第42項之覆銅積層板，其中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405mn的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
  44. 一種覆銅積層板，係具有絕緣樹脂基板與設置於絕緣基板上之銅箔者，上述銅箔具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅箔之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，藉由蝕刻使上述覆銅積層板之上述銅箔形成為線狀銅箔後，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述線狀銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述線狀銅箔之端部至無上述線狀銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B =Bt-Bb)，於上述觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀銅箔之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀銅箔之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.0以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的十點平均粗糙度Rz為0.35μm以上。
  45. 如申請專利範圍第44項之覆銅積層板，其中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
  46. 一種覆銅積層板，係具有絕緣樹脂基板與設置於絕緣基板上之銅箔者，上述銅箔具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅箔之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，藉由蝕刻使上述覆銅積層板之上述銅箔形成為線狀銅箔後，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述線狀銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，自上述線狀銅箔之端部至無上述銅箔線狀銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B =Bt-Bb)為40以上，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
  47. 一種覆銅積層板，係具有絕緣樹脂基板與設置於絕緣基板上之銅箔者，上述銅箔具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅箔之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，藉由蝕刻使上述覆銅積層板之上述銅箔形成為線狀銅箔後，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述線狀銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述線狀銅箔之端部至無上述線狀銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於上述觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀銅箔之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀銅箔之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.0以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
  48. 如申請專利範圍第42至47項中任一項之覆銅積層板，其中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
  49. 如申請專利範圍第48項之覆銅積層板，其中，上述另一個表面之表面處理係粗化處理。
  50. 一種覆銅積層板，係具有絕緣樹脂基板與設置於絕緣基板上之銅箔者，上述銅箔具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅箔之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，藉由蝕刻使上述覆銅積層板之上述銅箔形成為線狀銅箔後，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述線狀銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，自上述線狀銅箔之端部至無上述銅箔線狀銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
  51. 一種覆銅積層板，係具有絕緣樹脂基板與設置於絕緣基板上之銅箔者，上述銅箔具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面， 隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅箔之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，藉由蝕刻使上述覆銅積層板之上述銅箔形成為線狀銅箔後，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述線狀銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述線狀銅箔之端部至無上述線狀銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於上述觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀銅箔之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀銅箔之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.0以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
  52. 如申請專利範圍第42至47、50、51項中任一項之覆銅積層板，其中，上述另一個表面之表面處理係粗化處理。
  53. 一種表面處理銅箔，其被使用於申請專利範圍第42至52項中任一項之覆銅積層板。
  54. 一種印刷配線板，其使用申請專利範圍第42至52項中任一項之覆銅積層板而製得。
  55. 一種電子機器，其使用有申請專利範圍第54項之印刷配線板。
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