WO2014123139A1

WO2014123139A1 - 短絡素子、およびこれを用いた回路

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Publication number: WO2014123139A1
Application number: PCT/JP2014/052634
Authority: WO
Inventors: 吉弘米田
Original assignee: デクセリアルズ株式会社
Priority date: 2013-02-05
Filing date: 2014-02-05
Publication date: 2014-08-14

Abstract

　複数のバッテリセルや電子部品で構成された電子機器の異常セルや異常電子部品のみを排除し、機能を維持しつつバイパス経路を形成することにより低抵抗化を図る。　絶縁基板２と、絶縁基板２に設けられた発熱抵抗体３と、絶縁基板２に、互いに隣接して設けられた第１、第２の電極４，５と、絶縁基板２に、第１の電極４と隣接して設けられるとともに、発熱抵抗体に電気的に接続された第３の電極６と、第１、第３の電極４，６間に亘って設けられることにより電流経路構成し、発熱抵抗体３からの加熱により、第１、第３の電極４，６間の電流経路を溶断する第１の可溶導体８とを備える。発熱抵抗体３からの加熱により溶融し、第１、第２の電極４，５上に凝集した第１の可溶導体８によって、第１の電極４と第２の電極５とが短絡する。

Description

短絡素子、およびこれを用いた回路

　本発明は、基板上に発熱抵抗体とヒューズエレメントを設けた短絡素子を用いて、電子機器内の異常部品のみを排除する短絡素子及びこれを用いた回路に関する。

　充電して繰り返し利用することのできる二次電池の多くは、バッテリパックに加工されてユーザに提供される。特に重量エネルギー密度の高いリチウムイオン二次電池においては、ユーザ及び電子機器の安全を確保するために、一般的に、過充電保護、過放電保護等のいくつもの保護回路をバッテリパックに内蔵し、所定の場合にバッテリパックの出力を遮断する機能を有している。

　この種の保護素子には、バッテリパックに内蔵されたＦＥＴスイッチを用いて出力のＯＮ／ＯＦＦを行うことにより、バッテリパックの過充電保護又は過放電保護動作を行うものがある。しかしながら、何らかの原因でＦＥＴスイッチが短絡破壊した場合、雷サージ等が印加されて瞬間的な大電流が流れた場合、あるいはバッテリセルの寿命によって出力電圧が異常に低下したり、逆に過大な異常電圧を出力した場合であっても、バッテリパックや電子機器は、発火等の事故から保護されなければならない。そこで、このような想定し得るいかなる異常状態においても、バッテリセルの出力を安全に遮断するために、外部からの信号によって電流経路を遮断する機能を有するヒューズ素子からなる保護素子が用いられている。

　このようなリチウムイオン二次電池等向けの保護回路の保護素子としては、特許文献１に記載されているように、電流経路上の第１の電極，発熱体に繋がる導体層，第２の電極間に亘って可溶導体を接続して電流経路の一部をなし、この電流経路上の可溶導体を、過電流による自己発熱、あるいは保護素子内部に設けた発熱体によって溶断するものがある。このような保護素子では、溶融した液体状の可溶導体を発熱体に繋がる導体層上に集めることにより電流経路を遮断する。

　また、ＬＥＤ照明装置においては、直列接続されたＬＥＤ素子の個々に短絡素子を並列に接続し、ＬＥＤの異常時に所定の電圧で短絡素子が短絡して正常なＬＥＤを発光させる構成が提案されている（特許文献２）。特許文献２に記載の短絡素子は、所定膜厚の絶縁障壁層を、金属で挟んで構成された素子を、複数個直列に接続させている。

特開２０１０－００３６６５号公報特開２００７－１２３８１号公報

　近年、バッテリとモーターを使用したＨＥＶ（Hybrid Electric Vehicle）やＥＶ（Electric Vehicle）が急速に普及している。ＨＥＶやＥＶの動力源としては、エネルギー密度と出力特性からリチウムイオン二次電池が使用されるようになってきている。自動車用途では、高電圧、大電流が必要とされる。このため、高電圧、大電流に耐えられる専用セルが開発されているが、製造コスト上の問題から多くの場合、複数のバッテリセルを直列、並列に接続することで、汎用セルを用いて必要な電圧電流を確保している。

　ところで、高速移動中の自動車等では、急激な駆動力の低下や急停止は却って危険な場合があり、非常時を想定したバッテリ管理が求められている。例えば、走行中にバッテリーシステムの異常が起きた際にも、修理工場もしくは安全な場所まで移動するための駆動力、あるいはハザードランプやエアコン用の駆動力を供給できることが、危険回避上、好ましい。

　しかし、特許文献１のような複数のバッテリセルが直列に接続されたバッテリパックにおいては、充放電経路上にのみ保護素子を設けたような場合、バッテリセルの一部に異常が発生し保護素子を作動させると、バッテリパック全体の充放電経路が遮断されてしまい、これ以上、電力を供給することができない。

　また、特許文献２に記載されている短絡素子においては、電流電圧特性カーブによると、１０Ｖ印加時の抵抗値が約１７ＫΩと高く、オープン状態のＬＥＤ素子を効率よくバイパスするには更に抵抗値を下げることが望まれる。

　そこで、本発明は、複数セルで構成されたバッテリパック内の異常バッテリセルのみを排除し、正常なバッテリセルを有効に活用できる保護素子において、バイパス経路を形成することができる短絡素子、およびこれを用いた回路を提供することを目的とする。

　上述した課題を解決するために、本発明に係る短絡素子は、絶縁基板と、上記絶縁基板に設けられた発熱抵抗体と、上記絶縁基板に、互いに隣接して設けられた第１、第２の電極と、上記絶縁基板に、上記第１の電極と隣接して設けられるとともに、上記発熱抵抗体に電気的に接続された第３の電極と、上記第１、第３の電極間に亘って設けられることにより電流経路を構成し、上記発熱抵抗体からの加熱により、上記第１、第３の電極間の上記電流経路を溶断する第１の可溶導体とを備え、上記発熱抵抗体からの加熱により溶融し、上記第１、第２の電極上に凝集した上記第１の可溶導体によって、上記第１の電極と上記第２の電極とが短絡することを特徴とするものである。

　また、本発明に係る短絡素子回路は、ヒューズと、上記ヒューズの一端に接続された発熱抵抗体と、上記ヒューズの上記発熱抵抗体が接続されていない他端に接続されたスイッチとを備え、上記スイッチは、上記ヒューズの溶断に連動して短絡するものである。

　また、本発明に係る補償回路は、ヒューズと、上記ヒューズの一端に接続された発熱抵抗体と、上記ヒューズの上記発熱抵抗体が接続されていない他端に接続されたスイッチとを有し、上記スイッチは、上記ヒューズの溶断に連動して短絡する短絡素子と、電子部品とを備え、上記スイッチは、両端子が上記電子部品と並列に接続され、上記発熱抵抗体の開放端子が、上記スイッチ端子のうち上記ヒューズが接続されていない端子に接続され、上記電子部品の異常時には、上記ヒューズが溶融することにより上記スイッチが短絡され、上記電子部品を迂回するバイパス電流経路が形成されるものである。

　また、本発明に係る補償回路は、ヒューズと、上記ヒューズの一端に接続された発熱抵抗体と、上記ヒューズの上記発熱抵抗体が接続されていない他端に接続されたスイッチとを有し、上記スイッチは、上記ヒューズの溶断に連動して短絡する短絡素子と、電子部品と、上記電子部品の電流経路上に接続され、上記電子部品の異常時に該電子部品への通電を電気信号で遮断する保護素子と、上記電子部品の異常を検知し、異常信号を出力する保護部品と、上記保護部品の異常信号を受けて動作する制御素子とを備え、上記電子部品及び上記保護素子の両端と、上記スイッチの両端子とを並列に接続し、上記発熱抵抗体の開放端子と上記保護素子の上記電気信号の入力端子を、上記制御素子に接続し、上記電子部品の異常時には、上記保護部品からの異常信号を受けて上記制御素子が動作し、上記保護素子による上記電子部品の電流経路の遮断と、上記ヒューズの溶断に連動した上記スイッチの短絡を行い、バイパス電流経路が形成されるものである。

　また、本発明に係る短絡素子回路は、ヒューズと、上記ヒューズの一端に接続された発熱抵抗体と、上記ヒューズの上記発熱抵抗体が接続されていない他端に接続されたスイッチと、上記スイッチの端子の少なくとも一方の端子に接続された保護抵抗とを備え、上記スイッチは、上記ヒューズの溶断に連動して短絡するものである。

　また、本発明に係る補償回路は、ヒューズと、上記ヒューズの一端に接続された発熱抵抗体と、上記ヒューズの上記発熱抵抗体が接続されていない他端に接続されたスイッチと、上記スイッチの端子のうち、上記ヒューズが接続されていない端子に接続された保護抵抗とを有し、上記スイッチは、上記ヒューズの溶断に連動して短絡する短絡素子と、電子部品とを備え、上記スイッチと上記ヒューズが接続された端子及び上記保護抵抗の開放端子と、上記電子部品とを、並列に接続し、上記発熱抵抗体は、上記保護抵抗と接続し、上記電子部品の異常時には、上記ヒューズが溶融することにより上記スイッチがオンとなり、バイパス電流経路が形成されるものである。

　また、本発明に係る補償回路は、ヒューズと、上記ヒューズの一端に接続された発熱抵抗体と、上記ヒューズの上記発熱抵抗体が接続されていない他端に接続されたスイッチと、上記スイッチの端子のうち、上記ヒューズが接続されていない端子に接続された保護抵抗とを有し、上記スイッチは、上記ヒューズの溶断に連動して短絡する短絡素子と、電子部品と、上記電子部品の電流経路上に接続され、上記電子部品の異常時に該電子部品への通電を電気信号で遮断する保護素子と、上記電子部品の異常を検知し、異常信号を出力する保護部品と、上記保護部品の異常信号を受けて動作する制御素子とを備え、上記電子部品及び上記保護素子の両端と、上記スイッチの上記ヒューズとの接続端子及び上記保護抵抗とを並列に接続し、上記発熱抵抗体の開放端子と上記保護素子の上記電気信号の入力端子を、上記制御素子に接続し、上記電子部品の異常時には、上記保護部品からの異常信号を受けて上記制御素子が動作し、上記保護素子による上記電子部品の電流経路の遮断と、上記ヒューズの溶断に連動した上記スイッチの短絡を行い、バイパス電流経路が形成されるものである。

　また、本発明に係る実装体は、短絡素子が実装対象物に実装された実装体において、上記短絡素子は、絶縁基板と、上記絶縁基板に設けられた発熱抵抗体と、上記絶縁基板に、互いに隣接して設けられた第１、第２の電極と、上記絶縁基板に、上記第１の電極と隣接して設けられるとともに、上記発熱抵抗体に電気的に接続された第３の電極と、上記第１、第３の電極間に亘って設けられることにより電流経路を構成し、上記発熱抵抗体からの加熱により、上記第１、第３の電極間の上記電流経路を溶断する第１の可溶導体と、上記絶縁基板の上記第１、第２の電極が形成された面と同一表面に形成され、上記第１の電極と連続する第１の外部接続電極及び上記第２の電極と連続する第２の外部接続電極とを備え、上記第１の電極が上記第１の外部接続電極上に接続された第１の外部接続端子を介して上記実装対象物と接続され、上記第２の電極が上記第２の外部接続電極上に接続された第２の外部接続端子を介して上記実装対象物と接続され、上記発熱抵抗体からの加熱により溶融し、上記第１、第２の電極上に凝集した上記第１の可溶導体によって、上記第１の電極と上記第２の電極とが短絡したときの、上記第１、第２の外部接続電極間の導通抵抗よりも、上記第１の外部接続端子と上記第２の外部接続端子との合成抵抗が低いことを特徴とするものである。

　上述した課題を解決するために、本発明に係る短絡素子は、絶縁基板と、上記絶縁基板に形成された第１及び第２の発熱抵抗体と、上記絶縁基板に、互いに隣接して設けられた第１、第２の電極と、上記絶縁基板に、上記第１の電極と隣接して設けられるとともに、上記第１の発熱抵抗体に電気的に接続された第３の電極と、上記絶縁基板に、上記第２の電極と隣接して設けられるとともに、上記第２の発熱抵抗体に電気的に接続された第４の電極と、上記第１、第３の電極間に亘って設けられることにより電流経路を構成し、上記第１の発熱抵抗体からの加熱により、上記第１、第３の電極間の上記電流経路を溶断する第１の可溶導体と、上記第２、第４の電極間に亘って設けられることにより電流経路を構成し、上記第２の発熱抵抗体からの加熱により、上記第２、第４の電極間の上記電流経路を溶断する第２の可溶導体とを備え、上記第１、第２の発熱抵抗体からの加熱により溶融し、上記第１、第２の電極上に凝集した上記第１、第２の可溶導体によって、上記第１の電極と上記第２の電極とが短絡するものである。

　また、本発明に係る短絡素子回路は、スイッチと、上記スイッチの一端に接続された第１のヒューズと、上記スイッチの他端に接続された第２のヒューズと、上記第１のヒューズの上記スイッチと接続された一端と反対側の他端に接続された第１の発熱抵抗体と、上記第２のヒューズの上記スイッチと接続された一端と反対側の他端に接続された第２の発熱抵抗体とを有し、上記スイッチは、上記第１及び第２のヒューズが溶断されることにより、該第１及び第２のヒューズの溶融導体によって短絡されるものである。

　また、本発明に係る補償回路は、スイッチと、上記スイッチの一端に接続された第１のヒューズと、上記スイッチの他端に接続された第２のヒューズと、上記第１のヒューズの上記スイッチと接続された一端と反対側の他端に接続された第１の発熱抵抗体と、上記第２のヒューズの上記スイッチと接続された一端と反対側の他端に接続された第２の発熱抵抗体とを有し、上記スイッチは、上記第１及び第２のヒューズが溶断されることにより、該第１及び第２のヒューズの溶融導体によって短絡される短絡素子と、電子部品と、上記電子部品の電流経路上に接続され、上記電子部品の異常時に該電子部品への通電を電気信号で遮断する保護素子と、上記電子部品の異常を検知し、異常信号を出力する保護部品と、上記保護部品の異常信号を受けて動作する第１～第３の制御素子とを備え、上記電子部品及び上記保護素子の両端と、上記スイッチの両端子とを並列に接続し、上記第１、第２の発熱抵抗体、及び上記保護素子の電気信号の入力端子とを、それぞれ上記第１～第３の制御素子に接続し、上記電子部品の異常時には、上記保護部品からの異常信号を受けて上記第１～第３の制御素子が動作し、上記保護素子による上記電子部品の電流経路の遮断と、上記第１、第２のヒューズの溶断に連動した上記スイッチの短絡を行い、バイパス電流経路が形成されるものである。

　また、本発明に係る補償回路は、スイッチと、上記スイッチの一端に接続された第１のヒューズと、上記スイッチの他端に接続された第２のヒューズと、上記第１のヒューズの上記スイッチと接続された一端と反対側の他端に接続された第１の発熱抵抗体と、上記第２のヒューズの上記スイッチと接続された一端と反対側の他端に接続された第２の発熱抵抗体とを有し、上記スイッチは、上記第１及び第２のヒューズが溶断されることにより、該第１及び第２のヒューズの溶融導体によって短絡される短絡素子と、電子部品と、上記電子部品の電流経路上に接続され、上記電子部品の異常時に該電子部品への通電を電気信号で遮断する保護素子と、上記電子部品の異常を検知し、異常信号を出力する保護部品と、上記保護部品の異常信号を受けて動作する第１、第２の制御素子とを備え、上記電子部品及び上記保護素子の両端と、上記スイッチの両端子とを並列に接続し、上記第１の発熱抵抗体の端子を上記第１の制御素子に接続し、上記第２の発熱抵抗体及び上記保護素子の電気信号の入力端子を、上記第２の制御素子に接続し、上記電子部品の異常時には、上記保護部品からの異常信号を受けて上記第１、第２の制御素子が動作し、上記保護素子による上記電子部品の電流経路の遮断と、上記第１、第２のヒューズの溶断に連動した上記スイッチの短絡を行い、バイパス電流経路が形成されるものである。

　また、本発明に係る短絡素子回路は、スイッチと、上記スイッチの一端に接続された第１のヒューズと、上記スイッチの他端に接続された第２のヒューズと、上記第１のヒューズの上記スイッチと接続された一端と反対側の他端に接続された第１の発熱抵抗体と、上記第２のヒューズの上記スイッチと接続された一端と反対側の他端に接続された第２の発熱抵抗体と、上記スイッチに接続された保護抵抗とを有し、上記スイッチが、上記第１及び第２のヒューズが溶断されることにより、該第１及び第２のヒューズの溶融導体によって短絡されるものである。

　また、本発明に係る補償回路は、上記スイッチの一端に接続された第１のヒューズと、上記スイッチの他端に接続された第２のヒューズと、上記第１のヒューズの上記スイッチと接続された一端と反対側の他端に接続された第１の発熱抵抗体と、上記第２のヒューズの上記スイッチと接続された一端と反対側の他端に接続された第２の発熱抵抗体と、上記スイッチに接続された保護抵抗とを有し、上記スイッチは、上記第１及び第２のヒューズが溶断されることにより、該第１及び第２のヒューズの溶融導体によって短絡される短絡素子と、電子部品と、上記電子部品の電流経路上に接続され、上記電子部品の異常時に該電子部品への通電を電気信号で遮断する保護素子と、上記電子部品の異常を検知し、異常信号を出力する保護部品と、上記保護部品の異常信号を受けて動作する第１～第３の制御素子とを備え、上記電子部品及び上記保護素子の両端と、上記スイッチの両端子及び上記保護抵抗とを並列に接続し、上記第１、第２の発熱抵抗体、及び上記保護素子の電気信号の入力端子とを、それぞれ上記第１～第３の制御素子に接続し、上記電子部品の異常時には、上記保護部品からの異常信号を受けて上記第１～第３の制御素子が動作し、上記保護素子による上記電子部品の電流経路の遮断と、上記第１、第２のヒューズの溶断に連動した上記スイッチの短絡を行い、バイパス電流経路が形成されるものである。

　また、本発明に係る補償回路は、スイッチと、上記スイッチの一端に接続された第１のヒューズと、上記スイッチの他端に接続された第２のヒューズと、上記第１のヒューズの上記スイッチと接続された一端と反対側の他端に接続された第１の発熱抵抗体と、上記第２のヒューズの上記スイッチと接続された一端と反対側の他端に接続された第２の発熱抵抗体と、上記スイッチに接続された保護抵抗とを有し、上記スイッチは、上記第１及び第２のヒューズが溶断されることにより、該第１及び第２のヒューズの溶融導体によって短絡される短絡素子と、電子部品と、上記電子部品の電流経路上に接続され、上記電子部品の異常時に該電子部品への通電を電気信号で遮断する保護素子と、上記電子部品の異常を検知し、異常信号を出力する保護部品と、上記保護部品の異常信号を受けて動作する第１、第２の制御素子とを備え、上記電子部品及び上記保護素子の両端と、上記スイッチの両端子及び上記保護抵抗とを並列に接続し、上記第１の発熱抵抗体の端子を上記第１の制御素子に接続し、上記第２の発熱抵抗体及び上記保護素子の電気信号の入力端子を、上記第２の制御素子に接続し、上記電子部品の異常時には、上記保護部品からの異常信号を受けて上記第１、第２の制御素子が動作し、上記保護素子による上記電子部品の電流経路の遮断と、上記第１、第２のヒューズの溶断に連動した上記スイッチの短絡を行い、バイパス電流経路が形成されるものである。

　また、本発明に係る実装体は、短絡素子が実装対象物に実装された実装体において、上記短絡素子は、絶縁基板と、上記絶縁基板に形成された第１及び第２の発熱抵抗体と、上記絶縁基板に、互いに隣接して設けられた第１、第２の電極と、上記絶縁基板に、上記第１の電極と隣接して設けられるとともに、上記第１の発熱抵抗体に電気的に接続された第３の電極と、上記絶縁基板に、上記第２の電極と隣接して設けられるとともに、上記第２の発熱抵抗体に電気的に接続された第４の電極と、上記第１、第３の電極間に亘って設けられることにより電流経路を構成し、上記第１の発熱抵抗体からの加熱により、上記第１、第３の電極間の上記電流経路を溶断する第１の可溶導体と、上記第２、第４の電極間に亘って設けられることにより電流経路を構成し、上記第２の発熱抵抗体からの加熱により、上記第２、第４の電極間の上記電流経路を溶断する第２の可溶導体と、上記絶縁基板の上記第１、第２の電極が形成された面と同一表面に形成され、上記第１の電極と連続する第１の外部接続電極及び上記第２の電極と連続する第２の外部接続電極とを備え、上記第１の電極が上記第１の外部接続電極上に接続された第１の外部接続端子を介して上記実装対象物と接続され、上記第２の電極が上記第２の外部接続電極上に接続された第２の外部接続端子を介して上記実装対象物と接続され、上記第１、第２の発熱抵抗体からの加熱により溶融し、上記第１、第２の電極上に凝集した上記第１、第２の可溶導体によって、上記第１の電極と上記第２の電極とが短絡したときの、上記第１、第２の外部接続電極間の導通抵抗よりも、上記第１の外部接続端子と上記第２の外部接続端子との合成抵抗が低いことを特徴とするものである。

　上述した課題を解決するために、本発明に係る短絡素子は、絶縁基板と、上記絶縁基板に形成された第１及び第２の発熱抵抗体と、上記絶縁基板に、互いに隣接して設けられた第１、第２の電極と、上記絶縁基板に、上記第１の電極と隣接して設けられるとともに、上記第１の発熱抵抗体に電気的に接続された第３の電極と、上記絶縁基板に、上記第２の電極と隣接して設けられるとともに、上記第２の発熱抵抗体に電気的に接続された第４の電極と、上記第４の電極に隣接して設けられた第５の電極と、上記第１、第３の電極間に亘って設けられることにより電流経路を構成し、上記第１の発熱抵抗体からの加熱により、上記第１、第３の電極間の上記電流経路を溶断する第１の可溶導体と、上記第２から上記第４の電極を経由して上記第５の電極に亘って設けられることにより電流経路を構成し、上記第２の発熱抵抗体からの加熱により、上記第２の電極と上記第４の電極との間、及び上記第４の電極と上記第５の電極との間の各上記電流経路を溶断する第２の可溶導体とを備え、上記第１、第２の発熱抵抗体からの加熱により溶融し、上記第１、第２の電極上に凝集した上記第１、第２の可溶導体によって、上記第１の電極と上記第２の電極とが短絡するものである。

　また、本発明に係る短絡素子回路は、スイッチと、上記スイッチの一端に接続された第１のヒューズと、上記第１のヒューズの開放端に接続された第１の発熱抵抗体と、上記スイッチの開放端と直列に接続された第２、第３のヒューズと、上記第２、第３のヒューズの接続点に接続された第２の発熱抵抗体とを備え、上記第２の発熱抵抗体の発熱により上記第２、第３のヒューズが溶断され、上記第１の発熱抵抗体の発熱により上記第１のヒューズが溶断されることにより、該第１のヒューズの溶融導体によって上記スイッチが短絡されるものである。

　また、本発明に係る補償回路は、スイッチと、上記スイッチの一端に接続された第１のヒューズと、上記第１のヒューズの開放端に接続された第１の発熱抵抗体と、上記スイッチの開放端と直列に接続された第２、第３のヒューズと、上記第２、第３のヒューズの接続点と接続された第２の発熱抵抗体とを備え、上記第２の発熱抵抗体の発熱により上記第２、第３のヒューズが溶断され、上記第１の発熱抵抗体の発熱により上記第１のヒューズが溶断されることにより、該第１のヒューズの溶融導体によって上記スイッチが短絡される短絡素子と、電子部品と、上記電子部品の異常を検知し、異常信号を出力する保護部品と、上記保護部品の異常信号を受けて動作する第１、第２の制御素子とを備え、上記第２、第３のヒューズと上記電子部品とを直列に接続して電流経路を構成し、上記スイッチと上記第１のヒューズとの接続点を上記電子部品の開放端にバイパスするように接続し、上記第１の発熱抵抗体の開放端に上記第１の制御素子を接続し、上記第２の発熱抵抗体の開放端に上記第２の制御素子を接続し、上記電子部品の異常時には、上記保護部品からの異常信号を受けて上記第１、第２の制御素子が動作し、上記電子部品の電流経路の遮断と、上記第１のヒューズの溶断に連動した上記スイッチの短絡を行い、バイパス電流経路が形成されるものである。

　また、本発明に係る短絡素子回路は、スイッチと、上記スイッチの一端に接続された第１のヒューズと、上記第１のヒューズの開放端に接続された第１の発熱抵抗体と、上記スイッチと上記第１のヒューズとの接続点と接続された保護抵抗と、上記スイッチの開放端と直列に接続された第２、第３のヒューズと、上記第２、第３のヒューズの接続点に接続された第２の発熱抵抗体とを備え、上記第２の発熱抵抗体の発熱により上記第２、第３のヒューズが溶断され、上記第１の発熱抵抗体の発熱により上記第１のヒューズが溶断されることにより、該第１のヒューズの溶融導体によって上記スイッチが短絡されるものである。

　また、本発明に係る補償回路は、スイッチと、上記スイッチの一端に接続された第１のヒューズと、上記第１のヒューズの開放端に接続された第１の発熱抵抗体と、上記スイッチと上記第１のヒューズとの接続点と接続された保護抵抗と、上記スイッチの開放端と直列に接続された第２、第３のヒューズと、上記第２、第３のヒューズの接続点に接続された第２の発熱抵抗体とを備え、上記第２の発熱抵抗体の発熱により上記第２、第３のヒューズが溶断され、上記第１の発熱抵抗体の発熱により上記第１のヒューズが溶断されることにより、該第１のヒューズの溶融導体によって上記スイッチが短絡される短絡素子と、電子部品と、上記電子部品の異常を検知し、異常信号を出力する保護部品と、上記保護部品の異常信号を受けて動作する第１、第２の制御素子とを備え、上記第２、第３のヒューズと上記電子部品とを直列に接続して電流経路を構成し、上記保護抵抗の開放端を上記電子部品の開放端にバイパスするように接続し、上記第１の発熱抵抗体の開放端に上記第１の制御素子を接続し、上記第２の発熱抵抗体の開放端に上記第２の制御素子を接続し、上記電子部品の異常時には、上記保護部品からの異常信号を受けて上記第１、第２の制御素子が動作し、上記電子部品の電流経路の遮断と、上記第１のヒューズの溶断に連動した上記スイッチの短絡を行い、バイパス電流経路が形成されるものである。

　また、本発明に係る実装体は、短絡素子が実装対象物に実装された実装体において、上記短絡素子は、絶縁基板と、上記絶縁基板に形成された第１及び第２の発熱抵抗体と、上記絶縁基板に、互いに隣接して設けられた第１、第２の電極と、上記絶縁基板に、上記第１の電極と隣接して設けられるとともに、上記第１の発熱抵抗体に電気的に接続された第３の電極と、上記絶縁基板に、上記第２の電極と隣接して設けられるとともに、上記第２の発熱抵抗体に電気的に接続された第４の電極と、上記第４の電極に隣接して設けられた第５の電極と、上記第１、第３の電極間に亘って設けられることにより電流経路を構成し、上記第１の発熱抵抗体からの加熱により、上記第１、第３の電極間の上記電流経路を溶断する第１の可溶導体と、上記第２から上記第４の電極を経由して上記第５の電極に亘って設けられることにより電流経路を構成し、上記第２の発熱抵抗体からの加熱により、上記第２の電極と上記第４の電極との間、及び上記第４の電極と上記第５の電極との間の各上記電流経路を溶断する第２の可溶導体と、上記絶縁基板の上記第１、第２の電極が形成された面と同一表面に形成され、上記第１の電極と連続する第１の外部接続電極及び上記第２の電極と連続する第２の外部接続電極とを備え、上記第１の電極が上記第１の外部接続電極上に接続された第１の外部接続端子を介して上記実装対象物と接続され、上記第２の電極が上記第２の外部接続電極上に接続された第２の外部接続端子を介して上記実装対象物と接続され、上記第１、第２の発熱抵抗体からの加熱により溶融し、上記第１、第２の電極上に凝集した上記第１、第２の可溶導体によって、上記第１の電極と上記第２の電極とが短絡したときの、上記第１、第２の外部接続電極間の導通抵抗よりも、上記第１の外部接続端子と上記第２の外部接続端子との合成抵抗が低いことを特徴とするものである。

　本発明によれば、発熱抵抗体からの加熱により溶融し、第１、第２の電極上に凝集した溶融導体によって、絶縁されていた第１の電極と第２の電極とが短絡することにより、新たなバイパス電流経路を形成することができる。

　また、本発明によれば、第１、第２の発熱抵抗体からの加熱により溶融し、第１、第２の電極上に凝集した溶融導体によって、絶縁されていた第１の電極と第２の電極とが短絡することにより、新たなバイパス電流経路を形成することができる。

本発明が適用された短絡素子を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。短絡素子の回路図であり、（Ａ）はスイッチが切れている状態、（Ｂ）はスイッチが短絡した状態を示す。絶縁されていた第１、第２の電極が溶融導体によって短絡された状態を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。第２の可溶導体が先に溶融している状態を示す平面図である。第２の可溶導体を幅狭に形成した短絡素子を示す平面図である。短絡素子の変形例を示す断面図である。短絡素子の変形例を示す断面図である。短絡素子の変形例を示す断面図である。第４の電極及び第２の可溶導体を省略して形成された短絡素子を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。第４の電極及び第２の可溶導体を省略して形成された短絡素子において、絶縁されていた第１、第２の電極が溶融導体によって短絡された状態を示す断面図である。本発明が適用された他の短絡素子を示す図であり、（Ａ）は可溶導体の溶融前、（Ｂ）は可溶導体の溶融後の状態を示す。本発明が適用された他の短絡素子を示す平面図である。短絡素子を用いたＬＥＤ照明装置の回路図であり、（Ａ）（Ｂ）は正常時、（Ｃ）は異常発生時、（Ｄ）はバイパス電流経路が形成された状態を示す。短絡素子を用いたバッテリパックの回路図であり、（Ａ）（Ｂ）は正常時、（Ｃ）は異常発生時、（Ｄ）はバイパス電流経路が形成された状態を示す。保護素子を示す図であり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面図である。保護素子の回路図である。保護抵抗を内蔵した短絡素子を示す平面図である。保護抵抗を内蔵した短絡素子の回路図である。保護抵抗を内蔵した短絡素子を用いたＬＥＤ照明装置の回路図である。保護抵抗を内蔵した短絡素子を用いたバッテリパックの回路図である。本発明が適用された短絡素子を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。短絡素子の回路図であり、（Ａ）はスイッチが切れている状態、（Ｂ）はスイッチが短絡した状態を示す。短絡素子を示す図であり、（Ａ）は、絶縁されていた第１、第２の電極が溶融導体によって短絡された状態を示す平面図であり、（Ｂ）は断面図である。短絡素子において、第２の可溶導体が先に溶融している状態を示す平面図である。短絡素子の変形例を示す断面図である。短絡素子の変形例を示す断面図である。短絡素子の変形例を示す断面図である。本発明が適用された他の短絡素子を示す断面図であり、（Ａ）は可溶導体の溶融前、（Ｂ）は可溶導体の溶融後の状態を示す。本発明が適用された他の短絡素子を示す平面図である。短絡素子を用いたバッテリパックの回路図であり、（Ａ）は正常時、（Ｂ）は保護素子を動作させた状態、（Ｃ）（Ｄ）は短絡素子を動作させバイパス電流経路が形成された状態を示す。保護素子を示す図であり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面図である。保護素子の回路図である。保護抵抗を備える短絡素子を示す平面図である。保護抵抗を備える短絡素子の回路図であり、（Ａ）はスイッチが切れている状態、（Ｂ）はスイッチが短絡した状態を示す。保護抵抗を備える短絡素子を用いたバッテリパックの回路図である。保護抵抗を備える短絡素子を用いたバッテリパックの変形例を示す回路図である。短絡素子を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。短絡素子の回路図である。短絡素子において、第２の可溶導体が先に溶融した状態を示す平面図である。短絡素子を示す図であり、（Ａ）は絶縁されていた第１、第２の電極が溶融導体によって短絡された状態を示す平面図であり、（Ｂ）は断面図である。短絡素子の変形例を示す断面図である。短絡素子の変形例を示す断面図である。短絡素子の変形例を示す断面図である。本発明が適用された他の短絡素子を示す断面図であり、（Ａ）は可溶導体の溶融前、（Ｂ）は可溶導体の溶融後の状態を示す。本発明が適用された他の短絡素子を示す平面図である。短絡素子を用いたバッテリパックの回路図であり、（Ａ）は正常時、（Ｂ）は異常発生時、（Ｃ）はバイパス電流経路が形成された状態を示す。保護抵抗を備える短絡素子を示す平面図である。保護抵抗を備える短絡素子の回路図である。保護抵抗を備える短絡素子を用いたバッテリパックの回路図である。

　以下、本発明が適用された短絡素子およびこれを用いた回路について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更が可能であることは勿論である。また、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることがある。具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。

　［第１の実施の形態］
　［短絡素子］
　先ず、本発明の第１の実施の形態について説明する。図１（Ａ）に、短絡素子１の平面図を示し、図１（Ｂ）に、短絡素子１の断面図を示す。短絡素子１は、絶縁基板２と、絶縁基板２に設けられた発熱抵抗体３と、絶縁基板２に、互いに隣接して設けられた第１の電極４及び第２の電極５と、第１の電極４と隣接して設けられるとともに、発熱抵抗体３に電気的に接続された第３の電極６と、第２の電極５と隣接して設けられた第４の電極７と、第１、第３の電極４，６間に亘って設けられることにより電流経路構成し、発熱抵抗体３からの加熱により、第１、第３の電極４，６間の電流経路を溶断する第１の可溶導体８と、第２、第４の電極５，７間に亘って設けられ、発熱抵抗体３からの加熱により、第２、第４の電極５，７間の電流経路を溶断する第２の可溶導体９とを備える。そして、短絡素子１は、絶縁基板２上に内部を保護するカバー部材１０が取り付けられている。

　絶縁基板２は、たとえば、アルミナ、ガラスセラミックス、ムライト、ジルコニアなどの絶縁性を有する部材を用いて略方形状に形成されている。絶縁基板２は、その他にも、ガラスエポキシ基板、フェノール基板等のプリント配線基板に用いられる材料を用いてもよいが、ヒューズ溶断時の温度に留意する必要がある。なお、絶縁基板２は、裏面に外部端子１２が形成されている。

　発熱抵抗体３は、比較的抵抗値が高く通電すると発熱する導電性を有する部材であって、たとえばＷ、Ｍｏ、Ｒｕ等からなる。これらの合金あるいは組成物、化合物の粉状体を樹脂バインダ等と混合して、ペースト状にしたものを絶縁基板２上にスクリーン印刷技術を用いてパターン形成して、焼成する等によって形成する。

　発熱抵抗体３は、絶縁基板２上において絶縁層１１に被覆されている。絶縁層１１は、発熱抵抗体３の熱を効率よく第１～第４の電極４～７へ伝えるために設けられ、例えばガラス層からなる。発熱抵抗体３は、第１～第４の電極４～７を加熱することにより、溶融導体を凝集しやすくすることができる。

　発熱抵抗体３を被覆する絶縁層１１上には、第１～第４の電極４，５，６，７が形成されている。第１の電極４は、一方側において第２の電極５と隣接して形成されるとともに、絶縁されている。第１の電極４の他方側には第３の電極６が形成されている。第１の電極４と第３の電極６とは、後述する第１の可溶導体８が接続されることにより導通され、短絡素子１の電流経路を構成する。また、第１の電極４は、絶縁基板２の側面に臨む第１の電極端子部４ａが形成されている。第１の電極端子部４ａは、スルーホールを介して絶縁基板２の裏面に設けられた外部端子１２と接続されている。

　また、第３の電極６は、絶縁基板２あるいは絶縁層１１に設けられた発熱体引出電極１３を介して発熱抵抗体３と接続されている。また、発熱抵抗体３は、発熱体引出電極１３を介して、絶縁基板２の側縁に臨む抵抗体端子部３ａが形成されている。抵抗体端子部３ａは、スルーホールを介して、絶縁基板２の裏面に設けられた外部端子１２と接続されている。

　第２の電極５の第１の電極４と隣接する一方側と反対の他方側には、第４の電極７が形成されている。第２の電極５と第４の電極７とは、後述する第２の可溶導体９が接続されている。また、第２の電極５は、絶縁基板２の側面に臨む第２の電極端子部５ａが形成されている。第２の電極端子部５ａは、スルーホールを介して絶縁基板２の裏面に設けられた外部端子１２と接続されている。

　なお、第１～第４の電極４，５，６，７は、ＣｕやＡｇ等の一般的な電極材料を用いて形成することができるが、少なくとも第１、第２の電極４，５の表面上には、Ｎｉ／Ａｕメッキ、Ｎｉ／Ｐｄメッキ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキ等の被膜が、公知のメッキ処理により形成されていることが好ましい。これにより、第１、第２の電極４，５の酸化を防止し、溶融導体を確実に保持させることができる。また、短絡素子１をリフロー実装する場合に、第１、第２の可溶導体８，９を接続するハンダあるいは第１、第２の可溶導体８，９の外層を形成する低融点金属が溶融することにより第１、第２の電極４，５を溶食（ハンダ食われ）して切断するのを防ぐことができる。

　［可溶導体］
　第１、第２の可溶導体８，９は、発熱抵抗体３の発熱により速やかに溶断される低融点金属からなり、例えばＳｎを主成分とするＰｂフリーハンダを好適に用いることができる。

　また、第１、第２の可溶導体８，９は、低融点金属と高融点金属とを含有してもよい。低融点金属としては、Ｐｂフリーハンダなどのハンダを用いることが好ましく、高融点金属としては、Ａｇ、Ｃｕ又はこれらを主成分とする合金などを用いることが好ましい。高融点金属と低融点金属とを含有することによって、短絡素子１をリフロー実装する場合に、リフロー温度が低融点金属層の溶融温度を超えて、低融点金属が溶融しても、第１、第２の可溶導体８，９として溶断するに至らない。かかる第１、第２の可溶導体８，９は、高融点金属に低融点金属をメッキ技術を用いて成膜することによって形成してもよく、他の周知の積層技術、膜形成技術を用いることによって形成してもよい。なお、第１、第２の可溶導体８，９は、外層を構成する低融点金属を用いて、第１及び第３の電極４，６、又は第２及び第４の電極５，７へ、ハンダ接続することができる。

　第１、第２の可溶導体８，９は、内層を低融点金属とし、外層を高融点金属としてもよい。内層の低融点金属層の全表面を外層の高融点金属層で被覆した可溶導体を用いることにより、リフロー温度よりも融点の低い低融点金属を用いた場合でも、リフロー実装時に、内層の低融点金属の外部への流出を抑制することができる。また、溶断時も、内層の低融点金属が溶融することにより、外層の高融点金属を溶食（ハンダ食われ）し、速やかに溶断することができる。

　また、第１、第２の可溶導体８，９は、内層を高融点金属とし、外層を低融点金属とする被覆構造としてもよい。内層の高融点金属層の全表面を外層の低融点金属層で被覆した可溶導体を用いることにより、外層の低融点金属層を介して電極上に接続することができ、また、溶断時も、低融点金属層が速やかに溶融して高融点金属を溶食するため、速やかに溶断することができる。

　また、第１、第２の可溶導体８，９は、低融点金属層と、高融点金属層とが積層された積層構造としてもよい。また、低融点金属層と、高融点金属層とが交互に積層された４層以上の多層構造としてもよい。また、第１、第２の可溶導体８，９は、低融点金属層の表面に高融点金属層が面方向にストライプ状に積層してもよい。これらの構造によっても、低融点金属による高融点金属の溶食／溶断を短時間で行うことができる。

　また、第１、第２の可溶導体８，９は、多数の開口部を有する高融点金属と、上記開口部に挿入された低融点金属とから構成してもよい。これにより、溶融する低融点金属層に接する高融点金属層の面積が増大するので、より短時間で低融点金属層が高融点金属層を溶食することができるようになる。したがって、より速やか、かつ確実に可溶導体を溶断させることが可能となる。

　また、第１、第２の可溶導体８，９は、高融点金属の体積よりも低融点金属の体積を多くすることが好ましい。これにより、第１、第２の可溶導体８，９は、効果的に高融点金属層の溶食による短時間での溶断を行うことができる。

　なお、第１、第２の可溶導体８，９の酸化防止、及び第１、第２の可溶導体８，９の溶融時における濡れ性を向上させるために、第１、第２の可溶導体８，９の上にはフラックス１５が塗布されている。

　短絡素子１は、絶縁基板２がカバー部材１０に覆われることによりその内部が保護されている。カバー部材１０は、短絡素子１の側面を構成する側壁１６と、短絡素子１の上面を構成する天面部１７とを有し、側壁１６が絶縁基板２上に接続されることにより、短絡素子１の内部を閉塞する蓋体となる。このカバー部材１０は、上記絶縁基板２と同様に、たとえば、熱可塑性プラスチック，セラミックス，ガラスエポキシ基板等の絶縁性を有する部材を用いて形成されている。

　また、カバー部材１０は、天面部１７の内面側に、カバー部電極１８が形成されても良い。カバー部電極１８は、第１、第２の電極４，５と重畳する位置に形成されている。このカバー部電極１８は、発熱抵抗体３が発熱し、第１、第２の可溶導体８，９が溶融されると、第１、第２の電極４，５上に凝集した溶融導体が接触して濡れ広がることにより、溶融導体を保持する許容量を増加させることができる。

　［短絡素子回路］
　以上のような短絡素子１は、図２（Ａ）（Ｂ）に示すような回路構成を有する。すなわち、短絡素子１は、第１の電極４ａと第２の電極５ａとが、正常時には絶縁され（図２（Ａ））、発熱抵抗体３の発熱により第１、第２の可溶導体８，９が溶融すると、当該溶融導体を介して短絡するスイッチ２０を構成する（図２（Ｂ））。そして、第１の電極端子部４ａと第２の電極端子部５ａは、スイッチ２０の両端子を構成する。また、第１の可溶導体８は、第３の電極６及び発熱体引出電極１３を介して発熱抵抗体３と接続されている。

　そして、短絡素子１は、後述するように、電子機器等に組み込まれることにより、スイッチ２０の両端子４ａ、５ａが、当該電子機器の電流経路と並列に接続され、当該電流経路上の電子部品に異常が発生した場合に、スイッチ２０を短絡させ、当該電子部品をバイパスするバイパス電流経路を形成する。

　具体的に、短絡素子１は、並列接続されている電子部品に異常が生じると、抵抗体端子部３ａ側から電力が供給され、発熱抵抗体３が通電することにより発熱する。この熱により第１、第２の可溶導体８，９が溶融すると、溶融導体は、図３（Ａ）（Ｂ）に示すように、第１、第２の電極４，５上に凝集する。第１、第２の電極４，５は隣接して形成されているため、第１、第２の電極４，５上に凝集した溶融導体が結合し、これにより第１、第２の電極４，５が短絡する。すなわち、短絡素子１は、スイッチ２０の両端子間が短絡される（図２（Ｂ））。

　なお、発熱抵抗体３への通電は、第１の可溶導体８が溶断することにより第１、第３の電極４，６間が遮断されるため、停止される。

　［第２の可溶導体の先溶融］
　ここで、短絡素子１は、第２の可溶導体９が第１の可溶導体８よりも先行して溶融することが好ましい。第１の可溶導体８が第２の可溶導体９よりも先行して溶融すると、第２の可溶導体９が溶融する前に第１、第３の電極４，６間が遮断され、第１，第２の電極４，５上での溶融導体の結合が不充分となるおそれがある。

　このため、短絡素子１は、図１（Ａ）に示すように、発熱抵抗体３は、第２の可溶導体９との重畳面積が、第１の可溶導体８との重畳面積よりも広くなるように、第２の可溶導体９側に形成されている。これにより、発熱抵抗体３は、第２の可溶導体９のほぼ全面に亘って加熱できるが、第１の可溶導体８は加熱面積が少なくなり、図４に示すように、第２の可溶導体９が第１の可溶導体８よりも先行して溶融させることができる。

　また、短絡素子１は、図５に示すように、第２の可溶導体９を、第１の可溶導体８よりも幅狭に形成することにより、第２の可溶導体９を第１の可溶導体よりも先に溶断するようにしてもよい。第２の可溶導体９を幅狭に形成することにより、溶断時間を短くすることができるため、第２の可溶導体９が第１の可溶導体８よりも先行して溶融させることができる。

　［電極面積］
　また、短絡素子１は、第１の電極４の面積を第３の電極６よりも広くし、第２の電極５の面積を第４の電極７よりも広くすることが好ましい。溶融導体の保持量は、電極面積に比例して多くなるため、第１、第２の電極４，５の面積を第３、第４の電極６，７よりも広く形成することにより、より多くの溶融導体を第１、第２の電極４，５上に凝集させることができ、第１、第２の電極４，５間を確実に短絡させることができる（図１（Ｂ）、図３（Ｂ））。

　［短絡素子の変形例］
　なお、短絡素子１は、必ずしも、発熱抵抗体３を絶縁層１１によって被覆する必要はなく、図６に示すように、発熱抵抗体３が絶縁基板２の内部に設置されてもよい。絶縁基板２の材料として熱伝導性に優れたものを用いることにより、発熱抵抗体３をガラス層等の絶縁層１１を介した場合と同等に加熱することができる。

　また、短絡素子１は、上述したように発熱抵抗体３を絶縁基板２上の第１～第４の電極４，５，６，７の形成面側に形成する他にも、図７に示すように、発熱抵抗体３が絶縁基板２の第１～第４の電極４，５，６，７の形成面と反対の面に設置されてもよい。発熱抵抗体３を絶縁基板２の裏面に形成することにより、絶縁基板２内に形成するよりも簡易な工程で形成することができる。なお、この場合、発熱抵抗体３上には、絶縁層１１が形成されると抵抗体の保護や実装時の絶縁性確保と言う意味で好ましい。

　さらに、短絡素子１は、図８に示すように、発熱抵抗体３が絶縁基板２の第１～第４の電極４，５，６，７の形成面上に設置されてもよい。発熱抵抗体３を絶縁基板２の表面に形成することにより、絶縁基板２内に形成するよりも簡易な工程で形成することができる。なお、この場合も、発熱抵抗体３上には、絶縁層１１が形成される事が好ましい。

　［第４の電極、第２の可溶導体の省略］
　また、本発明に係る短絡素子は、図９（Ａ）（Ｂ）に示すように、短絡素子１の第４の電極７及び第２の可溶導体９を省いて形成してもよい。この短絡素子１では、第１、第３の電極４，６間に亘って接続された第１の可溶導体８が溶融することにより、当該溶融導体が第２の電極５まで濡れ拡がり、第１、第２の電極４，５を短絡させる。短絡素子１は、第４の電極７及び第２の可溶導体９が省かれている他は、上述した構成と同じであるため、同一の符号を付して詳細を省略する。

　短絡素子１においても、第１、第２の電極４，５は、第３の電極６よりも広い面積を有することが好ましい。これにより、図１０に示すように、短絡素子１は、より多くの溶融導体を第１、第２の電極４，５上に凝集させることができ、第２の可溶導体９が無くとも第１、第２の電極４，５間を確実に短絡させることができる。

　また、図９（Ａ）（Ｂ）に示す短絡素子おいて、第２の電極５に第２の可溶導体を設けるようにしてもよい。第２の電極５上の第２の可溶導体は、発熱抵抗体３からの加熱により第１の可溶導体８とともに溶融し、第１の可溶導体８を引き寄せる。これにより、第１の電極４と第２の電極５とを短絡させることができる。

　また、第１の電極４又は第２の電極５のいずれか一方に接続される保護抵抗を備える構成としてもよい。ここで、保護抵抗は、短絡素子に接続する電子部品の内部抵抗相当の抵抗値とする。

　また、本発明が適用された短絡素子は、絶縁基板２の裏面に第１、第２の電極とスルーホールを介して連続する外部端子１２を設ける以外にも、図１１（Ａ）（Ｂ）に示す短絡素子２５のように、絶縁基板２の第１、第２の電極４，５が形成された表面に、第１の電極４と連続する第１の外部接続電極２１、第１の外部接続電極２１上に設けられた１個もしくは複数個からなる第１の外部接続端子２２、第２の電極５と連続する第２の外部接続電極２３、第２の外部接続電極２３上に設けられた１個もしくは複数個からなる第２の外部接続端子２４を形成するようにしてもよい。

　第１、第２の外部接続電極２１，２３は、短絡素子２５と短絡素子２５が組み込まれる電子機器の回路とを接続する電極であり、第１の外部接続電極２１は第１の電極４と連続され、第２の外部接続電極２３は第２の電極５と連続されている。

　第１、第２の外部接続電極２１，２３は、ＣｕやＡｇ等の一般的な電極材料を用いて形成され、絶縁基板２の第１、第２の電極４，５の形成面と同一面に形成されている。すなわち、図１１に示す短絡素子２５は、可溶導体１３が設けられる表面が実装面となる。なお、第１、第２の外部接続電極２１，２３は、第１、第２の電極４，５と同時に形成することができる。

　第１の外部接続電極２１上には、第１の外部接続端子２２が設けられている。同様に、第２の外部接続電極２３上には、第２の外部接続端子２４が設けられている。これら第１、第２の外部接続端子２２，２４は、電子機器へ実装するための接続端子であり、例えば金属バンプや、金属ポストを用いて形成されている。また、第１、第２の外部接続端子２２，２４は、図１１（Ａ）に示すように、絶縁基板２上に設けられたカバー部材１０よりも突出する高さを有し、短絡素子２５の実装対象物となる基板側に実装可能とされている。

　なお、短絡素子２５の発熱抵抗体３は、発熱体引出電極１３、及び抵抗体端子部３ａを介して、抵抗体接続端子３ｂが形成されている。抵抗体接続端子３ｂは、第１、第２の外部接続端子２２，２４と同様に、金属バンプや金属ポストを用いて形成され、絶縁層１１を介して上方に突出されている。

　このように、短絡素子２５は、上記短絡素子１のように絶縁基板２の裏面に外部端子１２を設けて第１、第２の電極４，５と当該外部端子１２とをスルーホールによって接続するものではなく、第１、第２の電極４，５と同一表面に、外部接続電極２１，２３を介して外部接続端子２２，２４を形成している。そして、図１１（Ｂ）に示すように、短絡素子２５は、第１の電極４と第２の電極５とが短絡したときの、第１、第２の外部接続電極２１，２３間の導通抵抗よりも、第１の外部接続端子２２と第２の外部接続端子２４との合成抵抗が低く構成されている。

　これにより、短絡素子２５は、第１、第２の電極４，５が短絡しバイパス電流経路を構成した際における定格を向上させ、大電流に対応することができる。すなわち、ＨＥＶやＥＶ等の動力源として使用されるリチウムイオン二次電池等の大電流用途においては、短絡素子の定格のさらなる向上が求められている。そして、可溶導体によって短絡された第１、第２の外部接続電極２１，２３間の導通抵抗は定格向上に応えることができる程度に十分下げることができる（例えば０．４ｍΩ未満）。

　しかし、絶縁基板２の裏面に外部端子１２を設け、第１、第２の電極４，５と当該外部端子１２とをスルーホールによって接続する短絡素子１においては、第１、第２の電極４，５と外部端子１２との間の導通抵抗が高く（例えば０．５～１．０ｍΩ）、スルーホール内に導体を充填したとしても、短絡素子全体の導通抵抗を下げるには限界がある。

　また、高抵抗の第１、第２の電極４，５と外部端子１２との間に大電流を流すことによる発熱で、バイパス電流経路の破壊や、他の周辺機器への熱影響も懸念される。

　この点、短絡素子２５は、第１、第２の電極４，５と同一表面に外部接続端子２２，２４を設けている。この外部接続端子２２，２４は、外部接続電極２１，２３上に設けるものであり、形状やサイズ等の自由度が高く、導通抵抗の低い端子を容易に設けることができる。これにより、短絡素子２５は、第１の電極４と第２の電極５とが短絡したときの、第１、第２の外部接続電極２１，２３間の導通抵抗よりも、第１の外部接続端子２２と第２の外部接続端子２４との合成抵抗が低く構成されている。

　したがって、短絡素子２５によれば、短絡素子１の構成おいては高くなる第１、第２の外部接続電極２１，２３から先の導通抵抗を容易に下げることができ、定格の飛躍的な向上を図ることができる。

　第１、第２の外部接続端子２２，２４としては、例えば、Ｓｎを主成分とするＰｂフリーハンダからなる金属バンプや金属ポストを用いて構成することができる。金属バンプや金属ポストの形状は問わない。第１、第２の外部接続端子２２，２４の抵抗値は材料や形状、サイズから求めることができる。一例として、Ｃｕコアの表面にハンダをコーティングした直方体の金属ポスト（Ｃｕコア：０．６ｍｍ×０．６ｍｍ、断面積０．３６ｍｍ２、高さ１ｍｍ、比抵抗１７．２μｍΩ・ｍｍ）を用いた場合、その１端子のＣｕコア部抵抗値は約０．０４８ｍΩであり、ハンダコーティング分を考慮すると第１、第２の外部接続端子２２，２４を直列接続させた抵抗値が０．０９６ｍΩ未満と低く、短絡素子２５全体の定格を向上できることがわかる。

　なお、短絡素子２５は、短絡時における第１、第２の外部接続端子２２，２４間に亘る抵抗値より素子全体の全抵抗値を求め、この全抵抗値と既知である第１、第２の外部接続端子２２，２４の合成抵抗との差より、短絡時における第１、第２の外部接続電極２１，２３間の導通抵抗を求めることができる。また、短絡素子２５は、短絡時における第１、第２の外部接続電極２１，２３間の抵抗を測定し、短絡時における素子全体の全抵抗値との差より、第１、第２の外部接続端子２２，２４の合成抵抗を求めることができる。

　また、図１２に示すように、短絡素子２５は、第１、第２の外部接続電極２１，２３を矩形状に形成する等により広く設け、第１、第２の外部接続端子２２，２４を複数設けることにより導通抵抗を下げるようにしてもよい。その他にも、短絡素子２５は、広く設けた第１、第２の外部接続電極２１，２３に大径の第１、第２の外部接続端子２２，２４を設けることにより導通抵抗を下げるようにしてもよい。

　また、第１、第２の外部接続端子２２，２４は、コアとなる高融点金属２２ａ，２４ａの表面に低融点金属層２２ｂ，２４ｂを設けることにより形成してもよい。低融点金属層２２ｂ，２４ｂを構成する金属としては、Ｓｎを主成分とするＰｂフリーハンダなどのハンダを好適に用いることができ、高融点金属２２ａ，２４ａとしては、ＣｕやＡｇを主成分とする合金などを好適に用いることができる。

　高融点金属２２ａ，２４ａの表面に低融点金属層２２ｂ，２４ｂを設けることにより、短絡素子２５をリフロー実装する場合に、リフロー温度が低融点金属層２２ｂ，２４ｂの溶融温度を超えて、低融点金属が溶融しても、第１、第２の外部接続端子２２，２４として溶融することを防止することができる。また、第１、第２の外部接続端子２２，２４は、外層を構成する低融点金属を用いて、第１、第２の外部接続電極２１，２３へ接続することができる。

　第１、第２の外部接続端子２２，２４は、高融点金属２２ａ，２４ａに低融点金属をメッキ技術を用いて成膜することにより形成することができ、またその他の周知の積層技術、膜形成技術を用いることによっても形成することができる。

　なお、第１、第２の外部接続端子２２，２４は、金属バンプや金属ポストを用いて形成する他にも、導電メッキ層や、導電ペーストを塗布することにより形成された導電層により形成してもよい。

　また、第１、第２の外部接続端子２２，２４は、短絡素子２５が実装される基板等の実装対象物側に予め設け、短絡素子が実装された実装体において、第１、第２の外部接続電極２１，２３と接続されるようにしてもよい。

　［ＬＥＤ補償回路］
　次いで、短絡素子１を組み込んだ電子機器の回路構成について説明する。図１３は、電子機器の例としてＬＥＤ照明装置３０の回路構成を示す図である。図１３（Ａ）に示すように、ＬＥＤ照明装置３０は、電流経路上に複数の発光ダイオード３１が直列に接続されている。また、ＬＥＤ照明装置３０は、各発光ダイオード３１と、短絡素子１のスイッチ２０の両端子４ａ、５ａとが保護抵抗３４を介して並列に接続されるとともに、短絡素子１の抵抗体端子部３ａが電流経路上に接続され、これによりＬＥＤユニット３２を構成する。ＬＥＤ照明装置３０は、複数のＬＥＤユニット３２が直列に接続されて構成されている。

　保護抵抗３４は、発光ダイオード３１の内部抵抗相当の抵抗値を有する。また、発熱抵抗体３の抵抗値は、発光ダイオード３１の内部抵抗よりも大きい。したがって、発光ダイオード３１が正常に作動している場合、ＬＥＤ照明装置３０は、図１３（Ｂ）に示すように、電流Ｅは短絡素子１側へは流れず、発光ダイオード３１側に流れる。

　しかし、発光ダイオード３１に異常が現れて、電気的に開放されてしまうと、図１３（Ｃ）に示すように、ＬＥＤ照明装置３０は、電流Ｅが短絡素子１の抵抗体端子部３ａ側へ流れる。これにより、短絡素子１は、発熱抵抗体３が発熱し、第１、第２の可溶導体８，９が溶融し、この溶融導体が第１、第２の電極４，５上へ凝集する。したがって、短絡素子１は、図１３（Ｄ）に示すように、スイッチ２０の両端子４ａ、５ａが短絡することにより、バイパス電流経路を形成することができる。なお、第１、第２の可溶導体８，９が溶断することにより、発熱抵抗体３への給電は停止される。

　このようなＬＥＤ照明装置３０によれば、一つの発光ダイオード３１に異常が起きた場合にも、当該発光ダイオード３１を迂回するバイパス電流経路を形成することができ、残りの正常な発光ダイオード３１によって照明機能を維持することができる。このとき、ＬＥＤ照明装置３０は、保護抵抗３４が発光ダイオード３１の内部抵抗とほぼ同じ抵抗値を有するため、バイパス電流経路上においても、正常時とほぼ同じ電流値とすることができる。

　［バッテリ補償回路］
　次いで、短絡素子１を組み込んだ他の電子機器の回路構成について説明する。図１４は、クルマや電動工具等の各種電子機器に搭載されて用いられるリチウムイオンバッテリーが内蔵されたバッテリパック４０の回路構成を示す図である。図１４（Ａ）に示すように、バッテリパック４０は、電流経路上に複数のバッテリセル４１が直列に接続されることで、高電圧、大電流を確保している。また、バッテリパック４０は、各バッテリセル４１に、当該バッテリセル４１の過充電あるいは過放電等の異常時に電流経路を遮断する保護素子４２が接続されている。

　［保護素子の構成］
　保護素子４２は、図１５（Ａ）（Ｂ）に示すように、絶縁基板４４と、絶縁基板４４に積層され、絶縁部材４５に覆われた発熱抵抗体４６と、絶縁基板４４の両端に形成された電極４７（Ａ１），４７（Ａ２）と、絶縁部材４５上に発熱抵抗体４６と重畳するように積層された発熱体引出電極４８と、両端が電極４７（Ａ１），４７（Ａ２）にそれぞれ接続され、中央部が発熱体引出電極４８に接続された可溶導体４９とを備える。

　絶縁基板４４は、上述した絶縁基板２と同様の材料を用いて、略方形状に形成されている。発熱抵抗体４６は、上述した発熱抵抗体３と同様の材料を用いて、同様の製法で形成される。保護素子４２は、発熱抵抗体４６を覆うように絶縁部材４５が配置され、この絶縁部材４５を介して発熱抵抗体４６に対向するように発熱体引出電極４８が配置される。発熱抵抗体４６の熱を効率良く可溶導体４９に伝えるために、発熱抵抗体４６と絶縁基板４４の間に絶縁部材４５を積層しても良い。発熱体引出電極４８の一端は、発熱体電極５０（Ｐ１）に接続される。また、発熱抵抗体４６の他端は、他方の発熱体電極５０（Ｐ２）に接続される。可溶導体４９は、上述した第１、第２の可溶導体８，９と同じものを用いることができる。

　なお、保護素子４２においても、上記短絡素子１と同様に、可溶導体４９の酸化防止のために、可溶導体４９上のほぼ全面にフラックスを塗布してもよい。また、保護素子４２は、内部を保護するためにカバー部材を絶縁基板４４上に載置してもよい。

　以上のような保護素子４２は、図１６に示すような回路構成を有する。すなわち、保護素子４２は、発熱体引出電極４８を介して直列接続された可溶導体４９と、可溶導体４９の接続点を介して通電して発熱させることによって可溶導体４９を溶融する発熱抵抗体４６とからなる回路構成である。保護素子４２の２個の電極４７のうち、一方は、Ａ１に接続され、他方は、Ａ２に接続される。また、発熱体引出電極４８とこれに接続された発熱体電極５０は、Ｐ１に接続され、他方の発熱体電極５０は、Ｐ２に接続される。

　［バッテリパックの回路構成］
　そして、保護素子４２は、図１４（Ａ）に示すように、リチウムイオン二次電池のバッテリパック４０内の回路に用いられる。バッテリパック４０は、バッテリセル４１と、保護素子４２と、短絡素子１と、保護素子４２の動作を制御する第１の電流制御素子５２と、短絡素子１の動作を制御する第２の電流制御素子５３と、保護抵抗５４とで構成されるバッテリユニット５１を複数備え、これら複数のバッテリユニット５１が直列に接続されている。

　また、バッテリパック４０は、バッテリユニット５１と、バッテリユニット５１の充放電を制御する充放電制御回路５５と、各バッテリユニット５１のバッテリセル４１の電圧を検出するとともに、保護素子４２や短絡素子１の動作を制御する第１、第２の電流制御素子５２，５３に異常信号を出力する検出回路５６とを備える。

　各バッテリユニット５１は、保護素子４２の電極４７（Ａ１）がバッテリセル４１と直列に接続され、電極４７（Ａ２）がバッテリパック４０の充放電電流経路に接続される。また、バッテリユニット５１は、短絡素子１の第２の電極端子部５ａが保護素子４２の開放端と、保護抵抗５４を介して接続され、第１の電極端子部４ａがバッテリセル４１の開放端と接続されることにより、保護素子４２及びバッテリセル４１と、短絡素子１とが並列に接続されている。また、バッテリユニット５１は、保護素子４２の発熱体電極５０（Ｐ２）が第１の電流制御素子５２と接続され、短絡素子１の抵抗体端子部３ａが第２の電流制御素子５３と接続されている。

　検出回路５６は、各バッテリセル４１と接続され、各バッテリセル４１の電圧値を検出して、各電圧値を充放電制御回路５５の制御部５９に供給する。また、検出回路５６は、バッテリセル４１が過充電電圧又は過放電電圧になったときに、当該バッテリセル４１を有するバッテリユニット５１の第１、第２の電流制御素子５２，５３へ異常信号を出力する。

　第１、第２の電流制御素子５２，５３は、たとえば電界効果トランジスタ（以下、ＦＥＴと呼ぶ。）により構成され、検出回路５６から出力される検出信号によって、バッテリセル４１の電圧値が所定の過放電又は過充電状態を超える電圧になったとき、保護素子４２及び短絡素子１を動作させて、バッテリユニット５１の充放電電流経路を第３、第４の電流制御素子５７，５８のスイッチ動作によらず遮断するとともに、短絡素子１のスイッチ２０を短絡させ、当該バッテリユニット５１をバイパスするバイパス電流経路を形成するように制御する。

　また、バッテリパック４０は、正極端子４０ａ、図示しない負極端子を介して、着脱可能に充電装置に接続され、各バッテリセル４１に充電装置からの充電電圧が印加される。充電装置により充電されたバッテリパック４０は、正極端子４０ａ、負極端子をバッテリで動作する電子機器に接続することによって、この電子機器を動作させることができる。

　充放電制御回路５５は、バッテリユニット５１から充電装置に流れる電流経路に直列接続された第３、第４の電流制御素子５７，５８と、これらの電流制御素子５７，５８の動作を制御する制御部５９とを備える。第３、第４の電流制御素子５７，５８は、たとえばＦＥＴにより構成され、制御部５９によりゲート電圧を制御することによって、バッテリユニット５１の電流経路の導通と遮断とを制御する。制御部５９は、充電装置から電力供給を受けて動作し、検出回路５６による検出結果に応じて、バッテリユニット５１が過放電又は過充電であるとき、電流経路を遮断するように、電流制御素子５７，５８の動作を制御する。

　このようなバッテリパック４０は、正常時には、短絡素子１のスイッチ２０が短絡されていないため、図１４（Ｂ）に示すように、電流Ｅは保護素子４２及びバッテリセル４１側に流れる。

　しかし、バッテリパック４０は、バッテリセル４１に電圧異常等が検知されると、検出回路５６より第１の電流制御素子５２に異常信号が出力され、保護素子４２の発熱抵抗体４６が発熱される。図１４（Ｃ）に示すように、保護素子４２は、発熱抵抗体４６によって、可溶導体４９を加熱、溶融させることにより、電極４７（Ａ１），４７（Ａ２）間を遮断する。これにより、異常なバッテリセル４１を有する当該バッテリユニット５１を、バッテリパック４０の充放電電流経路上から遮断することができる。なお、可溶導体４９が溶断することにより、発熱抵抗体４６への給電は停止される。

　次いで、バッテリパック４０は、検出回路５６により当該バッテリユニット５１の第２の電流制御素子５３にも異常信号が出力され、短絡素子１の発熱抵抗体３も発熱する。図１４（Ｄ）に示すように、短絡素子１は、発熱抵抗体３によって第１、第２の可溶導体８，９を加熱、溶融させることにより、第１、第２の電極４，５上に溶融導体が凝集し、スイッチ２０の第１の電極端子部４ａ及び第２の電極端子部５ａが短絡される。これにより、短絡素子１は、当該バッテリユニット５１をバイパスするバイパス電流経路を形成することができる。なお、第１、第２の可溶導体８，９が溶断することにより、発熱抵抗体３への給電は停止される。

　なお、保護抵抗５４は、バッテリセル４１の内部抵抗とほぼ同じ抵抗値を有することにより、バイパス電流経路上においても、正常時と同じ容量とすることができる。

　このようなバッテリパック４０によれば、一つのバッテリユニット５１に異常が起きた場合にも、当該バッテリユニット５１を迂回するバイパス電流経路を形成することができ、残りの正常なバッテリユニット５１によって充放電機能を維持することができる。

　なお、本発明の保護素子は、リチウムイオン二次電池のバッテリパックに用いる場合に限らず、電気信号による電流経路の遮断及びバイパスを必要とする様々な用途にももちろん応用可能である。また、第１、第２の電流制御素子５２，５３や第３、第４の電流制御素子５７，５８の作動条件は、バッテリセル４１の電圧異常の場合に限らず、例えば周囲の温度の異常な上昇や、水没等、あらゆるアクシデントを検知することによって作動させることができる。

　［短絡素子（保護抵抗内蔵）］
　また、短絡素子は、予め保護抵抗を内蔵させて形成してもよい。なお、以下の説明において、上述した短絡素子１や保護素子４２、ＬＥＤ照明装置３０やバッテリパック４０と同じ構成については、同一の符号を付してその詳細を省略する。

　図１７は、絶縁基板２上に保護抵抗６１が形成された短絡素子６０の平面図である。短絡素子６０は、上述した短絡素子１の構成に加え、第２の電極５と接続された保護抵抗６１が形成され、この保護抵抗６１を介して第２の電極端子部５ａが形成されている。保護抵抗６１は、上述した発熱抵抗体３と同じ材料を用いて、同一のプロセスで同時に形成することができる。

　このように電子機器やバッテリパック４０における内部抵抗が決まっているような場合、予め保護抵抗６１を内蔵した短絡素子６０を用いることにより、実装等の工程を省力化することができる。

　図１８は、短絡素子６０の回路構成を示す図である。短絡素子６０の回路構成は、スイッチ２０が短絡することにより、第１の電極端子部４ａと第２の電極端子部５ａとが、保護抵抗６１を介して接続される。すなわち、短絡素子６０の回路構成は、ヒューズ８，９と、ヒューズ８，９の一端に接続された発熱抵抗体３と、ヒューズ８，９の発熱抵抗体３が接続されていない他端に接続されたスイッチ２０と、スイッチ２０の端子の少なくとも一方の端子に接続された保護抵抗６１とを備え、スイッチ２０が、ヒューズ８，９の溶断に連動して短絡するものである。

　［ＬＥＤ補償回路（保護抵抗内蔵）］
　図１９は、短絡素子６０を組み込んだＬＥＤ照明装置６２の回路構成を示す図である。ＬＥＤ照明装置６２の回路構成は、短絡素子１に代えて短絡素子６０を用いた点を除いて、上述したＬＥＤ照明装置３０と同じ構成を有する。すなわち、ＬＥＤ照明装置６２の回路構成は、前述の短絡素子６０と、発光ダイオード３１とを備え、スイッチ２０とヒューズ８，９が接続された端子４ａ及び保護抵抗６１の開放端子５ａと、発光ダイオード３１とを、並列に接続し、発熱抵抗体３は、保護抵抗６１と接続し、発光ダイオード３１の異常時には、ヒューズ８，９が溶融することによりスイッチ２０がオンとなり、バイパス電流経路が形成されるものである。ＬＥＤ照明装置６２の回路構成において、短絡素子６０の保護抵抗６１は、各ＬＥＤユニット３２の発光ダイオード３１の内部抵抗とほぼ同じ抵抗値を有する。

　このようなＬＥＤ照明装置６２によれば、一つの発光ダイオード３１に異常が起きた場合にも、当該発光ダイオード３１を迂回するバイパス電流経路を形成することができ、残りの正常な発光ダイオード３１によって照明機能を維持することができる。このとき、ＬＥＤ照明装置６２は、保護抵抗６１が発光ダイオード３１の内部抵抗とほぼ同じ抵抗値を有するため、バイパス電流経路上においても、正常時とほぼ同じ電流値とすることができる。

　［バッテリ補償回路（保護抵抗内蔵）］
　図２０は、短絡素子６０を組み込んだバッテリパック６５の回路構成を示す図である。バッテリパック６５の回路構成は、短絡素子１に代えて短絡素子６０を用いた点を除いて、上述したバッテリパック４０の回路構成と同じ構成を有する。すなわち、バッテリパック６５の回路構成は、前述の短絡素子６０と、バッテリセル４１と、バッテリセル４１の電流経路上に接続され、バッテリセル４１の異常時に該バッテリセル４１への通電を電気信号で遮断する保護素子４２と、バッテリセル４１の異常を検知し、異常信号を出力する検出回路５６と、検出回路５６の異常信号を受けて動作する第１、第２の電流制御素子５２，５３とを備え、バッテリセル４１及び保護素子４２の両端と、スイッチ２０のヒューズ８．９との接続端子４ａ及び保護抵抗６１の開放端子５ａとを並列に接続し、発熱抵抗体３の抵抗体端子部３ａと保護素子４２の電気信号の入力端子Ｐ２を、第１、第２の電流制御素子５２，５３に接続し、バッテリセル４１の異常時には、検出回路５６からの異常信号を受けて第１、第２の電流制御素子５２，５３が動作し、保護素子４２によるバッテリセル４１の電流経路の遮断と、ヒューズ８，９の溶断に連動したスイッチ２０の短絡を行い、バイパス電流経路が形成されるものである。バッテリパック６５の回路構成において、各バッテリユニット５１に設けられた短絡素子６０の保護抵抗６１は、当該バッテリユニット５１のバッテリセル４１の内部抵抗とほぼ同じ抵抗値を有する。

　このようなバッテリパック６５によれば、一つのバッテリユニット５１に異常が起きた場合にも、当該バッテリユニット５１を迂回するバイパス電流経路を形成することができ、残りの正常なバッテリユニット５１によって充放電機能を維持することができる。このとき、バッテリパック６５は、保護抵抗６１が、バッテリセル４１の内部抵抗とほぼ同じ抵抗値を有することにより、バイパス電流経路上においても、正常時と同じ電流値とすることができる。

　なお、短絡素子６０においても、絶縁基板２の裏面に外部端子１２を設けて第１の電極端子部４ａ及び第２の電極端子部５ａと当該外部端子１２とをスルーホールによって接続する以外にも、上述した短絡素子２５と同様に、絶縁基板２の第１、第２の電極４，５が形成された表面に、第１の電極４と連続する第１の外部接続電極２１、第１の外部接続端子２２、保護抵抗６１を介して第２の電極５と連続する第２の外部接続電極２３、及び第２の外部接続端子２４を形成するようにしてもよい。

　［第２の実施の形態］
　［短絡素子］
　次いで、本発明の第２の実施の形態について説明する。図２１（Ａ）に短絡素子１０１の平面図、及び図２１（Ｂ）に短絡素子１０１の断面図を示す。短絡素子１０１は、絶縁基板１０２と、絶縁基板１０２に設けられた第１の発熱抵抗体１２１及び第２の発熱抵抗体１２２と、絶縁基板１０２に、互いに隣接して設けられた第１の電極１０４及び第２の電極１０５と、第１の電極１０４と隣接して設けられるとともに、第１の発熱抵抗体１２１に電気的に接続された第３の電極１０６と、第２の電極１０５と隣接して設けられるとともに、第２の発熱抵抗体１２２に電気的に接続された第４の電極１０７と、第１、第３の電極１０４，１０６間に亘って設けられることにより電流経路構成し、第１の発熱抵抗体１２１からの加熱により、第１、第３の電極１０４，１０６間の電流経路を溶断する第１の可溶導体１０８と、第２、第４の電極１０５，１０７間に亘って設けられ、第２の発熱抵抗体１２２からの加熱により、第２、第４の電極１０５，１０７間の電流経路を溶断する第２の可溶導体１０９とを備える。そして、短絡素子１０１は、絶縁基板１０２上に内部を保護するカバー部材１１０が取り付けられている。

　絶縁基板１０２は、たとえば、アルミナ、ガラスセラミックス、ムライト、ジルコニアなどの絶縁性を有する部材を用いて略方形状に形成されている。絶縁基板１０２は、その他にも、ガラスエポキシ基板、フェノール基板等のプリント配線基板に用いられる材料を用いてもよいが、ヒューズ溶断時の温度に留意する必要がある。なお、絶縁基板１０２は、裏面に外部端子１１２が形成されている。

　第１、第２の発熱抵抗体１２１，１２２は、比較的抵抗値が高く通電すると発熱する導電性を有する部材であって、たとえばＷ、Ｍｏ、Ｒｕ等からなる。これらの合金あるいは組成物、化合物の粉状体を樹脂バインダ等と混合して、ペースト状にしたものを絶縁基板１０２上にスクリーン印刷技術を用いてパターン形成して、焼成する等によって形成する。

　また、第１、第２の発熱抵抗体１２１，１２２は、絶縁基板１０２上において絶縁層１１１に被覆されている。第１の発熱抵抗体１２１を被覆する絶縁層１１１上には、第１、第３の電極１０４，１０６が形成され、第２の発熱抵抗体１２２を被覆する絶縁層１１１上には、第２、第４の電極１０５，１０７が形成されている。第１の電極１０４は、一方側において第２の電極１０５と隣接して形成されるとともに、絶縁されている。第１の電極１０４の他方側には第３の電極１０６が形成されている。第１の電極１０４と第３の電極１０６とは、第１の可溶導体１０８が接続されることにより導通され、短絡素子１０１の電流経路を構成する。また、第１の電極１０４は、絶縁基板１０２の側面に臨む第１の電極端子部１０４ａに接続されている。第１の電極端子部１０４ａは、スルーホールを介して絶縁基板１０２の裏面に設けられた外部端子１１２と接続されている。

　また、第３の電極１０６は、絶縁基板１０２あるいは絶縁層１１１に設けられた第１の発熱体引出電極１２３を介して第１の発熱抵抗体１２１と接続されている。また、第１の発熱抵抗体１２１は、第１の発熱体引出電極１２３を介して、絶縁基板１０２の側縁に臨む第１の抵抗体端子部１２１ａに接続されている。第１の抵抗体端子部１２１ａは、スルーホールを介して、絶縁基板１０２の裏面に設けられた外部端子１１２と接続されている。

　第２の電極１０５の第１の電極１０４と隣接する一方側と反対の他方側には、第４の電極１０７が形成されている。第２の電極１０５と第４の電極１０７とは、第２の可溶導体１０９が接続されている。また、第２の電極１０５は、絶縁基板１０２の側面に臨む第２の電極端子部１０５ａに接続されている。第２の電極端子部１０５ａは、スルーホールを介して絶縁基板１０２の裏面に設けられた外部端子１１２と接続されている。

　また、第４の電極１０７は、絶縁基板１０２あるいは絶縁層１１１に設けられた第２の発熱体引出電極１２４を介して第２の発熱抵抗体１２２と接続されている。また、第２の発熱抵抗体１２２は、第２の発熱体引出電極１２４を介して、絶縁基板１０２の側縁に臨む第２の抵抗体端子部１２２ａに接続されている。第２の抵抗体端子部１２２ａは、スルーホールを介して、絶縁基板１０２の裏面に設けられた外部端子１１２と接続されている。

　なお、第１～第４の電極１０４，１０５，１０６，１０７は、ＣｕやＡｇ等の一般的な電極材料を用いて形成することができるが、少なくとも第１、第２の電極１０４，１０５の表面上には、Ｎｉ／Ａｕメッキ、Ｎｉ／Ｐｄメッキ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキ等の被膜が、公知のメッキ処理により形成されていることが好ましい。これにより、第１、第２の電極１０４，１０５の酸化を防止し、溶融導体を確実に保持させることができる。また、短絡素子１０１をリフロー実装する場合に、第１、第２の可溶導体１０８，１０９を接続するハンダあるいは第１、第２の可溶導体１０８，１０９の外層を形成する低融点金属が溶融することにより第１、第２の電極１０４，１０５を溶食（ハンダ食われ）して切断するのを防ぐことができる。

　［可溶導体］
　第１、第２の可溶導体１０８，１０９は、第１、第２の発熱抵抗体１２１，１２２の発熱により速やかに溶断される低融点金属からなり、例えばＳｎを主成分とするＰｂフリーハンダを好適に用いることができる。

　また、第１、第２の可溶導体１０８，１０９は、低融点金属と高融点金属とを含有してもよい。低融点金属としては、Ｐｂフリーハンダなどのハンダを用いることが好ましく、高融点金属としては、Ａｇ、Ｃｕ又はこれらを主成分とする合金などを用いることが好ましい。高融点金属と低融点金属とを含有することによって、短絡素子１０１をリフロー実装する場合に、リフロー温度が低融点金属層の溶融温度を超えて、低融点金属が溶融しても、第１、第２の可溶導体１０８，１０９として溶断するに至らない。かかる第１、第２の可溶導体１０８，１０９は、高融点金属に低融点金属をメッキ技術を用いて成膜することによって形成してもよく、他の周知の積層技術、膜形成技術を用いることによって形成してもよい。なお、第１、第２の可溶導体１０８，１０９は、外層を構成する低融点金属を用いて、第１及び第３の電極１０４，１０６、又は第２及び第４の電極１０５，１０７へ、ハンダ接続することができる。

　第１、第２の可溶導体１０８，１０９は、内層を低融点金属とし、外層を高融点金属としてもよい。内層の低融点金属層の全表面を外層の高融点金属層で被覆した可溶導体を用いることにより、リフロー温度よりも融点の低い低融点金属を用いた場合でも、リフロー実装時に、内層の低融点金属の外部への流出を抑制することができる。また、溶断時も、内層の低融点金属が溶融することにより、外層の高融点金属を溶食（ハンダ食われ）し、速やかに溶断することができる。

　また、第１、第２の可溶導体１０８，１０９は、内層を高融点金属とし、外層を低融点金属とする被覆構造としてもよい。内層の高融点金属層の全表面を外層の低融点金属層で被覆した可溶導体を用いることにより、外層の低融点金属層を介して電極上に接続することができ、また、溶断時も、低融点金属層が速やかに溶融して高融点金属を溶食するため、速やかに溶断することができる。

　また、第１、第２の可溶導体１０８，１０９は、低融点金属層と、高融点金属層とが積層された積層構造としてもよい。また、低融点金属層と、高融点金属層とが交互に積層された４層以上の多層構造としてもよい。また、第１、第２の可溶導体１０８，１０９は、低融点金属層の表面に高融点金属層が面方向にストライプ状に積層してもよい。これらの構造によっても、低融点金属による高融点金属の溶食／溶断を短時間で行うことができる。

　また、第１、第２の可溶導体１０８，１０９は、多数の開口部を有する高融点金属と、上記開口部に挿入された低融点金属とから構成してもよい。これにより、溶融する低融点金属層に接する高融点金属層の面積が増大するので、より短時間で低融点金属層が高融点金属層を溶食することができるようになる。したがって、より速やか、かつ確実に可溶導体を溶断させることが可能となる。

　また、第１、第２の可溶導体１０８，１０９は、高融点金属の体積よりも低融点金属の体積を多くすることが好ましい。これにより、第１、第２の可溶導体１０８，１０９は、効果的に高融点金属層の溶食による短時間での溶断を行うことができる。

　なお、第１、第２の可溶導体１０８，１０９の酸化防止、及び第１、第２の可溶導体１０８，１０９の溶融時における濡れ性を向上させるために、第１、第２の可溶導体１０８，１０９の上にはフラックス１１５が塗布されている。

　短絡素子１０１は、絶縁基板１０２がカバー部材１１０に覆われることによりその内部が保護されている。カバー部材１１０は、短絡素子１０１の側面を構成する側壁１１６と、短絡素子１０１の上面を構成する天面部１１７とを有し、側壁１１６が絶縁基板１０２上に接続されることにより、短絡素子１０１の内部を閉塞する蓋体となる。このカバー部材１１０は、上記絶縁基板１０２と同様に、たとえば、熱可塑性プラスチック，セラミックス，ガラスエポキシ基板等の絶縁性を有する部材を用いて形成されている。

　また、カバー部材１１０は、天面部１１７の内面側に、カバー部電極１１８が形成されても良い。カバー部電極１１８は、第１、第２の電極１０４，１０５と重畳する位置に形成されている。このカバー部電極１１８は、第１、第２の発熱抵抗体１２１，１２２が発熱し、第１、第２の可溶導体１０８，１０９が溶融されると、第１、第２の電極１０４，１０５上に凝集した溶融導体が接触して濡れ広がることにより、溶融導体を保持する許容量を増加させることができる。

　［短絡素子回路］
　以上のような短絡素子１０１は、図２２（Ａ）（Ｂ）に示すような回路構成を有する。すなわち、短絡素子１０１は、第１の電極１０４と第２の電極１０５とが、正常時には絶縁され、第１、第２の発熱抵抗体１２１，１２２の発熱により第１、第２の可溶導体１０８，１０９が溶融すると、当該溶融導体を介して短絡するスイッチ１２０を構成する（図２２（Ｂ））。そして、第１の電極端子部１０４ａと第２の電極端子部１０５ａは、スイッチ１２０の両端子を構成する。また、第１の可溶導体１０８は、第３の電極１０６及び第１の発熱体引出電極１２３を介して第１の発熱抵抗体１２１と接続されている。同様に、第２の可溶導体１０９は、第４の電極１０７及び第２の発熱体引出電極１２４を介して第２の発熱抵抗体１２２と接続されている。

　そして、短絡素子１０１は、後述するように、電子機器等に組み込まれることにより、スイッチ１２０の両端子１０４ａ、１０５ａが、当該電子機器の電流経路と並列に接続され、当該電流経路上の電子部品に異常が発生した場合に、スイッチ１２０を短絡させ、当該電子部品をバイパスするバイパス電流経路を形成する。

　具体的に、短絡素子１０１は、並列接続されている電子部品に異常が生じると、第１、第２の抵抗体端子部１２１ａ，１２２ａ側から電力が供給され、第１、第２の発熱抵抗体１２１，１２２が通電することにより発熱する。この熱により第１、第２の可溶導体１０８，１０９が溶融すると、溶融導体は、第１、第２の電極１０４，１０５上に凝集する。第１、第２の電極１０４，１０５は隣接して形成されているため、第１、第２の電極１０４，１０５上に凝集した溶融導体が結合し、これにより第１、第２の電極１０４，１０５が短絡する。すなわち、短絡素子１０１は、スイッチ１２０の両端子間が短絡される（図２２（Ｂ））。

　なお、第１の発熱抵抗体１２１への通電は、第１の可溶導体１０８が溶断することにより第１、第３の電極１０４，１０６間が遮断されるため、停止され、第２の発熱抵抗体１２２への通電は、第２の可溶導体１０９が溶断することにより、第２、第４の電極１０５，１０７間が遮断されるため、停止される。

　［第２の可溶導体の先溶融］
　ここで、短絡素子１０１は、第２の可溶導体１０９が第１の可溶導体１０８よりも先行して溶融することが好ましい。短絡素子１０１は、第１の発熱抵抗体１２１と第２の発熱抵抗体１２２とが、別々に発熱されることから、通電のタイミングとして第２の発熱抵抗体１２２を先に発熱させ、その後に第１の発熱抵抗体１２１を発熱させることで、図２４に示すように、容易に第２の可溶導体１０９を第１の可溶導体１０８よりも先行して溶融させ、図２３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、確実に第１、第２の電極１０４，１０５上に、第１、第２の可溶導体１０８，１０９の溶融導体を凝集、結合させ、第１、第２の電極１０４，１０５を短絡させることができる。

　また、短絡素子１０１は、第２の可溶導体１０９を、第１の可溶導体１０８よりも幅狭に形成することにより、第２の可溶導体１０９を第１の可溶導体１０８よりも先に溶断するようにしてもよい。第２の可溶導体１０９を幅狭に形成することにより、溶断時間を短くすることができるため、第２の可溶導体１０９が第１の可溶導体１０８よりも先行して溶融させることができる。

　［電極面積］
　また、短絡素子１０１は、第１の電極１０４の面積を第３の電極１０６よりも広くし、第２の電極１０５の面積を第４の電極１０７よりも広くすることが好ましい。溶融導体の保持量は、電極面積に比例して多くなるため、第１、第２の電極１０４，１０５の面積を第３、第４の電極１０６，１０７よりも広く形成することにより、より多くの溶融導体を第１、第２の電極１０４，１０５上に凝集させることができ、第１、第２の電極１０４，１０５間を確実に短絡させることができる。

　［短絡素子の変形例］
　なお、短絡素子１０１は、必ずしも、第１、第２の発熱抵抗体１２１，１２２を絶縁層１１１によって被覆する必要はなく、図２５に示すように、第１、第２の発熱抵抗体１２１，１２２が絶縁基板１０２の内部に設置されてもよい。絶縁基板１０２の材料として熱伝導性に優れたものを用いることにより、第１、第２の発熱抵抗体１２１，１２２は、ガラス層等の絶縁層１１１を介した場合と同等に加熱することができる。

　また、短絡素子１０１は、図２６に示すように、第１、第２の発熱抵抗体１２１，１２２が絶縁基板１０２の第１～第４の電極１０４，１０５，１０６，１０７の形成面と反対の裏面に設置されてもよい。第１、第２の発熱抵抗体１２１，１２２を絶縁基板１０２の裏面に形成することにより、絶縁基板１０２内に形成するよりも簡易な工程で形成することができる。なお、この場合、第１、第２の発熱抵抗体１２１，１２２上には、絶縁層１１１が形成されると抵抗体の保護や実装時の絶縁性確保と言う意味で好ましい。

　さらに、短絡素子１０１は、図２７に示すように、第１、第２の発熱抵抗体１２１，１２２が絶縁基板２の第１～第４の電極１０４，１０５，１０６，１０７の形成面上に設置されてもよい。第１、第２の発熱抵抗体１２１，１２２を絶縁基板１０２の表面に形成することにより、絶縁基板１０２内に形成するよりも簡易な工程で形成することができる。なお、この場合も、第１、第２の発熱抵抗体１２１，１２２上には、絶縁層１１１が形成される事が好ましい。

　また、第１の電極１０４又は第２の電極１０５のいずれか一方に接続される保護抵抗を備える構成としてもよい。ここで、保護抵抗は、短絡素子に接続する電子部品の内部抵抗相当の抵抗値とし、発熱抵抗体１２１，１２２の抵抗値よりも小さくする。すなわち、電子部品が正常に作動している場合、電流は短絡素子側へは流れず電子部品側に流れる。

　また、本発明が適用された短絡素子１０１は、絶縁基板１０２の裏面に第１、第２の電極１０４，１０５とスルーホールを介して連続する外部端子１１２を設ける以外にも、図２８（Ａ）（Ｂ）に示す短絡素子１３０のように、絶縁基板１０２の第１、第２の電極１０４，１０５が形成された表面に、第１の電極１０４と連続する第１の外部接続電極１３１、第１の外部接続電極１３１上に設けられた１個もしくは複数個からなる第１の外部接続端子１３２、第２の電極１０５と連続する第２の外部接続電極１３３、第２の外部接続電極１３３上に設けられた１個もしくは複数個からなる第２の外部接続端子１３４を形成するようにしてもよい。

　第１、第２の外部接続電極１３１，１３３は、短絡素子１３０と短絡素子１３０が組み込まれる電子機器の回路とを接続する電極であり、第１の外部接続電極１３１は第１の電極１０４と連続され、第２の外部接続電極１３３は第２の電極１０５と連続されている。

　第１、第２の外部接続電極１３１，１３３は、ＣｕやＡｇ等の一般的な電極材料を用いて形成され、絶縁基板１０２の第１、第２の電極１０４，１０５の形成面と同一面に形成されている。すなわち、図２８に示す短絡素子１３０は、第１、第２の可溶導体１０８，１０９が設けられる表面が実装面となる。なお、第１、第２の外部接続電極１３１，１３３は、第１、第２の電極１０４，１０５と同時に形成することができる。

　第１の外部接続電極１３１上には、第１の外部接続端子１３２が設けられている。同様に、第２の外部接続電極１３３上には、第２の外部接続端子１３４が設けられている。これら第１、第２の外部接続端子１３２，１３４は、電子機器へ実装するための接続端子であり、例えば金属バンプや、金属ポストを用いて形成されている。また、第１、第２の外部接続端子１３２，１３４は、図２８（Ａ）に示すように、絶縁基板１０２上に設けられたカバー部材１１０よりも突出する高さを有し、短絡素子１３０の実装対象物となる基板側に実装可能とされている。

　なお、短絡素子１３０の第１の発熱抵抗体１２１は、第１の発熱体引出電極１２３、及び第１の抵抗体端子部１２１ａを介して、第１の抵抗体接続端子１２１ｂが形成されている。また、短絡素子１３０の第２の発熱抵抗体１２２は、第２の発熱体引出電極１２４、及び第２の抵抗体端子部１２２ａを介して、第２の抵抗体接続端子１２２ｂが形成されている。第１、第２の抵抗体接続端子１２１ｂ，１２２ｂは、第１、第２の外部接続端子１３２，１３４と同様に、金属バンプや金属ポストを用いて形成され、絶縁層１１１を介して上方に突出されている。

　このように、短絡素子１３０は、上記短絡素子１０１のように絶縁基板１０２の裏面に外部端子１１２を設けて第１、第２の電極１０４，１０５と当該外部端子１１２とをスルーホールによって接続するものではなく、第１、第２の電極１０４，１０５と同一表面に、外部接続電極１３１，１３３を介して外部接続端子１３２，１３４を形成している。そして、図２８（Ｂ）に示すように、短絡素子１３０は、第１の電極１０４と第２の電極１０５とが短絡したときの、第１、第２の外部接続電極１３１，１３３間の導通抵抗よりも、第１の外部接続端子１３２と第２の外部接続端子１３４との合成抵抗が低く構成されている。

　これにより、短絡素子１３０は、第１、第２の電極１０４，１０５が短絡しバイパス電流経路を構成した際における定格を向上させ、大電流に対応することができる。すなわち、ＨＥＶやＥＶ等の動力源として使用されるリチウムイオン二次電池等の大電流用途においては、短絡素子の定格のさらなる向上が求められている。そして、可溶導体によって短絡された第１、第２の外部接続電極１３１，１３３間の導通抵抗は定格向上に応えることができる程度に十分下げることができる（例えば０．４ｍΩ未満）。

　しかし、絶縁基板１０２の裏面に外部端子１１２を設け、第１、第２の電極１０４，１０５と当該外部端子１１２とをスルーホールによって接続する短絡素子１０１においては、第１、第２の電極１０４，１０５と外部端子１１２との間の導通抵抗が高く（例えば０．５～１．０ｍΩ）、スルーホール内に導体を充填したとしても、短絡素子全体の導通抵抗を下げるには限界がある。

　また、高抵抗の第１、第２の電極１０４，１０５と外部端子１１２との間に大電流を流すことによる発熱で、バイパス電流経路の破壊や、他の周辺機器への熱影響も懸念される。

　この点、短絡素子１３０は、第１、第２の電極１０４，１０５と同一表面に外部接続端子１３２，１３４を設けている。この外部接続端子１３２，１３４は、外部接続電極１３１，１３３上に設けるものであり、形状やサイズ等の自由度が高く、導通抵抗の低い端子を容易に設けることができる。これにより、短絡素子１３０は、第１の電極１０４と第２の電極１０５とが短絡したときの、第１、第２の外部接続電極１３１，１３３間の導通抵抗よりも、第１の外部接続端子１３２と第２の外部接続端子１３４との合成抵抗が低く構成されている。

　したがって、短絡素子１３０によれば、短絡素子１０１の構成おいては高くなる第１、第２の外部接続電極１３１，１３３から先の導通抵抗を容易に下げることができ、定格の飛躍的な向上を図ることができる。

　第１、第２の外部接続端子１３２，１３４としては、例えば、Ｓｎを主成分とするＰｂフリーハンダからなる金属バンプや金属ポストを用いて構成することができる。金属バンプや金属ポストの形状は問わない。第１、第２の外部接続端子１３２，１３４の抵抗値は材料や形状、サイズから求めることができる。一例として、Ｃｕコアの表面にハンダをコーティングした直方体の金属ポスト（Ｃｕコア：０．６ｍｍ×０．６ｍｍ、断面積０．３６ｍｍ２、高さ１ｍｍ、比抵抗１７．２μΩ・ｍｍ）を用いた場合、その１端子のＣｕコア部抵抗値は約０．０４８ｍΩであり、ハンダコーティング分を考慮すると第１、第２の外部接続端子１３２，１３４を直列接続させた抵抗値が０．０９６ｍΩ未満と低く、短絡素子１３０全体の定格を向上できることがわかる。

　なお、短絡素子１３０は、短絡時における第１、第２の外部接続端子１３２，１３４間に亘る抵抗値より素子全体の全抵抗値を求め、この全抵抗値と既知である第１、第２の外部接続端子１３２，１３４の合成抵抗との差より、短絡時における第１、第２の外部接続電極１３１，１３３間の導通抵抗を求めることができる。また、短絡素子１３０は、短絡時における第１、第２の外部接続電極１３１，１３３間の抵抗を測定し、短絡時における素子全体の全抵抗値との差より、第１、第２の外部接続端子１３２，１３４の合成抵抗を求めることができる。

　また、図２９に示すように、短絡素子１３０は、第１、第２の外部接続電極１３１，１３３を矩形状に形成する等により広く設け、第１、第２の外部接続端子１３２，１３４を複数設けることにより導通抵抗を下げるようにしてもよい。その他にも、短絡素子１３０は、広く設けた第１、第２の外部接続電極１３１，１３３に大径の第１、第２の外部接続端子１３２，１３４を設けることにより導通抵抗を下げるようにしてもよい。

　また、第１、第２の外部接続端子１３２，１３４は、コアとなる高融点金属１３２ａ，１３４ａの表面に低融点金属層１３２ｂ，１３４ｂを設けることにより形成してもよい。低融点金属層１３２ｂ，１３４ｂを構成する金属としては、Ｓｎを主成分とするＰｂフリーハンダなどのハンダを好適に用いることができ、高融点金属１３２ａ，１３４ａとしては、ＣｕやＡｇを主成分とする合金などを好適に用いることができる。

　高融点金属１３２ａ，１３４ａの表面に低融点金属層１３２ｂ，１３４ｂを設けることにより、短絡素子１３０をリフロー実装する場合に、リフロー温度が低融点金属層１３２ｂ，１３４ｂの溶融温度を超えて、低融点金属が溶融しても、第１、第２の外部接続端子１３２，１３４として溶融することを防止することができる。また、第１、第２の外部接続端子１３２，１３４は、外層を構成する低融点金属を用いて、第１、第２の外部接続電極１３１，１３３へ接続することができる。

　第１、第２の外部接続端子１３２，１３４は、高融点金属１３２ａ，１３４ａに低融点金属をメッキ技術を用いて成膜することにより形成することができ、またその他の周知の積層技術、膜形成技術を用いることによっても形成することができる。

　なお、第１、第２の外部接続端子１３２，１３４は、金属バンプや金属ポストを用いて形成する他にも、導電メッキ層や、導電ペーストを塗布することにより形成された導電層により形成してもよい。

　また、第１、第２の外部接続端子１３２，１３４は、短絡素子１３０が実装される基板等の実装対象物側に予め設け、短絡素子が実装された実装体において、第１、第２の外部接続電極１３１，１３３、あるいは第１、第２の電極１０４，１０５と接続されるようにしてもよい。

　［バッテリパックの回路構成］
　次いで、短絡素子１０１を組み込んだ電子機器の回路構成について説明する。図３０は、クルマや電動工具等の各種電子機器に搭載されて用いられるリチウムイオンバッテリーが内蔵されたバッテリパック１４０の回路構成を示す図である。図３０（Ａ）に示すように、バッテリパック１４０は、電流経路上に複数のバッテリセル１４１が直列に接続されることで、高電圧、大電流を確保している。また、バッテリパック１４０は、各バッテリセル１４１に、当該バッテリセル１４１の過充電あるいは過放電等の異常時に電流経路を遮断する保護素子１４２が接続されている。

　保護素子１４２は、図３１（Ａ）（Ｂ）に示すように、絶縁基板１４４と、絶縁基板１４４に積層され、絶縁部材１４５に覆われた発熱抵抗体１４６と、絶縁基板１４４の両端に形成された電極１４７（Ａ１），１４７（Ａ２）と、絶縁部材１４５上に発熱抵抗体１４６と重畳するように積層された発熱体引出電極１４８と、両端が電極１４７（Ａ１），１４７（Ａ２）にそれぞれ接続され、中央部が発熱体引出電極１４８に接続された可溶導体１４９とを備える。

　絶縁基板１４４は、上述した絶縁基板１０２と同様の材料を用いて、略方形状に形成されている。発熱抵抗体１４６は、上述した第１、第２の発熱抵抗体１２１，１２２と同様の材料を用いて、同様の製法で形成される。保護素子１４２は、発熱抵抗体１４６を覆うように絶縁部材１４５が配置され、この絶縁部材１４５を介して発熱抵抗体１４６に対向するように発熱体引出電極１４８が配置される。発熱抵抗体１４６の熱を効率良く可溶導体１４９に伝えるために、発熱抵抗体１４６と絶縁基板１４４の間に絶縁部材１４５を積層しても良い。発熱体引出電極１４８の一端は、発熱体電極１５０（Ｐ１）に接続される。また、発熱抵抗体１４６の他端は、他方の発熱体電極１５０（Ｐ２）に接続される。可溶導体１４９は、上述した第１、第２の可溶導体１０８，１０９と同じものを用いることができる。

　なお、保護素子１４２においても、上記短絡素子１０１と同様に、可溶導体１４９の酸化防止のために、可溶導体１４９上のほぼ全面にフラックスを塗布してもよい。また、保護素子１４２は、内部を保護するためにカバー部材を絶縁基板１４４上に載置してもよい。

　以上のような保護素子１４２は、図３２に示すような回路構成を有する。すなわち、保護素子１４２は、発熱体引出電極１４８を介して直列接続された可溶導体１４９と、可溶導体１４９の接続点を介して通電して発熱させることによって可溶導体１４９を溶融する発熱抵抗体１４６とからなる回路構成である。保護素子１４２の２個の電極１４７のうち、一方は、Ａ１に接続され、他方は、Ａ２に接続される。また、発熱体引出電極１４８とこれに接続された発熱体電極１５０は、Ｐ１に接続され、他方の発熱体電極１５０は、Ｐ２に接続される。

　そして、保護素子１４２は、図３０（Ａ）に示すように、リチウムイオン二次電池のバッテリパック１４０内の回路に用いられる。バッテリパック１４０は、直列に接続された複数のバッテリユニット１８４を有する。各バッテリユニット１８４は、バッテリセル１４１と、保護素子１４２と、短絡素子１０１と、保護素子１４２の動作を制御する第１の電流制御素子１８１と、短絡素子１０１の動作を制御する第２、第３の電流制御素子１８２，１８３と、保護抵抗１５４とで構成される。

　また、バッテリパック１４０は、バッテリユニット１８４と、バッテリユニット１８４の充放電を制御する充放電制御回路１５５と、各バッテリユニット１８４のバッテリセル１４１の電圧を検出するとともに、保護素子１４２や短絡素子１０１の動作を制御する第１～第３の電流制御素子１８１～１８３に異常信号を出力する検出回路１５６とを備える。

　各バッテリユニット１８４は、保護素子１４２の電極１４７（Ａ１）がバッテリセル１４１と直列に接続され、電極１４７（Ａ２）がバッテリパック１４０の充放電電流経路に接続される。また、バッテリユニット１８４は、短絡素子１０１の第２の電極端子部１０５ａが保護素子１４２の開放端と、保護抵抗１５４を介して接続され、第１の電極端子部１０４ａがバッテリセル１４１の開放端と接続されることにより、保護素子１４２及びバッテリセル１４１と、短絡素子１０１とが並列に接続されている。また、バッテリユニット１８４は、保護素子１４２の発熱体電極１５０（Ｐ２）が第１の電流制御素子１８１と接続され、短絡素子１０１の第１の抵抗体端子部１２１ａが第２の電流制御素子１８２と接続され、短絡素子１０１の第２の抵抗体端子部１２２ａが第３の電流制御素子１８３と接続されている。

　検出回路１５６は、各バッテリセル１４１と接続され、各バッテリセル１４１の電圧値を検出して、各電圧値を充放電制御回路１５５の制御部１５９に供給する。また、検出回路１５６は、バッテリセル１４１が過充電電圧又は過放電電圧になったときに、当該バッテリセル１４１を有するバッテリユニット１８４の第１～第３の電流制御素子１８１～１８３へ異常信号を出力する。

　第１～第３の電流制御素子１８１～１８３は、たとえばＦＥＴにより構成され、検出回路１５６から出力される検出信号によって、バッテリセル１４１の電圧値が所定の過放電又は過充電状態を超える電圧になったとき、保護素子１４２及び短絡素子１０１を動作させて、バッテリユニット１８４の充放電電流経路を第３、第４の電流制御素子１５７，１５８のスイッチ動作によらず遮断するとともに、短絡素子１０１のスイッチ１２０を短絡させ、当該バッテリユニット１８４をバイパスするバイパス電流経路を形成するように制御する。

　このようなバッテリパック１４０は、正常時には、短絡素子１０１のスイッチ１２０が短絡されていないため、図３０（Ａ）に示すように、電流Ｅは保護素子１４２及びバッテリセル１４１側に流れる。

　バッテリセル１４１に電圧異常等が検知されると、検出回路１５６より第１の電流制御素子１８１に異常信号が出力され、保護素子１４２の発熱抵抗体１４６が発熱される。図３０（Ｂ）に示すように、保護素子１４２は、発熱抵抗体１４６によって、可溶導体１４９を加熱、溶融させることにより、電極１４７（Ａ１），１４７（Ａ２）間を遮断する。これにより、異常なバッテリセル１４１を有する当該バッテリユニット１８４を、バッテリパック１４０の充放電電流経路上から遮断することができる。なお、可溶導体１４９が溶断することにより、発熱抵抗体１４６への給電は停止される。

　次いで、バッテリパック１４０は、検出回路１５６により当該バッテリユニット１８４の第２の電流制御素子１８２にも異常信号が出力され、短絡素子１０１の第１の発熱抵抗体１２１も発熱する。図３０（Ｃ）に示すように、短絡素子１０１は、第１の発熱抵抗体１２１によって第１の可溶導体１０８を加熱、溶融させることにより、第１の電極１０４上に溶融導体が凝集する。また、バッテリパック１４０は、第２の電流制御素子１８２への出力に続いて、第３の電流制御素子１８３へ異常信号を出力し、第２の発熱抵抗体１２２を発熱させる。短絡素子１０１は、第２の発熱抵抗体１２２によって第２の可溶導体１０９を加熱、溶融させることにより、第２の電極１０４上に溶融導体が凝集する。

　これにより、バッテリパック１４０は、図３０（Ｄ）に示すように、スイッチ１２０の第１の電極端子部１０４ａ及び第２の電極端子部１０５ａが短絡され、当該バッテリユニット１８４をバイパスするバイパス電流経路を形成することができる。なお、第１、第２の可溶導体１０８，１０９が溶断することにより、第１、第２の発熱抵抗体１２１，１２２への給電は停止される。

　なお、保護抵抗１５４は、バッテリセル１４１の内部抵抗とほぼ同じ抵抗値を有することにより、バイパス電流経路上においても、正常時と同じ容量とすることができる。

　このようなバッテリパック１４０によっても、一つのバッテリユニット１８４に異常が起きた場合にも、当該バッテリユニット１８４を迂回するバイパス電流経路を形成することができ、残りの正常なバッテリユニット１８４によって充放電機能を維持することができる。

　［短絡素子（保護抵抗内蔵）］
　また、短絡素子は、予め保護抵抗を内蔵させて形成してもよい。図３３は、絶縁基板１０２上に保護抵抗１６１が形成された短絡素子１６０の平面図である。短絡素子１６０は、上述した短絡素子１０１の構成に加え、第２の電極１０５と接続された保護抵抗１６１が形成され、この保護抵抗１６１を介して第２の電極端子部１０５ａが形成されている。保護抵抗１６１は、上述した第１，第２の発熱抵抗体１２１，１２２と同じ材料を用いて、同一のプロセスで同時に形成することができる。

　このように電子機器やバッテリパックにおける内部抵抗が決まっているような場合、予め保護抵抗１６１を内蔵した短絡素子１６０を用いることにより、実装等の工程を省力化することができる。

　図３４（Ａ）（Ｂ）は、短絡素子１６０の回路構成を示す図である。短絡素子１６０の回路構成は、スイッチ１２０が短絡することにより、第１の電極端子部１０４ａと第２の電極端子部１０５ａとが、保護抵抗１６１を介して接続される。すなわち、短絡素子１６０の回路構成は、第１、第２の可溶導体（ヒューズ）１０８，１０９と、第１、第２の可溶導体１０８，１０９の一端に接続された第１、第２の発熱抵抗体１２１、１２２と、第１、第２の可溶導体１０８，１０９の第１、第２の発熱抵抗体１２１，１２２が接続されていない他端に接続されたスイッチ１２０と、スイッチ１２０の端子の少なくとも一方の端子に接続された保護抵抗１６１とを備え、スイッチ１２０が、第１、第２の可溶導体１０８，１０９の溶断に連動して短絡するものである。

　なお、短絡素子１６０においても、絶縁基板１０２の裏面に外部端子１１２を設けて第１の電極端子部１０４ａ及び第２の電極端子部１０５ａと当該外部端子１１２とをスルーホールによって接続する以外にも、上述した短絡素子１３０と同様に、絶縁基板１０２の第１、第２の電極１０４，１０５が形成された表面に、第１の電極１０４と連続する第１の外部接続電極１３１、第１の外部接続端子１３２、保護抵抗１６１を介して第２の電極１０５と連続する第２の外部接続電極１３３、及び第２の外部接続端子１３４を形成するようにしてもよい。

　［バッテリパックの回路構成（保護抵抗内蔵）］
　図３５は、短絡素子１６０を組み込んだバッテリパック１７０の回路構成を示す図である。バッテリパック１７０は、短絡素子１６０を用いた点を除いて、上述したバッテリパック１４０と同じ構成を有する。すなわち、バッテリパック１７０の回路構成は、前述の短絡素子１６０と、バッテリセル１４１と、バッテリセル１４１の電流経路上に接続され、バッテリセル１４１の異常時に該バッテリセル１４１への通電を電気信号で遮断する保護素子１４２と、バッテリセル１４１の異常を検知し、異常信号を出力する検出回路１５６と、検出回路１５６の異常信号を受けて動作する第１～第３の電流制御素子１８１，１８２、１８３とを備え、バッテリセル１４１及び保護素子１４２の両端と、スイッチ１２０の第１、第２の可溶導体１０８，１０９との接続端子１０４ａ及び保護抵抗１６１の開放端子１０５ａとを並列に接続し、第１、第２の発熱抵抗体１２１，１２２の第１、第２の抵抗体端子部１２１ａ、１２２ａを第２、第３の電流制御素子１８２，１８３に接続し、保護素子１４２の電気信号の入力端子となる発熱体電極１５０（Ｐ２）を第１の制御素子１８１に接続し、バッテリセル１４１の異常時には、検出回路１５６からの異常信号を受けて第１～第３の電流制御素子１８１，１８２，１８３が動作し、保護素子１４２によるバッテリセル１４１の電流経路の遮断と、第１、第２の可溶導体１０８，１０９の溶断に連動したスイッチ１２０の短絡を行い、バイパス電流経路が形成されるものである。バッテリパック１７０において、各バッテリユニット１８４に設けられた短絡素子１６０の保護抵抗１６１は、当該バッテリユニット１８４のバッテリセル１４１の内部抵抗とほぼ同じ抵抗値を有する。

　このようなバッテリパック１７０によれば、一つのバッテリユニット１８４に異常が起きた場合にも、当該バッテリユニット１８４を迂回するバイパス電流経路を形成することができ、残りの正常なバッテリユニット１８４によって充放電機能を維持することができる。このとき、バッテリパック１７０は、保護抵抗１６１が、バッテリセル１４１の内部抵抗とほぼ同じ抵抗値を有することにより、バイパス電流経路上においても、正常時と同じ容量とすることができる。

　［バッテリパックの回路構成（制御素子共有）］
　また、図３６に示す短絡素子１６０を組み込んだバッテリパック１９０は、第１～第３の電流制御素子のうち、保護素子１４２と接続する電流制御素子と、第１の抵抗体端子部１２１ａと接続する電流制御素子とを共有にしたものである。すなわち、図３６に示すように、バッテリパック１９０は、保護素子１４２の発熱体電極１５０（Ｐ２）、及び短絡素子１６０の第１の抵抗体端子部１２１ａが第１の電流制御素子１９１と接続され、短絡素子１６０の第２の抵抗体端子部１２２ａが第２の電流制御素子１９２と接続されている。第１、第２の電流制御素子１９１，１９２は、検出回路１５６と接続され、検出回路１５６によってバッテリセル１４１の過充電電圧又は過放電電圧が検出されると、異常信号が出力される。

　第１、第２の電流制御素子１９１，１９２は、たとえばＦＥＴにより構成され、検出回路１５６から出力される異常信号によって、バッテリセル１４１の電圧値が所定の過放電又は過充電状態を超える電圧になったとき、保護素子１４２及び短絡素子１６０を動作させる。

　このとき検出回路１５６は、先ず第１の電流制御素子１９１に異常信号を出力し、次いで、第２の電流制御素子１９２に異常信号を出力する。第１の電流制御素子１９１が異常信号を受信すると、保護素子１４２の発熱抵抗体１４６、及び短絡素子１６０の第１の発熱抵抗体１２１に通電し、発熱させる。これにより、バッテリパック１９０は、保護素子１４２の可溶導体１４９が溶断することによりバッテリユニット１８４の充放電電流経路を遮断するとともに、短絡素子１６０の第１の可溶導体１０８が溶融する。次いで、第２の電流制御素子１９２が異常信号を受信すると、短絡素子１６０の第２の発熱抵抗体１２２に通電し、発熱させる。これにより、バッテリパック１９０は、短絡素子１６０の第２の可溶導体１０９が溶融し、先に溶融している第１の可溶導体１０８と結合して、第１、第２の電極１０４，１０５上に凝集する。したがって、短絡素子１６０は、スイッチ１２０を短絡させ、当該バッテリユニット１８４をバイパスするバイパス電流経路を形成する。このようなバッテリパック１９０によれば、電流制御素子を減らすことができ、回路構成を単純化することができる。

　［第３の実施の形態］
　［短絡素子］
　次いで、本発明の第３の実施の形態について説明する。図３７（Ａ）に短絡素子２０１の平面図、及び図３７（Ｂ）に短絡素子２０１の断面図を示す。短絡素子２０１は、絶縁基板２０２と、絶縁基板２０２に設けられた第１の発熱抵抗体２２１及び第２の発熱抵抗体２２２と、絶縁基板２０２に、互いに隣接して設けられた第１の電極２０４及び第２の電極２０５（Ａ１）と、第１の電極２０４と隣接して設けられるとともに、第１の発熱抵抗体２２１に電気的に接続された第３の電極２０６と、第２の電極２０５（Ａ１）と隣接して設けられるとともに、第２の発熱抵抗体２２２に電気的に接続された第４の電極２０７（Ｐ１）と、第４の電極２０７（Ｐ１）に隣接して設けられる第５の電極２３１（Ａ２）と、第１、第３の電極２０４，２０６間に亘って設けられることにより電流経路を構成し、第１の発熱抵抗体２２１からの加熱により、第１、第３の電極２０４，２０６間の電流経路を溶断する第１の可溶導体２０８と、第２の電極２０５（Ａ１）から第４の電極２０７（Ｐ１）を経て第５の電極２３１（Ａ２）に亘って設けられ、第２の発熱抵抗体２２２からの加熱により、第２、第４、第５の電極２０５（Ａ１），２０７（Ｐ１），２３１（Ａ２）間の電流経路を溶断する第２の可溶導体２０９とを備える。そして、短絡素子２０１は、絶縁基板２０２上に内部を保護するカバー部材２１０が取り付けられている。

　絶縁基板２０２は、たとえば、アルミナ、ガラスセラミックス、ムライト、ジルコニアなどの絶縁性を有する部材を用いて略方形状に形成されている。絶縁基板２０２は、その他にも、ガラスエポキシ基板、フェノール基板等のプリント配線基板に用いられる材料を用いてもよいが、ヒューズ溶断時の温度に留意する必要がある。なお、絶縁基板２０２は、裏面に外部端子２１２が形成されている。

　第１、第２の発熱抵抗体２２１，２２２は、比較的抵抗値が高く通電すると発熱する導電性を有する部材であって、たとえばＷ、Ｍｏ、Ｒｕ等からなる。これらの合金あるいは組成物、化合物の粉状体を樹脂バインダ等と混合して、ペースト状にしたものを絶縁基板２上にスクリーン印刷技術を用いてパターン形成して、焼成する等によって形成する。

　また、第１、第２の発熱抵抗体２２１，２２２は、絶縁基板２０２上において絶縁層２１１に被覆されている。第１の発熱抵抗体２２１を被覆する絶縁層２１１上には、第１、第３の電極２０４，２０６が形成され、第２の発熱抵抗体２２２を被覆する絶縁層２１１上には、第２、第４、第５の電極２０５，２０７，２３１が形成されている。第１の電極２０４は、一方側において第２の電極２０５と隣接して形成されるとともに、絶縁されている。第１の電極２０４の他方側には第３の電極２０６が形成されている。第１の電極２０４と第３の電極２０６とは、第１の可溶導体２０８が接続されることにより導通され、短絡素子２０１の電流経路を構成する。また、第１の電極２０４は、絶縁基板２０２の側面に臨む第１の電極端子部２０４ａに接続されている。第１の電極端子部２０４ａは、スルーホールを介して絶縁基板２０２の裏面に設けられた外部端子２１２と接続されている。

　また、第３の電極２０６は、絶縁基板２０２あるいは絶縁層２１１に設けられた第１の発熱体引出電極２２３を介して第１の発熱抵抗体２２１と接続されている。また、第１の発熱抵抗体２２１は、第１の発熱体引出電極２２３を介して、絶縁基板２０２の側縁に臨む第１の抵抗体端子部２２１ａに接続されている。第１の抵抗体端子部２２１ａは、スルーホールを介して、絶縁基板２０２の裏面に設けられた外部端子２１２と接続されている。

　第２の電極２０５（Ａ１）の第１の電極２０４と隣接する一方側と反対の他方側には、第４の電極２０７（Ｐ１）が形成されている。また、第４の電極２０７（Ｐ１）の第２の電極２０５（Ａ１）と隣接する一方側と反対の他方側には、第５の電極２３１（Ａ２）が形成されている。第２の電極２０５（Ａ１）、第４の電極２０７（Ｐ１）及び第５の電極２３１（Ａ２）は、第２の可溶導体２０９と接続されている。また、第２の電極２０５（Ａ１）は、絶縁基板２０２の側面に臨む第２の電極端子部２０５ａに接続されている。第２の電極端子部２０５ａは、スルーホールを介して絶縁基板２０２の裏面に設けられた外部端子２１２と接続されている。

　また、第４の電極２０７（Ｐ１）は、絶縁基板２０２あるいは絶縁層２１１に設けられた第２の発熱体引出電極２２４を介して第２の発熱抵抗体２２２と接続されている。また、第２の発熱抵抗体２２２は、第２の発熱体引出電極２２４を介して、絶縁基板２０２の側縁に臨む第２の抵抗体端子部２２２ａ（Ｐ２）に接続されている。第２の抵抗体端子部２２２ａ（Ｐ２）は、スルーホールを介して、絶縁基板２０２の裏面に設けられた外部端子２１２と接続されている。

　さらに、第５の電極２３１（Ａ２）は、絶縁基板２０２の側面に臨む第５の電極端子部２３１ａに接続されている。第５の電極端子部２３１ａは、スルーホールを介して絶縁基板２０２の裏面に設けられた外部端子２１２と接続されている。

　なお、第１～第５の電極２０４，２０５，２０６，２０７，２３１は、ＣｕやＡｇ等の一般的な電極材料を用いて形成することができるが、少なくとも第１、第２の電極２０４，２０５の表面上には、Ｎｉ／Ａｕメッキ、Ｎｉ／Ｐｄメッキ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキ等の被膜が、公知のメッキ処理により形成されていることが好ましい。これにより、第１、第２の電極２０４，２０５の酸化を防止し、溶融導体を確実に保持させることができる。また、短絡素子２０１をリフロー実装する場合に、第１、第２の可溶導体２０８，２０９を接続するハンダあるいは第１、第２の可溶導体２０８，２０９の外層を形成する低融点金属が溶融することにより第１、第２の電極２０４，２０５を溶食（ハンダ食われ）して切断するのを防ぐことができる。

　［可溶導体］
　第１、第２の可溶導体２０８，２０９は、第１、第２の発熱抵抗体２２１，２２２の発熱により速やかに溶断される低融点金属からなり、例えばＳｎを主成分とするＰｂフリーハンダを好適に用いることができる。

　また、第１、第２の可溶導体２０８，２０９は、低融点金属と高融点金属を含有してもよい。低融点金属としては、Ｐｂフリーハンダなどのハンダを用いることが好ましく、高融点金属としては、Ａｇ、Ｃｕ又はこれらを主成分とする合金などを用いることが好ましい。高融点金属と低融点金属とを含有することによって、短絡素子２０１をリフロー実装する場合に、リフロー温度が低融点金属層の溶融温度を超えて、低融点金属が溶融しても、第１、第２の可溶導体２０８，２０９として溶断するに至らない。かかる第１、第２の可溶導体２０８，２０９は、高融点金属に低融点金属をメッキ技術を用いて成膜することによって形成してもよく、他の周知の積層技術、膜形成技術を用いることによって形成してもよい。なお、第１、第２の可溶導体２０８，２０９は、外層を構成する低融点金属を用いて、第１及び第３の電極２０４，２０６、又は第２、第４及び第５の電極２０５，２０７，２３１へ、ハンダ接続することができる。

　第１、第２の可溶導体２０８，２０９は、内層を低融点金属とし、外層を高融点金属としてもよい。内層の低融点金属層の全表面を外層の高融点金属層で被覆した可溶導体を用いることにより、リフロー温度よりも融点の低い低融点金属を用いた場合でも、リフロー実装時に、内層の低融点金属の外部への流出を抑制することができる。また、溶断時も、内層の低融点金属が溶融することにより、外層の高融点金属を溶食（ハンダ食われ）し、速やかに溶断することができる。

　また、第１、第２の可溶導体２０８，２０９は、内層を高融点金属とし、外層を低融点金属とする被覆構造としてもよい。内層の高融点金属層の全表面を外層の低融点金属層で被覆した可溶導体を用いることにより、外層の低融点金属層を介して電極上に接続することができ、また、溶断時も、低融点金属層が速やかに溶融して高融点金属を溶食するため、速やかに溶断することができる。

　また、第１、第２の可溶導体２０８，２０９は、低融点金属層と、高融点金属層とが積層された積層構造としてもよい。また、低融点金属層と、高融点金属層とが交互に積層された４層以上の多層構造としてもよい。また、第１、第２の可溶導体２０８，２０９は、内層を構成する低融点金属層の表面を高融点金属層にてストライプ状に部分的に積層してもよい。これらの構造によっても、低融点金属による高融点金属の溶食による短時間での溶断を行うことができる。

　また、第１、第２の可溶導体２０８，２０９は、多数の開口部を有する高融点金属と、上記開口部に挿入された低融点金属とから構成してもよい。これにより、溶融する低融点金属層に接する高融点金属層の面積が増大するので、より短時間で低融点金属層が高融点金属層を溶食することができるようになる。したがって、より速やか、かつ確実に可溶導体を溶断させることが可能となる。

　また、第１、第２の可溶導体２０８，２０９は、高融点金属の体積よりも低融点金属の体積を多くすることが好ましい。これにより、第１、第２の可溶導体２０８，２０９は、効果的に高融点金属層の溶食による短時間での溶断を行うことができる。

　なお、第１、第２の可溶導体２０８，２０９の酸化防止、及び第１、第２の可溶導体２０８，２０９の溶融時における濡れ性を向上させるために、第１、第２の可溶導体２０８，２０９の上にはフラックス２１５が塗布されている。

　短絡素子２０１は、絶縁基板２０２がカバー部材２１０に覆われることによりその内部が保護されている。カバー部材２１０は、短絡素子２０１の側面を構成する側壁２１６と、短絡素子２０１の上面を構成する天面部２１７とを有し、側壁２１６が絶縁基板２０２上に接続されることにより、短絡素子２０１の内部を閉塞する蓋体となる。このカバー部材２１０は、上記絶縁基板２０２と同様に、たとえば、熱可塑性プラスチック，セラミックス、ガラスエポキシ基板等の絶縁性を有する部材を用いて形成されている。

　また、カバー部材２１０は、天面部２１７の内面側に、カバー部電極２１８が形成されていても良い。カバー部電極２１８は、第１、第２の電極２０４，２０５と重畳する位置に形成されている。このカバー部電極２１８は、第１、第２の発熱抵抗体２２１，２２２が発熱し、第１、第２の可溶導体２０８，２０９が溶融されると、第１、第２の電極２０４，２０５上に凝集した溶融導体が接触して濡れ広がることにより、溶融導体を保持する許容量を増加させることができる。

　［短絡素子回路］
　以上のような短絡素子２０１は、図３８に示すような回路構成を有する。すなわち、短絡素子２０１は、第１の電極２０４と第２の電極２０５とが、正常時には絶縁され、第１、第２の発熱抵抗体２２１，２２２の発熱により第１、第２の可溶導体２０８，２０９が溶融すると、当該溶融導体を介して短絡するスイッチ２２０を構成する。そして、第１の電極端子部２０４ａと第２の電極端子部２０５ａは、スイッチ２２０の両端子を構成する。

　また、第１の可溶導体２０８は、第３の電極２０６及び第１の発熱体引出電極２２３を介して第１の発熱抵抗体２２１と接続されている。第２の可溶導体２０９は、第４の電極２０７（Ｐ１）及び第２の発熱体引出電極２２４を介して第２の発熱抵抗体２２２及び第２の抵抗体端子部２２２ａ（Ｐ２）と接続されている。すなわち、第２の可溶導体２０９が接続される第２の電極２０５（Ａ１）、第４の電極２０７（Ｐ１）及び第５の電極２３１（Ａ２）は、保護素子として機能する。

　そして、短絡素子２０１は、第２の抵抗体端子部２２２ａ（Ｐ２）より通電されると、図３９に示すように、第２の発熱抵抗体２２２が発熱し、第２の可溶導体２０９を溶融させることにより、第４の電極２０７（Ｐ１）を介して接続されている第２の電極２０５（Ａ１）と第５の電極２３１（Ａ２）とに亘る電流経路を遮断する。また、短絡素子２０１は、第１の抵抗体端子部２２１ａより通電されると、第１の発熱抵抗体２２１が発熱し、第１の可溶導体２０８を溶融させる。これにより、短絡素子２０１は、図４０に示すように、第１の電極２０４と第２の電極２０５とに凝集した第１、第２の可溶導体２０８，２０９の溶融導体が結合することにより、絶縁されていた第１の電極２０４と第２の電極２０５とを短絡させる、すなわちスイッチ２２０を短絡させることができる。

　なお、第１の発熱抵抗体２２１への通電は、第１の可溶導体２０８が溶断することにより第１、第３の電極２０４，２０６間が遮断されるため、停止され、第２の発熱抵抗体２２２への通電は、第２の可溶導体２０９が溶断することにより、第２、第４の電極２０５，２０７間及び第４、第５の電極２０７，２３１間が遮断されるため、停止される。

　［第２の可溶導体の先溶融］
　ここで、短絡素子２０１は、第２の可溶導体２０９が第１の可溶導体２０８よりも先行して溶融することが好ましい。短絡素子２０１は、第１の発熱抵抗体２２１と第２の発熱抵抗体２２２とが、別々に発熱されることから、通電のタイミングとして第２の発熱抵抗体２２２を先に発熱させ、その後に第１の発熱抵抗体２２１を発熱させることで、図３９に示すように、容易に第２の可溶導体２０９を第１の可溶導体２０８よりも先行して溶融させ、図４０に示すように、確実に第１、第２の電極２０４，２０５上に、第１、第２の可溶導体２０８，２０９の溶融導体を凝集、結合させ、第１、第２の電極２０４，２０５を短絡させることができる。

　また、短絡素子２０１は、第２の可溶導体２０９を、第１の可溶導体２０８よりも幅狭に形成することにより、第２の可溶導体２０９を第１の可溶導体２０８よりも先に溶断するようにしてもよい。第２の可溶導体２０９を幅狭に形成することにより、溶断時間を短くすることができるため、第２の可溶導体２０９が第１の可溶導体２０８よりも先行して溶融させることができる。

　［電極面積］
　また、短絡素子２０１は、第１の電極２０４の面積を第３の電極２０６よりも広くし、第２の電極２０５の面積を第４、第５の電極２０７，２３１よりも広くすることが好ましい。溶融導体の保持量は、電極面積に比例して多くなるため、第１、第２の電極２０４，２０５の面積を第３、第４、第５の電極２０６，２０７，２３１よりも広く形成することにより、より多くの溶融導体を第１、第２の電極２０４，２０５上に凝集させることができ、第１、第２の電極２０４，２０５間を確実に短絡させることができる。

　［短絡素子の変形例］
　なお、短絡素子２０１は、必ずしも、第１、第２の発熱抵抗体２２１，２２２を絶縁層２１１によって被覆する必要はなく、図４１に示すように、第１、第２の発熱抵抗体２２１，２２２が絶縁基板２０２の内部に設置されてもよい。絶縁基板２０２の材料として熱伝導性に優れたものを用いることにより、第１、第２の発熱抵抗体２２１，２２２は、ガラス層等の絶縁層２１１を介した場合と同等に加熱することができる。

　また、短絡素子２０１は、図４２に示すように、第１、第２の発熱抵抗体２２１，２２２が絶縁基板２０２の第１～第５の電極２０４，２０５，２０６，２０７，２３１の形成面と反対の裏面に設置されてもよい。第１、第２の発熱抵抗体２２１，２２２を絶縁基板２０２の裏面に形成することにより、絶縁基板２０２内に形成するよりも簡易な工程で形成することができる。なお、この場合、第１、第２の発熱抵抗体２２１，２２２上には、絶縁層２１１が形成されると抵抗体の保護や実装時の絶縁性確保と言う意味で好ましい。

　さらに、短絡素子２０１は、図４３に示すように、第１、第２の発熱抵抗体２２１，２２２が絶縁基板２の第１～第５の電極２０４，２０５，２０６，２０７，２３１の形成面上に設置されてもよい。第１、第２の発熱抵抗体２２１，２２２を絶縁基板２０２の表面に形成することにより、絶縁基板２０２内に形成するよりも簡易な工程で形成することができる。なお、この場合も、第１、第２の発熱抵抗体２２１，２２２上には、絶縁層２１１が形成される事が望ましい。

　また、第１の電極２０４又は第２の電極２０５のいずれか一方に接続される保護抵抗を備える構成としてもよい。ここで、保護抵抗は、短絡素子に接続する電子部品の内部抵抗相当の抵抗値とし、第１又は第２の発熱抵抗体２２１，２２２の抵抗値よりも小さくする。すなわち、電子部品が正常に作動している場合、電流は短絡素子側へは流れず電子部品側に流れる。

　また、本発明が適用された短絡素子は、絶縁基板２０２の裏面に第１、第２の電極２０４，２０５とスルーホールを介して連続する外部端子２１２を設ける以外にも、図４４（Ａ）（Ｂ）に示す短絡素子２３３のように、絶縁基板２０２の第１、第２の電極２０４，２０５が形成された表面に、第１の電極２０４と連続する第１の外部接続電極２３４、第１の外部接続電極２３４上に設けられた１個もしくは複数個からなる第１の外部接続端子２３５、第２の電極２０５と連続する第２の外部接続電極２３６、第２の外部接続電極２３６上に設けられた１個もしくは複数個からなる第２の外部接続端子２３７を形成するようにしてもよい。

　第１、第２の外部接続電極２３４，２３６は、短絡素子２３３と短絡素子２３３が組み込まれる電子機器の回路とを接続する電極であり、第１の外部接続電極２３４は第１の電極２０４と連続され、第２の外部接続電極２３６は第２の電極２０５と連続されている。

　第１、第２の外部接続電極２３４，２３６は、ＣｕやＡｇ等の一般的な電極材料を用いて形成され、絶縁基板２０２の第１、第２の電極２０４，２０５の形成面と同一面に形成されている。すなわち、図４４に示す短絡素子２３３は、第１、第２の可溶導体２０８，２０９が設けられる表面が実装面となる。なお、第１、第２の外部接続電極２３４，２３６は、第１、第２の電極２０４，２０５と同時に形成することができる。

　第１の外部接続電極２３４上には、第１の外部接続端子２３５が設けられている。同様に、第２の外部接続電極２３６上には、第２の外部接続端子２３７が設けられている。これら第１、第２の外部接続端子２３５，２３７は、電子機器へ実装するための接続端子であり、例えば金属バンプや、金属ポストを用いて形成されている。また、第１、第２の外部接続端子２３５，２３７は、図４４（Ａ）に示すように、絶縁基板２０２上に設けられたカバー部材２１０よりも突出する高さを有し、短絡素子２３３の実装対象物となる基板側に実装可能とされている。

　なお、短絡素子２３３の第１の発熱抵抗体２２１は、第１の発熱体引出電極２２３、及び第１の抵抗体端子部２２１ａを介して、第１の抵抗体接続端子２２１ｂが形成されている。また、短絡素子２３３の第２の発熱抵抗体２２２は、第２の発熱体引出電極２２４、及び第２の抵抗体端子部２２２ａを介して、第２の抵抗体接続端子２２２ｂが形成されている。また、第５の電極２３１は、第５の電極端子部２３１ａ上に第３の外部接続端子２３１ｂが形成されている。第１、第２の抵抗体接続端子２２１ｂ，２２２ｂ及び第３の外部接続端子２３１ｂは、第１、第２の外部接続端子２３５，２３７と同様に、金属バンプや金属ポストを用いて形成され、絶縁層２１１を介して上方に突出されている。

　このように、短絡素子２３３は、上記短絡素子２０１のように絶縁基板２０２の裏面に外部端子２１２を設けて第１、第２の電極２０４，２０５と当該外部端子２１２とをスルーホールによって接続するものではなく、第１、第２の電極２０４，２０５と同一表面に、第１、第２の外部接続電極２３４，２３６を介して第１、第２の外部接続端子２３５，２３７を形成している。そして、図４４（Ｂ）に示すように、短絡素子２３３は、第１の電極２０４と第２の電極２０５とが短絡したときの、第１、第２の外部接続電極２３４，２３６間の導通抵抗よりも、第１の外部接続端子２３５と第２の外部接続端子２３７との合成抵抗が低く構成されている。

　これにより、短絡素子２３３は、第１、第２の電極２０４，２０５が短絡しバイパス電流経路を構成した際における定格を向上させ、大電流に対応することができる。すなわち、ＨＥＶやＥＶ等の動力源として使用されるリチウムイオン二次電池等の大電流用途においては、短絡素子の定格のさらなる向上が求められている。そして、可溶導体によって短絡された第１、第２の外部接続電極２３４，２３６間の導通抵抗は定格向上に応えることができる程度に十分下げることができる（例えば０．４ｍΩ未満）。

　しかし、絶縁基板２０２の裏面に外部端子２１２を設け、第１、第２の電極２０４，２０５と当該外部端子２１２とをスルーホールによって接続する短絡素子２０１においては、第１、第２の電極２０４，２０５と外部端子２１２との間の導通抵抗が高く（例えば０．５～１．０ｍΩ）、スルーホール内に導体を充填したとしても、短絡素子全体の導通抵抗を下げるには限界がある。

　また、高抵抗の第１、第２の電極２０４，２０５と外部端子２１２との間に大電流を流すことによる発熱で、バイパス電流経路の破壊や、他の周辺機器への熱影響も懸念される。

　この点、短絡素子２３３は、第１、第２の電極２０４，２０５と同一表面に外部接続端子２３５，２３７を設けている。この外部接続端子２３５，２３７は、外部接続電極２３４，２３６上に設けるものであり、形状やサイズ等の自由度が高く、導通抵抗の低い端子を容易に設けることができる。これにより、短絡素子２３３は、第１の電極２０４と第２の電極２０５とが短絡したときの、第１、第２の外部接続電極２３４，２３６間の導通抵抗よりも、第１の外部接続端子２３５と第２の外部接続端子２３７との合成抵抗が低く構成されている。

　したがって、短絡素子２３３によれば、短絡素子２０１の構成おいては高くなる第１、第２の外部接続電極２３４，２３６から先の導通抵抗を容易に下げることができ、定格の飛躍的な向上を図ることができる。

　第１、第２の外部接続端子２３２，２３４としては、例えば、Ｓｎを主成分とするＰｂフリーハンダからなる金属バンプや金属ポストを用いて構成することができる。金属バンプや金属ポストの形状は問わない。第１、第２の外部接続端子２３５，２３７の抵抗値は材料や形状、サイズから求めることができる。一例として、Ｃｕコアの表面にハンダをコーティングした直方体の金属ポスト（Ｃｕコア：０．６ｍｍ×０．６ｍｍ、断面積０．３６ｍｍ２、高さ１ｍｍ、比抵抗１７．２μΩ・ｍｍ）を用いた場合、その１端子のＣｕコア部抵抗値は約０．０４８ｍΩであり、ハンダコーティング分を考慮すると第１、第２の外部接続端子２３５，２３７を直列接続させた抵抗値が０．０９６ｍΩ未満と低く、短絡素子２３３全体の定格を向上できることがわかる。

　なお、短絡素子２３３は、短絡時における第１、第２の外部接続端子２３５，２３７間に亘る抵抗値より素子全体の全抵抗値を求め、この全抵抗値と既知である第１、第２の外部接続端子２３５，２３７の合成抵抗との差より、短絡時における第１、第２の外部接続電極２３４，２３６間の導通抵抗を求めることができる。また、短絡素子２３３は、短絡時における第１、第２の外部接続電極２３４，２３６間の抵抗を測定し、短絡時における素子全体の全抵抗値との差より、第１、第２の外部接続端子２３５，２３７の合成抵抗を求めることができる。

　また、図４５に示すように、短絡素子２３３は、第１、第２の外部接続電極２３４，２３６を矩形状に形成する等により広く設け、第１、第２の外部接続端子２３５，２３７を複数設けることにより導通抵抗を下げるようにしてもよい。その他にも、短絡素子２３３は、広く設けた第１、第２の外部接続電極２３４，２３６に大径の第１、第２の外部接続端子２３５，２３７を設けることにより導通抵抗を下げるようにしてもよい。

　また、第１、第２の外部接続端子２３５，２３７は、コアとなる高融点金属２３５ａ，２３７ａの表面に低融点金属層２３５ｂ，２３７ｂを設けることにより形成してもよい。低融点金属層２３５ｂ，２３７ｂを構成する金属としては、Ｓｎを主成分とするＰｂフリーハンダなどのハンダを好適に用いることができ、高融点金属２３５ａ，２３７ａとしては、ＣｕやＡｇを主成分とする合金などを好適に用いることができる。

　高融点金属２３５ａ，２３７ａの表面に低融点金属層２３５ｂ，２３７ｂを設けることにより、短絡素子２３３をリフロー実装する場合に、リフロー温度が低融点金属層２３５ｂ，２３７ｂの溶融温度を超えて、低融点金属が溶融しても、第１、第２の外部接続端子２３５，２３７として溶融することを防止することができる。また、第１、第２の外部接続端子２３５，２３７は、外層を構成する低融点金属を用いて、第１、第２の外部接続電極２３４，２３６へ接続することができる。

　第１、第２の外部接続端子２３５，２３７は、高融点金属２３５ａ，２３７ａに低融点金属をメッキ技術を用いて成膜することにより形成することができ、またその他の周知の積層技術、膜形成技術を用いることによっても形成することができる。

　なお、第１、第２の外部接続端子２３５，２３７は、金属バンプや金属ポストを用いて形成する他にも、導電メッキ層や、導電ペーストを塗布することにより形成された導電層により形成してもよい。

　また、第１、第２の外部接続端子２３５，２３７は、短絡素子２３３が実装される基板等の実装対象物側に予め設け、短絡素子が実装された実装体において、第１、第２の外部接続電極２３４，２３６、あるいは第１、第２の電極２０４，２０５と接続されるようにしてもよい。

　［バッテリパックの回路構成］
　次いで、短絡素子２０１を組み込んだ電子機器の回路構成について説明する。図４６は、クルマや電動工具等の各種電子機器に搭載されて用いられるリチウムイオンバッテリーが内蔵されたバッテリパック２４０の回路構成を示す図である。図４６（Ａ）に示すように、バッテリパック２４０は、バッテリセル２４１と、短絡素子２０１と、短絡素子２０１の動作を制御する第１、第２の電流制御素子２６１，２６２と、保護抵抗２５４とで構成されるバッテリユニット２６３を複数備え、これら複数のバッテリユニット２６３が直列に接続されている。

　その他に、バッテリパック２４０は、バッテリユニット２６３と、バッテリユニット２６３の充放電を制御する充放電制御回路２５５と、各バッテリユニット２６３のバッテリセル２４１の電圧を検出するとともに、短絡素子２０１の動作を制御する第１、第２の電流制御素子２６１，２６２に異常信号を出力する検出回路２５６とを備える。充放電制御回路２５５は、バッテリユニット２６３から充電装置に流れる電流経路に直列接続された第３、第４の電流制御素子２５７，２５８と、これらの電流制御素子２５７，２５８の動作を制御する制御部２５９とを備える。

　各バッテリユニット２６３は、短絡素子２０１の第２の電極２０５（Ａ１）の第２の電極端子部２０５ａがバッテリパック２４０の充放電電流経路と接続され、第５の電極２３１（Ａ２）の第５の電極端子部２３１ａがバッテリセル４１に接続されることにより、短絡素子２０１がバッテリセル２４１と直列に接続されている。また、バッテリユニット２６３は、第２の発熱抵抗体２２２が第２の抵抗体端子部２２２ａ（Ｐ２）を介して第１の電流制御素子２６１に接続されている。

　また、バッテリユニット２６３は、第１の電極２０４の第１の電極端子部２０４ａが保護抵抗２５４を介してバッテリセル２４１の開放端と接続されることにより、スイッチ２２０がバッテリセル２４１の充放電電流経路からバイパスされている。また、バッテリユニット２６３は、第１の発熱抵抗体２２１が第１の抵抗体端子部２２１ａを介して第２の電流制御素子２６２に接続されている。

　検出回路２５６は、各バッテリセル２４１と接続され、各バッテリセル２４１の電圧値を検出して、バッテリセル２４１が過充電電圧又は過放電電圧になったときに、当該バッテリセル２４１を有するバッテリユニット２６３の第１、第２の電流制御素子２６１，２６２へ異常信号を出力する。

　第１、第２の電流制御素子２６１，２６２は、たとえばＦＥＴにより構成され、検出回路２５６から出力される検出信号によって、バッテリセル２４１の電圧値が所定の過放電又は過充電状態を超える電圧になったとき、短絡素子２０１を動作させて、バッテリユニット２６３の充放電電流経路を第３、第４の電流制御素子２５７，２５８のスイッチ動作によらず遮断するとともに、短絡素子２０１のスイッチ２２０を短絡させ、当該バッテリユニット２６３をバイパスするバイパス電流経路を形成するように制御する。

　このようなバッテリパック２４０は、正常時には、図４６（Ａ）に示すように、短絡素子２０１のスイッチ２２０が短絡されていないため、電流は第２の可溶導体２０９を介してバッテリセル２４１側に流れる。

　バッテリセル２４１に電圧異常等が検知されると、検出回路２５６より第１の電流制御素子２６１に異常信号が出力され、短絡素子２０１の第２の発熱抵抗体２２２が発熱される。図４６（Ｂ）に示すように、短絡素子２０１は、第２の発熱抵抗体２２２によって、第２の可溶導体２０９を加熱、溶融させることにより、第２の電極２０５（Ａ１）と第４の電極２０７（Ｐ１）との間、及び第４の電極２０７（Ｐ１）と第５の電極２３１（Ａ２）との間を遮断する。これにより、図４６（Ｂ）に示すように、異常なバッテリセル２４１を有する当該バッテリユニット２６３を、バッテリパック２４０の充放電電流経路上から遮断することができる。なお、第２の可溶導体２０９が溶断することにより、第２の発熱抵抗体２２２への給電は停止される。

　次いで、バッテリパック２４０は、検出回路２５６により第１の電流制御素子２６１に少し遅れて当該バッテリユニット２６３の第２の電流制御素子２６２にも異常信号が出力され、短絡素子２０１の第１の発熱抵抗体２２１も発熱する。短絡素子２０１は、第１の発熱抵抗体２２１によって第１の可溶導体２０８を加熱、溶融させることにより、第１の電極２０４と第２の電極２０５とに凝集した第１、第２の可溶導体２０８，２０９の溶融導体が結合する。これにより、絶縁されていた第１の電極２０４と第２の電極２０５とが短絡され、スイッチ２２０の第１の電極端子部２０４ａ及び第２の電極端子部２０５ａが短絡される。これにより、短絡素子２０１は、図４６（Ｃ）に示すように、当該バッテリユニット２６３をバイパスするバイパス電流経路を形成することができる。なお、第１の可溶導体２０８が溶断することにより、第１の発熱抵抗体２２１への給電は停止される。

　なお、保護抵抗２５４は、バッテリセル２４１の内部抵抗とほぼ同じ抵抗値を有することにより、バイパス電流経路上においても、正常時と同じ容量とすることができる。

　このようなバッテリパック２４０によれば、一つのバッテリユニット２６３に異常が起きた場合にも、当該バッテリユニット２６３を迂回するバイパス電流経路を形成することができ、残りの正常なバッテリユニット２６３によって充放電機能を維持することができる。

　［短絡素子（保護抵抗内蔵）］
　また、短絡素子は、予め保護抵抗を内蔵させて形成してもよい。図４７は、絶縁基板２０２上に保護抵抗２７１が形成された短絡素子２７０の平面図である。短絡素子２７０は、上述した短絡素子２０１の構成に加え、第１の電極２０４と接続された保護抵抗２７１が形成され、この保護抵抗２７１を介して第１の電極端子部２０４ａが形成されている。保護抵抗２７１は、上述した第１、第２の発熱抵抗体２２１，２２２と同じ材料を用いて、同一のプロセスで同時に形成することができる。

　このように電子機器やバッテリパックにおける内部抵抗が決まっているような場合、予め保護抵抗２７１を内蔵した短絡素子２７０を用いることにより、実装等の工程を省力化することができる。

　図４８は、短絡素子２７０の回路構成を示す図である。短絡素子２７０の回路構成は、スイッチ２２０が短絡することにより、第１の電極端子部２０４ａと第２の電極端子部２０５ａとが、保護抵抗２７１を介して接続される。すなわち、短絡素子２７０の回路構成は、第１の可溶導体（ヒューズ）２０８と、第１の可溶導体２０８の一端に接続された第１の発熱抵抗体２２１と、第１の可溶導体２０８の第１の発熱抵抗体２２１が接続されていない他端に接続されたスイッチ２２０と、スイッチ２２０の端子の少なくとも一方の端子に接続された保護抵抗２７１とを備え、スイッチ２２０が、第１の可溶導体２０８の溶断に連動して短絡するものである。

　なお、短絡素子２７０においても、絶縁基板２０２の裏面に外部端子２１２を設けて第１の電極端子部２０４ａ及び第２の電極端子部２０５ａと当該外部端子２１２とをスルーホールによって接続する以外にも、上述した短絡素子２３３と同様に、絶縁基板２０２の第１、第２の電極２０４，２０５が形成された表面に、保護抵抗２７１を介して第１の電極２０４と連続する第１の外部接続電極２３４、第１の外部接続端子２３５、第２の電極２０５と連続する第２の外部接続電極２３６、及び第２の外部接続端子２３７を形成するようにしてもよい。

　［バッテリパックの回路構成（保護抵抗内蔵）］
　図４９は、短絡素子２７０を組み込んだバッテリパック２８０の回路構成を示す図である。バッテリパック２８０は、短絡素子２０１に代えて短絡素子２７０を用いた点を除いて、上述したバッテリパック２４０と同じ構成を有する。すなわち、バッテリパック２８０は、バッテリセル２４１と、短絡素子２７０と、短絡素子２７０の動作を制御する第１、第２の電流制御素子２６１，２６２とで構成されるバッテリユニット２７３を複数備え、これら複数のバッテリユニット２７３が直列に接続されている。バッテリパック２８０において、各バッテリユニットに設けられた短絡素子２７０の保護抵抗２７１は、当該バッテリユニット２７３のバッテリセル２４１の内部抵抗とほぼ同じ抵抗値を有する。

　このようなバッテリパック２８０によれば、一つのバッテリユニット２７３に異常が起きた場合にも、当該バッテリユニット２７３を迂回するバイパス電流経路を形成することができ、残りの正常なバッテリユニット２７３によって充放電機能を維持することができる。このとき、バッテリパック２８０は、保護抵抗２７１が、バッテリセル２４１の内部抵抗とほぼ同じ抵抗値を有することにより、バイパス電流経路上においても、正常時と同じ電流容量とすることができる。

１　短絡素子、２　絶縁基板、３　発熱抵抗体、３ａ　抵抗体端子部、３ｂ　抵抗体接続端子、４　第１の電極、４ａ　第１の電極端子部、５　第２の電極、５ａ　第２の電極端子部、６　第３の電極、７　第４の電極、８　第１の可溶導体、９　第２の可溶導体、１０　カバー部材、１１　絶縁層、１２　外部端子、１３　発熱体引出電極、１５　フラックス、１８　カバー部電極、２０　スイッチ、２１　第１の外部接続電極、２２　第１の外部接続端子、２３　第２の外部接続電極、２４　第２の外部接続端子、２５　短絡素子、３０　ＬＥＤ照明装置、３１　発光ダイオード、３２　ＬＥＤユニット、３４　保護抵抗、４０　バッテリパック、４１　バッテリセル、４２　保護素子、４４　絶縁基板、４５　絶縁部材、４６　発熱抵抗体、４７　電極、４８　発熱体引出電極、４９　可溶導体、５０　発熱体電極、５１　バッテリユニット、５２　第１の電流制御素子、５３　第２の電流制御素子、５４　保護抵抗、５５　充放電制御回路、５６　検出回路、５７　第３の電流制御素子、５８　第４の電流制御素子、５９　制御部、６０　短絡素子、６１　保護抵抗、６２　ＬＥＤ照明装置、６５　バッテリパック、１０１　短絡素子、１０２　絶縁基板、１０４　第１の電極、１０４ａ　第１の電極端子部、１０５　第２の電極、１０５ａ　第２の電極端子部、１０６　第３の電極、１０７　第４の電極、１０８　第１の可溶導体、１０９　第２の可溶導体、１１０　カバー部材、１１１　絶縁層、１１２　外部端子、１１５　フラックス、１１８　カバー部電極、１２０　スイッチ、１２１　第１の発熱抵抗体、１２１ａ　第１の抵抗体端子部、１２１ｂ　第１の抵抗体接続端子、１２２　第２の発熱抵抗体、１２２ａ　第２の抵抗体端子部、１２２ｂ　第２の抵抗体接続端子、１２３　第１の発熱体引出電極、１２４　第１の発熱体引出電極、１３０　短絡素子、１３１　第１の外部接続電極、１３２　第１の外部接続端子、１３３　第２の外部接続電極、１３４　第２の外部接続端子、１４０　バッテリパック、１４１　バッテリセル、１４２　保護素子、１４４　絶縁基板、１４５　絶縁部材、１４６　発熱抵抗体、１４７　電極、１４８　発熱体引出電極、１４９　可溶導体、１５０　発熱体電極、１５４　保護抵抗、１５５　充放電制御回路、１５６　検出回路、１５７　第３の電流制御素子、１５８　第４の電流制御素子、１５９　制御部、１６０　短絡素子、１６１　保護抵抗、１７０　バッテリパック、１８１　第１の電流制御素子、１８２　第２の電流制御素子、１８３　第３の電流制御素子、１８４　バッテリユニット、１９０　バッテリパック、１９１　第１の電流制御素子、１９２　第２の電流制御素子、２０１　短絡素子、２０２　絶縁基板、２０４　第１の電極、２０４ａ　第１の電極端子部、２０５　第２の電極、２０５ａ　第２の電極端子部、２０６　第３の電極、２０７　第４の電極、２０８　第１の可溶導体、２０９　第２の可溶導体、２１０　カバー部材、２１１　絶縁層、２１２　外部端子、２１５　フラックス、２１８　カバー部電極、２２０　スイッチ、２２１　第１の発熱抵抗体、２２１ａ　第１の抵抗体端子部、２２１ｂ　第１の抵抗体接続端子、２２２　第２の発熱抵抗体、２２２ａ　第２の抵抗体端子部、２２２ｂ　第２の抵抗体接続端子、２２３　第１の発熱体引出電極、２２４　第２の発熱体引出電極、２３１　第５の電極、２３１ａ　第５の電極端子部、２３１ｂ　第３の外部接続端子、２３３　短絡素子、２３４　第１の外部接続電極、２３５　第１の外部接続端子、２３６　第２の外部接続電極、２３７　第２の外部接続端子、２４０　バッテリパック、２４１　バッテリセル、２５４　保護抵抗、２５５　充放電制御回路、２５６　検出回路、２５７　第３の電流制御素子、２５８　第４の電流制御素子、２５９　制御部、２６１　第１の電流制御素子、２６２　第２の電流制御素子、２６３　バッテリユニット、２７０　短絡素子、２７１　保護抵抗、２７３　バッテリユニット、２８０　バッテリパック

Claims

　絶縁基板と、
　上記絶縁基板に設けられた発熱抵抗体と、
　上記絶縁基板に、互いに隣接して設けられた第１、第２の電極と、
　上記絶縁基板に、上記第１の電極と隣接して設けられるとともに、上記発熱抵抗体に電気的に接続された第３の電極と、
　上記第１、第３の電極間に亘って設けられることにより電流経路を構成し、上記発熱抵抗体からの加熱により、上記第１、第３の電極間の上記電流経路を溶断する第１の可溶導体とを備え、
　上記発熱抵抗体からの加熱により溶融し、上記第１、第２の電極上に凝集した上記第１の可溶導体によって、上記第１の電極と上記第２の電極とが短絡することを特徴とする短絡素子。
　上記第２の電極に設けられた第２の可溶導体を備え、
　上記発熱抵抗体からの加熱により溶融し、上記第１、第２の電極上に凝集した上記第１、第２の可溶導体によって、上記第１の電極と上記第２の電極とが短絡することを特徴とする請求項１記載の短絡素子。
　上記絶縁基板に、上記第２の電極と隣接して設けられた第４の電極と、
　上記第２、第４の電極間に亘って設けられ、上記発熱抵抗体からの加熱により、上記第２、第４の電極間の上記電流経路を溶断する第２の可溶導体とを有し、
　上記発熱抵抗体からの加熱により溶融し、上記第１、第２の電極上に凝集した上記第１、第２の可溶導体によって、上記第１の電極と上記第２の電極とが短絡することを特徴とする請求項１記載の短絡素子。
　上記絶縁基板上に積層された絶縁層を備え、
　上記第１～第３の電極が、上記絶縁層上に設置され、
　上記発熱抵抗体が、上記絶縁層の内部もしくは上記絶縁層と上記絶縁基板の間に設置されている請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記発熱抵抗体が、前記絶縁基板の内部に設置されてなる請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記発熱抵抗体が、前記絶縁基板の電極形成面と反対の面に設置されてなる請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記発熱抵抗体が、前記絶縁基板の電極形成面上に設置されてなる請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記第２の電極に設けられた第２の可溶導体を備え、
　上記発熱抵抗体が、上記第１の可溶導体及び上記第２の可溶導体に重畳され、上記第２の可溶導体との重畳面積が、上記第１の可溶導体との重畳面積よりも広い請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記第２の可溶導体の幅が、上記第１の可溶導体よりも狭い請求項２又は請求項３のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記第１の電極及び上記第２の電極の表面に、Ｎｉ／Ａｕメッキ、Ｎｉ／Ｐｄメッキ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキの何れか１つが被覆されている請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記絶縁基板に、上記第２の電極と隣接して設けられた第４の電極と、
　上記第２、第４の電極間に亘って設けられ、上記発熱抵抗体からの加熱により、上記第２、第４の電極間の上記電流経路を溶断する第２の可溶導体とを有し、
　上記第１の電極の面積が、上記第３の電極よりも広く、上記第２の電極の面積が、上記第４の電極よりも広い請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記絶縁基板上に設けられた内部を保護するカバー部材と、
　上記カバー部材の内面に設けられるカバー部電極とを備え、
　上記カバー部電極が、上記第１の電極及び上記第２の電極と重畳する位置に設置されてなる請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記絶縁基板上に、上記第１の電極又は上記第２の電極のいずれか一方に接続される保護抵抗を備える請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記第２の電極に設けられた第２の可溶導体を備え、
　上記第１及び第２の可溶導体が、Ｓｎを主成分とするＰｂフリーハンダである請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記第２の電極に設けられた第２の可溶導体を備え、
　上記第１及び第２の可溶導体が、低融点金属と高融点金属とを含有し、
　上記低融点金属が、上記発熱抵抗体から発する熱により溶融することで、上記高融点金属を溶食する請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記低融点金属が、ハンダであり、
　上記高融点金属が、Ａｇ、Ｃｕ、又はＡｇ若しくはＣｕを主成分とする合金である請求項１５記載の短絡素子。
　上記第１及び第２の可溶導体は、内層が上記低融点金属であり、外層が上記高融点金属の被覆構造である請求項１５記載の短絡素子。
　上記第１及び第２の可溶導体は、内層が上記高融点金属であり、外層が上記低融点金属の被覆構造である請求項１５記載の短絡素子。
　上記第１及び第２の可溶導体が、上記低融点金属と、上記高融点金属とが積層された積層構造である請求項１５記載の短絡素子。
　上記第１及び第２の可溶導体が、上記低融点金属と、上記高融点金属とが交互に積層された４層以上の多層構造である請求項１５記載の短絡素子。
　上記第１及び第２の可溶導体が、内層を構成する低融点金属の表面を高融点金属にてストライプ状に部分的に積層する請求項１５記載の短絡素子。
　上記第１及び第２の可溶導体が、多数の開口部を有する高融点金属と、上記開口部に挿入された低融点金属とからなる請求項１５記載の短絡素子。
　上記第１及び第２の可溶導体は、低融点金属の体積が、高融点金属の体積よりも多い請求項１５記載の短絡素子。
　ヒューズと、
　上記ヒューズの一端に接続された発熱抵抗体と、
　上記ヒューズの上記発熱抵抗体が接続されていない他端に接続されたスイッチとを備え、
　上記スイッチが、上記ヒューズの溶断に連動して短絡する短絡素子回路。
　ヒューズと、上記ヒューズの一端に接続された発熱抵抗体と、上記ヒューズの上記発熱抵抗体が接続されていない他端に接続されたスイッチとを有し、上記スイッチは、上記ヒューズの溶断に連動して短絡する短絡素子と、
　電子部品とを備え、
　上記スイッチが、両端子が上記電子部品と並列に接続され、
　上記発熱抵抗体の開放端子が、上記スイッチ端子のうち上記ヒューズが接続されていない端子に接続され、
　上記電子部品の異常時には、上記ヒューズが溶融することにより上記スイッチが短絡され、上記電子部品を迂回するバイパス電流経路が形成される補償回路。
　上記電子部品が、異常時に電気的開放を伴う発光ダイオードである請求項２５記載の補償回路。
　上記バイパス電流経路上に、上記電子部品の内部抵抗相当の保護抵抗が接続されている請求項２５又は請求項２６に記載の補償回路。
　ヒューズと、上記ヒューズの一端に接続された発熱抵抗体と、上記ヒューズの上記発熱抵抗体が接続されていない他端に接続されたスイッチとを有し、上記スイッチは、上記ヒューズの溶断に連動して短絡する短絡素子と、
　電子部品と、
　上記電子部品の電流経路上に接続され、上記電子部品の異常時に該電子部品への通電を電気信号で遮断する保護素子と、
　上記電子部品の異常を検知し、異常信号を出力する保護部品と、
　上記保護部品の異常信号を受けて動作する制御素子とを備え、
　上記電子部品及び上記保護素子の両端と、上記スイッチの両端子とを並列に接続し、
　上記発熱抵抗体の開放端子と上記保護素子の上記電気信号の入力端子を、上記制御素子に接続し、
　上記電子部品の異常時には、上記保護部品からの異常信号を受けて上記制御素子が動作し、上記保護素子による上記電子部品の電流経路の遮断と、上記ヒューズの溶断に連動した上記スイッチの短絡を行い、バイパス電流経路が形成される補償回路。
　上記電子部品は、異常時に電気的短絡又は熱暴走を伴うバッテリセルである請求項２８記載の補償回路。
　上記バイパス電流経路上に、上記電子部品の内部抵抗相当の保護抵抗が接続されている請求項２８に記載の補償回路。
　上記制御素子は、上記発熱抵抗体の開放端子に接続された第１の制御素子と、上記保護素子の電気信号の入力端子に接続された第２の制御素子とを備え、
　上記保護部品及び上記第１、第２の制御素子を制御することにより、上記保護素子による電流経路の遮断を行い、その後、上記短絡素子によるバイパス電流経路を形成する請求項２８又は請求項３０のいずれか１項に記載の補償回路。
　ヒューズと、
　上記ヒューズの一端に接続された発熱抵抗体と、
　上記ヒューズの上記発熱抵抗体が接続されていない他端に接続されたスイッチと、
　上記スイッチの端子の少なくとも一方の端子に接続された保護抵抗とを備え、
　上記スイッチは、上記ヒューズの溶断に連動して短絡する短絡素子回路。
　ヒューズと、上記ヒューズの一端に接続された発熱抵抗体と、上記ヒューズの上記発熱抵抗体が接続されていない他端に接続されたスイッチと、上記スイッチの端子のうち、上記ヒューズが接続されていない端子に接続された保護抵抗とを有し、上記スイッチは、上記ヒューズの溶断に連動して短絡する短絡素子と、
　電子部品とを備え、
　上記スイッチと上記ヒューズが接続された端子及び上記保護抵抗の開放端子と、上記電子部品とを、並列に接続し、
　上記発熱抵抗体は、上記保護抵抗と接続し、
　上記電子部品の異常時には、上記ヒューズが溶融することにより上記スイッチがオンとなり、バイパス電流経路が形成される補償回路。
　上記電子部品は、異常時に電気的開放を伴う発光ダイオードである請求項３３記載の補償回路。
　ヒューズと、上記ヒューズの一端に接続された発熱抵抗体と、上記ヒューズの上記発熱抵抗体が接続されていない他端に接続されたスイッチと、上記スイッチの端子のうち、上記ヒューズが接続されていない端子に接続された保護抵抗とを有し、上記スイッチは、上記ヒューズの溶断に連動して短絡する短絡素子と、
　電子部品と、
　上記電子部品の電流経路上に接続され、上記電子部品の異常時に該電子部品への通電を電気信号で遮断する保護素子と、
　上記電子部品の異常を検知し、異常信号を出力する保護部品と、
　上記保護部品の異常信号を受けて動作する制御素子とを備え、
　上記電子部品及び上記保護素子の両端と、上記スイッチの上記ヒューズとの接続端子及び上記保護抵抗とを並列に接続し、
　上記発熱抵抗体の開放端子と上記保護素子の上記電気信号の入力端子を、上記制御素子に接続し、
　上記電子部品の異常時には、上記保護部品からの異常信号を受けて上記制御素子が動作し、上記保護素子による上記電子部品の電流経路の遮断と、上記ヒューズの溶断に連動した上記スイッチの短絡を行い、バイパス電流経路が形成される補償回路。
　上記電子部品は、異常時に電気的短絡又は熱暴走を伴うバッテリセルである請求項３５記載の補償回路。
　上記制御素子は、上記発熱抵抗体の開放端子に接続された第１の制御素子と、上記保護素子の電気信号の入力端子に接続された第２の制御素子とを備え、
　上記保護部品及び上記第１、第２の制御素子を制御することにより、上記保護素子による電流経路の遮断を行い、その後、上記短絡素子によるバイパス電流経路を形成する請求項３５又は請求項３６に記載の補償回路。
　上記絶縁基板には、上記可溶導体が設けられた面と同一面に、上記第１の電極と連続する第１の外部接続電極と、上記第１の外部接続電極上に設けられる１又は複数の第１の外部接続端子と、上記第２の電極と連続する第２の外部接続電極と、上記第２の外部接続電極上に設けられる１又は複数の第２の外部接続端子が形成され、
　上記第１の電極と上記第２の電極とが短絡したときの、上記第１、第２の外部接続電極間の導通抵抗よりも、上記第１の外部接続端子と上記第２の外部接続端子との合成抵抗が低い請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記外部接続端子が、金属バンプ又は金属ポストである請求項３８記載の短絡素子。
　上記金属バンプ又は金属ポストは、高融点金属の表面に低融点金属層が形成されている請求項３９記載の短絡素子。
　上記高融点金属は銅又は銀を主成分とし、上記低融点金属は錫を主成分とする鉛フリー半田である請求項４０記載の短絡素子。
　上記外部接続端子が、錫を主成分とする鉛フリー半田からなる金属バンプである請求項３８記載の短絡素子。
　短絡素子が実装対象物に実装された実装体において、
　上記短絡素子は、
　絶縁基板と、
　上記絶縁基板に設けられた発熱抵抗体と、
　上記絶縁基板に、互いに隣接して設けられた第１、第２の電極と、
　上記絶縁基板に、上記第１の電極と隣接して設けられるとともに、上記発熱抵抗体に電気的に接続された第３の電極と、
　上記第１、第３の電極間に亘って設けられることにより電流経路を構成し、上記発熱抵抗体からの加熱により、上記第１、第３の電極間の上記電流経路を溶断する第１の可溶導体と、
　上記絶縁基板の上記第１、第２の電極が形成された面と同一表面に形成され、上記第１の電極と連続する第１の外部接続電極及び上記第２の電極と連続する第２の外部接続電極とを備え、
　上記第１の電極が上記第１の外部接続電極上に接続された第１の外部接続端子を介して上記実装対象物と接続され、上記第２の電極が上記第２の外部接続電極上に接続された第２の外部接続端子を介して上記実装対象物と接続され、
　上記発熱抵抗体からの加熱により溶融し、上記第１、第２の電極上に凝集した上記第１の可溶導体によって、上記第１の電極と上記第２の電極とが短絡したときの、上記第１、第２の外部接続電極間の導通抵抗よりも、上記第１の外部接続端子と上記第２の外部接続端子との合成抵抗が低いことを特徴とする実装体。
　絶縁基板と、
　上記絶縁基板に形成された第１及び第２の発熱抵抗体と、
　上記絶縁基板に、互いに隣接して設けられた第１、第２の電極と、
　上記絶縁基板に、上記第１の電極と隣接して設けられるとともに、上記第１の発熱抵抗体に電気的に接続された第３の電極と、
　上記絶縁基板に、上記第２の電極と隣接して設けられるとともに、上記第２の発熱抵抗体に電気的に接続された第４の電極と、
　上記第１、第３の電極間に亘って設けられることにより電流経路を構成し、上記第１の発熱抵抗体からの加熱により、上記第１、第３の電極間の上記電流経路を溶断する第１の可溶導体と、
　上記第２、第４の電極間に亘って設けられることにより電流経路を構成し、上記第２の発熱抵抗体からの加熱により、上記第２、第４の電極間の上記電流経路を溶断する第２の可溶導体とを備え、
　上記第１、第２の発熱抵抗体からの加熱により溶融し、上記第１、第２の電極上に凝集した上記第１、第２の可溶導体によって、上記第１の電極と上記第２の電極とが短絡することを特徴とする短絡素子。
　上記第１、第２の可溶導体の一方を他方に先行して溶断させる請求項４４記載の短絡素子。
　上記第１、第２の可溶導体の一方の幅を他方の幅よりも狭くすることにより、当該幅の狭い方の可溶導体を先行して溶断させる請求項４５記載の短絡素子。
　上記絶縁基板上に積層された絶縁層を備え、
　上記第１～第４の電極が、上記絶縁層上に設置され、
　上記第１、第２の発熱抵抗体が、上記絶縁層の内部もしくは上記絶縁層と上記絶縁基板の間に設置されている請求項４４乃至請求項４６のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記第１、第２の発熱抵抗体が、前記絶縁基板の内部に設置されてなる請求項４４乃至請求項４６のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記第１、第２の発熱抵抗体が、前記絶縁基板の電極形成面と反対の面に設置されてなる請求項４４乃至請求項４６のいずれか１項に短絡素子。
　上記第１、第２の発熱抵抗体が、前記絶縁基板の電極形成面上に設置されてなる請求項４４乃至請求項４６のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記第１の電極及び上記第２の電極の表面に、Ｎｉ／Ａｕメッキ，Ｎｉ／Ｐｄメッキ，Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキのいずれか１つが被覆されている請求項４４乃至請求項４６のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記第１の電極の面積が、上記第３の電極よりも広く、上記第２の電極の面積が、上記第４の電極よりも広い請求項４４乃至請求項４６のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記絶縁基板上に設けられた内部を保護するカバー部材と、
　上記カバー部材の内面に設けられるカバー部電極とを備え、
　上記カバー部電極が、上記第１の電極及び上記第２の電極と重畳する位置に設置されてなる請求項４４乃至請求項４６のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記絶縁基板上に、上記第１の電極又は上記第２の電極のいずれか一方に接続される保護抵抗を備える請求項４４乃至請求項４６のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記第１及び第２の可溶導体が、Ｓｎを主成分とするＰｂフリーハンダである請求項４４乃至請求項４６のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記第１及び第２の可溶導体が、低融点金属と高融点金属とを含有し、
　上記低融点金属が、上記発熱抵抗体から発する熱により溶融することで、上記高融点金属を溶食する請求項４４乃至請求項４６のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記低融点金属が、ハンダであり、
　上記高融点金属が、Ａｇ、Ｃｕ、又はＡｇ若しくはＣｕを主成分とする合金である請求項５６記載の短絡素子。
　上記第１及び第２の可溶導体は、内層が上記低融点金属であり、外層が上記高融点金属である被覆構造である請求項５６記載の短絡素子。
　上記第１及び第２の可溶導体は、内層が上記高融点金属であり、外層が上記低融点金属である被覆構造である請求項５６記載の短絡素子。
　上記第１及び第２の可溶導体が、上記低融点金属と、上記高融点金属とが積層された積層構造である請求項５６記載の短絡素子。
　上記第１及び第２の可溶導体が、上記低融点金属と、上記高融点金属とが交互に積層された４層以上の多層構造である請求項５６記載の短絡素子。
　上記第１及び第２の可溶導体が、内層を構成する低融点金属の表面を高融点金属にてストライプ状に部分的に積層する請求項５６記載の短絡素子。
　上記第１及び第２の可溶導体が、多数の開口部を有する高融点金属と、上記開口部に挿入された低融点金属とからなる請求項５６記載の短絡素子。
　上記第１及び第２の可溶導体は、低融点金属の体積が、高融点金属の体積よりも多い請求項５６記載の短絡素子。
　スイッチと、
　上記スイッチの一端に接続された第１のヒューズと、
　上記スイッチの他端に接続された第２のヒューズと、
　上記第１のヒューズの上記スイッチと接続された一端と反対側の他端に接続された第１
の発熱抵抗体と、
　上記第２のヒューズの上記スイッチと接続された一端と反対側の他端に接続された第２の発熱抵抗体とを有し、
　上記スイッチが、上記第１及び第２のヒューズが溶断されることにより、該第１及び第２のヒューズの溶融導体によって短絡される短絡素子回路。
　スイッチと、上記スイッチの一端に接続された第１のヒューズと、上記スイッチの他端に接続された第２のヒューズと、上記第１のヒューズの上記スイッチと接続された一端と反対側の他端に接続された第１の発熱抵抗体と、上記第２のヒューズの上記スイッチと接続された一端と反対側の他端に接続された第２の発熱抵抗体とを有し、上記スイッチは、上記第１及び第２のヒューズが溶断されることにより、該第１及び第２のヒューズの溶融導体によって短絡される短絡素子と、
　電子部品と、
　上記電子部品の電流経路上に接続され、上記電子部品の異常時に該電子部品への通電を電気信号で遮断する保護素子と、
　上記電子部品の異常を検知し、異常信号を出力する保護部品と、
　上記保護部品の異常信号を受けて動作する第１～第３の制御素子とを備え、
　上記電子部品及び上記保護素子の両端と、上記スイッチの両端子とを並列に接続し、
　上記第１、第２の発熱抵抗体、及び上記保護素子の電気信号の入力端子とを、それぞれ上記第１～第３の制御素子に接続し、
　上記電子部品の異常時には、上記保護部品からの異常信号を受けて上記第１～第３の制御素子が動作し、上記保護素子による上記電子部品の電流経路の遮断と、上記第１、第２のヒューズの溶断に連動した上記スイッチの短絡を行い、バイパス電流経路が形成される補償回路。
　上記保護部品及び上記第１～第３の制御素子を制御することにより、上記保護素子による電流経路の遮断を行い、その後上記短絡素子による上記バイパス電流経路を形成する請求項６６に記載の補償回路。
　上記電子部品は、異常時に電気的短絡又は熱暴走を伴うバッテリセルである請求項６６記載の補償回路。
　スイッチと、上記スイッチの一端に接続された第１のヒューズと、上記スイッチの他端に接続された第２のヒューズと、上記第１のヒューズの上記スイッチと接続された一端と反対側の他端に接続された第１の発熱抵抗体と、上記第２のヒューズの上記スイッチと接続された一端と反対側の他端に接続された第２の発熱抵抗体とを有し、上記スイッチは、上記第１及び第２のヒューズが溶断されることにより、該第１及び第２のヒューズの溶融導体によって短絡される短絡素子と、
　電子部品と、
　上記電子部品の電流経路上に接続され、上記電子部品の異常時に該電子部品への通電を電気信号で遮断する保護素子と、
　上記電子部品の異常を検知し、異常信号を出力する保護部品と、
　上記保護部品の異常信号を受けて動作する第１、第２の制御素子とを備え、
　上記電子部品及び上記保護素子の両端と、上記スイッチの両端子とを並列に接続し、
　上記第１の発熱抵抗体の端子を上記第１の制御素子に接続し、上記第２の発熱抵抗体及び上記保護素子の電気信号の入力端子を、上記第２の制御素子に接続し、
　上記電子部品の異常時には、上記保護部品からの異常信号を受けて上記第１、第２の制御素子が動作し、上記保護素子による上記電子部品の電流経路の遮断と、上記第１、第２のヒューズの溶断に連動した上記スイッチの短絡を行い、バイパス電流経路が形成される補償回路。
　上記保護部品及び上記第１、第２の制御素子を制御することにより、上記保護素子による電流経路の遮断を行い、その後上記短絡素子による上記バイパス電流経路を形成する請求項６９に記載の補償回路。
　上記バイパス電流経路上に、上記電子部品の内部抵抗相当の保護抵抗が接続されている請求項６６乃至請求項７０のいずれか１項に記載の補償回路。
　上記電子部品は、異常時に電気的短絡又は熱暴走を伴うバッテリセルである請求項６９又は請求項７０に記載の補償回路。
　スイッチと、
　上記スイッチの一端に接続された第１のヒューズと、
　上記スイッチの他端に接続された第２のヒューズと、
　上記第１のヒューズの上記スイッチと接続された一端と反対側の他端に接続された第１の発熱抵抗体と、
　上記第２のヒューズの上記スイッチと接続された一端と反対側の他端に接続された第２の発熱抵抗体と、
　上記スイッチに接続された保護抵抗とを有し、
　上記スイッチが、上記第１及び第２のヒューズが溶断されることにより、該第１及び第２のヒューズの溶融導体によって短絡される短絡素子回路。
　上記スイッチの一端に接続された第１のヒューズと、上記スイッチの他端に接続された第２のヒューズと、上記第１のヒューズの上記スイッチと接続された一端と反対側の他端に接続された第１の発熱抵抗体と、上記第２のヒューズの上記スイッチと接続された一端と反対側の他端に接続された第２の発熱抵抗体と、上記スイッチに接続された保護抵抗とを有し、上記スイッチは、上記第１及び第２のヒューズが溶断されることにより、該第１及び第２のヒューズの溶融導体によって短絡される短絡素子と、
　電子部品と、
　上記電子部品の電流経路上に接続され、上記電子部品の異常時に該電子部品への通電を電気信号で遮断する保護素子と、
　上記電子部品の異常を検知し、異常信号を出力する保護部品と、
　上記保護部品の異常信号を受けて動作する第１～第３の制御素子とを備え、
　上記電子部品及び上記保護素子の両端と、上記スイッチの両端子及び上記保護抵抗とを並列に接続し、
　上記第１、第２の発熱抵抗体、及び上記保護素子の電気信号の入力端子とを、それぞれ上記第１～第３の制御素子に接続し、
　上記電子部品の異常時には、上記保護部品からの異常信号を受けて上記第１～第３の制御素子が動作し、上記保護素子による上記電子部品の電流経路の遮断と、上記第１、第２のヒューズの溶断に連動した上記スイッチの短絡を行い、バイパス電流経路が形成される補償回路。
　上記保護部品及び上記第１～第３の制御素子を制御することにより、上記保護素子による電流経路の遮断を行い、その後上記短絡素子による上記バイパス電流経路を形成する請求項７４に記載の補償回路。
　上記電子部品は、異常時に電気的短絡又は熱暴走を伴うバッテリセルである請求項７４又は請求項７５記載の補償回路。
　スイッチと、上記スイッチの一端に接続された第１のヒューズと、上記スイッチの他端
に接続された第２のヒューズと、上記第１のヒューズの上記スイッチと接続された一端と反対側の他端に接続された第１の発熱抵抗体と、上記第２のヒューズの上記スイッチと接続された一端と反対側の他端に接続された第２の発熱抵抗体と、上記スイッチに接続された保護抵抗とを有し、上記スイッチは、上記第１及び第２のヒューズが溶断されることにより、該第１及び第２のヒューズの溶融導体によって短絡される短絡素子と、
　電子部品と、
　上記電子部品の電流経路上に接続され、上記電子部品の異常時に該電子部品への通電を電気信号で遮断する保護素子と、
　上記電子部品の異常を検知し、異常信号を出力する保護部品と、
　上記保護部品の異常信号を受けて動作する第１、第２の制御素子とを備え、
　上記電子部品及び上記保護素子の両端と、上記スイッチの両端子及び上記保護抵抗とを並列に接続し、
　上記第１の発熱抵抗体の端子を上記第１の制御素子に接続し、上記第２の発熱抵抗体及び上記保護素子の電気信号の入力端子を、上記第２の制御素子に接続し、
　上記電子部品の異常時には、上記保護部品からの異常信号を受けて上記第１、第２の制御素子が動作し、上記保護素子による上記電子部品の電流経路の遮断と、上記第１、第２のヒューズの溶断に連動した上記スイッチの短絡を行い、バイパス電流経路が形成される補償回路。
　上記保護部品及び上記第１、第２の制御素子を制御することにより、上記保護素子による電流経路の遮断を行い、その後上記短絡素子による上記バイパス電流経路を形成する請求項７７に記載の補償回路。
　上記電子部品は、異常時に電気的短絡又は熱暴走を伴うバッテリセルである請求項７７又は請求項７８記載の補償回路。
　上記絶縁基板には、上記可溶導体が設けられた面と同一面に、上記第１の電極と連続する第１の外部接続電極と、上記第１の外部接続電極上に設けられる１又は複数の第１の外部接続端子と、上記第２の電極と連続する第２の外部接続電極と、上記第２の外部接続電極上に設けられる１又は複数の第２の外部接続端子が形成され、
　上記第１の電極と上記第２の電極とが短絡したときの、上記第１、第２の外部接続電極間の導通抵抗よりも、上記第１の外部接続端子と上記第２の外部接続端子との合成抵抗が低い請求項４４乃至請求項４６のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記外部接続端子が、金属バンプ又は金属ポストである請求項８０記載の短絡素子。
　上記金属バンプ又は金属ポストは、高融点金属の表面に低融点金属層が形成されている請求項８１記載の短絡素子。
　上記高融点金属は銅又は銀を主成分とし、上記低融点金属は錫を主成分とする鉛フリー半田である請求項８２記載の短絡素子。
　上記外部接続端子が、錫を主成分とする鉛フリー半田からなる金属バンプである請求項８０記載の短絡素子。
　短絡素子が実装対象物に実装された実装体において、
　上記短絡素子は、
　絶縁基板と、
　上記絶縁基板に形成された第１及び第２の発熱抵抗体と、
　上記絶縁基板に、互いに隣接して設けられた第１、第２の電極と、
　上記絶縁基板に、上記第１の電極と隣接して設けられるとともに、上記第１の発熱抵抗体に電気的に接続された第３の電極と、
　上記絶縁基板に、上記第２の電極と隣接して設けられるとともに、上記第２の発熱抵抗体に電気的に接続された第４の電極と、
　上記第１、第３の電極間に亘って設けられることにより電流経路を構成し、上記第１の発熱抵抗体からの加熱により、上記第１、第３の電極間の上記電流経路を溶断する第１の可溶導体と、
　上記第２、第４の電極間に亘って設けられることにより電流経路を構成し、上記第２の発熱抵抗体からの加熱により、上記第２、第４の電極間の上記電流経路を溶断する第２の可溶導体と、
　上記絶縁基板の上記第１、第２の電極が形成された面と同一表面に形成され、上記第１の電極と連続する第１の外部接続電極及び上記第２の電極と連続する第２の外部接続電極とを備え、
　上記第１の電極が上記第１の外部接続電極上に接続された第１の外部接続端子を介して上記実装対象物と接続され、上記第２の電極が上記第２の外部接続電極上に接続された第２の外部接続端子を介して上記実装対象物と接続され、
　上記第１、第２の発熱抵抗体からの加熱により溶融し、上記第１、第２の電極上に凝集した上記第１、第２の可溶導体によって、上記第１の電極と上記第２の電極とが短絡したときの、上記第１、第２の外部接続電極間の導通抵抗よりも、上記第１の外部接続端子と上記第２の外部接続端子との合成抵抗が低いことを特徴とする実装体。
　絶縁基板と、
　上記絶縁基板に形成された第１及び第２の発熱抵抗体と、
　上記絶縁基板に、互いに隣接して設けられた第１、第２の電極と、
　上記絶縁基板に、上記第１の電極と隣接して設けられるとともに、上記第１の発熱抵抗体に電気的に接続された第３の電極と、
　上記絶縁基板に、上記第２の電極と隣接して設けられるとともに、上記第２の発熱抵抗体に電気的に接続された第４の電極と、
　上記第４の電極に隣接して設けられた第５の電極と、
　上記第１、第３の電極間に亘って設けられることにより電流経路を構成し、上記第１の発熱抵抗体からの加熱により、上記第１、第３の電極間の上記電流経路を溶断する第１の可溶導体と、
　上記第２から上記第４の電極を経由して上記第５の電極に亘って設けられることにより電流経路を構成し、上記第２の発熱抵抗体からの加熱により、上記第２の電極と上記第４の電極との間、及び上記第４の電極と上記第５の電極との間の各上記電流経路を溶断する第２の可溶導体とを備え、
　上記第１、第２の発熱抵抗体からの加熱により溶融し、上記第１、第２の電極上に凝集した上記第１、第２の可溶導体によって、上記第１の電極と上記第２の電極とが短絡することを特徴とする短絡素子。
　上記第２の可溶導体が、上記第１の可溶導体に先行して溶断する請求項８６記載の短絡素子。
　上記第２の可溶導体の幅が、上記第１の可溶導体よりも狭い請求項８７記載の短絡素子。
　上記絶縁基板上に積層された絶縁層を備え、
　上記第１～第５の電極が、上記絶縁層上に設置され、
　上記第１、第２の発熱抵抗体が、上記絶縁層の内部もしくは上記絶縁層と上記絶縁基板の間に設置されている請求項８６乃至請求項８８のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記第１、第２の発熱抵抗体が、上記絶縁基板の内部に設置されてなる請求項８６乃至請求項８８のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記第１、第２の発熱抵抗体が、上記絶縁基板の電極形成面と反対の面に設置されてなる請求項８６乃至請求項８８のいずれか１項に短絡素子。
　上記第１、第２の発熱抵抗体が、上記絶縁基板の電極形成面上に設置されてなる請求項８６乃至請求項８８のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記第１の電極及び上記第２の電極の表面に、Ｎｉ／Ａｕメッキ、Ｎｉ／Ｐｄメッキ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕメッキのいずれか１つが被覆されている請求項８６乃至請求項８８のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記第１の電極の面積が、上記第３の電極よりも広く、上記第２の電極の面積が、上記第４及び第５の電極よりも広い請求項８６乃至請求項８８のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記絶縁基板上に設けられた内部を保護するカバー部材と、
　上記カバー部材の内面に設けられるカバー部電極とを備え、
　上記カバー部電極が、上記第１の電極及び上記第２の電極と重畳する位置に設置されてなる請求項８６乃至請求項８８のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記絶縁基板上に、上記第１の電極又は上記第２の電極のいずれか一方に接続される保護抵抗を備える請求項８６乃至請求項８８のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記第１の可溶導体又は第２の可溶導体の少なくともいずれか一方が、Ｓｎを主成分とするＰｂフリーハンダである請求項８６乃至請求項８８のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記第１の可溶導体又は第２の可溶導体の少なくともいずれか一方が、低融点金属と高融点金属とを含有し、
　上記低融点金属が、上記発熱抵抗体から発する熱により溶融することで、上記高融点金属を溶食する請求項８６乃至請求項８８のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記低融点金属が、ハンダであり、
　上記高融点金属が、Ａｇ、Ｃｕ、又はＡｇ若しくはＣｕを主成分とする合金である請求項９８記載の短絡素子。
　上記第１の可溶導体又は第２の可溶導体の少なくともいずれか一方は、内層が上記低融点金属であり、外層が上記高融点金属の被覆構造である請求項９８記載の短絡素子。
　上記第１の可溶導体又は第２の可溶導体の少なくともいずれか一方は、内層が上記高融点金属であり、外層が上記低融点金属の被覆構造である請求項９８記載の短絡素子。
　上記第１の可溶導体又は第２の可溶導体の少なくともいずれか一方が、上記低融点金属と、上記高融点金属とが積層された積層構造である請求項９８記載の短絡素子。
　上記第１の可溶導体又は第２の可溶導体の少なくともいずれか一方が、上記低融点金属と、上記高融点金属とが交互に積層された４層以上の多層構造である請求項９８記載の短絡素子。
　上記第１の可溶導体又は第２の可溶導体の少なくともいずれか一方が、内層を構成する低融点金属の表面を、高融点金属にてストライプ状に部分的に積層する請求項９８記載の短絡素子。
　上記第１の可溶導体又は第２の可溶導体の少なくともいずれか一方が、多数の開口部を
有する高融点金属と、上記開口部に挿入された低融点金属とからなる請求項９８記載の短絡素子。
　上記第１の可溶導体又は第２の可溶導体の少なくともいずれか一方の低融点金属の体積が、高融点金属の体積よりも多い請求項９８記載の短絡素子
　スイッチと、
　上記スイッチの一端に接続された第１のヒューズと、
　上記第１のヒューズの開放端に接続された第１の発熱抵抗体と、
　上記スイッチの開放端と直列に接続された第２、第３のヒューズと、
　上記第２、第３のヒューズの接続点に接続された第２の発熱抵抗体とを備え、
　上記第２の発熱抵抗体の発熱により上記第２、第３のヒューズが溶断され、
　上記第１の発熱抵抗体の発熱により上記第１のヒューズが溶断されることにより、該第１のヒューズの溶融導体によって上記スイッチが短絡される短絡素子回路。
　スイッチと、上記スイッチの一端に接続された第１のヒューズと、上記第１のヒューズの開放端に接続された第１の発熱抵抗体と、上記スイッチの開放端と直列に接続された第２、第３のヒューズと、上記第２、第３のヒューズの接続点に接続された第２の発熱抵抗体とを備え、上記第２の発熱抵抗体の発熱により上記第２、第３のヒューズが溶断され、上記第１の発熱抵抗体の発熱により上記第１のヒューズが溶断されることにより、該第１のヒューズの溶融導体によって上記スイッチが短絡される短絡素子と、
　電子部品と、
　上記電子部品の異常を検知し、異常信号を出力する保護部品と、
　上記保護部品の異常信号を受けて動作する第１、第２の制御素子とを備え、
　上記第２、第３のヒューズと上記電子部品とを直列に接続して電流経路を構成し、
　上記スイッチと上記第１のヒューズとの接続点を上記電子部品の開放端にバイパスするように接続し、
　上記第１の発熱抵抗体の開放端に上記第１の制御素子を接続し、
　上記第２の発熱抵抗体の開放端に上記第２の制御素子を接続し、
　上記電子部品の異常時には、上記保護部品からの異常信号を受けて上記第１、第２の制御素子が動作し、上記電子部品の電流経路の遮断と、上記第１のヒューズの溶断に連動した上記スイッチの短絡を行い、バイパス電流経路が形成される補償回路。
　上記保護部品及び上記第１、第２の制御素子を制御することにより、上記電子部品の電流経路の遮断を行い、その後上記短絡素子による上記バイパス電流経路を形成する請求項１０８に記載の補償回路。
　上記電子部品は、異常時に電気的短絡又は熱暴走を伴うバッテリセルである請求項１０８記載の補償回路。
　上記バイパス電流経路上に、上記電子部品の内部抵抗相当の保護抵抗が接続されている請求項１０８乃至請求項１１０記載の補償回路。
　スイッチと、
　上記スイッチの一端に接続された第１のヒューズと、
　上記第１のヒューズの開放端に接続された第１の発熱抵抗体と、
　上記スイッチと上記第１のヒューズとの接続点と接続された保護抵抗と、
　上記スイッチの開放端と直列に接続された第２、第３のヒューズと、
　上記第２、第３のヒューズの接続点に接続された第２の発熱抵抗体とを備え、
　上記第２の発熱抵抗体の発熱により上記第２、第３のヒューズが溶断され、
　上記第１の発熱抵抗体の発熱により上記第１のヒューズが溶断されることにより、該第１のヒューズの溶融導体によって上記スイッチが短絡される短絡素子回路。
　スイッチと、上記スイッチの一端に接続された第１のヒューズと、上記第１のヒューズの開放端に接続された第１の発熱抵抗体と、上記スイッチと上記第１のヒューズとの接続点と接続された保護抵抗と、上記スイッチの開放端と直列に接続された第２、第３のヒューズと、上記第２、第３のヒューズの接続点に接続された第２の発熱抵抗体とを備え、上記第２の発熱抵抗体の発熱により上記第２、第３のヒューズが溶断され、上記第１の発熱抵抗体の発熱により上記第１のヒューズが溶断されることにより、該第１のヒューズの溶融導体によって上記スイッチが短絡される短絡素子と、
　電子部品と、
　上記電子部品の異常を検知し、異常信号を出力する保護部品と、
　上記保護部品の異常信号を受けて動作する第１、第２の制御素子とを備え、
　上記第２、第３のヒューズと上記電子部品とを直列に接続して電流経路を構成し、
　上記保護抵抗の開放端を上記電子部品の開放端にバイパスするように接続し、
　上記第１の発熱抵抗体の開放端に上記第１の制御素子を接続し、
　上記第２の発熱抵抗体の開放端に上記第２の制御素子を接続し、
　上記電子部品の異常時には、上記保護部品からの異常信号を受けて上記第１、第２の制御素子が動作し、上記電子部品の電流経路の遮断と、上記第１のヒューズの溶断に連動した上記スイッチの短絡を行い、バイパス電流経路が形成される補償回路。
　上記保護部品及び上記第１、第２の制御素子を制御することにより、上記電子部品の電流経路の遮断を行い、その後上記短絡素子による上記バイパス電流経路を形成する請求項１１３に記載の補償回路。
　上記電子部品は、異常時に電気的短絡又は熱暴走を伴うバッテリセルである請求項１１３又は請求項１１４記載の補償回路。
　上記絶縁基板には、上記可溶導体が設けられた面と同一面に、上記第１の電極と連続する第１の外部接続電極と、上記第１の外部接続電極上に設けられる１又は複数の第１の外部接続端子と、上記第２の電極と連続する第２の外部接続電極と、上記第２の外部接続電極上に設けられる１又は複数の第２の外部接続端子が形成され、
　上記第１の電極と上記第２の電極とが短絡したときの、上記第１、第２の外部接続電極間の導通抵抗よりも、上記第１の外部接続端子と上記第２の外部接続端子との合成抵抗が低い請求項８６乃至請求項８８のいずれか１項に記載の短絡素子。
　上記外部接続端子が、金属バンプ又は金属ポストである請求項１１６記載の短絡素子。
　上記金属バンプ又は金属ポストは、高融点金属の表面に低融点金属層が形成されている請求項１１７記載の短絡素子。
　上記高融点金属は銅又は銀を主成分とし、上記低融点金属は錫を主成分とする鉛フリー半田である請求項１１８記載の短絡素子。
　上記外部接続端子が、錫を主成分とする鉛フリー半田からなる金属バンプである請求項１１６記載の短絡素子。
　短絡素子が実装対象物に実装された実装体において、
　上記短絡素子は、
　絶縁基板と、
　上記絶縁基板に形成された第１及び第２の発熱抵抗体と、
　上記絶縁基板に、互いに隣接して設けられた第１、第２の電極と、
　上記絶縁基板に、上記第１の電極と隣接して設けられるとともに、上記第１の発熱抵抗体に電気的に接続された第３の電極と、
　上記絶縁基板に、上記第２の電極と隣接して設けられるとともに、上記第２の発熱抵抗体に電気的に接続された第４の電極と、
　上記第４の電極に隣接して設けられた第５の電極と、
　上記第１、第３の電極間に亘って設けられることにより電流経路を構成し、上記第１の発熱抵抗体からの加熱により、上記第１、第３の電極間の上記電流経路を溶断する第１の可溶導体と、
　上記第２から上記第４の電極を経由して上記第５の電極に亘って設けられることにより電流経路を構成し、上記第２の発熱抵抗体からの加熱により、上記第２の電極と上記第４の電極との間、及び上記第４の電極と上記第５の電極との間の各上記電流経路を溶断する第２の可溶導体と、
　上記絶縁基板の上記第１、第２の電極が形成された面と同一表面に形成され、上記第１の電極と連続する第１の外部接続電極及び上記第２の電極と連続する第２の外部接続電極とを備え、
　上記第１の電極が上記第１の外部接続電極上に接続された第１の外部接続端子を介して上記実装対象物と接続され、上記第２の電極が上記第２の外部接続電極上に接続された第２の外部接続端子を介して上記実装対象物と接続され、
　上記第１、第２の発熱抵抗体からの加熱により溶融し、上記第１、第２の電極上に凝集した上記第１、第２の可溶導体によって、上記第１の電極と上記第２の電極とが短絡したときの、上記第１、第２の外部接続電極間の導通抵抗よりも、上記第１の外部接続端子と上記第２の外部接続端子との合成抵抗が低いことを特徴とする実装体。