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WO2014119452A1 - 蒸着ユニットおよび蒸着装置 - Google Patents

蒸着ユニットおよび蒸着装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2014119452A1
WO2014119452A1 PCT/JP2014/051269 JP2014051269W WO2014119452A1 WO 2014119452 A1 WO2014119452 A1 WO 2014119452A1 JP 2014051269 W JP2014051269 W JP 2014051269W WO 2014119452 A1 WO2014119452 A1 WO 2014119452A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
vapor deposition
limiting plate
unit
restriction
mask
Prior art date
Application number
PCT/JP2014/051269
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
勇毅 小林
伸一 川戸
越智　貴志
正浩 市原
松本　栄一
Original Assignee
シャープ株式会社
キヤノントッキ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シャープ株式会社, キヤノントッキ株式会社 filed Critical シャープ株式会社
Priority to JP2014559645A priority Critical patent/JP6068514B2/ja
Priority to US14/764,127 priority patent/US20160010201A1/en
Publication of WO2014119452A1 publication Critical patent/WO2014119452A1/ja

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders

Definitions

  • the present invention relates to a vapor deposition unit and a vapor deposition apparatus for forming a vapor deposition film having a predetermined pattern on a deposition target substrate.
  • flat panel displays have been used in various products and fields, and further flat panel displays are required to have larger sizes, higher image quality, and lower power consumption.
  • an organic EL display device including an organic EL element using electroluminescence (electroluminescence; hereinafter referred to as “EL”) of an organic material is an all-solid-state type, driven at a low voltage, and has a high speed response.
  • EL electroluminescence
  • the organic EL display device has a configuration in which a thin-film organic EL element electrically connected to a TFT is provided on a substrate made of a glass substrate provided with a TFT (thin film transistor).
  • TFT thin film transistor
  • organic EL elements of red (R), green (G), and blue (B) are arrayed on a substrate as sub-pixels, and TFTs are used. These organic EL elements are selectively made to emit light with a desired luminance to display an image.
  • a vacuum deposition method for example, an ink jet method, a laser transfer method and the like are known.
  • a vacuum deposition method is mainly used for patterning a light emitting layer.
  • a deposition mask also referred to as a shadow mask in which openings of a predetermined pattern are formed is used. Then, vapor deposition particles (vapor deposition material, film forming material) from the vapor deposition source are vapor-deposited on the surface to be vapor-deposited through the opening of the vapor deposition mask, thereby forming a thin film having a predetermined pattern. At this time, vapor deposition is performed for each color of the light emitting layer (this is referred to as “separate vapor deposition”).
  • the film formation substrate and the vapor deposition mask are fixed or sequentially moved to bring them into close contact with each other, and the film formation substrate and the vapor deposition mask are separated from each other and scanned while being scanned. It is broadly divided into scan vapor deposition.
  • a vapor deposition mask having the same size as the deposition target substrate is used.
  • the vapor deposition mask is also increased in size as the substrate is increased in size. Therefore, as the deposition target substrate becomes larger, a gap is likely to be generated between the deposition target substrate and the deposition mask due to the self-weight deflection and elongation of the deposition mask. For this reason, it is difficult to perform high-precision patterning on a large substrate, and it is difficult to achieve high definition due to the occurrence of misalignment of the deposition position and color mixing.
  • the former method for example, it is not possible to perform separate deposition at a mass production level on a large substrate exceeding 60 inch size.
  • a belt-shaped vapor deposition mask is used, and the vapor deposition mask and the vapor deposition source are integrated to move at least one of the deposition target substrate, the vapor deposition mask, and the vapor deposition source relative to each other. Then, vapor deposition particles are deposited on the entire surface of the film formation substrate.
  • vapor deposition is performed by evaporating or sublimating a vapor deposition material and ejecting (spraying) it as vapor deposition particles from a vapor deposition source. For this reason, if the vapor deposition particles cannot be properly guided to the vapor deposition region to be vapor deposited, the vapor deposition material adheres to a portion outside the vapor deposition region, resulting in vapor deposition blur (pattern blur).
  • scanning is performed while maintaining a gap between the deposition substrate and the vapor deposition mask, so that a part of the vapor deposition particles that pass obliquely through the vapor deposition mask opening is part of the vapor deposition region (opposite the vapor deposition mask opening).
  • the vapor deposition blur tends to occur in a direction perpendicular to the scanning direction.
  • the light emitting layer functions as a light emitting area of the pixel. For this reason, when the vapor deposition blur reaches the light emitting areas of different colors of the adjacent pixels, color mixture and device characteristics are deteriorated. Therefore, it is desirable to reduce vapor deposition blur as much as possible.
  • FIG. 14 is a perspective view showing a schematic configuration of the vapor deposition apparatus described in Patent Document 1.
  • FIG. 14 is a perspective view showing a schematic configuration of the vapor deposition apparatus described in Patent Document 1.
  • Patent Document 1 discloses a barrier wall assembly provided with a plurality of barrier walls 311 on one side of a vapor deposition source 301 as a limiting plate that partitions a space between the vapor deposition source 301 and the vapor deposition mask 302 into a plurality of vapor deposition spaces.
  • Providing 310 is disclosed. According to Patent Document 1, since the deposition range is limited by the blocking wall 311, high-definition pattern deposition can be performed without spreading the deposition pattern.
  • FIG. 15A and 15B show the deposition rate when a plurality of general limiting plates 320 are provided between the deposition source 301 and the deposition mask 302 along the direction perpendicular to the scanning direction. It is a figure which shows typically the difference in the vapor deposition flow by a difference.
  • FIG. 15A shows a case where the deposition rate is relatively low (at a low rate)
  • FIG. 15B shows a case where the deposition rate is relatively high (at a high rate).
  • FIG. 16 is a principal part top view which shows typically the vapor deposition particle 401 which passed the restriction
  • the vapor deposition particles 401 (vapor deposition flow) ejected and scattered from the vapor deposition source 301 show an isotropic distribution.
  • the direction is perpendicular to the scanning direction (X-axis direction).
  • the vapor deposition particles 401 that have passed through the vapor deposition mask 302 at a shallow angle cause the vapor deposition blur of the vapor deposition film 402 formed on the deposition target substrate 200.
  • the limiting plate 320 has a function of cutting the shallow vapor deposition particles 401 and restricting the vapor deposition flow by taking out only the deep vapor deposition particles 401 to improve the directivity.
  • the kinetic energy of the vapor deposition particles 401 is high at a high rate, so that the collision / scattering probability between the vapor deposition particles 401 is increased.
  • the vapor deposition flow restricted (controlled) by the restriction plate 320 has an isotropic distribution again after passing through the restriction plate opening 321, and vapor deposition blur occurs.
  • the conventional restriction plate 320 cannot control the vapor deposition flow having high kinetic energy as at a high rate. This causes the vapor deposition blur.
  • the vapor deposition particles 401 that have passed through the blocking wall assembly 310 at a shallow angle with respect to the X axis by colliding and scattering at a high rate pass through the vapor deposition mask 302 with a shallow angle with respect to the X axis. For this reason, the vapor deposition apparatus described in Patent Document 1 cannot suppress vapor deposition blur that occurs at a high rate.
  • the aperture ratio of the limiting plate 320 is drastically decreased, so that the utilization efficiency of the vapor deposition material is decreased.
  • the Z-axis direction of the limiting plate 320 (deposition substrate) 200 normal direction) becomes longer.
  • the vapor deposition particles 401 are collided and scattered a plurality of times, so that the vapor deposition components that would otherwise not cause vapor deposition blur are cut. As a result, the material utilization efficiency is remarkably lowered, the yield is lowered, and the productivity is remarkably deteriorated. In addition, since the weight of the limiting plate 320 and the amount of thermal expansion are increased, the width of the vapor deposition blur varies.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and its purpose is to efficiently reduce only the vapor deposition flow that causes vapor deposition blur, thereby reducing vapor deposition blur without reducing material utilization efficiency.
  • An object of the present invention is to provide a vapor deposition unit and a vapor deposition apparatus.
  • a vapor deposition unit is provided between a vapor deposition mask, a vapor deposition source that ejects vapor deposition particles toward the vapor deposition mask, and the vapor deposition mask and the vapor deposition source.
  • a plurality of restriction plate units having at least a first restriction plate unit and a second restriction plate unit for restricting a passing angle of the vapor deposition particles, wherein the first restriction plate unit is formed of the vapor deposition mask.
  • a first restricting plate array comprising a plurality of first restricting plates provided in parallel to each other and spaced apart from each other in a first direction when viewed from a direction perpendicular to the main surface;
  • the second limiting plate unit is provided between the first limiting plate unit and the vapor deposition mask, and includes a plurality of second limiting plates, viewed from a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask.
  • the second restriction plate It extends in a direction intersecting the second direction perpendicular to the first direction.
  • a vapor deposition apparatus includes: the vapor deposition unit; a vapor deposition mask in the vapor deposition unit; and a deposition target substrate, wherein the vapor deposition unit and the deposition target substrate are arranged in a facing manner.
  • a moving device that relatively moves the second direction to be a scanning direction, and the width of the vapor deposition mask in the second direction is smaller than the width of the deposition target substrate in the second direction.
  • the vapor deposition particles emitted from the vapor deposition source are vapor-deposited on the deposition target substrate through the plurality of limiting plate units and the openings of the vapor deposition mask while scanning along the second direction.
  • a vapor deposition flow having an isotropic distribution due to vapor deposition particles ejected from a vapor deposition source is first cut (captured) by a first restricting plate with a vapor deposition component having poor directivity. It is controlled to have a high distribution.
  • the deposition rate is high (that is, at a high rate)
  • the controlled deposition flow causes an opening region between the first limiting plates due to collision / scattering between the deposition particles caused by the high kinetic energy.
  • the directivity worsens, but the vapor deposition component with poor directivity is cut again by the second limiting plate, so that the distribution with high directivity is controlled, and the state of high directivity is maintained and the vapor deposition mask Pass through. For this reason, vapor deposition blur can be suppressed and a high-definition vapor deposition film pattern with very little vapor deposition blur can be formed.
  • the said vapor deposition unit can cut only the distribution of the vapor deposition flow which causes vapor deposition blur according to the distribution of vapor deposition flow by providing the multi-stage restriction
  • the vapor deposition unit and the vapor deposition apparatus it is possible to suppress vapor deposition blur at a high rate, improve material utilization efficiency, and improve yield and productivity. it can.
  • FIG. 1 It is a perspective view which shows schematic structure of the principal part of the vapor deposition unit in the vapor deposition apparatus concerning Embodiment 1 together with a film-forming substrate.
  • It is sectional drawing which shows an example of the vapor deposition flow at the time of providing the 1st restriction
  • FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a schematic configuration of a main part in the vapor deposition apparatus according to Embodiment 1.
  • FIG. 6 is a plan view of a principal part showing another schematic configuration of the limiting plate unit according to the first exemplary embodiment.
  • FIG. 1 It is a perspective view which shows schematic structure of the principal part of the vapor deposition unit in the vapor deposition apparatus concerning Embodiment 2 together with a film-forming substrate.
  • the first limiting plate and the second limiting plate when viewed from the direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask, the vapor deposition particles that have passed through the first limiting plate at a high rate It is a principal part top view typically shown with this.
  • (A)-(l) is a principal part top view which shows other schematic structure of the limiting plate unit concerning Embodiment 2.
  • FIG. 1 is a top view which shows the other example of a pattern of the 2nd restriction
  • FIGS. It is a perspective view which shows schematic structure of the principal part of the vapor deposition unit in the vapor deposition apparatus concerning Embodiment 3 together with a film-forming substrate.
  • FIG. 9 is a plan view of a principal part showing a schematic configuration of a limiting plate unit according to a third embodiment. It is a perspective view which shows schematic structure of the vapor deposition apparatus of patent document 1.
  • (A) and (b) are differences in the vapor deposition flow due to the difference in vapor deposition rate when a plurality of general limiting plates are provided between the vapor deposition source and the vapor deposition mask along the direction perpendicular to the scanning direction.
  • (A) shows a low rate
  • (b) shows a high rate. It is a principal part top view which shows typically the vapor deposition particle which passed the restriction
  • FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of a main part of a vapor deposition unit 1 in a vapor deposition apparatus 100 (see FIG. 6) according to the present embodiment, together with a film formation substrate 200.
  • the horizontal axis along the scanning direction of the film formation substrate 200 is defined as the Y axis
  • the horizontal axis along the direction perpendicular to the scanning direction of the film formation substrate 200 is defined as the X axis.
  • a vertical direction axis perpendicular to the X axis and the Y axis which is a normal direction of the deposition surface 201 (deposition surface) of the deposition substrate 200 and is a direction in which a deposition axis perpendicular to the deposition surface 201 extends.
  • the (vertical direction axis) will be described as the Z axis.
  • the side of the arrow in the Z-axis direction (the upper side of the sheet of FIG. 1) will be described as “upper side”.
  • the vapor deposition unit 1 concerning this Embodiment is provided between the vapor deposition source 10, the vapor deposition mask 40, and the vapor deposition source 10 and the vapor deposition mask 40, and restrict
  • the first limiting plate unit 20 and the second limiting plate unit 30 are provided.
  • the vapor deposition source 10, the first limiting plate unit 20, the second limiting plate unit 30, and the vapor deposition mask 40 have, for example, a certain gap from each other in this order along the Z-axis direction from the vapor deposition source 10 side (that is, , Spaced apart by a certain distance).
  • the vapor deposition apparatus 100 is a vapor deposition apparatus using a scan vapor deposition method. For this reason, in the vapor deposition apparatus 100, at least one of the deposition target substrate 200 and the deposition unit 1 is relatively moved (scanned) in a state where a certain gap is provided between the deposition mask 40 and the deposition target substrate 200.
  • the relative positions of the vapor deposition source 10, the first limiting plate unit 20, the second limiting plate unit 30, and the vapor deposition mask 40 are fixed to each other. Therefore, the vapor deposition source 10, the first limiting plate unit 20, the second limiting plate unit 30, and the vapor deposition mask 40 are formed by a holding member (not shown) such as the same holder, for example, a holder 50 shown in FIG. It may be hold
  • a holding member such as the same holder, for example, a holder 50 shown in FIG. It may be hold
  • the vapor deposition source 10 is, for example, a container that stores a vapor deposition material therein.
  • the vapor deposition source 10 may be a container that directly stores the vapor deposition material inside the container, may have a load-lock type pipe, and may be formed so that the vapor deposition material is supplied from the outside.
  • the deposition source 10 is formed in a rectangular shape, for example, as shown in FIG.
  • the vapor deposition source 10 has a plurality of ejection ports 11 (through ports, nozzles) for ejecting the vapor deposition particles 401 on its upper surface (that is, the surface facing the first limiting plate unit 20). These injection ports 11 are arranged at a constant pitch in the X-axis direction (first direction, direction perpendicular to the scanning direction).
  • the vapor deposition source 10 generates gaseous vapor deposition particles 401 by heating and vaporizing the vapor deposition material (when the vapor deposition material is a liquid material) or sublimating (when the vapor deposition material is a solid material).
  • the vapor deposition source 10 injects the vapor deposition material made in this way as vapor deposition particles 401 from the injection port 11 toward the first limiting plate unit 20.
  • the number of the injection ports 11 is not specifically limited, At least 1 formation is carried out. It only has to be done.
  • the injection ports 11 may be arranged in a one-dimensional shape (that is, a line shape) in the X-axis direction as shown in FIG. 1, or arranged in a two-dimensional shape (that is, a planar shape (tile shape)). It does not matter.
  • the vapor deposition mask 40 is a plate-like object whose mask surface, which is the main surface (surface having the largest area), is parallel to the XY plane.
  • a vapor deposition mask having a size at least in the Y-axis direction smaller than that of the deposition target substrate 200 is used as the vapor deposition mask 40.
  • the main surface of the vapor deposition mask 40 is provided with a plurality of mask openings 41 (openings, through holes) for allowing vapor deposition particles 401 to pass through during vapor deposition.
  • the mask opening 41 is provided corresponding to a partial pattern of the vapor deposition region so that the vapor deposition particles 401 do not adhere to a region other than the target vapor deposition region on the deposition target substrate 200. Only the vapor deposition particles 401 that have passed through the mask opening 41 reach the film formation substrate 200, and a vapor deposition film 402 (see FIG. 6) having a pattern corresponding to the mask opening 41 is formed on the film formation substrate 200.
  • the said vapor deposition material is a material of the light emitting layer in an organic electroluminescence display
  • vapor deposition of the light emitting layer in an organic EL vapor deposition process is performed for every color of a light emitting layer.
  • first limiting plate unit 20 and the second limiting plate unit 30 are arranged in this order from the vapor deposition source 10 side along the Z-axis direction between the vapor deposition source 10 and the vapor deposition mask 40. ing.
  • the first limiting plate unit 20 includes a first limiting plate row 21 including a plurality of first limiting plates 22.
  • the second limiting plate unit 30 includes a second limiting plate row 31 including a plurality of second limiting plates 32.
  • the vapor deposition particles 401 ejected from the vapor deposition source 10 pass between the first restriction plates 22, then pass between the second restriction plates 32, pass through the mask opening 41 formed in the vapor deposition mask 40, and are covered. Vapor deposition is performed on the deposition substrate 200.
  • the first limiting plate unit 20 and the second limiting plate unit 30 selectively cause the vapor deposition particles 401 incident on the first limiting plate unit 20 and the second limiting plate unit 30 according to the incident angle. To capture.
  • the first limiting plate unit 20 captures at least a part of the vapor deposition particles 401 that collide with the first limiting plate 22, thereby preventing the vapor deposition particles 401 ejected from the vapor deposition source 10.
  • the movement of the vapor deposition particles 401 in the arrangement direction of the plate 22 is limited.
  • the second restriction plate unit 30 captures at least a part of the vapor deposition particles 401 colliding with the second restriction plate 32, for example, for the vapor deposition particles 401 that have passed through the first restriction plate 22, The movement of the vapor deposition particles 401 in the arrangement direction of the second restriction plate 32 (that is, the Y-axis direction and the oblique direction) is restricted.
  • the first limiting plate unit 20 and the second limiting plate unit 30 limit the incident angle of the vapor deposition particles 401 incident on the mask opening 41 of the vapor deposition mask 40 within a certain range, and The adhesion of the vapor deposition particles 401 from an oblique direction is prevented.
  • the first limiting plates 22 are each formed of a plate-like member having the same dimensions.
  • the second restriction plates 32 are also formed by plate members having the same dimensions. However, the first limiting plate 22 and the second limiting plate 32 do not need to have the same dimensions.
  • the first limiting plate 22 and the second limiting plate 32 are installed so as not to be parallel on the same YZ plane, and extend in different directions when viewed from a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40. It is installed.
  • the first limiting plate 22 When viewed from the direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40, the first limiting plate 22 extends in parallel to the Y axis, and a plurality of first limiting plates 22 are arranged in parallel to each other in the X axis direction at the same pitch. ing. Thereby, when viewed from a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40 (that is, a direction parallel to the Z-axis), the first limiting plate 22 adjacent in the X-axis direction is limited as an open region. One plate opening 23 is formed.
  • the first limiting plate 22 is arranged so that the injection port 11 of the vapor deposition source 10 corresponds to each limiting plate opening 23.
  • the X-axis direction position of the injection port 11 is located at the center position in the X-axis direction of the adjacent first limiting plate 22.
  • the pitch of the restriction plate openings 23 is formed larger than the pitch of the mask openings 41, and the first restriction plate 22 adjacent in the X-axis direction when viewed from the direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40.
  • a plurality of mask openings 41 are arranged therebetween.
  • the second limiting plate 32 when viewed from a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40, the second limiting plate 32 extends in parallel to the X axis, and is parallel to each other at the same pitch in the Y axis direction (the first axis). 2 in the scanning direction).
  • one limiting plate opening 33 is formed as an opening region between the second limiting plates 32 adjacent to each other in the Y-axis direction. .
  • the first limiting plate 22 has a YZ plane as a main surface.
  • the XZ plane is the main surface of the second limiting plate 32.
  • the first limiting plate 22 and the second limiting plate 32 are arranged so as to be perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40, respectively. That is, the first limiting plate 22 and the second limiting plate 32 are arranged such that the front and back surfaces, which are the main surfaces, face the direction perpendicular to the deposition surface 201 of the deposition target substrate 200. .
  • the first limiting plates 22 are arranged so that their main surfaces are adjacent to each other in the X-axis direction, and the second limiting plates 32 are so that their main surfaces are adjacent to each other in the Y-axis direction. It is arranged.
  • the first limiting plate 22 and the second limiting plate 32 are each formed in a rectangular shape, for example.
  • the first limiting plate 22 and the second limiting plate 32 are arranged vertically so that the minor axis thereof is parallel to the Z-axis direction.
  • the long axis of the first limiting plate 22 is arranged parallel to the Y-axis direction
  • the long axis of the second limiting plate 32 is arranged parallel to the X-axis direction.
  • FIG. 2 shows the first limiting plate 22 and the second limiting plate 32 when viewed from the direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40, and the vapor deposition particles 401 that have passed through the first limiting plate 22 at a high rate. It is a principal part top view typically shown collectively.
  • the first limiting plate 22 and the second limiting plate are arranged so that the axial directions of the first limiting plate 22 and the second limiting plate 32 are vertical.
  • the second limiting plate 32 is non-parallel to the Y-axis direction and intersects the Y-axis direction when viewed from the direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40. It extends in the direction. More precisely, the end surface 32a of the second limiting plate 32 when viewed from the direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40 is in the direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40 in the first limiting plate row 21.
  • the end plate 22a of the first limiting plate 22 and the limiting plate opening 33 between the first limiting plate 22 intersect.
  • the end surface 22a of the first limiting plate 22 when viewed from the direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40 is the vapor deposition mask 40 among the surfaces other than the main surface of the first limiting plate 22.
  • the surface (for example, the upper surface or lower surface of the 1st restriction board 22 in FIG. 1) when it sees from the direction perpendicular
  • the end surface 32 a of the second limiting plate 32 when viewed from the direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40 is the main surface of the vapor deposition mask 40 among the surfaces other than the main surface of the second limiting plate 32.
  • a surface (for example, the upper surface or the lower surface of the second limiting plate 32 in FIG. 1) when viewed from a direction perpendicular to the surface is shown.
  • the controlled deposition flow is directed after passing through the restriction plate opening 23 between the first restriction plates 22 due to collision / scattering between the vapor deposition particles 401 caused by the high kinetic energy. Sexuality gets worse.
  • the vapor deposition component having poor directivity is again cut by the second restricting plate 32, and the vapor deposition flow having poor directivity is controlled to have a high directivity distribution.
  • the vapor deposition flow that maintains a high directivity state passes through the mask opening 41 of the vapor deposition mask 40 and is vapor deposited on the deposition target substrate 200.
  • the separate layer of the vapor deposition film 402 can be formed by scanning the deposition target substrate 200 in the Y-axis direction.
  • the end surface 32 a of the second limiting plate 32 is limited between the end surface 22 a of the first limiting plate 22 and the first limiting plate 22 in the first limiting plate row 21.
  • the axial direction of the first limiting plate 22 and the axial direction of the second limiting plate 32 are perpendicular to each other so as to intersect at least one of the plate openings 33.
  • the vapor deposition particles 401 that have passed through the second limiting plate unit 30 pass through the mask opening 41 of the vapor deposition mask 40 while maintaining high directivity, and are vapor deposited on the deposition target substrate 200. For this reason, vapor deposition blur can be suppressed and a high-definition vapor deposition film pattern with very little vapor deposition blur can be formed.
  • the film formation substrate 200 is an organic EL substrate
  • evaporation blur is greatly suppressed.
  • the X-axis direction of the first limiting plate 22 is used to reduce the width of the vapor deposition blur. It is necessary to reduce the interval of the first limit plate 22 or to increase the length of the first limiting plate 22.
  • the aperture ratio of the plurality of first restriction plates 22 is drastically lowered, so that the utilization efficiency of the vapor deposition material is lowered.
  • the length of the first limiting plate 22 in the Z-axis direction is increased in order to reduce the distance between the first limiting plate 22 and the vapor deposition mask 40, the weight and thermal expansion amount of the first limiting plate 22 are increased. Therefore, the width of the vapor deposition blur varies.
  • the vapor deposition unit 1 includes a plurality of limiting plate units in the Z-axis direction. Can be cut efficiently. For this reason, it is possible to reduce the material lost by the limiting plate as in the case where the length of the limiting plate in the Z-axis direction (the normal direction of the deposition target substrate 200) is increased.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of the vapor deposition flow when the first limiting plate 22 is provided in two stages in the Z-axis direction via the gap 28.
  • the lower first restriction plate 22 is referred to as a first restriction plate 22A
  • the restriction plate opening 23 between the first restriction plates 22A is referred to as a restriction plate opening 23A.
  • the upper first limiting plate 22 is referred to as a first limiting plate 22B
  • the limiting plate opening 23 between the first limiting plates 22B is referred to as a limiting plate opening 23A.
  • the vapor deposition particles 401 obliquely emitted from the limiting plate opening 23A between the first limiting plates 22A on the lower side (that is, the upstream side). However, it may pass through the gap 28 and pass through the limiting plate opening 23B other than the limiting plate opening 23B positioned directly above the limiting plate opening 23A and may enter the mask opening 41.
  • the directivity of the vapor deposition component having high directivity and the directivity that changes to the high directivity component by repeating scattering collisions between particles are obtained.
  • the ratio of cutting even bad vapor deposition components increases. For this reason, there exists a concern that a vapor deposition rate may become low or material utilization efficiency may fall.
  • the first limiting plate 22 that is, on the downstream side
  • the first limiting plate 22 or the limiting plate opening 23 is seen from the direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40.
  • the second limiting plate 32 arranged non-parallel to the Y-axis direction so as to intersect, the vapor deposition particles 401 having poor directivity can be effectively cut.
  • the vapor deposition unit 1 moves the second limiting plate unit having a different axial direction from the first limiting plate unit 20 in the downstream direction of the first limiting plate unit 20.
  • the spread of the vapor deposition flow can be narrowed in three dimensions. For this reason, it is possible to control the vapor deposition flow having high kinetic energy as at a high rate.
  • the vapor deposition unit 1 includes a plurality of limiting plate units in the Z-axis direction, and each limiting plate unit includes a plurality of limiting plates.
  • each limiting plate unit includes a plurality of limiting plates.
  • the first limiting plate 22 and the second limiting plate 32 are not heated or cooled by a heat exchanger (not shown) in order to cut the oblique deposition components. For this reason, the first limiting plate 22 and the second limiting plate 32 are at a temperature lower than the injection port 11 of the vapor deposition source 10 (more strictly, a temperature lower than the vapor generation particle generation temperature at which the vapor deposition material becomes a gas). It has become.
  • the first limiting plate unit 20 and the second limiting plate unit 30 are provided with a cooling mechanism (not shown) that cools the first limiting plate 22 and the second limiting plate 32 as necessary. It may be.
  • the unnecessary vapor deposition particles 401 that are not completely parallel to the normal direction of the deposition target substrate 200 are cooled and solidified by the first limiting plate 22 and the second limiting plate 32.
  • the unnecessary vapor deposition particles 401 can be easily captured by the first limiting plate 22 and the second limiting plate 32, and the traveling direction of the vapor deposition particles 401 is set to the normal direction of the deposition target substrate 200. You can get closer.
  • FIG. 4 is a perspective view illustrating an example of a schematic configuration of the first limiting plate unit 20 and the second limiting plate unit 30.
  • Each of the first limiting plates 22 is a frame-shaped holding body 26 including a pair of first holding members 24 parallel to the X-axis direction and a pair of second holding members 25 parallel to the Y-axis direction. Further, they are integrally held by a method such as welding.
  • each of the second limiting plates 32 is a frame-shaped holding body including a pair of first holding members 34 parallel to the X-axis direction and a pair of second holding members 35 parallel to the Y-axis direction. 36 is integrally held by a method such as welding.
  • the method of holding the first limiting plate 22 and the second limiting plate 32 is as follows. The method is not limited to the above.
  • FIG. 5 is a perspective view showing another example of the schematic configuration of the second limiting plate unit 30.
  • FIG. 5 is a perspective view showing another example of the schematic configuration of the second limiting plate unit 30.
  • the second limiting plate unit 30 includes a plurality of second limiting plates 32 that are provided apart from each other, and the limiting plate openings 33 are respectively provided between the adjacent second limiting plates 32. It may be a block-shaped unit provided with.
  • the cooling mechanism can be easily assembled and positioned in the second limiting plate unit 30, and the replacement work can be facilitated. There are advantages such as.
  • the second restriction plate unit 30 has a block shape
  • the first restriction plate unit 20 has a block shape. Needless to say, it may be formed.
  • FIG. 1 a case where the vapor deposition source 10, the first limiting plate unit 20, the second limiting plate unit 30, and the vapor deposition mask 40 are provided apart from each other in the Z-axis direction is exemplified. Illustrated.
  • the vapor deposition source 10 As described above, the vapor deposition source 10, the first limiting plate unit 20, the second limiting plate unit 30, and the vapor deposition mask 40 are provided apart from each other by a certain distance in the Z-axis direction. An effect is obtained that a space between adjacent restriction plate units can be easily maintained at a predetermined degree of vacuum.
  • the vapor deposition source 10, the first limiting plate unit 20, the second limiting plate unit 30, and the vapor deposition mask 40 are adjacent to each other in the Z-axis direction. May be provided.
  • the effect when the vapor deposition source 10, the first limiting plate unit 20, the second limiting plate unit 30, and the vapor deposition mask 40 are separated from or brought into contact with each other has advantages and disadvantages. Therefore, the arrangement may be appropriately selected and set so as to obtain a desired effect.
  • the first limiting plate unit 20 and the second limiting plate unit 30 are provided between the vapor deposition source 10 and the vapor deposition mask 40 as described above. The effect of can be obtained.
  • first limiting plate 22 and the second limiting plate 32 can be aligned extremely accurately by pin alignment or the like.
  • the second restriction plate 32 can be replaced with the first restriction plate 22 without providing a separate cooling mechanism for the second restriction plate 32.
  • cooling can be performed using the provided cooling mechanism. For this reason, the reevaporation of the trapped vapor deposition particles 401 can be prevented with a simple configuration.
  • the low-directivity vapor deposition particles 401 are captured immediately after passing through the first limiting plate 22.
  • the low directivity vapor deposition particles 401 there are some particles that are repeatedly scattered before reaching the film formation substrate 200 to increase the directivity. For this reason, in this case, it becomes impossible to use the vapor deposition particles 401 that repeat scattering and increase the directivity until reaching the deposition target substrate 200 in this way.
  • the gap between the second limiting plate 32 and the second limiting plate 32 is sewn to reach the film formation substrate 200 and cause vapor deposition blur.
  • the second limiting plate 32 and the vapor deposition mask 40 can be aligned extremely accurately by pin alignment or the like. For this reason, compared with the case where the upper end part of the 2nd restriction
  • the vapor deposition mask 40 is generally thin, there is a concern that the vapor deposition mask 40 may be damaged when the upper end portion of the second limiting plate 32 and the vapor deposition mask 40 are brought into close contact with each other.
  • the thermal history of the second limiting plate 32 is transmitted to the vapor deposition mask 40, the accuracy of the vapor deposition mask 40 may be reduced depending on the temperature history of the second limiting plate 32.
  • the longer the length of the second limiting plate 32 in the Z-axis direction the lower the directivity of the vapor deposition particles 401 can be captured, and the effect of preventing the vapor deposition blur. Will increase.
  • the ratio of the second limiting plate 32 to the vapor deposition chamber such as a vacuum chamber increases. For this reason, when the amount of the vapor deposition particles 401 adhering to the second limiting plate 32 increases, there is a concern about contamination and re-evaporation, and there is a possibility that the light emission characteristics may be deteriorated.
  • the second limiting plate 32 and at least one of the first limiting plate 22 and the vapor deposition mask 40 are brought into close contact with each other, a single space is formed. Therefore, depending on the length of the second limiting plate 32. However, it is difficult to increase the degree of vacuum in the space, and there is a risk that interparticle scattering is likely to be enhanced. This tendency becomes more prominent as the second limiting plate 32 is longer in the Z-axis direction. In particular, when the second limiting plate 32 is in close contact with both the first limiting plate 22 and the vapor deposition mask 40, the above problem is likely to occur. For this reason, when the second restriction plate 32 that is long in the Z-axis direction is used, the second restriction plate 32, the first restriction plate 22, and the vapor deposition mask 40 may be provided apart from each other to some extent. desirable.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a schematic configuration of a main part in the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment.
  • FIG. 6 has shown the cross section parallel to the X-axis direction in the vapor deposition apparatus 100 concerning this Embodiment.
  • the vapor deposition apparatus 100 includes a vacuum chamber 101 (film formation chamber), a substrate holder 102 (substrate holding member), a substrate moving device 103, a vapor deposition unit 1, and a vapor deposition unit moving device 104.
  • An alignment observation means such as an image sensor 105, a shutter (not shown), a control circuit (not shown) for driving and controlling the vapor deposition apparatus 100, and the like.
  • the substrate holder 102, the substrate moving device 103, the vapor deposition unit 1, and the vapor deposition unit moving device 104 are provided in the vacuum chamber 101.
  • the vacuum chamber 101 includes a vacuum pump (not shown) that evacuates the vacuum chamber 101 via an exhaust port (not shown) provided in the vacuum chamber 101 in order to keep the vacuum chamber 101 in a vacuum state during vapor deposition. Is provided.
  • the substrate holder 102 is a substrate holding member that holds the deposition target substrate 200.
  • the substrate holder 102 holds the deposition target substrate 200 made of a TFT substrate or the like so that the deposition surface 201 faces the deposition mask 40 in the deposition unit 1.
  • the deposition target substrate 200 and the vapor deposition mask 40 are disposed to face each other with a certain distance therebetween, and a gap with a certain height is provided between the deposition target substrate 200 and the vapor deposition mask 40.
  • an electrostatic chuck is preferably used for the substrate holder 102. Since the deposition target substrate 200 is fixed to the substrate holder 102 by a technique such as electrostatic chucking, the deposition target substrate 200 is held on the substrate holder 102 without being bent by its own weight.
  • Substrate moving device 103 and vapor deposition unit moving device 104 At least one of the substrate moving device 103 and the vapor deposition unit moving device 104 relatively moves the film formation substrate 200 and the vapor deposition unit 1 so that the Y-axis direction is the scanning direction. Perform scan deposition.
  • the substrate moving device 103 includes a motor (not shown), for example, and moves the deposition target substrate 200 held by the substrate holder 102 by driving the motor by a motor drive control unit (not shown).
  • the vapor deposition unit moving device 104 includes, for example, a motor (not shown), and drives the motor by a motor drive control unit (not shown), thereby moving the vapor deposition unit 1 relative to the deposition target substrate 200.
  • the substrate moving device 103 and the vapor deposition unit moving device 104 drive an unillustrated motor to the alignment marker 42 provided in the non-opening region of the vapor deposition mask 40 and the non-vapor deposition region in the deposition target substrate 200.
  • Position correction is performed by the provided alignment marker 202 so that the positional deviation between the vapor deposition mask 40 and the deposition target substrate 200 is eliminated.
  • the substrate moving device 103 and the vapor deposition unit moving device 104 may be, for example, a roller type moving device or a hydraulic type moving device.
  • the substrate moving device 103 and the vapor deposition unit moving device 104 are, for example, a drive unit composed of a motor (XY ⁇ drive motor) such as a stepping motor (pulse motor), a roller, and a gear, and a drive such as a motor drive control unit.
  • the film formation substrate 200 or the vapor deposition unit 1 may be moved by providing a control unit and driving the drive unit by the drive control unit.
  • the substrate moving device 103 and the vapor deposition unit moving device 104 include a driving unit composed of an XYZ stage or the like, and may be movably provided in any of the X axis direction, the Y axis direction, and the Z axis direction. Good.
  • At least one of the deposition target substrate 200 and the vapor deposition unit 1 may be provided so as to be relatively movable.
  • at least one of the substrate moving device 103 and the vapor deposition unit moving device 104 may be provided.
  • the vapor deposition unit 1 may be fixed to the inner wall of the vacuum chamber 101.
  • the substrate holder 102 may be fixed to the inner wall of the vacuum chamber 101.
  • the vapor deposition unit 1 includes a vapor deposition source 10, a first limiting plate unit 20, a second limiting plate unit 30, a vapor deposition mask 40, a holder 50, a deposition preventing plate 60, a shutter (not shown), and the like. Since the vapor deposition source 10, the first limiting plate unit 20, the second limiting plate unit 30, and the vapor deposition mask 40 have already been described, the description thereof is omitted here.
  • the holder 50 is a holding member that holds the vapor deposition source 10, the first limiting plate unit 20, the second limiting plate unit 30, and the vapor deposition mask 40.
  • the holder 50 is provided with, for example, a pair of slide devices 51 and a support member 52 in order to support the first limiting plate unit 20 and the second limiting plate unit 30, for example.
  • the slide device 51 is disposed so as to face both ends of the holder 50 in the X-axis direction. Further, the support member 52 is provided on the facing surface side of each slide device 51. These support members 52 are slidable in the Z-axis direction and the X-axis direction in a state of being opposed to each other, and their movements are controlled in cooperation with the slide device 51 and a limiting plate control device (not shown).
  • first limiting plate unit 20 includes, for example, a frame-shaped holding body 26 as described above.
  • the second restriction plate unit 30 includes, for example, a frame-shaped holding body 36 as described above.
  • Support portions 27 detachably attached to the support member 52 are provided at both ends in the X-axis direction of the frame-shaped holding body 26. Further, support portions 37 detachably provided on the support member 52 are provided at both ends in the X-axis direction of the frame-shaped holding body 36. Thereby, the first limiting plate unit 20 and the second limiting plate unit 30 can be attached and detached from the holder 50, and the vapor deposition material deposited on the first limiting plate unit 20 and the second limiting plate unit 30 is used. It can be collected regularly.
  • the vapor deposition material melts or evaporates when heated, and thus can be easily recovered by heat treatment. Since the vapor deposition mask 40 has high required dimensional accuracy such as the opening width and flatness thereof, there is a risk of causing distortion, and heat treatment cannot be performed. However, since the first limiting plate unit 20 and the second limiting plate unit 30 do not require a high degree of dimensional accuracy as the vapor deposition mask 40, heat treatment can be performed, and the deposited vapor deposition material can be easily recovered. can do. Accordingly, high material utilization efficiency can be ensured.
  • the vapor deposition unit 1 is provided with a tension mechanism 53 for applying tension to the vapor deposition mask 40 on the holder 50, for example.
  • the vapor deposition mask 40 can be held horizontally while tension is applied to the vapor deposition mask 40, and the vapor deposition mask 40, the vapor deposition source 10, the first limiting plate unit 20, and the second limiting plate unit 30.
  • the relative positional relationship with can be fixed.
  • the vapor deposition particles 401 scattered from the vapor deposition source 10 are adjusted so as to be scattered in the vapor deposition mask 40, and the vapor deposition particles scattered outside the vapor deposition mask 40 are attached to the deposition preventing plate 60 (shielding plate). It is good also as a structure removed suitably by these.
  • a shutter (not shown) is provided between the vapor deposition source 10 and the first limiting plate unit 20 to control the arrival of the vapor deposition particles 401 to the vapor deposition mask 40 as necessary. It may be provided so as to be able to advance / retreat (can be inserted / removed) based on an OFF signal or a deposition ON signal.
  • the shutter By appropriately inserting a shutter between the vapor deposition source 10 and the first limiting plate unit 20, vapor deposition in a non-vapor deposition region where vapor deposition is not performed can be prevented.
  • the shutter may be provided integrally with the vapor deposition source 10, or may be provided separately from the vapor deposition source 10.
  • FIG. 7 is a main part plan view showing another schematic configuration of the limiting plate unit according to the present embodiment.
  • the first limiting plate 22 and the first limiting plate 22 are viewed from a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40.
  • the two limiting plates 32 are schematically shown together with the vapor deposition particles 401 that have passed through the first limiting plate 22 at a high rate.
  • Vapor deposition blur can be suppressed by being deposited on the deposition target substrate 200.
  • the second limiting plate 32 is continuous in the X-axis direction.
  • the second limiting plate 32 is formed intermittently in the X-axis direction. May be. That is, it may be discontinuous. In this case, it is not necessary to match the discontinuous portion at a specific position on the X axis, and it is not necessary to match the length of the discontinuous portion. What is necessary is just to determine the position of a discontinuous location suitably according to arrangement
  • the second limiting plate 32 When the second limiting plate 32 is provided continuously in the X-axis direction, there is an advantage that the second limiting plate 32 can be easily arranged.
  • the second restriction plate 32 is intermittently formed in the X-axis direction, so that the second restriction plate 32 can be configured by a combination of small parts, There is an advantage that fine adjustment according to the nozzle distribution / vapor deposition distribution becomes possible.
  • the vapor deposition source 10 is arranged below the deposition target substrate 200, and the deposition target substrate 200 receives the vapor deposition particles 401 from the deposition source 10 in a state where the deposition target surface 201 faces downward.
  • An example in which the film is injected upward and is deposited (up-deposition) on the deposition target substrate 200 is shown as an example.
  • the vapor deposition method is not limited to this, and the vapor deposition source 10 is provided above the deposition target substrate 200, and the vapor deposition particles 401 are injected downward from the vapor deposition source 10 to form the deposition target substrate 200. It may be vapor-deposited (down-deposition).
  • the arrangement of the vapor deposition source 10, the first limiting plate unit 20, the second limiting plate unit 30, the vapor deposition mask 40, and the deposition target substrate 200 is opposite to the example shown in FIGS. 1 and 6. Obviously, in this case, the arrangement of the vapor deposition source 10, the first limiting plate unit 20, the second limiting plate unit 30, the vapor deposition mask 40, and the deposition target substrate 200 is opposite to the example shown in FIGS. 1 and 6. Become.
  • the vapor deposition source 10 has, for example, a mechanism for injecting vapor deposition particles 401 in the lateral direction, and the deposition target surface 201 side of the deposition target substrate 200 is set up in the vertical direction facing the deposition source 10 side. In this state, the vapor deposition particles 401 may be ejected in the lateral direction and vapor deposited (side deposition) on the deposition target substrate 200.
  • the arrangement of the vapor deposition source 10, the first limiting plate unit 20, the second limiting plate unit 30, the vapor deposition mask 40, and the deposition target substrate 200 may be any of the left and right examples shown in FIGS. 1 and 6. The arrangement is rotated 90 degrees in the direction of.
  • first limiting plate 22 and the second limiting plate 32 are provided perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40 .
  • first limiting plate The main surfaces of 22 and the second limiting plate 32 may be provided inclined with respect to the Z-axis direction.
  • the first restriction plate 22 and the second restriction plate 32 are respectively formed on the main surface of the vapor deposition mask 40. It is preferable that they are provided vertically.
  • the vapor deposition blur can be sufficiently suppressed by arranging the second limiting plate unit 30 shown in the first embodiment.
  • the vapor deposition particles 401 tend to fly closer to the X axis as the directivity decreases, and in the second limiting plate unit 30 shown in the first embodiment, the vapor deposition particles 401 asymptotic to the X axis. This is because cannot be cut.
  • the second limiting plate 32 is provided asymptotically to the X axis. It is desirable.
  • FIG. 8 is a perspective view showing a schematic configuration of a main part of the vapor deposition unit 1 in the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment, together with the film formation substrate 200. Further, FIG. 9 shows the vapor deposition particles that have passed through the first limiting plate 22 and the second limiting plate 32 when viewed from the direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40, at the high rate. 4 is a plan view of an essential part schematically shown in FIG.
  • the vapor deposition unit 1 according to the present embodiment has the second limiting plate 32, more strictly, the first limit plate 32 when viewed from the direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40.
  • the end surfaces 32a of the two limiting plates 32 have a bent shape and are arranged in parallel with each other in the X-axis direction at the same pitch, and between the second limiting plates 32 adjacent in the X-axis direction. Except that the limiting plate opening 33 having a bent shape is formed, the vapor deposition unit 1 according to the first embodiment has the same configuration.
  • the first limiting plate 22 and the second limiting plate 32 are installed so as not to be parallel on the same YZ plane.
  • the second limiting plate 32 is non-parallel to the Y-axis direction and extends in a direction intersecting the Y-axis direction.
  • the vaporized vaporized flow after passing through the first limiting plate unit 20 can be cut by the second limiting plate unit 30.
  • the vapor deposition particles 401 that have passed through the mask opening 41 of the vapor deposition mask 40 in a state having directivity are vapor deposited on the deposition target substrate 200, vapor deposition blur can be suppressed.
  • the second limiting plate 32 since the second limiting plate 32 is bent, the second limiting plate 32 is provided continuously in the Y-axis direction asymptotically in the X-axis direction.
  • ⁇ Modification> 10 (a) to 10 (l) are main part plan views showing another schematic configuration of the limiting plate unit according to the present embodiment, as viewed from a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40.
  • FIG. The first restriction plate 22 and the second restriction plate 32 are schematically shown.
  • the shape> As an example of the second limiting plate 32 having a bent shape, when the second limiting plate 32 is viewed from a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40, the shape>
  • the case of having a V-shape opening in a direction perpendicular to the scanning direction is shown as an example.
  • each of the second restriction plates 32 may have a zigzag shape, and the plurality of restriction plates 32 may be arranged in a zigzag shape.
  • the number of vapor deposition components vapor deposition particles 401 having poor directivity that are cut by the second limiting plate 32 increases, and hence the vapor deposition blur is further improved.
  • the second restriction plate 32 is, like the second restriction plate 32 according to the first embodiment, for example, as shown in FIG. 10C, so as to straddle the plurality of first restriction plates 22. It may be provided continuously in the axial direction.
  • the first restriction plate row 21 straddles the plurality of first restriction plates 22 so that the second restriction plate 32 has a bending point only at the end portion of the first restriction plate row 21. It may be formed over the entire area.
  • the second limiting plate 32 is the first limiting plate 22 when viewed from the direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40. It may be provided only directly above. At this time, for example, as shown in FIG. 10D, the second limiting plate 32 is provided from the end of the first limiting plate 22 to the end as viewed from the direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40, for example. May be provided, or may be provided partially. For example, the second restriction plate 32 may be provided only in a certain area of the first restriction plate 22.
  • the vapor deposition density is high and the collision of the vapor deposition particles 401 is large, so the directivity tends to deteriorate.
  • the distance from the injection port 11 is increased, the vapor deposition density is lowered, and the directivity is hardly deteriorated.
  • the second limiting plate 32 is, for example, as shown in FIG. 10 (e), in the vicinity of the upper portion of the injection port 11 immediately above the first limiting plate 22 (for example, the deposition mask 40).
  • the injection port 11 is provided in the center part of the restriction
  • limiting board 32 is as shown to (e) of FIG. 10, for example in this case In addition, it may be provided only in the region of the central portion of the first limiting plate 22.
  • the second restriction plate 32 may be provided only in the vicinity of the upper portion of the injection port 11 on the restriction plate opening 23 between the first restriction plates 22. Needless to say, the second restriction plate 32 may be provided only in both the portion shown in FIG. 10E and the portion shown in FIG. 10F. Yes. That is, the second restricting plate 32 may be provided only in the upper part in the vicinity of the injection port 11 as shown in FIGS. 10 (e) and 10 (f).
  • the second limiting plate 32 is formed by, for example, partially disposing the second limiting plate 32 on the first limiting plate 32 as shown in FIG. 10 (e) and FIG. 10 (g). There may be a region concentrated in the region, a region where the second restriction plate 32 is not provided, or a region where the arrangement interval is large, and the arrangement interval may be sparse and dense.
  • the end surface 32 a of the second limiting plate 32 is the first limiting plate row 21 in the first limiting plate row 21. It is only necessary to cross at least one of the limit plate openings 23 between the end surface 22 a of the limit plate 22 and the first limit plate 22. That is, when viewed from the direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40, the second restriction plate 32 (the end face 32 a of the second restriction plate 32) extends from the end face 22 a of the first restriction plate 22. It is only necessary to extend in the direction intersecting the Y-axis direction which is the extending direction (opening length direction) of the restriction plate opening 23 between the first restriction plate 22 and the first restriction plate 22.
  • the restriction plate opening 23 between the first restriction plates 22 is viewed from a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40 so as to be divided in a direction different from the X-axis direction. More preferably, the end face 32 a of the second restriction plate 32 intersects at least the restriction plate opening 23 between the first restriction plates 22.
  • FIGS. 9 and 10 (a) to (f) the case where the bending line of the second limiting plate 32 is symmetric with respect to the X axis is shown as an example.
  • the present invention is not limited to this.
  • the length of the bending line may vary.
  • the angle of the bending line may vary.
  • FIG. 11A to 11C are plan views showing other pattern examples of the second restricting plate 32.
  • FIG. 11A to 11C are plan views showing other pattern examples of the second restricting plate 32.
  • FIG. 11A shows, as an example, a case where the bending angle is different at each bending point as another pattern of the second limiting plate 32.
  • 11B and 11C show the relationship between the bending angle of the second limiting plate 32 and the directivity of the vapor deposition particles 401 in other patterns.
  • Each of the second restriction plates 32 may have a shape shown in FIG. 11A, and a plurality of second restriction plates may be arranged in the shape shown in FIG. Good.
  • the bending angle may be determined according to the arrangement (nozzle distribution) of the injection ports 11 in the vapor deposition source 10 and the vapor deposition distribution.
  • the way of the vapor deposition particles 401 becomes closer to the X axis as the directivity decreases.
  • the directivity is high, the vapor deposition particles 401 fly asymptotically to the Y axis. Therefore, in the case where the directivity is extremely lowered, in order to capture the vapor deposition particles 401 having low directivity by the second restricting plate 32, it is desirable that the bent line is asymptotic to the X axis.
  • the higher the directivity the larger the angle of the second limiting plate 32 with respect to the X axis (that is, the angle can be closer to 90 degrees with respect to the X axis).
  • the bending angle may be relatively increased in a region where directivity does not deteriorate so much and the bending angle may be relatively decreased in a region where directivity may deteriorate.
  • the directivity tends to deteriorate near the vicinity of the injection port 11, and the directivity does not easily deteriorate when moving away from the injection port 11. For this reason, for example, as shown in FIGS. 11B and 11C, a region P ⁇ b> 1 that is relatively close to the injection port 11 as indicated by a one-dot chain line when viewed from a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40.
  • the bending angle is relatively small, and regions P2 and P3 (for example, Y of the restriction plate opening 23) that are relatively far from the injection port 11 indicated by a two-dot chain line
  • the bending angle may be relatively increased in the upper region on the both axial ends.
  • FIG. 11C when viewed from the direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40, the distance from the injection port 11 (that is, from the injection port 11 itself or the center of the injection port 11,
  • the second limiting plate 32 may be designed or arranged so that the bending angle increases as the distance from the Y-axis increases.
  • the second restriction plate 32 may be provided integrally in the regions P1 to P3, or may be provided individually. When the second restriction plates 32 in the regions P1 to P3 are individually provided, the second restriction plate 32 may have a bent shape itself, and the flat second restriction plate 32 may be provided. By combining these, a plurality of second limiting plates 32 may be arranged in a zigzag shape when viewed from a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40.
  • the arrangement density of the second limiting plates 32 is relatively low in the region P1 that is relatively close to the injection port 11 when viewed from the direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40. It can be seen that the arrangement density is relatively low in the regions P2 and P3 that are relatively high and relatively far from the injection port 11. Further, in the configuration shown in FIG. 11C, the second restricting plate 32 is arranged so that the disposition density decreases as the distance from the injection port 11 increases when viewed from the direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40. Can be seen when placed.
  • the vapor deposition particles 401 with high directivity are not cut, or the cut is suppressed, and the vapor deposition particles 401 with poor directivity and scattered asymptotically in the X-axis direction are efficiently obtained. Can be cut.
  • the second restriction plate 32 is illustrated as an example in which the second restriction plate 32 has a bending point in the restriction plate opening 23 between the first restriction plates 22. It goes without saying that the point may be outside the limiting plate opening 23, for example, on the end surface 22 a of the first limiting plate 22. Further, it goes without saying that the second restriction plate 32 may be provided across the plurality of first restriction plates 22 regardless of whether or not the bending point is in the restriction plate opening 23. .
  • the end surface 32a of the second limiting plate 32 may have a different bending angle depending on the position of the bending point.
  • the second restriction plate 32 may be provided so as to intersect as shown in (h) and (i) of FIG.
  • the second limiting plate unit 30 has the second restriction plate unit 30 when viewed from the direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40.
  • the end surface 32 a of the limiting plate 32 only needs to intersect at least one of the end surface 22 a of the first limiting plate 22 and the limiting plate opening 23 between the first limiting plates 22 in the first limiting plate row 21.
  • the second restriction plate 32 is formed so as to have an intersecting portion, so that the directivity that is cut by the second restriction plate 32 is poor. Since the vapor deposition components increase, the vapor deposition blur is further improved.
  • the second restriction plates 32 may be arranged apart from each other in the Y-axis direction.
  • the 2nd restriction board 32 does not need to form the continuum.
  • the second limiting plate 32 when viewed from a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40, the second limiting plate 32 is provided so as to approach the X axis, thereby passing through the first limiting plate unit 20.
  • the vapor deposition particles 401 having low directivity can be efficiently captured by the second restriction plate 32.
  • the second limiting plate 32 can be configured by a combination of small parts, maintenance such as replacement of the limiting plate and fine adjustment according to the nozzle distribution / vapor deposition distribution are possible.
  • the second limiting plate 32 may be curved or wavy. By doing in this way, the material selectivity for forming the 2nd restriction board 32 can be expanded.
  • the second restricting plate 32 if the second restricting plate 32 is provided so as to be asymptotic to the X axis, the second restricting plates 32 are spaced apart from each other in the Y axis direction and arranged in parallel to each other. May be. At this time, as shown in (k) of FIG. 10, it is not always necessary that all the second restriction plates 32 are arranged in parallel. For example, as shown in (l) of FIG. 10, the second restriction plates 32 are arranged in parallel to each other in one second restriction plate row 31 (that is, in the same second restriction plate row 31). However, the second restriction plate 32 may be arranged in a different direction between the second restriction plate rows 31 adjacent in the X-axis direction.
  • the direction of the second restriction plate 32 is not necessarily the same in a certain second restriction plate row 31 and the second restriction plate row 31 adjacent to the second restriction plate row 31. .
  • the pitch of the second limiting plates 32 in one second limiting plate row 31 may be constant or partially different. May be. Needless to say, the effects described above can be obtained in any case.
  • the pitch of the second limiting plate 32 is changed as described above, the arrangement density of the second limiting plate 32 when viewed from the direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40 as described above.
  • the pitch of the second restricting plates 32 is relatively set to be relatively high in the region relatively close to the injection port 11 and relatively low in the region relatively far from the injection port 11. It may be designed to be relatively small in the region close to 11 and relatively large in the region relatively far from the injection port 11.
  • the vapor deposition particles 401 with high directivity are not cut or the cut is suppressed, and vapor deposition with poor directivity is performed.
  • the particles 401 can be cut efficiently.
  • Embodiments 1 and 2 differences from Embodiments 1 and 2 will be mainly described, and the same components as those used in Embodiments 1 and 2 have the same functions. A number is assigned and description thereof is omitted.
  • FIG. 12 is a perspective view showing a schematic configuration of a main part of the vapor deposition unit 1 in the vapor deposition apparatus 100 according to the present embodiment, together with the film formation substrate 200.
  • FIG. 13 is a main part plan view showing a schematic configuration of the limiting plate unit according to the present embodiment.
  • the first limiting plate 22 and the first limiting plate 22 are viewed from a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40.
  • the two restriction plates 32 and the third restriction plate 72 are schematically shown.
  • the vapor deposition unit 1 As shown in FIG. 12 and FIG. 13, the vapor deposition unit 1 according to the present embodiment has a vapor deposition particle 401 that has passed through the second restriction plate unit 30 between the second restriction plate unit 30 and the vapor deposition mask 40.
  • the vapor deposition unit 1 has the same configuration as that of the vapor deposition unit 1 according to the first embodiment except that a third restriction plate unit 70 that restricts the passage angle is further included.
  • the third limiting plate unit 70 is provided between the second limiting plate unit 30 and the vapor deposition mask 40 in the vapor deposition unit 1 according to the first embodiment.
  • the third restriction plate unit 70 may be provided between the second restriction plate unit 30 and the vapor deposition mask 40. Needless to say.
  • the third limiting plate unit 70 includes third limiting plate rows 71A and 71B composed of a plurality of third limiting plates 72.
  • the third limiting plate rows 71A and 71B are respectively disposed along the X axis, and the third limiting plate row 71A and the third limiting plate row 71B are separated from each other in the Y axis direction. Is provided.
  • a plurality of third restriction plates 72 are arranged in the X-axis direction at the same pitch.
  • one limiting plate opening 73 is formed as an opening region between the third limiting plates 72 adjacent in the X-axis direction.
  • the pitch of the restriction plate openings 73 is formed to be larger than the pitch of the mask openings 41, and when viewed from the direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40, it is between the third restriction plates 72 adjacent in the X-axis direction. Are provided with a plurality of mask openings 41.
  • the first limiting plate 22 and the third limiting plate 72 each have a YZ plane as a main surface.
  • the XZ plane is the main surface of the second limiting plate 32.
  • the third limiting plates 72 are each arranged so as to be perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40. For this reason, each of the third limiting plates 72 is arranged so that the front and back surfaces, which are the main surfaces, face the direction perpendicular to the deposition surface 201 of the deposition target substrate 200. They are arranged adjacent to each other in the X-axis direction.
  • the third restriction plate 72 is installed so as not to be parallel to the second restriction plate 32 on the same YZ plane.
  • the third limiting plates 72 are each formed of a plate-like member having the same dimensions. However, the third limiting plate 72 does not have to have the same dimensions as the first limiting plate 22 and the second limiting plate 32.
  • each of the third restriction plates 72 is formed in a rectangular shape, for example.
  • the shape of the third restriction plate 72 is not limited to this, For example, like the first limiting plate 22, it may be formed in a rectangular shape.
  • the vapor deposition particles 401 ejected from the vapor deposition source 10 pass through the first limiting plate unit 20, then pass through the second limiting plate unit 30, and then the third limiting plate.
  • the light passes through the unit 70, enters the mask opening 41 formed in the vapor deposition mask 40, and is vapor deposited on the deposition target substrate 200.
  • the third limiting plate unit 70 causes the vapor deposition particles 401 incident on the third limiting plate unit 70 to be in accordance with the incident angle in the same manner as the first limiting plate unit 20 and the second limiting plate unit 30. Selectively capture.
  • the third limiting plate 72 is not heated or cooled by a heat exchanger (not shown) in order to cut the oblique deposition components. For this reason, the third restricting plate 72 is also at a temperature lower than the injection port 11 of the vapor deposition source 10 (more strictly, a temperature lower than the vapor generation particle generation temperature at which the vapor deposition material becomes a gas).
  • the third restriction plate unit 70 may be provided with a cooling mechanism (not shown) for cooling the third restriction plate 72 as necessary.
  • the third restriction plate 72 can be fixed by using the same method as that for fixing the first restriction plate 22 and the second restriction plate 32. That is, also in the present embodiment, the same method as the fixing method of the first limiting plate 22 and the second limiting plate 32 shown in FIGS. 4 to 6 can be used.
  • the vapor deposition flow obtained by cutting the vapor deposition component with a slight decrease in directivity in the second limiting plate unit 30 enters the third limiting plate unit 70.
  • the vapor deposition component whose directivity has decreased can be cut by the third limiting plate 72.
  • the vapor deposition component with poor directivity that could not be cut by the second limiting plate 32 can be cut by the third limiting plate 72.
  • the vapor deposition components with poor directivity that could not be cut by the second limiting plate 32 the vapor deposition components that changed into components with high directivity by repeated collision scattering between particles were obtained by the third limiting plate 72. It can be used as the deposited film 402 without being cut.
  • the functions can be separated into the respective restriction plate units. No need to design in complex shapes or arrangements.
  • vapor deposition blur by providing a plurality of limiting plate units, in particular, by providing a plurality of limiting plate units between the first limiting plate unit 20 and the vapor deposition mask 40 as described above, vapor deposition blur. It is easy to prevent evaporation blur and improve material utilization efficiency without reducing material use efficiency or sacrificing evaporation blur because it does not reduce material use efficiency. And it is possible to achieve both.
  • the third limiting plate unit 70 by providing the third limiting plate unit 70 on the downstream side of the second limiting plate unit 30, directivity including vapor deposition components asymptotically or completely parallel to the X axis is provided. It is possible to cut a vapor deposition component having poor properties. That is, according to the present embodiment, as described above, the third limiting plate 72 is completely parallel to the Y axis, so that even a vapor deposition component completely parallel to the X axis can be cut.
  • the third restriction plate 72 having the third restriction plate 72 parallel to the Y axis on the uppermost stage (in other words, the most downstream side) closest to the vapor deposition mask 40 among the restriction plate units constituted by a plurality of stages.
  • the vapor deposition particles 401 can be incident on the mask opening 41 of the vapor deposition mask 40 with the vapor deposition component having poor directivity removed at the end.
  • the vapor deposition components with poor directivity are cut by the first limiting plate unit 20 and the second limiting plate unit 30, so that there are many vapor deposition components with high directivity. pass.
  • the 3rd restriction board 72 is installed in the restriction board opening 23 between the 1st restriction boards 22, highly directivity vapor deposition controlled by the 1st restriction board unit 20 and the 2nd restriction board unit 30 will be carried out.
  • Even components may be cut by the third limiting plate 72. For this reason, it is desirable that the third restriction plate 72 be installed on the first restriction plate 22.
  • the vapor deposition source 10 the first limiting plate unit 20, the second limiting plate unit 30, the third limiting plate unit 70, and the vapor deposition mask 40 are separated from each other.
  • the vapor deposition source 10, the first limiting plate unit 20, the second limiting plate unit 30, the third limiting plate unit 70, and the vapor deposition mask 40 are shown as an example. They may be provided apart from each other, or may be provided in contact with or integrated with each other. The advantages and disadvantages in this case are the same as the advantages and disadvantages described in the first embodiment.
  • the vapor deposition unit 1 is provided between the vapor deposition mask 40, the vapor deposition source 10 that ejects the vapor deposition particles 401 toward the vapor deposition mask 40, and the vapor deposition mask 40 and the vapor deposition source 10.
  • a plurality of limiting plate units having at least a first limiting plate unit 20 and a second limiting plate unit 30 for limiting the passing angle of the vapor deposition particles 401, and the first limiting plate unit 20 includes the vapor deposition.
  • No restriction plate 32 When viewed from a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40, the second limiting plate 32 extends in a direction intersecting a second direction (Y-axis direction) perpendicular to the first direction. It is installed.
  • the vapor deposition unit 1 is configured such that the end surface 32a of the second limiting plate 32 is between the end surface 22a of the first limiting plate 22 and the first limiting plate 22 in the first limiting plate example 21. Of at least one of the opening regions (restriction plate opening 23).
  • the vapor deposition flow whose directivity is improved by the first restriction plate 22 has poor directivity after passing through the opening region (restriction plate opening 23) between the first restriction plates 22 (so-called isotropic). Even if the distribution is reduced, the second limiting plate 32 can cut the vapor deposition component (vapor deposition particles 401) having poor directivity.
  • the vapor deposition particles 401 that have passed through the second limiting plate unit 30 pass through the vapor deposition mask 40 while maintaining high directivity, and are vapor deposited on the deposition target substrate 200. For this reason, vapor deposition blur can be suppressed and a high-definition vapor deposition film pattern with very little vapor deposition blur can be formed.
  • the said vapor deposition unit 1 is equipped with the multi-stage restriction
  • the vapor deposition unit 1 it is possible to suppress vapor deposition blur at a high rate, improve material utilization efficiency, and improve yield and productivity.
  • the vapor deposition unit 1 according to the second aspect of the present invention is the vapor deposition unit 1 according to the first aspect, wherein the first limiting plate 22 and the second limiting plate 32 are provided perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40, respectively. Is preferred.
  • the arrangement of the first limiting plate 22 and the second limiting plate 32 is easy, and there is no fear of cutting vapor deposition particles having high directivity.
  • the vapor deposition unit 1 according to the aspect 3 of the present invention has the first restriction plate 22 and the second restriction when the vapor deposition unit 1 according to the aspect 1 or 2 is viewed from a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40. It is preferable that the end surfaces of the plate 32 extend in directions orthogonal to each other.
  • the second limiting plate unit 30 is provided apart from each other in the second direction perpendicular to the first direction when viewed from the direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40. It is preferable that a second limiting plate row 31 composed of the plurality of second limiting plates 32 is provided.
  • the vapor deposition unit 1 according to the aspect 4 of the present invention is the vapor deposition unit 1 according to the aspect 1 or 2 described above, when the second restriction plate 32 is viewed from a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40. It is preferable that it is formed asymptotically in this direction.
  • the second restricting plate 32 is arranged so that each individual second restricting plate 32 asymptotically approaches the first direction when viewed from a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40.
  • the bending line of the second limiting plate 32 may be formed so as to approach the first direction.
  • the vapor deposition particles 401 tend to fly closer to the X axis as the directivity decreases. For this reason, when the directivity deterioration is extremely large, in order to capture the vapor deposition particles 401 having low directivity by the second restriction plate 32, the second restriction plate 32 is perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40. When viewed from the direction, it is preferably formed so as to approach the first direction.
  • the second restriction plate 32 has at least one bending point. It is preferable to have one.
  • the second limiting plate 32 is bent in this way, so that the second limiting plate 32 is provided in a continuous manner in the second direction asymptotically in the first direction.
  • the end surface of the second limiting plate 32 when viewed from a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40 in the fifth aspect, has a bending point. It is preferable to have a plurality.
  • the second restriction plate 32 may be formed in a zigzag shape, for example.
  • the number of vapor deposition components (vapor deposition particles 401) having poor directivity that are cut by the second restricting plate 32 increases, so that the vapor deposition blur can be further improved.
  • the second restriction plate 32 is an injection port of the vapor deposition source 10. 11 may be provided only in the vicinity of 11.
  • the vapor deposition unit 1 according to the aspect 7 of the present invention is arranged side by side along the second direction when viewed from the direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40 in the aspect 5 or 6. It may have a configuration that is provided only in a region that overlaps the row of the injection ports 11 of the vapor deposition source 10.
  • the vapor deposition unit 1 according to the eighth aspect of the present invention is the vapor deposition unit 1 according to any one of the fifth to seventh aspects, when the injection port 11 of the vapor deposition source 10 is viewed from a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40.
  • the vapor deposition unit 1 according to the ninth aspect of the present invention is an area relatively close to the emission port 11 of the vapor deposition source 10 when viewed from a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40 in the sixth aspect.
  • the region P1 for example, the region P1 above the center of the restriction plate opening 23
  • the bending angle of the second restriction plate 32 is relatively small, and the region is relatively far from the injection port 11 (for example, Y of the restriction plate opening 23).
  • the bending angle of the second limiting plate 32 is relatively large.
  • the vapor deposition unit 1 according to the tenth aspect of the present invention is the vapor deposition unit 1 according to the ninth aspect, wherein the second limiting plate 32 has a bending angle when viewed from a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40. It is preferable that the distance increases from the outlet 11 of the source 10.
  • the vapor deposition density is high and there are many collisions of the vapor deposition particles 401, so the directivity tends to deteriorate.
  • the distance from the injection port 11 is increased, the vapor deposition density is lowered, and the directivity is hardly deteriorated.
  • the vapor deposition particles 401 having high directivity are not cut, or the cut is suppressed, and the vapor deposition particles 401 having poor directivity and scattered asymptotically in the X-axis direction. Can be cut efficiently.
  • the second restriction plate 32 intersects with each other when viewed from a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40 in the fourth aspect. Is preferred.
  • the vapor deposition component with poor directivity that is cut by the second limiting plate 32 increases, so that the vapor deposition blur can be further improved.
  • the vapor deposition unit 1 according to the twelfth aspect of the present invention is the vapor deposition unit 1 according to any of the first to eleventh aspects, wherein the second limiting plate is viewed from a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask, respectively. It is preferable that the first restriction plate is provided continuously in the first direction so as to straddle the plurality of first restriction plates.
  • the second limiting plate can be easily disposed.
  • the vapor deposition unit 1 according to the thirteenth aspect of the present invention is the vapor deposition unit 1 according to any one of the first to twelfth aspects, when the second restriction plate 32 is viewed from a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40. It is preferable that a plurality are provided in the first direction and the second direction.
  • the second limiting plate 32 can be configured by a combination of small parts, maintenance such as replacement of the limiting plate and fine adjustment according to the nozzle distribution / vapor deposition distribution are possible.
  • the first limiting plate 22 and the second limiting plate 32 are provided apart from each other. preferable.
  • the vapor deposition unit 1 according to the aspect 15 of the present invention is such that, in any of the above aspects 1 to 14, the first limiting plate 22 and the second limiting plate 32 are provided in contact with each other. preferable.
  • the low-directivity vapor deposition particles 401 after passing through the first limiting plate 22 can be reliably captured, and vapor deposition blur is hardly generated.
  • the first limiting plate 22 and the second limiting plate 32 can be very accurately aligned by pin alignment or the like.
  • the second restriction plate 32 can be replaced with the first restriction plate 22 without providing a separate cooling mechanism for the second restriction plate 32. It can cool using the provided cooling mechanism. For this reason, the reevaporation of the trapped vapor deposition particles 401 can be prevented with a simple configuration.
  • the vapor deposition unit 1 according to the sixteenth aspect of the present invention is the vapor deposition unit 1 according to any one of the first to fifteenth aspects, wherein the plurality of restriction plate units are disposed between the second restriction plate unit 30 and the vapor deposition mask 40.
  • the third limiting plate unit 70 further includes a third limiting plate unit 70 that limits the passage angle of the vapor deposition particles 401 that have passed through the second limiting plate unit 30.
  • a third limiting plate row 71 composed of a plurality of third limiting plates 72 provided in parallel to each other and spaced apart from each other in the first direction is provided. It is preferable.
  • the vapor deposition components with poor directivity that could not be cut by the second restriction plate 32 the vapor deposition components that have changed into components with high directivity by repeated collision scattering between the vapor deposition particles are the third restriction. Without being cut by the plate 72, it can be used as the vapor deposition film 402.
  • the functions can be separated into the respective restriction plate units. Without designing the shape or arrangement, it is possible to cut vapor deposition components with poor directivity, including vapor deposition components that are asymptotically or completely parallel to the X axis. For this reason, prevention of vapor deposition blur and improvement of material utilization efficiency can both be achieved easily and reliably.
  • the vapor deposition unit 1 according to the seventeenth aspect of the present invention is the vapor deposition unit 1 according to any one of the first to sixteenth aspects, when viewed from a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40.
  • a relatively close region for example, the region P1 above the central portion of the restricting plate opening 23
  • the arrangement density of the second restricting plates 32 is relatively high, and a region (for example, relatively far from the injection port 11).
  • the arrangement density of the second limiting plates 32 is relatively low.
  • the vapor deposition unit 1 according to the aspect 18 of the present invention is the vapor deposition unit 1 according to the aspect 17 described above, wherein the arrangement density of the second limiting plates 32 is as described above when viewed from a direction perpendicular to the main surface of the vapor deposition mask 40. It is preferable that it becomes so low that it leaves
  • the vapor deposition particles 401 with high directivity are not cut, or the cut is suppressed, and the vapor deposition particles 401 with poor directivity and scattered asymptotically in the X-axis direction are efficiently used. Can cut well.
  • the vapor deposition apparatus 100 includes the vapor deposition unit 1 according to any one of the first to eighteenth aspects, the vapor deposition mask 40 and the deposition target substrate 200 in the vapor deposition unit 1, A moving device (the substrate moving device 103 or the vapor deposition unit moving device 104) that relatively moves one of the vapor deposition unit 1 and the deposition target substrate 200 so that the second direction is the scanning direction;
  • the width of the vapor deposition mask 40 in the second direction is smaller than the width of the film formation substrate 200 in the second direction, and is emitted from the vapor deposition source 10 while scanning along the second direction.
  • the vapor deposition particles 401 are vapor-deposited on the deposition target substrate 200 through the plurality of limiting plate units and the openings of the vapor deposition mask 40.
  • the present invention relates to a vapor deposition unit used for scanning vapor deposition using a scanning method, in which vapor deposition is performed while relatively moving a deposition target substrate and a vapor deposition unit, and using such a vapor deposition unit. It can be suitably used for a vapor deposition apparatus for forming a predetermined pattern.
  • the vapor deposition unit and the vapor deposition apparatus of the present invention are suitably used for an organic EL display device manufacturing apparatus, a manufacturing method, and the like used in a film forming process such as separate formation of an organic layer in an organic EL display device. Can do.
  • Vapor deposition unit 10 Vapor deposition source 11 Injection port 20 1st restriction board unit 21 1st restriction board row

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Abstract

　蒸着ユニット（１）は、蒸着源（１０）と第１の制限板ユニット（２０）および第２の制限板ユニット（３０）を少なくとも有する複数段の制限板ユニットと蒸着マスク（４０）とをこの順に備え、第１の制限板ユニット（２０）は複数の第１の制限板（２２）を備え、第２の制限板ユニット（３０）は複数の第２の制限板（３２）を備え、Ｚ軸方向から見たときに第２の制限板（３２）が、Ｙ軸方向に交差する方向に延設されている。

Description

蒸着ユニットおよび蒸着装置
　本発明は、被成膜基板に所定パターンの蒸着膜を形成するための蒸着ユニットおよび蒸着装置に関する。
　近年、様々な商品や分野でフラットパネルディスプレイが活用されており、フラットパネルディスプレイのさらなる大型化、高画質化、低消費電力化が求められている。
　そのような状況下、有機材料の電界発光（エレクトロルミネッセンス；以下、「ＥＬ」と記す）を利用した有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置は、全固体型で、低電圧駆動、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとして、高い注目を浴びている。
　有機ＥＬ表示装置は、例えば、アクティブマトリクス方式の場合、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が設けられたガラス基板等からなる基板上に、ＴＦＴに電気的に接続された薄膜状の有機ＥＬ素子が設けられた構成を有している。
　フルカラーの有機ＥＬ表示装置では、一般的に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の有機ＥＬ素子が、サブ画素として基板上に配列形成されており、ＴＦＴを用いて、これら有機ＥＬ素子を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を行う。
　したがって、このような有機ＥＬ表示装置を製造するためには、少なくとも、各色に発光する有機発光材料からなる発光層を、有機ＥＬ素子毎に所定パターンで形成する必要がある。
　このような発光層を所定パターンで形成する方法としては、例えば、真空蒸着法、インクジェット法、レーザ転写法等が知られている。例えば、低分子型有機ＥＬ表示装置（ＯＬＥＤ）では、主に真空蒸着法が、発光層のパターニングに用いられている。
　真空蒸着法では、所定パターンの開口が形成された蒸着マスク（シャドウマスクとも称される）が使用される。そして、蒸着源からの蒸着粒子（蒸着材料、成膜材料）を、蒸着マスクの開口を通して被蒸着面に蒸着させることにより、所定パターンの薄膜が形成される。このとき、蒸着は、発光層の色毎に行われる（これを「塗り分け蒸着」という）。
　真空蒸着法は、被成膜基板と蒸着マスクとを固定もしくは順次移動させて密着させることにより成膜する方法と、被成膜基板と蒸着用のマスクとを離間させて走査しながら成膜するスキャン蒸着法とに大別される。
　前者の方法では、被成膜基板と同等の大きさの蒸着マスクが使用される。しかしながら、被成膜基板と同等の大きさの蒸着マスクを使用すると、基板の大型化に伴い、蒸着マスクも大型化する。したがって、被成膜基板が大きくなれば、それに伴い、蒸着マスクの自重撓みや伸びにより、被成膜基板と蒸着マスクとの間に隙間が生じ易くなる。そのため、大型基板では、高精度なパターニングを行うのが難しく、蒸着位置のズレや混色が発生し、高精細化を実現することが困難である。
　また、被成膜基板が大きくなれば、蒸着マスクのみならず、蒸着マスク等を保持するフレーム等も巨大になり、その重量も増加する。このため、被成膜基板が大きくなると、蒸着マスクやフレーム等の取り扱いが困難になり、生産性や安全性に支障をきたすおそれがある。また、蒸着装置そのものや、それに付随する装置も同様に巨大化、複雑化するため、装置設計が困難になり、設置コストも高額になる。
　このため、実情、前者の方法では、例えば６０インチサイズを超えるような大型基板に対しては、量産レベルで塗り分け蒸着することができない。
　そこで、近年、被成膜基板よりも小さな蒸着マスクを用いて走査しながら蒸着を行うスキャン蒸着法が注目されている。
　このようなスキャン蒸着法では、例えば帯状の蒸着マスクを使用し、蒸着マスクと蒸着源とを一体化する等して、被成膜基板と、蒸着マスクおよび蒸着源との少なくとも一方を相対移動させながら被成膜基板全面に蒸着粒子を蒸着する。
　このため、スキャン蒸着法では、被成膜基板と同等の大きさの蒸着マスクを用いる必要がなく、大型の蒸着マスクを用いる場合に特有の上述の問題を改善することができる。
　しかしながら、その一方で、スキャン蒸着法では、被成膜基板と、蒸着マスクおよび蒸着源との少なくとも一方を相対移動させるため、被成膜基板と蒸着マスクとの間に隙間が設けられる。
　蒸着マスクを用いた真空蒸着法では、蒸着材料を加熱して蒸発または昇華させて蒸着源から蒸着粒子として射出（飛散）させることにより蒸着が行われる。このため、蒸着すべき蒸着領域に対して蒸着粒子を適切に導くことができなければ、蒸着領域の外側の部分に蒸着材料が付着し、蒸着ボケ（パターンボケ）が生じる。
　スキャン蒸着法では、被成膜基板と蒸着マスクとの間の隙間を維持しながら走査を行うため、蒸着マスクの開口を斜めに通過する蒸着粒子の一部が蒸着領域（蒸着マスクの開口と対向する領域）の外側の部分に付着し、走査方向に対して垂直な方向に蒸着ボケが発生し易い。
　発光層等は画素の発光領域として機能する。このため、蒸着ボケが、隣接する画素の異なる色の発光領域に及ぶと、混色やデバイス特性の劣化を招く。従って、蒸着ボケは極力小さくすることが望ましい。
　そこで、近年、蒸着ボケを低減させる方法として、蒸着流（蒸着粒子の流れ）を制限する制限板（制御板）を設けることで蒸着流の指向性を高め、これにより蒸着粒子を蒸着領域に適切に導く方法が提案されている（例えば特許文献１等）。
　図１４は、特許文献１に記載の蒸着装置の概略構成を示す斜視図である。
　例えば、特許文献１には、蒸着源３０１の一側に、蒸着源３０１と蒸着マスク３０２との間の空間を複数の蒸着空間に区画する複数の遮断壁３１１を制限板として備えた遮断壁アセンブリ３１０を設けることが開示されている。特許文献１によれば、上記遮断壁３１１によって蒸着範囲が制限されることで、蒸着パターンが広がることなく、高精細なパターン蒸着を行うことができる。
日本国公開特許公報「特開２０１０－２７０３９６号公報（２０１０年１２月２日公開）」
　しかしながら、蒸着速度が高くなると（つまり、高レート時には）、このような方法を用いても蒸着ボケを解消することはできない。
　図１５の（ａ）・（ｂ）は、蒸着源３０１と蒸着マスク３０２との間に、走査方向に垂直な方向に沿って、一般的な制限板３２０を複数設けた場合における、蒸着速度の違いによる蒸着流の違いを模式的に示す図である。なお、図１５の（ａ）は、蒸着速度が相対的に低い場合（低レート時）を示し、図１５の（ｂ）は、蒸着速度が相対的に高い場合（高レート時）を示す。また、図１６は、高レート時に制限板３２０を通過した蒸着粒子４０１を模式的に示す要部平面図である。
　例えば蒸着源３０１の射出口３０１ａに特殊なノズルを使用しない限り、蒸着源３０１から射出されて飛散する蒸着粒子４０１（蒸着流）は、等方的な分布を示す。
　このため、図１５の（ａ）・（ｂ）に示すように、蒸着源３０１と蒸着マスク３０２との間に制限板３２０を設けたとしても、走査方向に垂直な方向（Ｘ軸方向）に対して浅い角度で蒸着マスク３０２を通過した蒸着粒子４０１が、被成膜基板２００に形成される蒸着膜４０２の蒸着ボケを引き起こす原因となる。
　制限板３２０は、浅い角度成分の蒸着粒子４０１をカットし、深い角度成分の蒸着粒子４０１のみを取り出すことで蒸着流を制限し、指向性を向上させる機能を担う。
　制限板３２０間の制限板開口３２１を通過した蒸着粒子４０１は、図１５の（ａ）に示すように、蒸着速度が低い場合（低レート時）には、指向性をある程度保持したまま蒸着マスク３０２を通過するので、蒸着ボケを解消することができる。
　しかしながら、図１５の（ｂ）に示すように、高レート時には、蒸着粒子４０１の運動エネルギーが高いため、蒸着粒子４０１間の衝突・散乱確率が高まる。この結果、図１６に示すように、制限板３２０により制限（制御）された蒸着流が、制限板開口３２１を通過後に再度等方的な分布となり、蒸着ボケが発生する。
　すなわち、従来の制限板３２０では、高レート時のような高い運動エネルギーを有する蒸着流を制御することができない。このことが、蒸着ボケの原因となっている。
　そして、蒸着ボケが大きくなればなるほど、画素内の不均一発光や隣接画素への混色等が発生し、画質面で大きな問題を引き起こす。
　同じことが、特許文献１に記載の蒸着装置にも言える。高レート時に衝突・散乱することによりＸ軸に対して浅い角度で遮断壁アセンブリ３１０を通過した蒸着粒子４０１は、Ｘ軸に対して浅い角度のまま蒸着マスク３０２を通過する。このため、特許文献１に記載の蒸着装置も、高レート時に発生する蒸着ボケを抑制することができない。
　なお、高レート時の蒸着ボケを抑制するため、制限板３２０（例えば、遮断壁３１１）の間隔を小さくすると、制限板３２０の開口率が急激に低下するので、蒸着材料の利用効率が低下する。
　一方、高レート時の蒸着ボケを抑制するため、制限板３２０（例えば、遮断壁３１１）と蒸着マスク３０２との間の距離を近づけようとすると、制限板３２０のＺ軸方向（被成膜基板２００の法線方向）の長さが長くなる。
　しかしながら、Ｚ軸方向の長さが長い制限板３２０を使用すると、蒸着粒子４０１の衝突・散乱が複数回生じることで、本来であれば蒸着ボケにならない蒸着成分までカットしてしまうことになる。この結果、材料利用効率が著しく低下し、収率が低下し、生産性が著しく悪くなる。また、制限板３２０の重量や熱膨張量が大きくなるので、蒸着ボケの幅にバラツキが生じることになる。
　本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、蒸着ボケを起こす蒸着流のみを効率的にカットすることで、材料利用効率を低下させることなく蒸着ボケを低減させることができる蒸着ユニットおよび蒸着装置を提供することにある。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様にかかる蒸着ユニットは、蒸着マスクと、上記蒸着マスクに向かって蒸着粒子を射出する蒸着源と、上記蒸着マスクと蒸着源との間に設けられ、上記蒸着粒子の通過角度を制限する第１の制限板ユニットおよび第２の制限板ユニットを少なくとも有する複数段の制限板ユニットとを備え、上記第１の制限板ユニットは、上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときに、第１の方向に互いに離間し、かつ、互いに平行に設けられた、複数の第１の制限板からなる第１の制限板列を備え、上記第２の制限板ユニットは、上記第１の制限板ユニットと蒸着マスクとの間に設けられており、かつ、複数の第２の制限板を備え、上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときに、上記第２の制限板が、上記第１の方向に垂直な第２の方向に交差する方向に延設されている。
　また、本発明の一態様にかかる蒸着装置は、上記蒸着ユニットと、上記蒸着ユニットにおける蒸着マスクと被成膜基板とを対向配置した状態で、上記蒸着ユニットおよび上記被成膜基板のうち一方を、上記第２の方向が走査方向となるように相対移動させる移動装置とを備え、上記蒸着マスクの上記第２の方向の幅は、上記第２の方向における被成膜基板の幅よりも小さく、上記第２の方向に沿って走査しながら、上記蒸着源から出射された蒸着粒子を、上記複数段の制限板ユニットおよび上記蒸着マスクの開口部を介して上記被成膜基板に蒸着させる。
　本発明の一態様によれば、蒸着源から射出された蒸着粒子による、等方分布を有する蒸着流は、まず、第１の制限板によって指向性の悪い蒸着成分がカット（捕捉）され、指向性の高い分布に制御される。制御された蒸着流は、蒸着速度が高い場合（つまり、高レート時）に、その高い運動エネルギーに起因して生じる蒸着粒子間の衝突・散乱のため、第１の制限板間の開口領域を通過後に、指向性が悪くなるが、第２の制限板によって再度指向性の悪い蒸着成分がカットされることで、指向性の高い分布に制御され、指向性が高い状態を維持して蒸着マスクを通過する。このため、蒸着ボケを抑制することができ、蒸着ボケが極めて少ない、高精細な蒸着膜パターンを形成することができる。
　また、上記蒸着ユニットは、蒸着経路に複数段の制限板ユニットを備えていることで、蒸着流の分布に応じて、蒸着ボケを起こす蒸着流の分布のみを、効率的にカットすることができる。このため、被成膜基板の法線方向である、蒸着マスクの主面に垂直な方向における制限板の長さを長くした場合のように制限板でロスする材料を低減することができる。
　したがって、上記蒸着ユニットおよび蒸着装置によれば、高レート時の蒸着ボケを抑制することができるとともに、従来よりも、材料利用効率を向上させることができ、収率および生産性を向上させることができる。
実施の形態１にかかる蒸着装置における蒸着ユニットの要部の概略構成を、被成膜基板と併せて示す斜視図である。 実施の形態１にかかる蒸着装置において、蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときの第１の制限板および第２の制限板を、高レート時に第１の制限板を通過した蒸着粒子と併せて模式的に示す要部平面図である。 第１の制限板を、隙間を介してＺ軸方向に２段設けた場合の蒸着流の一例を示す断面図である。 実施の形態１にかかる蒸着装置における第１の制限板ユニットおよび第２の制限板ユニットの概略構成の一例を示す斜視図である。 実施の形態１にかかる蒸着装置における第２の制限板ユニットの概略構成の他の一例を示す斜視図である。 実施の形態１にかかる蒸着装置における要部の概略構成を模式的に示す断面図である。 実施の形態１にかかる制限板ユニットの他の概略構成を示す要部平面図である。 実施の形態２にかかる蒸着装置における蒸着ユニットの要部の概略構成を、被成膜基板と併せて示す斜視図である。 実施の形態２にかかる蒸着装置において、蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときの第１の制限板および第２の制限板を、高レート時に第１の制限板を通過した蒸着粒子と併せて模式的に示す要部平面図である。 （ａ）～（ｌ）は、実施の形態２にかかる制限板ユニットの他の概略構成を示す要部平面図である。 （ａ）～（ｃ）は、実施の形態２にかかる制限板ユニットにおける第２の制限板の他のパターン例を示す平面図である。 実施の形態３にかかる蒸着装置における蒸着ユニットの要部の概略構成を、被成膜基板と併せて示す斜視図である。 実施の形態３にかかる制限板ユニットの概略構成を示す要部平面図である。 特許文献１に記載の蒸着装置の概略構成を示す斜視図である。 （ａ）・（ｂ）は、蒸着源と蒸着マスクとの間に、走査方向に垂直な方向に沿って、一般的な制限板を複数設けた場合における、蒸着速度の違いによる蒸着流の違いを模式的に示す図であり、（ａ）は低レート時を示し、（ｂ）は高レート時を示す。 高レート時に、図１５の（ｂ）に示す制限板を通過した蒸着粒子を模式的に示す要部平面図である。
　以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
　〔実施の形態１〕
　本発明の実施の一形態について図１～図７に基づいて説明すれば以下の通りである。
　＜蒸着ユニットの要部の概略構成＞
　図１は、本実施の形態にかかる蒸着装置１００（図６参照）における蒸着ユニット１の要部の概略構成を、被成膜基板２００と併せて示す斜視図である。
　なお、以下、説明の便宜上、被成膜基板２００の走査方向に沿った水平方向軸をＹ軸とし、被成膜基板２００の走査方向に垂直な方向に沿った水平方向軸をＸ軸とし、被成膜基板２００の被蒸着面２０１（被成膜面）の法線方向であり、該被蒸着面２０１に直交する蒸着軸線が延びる方向である、Ｘ軸およびＹ軸に垂直な垂直方向軸（上下方向軸）をＺ軸として説明する。また、説明の便宜上、特に言及しない限りは、Ｚ軸方向の矢印の側（図１の紙面の上側）を「上側」として説明する。
　図１に示すように、本実施の形態にかかる蒸着ユニット１は、蒸着源１０と、蒸着マスク４０と、蒸着源１０と蒸着マスク４０との間に設けられ、蒸着粒子４０１の通過角度を制限する、第１の制限板ユニット２０および第２の制限板ユニット３０とを備えている。
　蒸着源１０、第１の制限板ユニット２０、第２の制限板ユニット３０、蒸着マスク４０は、Ｚ軸方向に沿って蒸着源１０側からこの順に、例えば互いに一定の空隙を有して（つまり、一定距離離間して）対向配置されている。
　蒸着装置１００は、スキャン蒸着方式を用いた蒸着装置である。このため、蒸着装置１００では、蒸着マスク４０と被成膜基板２００との間に一定の空隙を設けた状態で、被成膜基板２００および蒸着ユニット１の少なくとも一方を相対移動（走査）させる。
　このため、蒸着源１０、第１の制限板ユニット２０、第２の制限板ユニット３０、および蒸着マスク４０は、互いにその相対的な位置が固定されている。したがって、これら蒸着源１０、第１の制限板ユニット２０、第２の制限板ユニット３０、および蒸着マスク４０は、例えば図６に示すホルダ５０のように、同一のホルダ等の図示しない保持部材によって保持されていてもよく、一体化されていてもよい。
　（蒸着源１０）
　蒸着源１０は、例えば、内部に蒸着材料を収容する容器である。蒸着源１０は、容器内部に蒸着材料を直接収容する容器であってもよく、ロードロック式の配管を有し、外部から蒸着材料が供給されるように形成されていてもよい。
　蒸着源１０は、図１に示すように、例えば矩形状に形成されている。蒸着源１０は、その上面（すなわち、第１の制限板ユニット２０との対向面）に、蒸着粒子４０１を射出させる複数の射出口１１（貫通口、ノズル）を有している。これら射出口１１は、Ｘ軸方向（第１の方向、走査方向に垂直な方向）に一定ピッチで配されている。
　蒸着源１０は、蒸着材料を加熱して蒸発（蒸着材料が液体材料である場合）または昇華（蒸着材料が固体材料である場合）させることで気体状の蒸着粒子４０１を発生させる。蒸着源１０は、このように気体にした蒸着材料を、蒸着粒子４０１として、射出口１１から第１の制限板ユニット２０に向かって射出する。
　なお、図１では、蒸着源１０が複数の射出口１１を有している場合を例に挙げて図示しているが、射出口１１の数は特に限定されるものではなく、少なくとも１つ形成されていればよい。
　また、射出口１１は、図１に示すようにＸ軸方向に一次元状（すなわち、ライン状）に配列されていてもよく、二次元状（すなわち、面状（タイル状））に配列されていても構わない。
　（蒸着マスク４０）
　蒸着マスク４０は、その主面（面積が最大である面）であるマスク面がＸＹ平面と平行な板状物である。スキャン蒸着を行う場合、蒸着マスク４０には、被成膜基板２００よりも少なくともＹ軸方向のサイズが小さな蒸着マスクが使用される。
　蒸着マスク４０の主面には、蒸着時に蒸着粒子４０１を通過させるための複数のマスク開口４１（開口部、貫通口）が設けられている。マスク開口４１は、被成膜基板２００における、目的とする蒸着領域以外の領域に蒸着粒子４０１が付着しないように、上記蒸着領域の一部のパターンに対応して設けられている。マスク開口４１を通過した蒸着粒子４０１のみが被成膜基板２００に到達し、被成膜基板２００に、マスク開口４１に対応したパターンの蒸着膜４０２（図６参照）が形成される。
　なお、上記蒸着材料が有機ＥＬ表示装置における発光層の材料である場合、有機ＥＬ蒸着プロセスにおける発光層の蒸着は、発光層の色毎に行われる。
　（第１の制限板ユニット２０および第２の制限板ユニット３０の要部の概略構成）
　前述したように、第１の制限板ユニット２０および第２の制限板ユニット３０は、蒸着源１０と蒸着マスク４０との間に、Ｚ軸方向に沿って、蒸着源１０側からこの順に配されている。
　第１の制限板ユニット２０は、複数の第１の制限板２２からなる第１の制限板列２１を備えている。また、第２の制限板ユニット３０は、複数の第２の制限板３２からなる第２の制限板列３１を備えている。
　蒸着源１０から射出された蒸着粒子４０１は、第１の制限板２２間を通った後、第２の制限板３２間を通り、蒸着マスク４０に形成されたマスク開口４１を通過して、被成膜基板２００に蒸着される。
　第１の制限板ユニット２０および第２の制限板ユニット３０は、これら第１の制限板ユニット２０および第２の制限板ユニット３０に入射した蒸着粒子４０１を、その入射角度に応じて選択的に捕捉する。
　第１の制限板ユニット２０は、例えば、第１の制限板２２に衝突した蒸着粒子４０１の少なくとも一部を捕捉することで、蒸着源１０から射出された蒸着粒子４０１に対し、第１の制限板２２の配設方向（つまり、Ｘ軸方向および斜め方向）への蒸着粒子４０１の移動を制限する。
　一方、第２の制限板ユニット３０は、例えば、第２の制限板３２に衝突した蒸着粒子４０１の少なくとも一部を捕捉することで、第１の制限板２２を通過した蒸着粒子４０１に対し、第２の制限板３２の配設方向（つまり、Ｙ軸方向および斜め方向）への蒸着粒子４０１の移動を制限する。
　これにより、第１の制限板ユニット２０および第２の制限板ユニット３０は、蒸着マスク４０のマスク開口４１に入射する蒸着粒子４０１の入射角を一定範囲内に制限し、被成膜基板２００に対する斜め方向からの蒸着粒子４０１の付着を防止する。
　なお、本実施の形態では、第１の制限板２２は、それぞれ、同一寸法の板状部材で形成されている。また、第２の制限板３２も、それぞれ、同一寸法の板状部材で形成されている。但し、第１の制限板２２と第２の制限板３２とは、同じ寸法を有している必要はない。
　第１の制限板２２と第２の制限板３２とは、同一ＹＺ面で平行にならないように設置されており、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに互いに異なる方向に延設されている。
　第１の制限板２２は、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、それぞれＹ軸に平行に延設されており、それぞれ同一ピッチでＸ軸方向に互いに平行に複数配列されている。これにより、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向（つまり、Ｚ軸に平行な方向）から見たとき、Ｘ軸方向に隣り合う第１の制限板２２間に、それぞれ、開口領域として、制限板開口２３が１つ形成されている。
　なお、本実施の形態では、第１の制限板２２は、蒸着源１０の射出口１１が、各制限板開口２３に対応するように配置されている。射出口１１のＸ軸方向位置は、隣り合う第１の制限板２２のＸ軸方向の中央位置に位置している。また、制限板開口２３のピッチは、マスク開口４１のピッチよりも大きく形成されており、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たとき、Ｘ軸方向に隣り合う第１の制限板２２間には、複数のマスク開口４１が配されている。
　一方、第２の制限板３２は、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、それぞれＸ軸に平行に延設されており、それぞれ同一ピッチで互いに平行にＹ軸方向（第２の方向、走査方向）に複数配列されている。これにより、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たとき、Ｙ軸方向に隣り合う第２の制限板３２間に、それぞれ、開口領域として、制限板開口３３が１つ形成されている。
　第１の制限板２２は、ＹＺ平面が主面となっている。一方、第２の制限板３２は、ＸＺ平面が主面となっている。
第１の制限板２２および第２の制限板３２は、それぞれ、蒸着マスク４０の主面に対して垂直となるように配されている。つまり、第１の制限板２２および第２の制限板３２は、それぞれ、その主面である表裏面が、被成膜基板２００の被蒸着面２０１に垂直な方向を向くように配されている。このため、第１の制限板２２は、それぞれの主面がＸ軸方向に隣り合うように配されており、第２の制限板３２は、それぞれの主面がＹ軸方向に隣り合うように配されている。
　本実施の形態では、第１の制限板２２および第２の制限板３２は、それぞれ、例えば長方形状に形成されている。第１の制限板２２および第２の制限板３２は、それぞれ、その短軸がＺ軸方向に平行になるように垂直に配されている。このため、第１の制限板２２は、その長軸がＹ軸方向に平行に配されており、第２の制限板３２は、その長軸がＸ軸方向に平行に配されている。
　＜蒸着ボケの抑制効果＞
　次に、上記蒸着ユニット１による蒸着ボケの抑制効果について、図１～図３を参照して以下に説明する。
　図２は、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときの第１の制限板２２および第２の制限板３２を、高レート時に第１の制限板２２を通過した蒸着粒子４０１と併せて模式的に示す要部平面図である。
　図１および図２に示すように、本実施の形態では、第１の制限板２２と第２の制限板３２の軸方向が垂直になるように第１の制限板２２と第２の制限板３２とを配設したことで、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、第２の制限板３２が、Ｙ軸方向に非平行であり、Ｙ軸方向に対して交差する方向に延設されている。より厳密には、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときの第２の制限板３２の端面３２ａが、第１の制限板列２１における、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときの第１の制限板２２の端面２２ａおよび第１の制限板２２間の制限板開口３３と交差している。なお、ここで、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときの第１の制限板２２の端面２２ａとは、第１の制限板２２における主面以外の面のうち、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときの面（例えば、図１における第１の制限板２２の上面または下面）を示す。同様に、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときの第２の制限板３２の端面３２ａとは、第２の制限板３２における主面以外の面のうち、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときの面（例えば、図１における第２の制限板３２の上面または下面）を示す。
　蒸着源１０の射出口１１から射出された蒸着粒子４０１は、蒸着流として等方的に広がる。このように等方分布を有する蒸着流は、まず、図１に示すように、第１の制限板２２によって指向性の悪い蒸着成分がカット（捕捉）され、指向性の高い分布に制御される。
　制御された蒸着流は、蒸着速度が高い場合、その高い運動エネルギーに起因して生じる蒸着粒子４０１間の衝突・散乱のため、第１の制限板２２間の制限板開口２３を通過後に、指向性が悪くなる。
　指向性が悪くなった蒸着流は、図２に示すように、第２の制限板３２によって再度指向性の悪い蒸着成分がカットされ、指向性の高い分布に制御される。
　指向性が高い状態を維持した蒸着流は、蒸着マスク４０のマスク開口４１を通過し、被成膜基板２００に蒸着される。
　なお、このとき、本実施の形態では、被成膜基板２００をＹ軸方向に走査することで、蒸着膜４０２の塗り分け層を形成することができる。
　このように、本実施の形態によれば、第２の制限板３２の端面３２ａが、第１の制限板列２１における第１の制限板２２の端面２２ａおよび第１の制限板２２間の制限板開口３３のうち少なくとも一方と交差するように、第１の制限板２２の軸方向と第２の制限板３２の軸方向とを垂直にしている。これにより、第１の制限板２２で指向性を向上させた蒸着流が、制限板開口２３を通過後に指向性が悪く（いわゆる等方的な分布化）なったとしても、第２の制限板３２で、指向性の悪い蒸着成分をカットすることができる。
　このため、第２の制限板ユニット３０を通過した蒸着粒子４０１は、高指向性を保持した状態で蒸着マスク４０のマスク開口４１を通過し、被成膜基板２００に蒸着される。このため、蒸着ボケを抑制することができ、蒸着ボケが極めて少ない、高精細な蒸着膜パターンを形成することができる。
　このため、例えば上記被成膜基板２００が有機ＥＬ基板である場合、蒸着ボケが大幅に抑制されるため、例えば、混色が生じないように発光領域間の非発光領域の幅を大きくする必要がなくなる。よって、高輝度で高精細な表示を実現することができる有機ＥＬ表示装置を製造することができる。また、例えば有機ＥＬ表示装置の輝度を高めるために発光層の電流密度を高くする必要がなくなるので、長寿命を実現でき、信頼性が向上する。
　これに対し、蒸着源１０と蒸着マスク４０との間に第１の制限板２２のみが設けられている場合、蒸着ボケの幅を小さくするためには、第１の制限板２２のＸ軸方向の間隔を小さくするか、または、第１の制限板２２の長さを長くする必要がある。
　しかしながら、第１の制限板２２のＸ軸方向の間隔を小さくすると、複数の第１の制限板２２の開口率が急激に低下するので、蒸着材料の利用効率が低下する。一方、第１の制限板２２と蒸着マスク４０との間の距離を近づけるために第１の制限板２２のＺ軸方向の長さを長くすると、第１の制限板２２の重量や熱膨張量が大きくなるので、蒸着ボケの幅にバラツキが生じる。また、このように第１の制限板２２のＺ軸方向の長さを長くすると、蒸着粒子の衝突・散乱が複数回生じることで、本来であれば蒸着ボケにならない蒸着成分までカットしてしまうことになる。
　しかしながら、本実施の形態によれば、蒸着ユニット１が、Ｚ軸方向に複数段の制限板ユニットを備えていることで、蒸着流の分布に応じて、蒸着ボケを起こす蒸着流の分布のみを、効率的にカットすることができる。このため、制限板のＺ軸方向（被成膜基板２００の法線方向）の長さを長くした場合のように制限板でロスする材料を低減することができる。
　なお、Ｚ軸方向に複数段の制限板ユニットを設ける場合、例えば、第１の制限板２２を、Ｚ軸方向に複数段設けることが考えられる。
　図３は、第１の制限板２２を、隙間２８を介してＺ軸方向に２段設けた場合の蒸着流の一例を示す断面図である。なお、ここでは、説明の便宜上、下段側の第１の制限板２２を第１の制限板２２Ａと記し、第１の制限板２２Ａ間の制限板開口２３を制限板開口２３Ａと記す。また、上段側の第１の制限板２２を第１の制限板２２Ｂと記し、第１の制限板２２Ｂ間の制限板開口２３を制限板開口２３Ａと記す。
　しかしながら、図３に示すように、第１の制限板２２を２段設けた場合、下段側（つまり上流側）の第１の制限板２２Ａ間の制限板開口２３Ａを斜めに出射した蒸着粒子４０１が、隙間２８を通過して、該制限板開口２３Ａの真上に位置する制限板開口２３Ｂ以外の制限板開口２３Ｂを通過して、マスク開口４１に入射する場合がある。
　このときに下段側の制限板開口２３Ａを通過した蒸着粒子４０１の飛散の様子を蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見ると、図１６に示す状態と同じになる。
　また、図３に示すように、第１の制限板２２を２段設けた場合、指向性の高い蒸着成分や、粒子間の散乱衝突を繰り返すことで指向性の高い成分に変化する指向性の悪い蒸着成分までもカットしてしまう割合が高くなる。このため、蒸着レートが低くなったり、材料利用効率が低下したりする懸念がある。
　しかしながら、図２に示すように、第１の制限板２２の上方（つまり、下流側）に、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見て第１の制限板２２もしくは制限板開口２３に交差するようにＹ軸方向に非平行に配設された第２の制限板３２を設けることで、指向性の悪い蒸着粒子４０１を効果的にカットすることができる。
　このように、蒸着レートが高くなると、蒸着流の広がりが大きくなるので、蒸着流の広がりを立体的に絞らなければ、蒸着ボケを解消することはできない。本実施の形態によれば、蒸着ユニット１が、上述したように、第１の制限板ユニット２０とは軸方向が異なる第２の制限板ユニットを、第１の制限板ユニット２０の下流方向に備えていることで、蒸着流の広がりを立体的に絞ることができる。このため、高レート時のような高い運動エネルギーを有する蒸着流を制御することができる。
　したがって、本実施の形態によれば、高レート時の蒸着ボケを抑制することができるとともに、従来よりも、材料利用効率を向上させることができ、収率および生産性を向上させることができる。
　また、本実施の形態によれば、上述したように、蒸着ユニット１が、Ｚ軸方向に複数段の制限板ユニットを備えているとともに、各制限板ユニットが、複数の制限板を備えていることで、あらゆる基板サイズ、パターンサイズ、材料等に、容易に対応することができる。
　なお、第１の制限板２２および第２の制限板３２は、斜めの蒸着成分をカットするため、加熱しないか、図示しない熱交換器により冷却される。このため、第１の制限板２２および第２の制限板３２は、蒸着源１０の射出口１１よりも低い温度（より厳密には、蒸着材料が気体になる蒸着粒子発生温度よりも低い温度）になっている。
　このため、第１の制限板ユニット２０および第２の制限板ユニット３０には、必要に応じて、第１の制限板２２および第２の制限板３２を冷却する、図示しない冷却機構が設けられていてもよい。これにより、被成膜基板２００の法線方向に完全に平行にならない不要な蒸着粒子４０１が、第１の制限板２２および第２の制限板３２により冷却され、固化される。これにより、第１の制限板２２および第２の制限板３２で、不要な蒸着粒子４０１を容易に捕捉することができ、蒸着粒子４０１の進行方向を、被成膜基板２００の法線方向に近づけることができる。
　＜第１の制限板ユニット２０および第２の制限板ユニット３０の全体構成＞
　図４は、第１の制限板ユニット２０および第２の制限板ユニット３０の概略構成の一例を示す斜視図である。
　第１の制限板２２は、それぞれ、Ｘ軸方向と平行な一対の第１の保持部材２４とＹ軸方向と平行な一対の第２の保持部材２５とで構成される枠状の保持体２６に、例えば溶接等の方法で一体的に保持されている。
　同様に、第２の制限板３２は、それぞれ、Ｘ軸方向と平行な一対の第１保持部材３４とＹ軸方向と平行な一対の第２保持部材３５とで構成される枠状の保持体３６に、例えば溶接等の方法で一体的に保持されている。
　但し、これら第１の制限板２２および第２の制限板３２の相対的位置や姿勢を一定に維持することができれば、これら第１の制限板２２および第２の制限板３２を保持する方法は、上記の方法に限定されない。
　図５は、第２の制限板ユニット３０の概略構成の他の一例を示す斜視図である。
　図５に示すように、第２の制限板ユニット３０は、互いに離間して設けられた複数の第２の制限板３２を有し、隣り合う第２の制限板３２間にそれぞれ制限板開口３３が設けられた、ブロック状のユニットであってもよい。
　図５に示すように第２の制限板ユニット３０をブロック状に形成することで、第２の制限板ユニット３０への冷却機構の組み込みおよび位置合わせが容易となるとともに、交換作業が容易となる等の利点がある。
　なお、図５では、第２の制限板ユニット３０がブロック状である場合を例に挙げて説明したが、第２の制限板ユニット３０と同様に、第１の制限板ユニット２０もブロック状に形成されていてもよいことは、言うまでもない。
　＜第１の制限板ユニット２０および第２の制限板ユニット３０の配置＞
　なお、図１では、蒸着源１０、第１の制限板ユニット２０、第２の制限板ユニット３０、蒸着マスク４０が、Ｚ軸方向に互いに一定距離離間して設けられている場合を例に挙げて図示した。
　このように蒸着源１０、第１の制限板ユニット２０、第２の制限板ユニット３０、蒸着マスク４０が、Ｚ軸方向に互いに一定距離離間して設けられていることで、放熱効果、並びに、隣り合う制限板ユニットに挟まれた空間を所定の真空度に容易に維持することができるという効果が得られる。
　しかしながら、これら蒸着源１０、第１の制限板ユニット２０、第２の制限板ユニット３０、蒸着マスク４０は、Ｚ軸方向に隣り合う、それらの一部、あるいは、全部が、互いに接触（例えば一体化）して設けられていても構わない。
　これら蒸着源１０、第１の制限板ユニット２０、第２の制限板ユニット３０、蒸着マスク４０を、互いに離間または接触させた場合の効果は一長一短である。したがって、所望の効果が得られるように、その配置を適宜選択・設定すればよい。
　本実施の形態では、上述したように蒸着源１０と蒸着マスク４０との間に、第１の制限板ユニット２０および第２の制限板ユニット３０が設けられていることで、その配置によって、以下の効果を得ることができる。
　（第１の制限板２２の上端部と第２の制限板３２の下端部とが密着している場合）
　この場合、第１の制限板２２を通過後の低指向性の蒸着粒子４０１を確実に捕捉することができ、蒸着ボケが発生し難いという利点がある。
　また、第１の制限板２２と第２の制限板３２とをピンアライメント等で極めて正確に位置合わせすることができるという利点がある。
　さらに、例えば第１の制限板２２に冷却機構が設けられている場合、第２の制限板３２に別途冷却機構を設けなくても、第２の制限板３２を、第１の制限板２２に設けられた冷却機構を用いて冷却することができるという利点がある。このため、簡素な構成で、捕捉した蒸着粒子４０１の再蒸発を防ぐことができる。
　しかしながら、この場合、第１の制限板２２を通過後、即座に低指向性の蒸着粒子４０１を捕捉する。低指向性の蒸着粒子４０１のなかには、被成膜基板２００への到達までに散乱を繰り返して高指向性化するものもある。このため、この場合、このように被成膜基板２００への到達までに散乱を繰り返して高指向性化する蒸着粒子４０１を利用できなくなる。
　（第１の制限板２２の上端部と第２の制限板３２の下端部とが密着していない場合）
　この場合、第１の制限板２２を通過後に低指向性化した蒸着粒子４０１が高指向性化する機会を活かすことができる。このため、材料利用効率の低下を抑制することができるという利点がある。
　しかしながら、その反面、例えば高レート時における運動エネルギーが極めて高く、指向性の低下が極めて大きい場合、第１の制限板２２を通過後の低指向性の蒸着粒子４０１が、第１の制限板２２と第２の制限板３２との間隙を縫って被成膜基板２００に到達し、蒸着ボケを発生させるおそれがある。
　（第２の制限板３２の上端部と蒸着マスク４０とが密着している場合）
　この場合、第２の制限板３２と蒸着マスク４０とをピンアライメント等で極めて正確に位置合わせすることができる。このため、第２の制限板３２の上端部と蒸着マスク４０とが密着していない場合と比べて、第２の制限板３２と蒸着マスク４０との位置合わせが容易であるという利点がある。
　一方で、一般的に蒸着マスク４０は薄いため、第２の制限板３２の上端部と蒸着マスク４０とを密着させるときに、蒸着マスク４０に損傷が生じる可能性があるという懸念がある。また、第２の制限板３２の熱履歴が蒸着マスク４０に伝わることで、第２の制限板３２の温度履歴によっては、蒸着マスク４０の精度低下を招くおそれがある。
　（第２の制限板３２の上端部と蒸着マスク４０とが密着していない場合）
　この場合、蒸着マスク４０に損傷が生じる懸念はなく、蒸着マスク４０の精度低下は起こらない。
　なお、第１の制限板２２とは異なり、第２の制限板３２のＺ軸方向の長さは、長ければ長いほど低指向性の蒸着粒子４０１を捕捉することができ、蒸着ボケの防止効果が高まる。
　しかしながら、その一方で、第２の制限板３２のＺ軸方向の長さを長くし過ぎると、第２の制限板３２が真空チャンバ等の蒸着室に占める割合が大きくなる。このため、第２の制限板３２に付着する蒸着粒子４０１の量が増大することで、コンタミネーションや再蒸発が懸念され、発光特性が低下するおそれがある。
　また、第２の制限板３２と、第１の制限板２２および蒸着マスク４０の少なくとも一方とを密着させると、一つの空間が形成されてしまうことから、第２の制限板３２の長さによっては、上記空間の真空度を高めることが困難になり、却って粒子間散乱が増強され易くなるおそれがある。この傾向は、第２の制限板３２がＺ軸方向に長ければ長いほど顕著になる。特に、第２の制限板３２が第１の制限板２２と蒸着マスク４０との両者に密着している場合、上記問題を招来し易くなる。このため、Ｚ軸方向に長い第２の制限板３２を用いる場合には、第２の制限板３２と第１の制限板２２および蒸着マスク４０とは、ある程度離間して設けられていることが望ましい。
　＜蒸着装置の概略構成＞
　次に、図６を参照して、上記蒸着ユニット１を用いた蒸着装置１００の一例について説明する。
　図６は、本実施の形態にかかる蒸着装置１００における要部の概略構成を模式的に示す断面図である。なお、図６は、本実施の形態にかかる蒸着装置１００におけるＸ軸方向に平行な断面を示している。
　図６に示すように、本実施の形態にかかる蒸着装置１００は、真空チャンバ１０１（成膜チャンバ）、基板ホルダ１０２（基板保持部材）、基板移動装置１０３、蒸着ユニット１、蒸着ユニット移動装置１０４、イメージセンサ１０５等のアライメント観測手段、および、図示しないシャッタや、蒸着装置１００を駆動制御するための図示しない制御回路等を備えている。
　そのうち、基板ホルダ１０２、基板移動装置１０３、蒸着ユニット１、蒸着ユニット移動装置１０４は、真空チャンバ１０１内に設けられている。
　なお、真空チャンバ１０１には、蒸着時に該真空チャンバ１０１内を真空状態に保つために、該真空チャンバ１０１に設けられた図示しない排気口を介して真空チャンバ１０１内を真空排気する図示しない真空ポンプが設けられている。
　＜基板ホルダ１０２＞
　基板ホルダ１０２は、被成膜基板２００を保持する基板保持部材である。基板ホルダ１０２は、ＴＦＴ基板等からなる被成膜基板２００を、その被蒸着面２０１が、蒸着ユニット１における蒸着マスク４０に面するように保持する。
　被成膜基板２００と蒸着マスク４０とは、一定距離離間して対向配置されており、被成膜基板２００と蒸着マスク４０との間には、一定の高さの空隙が設けられている。
　基板ホルダ１０２には、例えば静電チャック等が使用されることが好ましい。被成膜基板２００が基板ホルダ１０２に静電チャック等の手法で固定されていることで、被成膜基板２００は、自重による撓みがない状態で基板ホルダ１０２に保持される。
　＜基板移動装置１０３および蒸着ユニット移動装置１０４＞
　本実施の形態では、基板移動装置１０３および蒸着ユニット移動装置１０４の少なくとも一方により、被成膜基板２００と、蒸着ユニット１とを、Ｙ軸方向が走査方向となるように相対的に移動させてスキャン蒸着を行う。
　基板移動装置１０３は、例えば図示しないモータを備え、図示しないモータ駆動制御部によってモータを駆動させることで、基板ホルダ１０２に保持された被成膜基板２００を移動させる。
　また、蒸着ユニット移動装置１０４は、例えば図示しないモータを備え、図示しないモータ駆動制御部によってモータを駆動させることで、蒸着ユニット１を、被成膜基板２００に対して相対移動させる。
　また、これら基板移動装置１０３および蒸着ユニット移動装置１０４は、例えば図示しないモータを駆動させることにより、蒸着マスク４０の非開口領域に設けられたアライメントマーカ４２および被成膜基板２００における非蒸着領域に設けられたアライメントマーカ２０２により、蒸着マスク４０と被成膜基板２００との位置ズレが解消されるように位置補正を行う。
　これら基板移動装置１０３および蒸着ユニット移動装置１０４は、例えば、ローラ式の移動装置であってもよく、油圧式の移動装置であってもよい。
　これら基板移動装置１０３および蒸着ユニット移動装置１０４は、例えば、ステッピングモータ（パルスモータ）等のモータ（ＸＹθ駆動モータ）、コロ、およびギヤ等で構成される駆動部と、モータ駆動制御部等の駆動制御部とを備え、駆動制御部により駆動部を駆動させることで、被成膜基板２００または蒸着ユニット１を移動させるものであってもよい。また、これら基板移動装置１０３および蒸着ユニット移動装置１０４は、ＸＹＺステージ等からなる駆動部を備え、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向の何れの方向にも移動自在に設けられていてもよい。
　但し、被成膜基板２００および蒸着ユニット１は、その少なくとも一方が相対移動可能に設けられていればよい。言い換えれば、基板移動装置１０３および蒸着ユニット移動装置１０４は、その少なくとも一方が設けられていればよい。
　例えば被成膜基板２００が移動可能に設けられている場合、蒸着ユニット１は、真空チャンバ１０１の内壁に固定されていてもよい。逆に、蒸着ユニット１が移動可能に設けられている場合、基板ホルダ１０２は、真空チャンバ１０１の内壁に固定されていても構わない。
　＜蒸着ユニット１＞
　蒸着ユニット１は、蒸着源１０、第１の制限板ユニット２０、第２の制限板ユニット３０、蒸着マスク４０、ホルダ５０、防着板６０、および図示しないシャッタ等を備えている。なお、蒸着源１０、第１の制限板ユニット２０、第２の制限板ユニット３０、蒸着マスク４０については、既に説明したため、ここでは、その説明を省略する。
　（ホルダ５０）
　ホルダ５０は、蒸着源１０、第１の制限板ユニット２０、第２の制限板ユニット３０、蒸着マスク４０を保持する保持部材である。
　ホルダ５０には、例えば、第１の制限板ユニット２０および第２の制限板ユニット３０を支持するために、それぞれに対応して、例えば一対のスライド装置５１や支持部材５２が備えられている。
　スライド装置５１は、ホルダ５０のＸ軸方向両端部にそれぞれ対向して配設される。また、支持部材５２は、各スライド装置５１の対向面側に設けられている。これら支持部材５２は、互いに対向した状態でＺ軸方向やＸ軸方向にスライド変位可能であり、スライド装置５１や図示しない制限板制御装置との協働によって、その動きが制御されている。
　また、第１の制限板ユニット２０は、例えば、前述したように枠状の保持体２６を備えている。第２の制限板ユニット３０は、例えば、前述したように枠状の保持体３６を備えている。
　枠状の保持体２６におけるＸ軸方向の両端部には、支持部材５２に脱着可能に設けられた支持部２７がそれぞれ設けられている。また、枠状の保持体３６におけるＸ軸方向の両端部には、支持部材５２に着脱可能に設けられた支持部３７がそれぞれ設けられている。これにより、第１の制限板ユニット２０および第２の制限板ユニット３０はホルダ５０から着脱が可能であり、これら第１の制限板ユニット２０および第２の制限板ユニット３０に堆積した蒸着材料を定期的に回収することができるようになっている。
　なお、蒸着材料は加熱すれば溶融または蒸発するため、加熱処理することによって容易に回収することができる。蒸着マスク４０は、その開口幅や平面度等、求められる寸法精度が高いため、歪みを招くおそれがあり、加熱処理を行うことができない。しかしながら、第１の制限板ユニット２０および第２の制限板ユニット３０には、蒸着マスク４０ほどの高度な寸法精度は求められないため、加熱処理が可能であり、堆積した蒸着材料を簡単に回収することができる。従って、高い材料の利用効率を確保することができる。
　また、蒸着ユニット１には、例えばホルダ５０に、蒸着マスク４０にテンションをかけるテンション機構５３が設けられていることが望ましい。これにより、蒸着マスク４０にテンションをかけた状態で蒸着マスク４０を水平に保持することができ、蒸着マスク４０と、蒸着源１０、第１の制限板ユニット２０、および第２の制限板ユニット３０との相対的な位置関係を固定することができる。
　＜防着板６０＞
　上記蒸着装置１００において、蒸着源１０から飛散した蒸着粒子４０１は、蒸着マスク４０内に飛散するように調整されており、蒸着マスク４０外に飛散する蒸着粒子は、防着板６０（遮蔽板）等で適宜除去される構成としてもよい。
　＜シャッタ＞
　被成膜基板２００の方向に蒸着粒子を飛来させないときには、図示しないシャッタを用いて、蒸着粒子４０１の蒸着マスク４０への到達を制御することが望ましい。
　このため、例えば蒸着源１０と第１の制限板ユニット２０との間には、蒸着粒子４０１の蒸着マスク４０への到達を制御するために、必要に応じて、図示しないシャッタが、蒸着ＯＦＦ（オフ）信号もしくは蒸着ＯＮ（オン）信号に基づいて進退可能（挿抜可能）に設けられていてもよい。
　蒸着源１０と第１の制限板ユニット２０との間にシャッタを適宜差し挟むことで、蒸着を行わない非蒸着領域への蒸着を防止することができる。なお、シャッタは、蒸着源１０と一体的に設けられていてもよく、蒸着源１０とは別に設けられていても構わない。
　＜変形例＞
　（第２の制限板ユニット３０）
　図７は、本実施の形態にかかる制限板ユニットの他の概略構成を示す要部平面図であり、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときの第１の制限板２２および第２の制限板３２を、高レート時に第１の制限板２２を通過した蒸着粒子４０１と併せて模式的に示している。
　上述したように、第１の制限板２２を通過後に等方化した蒸着流は、第２の制限板３２によってカットされ、指向性を有した状態で蒸着マスク４０のマスク開口４１を通過し、被成膜基板２００に蒸着されることで蒸着ボケを抑制することができる。
　図１および図６では、第２の制限板３２がＸ軸方向に連続している場合を例に挙げて説明したが、第２の制限板３２は、Ｘ軸方向に断続して形成されていてもよい。すなわち、不連続であってもよい。この場合、不連続箇所を、Ｘ軸における特定の位置で合わせる必要はなく、不連続箇所の長さも合わせる必要はない。不連続箇所の位置は、例えば、使用する蒸着源１０の射出口１１の配置（ノズル分布）や蒸着分布に合わせて適宜決定すればよい。
　第２の制限板３２がＸ軸方向に連続して設ける場合、第２の制限板３２の配設を容易に行うことができるという利点がある。一方で、上述したように第２の制限板３２をＸ軸方向に断続して形成することで、小型の部品の組合せで第２の制限板３２を構成できるので、制限板交換等のメンテナンスやノズル分布・蒸着分布に応じた細かな調整が可能となるという利点がある。
　（蒸着ユニットの配置方向）
　図１では、蒸着源１０が被成膜基板２００の下方に配されており、被成膜基板２００が、その被蒸着面２０１が下方を向いている状態で、蒸着源１０から蒸着粒子４０１を上方に向かって射出して被成膜基板２００に蒸着（アップデポジション）させる場合を例に挙げて示している。
　しかしながら、上記蒸着方法はこれに限定されるものではなく、蒸着源１０を、被成膜基板２００の上方に設け、蒸着源１０から蒸着粒子４０１を下方に向かって射出して被成膜基板２００に蒸着（ダウンデポジション）させてもよい。
　したがって、この場合、蒸着源１０、第１の制限板ユニット２０、第２の制限板ユニット３０、蒸着マスク４０、被成膜基板２００の配置は、図１および図６に示す例とは逆になる。
　また、蒸着源１０は、例えば、横方向に向けて蒸着粒子４０１を射出する機構を有し、被成膜基板２００の被蒸着面２０１側が蒸着源１０側を向いて垂直方向に立てられている状態で、蒸着粒子４０１を横方向に射出して被成膜基板２００に蒸着（サイドデポジション）させてもよい。この場合、蒸着源１０、第１の制限板ユニット２０、第２の制限板ユニット３０、蒸着マスク４０、被成膜基板２００の配置は、図１および図６に示す例を、左右の何れかの方向に９０度回転させた配置となる。
　（その他の変形例）
　なお、本実施の形態では、第１の制限板２２および第２の制限板３２が蒸着マスク４０の主面に垂直に設けられている場合を例に挙げて説明したが、第１の制限板２２および第２の制限板３２の主面がＺ軸方向に対して傾斜して設けられていても構わない。
　しかしながら、配置が容易であり、かつ、指向性が高い蒸着粒子をカットするおそれがないことから、上記第１の制限板２２および第２の制限板３２は、それぞれ、蒸着マスク４０の主面に垂直に設けられていることが好ましい。
　〔実施の形態２〕
　本実施の形態について図８ないし図１１の（ａ）～（ｃ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。
　なお、本実施の形態では、主に、実施の形態１との相違点について説明するものとし、実施の形態１で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
　蒸着粒子４０１の衝突・散乱による指向性の低下が軽微な場合においては、実施の形態１に示す第２の制限板ユニット３０を配置することで、十分蒸着ボケを抑制することができる。
　しかしながら、指向性の低下が極めて大きい場合、実施の形態１に示す第２の制限板ユニット３０では、蒸着ボケの抑制が十分とは言い難い。
　これは、蒸着粒子４０１は、指向性が低下するほどＸ軸に漸近して飛ぶ傾向があり、実施の形態１に示す第２の制限板ユニット３０では、Ｘ軸に漸近するような蒸着粒子４０１をカットすることができないためである。
　このため、指向性の低下が極めて大きい場合、指向性が低い蒸着粒子４０１を第２の制限板３２で捕捉するには、第２の制限板３２がＸ軸に漸近するように設けられていることが望ましい。
　図８は、本実施の形態にかかる蒸着装置１００における蒸着ユニット１の要部の概略構成を、被成膜基板２００と併せて示す斜視図である。また、図９は、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときの第１の制限板２２および第２の制限板３２を、高レート時に第１の制限板２２を通過した蒸着粒子４０１と併せて模式的に示す要部平面図である。
　図８および図９に示すように、本実施の形態にかかる蒸着ユニット１は、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、第２の制限板３２、より厳密には、第２の制限板３２の端面３２ａが、屈曲形状を有しているとともに、それぞれ同一ピッチでＸ軸方向に互いに平行に複数配列されており、Ｘ軸方向に隣り合う第２の制限板３２間に屈曲形状を有する制限板開口３３が形成されている点を除けば、実施の形態１にかかる蒸着ユニット１と同様の構成を有している。
　本実施の形態にかかる蒸着ユニット１は、実施の形態１同様、第１の制限板２２と第２の制限板３２とが、同一ＹＺ面で平行にならないように設置されており、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、第２の制限板３２が、Ｙ軸方向に非平行であり、Ｙ軸方向に対して交差する方向に延設されている。
　このため、本実施の形態でも、第１の制限板ユニット２０を通過後に等方化した蒸着流を第２の制限板ユニット３０でカットすることができる。このため、指向性を有した状態で蒸着マスク４０のマスク開口４１を通過した蒸着粒子４０１が被成膜基板２００に蒸着されるので、蒸着ボケを抑制することができる。
　しかしながら、本実施の形態では、第２の制限板３２が屈曲していることで、第２の制限板３２が、Ｘ軸方向に漸近してＹ軸方向に連続して設けられている。
　このため、Ｘ軸方向に漸近している蒸着粒子４０１についてもカットすることができ、第１の制限板２２の軸方向と第２の制限板３２の軸方向とを垂直にするだけでは対応できない、より高レートで運動エネルギーの高い蒸着流に対しても、その飛散を制限することができる。このため、蒸着粒子４０１の衝突・散乱による指向性の低下が極めて大きい場合であっても、蒸着ボケを抑制することができる。
　＜変形例＞
　図１０の（ａ）～（ｌ）は、本実施の形態にかかる制限板ユニットの他の概略構成を示す要部平面図であり、それぞれ、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときの第１の制限板２２および第２の制限板３２を模式的に示している。
　図８および図９では、屈曲形状を有する第２の制限板３２の一例として、第２の制限板３２が、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、＞形状（つまり、走査方向に垂直な方向に開口するＶ字状）を有している場合を例に挙げて図示した。
　しかしながら、屈曲点の数は、図８および図９に示すように１つである必要はなく、図１０の（ａ）・（ｂ）に示すように複数設けられていてもよい。したがって、第２の制限板３２は、それぞれがジグザグ形状を有していてもよく、複数の制限板３２が、ジグザグ状に配置されていてもよい。
　屈曲点の数が多いほど、第２の制限板３２でカットされる指向性の悪い蒸着成分（蒸着粒子４０１）が多くなるため、蒸着ボケがより改善される。
　また、図９および図１０の（ａ）・（ｂ）では、第１の制限板２２間の制限板開口２３上にのみ第２の制限板３２が設けられている場合を例に挙げて図示したが、第２の制限板３２は、実施の形態１にかかる第２の制限板３２同様、例えば図１０の（ｃ）に示すように、複数の第１の制限板２２を跨ぐようにＸ軸方向に連続して設けられていてもよい。この場合、例えば、第２の制限板３２が、第１の制限板列２１の端部にのみ屈曲点を有するように、複数の第１の制限板２２を跨いで第１の制限板列２１の全域に渡って形成されていてもよい。
　また、第２の制限板３２は、図１０の（ｄ）および図１０の（ｅ）に示すように、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、第１の制限板２２の真上にのみ設けられていてもよい。このとき、第２の制限板３２は、例えば図１０の（ｄ）に示すように、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見て、例えば第１の制限板２２の端から端まで設けられていてもよく、あるいは、部分的に設けられていてもよい。例えば、第２の制限板３２は、第１の制限板２２における、或る領域にのみ設けられていてもよい。
　例えば、射出口１１の近傍上方は、蒸着密度が高く、蒸着粒子４０１の衝突が多いので、指向性が悪くなり易い。一方、射出口１１から遠ざかると、蒸着密度が低くなるため、指向性が悪くなり難い。
　このため、第２の制限板３２は、例えば、図１０の（ｅ）に示すように、第１の制限板２２の真上における、射出口１１の上方の近傍部分（例えば、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、Ｘ軸方向に並ぶ帯状の射出口１１列が第１の制限板２２と交差（重畳）する領域、あるいは、該領域とその近傍部分の領域）にのみ設けられていてもよい。なお、射出口１１は、第１の制限板２２間の制限板開口２３の中心部分に設けられることから、この場合、第２の制限板３２は、例えば、図１０の（ｅ）に示すように、第１の制限板２２の中心部分の領域にのみ設けられていてもよい。
　なお、図１０の（ｆ）に示すように、第２の制限板３２が、第１の制限板２２間の制限板開口２３上における、射出口１１の上方の近傍部分のみ設けられていてもよいことは言うまでもないし、第２の制限板３２が、図１０の（ｅ）に示す部分と図１０の（ｆ）に示す部分の両方の部分にのみ設けられていてもよいことは、なおさら言うまでもない。すなわち、第２の制限板３２は、図１０の（ｅ）および図１０の（ｆ）に示すように射出口１１の近傍の上方部分にのみ設けられていてもよい。
　さらに言えば、第２の制限板３２は、例えば、図１０の（ｅ）および図１０の（ｇ）に示すように、第１の制限板３２上に、第２の制限板３２が部分的に集中して設けられている領域と、第２の制限板３２が設けられていないかあるいは配設間隔が大きい領域とがあってもよく、配設間隔に疎密があってもよい。
　このように、第２の制限板ユニット３０は、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、第２の制限板３２の端面３２ａが、第１の制限板列２１における第１の制限板２２の端面２２ａおよび第１の制限板２２間の制限板開口２３の少なくとも一方と交差していればよい。すなわち、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、上記第２の制限板３２（第２の制限板３２の端面３２ａ）が、第１の制限板２２の端面２２ａの延設方向および第１の制限板２２間の制限板開口２３の延設方向（開口長方向）であるＹ軸方向に交差する方向に延設されていればよい。
　そのようなパターンのなかでも、第１の制限板２２間の制限板開口２３を、Ｘ軸方向とは異なる方向に分断するように、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、第２の制限板３２の端面３２ａが、少なくとも、第１の制限板２２間の制限板開口２３と交差していることが、より望ましい。
　なお、図９および図１０の（ａ）～（ｆ）では、Ｘ軸に対して第２の制限板３２の屈曲線が対称である場合を例に挙げて図示したが、本実施の形態は、これに限定されるものではない。例えば、図１０の（ｇ）に示すように、屈曲線の長さにばらつきがあってもよい。また、後述するように屈曲線の角度（屈曲角度）にばらつきがあってもよい。
　図１１の（ａ）～（ｃ）は、第２の制限板３２の他のパターン例を示す平面図である。
　図１１の（ａ）は、第２の制限板３２の他のパターンとして、屈曲点毎に屈曲角度が異なる場合を例に挙げて示している。また、図１１の（ｂ）・（ｃ）は、他のパターンにおける第２の制限板３２の屈曲角度と蒸着粒子４０１の指向性との関係を示している。
　なお、図１１の（ａ）中、Ａ°、Ｂ°、Ｃ°で示す、第２の制限板３２の屈曲角度の関係は、図１１の（ａ）に示すように、Ｂ°＞Ａ°＞Ｃ°である。
　第２の制限板３２は、それぞれ図１１の（ａ）に示す形状を有していてもよく、複数の第２の制限板が、図１１の（ａ）に示す形状に配置されていてもよい。
　上記屈曲角度は、蒸着源１０における射出口１１の配置（ノズル分布）や蒸着分布に応じて決定すればよい。
　上述したように、蒸着粒子４０１の飛び方は、指向性が低下するほどＸ軸に漸近する。逆に指向性が高い場合は、Ｙ軸に漸近して蒸着粒子４０１が飛ぶ。したがって、指向性の低下が極めて大きい場合、指向性が低い蒸着粒子４０１を第２の制限板３２で捕捉するには、屈曲線がＸ軸に漸近すればするほど望ましい。一方、指向性が高いほど、第２の制限板３２のＸ軸に対する角度を大きくする（つまり、Ｘ軸に対して９０度に近づける）ことができる。
　このため、例えば、指向性があまり悪くならない領域では屈曲角度を相対的に大きくし、指向性が悪くなる領域では屈曲角度を相対的に小さくする等すればよい。
　前述したように、射出口１１の近傍上方は指向性が悪くなり易く、射出口１１から遠ざかると指向性が悪くなり難い。このため、例えば図１１の（ｂ）・（ｃ）に示すように、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、一点鎖線で示す、相対的に射出口１１に近い領域Ｐ１（例えば制限板開口２３の中心部の上方の領域）では屈曲角度を相対的に小さくし、二点鎖線で示す、相対的に射出口１１から遠い領域Ｐ２・Ｐ３（例えば制限板開口２３のＹ軸方向両端部側の上方の領域）では、屈曲角度を相対的に大きくしてもよい。また、図１１の（ｃ）に示すように、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、射出口１１から遠ざかるほど（つまり、射出口１１そのものあるいは射出口１１の中心から、Ｙ軸方向に遠ざかるほど）屈曲角度が大きくなるように第２の制限板３２を設計もしくは配置してもよい。
　なお、上記第２の制限板３２は、領域Ｐ１～Ｐ３で一体的に設けられて入れもよく、それぞれ個別に設けられていてもよい。また、領域Ｐ１～Ｐ３の第２の制限板３２をそれぞれ個別に設ける場合、第２の制限板３２は、それ自体が屈曲形状を有していてもよく、平坦状の第２の制限板３２を組み合わせることで、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、複数の第２の制限板３２がジグザグ状に配置された構成を有していてもよい。このことは、上記説明において、「屈折角度」を、「配設密度」と読み替える一方、「屈折角度を（相対的に）大きく」を「配設密度を（相対的に）低く」と読み替え、「屈折角度を（相対的に）小さく」を「配設密度を（相対的に）高く」と読み替えることができることを意味する。
　つまり、図１１の（ｂ）に示す構成は、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、相対的に射出口１１に近い領域Ｐ１では第２の制限板３２の配設密度を相対的に高くし、相対的に射出口１１から遠い領域Ｐ２・Ｐ３では、配設密度を相対的に低くすると見ることができる。また、図１１の（ｃ）に示す構成は、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、射出口１１から遠ざかるほど配設密度が低くなるように第２の制限板３２を配置すると見ることができる。
　このような構成とすることで、指向性が高い蒸着粒子４０１はカットしないか、もしくはカットを抑制し、指向性が悪い、Ｘ軸方向に漸近して飛散するような蒸着粒子４０１を、効率良くカットすることができる。
　なお、図１１の（ｂ）では、第２の制限板３２が、第１の制限板２２間の制限板開口２３内に屈曲点を有している場合を例に挙げて図示したが、屈曲点は、制限板開口２３外、例えば、第１の制限板２２の端面２２ａ上にあってもよいことは、言うまでもない。また、上記屈曲点が制限板開口２３内にあるか否かに拘らず、第２の制限板３２が、複数の第１の制限板２２を跨いで設けられていてもよいことも、言うまでもない。
　このように、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、第２の制限板３２の端面３２ａは、屈曲点の位置によって、異なる屈曲角度を有していてもよい。
　また、第２の制限板３２は、図１０の（ｈ）・（ｉ）に示すように、交差して設けられていてもよい。なお、この場合にも、図１０の（ｈ）・（ｉ）に示すように、第２の制限板ユニット３０は、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、第２の制限板３２の端面３２ａが、第１の制限板列２１における第１の制限板２２の端面２２ａおよび第１の制限板２２間の制限板開口２３の少なくとも一方と交差していればよい。
　図１０の（ｈ）・（ｉ）に示すように、第２の制限板３２がそれぞれ交差部を有するように形成されていることで、第２の制限板３２でカットされる指向性の悪い蒸着成分が多くなるため、蒸着ボケがさらに改善される。
　また、第２の制限板３２は、図１０の（ｊ）に示すように、それぞれＹ軸方向に離間して互いに非平行に配されていてもよい。このように、第２の制限板３２は、連続体を形成していなくてもよい。この場合にも、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、第２の制限板３２を、Ｘ軸に漸近するように設けることで、第１の制限板ユニット２０を通過した指向性が低い蒸着粒子４０１を、第２の制限板３２で効率的に捕捉することができる。
　この場合、小型の部品の組合せで第２の制限板３２を構成できるので、制限板交換等のメンテナンスやノズル分布・蒸着分布に応じた細かな調整が可能となる。
　また、第２の制限板３２は、湾曲していてもよいし、波打っていてもよい。このようにすることで、第２の制限板３２を形成するための材料選択性を広げることができる。
　また、図１０の（ｋ）・（ｌ）に示すように、第２の制限板３２は、Ｘ軸に漸近するように設けられていれば、それぞれＹ軸方向に離間して互いに平行に配されていてもよい。このとき、図１０の（ｋ）に示すように全ての第２の制限板３２が平行に配されている必要は必ずしもない。例えば、図１０の（ｌ）に示すように、１つの第２の制限板列３１内（すなわち、同じ第２の制限板列３１内）では第２の制限板３２が互いに平行に配されているけれども、Ｘ軸方向に隣り合う第２の制限板列３１間では、互いに異なる方向に第２の制限板３２が配されていてもよい。つまり、或る第２の制限板列３１と該第２の制限板列３１に隣り合う第２の制限板列３１とで第２の制限板３２の向きが互いに一致している必要は必ずしもない。また、図１０の（ｋ）・（ｌ）に示すように、１つの第２の制限板列３１内の第２の制限板３２のピッチは、一定であってもよく、部分的に異なっていてもよい。何れの場合にも上述した効果が得られることは、言うまでもない。
　また、上述したように第２の制限板３２のピッチを変更する場合、前述したように、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、第２の制限板３２の配設密度が、相対的に射出口１１に近い領域では相対的に高く、相対的に射出口１１から遠い領域では相対的に低くなるように、第２の制限板３２のピッチを、相対的に射出口１１に近い領域では相対的に小さく、相対的に射出口１１から遠い領域では相対的に大きく設計してもよい。
　実施の形態１も含め、第２の制限板３２の配設密度を上述したように設定することで、指向性が高い蒸着粒子４０１はカットしないか、もしくはカットを抑制し、指向性が悪い蒸着粒子４０１を、効率良くカットすることができる。
　〔実施の形態３〕
　本実施の形態について図１２および図１３に基づいて説明すれば、以下の通りである。
　なお、本実施の形態では、主に、実施の形態１、２との相違点について説明するものとし、実施の形態１、２で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
　図１２は、本実施の形態にかかる蒸着装置１００における蒸着ユニット１の要部の概略構成を、被成膜基板２００と併せて示す斜視図である。
　また、図１３は、本実施の形態にかかる制限板ユニットの概略構成を示す要部平面図であり、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときの第１の制限板２２、第２の制限板３２、第３の制限板７２を模式的に示している。
　図１２および図１３に示すように、本実施の形態にかかる蒸着ユニット１は、第２の制限板ユニット３０と蒸着マスク４０との間に、第２の制限板ユニット３０を通過した蒸着粒子４０１の通過角度を制限する第３の制限板ユニット７０をさらに有している点を除けば、実施の形態１にかかる蒸着ユニット１と同様の構成を有している。
　なお、図１２および図１３では、実施の形態１にかかる蒸着ユニット１において、第２の制限板ユニット３０と蒸着マスク４０との間に第３の制限板ユニット７０が設けられている場合を例に挙げて図示しているが、実施の形態２にかかる蒸着ユニット１において、第２の制限板ユニット３０と蒸着マスク４０との間に第３の制限板ユニット７０が設けられていてもよいことは、言うまでもない。
　第３の制限板ユニット７０は、複数の第３の制限板７２からなる第３の制限板列７１Ａ・７１Ｂを備えている。
　第３の制限板列７１Ａ・７１Ｂは、それぞれ、Ｘ軸に沿って配設されており、第３の制限板列７１Ａと第３の制限板列７１Ｂとは、Ｙ軸方向に互いに離間して設けられている。
　これら第３の制限板列７１Ａ・７１Ｂにおいて、第３の制限板７２は、それぞれ同一ピッチでＸ軸方向に複数配列されている。これにより、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たとき、Ｘ軸方向に隣り合う第３の制限板７２間に、開口領域として、制限板開口７３が１つ形成されている。
　制限板開口７３のピッチは、マスク開口４１のピッチよりも大きく形成されており、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たとき、Ｘ軸方向に隣り合う第３の制限板７２間には、複数のマスク開口４１が配されている。
　第１の制限板２２および第３の制限板７２は、それぞれ、ＹＺ平面が主面となっている。一方、第２の制限板３２は、ＸＺ平面が主面となっている。
第３の制限板７２は、それぞれ、蒸着マスク４０の主面に対して垂直となるように配されている。このため、第３の制限板７２は、それぞれ、その主面である表裏面が、被成膜基板２００の被蒸着面２０１に垂直な方向を向くように配されており、それぞれの主面がＸ軸方向に隣り合うように配されている。
　第３の制限板７２は、第２の制限板３２と同一ＹＺ面で平行にならないように設置されている。
　なお、本実施の形態では、第３の制限板７２は、それぞれ、同一寸法の板状部材で形成されている。但し、第３の制限板７２が第１の制限板２２および第２の制限板３２と同じ寸法を有している必要はない。なお、本実施の形態では、第３の制限板７２は、それぞれ、例えば矩形状に形成されているものとしたが、第３の制限板７２の形状は、これに限定されるものではなく、例えば、第１の制限板２２と同様に、長方形形状に形成されていてもよい。
　本実施の形態によれば、蒸着源１０から射出された蒸着粒子４０１は、第１の制限板ユニット２０を通過した後、第２の制限板ユニット３０を通過し、その後、第３の制限板ユニット７０を通過して蒸着マスク４０に形成されたマスク開口４１に入射し、被成膜基板２００に蒸着される。
　第３の制限板ユニット７０は、該第３の制限板ユニット７０に入射した蒸着粒子４０１を、第１の制限板ユニット２０および第２の制限板ユニット３０と同様に、その入射角度に応じて選択的に捕捉する。
　したがって、第１の制限板２２および第２の制限板３２と同様に、第３の制限板７２も、斜めの蒸着成分をカットするため、加熱しないか、図示しない熱交換器により冷却される。このため、第３の制限板７２も、蒸着源１０の射出口１１よりも低い温度（より厳密には、蒸着材料が気体になる蒸着粒子発生温度よりも低い温度）になっている。
　このため、第３の制限板ユニット７０には、必要に応じて、第３の制限板７２を冷却する、図示しない冷却機構が設けられていてもよい。
　なお、第３の制限板７２の固定には、第１の制限板２２および第２の制限板３２の固定と同様の方法を用いることができる。すなわち、本実施の形態でも、図４～図６に示す第１の制限板２２および第２の制限板３２の固定方法と、同様の方法を用いることができる。
　＜効果＞
　本実施の形態によれば、第２の制限板ユニット３０で指向性の低下が軽微な蒸着成分がカットされた蒸着流が、第３の制限板ユニット７０に入射する。その際、指向性が低下してしまった蒸着成分を第３の制限板７２でカットすることができる。また第２の制限板３２でカットしきれなかった指向性の悪い蒸着成分も上記第３の制限板７２でカットできる。
　一方、第２の制限板３２でカットしきれなかった指向性の悪い蒸着成分のうち、粒子間の衝突散乱を繰り返して指向性の高い成分に変化した蒸着成分は、第３の制限板７２でカットされずに、蒸着膜４０２として利用することができる。
　また、上述したように、第２の制限板ユニット３０の下流側にさらに第３の制限板ユニット７０を設けることで、それぞれの制限板ユニットに機能を分離できるので、第２の制限板３２を、複雑な形状もしくは配置に設計する必要がない。
　また、上述したように、制限板ユニットを複数段設けること、特に、上述したように、第１の制限板ユニット２０と蒸着マスク４０との間に制限板ユニットを複数段設けることで、蒸着ボケを抑止できる一方で材料利用効率が低下したり、あるいは、材料利用効率を低下させないために蒸着ボケの抑止を犠牲にしたりする必要がなく、蒸着ボケの防止と材料利用効率の向上とを、容易かつ確実に両立することができる。
　また、本実施の形態によれば、第２の制限板ユニット３０の下流側に上記第３の制限板ユニット７０を設けることで、Ｘ軸に漸近あるいは完全に平行な蒸着成分も含めて、指向性の悪い蒸着成分をカットすることができる。すなわち、本実施の形態によれば、上述したように第３の制限板７２を完全にＹ軸に平行とすることで、Ｘ軸に完全に平行な蒸着成分までもカットすることができる。
　このように、複数段で構成される制限板ユニットのうち、最も蒸着マスク４０に近い、最上段（言い換えれば、最も下流側）に、Ｙ軸に平行な第３の制限板７２を有する第３の制限板ユニット７０を設けることで、指向性の悪い蒸着成分を、最後の最後に除去した状態で、蒸着粒子４０１を、蒸着マスク４０のマスク開口４１に入射させることができる。
　＜変形例＞
　なお、本実施の形態では、図１３に示すように、第３の制限板７２を第１の制限板２２に重畳して設置する場合を例に挙げて図示したが、本実施の形態は、これに限定されるものではない。
　但し、第３の制限板ユニット７０においては、第１の制限板ユニット２０および第２の制限板ユニット３０により指向性の悪い蒸着成分がカットされていることで、指向性の高い蒸着成分が多く通過する。このため、第１の制限板２２間の制限板開口２３に第３の制限板７２を設置すると、第１の制限板ユニット２０および第２の制限板ユニット３０で制御された指向性の高い蒸着成分までも第３の制限板７２でカットしてしまうおそれがある。このため、第３の制限板７２は、第１の制限板２２上に設置することが望ましい。
　また、本実施の形態では、図１２に示すように、蒸着源１０、第１の制限板ユニット２０、第２の制限板ユニット３０、第３の制限板ユニット７０、蒸着マスク４０が、互いに離間して設けられている場合を例に挙げて図示したが、これら蒸着源１０、第１の制限板ユニット２０、第２の制限板ユニット３０、第３の制限板ユニット７０、蒸着マスク４０は、互いに離間して設けられていてもよく、互いに接触または一体化して設けられていてもよい。なお、この場合のメリット・デメリットとしては、実施の形態１に記載のメリット・デメリットと同様である。
　また、本実施の形態では、制限板ユニットが３段設けられている場合を例に挙げて説明したが、制限板ユニットは、４段以上設けられていても構わない。この場合にも、各制限板の形状・配置が一致している必要はなく、想定される蒸着分布に応じて適切な配置をすればよい。
　〔まとめ〕
　本発明の態様１にかかる蒸着ユニット１は、蒸着マスク４０と、上記蒸着マスク４０に向かって蒸着粒子４０１を射出する蒸着源１０と、上記蒸着マスク４０と蒸着源１０との間に設けられ、上記蒸着粒子４０１の通過角度を制限する第１の制限板ユニット２０および第２の制限板ユニット３０を少なくとも有する複数段の制限板ユニットとを備え、上記第１の制限板ユニット２０は、上記蒸着マスク４０の主面に垂直な方向（Ｚ軸方向）から見たときに、第１の方向（Ｘ軸方向）に互いに離間し、かつ、互いに平行に設けられた、複数の第１の制限板２２からなる第１の制限板列２１を備え、上記第２の制限板ユニット３０は、上記第１の制限板ユニット２０と蒸着マスク４０との間に設けられており、かつ、複数の第２の制限板３２を備え、上記蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、上記第２の制限板３２が、上記第１の方向に垂直な第２の方向（Ｙ軸方向）に交差する方向に延設されている。
　これにより、上記蒸着ユニット１は、上記第２の制限板３２の端面３２ａが、上記第１の制限板例２１における、上記第１の制限板２２の端面２２ａおよび上記第１の制限板２２間の開口領域（制限板開口２３）のうち少なくとも一方と交差している。
　上記の構成によれば、第１の制限板２２で指向性を向上させた蒸着流が、第１の制限板２２間の開口領域（制限板開口２３）通過後に指向性が悪く（いわゆる等方的な分布化）なったとしても、第２の制限板３２で、指向性の悪い蒸着成分（蒸着粒子４０１）をカットすることができる。
　このため、第２の制限板ユニット３０を通過した蒸着粒子４０１は、高指向性を保持した状態で蒸着マスク４０を通過し、被成膜基板２００に蒸着される。このため、蒸着ボケを抑制することができ、蒸着ボケが極めて少ない、高精細な蒸着膜パターンを形成することができる。
　また、上記蒸着ユニット１は、蒸着経路（Ｚ軸方向）に複数段の制限板ユニットを備えていることで、蒸着流の分布に応じて、蒸着ボケを起こす蒸着流の分布のみを、効率的にカットすることができる。このため、蒸着マスク４０の主面に垂直な方向における制限板の長さを長くした場合のように制限板でロスする材料を低減することができる。
　したがって、上記蒸着ユニット１によれば、高レート時の蒸着ボケを抑制することができるとともに、従来よりも、材料利用効率を向上させることができ、収率および生産性を向上させることができる。
　本発明の態様２にかかる蒸着ユニット１は、上記態様１において、上記第１の制限板２２および第２の制限板３２が、それぞれ、上記蒸着マスク４０の主面に垂直に設けられていることが好ましい。
　この場合、上記第１の制限板２２および第２の制限板３２の配置が容易であり、かつ、指向性が高い蒸着粒子をカットするおそれがない。
　また、本発明の態様３にかかる蒸着ユニット１は、上記態様１または２において、上記蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、上記第１の制限板２２と第２の制限板３２とは、互いの端面が互いに直交する方向に延設されていることが好ましい。
　つまり、上記第２の制限板ユニット３０は、上記蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、上記第１の方向に垂直な第２の方向に互いに離間して設けられた、上記複数の第２の制限板３２からなる第２の制限板列３１を備えていることが好ましい。
　上記の構成によれば、上記第２の制限板３２の配設が容易であり、かつ、第１の制限板２２で指向性を向上させた蒸着流が、第１の制限板２２間の開口領域（制限板開口２３）を通過後に指向性が悪くなったとしても、第２の制限板３２で、指向性の悪い蒸着成分をカットすることができる。
　また、本発明の態様４にかかる蒸着ユニット１は、上記態様１または２において、上記第２の制限板３２が、上記蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、上記第１の方向に漸近するように形成されていることが好ましい。
　すなわち、上記第２の制限板３２は、上記蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、個々の第２の制限板３２全体が上記第１の方向に漸近するように配置されていてもよく、上記第２の制限板３２の屈曲線が、上記第１の方向に漸近するように形成されていてもよい。
　蒸着粒子４０１は、指向性が低下するほどＸ軸に漸近して飛ぶ傾向がある。このため、指向性の低下が極めて大きい場合、指向性が低い蒸着粒子４０１を第２の制限板３２で捕捉するには、第２の制限板３２が、上記蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、上記第１の方向に漸近するように形成されていることが好ましい。
　上記構成とすることで、上記第１の方向に漸近している蒸着粒子４０１についてもカットすることができ、より高レートで運動エネルギーの高い蒸着流に対しても、その飛散を制限することができる。このため、蒸着粒子４０１の衝突・散乱による指向性の低下が極めて大きい場合であっても、蒸着ボケを抑制することができる。
　また、本発明の態様５にかかる蒸着ユニット１は、上記態様４において、上記蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、上記第２の制限板３２が、屈曲点を少なくとも１つ有していることが好ましい。
　このように第２の制限板３２が屈曲していることで、第２の制限板３２が、上記第１の方向に漸近して上記第２の方向に連続して設けられる。
　このため、より高レートで運動エネルギーの高い蒸着流に対しても、その飛散を制限することができる。このため、蒸着粒子４０１の衝突・散乱による指向性の低下が極めて大きい場合であっても、蒸着ボケを抑制することができる。
　また、本発明の態様６にかかる蒸着ユニット１は、上記態様５において、上記蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、上記第２の制限板３２の端面が、屈曲点を複数有していることが好ましい。
　すなわち、上記第２の制限板３２は、例えばジグザグ形状に形成されていてもよい。
　屈曲点の数が多いほど、第２の制限板３２でカットされる指向性の悪い蒸着成分（蒸着粒子４０１）が多くなるため、蒸着ボケをより一層改善することができる。
　また、本発明の態様５または６にかかる上記蒸着ユニット１は、上記蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、上記第２の制限板３２が、上記蒸着源１０の射出口１１の近傍にのみ設けられている構成を有していてもよい。
　したがって、例えば、本発明の態様７にかかる蒸着ユニット１は、上記態様５または６において、上記蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、上記第２の方向に沿って並設された、上記蒸着源１０の射出口１１の列に重畳する領域にのみ設けられている構成を有していてもよい。
　また、本発明の態様８にかかる蒸着ユニット１は、上記態様５～７の何れかにおいて、上記蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、上記蒸着源１０の射出口１１が上記第１の制限板２２間の制限板開口２３の中心部分に設けられており、上記第２の制限板３２が、上記第１の制限板２２の中心部分の領域にのみ設けられている構成を有していてもよい。
　また、本発明の態様９にかかる蒸着ユニット１は、上記態様６において、上記蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、上記蒸着源１０の射出口１１に相対的に近い領域（例えば制限板開口２３の中心部の上方の領域Ｐ１）では上記第２の制限板３２の屈曲角度が相対的に小さく、上記射出口１１から相対的に遠い領域（例えば制限板開口２３のＹ軸方向両端部側の上方の領域Ｐ２・Ｐ３）では、上記第２の制限板３２の屈曲角度が相対的に大きいことが好ましい。
　また、本発明の態様１０にかかる蒸着ユニット１は、上記態様９において、上記第２の制限板３２の屈曲角度は、上記蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、上記蒸着源１０の射出口１１から遠ざかるほど大きくなることが好ましい。
　射出口１１の近傍上方は、蒸着密度が高く、蒸着粒子４０１の衝突が多いので、指向性が悪くなり易い。一方、射出口１１から遠ざかると、蒸着密度が低くなるため、指向性が悪くなり難い。
　このため、態様７～１０の構成によれば、指向性が高い蒸着粒子４０１はカットしないか、もしくはカットを抑制し、指向性が悪い、Ｘ軸方向に漸近して飛散するような蒸着粒子４０１を、効率良くカットすることができる。
　また、本発明の態様１１にかかる蒸着ユニット１は、上記態様４において、上記蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、上記第２の制限板３２が互いに交差していることが好ましい。
　上記の構成によれば第２の制限板３２でカットされる指向性の悪い蒸着成分が多くなるため、蒸着ボケをさらに改善することができる。
　また、本発明の態様１２にかかる蒸着ユニット１は、上記態様１～１１の何れかにおいて、上記第２の制限板は、上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときに、それぞれ、上記複数の第１の制限板を跨ぐように上記第１の方向に連続して設けられていることが好ましい。
　上記蒸着ユニットによれば、上記第２の制限板を容易に配設することができる。
　また、本発明の態様１３にかかる蒸着ユニット１は、上記態様１～１２の何れかにおいて、上記第２の制限板３２が、上記蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、上記第１の方向および第２の方向に複数設けられていることが好ましい。
　上記の構成によれば、小型の部品の組合せで第２の制限板３２を構成できるので、制限板交換等のメンテナンスやノズル分布・蒸着分布に応じた細かな調整が可能となる。
　また、本発明の態様１４にかかる蒸着ユニット１は、上記態様１～１３の何れかにおいて、上記第１の制限板２２と第２の制限板３２とが互いに離間して設けられていることが好ましい。
　上記の構成によれば、第１の制限板２２を通過後に低指向性化した蒸着粒子４０１が高指向性化する機会を活かすことができる。このため、材料利用効率の低下を抑制することができ。
　また、本発明の態様１５にかかる蒸着ユニット１は、上記態様１～１４の何れかにおいて、上記第１の制限板２２と第２の制限板３２とが互いに接触して設けられていることが好ましい。
　上記の構成によれば、第１の制限板２２を通過後の低指向性の蒸着粒子４０１を確実に捕捉することができ、蒸着ボケが発生し難いという利点がある。また、第１の制限板２２と第２の制限板３２とをピンアライメント等で極めて正確に位置合わせすることができる。さらに、例えば第１の制限板２２に冷却機構が設けられている場合、第２の制限板３２に別途冷却機構を設けなくても、第２の制限板３２を、第１の制限板２２に設けられた冷却機構を用いて冷却することができる。このため、簡素な構成で、捕捉した蒸着粒子４０１の再蒸発を防ぐことができる。
　また、本発明の態様１６にかかる蒸着ユニット１は、上記態様１～１５の何れかにおいて、上記複数段の制限板ユニットは、上記第２の制限板ユニット３０と蒸着マスク４０との間に、上記第２の制限板ユニット３０を通過した蒸着粒子４０１の通過角度を制限する第３の制限板ユニット７０をさらに有しており、上記第３の制限板ユニット７０は、上記蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、少なくとも、第１の方向に互いに離間し、かつ、互いに平行に設けられた、複数の第３の制限板７２からなる第３の制限板列７１を備えていることが好ましい。
　上記の構成によれば、上記第２の制限板ユニット３０で指向性の低下が軽微な蒸着成分がカットされた蒸着流が上記第３の制限板ユニット７０に入射する際に、指向性が低下してしまった蒸着成分を、上記第３の制限板７２でカットすることができる。また第２の制限板３２でカットしきれなかった指向性の悪い蒸着成分も上記第３の制限板７２でカットできる。
　一方、上記第２の制限板３２でカットしきれなかった指向性の悪い蒸着成分のうち、蒸着粒子間の衝突散乱を繰り返して指向性の高い成分に変化した蒸着成分は、上記第３の制限板７２でカットされずに、蒸着膜４０２として利用することができる。
　また、上記第２の制限板ユニット３０の下流側にさらに上記第３の制限板ユニット７０を設けることで、それぞれの制限板ユニットに機能を分離できるので、第２の制限板３２を、複雑な形状もしくは配置に設計することなく、Ｘ軸に漸近あるいは完全に平行な蒸着成分も含めて、指向性の悪い蒸着成分をカットすることができる。このため、蒸着ボケの防止と材料利用効率の向上とを、容易かつ確実に両立することができる。
　また、本発明の態様１７にかかる蒸着ユニット１は、上記態様１～１６の何れかにおいて、上記蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、上記蒸着源１０の射出口１１に相対的に近い領域（例えば制限板開口２３の中心部の上方の領域Ｐ１）では上記第２の制限板３２の配設密度が相対的に高く、上記射出口１１から相対的に遠い領域（例えば制限板開口２３のＹ軸方向両端部側の上方の領域Ｐ２・Ｐ３）では、上記第２の制限板３２の配設密度が相対的に低いことが好ましい。
　また、本発明の態様１８にかかる蒸着ユニット１は、上記態様１７において、上記第２の制限板３２の配設密度は、上記蒸着マスク４０の主面に垂直な方向から見たときに、上記蒸着源１０の射出口１１から遠ざかるほど低くなることが好ましい。
　態様１７または１８の構成によれば、指向性が高い蒸着粒子４０１はカットしないか、もしくはカットを抑制し、指向性が悪い、Ｘ軸方向に漸近して飛散するような蒸着粒子４０１を、効率良くカットすることができる。
　また、本発明の態様１９にかかる蒸着装置１００は、上記態様１～１８の何れかの蒸着ユニット１と、上記蒸着ユニット１における蒸着マスク４０と被成膜基板２００とを対向配置した状態で、上記蒸着ユニット１および上記被成膜基板２００のうち一方を、上記第２の方向が走査方向となるように相対移動させる移動装置（基板移動装置１０３または蒸着ユニット移動装置１０４）とを備え、上記蒸着マスク４０の上記第２の方向の幅は、上記第２の方向における被成膜基板２００の幅よりも小さく、上記第２の方向に沿って走査しながら、上記蒸着源１０から出射された蒸着粒子４０１を、上記複数段の制限板ユニットおよび上記蒸着マスク４０の開口部を介して上記被成膜基板２００に蒸着させる。
　このため、上記蒸着装置１００によれば、高レート時の蒸着ボケを抑制することができるとともに、従来よりも、材料利用効率を向上させることができ、収率および生産性を向上させることができる。
　本発明は上述した各実施の形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施の形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施の形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施の形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　本発明は、被成膜基板と蒸着ユニットとを相対的に移動させて走査しながら蒸着を行う、スキャニング方式を用いたスキャン蒸着に使用される蒸着ユニット、および、そのような蒸着ユニットを用いて所定のパターンを成膜する蒸着装置に好適に利用することができる。特に、本発明の蒸着ユニットおよび蒸着装置は、例えば、有機ＥＬ表示装置における有機層の塗り分け形成等の成膜プロセスに用いられる、有機ＥＬ表示装置の製造装置並びに製造方法等に好適に用いることができる。
　　１　　　蒸着ユニット
　１０　　　蒸着源
　１１　　　射出口
　２０　　　第１の制限板ユニット
　２１　　　第１の制限板列
　２２，２２Ａ，２２Ｂ　　第１の制限板
　２２ａ　　端面
　２３，２３Ａ，２３Ｂ　　制限板開口（開口領域）
　２４　　　第１の保持部材
　２５　　　第２の保持部材
　２６　　　保持体
　２７　　　支持部
　２８　　　隙間
　３０　　　第２の制限板ユニット
　３１　　　第２の制限板列
　３２　　　第２の制限板
　３２ａ　　端面
　３３　　　制限板開口（開口領域）
　３４　　　第１保持部材
　３５　　　第２保持部材
　３６　　　保持体
　３７　　　支持部
　４０　　　蒸着マスク
　４１　　　マスク開口
　４２　　　アライメントマーカ
　５０　　　ホルダ
　５１　　　スライド装置
　５２　　　支持部材
　５３　　　テンション機構
　６０　　　防着板
　７０　　　第３の制限板ユニット
　７１，７１Ａ，７１Ｂ　　第３の制限板列
　７２　　　第３の制限板
　７３　　　制限板開口（開口領域）
１００　　　蒸着装置
１０１　　　真空チャンバ
１０２　　　基板ホルダ
１０３　　　基板移動装置
１０４　　　蒸着ユニット移動装置
１０５　　　イメージセンサ
２００　　　被成膜基板
２０１　　　被蒸着面
２０２　　　アライメントマーカ
４０１　　　蒸着粒子
４０２　　　蒸着膜

Claims (15)

  1. 　蒸着マスクと、
    　上記蒸着マスクに向かって蒸着粒子を射出する蒸着源と、
    　上記蒸着マスクと蒸着源との間に設けられ、上記蒸着粒子の通過角度を制限する第１の制限板ユニットおよび第２の制限板ユニットを少なくとも有する複数段の制限板ユニットとを備え、
    　上記第１の制限板ユニットは、上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときに、第１の方向に互いに離間し、かつ、互いに平行に設けられた、複数の第１の制限板からなる第１の制限板列を備え、
    　上記第２の制限板ユニットは、上記第１の制限板ユニットと蒸着マスクとの間に設けられており、かつ、複数の第２の制限板を備え、
    　上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときに、上記第２の制限板が、上記第１の方向に垂直な第２の方向に交差する方向に延設されていることを特徴とする蒸着ユニット。
  2. 　上記第１の制限板および第２の制限板は、それぞれ、上記蒸着マスクの主面に垂直に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の蒸着ユニット。
  3. 　上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときに、上記第１の制限板と第２の制限板とは、互いの端面が互いに直交する方向に延設されていることを特徴とする請求項１または２に記載の蒸着ユニット。
  4. 　上記第２の制限板は、上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときに、上記第１の方向に漸近するように形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の蒸着ユニット。
  5. 　上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときに、上記第２の制限板が、屈曲点を少なくとも１つ有していることを特徴とする請求項４に記載の蒸着ユニット。
  6. 　上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときに、上記第２の制限板の端面が、屈曲点を複数有していることを特徴とする請求項５に記載の蒸着ユニット。
  7. 　上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときに、上記蒸着源の射出口に相対的に近い領域では上記第２の制限板の屈曲角度が相対的に小さく、上記射出口から相対的に遠い領域では、上記第２の制限板の屈曲角度が相対的に大きいことを特徴とする請求項６に記載の蒸着ユニット。
  8. 　上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときに、上記第２の制限板が互いに交差していることを特徴とする請求項４に記載の蒸着ユニット。
  9. 　上記第２の制限板は、上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときに、それぞれ、上記複数の第１の制限板を跨ぐように上記第１の方向に連続して設けられていることを特徴とする請求項１～８の何れか１項に記載の蒸着ユニット。
  10. 　上記第２の制限板は、上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときに、上記第１の方向および第２の方向に複数設けられていることを特徴とする請求項１～９の何れか１項に記載の蒸着ユニット。
  11. 　上記第１の制限板と第２の制限板とが互いに離間して設けられていることを特徴とする請求項１～１０の何れか１項に記載の蒸着ユニット。
  12. 　上記第１の制限板と第２の制限板とが互いに接触して設けられていることを特徴とする請求項１～１０の何れか１項に記載の蒸着ユニット。
  13. 　上記複数段の制限板ユニットは、上記第２の制限板ユニットと蒸着マスクとの間に、上記第２の制限板ユニットを通過した蒸着粒子の通過角度を制限する第３の制限板ユニットをさらに有しており、
    　上記第３の制限板ユニットは、上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときに、少なくとも、第１の方向に互いに離間し、かつ、互いに平行に設けられた、複数の第３の制限板からなる第３の制限板列を備えていることを特徴とする請求項１～１２の何れか１項に記載の蒸着ユニット。
  14. 　上記蒸着マスクの主面に垂直な方向から見たときに、上記蒸着源の射出口に相対的に近い領域では上記第２の制限板の配設密度が相対的に高く、上記射出口から相対的に遠い領域では、上記第２の制限板の配設密度が相対的に低いことを特徴とする請求項１～１３の何れか１項に記載の蒸着ユニット。
  15. 　請求項１～１４の何れか１項に記載の蒸着ユニットと、
    　上記蒸着ユニットにおける蒸着マスクと被成膜基板とを対向配置した状態で、上記蒸着ユニットおよび上記被成膜基板のうち一方を、上記第２の方向が走査方向となるように相対移動させる移動装置とを備え、
    　上記蒸着マスクの上記第２の方向の幅は、上記第２の方向における被成膜基板の幅よりも小さく、
    　上記第２の方向に沿って走査しながら、上記蒸着源から出射された蒸着粒子を、上記複数段の制限板ユニットおよび上記蒸着マスクの開口部を介して上記被成膜基板に蒸着させることを特徴とする蒸着装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016136595A1 (ja) * 2015-02-25 2016-09-01 シャープ株式会社 蒸着ユニット、蒸着装置、および蒸着方法
CN109642313A (zh) * 2016-05-24 2019-04-16 埃马金公司 高精准度蔽荫掩模沉积系统及其方法
KR20190067104A (ko) 2017-12-06 2019-06-14 쵸슈 산교 가부시키가이샤 증착 장치, 증착 방법 및 제어판
WO2020144894A1 (ja) * 2019-01-10 2020-07-16 株式会社アルバック 蒸着装置
US11275315B2 (en) 2016-05-24 2022-03-15 Emagin Corporation High-precision shadow-mask-deposition system and method therefor

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6404615B2 (ja) * 2014-06-26 2018-10-10 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子製造用マスク、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
EP3096404A1 (en) * 2015-05-21 2016-11-23 Delphi Technologies, Inc. Crimp connection system for electrical cables, comprising a fastening sleeve
JP6376483B2 (ja) * 2017-01-10 2018-08-22 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク装置の製造方法および蒸着マスクの良否判定方法
US10906834B2 (en) 2017-11-29 2021-02-02 Corning Incorporated Ion-exchangeable mixed alkali aluminosilicate glasses
KR20230051717A (ko) * 2018-07-09 2023-04-18 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크의 제조 방법 및 증착 마스크 장치의 제조 방법
JP6586216B1 (ja) * 2018-11-22 2019-10-02 長州産業株式会社 蒸着装置及び蒸着方法
JP2021175824A (ja) * 2020-03-13 2021-11-04 大日本印刷株式会社 有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法、評価方法で用いられる標準マスク装置及び標準基板、標準マスク装置の製造方法、評価方法で評価された蒸着室を備える有機デバイスの製造装置、評価方法で評価された蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイス、並びに有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法
WO2021247380A1 (en) * 2020-06-04 2021-12-09 Applied Materials, Inc. Vapor deposition apparatus and method for coating a substrate in a vacuum chamber
JP2022076807A (ja) * 2020-11-10 2022-05-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050183670A1 (en) * 2002-09-24 2005-08-25 Grantham Daniel H. Patterned thin-film deposition using collimating heated masked assembly
JP2010270396A (ja) * 2009-05-22 2010-12-02 Samsung Mobile Display Co Ltd 薄膜蒸着装置
WO2011111134A1 (ja) * 2010-03-09 2011-09-15 シャープ株式会社 蒸着マスク、蒸着装置及び蒸着方法
WO2011129043A1 (ja) * 2010-04-12 2011-10-20 シャープ株式会社 蒸着装置及び蒸着方法
WO2011148750A1 (ja) * 2010-05-28 2011-12-01 シャープ株式会社 蒸着マスク及びこれを用いた有機ｅｌ素子の製造方法と製造装置
WO2012043258A1 (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 シャープ株式会社 蒸着方法、蒸着装置、及び有機ｅｌ表示装置
WO2012124564A1 (ja) * 2011-03-14 2012-09-20 シャープ株式会社 蒸着粒子射出装置および蒸着装置並びに蒸着方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07335553A (ja) * 1994-06-08 1995-12-22 Tel Varian Ltd 処理装置および処理方法
JP4139186B2 (ja) * 2002-10-21 2008-08-27 東北パイオニア株式会社 真空蒸着装置
KR20110014442A (ko) * 2009-08-05 2011-02-11 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101597887B1 (ko) * 2010-12-20 2016-02-25 샤프 가부시키가이샤 증착 방법 및 증착 장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050183670A1 (en) * 2002-09-24 2005-08-25 Grantham Daniel H. Patterned thin-film deposition using collimating heated masked assembly
JP2010270396A (ja) * 2009-05-22 2010-12-02 Samsung Mobile Display Co Ltd 薄膜蒸着装置
WO2011111134A1 (ja) * 2010-03-09 2011-09-15 シャープ株式会社 蒸着マスク、蒸着装置及び蒸着方法
WO2011129043A1 (ja) * 2010-04-12 2011-10-20 シャープ株式会社 蒸着装置及び蒸着方法
WO2011148750A1 (ja) * 2010-05-28 2011-12-01 シャープ株式会社 蒸着マスク及びこれを用いた有機ｅｌ素子の製造方法と製造装置
WO2012043258A1 (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 シャープ株式会社 蒸着方法、蒸着装置、及び有機ｅｌ表示装置
WO2012124564A1 (ja) * 2011-03-14 2012-09-20 シャープ株式会社 蒸着粒子射出装置および蒸着装置並びに蒸着方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016136595A1 (ja) * 2015-02-25 2016-09-01 シャープ株式会社 蒸着ユニット、蒸着装置、および蒸着方法
CN107250423A (zh) * 2015-02-25 2017-10-13 夏普株式会社 蒸镀单元、蒸镀装置及蒸镀方法
CN109642313A (zh) * 2016-05-24 2019-04-16 埃马金公司 高精准度蔽荫掩模沉积系统及其方法
CN109642313B (zh) * 2016-05-24 2021-03-09 埃马金公司 高精准度蔽荫掩模沉积系统及其方法
US11275315B2 (en) 2016-05-24 2022-03-15 Emagin Corporation High-precision shadow-mask-deposition system and method therefor
KR20190067104A (ko) 2017-12-06 2019-06-14 쵸슈 산교 가부시키가이샤 증착 장치, 증착 방법 및 제어판
WO2020144894A1 (ja) * 2019-01-10 2020-07-16 株式会社アルバック 蒸着装置
KR20200105675A (ko) * 2019-01-10 2020-09-08 가부시키가이샤 아루박 증착 장치
CN111684100A (zh) * 2019-01-10 2020-09-18 株式会社爱发科 蒸镀装置
JPWO2020144894A1 (ja) * 2019-01-10 2021-02-18 株式会社アルバック 蒸着装置
JP7026143B2 (ja) 2019-01-10 2022-02-25 株式会社アルバック 蒸着装置
KR102372878B1 (ko) * 2019-01-10 2022-03-08 가부시키가이샤 아루박 증착 장치

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