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WO2014054690A1 - 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 - Google Patents

露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 Download PDF

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Publication number
WO2014054690A1
WO2014054690A1 PCT/JP2013/076820 JP2013076820W WO2014054690A1 WO 2014054690 A1 WO2014054690 A1 WO 2014054690A1 JP 2013076820 W JP2013076820 W JP 2013076820W WO 2014054690 A1 WO2014054690 A1 WO 2014054690A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
measurement
heads
head
head group
exposure
Prior art date
Application number
PCT/JP2013/076820
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
柴崎 祐一
Original Assignee
株式会社ニコン
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to US14/432,522 priority Critical patent/US9678433B2/en
Priority to KR1020157011588A priority patent/KR102203305B1/ko
Priority to JP2014539783A priority patent/JP6075657B2/ja
Priority to EP13844272.8A priority patent/EP2905805B1/en
Priority to EP20174942.1A priority patent/EP3723111B1/en
Priority to KR1020217000687A priority patent/KR102311833B1/ko
Priority to CN201380061816.9A priority patent/CN104838469B/zh
Application filed by 株式会社ニコン filed Critical 株式会社ニコン
Publication of WO2014054690A1 publication Critical patent/WO2014054690A1/ja
Priority to HK15111739.6A priority patent/HK1211135A1/xx
Priority to US15/585,866 priority patent/US9891531B2/en
Priority to US15/848,615 priority patent/US10409166B2/en
Priority to US16/522,716 priority patent/US10852639B2/en
Priority to US17/082,402 priority patent/US11256175B2/en
Priority to US17/563,419 priority patent/US11579532B2/en
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    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
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    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175Lithography

Definitions

  • the present invention relates to an exposure apparatus, an exposure method, and a device manufacturing method, and more particularly, to an exposure apparatus and an exposure method used in a lithography process for manufacturing a microdevice (electronic device) such as a semiconductor element, and the exposure apparatus or exposure method.
  • the present invention relates to a device manufacturing method using
  • a step-and-repeat type projection exposure apparatus such as semiconductor elements (integrated circuits, etc.), liquid crystal display elements, etc.
  • a step-and-scan type Projection exposure apparatuses such as scanning steppers (also called scanners)
  • scanning steppers also called scanners
  • Patent Document 1 proposes an exposure apparatus that includes a position measurement system that uses a plurality of encoder type sensors (encoder heads) mounted on a substrate table.
  • the encoder head measures the position of the substrate table by irradiating the scale disposed opposite to the substrate table with the measurement beam and receiving the return beam from the scale.
  • the exposure apparatus provided with the position measurement system described in Patent Document 1 realizes high-precision exposure when the grating pitch and the grating shape of the grating, that is, the grid does not change at all for a long time. It is the premise of. Even if the grid fluctuates, there is no means for monitoring the fluctuation other than monitoring the fluctuation based on the exposure result.
  • an exposure apparatus that exposes an object with an energy beam to form a pattern on the object, the object holding the object.
  • a movable body movable along a plane including a first axis and a second axis orthogonal to each other, and a plurality of heads arranged on one of the movable body and the outside of the movable body, the plurality of heads Position measurement that irradiates the measurement surface arranged on the other side of the movable body and the outside of the movable body from a part of the movable body, receives the return beam from the measurement surface, and measures the positional information of the movable body And a control system that drives the movable body based on the position information, the measurement surface is formed with a one-dimensional or two-dimensional lattice, and the plurality of heads are opposed to the measurement surface.
  • a first head group including at least three heads whose measurement direction is at least one direction orthogonal to the predetermined plane, and at least two of the at least three heads are: The at least one head is arranged on the same straight line within the predetermined plane, and the remaining at least one head is arranged at a position different from the straight line within the predetermined plane, and the at least one head is used for acquiring the position information.
  • a first exposure apparatus that is a reference head, and wherein the at least two heads are measurement heads that are used to measure a difference between measurement values in the measurement direction with respect to measurement values of the reference head.
  • the moving body is driven by the control system based on the position information obtained by the position measurement system.
  • a difference in measurement values related to the measurement direction between at least one reference head used for acquiring the position information belonging to the first head group and at least two remaining measurement heads is measured.
  • an exposure apparatus that exposes an object with an energy beam to form a pattern on the object, and includes a first axis and a second axis that hold the object and are orthogonal to each other.
  • a movable body movable along a plane, and a plurality of heads arranged on one of the movable body and the outside of the movable body, and the movable body and the outside of the movable body from a part of the plurality of heads
  • a position measurement system that irradiates a measurement surface disposed on the other side of the measurement surface, receives a return beam from the measurement surface, and measures position information of the moving body; and the moving body based on the position information.
  • a one-dimensional or two-dimensional grating is formed on the measurement surface, and the plurality of heads are disposed in a predetermined surface facing the measurement surface, and at least within the predetermined surface
  • one of the two heads is a reference head used for obtaining the position information, and is disposed apart from each other in a direction intersecting with the respective axes of the axes along the second direction.
  • the remaining one of the heads is a second exposure apparatus that is a measurement head used for measuring a difference between measurement values in the measurement direction with respect to measurement values of the reference head.
  • a pattern is formed on an object using any one of the first and second exposure apparatuses, and the object on which the pattern is formed is developed.
  • a device manufacturing method is provided.
  • an exposure method in which an object is exposed with an energy beam to form a pattern on the object, and includes a first axis and a second axis that hold the object and are orthogonal to each other.
  • a one-dimensional or two-dimensional lattice is formed on a movable body that moves along a plane and a part of a plurality of heads arranged on one outside of the movable body and arranged on the movable body and the other outside the movable body Irradiating the measurement surface with a measurement beam, receiving a return beam from the measurement surface to measure position information of the moving body, and driving the moving body based on the obtained position information
  • the plurality of heads are arranged in a predetermined surface facing the measurement surface, and at least one of the two directions in the predetermined surface and the direction orthogonal to the predetermined surface is a measurement direction.
  • the moving body is driven in the predetermined plane, and in parallel with the driving, the at least one used for measuring the position information belonging to the first head group.
  • the different heads belonging to the first head group including data of a difference between the measurement values of the reference head which is one head and the measurement values of the measurement heads which are the at least two heads.
  • the measurement value difference data for the measurement direction is captured, and the measurement method on the measurement surface is calculated based on the acquired difference data.
  • the first exposure method of calibrating a grid error for is provided.
  • the moving body is driven based on the obtained position information, and each of at least one reference head used for measurement of the position information and the remaining at least two measurement heads belonging to the first head group.
  • Difference data relating to the measurement direction between different heads belonging to the first group including measurement value difference data relating to the measurement direction, is taken in parallel with the movement of the movable body within a predetermined plane, and the taken difference. Based on the data, calibration of the grid error regarding the measurement direction of the measurement surface is performed.
  • an exposure method in which an object is exposed with an energy beam to form a pattern on the object, and includes a first axis and a second axis that hold the object and are orthogonal to each other.
  • a one-dimensional or two-dimensional lattice is formed on a movable body that moves along a plane and a part of a plurality of heads arranged on one outside of the movable body and arranged on the movable body and the other outside the movable body Irradiating the measurement surface with a measurement beam, receiving a return beam from the measurement surface to measure position information of the moving body, and driving the moving body based on the obtained position information
  • the plurality of heads are arranged in a predetermined surface facing the measurement surface, and have at least one direction of a first direction and a second direction in the predetermined surface and a direction orthogonal to the predetermined surface.
  • the head group includes a plurality of heads, and two of the at least two heads intersect the respective axes of the axis along the first direction and the axis along the second direction within the predetermined plane.
  • the moving body is driven in the predetermined plane, and in parallel with the driving, is one head of the two heads belonging to the head group.
  • the head group including data of a difference between measurement values related to the measurement direction between a measurement value of a reference head used for measurement of the position information and a measurement value of a measurement head which is the remaining one of the two heads.
  • the difference value of the measurement value regarding the measurement direction between different heads belonging to each other is captured, and the measurement direction on the measurement surface is The second exposure method of calibrating a grid errors is provided.
  • the method includes forming a pattern on the object by any of the first and second exposure methods, and developing the object on which the pattern is formed.
  • a device manufacturing method is provided.
  • FIG. 3 is an enlarged view showing a partially broken wafer stage. It is a figure which shows arrangement
  • FIG. 2 is a block diagram showing a main configuration of a control system related to stage control in the exposure apparatus of FIG. 1. It is a figure which shows the relationship between arrangement
  • FIG. 11A and FIG. 11B are diagrams showing other arrangement examples of the heads belonging to each head group.
  • FIG. 1 shows a schematic configuration of an exposure apparatus 100 according to an embodiment.
  • the exposure apparatus 100 is a step-and-scan projection exposure apparatus, that is, a so-called scanner.
  • a projection optical system PL is provided.
  • a reticle and wafer are arranged in a direction perpendicular to the Z-axis direction parallel to the optical axis AX of the projection optical system PL and in a plane perpendicular to the Z-axis direction.
  • the direction perpendicular to the Z axis and the Y axis are the X axis directions
  • the rotation (tilt) directions around the X axis, the Y axis, and the Z axis are ⁇ x, ⁇ y, and The description will be made with the ⁇ z direction.
  • the exposure apparatus 100 includes an illumination system 10, a reticle stage RST for holding the reticle R, a projection unit PU, a wafer stage device 50 including wafer stages WST1 and WST2 on which the wafer W is placed, a control system for these, and the like. Yes.
  • the illumination system 10 includes a light source, an illuminance uniformizing optical system including an optical integrator, a reticle blind, and the like (both not shown) as disclosed in, for example, US Patent Application Publication No. 2003/0025890. And an illumination optical system.
  • the illumination system 10 illuminates the slit-shaped illumination area IAR on the reticle R set (restricted) by the reticle blind (masking system) with illumination light (exposure light) IL with substantially uniform illuminance.
  • illumination light IL for example, ArF excimer laser light (wavelength 193 nm) is used.
  • reticle stage RST On reticle stage RST, reticle R on which a circuit pattern or the like is formed on its pattern surface (lower surface in FIG. 1) is fixed, for example, by vacuum suction.
  • the reticle stage RST can be finely driven in the XY plane by a reticle stage drive system 11 (not shown in FIG. 1, refer to FIG. 9) including a linear motor, for example, and in the scanning direction (in the direction perpendicular to the paper surface in FIG. 1). It can be driven at a predetermined scanning speed in a certain Y-axis direction.
  • Position information (including information on the position in the ⁇ z direction ( ⁇ z rotation amount)) in the XY plane (moving plane) of reticle stage RST is shown in FIG. 1 as moving mirror 15 (actually perpendicular to the Y-axis direction).
  • a reticle laser interferometer (hereinafter referred to as “a movable mirror having a reflecting surface that is provided with an X moving mirror having a reflecting surface orthogonal to the X-axis direction”). For example, it is always detected with a resolution of about 0.25 nm.
  • a movable mirror having a reflecting surface that is provided with an X moving mirror having a reflecting surface orthogonal to the X-axis direction.
  • it is always detected with a resolution of about 0.25 nm.
  • An encoder system may be used.
  • the projection unit PU is arranged below the reticle stage RST in FIG. 1 (on the ⁇ Z side), and is held by a main frame (metrology frame) that constitutes a part of a body (not shown).
  • the projection unit PU has a lens barrel 40 and a projection optical system PL composed of a plurality of optical elements held by the lens barrel 40.
  • the projection optical system PL for example, a refractive optical system including a plurality of optical elements (lens elements) arranged along an optical axis AX parallel to the Z-axis direction is used.
  • the projection optical system PL is, for example, both-side telecentric and has a predetermined projection magnification (for example, 1/4 times, 1/5 times, or 1/8 times).
  • the illumination area IAR when the illumination area IAR is illuminated by the illumination light IL from the illumination system 10, the illumination that has passed through the reticle R, in which the first surface (object surface) of the projection optical system PL and the pattern surface are substantially aligned, is passed. Due to the light IL, a reduced image of the circuit pattern of the reticle R in the illumination area IAR (a reduced image of a part of the circuit pattern) passes through the projection optical system PL on the second surface (image surface) side of the projection optical system PL. Are formed in an area (exposure area) IA conjugate to the illumination area IAR on the wafer W having a resist (sensitive agent) coated on the surface thereof.
  • reticle R is moved relative to illumination area IAR (illumination light IL) in the scanning direction (Y-axis direction) and exposure area IA (illumination light) IL) relative to the wafer W in the scanning direction (Y-axis direction), scanning exposure of one shot area (partition area) on the wafer W is performed, and the pattern of the reticle R is formed in the shot area.
  • the pattern of the reticle R is generated on the wafer W by the illumination system 10 and the projection optical system PL, and the sensitive layer (resist layer) on the wafer W is exposed on the wafer W by the illumination light IL. A pattern is formed.
  • main frame may be any of a conventionally used portal type and a suspension support type disclosed in, for example, US Patent Application Publication No. 2008/0068568.
  • a scale plate 21 is disposed in parallel with the XY plane at a height that is substantially flush with the lower end surface of the lens barrel 40.
  • the scale plate 21 is composed of, for example, four L-shaped portions (parts) 21 1 , 21 2 , 21 3 , and 21 4, and is formed at the center thereof, for example.
  • the -Z side end of the lens barrel 40 is inserted into the rectangular opening 21a.
  • the widths of the scale plate 21 in the X-axis direction and the Y-axis direction are a and b, respectively, and the widths of the opening 21a in the X-axis direction and the Y-axis direction are ai and bi, respectively.
  • a scale plate 22 is disposed on the same plane as the scale plate 21 at a position spaced from the scale plate 21 in the + X direction.
  • the scale plate 22 is also composed of, for example, four L-shaped portions (parts) 22 1 , 22 2 , 22 3 , and 22 4 , for example, a rectangular opening 22 a formed at the center thereof.
  • the -Z side end of an alignment system ALG described later is inserted in the inside.
  • the widths of the scale plate 22 in the X-axis direction and the Y-axis direction are a and b, respectively, and the widths of the opening 22a in the X-axis direction and the Y-axis direction are ai and bi, respectively.
  • the scale plates 21 and 22 and the openings 21a and 22a have the same width in the X-axis and Y-axis directions, but it is not always necessary to have the same width.
  • the width may be different for at least one of the directions.
  • the scale plates 21 and 22 are suspended and supported by a main frame (metrology frame) (not shown) that supports the projection unit PU and the alignment system ALG.
  • the lower surfaces of the scale plates 21 and 22 (the surface on the ⁇ Z side) have a predetermined pitch with a periodic direction in the ⁇ 45 degree direction (the ⁇ 135 degree direction with respect to the Y axis) with respect to the X axis, for example, 1 ⁇ m.
  • a reflective two-dimensional grating RG (FIG. 2, comprising a grating and a grating with a predetermined pitch, for example, 1 ⁇ m, having a period direction of 45 degrees with respect to the X axis ( ⁇ 45 degrees with respect to the Y axis).
  • the two-dimensional gratings RG of the scale plates 21 and 22 cover the moving ranges of the wafer stages WST1 and WST2 at least during the exposure operation and alignment (measurement), respectively.
  • the wafer stage apparatus 50 includes a stage base 12 and a stage base 12 that are supported substantially horizontally by a plurality of (for example, three or four) vibration isolation mechanisms (not shown) on the floor surface.
  • Wafer stage WST1 and WST2 wafer stage drive system 27 for driving wafer stages WST1 and WST2 (partially shown in FIG. 1, refer to FIG. 9), and measurement system for measuring the positions of wafer stages WST1 and WST2 Etc.
  • the measurement system includes encoder systems 70 and 71, a wafer laser interferometer system (hereinafter abbreviated as a wafer interferometer system) 18 and the like shown in FIG.
  • the encoder systems 70 and 71 and the wafer interferometer system 18 will be further described later.
  • the wafer interferometer system 18 is not necessarily provided.
  • the stage base 12 is made of a member having a flat outer shape, and the upper surface thereof is finished with high flatness and is used as a guide surface when the wafer stages WST1 and WST2 are moved.
  • the stage base 12 accommodates a coil unit including a plurality of coils 14a arranged in a matrix with the XY two-dimensional direction as the row direction and the column direction.
  • stage base 12 In addition to the stage base 12, another base member for levitating and supporting the stage base 12 is provided, and the stage base 12 is moved according to the momentum conservation law by the action of the reaction force of the driving force of the wafer stages WST1 and WST2. It may function as a mass (reaction force canceller).
  • wafer stage WST1 is arranged above stage main body 91 and stage main body 91, and stage main body 91 by Z / tilt drive mechanism 32a (not shown in FIG. 1, refer to FIG. 9).
  • the wafer table WTB1 is supported in a non-contact manner.
  • wafer stage WST2 is arranged above stage main body 91 and stage main body 91, and by Z / tilt driving mechanism 32b (not shown in FIG. 1, refer to FIG. 9). And a wafer table WTB2 supported in a non-contact manner with respect to the stage main body 91.
  • wafer stage WST1 since wafer stage WST2 and wafer stage WST1 are configured in the same manner, wafer stage WST1 will be described below as a representative.
  • Wafer table WTB1 is supported in a non-contact manner by adjusting the balance between upward force (repulsive force) such as electromagnetic force and downward force (attraction force) including its own weight by Z / tilt drive mechanism 32a at three points. At the same time, it is finely driven in at least three degrees of freedom in the Z-axis direction, ⁇ x direction, and ⁇ y direction.
  • a slider portion 91 a is provided at the bottom of the stage main body 91.
  • the slider portion 91a includes a magnet unit composed of a plurality of magnets arranged two-dimensionally in an XY plane, a housing that houses the magnet unit, and a plurality of air bearings that are provided around the bottom surface of the housing. have.
  • the magnet unit together with the above-described coil unit, constitutes a planar motor 30 by electromagnetic force (Lorentz force) driving disclosed in, for example, US Pat. No. 5,196,745.
  • the planar motor 30 is not limited to the Lorentz force driving method, and a variable magnetoresistive driving planar motor can also be used.
  • Wafer stage WST1 is levitated and supported on stage base 12 by a plurality of air bearings via a predetermined clearance (gap / interval / gap (gap) / space distance), for example, a clearance of about several ⁇ m.
  • a predetermined clearance for example, a clearance of about several ⁇ m.
  • the wafer table WTB1 (wafer W) is in a 6-degree-of-freedom direction (X-axis direction, Y-axis direction, Z-axis direction, ⁇ x direction, ⁇ y direction, and ⁇ z direction (hereinafter, X, Y, Abbreviated as Z, ⁇ x, ⁇ y, ⁇ z).
  • a pair of planar motors 30 having a common stator (coil unit) for driving wafer stages WST1 and WST2, respectively, and Z / tilt provided in wafer stages WST1 and WST2 respectively.
  • a wafer stage drive system 27 is configured including the drive mechanisms 32a and 32b.
  • the planar motor 30 is not limited to the moving magnet method, and may be a moving coil method. Further, as the planar motor 30, a magnetic levitation type planar motor may be used. In this case, the air bearing described above may not be provided. Further, wafer stage WST1 may be driven in the direction of six degrees of freedom by planar motor 30.
  • Wafer table WTB1 may be finely movable in at least one of the X-axis direction, the Y-axis direction, and the ⁇ z direction. That is, wafer stage WST1 may be constituted by a coarse / fine movement stage.
  • a wafer W is mounted via a wafer holder (not shown), and is fixed by vacuum suction (or electrostatic suction), for example, by a chuck mechanism (not shown).
  • vacuum suction or electrostatic suction
  • a chuck mechanism not shown
  • a plurality of pairs of first reference marks and second reference marks detected by a pair of reticle alignment systems 13A and 13B and an alignment system ALG which will be described later, are provided.
  • One or a plurality of reference mark members on which the reference marks are formed are provided.
  • Encoder systems 70 and 71 respectively have six-degree-of-freedom directions (X, W) of wafer tables WTB1 and WTB2 in a moving area during exposure including an area immediately below projection optical system PL and a moving area during measurement including an area immediately below alignment system ALG. Position information of Y, Z, ⁇ x, ⁇ y, ⁇ z) is obtained (measured).
  • the moving area during exposure (first moving area) is an area where the wafer stage is moved during the exposure operation in the exposure station (first area) where the wafer is exposed via the projection optical system PL.
  • the exposure operation includes, for example, not only the exposure of all shot areas to which the pattern is to be transferred on the wafer, but also the preparation operation for the exposure (for example, detection of the above-described reference mark).
  • the movement area during measurement is the position where the wafer stage is moved during the measurement operation in the measurement station (second area) where the position information is measured by detecting the alignment mark of the wafer by the alignment system ALG.
  • the measurement operation includes, for example, not only detection of a plurality of alignment marks on a wafer but also detection of reference marks by the alignment system ALG (and measurement of wafer position information (step information) in the Z-axis direction). Including.
  • the wafer tables WTB1 and WTB2 respectively have the first quadrant, the second quadrant, the third quadrant, and the center of the upper surface (coincident with the center of the wafer W) as the origin.
  • the first encoder head group 61 1, the second encoder head group 61 2, third encoder head group 61 3, and the fourth encoder head group 61 4 are disposed.
  • the encoder head group is abbreviated as a head group.
  • the first head group 61 1 includes three encoder heads (hereinafter, appropriately abbreviated as heads) 60 1 , 60 1a , 60 1b , which are arranged at corners on the + X side and + Y side of the upper surfaces of the wafer tables WTB 1 and WTB 2. including.
  • the three heads 60 1 , 60 1a , and 60 1b are arranged at respective vertex positions of a right triangle. More specifically, the head 60 1 is provided in the vicinity of the corners of the wafer table WTBl, WTB2 upper surface of the + X side and + Y side (the vertex). As shown in an enlarged view in FIG.
  • the head 60 1a is disposed at a point that is shifted by ⁇ x in the ⁇ X direction from the installation position of the head 60 1 .
  • the head 60 1b is arranged at a point that is shifted by ⁇ y in the ⁇ Y direction from the installation position of the head 60 1 .
  • the three heads 60 2 , 60 2a , and 60 2b are 3 on the wafer tables WTB1 and WTB2 with respect to a straight line (center line) parallel to the Y axis passing through the center of the upper surface (the above-described origin).
  • the two heads 60 1 , 60 1a , 60 1b are provided in a symmetrical arrangement.
  • the third head group 61 3 includes three heads 60 3 , 60 3a , and 60 3b arranged at the ⁇ X side and ⁇ Y side corner portions of the upper surfaces of the wafer tables WTB1 and WTB2.
  • the three heads 60 3 , 60 3a , and 60 3b are symmetrical (point-symmetric) with the three heads 60 1 , 60 1a , and 60 1b on the wafer tables WTB1 and WTB2 with respect to the center of the upper surface thereof. Is provided in an arrangement.
  • the fourth head group 61 4 comprises a wafer table WTBl, WTB2 upper surface of the + X side and the -Y side of the corner three heads arranged in a portion 60 4, 60 4a, 60 4b .
  • the head 60 1, 60 distance in the X-axis direction between the 2 and the head 60 3, 60 X-axis direction of the distance between the 4 are equally A one another.
  • the head 60 1, 60 between 4 Y-axis direction of the distance the head 60 2, 60 Y-axis direction of the distance between the 3 are equally B to each other.
  • the separation distances A and B are larger than the widths ai and bi of the opening 21a of the scale plate 21. Strictly speaking, A ⁇ ai + 2t and B ⁇ bi + 2t in consideration of the width t of the ineffective area described above.
  • Each of the heads 60 1 to 60 4 , 60 1a to 60 4a , and 60 1b to 60 4b is formed on the wafer tables WTB1 and WTB2 as shown in FIG. 5 by taking the head 60 1 as a representative. Each is accommodated in a hole having a predetermined depth in the axial direction.
  • the heads 60 1 , 60 1a and 60 1b belonging to the first head group 61 1 measure the direction of 135 degrees ( ⁇ 45 degrees) and the Z axis direction with respect to the X axis. It is a two-dimensional head as a direction.
  • head 60 3 belonging to the third head group 61 3, 60 3a, 60 3b, as shown in FIGS. 6 and FIG. 8 (A) the direction of 135 degrees relative to the X axis (-45 °) And a Z-axis direction as a measurement direction.
  • First heads belonging to the head group 61 1 (60 1, 60 1a , 60 1b), second heads belonging to the head group 61 2 (60 2, 60 2a , 60 2b), third heads belonging to the head group 61 3 ( 60 3, 60 3a, 60 3b ), and a fourth heads belonging to the head group 61 4 (60 4, 60 4a , 60 4b) , as is apparent from FIGS. 2 and 5, the scale plate 21, respectively, facing part 21 1 of 21 2, 21 3, 21 4, or portion 22 1 of the scale plate 22, 22 2, 22 3, 22 4 formed on the surface 2-dimensional grating RG the measuring beam (reference numeral in FIG.
  • each of the heads 60 1 , 60 1a , 60 1b , 60 2 , 60 2a , 60 2b , 60 3 , 60 3a , 60 3b , 60 4 , 60 4a and 60 4b configured as described above, Since the optical path length in the air is extremely short, the influence of air fluctuation can be almost ignored.
  • the light source and the photodetector are provided outside each head, specifically, inside (or outside) the stage main body 91, and only the optical system is provided inside each head.
  • the light source and photodetector and the optical system are optically connected via an optical fiber (not shown).
  • laser light or the like may be transmitted in the air between stage main body 91 and wafer table WTB1 (or WTB2).
  • heads 60 1 , 60 1a and 60 1b belonging to first head group 61 1 are measured on scale plate 21 (part 21 1 ). Beam (measuring light) is irradiated and the direction of 135 degrees with respect to the X axis formed on the surface (lower surface) of the scale plate 21, that is, the direction of ⁇ 45 degrees with respect to the X axis (hereinafter, appropriately, ⁇ 45 degrees).
  • direction or alpha-direction is referred to as direction or alpha-direction to receive the diffracted beams from the grating whose periodic direction, two-dimensional encoder for measuring the wafer table WTBl, -45 degree direction (alpha direction WTB2) and the position of the Z-axis direction 70 1 , 70 1a , 70 1b , and 71 1 , 71 1a , 71 1b (see FIG. 9).
  • ⁇ direction a grating having a periodic direction
  • 2a , 70 2b and 71 2 , 71 2a , 71 2b see FIG. 9).
  • the heads 60 1 , 60 1a and 60 1b belonging to the first head group 61 1 are connected to the scale plate 22 (part 22 1 ). Is irradiated with a measurement beam (measurement light), and receives a diffracted beam from a grating formed on the surface (lower surface) of the scale plate 22 and having a ⁇ 45 degree direction ( ⁇ direction) as a periodic direction, and wafer table WTB1, Two-dimensional encoders 70 1 , 70 1a , 70 1b , and 71 1 , 71 1a , 71 1b (see FIG. 9) that measure the positions of the WTB 2 in the ⁇ 45 degree direction ( ⁇ direction) and the Z-axis direction are configured.
  • heads 60 1 , 60 1a , 60 1b , 60 2 , 60 2a , 60 2b , 60 3 , 60 3a , 60 3b , 60 4 , 60 on wafer stage WST1 4a and 60 4b are two-dimensional encoders 70 1 , 70 1a , 70 1b , 70 2 , 70 2a , 70 2b , 70 3 , 70 3a , 70 together with a scale plate that is irradiated with a measurement beam (measurement light).
  • Two-dimensional encoder (hereinafter abbreviated as an encoder as appropriate) 70 1 , 70 1a , 70 1b , 70 2 , 70 2a , 70 2b , 70 3 , 70 3a , 70 3b , 70 4 , 70 4a , 70 4b , 71 1 , 71 1a , 71 1b , 71 2 , 71 2a , 71 2b , 71 3 , 71 3a , 71 3b , 71 4 , 71 4a , 71 4b are measured by the main controller 20 (see FIG. 9). Supplied.
  • the main controller 20 is at least facing the lower surface of the scale plate 21 (parts 21 1 to 21 4 constituting it) on which the two-dimensional grating RG is formed, of the encoders 70 1 to 70 4 or the encoders 71 1 to 71 4. Based on the measurement values of three encoders (that is, at least three encoders that output valid measurement values), 6 of wafer tables WTB1 and WTB2 in the movement area during exposure including the area directly under the projection optical system PL. Position information in the direction of freedom (X, Y, Z, ⁇ x, ⁇ y, ⁇ z) is obtained.
  • Main controller 20 includes all of at least three groups to which heads of at least three encoders used for measurement and position information of wafer tables WTB1 and WTB2 in the six-degree-of-freedom directions (X, Y, Z, ⁇ x, ⁇ y, ⁇ z) belong.
  • the main controller 20 of the encoder 70 1 to 70 4 or encoders 71 1 to 71 4, the lower surface of the two-dimensional grating RG scale is the forming plate 22 (parts 22 1 to 22 4 constituting the) Wafer tables WTB1 and WTB2 in the measurement moving area including the area directly below alignment system ALG based on the measurement values of at least three encoders facing each other (that is, at least three encoders outputting valid measurement values).
  • Position information in the six degrees of freedom direction (X, Y, Z, ⁇ x, ⁇ y, ⁇ z).
  • Main controller 20 includes all of at least three groups to which heads of at least three encoders used for measurement and position information of wafer tables WTB1 and WTB2 in the six-degree-of-freedom directions (X, Y, Z, ⁇ x, ⁇ y, ⁇ z) belong.
  • the measurement coordinate system grid corresponding to the fluctuation of the two-dimensional lattice RG of the scale plate 22 while the wafer tables WTB1 and WTB2 are moving in the measurement moving region, for example, including during alignment Calibration of (grid error) (this will be described later) may be executed.
  • the positions of wafer stages WST1 and WST2 are made independent of encoder systems 70 and 71 by wafer interferometer system 18 (see FIG. 9). It can be measured.
  • the measurement value of the wafer interferometer system 18 is used as an auxiliary, for example, for backup when the output of the encoder systems 70 and 71 is abnormal. Details of the wafer interferometer system 18 are omitted.
  • the alignment system ALG is an off-axis alignment system arranged at a predetermined interval on the + X side of the projection optical system PL as shown in FIG.
  • an alignment system ALG as an example, it is a type of an image processing type alignment sensor that measures a mark position by illuminating a mark with broadband light such as a halogen lamp and processing the mark image.
  • a certain FIA (Field Image Alignment) system is used.
  • the imaging signal from the alignment system ALG is supplied to the main controller 20 (see FIG. 9) via an alignment signal processing system (not shown).
  • the alignment system ALG is not limited to the FIA system.
  • the mark is irradiated with coherent detection light, and scattered light or diffracted light generated from the mark is detected, or two diffracted lights generated from the mark (for example, Of course, it is possible to use alignment sensors that detect and detect interference light of the same order or diffracted light diffracted in the same direction alone or in combination.
  • the alignment system ALG for example, an alignment system having a plurality of detection regions disclosed in US Patent Application Publication No. 2008/0088843 may be adopted.
  • the exposure apparatus 100 of the present embodiment is arranged in a measurement station together with the alignment system ALG, and has an oblique incidence similar to that disclosed in, for example, US Pat. No. 5,448,332.
  • a multipoint focus position detection system (hereinafter abbreviated as a multipoint AF system) AF (not shown in FIG. 1, refer to FIG. 9) is provided. At least a part of the measurement operation by the multi-point AF system AF is performed in parallel with the mark detection operation by the alignment system ALG, and the position information of the wafer table is measured by the encoder system during the measurement operation.
  • the detection signal of the multipoint AF system AF is supplied to the main controller 20 via an AF signal processing system (not shown) (see FIG. 9).
  • Main controller 20 detects position information (step information / concave / convex information) in the Z-axis direction on the surface of wafer W based on the detection signal of multi-point AF system AF and the measurement information of the encoder system described above. Based on the prior detection information and the measurement information (position information in the Z-axis, ⁇ x, and ⁇ y directions) of the encoder system, so-called focus leveling control of the wafer W during scanning exposure is executed.
  • a multipoint AF system is provided in the vicinity of the projection unit PU in the exposure station, and the wafer table is driven while measuring the position information (concave / convex information) on the wafer surface during the exposure operation, thereby performing focus / leveling control of the wafer W. It is also possible to execute.
  • a pair of reticle alignment systems of the TTR (Through-The-Reticle) system using light having an exposure wavelength disclosed in, for example, US Pat. No. 5,646,413 is provided above reticle R. 13A and 13B (not shown in FIG. 1, refer to FIG. 9) are provided.
  • Detection signals from the reticle alignment systems 13A and 13B are supplied to the main controller 20 via an alignment signal processing system (not shown).
  • reticle alignment may be performed using an aerial image measuring instrument (not shown) provided on wafer stage WST.
  • FIG. 9 is a block diagram with some control systems related to the stage control of the exposure apparatus 100 omitted.
  • This control system is configured around the main controller 20.
  • the main controller 20 includes a so-called microcomputer (or workstation) comprising a CPU (Central Processing Unit), ROM (Read Only Memory), RAM (Random Access Memory), etc., and controls the entire apparatus. Control.
  • CPU Central Processing Unit
  • ROM Read Only Memory
  • RAM Random Access Memory
  • main controller 20 moves one of wafer stages WST1 and WST2 loaded with a wafer within a measurement station (movement area during measurement). Then, the wafer measurement operation by the alignment system ALG and the multipoint AF system is executed. That is, mark detection using an alignment system ALG for the wafer W held on one of the wafer stages WST1 and WST2 within the movement area during measurement, so-called wafer alignment (for example, US Pat. No. 4,780,617) Enhanced global alignment (EGA) etc.) and measurement of wafer surface information (step / concave / convex information) using a multi-point AF system.
  • wafer alignment for example, US Pat. No. 4,780,617) Enhanced global alignment (EGA) etc.
  • the encoder system 70 (encoders 70 1 to 70 4 ) or the encoder system 71 (encoders 71 1 to 71 4 ) uses the six degrees of freedom directions (X, Y, Z, ⁇ x, ⁇ y, ⁇ z) of the wafer tables WTB1, WTB2. ) Position information is obtained (measured).
  • main controller 20 uses alignment system ALG to measure the position of the second reference mark on the reference mark member provided on one of wafer stages WST1 and WST2. Yes. Then, the arrangement coordinates of the plurality of shot areas on the wafer W calculated as a result of the wafer alignment are replaced with the arrangement coordinates based on the second reference mark.
  • one of the wafer stages moves to the movement area during exposure, and the main controller 20 controls the reference marks on the reticle alignment systems 13A and 13B and the wafer table (WTB1 or WTB2).
  • reticle alignment or the like for determining the positional relationship between the projection center of the reticle pattern and the center of the pair of first reference marks is performed in the same procedure as that of a normal scanning stepper.
  • step-and-scan exposure operation a scanning exposure operation in which the reticle stage RST and the wafer stage WST1 or WST2 are moved synchronously, and the wafer stage WST1 or WST2 is moved to an acceleration start position for exposure of the shot area. This is performed by alternately repeating the movement (stepping) operation between shots.
  • the encoder system 70 (encoders 70 1 to 70 4 ) or the encoder system 71 (encoders 71 1 to 71 4 ) uses the six-degree-of-freedom directions (X, Y, Z, and W) of one wafer table (WTB1 or WTB2). Position information ( ⁇ x, ⁇ y, ⁇ z) is obtained (measured).
  • the exposure apparatus 100 of this embodiment includes two wafer stages WST1 and WST2. Therefore, in parallel to performing the step-and-scan exposure on one wafer stage, for example, the wafer loaded on wafer stage WST1, the wafer placed on the other wafer stage WST2 is exposed. A parallel processing operation for performing wafer alignment and the like is performed.
  • the main controller 20 uses the encoder system 70 (see FIG. 9) in both the exposure movement area and the measurement movement area to use the wafer table WTB1. Position information in the directions of six degrees of freedom (X, Y, Z, ⁇ x, ⁇ y, ⁇ z) is obtained (measured). Further, main controller 20 uses encoder system 71 (see FIG. 9) in both the movement area during exposure and the movement area during measurement, and uses six-degree-of-freedom directions (X, Y, Z) of wafer table WTB2. , ⁇ x, ⁇ y, ⁇ z) is obtained (measured).
  • measurement values of the encoder heads 60 1 to 60 4 or encoders 70 1 to 70 4 refers to the measurement value of the measurement direction that is not the Z-axis direction of the encoder heads 60 1 to 60 4 or encoders 70 1 to 70 4.
  • the encoder heads 60 1 to 60 4 and the scale plate 21 as described above, at least three of the encoder heads 60 1 to 60 4 are included in the movement area during exposure. It always faces the scale plate 21 (corresponding portions 21 1 to 21 4 ).
  • FIG. 10 shows the relationship between the arrangement of the encoder heads 60 1 to 60 4 and the portions 21 1 to 21 4 of the scale plate 21 on the wafer stage WST1 and the measurement areas A 0 to A 4 of the encoder system 70. Yes.
  • FIG. 10 only the heads 60 1 , 60 2 , 60 3 , and 60 4 used for measuring the position information of the wafer table WTB1 in the direction of 6 degrees of freedom are illustrated. Since wafer stage WST2 is configured in the same manner as wafer stage WST1, only wafer stage WST1 will be described here.
  • the center of wafer table WTB1 (coincides with the center of the wafer) is within the movement area during exposure and is located on the + X side and + Y side with respect to exposure center (center of exposure area IA) (with exposure center P as the origin).
  • region in the first quadrant (where region excluding the a 0) when located in the first region a 1 is a), part of the head 60 4 on the wafer stage WST1, 60 1, 60 2 each scale plate 21 It faces 21 4 , 21 1 , 21 2 .
  • effective measurement values are sent to the main controller 20 from the heads 60 4 , 60 1 , 60 2 (encoders 70 4 , 70 1 , 70 2 ).
  • the positions of wafer stages WST1 and WST2 mean the positions of the centers of the wafer stages (which coincide with the center of the wafer table and the center of the wafer, respectively). That is, instead of describing the position of the center of wafer stages WST1 and WST2, it is described as the position of wafer stages WST1 and WST2.
  • wafer stage WST1 is within the moving area during exposure and is located on the ⁇ X side and + Y side with respect to exposure center P (the area in the second quadrant with exposure center P as the origin (however, area A 0 the excluded)) when positioned in the second region a 2 is, the head 60 1, 60 2, 60 3 are opposed to the portion 21 1, 21 2, 21 3 of the scale plate 21, respectively.
  • wafer stage WST1 is in the exposure time movement area, and the area in the third quadrant of the area (exposure center P of the -X side and -Y side of the origin with respect to the exposure center P (However, the region A 0 )) when positioned in the third region a 3 is, the head 60 2, 60 3, 60 4 is opposed to the portion 21 2, 21 3, 21 4 of the scale plate 21, respectively.
  • Wafer stage WST1 is, the region of exposure time movement in the region, and the fourth quadrant to the origin region (exposure center P of the exposure center P + X side and the -Y side (excluding region A 0) ) when positioned in the fourth region a 4 is a head 60 3, 60 4, 60 1 part 21 3 of the scale plate 21, respectively, 21 4, opposite the 21 1.
  • wafer stage WST1 has cross-shaped area A 0 centered on exposure center P (width A-ai- whose longitudinal direction is the Y-axis direction passing through exposure center P).
  • 4 heads 60 1 on wafer stage WST1 when located in a region including a region of 2t and a region of width B-bi-2t whose longitudinal direction is the X-axis direction (hereinafter referred to as the zeroth region).
  • ⁇ 60 4 face scale plate 21 (corresponding parts 21 1 to 21 4). Accordingly, in the 0th area A 0 , effective measurement values are sent to the main controller 20 from the heads 60 1 to 60 4 (encoders 70 1 to 70 4 ).
  • the conditions A ⁇ ai + W + 2t, B ⁇ are considered in consideration of the size (W, L) of the shot area on the wafer on which the pattern is formed.
  • bi + L + 2t may be added.
  • W and L are the width of the shot region in the X-axis direction and the length in the Y-axis direction, respectively.
  • W and L are respectively equal to the distance of the scanning exposure section and the distance of stepping in the X-axis direction.
  • Main controller 20 calculates position (X, Y, ⁇ z) of wafer stage WST1 in the XY plane based on the measurement values of heads 60 1 to 60 4 (encoders 70 1 to 70 4 ).
  • the measured values of the encoders 70 1 to 70 4 (represented as C 1 to C 4 respectively) are expressed by the following equations (1) to (4) with respect to the position (X, Y, ⁇ z) of the wafer stage WST1. It depends on.
  • C 1 ⁇ (cos ⁇ z + sin ⁇ z) X / ⁇ 2 + (Cos ⁇ z ⁇ sin ⁇ z) Y / ⁇ 2 + ⁇ 2 psin ⁇ z (1)
  • C 2 ⁇ (cos ⁇ z ⁇ sin ⁇ z) X / ⁇ 2 ⁇ (Cos ⁇ z + sin ⁇ z) Y / ⁇ 2 + ⁇ 2 psin ⁇ z (2)
  • C 3 (cos ⁇ z + sin ⁇ z) X / ⁇ 2 ⁇ (Cos ⁇ z ⁇ sin ⁇ z) Y / ⁇ 2 + ⁇ 2 psin ⁇ z (3)
  • C 4 (cos ⁇ z ⁇ sin ⁇ z) X / ⁇ 2 + (Cos ⁇ z + sin ⁇ z) Y / ⁇ 2 + ⁇ 2 psin ⁇ z (4)
  • p is a distance in the X-axis and Y-axis directions of
  • Main controller 20 identifies three heads (encoders) that face scale plate 21 in accordance with areas A 0 to A 4 where wafer stage WST1 is located, and uses the above equation (1) to determine the measured values.
  • the position (X, Y, ⁇ z) in the XY plane of wafer stage WST1 is determined by combining simultaneous equations selected from (4) and solving the simultaneous equations using the measurement values of the three heads (encoders). calculate.
  • the wafer stage WST1 is located in the first region A 1, the main controller 20, the head 60 1, 60 2, 60 4 (encoders 70 1, 70 2, 70 4) of the measurement value according the formula ( The simultaneous equations are assembled from 1), (2), and (4), and the measured values of each head are substituted into the left sides of the equations (1), (2), and (4) to solve the simultaneous equations.
  • the main controller 20 may be selected any three from the head 60 1 to 60 4 (encoders 70 1 to 70 4). For example, after wafer stage WST1 has moved from the first area to the 0th area, heads 60 1 , 60 2 , 60 4 (encoders 70 1 , 70 2 , 70 4 ) corresponding to the first area may be selected.
  • Main controller 20 drives (position control) wafer stage WST1 within the movement area during exposure based on the above calculation result (X, Y, ⁇ z).
  • main controller 20 uses encoder system 70 (encoders 70 1 to 70 4 ) to obtain position information in three degrees of freedom (X, Y, ⁇ z). measure.
  • encoder system 70 encoders 70 1 to 70 4
  • the measurement principle and the like are the same except that the exposure center P is replaced with the detection center of the alignment system ALG, and the scale plate 21 (parts 21 1 to 21 4 ) is replaced with the scale plate 22 (parts 22 1 to 22 4 ). This is the same as when the stage WST1 is located in the movement area during the previous exposure.
  • main controller 20 switches three of heads 60 1 to 60 4 facing scale plates 21 and 22 to three different at least one according to the positions of wafer stages WST1 and WST2.
  • a linking process for ensuring the continuity of the measurement value of the position of the wafer stage is performed.
  • the switching of the heads 60 1 to 60 4 at the time of exposure operation by the step-and-scan method Connection processing is performed.
  • measurement values of the encoder heads 60 1 to 60 4 or encoders 70 1 to 70 4 means a measurement of the Z-axis direction of the encoder heads 60 1 to 60 4 or encoders 70 1 to 70 4.
  • the configuration and arrangement of the encoder heads 60 1 to 60 4 and the scale plate 21 as described above are adopted, so that the area A 0 to A in which the wafer stage WST1 (WST2) is located in the movement area during exposure.
  • WST1 wafer stage WST2
  • at least three of the encoder heads 60 1 to 60 4 face the scale plate 21 (corresponding portions 21 1 to 21 4 thereof).
  • Effective measurement values are sent to the main controller 20 from a head (encoder) facing the scale plate 21.
  • the main controller 20 based on the measurement values of encoders 70 1 to 70 4, and calculates the position of wafer stage WST1 (WST2) (Z, ⁇ x , ⁇ y) a.
  • the measurement values related to the Z-axis direction of the encoders 70 1 to 70 4 (the measurement values other than the Z-axis direction described above, that is, the measurement values C 1 to C 4 for one axis direction in the XY plane are distinguished from each other by D referred to as 1-D 4)
  • the position of wafer stage WST1 (WST2) (Z, [theta] x, with respect to [theta] y) depends on the following equation (5) to (8).
  • D 1 ⁇ ptan ⁇ y + ptan ⁇ x + Z (5)
  • D 2 ptan ⁇ y + ptan ⁇ x + Z (6)
  • D 3 ptan ⁇ y ⁇ ptan ⁇ x + Z (7)
  • D 4 ⁇ ptan ⁇ y ⁇ ptan ⁇ x + Z (8)
  • p is the distance (see Fig. 6) about the X-axis and Y-axis direction of the head 60 1 to 60 4 from the center of wafer table WTBl (WTB2).
  • Main controller 20 selects, from the above formulas (5) to (8), the formula according to the measurement values of the three heads (encoders) according to the areas A 0 to A 4 where wafer stage WST1 (WST2) is located,
  • the position (Z, ⁇ x, ⁇ y) of wafer stage WST1 (WST2) is calculated by substituting the measurement values of the three heads (encoders) into the simultaneous equations composed of the three selected equations and solving them.
  • the wafer stage WST1 (or WST2) is positioned in the first region A 1, the main controller 20, the head 60 1, 60 2, 60 4 (encoders 70 1, 70 2, 70 4) (or head).
  • the simultaneous equations are assembled from the equations (5), (6), and (8) according to the measured values of 60 1 , 60 2 , 60 4 (encoders 71 1 , 71 2 , 71 4 ), and the equations (5), (6 ) And (8) Substituting the measured values for the left side of each, and solving.
  • the head 60 1 to 60 4 encoders 70 1 to 70 4
  • the head 60 1 ⁇ 60 4 encoders 71 1 to 71 4
  • Main controller 20 performs focus / leveling control on wafer stage WST1 (or WST2) within the movement area during exposure based on the above calculation result (Z, ⁇ x, ⁇ y) and the above-described step information (focus mapping data). To do.
  • main controller 20 uses encoder system 70 or 71 to measure position information in the three-degree-of-freedom directions (Z, ⁇ x, ⁇ y). .
  • the measurement principle is such that the exposure center is replaced with the detection center of the alignment system ALG, and the scale plate 21 (parts 21 1 to 21 4 ) is replaced with the scale plate 22 (parts 22 1 to 22 4 ). This is the same as the case where WST1 is located in the movement area during exposure.
  • Main controller 20 performs focus / leveling control on wafer stage WST1 or WST2 based on the measurement value of encoder system 70 or 71. Note that focus leveling is not necessarily performed in the measurement moving area (measurement station).
  • the reference plane of the wafer stage For example, step information with respect to the upper surface is obtained and placed.
  • focus leveling becomes possible based on this step information and position information in the three-degree-of-freedom directions (Z, ⁇ x, ⁇ y) of the wafer stage (reference plane).
  • main controller 20 switches three of heads 60 1 to 60 4 facing scale plates 21 and 22 to three different at least one according to the positions of wafer stages WST1 and WST2. To do.
  • the same connection processing as described above is performed in order to guarantee the continuity of the measurement value of the position of wafer stage WST1 (or WST2).
  • the main controller 20 for example, such as during the exposure, in a state where for example, the first head 60 1 belonging to the head group 61 1, 60 1a, 60 1b is opposed to the corresponding portion 21 1 of the scale plate 21, wafer stage WST1
  • ⁇ x moves in the X axis direction
  • the measurement values in the ⁇ direction of the heads 60 1 , 60 1a , (encoders 70 1 , 70 1a ) are taken in, and the difference data represented by the following equation (9), that is, ⁇
  • the shifts ⁇ / ⁇ x corresponding to the X position of the direction grid ( ⁇ grid) are sequentially integrated.
  • the distribution of the discrete ⁇ grid fluctuation amount in the X-axis direction can be obtained.
  • the main control device 20 performs, for example, the wafer in a state where the heads 60 1 , 60 1a , 60 1b belonging to the first head group 61 1 face the corresponding portion 21 1 of the scale plate 21 during exposure, for example.
  • the table WTB1 moves ⁇ y with respect to the Y-axis direction, for example, the measurement values in the ⁇ direction of the heads 60 1 , 60 1b , (encoders 70 1 , 70 1b ) are taken in, and the difference data represented by the following equation (10): That is, the shift ⁇ / ⁇ y corresponding to the Y position of the ⁇ grid is sequentially integrated. Thereby, the distribution regarding the Y-axis direction of the fluctuation amount of the discrete ⁇ grid can be obtained.
  • Main controller 20 is expressed by a function ⁇ 1 (x, y) from the distribution of the discrete ⁇ grid fluctuation amount in the X-axis direction and the distribution of the discrete ⁇ grid fluctuation amount in the Y-axis direction.
  • An ⁇ correction map for correcting drift ( ⁇ grid fluctuation) generated in the first quadrant of the two-dimensional grating RG (the first portion 21 1 of the scale plate 21) can be obtained.
  • the main controller 20 for example, such as during the exposure, in a state where for example, the third head 60 3 belonging to the head group 61 3, 60 3a, 60 3b is opposed to the corresponding portion 21 3 of the scale plate 21, wafer stage WST1
  • ⁇ x moves in the X-axis direction
  • the measurement values in the ⁇ direction of the heads 60 3 and 60 3a encoders 70 3 and 70 3a
  • the difference data similar to the equation (9) is sequentially integrated.
  • main controller 20 obtains a function from the distribution of the discrete ⁇ grid fluctuation amount obtained from the integration of the difference data in the X-axis direction and the distribution of the discrete ⁇ grid fluctuation amount in the Y-axis direction.
  • drift ⁇ grid fluctuation
  • the main controller 20 for example, such as during the exposure, in a state where for example, the second head 60 2 belonging to the head group 61 2, 60 2a, 60 2b is opposed to the corresponding portion 21 2 of the scale plate 21, the wafer
  • the stage WST1 moves ⁇ x in the X-axis direction, for example, the measurement values in the ⁇ direction of the heads 60 2 and 60 2a (encoders 70 2 and 70 2a ) are taken in, and the difference data represented by the following equation (11) is obtained.
  • each time the wafer stage WST1 moves by ⁇ y in the Y-axis direction for example, the measurement values in the ⁇ direction of the heads 60 2 , 60 2b (70 2 , 70 2b ) are taken in, and the following equation (12) is obtained.
  • the difference data represented is sequentially integrated.
  • main controller 20 obtains a function from the distribution in the X-axis direction of the discrete ⁇ grid fluctuation amount obtained from the integration of the difference data and the distribution in the Y-axis direction of the fluctuation amount of the discrete ⁇ grid.
  • ⁇ / ⁇ x ⁇ 2 (x ⁇ x, y) ⁇ 2 (x, y) (11)
  • ⁇ / ⁇ y ⁇ 2 (x, y ⁇ y) ⁇ 2 (x, y) (12)
  • the main controller 20 for example, such as during the exposure, in a state where for example the fourth head 60 4 belonging to the head group 61 4, 60 4a, 60 4b is opposed to the corresponding portion 21 4 of the scale plate 21, the wafer
  • the stage WST1 moves by ⁇ x in the X-axis direction, for example, the ⁇ direction measurement values of the heads 60 4 and 60 4a (encoders 70 4 and 70 4a ) are fetched, and the difference data similar to the equation (11) is sequentially integrated.
  • main controller 20 obtains a function from the distribution in the X-axis direction of the discrete ⁇ grid fluctuation amount obtained from the integration of the difference data and the distribution in the Y-axis direction of the fluctuation amount of the discrete ⁇ grid.
  • ⁇ correction map of is obtained.
  • Main controller 20 creates a Z correction map in the same manner as the ⁇ correction map and ⁇ correction map described above, for example, during exposure.
  • the main controller 20 is in a state where, for example, the heads 60 1 , 60 1a , 60 1b belonging to the first head group 61 1 face the corresponding portion 21 1 of the scale plate 21 during exposure, for example.
  • the wafer stage WST1 moves by ⁇ x in the X-axis direction, for example, the measurement values in the Z-axis direction of the heads 60 1 and 60 1a (encoders 70 1 and 70 1a ) are taken in and expressed by the following equation (13):
  • the difference data is sequentially integrated, and each time the wafer stage WST1 moves by ⁇ y with respect to the Y-axis direction, for example, the measurement values in the Z-axis direction of the heads 60 1 , 60 1b (70 1 , 70 1b ) are fetched.
  • the difference data represented by (14) is sequentially integrated. Then, main controller 20 obtains a function from the distribution of the discrete Z grid fluctuation amount obtained from the integration of the difference data in the X axis direction and the distribution of the discrete Z grid fluctuation amount in the Y axis direction.
  • ⁇ Z / ⁇ x ⁇ 1 (x ⁇ x, y) ⁇ 1 (x, y) (13)
  • ⁇ Z / ⁇ y ⁇ 1 (x, y ⁇ y) ⁇ 1 (x, y) (14)
  • the main controller 20 moves ⁇ y each time the wafer stage WST1 moves ⁇ x while the heads belonging to the second, third, and fourth head groups face the scale plate 21 during exposure, for example.
  • the same difference data as described above is taken in and integrated, and functions ( ⁇ 2 (x, y), ⁇ 3 (x, y), ⁇ 4 (x, y, respectively)) representing the drift shape (Z grid fluctuation) are obtained.
  • y)) is restored and a Z correction map is obtained.
  • Main controller 20 repeats the above difference measurement in parallel with the position measurement in the 6-degree-of-freedom direction of wafer table WTB, and updates the grid error of the coordinate system of encoder system 70.
  • this grid error update is also referred to as refreshing the coordinate system of the encoder system 70.
  • main controller 20 switches, for example, three of heads 60 1 to 60 4 facing scale plate 21 to three different from each other in accordance with the position of wafer stage WST1 during exposure.
  • main controller 20 drives wafer table WTB1 based on position information of wafer table WTB1 obtained by three of heads 60 1 to 60 4 (three of encoders 70 1 to 70 4 ).
  • at least one of the three heads used for calculating the position information of the wafer table WTB1 according to the position of the wafer table WTB1 is used as a head belonging to another head group not used for calculating the position information of the wafer table WTB1. Switch to.
  • the main control device 20 switches the target of taking in the difference data for the above-described grid error calibration of the two-dimensional grating RG of the scale plate 21 to another head group.
  • the redundant head used for the difference measurement described above is switched.
  • Main controller 20 refreshes the coordinate system of encoder system 71 in the same manner as described above, while wafer stage WST2 is moving during exposure, including during exposure.
  • the main controller 20 adds the difference data as described above to obtain a primary component that is a low-order component of grid fluctuation, for example, scaling ( ⁇ , ⁇ grid). Only the bend (Z grid) is corrected in real time.
  • more detailed correction refers to, for example, acquiring more difference data by moving the wafer stages WST1 and WST2 over almost the entire range of their effective strokes and acquiring the above-described difference data.
  • main controller 20 targets even higher-order components. For example, the operator is notified of the necessity of correction by a display or the like. In response to this notification, when a higher-order correction is instructed by the operator, the main controller 20 reads the reference wafer on which a plurality of reference marks are formed in the arrangement according to the design value (resist is applied on the surface). Is mounted on wafer table WTB1 or WTB2, and a measurement reticle having a plurality of marks arranged in a predetermined positional relationship is mounted on reticle stage RST.
  • main controller 20 conveys the exposed reference wafer to, for example, a coater / developer connected in-line to exposure apparatus 100 and instructs development.
  • the coater / developer receives notification that the development of the reference wafer has been completed, the main controller 20 mounts the developed reference wafer on the wafer table WTB1 or WTB2 again and forms it on the reference wafer.
  • the alignment system ALG sequentially detects the position of the mark made of the resist image with respect to the corresponding reference mark. Based on the detection result, the ⁇ , ⁇ , and Z grid fluctuation amounts targeted for higher order components are corrected.
  • the operator sets a threshold value (for example, a predetermined third amount larger than the second amount) for the amount of fluctuation (correction amount) of the low-order component (primary component) described above.
  • the control device 20 monitors whether or not the fluctuation amount of the low-order component exceeds the threshold value, and when the fluctuation amount (correction amount) exceeds the threshold value, notifies the operator that the grid needs to be maintained. It may be set as follows. That is, the above-described fluctuation amount (correction amount) of the low-order component may be used as a monitor index for determining whether or not the grid needs to be maintained.
  • the main controller 20 causes the encoder system 70 to three of the encoders 70 1 to 70 4 (or three of encoders 71 1 to 71 4 of the encoder system 71) wafer table WTB1 or based on directions of six degrees of freedom of the position information obtained at WTB2 ( Wafer stage WST1 or WST2) is driven.
  • the main controller 20 performs calibration (correction) of the grid error (particularly low-order components), that is, refresh of the coordinate system of the encoder systems 70 and 71 in real time. Therefore, according to the exposure apparatus 100, the encoder system 70 or 71 using the two-dimensional grating RG formed on the lower surface of the scale plate 21 as the measurement surface causes the six-degree-of-freedom direction in the movement area during exposure of the wafer stage WST1 or WST2. This position can be accurately measured and controlled over a long period of time, so that the pattern of the reticle R can be accurately transferred to a plurality of shot areas on the wafer W.
  • the main controller 20 performs a refresh of the coordinate system of the encoder systems 70 and 71 in real time during exposure. Therefore, even if the scale plate 21 (two-dimensional grating RG) is further enlarged together with the wafer stages WST1 and WST2 in order to cope with a 450 mm wafer, the wafer table WTB1 or WTB2 has a 6 It is possible to accurately measure the position in the direction of freedom over a long period of time.
  • the main controller 20 performs wafer alignment measurement (mark detection by the alignment system ALG) and position information (step information / unevenness information) in the Z-axis direction of the surface of the wafer W, which is performed in parallel therewith. Even when wafer stage WST1 or WST2 is moving within the measurement movement region such as at the time of detection, the coordinate system of encoder systems 70 and 71 can be refreshed in real time. In such a case, the accuracy of wafer alignment such as EGA and the focus / leveling control accuracy of the wafer W during scanning exposure can be maintained with high accuracy over a long period of time.
  • the arrangement intervals A and B of the heads 60 1 to 60 4 are the widths ai and bi of the openings of the scale plates 21 and 22 and the sizes W and L of the shot areas, respectively. It is set larger than the sum.
  • the four heads 60 1 , 60 2 , 60 3 , and 60 4 for measuring the position of the wafer table provided at the four corners of the upper surface of the wafer table satisfy the above-described arrangement conditions.
  • the heads 60 1a , 60 2a , 60 3a , 60 4a and heads 60 1b , 60 2b , 60 3b , and 60 4b also satisfy the same arrangement conditions as described above.
  • the scale plate 21 and 22 respectively consists of four parts, wafer stage WST1, WST2 four head groups 61 1 to 61 4 on the case has been described provided corresponding thereto
  • the present invention is not limited thereto, and the scale plates 21 and 22 may be configured by a single member.
  • the two-dimensional grating RG may be a single two-dimensional grating having a large area.
  • the movement stroke of the wafer stage WST1, WST2 is sufficiently large, together with the head 60 1, wafer stage WST1, a predetermined freedom of WST2, 2 two heads it is possible to position measurement of e.g. 6 degrees of freedom (e.g. In addition to two of the heads 60 2 to 60 4 ), only two redundant heads 60 1a and 60 1b belonging to the first head group 61 1 may be provided.
  • the arrangement of the heads belonging to each head group described in the above embodiment is merely an example.
  • an arrangement of the heads belonging to the first head group for example, an arrangement as shown in FIG.
  • a function of ⁇ , ⁇ instead of a function of x, y is assumed as a function representing the above-described drift shape (variation of ⁇ , ⁇ , Z grid).
  • the coordinate system can be refreshed.
  • the arrangement of the heads belonging to the first head group 61 1, for example placed may be adopted as shown in FIG. 11 (B).
  • the measurement directions of the heads 60 1 , 60 1a , and 60 1b are two directions of the X-axis direction and the Z-axis direction. Therefore, the first part of the scale plate 21 of the head belonging to the first head group 61 1 faces, one-dimensional or two-dimensional grating whose periodic direction of at least X-axis direction is provided.
  • FIG. 11 (A) or FIG. 11 (B) is adopted as the arrangement of the heads belonging to the first head group
  • the arrangement of the heads belonging to the second, third, and fourth head groups The arrangement shown in FIG. 11 (A) or FIG.
  • the measurement direction in the XY plane of the heads belonging to at least one of the fourth head groups is orthogonal to the measurement direction of the heads belonging to the first head group.
  • the present invention is not limited to this, and two heads may belong to each head group.
  • the measurement directions of two heads include at least one direction in the X-axis direction and the Y-axis direction
  • these two heads are similar to the heads 60 1a and 60 1b in FIG. It is desirable that they are arranged apart from each other in the direction intersecting the X axis and the Y axis.
  • the measurement directions of the two heads include at least one of the aforementioned ⁇ direction and ⁇ direction
  • these two heads are similar to the heads 60 1a and 60 1b in FIG. 11A, for example. It is desirable that they are arranged apart in the X-axis direction (or Y-axis direction) intersecting the ⁇ direction and the ⁇ direction.
  • four or more heads may belong to each head group.
  • a head arrangement is adopted in which all the heads belonging to each head group are not located on the same straight line.
  • the common measurement of each of the remaining heads and one reference head used to measure the position information of the wafer table in the direction of six degrees of freedom belonging to each head group At the time of refreshing the above-described coordinate system at the time of exposure, the common measurement of each of the remaining heads and one reference head used to measure the position information of the wafer table in the direction of six degrees of freedom belonging to each head group. Data on the difference between the measurement values regarding the direction may be acquired, or data on the difference regarding the common measurement direction between all the different heads belonging to each head group may be acquired. In essence, it includes difference data of measurement values relating to the common measurement direction of at least two of the remaining heads, which belong to each head group, and which are one reference head used for measurement of the position information.
  • Difference data related to the common measurement direction between different heads belonging to each head group is acquired, and based on the acquired difference data, grid fluctuations related to the common measurement direction of the scale plate 21 (two-dimensional grating RG). It only needs to be able to monitor the quantity and calibrate the grid error.
  • Calibration of the grid fluctuation amount (grid error) for even the component may be performed in real time.
  • the calibration of the grid fluctuation amount (grid error) targeted for components higher than the predetermined order is performed, for example, as described above.
  • a reference wafer or the like may be used.
  • a case where only the measurement value of one reference head among the three heads belonging to each head group is used for calculating the positions of the wafer tables WTB1 and WTB2 in the 6-degree-of-freedom direction is used for calculating the positions of the wafer tables WTB1 and WTB2 in the 6-degree-of-freedom direction.
  • the present invention is not limited to this, and at least two measurement values of the three heads belonging to each head group may be used for calculating the positions of the wafer tables WTB1 and WTB2 in the 6-degree-of-freedom direction.
  • an average of measured values of three heads belonging to each head group may be used for calculating the positions of the wafer tables WTB1 and WTB2 in the 6-degree-of-freedom direction. In such a case, more accurate position measurement is possible due to the averaging effect.
  • a two-dimensional head whose measurement direction is one direction in the XY plane and two directions in the Z-axis direction is used as each head, and the grid error of the coordinate system during exposure is determined in the two directions.
  • calibration correction
  • the present invention is not limited to this.
  • calibration (correction) of the grid error in the coordinate system during exposure may be performed with respect to one direction in the XY plane and one of the Z-axis directions.
  • a three-dimensional head having two orthogonal directions in the XY plane and a Z-axis direction as a measurement direction may be used as each head.
  • a head or a two-dimensional head may be used.
  • a non-encoder type surface position sensor whose measurement direction is the Z-axis direction may be used in combination with this.
  • the case where the two-dimensional grating RG is formed on the lower surface of each of the portions 21 1 to 21 4 and 22 1 to 22 4 of the scale plates 21 and 22 is exemplified.
  • the above embodiment can also be applied to the case where a one-dimensional grating having a periodic direction only in the measurement direction (uniaxial direction in the XY plane) of the encoder heads 60 1 to 60 4 is formed.
  • an exposure apparatus including an encoder system in which a head is mounted on wafer stages WST1 and WST2 and scale plates 21 and 22 (two-dimensional grating RG) are arranged outside wafer stages WST1 and WST2.
  • a plurality of heads are provided on the outside of the wafer stage, for example, above (or below), and a measurement surface such as a grating is provided on the upper surface (or lower surface) of the wafer stage.
  • the present invention can also be applied to an exposure apparatus including an encoder system of a type, for example, an exposure apparatus disclosed in US Patent Application Publication No. 2008/0088843.
  • the exposure apparatus is a scanning stepper
  • the present invention is not limited to this, and the above embodiment may be applied to a stationary exposure apparatus such as a stepper.
  • a stationary exposure apparatus such as a stepper.
  • the position of the stage on which the object to be exposed is mounted is measured by an encoder, and unlike the case where the position of the stage is measured by an interferometer, position measurement errors due to air fluctuations are generated.
  • the stage can be almost zero, and the stage can be positioned with high accuracy based on the measurement value of the encoder. As a result, a highly accurate reticle pattern can be transferred onto the wafer.
  • the above-described embodiment can also be applied to a step-and-stitch projection exposure apparatus that synthesizes a shot area and a shot area.
  • the exposure apparatus 100 is a twin-stage type exposure apparatus including two wafer stages.
  • the present invention is not limited to this, and for example, US Patent Application Publication No. 2007/0211235.
  • an exposure apparatus including a measurement stage including a measurement member (for example, a reference mark and / or a sensor) separately from the wafer stage as disclosed in US Patent Application Publication No. 2007/0127006 and the like, or a wafer The above-described embodiment may be applied to a single stage type exposure apparatus having only one stage.
  • the exposure apparatus of the above embodiment may be an immersion type disclosed in, for example, International Publication No. 99/49504, US Patent Application Publication No. 2005/0259234, and the like.
  • the projection optical system in the exposure apparatus of the above embodiment may be not only a reduction system but also any of the same magnification and enlargement systems
  • the projection optical system PL may be any of a reflection system and a catadioptric system as well as a refraction system.
  • the projected image may be either an inverted image or an erect image.
  • the illumination light IL is not limited to ArF excimer laser light (wavelength 193 nm), but may be ultraviolet light such as KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) or vacuum ultraviolet light such as F2 laser light (wavelength 157 nm).
  • ultraviolet light such as KrF excimer laser light (wavelength 248 nm) or vacuum ultraviolet light such as F2 laser light (wavelength 157 nm).
  • single-wavelength laser light in the infrared region or visible region oscillated from a DFB semiconductor laser or fiber laser is used as vacuum ultraviolet light, for example, erbium.
  • a harmonic which is amplified by a fiber amplifier doped with (or both erbium and ytterbium) and wavelength-converted into ultraviolet light using a nonlinear optical crystal may be used.
  • a light transmissive mask in which a predetermined light shielding pattern (or phase pattern / dimming pattern) is formed on a light transmissive substrate is used.
  • a predetermined light shielding pattern or phase pattern / dimming pattern
  • a light transmissive substrate is used.
  • a variable shaping mask, an active mask that forms a transmission pattern, a reflection pattern, or a light emission pattern.
  • a DMD Digital Micro-mirror Device
  • spatial light modulator spatial light modulator
  • variable molding mask When such a variable molding mask is used, a stage on which a wafer or a glass plate is mounted is scanned with respect to the variable molding mask. Therefore, by measuring the position of the stage using an encoder, the above embodiment is used. The same effect can be obtained.
  • an exposure apparatus (lithography system) that forms a line-and-space pattern on a wafer W by forming interference fringes on the wafer W.
  • the above embodiment can also be applied.
  • two reticle patterns are synthesized on a wafer via a projection optical system, and 1 on the wafer by one scan exposure.
  • the above embodiment can also be applied to an exposure apparatus that performs double exposure of two shot areas almost simultaneously.
  • the object on which the pattern is to be formed is not limited to the wafer, but may be another object such as a glass plate, a ceramic substrate, a film member, or a mask blank. good.
  • the use of the exposure apparatus is not limited to the exposure apparatus for semiconductor manufacturing, but for example, an exposure apparatus for liquid crystal that transfers a liquid crystal display element pattern to a square glass plate, an organic EL, a thin film magnetic head, an image sensor (CCD, etc.), micromachines, DNA chips and the like can also be widely applied to exposure apparatuses. Further, in order to manufacture reticles or masks used in not only microdevices such as semiconductor elements but also light exposure apparatuses, EUV exposure apparatuses, X-ray exposure apparatuses, electron beam exposure apparatuses, etc., glass substrates or silicon wafers, etc. The above embodiment can also be applied to an exposure apparatus that transfers a circuit pattern.
  • An electronic device such as a semiconductor is formed on a mask in the step of designing the function and performance of the device, the step of manufacturing a reticle based on this design step, the step of manufacturing a wafer from a silicon material, and the exposure apparatus of the above embodiment.
  • This is manufactured through a resist removal step for removing the resist that is no longer necessary in step 1, a device assembly step (including a dicing process, a bonding process, and a packaging process), an inspection step, and the like.
  • a highly integrated device can be manufactured with a high yield.
  • the exposure apparatus (pattern forming apparatus) of the above embodiment maintains various mechanical subsystems including the constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy.
  • Manufactured by assembling In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy.
  • the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus.
  • the exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.
  • the exposure apparatus and exposure method of the present invention are suitable for exposing an object.
  • the device manufacturing method of the present invention is suitable for manufacturing an electronic device such as a semiconductor element or a liquid crystal display element.

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Abstract

 ステージ(WST1)上面の中心を原点とする第1、第2、第3及び第4象限のコーナー部分に、各3つの2次元ヘッド(60、60ia、60ib(i=1~4))を設ける。4つのヘッド(60(i=1、2、3、4))のうち、ステージ(WST1)の上方に設けられたスケール板(21)の2次元グレーティング(RG)に対向する3つのヘッド(60)を用いてステージ(WST1)の位置を計測しつつ、ステージ(WST1)を駆動し、駆動中に、その3つのヘッドがそれぞれ属するヘッド群(61)に属する各3つのヘッドのヘッド(60)に対する残り2つのヘッド(60ia、60ib)の計測方向に関する計測値の差分のデータを取り込み、その差分のデータを用いて、2次元グレーティング(RG)の計測方向に関するグリッド誤差を較正する。

Description

露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
 本発明は、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法に係り、特に、半導体素子などのマイクロデバイス(電子デバイス)を製造するリソグラフィ工程で用いられる露光装置及び露光方法、並びに前記露光装置又は露光方法を用いるデバイス製造方法に関する。
 従来、半導体素子(集積回路等)、液晶表示素子等の電子デバイス(マイクロデバイス)を製造するリソグラフィ工程では、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(いわゆるステッパ)、あるいはステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置(いわゆるスキャニング・ステッパ(スキャナとも呼ばれる))などが、主として用いられている。
 この種の露光装置では、半導体素子の高集積化によるデバイスパターンの微細化に伴い、高い重ね合わせ精度(位置合わせ精度)が要求されるようになってきた。このため、パターンが形成されるウエハ又はガラスプレート等の基板の位置計測にも一層高い精度が要求されるようになってきた。
 かかる要求に応える装置として、例えば特許文献1には、基板テーブル上に搭載された複数のエンコーダタイプのセンサ(エンコーダヘッド)を用いる位置計測システムを備えた露光装置が提案されている。この露光装置では、エンコーダヘッドは、基板テーブルに対向して配置されたスケールに計測ビームを照射し、スケールからの戻りビームを受光することによって、基板テーブルの位置を計測する。
 しかるに、特許文献1に記載の位置計測システムを備えた露光装置は、スケールが有するグレーティングの格子ピッチ及び格子形状、すなわちグリッドが、長期にわたり「全く変動しないこと」が高精度な露光を実現するための前提となっている。また、グリッドが変動しても、露光結果に基づいて、その変動を監視する以外にその変動を監視する手段がない。
 しかしながら、現在の露光装置のウエハステージに要求されている位置決め誤差の許容値がnmレベルであることを考えると、グリッドがnmレベルで見て長期に渡って変動しないとは考え難い。
 また、300ミリウエハ時代から450ミリウエハ時代への移行が目前に迫っており、450ミリウエハ対応の露光装置になると、ウエハステージが大型化する反面、位置決め誤差の許容値は現在より厳しくなる(あるいは現在と同程度となる)ものと考えられる。450ミリウエハ対応の露光装置に上記特許文献1に記載の位置計測システムをそのまま用いることは、ウエハの大型化に伴うスケール(グレーティング)のさらなる大型化を考えても、現実問題としては困難であると考えられる。
 同様の問題は、例えば特許文献2などに開示されるエンコーダシステムを備える露光装置でも生じる。
米国特許出願公開第2006/0227309号明細書 米国特許出願公開第2008/0088843号明細書
 本発明は、上述した事情の下になされたもので、その第1の態様によれば、物体をエネルギビームにより露光して前記物体上にパターンを形成する露光装置であって、物体を保持して互いに直交する第1軸及び第2軸を含む平面に沿って移動可能な移動体と、前記移動体及び該移動体の外部の一方に配置された複数のヘッドを有し、該複数のヘッドの一部から前記移動体及び該移動体の外部の他方に配置された計測面に計測ビームを照射し、前記計測面からの戻りビームを受光して前記移動体の位置情報を計測する位置計測系と、前記位置情報に基づいて前記移動体を駆動する制御系と、を備え、前記計測面には、1次元又は2次元の格子が形成され、前記複数のヘッドは、前記計測面に対向する所定面内に配置され、少なくとも前記所定面内の2方向、並びに前記所定面に直交する方向の少なくとも一方向を計測方向とする少なくとも3つのヘッドを含む第1のヘッド群を含み、前記少なくとも3つのヘッドのうち、少なくとも2つのヘッドは、前記所定面内で同一直線上に配置され、残りの少なくとも1つのヘッドは、前記所定面内で前記直線とは異なる位置に配置され、前記少なくとも1つのヘッドは、前記位置情報の取得に用いられる基準ヘッドであり、前記少なくとも2つのヘッドは、前記基準ヘッドの計測値に対する前記計測方向の計測値の差分の計測に用いられる計測ヘッドである第1の露光装置が、提供される。
 これによれば、制御系により、位置計測系にて求められた位置情報に基づいて移動体が駆動される。また、第1のヘッド群に属する前記位置情報の取得に用いられる少なくとも1つの基準ヘッドと残り少なくとも2つの計測ヘッドそれぞれとの計測方向に関する計測値の差分が計測される。この差分の計測が、移動体の移動と並行して行われることで、その差分のデータに基づいて、計測面の前記計測方向に関するグリッドの変動量を監視することが可能になる。
 本発明の第2の態様によれば、物体をエネルギビームにより露光して前記物体上にパターンを形成する露光装置であって、物体を保持して互いに直交する第1軸及び第2軸を含む平面に沿って移動可能な移動体と、前記移動体及び該移動体の外部の一方に配置された複数のヘッドを有し、該複数のヘッドの一部から前記移動体及び該移動体の外部の他方に配置された計測面に計測ビームを照射し、前記計測面からの戻りビームを受光して前記移動体の位置情報を計測する位置計測系と、前記位置情報に基づいて前記移動体を駆動する制御系と、を備え、前記計測面には、1次元又は2次元の格子が形成され、前記複数のヘッドは、前記計測面に対向する所定面内に配置され、少なくとも前記所定面内の第1方向及び第2方向、並びに前記所定面に直交する方向の少なくとも1方向を計測方向とする少なくとも2つのヘッドを含むヘッド群を含み、前記少なくとも2つのヘッドのうちの2つは、前記所定面内で前記第1方向に沿った軸及び第2方向に沿った軸のそれぞれの軸に交差する方向に離れて配置され、前記2つのヘッドのうちの1つのヘッドは、前記位置情報の取得に用いられる基準ヘッドであり、前記2つのヘッドのうち残りの1つのヘッドは、前記基準ヘッドの計測値に対する前記計測方向の計測値の差分の計測に用いられる計測ヘッドである第2の露光装置が、提供される。
 本発明の第3の態様によれば、上記第1及び第2の露光装置のいずれかを用いて、物体上にパターンを形成することと、前記パターンが形成された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。
 本発明の第4の態様によれば、物体をエネルギビームにより露光して前記物体上にパターンを形成する露光方法であって、物体を保持して互いに直交する第1軸及び第2軸を含む平面に沿って移動する移動体及び該移動体の外部の一方に配置された複数のヘッドの一部から前記移動体及び該移動体の外部の他方に配置され1次元又は2次元の格子が形成された計測面に計測ビームを照射し、前記計測面からの戻りビームを受光して前記移動体の位置情報を計測することと、求められた前記位置情報に基づいて前記移動体を駆動することと、を含み、前記複数のヘッドは、前記計測面に対向する所定面内に配置され、前記所定面内の2方向、及び前記所定面に直交する方向の少なくとも1方向を計測方向とする少なくとも3つのヘッドを含む第1のヘッド群を含み、前記少なくとも3つのヘッドのうち、少なくとも2つのヘッドは、前記所定面内で同一直線上に配置され、残りの少なくとも1つのヘッドは、前記所定面内で前記直線とは異なる位置に配置され、前記駆動することでは、前記移動体を前記所定平面内で駆動するとともに、この駆動と並行して、前記第1ヘッド群に属する前記位置情報の計測に用いられる前記少なくとも1つのヘッドである基準ヘッドの計測値と前記少なくとも2つのヘッドである計測ヘッドの計測値それぞれとの前記計測方向に関する計測値の差分のデータを含む前記第1のヘッド群に属する異なるヘッド同士の前記計測方向に関する計測値の差分のデータを取り込み、その取り込んだ前記差分のデータに基づいて、前記計測面における前記計測方向に関するグリッド誤差を較正する第1の露光方法が、提供される。
 これによれば、求められた位置情報に基づいて移動体が駆動され、第1のヘッド群に属する、前記位置情報の計測に用いられる少なくとも1つの基準ヘッドと残り少なくとも2つの計測ヘッドそれぞれとの計測方向に関する計測値の差分のデータを含む第1群に属する異なるヘッド同士の前記計測方向に関する差分のデータが、移動体の所定平面内での移動と並行して取り込まれ、その取り込まれた差分のデータに基づいて、計測面の前記計測方向に関するグリッド誤差の較正が行われる。
 本発明の第5の態様によれば、物体をエネルギビームにより露光して前記物体上にパターンを形成する露光方法であって、物体を保持して互いに直交する第1軸及び第2軸を含む平面に沿って移動する移動体及び該移動体の外部の一方に配置された複数のヘッドの一部から前記移動体及び該移動体の外部の他方に配置され1次元又は2次元の格子が形成された計測面に計測ビームを照射し、前記計測面からの戻りビームを受光して前記移動体の位置情報を計測することと、求められた前記位置情報に基づいて前記移動体を駆動することと、を含み、前記複数のヘッドは、前記計測面に対向する所定面内に配置され、前記所定面内の第1方向及び第2方向、並びに前記所定面に直交する方向の少なくとも1方向を計測方向とする少なくとも2つのヘッドを含むヘッド群を含み、前記少なくとも2つのヘッドのうちの2つのヘッドは、前記所定面内で前記第1方向に沿った軸及び第2方向に沿った軸のそれぞれの軸に交差する方向に離れて配置され、前記駆動することでは、前記移動体を前記所定平面内で駆動するとともに、この駆動と並行して、前記ヘッド群に属する前記2つのヘッドのうちの1つのヘッドである前記位置情報の計測に用いられる基準ヘッドの計測値と前記2つのヘッドのうちの残りの1つのヘッドである計測ヘッドの計測値との前記計測方向に関する計測値の差分のデータを含む前記ヘッド群に属する異なるヘッド同士の前記計測方向に関する計測値の差分のデータを取り込み、その取り込んだ前記差分のデータに基づいて、前記計測面における前記計測方向に関するグリッド誤差を較正する第2の露光方法が、提供される。
 本発明の第6の態様によれば、上記第1及び第2の露光方法のいずれかにより物体上にパターンを形成することと、前記パターンが形成された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。
一実施形態に係る露光装置の構成を概略的に示す図である。 投影光学系の周囲に配置されるエンコーダシステムの構成を示す図である。 アライメント系の周囲に配置されるエンコーダシステムの構成を示す図である。 ウエハテーブル上面の第1象限のコーナー部分に配置される第1ヘッド群に属する3つのヘッドの配置の一例を説明するための図である。 ウエハステージを一部破砕して示す拡大図である。 ウエハステージ上のエンコーダヘッドの配置を示す図である。 ウエハテーブル上面の第1象限のコーナー部分に配置された第1ヘッド群の配置及び計測方向を示す図である。 図8(A)~図8(C)は、それぞれ、ウエハテーブル上面の第3象限のコーナー部分に配置された第3ヘッド群、ウエハテーブル上面の第2象限のコーナー部分に配置された第2ヘッド群、及びウエハテーブル上面の第4象限のコーナー部分に配置された第4ヘッド群の配置及び計測方向を示す図である。 図1の露光装置におけるステージ制御に関連する制御系の主要な構成を示すブロック図である。 エンコーダヘッド及びスケール板の配置とエンコーダシステムの計測領域との関係を示す図である。 図11(A)及び図11(B)は、それぞれ各ヘッド群に属するヘッドの他の配置例を示す図である。
 以下、本発明の一実施形態について、図1~図10に基づいて説明する。
 図1には、一実施形態に係る露光装置100の概略構成が示されている。露光装置100は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置、すなわち、いわゆるスキャナである。後述するように、本実施形態では投影光学系PLが設けられており、以下においては、投影光学系PLの光軸AXと平行な方向をZ軸方向、これに直交する面内でレチクルとウエハとが相対走査される方向をY軸方向、Z軸及びY軸に直交する方向をX軸方向とし、X軸、Y軸、及びZ軸回りの回転(傾斜)方向をそれぞれθx、θy、及びθz方向として説明を行なう。
 露光装置100は、照明系10、レチクルRを保持するレチクルステージRST、投影ユニットPU、ウエハWが載置されるウエハステージWST1,WST2を含むウエハステージ装置50、及びこれらの制御系等を備えている。
 照明系10は、例えば米国特許出願公開第2003/0025890号明細書などに開示されるように、光源と、オプティカルインテグレータ等を含む照度均一化光学系、及びレチクルブラインド等(いずれも不図示)を有する照明光学系とを含む。照明系10は、レチクルブラインド(マスキングシステム)で設定(制限)されたレチクルR上のスリット状の照明領域IARを照明光(露光光)ILによりほぼ均一な照度で照明する。ここで、照明光ILとしては、一例としてArFエキシマレーザ光(波長193nm)が用いられている。
 レチクルステージRST上には、回路パターンなどがそのパターン面(図1における下面)に形成されたレチクルRが、例えば真空吸着により固定されている。レチクルステージRSTは、例えばリニアモータ等を含むレチクルステージ駆動系11(図1では不図示、図9参照)によって、XY平面内で微少駆動可能であるとともに、走査方向(図1における紙面直交方向であるY軸方向)に所定の走査速度で駆動可能となっている。
 レチクルステージRSTのXY平面(移動面)内の位置情報(θz方向の位置(θz回転量)の情報を含む)は、図1に示される、移動鏡15(実際には、Y軸方向に直交する反射面を有するY移動鏡(あるいは、レトロリフレクタ)とX軸方向に直交する反射面を有するX移動鏡とが設けられている)に測長ビームを照射するレチクルレーザ干渉計(以下、「レチクル干渉計」という)16によって例えば0.25nm程度の分解能で常時検出される。なお、レチクルRの少なくとも3自由度方向の位置情報を計測するために、レチクル干渉計16の代わりに、あるいはそれと組み合わせて、例えば米国特許出願公開第2007/0288121号明細書などに開示されているエンコーダシステムを用いても良い。
 投影ユニットPUは、レチクルステージRSTの図1における下方(-Z側)に配置され、不図示のボディの一部を構成するメインフレーム(メトロロジーフレーム)に保持されている。投影ユニットPUは、鏡筒40と、該鏡筒40に保持された複数の光学素子から成る投影光学系PLとを有している。投影光学系PLとしては、例えば、Z軸方向と平行な光軸AXに沿って配列された複数の光学素子(レンズエレメント)からなる屈折光学系が用いられている。投影光学系PLは、例えば両側テレセントリックで、所定の投影倍率(例えば1/4倍、1/5倍又は1/8倍など)を有する。このため、照明系10からの照明光ILによって照明領域IARが照明されると、投影光学系PLの第1面(物体面)とパターン面がほぼ一致して配置されるレチクルRを通過した照明光ILにより、投影光学系PLを介してその照明領域IAR内のレチクルRの回路パターンの縮小像(回路パターンの一部の縮小像)が、投影光学系PLの第2面(像面)側に配置される、表面にレジスト(感応剤)が塗布されたウエハW上の、前記照明領域IARに共役な領域(露光領域)IAに形成される。そして、レチクルステージRSTとウエハステージWST1又はWST2との同期駆動によって、照明領域IAR(照明光IL)に対してレチクルRを走査方向(Y軸方向)に相対移動させるとともに、露光領域IA(照明光IL)に対してウエハWを走査方向(Y軸方向)に相対移動させることで、ウエハW上の1つのショット領域(区画領域)の走査露光が行われ、そのショット領域にレチクルRのパターンが転写される。すなわち、本実施形態では照明系10、及び投影光学系PLによってウエハW上にレチクルRのパターンが生成され、照明光ILによるウエハW上の感応層(レジスト層)の露光によってウエハW上にそのパターンが形成される。
 なお、メインフレームは、従来用いられている門型、及び例えば米国特許出願公開第2008/0068568号明細書などに開示される吊り下げ支持型のいずれであっても良い。
 鏡筒40の-Z側端部の周囲には、例えば鏡筒40の下端面とほぼ同一面となる高さで、スケール板21がXY平面に平行に配置されている。スケール板21は、本実施形態では図2に示されるように、例えばL字状の4つの部分(部品)21,21,21,21から構成され、その中央に形成される例えば矩形の開口21a内に鏡筒40の-Z側端部が挿入されている。ここで、スケール板21のX軸方向及びY軸方向の幅はそれぞれa及びb、開口21aのX軸方向及びY軸方向の幅はそれぞれai及びbiである。
 スケール板21から+X方向に離間した位置には、図1に示されるように、スケール板21とほぼ同一平面上にスケール板22が、配置されている。スケール板22も、図3に示されるように、例えばL字状の4つの部分(部品)22,22,22,22から構成され、その中央に形成される例えば矩形の開口22a内に後述するアライメント系ALGの-Z側端部が挿入されている。スケール板22のX軸方向及びY軸方向の幅はそれぞれa及びb、開口22aのX軸方向及びY軸方向の幅はそれぞれai及びbiである。なお、本実施形態ではX軸及びY軸方向に関してスケール板21、22の幅、及び開口21a、22aの幅をそれぞれ同一としたが、必ずしも同一の幅とする必要はなく、X軸及びY軸方向の少なくとも一方に関してその幅を異ならせても良い。
 本実施形態では、スケール板21,22は、投影ユニットPU及びアライメント系ALGを支持する不図示のメインフレーム(メトロロジーフレーム)に吊り下げ支持されている。スケール板21,22の下面(-Z側の面)には、X軸を基準とする-45度方向(Y軸を基準とする-135度方向)を周期方向とする所定ピッチ、例えば1μmの格子と、X軸を基準とする45度方向(Y軸を基準とする-45度方向)を周期方向とする所定ピッチ、例えば1μmの格子とから成る反射型の2次元グレーティングRG(図2、図3及び図5参照)が形成されている。ただし、2次元グレーティングRG及び後述するエンコーダヘッドの構成上、スケール板21,22を構成する部分21~21,22~22のそれぞれの外縁近傍には幅tの非有効領域が含まれる。スケール板21,22の2次元グレーティングRGは、それぞれ、少なくとも露光動作時及びアライメント(計測)時におけるウエハステージWST1,WST2の移動範囲をカバーしている。
 ウエハステージ装置50は、図1に示されるように、床面上に複数(例えば3つ又は4つ)の防振機構(図示省略)によってほぼ水平に支持されたステージベース12、ステージベース12上に配置されたウエハステージWST1,WST2、ウエハステージWST1,WST2を駆動するウエハステージ駆動系27(図1では一部のみ図示、図9参照)、及びウエハステージWST1,WST2の位置を計測する計測系等を備えている。計測系は、図9に示される、エンコーダシステム70,71及びウエハレーザ干渉計システム(以下、ウエハ干渉計システムと略称する)18等を備えている。なお、エンコーダシステム70,71及びウエハ干渉計システム18については、さらに後述する。ただし、本実施形態では、ウエハ干渉計システム18は必ずしも設けなくても良い。
 ステージベース12は、図1に示されるように、平板状の外形を有する部材からなり、その上面は平坦度が高く仕上げられ、ウエハステージWST1,WST2の移動の際のガイド面とされている。ステージベース12の内部には、XY二次元方向を行方向、列方向としてマトリックス状に配置された複数のコイル14aを含むコイルユニットが、収容されている。
 なお、ステージベース12とは別にこれを浮上支持するための別のベース部材を設けて、ステージベース12を、ウエハステージWST1,WST2の駆動力の反力の作用により、運動量保存則に従って移動するカウンターマス(反力キャンセラ)として機能させても良い。
 ウエハステージWST1は、図1に示されるように、ステージ本体91と、該ステージ本体91の上方に配置され、Z・チルト駆動機構32a(図1では不図示、図9参照)によって、ステージ本体91に対して非接触で支持されたウエハテーブルWTB1とを有している。同様に、ウエハステージWST2は、図1に示されるように、ステージ本体91と、該ステージ本体91の上方に配置され、Z・チルト駆動機構32b(図1では不図示、図9参照)によって、ステージ本体91に対して非接触で支持されたウエハテーブルWTB2とを有している。
 本実施形態では、ウエハステージWST2とウエハステージWST1とは、同様に構成されているので、以下では、ウエハステージWST1を代表的に取り上げて説明する。
 ウエハテーブルWTB1は、Z・チルト駆動機構32aによって、電磁力等の上向きの力(斥力)と、自重を含む下向きの力(引力)との釣り合いを3点で調整することで、非接触で支持されるとともに、少なくともZ軸方向、θx方向、及びθy方向の3自由度方向に微小駆動される。ステージ本体91の底部には、スライダ部91aが設けられている。スライダ部91aは、XY平面内でXY二次元配列された複数の磁石から成る磁石ユニットと、該磁石ユニットを収容する筐体と、該筐体の底面の周囲に設けられた複数のエアベアリングとを有している。磁石ユニットは、前述のコイルユニットとともに、例えば米国特許第5,196,745号明細書などに開示される電磁力(ローレンツ力)駆動による平面モータ30を構成している。なお、平面モータ30としては、ローレンツ力駆動方式に限らず、可変磁気抵抗駆動方式の平面モータを用いることもできる。
 ウエハステージWST1は、上記複数のエアベアリングによってステージベース12上に所定のクリアランス(隙間/間隔/間隙(ギャップ)/空間距離)、例えば数μm程度のクリアランスを介して浮上支持され、平面モータ30によって、X軸方向、Y軸方向及びθz方向に駆動される。従って、ウエハテーブルWTB1(ウエハW)は、ステージベース12に対して、6自由度方向(X軸方向、Y軸方向、Z軸方向、θx方向、θy方向及びθz方向(以下、X,Y,Z,θx、θy、θz)と略記する)に駆動可能である。
 コイルユニットを構成する各コイル14aに供給される電流の大きさ及び方向が、主制御装置20によって制御される。本実施形態では、図9に示されるように、ウエハステージWST1及びWST2をそれぞれ駆動する共通の固定子(コイルユニット)を有する一対の平面モータ30と、ウエハステージWST1及びWST2がそれぞれ備えるZ・チルト駆動機構32a、32bとを含んで、ウエハステージ駆動系27が構成されている。なお、平面モータ30はムービングマグネット方式に限らず、ムービングコイル方式でも良い。また、平面モータ30として、磁気浮上方式の平面モータを用いても良い。この場合、前述のエアベアリングを設けなくても良い。また、平面モータ30によってウエハステージWST1を6自由度方向に駆動することとしても良い。また、ウエハテーブルWTB1を、X軸方向、Y軸方向、θz方向のうちの少なくとも一方向に微動可能としても良い。すなわち、ウエハステージWST1を粗微動ステージにより構成しても良い。
 ウエハテーブルWTB1上には、不図示のウエハホルダを介してウエハWが載置され、不図示のチャック機構によって例えば真空吸着(又は静電吸着)され、固定されている。図示は省略されているが、ウエハテーブルWTB1上には、後述する一対のレチクルアライメント系13A,13B及びアライメント系ALGのそれぞれにより検出される一対の第1基準マーク、及び第2基準マーク等の複数の基準マークが形成された1つ又は複数の基準マーク部材が設けられている。
 エンコーダシステム70,71は、それぞれ、投影光学系PL直下の領域を含む露光時移動領域とアライメント系ALG直下の領域を含む計測時移動領域とにおけるウエハテーブルWTB1,WTB2の6自由度方向(X,Y,Z,θx,θy,θz)の位置情報を求める(計測する)。ここで、エンコーダシステム70,71の構成等について詳述する。なお、露光時移動領域(第1移動領域)は、投影光学系PLを介してウエハの露光が行われる露光ステーション(第1領域)内で、露光動作中にウエハステージが移動される領域であり、その露光動作は、例えばウエハ上でパターンを転写すべき全てのショット領域の露光だけでなく、その露光のための準備動作(例えば、前述の基準マークの検出)なども含む。計測時移動領域(第2移動領域)は、アライメント系ALGによるウエハのアライメントマークの検出によってその位置情報の計測が行われる計測ステーション(第2領域)内で、計測動作中にウエハステージが移動される領域であり、その計測動作は、例えばウエハの複数のアライメントマークの検出だけでなく、アライメント系ALGによる基準マークの検出(さらには、Z軸方向に関するウエハの位置情報(段差情報)の計測)なども含む。
 ウエハテーブルWTB1,WTB2には、それぞれ図2及び図3の平面図に示されるように、上面の中心(ウエハWの中心に一致)を原点として、第1象限、第2象限、第3象限及び第4象限の各コーナーの部分のそれぞれに、第1エンコーダヘッド群61、第2エンコーダヘッド群61、第3エンコーダヘッド群61、及び第4エンコーダヘッド群61が配置されている。なお、以下では、エンコーダヘッド群をヘッド群と略記する。第1ヘッド群61は、ウエハテーブルWTB1、WTB2上面の+X側かつ+Y側のコーナー部分に配置された3つのエンコーダヘッド(以下、適宜、ヘッドと略称する)60,601a,601b、を含む。3つのヘッド60,601a,601bは、本実施形態では、直角三角形の各頂点位置に配置されている。より具体的には、ヘッド60は、ウエハテーブルWTB1、WTB2上面の+X側かつ+Y側の角(頂点)の近傍に設けられている。ヘッド601aは、図4に拡大して示されるように、ヘッド60の設置位置から-X方向にΔxだけずれた点に配置されている。また、ヘッド601bは、ヘッド60の設置位置から-Y方向にΔyだけずれた点に配置されている。
 図2(又は図3)に戻り、第2ヘッド群61は、ウエハテーブルWTB1、WTB2上面の-X側かつ+Y側のコーナー部分に配置された3つのヘッド60,602a,602bを含む。3つのヘッド60,602a,602bは、本実施形態では、ウエハテーブルWTB1、WTB2上に、その上面の中心(上述の原点)を通るY軸に平行な直線(センターライン)に関して、3つのヘッド60,601a,601bと対称となる配置で設けられている。
 第3ヘッド群61は、ウエハテーブルWTB1、WTB2上面の-X側かつ-Y側のコーナー部分に配置された3つのヘッド60,603a,603bを含む。3つのヘッド60,603a,603bは、本実施形態では、ウエハテーブルWTB1、WTB2上に、その上面の中心に関して、3つのヘッド60,601a,601bと対称(点対称)となる配置で設けられている。
 第4ヘッド群61は、ウエハテーブルWTB1、WTB2上面の+X側かつ-Y側のコーナー部分に配置された3つのヘッド60,604a,604bを含む。3つのヘッド60,604a,604bは、本実施形態では、ウエハテーブルWTB1、WTB2上に、その上面の中心を通るX軸に平行な直線(センターライン)に関して、3つのヘッド60,601a,601bと対称となる配置で設けられている。
 図2に示されるように、ヘッド60,60間のX軸方向の離間距離とヘッド60,60間のX軸方向の離間距離は互いに等しくAである。また、ヘッド60,60間のY軸方向の離間距離とヘッド60,60間のY軸方向の離間距離は互いに等しくBである。これらの離間距離A,Bは、スケール板21の開口21aの幅ai,biよりも大きい。厳密には、前述の非有効領域の幅tを考慮して、A≧ai+2t,B≧bi+2tである。ヘッド60~60、601a~604a、及び601b~604bのそれぞれは、図5にヘッド60を代表的に採り上げて示されるように、ウエハテーブルWTB1,WTB2に形成されたZ軸方向の所定深さの穴の内部にそれぞれ収容されている。
 第1ヘッド群61に属するヘッド60、601a、601bは、図6及び図7に示されるように、X軸を基準として135度(-45度)の方向及びZ軸方向を計測方向とする2次元ヘッドである。同様に、第3ヘッド群61に属するヘッド60、603a、603bは、図6及び図8(A)に示されるように、X軸を基準として135度(-45度)の方向及びZ軸方向を計測方向とする2次元ヘッドである。
 第2ヘッド群61に属するヘッド60、602a、602bは、図6及び図8(B)に示されるように、X軸を基準として45度(-135度)の方向及びZ軸方向を計測方向とする2次元ヘッドである。同様に、第4ヘッド群61に属するヘッド60、604a、604bは、図6及び図8(C)に示されるように、X軸を基準として45度(-135度)の方向及びZ軸方向を計測方向とする2次元ヘッドである。
 第1ヘッド群61に属するヘッド(60、601a、601b)、第2ヘッド群61に属するヘッド(60、602a、602b)、第3ヘッド群61に属するヘッド(60、603a、603b)、及び第4ヘッド群61に属するヘッド(60、604a、604b)は、図2及び図5から明らかなように、それぞれ、対向するスケール板21の部分21、21、21、21、又はスケール板22の部分22、22、22、22の表面に形成された2次元グレーティングRGに計測ビーム(図5中の符号MB参照)を照射し、2次元グレーティングRGからの反射・回折ビームを受光することにより、それぞれの計測方向についてのウエハテーブルWTB1,WTB2(ウエハステージWST1,WST2)の位置情報を計測する。ここで、ヘッド60、601a、601b、60、602a、602b、60、603a、603b、60、604a及び604bのそれぞれとして、例えば米国特許第7,561,280号明細書に開示される変位計測センサヘッドと同様の構成のセンサヘッドを用いることができる。
 上述のようにして構成されたヘッド60、601a、601b、60、602a、602b、60、603a、603b、60、604a及び604bのそれぞれでは、計測ビームの空気中での光路長が極短いため、空気揺らぎの影響が殆ど無視できる。ただし、本実施形態では、光源及び光検出器は各ヘッドの外部、具体的には、ステージ本体91の内部(又は外部)に設けられ、光学系のみが各ヘッドの内部に設けられている。そして、光源及び光検出器と、光学系とは、不図示の光ファイバを介して光学的に接続されている。ウエハテーブルWTB1(又はWTB2)の位置決め精度を向上させるため、ステージ本体91とウエハテーブルWTB1(又はWTB2)との間で、レーザ光等を空中伝送しても良い。
 ウエハステージWST1,WST2が前述の露光時移動領域内に位置する際には、第1ヘッド群61に属するヘッド60、601a、601bは、スケール板21(の部分21)に計測ビーム(計測光)を照射し、スケール板21の表面(下面)に形成されたX軸を基準として135度の方向、すなわちX軸を基準として-45度の方向(以下、適宜、-45度方向又はα方向と称する)を周期方向とする格子からの回折ビームを受光して、ウエハテーブルWTB1,WTB2の-45度方向(α方向)及びZ軸方向の位置を計測する2次元エンコーダ70、701a、701b、及び71、711a、711b(図9参照)を構成する。
 ウエハステージWST1,WST2が前述の露光時移動領域内に位置する際には、第2ヘッド群61に属するヘッド60、602a、602bは、スケール板21(の部分21)に計測ビーム(計測光)を照射し、スケール板21の表面(下面)に形成されたX軸を基準として-135度の方向、すなわちX軸を基準として45度の方向(以下、適宜、45度方向又はβ方向と称する)を周期方向とする格子からの回折ビームを受光して、ウエハテーブルWTB1,WTB2の45度方向(β方向)及びZ軸方向の位置を計測する2次元エンコーダ70、702a、702b、及び71、712a、712b(図9参照)を構成する。
 ウエハステージWST1,WST2が前述の露光時移動領域内に位置する際には、第3ヘッド群61に属するヘッド60、603a、603bは、スケール板21(の部分21)に計測ビーム(計測光)を照射し、スケール板21の表面(下面)に形成された-45度方向(α方向)を周期方向とする格子からの回折ビームを受光して、ウエハテーブルWTB1,WTB2の-45度方向(α方向)及びZ軸方向の位置を計測する2次元エンコーダ70、703a、703b、及び71、713a、713b(図9参照)を構成する。
 ウエハステージWST1,WST2が前述の露光時移動領域内に位置する際には、第4ヘッド群61に属するヘッド60、604a、604bは、スケール板21(の部分21)に計測ビーム(計測光)を照射し、スケール板21の表面(下面)に形成された45度方向(β方向)を周期方向とする格子からの回折ビームを受光して、ウエハテーブルWTB1,WTB2の45度方向(β方向)及びZ軸方向の位置を計測する2次元エンコーダ70、704a、704b、及び71、714a、714b(図9参照)を構成する。
 また、ウエハステージWST1,WST2が前述の計測時移動領域内に位置する際には、第1ヘッド群61に属するヘッド60、601a、601bは、スケール板22(の部分22)に計測ビーム(計測光)を照射し、スケール板22の表面(下面)に形成された-45度方向(α方向)を周期方向とする格子からの回折ビームを受光して、ウエハテーブルWTB1,WTB2の-45度方向(α方向)及びZ軸方向の位置を計測する2次元エンコーダ70、701a、701b、及び71、711a、711b(図9参照)を構成する。
 ウエハステージWST1,WST2が前述の計測時移動領域内に位置する際には、第2ヘッド群61に属するヘッド60、602a、602bは、スケール板22(の部分22)に計測ビーム(計測光)を照射し、スケール板22の表面(下面)に形成された45度方向(β方向)を周期方向とする格子からの回折ビームを受光して、ウエハテーブルWTB1,WTB2の45度方向(β方向)及びZ軸方向の位置を計測する2次元エンコーダ70、702a、702b、及び71、712a、712b(図9参照)を構成する。
 ウエハステージWST1,WST2が前述の計測時移動領域内に位置する際には、第3ヘッド群61に属するヘッド60、603a、603bは、スケール板22(の部分22)に計測ビーム(計測光)を照射し、スケール板22の表面(下面)に形成された-45度方向(α方向)を周期方向とする格子からの回折ビームを受光して、ウエハテーブルWTB1,WTB2の-45度方向(α方向)及びZ軸方向の位置を計測する2次元エンコーダ70、703a、703b、及び71、713a、713b(図9参照)を構成する。
 ウエハステージWST1,WST2が前述の計測時移動領域内に位置する際には、第4ヘッド群61に属するヘッド60、604a、604bは、スケール板22(の部分22)に計測ビーム(計測光)を照射し、スケール板22の表面(下面)に形成された45度方向(β方向)を周期方向とする格子からの回折ビームを受光して、ウエハテーブルWTB1,WTB2の45度方向(β方向)及びZ軸方向の位置を計測する2次元エンコーダ70、704a、704b、及び71、714a、714b(図9参照)を構成する。
 上述の説明からわかるように、本実施形態では、スケール板21,22のどちらに計測ビーム(計測光)を照射するか、すなわち、ウエハステージWST1,WST2が前述の露光時移動領域、計測時移動領域のいずれの領域内にあるかにかかわらず、ウエハステージWST1上のヘッド60、601a、601b、60、602a、602b、60、603a、603b、60、604a及び604bは、計測ビーム(計測光)を照射しているスケール板とともに、それぞれ2次元エンコーダ70、701a、701b、70、702a、702b、70、703a、703b、70、704a、704bを構成し、ウエハステージWST2上のヘッド60、601a、601b、60、602a、602b、60、603a、603b、60、604a及び604bは、計測ビーム(計測光)を照射しているスケール板とともに、それぞれ2次元エンコーダ71、711a、711b、71、712a、712b、71、713a、713b、71、714a、714bを構成するものとしている。
 2次元エンコーダ(以下、適宜、エンコーダと略称する)70、701a、701b、70、702a、702b、70、703a、703b、70、704a、704b、71、711a、711b、71、712a、712b、71、713a、713b、71、714a、714bそれぞれの計測値は、主制御装置20(図9参照)に供給される。主制御装置20は、エンコーダ70~70又はエンコーダ71~71のうち、2次元グレーティングRGが形成されたスケール板21(を構成する部分21~21)の下面に対向する少なくとも3つのエンコーダ(すなわち、有効な計測値を出力している少なくとも3つのエンコーダ)の計測値に基づいて、投影光学系PL直下の領域を含む露光時移動領域内でのウエハテーブルWTB1,WTB2の6自由度方向(X、Y、Z、θx、θy、θz)の位置情報を求める。
 主制御装置20は、ウエハテーブルWTB1,WTB2の6自由度方向(X、Y、Z、θx、θy、θz)の位置情報に計測用いられた少なくとも3つのエンコーダのヘッドが属する少なくとも3群の全てのヘッドの計測値を用いて、例えば露光中を含み、露光時移動領域内をウエハテーブルWTB1,WTB2が移動中に、スケール板21の2次元グレーティングRGの変動に対応する露光時座標系のグリッド(グリッド誤差)のキャリブレーション(これについては、後述する)を実行する。
 同様に、主制御装置20は、エンコーダ70~70又はエンコーダ71~71のうち、2次元グレーティングRGが形成されたスケール板22(を構成する部分22~22)の下面に対向する少なくとも3つのエンコーダ(すなわち、有効な計測値を出力している少なくとも3つのエンコーダ)の計測値に基づいて、アライメント系ALG直下の領域を含む計測時移動領域内でのウエハテーブルWTB1,WTB2の6自由度方向(X、Y、Z、θx、θy、θz)の位置情報を求める。
 主制御装置20は、ウエハテーブルWTB1,WTB2の6自由度方向(X、Y、Z、θx、θy、θz)の位置情報に計測用いられた少なくとも3つのエンコーダのヘッドが属する少なくとも3群の全てのヘッドの計測値を用いて、例えばアライメント中を含み、計測時移動領域内をウエハテーブルWTB1,WTB2が移動中に、スケール板22の2次元格子RGの変動に対応する計測時座標系のグリッド(グリッド誤差)のキャリブレーション(これについては、後述する)を実行することとしても良い。
 また、本実施形態の露光装置100では、ウエハステージWST1,WST2(ウエハテーブルWTB1,WTB2)の位置は、ウエハ干渉計システム18(図9参照)によって、エンコーダシステム70,71とは独立して、計測可能である。ウエハ干渉計システム18の計測値は、例えばエンコーダシステム70,71の出力異常時のバックアップ用などとして補助的に用いられる。なお、ウエハ干渉計システム18の詳細は省略する。
 アライメント系ALGは、図1に示されるように、投影光学系PLの+X側に所定間隔を隔てて配置されたオフアクシス方式のアライメント系である。本実施形態では、アライメント系ALGとして、一例としてハロゲンランプ等のブロードバンド(広帯域)光でマークを照明し、このマーク画像を画像処理することによってマーク位置を計測する画像処理方式のアライメントセンサの一種であるFIA(Field Image Alignment)系が用いられている。アライメント系ALGからの撮像信号は、不図示のアライメント信号処理系を介して主制御装置20(図9参照)に供給される。
 なお、アライメント系ALGとしては、FIA系に限らず、例えばコヒーレントな検出光をマークに照射し、そのマークから発生する散乱光又は回折光を検出する、あるいはマークから発生する2つの回折光(例えば同次数の回折光、あるいは同方向に回折する回折光)を干渉させて検出するアライメントセンサを単独であるいは適宜組み合わせて用いることは勿論可能である。アライメント系ALGとして、例えば米国特許出願公開第2008/0088843号明細書などに開示される、複数の検出領域を有するアライメント系を採用しても良い。
 この他、本実施形態の露光装置100には、アライメント系ALGと一緒に計測ステーションに配置され、例えば米国特許第5,448,332号明細書等に開示されるものと同様の構成の斜入射方式の多点焦点位置検出系(以下、多点AF系と略述する)AF(図1では不図示、図9参照)が設けられている。多点AF系AFによる計測動作はその少なくとも一部がアライメント系ALGによるマーク検出動作と並行して行われるとともに、前述のエンコーダシステムによってその計測動作中にウエハテーブルの位置情報が計測される。多点AF系AFの検出信号は、AF信号処理系(不図示)を介して主制御装置20に供給される(図9参照)。主制御装置20は、多点AF系AFの検出信号と前述のエンコーダシステムの計測情報に基づいて、ウエハW表面のZ軸方向の位置情報(段差情報/凹凸情報)を検出し、露光動作ではその事前検出情報と前述のエンコーダシステムの計測情報(Z軸、θx及びθy方向の位置情報)とに基づいて走査露光中のウエハWのいわゆるフォーカス・レベリング制御を実行する。なお、露光ステーション内で投影ユニットPUの近傍に多点AF系を設け、露光動作時にウエハ表面の位置情報(凹凸情報)を計測しつつウエハテーブルを駆動して、ウエハWのフォーカス・レベリング制御を実行することとしても良い。
 露光装置100では、さらに、レチクルRの上方に、例えば米国特許第5,646,413号明細書などに開示される露光波長の光を用いたTTR(Through The Reticle)方式の一対のレチクルアライメント系13A,13B(図1では不図示、図9参照)が設けられている。レチクルアライメント系13A,13Bの検出信号は、不図示のアライメント信号処理系を介して主制御装置20に供給される。なお、レチクルアライメント系に代えて、ウエハステージWST上に設けられた不図示の空間像計測器を用いてレチクルアライメントを行っても良い。
 図9には、露光装置100のステージ制御に関連する制御系が一部省略して、ブロック図にて示されている。この制御系は、主制御装置20を中心として構成されている。主制御装置20は、CPU(中央演算処理装置)、ROM(リード・オンリ・メモリ)、RAM(ランダム・アクセス・メモリ)等からなるいわゆるマイクロコンピュータ(又はワークステーション)を含み、装置全体を統括して制御する。
 上述のようにして構成された露光装置100では、デバイスの製造に際し、主制御装置20により、ウエハがローディングされたウエハステージWST1,WST2の一方を計測ステーション(計測時移動領域)内で移動して、アライメント系ALG及び多点AF系によるウエハの計測動作が実行される。すなわち、計測時移動領域内でウエハステージWST1,WST2の一方に保持されたウエハWに対して、アライメント系ALGを用いたマーク検出、いわゆるウエハアライメント(例えば米国特許第4,780,617号明細書などに開示されるエンハンスト・グローバル・アライメント(EGA)など)と、多点AF系を用いたウエハの面情報(段差/凹凸情報)の計測とが行われる。その際、エンコーダシステム70(エンコーダ70~70)又はエンコーダシステム71(エンコーダ71~71)により、ウエハテーブルWTB1,WTB2の6自由度方向(X,Y,Z,θx,θy,θz)の位置情報が求められる(計測される)。なお、ウエハアライメントの開始前又は終了後に、主制御装置20により、アライメント系ALGを用いて、ウエハステージWST1,WST2の一方に設けられた基準マーク部材上の第2基準マークの位置が計測されている。そして、ウエハアライメントの結果として算出されたウエハW上の複数のショット領域の配列座標は、第2基準マークを基準とする配列座標に置き換えられている。
 ウエハアライメントなどの計測動作後、一方のウエハステージ(WST1又はWST2)は露光時移動領域に移動し、主制御装置20により、レチクルアライメント系13A,13B、ウエハテーブル(WTB1又はWTB2)上の基準マーク部材(不図示)などを用いて、通常のスキャニング・ステッパと同様の手順で、レチクルパターンの投影中心と一対の第1基準マークの中心との位置関係を求めるレチクルアライメント等が行われる。
 そして、主制御装置20により、そのレチクルアライメントの結果とウエハアライメントの結果として得られた第2基準マークを基準とする複数のショット領域の配列座標とに基づいて、ステップ・アンド・スキャン方式の露光動作が行われ、ウエハW上の複数のショット領域にレチクルRのパターンがそれぞれ転写される。ステップ・アンド・スキャン方式の露光動作は、レチクルステージRSTとウエハステージWST1又はWST2との同期移動を行う走査露光動作と、ウエハステージWST1又はWST2をショット領域の露光のための加速開始位置に移動させるショット間移動(ステッピング)動作とを交互に繰り返すことで行われる。露光動作時には、エンコーダシステム70(エンコーダ70~70)又はエンコーダシステム71(エンコーダ71~71)により、一方のウエハテーブル(WTB1又はWTB2)の6自由度方向(X,Y,Z,θx,θy,θz)の位置情報が求められる(計測される)。
 また、本実施形態の露光装置100は、2つのウエハステージWST1,WST2を備えている。そこで、一方のウエハステージ、例えばウエハステージWST1上にロードされたウエハに対してステップ・アンド・スキャン方式の露光を行うのと並行して、他方のウエハステージWST2上に載置されたウエハに対してウエハアライメントなどを行う、並行処理動作が行われる。
 本実施形態の露光装置100では、前述の通り、主制御装置20は、露光時移動領域内及び計測時移動領域内のいずれにおいても、エンコーダシステム70(図9参照)を用いて、ウエハテーブルWTB1の6自由度方向(X,Y,Z,θx,θy,θz)の位置情報を求める(計測する)。また、主制御装置20は、露光時移動領域内及び計測時移動領域内のいずれにおいても、エンコーダシステム71(図9参照)を用いて、ウエハテーブルWTB2の6自由度方向(X,Y,Z,θx,θy,θz)の位置情報を求める(計測する)。
 ここで、エンコーダシステム70,71によるXY平面内の3自由度方向(X軸方向,Y軸方向及びθz方向(X,Y,θz)とも略記する))の位置計測の原理などについてさらに説明する。ここでは、エンコーダヘッド60~60又はエンコーダ70~70の計測値は、エンコーダヘッド60~60又はエンコーダ70~70のZ軸方向でない計測方向の計測値を意味する。
 本実施形態では、前述のようなエンコーダヘッド60~60及びスケール板21の構成及び配置を採用したことにより、露光時移動領域内ではエンコーダヘッド60~60のうちの少なくとも3つが、常時、スケール板21(の対応する部分21~21)に対向する。
 図10には、ウエハステージWST1上のエンコーダヘッド60~60及びスケール板21の各部分21~21の配置とエンコーダシステム70の計測領域A~Aとの関係が示されている。図10では、ウエハテーブルWTB1の6自由度方向の位置情報の計測に用いられるヘッド60、60、60、及び60のみが図示されている。なお、ウエハステージWST2はウエハステージWST1と同様に構成されているので、ここではウエハステージWST1についてのみ説明する。
 ウエハテーブルWTB1の中心(ウエハの中心に一致)が、露光時移動領域内で、かつ露光中心(露光領域IAの中心)Pに対して+X側かつ+Y側の領域(露光中心Pを原点とする第1象限内の領域(ただし、領域Aを除く))である第1領域A内に位置する場合、ウエハステージWST1上のヘッド60,60,60がそれぞれスケール板21の部分21,21,21に対向する。第1領域A内では、ヘッド60,60,60(エンコーダ70,70,70)から有効な計測値が主制御装置20に送られる。なお、以下の説明中のウエハステージWST1、WST2の位置は、そのウエハステージの中心(ウエハテーブルの中心及びウエハの中心にそれぞれ一致)の位置を意味する。すなわち、ウエハステージWST1、WST2の中心の位置と記述する代わりに、ウエハステージWST1、WST2の位置と記述する。
 同様に、ウエハステージWST1が、露光時移動領域内で、かつ露光中心Pに対して-X側かつ+Y側の領域(露光中心Pを原点とする第2象限内の領域(ただし、領域Aを除く))である第2領域A内に位置する場合、ヘッド60,60,60がそれぞれスケール板21の部分21,21,21に対向する。ウエハステージWST1が、露光時移動領域内で、かつ露光中心Pに対して-X側かつ-Y側の領域(露光中心Pを原点とする第3象限内の領域(ただし、領域Aを除く))である第3領域A内に位置する場合、ヘッド60,60,60がそれぞれスケール板21の部分21,21,21に対向する。ウエハステージWST1が、露光時移動領域内で、かつ露光中心Pに対して+X側かつ-Y側の領域(露光中心Pを原点とする第4象限内の領域(ただし、領域Aを除く))である第4領域A内に位置する場合、ヘッド60,60,60がそれぞれスケール板21の部分21,21,21に対向する。
 本実施形態では、図10に示されるように、ウエハステージWST1が、露光中心Pを中心とする十字状の領域A(露光中心Pを通るY軸方向を長手方向とする幅A-ai-2tの領域とX軸方向を長手方向とする幅B-bi-2tの領域とを含む領域(以下、第0領域と呼ぶ))内に位置する場合、ウエハステージWST1上の4つのヘッド60~60がスケール板21(対応する部分21~21)に対向する。従って、第0領域A内では、ヘッド60~60(エンコーダ70~70)から有効な計測値が主制御装置20に送られる。なお、本実施形態では上記条件(A≧ai+2t,B≧bi+2t)に加えて、パターンが形成されるウエハ上のショット領域のサイズ(W,L)を考慮して、条件A≧ai+W+2t,B≧bi+L+2tを加えても良い。ここで、W、Lは、それぞれ、ショット領域のX軸方向の幅、Y軸方向の長さである。W、Lは、それぞれ、走査露光区間の距離、X軸方向へのステッピングの距離に等しい。
 主制御装置20は、ヘッド60~60(エンコーダ70~70)の計測値に基づいて、ウエハステージWST1のXY平面内での位置(X,Y,θz)を算出する。ここで、エンコーダ70~70の計測値(それぞれC~Cと表記する)は、ウエハステージWST1の位置(X,Y,θz)に対して、次式(1)~(4)のように依存する。
  C=-(cosθz+sinθz)X/√2
     +(cosθz-sinθz)Y/√2+√2psinθz…(1)
  C=-(cosθz-sinθz)X/√2
     -(cosθz+sinθz)Y/√2+√2psinθz…(2)
  C= (cosθz+sinθz)X/√2
     -(cosθz-sinθz)Y/√2+√2psinθz…(3)
  C= (cosθz-sinθz)X/√2
     +(cosθz+sinθz)Y/√2+√2psinθz…(4)
 ただし、pは、図6に示されるように、ウエハテーブルWTB1(WTB2)の中心からのヘッド60~60それぞれのX軸及びY軸方向に関する距離である。
 主制御装置20は、ウエハステージWST1の位置する領域A~Aに応じてスケール板21に対向する3つのヘッド(エンコーダ)を特定し、それらの計測値が従う式を上式(1)~(4)から選択して連立方程式を組み、3つのヘッド(エンコーダ)の計測値を用いて連立方程式を解くことにより、ウエハステージWST1のXY平面内での位置(X,Y,θz)を算出する。例えば、ウエハステージWST1が第1領域A内に位置する場合、主制御装置20は、ヘッド60,60,60(エンコーダ70,70,70)の計測値が従う式(1),(2),及び(4)から連立方程式を組み、式(1),(2),及び(4)それぞれの左辺に各ヘッドの計測値を代入して連立方程式を解く。
 なお、ウエハステージWST1が第0領域A内に位置する場合、主制御装置20は、ヘッド60~60(エンコーダ70~70)から任意の3つを選択すれば良い。例えば、ウエハステージWST1が第1領域から第0領域に移動した後では、第1領域に対応するヘッド60,60,60(エンコーダ70,70,70)を選択すると良い。
 主制御装置20は、上の算出結果(X,Y,θz)に基づいて、露光時移動領域内でウエハステージWST1を駆動(位置制御)する。
 ウエハステージWST1が、計測時移動領域内に位置する場合、主制御装置20は、エンコーダシステム70(エンコーダ70~70)を用いて3自由度方向(X,Y,θz)の位置情報を計測する。ここで、計測原理等は、露光中心Pがアライメント系ALGの検出中心に、スケール板21(の部分21~21)がスケール板22(の部分22~22)に置き換わる以外、ウエハステージWST1が先の露光時移動領域内に位置する場合と同様である。
 さらに、主制御装置20は、ウエハステージWST1,WST2の位置に応じて、スケール板21,22に対向するヘッド60~60のうちの3つを、少なくとも1つが異なる3つに切り換えて使用する。ここで、エンコーダヘッドを切り換える際には、例えば米国特許出願公開第2008/0094592号明細書などに開示されているように、ウエハステージの位置の計測値の連続性を保証するためのつなぎ処理が行われる。また、本実施形態では、例えば米国特許出願公開第2011/0053061号明細書に開示されている方法と同様の方法で、ステップ・アンド・スキャン方式の露光動作時におけるヘッド60~60の切り換えとつなぎ処理が行われる。
 次に、エンコーダシステム70,71による3自由度方向(Z,θx,θy)の位置計測の原理などについてさらに説明する。ここでは、エンコーダヘッド60~60又はエンコーダ70~70の計測値は、エンコーダヘッド60~60又はエンコーダ70~70のZ軸方向の計測値を意味する。
 本実施形態では、前述のようなエンコーダヘッド60~60及びスケール板21の構成及び配置を採用したことにより、露光時移動領域内では、ウエハステージWST1(WST2)の位置する領域A~Aに応じて、エンコーダヘッド60~60のうちの少なくとも3つがスケール板21(の対応する部分21~21)に対向する。スケール板21に対向するヘッド(エンコーダ)から有効な計測値が主制御装置20に送られる。
 主制御装置20は、エンコーダ70~70の計測値に基づいて、ウエハステージWST1(WST2)の位置(Z,θx,θy)を算出する。ここで、エンコーダ70~70のZ軸方向に関する計測値(前述のZ軸方向ではない計測方向、すなわちXY平面内の一軸方向についての計測値C~Cと区別して、それぞれ、D~Dと表記する)は、ウエハステージWST1(WST2)の位置(Z,θx,θy)に対して、次式(5)~(8)のように依存する。
  D=-ptanθy+ptanθx+Z …(5)
  D= ptanθy+ptanθx+Z …(6)
  D= ptanθy-ptanθx+Z …(7)
  D=-ptanθy-ptanθx+Z …(8)
 ただし、pは、ウエハテーブルWTB1(WTB2)の中心からのヘッド60~60のX軸及びY軸方向に関する距離(図6参照)である。
 主制御装置20は、ウエハステージWST1(WST2)の位置する領域A~Aに応じて3つのヘッド(エンコーダ)の計測値の従う式を上式(5)~(8)から選択し、選択した3つの式から構成される連立方程式に3つのヘッド(エンコーダ)の計測値を代入して解くことにより、ウエハステージWST1(WST2)の位置(Z,θx,θy)を算出する。例えば、ウエハステージWST1(又はWST2)が第1領域A内に位置する場合、主制御装置20は、ヘッド60,60,60(エンコーダ70,70,70)(又はヘッド60,60,60(エンコーダ71,71,71)の計測値が従う式(5),(6),及び(8)から連立方程式を組み、式(5),(6),及び(8)それぞれの左辺に計測値を代入して解く。
 なお、ウエハステージWST1(又はWST2)が第0領域A内に位置する場合、ヘッド60~60(エンコーダ70~70)(又はヘッド60,~60(エンコーダ71~71))から任意の3つを選択し、選択した3つのヘッドの計測値が従う式から組まれる連立方程式を用いれば良い。
 主制御装置20は、上の算出結果(Z,θx,θy)と前述の段差情報(フォーカスマッピングデータ)とに基づいて、露光時移動領域内でウエハステージWST1(又はWST2)をフォーカス・レベリング制御する。
 ウエハステージWST1(又はWST2)が、計測時移動領域内に位置する場合、主制御装置20は、エンコーダシステム70又は71を用いて3自由度方向(Z,θx,θy)の位置情報を計測する。ここで、計測原理等は、露光中心がアライメント系ALGの検出中心に、スケール板21(の部分21~21)がスケール板22(の部分22~22)に置き換わる以外、ウエハステージWST1が先の露光時移動領域内に位置する場合と同様である。主制御装置20は、エンコーダシステム70又は71の計測値に基づいて、ウエハステージWST1又はWST2をフォーカス・レベリング制御する。なお、計測時移動領域(計測ステーション)では必ずしもフォーカス・レベリングを行わなくても良い。すなわち、マーク位置及び段差情報(フォーカスマッピングデータ)の取得を行っておき、その段差情報から段差情報取得時(計測時)のウエハステージのZ・チルト分を差し引くことで、ウエハステージの基準面、例えば上面を基準とする段差情報得て置く。そして、露光時には、この段差情報とウエハステージ(の基準面)の3自由度方向(Z,θx,θy)の位置情報とに基づいて、フォーカス・レベリングが可能になるからである。
 さらに、主制御装置20は、ウエハステージWST1,WST2の位置に応じて、スケール板21,22に対向するヘッド60~60のうちの3つを、少なくとも1つが異なる3つに切り換えて使用する。ここで、エンコーダヘッドを切り換える際には、ウエハステージWST1(又はWST2)の位置の計測値の連続性を保証するため、前述と同様のつなぎ処理が行われる。
 次に、本実施形態に係る露光装置100で、上述した一連のシーケンスの実行中に実行される、露光時座標系のグリッド変動量の補正(較正)について、説明する。ここでは、ウエハステージWST1が、露光時移動領域を移動する場合について説明する。
 このグリッド変動量の補正(較正)は、主制御装置20により、前述したようにしてウエハテーブルWTB1の6自由度方向の位置制御が、エンコーダ70~70の中から選択された3つのエンコーダの計測値に基づいて行われるのと並行して、実行される。
 主制御装置20は、例えば露光中などに、例えば第1ヘッド群61に属するヘッド60、601a、601bが、スケール板21の対応する部分21に対向した状態で、ウエハステージWST1がX軸方向に関してΔx移動する度に、例えばヘッド60、601a、(エンコーダ70、701a)のα方向の計測値を取り込み、次式(9)で表される差分データ、すなわちα方向のグリッド(αグリッド)のX位置に応じたずれΔα/δxを、順次積算する。これにより、離散的なαグリッド変動量のX軸方向に関する分布を求めることができる。
 Δα/δx=ζ(x-Δx,y)-ζ(x,y)……(9)
 また、主制御装置20は、例えば露光中などに、例えば第1ヘッド群61に属するヘッド60、601a、601bが、スケール板21の対応する部分21に対向した状態で、ウエハテーブルWTB1がY軸方向に関してΔy移動する度に、例えばヘッド60、601b、(エンコーダ70、701b)のα方向の計測値を取り込み、次式(10)で表される差分データ、すなわちαグリッドのY位置に応じたずれΔα/δyを、順次積算する。これにより、離散的なαグリッドの変動量のY軸方向に関する分布を求めることができる。
 Δα/δy=ζ(x,y-Δy)-ζ(x,y)……(10)
 主制御装置20は、上述した離散的なαグリッド変動量のX軸方向に関する分布、及び離散的なαグリッドの変動量のY軸方向に関する分布から、関数ζ(x,y)で表される、2次元グレーティングRGの第1象限部分(スケール板21の第1部分21)に発生したドリフト(αグリッドの変動)を補正するためのα補正マップを得ることができる。
 主制御装置20は、例えば露光中などに、例えば第3ヘッド群61に属するヘッド60、603a、603bが、スケール板21の対応する部分21に対向した状態で、ウエハステージWST1がX軸方向に関してΔx移動する度に、例えばヘッド60、603a(エンコーダ70、703a)のα方向の計測値を、取り込み、式(9)と同様の差分データを、順次積算するとともに、ウエハステージWST1がY軸方向に関してΔy移動する度に、例えばヘッド60、603b(70、703b)のα方向の計測値を、取り込み、式(10)と同様の差分データを、順次積算する。そして、主制御装置20は、上述した差分データの積算から得られた離散的なαグリッド変動量のX軸方向に関する分布、及び離散的なαグリッドの変動量のY軸方向に関する分布から、関数(ζ(x,y)とする)で表される、2次元グレーティングRGの第3象限部分(スケール板21の第3部分21)に発生したドリフト(αグリッドの変動)を補正するためのα補正マップを得る。
 主制御装置20は、例えば露光中などに、例えば第2ヘッド群61に属するヘッド60、602a、602bが、スケール板21の対応する部分21に対向している状態で、ウエハステージWST1がX軸方向に関してΔx移動する度に、例えばヘッド60、602a(エンコーダ70、702a)のβ方向の計測値を、取り込み、次式(11)で表される差分データを、順次積算するとともに、ウエハステージWST1がY軸方向に関してΔy移動する度に、例えばヘッド60、602b(70、702b)のβ方向の計測値を、取り込み、次式(12)で表される差分データを、順次積算する。そして、主制御装置20は、上述の差分データの積算から得られた離散的なβグリッド変動量のX軸方向に関する分布、及び離散的なβグリッドの変動量のY軸方向に関する分布から、関数ζ(x,y)で表される、2次元グレーティングRGの第2象限部分(スケール板21の第2部分21)に発生したドリフト(βグリッドの変動)を補正するためのβ補正マップを得る。
 Δβ/δx=ζ(x-Δx,y)-ζ(x,y)……(11)
 Δβ/δy=ζ(x,y-Δy)-ζ(x,y)……(12)
 主制御装置20は、例えば露光中などに、例えば第4ヘッド群61に属するヘッド60、604a、604bが、スケール板21の対応する部分21に対向している状態で、ウエハステージWST1がX軸方向に関してΔx移動する度に、例えばヘッド60、604a(エンコーダ70、704a)のβ方向計測値を、取り込み、式(11)と同様の差分データを、順次積算するとともに、ウエハステージWST1がY軸方向に関してΔy移動する度に、例えばヘッド60、604b(70、704b)のβ方向の計測値を、取り込み、式(12)と同様の差分データを、順次積算する。そして、主制御装置20は、上述の差分データの積算から得られた離散的なβグリッド変動量のX軸方向に関する分布、及び離散的なβグリッドの変動量のY軸方向に関する分布から、関数(ζ(x,y)とする)で表される、2次元グレーティングRGの第4象限部分(スケール板21の第4部分21)に発生したドリフト(βグリッドの変動)を補正するためのβ補正マップを得る。
 主制御装置20は、例えば露光中などに、上述したα補正マップ及びβ補正マップと同様にして、Z補正マップも作成する。
 すなわち、主制御装置20は、例えば露光中などに、例えば第1ヘッド群61に属するヘッド60、601a、601bが、スケール板21の対応する部分21に対向している状態で、ウエハステージWST1がX軸方向に関してΔx移動する度に、例えばヘッド60、601a(エンコーダ70、701a)のZ軸方向の計測値を、取り込み、次式(13)で表される差分データを、順次積算するとともに、ウエハステージWST1がY軸方向に関してΔy移動する度に、例えばヘッド60、601b(70、701b)のZ軸方向の計測値を、取り込み、次式(14)で表される差分データを、順次積算する。そして、主制御装置20は、上述の差分データの積算から得られた離散的なZグリッド変動量のX軸方向に関する分布、及び離散的なZグリッドの変動量のY軸方向に関する分布から、関数η(x,y)で表される、2次元グレーティングRGの第1象限部分(スケール板21の第1部分21)に発生したZグリッドの変動(ドリフト)を補正するためのZ補正マップを得る。
 ΔZ/δx=η(x-Δx,y)-η(x,y)……(13)
 ΔZ/δy=η(x,y-Δy)-η(x,y)……(14)
 主制御装置20は、例えば露光中などに、第2、第3及び第4ヘッド群に属するヘッドについても、スケール板21に対向している状態で、ウエハステージWST1がΔx移動する度、Δy移動する度に上記と同様の差分データの取り込み及び積算を行い、ドリフト形状(Zグリッドの変動)を表す関数(それぞれη(x,y)、η(x,y)、η(x,y)とする)を復元するとともに、Z補正マップを得る。
 主制御装置20は、上記のウエハテーブルWTBの6自由度方向の位置計測と並行して、上記の差分計測を繰り返し行なって、エンコーダシステム70の座標系のグリッド誤差の更新を行う。以下では、このグリッド誤差の更新を、エンコーダシステム70の座標系のリフレッシュとも称する。
 前述の如く、主制御装置20は、例えば露光時には、ウエハステージWST1の位置に応じて、スケール板21に対向するヘッド60~60のうちの3つを、少なくとも1つが異なる3つに切り換えて使用する。すなわち、主制御装置20は、ヘッド60~60のうちの3つ(エンコーダ70~70のうちの3つ)により求められたウエハテーブルWTB1の位置情報に基づいてウエハテーブルWTB1を駆動するとともにウエハテーブルWTB1の位置に応じてウエハテーブルWTB1の位置情報の算出に用いられる3つのヘッドの少なくとも1つを、ウエハテーブルWTB1の位置情報の算出に用いられていない別のヘッド群に属するヘッドに切り換える。主制御装置20は、この切り換えに伴って、スケール板21の2次元グレーティングRGの上述したグリッド誤差の較正のための、前記差分のデータの取り込みの対象を、別のヘッド群に切り換える。本実施形態では、ウエハテーブルWTBの位置計測に用いられるヘッドの切り換えと同時に、前述した差分計測に用いられる冗長ヘッドの切り換えが行われる。
 主制御装置20は、ウエハステージWST2が、露光時を含み、露光時移動領域を移動中には、エンコーダシステム71の座標系のリフレッシュを、上記と同様にして行う。
 ところで、露光中は、ショットマップに従ってウエハステージWST1、WST2の移動が行われ、限られたエリアしかウエハステージWST1、WST2が通過しないので、取得できる差分データが少ない。そこで、主制御装置20は、上述したエンコーダシステム70、71の座標系のリフレッシュに際し、前述のように差分データの積算によりグリッド変動の低次成分である一次成分、例えばスケーリング(α、βグリッド)、及び曲がり(Zグリッド)のみを、リアルタイムで補正するようにしている。
 そして、差分データの積算値を監視し、低次成分(一次成分)の変動量(補正量)が予め定めた第1の量より大きくなった場合に、より詳細な補正を行うこととしている。ここで、より詳細な補正とは、例えば、ウエハステージWST1、WST2を、それらの有効ストロークのほぼ全域で移動させて、前述の差分データの取得を行うことで、より多くの差分データを取得し、その多くの差分データに基づき、スケール板21の2次元グレーティングRGのより広い範囲に渡って行われる、前述と同様のグリッド変動量(誤差)の補正、又は、次に説明するのと同様の手法で行われる、少なくとも2次成分まで対象としたα、β及びZグリッドの変動量の補正を意味する。
 低次成分(1次成分)の変動量(補正量)が第1の量より大きい予め定めた第2の量より大きい場合には、主制御装置20は、より高次の成分まで対象とした補正を行う必要がある旨を、例えば表示等によりオペレータに通知する。この通知に応答して、オペレータからより高次の補正が指示された場合、主制御装置20は、設計値通りの配置で複数の基準マークが形成された基準ウエハ(その表面にレジストが塗布されている)をウエハテーブルWTB1又はWTB2上に搭載し、複数のマークが所定の位置関係で配置された計測用レチクルをレチクルステージRST上に搭載する。そして、例えばステップ・アンド・リピート方式(又はステップ・アンド・スキャン方式)で露光を行う。露光終了後、主制御装置20は、その露光後の基準ウエハを、例えば露光装置100にインラインにて接続されているコータ・デベロッパに搬送するとともに、現像を指示する。そして、コータ・デベロッパにより、基準ウエハの現像が終了した旨の通知を受け取ると、主制御装置20は、現像後の基準ウエハを再びウエハテーブルWTB1又はWTB2上に搭載し、その基準ウエハ上に形成されたレジスト像から成るマークの対応する基準マークに対する位置を、例えばアライメント系ALGで順次検出する。そして、その検出結果に基づいて、より高次の成分まで対象としたα、β及びZグリッドの変動量の補正を行う。
 この他、例えばオペレータは、前述した低次成分(1次成分)の変動量(補正量)に閾値(例えば、第2の量より大きい予め定めた第3の量)を設定しておき、主制御装置20が、低次成分の変動量が閾値を超えるか否かを監視し、変動量(補正量)が閾値を超えた場合に、グリッドのメンテナンスが必要である旨を、オペレータに通知するように設定しておいても良い。すなわち、前述した低次成分の変動量(補正量)をグリッドのメンテナンス要否を判断するためのモニター指標として活用しても良い。
 以上詳細に説明したように、本実施形態に係る露光装置100によると、例えば、露光中など露光時移動領域にウエハステージWST1(又はWST2)があるとき、主制御装置20により、エンコーダシステム70のエンコーダ70~70のうちの3つ(又はエンコーダシステム71のエンコーダ71~71のうちの3つ)にて求められた6自由度方向の位置情報に基づいてウエハテーブルWTB1又はWTB2(ウエハステージWST1又はWST2)が駆動される。そして、このウエハテーブルWTB1又はWTB2(ウエハステージWST1又はWST2)の駆動と並行して、主制御装置20により、第1ヘッド群61、第2ヘッド群61、第3ヘッド群61及び第4ヘッド群61のうち、スケール板21に対向しているヘッド群では、それぞれに属する1つの基準となる1つのヘッド60と2つのヘッド60ia及び60ib(i=1~4)それぞれとの計測方向(α方向及びZ方向、又はβ方向及びZ方向)に関する計測値の差分のデータが、取り込まれ、その取り込まれた差分のデータに基づいて、スケール板21の下面に形成された2次元グレーティングRGの4つの部分21~21にそれぞれ対応する部分について、計測方向(α方向及びZ方向、又はβ方向及びZ方向)に関するグリッドの変動量を監視することが可能になる。また、主制御装置20により、そのグリッド誤差(特に低次の成分)の較正(補正)、すなわちエンコーダシステム70、71の座標系のリフレッシュがリアルタイムで行われる。従って、露光装置100によると、スケール板21の下面に形成された2次元グレーティングRGを計測面とするエンコーダシステム70又は71により、ウエハステージWST1又はWST2の露光時移動領域内での6自由度方向の位置を、長期に渡って精度良く計測するとともに制御することができ、ひいてはレチクルRのパターンをウエハW上の複数のショット領域に精度良く転写することが可能になる。
 本実施形態に係る露光装置100では、主制御装置20により、エンコーダシステム70、71の座標系のリフレッシュが露光の際などにリアルタイムで実行される。このため、仮に450ミリウエハに対応するため、ウエハステージWST1、WST2とともにスケール板21(2次元グレーティングRG)がさらに大型化した場合であってもウエハテーブルWTB1又はWTB2の露光時移動領域内での6自由度方向の位置を、長期に渡って精度良く計測することが可能になる。
 また、露光装置100では、主制御装置20が、ウエハアライメント計測(アライメント系ALGによるマーク検出)及びこれと並行して行われるウエハW表面のZ軸方向の位置情報(段差情報/凹凸情報)の検出時など計測時移動領域内でウエハステージWST1又はWST2が移動中にも、エンコーダシステム70、71の座標系のリフレッシュをリアルタイムで実行することができる。かかる場合には、EGA等のウエハアライメントの精度及び走査露光中のウエハWのフォーカス・レベリング制御精度を、長期に渡って高精度で維持することが可能になる。
 さらに、本実施形態に係る露光装置100では、ヘッド60~60の配置間隔A,Bは、それぞれ、スケール板21,22の開口の幅ai,biとショット領域のサイズW,Lとの和よりも大きく定められている。これにより、ウエハを露光するためにウエハを保持するウエハステージWST1,WST2を走査(等速)駆動する間に、ヘッド60~60を切り換えることなしにウエハステージWST1,WST2の位置情報を計測することができる。従って、精度良くパターンをウエハ上に形成することができ、特に第2層目(セカンドレイヤ)以後の露光に際しては重ね合わせ精度を高精度に維持することが可能となる。
 なお、上記実施形態中の説明では、ウエハテーブル上面の4隅に設けられたウエハテーブルの位置計測用の4つのヘッド60、60、60、60が、上述の配置条件を満足するとしたが、各ヘッド群61(i=1~4)に属するヘッド60ia、60ib及び60の配置(図2参照)から明らかなように、ヘッド601a、602a、603a、604a、及びヘッド601b、602b、603b、604bも上述と同様の配置条件を満足している。
 なお、上記実施形態では、スケール板21、22が、それぞれ4つの部分から構成され、これに対応してウエハステージWST1、WST2上に4つのヘッド群61~61が設けられる場合について説明したが、これに限らず、スケール板21、22は、単一の部材によって構成されていても良い。この場合、2次元グレーティングRGは、大面積の単一の2次元グレーティングであっても良い。かかる場合において、ウエハステージWST1、WST2の移動ストロークが十分大きい場合には、ヘッド60とともに、ウエハステージWST1、WST2の所定自由度、例えば6自由度の位置計測が可能となる2つのヘッド(例えばヘッド60~60のうちの2つ)に加え、第1ヘッド群61に属する2つの冗長ヘッド601a、601bのみを設けても良い。
 また、上記実施形態で説明した各ヘッド群に属するヘッドの配置は、一例に過ぎない。例えば、第1ヘッド群に属するヘッドの配置として、例えば図11(A)に示されるような配置を採用しても良い。この場合、座標系のリフレッシュに際し、前述のドリフト形状(α、β、Zグリッドの変動)を表す関数として、x,yの関数ではなくα、βの関数を仮定することで、上記実施形態と同様にして座標系のリフレッシュを行うことができる。
 あるいは、第1ヘッド群61に属するヘッドの配置として、例えば図11(B)に示されるような配置を採用しても良い。この場合、ヘッド60、601a、601bの計測方向が、X軸方向及びZ軸方向の2方向となっている。従って、第1ヘッド群61に属するヘッドが対向するスケール板21の第1部分には、少なくともX軸方向を周期方向とする一次元又は2次元のグレーティングが設けられる。第1ヘッド群に属するヘッドの配置として、図11(A)又は図11(B)に示される配置が採用される場合、第2、第3、第4ヘッド群にそれぞれ属するヘッドの配置として、図11(A)又は図11(B)に示される配置と、ウエハテーブル中心に関して点対称又は中心を通るX軸又はY軸に平行な直線に関して線対称な配置(ただし、第2、第3、第4ヘッド群のうち少なくとも1つの群に属するヘッドのXY平面内の計測方向は、第1ヘッド群に属するヘッドの計測方向と直交する)が採用される。
 なお、これまでは、各ヘッド群にそれぞれ3つのヘッドが属する場合について説明したが、これに限らず、各ヘッド群にそれぞれ2つのヘッドが属していても良い。例えば、2つのヘッドの計測方向に、X軸方向及びY軸方向少なくとも1方向が含まれる場合には、これら2つのヘッドは、例えば図11(B)中のヘッド601a、601bと同様に、X軸及びY軸に交差する方向に離れて配置されていることが望ましい。また、2つのヘッドの計測方向に前述のα方向及びβ方向の少なくとも1方向が含まれる場合には、これら2つのヘッドは、例えば図11(A)中のヘッド601a、601bと同様に、α方向及びβ方向に交差するX軸方向(又はY軸方向)に離れて配置されていることが望ましい。
 あるいは、各ヘッド群にそれぞれ4つ以上のヘッドが属していても良い。この場合も、各ヘッド群に属する全てのヘッドが同一直線上に位置しないようなヘッドの配置が採用される。この場合、前述の露光時座標系のリフレッシュに際し、各ヘッド群に属する、ウエハテーブルの6自由度方向の位置情報の計測に用いられる1つの基準となるヘッドと残りのヘッドそれぞれとの共通の計測方向に関する計測値の差分のデータを取得しても良いし、各ヘッド群に属する全ての異なるヘッド同士の前記共通の計測方向に関する差分のデータを取得しても良い。要は、各ヘッド群に属する、前記位置情報の計測に用いられる1つの基準となるヘッドと残りのヘッドのうち少なくとも2つのヘッドそれぞれとの前記共通の計測方向に関する計測値の差分のデータを含む各ヘッド群に属する異なるヘッド同士の前記共通の計測方向に関する差分のデータを取得し、その取得した差分のデータに基づいて、スケール板21(2次元グレーティングRG)の共通の計測方向に関するグリッドの変動量を監視し、グリッド誤差を較正できれば良い。
 各ヘッド群にそれぞれ4つ以上のヘッドが属している場合、座標系のリフレッシュ時に、X軸又はY軸方向に関して、一度により多くの差分データを得ることができるので、2次以上の所定次数の成分までも対象としたグリッド変動量(グリッド誤差)の較正を、リアルタイムに行うこととしても良い。そして、この場合、前述した、「より詳細なグリッド誤差の補正」の一態様として、その所定次数より高次の成分までも対象としたグリッド変動量(グリッド誤差)の較正を、例えば前述と同様に基準ウエハ等を用いて行うようにしても良い。
 なお、上記実施形態では、各ヘッド群にそれぞれ属する3つのヘッドのうち、1つの基準となるヘッドの計測値のみが、ウエハテーブルWTB1、WTB2の6自由度方向の位置の算出に用いられる場合について説明したが、これに限らず、各ヘッド群にそれぞれ属する3つのヘッドのうちの少なくとも2つの計測値を、ウエハテーブルWTB1、WTB2の6自由度方向の位置の算出に用いることとしても良い。例えば、各ヘッド群にそれぞれ属する3つのヘッドの計測値の平均をウエハテーブルWTB1、WTB2の6自由度方向の位置の算出に用いることとしても良い。かかる場合には、平均化効果により、より精度の高い位置計測が可能になる。
 また、上記実施形態では、各ヘッドとして、XY平面内の一方向及びZ軸方向の2方向を計測方向とする2次元ヘッドが用いられ、かつその2方向について、露光時座標系のグリッド誤差の較正(補正)が行われる場合について説明したが、これに限られるものではない。例えば、XY平面内の一方向及びZ軸方向のうちの1つの方向に関して露光時座標系のグリッド誤差の較正(補正)が行われることとしても良い。また、各ヘッドとして、XY平面内の直交2方向及びZ軸方向を計測方向とする3次元ヘッドを用いても良い。あるいは、例えばヘッド60ia、60ibとして、2次元ヘッド又は3次元ヘッドから成るヘッド60の2つ又は3つの計測方向のうちの少なくとも1つの計測方向を、共通の計測方向とする、1次元ヘッド又は2次元ヘッドを用いても良い。XY平面内の1軸方向を計測方向とする1次元ヘッドを用いる場合、これと組み合わせて、Z軸方向を計測方向とする非エンコーダ方式の面位置センサを採用しても良い。
 なお、上記実施形態では、スケール板21,22の部分21~21,22~22のそれぞれの下面に2次元グレーティングRGが形成された場合について例示したが、これに限らず、対応するエンコーダヘッド60~60の計測方向(XY平面内での一軸方向)のみを周期方向とする1次元グレーティングが形成された場合においても、上記実施形態は適用可能である。
 また、上記実施形態では、ウエハステージWST1、WST2上にヘッドが搭載され、ウエハステージWST1、WST2の外部にスケール板21、22(2次元グレーティングRG)が配置されたエンコーダシステムを備える露光装置について説明したが、これに限らず、ウエハステージの外部、例えば上方(又は下方)に複数のヘッドが設けられ、これに対向してウエハステージの上面(又は下面)にグレーティングなどの計測面が設けられたタイプのエンコーダシステムを備える露光装置、例えば米国特許出願公開第2008/0088843号明細書などに開示される露光装置などにも適用することが可能である。
 なお、上記実施形態では、露光装置がスキャニング・ステッパである場合について説明したが、これに限らず、ステッパなどの静止型露光装置に上記実施形態を適用しても良い。ステッパなどであっても、露光対象の物体が搭載されたステージの位置をエンコーダで計測することにより、干渉計によりステージの位置を計測する場合と異なり、空気揺らぎに起因する位置計測誤差の発生を殆ど零にすることができ、エンコーダの計測値に基づいて、ステージを高精度に位置決めすることが可能になり、結果的に高精度なレチクルパターンのウエハ上への転写が可能になる。また、ショット領域とショット領域とを合成するステップ・アンド・スティッチ方式の投影露光装置にも上記実施形態は適用することができる。
 また、上記実施形態では露光装置100が、2つのウエハステージを備えたツインステージ型の露光装置である場合について例示したが、これに限らず、例えば、米国特許出願公開第2007/0211235号明細書及び米国特許出願公開第2007/0127006号明細書などに開示されるようにウエハステージとは別に、計測部材(例えば、基準マーク、及び/又はセンサなど)を含む計測ステージを備える露光装置、又はウエハステージを1つのみ備えるシングルステージ型の露光装置に上記実施形態を適用しても良い。
 また、上記実施形態の露光装置を、例えば国際公開第99/49504号、米国特許出願公開第2005/0259234号明細書などに開示される液浸型としても良い。
 また、上記実施形態の露光装置における投影光学系は縮小系のみならず等倍及び拡大系のいずれでも良いし、投影光学系PLは屈折系のみならず、反射系及び反射屈折系のいずれでも良いし、その投影像は倒立像及び正立像のいずれでも良い。
 また、照明光ILは、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)に限らず、KrFエキシマレーザ光(波長248nm)などの紫外光や、F2レーザ光(波長157nm)などの真空紫外光であっても良い。例えば米国特許第7,023,610号明細書に開示されているように、真空紫外光としてDFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(又はエルビウムとイッテルビウムの両方)がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。
 また、上記実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン(又は位相パターン・減光パターン)を形成した光透過型マスク(レチクル)を用いたが、このレチクルに代えて、例えば米国特許第6,778,257号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて、透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク(可変成形マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれ、例えば非発光型画像表示素子(空間光変調器)の一種であるDMD(Digital Micro-mirror Device)などを含む)を用いても良い。かかる可変成形マスクを用いる場合には、ウエハ又はガラスプレート等が搭載されるステージが、可変成形マスクに対して走査されるので、そのステージの位置をエンコーダを用いて計測することで、上記実施形態と同等の効果を得ることができる。
 また、例えば国際公開第2001/035168号に開示されているように、干渉縞をウエハW上に形成することによって、ウエハW上にライン・アンド・スペースパターンを形成する露光装置(リソグラフィシステム)にも上記実施形態を適用することができる。
 さらに、例えば米国特許第6,611,316号明細書に開示されているように、2つのレチクルパターンを、投影光学系を介してウエハ上で合成し、1回のスキャン露光によってウエハ上の1つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置にも上記実施形態を適用することができる。
 なお、上記実施形態でパターンを形成すべき物体(エネルギビームが照射される露光対象の物体)はウエハに限られるものでなく、ガラスプレート、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど他の物体でも良い。
 露光装置の用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置や、有機EL、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD等)、マイクロマシン及びDNAチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも上記実施形態を適用できる。
 半導体などの電子デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、上記実施形態の露光装置で、マスクに形成されたパターンをウエハ等の物体上に転写するリソグラフィステップ、露光されたウエハ(物体)を現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置及び露光方法が用いられるので、高集積度のデバイスを歩留り良く製造することができる。
 また、上記実施形態の露光装置(パターン形成装置)は、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
 なお、これまでの説明で引用した露光装置などに関する全ての国際公開、米国特許出願公開明細書及び米国特許明細書の開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
 以上説明したように、本発明の露光装置及び露光方法は、物体を露光するのに適している。また、本発明のデバイス製造方法は、半導体素子又は液晶表示素子などの電子デバイスを製造するのに適している。

Claims (37)

  1.  物体をエネルギビームにより露光して前記物体上にパターンを形成する露光装置であって、
     物体を保持して互いに直交する第1軸及び第2軸を含む平面に沿って移動可能な移動体と、
     前記移動体及び該移動体の外部の一方に配置された複数のヘッドを有し、該複数のヘッドの一部から前記移動体及び該移動体の外部の他方に配置された計測面に計測ビームを照射し、前記計測面からの戻りビームを受光して前記移動体の位置情報を計測する位置計測系と、
     前記位置情報に基づいて前記移動体を駆動する制御系と、を備え、
     前記計測面には、1次元又は2次元の格子が形成され、
     前記複数のヘッドは、前記計測面に対向する所定面内に配置され、前記所定面内の2方向、及び前記所定面に直交する方向の少なくとも1方向を計測方向とする少なくとも3つのヘッドを含む第1のヘッド群を含み、
     前記少なくとも3つのヘッドのうち、少なくとも2つのヘッドは、前記所定面内で同一直線上に配置され、残りの少なくとも1つのヘッドは、前記所定面内で前記直線とは異なる位置に配置され、
     前記少なくとも1つのヘッドは、前記位置情報の取得に用いられる基準ヘッドであり、前記少なくとも2つのヘッドは、前記基準ヘッドの計測値に対する前記計測方向の計測値の差分の計測に用いられる計測ヘッドである露光装置。
  2.  前記制御系は、前記基準ヘッドの計測値と前記少なくとも2つの計測ヘッドの計測値それぞれとの前記計測方向に関する計測値の差分のデータ含む前記第1群に属する異なるヘッド同士の前記計測方向に関する計測値の差分のデータを、前記移動体の前記平面内での移動と並行して取り込み、その取り込んだ前記差分のデータに基づいて、前記計測面における前記計測方向に関するグリッド誤差を較正する請求項1に記載の露光装置。
  3.  前記計測面は、前記移動体の外部に設けられ、
     前記複数のヘッドは、前記移動体に設けられ、
     前記所定面は、前記移動体に設定されている請求項1又は2に記載の露光装置。
  4.  前記第1のヘッド群は、前記移動体上の前記物体の中心に対応する点を原点とした第1象限内の領域に配置され、
     前記複数のヘッドは、前記移動体上の前記物体の中心に対応する点を原点とした第2、第3及び第4象限内の領域に、前記第の1ヘッド群と同じ又は対応する配置で配置された少なくとも3つのヘッドをそれぞれ含む第2、第3及び第4のヘッド群をさらに含み、
     前記制御系は、前記第1ないし第4のヘッド群の各群について、それぞれに属する前記位置情報計測に用いられる1つの基準ヘッドの計測値と残りの少なくとも2つの計測ヘッドの計測値それぞれとの前記計測方向に関する計測値の差分のデータを含む各ヘッド群に属する異なるヘッド同士の前記計測方向に関する計測値の差分のデータを、前記移動体の前記所定平面内での移動と並行して取り込み、その取り込んだ前記差分のデータに基づいて、前記第1、第2、第3及び第4のヘッド群がそれぞれ対向し得る前記計測面の部分領域毎に、前記各ヘッド群の前記計測方向に関する前記計測面のグリッド誤差を較正する請求項1~3のいずれか一項に記載の露光装置。
  5.  前記第1のヘッド群の前記基準ヘッド、前記第2のヘッド群の前記基準ヘッド、前記第3のヘッド群の前記基準ヘッド及び前記第4のヘッド群の前記基準ヘッドのうちの少なくとも3つの計測値は、前記移動体の位置に応じて、前記移動体の位置情報の算出に用いられる請求項4に記載の露光装置。
  6.  前記エネルギビームを前記物体に投射する投影系をさらに備え、
     前記計測面は、前記投影系の射出端部がその内部に配置される前記第1軸及び第2軸にそれぞれ平行な各2つのエッジを有する矩形の開口を有し、
     前記第1のヘッド群と前記第2のヘッド群にそれぞれ属する前記基準ヘッド同士の前記第1軸に平行な方向の離間距離、及び前記第3のヘッド群と前記第4のヘッド群にそれぞれ属する前記基準ヘッド同士の前記第1軸に平行な方向の離間距離は、前記第1軸に平行な方向に関して前記開口の幅よりそれぞれ大きい請求項4又は5に記載の露光装置。
  7.  前記第1のヘッド群と前記第4のヘッド群にそれぞれ属する前記基準ヘッド同士の前記第2軸に平行な方向の離間距離、及び前記第2のヘッド群と前記第3のヘッド群にそれぞれ属する前記基準ヘッド同士の前記第2軸に平行な方向の離間距離は、前記第2軸に平行な方向に関して前記開口の幅よりそれぞれ大きい請求項6に記載の露光装置。
  8.  前記第1、第2、第3及び第4のヘッド群がそれぞれ対向し得る第1、第2、第3及び第4の部分領域は、前記計測面の前記投影系を中心として第1、第2、第3及び第4象限にそれぞれ位置し、前記第1、第2、第3及び第4の部分領域には、前記物体の露光時に、前記第1、第2、第3及び第4のヘッド群に属するヘッドから計測ビームがそれぞれ照射される請求項4~7のいずれか一項に記載の露光装置。
  9.  前記第1、第2、第3及び第4の部分領域は、互いにつなぎ合わされて前記計測面を構成する4つの別部材から成る請求項8に記載の露光装置。
  10.  前記4つの別部材には1次元の格子が形成され、前記第1ないし第4の部分領域の少なくとも1つは、他とは格子の周期方向が直交する請求項9に記載の露光装置。
  11.  前記制御系は、前記各ヘッド群それぞれの前記計測方向の1つとして前記1次元格子の周期方向に関する前記計測面のグリッド誤差を較正する請求項10に記載の露光装置。
  12.  前記4つの別部材には2次元の格子が形成され、
     前記制御系は、前記各ヘッド群それぞれの前記計測方向の1つとして前記2次元格子の少なくとも1つの周期方向に関する前記計測面のグリッド誤差を較正する請求項9に記載の露光装置。
  13.  前記制御系は、前記位置計測系により求められた前記位置情報に基づいて前記移動体を駆動するとともに前記移動体の位置に応じて前記移動体の位置情報の算出に用いられる複数のヘッドの少なくとも1つを、前記移動体の位置情報の算出に用いられていない他のヘッド群に属する前記基準ヘッドに切り換え、この切り換えに伴って、前記計測面の前記グリッド誤差の較正のための、前記差分のデータの取り込みの対象を、前記他のヘッド群に切り換える請求項4~12のいずれか一項に記載の露光装置。
  14.  前記制御系は、前記物体の露光中に、リアルタイムで前記計測面の前記グリッド誤差の所定次数以下の成分を補正する請求項2~13のいずれか一項に記載の露光装置。
  15.  前記制御系は、前記所定次数以下の成分の補正量が予め定めた第1の量より大きくなった場合、より詳細な前記グリッド誤差の補正を行う請求項14に記載の露光装置。
  16.  前記制御系は、前記位置計測系による位置情報の計測が可能な有効ストロークの隅々まで前記移動体を駆動し、その駆動中に得られる前記露光中より多い前記差分のデータに基づいて、より詳細な前記グリッド誤差の補正を行う請求項15に記載の露光装置。
  17.  前記制御系は、前記所定次数以下の成分の補正量が前記第1の量より大きい予め定めた第2の量より大きい場合、前記所定次数より高次の成分までも対象とした前記計測面の前記グリッド誤差の補正の必要性を外部に知らせる請求項15又は16に記載の露光装置。
  18.  前記制御系は、前記所定次数以下の成分の補正量が前記第2の量より大きい予め定めた第3の量より大きくなるか否かで、前記計測面のメンテナンス要否を判断し、その判断結果を外部に知らせる請求項17に記載の露光装置。
  19.  物体をエネルギビームにより露光して前記物体上にパターンを形成する露光装置であって、
     物体を保持して互いに直交する第1軸及び第2軸を含む平面に沿って移動可能な移動体と、
     前記移動体及び該移動体の外部の一方に配置された複数のヘッドを有し、該複数のヘッドの一部から前記移動体及び該移動体の外部の他方に配置された計測面に計測ビームを照射し、前記計測面からの戻りビームを受光して前記移動体の位置情報を計測する位置計測系と、
     前記位置情報に基づいて前記移動体を駆動する制御系と、を備え、
     前記計測面には、1次元又は2次元の格子が形成され、
     前記複数のヘッドは、前記計測面に対向する所定面内に配置され、少なくとも前記所定面内の第1方向及び第2方向、並びに前記所定面に直交する方向の少なくとも1方向を計測方向とする少なくとも2つのヘッドを含むヘッド群を含み、
     前記少なくとも2つのヘッドのうちの2つは、前記所定面内で前記第1方向に沿った軸及び第2方向に沿った軸のそれぞれの軸に交差する方向に離れて配置され、
     前記2つのヘッドのうちの1つのヘッドは、前記位置情報の取得に用いられる基準ヘッドであり、前記2つのヘッドのうち残りの1つのヘッドは、前記基準ヘッドの計測値に対する前記計測方向の計測値の差分の計測に用いられる計測ヘッドである露光装置。
  20.  請求項1~19のいずれか一項に記載の露光装置を用いて、物体上にパターンを形成することと、
     前記パターンが形成された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。
  21.  物体をエネルギビームにより露光して前記物体上にパターンを形成する露光方法であって、
     物体を保持して互いに直交する第1軸及び第2軸を含む平面に沿って移動する移動体及び該移動体の外部の一方に配置された複数のヘッドの一部から前記移動体及び該移動体の外部の他方に配置され1次元又は2次元の格子が形成された計測面に計測ビームを照射し、前記計測面からの戻りビームを受光して前記移動体の位置情報を計測することと、
     求められた前記位置情報に基づいて前記移動体を駆動することと、を含み、
     前記複数のヘッドは、前記計測面に対向する所定面内に配置され、少なくとも前記所定面内の2方向、及び前記所定面に直交する方向の少なくとも1方向を計測方向とする少なくとも3つのヘッドを含む第1のヘッド群を含み、
     前記少なくとも3つのヘッドのうち、少なくとも2つのヘッドは、前記所定面内で同一直線上に配置され、残りの少なくとも1つのヘッドは、前記所定面内で前記直線とは異なる位置に配置され、
     前記駆動することでは、前記移動体を前記所定平面内で駆動するとともに、この駆動と並行して、前記第1のヘッド群に属する前記位置情報の計測に用いられる前記少なくとも1つのヘッドである基準ヘッドの計測値と前記少なくとも2つのヘッドである計測ヘッドの計測値それぞれとの前記計測方向に関する計測値の差分のデータを含む前記第1のヘッド群に属する異なるヘッド同士の前記計測方向に関する計測値の差分のデータを取り込み、その取り込んだ前記差分のデータに基づいて、前記計測面における前記計測方向に関するグリッド誤差を較正する露光方法。
  22.  前記計測面は、前記移動体の外部に設けられ、
     前記複数のヘッドは、前記移動体に設けられ、
     前記所定面は、前記移動体に設定されている請求項21に記載の露光方法。
  23.  前記第1のヘッド群は、前記移動体上の前記物体の中心に対応する点を原点とした第1象限内の領域に配置され、
     前記複数のヘッドは、前記移動体上の前記物体の中心に対応する点を原点とした第2、第3及び第4象限内の領域に、前記第1のヘッド群と同じ又は対応する配置で配置された少なくとも3つのヘッドをそれぞれ含む第2、第3及び第4のヘッド群をさらに含み、
     前記駆動することでは、前記第1ないし第4のヘッド群の各群について、それぞれに属する前記位置情報計測に用いられる1つの基準ヘッドの計測値と残りの少なくとも2つの計測ヘッドの計測値それぞれとの前記計測方向に関する計測値の差分のデータを含む各ヘッド群に属する異なるヘッド同士の前記計測方向に関する計測値の差分のデータを、前記移動体の前記所定平面内での移動と並行して取り込み、その取り込んだ前記差分のデータに基づいて、前記第1、第2、第3及び第4のヘッド群がそれぞれ対向し得る前記計測面の部分領域毎に、前記各ヘッド群の計測方向に関する前記計測面のグリッド誤差を較正する請求項21又は22に記載の露光方法。
  24.  前記第1のヘッド群の前記基準ヘッド、前記第2のヘッド群の前記基準ヘッド、前記第3のヘッド群の前記基準ヘッド及び前記第4のヘッド群の前記基準ヘッドのうちの少なくとも3つの計測値は、前記移動体の位置に応じて、前記移動体の位置情報の算出に用いられる請求項23に記載の露光方法。
  25.  前記エネルギビームを前記物体に投射する投影系がさらに設けられ、
     前記計測面には、前記投影系の射出端部がその内部に配置される前記第1軸及び第2軸にそれぞれ平行な各2つのエッジを有する矩形の開口が設けられ、
     前記第1のヘッド群と前記第2のヘッド群にそれぞれ属する前記基準ヘッド同士の前記第1軸に平行な方向の離間距離、及び前記第3のヘッド群と前記第4のヘッド群にそれぞれ属する前記基準ヘッド同士の前記第1軸に平行な方向の離間距離は、前記第1軸に平行な方向に関して前記開口の幅よりそれぞれ大きい請求項23又は24に記載の露光方法。
  26.  前記第1のヘッド群と前記第4のヘッド群にそれぞれ属する前記基準ヘッド同士の前記第2軸に平行な方向の離間距離、及び前記第2のヘッド群と前記第3のヘッド群にそれぞれ属する前記基準ヘッド同士の前記第2軸に平行な方向の離間距離は、前記第2軸に平行な方向に関して前記開口の幅よりそれぞれ大きい請求項25に記載の露光方法。
  27.  前記第1、第2、第3及び第4のヘッド群がそれぞれ対向し得る第1、第2、第3及び第4の部分領域は、前記計測面の前記投影系を中心として第1、第2、第3及び第4象限にそれぞれ位置し、前記第1、第2、第3及び第4の部分領域には、前記物体の露光時に、前記第1、第2、第3及び第4のヘッド群に属するヘッドから計測ビームがそれぞれ照射される請求項23~26のいずれか一項に記載の露光方法。
  28.  前記第1、第2、第3及び第4の部分領域は、互いにつなぎ合わされて前記計測面を構成する4つの別部材から成る請求項27に記載の露光方法。
  29.  前記4つの別部材には1次元の格子が形成され、前記第1ないし第4の部分領域の少なくとも1つは、他とは格子の周期方向が直交する請求項28に記載の露光方法。
  30.  前記駆動することでは、前記各ヘッド群それぞれの前記計測方向の1つとして前記1次元格子の周期方向に関する前記計測面のグリッド誤差が較正される請求項29に記載の露光方法。
  31.  前記4つの別部材には2次元の格子が形成され、
     前記駆動することでは、前記各ヘッド群それぞれの前記計測方向の1つとして前記2次元格子の1つの周期方向に関する前記計測面のグリッド誤差が較正される請求項28に記載の露光方法。
  32.  前記駆動することでは、求められた前記位置情報に基づいて前記移動体が駆動されるとともに前記移動体の位置に応じて前記移動体の位置情報の算出に用いられる複数のヘッドの少なくとも1つが、前記移動体の位置情報の算出に用いられていない他のヘッド群に属する基準ヘッドに切り換えられ、この切り換えに伴って、前記計測面の前記グリッド誤差の較正のための、前記差分のデータの取り込みの対象が、前記他のヘッド群に切り換えられる請求項23~31のいずれか一項に記載の露光方法。
  33.  前記物体の露光中に、前記移動体の移動に際してリアルタイムで前記計測面の前記グリッド誤差の所定次数以下の成分が補正される請求項21~32のいずれか一項に記載の露光方法。
  34.  前記所定次数以下の成分の補正量が予め定めた第1の量より大きくなった場合、より詳細な前記グリッド誤差の補正が行われる請求項33に記載の露光方法。
  35.  より詳細な前記グリッド誤差の補正は、前記位置情報の計測が可能な有効ストロークの隅々まで前記移動体を駆動し、その駆動中に得られる前記露光中より多い前記差分のデータに基づいて行われる請求項34に記載の露光方法。
  36.  物体をエネルギビームにより露光して前記物体上にパターンを形成する露光方法であって、
     物体を保持して互いに直交する第1軸及び第2軸を含む平面に沿って移動する移動体及び該移動体の外部の一方に配置された複数のヘッドの一部から前記移動体及び該移動体の外部の他方に配置され1次元又は2次元の格子が形成された計測面に計測ビームを照射し、前記計測面からの戻りビームを受光して前記移動体の位置情報を計測することと、
     求められた前記位置情報に基づいて前記移動体を駆動することと、を含み、
     前記複数のヘッドは、前記計測面に対向する所定面内に配置され、前記所定面内の第1方向及び第2方向、並びに前記所定面に直交する方向の少なくとも1方向を計測方向とする少なくとも2つのヘッドを含むヘッド群を含み、
     前記少なくとも2つのヘッドのうちの2つのヘッドは、前記所定面内で前記第1方向に沿った軸及び第2方向に沿った軸のそれぞれの軸に交差する方向に離れて配置され、
     前記駆動することでは、前記移動体を前記所定平面内で駆動するとともに、この駆動と並行して、前記ヘッド群に属する前記2つのヘッドのうちの1つのヘッドである前記位置情報の計測に用いられる基準ヘッドの計測値と前記2つのヘッドのうちの残りの1つのヘッドである計測ヘッドの計測値との前記計測方向に関する計測値の差分のデータを含む前記ヘッド群に属する異なるヘッド同士の前記計測方向に関する計測値の差分のデータを取り込み、その取り込んだ前記差分のデータに基づいて、前記計測面における前記計測方向に関するグリッド誤差を較正する露光方法。
  37.  請求項21~36のいずれか一項に記載の露光方法により物体上にパターンを形成することと、
     前記パターンが形成された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。
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