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WO2013132804A1 - 搬送装置およびセラミック部材 - Google Patents

搬送装置およびセラミック部材 Download PDF

Info

Publication number
WO2013132804A1
WO2013132804A1 PCT/JP2013/001245 JP2013001245W WO2013132804A1 WO 2013132804 A1 WO2013132804 A1 WO 2013132804A1 JP 2013001245 W JP2013001245 W JP 2013001245W WO 2013132804 A1 WO2013132804 A1 WO 2013132804A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
ceramic
ceramic member
electric heating
ceramic layer
layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2013/001245
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
要 三輪
丹羽　倫規
淳 倉野
Original Assignee
日本特殊陶業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本特殊陶業株式会社 filed Critical 日本特殊陶業株式会社
Priority to JP2014503465A priority Critical patent/JP6106659B2/ja
Priority to KR1020147024762A priority patent/KR101757522B1/ko
Priority to US14/383,282 priority patent/US9691652B2/en
Publication of WO2013132804A1 publication Critical patent/WO2013132804A1/ja

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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect

Definitions

  • the present invention relates to a conveying device and a ceramic member.
  • the ceramic member that holds the body to be transported in the transport apparatus is also called a pick, and is formed by integrally firing a plurality of ceramic layers (see, for example, Patent Documents 1 and 2), or a body to be transported that is a dielectric ( For example, a wafer is known that can be attracted by an electrostatic force (see, for example, Patent Document 3).
  • An adsorption electrode which is an electrode for generating an electrostatic force, is provided inside the ceramic member that adsorbs the conveyed object by the electrostatic force.
  • a member in which a plurality of protrusions are arranged on the surface and an electric heating body is provided inside has been proposed (for example, see Patent Document 4). .
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and can be realized as the following modes.
  • a ceramic member configured to be movable together with the transported body in a state where the transported body is held in a transport apparatus.
  • the ceramic member has a plurality of ceramic layers that have insulating properties and are integrally fired; and is formed on the first ceramic layer of the plurality of ceramic layers inside the plurality of ceramic layers,
  • An attracting electrode which is an electrode configured to be capable of attracting a dielectric by electric power; and on a second ceramic layer farther than the first ceramic layer from the side of the plurality of ceramic layers holding the transported body
  • An electric heating element that generates heat based on electric power; a power supply port that receives supply of electric power to the electric heating element from the outside of the ceramic member; and the first ceramic layer and the second ceramic layer among the plurality of ceramic layers
  • a via is a conductor which electrically connects the through at least one of the electric heater and the land.
  • the electric heating element formed on the second ceramic layer after forming the adsorption electrode on the first ceramic layer on the side holding the transported body and securing the adsorption force by the electrostatic force, the electric heating element formed on the second ceramic layer.
  • the degree of freedom of the arrangement and shape of the electric heating element on the second ceramic layer can be improved.
  • the temperature adjustment by the electric heater can be effectively performed without hindering the adsorptive force due to the electrostatic force, and as a result, the conveyance performance of the conveyance device can be improved.
  • a facing surface that is a surface along the layer surface direction of the plurality of ceramic layers and that faces the transported body while holding the transported body;
  • a bottom surface which is a surface along the layer surface direction and located on a side opposite to the facing surface, and the electric heating body may be positioned closer to the bottom surface than the facing surface. According to this embodiment, temperature unevenness on the facing surface can be suppressed, and temperature adjustment by the electric heating body can be performed more effectively.
  • a negative pressure communication path formed inside the plurality of ceramic layers and extending along a layer surface direction of the plurality of ceramic layers, the negative pressure communication path configured to be capable of supplying negative pressure.
  • the electric heating body may be positioned on the side holding the transported body with respect to the negative pressure communication path. According to this aspect, it is possible to avoid heat insulation between the electric heating body and the transported body by the negative pressure communication path, and it is possible to more effectively perform temperature adjustment by the electric heating body.
  • the electric heating element includes a first electric heating element arranged on an outer peripheral side of the second ceramic layer and a second electric heating element arranged inside the first electric heating element.
  • the heating value per unit area of the first electric heating element may be larger than the heating value per unit area of the second electric heating element. According to this embodiment, temperature unevenness between the outer peripheral side and the inner side of the ceramic member can be suppressed, and temperature adjustment by the electric heating body can be performed more effectively.
  • the conveying apparatus which conveys the said to-be-conveyed body using the ceramic member of the said form.
  • the ceramic member in the ceramic member, the temperature adjustment by the electric heating body can be effectively performed without hindering the adsorption force due to the electrostatic force. As a result, the conveyance performance of the conveyance device can be improved.
  • the present invention can be realized in various forms other than the ceramic member and the conveying device.
  • it is realizable with forms, such as a conveyance pick, a semiconductor manufacturing apparatus, a conveyance method, and a manufacturing method of a ceramic member.
  • FIG. 5 is an explanatory view showing a ceramic layer viewed from a position corresponding to the arrow F5-F5 in FIG.
  • FIG. 5 is an explanatory view showing a ceramic layer viewed from a position corresponding to an arrow F6-F6 in FIG.
  • FIG. 5 is an explanatory view showing a ceramic layer viewed from a position corresponding to an arrow F6-F6 in FIG.
  • FIG. 7 is an explanatory diagram showing a cross section of the ceramic member viewed from a position corresponding to the arrow F7-F7 in FIG.
  • FIG. 5 is an explanatory view showing a ceramic layer viewed from a position corresponding to an arrow F8-F8 in FIG.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing a ceramic layer viewed from a position corresponding to the arrow F9-F9 in FIG.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing a ceramic layer viewed from a position corresponding to an arrow F10-F10 in FIG.
  • FIG. 10 is an explanatory view showing a cross section of the ceramic member viewed from a position corresponding to the arrow F11-F11 in FIG.
  • FIG. 16 is an explanatory view showing a cross section of the ceramic member as seen from an arrow F16-F16 in FIG.
  • FIG. 18 is an explanatory view showing a cross section of the ceramic member as seen from an arrow F18-F18 in FIG. It is explanatory drawing which shows the cross section of the ceramic member in 7th Embodiment. It is explanatory drawing which shows the manufacturing process of a ceramic member.
  • FIG. 1 is an explanatory diagram showing the configuration of the transport apparatus 10.
  • the transport apparatus 10 transports the transported body 90.
  • the transfer apparatus 10 is an apparatus that constitutes a part of a semiconductor manufacturing apparatus, and the transferred object 90 is a silicon wafer that is a disk-shaped dielectric.
  • the transfer device 10 includes a control unit 100, a ceramic member 200, an arm mechanism 710, a moving mechanism 720, an adsorption electrode driving unit 830, a negative pressure supply unit 840, an electric heating element driving unit 850, and a processing gas supply unit. 860.
  • the control unit 100 of the transport apparatus 10 controls operations of the arm mechanism 710, the moving mechanism 720, the adsorption electrode driving unit 830, the negative pressure supply unit 840, the electric heater driving unit 850, and the processing gas supply unit 860.
  • the function of the control unit 100 is realized by the operation of a CPU (Central Processing Unit) based on a computer program.
  • the function of the control unit 100 may be realized by operating an ASIC (Application Specific Integrated Circuit) based on its circuit configuration.
  • the arm mechanism 710 of the transport device 10 is a mechanism that connects the ceramic member 200 and the moving mechanism 720, moves the ceramic member 200 relative to the moving mechanism 720, and is transported to the outside of the transport device 10.
  • Deliver the body 90 The moving mechanism 720 of the transfer device 10 is a mechanism that is mounted with the ceramic member 200 and the arm mechanism 710 and is relatively movable with respect to the outside of the transfer device 10, and is to be transferred held by the ceramic member 200. The body 90 is moved.
  • the ceramic member 200 of the transport apparatus 10 is also called a pick, and is configured to be movable together with the transported body 90 while holding the transported body 90 in the transport apparatus 10.
  • the ceramic member 200 is formed by integrally firing a plurality of ceramic layers using an insulating ceramic material. Inside the ceramic member 200, a conductor pattern using a conductive material is formed.
  • the main component of the insulating ceramic material used for the ceramic member 200 is aluminum oxide (alumina) (Al2O3).
  • the main component of the insulating ceramic material is yttria oxide (Y 2 O 3), silicon oxide (SiO 2), zirconium oxide (ZrO 2), magnesium oxide (MgO), mullite (3Al 2 O 3 .2SiO 2), or glass ceramic ( For example, it may be a mixture of alumina and borosilicate glass.
  • the main component of the conductive material used for the ceramic member 200 is tungsten (W).
  • the main component of the conductive material may be molybdenum (Mo), tantalum (Ta), silver (Ag), or copper (Cu), an alloy of these conductive metals, conductive Silicon carbide (SiC) may be used.
  • the ceramic member 200 is configured to be capable of attracting the transported body 90, which is a dielectric, with electrostatic force by receiving power supply from the attracting electrode driving unit 830. Details of the configuration for electrostatic adsorption in the ceramic member 200 will be described later.
  • the ceramic member 200 is configured to be capable of adsorbing the transported body 90 at a negative pressure by receiving a negative pressure (vacuum) from the negative pressure supply unit 840. Details of the configuration for negative pressure adsorption in the ceramic member 200 will be described later.
  • the ceramic member 200 is configured to be able to generate heat by receiving power supply from the electric heating element driving unit 850. Details of the structure for generating heat in the ceramic member 200 will be described later.
  • the ceramic member 200 is configured to be able to release the processing gas to the transported body 90 by receiving the processing gas supplied from the processing gas supply unit 860.
  • the processing gas supplied to the ceramic member 200 by the processing gas supply unit 860 is a heat transfer gas (for example, helium (He)) for transferring the heat of the ceramic member 200 to the transported body 90. is there. Details of the configuration for releasing the processing gas in the ceramic member 200 will be described later.
  • FIG. 2 is an explanatory view showing the upper surface of the ceramic member 200.
  • FIG. 3 is an explanatory view showing a side surface of the ceramic member 200 as viewed from the direction of the arrow F3 in FIG.
  • FIG. 4 is an explanatory view showing a cross section of the ceramic member 200 as viewed from the direction of arrows F4-F4 in FIG.
  • FIG. 2 shows XYZ axes orthogonal to each other.
  • the XYZ axes in FIG. 2 correspond to the XYZ axes in other figures including FIG. 3 and FIG.
  • the ceramic member 200 has a substantially U-shaped plate shape.
  • the axis along the horizontal direction of the U-shape in the ceramic member 200 is the X-axis
  • the axis along the vertical direction of the U-shape is the Y-axis
  • the axis along the gravity direction Is the Z axis.
  • the + X axis direction from the right side to the left side of the U-shape in the ceramic member 200 is set as the -X axis direction.
  • the + Y-axis direction from the closed end of the U-shape of the ceramic member 200 toward the open end is set as the + Y-axis direction, and vice versa.
  • the direction from the bottom to the top in the direction of gravity is the + Z-axis direction, and the opposite is the ⁇ Z-axis direction.
  • the conveyed object 90 is held on a surface of the ceramic member 200 parallel to the X axis and the Y axis.
  • the thickness direction of the ceramic member 200 corresponds to the Z-axis direction.
  • the ceramic member 200 includes seven ceramic layers 291, 292, 293, 294, 295, 296, and 297 as a plurality of ceramic layers. These ceramic layers are laminated in this order from the bottom surface 216 side: ceramic layer 291, ceramic layer 292, ceramic layer 293, ceramic layer 294, ceramic layer 295, ceramic layer 296, and ceramic layer 297.
  • the layer surface direction of these ceramic layers is a direction along a plane parallel to the X axis and the Y axis.
  • the number of ceramic layers in the ceramic member 200 is not limited to seven. In other embodiments, the number may be six or less, or may be eight or more.
  • the ceramic member 200 includes a base end surface 211, base end side surfaces 213 and 214, a base end top surface 215, a bottom surface 216, a through hole 218, a base end stepped surface 219, front end surfaces 222 and 223, and an outer surface 224. , 225, inner side surfaces 221, 226, 227, opposing surfaces 231, 232, 233, 234, 235, tip upper surfaces 242, 243, and tip step surfaces 248, 249.
  • the base end surface 211 of the ceramic member 200 is a surface parallel to the X axis and the Z axis and facing the ⁇ Y axis direction.
  • the base end surface 211 is located at the end in the ⁇ Y-axis direction of the ceramic member 200 and constitutes a base end portion that is an end on the side attached to the transport apparatus 10.
  • the base end surface 211 is connected to the base end side surfaces 213 and 214, the base end top surface 215, and the bottom surface 216.
  • the base end side surface 213 of the ceramic member 200 is a surface parallel to the Z axis facing the ⁇ X axis direction and the ⁇ Y axis direction, and is formed between the base end surface 211 and the outer surface 224.
  • the base end side surface 214 of the ceramic member 200 is a surface parallel to the Z axis that faces the + X axis direction and the ⁇ Y axis direction, and is formed between the base end surface 211 and the outer surface 225.
  • the base end upper surface 215 of the ceramic member 200 is a surface parallel to the X axis and the Y axis and facing the + Z axis direction.
  • the proximal end upper surface 215 is connected to the proximal end surface 211 and the proximal end side surfaces 213 and 214.
  • the base end upper surface 215 is provided on the + Z-axis direction side of the opposing surfaces 231 and 232.
  • a proximal step surface 219 is formed between the proximal upper surface 215 and the opposing surface 231.
  • the + Y-axis direction side of the base end upper surface 215, the base end step surface 219, and the ⁇ Y-axis direction side of the opposing surface 231 are circular along the outer shape of the transported body 90. It is formed in an arc shape.
  • the bottom surface 216 of the ceramic member 200 is a surface parallel to the X-axis and the Y-axis and facing the ⁇ Z-axis direction.
  • the bottom surface 216 is a substantially U-shaped surface that is the same as the overall shape of the ceramic member 200, and includes a base end surface 211, base end side surfaces 213 and 214, front end surfaces 222 and 223, outer side surfaces 224 and 225, and inner side surfaces 221 and 226, It connects to each surface of 227.
  • the through hole 218 of the ceramic member 200 penetrates between the base end upper surface 215 and the bottom surface 216 along the Z axis.
  • the ceramic member 200 is attached to the arm mechanism 710 using the through hole 218.
  • the number of through-holes 218 is two, but in other embodiments, it may be three or more.
  • the tip surfaces 222 and 223 of the ceramic member 200 are arcuate surfaces that are parallel to the Z axis and convex in the + Y axis direction.
  • the front end surfaces 222 and 223 are positioned at the end of the ceramic member 200 in the + Y-axis direction, and constitute a front end portion in which opposed surfaces 231, 232, 234, 234, and 235 are disposed between the front end surfaces 211.
  • the distal end surface 222 is located on the ⁇ X axis direction side, and the distal end surface 223 is located on the + X axis direction side.
  • the front end surface 222 is connected to the bottom surface 216, the outer side surface 224, the inner side surface 226, the facing surface 231, and the front end upper surface 242.
  • the tip surface 223 is connected to the bottom surface 216, the outer surface 225, the inner surface 227, the facing surface 231, and the tip upper surface 243.
  • the outer side surface 224 of the ceramic member 200 is a surface parallel to the Y axis and the Z axis and facing the ⁇ X axis direction, and is formed between the distal end surface 222 and the proximal end side surface 213.
  • the outer surface 225 of the ceramic member 200 is a surface parallel to the Y axis and the Z axis and facing the + X axis direction, and is formed between the distal end surface 223 and the proximal end side surface 214.
  • the outer side surfaces 224 and 225 are outer peripheral portions that form the outer periphery of the ceramic member 200.
  • the inner side surface 221 of the ceramic member 200 is a circular arc surface that is parallel to the Z-axis and concave in the + Y-axis direction, and is formed between the inner side surface 226 and the inner side surface 227.
  • the inner surface 226 of the ceramic member 200 is a surface parallel to the Y axis and the Z axis and facing the + X axis direction, and is formed between the tip surface 222 and the inner surface 221.
  • the inner side surface 227 of the ceramic member 200 is a surface parallel to the Y axis and the Z axis and facing the ⁇ X axis direction, and is formed between the front end surface 223 and the inner side surface 221.
  • the inner side surfaces 221, 226, and 227 are outer peripheral portions that form the outer periphery of the ceramic member 200.
  • the facing surfaces 231, 232, 233, 234, and 235 of the ceramic member 200 are surfaces that are parallel to the X-axis and the Y-axis and face the + Z-axis direction.
  • the facing surfaces 231, 232, 233, 234, and 235 face the transported body 90 in a state where the transported body 90 is held on the ceramic member 200.
  • the opposing surfaces 232 and 234 are hatched to facilitate understanding of the drawing.
  • the opposing surfaces 231, 233, and 235 are first opposing surfaces located on the bottom 216 side of the opposing surfaces 232 and 234, that is, on the ⁇ Z axis direction side of the opposing surfaces 232 and 234.
  • the facing surfaces 232 and 233 are second facing surfaces located on the transported object 90 side with respect to the facing surfaces 231, 233 and 235, that is, on the + Z-axis direction side with respect to the facing surfaces 231, 233 and 234.
  • the opposing surfaces 231, 232, 233, 234, and 235 are formed by cutting the ceramic layer 297 after the ceramic member 200 is integrally fired.
  • the facing surface 235 is a substantially U-shaped plane when viewed from the Z-axis direction.
  • the facing surface 234 is a plane that is located in the + Z-axis direction relative to the facing surface 235 and surrounds the outer periphery of the facing surface 235 when viewed from the Z-axis direction.
  • the facing surface 233 is a plane that is located in the ⁇ Z-axis direction relative to the facing surface 234 and surrounds the outer periphery of the facing surface 234 when viewed from the Z-axis direction.
  • the facing surface 232 is a plane that is located in the + Z-axis direction relative to the facing surface 233 and surrounds the outer periphery of the facing surface 233 when viewed from the Z-axis direction.
  • the opposing surface 231 is a plane that is located in the ⁇ Z-axis direction relative to the opposing surface 232 and surrounds the outer periphery of the opposing surface 232 when viewed from the Z-axis direction.
  • the positions of the opposing surfaces 231, 233 and 235 in the Z-axis direction are the same, and the positions of the opposing surfaces 232 and 234 in the Z-axis direction are the same.
  • the top end surfaces 242 and 243 of the ceramic member 200 are surfaces parallel to the X axis and the Y axis and facing the + Z axis direction.
  • the tip top surface 242 is connected to the tip surface 222, and the tip top surface 243 is connected to the tip surface 223.
  • the tip upper surfaces 242 and 243 are provided on the + Z-axis direction side of the opposing surfaces 231 and 232.
  • a tip step surface 248 is formed between the tip top surface 242 and the facing surface 231, and a tip step surface 249 is formed between the tip top surface 243 and the facing surface 231.
  • the ⁇ Y axis direction side of the top end surfaces 242 and 243, the step difference surfaces 248 and 249, and the + Y axis direction side of the facing surface 231 are along the outer shape of the transported body 90. It is formed in a circular arc shape.
  • the opposing surface 235 of the ceramic member 200 is formed with an adsorption hole 450 that is a hole configured to adsorb the conveyed object 90 by providing a negative pressure to the opposing surface 235. ing.
  • the suction holes 450 are formed by cutting the ceramic layers 295, 296, and 297.
  • the number of the suction holes 450 is 6, but in other embodiments, the number may be 5 or less, or 7 or more.
  • a gas discharge hole 650 which is a hole configured to be able to discharge a processing gas, is formed on the facing surface 233 of the ceramic member 200.
  • the gas release holes 650 are formed by cutting the ceramic layers 295, 296, and 297.
  • the number of gas discharge holes 650 is 12, but in other embodiments, it may be 11 or less, or 13 or more.
  • the ceramic member 200 includes power supply ports 312 and 316, a negative pressure supply port 412, power supply ports 512 and 516, and a gas supply port 612.
  • the power supply ports 312 and 316 of the ceramic member 200 respectively receive supply of electric power having potentials with opposite polarities from the suction electrode driving unit 830.
  • the power supply ports 312 and 316 are formed by brazing cylindrical conductive metal terminals protruding in the + Z-axis direction from the base end upper surface 215, and are cables connected to the suction electrode driving unit 830. These terminals (not shown) can be fixed.
  • the negative pressure supply port 412 of the ceramic member 200 receives supply of negative pressure from the negative pressure supply unit 840.
  • the negative pressure supply port 412 is formed by brazing a cylindrical conductive metal terminal protruding in the + Z-axis direction from the base end upper surface 215, and is a tube connected to the negative pressure supply unit 840. It is comprised so that fixing
  • the power supply ports 512 and 516 of the ceramic member 200 accept supply of electric power from the electric heating element driving unit 850, and one corresponds to the positive electrode and the other corresponds to the negative electrode.
  • the power supply ports 512 and 516 are formed by brazing a cylindrical conductive metal terminal protruding in the + Z-axis direction from the base end upper surface 215, and a cable connected to the electric heater driving unit 850. These terminals (not shown) can be fixed.
  • the gas supply port 612 of the ceramic member 200 receives supply of processing gas from the processing gas supply unit 860.
  • the gas supply port 612 is formed by brazing a cylindrical conductive metal terminal protruding in the + Z-axis direction from the base end upper surface 215, and is a tube connected to the process gas supply unit 860. An end (not shown) is configured to be fixable.
  • adsorption electrodes 372, 374, 376, and 378 which are conductor patterns, are formed between the ceramic layer 296 and the ceramic layer 297.
  • the adsorption electrodes 372, 374, 376, and 378 are formed by screen-printing a conductive paste containing a conductive material on the ceramic layer 296.
  • the adsorption electrodes 372 and 374 are first electrodes configured to have a different polarity potential from the adsorption electrodes 376 and 378, and the adsorption electrodes 376 and 378 are different from the adsorption electrodes 372 and 374. It is the 2nd electrode comprised so that it might become a potential of polarity.
  • FIG. 5 is an explanatory view showing the ceramic layer 296 viewed from the position corresponding to the arrow F5-F5 in FIG.
  • FIG. 5 illustrates a ceramic layer 296 in which adsorption electrodes 372, 374, 376, and 378 are formed.
  • the adsorption electrodes 372, 374, 376, and 378 are hatched for easy understanding of the drawing.
  • the adsorption electrodes 372, 374, 376, and 378 are formed so as to avoid the adsorption holes 450 and the gas discharge holes 650.
  • the adsorption electrode 372 overlaps along the outer side of the opposed surface 232 when viewed from the Z-axis direction, and the adsorption electrode 376 is opposed to the opposed surface when viewed from the Z-axis direction. It overlaps along the inner side of 232.
  • Each of the adsorption electrode 372 and the adsorption electrode 376 is disposed so as to overlap with the opposing surface 232 substantially evenly when viewed from the Z-axis direction.
  • the adsorption electrode 374 overlaps along the outer side of the opposed surface 234 when viewed from the Z-axis direction, and the adsorption electrode 378 is opposed to the opposed surface when viewed from the Z-axis direction. Overlapping along the inner side of 234. Each of the adsorption electrode 374 and the adsorption electrode 378 is disposed so as to substantially overlap the opposing surface 234 when viewed from the Z-axis direction.
  • FIG. 6 is an explanatory view showing the ceramic layer 295 viewed from the position corresponding to the arrow F6-F6 in FIG.
  • FIG. 7 is an explanatory view showing a cross section of the ceramic member 200 viewed from a position corresponding to the arrow F7-F7 in FIG.
  • lands 332 and 336 that are conductor patterns are formed between the ceramic layer 295 and the ceramic layer 296.
  • lands 332 and 336 are hatched for easy understanding of the drawing.
  • the power supply ports 312 and 316 are indicated by alternate long and short dash lines at positions projected onto the ceramic layer 295 along the Z-axis direction.
  • the lands 332 and 336 are indicated by broken lines.
  • the lands 332 and 336 are formed by screen-printing a conductive paste containing a conductive material on the ceramic layer 295.
  • the land 332 is a conductor configured to receive power through the power supply port 312.
  • the land 332 is configured to be able to receive power through the power supply port 312 by being exposed to the inside of the cylindrical power supply port 312.
  • the land 336 is a conductor configured to receive power through the power supply port 316.
  • the land 336 is configured to be able to receive power through the power supply port 316 by being exposed to the inside of the cylindrical power supply port 316.
  • vias 352 and 354 are formed in the ceramic layer 296, and similarly, vias 356 and 358 are formed in the ceramic layer 296.
  • the vias 352, 354, 356, and 358 are shown by broken lines.
  • the vias 352, 354, 356, and 358 are illustrated by alternate long and short dash lines at positions projected onto the ceramic layer 295 along the Z-axis direction.
  • a through hole is formed in the ceramic layer 292, and a conductive paste containing a conductive material is filled in the through hole.
  • vias 352, 354, 356, and 358 are formed.
  • the via 352 is a conductor that penetrates the ceramic layer 296 and electrically connects the land 332 and the adsorption electrode 372.
  • the via 354 is a conductor that penetrates the ceramic layer 296 and electrically connects the land 332 and the adsorption electrode 374.
  • the via 356 is a conductor that penetrates the ceramic layer 296 and electrically connects the land 336 and the adsorption electrode 376.
  • the via 358 is a conductor that penetrates the ceramic layer 296 and electrically connects the land 336 and the adsorption electrode 378.
  • a negative pressure communication path 430 and a gas communication path 630 are formed in the ceramic layer 294.
  • the negative pressure communication path 430 is a flow path that communicates between the negative pressure supply port 412 and the suction hole 450.
  • the gas communication path 630 is a flow path that communicates between the gas supply port 612 and the gas discharge hole 650.
  • the negative pressure communication path 430 and the gas communication path 630 are formed by cutting the ceramic layer 294.
  • FIG. 8 is an explanatory diagram showing the ceramic layer 294 viewed from the position corresponding to the arrow F8-F8 in FIG.
  • each of the negative pressure supply port 412, the suction hole 450, the gas supply port 612, and the gas discharge hole 650 is illustrated by a one-dot chain line at a position projected on the ceramic layer 294 along the Z-axis direction.
  • the negative pressure communication path 430 advances from the position corresponding to the negative pressure supply port 412 to the inner surface 221, and then branches into two toward the front end surface 222 and the front end surface 223, and six adsorptions It passes through a position corresponding to the hole 450.
  • the gas communication path 630 branches into two from the position corresponding to the gas supply port 612 toward the front end surface 222 and the front end surface 223, and then on the other hand, the outer side surface 224, the front end surface 222, and the inner side surface 226. And passes through positions corresponding to the six gas discharge holes 650 along the order of the outer surface 225, the front end surface 223, and the inner surface 227.
  • electric heating elements 572, 574, and 576 which are conductor patterns, are formed.
  • the electric heaters 572, 574, and 576 are formed by screen printing a conductive paste containing a conductive material on the ceramic layer 291.
  • FIG. 9 is an explanatory diagram showing the ceramic layer 292 viewed from the position corresponding to the arrow F9-F9 in FIG.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing the ceramic layer 291 viewed from the position corresponding to the arrow F10-F10 in FIG.
  • FIG. 11 is an explanatory view showing a cross section of the ceramic member 200 viewed from a position corresponding to the arrow F11-F11 in FIG.
  • the electric heating elements 572, 574, and 576 are hatched for easy understanding of the drawing.
  • the electric heating bodies 572 and 576 are first electric heating bodies arranged on the outer peripheral side of the ceramic layer 291, and the electric heating body 574 is located inside the electric heating bodies 572 and 576. It is the 2nd electric heating body arranged.
  • the heating elements 572 and 576 are formed of a conductive material having a resistance value higher than that of the heating element 574 so that the heating value per unit area of the heating elements 572 and 576 is larger than that of the heating element 574. It is configured.
  • the electric heating elements 572 and 576 may be configured so that the heating value per unit area of the electric heating elements 572 and 576 is larger than that of the electric heating element 574 by supplying a larger current to the electric heating elements 572 and 576. good.
  • the heating elements 572, 574, and 576 may be configured to have the same heat generation amount per unit area.
  • lands 532 and 536 which are conductor patterns, are formed between the ceramic layer 292 and the ceramic layer 293.
  • lands 532 and 536 are hatched for easy understanding of the drawing.
  • the power supply ports 512 and 516 are illustrated by dashed lines at positions projected onto the ceramic layer 292 along the Z-axis direction.
  • the lands 532 and 536 are illustrated by dashed lines at positions projected onto the ceramic layer 291 along the Z-axis direction.
  • a conductive paste containing a conductive material is screen-printed on the ceramic layer 292 to form lands 532 and 536.
  • the land 532 is a conductor configured to be able to receive power through the power supply port 512.
  • the land 532 is configured to be able to receive power through the power supply port 512 by being exposed to the inside of the cylindrical power supply port 512.
  • the land 536 is a conductor configured to receive power through the power supply port 516.
  • the land 536 is configured to be able to receive power through the power supply port 516 by being exposed to the inside of the cylindrical power supply port 516.
  • vias 552, 553, 554 and vias 556, 557, 558 are formed in the ceramic layer 292.
  • vias 552, 553, 554 and vias 556, 557, 558 are illustrated by broken lines.
  • the power supply ports 512, 516, lands 532, 536, vias 552, 553, 554, and vias 556, 557, 558 are set at positions projected onto the ceramic layer 291 along the Z-axis direction. This is illustrated with a chain line.
  • the via 552 is a conductor that penetrates the ceramic layer 292 and electrically connects the end of the electric heating element 572 on the + X axis direction side and the land 532.
  • the via 553 is a conductor that penetrates the ceramic layer 292 and electrically connects the end portion on the + X-axis direction side of the electric heating element 574 and the land 532.
  • the via 554 is a conductor that penetrates the ceramic layer 292 and electrically connects the end of the electric heating element 576 on the + X-axis direction side and the land 532.
  • the via 556 is a conductor that penetrates the ceramic layer 292 and electrically connects the end of the electric heating element 572 on the ⁇ X-axis direction side and the land 536.
  • the via 557 is a conductor that penetrates the ceramic layer 292 and electrically connects the end of the electric heating element 574 on the ⁇ X-axis direction side and the land 536.
  • the via 558 is a conductor that penetrates the ceramic layer 292 and electrically connects the end of the electric heating element 576 on the ⁇ X-axis direction side and the land 536.
  • FIG. 20 is an explanatory view showing a manufacturing process of the ceramic member 200.
  • a green sheet as a base of the ceramic layers 291 to 297 is prepared (process P110).
  • the green sheet is formed by mixing an insulating ceramic material powder with an organic binder, a plasticizer, a solvent, and the like into a sheet shape.
  • the green sheet is processed according to the configuration of each of the ceramic layers 291 to 297 (process P120). Specifically, after cutting each green sheet into a square, a guide hole suitable for alignment in a subsequent process (such as screen printing, cutting, and thermocompression bonding) is punched near the outer periphery of each green sheet. If necessary, conductive paste is screen-printed on the surface of the green sheet in accordance with the shapes of the adsorption electrodes 372, 374, 376, 378, lands 332, 336, electric heating elements 572, 574, 576, and lands 532, 536. .
  • via holes which are through holes are punched at positions where vias 352, 354, 356, 358 and vias 552, 553, 554, 556, 557, 558 are formed, and a conductor paste is formed in the via holes.
  • the hole is printed.
  • the through hole 218, the negative pressure communication path 430, the suction hole 450, the gas communication path 630, the gas discharge hole 650, and the like are cut into a green sheet as necessary.
  • a plurality of green sheets corresponding to each of the ceramic layers 291 to 297 are laminated, and the adjacent ceramic layers are joined by thermocompression bonding. (Process P125). Thereby, a green sheet laminate in which a plurality of green sheets is laminated is formed.
  • the green sheet laminate is cut into an outer shape suitable for firing in the subsequent process (process P130).
  • the green sheet laminate is degreased (process P140). Specifically, the green sheet laminate is degreased by exposing it to an air atmosphere at 250 ° C. for 10 hours.
  • the green sheet laminate After degreasing the green sheet laminate (process P140), the green sheet laminate is integrally fired. Specifically, the green sheet laminate is fired in a reducing atmosphere at 1400 to 1600 ° C. (step P150). As a result, alumina derived from the green sheet and tungsten derived from the conductive paste are simultaneously sintered to obtain a fired body in which the internal structure of the ceramic member 200 is formed.
  • the fired body obtained by firing is formed into a ceramic member 200 (process P160). Specifically, the outer shape of the fired body is polished and cut according to the ceramic member 200.
  • the opposing surfaces 231, 233, and 235 are formed by polishing cutting in the present embodiment, but may be formed by blasting in other embodiments.
  • the adsorption electrodes 372, 374, 376, and 378 are formed on the ceramic layer 297 that is the first ceramic layer to secure the adsorption force by electrostatic force, and then the second ceramic layer.
  • the vias 552, 553, 554, and 556 via the lands 532 and 536 formed on the ceramic layer 292 that is the third ceramic layer with respect to the electric heating elements 572, 574, and 576 formed on the ceramic layer 291 , 557, 558 to supply power.
  • the degree of freedom of the arrangement and shape of the electric heating elements 572, 574, and 576 on the ceramic layer 291 can be improved.
  • the temperature adjustment by the electric heaters 572, 574, and 576 can be effectively performed without hindering the adsorption force due to the electrostatic force, and as a result, the conveyance performance of the conveyance device 10 can be improved.
  • the electric heating elements 572, 574, and 576 are disposed closer to the bottom surface 216 than the opposing surfaces 231, 232, 233, 234, and 235, temperature unevenness on the opposing surfaces 231, 232, 233, 234, and 235 is suppressed, and the electric heating elements Temperature adjustment by 572,574,576 can be performed more effectively.
  • the outer heating elements 572 and 576 that are the first electric heaters are configured to generate a larger amount of heat per unit area than the inner heating elements 574 that are the second electric heaters, the outer periphery of the ceramic member 200 Temperature unevenness between the side and the inside can be suppressed, and temperature adjustment by the electric heating elements 572, 574, and 576 can be performed more effectively.
  • the adsorption electrodes 372, 374, 376, and 378 are formed on the ceramic layer 296, and the lands 332 and 336 that are configured to receive power through the power supply ports 312 and 316 are formed on the ceramic layer 295. Vias 352, 354, 356, and 358 that penetrate the ceramic layer 296 and electrically connect the adsorption electrodes 372, 374, 376, and 378 and the lands 332 and 336 were formed.
  • the suction electrodes 372, 374, 376, and 378 formed on the ceramic layer 296 are connected to the vias 352, 354, and 356 via the lands 332 and 336 formed on the ceramic layer 295.
  • the degree of freedom in the arrangement and shape of the adsorption electrodes 372, 374, 376, and 378 on the ceramic layer 296 can be improved.
  • the attracting electrodes 372, 374, 376, and 378 are arranged on the side (that is, the + Z axis direction side) that holds the transported body 90 relative to the lands 332 and 336, the side that holds the transported body 90 (that is, the opposite side) More charges are generated on the surfaces 231, 232, 233, 234, and 235 side, and the attractive force due to the electrostatic force can be further improved.
  • the opposing surfaces 232 and 234 that are the second opposing surfaces are positioned closer to the transported body 90 (that is, the + Z-axis direction side) than the opposing surfaces 231, 233, and 235 that are the first opposing surfaces, and Z Since the attracting electrodes 372, 374, 376, and 378 are arranged so that at least a part of the attracting electrodes 372, 374, 376, and 378 overlap with the facing surfaces 232 and 234 when viewed from the axial direction, the facing surface that is closer to the conveyed object 90 232 and 234 can generate a lot of electric charges and can further improve the attractive force due to electrostatic force.
  • the adsorption electrodes 372 and 374 that are the first electrodes and the adsorption electrodes 376 and 378 that are the second electrodes are configured to have different polar potentials, and the adsorption electrodes 372 and 374 and the adsorption electrodes 376 and 376 are arranged. Since each of 378 is disposed so as to substantially overlap the opposing surfaces 232 and 234 when viewed from the Z-axis direction, the balance between the positive charge and the negative charge generated in the ceramic member 200 and the transported body 90 is maintained. be able to.
  • the facing surface 234 surrounds the facing surface 235 in which the suction hole 450 is formed as viewed from the Z-axis direction, the suction force due to the negative pressure is exerted on the transported body 90 over the facing surface 235 surrounded by the facing surface 234. Can affect.
  • the gas communication passage 630 communicating with the gas supply port 612 is formed in the ceramic layer 294, and the gas discharge hole 650 penetrating from the gas communication passage 630 to the facing surface 233 is formed.
  • the heat transfer gas (processing gas) is discharged from the gas discharge hole 650 to the facing surface 233, and between the transported body 90 and the ceramic member 200 (in particular, the transported body 90 and By interposing a heat transfer gas in the gap between the opposing surfaces 232 and 234, heat transfer from the ceramic member 200 to the conveyed object 90 can be promoted. Therefore, temperature adjustment of the to-be-conveyed body 90 can be performed effectively while realizing an adsorption function using electrostatic force. As a result, the time required for adjusting the temperature of the transported object 90 can be shortened, and as a result, the transport performance of the transport device 10 can be improved.
  • Second embodiment In the description of the second embodiment, the same reference numerals as those in the first embodiment are used for the same configurations as in the first embodiment, and the configurations corresponding to the first embodiment are different from those in the first embodiment, although the shapes and arrangements are different. A code with an English letter “A” is used.
  • FIG. 12A is an explanatory view showing the upper surface of the ceramic member 200A in the second embodiment.
  • FIG. 12B is an explanatory diagram illustrating a partial cross section of a ceramic member 200A according to the second embodiment.
  • the ceramic member 200A of the second embodiment is the same as the ceramic member 200 of the first embodiment except that a gas discharge hole 650A is formed in the base end step surface 219A.
  • the base end step surface 219A of the second embodiment is a surface formed between the base end upper surface 215 and the facing surface 231 and corresponds to the base end step surface 219 of the first embodiment.
  • the gas discharge hole 650A of the second embodiment is a hole that is configured to communicate with the gas communication path 630A and discharge the processing gas.
  • the gas discharge hole 650A passes through the ceramic layers 295A and 296A from the gas communication path 630A along the Z-axis direction, and then extends from the inside of the ceramic layer 297A along the layer surface direction. It penetrates to the base end step surface 219A.
  • the gas discharge hole 650A penetrates the base end step surface 219A in the direction along the outer periphery of the facing surface 231.
  • the gas discharge hole 650A may penetrate the base end step surface 219A in a direction orthogonal to the outer periphery of the facing surface 231.
  • the gas release holes 650A are formed by cutting the ceramic layers 295A, 296A, and 297A.
  • the number of gas discharge holes 650A is four, but in other embodiments, it may be three or less, or may be five or more.
  • the temperature adjustment by the electric heaters 572, 574, and 576 can be effectively performed without hindering the adsorption force due to the electrostatic force.
  • the gas discharge hole 650A is formed in the base end step surface 219A, the temperature of the transported object 90 can be adjusted more effectively by discharging the processing gas from the base end step surface 219A in addition to the facing surface 233. Can do.
  • the gas discharge hole 650A passes through the base end step surface 219A in the direction along the outer periphery of the facing surface 231, the processing gas is discharged along the outer periphery of the transferred object 90, thereby The temperature can be adjusted more effectively.
  • the gas discharge hole 650A is disposed on the base end surface 211 side with respect to the facing surface 231, the temperature adjustment for the portion of the transported body 90 located on the base end surface 211 side can be performed more effectively.
  • FIG. 13A is an explanatory view showing the upper surface of the ceramic member 200B in the third embodiment.
  • FIG. 13B is an explanatory diagram illustrating a partial cross section of a ceramic member 200B according to the third embodiment.
  • the ceramic member 200B of the third embodiment is the same as the ceramic member 200 of the first embodiment except that the gas discharge holes 650B are formed in the tip step surfaces 248B and 249B.
  • the tip step surface 248B of the third embodiment is a surface formed between the tip top surface 242 and the facing surface 231 and corresponds to the tip step surface 248 of the first embodiment.
  • the tip step surface 249B of the third embodiment is a surface formed between the tip top surface 243 and the facing surface 231 and corresponds to the tip step surface 249 of the first embodiment.
  • the gas discharge hole 650B of the third embodiment is a hole that is configured to communicate with the gas communication path 630B and discharge the processing gas.
  • the gas discharge hole 650B passes through the ceramic layers 295B and 296B from the gas communication path 630B along the Z-axis direction, and then extends from the inside of the ceramic layer 297B along the layer surface direction. It penetrates to the tip step surfaces 248B and 249B.
  • the gas discharge hole 650B penetrates through the front end step surfaces 248B and 249B in the direction along the outer periphery of the facing surface 231.
  • the gas discharge hole 650B may penetrate the tip step surfaces 248B and 249B in a direction orthogonal to the outer periphery of the facing surface 231.
  • the gas release holes 650B are formed by cutting the ceramic layers 295B, 296B, and 297B.
  • the number of gas discharge holes 650B is two on each of the tip step surfaces 248B and 249B, but in other embodiments, one may be provided on each of the tip step surfaces 248B and 249B. There may be three or more of each.
  • the temperature adjustment by the electric heaters 572, 574, and 576 can be effectively performed without hindering the adsorptive power due to the electrostatic force.
  • the gas discharge holes 650B are formed in the front end step surfaces 248B and 249B, the process gas is discharged from the front end step surfaces 248B and 249B in addition to the facing surface 233, so that the temperature adjustment of the transported body 90 is more effectively performed. It can be carried out. Further, since the gas discharge hole 650B penetrates the tip step surfaces 248B and 249B in the direction along the outer periphery of the facing surface 231, the processing object 90 is discharged by discharging the processing gas along the outer periphery of the transported body 90.
  • the temperature can be adjusted more effectively.
  • the gas discharge hole 650B is disposed on the front end surfaces 222 and 223 side with respect to the facing surface 231, the temperature of the portion of the transported body 90 located on the front end surfaces 222 and 223 side can be more effectively adjusted.
  • FIG. 14 is an explanatory view showing a cross section of the ceramic member 200C in the fourth embodiment.
  • FIG. 14 shows a cross section of the ceramic member 200C viewed from the position corresponding to the arrow F4-F4 in FIG.
  • the ceramic member 200C of the fourth embodiment is the same as the ceramic member 200 of the first embodiment, except that the gas discharge holes 650C are formed on the outer side surfaces 224C and 225C and the inner side surfaces 226C and 227C.
  • the outer surface 224C of the fourth embodiment is a surface formed between the distal end surface 222 and the proximal end side surface 213, and corresponds to the outer surface 224 of the first embodiment.
  • the outer surface 225C of the fourth embodiment is a surface formed between the distal end surface 223 and the proximal end side surface 214, and corresponds to the outer surface 225 of the first embodiment.
  • the inner side surface 226C of the fourth embodiment is a surface formed between the front end surface 222 and the inner side surface 221, and corresponds to the inner side surface 226 of the first embodiment.
  • the inner surface 227C of the fourth embodiment is a surface formed between the front end surface 223 and the inner surface 221 and corresponds to the inner surface 227 of the first embodiment.
  • the gas discharge hole 650C of the fourth embodiment is a hole that is configured to communicate with the gas communication path 630C and to discharge the processing gas.
  • the gas discharge hole 650C penetrates from the gas communication path 630C to the outer side surfaces 224C and 225C and the inner side surfaces 226C and 227C along the layer surface direction.
  • the gas discharge holes 650C penetrate the outer surfaces 224C and 225C and the inner surfaces 226C and 227C, respectively, in directions orthogonal to the outer surfaces 224C and 225C and the inner surfaces 226C and 227C, respectively.
  • the gas discharge hole 650C may penetrate the outer side surfaces 224C and 225C and the inner side surfaces 226C and 227C in the direction along the outer shape of the transported body 90, respectively.
  • the gas discharge hole 650C is formed by cutting the ceramic layer 294C before the ceramic member 200C is integrally fired.
  • the number of gas discharge holes 650C is plural on each of the outer side surfaces 224C and 225C and the inner side surfaces 226C and 227C. However, in the other embodiments, the number may be one.
  • the temperature adjustment by the electric heating elements 572, 574, and 576 can be effectively performed without hindering the adsorption force due to the electrostatic force. Further, since the gas discharge holes 650C are formed in the outer surfaces 224C and 225C and the inner surfaces 226C and 227C, the processing gas is discharged from the outer surfaces 224C and 225C and the inner surfaces 226C and 227C in addition to the facing surface 233, thereby being transported. The temperature of the body 90 can be adjusted more effectively.
  • the gas discharge holes 650C are arranged on the outer side surfaces 224C and 225C and the inner side surfaces 226C and 227C, the temperature of the parts of the transported body 90 located near the outer side surfaces 224C and 225C and the inner side surfaces 226C and 227C is further adjusted. Can be done effectively.
  • the gas discharge holes 650C are formed on the outer surfaces 224C and 225C and the inner surfaces 226C and 227C. However, in other embodiments, the gas discharge holes 650C are formed only on the outer surfaces 224C and 225C. Alternatively, the gas discharge hole 650C may be formed only on the inner side surfaces 226C and 227C. In the fourth embodiment, the gas discharge hole 650C is not formed in the inner side surface 221, but in other embodiments, the gas discharge hole 650C may be formed in the inner side surface 221.
  • E. Fifth embodiment In the description of the fifth embodiment, the same reference numerals as in the first embodiment are used for the same configurations as in the first embodiment, and the configurations corresponding to the first embodiment are different from those in the first embodiment, although the shapes and arrangements are different. A code with an English letter “D” is used.
  • FIG. 15 is an explanatory view showing the upper surface of the ceramic member 200D in the fifth embodiment.
  • FIG. 16 is an explanatory view showing a cross section of the ceramic member 200D as seen from the arrow F16-F16 in FIG.
  • the ceramic member 200D of the fifth embodiment has a facing surface 231D formed in place of the facing surfaces 231, 232, 233 and the top end surfaces 242, 243, and the processing gas supplied from the processing gas supply unit 860 is transported. Except for the point that it is a cooling gas for cooling the body 90, it is the same as the ceramic member 200 of the first embodiment.
  • the facing surface 231D of the fifth embodiment has a shape obtained by cutting the facing surface 232 and the tip upper surfaces 242 and 243 in the first embodiment to the positions of the facing surfaces 231 and 233, and the facing surface 231 of the first embodiment.
  • the surface corresponding to 233 is included.
  • the facing surface 231D is located in the ⁇ Z-axis direction with respect to the facing surface 234, and surrounds the outer periphery of the facing surface 234.
  • the facing surface 231D is connected to each of the base end step surface 219, the tip end surfaces 222, 223, the outer side surfaces 224, 225, and the inner side surfaces 221, 226, 227.
  • gas discharge holes 650 are formed in the same arrangement as in the first embodiment.
  • the processing gas supply unit 860 of the fifth embodiment supplies a sufficiently cooled processing gas to the ceramic member 200D as a cooling gas.
  • the cooling gas supplied from the processing gas supply unit 860 may be a gas that does not damage and contaminate the transported body 90.
  • the cooling gas is nitrogen (N2), but in other embodiments, other inert gases such as argon (Ar) and carbon dioxide (CO2) may be used.
  • the temperature adjustment by the electric heaters 572, 574, and 576 can be effectively performed without hindering the adsorptive power due to the electrostatic force.
  • the to-be-conveyed body 90 can be cooled by discharging
  • the gas discharge hole 650A of the second embodiment, the gas discharge hole 650B of the third embodiment, and the gas discharge hole 650C of the fourth embodiment may be applied to the ceramic member 200D of the fifth embodiment. good. As a result, the temperature of the transported body 90 can be adjusted more effectively.
  • FIG. 17 is an explanatory view showing the upper surface of the ceramic member 200E in the sixth embodiment.
  • FIG. 18 is an explanatory view showing a cross section of the ceramic member 200E viewed from the arrow F18-F18 in FIG.
  • the ceramic member 200E of the sixth embodiment is provided with a configuration for releasing the processing gas, in that opposed surfaces 231E, 235E are formed instead of the opposed surfaces 231, 233, 234, 235 and the tip upper surfaces 242, 243. Except for this point, it is the same as the ceramic member 200 of the first embodiment.
  • the facing surface 231E of the sixth embodiment has a shape obtained by cutting the top end surfaces 242 and 243 of the first embodiment to the position of the facing surface 231, and includes a surface corresponding to the facing surface 231 of the first embodiment.
  • the facing surface 231E is located in the ⁇ Z-axis direction with respect to the facing surface 232, and surrounds the outer periphery of the facing surface 232.
  • the facing surface 231E is connected to each of the base end step surface 219, the tip end surfaces 222 and 223, the outer side surfaces 224 and 225, and the inner side surfaces 221, 226, and 227.
  • the opposed surface 235E of the sixth embodiment has a shape obtained by cutting the opposed surface 234 of the first embodiment to the position of the opposed surface 235, and includes surfaces corresponding to the opposed surfaces 233, 235 of the first embodiment.
  • the facing surface 235E is located in the ⁇ Z-axis direction with respect to the facing surface 232, and the outer periphery of the facing surface 235E is surrounded by the facing surface 232.
  • the suction holes 450 are formed in the same arrangement as in the first embodiment.
  • the temperature adjustment by the electric heating elements 572, 574, and 576 can be effectively performed without hindering the adsorption force due to the electrostatic force.
  • FIG. 23 is an explanatory view showing a cross section of the ceramic member 200G in the seventh embodiment.
  • the upper surface of the ceramic member 200G in the seventh embodiment is the same as the ceramic member 200E of the sixth embodiment shown in FIG.
  • FIG. 23 shows a cross section of the ceramic member 200G viewed from the position corresponding to the arrow F18-F18 in FIG.
  • the ceramic member 200G of the seventh embodiment is the same as that of the sixth embodiment except that the electric heating elements 572G and 576G are formed on the + Z-axis direction side of the negative pressure communication path 430G.
  • a negative pressure communication path 430G is formed in the ceramic layer 292G, and electric heating elements 572G and 576G are formed between the ceramic layer 292G and the ceramic layer 293G.
  • the temperature adjustment by the electric heating elements 572G and 576G can be effectively performed without hindering the adsorption force due to the electrostatic force. Further, it is possible to avoid heat insulation between the electric heating bodies 572G and 576G and the transported body 90 by the negative pressure communication path 430G, and it is possible to more effectively perform temperature adjustment by the electric heating bodies 572G and 576G.
  • the overall shape of the ceramic member is not limited to a substantially U-shaped plate shape, and may be various shapes such as a circle, a triangle, a quadrangle, and a polygon.
  • the shape, arrangement, number, and the like of each of the facing surface, the adsorption electrode, the negative pressure communication path, the adsorption hole, the electric heating element, the land, the via, the gas communication path, and the gas discharge hole are limited to the above-described embodiment. It may be changed as appropriate according to the embodiment.
  • the transport apparatus 10 is an apparatus that constitutes a part of a liquid crystal substrate manufacturing apparatus that manufactures a liquid crystal substrate using a glass substrate, and the transported body 90 may be the glass substrate.
  • the conveying apparatus 10 is an apparatus which comprises a part of plasma substrate manufacturing apparatus which manufactures a plasma substrate using a glass substrate, and the to-be-conveyed body 90 is good also as the glass substrate.
  • the conveying apparatus 10 is an apparatus which comprises a part of solar cell manufacturing apparatus which manufactures a solar cell substrate using an amorphous silicon wafer, and the to-be-conveyed body 90 is good also as the amorphous silicon wafer.
  • electric heating element 576 ... electric heating element 612 ... gas supply port 630, 630A, 630B, 630C ... gas communication path 650, 650A, 650B, 650C ... gas release Hole 710 ... Arm mechanism 720 ... Movement mechanism 830 ...
  • Adsorption electrode drive part 840 ... Negative pressure supply part 850 ... Electric heating element drive part 860 ... Process gas supply part

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Abstract

セラミック部材（２００）は、絶縁性を有し、一体焼成された複数のセラミック層と；第１のセラミック層（２９６）上に形成され、静電力によって誘電体を吸着可能に構成された電極である吸着電極（３７２，３７４，３７６，３７８）と；被搬送体を保持する側から第１のセラミック層（２９６）よりも離れた第２のセラミック層（２９１）上に形成され、電力に基づいて発熱する電熱体（５７２，５７４）と；セラミック部材（２００）の外部から電熱体（５７２，５７４）に対する電力の供給を受け付ける給電口（５１２）と；第３のセラミック層（２９２）上に形成され、給電口を通じて受電可能に構成された導体であるランド（５３２）と；複数のセラミック層の少なくとも１つを貫通して電熱体（５７２，５７４）とランド（５３２）との間を電気的に接続する導体であるビア（５５２，５５３）とを備える。

Description

搬送装置およびセラミック部材
　本発明は、搬送装置およびセラミック部材に関する。
　搬送装置において被搬送体を保持するセラミック部材は、ピックとも呼ばれ、複数のセラミック層を一体焼成してなるものや（例えば、特許文献１，２を参照）、誘電体である被搬送体（例えば、ウェハ）を静電力によって吸着可能に構成されたものが知られている（例えば、特許文献３を参照）。静電力によって被搬送体を吸着するセラミック部材の内部には、静電力を発生させるための電極である吸着電極が設けられている。その他のセラミック部材としては、被搬送体の温度を調整するために、複数の突起部を表面に配置し、電熱体を内部に設けたものも提案されている（例えば、特許文献４を参照）。
特開平４－３７０４７号公報 特開２００９－２０２２４０号公報 特開２０１１－７７２８８号公報 特開２０００－１１４３４３号公報
　従来、複数のセラミック層を一体焼成してなるセラミック部材の内部に吸着電極および電熱体の両方を設けることについて十分な検討がなされていなかった。例えば、電熱体の配置や形状によっては、電熱体に給電するための配線の取り回しが困難となり、電熱体の配置や形状が制限され、電熱体による温度調整を十分に行うことができなくなってしまうことが考えられる。また、電熱体の配置や形状を優先して、吸着電極の配置や形状を制限すると、静電力による吸着力を十分に確保できなくなってしまうことも考えられる。
　本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。
（１）本発明の一形態によれば、搬送装置において被搬送体を保持した状態で前記被搬送体と共に移動可能に構成されたセラミック部材が提供される。このセラミック部材は、絶縁性を有し、一体焼成された複数のセラミック層と；前記複数のセラミック層の内部であって前記複数のセラミック層のうちの第１のセラミック層上に形成され、静電力によって誘電体を吸着可能に構成された電極である吸着電極と；前記複数のセラミック層のうち前記被搬送体を保持する側から前記第１のセラミック層よりも離れた第２のセラミック層上に形成され、電力に基づいて発熱する電熱体と；前記セラミック部材の外部から前記電熱体に対する電力の供給を受け付ける給電口と；前記複数のセラミック層のうち前記第１のセラミック層および前記第２のセラミック層とは異なる第３のセラミック層上に形成され、前記給電口を通じて受電可能に構成された導体であるランドと；前記複数のセラミック層の少なくとも１つを貫通して前記電熱体と前記ランドとの間を電気的に接続する導体であるビアとを備える。この形態によれば、被搬送体を保持する側の第１のセラミック層上に吸着電極を形成して静電力による吸着力を確保した上で、第２のセラミック層上に形成した電熱体に対して、第３のセラミック層上に形成したランドを経由しビアを通じて給電するため、第２のセラミック層上における電熱体の配置や形状の自由度を向上させることができる。その結果、静電力による吸着力を阻害することなく、電熱体による温度調整を効果的に行うことができ、ひいては、搬送装置の搬送性能を向上させることができる。
（２）上記形態のセラミック部材において、さらに、前記複数のセラミック層の層面方向に沿った面であって前記被搬送体を保持した状態で前記被搬送体に対向する面である対向面と；前記層面方向に沿った面であって前記対向面とは反対側に位置する面である底面とを備え、前記電熱体は、前記対向面よりも前記底面寄りに位置しても良い。この形態によれば、対向面における温度ムラを抑制し、電熱体による温度調整を一層効果的に行うことができる。
（３）上記形態のセラミック部材において、前記複数のセラミック層の内部に形成され、前記複数のセラミック層の層面方向に沿った通路であって、負圧を供給可能に構成された負圧連通路を、さらに備え、前記電熱体は、前記負圧連通路よりも前記被搬送体を保持する側に位置しても良い。この形態によれば、電熱体と被搬送体との間が負圧連通路によって断熱されてしまうことを回避し、電熱体による温度調整を一層効果的に行うことができる。
（４）上記形態のセラミック部材において、前記電熱体は、前記第２のセラミック層の外周側に配置された第１電熱体と、前記第１電熱体よりも内側に配置された第２電熱体とを含み、前記第１電熱体の単位面積あたりの発熱量は、前記第２電熱体の単位面積あたりの発熱量よりも大きくても良い。この形態によれば、セラミック部材における外周側と内側との間の温度ムラを抑制し、電熱体による温度調整を一層効果的に行うことができる。
（５）本発明の一形態によれば、上記形態のセラミック部材を用いて前記被搬送体を搬送する搬送装置が提供される。この形態によれば、セラミック部材において、静電力による吸着力を阻害することなく、電熱体による温度調整を効果的に行うことができる。その結果、搬送装置の搬送性能を向上させることができる。
　本発明は、セラミック部材および搬送装置以外の種々の形態で実現することも可能である。例えば、搬送ピック、半導体製造装置、搬送方法、セラミック部材の製造方法などの形態で実現することができる。
搬送装置の構成を示す説明図である。 セラミック部材の上面を示す説明図である。 図２における矢視Ｆ３から見たセラミック部材の側面を示す説明図である。 図２における矢視Ｆ４－Ｆ４から見たセラミック部材の断面を示す説明図である。 図４の矢視Ｆ５－Ｆ５に対応する位置から見たセラミック層を示す説明図である。 図４の矢視Ｆ６－Ｆ６に対応する位置から見たセラミック層を示す説明図である。 図６の矢視Ｆ７－Ｆ７に対応する位置から見たセラミック部材の断面を示す説明図である。 図４の矢視Ｆ８－Ｆ８に対応する位置から見たセラミック層を示す説明図である。 図４の矢視Ｆ９－Ｆ９に対応する位置から見たセラミック層を示す説明図である。 図４の矢視Ｆ１０－Ｆ１０に対応する位置から見たセラミック層を示す説明図である。 図９の矢視Ｆ１１－Ｆ１１に対応する位置から見たセラミック部材の断面を示す説明図である。 第２実施形態におけるセラミック部材の上面を示す説明図である。 第２実施形態におけるセラミック部材の部分断面を示す説明図である。 第３実施形態におけるセラミック部材の上面を示す説明図である。 第３実施形態におけるセラミック部材の部分断面を示す説明図である。 第４実施形態におけるセラミック部材の断面を示す説明図である。 第５実施形態におけるセラミック部材の上面を示す説明図である。 図１５における矢視Ｆ１６－Ｆ１６から見たセラミック部材の断面を示す説明図である。 第６実施形態におけるセラミック部材の上面を示す説明図である。 図１７における矢視Ｆ１８－Ｆ１８から見たセラミック部材の断面を示す説明図である。 第７実施形態におけるセラミック部材の断面を示す説明図である。 セラミック部材の製造工程を示す説明図である。
Ａ．第１実施形態：
　図１は、搬送装置１０の構成を示す説明図である。搬送装置１０は、被搬送体９０を搬送する。本実施形態では、搬送装置１０は、半導体製造装置の一部を構成する装置であり、被搬送体９０は、円板状の誘電体であるシリコン製のウェハである。
　搬送装置１０は、制御部１００と、セラミック部材２００と、アーム機構７１０と、移動機構７２０と、吸着電極駆動部８３０と、負圧供給部８４０と、電熱体駆動部８５０と、処理ガス供給部８６０とを備える。
　搬送装置１０の制御部１００は、アーム機構７１０、移動機構７２０、吸着電極駆動部８３０、負圧供給部８４０、電熱体駆動部８５０、および処理ガス供給部８６０の各部の動作を制御する。本実施形態では、制御部１００の機能は、コンピュータプログラムに基づいてＣＰＵ（Central Processing Unit）が動作することによって実現される。他の実施形態において、制御部１００の機能は、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）がその回路構成に基づいて動作することによって実現されても良い。
　搬送装置１０のアーム機構７１０は、セラミック部材２００と移動機構７２０との間を連結する機構であり、セラミック部材２００を移動機構７２０に対して相対的に移動させ、搬送装置１０の外部に対する被搬送体９０の受け渡しを行う。搬送装置１０の移動機構７２０は、セラミック部材２００およびアーム機構７１０を搭載し、搬送装置１０の外部に対して相対的に移動可能に構成された機構であり、セラミック部材２００に保持された被搬送体９０の移動を行う。
　搬送装置１０のセラミック部材２００は、ピックとも呼ばれ、搬送装置１０において被搬送体９０を保持した状態で被搬送体９０と共に移動可能に構成されている。セラミック部材２００は、絶縁性セラミック材料を用いた複数のセラミック層を一体焼成してなる。セラミック部材２００の内部には、導電性材料を用いた導体パターンが形成されている。
　本実施形態では、セラミック部材２００に用いられる絶縁性セラミック材料の主成分は、酸化アルミニウム（アルミナ）（Ａｌ2Ｏ3）である。他の実施形態において、絶縁性セラミック材料の主成分は、酸化イットリア（Ｙ2Ｏ3）、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）、またはガラスセラミック（例えば、アルミナとホウケイ酸ガラスとの混合物）であっても良い。
　本実施形態では、セラミック部材２００に用いられる導電性材料の主成分は、タングステン（Ｗ）である。他の実施形態において、導電性材料の主成分は、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、銀（Ａｇ）、または銅（Ｃｕ）であっても良いし、これら導電性金属の合金や、導電性炭化ケイ素（ＳｉＣ）であっても良い。
　本実施形態では、セラミック部材２００は、吸着電極駆動部８３０から電力の供給を受けることによって、誘電体である被搬送体９０を静電力で吸着可能に構成されている。セラミック部材２００における静電吸着のための構成の詳細については後述する。
　本実施形態では、セラミック部材２００は、負圧供給部８４０から負圧（真空）の供給を受けることによって、被搬送体９０を負圧で吸着可能に構成されている。セラミック部材２００における負圧吸着のための構成の詳細については後述する。
　本実施形態では、セラミック部材２００は、電熱体駆動部８５０から電力の供給を受けることによって発熱可能に構成されている。セラミック部材２００における発熱するための構成の詳細については後述する。
　本実施形態では、セラミック部材２００は、処理ガス供給部８６０から処理ガスの供給を受けることによって、被搬送体９０に対して処理ガスを放出可能に構成されている。本実施形態では、処理ガス供給部８６０によってセラミック部材２００に供給される処理ガスは、セラミック部材２００の熱を被搬送体９０に伝達させるための熱伝達用ガス（例えば、ヘリウム（Ｈｅ））である。セラミック部材２００における処理ガスを放出するための構成の詳細については後述する。
　図２は、セラミック部材２００の上面を示す説明図である。図３は、図２における矢視Ｆ３から見たセラミック部材２００の側面を示す説明図である。図４は、図２における矢視Ｆ４－Ｆ４から見たセラミック部材２００の断面を示す説明図である。図２には、相互に直交するＸＹＺ軸を図示した。図２のＸＹＺ軸は、図３および図４を始めとする他の図におけるＸＹＺ軸に対応する。
　図２および図３に示すように、本実施形態では、セラミック部材２００は、略Ｕ字形の板状をなす。搬送装置１０におけるセラミック部材２００の使用状態において、セラミック部材２００におけるＵ字の横方向に沿った軸をＸ軸とし、Ｕ字の縦方向に沿った軸をＹ軸とし、重力方向に沿った軸をＺ軸とする。セラミック部材２００におけるＵ字の右側から左側に向かって＋Ｘ軸方向、その逆を－Ｘ軸方向とする。セラミック部材２００におけるＵ字の閉塞端から開放端に向かって＋Ｙ軸方向、その逆を－Ｙ軸方向とする。重力方向の下方から上方に向かって＋Ｚ軸方向、その逆を－Ｚ軸方向とする。本実施形態では、セラミック部材２００におけるＸ軸およびＹ軸に平行な面上に被搬送体９０が保持される。セラミック部材２００の厚さ方向は、Ｚ軸方向に対応する。
　図４に示すように、セラミック部材２００は、複数のセラミック層として、７層のセラミック層２９１，２９２，２９３，２９４，２９５，２９６，２９７を備える。これらのセラミック層は、底面２１６側から、セラミック層２９１、セラミック層２９２、セラミック層２９３、セラミック層２９４、セラミック層２９５、セラミック層２９６、セラミック層２９７の順に積層されている。これらのセラミック層の層面方向は、Ｘ軸およびＹ軸に平行な面に沿った方向である。セラミック部材２００におけるセラミック層の数は７層に限られるものではなく、他の実施形態では、６層以下であっても良いし、８層以上であっても良い。
　セラミック部材２００は、基端面２１１と、基端側面２１３，２１４と、基端上面２１５と、底面２１６と、貫通孔２１８と、基端段差面２１９と、先端面２２２，２２３と、外側面２２４，２２５と、内側面２２１，２２６，２２７と、対向面２３１，２３２，２３３，２３４，２３５と、先端上面２４２，２４３と、先端段差面２４８，２４９とを有する。
　セラミック部材２００の基端面２１１は、Ｘ軸およびＺ軸に平行であって－Ｙ軸方向を向いた面である。基端面２１１は、セラミック部材２００における－Ｙ軸方向の端に位置し、搬送装置１０に取り付けられる側の端である基端部を構成する。基端面２１１は、基端側面２１３，２１４、基端上面２１５、および底面２１６の各面に繋がる。
　セラミック部材２００の基端側面２１３は、－Ｘ軸方向および－Ｙ軸方向を向いたＺ軸に平行な面であり、基端面２１１と外側面２２４との間に形成されている。セラミック部材２００の基端側面２１４は、＋Ｘ軸方向および－Ｙ軸方向を向いたＺ軸に平行な面であり、基端面２１１と外側面２２５との間に形成されている。
　セラミック部材２００の基端上面２１５は、Ｘ軸およびＹ軸に平行であって＋Ｚ軸方向を向いた面である。基端上面２１５は、基端面２１１および基端側面２１３，２１４に繋がる。図３に示すように、基端上面２１５は、対向面２３１，２３２よりも＋Ｚ軸方向側に設けられている。基端上面２１５と対向面２３１との間には、基端段差面２１９が形成されている。本実施形態では、図２に示すように、基端上面２１５の＋Ｙ軸方向側、基端段差面２１９、および対向面２３１の－Ｙ軸方向側は、被搬送体９０の外形に沿った円弧状に形成されている。
　セラミック部材２００の底面２１６は、Ｘ軸およびＹ軸に平行であって－Ｚ軸方向を向いた面である。底面２１６は、セラミック部材２００の全体形状と同じ略Ｕ字形の面であり、基端面２１１、基端側面２１３，２１４、先端面２２２，２２３、外側面２２４，２２５、および内側面２２１，２２６，２２７の各面に繋がる。
　セラミック部材２００の貫通孔２１８は、基端上面２１５と底面２１６との間をＺ軸に沿って貫通する。本実施形態では、セラミック部材２００は、貫通孔２１８を用いてアーム機構７１０に取り付けられる。本実施形態では、貫通孔２１８の個数は２個であるが、他の実施形態では、３個以上であっても良い。
　セラミック部材２００の先端面２２２，２２３は、Ｚ軸に平行であって＋Ｙ軸方向に凸状の円弧面である。先端面２２２，２２３は、セラミック部材２００における＋Ｙ軸方向の端に位置し、基端面２１１との間に対向面２３１，２３２，２３４，２３４，２３５を配置した先端部を構成する。先端面２２２は、－Ｘ軸方向側に位置し、先端面２２３は、＋Ｘ軸方向側に位置する。先端面２２２は、底面２１６、外側面２２４、内側面２２６、対向面２３１、および先端上面２４２に繋がる。先端面２２３は、底面２１６、外側面２２５、内側面２２７、対向面２３１、および先端上面２４３に繋がる。
　セラミック部材２００の外側面２２４は、Ｙ軸およびＺ軸に平行であって－Ｘ軸方向を向いた面であり、先端面２２２と基端側面２１３との間に形成されている。セラミック部材２００の外側面２２５は、Ｙ軸およびＺ軸に平行であって＋Ｘ軸方向を向いた面であり、先端面２２３と基端側面２１４との間に形成されている。外側面２２４，２２５は、セラミック部材２００の外周を形成する外周部である。
　セラミック部材２００の内側面２２１は、Ｚ軸に平行であって＋Ｙ軸方向に対して凹状の円弧面であり、内側面２２６と内側面２２７との間に形成されている。セラミック部材２００の内側面２２６は、Ｙ軸およびＺ軸に平行であって＋Ｘ軸方向を向いた面であり、先端面２２２と内側面２２１との間に形成されている。セラミック部材２００の内側面２２７は、Ｙ軸およびＺ軸に平行であって－Ｘ軸方向を向いた面であり、先端面２２３と内側面２２１との間に形成されている。内側面２２１，２２６，２２７は、セラミック部材２００の外周を形成する外周部である。
　セラミック部材２００の対向面２３１，２３２，２３３，２３４，２３５は、Ｘ軸およびＹ軸に平行であって＋Ｚ軸方向を向いた面である。対向面２３１，２３２，２３３，２３４，２３５は、セラミック部材２００に被搬送体９０を保持した状態で被搬送体９０に対向する。図２では、図の理解を容易にするために、対向面２３２，２３４にハッチングを施した。
　対向面２３１，２３３，２３５は、対向面２３２，２３４よりも底面２１６側、すなわち、対向面２３２，２３４よりも－Ｚ軸方向側に、位置する第１の対向面である。対向面２３２，２３３は、対向面２３１，２３３，２３５よりも被搬送体９０側、すなわち、対向面２３１，２３３，２３４よりも＋Ｚ軸方向側に、位置する第２の対向面である。本実施形態では、セラミック部材２００の一体焼成後に、セラミック層２９７を切削することによって、対向面２３１，２３２，２３３，２３４，２３５を形成する。
　本実施形態では、図２に示すように、対向面２３５は、Ｚ軸方向から見て略Ｕ字形の平面である。対向面２３４は、対向面２３５よりも＋Ｚ軸方向に位置し、Ｚ軸方向から見て対向面２３５の外周を囲繞する平面である。対向面２３３は、対向面２３４よりも－Ｚ軸方向に位置し、Ｚ軸方向から見て対向面２３４の外周を囲繞する平面である。対向面２３２は、対向面２３３よりも＋Ｚ軸方向に位置し、Ｚ軸方向から見て対向面２３３の外周を囲繞する平面である。対向面２３１は、対向面２３２よりも－Ｚ軸方向に位置し、Ｚ軸方向から見て対向面２３２の外周を囲繞する平面である。本実施形態では、図４に示すように、対向面２３１，２３３，２３５のＺ軸方向の各位置は同じであり、対向面２３２，２３４のＺ軸方向の各位置は同じである。
　セラミック部材２００の先端上面２４２，２４３は、Ｘ軸およびＹ軸に平行であって＋Ｚ軸方向を向いた面である。先端上面２４２は、先端面２２２に繋がり、先端上面２４３は、先端面２２３に繋がる。図３に示すように、先端上面２４２，２４３は、対向面２３１，２３２よりも＋Ｚ軸方向側に設けられている。先端上面２４２と対向面２３１との間には先端段差面２４８が形成されており、先端上面２４３と対向面２３１との間には先端段差面２４９が形成されている。本実施形態では、図２に示すように、先端上面２４２，２４３の－Ｙ軸方向側、先端段差面２４８，２４９、および対向面２３１の＋Ｙ軸方向側は、被搬送体９０の外形に沿った円弧状に形成されている。
　図２および図４に示すように、セラミック部材２００の対向面２３５には、対向面２３５に負圧を提供することによって被搬送体９０を吸着可能に構成した孔である吸着孔４５０が形成されている。本実施形態では、セラミック部材２００の一体焼成前に、セラミック層２９５，２９６，２９７を切削することによって、吸着孔４５０を形成する。本実施形態では、吸着孔４５０の個数は６個であるが、他の実施形態では、５個以下であっても良いし、７個以上であっても良い。
　図２および図４に示すように、セラミック部材２００の対向面２３３には、処理ガスを放出可能に構成した孔であるガス放出孔６５０が形成されている。本実施形態では、セラミック部材２００の一体焼成前に、セラミック層２９５，２９６，２９７を切削することによって、ガス放出孔６５０を形成する。本実施形態では、ガス放出孔６５０の個数は１２個であるが、他の実施形態では、１１個以下であっても良いし、１３個以上であっても良い。
　図２および図３に示すように、セラミック部材２００は、給電口３１２，３１６と、負圧供給口４１２と、給電口５１２，５１６と、ガス供給口６１２とを備える。
　セラミック部材２００の給電口３１２，３１６は、相互に極性が反転した電位となる電力の供給を吸着電極駆動部８３０からそれぞれ受け付ける。本実施形態では、給電口３１２，３１６は、基端上面２１５から＋Ｚ軸方向に突出した円筒状の導電性金属端子をロウ付けして形成されており、吸着電極駆動部８３０に接続されたケーブルの端子（図示しない）を固定可能に構成されている。
　セラミック部材２００の負圧供給口４１２は、負圧供給部８４０から負圧の供給を受け付ける。本実施形態では、負圧供給口４１２は、基端上面２１５から＋Ｚ軸方向に突出した円筒状の導電性金属端子をロウ付けして形成されており、負圧供給部８４０に接続されたチューブの端部（図示しない）を固定可能に構成されている。
　セラミック部材２００の給電口５１２，５１６は、電熱体駆動部８５０から電力の供給を受け付け、一方が正極に対応し、他方が負極に対応する。本実施形態では、給電口５１２，５１６は、基端上面２１５から＋Ｚ軸方向に突出した円筒状の導電性金属端子をロウ付けして形成されており、電熱体駆動部８５０に接続されたケーブルの端子（図示しない）を固定可能に構成されている。
　セラミック部材２００のガス供給口６１２は、処理ガス供給部８６０から処理ガスの供給を受け付ける。本実施形態では、ガス供給口６１２は、基端上面２１５から＋Ｚ軸方向に突出した円筒状の導電性金属端子をロウ付けして形成されており、処理ガス供給部８６０に接続されたチューブの端部（図示しない）を固定可能に構成されている。
　図４に示すように、セラミック層２９６とセラミック層２９７との間には、導体パターンである吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８が形成されている。本実施形態では、セラミック層２９６にセラミック層２９７を積層する前に、導電性材料を含有する導電体ペーストをセラミック層２９６にスクリーン印刷することによって、吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８を形成する。本実施形態では、吸着電極３７２，３７４は、吸着電極３７６，３７８とは異なる極性の電位となるように構成した第１電極であり、吸着電極３７６，３７８は、吸着電極３７２，３７４とは異なる極性の電位となるように構成した第２電極である。
　図５は、図４の矢視Ｆ５－Ｆ５に対応する位置から見たセラミック層２９６を示す説明図である。図５には、吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８が形成されたセラミック層２９６を図示した。図５には、図の理解を容易にするために、吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８にハッチングを施した。図５に示すように、吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８は、吸着孔４５０およびガス放出孔６５０を避けて形成されている。
　図２、図４および図５に示すように、吸着電極３７２は、Ｚ軸方向から見て、対向面２３２の外側寄りに沿って重なり、吸着電極３７６は、Ｚ軸方向から見て、対向面２３２の内側寄りに沿って重なる。吸着電極３７２および吸着電極３７６の各々は、Ｚ軸方向から見て、対向面２３２に対して略均等に重なるように配置されている。
　図２、図４および図５に示すように、吸着電極３７４は、Ｚ軸方向から見て、対向面２３４の外側寄りに沿って重なり、吸着電極３７８は、Ｚ軸方向から見て、対向面２３４の内側寄りに沿って重なる。吸着電極３７４および吸着電極３７８の各々は、Ｚ軸方向から見て、対向面２３４に対して略均等に重なるように配置されている。
　図６は、図４の矢視Ｆ６－Ｆ６に対応する位置から見たセラミック層２９５を示す説明図である。図７は、図６の矢視Ｆ７－Ｆ７に対応する位置から見たセラミック部材２００の断面を示す説明図である。図６および図７に示すように、セラミック層２９５とセラミック層２９６との間には、導体パターンであるランド３３２，３３６が形成されている。図６には、図の理解を容易にするために、ランド３３２，３３６にハッチングを施した。図６には、給電口３１２，３１６を、Ｚ軸方向に沿ってセラミック層２９５上に投影した位置に一点鎖線で図示した。なお、図５には、ランド３３２，３３６を破線で図示した。
　本実施形態では、セラミック層２９５にセラミック層２９６を積層する前に、導電性材料を含有する導電体ペーストをセラミック層２９５にスクリーン印刷することによって、ランド３３２，３３６を形成する。
　ランド３３２は、給電口３１２を通じて受電可能に構成した導体である。本実施形態では、ランド３３２は、円筒状の給電口３１２の内部に露出することによって、給電口３１２を通じて受電可能に構成されている。
　ランド３３６は、給電口３１６を通じて受電可能に構成した導体である。本実施形態では、ランド３３６は、円筒状の給電口３１６の内部に露出することによって、給電口３１６を通じて受電可能に構成されている。
　図７に示すように、セラミック層２９６にはビア３５２，３５４が形成されており、同様に、セラミック層２９６にはビア３５６，３５８が形成されている。図５には、ビア３５２，３５４，３５６，３５８を破線で図示した。図６には、ビア３５２，３５４，３５６，３５８を、Ｚ軸方向に沿ってセラミック層２９５上に投影した位置に一点鎖線で図示した。
　本実施形態では、吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８をセラミック層２９６に形成する前に、セラミック層２９２に貫通孔を形成し、その貫通孔に導電性材料を含有する導電体ペーストを穴埋め印刷することによって、ビア３５２，３５４，３５６，３５８を形成する。
　ビア３５２は、セラミック層２９６を貫通してランド３３２と吸着電極３７２との間を電気的に接続する導体である。ビア３５４は、セラミック層２９６を貫通してランド３３２と吸着電極３７４との間を電気的に接続する導体である。
　ビア３５６は、セラミック層２９６を貫通してランド３３６と吸着電極３７６との間を電気的に接続する導体である。ビア３５８は、セラミック層２９６を貫通してランド３３６と吸着電極３７８との間を電気的に接続する導体である。
　図４に示すように、セラミック層２９４には、負圧連通路４３０およびガス連通路６３０が形成されている。負圧連通路４３０は、負圧供給口４１２と吸着孔４５０との間を連通する流路である。ガス連通路６３０は、ガス供給口６１２とガス放出孔６５０との間を連通する流路である。本実施形態では、セラミック層２９４にセラミック層２９５を積層する前に、セラミック層２９４を切削することによって、負圧連通路４３０およびガス連通路６３０を形成する。
　図８は、図４の矢視Ｆ８－Ｆ８に対応する位置から見たセラミック層２９４を示す説明図である。図８には、負圧供給口４１２、吸着孔４５０、ガス供給口６１２、およびガス放出孔６５０の各々を、Ｚ軸方向に沿ってセラミック層２９４上に投影した位置に一点鎖線で図示した。
　本実施形態では、負圧連通路４３０は、負圧供給口４１２に対応する位置から内側面２２１へと進んだ後、先端面２２２および先端面２２３に向けて２つに分岐して６個の吸着孔４５０に対応する位置を通る。本実施形態では、ガス連通路６３０は、ガス供給口６１２に対応する位置から先端面２２２および先端面２２３に向けて２つに分岐した後、一方で外側面２２４、先端面２２２、内側面２２６の順に沿って６個のガス放出孔６５０に対応する位置を通り、他方で外側面２２５、先端面２２３、内側面２２７の順に沿って６個のガス放出孔６５０に対応する位置を通る。
　図４に示すように、セラミック層２９１とセラミック層２９２との間には、導体パターンである電熱体５７２，５７４，５７６が形成されている。本実施形態では、セラミック層２９１にセラミック層２９２を積層する前に、導電性材料を含有する導電体ペーストをセラミック層２９１にスクリーン印刷することによって、電熱体５７２，５７４，５７６を形成する。
　図９は、図４の矢視Ｆ９－Ｆ９に対応する位置から見たセラミック層２９２を示す説明図である。図１０は、図４の矢視Ｆ１０－Ｆ１０に対応する位置から見たセラミック層２９１を示す説明図である。図１１は、図９の矢視Ｆ１１－Ｆ１１に対応する位置から見たセラミック部材２００の断面を示す説明図である。図１０では、図の理解を容易にするために、電熱体５７２，５７４，５７６にハッチングを施した。
　図１０に示すように、本実施形態では、電熱体５７２，５７６は、セラミック層２９１の外周側に配置された第１電熱体であり、電熱体５７４は、電熱体５７２，５７６よりも内側に配置された第２電熱体である。本実施形態では、電熱体５７２，５７６を電熱体５７４よりも抵抗値が高い導電性材料で形成することによって、電熱体５７２，５７６の単位面積あたりの発熱量が電熱体５７４よりも大きくなるように構成されている。他の実施形態では、電熱体５７２，５７６に電熱体５７４より大きな電流を供給することによって、電熱体５７２，５７６の単位面積あたりの発熱量が電熱体５７４よりも大きくなるように構成しても良い。また、他の実施形態では、電熱体５７２，５７４，５７６の単位面積あたりの発熱量が同じになるように構成しても良い。
　図９ないし図１１に示すように、セラミック層２９２とセラミック層２９３との間には、導体パターンであるランド５３２，５３６が形成されている。図９には、図の理解を容易にするために、ランド５３２，５３６にハッチングを施した。図９には、給電口５１２，５１６を、Ｚ軸方向に沿ってセラミック層２９２上に投影した位置に一点鎖線で図示した。図１０には、ランド５３２，５３６を、Ｚ軸方向に沿ってセラミック層２９１上に投影した位置に一点鎖線で図示した。
　本実施形態では、セラミック層２９２にセラミック層２９３を積層する前に、導電性材料を含有する導電体ペーストをセラミック層２９２にスクリーン印刷することによって、ランド５３２，５３６を形成する。
　ランド５３２は、給電口５１２を通じて受電可能に構成した導体である。本実施形態では、ランド５３２は、円筒状の給電口５１２の内部に露出することによって、給電口５１２を通じて受電可能に構成されている。
　ランド５３６は、給電口５１６を通じて受電可能に構成した導体である。本実施形態では、ランド５３６は、円筒状の給電口５１６の内部に露出することによって、給電口５１６を通じて受電可能に構成されている。
　図９および図１１に示すように、セラミック層２９２には、ビア５５２，５５３，５５４、およびビア５５６，５５７，５５８が形成されている。図９には、ビア５５２，５５３，５５４、およびビア５５６，５５７，５５８を破線で図示した。図１０には、給電口５１２，５１６、ランド５３２，５３６、ビア５５２，５５３，５５４、およびビア５５６，５５７，５５８の各々を、Ｚ軸方向に沿ってセラミック層２９１上に投影した位置に一点鎖線で図示した。
　本実施形態では、ランド３３２，３３６をセラミック層２９２に形成する前に、セラミック層２９２に貫通孔を形成し、その貫通孔に導電性材料を含有する導電体ペーストを穴埋め印刷することによって、ビア５５２，５５３，５５４、およびビア５５６，５５７，５５８を形成する。
　ビア５５２は、セラミック層２９２を貫通して、電熱体５７２における＋Ｘ軸方向側の端部と、ランド５３２との間を電気的に接続する導体である。ビア５５３は、セラミック層２９２を貫通して、電熱体５７４における＋Ｘ軸方向側の端部と、ランド５３２との間を電気的に接続する導体である。ビア５５４は、セラミック層２９２を貫通して、電熱体５７６における＋Ｘ軸方向側の端部と、ランド５３２との間を電気的に接続する導体である。
　ビア５５６は、セラミック層２９２を貫通して、電熱体５７２における－Ｘ軸方向側の端部と、ランド５３６との間を電気的に接続する導体である。ビア５５７は、セラミック層２９２を貫通して、電熱体５７４における－Ｘ軸方向側の端部と、ランド５３６との間を電気的に接続する導体である。ビア５５８は、セラミック層２９２を貫通して、電熱体５７６における－Ｘ軸方向側の端部と、ランド５３６との間を電気的に接続する導体である。
　図２０は、セラミック部材２００の製造工程を示す説明図である。セラミック部材２００を製造する際には、始めに、セラミック層２９１～２９７の元となるグリーンシートを用意する（工程Ｐ１１０）。グリーンシートは、絶縁性セラミック材料粉末に、有機バインダ、可塑剤、溶剤などを混合してシート状に成形したものである。
　グリーンシートを用意した後（工程Ｐ１１０）、セラミック層２９１～２９７の各々の構成に応じてグリーンシートを加工する（工程Ｐ１２０）。具体的には、各グリーンシートを正方形に切削加工した後、後工程（スクリーン印刷、切削加工および熱圧着など）における位置合わせに適したガイド孔を、各グリーンシートの外周付近にパンチング加工する。必要に応じて、吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８、ランド３３２，３３６、電熱体５７２，５７４，５７６、ランド５３２，５３６の各形状に合わせて導電体ペーストをグリーンシートの表面にスクリーン印刷する。必要に応じて、ビア３５２，３５４，３５６，３５８、ビア５５２，５５３，５５４，５５６，５５７，５５８を形成する位置に、貫通孔であるビア孔をパンチング加工し、そのビア孔に導電体ペーストを穴埋め印刷する。必要に応じて、貫通孔２１８、負圧連通路４３０、吸着孔４５０、ガス連通路６３０、ガス放出孔６５０などをグリーンシートに切削加工する。
　セラミック層２９１～２９７の各々に応じてグリーンシートを加工した後（工程Ｐ１２０）、セラミック層２９１～２９７の各々に応じた複数のグリーンシートを積層し、熱圧着により隣接するセラミック層同士を接合する（工程Ｐ１２５）。これによって、複数のグリーンシートを積層したグリーンシート積層体が形成される。
　グリーンシート積層体を形成した後（工程Ｐ１２５）、このグリーンシート積層体を、後工程の焼成に適した外形形状に切削加工する（工程Ｐ１３０）。
　グリーンシート積層体を切削加工した後（工程Ｐ１３０）、グリーンシート積層体を脱脂する（工程Ｐ１４０）。具体的には、グリーンシート積層体を２５０℃の大気雰囲気中に１０時間曝すことによって脱脂する。
　グリーンシート積層体を脱脂した後（工程Ｐ１４０）、グリーンシート積層体を一体焼成する。具体的には、１４００～１６００℃の還元雰囲気中にてグリーンシート積層体を焼成する（工程Ｐ１５０）。これによって、グリーンシートに由来するアルミナと、導電体ペーストに由来するタングステンとが同時焼結し、セラミック部材２００の内部構造が形成された焼成体を得る。
　焼成の後（工程Ｐ１５０）、焼成で得た焼成体をセラミック部材２００へと成形する（工程Ｐ１６０）。具体的には、セラミック部材２００に合わせて焼成体の外形形状を研磨切削加工する。対向面２３１，２３３，２３５については、本実施形態では、研磨切削加工で形成するが、他の実施形態では、ブラスト加工で形成しても良い。
　以上説明した第１実施形態では、第１のセラミック層であるセラミック層２９７上に吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８を形成して静電力による吸着力を確保した上で、第２のセラミック層であるセラミック層２９１上に形成した電熱体５７２，５７４，５７６に対して、第３のセラミック層であるセラミック層２９２上に形成したランド５３２，５３６を経由し、ビア５５２，５５３，５５４，５５６，５５７，５５８を通じて給電する。この第１実施形態によれば、セラミック層２９１上における電熱体５７２，５７４，５７６の配置や形状の自由度を向上させることができる。その結果、静電力による吸着力を阻害することなく、電熱体５７２，５７４，５７６による温度調整を効果的に行うことができ、ひいては、搬送装置１０の搬送性能を向上させることができる。
　また、電熱体５７２，５７４，５７６を対向面２３１，２３２，２３３，２３４，２３５よりも底面２１６寄りに配置したため、対向面２３１，２３２，２３３，２３４，２３５における温度ムラを抑制し、電熱体５７２，５７４，５７６による温度調整を一層効果的に行うことができる。
　また、第１電熱体である外周側の電熱体５７２，５７６を、第２電熱体である内側の電熱体５７４よりも単位面積あたりの発熱量が大きくなるように構成したため、セラミック部材２００における外周側と内側との間の温度ムラを抑制し、電熱体５７２，５７４，５７６による温度調整を一層効果的に行うことができる。
　また、第１実施形態では、セラミック層２９６上に吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８を形成し、セラミック層２９５上に給電口３１２，３１６を通じて受電可能に構成したランド３３２，３３６を形成し、セラミック層２９６を貫通して吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８とランド３３２，３３６との間を電気的に接続するビア３５２，３５４，３５６，３５８を形成した。この第１実施形態によれば、セラミック層２９６上に形成した吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８に対して、セラミック層２９５上に形成したランド３３２，３３６を経由し、ビア３５２，３５４，３５６，３５８を通じて給電するため、セラミック層２９６上における吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８の配置や形状の自由度を向上させることができる。その結果、静電力による吸着力を向上させることができ、ひいては、搬送装置１０の搬送性能を向上させることができる。
　また、吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８をランド３３２，３３６よりも被搬送体９０を保持する側（すなわち、＋Ｚ軸方向側）に配置したため、被搬送体９０を保持する側（すなわち、対向面２３１，２３２，２３３，２３４，２３５側）により多くの電荷を発生させ、静電力による吸着力を更に向上させることができる。
　また、第２の対向面である対向面２３２，２３４は、第１の対向面である対向面２３１，２３３，２３５よりも被搬送体９０側（すなわち、＋Ｚ軸方向側）に位置し、Ｚ軸方向から見て吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８の少なくとも一部が対向面２３２，２３４に重なるように、吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８を配置したため、被搬送体９０により近い対向面２３２，２３４により多くの電荷を発生させ、静電力による吸着力を更に向上させることができる。
　また、第１電極である吸着電極３７２，３７４と、第２電極である吸着電極３７６，３７８とを、相互に異なる極性の電位になるように構成し、吸着電極３７２，３７４および吸着電極３７６，３７８の各々を、Ｚ軸方向から見て対向面２３２，２３４に対して略均等に重なるように配置したため、セラミック部材２００および被搬送体９０にそれぞれ発生させる正電荷と負電荷との均衡を保つことができる。
　また、Ｚ軸方向から見て、吸着孔４５０を形成した対向面２３５を対向面２３４が取り囲むため、対向面２３４に囲まれた対向面２３５にわたって負圧による吸着力を被搬送体９０に対して及ぼすことができる。
　また、第１実施形態では、ガス供給口６１２に連通するガス連通路６３０をセラミック層２９４に形成し、ガス連通路６３０から対向面２３３へと貫通するガス放出孔６５０を形成した。この第１実施形態によれば、ガス放出孔６５０から対向面２３３へと熱伝達用ガス（処理ガス）を放出し、被搬送体９０とセラミック部材２００との間（特に、被搬送体９０と対向面２３２，２３４との隙間）に熱伝達用ガスを介在させることによって、セラミック部材２００から被搬送体９０に対する熱伝達を促進することができる。したがって、静電力による吸着機能を実現しながら、被搬送体９０の温度調整を効果的に行うことができる。その結果、被搬送体９０の温度調整に要する時間を短縮することができ、ひいては、搬送装置１０の搬送性能を向上させることができる。
Ｂ．第２実施形態：
　第２実施形態の説明では、第１実施形態と同様の構成については第１実施形態と同じ符号を用い、形状や配置などが異なるものの第１実施形態に対応する構成については第１実施形態の符号に英文字「Ａ」を付した符号を用いる。
　図１２Ａは、第２実施形態におけるセラミック部材２００Ａの上面を示す説明図である。図１２Ｂは、第２実施形態におけるセラミック部材２００Ａの部分断面を示す説明図である。第２実施形態のセラミック部材２００Ａは、基端段差面２１９Ａにガス放出孔６５０Ａを形成した点を除き、第１実施形態のセラミック部材２００と同様である。第２実施形態の基端段差面２１９Ａは、基端上面２１５と対向面２３１との間に形成された面であり、第１実施形態の基端段差面２１９に対応する。
　第２実施形態のガス放出孔６５０Ａは、ガス連通路６３０Ａに連通し、処理ガスを放出可能に構成した孔である。本実施形態では、図１２Ｂに示すように、ガス放出孔６５０Ａは、ガス連通路６３０Ａからセラミック層２９５Ａ，２９６ＡをＺ軸方向に沿って貫通した後、セラミック層２９７Ａの内部から層面方向に沿って基端段差面２１９Ａへと貫通する。
　本実施形態では、図１２Ａに示すように、ガス放出孔６５０Ａは、対向面２３１の外周に沿った方向に向けて基端段差面２１９Ａを貫通する。他の実施形態では、ガス放出孔６５０Ａは、対向面２３１の外周に直交する方向に向けて基端段差面２１９Ａを貫通しても良い。
　本実施形態では、セラミック部材２００Ａの一体焼成前に、セラミック層２９５Ａ，２９６Ａ，２９７Ａを切削することによって、ガス放出孔６５０Ａを形成する。本実施形態では、ガス放出孔６５０Ａの個数は４個であるが、他の実施形態では、３個以下であっても良いし、５個以上であっても良い。
　以上説明した第２実施形態によれば、第１実施形態と同様に、静電力による吸着力を阻害することなく、電熱体５７２，５７４，５７６による温度調整を効果的に行うことができる。また、基端段差面２１９Ａにガス放出孔６５０Ａを形成したため、対向面２３３に加えて基端段差面２１９Ａからも処理ガスを放出することによって被搬送体９０の温度調整を一層効果的に行うことができる。また、ガス放出孔６５０Ａが対向面２３１の外周に沿った方向に向けて基端段差面２１９Ａを貫通するため、被搬送体９０の外周に沿って処理ガスを放出することによって被搬送体９０の温度調整を一層効果的に行うことができる。また、ガス放出孔６５０Ａを対向面２３１よりも基端面２１１側に配置したため、基端面２１１側に位置する被搬送体９０の部位に対する温度調整を一層効果的に行うことができる。
Ｃ．第３実施形態：
　第３実施形態の説明では、第１実施形態と同様の構成については第１実施形態と同じ符号を用い、形状や配置などが異なるものの第１実施形態に対応する構成については第１実施形態の符号に英文字「Ｂ」を付した符号を用いる。
　図１３Ａは、第３実施形態におけるセラミック部材２００Ｂの上面を示す説明図である。図１３Ｂは、第３実施形態におけるセラミック部材２００Ｂの部分断面を示す説明図である。第３実施形態のセラミック部材２００Ｂは、先端段差面２４８Ｂ，２４９Ｂにガス放出孔６５０Ｂを形成した点を除き、第１実施形態のセラミック部材２００と同様である。
　第３実施形態の先端段差面２４８Ｂは、先端上面２４２と対向面２３１との間に形成された面であり、第１実施形態の先端段差面２４８に対応する。第３実施形態の先端段差面２４９Ｂは、先端上面２４３と対向面２３１との間に形成された面であり、第１実施形態の先端段差面２４９に対応する。
　第３実施形態のガス放出孔６５０Ｂは、ガス連通路６３０Ｂに連通し、処理ガスを放出可能に構成した孔である。本実施形態では、図１３Ｂに示すように、ガス放出孔６５０Ｂは、ガス連通路６３０Ｂからセラミック層２９５Ｂ，２９６ＢをＺ軸方向に沿って貫通した後、セラミック層２９７Ｂの内部から層面方向に沿って先端段差面２４８Ｂ，２４９Ｂへと貫通する。
　本実施形態では、図１３Ａに示すように、ガス放出孔６５０Ｂは、対向面２３１の外周に沿った方向に向けて先端段差面２４８Ｂ，２４９Ｂを貫通する。他の実施形態では、ガス放出孔６５０Ｂは、対向面２３１の外周に直交する方向に向けて先端段差面２４８Ｂ，２４９Ｂを貫通しても良い。
　本実施形態では、セラミック部材２００Ｂの一体焼成前に、セラミック層２９５Ｂ，２９６Ｂ，２９７Ｂを切削することによって、ガス放出孔６５０Ｂを形成する。本実施形態では、ガス放出孔６５０Ｂの個数は、先端段差面２４８Ｂ，２４９Ｂにそれぞれ２個であるが、他の実施形態では、先端段差面２４８Ｂ，２４９Ｂにそれぞれ１個であっても良いし、それぞれ３個以上であっても良い。
　以上説明した第３実施形態によれば、第１実施形態と同様に、静電力による吸着力を阻害することなく、電熱体５７２，５７４，５７６による温度調整を効果的に行うことができる。また、先端段差面２４８Ｂ，２４９Ｂにガス放出孔６５０Ｂを形成したため、対向面２３３に加えて先端段差面２４８Ｂ，２４９Ｂからも処理ガスを放出することによって被搬送体９０の温度調整を一層効果的に行うことができる。また、ガス放出孔６５０Ｂが対向面２３１の外周に沿った方向に向けて先端段差面２４８Ｂ，２４９Ｂを貫通するため、被搬送体９０の外周に沿って処理ガスを放出することによって被搬送体９０の温度調整を一層効果的に行うことができる。また、ガス放出孔６５０Ｂを対向面２３１よりも先端面２２２，２２３側に配置したため、先端面２２２，２２３側に位置する被搬送体９０の部位に対する温度調整を一層効果的に行うことができる。
Ｄ．第４実施形態：
　第４実施形態の説明では、第１実施形態と同様の構成については第１実施形態と同じ符号を用い、形状や配置などが異なるものの第１実施形態に対応する構成については第１実施形態の符号に英文字「Ｃ」を付した符号を用いる。
　図１４は、第４実施形態におけるセラミック部材２００Ｃの断面を示す説明図である。図１４には、図２における矢視Ｆ４－Ｆ４に対応する位置から見たセラミック部材２００Ｃの断面を図示した。第４実施形態のセラミック部材２００Ｃは、外側面２２４Ｃ，２２５Ｃおよび内側面２２６Ｃ，２２７Ｃにガス放出孔６５０Ｃを形成した点を除き、第１実施形態のセラミック部材２００と同様である。
　第４実施形態の外側面２２４Ｃは、先端面２２２と基端側面２１３との間に形成された面であり、第１実施形態の外側面２２４に対応する。第４実施形態の外側面２２５Ｃは、先端面２２３と基端側面２１４との間に形成された面であり、第１実施形態の外側面２２５に対応する。
　第４実施形態の内側面２２６Ｃは、先端面２２２と内側面２２１との間に形成された面であり、第１実施形態の内側面２２６に対応する。第４実施形態の内側面２２７Ｃは、先端面２２３と内側面２２１との間に形成された面であり、第１実施形態の内側面２２７に対応する。
　第４実施形態のガス放出孔６５０Ｃは、ガス連通路６３０Ｃに連通し、処理ガスを放出可能に構成した孔である。本実施形態では、図１４に示すように、ガス放出孔６５０Ｃは、ガス連通路６３０Ｃから層面方向に沿って外側面２２４Ｃ，２２５Ｃおよび内側面２２６Ｃ，２２７Ｃへとそれぞれ貫通する。
　本実施形態では、ガス放出孔６５０Ｃは、外側面２２４Ｃ，２２５Ｃおよび内側面２２６Ｃ，２２７Ｃにそれぞれ直交する方向に向けて外側面２２４Ｃ，２２５Ｃおよび内側面２２６Ｃ，２２７Ｃをそれぞれ貫通する。他の実施形態では、ガス放出孔６５０Ｃは、被搬送体９０の外形に沿った方向に向けて外側面２２４Ｃ，２２５Ｃおよび内側面２２６Ｃ，２２７Ｃをそれぞれ貫通しても良い。
　本実施形態では、セラミック部材２００Ｃの一体焼成前に、セラミック層２９４Ｃを切削することによって、ガス放出孔６５０Ｃを形成する。本実施形態では、ガス放出孔６５０Ｃの個数は、外側面２２４Ｃ，２２５Ｃおよび内側面２２６Ｃ，２２７Ｃにそれぞれ複数であるが、他の実施形態では、それぞれ１個であっても良い。
　以上説明した第４実施形態によれば、第１実施形態と同様に、静電力による吸着力を阻害することなく、電熱体５７２，５７４，５７６による温度調整を効果的に行うことができる。また、外側面２２４Ｃ，２２５Ｃおよび内側面２２６Ｃ，２２７Ｃにガス放出孔６５０Ｃを形成したため、対向面２３３に加えて外側面２２４Ｃ，２２５Ｃおよび内側面２２６Ｃ，２２７Ｃからも処理ガスを放出することによって被搬送体９０の温度調整を一層効果的に行うことができる。また、ガス放出孔６５０Ｃを外側面２２４Ｃ，２２５Ｃおよび内側面２２６Ｃ，２２７Ｃに配置したため、外側面２２４Ｃ，２２５Ｃおよび内側面２２６Ｃ，２２７Ｃの各近傍に位置する被搬送体９０の部位に対する温度調整を一層効果的に行うことができる。
　なお、第４実施形態では、外側面２２４Ｃ，２２５Ｃおよび内側面２２６Ｃ，２２７Ｃにガス放出孔６５０Ｃを形成したが、他の実施形態では、外側面２２４Ｃ，２２５Ｃのみにガス放出孔６５０Ｃを形成しても良いし、内側面２２６Ｃ，２２７Ｃのみにガス放出孔６５０Ｃを形成しても良い。また、第４実施形態では、内側面２２１にはガス放出孔６５０Ｃを形成していないが、他の実施形態では、内側面２２１にガス放出孔６５０Ｃを形成しても良い。
Ｅ．第５実施形態：
　第５実施形態の説明では、第１実施形態と同様の構成については第１実施形態と同じ符号を用い、形状や配置などが異なるものの第１実施形態に対応する構成については第１実施形態の符号に英文字「Ｄ」を付した符号を用いる。
　図１５は、第５実施形態におけるセラミック部材２００Ｄの上面を示す説明図である。図１６は、図１５における矢視Ｆ１６－Ｆ１６から見たセラミック部材２００Ｄの断面を示す説明図である。第５実施形態のセラミック部材２００Ｄは、対向面２３１，２３２，２３３および先端上面２４２，２４３に代えて対向面２３１Ｄが形成されている点、処理ガス供給部８６０から供給される処理ガスが被搬送体９０を冷却するための冷却ガスである点を除き、第１実施形態のセラミック部材２００と同様である。
　第５実施形態の対向面２３１Ｄは、第１実施形態における対向面２３２および先端上面２４２，２４３を対向面２３１，２３３の位置にまで切削した形状を有し、第１実施形態の対向面２３１，２３３に対応する面を含む。対向面２３１Ｄは、対向面２３４よりも－Ｚ軸方向に位置し、対向面２３４の外周を囲繞する。対向面２３１Ｄは、基端段差面２１９、先端面２２２，２２３、外側面２２４，２２５、および内側面２２１，２２６，２２７の各面に繋がる。対向面２３１Ｄには、ガス放出孔６５０が第１実施形態と同様の配置で形成されている。
　第５実施形態の処理ガス供給部８６０は、十分に冷却された処理ガスを冷却ガスとしてセラミック部材２００Ｄに供給する。処理ガス供給部８６０から供給される冷却ガスは、被搬送体９０を損傷および汚染することのない気体であれば良い。本実施形態では、冷却ガスは、窒素（Ｎ2）であるが、他の実施形態では、アルゴン（Ａｒ）、二酸化炭素（ＣＯ2）などの他の不活性ガスであっても良い。
　以上説明した第５実施形態によれば、第１実施形態と同様に、静電力による吸着力を阻害することなく、電熱体５７２，５７４，５７６による温度調整を効果的に行うことができる。また、ガス放出孔６５０から対向面２３１Ｄへと冷却ガス（処理ガス）を放出することによって、被搬送体９０を冷却することができる。したがって、静電力による吸着機能を実現しながら、被搬送体９０の温度調整を効果的に行うことができる。その結果、被搬送体９０の温度調整に要する時間を短縮することができ、ひいては、搬送装置１０の搬送性能を向上させることができる。
　なお、第２実施形態のガス放出孔６５０Ａ、第３実施形態のガス放出孔６５０Ｂ、第４実施形態のガス放出孔６５０Ｃの少なくとも一つを、第５実施形態のセラミック部材２００Ｄに適用しても良い。これによって、被搬送体９０の温度調整を一層効果的に行うことができる。
Ｆ．第６実施形態：
　第６実施形態の説明では、第１実施形態と同様の構成については第１実施形態と同じ符号を用い、形状や配置などが異なるものの第１実施形態に対応する構成については第１実施形態の符号に英文字「Ｅ」を付した符号を用いる。
　図１７は、第６実施形態におけるセラミック部材２００Ｅの上面を示す説明図である。図１８は、図１７における矢視Ｆ１８－Ｆ１８から見たセラミック部材２００Ｅの断面を示す説明図である。第６実施形態のセラミック部材２００Ｅは、対向面２３１，２３３，２３４，２３５および先端上面２４２，２４３に代えて対向面２３１Ｅ，２３５Ｅが形成されている点、処理ガスを放出するための構成を備えていない点を除き、第１実施形態のセラミック部材２００と同様である。
　第６実施形態の対向面２３１Ｅは、第１実施形態における先端上面２４２，２４３を対向面２３１の位置にまで切削した形状を有し、第１実施形態の対向面２３１に対応する面を含む。対向面２３１Ｅは、対向面２３２よりも－Ｚ軸方向に位置し、対向面２３２の外周を囲繞する。対向面２３１Ｅは、基端段差面２１９、先端面２２２，２２３、外側面２２４，２２５、および内側面２２１，２２６，２２７の各面に繋がる。
　第６実施形態の対向面２３５Ｅは、第１実施形態における対向面２３４を対向面２３５の位置にまで切削した形状を有し、第１実施形態の対向面２３３，２３５に対応する面を含む。対向面２３５Ｅは、対向面２３２よりも－Ｚ軸方向に位置し、対向面２３５Ｅの外周は、対向面２３２に囲まれている。対向面２３５Ｅには、吸着孔４５０が第１実施形態と同様の配置で形成されている。
　以上説明した第６実施形態によれば、第１実施形態と同様に、静電力による吸着力を阻害することなく、電熱体５７２，５７４，５７６による温度調整を効果的に行うことができる。
Ｇ．第７実施形態：
　第７実施形態の説明では、第１実施形態と同様の構成については第１実施形態と同じ符号を用い、形状や配置などが異なるものの第１実施形態に対応する構成については第１実施形態の符号に英文字「Ｇ」を付した符号を用いる。
　図２３は、第７実施形態におけるセラミック部材２００Ｇの断面を示す説明図である。第７実施形態におけるセラミック部材２００Ｇの上面は、図１７に示した第６実施形態のセラミック部材２００Ｅと同様である。図２３には、図１７における矢視Ｆ１８－Ｆ１８に対応する位置から見たセラミック部材２００Ｇの断面を図示した。
　第７実施形態のセラミック部材２００Ｇは、負圧連通路４３０Ｇよりも＋Ｚ軸方向側に電熱体５７２Ｇ，５７６Ｇを形成した点を除き、第６実施形態と同様である。第７実施形態では、セラミック層２９２Ｇに負圧連通路４３０Ｇが形成されており、セラミック層２９２Ｇとセラミック層２９３Ｇとの間に電熱体５７２Ｇ，５７６Ｇが形成されている。
　以上説明した第７実施形態によれば、第１実施形態と同様に、静電力による吸着力を阻害することなく、電熱体５７２Ｇ，５７６Ｇによる温度調整を効果的に行うことができる。また、電熱体５７２Ｇ，５７６Ｇと被搬送体９０との間が負圧連通路４３０Ｇによって断熱されてしまうことを回避し、電熱体５７２Ｇ，５７６Ｇによる温度調整を一層効果的に行うことができる。
Ｈ．他の実施形態：
　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこうした実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な形態で実施し得ることは勿論である。
　例えば、セラミック部材の全体形状は、略Ｕ字形の板状に限るものではなく、円形、三角形、四角形、多角形など種々の形状であっても良い。また、対抗面、吸着電極、負圧連通路、吸着孔、電熱体、ランド、ビア、ガス連通路、およびガス放出孔の各々についての形状、配置、個数などは、上述した実施形態に限定されるものではなく、実施態様に応じて適宜変更しても良い。
　また、搬送装置１０は、ガラス基板を用いて液晶基板を製造する液晶基板製造装置の一部を構成する装置であり、被搬送体９０は、そのガラス基板であるとしても良い。また、搬送装置１０は、ガラス基板を用いてプラズマ基板を製造するプラズマ基板製造装置の一部を構成する装置であり、被搬送体９０は、そのガラス基板であるとしても良い。また、搬送装置１０は、アモルファスシリコンウェハを用いて太陽電池基板を製造する太陽電池製造装置の一部を構成する装置であり、被搬送体９０は、そのアモルファスシリコンウェハであるとしても良い。
　　１０…搬送装置
　　９０…被搬送体
　　１００…制御部
　　２００，２００Ａ～２００Ｅ，２００Ｇ…セラミック部材
　　２１１…基端面
　　２１３…基端側面
　　２１４…基端側面
　　２１５…基端上面
　　２１６…底面
　　２１８…貫通孔
　　２１９，２１９Ａ…基端段差面
　　２２１…内側面
　　２２２…先端面
　　２２３…先端面
　　２２４，２２４Ｃ…外側面
　　２２５，２２５Ｃ…外側面
　　２２６，２２６Ｃ…内側面
　　２２７，２２７Ｃ…内側面
　　２３１，２３１Ｄ，２３１Ｅ…対向面
　　２３２…対向面
　　２３３…対向面
　　２３４…対向面
　　２３５，２３５Ｅ…対向面
　　２４２…先端上面
　　２４３…先端上面
　　２４８，２４８Ｂ…先端段差面
　　２４９，２４９Ｂ…先端段差面
　　２９１～２９７…セラミック層
　　３１２…給電口
　　３１６…給電口
　　３３２，３３６…ランド
　　３５２，３５４，３５６，３５８…ビア
　　３７２，３７４，３７６，３７８…吸着電極
　　４１２…負圧供給口
　　４３０，４３０Ｇ…負圧連通路
　　４５０…吸着孔
　　５１２…給電口
　　５１６…給電口
　　５３２，５３６…ランド
　　５５２，５５３，５５４，５５６，５５７，５５８…ビア
　　５７２，５７２Ｇ…電熱体
　　５７４…電熱体
　　５７６…電熱体
　　６１２…ガス供給口
　　６３０，６３０Ａ，６３０Ｂ，６３０Ｃ…ガス連通路
　　６５０，６５０Ａ，６５０Ｂ，６５０Ｃ…ガス放出孔
　　７１０…アーム機構
　　７２０…移動機構
　　８３０…吸着電極駆動部
　　８４０…負圧供給部
　　８５０…電熱体駆動部
　　８６０…処理ガス供給部

Claims (5)

  1. 　搬送装置において被搬送体を保持した状態で前記被搬送体と共に移動可能に構成されたセラミック部材であって、
    　絶縁性を有し、一体焼成された複数のセラミック層と、
    　前記複数のセラミック層の内部であって前記複数のセラミック層のうちの第１のセラミック層上に形成され、静電力によって誘電体を吸着可能に構成された電極である吸着電極と、
    　前記複数のセラミック層のうち前記被搬送体を保持する側から前記第１のセラミック層よりも離れた第２のセラミック層上に形成され、電力に基づいて発熱する電熱体と、
    　前記セラミック部材の外部から前記電熱体に対する電力の供給を受け付ける給電口と、
    　前記複数のセラミック層のうち前記第１のセラミック層および前記第２のセラミック層とは異なる第３のセラミック層上に形成され、前記給電口を通じて受電可能に構成された導体であるランドと、
    　前記複数のセラミック層の少なくとも１つを貫通して前記電熱体と前記ランドとの間を電気的に接続する導体であるビアと
    　を備えるセラミック部材。
  2. 　請求項１に記載のセラミック部材であって、さらに、
    　前記複数のセラミック層の層面方向に沿った面であって前記被搬送体を保持した状態で前記被搬送体に対向する面である対向面と、
    　前記層面方向に沿った面であって前記対向面とは反対側に位置する面である底面と
    　を備え、
    　前記電熱体は、前記対向面よりも前記底面寄りに位置する、セラミック部材。
  3. 　請求項１または請求項２に記載のセラミック部材であって、
    　前記複数のセラミック層の内部に形成され、前記複数のセラミック層の層面方向に沿った通路であって、負圧を供給可能に構成された負圧連通路を、さらに備え、
    　前記電熱体は、前記負圧連通路よりも前記被搬送体を保持する側に位置する、セラミック部材。
  4. 　請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載のセラミック部材であって、
    　前記電熱体は、
    　　前記第２のセラミック層の外周側に配置された第１電熱体と、
    　　前記第１電熱体よりも内側に配置された第２電熱体と
    　を含み、
    　前記第１電熱体の単位面積あたりの発熱量は、前記第２電熱体の単位面積あたりの発熱量よりも大きい、セラミック部材。
  5. 　請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載のセラミック部材を用いて前記被搬送体を搬送する搬送装置。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11437257B2 (en) * 2019-05-08 2022-09-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Robot hand, wafer transfer robot, and wafer transfer apparatus

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003142564A (ja) * 2001-11-08 2003-05-16 Ngk Insulators Ltd 支持装置
JP2005197391A (ja) * 2004-01-06 2005-07-21 Ibiden Co Ltd プラズマ発生装置用電極埋設部材
JP2007053405A (ja) * 2006-11-06 2007-03-01 Canon Inc 基板吸着装置
JP2011049425A (ja) * 2009-08-28 2011-03-10 Ngk Spark Plug Co Ltd 半導体製造装置用部品
JP2011077288A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Tokyo Electron Ltd 搬送装置
JP2011082405A (ja) * 2009-10-09 2011-04-21 Ngk Spark Plug Co Ltd 半導体製造装置用部品

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3193034B2 (ja) 1990-05-31 2001-07-30 京セラ株式会社 真空ピンセット
US5595241A (en) * 1994-10-07 1997-01-21 Sony Corporation Wafer heating chuck with dual zone backplane heating and segmented clamping member
JP2000114343A (ja) 1998-10-08 2000-04-21 Hitachi Ltd 基板処理方法および基板搬送装置
US6471913B1 (en) * 2000-02-09 2002-10-29 Semitool, Inc. Method and apparatus for processing a microelectronic workpiece including an apparatus and method for executing a processing step at an elevated temperature
KR20040070008A (ko) * 2003-01-29 2004-08-06 쿄세라 코포레이션 정전척
JP5202028B2 (ja) 2008-02-26 2013-06-05 京セラ株式会社 真空ピンセットおよびこれを用いた基板搬送装置ならびに基板処理装置
US8637794B2 (en) * 2009-10-21 2014-01-28 Lam Research Corporation Heating plate with planar heating zones for semiconductor processing

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003142564A (ja) * 2001-11-08 2003-05-16 Ngk Insulators Ltd 支持装置
JP2005197391A (ja) * 2004-01-06 2005-07-21 Ibiden Co Ltd プラズマ発生装置用電極埋設部材
JP2007053405A (ja) * 2006-11-06 2007-03-01 Canon Inc 基板吸着装置
JP2011049425A (ja) * 2009-08-28 2011-03-10 Ngk Spark Plug Co Ltd 半導体製造装置用部品
JP2011077288A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Tokyo Electron Ltd 搬送装置
JP2011082405A (ja) * 2009-10-09 2011-04-21 Ngk Spark Plug Co Ltd 半導体製造装置用部品

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