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WO2010016511A1 - 有機薄膜トランジスタ用化合物及びそれを用いた有機薄膜トランジスタ - Google Patents

有機薄膜トランジスタ用化合物及びそれを用いた有機薄膜トランジスタ Download PDF

Info

Publication number
WO2010016511A1
WO2010016511A1 PCT/JP2009/063846 JP2009063846W WO2010016511A1 WO 2010016511 A1 WO2010016511 A1 WO 2010016511A1 JP 2009063846 W JP2009063846 W JP 2009063846W WO 2010016511 A1 WO2010016511 A1 WO 2010016511A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
group
carbon atoms
organic thin
thin film
film transistor
Prior art date
Application number
PCT/JP2009/063846
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
裕基 中野
雅俊 齊藤
浩昭 中村
Original Assignee
出光興産株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 出光興産株式会社 filed Critical 出光興産株式会社
Priority to CN200980139877.6A priority Critical patent/CN102177598B/zh
Priority to JP2010523873A priority patent/JPWO2010016511A1/ja
Priority to US13/057,820 priority patent/US8575599B2/en
Publication of WO2010016511A1 publication Critical patent/WO2010016511A1/ja

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C15/00—Cyclic hydrocarbons containing only six-membered aromatic rings as cyclic parts
    • C07C15/20—Polycyclic condensed hydrocarbons
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C43/00—Ethers; Compounds having groups, groups or groups
    • C07C43/02—Ethers
    • C07C43/20—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C07C43/205—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring the aromatic ring being a non-condensed ring
    • C07C43/2055—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring the aromatic ring being a non-condensed ring containing more than one ether bond
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
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    • H10K10/40—Organic transistors
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    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
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    • H10K10/80—Constructional details
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/623—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing five rings, e.g. pentacene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2603/00—Systems containing at least three condensed rings
    • C07C2603/02—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems
    • C07C2603/52—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing five condensed rings

Definitions

  • the present invention relates to a compound for an organic thin film transistor and an organic thin film transistor using the compound for an organic semiconductor layer.
  • TFTs Thin film transistors
  • a typical TFT has a gate electrode, an insulator layer, and an organic semiconductor layer in this order on a substrate, and has a source electrode and a drain electrode formed on the organic semiconductor layer at a predetermined interval. .
  • the organic semiconductor layer forms a channel region, and an on / off operation is performed by controlling a current flowing between the source electrode and the drain electrode with a voltage applied to the gate electrode.
  • this TFT has been manufactured using amorphous or polycrystalline silicon.
  • a CVD apparatus used for manufacturing such a TFT using silicon is very expensive, and a display device using the TFT.
  • Such an increase in size has a problem in that it involves a significant increase in manufacturing costs.
  • the process of forming amorphous or polycrystalline silicon is performed at a very high temperature, the types of materials that can be used as a substrate are limited, and thus there is a problem that a lightweight resin substrate cannot be used. there were.
  • a TFT using an organic substance instead of amorphous or polycrystalline silicon (hereinafter sometimes abbreviated as an organic TFT) has been proposed.
  • Vacuum deposition and coating methods are known as film formation methods used when forming TFTs with organic materials.
  • film formation methods it is possible to increase the size of the element while suppressing an increase in manufacturing costs.
  • the process temperature required for film formation can be made relatively low.
  • the organic TFT has an advantage that there are few restrictions when selecting a material to be used for the substrate, and its practical application is expected, and research reports have been actively made.
  • materials for p-type FETs include polymers such as conjugated polymers and thiophenes, metal phthalocyanine compounds, condensed aromatic hydrocarbons such as pentacene, etc. Used in the form of a mixture with a compound.
  • Examples of the material of the n-type FET include 1,4,5,8-naphthalene tetracarboxydianhydride (NTCDA), 11,11,12,12-tetracyanonaphth-2,6-quinodimethane (TCNNQD). 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxydiimide (NTCDI) and fluorinated phthalocyanines are known.
  • an organic electroluminescence (EL) element as a device that similarly uses electric conduction.
  • a strong electric field of 10 5 V / cm or more is generally applied in the film thickness direction of an ultra-thin film of 100 nm or less. It is necessary to flow charges at a high speed with an electric field of a distance of 10 5 V / cm or less, and the organic substance used in the organic TFT itself needs further conductivity.
  • the above-described compound in the conventional organic TFT has a small field effect mobility, a slow response speed, and a problem in high-speed response as a transistor. Also, the on / off ratio was small.
  • the on / off ratio here refers to the current flowing between the source and drain when the gate voltage is applied (on) divided by the current flowing between the source and drain when the gate voltage is not applied (off).
  • the on-current is a current value (saturation current) when the current flowing between the source and the drain is normally saturated while increasing the gate voltage.
  • Non-Patent Document 1 reports an organic TFT using a condensed aromatic ring having a structure in which a benzene ring is bent, such as picene, instead of a linear condensed aromatic ring such as pentacene. It is described that picene is superior in oxidation stability of the compound in the atmosphere because it has a lower ionization potential than pentacene. JP-A-5-55568 JP 2001-94107 A H.
  • An object of the present invention is to provide a compound for an organic thin film transistor having excellent film forming properties. Another object of the present invention is to provide an organic thin film transistor having high mobility.
  • the present inventors have determined whether the organic compound represented by the following formula (1) having a specific substituent introduced into the picene structure has high mobility.
  • the present invention was completed by finding that it can be applied to a coating process and is suitable as an organic semiconductor layer of an organic thin film transistor.
  • this invention is a compound for organic thin-film transistors which has a structure of following formula (1).
  • R 1 to R 6 are each a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a haloalkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, or 1 carbon atom.
  • the organic semiconductor layer provides an organic thin film transistor containing an organic compound having the structure of the formula (1).
  • this invention provides the picene compound represented by following formula (2).
  • R 7 to R 12 is a halogen atom, an alkyl group having 2 to 30 carbon atoms, a haloalkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, A haloalkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, an alkthio group having 1 to 30 carbon atoms, a haloalkylthio group having 1 to 30 carbon atoms, an alkylamino group having 1 to 30 carbon atoms, a dialkylamino group having 2 to 60 carbon atoms (the alkyl group is May be bonded to each other to form a ring structure containing a nitrogen atom), an alkylsulfonyl group having 1 to 30 carbon atoms, a haloalkylsulfonyl group having 1 to 30 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 60 carbon atoms
  • R 7 ⁇ R 12 is a hydrogen atom.
  • R 7 to R 12 only two of R 7 to R 12 are halogen atoms, alkyl groups having 1 to 30 carbon atoms, haloalkyl groups having 1 to 30 carbon atoms, alkoxy groups having 1 to 30 carbon atoms, A haloalkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, an alkylthio group having 1 to 30 carbon atoms, a haloalkylthio group having 1 to 30 carbon atoms, an alkylamino group having 1 to 30 carbon atoms, a dialkylamino group having 2 to 60 carbon atoms (alkyl The groups may be bonded to each other to form a ring structure containing a nitrogen atom), an alkylsulfonyl group having 1 to 30 carbon atoms, a haloalkylsulfonyl group having 1 to 30 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon having 6 to 60 carbon atoms Group, an aromatic hetero
  • R 7 to R 12 when only two of R 7 to R 12 are methyl groups, these methyl groups are not adjacent, and the remaining R 7 to R 12 are hydrogen atoms.
  • R 7 to R 12 only three of R 7 to R 12 are halogen atoms, alkyl groups having 1 to 30 carbon atoms, haloalkyl groups having 1 to 30 carbon atoms, alkoxy groups having 1 to 30 carbon atoms, carbon numbers A haloalkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, an alkthio group having 1 to 30 carbon atoms, a haloalkylthio group having 1 to 30 carbon atoms, an alkylamino group having 1 to 30 carbon atoms, a dialkylamino group having 2 to 60 carbon atoms (the alkyl group is May be bonded to each other to form a ring structure containing a nitrogen atom), an alkylsulfonyl group having 1 to 30 carbon atoms, a haloalkylsulfony
  • an organic thin film transistor having excellent film forming properties or an organic thin film transistor having high mobility it is possible to provide an organic thin film transistor having excellent film forming properties or an organic thin film transistor having high mobility.
  • the compound for an organic thin film transistor of the present invention has a structure represented by the following formula (1).
  • R 1 to R 6 are each a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a haloalkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, or 1 carbon atom.
  • At least one of R 1 , R 3 and R 5 and at least one of R 2 , R 4 and R 6 are not hydrogen atoms but the above groups.
  • R 1 and R 2 is a halogen atom, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a haloalkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, or an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms.
  • the haloalkoxy group, the alkylsilylacetylene group having 5 to 60 carbon atoms, or the cyano group, each of which may have a substituent, and the remaining R 1 to R 6 are hydrogen atoms.
  • at least one of R 1 and R 2 is an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms. More preferably, R 1 and R 2 are both the above groups.
  • R 1 and R 2 are an aromatic hydrocarbon group having 6 to 60 carbon atoms or an aromatic heterocyclic group having 3 to 60 carbon atoms, and each of these groups has a substituent.
  • the remaining R 1 to R 6 are hydrogen atoms. More preferably, R 1 and R 2 are both the above groups.
  • the picene compound of the present invention has the structure of the following formula (2). This picene compound is included in the compound of formula (1).
  • R 7 to R 12 is a halogen atom, an alkyl group having 2 to 30 carbon atoms, a haloalkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, A haloalkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, an alkthio group having 1 to 30 carbon atoms, a haloalkylthio group having 1 to 30 carbon atoms, an alkylamino group having 1 to 30 carbon atoms, a dialkylamino group having 2 to 60 carbon atoms (the alkyl group is May be bonded to each other to form a ring structure containing a nitrogen atom), an alkylsulfonyl group having 1 to 30 carbon atoms, a haloalkylsulfonyl group having 1 to 30 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon group having 6 to 60 carbon atoms, An aromatic heterocyclic group having 3 to 60 carbon atoms, an
  • R 7 ⁇ R 12 is a hydrogen atom.
  • R 7 to R 12 only two of R 7 to R 12 are halogen atoms, alkyl groups having 1 to 30 carbon atoms, haloalkyl groups having 1 to 30 carbon atoms, alkoxy groups having 1 to 30 carbon atoms, A haloalkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, an alkylthio group having 1 to 30 carbon atoms, a haloalkylthio group having 1 to 30 carbon atoms, an alkylamino group having 1 to 30 carbon atoms, a dialkylamino group having 2 to 60 carbon atoms (alkyl The groups may be bonded to each other to form a ring structure containing a nitrogen atom), an alkylsulfonyl group having 1 to 30 carbon atoms, a haloalkylsulfonyl group having 1 to 30 carbon atoms, an aromatic hydrocarbon having 6 to 60 carbon atoms Group, an aromatic hetero
  • R 7 to R 12 when only two of R 7 to R 12 are methyl groups, these methyl groups are not adjacent, and the remaining R 7 to R 12 are hydrogen atoms.
  • R 7 to R 12 only three of R 7 to R 12 are halogen atoms, alkyl groups having 1 to 30 carbon atoms, haloalkyl groups having 1 to 30 carbon atoms, alkoxy groups having 1 to 30 carbon atoms, carbon numbers A haloalkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, an alkthio group having 1 to 30 carbon atoms, a haloalkylthio group having 1 to 30 carbon atoms, an alkylamino group having 1 to 30 carbon atoms, a dialkylamino group having 2 to 60 carbon atoms (the alkyl group is May be bonded to each other to form a ring structure containing a nitrogen atom), an alkylsulfonyl group having 1 to 30 carbon atoms, a haloalkylsulfony
  • halogen atom examples include fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms.
  • alkyl group examples include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, s-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, and n-heptyl group.
  • N-octyl group N-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, n-tridecyl group, n-tetradecyl group, n-pentadecyl group, n-hexadecyl group, n-heptadecyl group N-octadecyl group, n-nonadecyl group, n-icosane group, n-henicosane group, n-docosane group, n-tricosane group, n-tetracosane group, n-pentacosane group, n-hexacosane group, n-heptacosane group N-octacosane group, n-nonacosane group, n-triacontan
  • haloalkyl group examples include chloromethyl group, 1-chloroethyl group, 2-chloroethyl group, 2-chloroisobutyl group, 1,2-dichloroethyl group, 1,3-dichloroisopropyl group, 2,3-dichloro- t-butyl group, 1,2,3-trichloropropyl group, bromomethyl group, 1-bromoethyl group, 2-bromoethyl group, 2-bromoisobutyl group, 1,2-dibromoethyl group, 1,3-dibromoisopropyl group, 2,3-dibromo-t-butyl group, 1,2,3-tribromopropyl group, iodomethyl group, 1-iodoethyl group, 2-iodoethyl group, 2-iodoisobutyl group, 1,2-diiodoethyl group, 1, 3-diio
  • the alkoxy group is a group represented by —OY 1
  • examples of Y 1 include the same examples as described for the alkyl group
  • the haloalkoxy group is represented by —OY 2.
  • Examples of Y 2 include the same examples as those described for the haloalkyl group.
  • the alkylthio group is a group represented by —SY 1
  • examples of Y 1 include the same examples as described for the alkyl group
  • the haloalkylthio group is represented by —SY 2.
  • Examples of Y 2 include the same examples as those described for the haloalkyl group.
  • the alkylamino group is a group represented by —NHY 1 ; the dialkylamino group is a group represented by —NY 1 Y 3 ; and Y 1 and Y 3 are the same as those described for the alkyl group, respectively. Similar examples are given.
  • the alkyl group of the dialkylamino group may be bonded to each other to form a ring structure containing a nitrogen atom, and examples of the ring structure include pyrrolidine, piperidine and the like.
  • the alkylsulfonyl group is a group represented by —SO 2 Y 1 , and examples of Y 1 include the same examples as described for the alkyl group, and the haloalkylsulfonyl group includes —SO 2 Y 2 is a group represented by Y 2 , and examples of Y 2 include the same examples as those described for the haloalkyl group.
  • the alkylsilyl group is a group represented by —SiY 1 Y 3 Y 4 , and examples of Y 1 , Y 3 and Y 4 are the same as those described for the alkyl group.
  • the alkylsilylacetylene group is a group in which the group represented by the alkylsilyl group is interposed by an ethynylene group, and examples thereof include a trimethylsilylacetylene group, a triethylsilylacetylene group, and a triisopropylsilylacetylene group.
  • aromatic hydrocarbon group examples include residues such as benzene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, chrysene, phenanthrene, and tetracene.
  • aromatic heterocyclic group examples include pyridine, pyrazine, quinoline, naphthyridine, quinoxaline, phenazine, diazaanthracene, pyridoquinoline, pyrimidoquinazoline, pyrazinoquinoxaline, phenanthroline, carbazole, thiophene, benzothiophene, dibenzothiophene, Benzodithiophene, [1] benzothieno [3,2-b] benzothiophene, thienothiophene, dithienothiophene, furan, benzofuran, dibenzofuran, benzodifuran, thiazole, benzothiazole, dithiaindacene, dithiaindenoindene, dibenzoselenophene, Residues such as diselenindacene, diselenaindenoindene, and dibenzosilol are examples of the
  • the organic compound having a specific structure used in the organic thin film transistor of the present invention is basically bipolar with p-type (hole conduction) and n-type (electron conduction), and is combined with the source and drain electrodes described later. Therefore, it can be driven as a p-type element or an n-type element.
  • the lowest unoccupied orbital (LUMO) level can be lowered to function as an n-type semiconductor. it can.
  • Preferred as the electron-accepting group are a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, a haloalkyl group having 1 to 30 carbon atoms, a haloalkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, and a haloalkylsulfonyl group having 1 to 30 carbon atoms.
  • the semiconductor can function as a p-type semiconductor.
  • the electron donating group include a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, an alkylamino group having 1 to 30 carbon atoms, and a dialkylamino group having 2 to 60 carbon atoms.
  • the amino groups may be bonded to each other to form a ring structure containing a nitrogen atom).
  • Examples of the substituent that may be further substituted for each group represented by R 1 to R 6 and R 7 to R 12 in the formulas (1) and (2) include an aromatic hydrocarbon group, an aromatic heterocyclic group, Examples include an alkyl group, an alkoxy group, a haloalkyl group, an alkylthio group, an alkylsulfonyl group, an aryloxy group, an arylthio group, an alkoxycarbonyl group, an amino group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a hydroxyl group, and a carboxy group.
  • the compound for organic thin film transistor of the present invention can be synthesized by a known method, for example, the following reaction.
  • Non-patent document Journal of Organic Chemistry 1992, Vol. 56, pages 6649-6755 using a known compound 3,6-diiodobenzene-1,2-diamine synthesized as a raw material, followed by a Sandmeyer reaction
  • the intermediates were synthesized by various coupling reactions using transition metal catalysts typified by the Suzuki-Miyaura coupling of (A) and the Sonogashira coupling of (B), and the intermediate was synthesized by the following reaction (C) And a cyclization reaction using a metal salt such as (D).
  • the compound for organic thin film transistor of the present invention includes, for example, alkylation of 1,2-bis (2-iodoethyl) benzene using a Schiff base in the following reaction (A), and cyclization using an acid catalyst of (B). It can also synthesize
  • an electronic device such as a transistor
  • a device with high field-effect mobility and a high on / off ratio can be obtained by using a material with high purity. Therefore, it is desirable to add purification by techniques such as column chromatography, recrystallization, distillation, sublimation, etc. as necessary. Preferably, it is possible to improve the purity by repeatedly using these purification methods or combining a plurality of methods. Furthermore, it is desirable to repeat sublimation purification at least twice or more as the final step of purification. By using these methods, it is preferable to use a material having a purity of 90% or more measured by HPLC, more preferably 95% or more, and particularly preferably 99% or more. In addition, the on / off ratio can be increased and the performance inherent to the material can be extracted.
  • the element configuration of the organic thin film transistor of the present invention is such that at least three terminals of a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, an insulator layer and an organic semiconductor layer are provided on a substrate, and a source-drain current is applied to the gate electrode. It is a thin film transistor controlled by this. And an organic-semiconductor layer contains the compound for organic thin-film transistors of this invention mentioned above, It is characterized by the above-mentioned.
  • the structure of the transistor is not particularly limited, and components other than the components of the organic semiconductor layer may have a known element configuration. A specific example of the element configuration of the organic thin film transistor will be described with reference to the drawings.
  • the organic thin film transistor 1 of FIG. 1 has a source electrode 11 and a drain electrode 12 formed on a substrate 10 so as to face each other with a predetermined interval. And the organic-semiconductor layer 13 is formed so that the source electrode 11, the drain electrode 12, and the gap
  • a gate electrode 15 is formed on the insulator layer 14 and on the gap between the source electrode 11 and the drain electrode 12.
  • the organic thin film transistor 2 in FIG. 2 has a gate electrode 15 and an insulator layer 14 in this order on a substrate 10, and a pair of source electrode 11 and drain formed on the insulator layer 14 with a predetermined interval therebetween.
  • An electrode 12 is provided, and an organic semiconductor layer 13 is formed thereon.
  • the organic semiconductor layer 13 forms a channel region, and is turned on / off by controlling a current flowing between the source electrode 11 and the drain electrode 12 with a voltage applied to the gate electrode 15.
  • the organic thin film transistor 3 in FIG. 3 has a gate electrode 15, an insulator layer 14, and an organic semiconductor layer 13 in this order on a substrate 10.
  • a source electrode 11 and a drain electrode 12 are provided.
  • the insulating layer 14 and the gate electrode 15 are provided in this order.
  • the organic thin film transistor of the present invention has a field effect transistor (FET: Field Effect Transistor) structure. As described above, there are several configurations depending on the position of the electrodes, the layer stacking order, and the like.
  • the organic thin film transistor is formed with an organic semiconductor layer (organic compound layer), a source electrode and a drain electrode formed to face each other with a predetermined distance, and a predetermined distance from the source electrode and the drain electrode. And a current flowing between the source and drain electrodes is controlled by applying a voltage to the gate electrode.
  • the distance between the source electrode and the drain electrode is determined by the use of the organic thin film transistor of the present invention, and is usually 0.1 ⁇ m to 1 mm, preferably 1 ⁇ m to 100 ⁇ m, and more preferably 5 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • the organic thin film transistor of the present invention has also been proposed as the organic thin film transistor in the above device configuration, and the current flowing between the source electrode and the drain electrode is controlled by the voltage applied to the gate electrode.
  • the device configuration is not limited to the above as long as an effect such as on / off operation and amplification is exhibited.
  • the top-and-bottom contact organic thin-film transistor proposed by Yoshida et al. Of the National Institute of Advanced Industrial Science and Technology in the 49th Conference on Applied Physics Related Lectures 27a-M-3 (March 2002) (see Fig. 5)
  • a vertical organic thin film transistor proposed by Kudo et al. Of Chiba University in IEEJ Transactions 118-A (1998) 1440.
  • the constituent members of the organic thin film transistor will be described.
  • the organic-semiconductor layer in the organic thin-film transistor of this invention contains the compound for organic thin-film transistors of this invention mentioned above.
  • the thickness of the organic semiconductor layer is not particularly limited, but is usually 0.5 nm to 1 ⁇ m, preferably 2 nm to 250 nm.
  • a method for forming the organic semiconductor layer is not particularly limited, and a known method can be applied.
  • the organic semiconductor layer material is formed as described above.
  • MBE molecular beam deposition
  • vacuum deposition chemical deposition
  • chemical deposition dipping of a solution in which a material is dissolved in a solvent
  • coating and baking electropolymerization
  • molecular beam deposition self assembly from solution, and combinations thereof
  • the organic semiconductor layer material is formed as described above.
  • the crystallinity of the organic semiconductor layer is improved, field effect mobility is improved, and it is preferable to perform annealing after film formation regardless of the film formation method because a high-performance device can be obtained.
  • the annealing temperature is preferably 50 to 200 ° C., more preferably 70 to 200 ° C., and the time is preferably 10 minutes to 12 hours, more preferably 1 to 10 hours.
  • the organic semiconductor layer one kind of the compound represented by the formula (1) may be used, or a plurality of mixed thin films or stacked layers using a known semiconductor such as pentacene or thiophene oligomer may be used. May be used.
  • the substrate in the organic thin film transistor of the present invention plays a role of supporting the structure of the organic thin film transistor.
  • a material in addition to glass, inorganic compounds such as metal oxides and nitrides, plastic films (PET, PES, PC) It is also possible to use metal substrates or composites or laminates thereof.
  • PET, PES, PC plastic films
  • metal substrates or composites or laminates thereof when the structure of the organic thin film transistor can be sufficiently supported by the components other than the substrate, it is possible not to use the substrate.
  • a silicon (Si) wafer is often used as a material for the substrate.
  • Si itself can be used as a gate electrode / substrate.
  • the surface of Si can be oxidized to form SiO 2 and used as an insulating layer.
  • a metal layer such as Au may be formed on the Si substrate serving as the substrate and gate electrode as an electrode for connecting the lead wire.
  • the material for the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode is not particularly limited as long as it is a conductive material.
  • Examples of the method for forming the electrode include means such as vapor deposition, electron beam vapor deposition, sputtering, atmospheric pressure plasma method, ion plating, chemical vapor deposition, electrodeposition, electroless plating, spin coating, printing, and ink jet. It is done.
  • a conductive thin film formed using the above method is formed using a known photolithographic method or a lift-off method, on a metal foil such as aluminum or copper.
  • the thickness of the electrode formed in this way is not particularly limited as long as current is conducted, but is preferably in the range of 0.2 nm to 10 ⁇ m, more preferably 4 nm to 300 nm. If it is in this preferable range, the resistance is increased due to the thin film thickness, and a voltage drop does not occur. In addition, since the film is not too thick, it does not take time to form the film, and when another layer such as a protective layer or an organic semiconductor layer is laminated, the laminated film can be smooth without causing a step.
  • another source electrode, drain electrode, gate electrode and a method for forming the source electrode are formed using a fluid electrode material such as a solution, paste, ink, or dispersion containing the above conductive material.
  • a fluid electrode material such as a solution, paste, ink, or dispersion containing the above conductive material.
  • a fluid electrode material containing a conductive polymer or metal fine particles containing platinum, gold, silver, or copper is preferable.
  • the solvent or dispersion medium is preferably a solvent or dispersion medium containing 60% by mass or more, preferably 90% by mass or more of water, in order to suppress damage to the organic semiconductor.
  • the dispersion containing the metal fine particles for example, a known conductive paste or the like may be used, but a dispersion containing metal fine particles having a particle size of usually 0.5 nm to 50 nm, 1 nm to 10 nm is preferable.
  • the material of the fine metal particles include platinum, gold, silver, nickel, chromium, copper, iron, tin, antimony lead, tantalum, indium, palladium, tellurium, rhenium, iridium, aluminum, ruthenium, germanium, molybdenum, and tungsten. Zinc or the like can be used.
  • an electrode using a dispersion in which these metal fine particles are dispersed in water or a dispersion medium which is an arbitrary organic solvent using a dispersion stabilizer mainly composed of an organic material.
  • a method for producing such a dispersion of metal fine particles metal ions can be reduced in the liquid phase, such as a physical generation method such as gas evaporation method, sputtering method, metal vapor synthesis method, colloid method, coprecipitation method, etc.
  • a chemical production method for producing metal fine particles preferably disclosed in JP-A-11-76800, JP-A-11-80647, JP-A-11-319538, JP-A-2000-239853, and the like.
  • metal fine particle dispersions may be directly patterned by an ink jet method, or may be formed from a coating film by lithograph or laser ablation. Moreover, the patterning method by printing methods, such as a letterpress, an intaglio, a lithographic plate, and screen printing, can also be used. After the electrode is formed and the solvent is dried, the metal fine particles are heat-fused by heating in a shape within a range of 100 ° C. to 300 ° C., preferably 150 ° C. to 200 ° C., if necessary. An electrode pattern having the following shape can be formed.
  • a known conductive polymer whose conductivity has been improved by doping is also preferable to use as another gate electrode, source electrode, and drain electrode material.
  • conductive polyaniline, conductive polypyrrole, conductive polythiophene ( A complex of polyethylene dioxythiophene and polystyrene sulfonic acid and the like, and a complex of polyethylene dioxythiophene (PEDOT) and polystyrene sulfonic acid are also preferably used. These materials can reduce the contact resistance between the organic semiconductor layer of the source electrode and the drain electrode.
  • These forming methods may also be patterned by an ink jet method, or may be formed from a coating film by lithography, laser ablation, or the like.
  • the patterning method by printing methods such as a letterpress, an intaglio, a lithographic plate, and screen printing, can also be used.
  • the material for forming the source electrode and the drain electrode is preferably a material having a small electric resistance at the contact surface with the organic semiconductor layer among the examples described above.
  • the electrical resistance at this time corresponds to the field effect mobility when the current control device is manufactured, and the resistance needs to be as small as possible in order to obtain a large mobility. This is generally determined by the magnitude relationship between the work function of the electrode material and the energy level of the organic semiconductor layer.
  • the work function (W) of the electrode material is a
  • the ionization potential of the organic semiconductor layer is (Ip) b
  • the electron affinity (Af) of the organic semiconductor layer is c
  • a, b, and c are all positive values based on the vacuum level.
  • ba ⁇ 1.5 eV (formula (I)) is preferable, and ba ⁇ 1.0 eV is more preferable. If the above relationship can be maintained in relation to the organic semiconductor layer, a high-performance device can be obtained.
  • the electrode material has a work function as large as possible, and the work function is 4.0 eV or more.
  • the work function is preferably 4.2 eV or more.
  • the value of the work function of a metal is, for example, an effective metal having a work function of 4.0 eV or higher as described in Chemistry Handbook Fundamentals II-493 (revised 3 edition, published by The Chemical Society of Japan, Maruzen 1983)
  • the high work function metal is mainly Ag (4.26, 4.52, 4.64, 4.74 eV), Al (4.06, 4.24, 4.41 eV), Au (5.1, 5.37, 5.47 eV), Be (4.98 eV), Bi (4.34 eV), Cd (4.08 eV), Co (5.0 eV), Cu (4.65 eV), Fe (4.5, 4.67, 4.81 eV), Ga (4.3 eV), Hg (4.4 eV), Ir (5.42, 5.76 eV), Mn (4.1 eV), Mo (4 .53, 4.55, 4.95 eV), Nb (4.02, 4.3) , 4.87 eV), Ni (5.04, 5.22, 5.35 eV), Os (5.93
  • the work function of the electrode material is preferably as small as possible, and the work function is preferably 4.3 eV or less. More preferably, the work function is 3.7 eV or less.
  • the low work function metal it has a work function of 4.3 eV or less as described in, for example, Chemical Handbook, Basics, pages II-493 (revised 3rd edition, published by The Chemical Society of Japan, Maruzen Co., Ltd.
  • the electrode material contains one or more of these low work function substances, there is no particular limitation as long as the work function satisfies the above formula (II).
  • the low work function metal easily deteriorates when exposed to moisture and oxygen in the atmosphere, it is desirable to coat with a stable metal in the air such as Ag or Au as necessary.
  • the film thickness necessary for the coating is 10 nm or more, and as the film thickness increases, it can be protected from oxygen and water. However, for practical reasons, it is desirable to set it to 1 ⁇ m or less for the purpose of increasing productivity.
  • a buffer layer may be provided between the organic semiconductor layer and the source and drain electrodes for the purpose of improving the injection efficiency.
  • the buffer layer has an alkali metal or alkaline earth metal ion bond such as LiF, Li 2 O, CsF, NaCO 3 , KCl, MgF 2 , and CaCO 3 used for an organic EL cathode for an n-type organic thin film transistor.
  • Alq alkali metal or alkaline earth metal ion bond
  • cyano compounds such as FeCl 3 , TCNQ, F 4 -TCNQ, HAT, CFx, GeO 2 , SiO 2 , MoO 3 , V 2 O 5 , VO 2 , V 2 O 3 , MnO, Metal oxides other than alkali metals and alkaline earth metals such as Mn 3 O 4 , ZrO 2 , WO 3 , TiO 2 , In 2 O 3 , ZnO, NiO, HfO 2 , Ta 2 O 5 , ReO 3 , PbO 2 Inorganic compounds such as ZnS and ZnSe are desirable. In many cases, these oxides cause oxygen vacancies, which are suitable for hole injection. Further, amine compounds such as TPD and NPD, and compounds used as a hole injection layer and a hole transport layer in an organic EL device such as CuPc may be used. Moreover, what consists of two or more types of said compounds is desirable.
  • the buffer layer has the effect of lowering the threshold voltage by lowering the carrier injection barrier and driving the transistor at a low voltage
  • the buffer layer only needs to be thin between the electrode and the organic semiconductor layer, and the thickness is 0.1 nm to 30 nm, preferably 0.3 nm to 20 nm.
  • the material of the insulator layer in the organic thin film transistor of the present invention is not particularly limited as long as it has electrical insulation and can be formed as a thin film.
  • Metal oxide including silicon oxide
  • metal nitride (Including silicon nitride)
  • polymers low molecular organic molecules, and the like, materials having an electrical resistivity at room temperature of 10 ⁇ cm or more can be used, and an inorganic oxide film having a high relative dielectric constant is particularly preferable.
  • Inorganic oxides include silicon oxide, aluminum oxide, tantalum oxide, titanium oxide, tin oxide, vanadium oxide, barium strontium titanate, barium zirconate titanate, lead zirconate titanate, lead lanthanum titanate, strontium titanate, Barium titanate, barium magnesium fluoride, lanthanum oxide, fluorine oxide, magnesium oxide, bismuth oxide, bismuth titanate, niobium oxide, strontium bismuth titanate, strontium bismuth tantalate, tantalum pentoxide, niobium tantalate Examples thereof include bismuth acid, trioxide yttrium, and combinations thereof, and silicon oxide, aluminum oxide, tantalum oxide, and titanium oxide are preferable.
  • inorganic nitrides such as silicon nitride (Si 3 N 4 , SixNy (x, y> 0)) and aluminum nitride can be suitably used.
  • the insulator layer may be formed of a precursor containing an alkoxide metal, and the insulator layer is formed by coating a solution of the precursor on a substrate, for example, and subjecting the solution to a chemical solution treatment including heat treatment. It is formed.
  • the metal in the alkoxide metal is selected from, for example, a transition metal, a lanthanoid, or a main group element.
  • alkoxide in the alkoxide metal examples include, for example, alcohols including methanol, ethanol, propanol, isopropanol, butanol, isobutanol, methoxyethanol, ethoxyethanol, propoxyethanol, butoxyethanol, pentoxyethanol, heptoxyethanol, Examples thereof include those derived from alkoxy alcohols including methoxypropanol, ethoxypropanol, propoxypropanol, butoxypropanol, pentoxypropanol, heptoxypropanol, and the like.
  • the insulator layer when the insulator layer is made of the above-described material, polarization easily occurs in the insulator layer, and the threshold voltage for transistor operation can be reduced. Further, among the above materials, in particular, when an insulator layer is formed of silicon nitride such as Si 3 N 4 , SixNy, or SiONx (x, y> 0), a depletion layer is more easily generated, and the threshold of transistor operation is increased. The voltage can be further reduced.
  • polyimide, polyamide, polyester, polyacrylate, photo radical polymerization system, photo cation polymerization system photo-curable resin, copolymer containing acrylonitrile component, polyvinyl phenol, polyvinyl alcohol, A novolac resin, cyanoethyl pullulan, or the like can also be used.
  • a material having water repellency is particularly preferable.
  • the interaction between the insulator layer and the organic semiconductor layer can be suppressed, and the crystallinity of the organic semiconductor layer can be improved by utilizing the cohesiveness inherent in the organic semiconductor, thereby improving the device performance.
  • Examples of this include Yasuda et al. Jpn. J. et al. Appl. Phys. Vol. 42 (2003) p.
  • the polyparaxylylene derivatives described in 6614-6618 and Janos Veres et al. Chem. Mater. , Vol. 16 (2004) p. 4543-4555 can be mentioned.
  • the organic semiconductor layer can be formed with less damage. Therefore, it is an effective method.
  • the insulator layer may be a mixed layer using a plurality of inorganic or organic compound materials as described above, or may be a laminated structure of these. In this case, the performance of the device can be controlled by mixing or laminating a material having a high dielectric constant and a material having water repellency, if necessary.
  • the insulator layer may include an anodic oxide film or the anodic oxide film as a configuration.
  • the anodized film is preferably sealed.
  • the anodized film is formed by anodizing a metal that can be anodized by a known method. Examples of the metal that can be anodized include aluminum and tantalum, and the anodizing method is not particularly limited, and a known method can be used.
  • An oxide film is formed by anodizing. Any electrolyte solution that can form a porous oxide film can be used as the anodizing treatment. Generally, sulfuric acid, phosphoric acid, oxalic acid, chromic acid, boric acid, sulfamic acid, benzenesulfone, and the like can be used. An acid or the like or a mixed acid obtained by combining two or more of these or a salt thereof is used.
  • the treatment conditions for anodization vary depending on the electrolyte used and cannot be specified in general. In general, however, the concentration of the electrolyte is 1 to 80% by mass, the temperature of the electrolyte is 5 to 70 ° C., and the current density.
  • a preferred anodizing treatment is a method in which an aqueous solution of sulfuric acid, phosphoric acid or boric acid is used as the electrolytic solution and the treatment is performed with a direct current, but an alternating current can also be used.
  • the concentration of these acids is preferably 5 to 45% by mass, and the electrolytic treatment is preferably performed for 20 to 250 seconds at an electrolyte temperature of 20 to 50 ° C. and a current density of 0.5 to 20 A / cm 2 .
  • the thickness of the insulator layer As the thickness of the insulator layer, if the layer is thin, the effective voltage applied to the organic semiconductor increases, so the drive voltage and threshold voltage of the device itself can be lowered, but conversely between the source and gate. Therefore, it is necessary to select an appropriate film thickness, which is normally 10 nm to 5 ⁇ m, preferably 50 nm to 2 ⁇ m, and more preferably 100 nm to 1 ⁇ m.
  • any orientation treatment may be performed between the insulator layer and the organic semiconductor layer.
  • a preferable example thereof is a method for improving the crystallinity of the organic semiconductor layer by reducing the interaction between the insulator layer and the organic semiconductor layer by performing a water repellent treatment or the like on the surface of the insulator layer.
  • Silane coupling agents such as hexamethyldisilazane, octadecyltrichlorosilane, trichloromethylsilazane, and self-organized alignment film materials such as alkane phosphoric acid, alkane sulfonic acid, and alkane carboxylic acid are insulated in a liquid phase or gas phase state.
  • An example is a method in which the film is brought into contact with the surface of the film to form a self-assembled film, followed by appropriate drying treatment.
  • a method in which a film made of polyimide or the like is provided on the surface of the insulating film and the surface is rubbed so as to be used for liquid crystal alignment is also preferable.
  • the insulator layer can be formed by vacuum deposition, molecular beam epitaxy, ion cluster beam, low energy ion beam, ion plating, CVD, sputtering, JP-A-11-61406, 11-133205, JP-A 2000-121804, 2000-147209, 2000-185362, etc., dry process such as atmospheric pressure plasma method, spray coating method, spin coating method, blade coating Examples thereof include wet processes such as a method by coating such as a method, a dip coating method, a cast method, a roll coating method, a bar coating method, and a die coating method, and a patterning method such as printing and ink jetting.
  • the wet process is a method of applying and drying a liquid in which fine particles of inorganic oxide are dispersed in an arbitrary organic solvent or water using a dispersion aid such as a surfactant as required, or an oxide precursor, for example,
  • a so-called sol-gel method in which a solution of an alkoxide body is applied and dried is used.
  • the method for forming the organic thin film transistor of the present invention is not particularly limited, and may be a known method. According to a desired element configuration, the substrate is charged, the gate electrode is formed, the insulator layer is formed, the organic semiconductor layer is formed, and the source electrode is formed. It is preferable to form a series of device manufacturing steps up to the formation of the drain electrode without being exposed to the atmosphere at all, because the device performance can be prevented from being impaired by moisture, oxygen, etc. in the atmosphere due to contact with the atmosphere. When it is unavoidable that the atmosphere must be exposed to the atmosphere once, the process after the organic semiconductor layer is formed is not exposed to the atmosphere at all.
  • the surface on which the source electrode and the drain electrode are partially stacked on the insulating layer) is cleaned and activated by ultraviolet irradiation, ultraviolet / ozone irradiation, oxygen plasma, argon plasma, etc., and then the organic semiconductor layer is stacked. It is preferable.
  • some p-type TFT materials are exposed to the atmosphere once, and the performance is improved by adsorbing oxygen or the like. Therefore, depending on the material, the materials are appropriately exposed to the atmosphere.
  • a gas barrier layer may be formed on the whole or a part of the outer peripheral surface of the organic transistor element.
  • the gas barrier layer As a material for forming the gas barrier layer, those commonly used in this field can be used, and examples thereof include polyvinyl alcohol, ethylene-vinyl alcohol copolymer, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, and polychlorotrifluoroethylene. . Furthermore, the inorganic substance which has the insulation illustrated in the said insulator layer can also be used.
  • an organic thin film light emitting transistor that emits light using a current flowing between a source electrode and a drain electrode and controls light emission by applying a voltage to the gate electrode. That is, an organic thin film transistor can be used as a light emitting element (organic EL). Since the transistor for controlling light emission and the light emitting element can be integrated, the aperture ratio of the display can be improved and the cost can be reduced by the simplification of the manufacturing process.
  • organic EL light emitting element
  • At least one of the source electrode and the drain electrode is a hole injecting electrode in order to improve the hole injecting property.
  • a hole injection electrode is an electrode containing a substance having a work function of 4.2 eV or higher.
  • at least one of the source electrode and the drain electrode is preferably an electron injectable electrode.
  • An electron injecting electrode is an electrode containing a substance having a work function of 4.3 eV or less. More preferably, it is an organic thin-film light-emitting transistor provided with an electrode in which one is hole-injecting and the other is electron-injecting.
  • the hole injection layer In order to improve the hole injection property, it is preferable to insert a hole injection layer between at least one of the source electrode and the drain electrode and the organic semiconductor layer.
  • the hole injection layer include amine-based materials used as a hole injection material and a hole transport material in an organic EL device.
  • an electron injecting layer between at least one of the source electrode and the drain electrode and the organic semiconductor layer.
  • the electron injection material used for the organic EL element can be used for the electron injection layer as well as the hole. More preferably, one of the electrodes is provided with a hole injection layer and the other electrode is provided with an electron injection layer. It is a thin film light emitting transistor.
  • the device using the organic thin film transistor of the present invention may be a device using the organic thin film transistor of the present invention, such as a circuit, a personal computer, a display, a mobile phone and the like.
  • Example 1 Synthesis of Compound (1)
  • Compound (1) was synthesized as follows.
  • Triethylamine solution of 2.6 g (6.18 mmol) of compound (A), 0.36 g (0.309 mmol) of tetrakistriphenylphosphine palladium (0), 0.12 g (0.618 mmol) of copper (I) iodide in a reactor 15 ml was added, and 1.82 g (18.5 mmol) of trimethylsilylacetylene was added thereto, and the reactor was heated to reflux at 80 ° C. for 16 hours.
  • the reaction mixture was filtered and washed with methanol and hexane to obtain 2.2 g (yield 80%) of a crude product of compound (B). This was directly used in the next reaction.
  • Example 2 (Production of organic thin film transistor) An organic thin film transistor was produced by the following procedure. First, the surface of a Si substrate (also used as a P-type specific resistance 1 ⁇ cm gate electrode) was oxidized by a thermal oxidation method to produce a 300 nm thermal oxide film on the substrate to form an insulator layer. Further, after the SiO 2 film formed on one side of the substrate is completely removed by dry etching, chromium is deposited to a thickness of 20 nm by sputtering, and further gold (Au) is sputtered by 100 nm by sputtering. A film was formed and taken out as an electrode. This substrate was ultrasonically cleaned with a neutral detergent, pure water, acetone and ethanol for 30 minutes each, and further subjected to ozone cleaning.
  • a neutral detergent, pure water, acetone and ethanol for 30 minutes each, and further subjected to ozone cleaning.
  • the substrate was subjected to a surface treatment by heating the substrate in a hexamethyldisilazane atmosphere for 3 hours.
  • the surface-treated substrate was placed in a vacuum vapor deposition apparatus (ULVAC, EX-400), and the compound (1) was deposited on the insulator layer at a deposition rate of 0.05 nm / s and a 50 nm thick organic semiconductor. Deposited as a layer.
  • gold was deposited to a thickness of 50 nm through a metal mask, so that a source electrode and a drain electrode that were not in contact with each other were formed so that a distance (channel length L) was 75 ⁇ m.
  • an organic thin film transistor was manufactured by forming a film so that the width (channel width W) of the source electrode and the drain electrode was 5 mm (see FIG. 3).
  • the source - a current was passed by applying a voltage between the drain.
  • the on / off ratio of the current between the source and drain electrodes in the current saturation region was 2 ⁇ 10 6 .
  • I D (W / 2L) ⁇ C ⁇ ⁇ (V G ⁇ V T ) 2 (A)
  • ID is a source-drain current
  • W is a channel width
  • L is a channel length
  • C is a capacitance per unit area of the gate insulator layer
  • V T is a gate threshold voltage
  • V G is a gate voltage.
  • Example 8 Manufacture of an organic thin film transistor using a coating process
  • the substrate was washed in the same manner as in Example 2 to form a gate electrode and an insulator layer.
  • 0.5% by mass of the compound (50) was dissolved in chloroform, and a film was formed on a substrate on which the insulator layer was formed with a spin coater (Mikasa Co., Ltd .: 1H-D7).
  • the film was dried at 0 ° C. to form an organic semiconductor layer.
  • gold (Au) was formed in a film thickness of 50 nm through a metal mask with a vacuum evaporation apparatus to form source and drain electrodes that were not in contact with each other, and an organic thin film transistor was manufactured.
  • the obtained organic thin film transistor was p-type driven at the gate voltage V G of ⁇ 70 V in the same manner as in Example 2.
  • Table 1 shows the results of measuring the on / off of the current between the source and drain electrodes and calculating the field effect mobility ⁇ of the holes.
  • Examples 9 to 12 (Production of organic thin-film transistors using a coating process) An organic thin film transistor was fabricated in the same manner as in Example 8 except that the compound (8), (12), (13), and (14) were used in place of the compound (50) as the material of the organic semiconductor layer. The obtained organic thin film transistor was p-type driven at a gate voltage V G of ⁇ 70 V in the same manner as in Example 8. Table 1 shows the results of measuring the on / off ratio of the current between the source and drain electrodes and calculating the field effect mobility ⁇ of the holes.
  • Comparative Example 1 (Production of organic thin film transistor) An organic thin film transistor was produced in the same manner as in Example 1 except that the following comparative compound (1) was used instead of the compound (1) as the material of the organic semiconductor layer. The obtained organic thin film transistor was p-type driven at the gate voltage V G of ⁇ 70 V in the same manner as in Example 1. Table 1 shows the results of measuring the on / off ratio of the current between the source and drain electrodes and calculating the field effect mobility ⁇ of the holes.
  • Comparative Example 2 (Production of organic thin film transistor using coating process) An organic thin film transistor was produced in the same manner as in Example 8 except that the comparative compound (1) was used instead of the compound (1) as the material of the organic semiconductor layer. However, since the comparative compound (1) is hardly soluble, an organic thin film transistor cannot be produced by the coating process.
  • the compounds used in the examples are excellent in film formability and can be applied to the coating process, or have a higher mobility than the comparative compounds when formed by the vapor deposition process. I understand.
  • the compound of the present invention is excellent in film formability and has high field effect mobility, and therefore can be suitably used as a material for an organic semiconductor layer of an organic thin film transistor.
  • the transistor using the compound of the present invention can also be used as an organic thin film light emitting transistor capable of emitting light.

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Abstract

　下記式（１）の構造を有する有機薄膜トランジスタ用化合物。［式（１）において、Ｒ１～Ｒ６はそれぞれ、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～３０のアルキル基、炭素数１～３０のハロアルキル基、炭素数１～３０のアルコキシ基、炭素数１～３０のハロアルコキシ基、炭素数１～３０のアルキチオ基、炭素数１～３０のハロアルキルチオ基、炭素数１～３０のアルキルアミノ基、炭素数２～６０のジアルキルアミノ基（アルキル基は互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい）、炭素数１～３０のアルキルスルホニル基、炭素数１～３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６～６０の芳香族炭化水素基、炭素数３～６０の芳香族複素環基、炭素数３～２０のアルキルシリル基、炭素数５～６０のアルキルシリルアセチレン基又はシアノ基であり、これら各基は置換基を有していてもよい。ただし、Ｒ１～Ｒ６が全て水素原子の場合はない。］

Description

有機薄膜トランジスタ用化合物及びそれを用いた有機薄膜トランジスタ
　本発明は、有機薄膜トランジスタ用化合物、及びそれを有機半導体層に利用した有機薄膜トランジスタに関するものである。
　薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、液晶表示装置等の表示用のスイッチング素子として広く用いられている。代表的なＴＦＴは、基板上にゲート電極、絶縁体層、有機半導体層をこの順に有し、有機半導体層上に、所定の間隔をあけて形成されたソース電極及びドレイン電極を有している。有機半導体層がチャネル領域を成しており、ゲート電極に印加される電圧でソース電極とドレイン電極の間に流れる電流が制御されることによってオン／オフ動作する。
　従来、このＴＦＴは、アモルファスや多結晶のシリコンを用いて作製されていたが、このようなシリコンを用いたＴＦＴの作製に用いられるＣＶＤ装置は、非常に高額であり、ＴＦＴを用いた表示装置等の大型化は、製造コストの大幅な増加を伴うという問題点があった。また、アモルファスや多結晶のシリコンを成膜するプロセスは非常に高い温度下で行われるので、基板として使用可能な材料の種類が限られてしまうため、軽量な樹脂基板等は使用できないという問題があった。
　このような問題を解決するために、アモルファスや多結晶のシリコンに代えて有機物を用いたＴＦＴ（以下、有機ＴＦＴと略記する場合がある。）が提案されている。有機物でＴＦＴを形成する際に用いる成膜方法として真空蒸着法や塗布法等が知られているが、これらの成膜方法によれば、製造コストの上昇を抑えつつ素子の大型化が実現可能になり、成膜時に必要となるプロセス温度を比較的低温にすることができる。このため、有機ＴＦＴでは、基板に用いる材料の選択時の制限が少ないといった利点があり、その実用化が期待されており、盛んに研究報告がなされている。
　有機ＴＦＴに用いる有機物半導体として、ｐ型ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）の材料としては、共役系ポリマーやチオフェン等の多量体、金属フタロシアニン化合物、ペンタセン等の縮合芳香族炭化水素等が、単体又は他の化合物との混合物の状態で用いられている。また、ｎ型ＦＥＴの材料としては、例えば、１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボキシジアンヒドライド（ＮＴＣＤＡ）、１１，１１，１２，１２－テトラシアノナフト－２，６－キノジメタン（ＴＣＮＮＱＤ）、１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボキシジイミド（ＮＴＣＤＩ）や、フッ素化フタロシアニンが知られている。
　一方、同じように電気伝導を用いるデバイスとして有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子がある。有機ＥＬ素子では、一般に１００ｎｍ以下の超薄膜の膜厚方向に１０５Ｖ／ｃｍ以上の強電界をかけ強制的に電荷を流しているのに対し、有機ＴＦＴの場合には、数μｍ以上の距離を１０５Ｖ／ｃｍ以下の電界で高速に電荷を流す必要があり、有機ＴＦＴに用いられる有機物自体に、さらなる電導性が必要になる。しかしながら、従来の有機ＴＦＴにおける上記化合物は電界効果移動度が小さく、応答速度が遅く、トランジスタとしての高速応答性に問題があった。また、オン／オフ比も小さかった。
　尚、ここで言うオン／オフ比とは、ゲート電圧をかけたとき（オン）のソース－ドレイン間に流れる電流を、ゲート電圧をかけないとき（オフ）のソース－ドレイン間に流れる電流で割った値であり、オン電流とは通常ゲート電圧を増加させていき、ソース－ドレイン間に流れる電流が飽和したときの電流値（飽和電流）のことである。
　この有機ＴＦＴの代表的な材料としてペンタセンが挙げられる。特許文献１及び２ではペンタセンを有機半導体層に用いた有機ＴＦＴが作製されており、素子作製直後は非常に高い移動度を示すものの、ペンタセンは大気中における安定性が低いという欠点があった。そこで、ペンタセンのような直線状の縮合芳香環ではなく、ピセンのようにベンゼン環が折れ曲がった構造の縮合芳香環を用いた有機ＴＦＴが非特許文献１にて報告されている。ピセンはペンタセンよりもイオン化ポテンシャルが低いため化合物の大気中での酸化安定性に優れることが記載されている。
特開平５－５５５６８号公報 特開２００１－９４１０７号公報 H. Okamotoら、"Air-assistedHigh-performanceField-effect Transistor with ThinFilms of Picene"（雑誌名Journal of American Chemical Society）、［online］、２００８年７月１６日　Ｗｅｂ　Ｒｅｌｅａｓｅ、アメリカ化学会、［２００８年８月６日検索］、インターネット〈URL：http://pubs.acs.org/cgi-bin/abstract.cgi/jacsat/asap/abs/ja803291a.html〉
　本発明は、成膜性に優れた有機薄膜トランジスタ用化合物を提供することを目的とする。また、本発明は、高い移動度を有する有機薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
　本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、ピセン構造に特定の置換基を導入した、下記式（１）で表される有機化合物が、高い移動度を有するか又は塗布プロセスへの適用可能であり、有機薄膜トランジスタの有機半導体層として好適であることを見出し、本発明を完成した。
　即ち、本発明は、下記式（１）の構造を有する有機薄膜トランジスタ用化合物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 　式（１）において、Ｒ１～Ｒ６はそれぞれ、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～３０のアルキル基、炭素数１～３０のハロアルキル基、炭素数１～３０のアルコキシ基、炭素数１～３０のハロアルコキシ基、炭素数１～３０のアルキチオ基、炭素数１～３０のハロアルキルチオ基、炭素数１～３０のアルキルアミノ基、炭素数２～６０のジアルキルアミノ基（アルキル基は互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい）、炭素数１～３０のアルキルスルホニル基、炭素数１～３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６～６０の芳香族炭化水素基、炭素数３～６０の芳香族複素環基、炭素数３～２０のアルキルシリル基、炭素数５～６０のアルキルシリルアセチレン基又はシアノ基であり、これら各基は置換基を有していてもよい。ただし、Ｒ１～Ｒ６が全て水素原子の場合はない。
　また、本発明は、少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース－ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、前記式（１）の構造を有する有機化合物を含む有機薄膜トランジスタを提供するものである。
　また、本発明は、下記式（２）で表されるピセン化合物を提供するものである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 ［式（２）において、Ｒ７～Ｒ１２のうち１つのみがハロゲン原子、炭素数２～３０のアルキル基、炭素数１～３０のハロアルキル基、炭素数１～３０のアルコキシ基、炭素数１～３０のハロアルコキシ基、炭素数１～３０のアルキチオ基、炭素数１～３０のハロアルキルチオ基、炭素数１～３０のアルキルアミノ基、炭素数２～６０のジアルキルアミノ基（アルキル基は互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい）、炭素数１～３０のアルキルスルホニル基、炭素数１～３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６～６０の芳香族炭化水素基、炭素数３～６０の芳香族複素環基、炭素数３～２０のアルキルシリル基、炭素数５～６０のアルキルシリルアセチレン基又はシアノ基であり、これら各基は置換基を有していてもよく、残りのＲ７～Ｒ１２は水素原子である。
　又は、式（２）において、Ｒ７～Ｒ１２のうち２つのみが、ハロゲン原子、炭素数１～３０のアルキル基、炭素数１～３０のハロアルキル基、炭素数１～３０のアルコキシ基、炭素数１～３０のハロアルコキシ基、炭素数１～３０のアルキチオ基、炭素数１～３０のハロアルキルチオ基、炭素数１～３０のアルキルアミノ基、炭素数２～６０のジアルキルアミノ基（アルキル基は互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい）、炭素数１～３０のアルキルスルホニル基、炭素数１～３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６～６０の芳香族炭化水素基、炭素数３～６０の芳香族複素環基、炭素数３～２０のアルキルシリル基、炭素数５～６０のアルキルシリルアセチレン基又はシアノ基であり、これら各基は置換基を有していてもよい。ただし、Ｒ７～Ｒ１２のうち２つのみがメチル基の場合には、これらメチル基は隣接せず、残りのＲ７～Ｒ１２は水素原子である。
　又は式（２）において、Ｒ７～Ｒ１２のうち３つのみがハロゲン原子、炭素数１～３０のアルキル基、炭素数１～３０のハロアルキル基、炭素数１～３０のアルコキシ基、炭素数１～３０のハロアルコキシ基、炭素数１～３０のアルキチオ基、炭素数１～３０のハロアルキルチオ基、炭素数１～３０のアルキルアミノ基、炭素数２～６０のジアルキルアミノ基（アルキル基は互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい）、炭素数１～３０のアルキルスルホニル基、炭素数１～３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６～６０の芳香族炭化水素基、炭素数３～６０の芳香族複素環基、炭素数３～２０のアルキルシリル基、炭素数５～６０のアルキルシリルアセチレン基又はシアノ基であり、これら各基は置換基を有していてもよく、残りのＲ７～Ｒ１２は水素原子である。］
　本発明によれば、成膜性に優れた有機薄膜トランジスタ用化合物又は高い移動度を有する有機薄膜トランジスタを提供できる。
本発明の有機薄膜トランジスタの素子構成の一例を示す図である。 本発明の有機薄膜トランジスタの素子構成の一例を示す図である。 本発明の有機薄膜トランジスタの素子構成の一例を示す図である。 本発明の有機薄膜トランジスタの素子構成の一例を示す図である。 本発明の有機薄膜トランジスタの素子構成の一例を示す図である。 本発明の有機薄膜トランジスタの素子構成の一例を示す図である。
　本発明の有機薄膜トランジスタ用化合物は、下記式（１）の構造を有する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
　式（１）において、Ｒ１～Ｒ６はそれぞれ、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～３０のアルキル基、炭素数１～３０のハロアルキル基、炭素数１～３０のアルコキシ基、炭素数１～３０のハロアルコキシ基、炭素数１～３０のアルキチオ基、炭素数１～３０のハロアルキルチオ基、炭素数１～３０のアルキルアミノ基、炭素数２～６０のジアルキルアミノ基（アルキル基は互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい）、炭素数１～３０のアルキルスルホニル基、炭素数１～３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６～６０の芳香族炭化水素基、炭素数３～６０の芳香族複素環基、炭素数３～２０のアルキルシリル基、炭素数５～６０のアルキルシリルアセチレン基又はシアノ基であり、これら各基は置換基を有していてもよい。ただし、Ｒ１～Ｒ６が全て水素原子の場合はない。
　式（１）において、好ましくは、Ｒ１，Ｒ３，Ｒ５の少なくとも１つ及び、Ｒ２，Ｒ４，Ｒ６の少なくとも１つは水素原子ではなく上記の基である。
　さらに好ましくは、Ｒ１，Ｒ２の少なくとも１つは、ハロゲン原子、炭素数１～３０のアルキル基、炭素数１～３０のハロアルキル基、炭素数１～３０のアルコキシ基、炭素数１～３０のハロアルコキシ基、炭素数５～６０のアルキルシリルアセチレン基、又はシアノ基であって、これら各基は置換基を有していてもよく、残りのＲ１～Ｒ６は水素原子である。より好ましくは、Ｒ１，Ｒ２の少なくとも１つは、炭素数１～１８のアルキル基である。
　より好ましくはＲ１，Ｒ２が共に上記の基である。
　また好ましくは、Ｒ１，Ｒ２の少なくとも１つは、炭素数６～６０の芳香族炭化水素基又は炭素数３～６０の芳香族複素環基であって、これら各基は置換基を有していてもよく、残りのＲ１～Ｒ６は水素原子である。
　より好ましくはＲ１，Ｒ２が共に上記の基である。
　本発明のピセン化合物は、下記式（２）の構造を有する。このピセン化合物は式（１）の化合物に含まれる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
［式（２）において、Ｒ７～Ｒ１２のうち１つのみがハロゲン原子、炭素数２～３０のアルキル基、炭素数１～３０のハロアルキル基、炭素数１～３０のアルコキシ基、炭素数１～３０のハロアルコキシ基、炭素数１～３０のアルキチオ基、炭素数１～３０のハロアルキルチオ基、炭素数１～３０のアルキルアミノ基、炭素数２～６０のジアルキルアミノ基（アルキル基は互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい）、炭素数１～３０のアルキルスルホニル基、炭素数１～３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６～６０の芳香族炭化水素基、炭素数３～６０の芳香族複素環基、炭素数３～２０のアルキルシリル基、炭素数５～６０のアルキルシリルアセチレン基又はシアノ基であり、これら各基は置換基を有していてもよく、残りのＲ７～Ｒ１２は水素原子である。
　又は、式（２）において、Ｒ７～Ｒ１２のうち２つのみが、ハロゲン原子、炭素数１～３０のアルキル基、炭素数１～３０のハロアルキル基、炭素数１～３０のアルコキシ基、炭素数１～３０のハロアルコキシ基、炭素数１～３０のアルキチオ基、炭素数１～３０のハロアルキルチオ基、炭素数１～３０のアルキルアミノ基、炭素数２～６０のジアルキルアミノ基（アルキル基は互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい）、炭素数１～３０のアルキルスルホニル基、炭素数１～３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６～６０の芳香族炭化水素基、炭素数３～６０の芳香族複素環基、炭素数３～２０のアルキルシリル基、炭素数５～６０のアルキルシリルアセチレン基又はシアノ基であり、これら各基は置換基を有していてもよい。ただし、Ｒ７～Ｒ１２のうち２つのみがメチル基の場合には、これらメチル基は隣接せず、残りのＲ７～Ｒ１２は水素原子である。
　又は式（２）において、Ｒ７～Ｒ１２のうち３つのみがハロゲン原子、炭素数１～３０のアルキル基、炭素数１～３０のハロアルキル基、炭素数１～３０のアルコキシ基、炭素数１～３０のハロアルコキシ基、炭素数１～３０のアルキチオ基、炭素数１～３０のハロアルキルチオ基、炭素数１～３０のアルキルアミノ基、炭素数２～６０のジアルキルアミノ基（アルキル基は互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい）、炭素数１～３０のアルキルスルホニル基、炭素数１～３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６～６０の芳香族炭化水素基、炭素数３～６０の芳香族複素環基、炭素数３～２０のアルキルシリル基、炭素数５～６０のアルキルシリルアセチレン基又はシアノ基であり、これら各基は置換基を有していてもよく、残りのＲ７～Ｒ１２は水素原子である。］
　以下、式（１），（２）のＲ１～Ｒ６，Ｒ７～Ｒ１２の示す各基の具体例を説明する。
　前記ハロゲン原子は、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素原子が挙げられる。
　前記アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓ－ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ｎ－ウンデシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基、ｎ－ノナデシル基、ｎ－イコサン基、ｎ－ヘニコサン基、ｎ－ドコサン基、ｎ－トリコサン基、ｎ－テトラコサン基、ｎ－ペンタコサン基、ｎ－ヘキサコサン基、ｎ－ヘプタコサン基、ｎ－オクタコサン基、ｎ－ノナコサン基、ｎ－トリアコンタン基等が挙げられる。
　前記ハロアルキル基としては、例えば、クロロメチル基、１－クロロエチル基、２－クロロエチル基、２－クロロイソブチル基、１，２－ジクロロエチル基、１，３－ジクロロイソプロピル基、２，３－ジクロロ－ｔ－ブチル基、１，２，３－トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１－ブロモエチル基、２－ブロモエチル基、２－ブロモイソブチル基、１，２－ジブロモエチル基、１，３－ジブロモイソプロピル基、２，３－ジブロモ－ｔ－ブチル基、１，２，３－トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１－ヨードエチル基、２－ヨードエチル基、２－ヨードイソブチル基、１，２－ジヨードエチル基、１，３－ジヨードイソプロピル基、２，３－ジヨード－ｔ－ブチル基、１，２，３－トリヨードプロピル基、フルオロメチル基、１－フルオロメチル基，２－フルオロメチル基、２－フルオロイソブチル基、１，２－ジフロロエチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロイソプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロシクロヘキシル基等が挙げられる。
　前記アルコキシ基は、－ＯＹ１で表される基であり、Ｙ１の例としては、前記アルキル基で説明したものと同様の例が挙げられ、前記ハロアルコキシ基は、－ＯＹ２で表される基であり、Ｙ２の例としては、前記ハロアルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。
　前記アルキルチオ基は、－ＳＹ１で表される基であり、Ｙ１の例としては、前記アルキル基で説明したものと同様の例が挙げられ、前記ハロアルキルチオ基は、－ＳＹ２で表される基であり、Ｙ２の例としては、前記ハロアルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。
　前記アルキルアミノ基は、－ＮＨＹ１で表される基であり、ジアルキルアミノ基は－ＮＹ１Ｙ３で表される基であり、Ｙ１及びＹ３は、それぞれ前記アルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。尚、ジアルキルアミノ基のアルキル基は互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよく、環構造としては、例えば、ピロリジン、ピペリジン等が挙げられる。
　前記アルキルスルホニル基は、－ＳＯ２Ｙ１で表される基であり、Ｙ１の例としては、前記アルキル基で説明したものと同様の例が挙げられ、前記ハロアルキルスルホニル基は、－ＳＯ２Ｙ２で表される基であり、Ｙ２の例としては、前記ハロアルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。
　前記アルキルシリル基としては、－ＳｉＹ１Ｙ３Ｙ４で表される基であり、Ｙ１、Ｙ３及びＹ４は、それぞれ前記アルキル基で説明したものと同様の例が挙げられる。
　前記アルキルシリルアセチレン基としては、前記アルキルシリル基で表される基をエチニレン基で介した基であり、トリメチルシリルアセチレン基、トリエチルシリルアセチレン基、トリイソプロピルシリルアセチレン基等が挙げられる。
　前記芳香族炭化水素基の具体例としては、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、クリセン、フェナントレン、テトラセン等の残基が挙げられる。
　前記芳香族複素環基の具体例としては、ピリジン、ピラジン、キノリン、ナフチリジン、キノキサリン、フェナジン、ジアザアントラセン、ピリドキノリン、ピリミドキナゾリン、ピラジノキノキサリン、フェナントロリン、カルバゾール、チオフェン、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ベンゾジチオフェン、［１］ベンゾチエノ［３，２－ｂ］ベンゾチオフェン、チエノチオフェン、ジチエノチオフェン、フラン、ベンゾフラン、ジベンゾフラン、ベンゾジフラン、チアゾール、ベンゾチアゾール、ジチアインダセン、ジチアインデノインデン、ジベンゾセレノフェン、ジセレナインダセン、ジセレナインデノインデン、ジベンゾシロール等の残基が挙げられる。
　本発明の有機薄膜トランジスタに用いる特定の構造を有する有機化合物は、基本的にはｐ型（正孔伝導）及びｎ型（電子伝導）を示す両極性であり、後述するソース、ドレイン電極との組み合わせでｐ型素子としてもｎ型素子としても駆動することが可能である。
　式（１），（２）のＲ１～Ｒ６，Ｒ７～Ｒ１２として電子受容性の基を用いることにより、最低非占有軌道（ＬＵＭＯ）レベルを下げ、ｎ型半導体として機能させることができる。電子受容性の基として好ましいものは、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１～３０のハロアルキル基、炭素数１～３０のハロアルコキシ基、炭素数１～３０のハロアルキルスルホニル基である。また、Ｒ１～Ｒ６，Ｒ７～Ｒ１２として電子供与性の基を用いることにより、最高占有軌道（ＨＯＭＯ）レベルを上げｐ型半導体として機能させることができる。電子供与性の基として好ましいものは、水素原子、炭素数１～３０のアルキル基、炭素数１～３０のアルコキシ基、炭素数１～３０のアルキルアミノ基、炭素数２～６０のジアルキルアミノ基（アミノ基は互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成していてもよい）である。
　前記式（１）、（２）のＲ１～Ｒ６，Ｒ７～Ｒ１２が示す各基をさらに置換していてもよい置換基としては、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アルキル基、アルコキシ基、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アルキルスルホニル基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基、カルボキシ基等が挙げられる。
　以下、本発明の有機薄膜トランジスタ用化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
　本発明の有機薄膜トランジスタ用化合物は、公知の方法、例えば下記の反応により合成できる。
　非特許文献Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　１９９２年、５６巻、６７４９－６７５５ページに記載の方法に従って合成した公知化合物３，６－ジヨードベンゼン－１，２－ジアミンを原料に、ザンドマイヤー反応を行い、その後、（Ａ）の鈴木・宮浦カップリング、（Ｂ）の薗頭カップリングに代表される遷移金属触媒を用いた各種カップリング反応により中間体を合成し、その中間体を下記の反応（Ｃ）のような脱シリル化反応、（Ｄ）のような金属塩を用いた環化反応を行うことにより合成できる。
ザンドマイヤー反応
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
（Ａ）鈴木・宮浦カップリング
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
（Ｂ）薗頭カップリング
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
（Ｃ）脱シリル化反応
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
（Ｄ）環化反応
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
 　また、本発明の有機薄膜トランジスタ用化合物は、例えば下記の反応（Ａ）のＳｈｉｆｆ塩基を用いた１，２－ビス（２－ヨードエチル）ベンゼンのアルキル化、（Ｂ）の酸触媒を用いた環化反応、（Ｃ）の酸化剤を用いた酸化反応を経て合成することもできる。
（Ａ）Ｓｈｉｆｆ塩基を用いた１，２－ビス（２－ヨードエチル）ベンゼンのアルキル化
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
（Ｂ）酸触媒を用いた環化反応
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
（Ｃ）酸化剤を用いた酸化反応
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
　尚、トランジスタのような電子デバイスにおいては、材料の純度の高いものを用いることにより電界効果移動度やオン／オフ比の高いデバイスを得ることができる。従って必要に応じて、カラムクロマトグラフィー、再結晶、蒸留、昇華等の手法により精製を加えることが望ましい。好ましくはこれらの精製方法を繰り返し用いたり、複数の方法を組み合わせることにより純度を向上させることが可能である。さらに精製の最終工程として昇華精製を少なくとも２回以上繰り返すことが望ましい。これらの手法を用いることによりＨＰＬＣで測定した純度９０％以上の材料を用いることが好ましく、さらに好ましくは９５％以上、特に好ましくは９９％以上の材料を用いることにより、有機薄膜トランジスタの電界効果移動度やオン／オフ比を高め、本来材料の持っている性能を引き出すことができる。
　次に、本発明の有機薄膜トランジスタの素子構成について説明する。
　本発明の有機薄膜トランジスタの素子構成は、少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース－ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する薄膜トランジスタである。そして、有機半導体層が上述した本発明の有機薄膜トランジスタ用化合物を含むことを特徴とする。
　トランジスタの構造は、特に限定されず、有機半導体層の成分以外が公知の素子構成を有するものであってもよい。有機薄膜トランジスタの素子構成の具体例を図を用いて説明する。
　図１～図４は、本発明の有機薄膜トランジスタの素子構成の一例を示す図である。
　図１の有機薄膜トランジスタ１は、基板１０上に、相互に所定の間隔をあけて対向するように形成されたソース電極１１及びドレイン電極１２を有する。そして、ソース電極１１、ドレイン電極１２及びそれらの間の間隙を覆うように有機半導体層１３が形成され、さらに、絶縁体層１４が積層されている。絶縁体層１４の上部であって、かつソース電極１１及びドレイン電極１２の間の間隙上にゲート電極１５が形成されている。
　図２の有機薄膜トランジスタ２は、基板１０上に、ゲート電極１５及び絶縁体層１４をこの順に有し、絶縁体層１４上に、所定の間隔をあけて形成された一対のソース電極１１及びドレイン電極１２を有し、その上に有機半導体層１３が形成される。有機半導体層１３がチャネル領域を成しており、ゲート電極１５に印加される電圧でソース電極１１とドレイン電極１２の間に流れる電流が制御されることによってオン／オフ動作する。
　図３の有機薄膜トランジスタ３は、基板１０上に、ゲート電極１５、絶縁体層１４及び有機半導体層１３をこの順に有し、有機半導体層１３上に、所定の間隔をあけて形成された一対のソース電極１１及びドレイン電極１２を有する。
　図４の有機薄膜トランジスタ４は、基板１０上に有機半導体層１３を有し、有機半導体層１３上に、所定の間隔をあけて形成された一対のソース電極１１及びドレイン電極１２を有する。そして、さらに絶縁体層１４及びゲート電極１５をこの順に有している。
　本発明の有機薄膜トランジスタは、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Ｆｉｅｌｄ　Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）構造を有している。上述したとおり、電極の位置、層の積層順等によりいくつかの構成がある。有機薄膜トランジスタは、有機半導体層（有機化合物層）と、相互に所定の間隔をあけて対向するように形成されたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極、ドレイン電極からそれぞれ所定の距離をあけて形成されたゲート電極とを有し、ゲート電極に電圧を印加することによってソース－ドレイン電極間に流れる電流を制御する。ここで、ソース電極とドレイン電極の間隔は本発明の有機薄膜トランジスタを用いる用途によって決定され、通常は０．１μｍ～１ｍｍ、好ましくは１μｍ～１００μｍ、さらに好ましくは５μｍ～１００μｍである。
　本発明の有機薄膜トランジスタは、上記の素子構成にも、有機薄膜トランジスタとして種々の構成が提案されており、ゲート電極に印加される電圧でソース電極とドレイン電極の間に流れる電流が制御されることによってオン／オフ動作や増幅等の効果が発現する仕組みであればこれらの素子構成に限定されるものではない。
　例えば、産業技術総合研究所の吉田らにより第４９回応用物理学関係連合講演会講演予稿集２７ａ－Ｍ－３（２００２年３月）において提案されたトップアンドボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタ（図５参照）や、千葉大学の工藤らにより電気学会論文誌１１８－Ａ（１９９８）１４４０頁において提案された縦形の有機薄膜トランジスタ（図６参照）のような素子構成を有するものであってもよい。
　以下、有機薄膜トランジスタの構成部材について説明する。
（有機半導体層）
　本発明の有機薄膜トランジスタにおける有機半導体層は、上述した本発明の有機薄膜トランジスタ用化合物を含む。有機半導体層の膜厚は、特に制限されることはないが、通常、０．５ｎｍ～１μｍであり、２ｎｍ～２５０ｎｍであると好ましい。
　また、有機半導体層の形成方法は特に限定されることはなく公知の方法を適用でき、例えば、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）、真空蒸着法、化学蒸着、材料を溶媒に溶かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法、インクジェット法等の印刷、塗布法及びベーキング、エレクトロポリマラインゼーション、分子ビーム蒸着、溶液からのセルフ・アセンブリ、及びこれらの組合せた手段により、前記したような有機半導体層の材料で形成される。
　有機半導体層の結晶性を向上させると電界効果移動度が向上するため、成膜方法に関わらず成膜後にアニーリングを実施すると高性能デバイスが得られるため好ましい。アニーリングの温度は５０～２００℃が好ましく、７０～２００℃であるとさらに好ましく、時間は１０分～１２時間が好ましく、１～１０時間であるとさらに好ましい。
　本発明において、有機半導体層には、式（１）で示される化合物の１種類を用いてもよく、複数を組み合わせたり、ペンタセンやチオフェンオリゴマー等の公知の半導体を用いて複数の混合薄膜又は積層して用いてもよい。
（基板）
　本発明の有機薄膜トランジスタにおける基板は、有機薄膜トランジスタの構造を支持する役目を担うものであり、材料としてはガラスの他、金属酸化物や窒化物等の無機化合物、プラスチックフィルム（ＰＥＴ，ＰＥＳ，ＰＣ）や金属基板又はこれら複合体や積層体等も用いることが可能である。また、基板以外の構成要素により有機薄膜トランジスタの構造を十分に支持し得る場合には、基板を使用しないことも可能である。また、基板の材料としてはシリコン（Ｓｉ）ウエハが用いられることが多い。この場合、Ｓｉ自体をゲート電極兼基板として用いることができる。また、Ｓｉの表面を酸化し、ＳｉＯ２を形成して絶縁層として活用することも可能である。この場合、基板兼ゲート電極のＳｉ基板にリード線接続用の電極として、Ａｕ等の金属層を成膜することもある。
（電極）
　本発明の有機薄膜トランジスタにおける、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の材料としては、導電性材料であれば特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペースト及びカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム－カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム混合物、リチウム／アルミニウム混合物等が用いられる。
　前記電極の形成方法としては、例えば、蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、大気圧プラズマ法、イオンプレーティング、化学気相蒸着、電着、無電解メッキ、スピンコーティング、印刷又はインクジェット等の手段が挙げられる。また、必要に応じてパターニングする方法としては、上記の方法を用いて形成した導電性薄膜を、公知のフォトリソグラフ法やリフトオフ法を用いて電極形成する方法、アルミニウムや銅等の金属箔上に熱転写、インクジェット等により、レジストを形成しエッチングする方法等がある。
　このようにして形成された電極の膜厚は電流の導通さえあれば特に制限はないが、好ましくは０．２ｎｍ～１０μｍ、さらに好ましくは４ｎｍ～３００ｎｍの範囲である。この好ましい範囲内であれば、膜厚が薄いことにより抵抗が高くなり電圧降下を生じることがない。また、厚すぎないため膜形成に時間がかからず、保護層や有機半導体層等他の層を積層する場合に、段差が生じることが無く積層膜が円滑にできる。
　本発明の有機薄膜トランジスタにおいて、別のソース電極、ドレイン電極、ゲート電極及びその形成方法としては、上記の導電性材料を含む、溶液、ペースト、インク、分散液等の流動性電極材料を用いて形成したもの、特に、導電性ポリマー、又は白金、金、銀、銅を含有する金属微粒子を含む流動性電極材料が好ましい。また、溶媒や分散媒体としては、有機半導体へのダメージを抑制するため、水を６０質量％以上、好ましくは９０質量％以上含有する溶媒又は分散媒体であることが好ましい。金属微粒子を含有する分散物としては、例えば、公知の導電性ペースト等を用いてもよいが、通常粒子径が０．５ｎｍ～５０ｎｍ、１ｎｍ～１０ｎｍの金属微粒子を含有する分散物であると好ましい。この金属微粒子の材料としては、例えば、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、亜鉛等を用いることができる。これらの金属微粒子を、主に有機材料からなる分散安定剤を用いて、水や任意の有機溶剤である分散媒中に分散した分散物を用いて電極を形成するのが好ましい。このような金属微粒子の分散物の製造方法としては、ガス中蒸発法、スパッタリング法、金属蒸気合成法等の物理的生成法や、コロイド法、共沈法等の、液相で金属イオンを還元して金属微粒子を生成する化学的生成法が挙げられ、好ましくは、特開平１１－７６８００号公報、同１１－８０６４７号公報、同１１－３１９５３８号公報、特開２０００－２３９８５３号公報等に示されたコロイド法、特開２００１－２５４１８５号公報、同２００１－５３０２８号公報、同２００１－３５２５５号公報、同２０００－１２４１５７号公報、同２０００－１２３６３４号公報等に記載されたガス中蒸発法により製造された金属微粒子の分散物である。
　これらの金属微粒子分散物を用いて直接インクジェット法によりパターニングしてもよく、塗工膜からリソグラフやレーザーアブレーション等により形成してもよい。また凸版、凹版、平版、スクリーン印刷等の印刷法でパターニングする方法も用いることができる。前記電極を成形し、溶媒を乾燥させた後、必要に応じて１００℃～３００℃、好ましくは１５０℃～２００℃の範囲で形状様に加熱することにより、金属微粒子を熱融着させ、目的の形状を有する電極パターンを形成できる。
　さらに、別のゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の材料として、ドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマーを用いることも好ましく、例えば、導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン（ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体等）、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸の錯体等も好適に用いられる。これらの材料によりソース電極とドレイン電極の有機半導体層との接触抵抗を低減することができる。これらの形成方法もインクジェット法によりパターニングしてもよく、塗工膜からリソグラフやレーザーアブレーション等により形成してもよい。また凸版、凹版、平版、スクリーン印刷等の印刷法でパターニングする方法も用いることができる。
　特にソース電極及びドレイン電極を形成する材料は、前述した例の中でも有機半導体層との接触面において電気抵抗が少ないものが好ましい。この際の電気抵抗は、即ち電流制御デバイスを作製したとき電界効果移動度と対応しており、大きな移動度を得るためにはできるだけ抵抗が小さいことが必要である。これは一般に電極材料の仕事関数と有機半導体層のエネルギー準位との大小関係で決まる。
　電極材料の仕事関数（Ｗ）をａ、有機半導体層のイオン化ポテンシャルを（Ｉｐ）をｂ、有機半導体層の電子親和力（Ａｆ）をｃとすると、以下の関係式を満たすことが好ましい。ここで、ａ、ｂ及びｃはいずれも真空準位を基準とする正の値である。
　ｐ型有機薄膜トランジスタの場合には、ｂ－ａ＜１．５ｅＶ（式（Ｉ））であることが好ましく、さらに好ましくはｂ－ａ＜１．０ｅＶである。有機半導体層との関係において上記関係が維持できれば高性能なデバイスを得ることができるが、特に電極材料の仕事関数はできるだけ大きいことものを選ぶことが好ましく、仕事関数４．０ｅＶ以上であることが好ましく、さらに好ましくは仕事関数４．２ｅＶ以上である。金属の仕事関数の値は、例えば化学便覧　基礎編ＩＩ－４９３頁（改訂３版　日本化学会編　丸善株式会社発行１９８３年）に記載されている４．０ｅＶ又はそれ以上の仕事関数をもつ有効金属の前記リストから選別すればよく、高仕事関数金属は、主としてＡｇ（４．２６，４．５２，４．６４，４．７４ｅＶ），Ａｌ（４．０６，４．２４，４．４１ｅＶ），Ａｕ（５．１，５．３７，５．４７ｅＶ），Ｂｅ（４．９８ｅＶ），Ｂｉ（４．３４ｅＶ），Ｃｄ（４．０８ｅＶ），Ｃｏ（５．０ｅＶ），Ｃｕ（４．６５ｅＶ），Ｆｅ（４．５，４．６７，４．８１ｅＶ），Ｇａ（４．３ｅＶ），Ｈｇ（４．４ｅＶ），Ｉｒ（５．４２，５．７６ｅＶ），Ｍｎ（４．１ｅＶ），Ｍｏ（４．５３，４．５５，４．９５ｅＶ），Ｎｂ（４．０２，４．３６，４．８７ｅＶ），Ｎｉ（５．０４，５．２２，５．３５ｅＶ），Ｏｓ（５．９３ｅＶ），Ｐｂ（４．２５ｅＶ），Ｐｔ（５．６４ｅＶ），Ｐｄ（５．５５ｅＶ），Ｒｅ（４．７２ｅＶ），Ｒｕ（４．７１ｅＶ），Ｓｂ（４．５５，４．７ｅＶ），Ｓｎ（４．４２ｅＶ），Ｔａ（４．０，４．１５，４．８ｅＶ），Ｔｉ（４．３３ｅＶ），Ｖ（４．３ｅＶ），Ｗ（４．４７，４．６３，５．２５ｅＶ），Ｚｒ（４．０５ｅＶ）等である。
　これらの中でも、貴金属（Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｔ），Ｎｉ，Ｃｏ，Ｏｓ，Ｆｅ，Ｇａ，Ｉｒ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｖ，Ｗが好ましい。金属以外では、ＩＴＯ、ポリアニリンやＰＥＤＯＴ：ＰＳＳのような導電性ポリマー及び炭素が好ましい。電極材料としてはこれらの高仕事関数の物質を１種又は複数含んでいても、仕事関数が前記式（Ｉ）を満たせば特に制限を受けるものではない。
　ｎ型有機薄膜トランジスタの場合にはａ－ｃ＜１．５ｅＶ（式（ＩＩ））であることが好ましく，さらに好ましくはａ－ｃ＜１．０ｅＶである。有機半導体層との関係において上記関係が維持できれば高性能なデバイスを得ることができるが、特に電極材料の仕事関数はできるだけ小さいものを選ぶことが好ましく、仕事関数４．３ｅＶ以下であることが好ましく、さらに好ましくは仕事関数３．７ｅＶ以下である。
　低仕事関数金属の具体例としては、例えば化学便覧　基礎編ＩＩ－４９３頁（改訂３版　日本化学会編　丸善株式会社発行１９８３年）に記載されている４．３ｅＶ又はそれ以下の仕事関数をもつ有効金属の前記リストから選別すればよく、Ａｇ（４．２６ｅＶ），Ａｌ（４．０６，４．２８ｅＶ），Ｂａ（２．５２ｅＶ），Ｃａ（２．９ｅＶ），Ｃｅ（２．９ｅＶ），Ｃｓ（１．９５ｅＶ），Ｅｒ（２．９７ｅＶ），Ｅｕ（２．５ｅＶ），Ｇｄ（３．１ｅＶ），Ｈｆ（３．９ｅＶ），Ｉｎ（４．０９ｅＶ），Ｋ（２．２８），Ｌａ（３．５ｅＶ），Ｌｉ（２．９３ｅＶ），Ｍｇ（３．６６ｅＶ），Ｎａ（２．３６ｅＶ），Ｎｄ（３．２ｅＶ），Ｒｂ（４．２５ｅＶ），Ｓｃ（３．５ｅＶ），Ｓｍ（２．７ｅＶ），Ｔａ（４．０，４．１５ｅＶ），Ｙ（３．１ｅＶ），Ｙｂ（２．６ｅＶ），Ｚｎ（３．６３ｅＶ）等が挙げられる。これらの中でも、Ｂａ，Ｃａ，Ｃｓ，Ｅｒ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｈｆ，Ｋ，Ｌａ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｎａ，Ｎｄ，Ｒｂ，Ｙ，Ｙｂ，Ｚｎが好ましい。電極材料としてはこれらの低仕事関数の物質を１種又は複数含んでいても、仕事関数が前記式（ＩＩ）を満たせば特に制限を受けるものではない。ただし、低仕事関数金属は、大気中の水分や酸素に触れると容易に劣化してしまうので、必要に応じてＡｇやＡｕのような空気中で安定な金属で被覆することが望ましい。被覆に必要な膜厚は１０ｎｍ以上必要であり、膜厚が熱くなるほど酸素や水から保護することができるが、実用上、生産性を上げる等の理由から１ｕｍ以下にすることが望ましい。
　本発明の有機薄膜トランジスタでは、例えば、注入効率を向上させる目的で、有機半導体層とソース電極及びドレイン電極との間に、バッファ層を設けてもよい。バッファ層としてはｎ型有機薄膜トランジスタに対しては有機ＥＬの陰極に用いられるＬｉＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＣｓＦ、ＮａＣＯ３、ＫＣｌ、ＭｇＦ２、ＣａＣＯ３等のアルカリ金属、アルカリ土類金属イオン結合を持つ化合物が望ましい。また、Ａｌｑ等有機ＥＬで電子注入層、電子輸送層として用いられる化合物を挿入してもよい。
　ｐ型有機薄膜トランジスタに対してはＦｅＣｌ３、ＴＣＮＱ、Ｆ４－ＴＣＮＱ、ＨＡＴ等のシアノ化合物、ＣＦｘやＧｅＯ２、ＳｉＯ２、ＭｏＯ３、Ｖ２Ｏ５、ＶＯ２、Ｖ２Ｏ３、ＭｎＯ、Ｍｎ３Ｏ４、ＺｒＯ２、ＷＯ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＮｉＯ、ＨｆＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＲｅＯ３、ＰｂＯ２等のアルカリ金属、アルカリ土類金属以外の金属酸化物、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ等の無機化合物が望ましい。これらの酸化物は多くの場合、酸素欠損を起こし、これが正孔注入に好適である。さらにはＴＰＤやＮＰＤ等のアミン系化合物やＣｕＰｃ等有機ＥＬ素子において正孔注入層、正孔輸送層として用いられる化合物でもよい。また、上記の化合物二種類以上からなるものが望ましい。
　バッファ層はキャリアの注入障壁を下げることにより閾値電圧を下げ、トランジスタを低電圧駆動させる効果があることが知られているが、われわれは、本発明の化合物に対しては低電圧効果のみならず移動度を向上させる効果があることを見出した。これは、有機半導体と絶縁体層の界面にはキャリアトラップが存在しゲート電圧を印加してキャリア注入が起こると最初に注入したキャリアはトラップを埋めるのに使われるが、バッファ層を挿入することにより、低電圧でトラップが埋められ移動度が向上するためである。バッファ層は電極と有機半導体層との間に薄く存在すればよく、その厚みは０．１ｎｍ～３０ｎｍ、好ましくは０．３ｎｍ～２０ｎｍである。
（絶縁体層）
　本発明の有機薄膜トランジスタにおける絶縁体層の材料としては、電気絶縁性を有し薄膜として形成できるものであるのなら特に限定されず、金属酸化物（珪素の酸化物を含む）、金属窒化物（珪素の窒化物を含む）、高分子、有機低分子等室温での電気抵抗率が１０Ωｃｍ以上の材料を用いることができ、特に、比誘電率の高い無機酸化物皮膜が好ましい。
　無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、ランタン酸化物、フッ素酸化物、マグネシウム酸化物、ビスマス酸化物、チタン酸ビスマス、ニオブ酸化物，チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、五酸化タンタル、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウム及びこれらを組合せたもの等が挙げられ、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンが好ましい。
　また、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ（ｘ、ｙ＞０））、窒化アルミニウム等の無機窒化物も好適に用いることができる。
　さらに、絶縁体層は、アルコキシド金属を含む前駆物質で形成されていてもよく、この前駆物質の溶液を、例えば基板に被覆し、これを熱処理を含む化学溶液処理をすることにより絶縁体層が形成される。
　前記アルコキシド金属における金属としては、例えば、遷移金属、ランタノイド、又は主族元素から選択され、具体的には、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、チタン（Ｔｉ）、ビスマス（Ｂｉ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコン（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、鉛（Ｐｂ）、ランタン（Ｌａ）、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）、フランシウム（Ｆｒ）ベリリウム（Ｂｅ）マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ニオブ（Ｎｂ）、タリウム（Ｔｌ）、水銀（Ｈｇ）、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、スカンジウム（Ｓｃ）及びイットリウム（Ｙ）等が挙げられる。また、前記アルコキシド金属におけるアルコキシドとしては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノール等を含むアルコール類、メトキシエタノール、エトキシエタノール、プロポキシエタノール、ブトキシエタノール、ペントキシエタノール、ヘプトキシエタノール、メトキシプロパノール、エトキシプロパノール、プロポキシプロパノール、ブトキシプロパノール、ペントキシプロパノール、ヘプトキシプロパノールを含むアルコキシアルコール類等から誘導されるものが挙げられる。　　　
　本発明において、絶縁体層を上記したような材料で構成すると、絶縁体層中に分極が発生しやすくなり、トランジスタ動作のしきい電圧を低減することができる。また、上記材料の中でも、特に、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯＮｘ（ｘ、ｙ＞０）等の窒化ケイ素で絶縁体層を形成すると、空乏層がいっそう発生しやすくなり、トランジスタ動作のしきい電圧をさらに低減させることができる。
　有機化合物を用いた絶縁体層としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、アクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、及びシアノエチルプルラン等を用いることもできる。
　その他、ワックス、ポリエチレン、ポリクロロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリオキシメチレン、ポリビニルクロライド、ポリフッ化ビニリデン、ポリメチルメタクリレート、ポリサルホン、ポリカーボネート、ポリイミドシアノエチルプルラン、ポリ（ビニルフェノール）（ＰＶＰ）、ポリ（メチルメタクレート）（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリオレフィン、ポリアクリルアミド、ポリ（アクリル酸）、ノボラック樹脂、レゾール樹脂、ポリイミド、ポリキシリレン、エポキシ樹脂に加え、プルラン等の高い誘電率を持つ高分子材料を使用することも可能である。
　絶縁体層に用いる有機化合物材料、高分子材料として、特に好ましいのは撥水性を有する材料である。撥水性を有することにより絶縁体層と有機半導体層との相互作用を抑え、有機半導体が本来保有している凝集性を利用して有機半導体層の結晶性を高めデバイス性能を向上させることができる。このような例としては、Ｙａｓｕｄａら　Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．４２（２００３）ｐｐ．６６１４－６６１８に記載のポリパラキシリレン誘導体やＪａｎｏｓ　Ｖｅｒｅｓ　ら　Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．，Ｖｏｌ．１６（２００４）ｐｐ．４５４３－４５５５に記載のものが挙げられる。
　また、図１及び図４に示すようなトップゲート構造を用いるときに、このような有機化合物を絶縁体層の材料として用いると、有機半導体層に与えるダメージを小さくして成膜することができるため有効な方法である。
　前記絶縁体層は、前述したような無機又は有機化合物材料を複数用いた混合層であってもよく、これらの積層構造体であってもよい。この場合、必要に応じて誘電率の高い材料と撥水性を有する材料を混合したり、積層することによりデバイスの性能を制御することもできる。
　また、前記絶縁体層は、陽極酸化膜、又は該陽極酸化膜を構成として含んでもよい。陽極酸化膜は封孔処理されることが好ましい。陽極酸化膜は、陽極酸化が可能な金属を公知の方法により陽極酸化することにより形成される。陽極酸化処理可能な金属としては、アルミニウム又はタンタルを挙げることができ、陽極酸化処理の方法には特に制限はなく、公知の方法を用いることができる。陽極酸化処理を行なうことにより、酸化被膜が形成される。陽極酸化処理に用いられる電解液としては、多孔質酸化皮膜を形成することができるものならばいかなるものでも使用でき、一般には、硫酸、燐酸、蓚酸、クロム酸、ホウ酸、スルファミン酸、ベンゼンスルホン酸等あるいはこれらを２種類以上組み合わせた混酸又はそれらの塩が用いられる。陽極酸化の処理条件は使用する電解液により種々変化するので一概に特定し得ないが、一般的には、電解液の濃度が１～８０質量％、電解液の温度５～７０℃、電流密度０．５～６０Ａ／ｃｍ２、電圧１～１００ボルト、電解時間１０秒～５分の範囲が適当である。好ましい陽極酸化処理は、電解液として硫酸、リン酸又はホウ酸の水溶液を用い、直流電流で処理する方法であるが、交流電流を用いることもできる。これらの酸の濃度は５～４５質量％であることが好ましく、電解液の温度２０～５０℃、電流密度０．５～２０Ａ／ｃｍ２で２０～２５０秒間電解処理するのが好ましい。
　絶縁体層の厚さとしては、層の厚さが薄いと有機半導体に印加される実効電圧が大きくなるので、デバイス自体の駆動電圧、閾電圧を下げることができるが、逆にソース－ゲート間のリーク電流が大きくなるので、適切な膜厚を選ぶ必要があり、通常１０ｎｍ～５μｍ、好ましくは５０ｎｍ～２μｍ、さらに好ましくは１００ｎｍ～１μｍである。
　また、前記絶縁体層と有機半導体層の間に、任意の配向処理を施してもよい。その好ましい例としては、絶縁体層表面に撥水化処理等を施し絶縁体層と有機半導体層との相互作用を低減させ有機半導体層の結晶性を向上させる方法であり、具体的には、シランカップリング剤、例えば、ヘキサメチルジシラザン、オクタデシルトリクロロシラン、トリクロロメチルシラザンや、アルカン燐酸、アルカンスルホン酸、アルカンカルボン酸等の自己組織化配向膜材料を、液相又は気相状態で、絶縁膜表面に接触させ自己組織化膜を形成後、適度に乾燥処理を施す方法が挙げられる。また、液晶の配向に用いられるように、絶縁膜表面にポリイミド等で構成された膜を設置し、その表面をラビング処理する方法も好ましい。
　前記絶縁体層の形成方法としては、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、特開平１１－６１４０６号公報、同１１－１３３２０５号公報、特開２０００－１２１８０４号公報、同２０００－１４７２０９号公報、同２０００－１８５３６２号公報に記載の大気圧プラズマ法等のドライプロセスや、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、デイップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法等の塗布による方法、印刷やインクジェット等のパターニングによる方法等のウェットプロセスが挙げられ、材料に応じて使用できる。ウェットプロセスは、無機酸化物の微粒子を、任意の有機溶剤又は水に必要に応じて界面活性剤等の分散補助剤を用いて分散した液を塗布、乾燥する方法や、酸化物前駆体、例えば、アルコキシド体の溶液を塗布、乾燥する、いわゆるゾルゲル法が用いられる。
　本発明の有機薄膜トランジスタの形成方法としては、特に限定されず公知の方法によればよいが、所望の素子構成に従い、基板投入、ゲート電極形成、絶縁体層形成、有機半導体層形成、ソース電極形成、ドレイン電極形成までの一連の素子作製工程を全く大気に触れることなく形成すると、大気との接触による大気中の水分や酸素等による素子性能の阻害を防止できるため好ましい。やむをえず、一度大気に触れさせなければならないときは、有機半導体層成膜以後の工程は大気に全く触れさせない工程とし、有機半導体層成膜直前には、有機半導体層を積層する面（例えば素子Ｂの場合は絶縁層に一部ソース電極、ドレイン電極が積層された表面）を紫外線照射、紫外線／オゾン照射、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ等で清浄化・活性化した後、有機半導体層を積層することが好ましい。また、ｐ型ＴＦＴ材料の中には一旦大気にふれさせ、酸素等を吸着させることにより性能が向上するものもあるので、材料によっては適宜大気にふれさせる。
　さらに、例えば、大気中に含まれる酸素、水等の有機半導体層に対する影響を考慮し、有機トランジスタ素子の外周面の全面又は一部に、ガスバリア層を形成してもよい。ガスバリア層を形成する材料としては、この分野で常用されるものを使用でき、例えば、ポリビニルアルコール、エチレン－ビニルアルコール共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリクロロトリフロロエチレン等が挙げられる。さらに、前記絶縁体層で例示した、絶縁性を有する無機物も使用できる。
　本発明では、ソース電極－ドレイン電極間を流れる電流を利用して発光し、ゲート電極に電圧を印加することによって発光を制御する有機薄膜発光トランジスタを提供することができる。即ち、有機薄膜トランジスタを発光素子（有機ＥＬ）として用いることができる。発光を制御するためのトランジスタと発光素子を統合できるため、ディスプレイの開口率向上や作製プロセスの簡易化によるコストダウンが可能となり実用上の大きなメリットを与える。有機発光トランジスタとして用いるときは、ソース電極、ドレイン電極の一方から正孔、もう一方から電子を注入する必要あり、発光性能を向上させるため以下の条件を満たすことが好ましい。
　本発明の有機薄膜発光トランジスタでは、正孔の注入性を向上させるため、ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方は正孔注入性電極であることが好ましい。正孔注入電極とは上記仕事関数４．２ｅＶ以上の物質を含む電極である。
　また、電子の注入性を向上させるため、ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方は電子注入性電極であることが好ましい。電子注入性電極とは上記仕事関数４．３ｅＶ以下の物質を含む電極である。
　さらに好ましくは一方が正孔注入性であり、且つ、もう一方が電子注入性である電極を備える有機薄膜発光トランジスタである。
　また、正孔の注入性を向上させるため、ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の電極と有機半導体層の間に正孔注入層を挿入することが好ましい。正孔注入層には有機ＥＬ素子において、正孔注入材料、正孔輸送材料として用いられるアミン系材料が挙げられる。
　また、電子の注入性を向上させるため、ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方電極と有機半導体層の間に電子注入性層を挿入すること好ましい。正孔と同じく電子注入層には有機ＥＬ素子に用いられる電子注入材料を用いることができる
　さらに好ましくは一方の電極に正孔注入層を備え、且つ、もう一方の電極に電子注入層を備える有機薄膜発光トランジスタである。
　本発明の有機薄膜トランジスタを用いた装置とは、本発明の有機薄膜トランジスタを用いる装置であればよく、例えば、回路、パーソナルコンピュータ、ディスプレイ、携帯電話等である。
［実施例］
　次に、実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明する。
実施例１（化合物（１）の合成）
　化合物（１）を以下のようにして合成した。
ザンドマイヤー反応
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
 　反応器に臭化銅（II）４４．２ｇ（１９８ｍｍｏｌ）、亜硝酸ｔｅｒｔ－ブチル２０．４ｇ（１９８ｍｍｏｌ）のアセトニトリル溶液４００ｍｌを加え、ここに３，６－ジヨード－１，２－ジアミンベンゼン２９．７ｇ（８２．５ｍｍｏｌ）を徐々に加え、反応器を６５℃にて３時間加熱還流した。反応混合物を室温に冷却した後、２０％塩酸２００ｍｌを加え、エーテルで有機層を抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥した。得られたろ液を濃縮してジブロモジヨードベンゼン５．５３ｇ（収率　１４％）を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
 　反応器にジブロモジヨードベンゼン５．０ｇ（１０．３ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）０．６０ｇ（０．５１５ｍｍｏｌ）、４－メチルフェニルボロン酸２．８ｇ（２０．６ｍｍｏｌ）のジメトキシエーテル溶液６２ｍｌを入れここに、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液３１ｍｌを加え、反応器を７０℃にて８時間加熱還流した。反応混合物をろ過、水、メタノールで洗浄し、化合物（Ａ）の粗精製物２．６ｇ（収率　６０％）を得た。これをそのまま次の反応に用いた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
 　反応器に化合物（Ａ）２．６ｇ（６．１８ｍｍｏｌ）、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）０．３６ｇ（０．３０９ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（Ｉ）０．１２ｇ（０．６１８ｍｍｏｌ）のトリエチルアミン溶液１５ｍｌを入れここに、トリメチルシリルアセチレン１．８２ｇ（１８．５ｍｍｏｌ）を加え、反応器を８０℃にて１６時間加熱還流した。反応混合物をろ過、メタノール、ヘキサンで洗浄し、化合物（Ｂ）の粗精製物２．２ｇ（収率　８０％）を得た。これをそのまま次の反応に用いた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
 　化合物（Ｂ）２．２ｇ（４．９４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム４．１ｇ（２９．６ｍｍｏｌのメタノール、テトラヒドロフラン混合溶液２５ｍｌに水１．０ｍｌを加え、室温で５時間攪拌した。反応混合物をろ過し、ろ液を飽和食塩水にて洗浄し、減圧留去し粗精製物を得た。この粗精製物をカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル）にて精製し、化合物（Ｃ）１．３ｇ（収率　８８％）を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
 　化合物（Ｃ）１．３ｇ（４．４２ｍｍｏｌ）、塩化白金０．０５９ｇ（０．２２１ｍｍｏｌ）のトルエン溶液２０ｍｌを１２０℃で２０時間加熱還流した。反応混合物をろ過、ジクロロメタンにて洗浄し、粗精製物を得た。得られた粗精製物を昇華精製し、化合物（１）０．７０ｇ（収率　５２％）を得た。
　ＦＤ－ＭＳ（フィールドディソープションマス分析）の測定により目的物であることを確認した。ＦＤ－ＭＳの測定結果を以下に示す。
ＦＤ－ＭＳ，ｃａｌｃｄ　ｆｏｒ　Ｃ２６Ｈ１８Ｓ２＝３０６，ｆｏｕｎｄ，ｍ／ｚ＝３０６（Ｍ＋，１００）
＜ＦＤ－ＭＳ測定＞
装置：ＨＸ１１０（日本電子社製）
条件：加速電圧　８ｋＶ
スキャンレンジ　ｍ／ｚ＝５０～１５００
　また、以下のようにして化合物（１）を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
 　Ｎ－（４－メチルシクロヘキシリデン）シクロヘキサナミン（１２．７ｇ、６５．５ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（テトラヒドロフラン）溶液１５０ｍｌにエチルマグネシウムグリニアの１．０Ｍ　ＴＨＦ溶液（６６．０ｍｌ、６６．０ｍｍｏｌ）を加え、４時間加熱還流した。１，２－ビス（２－ヨードエチル）ベンゼン（１０．５ｇ、２７．７ｍｍｏｌ）を加え、更に４時間加熱還流した。室温に冷却した後、６Ｎ　ＨＣｌ（１００ｍｌ）を加え、４時間攪拌した。反応混合物をトルエンで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物（Ｄ）１７．６ｇ（収率７６％）を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
 　化合物Ｄ（１７．６ｇ、４９．７ｍｍｏｌ）のクロロホルム溶液１５０ｍｌにメタンスルホン酸（１６．５ｍｌ）を加え、室温で５時間攪拌した。炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、有機層をジクロロメタンで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物（Ｅ）５．５３ｇ（収率３５％）を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
 　化合物Ｅ（５．５０ｇ、１７．３ｍｍｏｌ）のクロロベンゼン溶液４０ｍｌに２，３－ジクロロ－５，６－ジシアノ－ｐ－ベンゾキノン（２３．６ｇ、１０４ｍｍｏｌ）を加え、２日間加熱還流した。水酸化ナトリウム水溶液を加え、有機層をジクロロメタンで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー及び昇華精製により精製し、化合物（１）１．０３ｇ（収率１９％）を得た。
　ＦＤ－ＭＳ（フィールドディソープションマス分析）の測定により目的物であることを確認した。ＦＤ－ＭＳの測定結果を以下に示す。
ＦＤ－ＭＳ，ｃａｌｃｄ　ｆｏｒ　Ｃ２６Ｈ１８Ｓ２＝３０６，ｆｏｕｎｄ，ｍ／ｚ＝３０６（Ｍ＋，１００）
＜ＦＤ－ＭＳ測定＞
装置：ＨＸ１１０（日本電子社製）
条件：加速電圧　８ｋＶ
スキャンレンジ　ｍ／ｚ＝５０～１５００
実施例２（有機薄膜トランジスタの製造）
　有機薄膜トランジスタを以下の手順で作製した。まず、Ｓｉ基板（Ｐ型比抵抗１Ωｃｍゲート電極兼用）を熱酸化法にて表面を酸化させ、基板上３００ｎｍの熱酸化膜を作製して絶縁体層とした。さらに基板の一方に成膜したＳｉＯ２膜をドライエッチングにて完全に除去した後、スパッタ法にてクロムを２０ｎｍの膜厚で成膜し、さらにその上に金（Ａｕ）を１００ｎｍスパッタにて成膜し取り出し電極とした。この基板を、中性洗剤、純水、アセトン及びエタノールで各３０分超音波洗浄し、さらにオゾン洗浄を行った。
　次に、上記基板をヘキサメチルジシラザン雰囲気下で３時間加熱することにより、基板の表面処理を行った。この表面処理を行った基板を真空蒸着装置（ＵＬＶＡＣ社製、ＥＸ－４００）に設置し、絶縁体層上に前記化合物（１）を０．０５ｎｍ／ｓの蒸着速度で５０ｎｍ膜厚の有機半導体層として成膜した。次いで、金属マスクを通して金を５０ｎｍの膜厚で成膜することにより、互いに接しないソース電極及びドレイン電極を、間隔（チャンネル長Ｌ）が７５μｍになるように形成した。そのときソース電極とドレイン電極の幅（チャンネル幅Ｗ）は５ｍｍとなるように成膜して有機薄膜トランジスタを作製した（図３参照）。
　得られた有機薄膜トランジスタのゲート電極に－７０Ｖのゲート電圧ＶＧを印加し、ソース－ドレイン間に電圧を印加して電流を流した。この場合、正孔が有機半導体層のチャンネル領域（ソース－ドレイン間）に誘起され、ｐ型トランジスタとして動作した。その結果、電流飽和領域でのソース－ドレイン電極間の電流のオン／オフ比は２×１０6であった。また、正孔の電界効果移動度μを下記式（Ａ）より算出したところ２．０ｃｍ２／Ｖｓであった。
　　　　　ＩＤ＝（Ｗ／２Ｌ）・Ｃμ・（ＶＧ－ＶＴ）２　　（Ａ）
　式中、ＩＤはソース－ドレイン間電流、Ｗはチャンネル幅、Ｌはチャンネル長、Ｃはゲート絶縁体層の単位面積あたりの電気容量、ＶＴはゲート閾値電圧、ＶＧはゲート電圧である。
実施例３～７（化合物（８）、（１２）、（１３）、（１４）、（５０）の合成）
　実施例１の化合物（Ａ）の合成に用いた４－メチルボロン酸をそれぞれ対応するボロン酸誘導体とした他は、実施例１と同様にして化合物（８）、（１２）、（１３）、（１４）、(５０)を得た。
　また、化合物（Ｄ）の合成において、それぞれ対応するＮ－（４－アルキルシクロヘキシリデン）シクロヘキサナミンを用いた他は、実施例１と同様にして化合物（８）、（１２）、（１３）、（１４）を合成した。
　ＦＤ－ＭＳの測定により目的物であることを確認した。ＦＤ－ＭＳの測定結果を以下に示す。
化合物（８）
ＦＤ－ＭＳ，ｃａｌｃｄ　ｆｏｒ　Ｃ３８Ｈ４６＝５０２，ｆｏｕｎｄ，ｍ／ｚ＝５０２（Ｍ＋，１００）
化合物（１２）
ＦＤ－ＭＳ，ｃａｌｃｄ　ｆｏｒ　Ｃ４６Ｈ６２＝６１４，ｆｏｕｎｄ，ｍ／ｚ＝６１４（Ｍ＋，１００）
化合物（１３）
ＦＤ－ＭＳ，ｃａｌｃｄ　ｆｏｒ　Ｃ４８Ｈ６６＝６４２，ｆｏｕｎｄ，ｍ／ｚ＝６４２（Ｍ＋，１００）
化合物（１４）
ＦＤ－ＭＳ，ｃａｌｃｄ　ｆｏｒ　Ｃ５０Ｈ７０＝６７０，ｆｏｕｎｄ，ｍ／ｚ＝６７０（Ｍ＋，１００）
化合物（５０）
ＦＤ－ＭＳ, ｃａｌｃｄ　ｆｏｒ　Ｃ３４Ｈ３８Ｏ２＝４７８，ｆｏｕｎｄ，ｍ／ｚ＝４７８（Ｍ＋，１００）
実施例８（塗布プロセスを用いた有機薄膜トランジスタの製造）
　実施例２と同様に基板を洗浄し、ゲート電極、絶縁体層を成膜した。次いで、前記化合物（５０）をクロロホルムに０．５質量％溶解させ、前記絶縁体層まで成膜した基板の上にスピンコーター（ミカサ社製：１Ｈ－Ｄ７）で成膜し、窒素雰囲気下８０℃にて乾燥させ有機半導体層として成膜した。次いで、真空蒸着装置で金属マスクを通して金（Ａｕ）を５０ｎｍの膜厚で成膜することにより、互いに接しないソース及びドレイン電極を形成し、有機薄膜トランジスタを作製した。得られた有機薄膜トランジスタについて、実施例２と同様にして、－７０Ｖのゲート電圧ＶＧにてｐ型駆動させた。ソース－ドレイン電極間の電流のオン／オフを測定し、正孔の電界効果移動度μを算出した結果を表１に示す。
実施例９～１２（塗布プロセスを用いた有機薄膜トランジスタの製造）
　有機半導体層の材料として、化合物（５０）の代わりに前記化合物（８）、（１２）、（１３）、（１４）を用いた以外は、実施例８と同様にして有機薄膜トランジスタを作製した。得られた有機薄膜トランジスタについて、実施例８と同様にして、－７０Ｖのゲート電圧ＶＧにてｐ型駆動させた。ソース－ドレイン電極間の電流のオン／オフ比を測定し、正孔の電界効果移動度μを算出した結果を表１に示す。
比較例１（有機薄膜トランジスタの製造）
　有機半導体層の材料として、化合物（１）の代わりに下記比較化合物（１）を用いた以外は、実施例１と同様にして有機薄膜トランジスタを作製した。得られた有機薄膜トランジスタについて、実施例１と同様にして、－７０Ｖのゲート電圧ＶＧにてｐ型駆動させた。ソース－ドレイン電極間の電流のオン／オフ比を測定し、正孔の電界効果移動度μを算出した結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
比較例２（塗布プロセスを用いた有機薄膜トランジスタの製造）
　有機半導体層の材料として、化合物（１）の代わりに前記比較化合物（１）を用いた以外は、実施例８と同様にして有機薄膜トランジスタの作製を試みた。しかしながら、比較化合物（１）は難溶性のため、塗布プロセスでは有機薄膜トランジスタを作製できなかった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000032
　表１から、実施例で使用した化合物は、成膜性に優れ塗布プロセスへの適用が可能であるか、又は蒸着プロセスで成膜した場合は、比較化合物に比べて高い移動度を有することが分かる。
　以上詳細に説明したように、本発明の化合物は、成膜性に優れ、また、高い電界効果移動度を有することから、有機薄膜トランジスタの有機半導体層の材料として好適に使用できる。また、本発明の化合物を用いたトランジスタは発光可能な有機薄膜発光トランジスタとしても利用できる。
　この明細書に記載の文献の内容を全てここに援用する。

Claims (10)

  1. 　下記式（１）の構造を有する有機薄膜トランジスタ用化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     ［式（１）において、Ｒ１～Ｒ６はそれぞれ、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～３０のアルキル基、炭素数１～３０のハロアルキル基、炭素数１～３０のアルコキシ基、炭素数１～３０のハロアルコキシ基、炭素数１～３０のアルキチオ基、炭素数１～３０のハロアルキルチオ基、炭素数１～３０のアルキルアミノ基、炭素数２～６０のジアルキルアミノ基（アルキル基は互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい）、炭素数１～３０のアルキルスルホニル基、炭素数１～３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６～６０の芳香族炭化水素基、炭素数３～６０の芳香族複素環基、炭素数３～２０のアルキルシリル基、炭素数５～６０のアルキルシリルアセチレン基又はシアノ基であり、これら各基は置換基を有していてもよい。ただし、Ｒ１～Ｒ６が全て水素原子の場合はない。］
  2. 　Ｒ１，Ｒ３，Ｒ５の少なくとも１つ及び、Ｒ２，Ｒ４，Ｒ６の少なくとも１つが水素原子ではない請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ用化合物。
  3. 　Ｒ１，Ｒ２の少なくとも１つが、ハロゲン原子、炭素数１～３０のアルキル基、炭素数１～３０のハロアルキル基、炭素数１～３０のアルコキシ基、炭素数１～３０のハロアルコキシ基、炭素数５～６０のアルキルシリルアセチレン基、又はシアノ基であって、これら各基は置換基を有していてもよく、残りのＲ１～Ｒ６は水素原子である請求項１又は２に記載の有機薄膜トランジスタ用化合物。
  4. 　Ｒ１，Ｒ２の少なくとも１つが、炭素数６～６０の芳香族炭化水素基又は炭素数３～６０の芳香族複素環基であって、これら各基は置換基を有していてもよく、残りのＲ１～Ｒ６は水素原子である請求項１又は２に記載の有機薄膜トランジスタ用化合物。
  5. 　少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース－ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタにおいて、
    　前記有機半導体層が、請求項１～４のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタ用化合物を含む有機薄膜トランジスタ。
  6. 　ソース－ドレイン間を流れる電流を利用して発光し、ゲート電極に電圧を印加することによって発光を制御する請求項５に記載の有機薄膜トランジスタ。
  7. 　ソース電極及びドレイン電極の一方が仕事関数４．２ｅＶ以上の物質からなり、他方が仕事関数４．３ｅＶ以下の物質からなる請求項６に記載の有機薄膜トランジスタ。
  8. 　ソース及びドレイン電極と有機半導体層の間にバッファ層を有する請求項５～７のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタ。
  9. 　請求項５～８のいずれかに記載の有機薄膜トランジスタを備えた装置。
  10. 　下記式（２）で表されるピセン化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     ［式（２）において、Ｒ７～Ｒ１２のうち１つのみがハロゲン原子、炭素数２～３０のアルキル基、炭素数１～３０のハロアルキル基、炭素数１～３０のアルコキシ基、炭素数１～３０のハロアルコキシ基、炭素数１～３０のアルキチオ基、炭素数１～３０のハロアルキルチオ基、炭素数１～３０のアルキルアミノ基、炭素数２～６０のジアルキルアミノ基（アルキル基は互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい）、炭素数１～３０のアルキルスルホニル基、炭素数１～３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６～６０の芳香族炭化水素基、炭素数３～６０の芳香族複素環基、炭素数３～２０のアルキルシリル基、炭素数５～６０のアルキルシリルアセチレン基又はシアノ基であり、これら各基は置換基を有していてもよく、残りのＲ７～Ｒ１２は水素原子である。
    　又は、式（２）において、Ｒ７～Ｒ１２のうち２つのみが、ハロゲン原子、炭素数１～３０のアルキル基、炭素数１～３０のハロアルキル基、炭素数１～３０のアルコキシ基、炭素数１～３０のハロアルコキシ基、炭素数１～３０のアルキチオ基、炭素数１～３０のハロアルキルチオ基、炭素数１～３０のアルキルアミノ基、炭素数２～６０のジアルキルアミノ基（アルキル基は互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい）、炭素数１～３０のアルキルスルホニル基、炭素数１～３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６～６０の芳香族炭化水素基、炭素数３～６０の芳香族複素環基、炭素数３～２０のアルキルシリル基、炭素数５～６０のアルキルシリルアセチレン基又はシアノ基であり、これら各基は置換基を有していてもよい。ただし、Ｒ７～Ｒ１２のうち２つのみがメチル基の場合には、これらメチル基は隣接せず、残りのＲ７～Ｒ１２は水素原子である。
    　又は式（２）において、Ｒ７～Ｒ１２のうち３つのみがハロゲン原子、炭素数１～３０のアルキル基、炭素数１～３０のハロアルキル基、炭素数１～３０のアルコキシ基、炭素数１～３０のハロアルコキシ基、炭素数１～３０のアルキチオ基、炭素数１～３０のハロアルキルチオ基、炭素数１～３０のアルキルアミノ基、炭素数２～６０のジアルキルアミノ基（アルキル基は互いに結合して窒素原子を含む環構造を形成してもよい）、炭素数１～３０のアルキルスルホニル基、炭素数１～３０のハロアルキルスルホニル基、炭素数６～６０の芳香族炭化水素基、炭素数３～６０の芳香族複素環基、炭素数３～２０のアルキルシリル基、炭素数５～６０のアルキルシリルアセチレン基又はシアノ基であり、これら各基は置換基を有していてもよく、残りのＲ７～Ｒ１２は水素原子である。］
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