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WO2008053617A1 - Procédé pour recueillir un métal de valeur à partir de fragments d'ito - Google Patents

Procédé pour recueillir un métal de valeur à partir de fragments d'ito Download PDF

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Publication number
WO2008053617A1
WO2008053617A1 PCT/JP2007/062896 JP2007062896W WO2008053617A1 WO 2008053617 A1 WO2008053617 A1 WO 2008053617A1 JP 2007062896 W JP2007062896 W JP 2007062896W WO 2008053617 A1 WO2008053617 A1 WO 2008053617A1
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WO
WIPO (PCT)
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indium
ito
hydroxide
tin
oxide
Prior art date
Application number
PCT/JP2007/062896
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Yuichiro Shindo
Kouichi Takemoto
Original Assignee
Nippon Mining & Metals Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Mining & Metals Co., Ltd. filed Critical Nippon Mining & Metals Co., Ltd.
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Priority to EP20070767698 priority patent/EP2078766B1/en
Priority to KR1020097008192A priority patent/KR101155359B1/ko
Priority to US12/445,410 priority patent/US8012336B2/en
Priority to CN2007800396825A priority patent/CN101528984B/zh
Priority to CA 2667234 priority patent/CA2667234C/en
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P10/00—Technologies related to metal processing
    • Y02P10/20—Recycling

Definitions

  • the present invention relates to a used indium stannate (ITO) sputtering target or ITO scraps such as ITO scraps generated during production (in the present specification, these are collectively referred to as "IT o scrap”) ).
  • ITO indium stannate
  • ITO indium-tin oxide
  • Ring targets are widely used for transparent conductive thin films and gas sensors of liquid crystal display devices.
  • a thin film is formed on a substrate or the like using a thin film forming means by sputtering.
  • the thin film forming means by this sputtering method is an excellent method, if a transparent conductive thin film is formed using a sputtering target, for example, the target will be evenly consumed, and not! ,. A part of the target is consumed rapidly, and the force generally called the erosion part is consumed. The sputtering operation is continued until the erosion part is consumed and the backing plate supporting the target is exposed. Then, replace it with a new target! /
  • a high-purity material is used for the ITO sputtering target material, and in particular, indium is expensive. Therefore, in general, the ability to recover indium from such scrap material, and simultaneously recovering tin. Has been done.
  • this indium recovery method a method combining wet purification such as an acid dissolution method, an ion exchange method, and a solvent extraction method has been used. For example, ITO scraps are washed and ground, dissolved in nitric acid, and hydrogen sulfide is passed through the solution to precipitate and remove impurities such as zinc, tin, lead, and copper as sulfates. Is added to neutralize and recovered as indium hydroxide.
  • indium hydroxide obtained by this method has poor filterability and takes a long time to operate, and indium hydroxide produced with a large amount of impurities such as Si and Al is produced depending on its neutralization and aging conditions. Since the particle size and particle size distribution fluctuated, there was a problem that the characteristics of the ITO target could not be stably maintained when manufacturing the ITO target thereafter.
  • ITO indium-containing scrap is dissolved with hydrochloric acid to form an indium chloride solution.
  • a sodium hydroxide aqueous solution is added to remove tin as hydroxy sodium hydroxide, and after the removal, a sodium hydroxide aqueous solution is further added to form indium hydroxide, which is filtered and filtered.
  • indium sulfate is used as indium sulfate, and this is used to obtain indium by electrowinning (see Patent Document 5). This is an effective method with a large purification effect, but the process is complicated! There are disadvantages.
  • There is a method of recovering indium which is a process, a process power of replacing and recovering indium with liquid zinc after removing the hydroxide and tin (see Patent Document 6).
  • This method is also an effective method with a large purification effect, but has the disadvantage that the process is complicated.
  • a scrap containing a sulfite-containing material floating on the molten metal indium is taken out and inserted into an atmospheric furnace, and after the furnace is evacuated, argon gas is introduced and heated to a predetermined temperature.
  • argon gas is introduced and heated to a predetermined temperature.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-290900
  • Patent Document 2 JP-A-8-41560
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open No. 3-82720
  • Patent Document 4 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-169991
  • Patent Document 5 JP 2002-69684 A
  • Patent Document 6 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-69544
  • Patent Document 7 Japanese Patent Laid-Open No. 2002-241865
  • the present invention provides an indium monostannate oxide (ITO) sputtering. It is an object of the present invention to provide a method for efficiently recovering indium and tin from an ITO scrap such as an ITO target or an ITO scrap generated during production.
  • ITO indium monostannate oxide
  • a mixture of indium hydroxide and tin hydroxide or metastannic acid is obtained by electrolyzing copper scrap as an anode in an electrolyte solution adjusted to be rhodium.
  • sulfuric acid is mainly used as an electrolytic solution for recovering valuable metals such as scrap scraps of the present invention.
  • an acidic solution such as hydrochloric acid or nitric acid solution or an alkaline solution such as sodium hydroxide, potassium hydroxide or ammonium hydroxide.
  • electrolyte solutions present suitable electrolyte solutions, and conditions that can be efficiently recovered are not limited to those and can be arbitrarily selected. It is desirable to adjust the ⁇ of the electrolyte solution to 3 ⁇ : L1. In particular, ⁇ 5 to 9 is a suitable condition for efficiently recovering a mixture of indium hydroxide and tin hydroxide.
  • the electrolysis conditions such as current density are not uniquely determined because the scrap is scraps, etc.
  • the current density is appropriately selected according to the amount of the scrap and the properties of the material.
  • the temperature of the electrolyte solution is usually in the range of 0 to 100 ° C., preferably in the range of 20 to 50 °.
  • the present invention further includes roasting a mixture of indium hydroxide and hydroxytin or metastannic acid obtained by electrolysis and recovering indium and tin as a mixture of indium oxide and tin oxide. it can.
  • ITO Indium stannate
  • ITO scrap such as ITO scrap generated at the time of manufacture is used, and it is only electrolyzed as an anode, so indium hydroxide and water are very easily used. It is an excellent method if it can be efficiently recovered as a mixture of tin oxide or metastannic acid, and further as a mixture of indium oxide and acid tin.
  • the indium-containing scrap of the ITO target can be easily recovered by electrolysis as a mixture of indium hydroxide and indium hydroxide or metastannic acid. Furthermore, by roasting the obtained mixture of indium hydroxide and tin hydroxide or metastannic acid, it can be efficiently recovered as a mixture of acid indium and acid tin tin.
  • the roasting temperature is 100-1000 ° C. Preferably it is 100-500 ° C! If it is less than 100 ° C, moisture remains, and if it exceeds 1000 ° C, it will sinter.
  • an acidic solution such as sulfuric acid, hydrochloric acid or nitric acid, or an alkaline solution such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, or ammonium hydroxide can be used.
  • an alkaline solution such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, or ammonium hydroxide.
  • electrolysis may be performed using ITO to be electrolyzed as an anode and using a corrosion-resistant electrode such as carbon as a cathode base plate. Thereby, an increase or contamination of impurities in the anode can be avoided.
  • the electrolysis temperature is not particularly limited, but it is desirable to perform electrolysis by adjusting to 0 to LOO ° C. When the electrolysis temperature is less than 0 ° C, the current efficiency decreases, and conversely, when the electrolysis temperature exceeds 100 ° C, the evaporation of the electrolyte increases. More preferable electrolysis temperature is 20-50 ° C.
  • the raw material was 2 kg of ITO (indium tin oxide) mill material.
  • the components in this raw material were 9.7 wt% of acid tin (SnO) and the balance was indium oxide (In 2 O 3).
  • electrolytic purification was performed in a mixed solution of sulfuric acid and sodium sulfate.
  • the electrolysis conditions are pH: 4, electrolysis temperature: 50 ° C.
  • the ratio obtained by this method is usually InO: 72 to 89 wt%, SnO: 2
  • the raw material was 2 kg of ITO (indium tin oxide) mill material.
  • the components in this raw material were 9.7 wt% of acid tin (SnO) and the balance was indium oxide (In 2 O 3).
  • Electrolytic purification was performed in nitric acid and ammonium nitrate solution.
  • the electrolysis conditions are pH: 6, electrolysis temperature: 50 ° C.
  • the mixture of indium hydroxide and metastannic acid thus obtained was further baked at 150 ° C. to obtain a mixture of In oxide (In 2 O 3) and Sn oxide (SnO 2). This mixture is about
  • the ratio obtained by this method is usually In 2 O: 72 to 89 wt%, SnO: It was 28-11 wt% and could be used as a raw material for recycled ITO.
  • the raw material was 2 kg of ITO (indium tin oxide) mill material.
  • the components in this raw material were 9.7 wt% of acid tin (SnO) and the balance was indium oxide (In 2 O 3).
  • the mixture of In hydroxide and Sn hydroxide obtained in this way was further baked at 200 ° C. to obtain a mixture of In oxide (In 2 O 3) and Sn oxide (SnO 2). Got. This mixture is about 1.8
  • the ratio obtained by this method is usually In O: 72 to 89 wt%, SnO: 28
  • the raw material was 2 kg of ITO (indium tin oxide) mill material.
  • the components in this raw material were 9.7 wt% of acid tin (SnO) and the balance was indium oxide (In 2 O 3).
  • electrolytic purification was performed in an ammonium chloride solution.
  • the electrolysis conditions are pH: 8, electrolysis temperature: 50 ° C.
  • the ratio obtained by this method is usually InO: 72 to 89 wt%, SnO: 2
  • the raw material was 2 kg of ITO (indium tin oxide) mill material.
  • the components in this raw material were 9.7 wt% of acid tin (SnO) and the balance was indium oxide (In 2 O 3).
  • electrolytic purification was performed in a mixed solution of sodium hydroxide and sodium nitrate. Electrolysis conditions , PH: 9, electrolysis temperature: 50 ° C.
  • the mixture of indium hydroxide and metastannic acid thus obtained was further baked at 150 ° C. to obtain a mixture of In oxide (In 2 O 3) and Sn oxide (SnO 2). It was. This mixture is about 1
  • the ratio obtained by this method is usually InO: 72 to 89 wt%, SnO: 2
  • the raw material was 2 kg of ITO (indium tin oxide) mill material.
  • the components in this raw material were 9.7 wt% of acid tin (SnO) and the balance was indium oxide (In 2 O 3).
  • electrolytic purification was performed in a sodium hydroxide solution.
  • the electrolysis conditions are pH: 10, electrolysis temperature: 30 ° C.
  • the mixture of indium hydroxide and metastannic acid thus obtained was further baked at 400 ° C. to obtain a mixture of In oxide (In 2 O 3) and Sn oxide (SnO 2). This mixture is about 1
  • the ratio obtained by this method is usually InO: 72 to 89 wt%, SnO: 2
  • the raw material was 2 kg of ITO (indium tin oxide) mill material.
  • the components in this raw material were 9.7 wt% of acid tin (SnO) and the balance was indium oxide (In 2 O 3).
  • ITO indium oxide monoacid ⁇ tin
  • This raw material was used as an anode, and the pH was adjusted to 12 in sodium hydroxide (NaOH) solution, followed by electrolytic purification.
  • NaOH sodium hydroxide
  • the electrolysis conditions are as follows. As a result, indium hydroxide partially precipitated, but Sn hydroxides did not precipitate. On the force sword side, indium and tin metal were electrodeposited. As a result, it was impossible to simultaneously recover a mixture of In hydroxide and Sn hydroxide from ITO (indium oxide monooxide tin) scrap.
  • Electrolysis conditions such as current density and pH are arbitrarily changed according to the amount of components of InO and SnO
  • ITO should change the content of tin oxide (SnO) from 5wt% to 30wt%.
  • the present invention can be sufficiently applied even in such a case.
  • the present invention uses an indium stannate oxide (ITO) sputtering target or ITO scrap such as ITO scrap generated at the time of production, and only electrolyzes this as an anode.
  • ITO indium stannate oxide

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Description

明 細 書
ITOスクラップからの有価金属の回収方法
技術分野
[0001] この発明は、使用済みインジウム 錫酸ィ匕物 (ITO)スパッタリングターゲット又は製 造時に発生する ITO端材等の ITOスクラップ (本願明細書においては、これらを「IT οスクラップ」と総称する）からの有価金属の回収方法に関する。
背景技術
[0002] 近年、インジウム—錫酸化物（In Ο— SnO ：—般に ITOと称呼されている）スパッタ
2 3 2
リングターゲットは液晶表示装置の透明導電性薄膜やガスセンサーなどに広く使用さ れているが、多くの場合スパッタリング法による薄膜形成手段を用いて基板等の上に 薄膜が形成されている。
このスパッタリング法による薄膜形成手段は優れた方法であるが、スパッタリングター ゲットを用いて、例えば透明導電性薄膜を形成していくと、該ターゲットは均一に消 耗して 、く訳ではな!/、。このターゲットの一部の消耗が激し 、部分を一般にェロージ ヨン部と呼んでいる力 このエロージョン部の消耗が進行し、ターゲットを支持するバッ キングプレートが剥き出しになる直前までスパッタリング操作を続行する。そして、そ の後は新し 、ターゲットと交換して！/、る。
したがって、使用済みのスパッタリングターゲットには多くの非エロージョン部、すな わち未使用のターゲット部分が残存することになり、これらは全てスクラップとなる。ま た、 ITOスパッタリングターゲットの製造時においても、研磨粉や切削粉力らスクラッ プ (端材)が発生する。一般に、酸化錫 (SnO )が 9. 7wt%前後含有されているが、
2
多くは酸化インジウム (In O )である。
2 3
[0003] ITOスパッタリングターゲット材料には高純度材が使用されており、特にインジウム は価格も高いので、一般にこのようなスクラップ材からインジウムを回収すること力 そ してまた、同時に錫を回収することが行われている。このインジウム回収方法として、 従来酸溶解法、イオン交換法、溶媒抽出法などの湿式精製を組み合わせた方法が 用いられている。 例えば、 ITOスクラップを洗浄及び粉砕後、硝酸に溶解し、溶解液に硫化水素を通 して、亜鉛、錫、鉛、銅などの不純物を硫ィ匕物として沈殿除去した後、これにアンモ- ァを加えて中和し、水酸化インジウムとして回収する方法である。
しかし、この方法によって得られた水酸化インジウムはろ過性が悪く操作に長時間を 要し、 Si、 Al等の不純物が多ぐまた生成する水酸化インジウムはその中和条件及び 熟成条件等により、粒径や粒度分布が変動するため、その後 ITOターゲットを製造 する際に、 ITOターゲットの特性を安定して維持できないという問題があった。
[0004] 以下に、従来技術とその利害得失を紹介する。
その一つとして、基板上に被着された ITO膜を電解液中で電気化学的反応により還 元させ、さらにこの還元された透明導電膜を電解液に溶解させる透明導電膜のエツ チング方法がある (特許文献 1参照)。但し、目的がマスクパターンを高精度で得る方 法であり、回収方法とは異なる技術である。
ITOからの有価金属を回収するための事前処理として、ノ ッキングプレートとの接 合に用いていた In系のロウ材に含まれる不純物を電解液中で分離する技術がある（ 特許文献 2参照)。しかし、これは ITO力 有価金属を回収する直接的な技術に関す るものではない。
[0005] 亜鉛精鍊工程の副産物として得られる中間物又は ITOスクラップからインジウムを回 収する際に、錫をハロゲンィ匕錫酸塩として分離した後、塩酸又は硝酸水溶液で還元 処理し、次いでこの水溶液の pHを 2〜5に調整して、鉄、亜鉛、銅、タリウム等の金属 イオンを還元し沈殿しにく!/ヽ物質とし、水溶液中のインジウム成分を分離する技術が 開示されている (特許文献 3参照)。この技術は精製工程が複雑で、精製効果もそれ ほど期待できな 、問題がある。
また、高純度インジウムの回収方法として、 ITOを塩酸で溶解し、これにアルカリをカロ えて PHが 0. 5〜4となるようにし、錫を水酸ィ匕物として除去し、次に硫ィ匕水素ガスを 吹き込み銅、鉛等の有害物を硫ィ匕物として除去し、次いでこの溶解液を用いて電解 によりインジウムメタルを電解採取する技術が開示されている（特許文献 4参照)。こ の技術も精製工程が複雑であるという問題がある。
[0006] ITOインジウム含有スクラップを塩酸で溶解して塩化インジウム溶液とし、この溶液に 水酸ィ匕ナトリウム水溶液を添加して錫を水酸ィ匕錫として除去し、除去後さらに水酸ィ匕 ナトリウム水溶液を添加して水酸化インジウムとして、これをろ過し、ろ過後の水酸ィ匕 インジウムを硫酸インジウムとし、これを用いて電解採取によりインジウムとする方法が ある (特許文献 5参照)。これは精製効果が大きく有効な方法であるが、工程が複雑 であると！/ヽぅ不利な点がある。
[0007] ITOインジウム含有スクラップを塩酸で溶解して塩化インジウム溶液とする工程、該 塩化インジウム溶液に水酸ィ匕ナトリウム水溶液を添加してスクラップ中に含有する錫 を水酸ィ匕錫として除去する工程、該水酸ィ匕錫を除去した後液力 亜鉛によりインジゥ ムを置換、回収する工程力 なるインジウムの回収方法がある（特許文献 6参照)。こ の方法も、精製効果が大きく有効な方法であるが、工程が複雑であるという不利な点 がある。
[0008] 溶融金属インジウムの上に浮上する亜酸ィ匕物含有铸造スクラップを取り出して雰囲 気炉に挿入し、一度炉を真空にした後、アルゴンガスを導入し、所定温度に加熱して 亜酸ィ匕物含有铸造スクラップを還元する金属インジウムの回収方法を開示する（特許 文献 7参照)。
これ自体は有効な方法である力 ITOスクラップの基本的な回収方法ではな ヽと 、う 欠点がある。
以上から、効率的かつ回収工程に汎用性がある方法が求められて 、る。
[0009] 特許文献 1：特開昭 62— 290900号公報
特許文献 2：特開平 8— 41560号公報
特許文献 3：特開平 3— 82720号公報
特許文献 4：特開 2000— 169991号公報
特許文献 5 :特開 2002— 69684号公報
特許文献 6：特開 2002— 69544号公報
特許文献 7 :特開 2002— 241865号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0010] 本発明は、上記の問題を解決するために、インジウム一錫酸ィ匕物 (ITO)スパッタリ ングターゲット又は製造時に発生する ITO端材等の ITOスクラップから、インジウム及 び錫を効率良く回収する方法を提供することにある。
課題を解決するための手段
[0011] 本発明は、 ΙΤΟスクラップを ρΗ調整した電解液中でアノードとして電解することによ り、水酸化インジウム及び水酸化錫又はメタ錫酸の混合物を得、水酸化インジウム及 び水酸ィ匕錫又はメタ錫酸の混合物としてインジウム及び錫を回収する ΙΤΟスクラップ 力 の有価金属の回収方法を提供する。
本発明の ΙΤΟスクラップカゝら有価金属を回収する場合の電解液として、主として硫酸
、塩酸、硝酸溶液等の酸性溶液又は水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化アン モ -ゥム等のアルカリ溶液を使用する。
これらの電解質溶液は、好適な電解質溶液を提示するもので、これらに制限される ものではなぐ効率的に回収できる条件を任意に選択することができる。電解質溶液 の ρΗは 3〜： L 1に調整して行うのが望ましい。特に、 ρΗ5〜9が、水酸化インジウム及 び水酸化錫の混合物を効率良く回収できる好適な条件である。
電流密度等の電解条件は、端材等のスクラップであるために一義的に決められるも のではなぐ電流密度はその端材の量や材料の性質に応じて適宜選択して実施する 。電解質溶液の液温は、通常 0〜 100° Cの範囲とする力 好ましくは 20〜50° じの 範囲とする。
[0012] 以上の本発明の電解による水酸化インジウム及び水酸ィ匕錫又はメタ錫酸の混合物 としてインジウム及び錫を回収する方法は、 ΙΤΟスクラップをアノードとして電解する だけなので、極めて簡便な方法である。しかし、従来技術でこのような手法を採用し た例はない。
本発明は、さらに前記で電解することにより得た水酸化インジウム及び水酸ィ匕錫又 はメタ錫酸の混合物を焙焼し、酸化インジウム及び酸化錫の混合物としてインジウム 及び錫を回収することができる。
[0013] ー且、 ΙΤΟから、水酸化インジウム及び水酸ィ匕錫又はメタ錫酸の混合物として回収 することができれば、これらをさらに焙焼して酸化インジウム及び酸化錫の混合物を 得、そのまま ΙΤΟ材料の原料として使用することができる。また、必要に応じ、さらに 酸化インジウム又は酸ィ匕錫を添加して、その成分量を替え、あるいは他の元素を添 カロして、焼結し ITOターゲットを再生することも容易になし得るものである。本願発明 はこれらを全て包含する。
発明の効果
[0014] インジウム 錫酸ィ匕物 (ITO)スノッタリングターゲット又は製造時に発生する ITO端 材等の ITOスクラップを使用し、これをアノードとして電解するだけなので、極めて簡 便に水酸化インジウム及び水酸化錫又はメタ錫酸の混合物として、さらには酸化イン ジゥム及び酸ィ匕錫の混合物として効率良く回収することができると 、う優れた方法で ある。
発明の実施の形態
[0015] 本発明は、 ITOターゲットのインジウム含有スクラップを、電解により、簡便に水酸ィ匕 インジウム及び水酸ィ匕錫又はメタ錫酸の混合物として回収することができる。さらに得 られ水酸化インジウム及び水酸化錫又はメタ錫酸の混合物を焙焼することにより、酸 ィ匕インジウム及び酸ィ匕錫の混合物として効率良く回収することができる。焙焼温度と しては、 100〜1000° Cとする。好ましくは 100〜500° Cとするの力良!ヽ。 100° C 未満では水分が残り、 1000° Cを超えると焼結してしまうので、上記の範囲とする。 電解液としては、硫酸、塩酸、硝酸等の酸性溶液又は水酸化ナトリウム、水酸化カリ ゥム、水酸ィ匕アンモ-ゥム等のアルカリ溶液を使用することができる。この他に、電流 効率を上げるために、一般に知られている公知の添加材を使用することも可能である
。このように、酸化インジウムと酸ィ匕錫を同時に回収できれば、再生 ITOを製造するこ とも容易になることが理解されるであろう。
[0016] 電解装置として特別なものは必要としない。例えば電解する ITOをアノードとし、カソ ード母板としてカーボン等の耐蝕性の電極を用いて電解すれば良い。これによつて、 アノード中の不純物の増加又は混入を避けることができる。
電流密度は原料の種類により、適宜に調整することが望ましい。この場合に調整す る要素は、生産効率のみである。また、電解温度も特に制限はないが、 0〜： LOO° C に調整して電解することが望ましい。電解温度 0° C未満であると電流効率が低下す ること、逆に電解温度が 100° Cを超えると電解液の蒸発が多くなるということである 力 より好ましい電解温度は 20〜50° Cである。
実施例
[0017] 次に、実施例について説明する。なお、本実施例は発明の一例を示すためのもの であり、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。すなわち、本発明の技 術思想に含まれる他の態様及び変形を含むものである。
[0018] (実施例 1)
ITO (酸化インジウム一酸化錫)の端材 2kgを原料とした。この原料中の成分は酸ィ匕 錫（SnO )が 9. 7wt%、残部酸化インジウム（In O )であった。この原料をアノードと
2 2 3
し、硫酸と硫酸ナトリウムの混合溶液中で電解精製を行った。電解条件は pH :4、電 解温度： 50° Cである。
この結果、 In水酸化物及び Sn水酸化物が沈殿した。力ソード側には電着しな力つた 。これによつて、 ITO (酸化インジウム 酸ィ匕錫）の端材から、 In水酸化物及び Sn水 酸ィ匕物の混合物を回収することができた。
このようにして得た In水酸ィ匕物及び Sn水酸ィ匕物の混合物を、さらに 150° Cで焙焼 して、 In酸化物 (In O )及び Sn酸ィ匕物（SnO )の混合物を得た。この混合物は約 1
2 3 2
. 8kgであった。この方法により得られる比率は、通常 In O : 72〜89wt%、 SnO : 2
2 3 2
8〜： L lwt%にあり、再生 ITOの原料として使用可能であった。
[0019] (実施例 2)
ITO (酸化インジウム一酸化錫)の端材 2kgを原料とした。この原料中の成分は酸ィ匕 錫（SnO )が 9. 7wt%、残部酸化インジウム（In O )であった。この原料をアノードと
2 2 3
し、硝酸と硝酸アンモ-ゥム溶液中で電解精製を行った。電解条件は、 pH : 6、電解 温度： 50° Cである。
この結果、水酸化インジウム及びメタ錫酸が沈殿した。力ソード側には電着しなかつ た。これによつて、 ITO (酸化インジウム—酸ィ匕錫）の端材から、水酸化インジウム及 びメタ錫酸の混合物を回収することができた。
このようにして得た水酸化インジウム及びメタ錫酸の混合物を、さらに 150° Cで焙 焼して、 In酸化物 (In O )及び Sn酸ィ匕物（SnO )の混合物を得た。この混合物は約
2 3 2
1. 8kgであった。この方法により得られる比率は、通常 In O : 72〜89wt%、 SnO ： 28〜 11 wt%にあり、再生 ITOの原料として使用可能であった。
[0020] (実施例 3)
ITO (酸化インジウム一酸化錫)の端材 2kgを原料とした。この原料中の成分は酸ィ匕 錫（SnO )が 9. 7wt%、残部酸化インジウム（In O )であった。
2 2 3
この原料をアノードとし、塩酸溶液中で電解精製を行った。電解条件は、 pH : 5、電 解温度： 30° Cである。この結果、 In水酸化物及び Sn水酸化物が沈殿した。カソー ド側には電着しな力つた。これによつて、 ITO (酸化インジウム一酸ィ匕錫）の端材から 、 In水酸ィ匕物及び Sn水酸ィ匕物の混合物を回収することができた。
このようにして得た In水酸ィ匕物及び Sn水酸ィ匕物の混合物を、さらに 200° Cで焙焼 して In酸化物 (In O )及び Sn酸ィ匕物（SnO )の混合物を得た。この混合物は約 1. 8
2 3 2
kgであった。この方法により得られる比率は、通常 In O : 72〜89wt%、 SnO : 28
2 3 2
〜 11 wt%にあり、再生 ITOの原料として使用可能であった。
[0021] (実施例 4)
ITO (酸化インジウム一酸化錫)の端材 2kgを原料とした。この原料中の成分は酸ィ匕 錫（SnO )が 9. 7wt%、残部酸化インジウム（In O )であった。この原料をアノードと
2 2 3
し、塩化アンモ-ゥム溶液中で電解精製を行った。電解条件は、 pH : 8、電解温度：5 0° Cである。
この結果、 In水酸化物及び Sn水酸化物が沈殿した。力ソード側には電着しな力つた 。これによつて、 ITO (酸化インジウム 酸ィ匕錫）の端材から、 In水酸化物及び Sn水 酸ィ匕物の混合物を回収することができた。
このようにして得た In水酸ィ匕物及び Sn水酸ィ匕物の混合物を、さらに 150° Cで焙焼 して、 In酸化物 (In O )及び Sn酸ィ匕物（SnO )の混合物を得た。この混合物は約 1
2 3 2
. 8kgであった。この方法により得られる比率は、通常 In O : 72〜89wt%、 SnO : 2
2 3 2
8〜： L lwt%にあり、再生 ITOの原料として使用可能であった。
[0022] (実施例 5)
ITO (酸化インジウム一酸化錫)の端材 2kgを原料とした。この原料中の成分は酸ィ匕 錫（SnO )が 9. 7wt%、残部酸化インジウム（In O )であった。この原料をアノードと
2 2 3
し、水酸ィ匕ナトリウムと硝酸ナトリウムの混合溶液中で電解精製を行った。電解条件は 、 pH : 9、電解温度： 50° Cである。
この結果、インジウム水酸ィ匕物とメタ錫酸が沈殿した。力ソード側には電着しな力つた 。これによつて、 ITO (酸化インジウム 酸ィ匕錫）の端材から、 In水酸ィ匕物及びメタ錫 酸の混合物を回収することができた。
このようにして得たインジウム水酸ィ匕物とメタ錫酸の混合物を、さらに 150° Cで焙焼 して、 In酸化物 (In O )及び Sn酸ィ匕物（SnO )の混合物を得た。この混合物は約 1
2 3 2
. 8kgであった。この方法により得られる比率は、通常 In O : 72〜89wt%、 SnO : 2
2 3 2
8〜： L lwt%にあり、再生 ITOの原料として使用可能であった。
[0023] (実施例 6)
ITO (酸化インジウム一酸化錫)の端材 2kgを原料とした。この原料中の成分は酸ィ匕 錫（SnO )が 9. 7wt%、残部酸化インジウム（In O )であった。この原料をアノードと
2 2 3
し、水酸ィ匕ナトリウム溶液中で電解精製を行った。電解条件は、 pH : 10、電解温度： 30° Cである。
この結果、水酸化インジウム及びメタ錫酸が沈殿した。力ソード側には電着しなかつ た。これによつて、 ITO (酸化インジウム—酸ィ匕錫）の端材から、水酸化インジウム及 びメタ錫酸の混合物を回収することができた。
このようにして得た水酸化インジウム及びメタ錫酸の混合物を、さらに 400° Cで焙 焼して In酸化物 (In O )及び Sn酸ィ匕物（SnO )の混合物を得た。この混合物は約 1
2 3 2
. 8kgであった。この方法により得られる比率は、通常 In O : 72〜89wt%、 SnO : 2
2 3 2
8〜： L lwt%にあり、再生 ITOの原料として使用可能であった。
[0024] (比較例 1)
ITO (酸化インジウム一酸化錫)の端材 2kgを原料とした。この原料中の成分は酸ィ匕 錫（SnO )が 9. 7wt%、残部酸化インジウム（In O )であった。
2 2 3
この原料をアノードとし、硫酸溶液中で電解精製を行った。電解条件は、 pH : 2、電 解温度： 50° Cである。この結果、 Sn水酸ィ匕物が沈殿した力 インジウムは力ソード 側には電着した。これによつて、 ITO (酸化インジウム一酸ィ匕錫）の端材から、 Sn酸化 物の混合物を同時に回収することはできな力つた。これは、 pH2で強酸性側としたこ とによると考えられる。 Sn水酸ィ匕物の焙焼により、約 180gの酸ィ匕錫が得られた。 [0025] (比較例 2)
ITO (酸化インジウム一酸ィ匕錫)スクラップ 2kgを原料とした。この原料中の成分は酸 化錫（SnO )が 9. 7wt%、残部酸化インジウム（In O )であった。
2 2 3
この原料をアノードとし、水酸ィ匕ナトリウム (NaOH)溶液中で pH12とし、電解精製 を行った。電解条件は次の通りである。この結果、インジウムの水酸化物は一部沈殿 したが、 Sn水酸ィ匕物は沈殿しな力つた。力ソード側には、インジウムと錫のメタルが電 着した。これによつて、 ITO (酸化インジウム一酸ィ匕錫）のスクラップから、 In水酸化物 及び Sn水酸ィ匕物の混合物を同時に回収することはできな力つた。
これは、 pH12で強アルカリとしたことによると考えられる。インジウム水酸ィ匕物の焙 焼により、約 1600gの酸化インジウムが得られた力 収率は劣る。また、 In水酸化物 及び Sn水酸ィ匕物又は In酸ィ匕物及び Sn酸ィ匕物の混合物を同時に回収することはで きなかった。
[0026] 上記の実施例においては、いずれも酸ィ匕錫（SnO )が 9. 7wt%、残部酸化インジ
2
ゥム (In O )である ITO (酸化インジウム 酸ィ匕錫)端材又はスクラップを使用したが
2 3
、 In O及び SnOの成分量に応じて、電流密度、 pH等の電解条件を任意に変える
2 3 2
ことが可能であり、この原料の成分量に特に制限される必要がないことは言うまでもな い。特に、 ITOは酸化錫（SnO )の含有量を 5wt%〜30wt%まで、変化させること
2
があるが、このような場合でも、本発明は十分に適用できる。
また、 ITOにさらに少量の副成分を添加したものもある力 基本的に ITOが基本成 分であれば、本願発明は、これらにも適用できることは言うまでもない。
産業上の利用可能性
[0027] 本発明は、インジウム 錫酸ィ匕物 (ITO)スパッタリングターゲット又は製造時に発生 する ITO端材等の ITOスクラップを使用し、これをアノードとして電解するだけなので 、極めて簡便にインジウムと錫の酸ィ匕物を効率良く回収することができる点で、大きな 産業上の利点がある。

Claims

請求の範囲
[1] ITOスクラップをアノードとして電解することにより、水酸化インジウム及び水酸化錫 又はメタ錫酸の混合物として回収することを特徴とする ΙΤΟスクラップ力 の有価金属 の回収方法。
[2] 電解することにより得た水酸化インジウムと水酸化錫又はメタ錫酸の混合物を焙焼 してインジウム及び錫の酸ィ匕物とし、酸化インジウム及び酸ィ匕錫の混合物として回収 することを特徴とする請求項 1記載の ΙΤΟスクラップからの有価金属の回収方法。
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