WO2006038522A1

WO2006038522A1 - テトラヒドロピラン化合物、液晶組成物およびこの液晶組成物を含有する液晶表示素子

Info

Publication number: WO2006038522A1
Application number: PCT/JP2005/017990
Authority: WO
Inventors: Tokifumi Masukawa; Atsuko Fujita
Original assignee: Chisso Corporation; Chisso Petrochemical Corporation
Priority date: 2004-10-04
Filing date: 2005-09-29
Publication date: 2006-04-13
Also published as: EP1798228B1; US20060071194A1; JP2012158593A; US7842357B2; EP1798228A1; JPWO2006038522A1; EP2128149A1; KR101226396B1; KR20070074556A; EP1798228A4; TWI373515B; CN101035779A; CN101560398A; KR101258384B1; KR20120079486A; EP2128149B1; CN101035779B; TW200613528A; JP4997972B2; JP5488628B2

Description

明細書

テトラヒドロピラン化合物、液晶組成物およびこの液晶組成物を含有する：液晶表示素子

技術分野

[0001] 本発明は液晶組成物、液晶性ィ匕合物および液晶表示素子に関する。さらに詳しくはテトラヒドロピランィ匕合物、これを含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物およびこの組成物を含有する液晶表示素子に関する。

背景技術

[0002] 液晶表示素子は液晶物質がもつ光学異方性および誘電率異方性を利用したものである。その表示様式によって TN型（ねじれネマチック型）、 DS型 (動的散乱型）、ゲスト'ホスト型、 DAP型（配向相変型）、 STN型 (超ねじれネマチック型）および TFT 型 (薄膜トランジスタ型)など各種の方式に分けられるが、最近は TN型、 STN型および TFT型の 3種類が主流となって、る。、ずれの表示素子に用いられる液晶材料も、水分、空気、熱、光等に安定であることが必要であるうえ、室温を中心としてできるだけ広い温度範囲で液晶相を示し、低粘性であり、最適な誘電率異方性値（Δ ε )を持ち、最適な屈折率異方性値（Δ η)、最適な弾性定数 Κおよび弾性定数比 Κ33ΖΚ 11 (Κ33 :ベンド弾性定数、 K11 :スプレイ弾性定数)を持たなければならない。現在のところ単一化合物ではこのような条件をすベて満たす物質はなぐ数種から、数十種の液晶性ィ匕合物を混合して要求特性に合致させて、るのが現状である。液晶組成物を調製する際、前述の特性をすベて満たさなければならないため、例えば Δ εが小さいため、または、 Δ ηが大きいために要求特性を満たせない場合がある。

現在、液晶表示素子の高性能化を達成するため、液晶組成物の特性に対する要求が非常に厳しくなつてきている。このような要求を満足させる目的で、液晶組成物の物性を高度に調整するための液晶化合物が必要とされている。

[0003] また現在、液晶ディスプレイには低温での駆動が可能であることが求められている。

通常、低 Δ ηの組成物中の化合物にはシクロへキサン環が多く用いられており、このような組成物は低温にぉ、て相溶性が良くな、ため、スメクチック相または結晶が析出しやすい。これらのこと力ら Δ εが小さく透明点の高い液晶性ィ匕合物、または Δ ε が小さく相溶性に優れる液晶性ィ匕合物の開発が求められている。

従来、このような目的に供するための液晶化合物として、例えば下記の化合物（16 )が報告されている。（特許文献ドイツ特許第 3306960号明細書)しかしながら、この化合物（16)は Δ ηが大きぐ低温における相溶性が十分とはいえな力つた。

[0005] 従来の技術は下記のとおりである。さらに好ましい液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子が望まれて！/ヽる。

[0006] 特許文献 1 :ΕΡ1302523

特許文献 2： DE19950194

特許文献 3 : DE19733199

特許文献 4: DE19625100

特許文献 5 : GB2310669

特許文献 6： DE 19611096

特許文献 7 :W09623851

特許文献 8： DE4238377

特許文献 9： DE4222371

特許文献 10 :WO9213928

特許文献 11 : DE4132006

特許文献 12 : W09105029

特許文献 13 :EP376294

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0007] 本発明の第一の目的は、ネマチック相の広い温度範囲、小さな粘度、適切な光学異方性、および低いしきい値電圧を有する液晶組成物である。第二の目的は、化合物に必要な一般的物性、小さな粘度、適切な光学異方性、適切な誘電率異方性、および他の液晶性ィ匕合物との優れた相溶性を有する液晶性ィ匕合物である。第三の目的は、この組成物を含有し、短い応答時間、小さな消費電力、大きなコントラスト、および高い電圧保持率を有する液晶表示素子を提供することにある。

課題を解決するための手段

[0008] 本発明は下記の項 1から項 25のとおりである。化合物（1)における末端基および結合基に関して好ましい例も述べる。

[0009] 1.式（1)で表される化合物。

式（1)において、 R¹および R²は独立して水素または炭素数 1〜10のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の— CH—は、— O—、— S―、— CO 、または— Si

2

H—で置き換えられてもよぐ任意の—（CH ) —は— CH = CH 、または— C≡C

2 2 2

—で置き換えられてもよく

T²、および Τ³は独立してテトラヒドロピラン一 2, 5 ジィルまたはテトラヒドロピラン一 3, 6 ジィルであり、 Α¹および Α²は独立して 1, 4 シクロへキシレン、 1, 4 フエ二レン、デカヒドロナフタレン一 2, 6 ジィル、 1, 2, 3, 4 ーテトラヒドロナフタレン 2, 6 ジィル、またはナフタレン 2, 6 ジィルであり、これらの環において一つの一 CH—は、 Ο 、一 S―、一 CO 、または一 SiH -

2 2 で置き換えられてもよぐ任意の一（CH ) —は CH = CH で置き換えられてもよ

2 2

ぐ 1, 4 フエ-レンにおいて一つの一 CH =は一 N =で置き換えられてもよぐそしてこれらの環において一つの水素はハロゲン、 CF 、一 CHF 、一 CH F、一 OCF

3 2 2

、― OCHF、または— OCH Fで置き換えられてもよく； Z Z²、

3 2 2 z および Z⁴は独立して単結合または炭素数 1〜4のアルキレンであり、このアルキレンにおいて任意の— CH—は— O—、― S―、—CO 、または— SiH—で置き換えられてもよぐそ

2 2

して任意の一（CH ) —は一 CH = CH―または一 C≡ C―で置き換えられてもよく； i

2 2

は 0または 1であり； j、 kおよび mは独立して 0、 1、または 2であり； nは独立して 0または 1であり； i+j +k+m+nは 2、 3、または 4であり；そして i+k+nは 1、 2、 3、または 4であり； i+j +k+m+nが 2または 3のとき、 j、 kおよび mは独立して 0または 1であり； i+j +k+m+nが 4、 j +mが 3であり、 nが 1のとき、 jは 1であり； iが 0のとき、 jは 1または 2であり； n力のとき、 mは 1または 2であり； iが 1のとき、 R¹は炭素数 1〜10のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の— CH—は、— O—、― S—、 — CO 、ま

2

たは— SiH—で置き換えられてもよぐ任意の—（CH ) —は— CH = CH 、また

2 2 2

は一 C≡ C で置き換えられてもよく；

nが 0のとき Z⁴は単結合であり； i+k+nが 1のとき、 T\ Τ²および Τ³はテトラヒドロビラン— 2, 5 ジィルであり； i+j +k+m+nが 2のとき、 Α¹および Α²は独立して 1, 4— シクロへキシレンまたはデカヒドロナフタレン 2, 6 ジィルであり、これらの環において一つの— CH—は、 O—、— S—、— CO 、または— SiH—で置き換えられ

2 2

てもよく； i+j +k+m+nが 3のとき、独立した A¹および A²の少なくとも 1つは 1, 4— シクロへキシレンまたはデカヒドロナフタレン 2, 6 ジィルであり、これらの環において一つの— CH—は、 O—、— S—、— CO 、または— SiH—で置き換えられ

2 2

てもよく； i+j +k+m+nが 4のとき、独立した A¹および A²の少なくとも 2つは 1, 4— シクロへキシレンまたはデカヒドロナフタレン 2, 6 ジィルであり、これらの環において一つの— CH—は、 O—、— S—、— CO 、または— SiH—で置き換えられ

2 2

てもよく； i+j +k+m+nが 3、 i+kが 0、 A¹が 1, 4ーシクロへキシレン、そして A²が 1 , 4—フエ-レンのとき、 R¹および R²の少なくとも一つはァルケ-ルであり； i+j +k+ m+nが 3、 i+k力^)、 A¹が 1, 4 シクロへキシレン、そして A²が 2 フルオロー 1, 4 フエ-レンのとき、 R²はアルコキシまたはァルケ-ルである。

[0010] 「アルキルにおいて任意の— CH—は、— O—、— S―、— CO 、または— SiH

2 2

-で置き換えられてもよぐ任意の―（CH ) —は— CH = CH―、または— C≡ C―

2 2

で置き換えられてもよい」の句の意味を一例で示す。 C H一において任意の CH

4 9 2

—を— O 、または任意の—（CH ) —を— CH = CH で置き換えた基の例は、 C

2 2 3

H O—、 CH O— (CH ) 一、 CH -O-CH O—、 H C = CH— (CH ) 一、

7 3 2 2 3 2 2 2 2

CH -CH = CH-CH 一、 CH =CH— CH—O などである。このように「任意の

3 2 2 2

」語は、「区別なく選択された少なくとも一つの」を意味する。化合物の安定性を考慮して、酸素と酸素とが隣接した CH -O-O-CH—よりも、酸素と酸素とが隣接しな

3 2

い CH -O-CH—O の方が好ましい。

3 2

[0011] 好ましい R¹または R²は、炭素数 2〜10のアルキル、アルケニル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルケニルォキシ、ポリフルォロアルキル、ポリフルォロアルコキシ、およびポリフルォロアルケ-ルである。これらの基にお!、て分岐よりも直鎖の方が好ましい。 R¹および R²が分岐の基であっても光学活性であるときは好ましい。より好ましい R¹または R²は、炭素数 2〜 10のアルキル、ァルケ-ル、アルコキシ、アルコキシアルキル、またはァルケ-ルォキシである。最も好ましい R¹および R²は炭素数 2〜10のァルキル、アルコキシ、またはアルケニルである。

[0012] ァルケ-ルにおける CH = CH の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。 1—プロべ-ル、 1—ブテュル、 1—ペンテ-ル、 1—へキセ -ル、 3 ペンテ -ル、 3 へキセ -ルのようなァルケ-ルにおいてはトランス配置が好ましい。 2 ブテニル、 2—ペンテ-ル、 2—へキセ -ルのようなァルケ-ルにおいてはシス配置が好ましい。

[0013] 具体的な R¹または R²は、メチル、ェチル、プロピル、ブチル、ペンチル、へキシル、ヘプチル、ォクチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルォキシ、へキシルォキシ、ヘプチルォキシ、メトキシメチル、メトキシェチル、メトキシプロピル、エトキシメチル、エトキシェチル、エトキシプロピル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、ぺントキシメチル、ビニル、 1 プロぺニル、 2—プロぺニル、 1ーブテニル、 2—ブテニノレ、 3 ブテニノレ、 1 ペンテ二ノレ、 2 ペンテ二ノレ、 3 ペンテ二ノレ、 4 ペンテ二ノレ、 2—プロぺニルォキシ、 2—ブテニルォキシ、 2—ペンテニルォキシ、—CH F、一 C

2

HF 、一 CF 、一 (CH ) F、一 CF CH F、一 CF CHF 、一 CH CF 、一 CF CF 、

2 3 2 2 2 2 2 2 2 3 2 3 一 (CH ) F、一 (CF ) CF 、 -CF CHFCF 、一 CHFCF CF 、一OCF 、一OC

2 3 2 2 3 2 3 2 3 3

HF 、 -OCH F、一 OCF CF 、一 OCF CHF 、一 OCF CH F、一 OCF CF CF

2 2 2 3 2 2 2 2 2 2

、一 OCF CHFCF 、一 OCHFCF CF 、一 CH = CHF、一 CH = CF 、一 CF = C

3 2 3 2 3 2

HF、一 CH = CHCH F、一 CH = CHCF、および一 (CH ) CH = CFである。

2 3 2 2 2

[0014] より好ましい R¹または R²は、ェチル、プロピル、ブチル、ペンチル、へキシル、へプチル、ォクチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルォキシ、へキシルォキシ、ヘプチルォキシ、メトキシメチル、メトキシェチル、メトキシプロピル、エトキシメチル、エトキシェチル、エトキシプロピル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、ペントキシメチノレ、ビニノレ、 1—プロぺニノレ、 2 プロぺニノレ、 1—ブテニノレ、 2 ブテニノレ、 3- ブテニノレ、 1 ペンテ二ノレ、 2 ペンテ二ノレ、 3 ペンテ二ノレ、 4 ペンテ二ノレ、 2 プ口べ-ルォキシ、 2—ブテュルォキシ、および 2—ペンテ-ルォキシである。最も好ましい R¹または R²は、ェチル、プロピル、ブチル、ペンチル、へキシル、ヘプチル、オタチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルォキシ、へキシルォキシ、へプチノレォキシ、ビニノレ、 1 プロぺニノレ、 2—プロぺニノレ、 1 ブテニノレ、 2—ブテニノレゝ 3 ブテュル、 1—ペンテ-ル、 2 ペンテ-ル、 3 ペンテ-ル、および 4 ペンテニルである。

[0015] A\および A²は独立して 1, 4 シクロへキシレン、 1, 4 フエ-レン、デカヒドロナフタレン 2, 6 ジィノレ、 1, 2, 3, 4ーテトラヒドロナフタレン一 2, 6 ジィノレ、またはナフタレン 2, 6 ジィルであり、これらの環において一つの CH—は、 O—、一

2

S―、— CO 、または— SiH—で置き換えられてもよぐ任意の—（CH ) —は— C

2 2 2

H = CH で置き換えられてもよぐ 1, 4 フエ-レンにおいて一つの一 CH =は N =で置き換えられてもよぐそしてこれらの環において一つの水素はハロゲン、 CF

3

、一 CHF 、一 CH F、一 OCF 、一 OCHF、または一 OCH Fで置き換えられてもよ

2 2 3 2 2

い。

[0016] 好ましい A および A²は 1, 4 シクロへキシレン、 1, 4 フエ-レン、 2 フルオロー 1, 4 フエ二レン、 3 フノレオロー 1, 4 フエ二レン、デカヒドロナフタレン 2, 6 ジィル、 1, 2, 3, 4ーテトラヒドロナフタレン一 2, 6 ジィル、またはナフタレン 2, 6— ジィルである。より好ましい A および A²は 1, 4 シクロへキシレン、 1, 4 フエ-レン、 2 フノレ才ロー 1, 4 フエ-レン、および 3 フノレ才ロー 1, 4 フエ-レンである。最も好ましい A および A²は 1, 4 シクロへキシレンおよび 1, 4 フエ-レンである

[0017]

および Z⁴は独立して単結合または炭素数 1〜4のアルキレンであり、このァノレキレンにおいて任意の一 CH—は一O 、一S 、一CO—、または一SiH—

2 2 で置き換えられてもよぐ任意の―（CH ) —は— CH = CH 、または— C≡ C―、

2 2

― CO 、または一 SiH2—で置き換えられてもよい。

[0018] 好ましい Z¹ Z²、 Z³、および Z⁴は、単結合、一（CH ) ―、一 CH = CH 、一 CH

2 2 2

O 、一 OCH —、一（CH ) 一、一 C≡C一、一 COO 、一 OCO 、一 CH CO— 、 -COCH 一、 -CH SiH 一、 -SiH CH 一、一0 (CH ) O 、一（CH ) CO

2 2 2 2 2 2 2 2 2

O 、一（CH ) OCO 、一 COO (CH ) 一、 OCO (CH ) 一、 CH = CH— C

2 2 2 2 2 2

H O—、および一 OCH— CH = CH である。一 CH = CH 、一 CH = CH— CH

2 2

O—、および OCH— CH = CH のような結合基の二重結合に関する立体配置

2 2

はシスよりもトランスが好ましい。

[0019] さらに好ましい Z Z²、 Z³、および Z⁴は、単結合、一（CH ) ―、一 CH = CH 、一 C

H Z²、

Z³、および Z⁴は、単結合、―（CH ) ―、および— CH = CH である。

2 2

[0020] 2.式（1 1)、式（1 2)、式（1 4)〜式（1 6)、および式（1 11)〜式（1 14) で表される項 1に記載の化合物。

R⁴ - •A¹ -R³ (1 -2)

R¹ •A¹ ^ — Z³— — A²—— (1 -5)

•A¹ A²— — Z⁴— (1 -6)

•A¹ •A' _Z4—— _R3 (1 -14) 式（1 1)、式（1 2)、式（1 4)〜式（1 6)、および式（1 11)〜式（1 14)において、

R²、および R⁴は独立して水素または炭素数 1〜10のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の— CH—は、― O—、― S―、—CO 、または— SiH

2 2

—で置き換えられてもよぐ任意の—（CH ) —は— CH = CH または— C≡C—で

2 2

置き換えられてもよく； R³および R⁵は独立して炭素数 1〜10のアルキルであり、このァルキルにおいて任意の— CH—は、 O—、 — S―、 — CO 、または— SiH—で

2 2 置き換えられてもよぐ任意の—（CH ) —は— CH = CH または— C≡C—で置き

2 2

換えられてもよく； A¹および A²は独立して 1 , 4 シクロへキシレン、 1 , 4 フエ-レン、デカヒドロナフタレン一 2, 6 ジィル、 1 , 2, 3, 4—テトラヒドロナフタレン一 2, 6— ジィル、またはナフタレン 2, 6 ジィルであり、これらの環において一つの CH

2

—は— O—、 — S—、 —CO 、または— SiH—で置き換えられてもよぐ任意の—（

2

CH ) —は一 CH = CH で置き換えられてもよぐ 1 , 4 フエ-レンにおいて一つ

2 2

の CH =は— N =で置き換えられてもよぐそしてこれらの環において一つの水素はハロゲン、 CF 、一 CHF 、一 CH F、一 OCF 、一 OCHF、または一 OCH Fで

3 2 2 3 2 2 置き換えられてもよく；

および Z⁴は独立して単結合または炭素数 1〜4のァノレキレンであり、このァノレキレンにおいて任意の一 CH—は一O 、一S 、一CO

2

―、または— SiH—で置き換えられてもよぐそして任意の—（CH ) —は— CH = C

2 2 2

H または、 C≡C—で置き換えられてもよく；式（1— 1)において A²が 1 , 4 フエ二レンのとき、 R³および R⁴の少なくとも一つはァルケ-ルであり；式（1— 2)において A¹が 1 , 4 フエ-レンのとき、 R³および R⁴の少なくとも一つはァルケ-ルであり；式（ 1—4)において A¹および A²が 1 , 4 フエ-レンのとき、 R³および R⁴の少なくとも一つはァルケ-ルであり；式（1— 6)において A¹が 1 , 4ーシクロへキシレン、そして A²が 1 , 4 フエ-レンのとき、 R³および R⁴の少なくとも一つはァルケ-ルであり；式（1— 6) において A¹が 1 , 4 シクロへキシレン、そして A²が 2 フルオロー 1 , 4 フエ-レンのとき、 R³はアルコキシまたはァルケ-ルであり；式（1— 6)において A A²が 1 , 4— フエ-レンのとき、 R³および R⁴の少なくとも一つはァルケ-ルであり；式（1— 14)において A¹が 1 , 4ーシクロへキシレンであり、 A²が 1 , 4 フエ-レンのとき、 R³および R⁴ の少なくとも一つはァノレケニノレである。

3.項 2に記載の式（1 1)、式（1 2)、式（1 4)〜式（1 6)、および式（1 11) 〜式（1— 14)において、！^〜が独立して炭素数 2から 10のアルキル、炭素数 2から 10のァルケ-ル、炭素数 1から 9のアルコキシ、炭素数 2から 9のアルコキシアルキル、炭素数 3から 9のァルケ-ルォキシ、炭素数 2から 10のポリフルォロアルキル、炭素数 1から 9のポリフルォロアルコキシ、または炭素数 2から 10のポリフルォロアルケ -ルであり； A¹および A²が独立して 1, 4 シクロへキシレン、 1, 4 フエ-レン、 2— フノレ才ロ一 1, 4 フエ-レン、 3 フノレ才ロ一 1, 4 フエ-レン、デカヒドロナフタレン - 2, 6 ジィノレ、 1, 2, 3, 4ーテトラヒドロナフタレン 2, 6 ジィノレ、またはナフタレン— 2, 6 ジィルであり；一、 -

CH=CH—、 -CH O—、 -OCH 一、一（CH ) 一、一 C≡C一、一 COO—、一

2 2 2 4

OCO 、一 C≡C一、 -CH CO—、 -COCH 一、一 CH SiH 一、一 SiH CH 一

2 2 2 2 2 2

、 -0 (CH ) O—、 - (CH ) COO—、 - (CH ) OCO 、一COO (CH ) 一、

2 2 2 2 2 2 2 2

OCO (CH ) 一、 -CH = CH-CH O—、または OCH—CH = CH である項

2 2 2 2

2に記載の化合物。

[0022] 4.項 2に記載の式（1 1)、式（1 2)、式（1 4)〜式（1 6)、および式（1 11) 〜式（1— 14)において、 R¹〜R⁵が独立して炭素数 2〜 10のアルキル、炭素数 2〜1 0のァルケ-ル、炭素数 1〜9のアルコキシ、炭素数 2〜9のアルコキシアルキル、または炭素数 3〜9のァルケ-ルォキシであり； A¹および A²が独立して 1, 4 シクロへキシレン、 1, 4 フエ-レン、 2 フノレオロー 1, 4 フエ-レン、または 3 フノレオロー 1 , 4—フエ-レンであり； ―、— C

H = CH 、一 CH O 、一 OCH —、一（CH ) —、または一 C≡C—である項 2に

2 2 2 4

記載の化合物。

[0023] 5.項 2に記載の式（1 1)、式（1 2)、式（1 4)〜式（1 6)、および式（1 11) 〜式（1— 14)において、 R¹〜R⁵が独立して炭素数 2〜 10のアルキル、炭素数 2〜1 0のァルケ-ル、または炭素数 1〜9のアルコキシであり； A¹および A²が独立して 1, 4 —シクロへキシレンまたは 1, 4 フエ-レンであり；

および Z⁴が独立して単結合、一（CH ) —、または CH = CH である項 2に記載の化合物。

2 2

[0024] 6.項 2に記載の式（1— 1)および式（1— 2)において、 A¹および A²が 1, 4ーシクロへキシレンであり；項 2に記載の式（1—4)〜式（1— 6)にお!/、て、 A¹および A²が独立して 1, 4ーシクロへキシレンまたは 1, 4 フエ二レンであり、 A¹および A²の少なくとも 1 つが 1 , 4 シクロへキシレンであり；項 2に記載の式（1— 11)〜式（1— 14)にお!/、て、 A¹および A²が独立して 1, 4ーシクロへキシレンまたは 1, 4 フエ-レンであり、 A¹ および A²の少なくとも 2つが 1 , 4 シクロへキシレンである項 2に記載の化合物。 7.式（1 1 1)、式（1 2— 1)、式（1 4 1)〜式（1 4 3)、式（1 5— 1)〜式（1 5— 3)、式（1 6— 1)〜式（1 6— 3)、式（1 11 1)〜式（1 11 4)、式（1— 12—1)〜式（1— 12— 4)、式（1— 13— 1)〜式（1— 13— 4)、式（1— 14 1)〜式（1 14-4)の!、ずれ力 1つで表される項 2〜6の!、ずれか 1項に記載の化合物。

式（1 1 1)、式（1 2— 1)、式（1 4 1)〜式（1 4 3)、式（1 5— 1)〜式（ 1 5— 3)、式（1 6— 1)〜式（1 6— 3)、式（1 11 1)〜式（1 11 4)、式 ( 1— 12—1)〜式（1— 12— 4)、式（1— 13— 1)〜式（1— 13— 4)、式（1— 14—1) 〜式（1— 14— 4)において、 R³¹、 R³²、および R³³は独立して炭素数 2〜 10のアルキル、炭素数 1〜9のアルコキシまたは炭素数 2〜10のァルケ-ルであり； R³⁴は炭素数 2〜10のアルキル、炭素数 1〜9のアルコキシ、または 1ーァルケ-ル以外の炭素数 2〜10のァルケ-ルであり； R³¹および R³²のいずれ力 1つはアルキルであり； R³³または R³⁴のいずれ力 1つはアルキルであり； Z³¹, Z³², Z³³, Z³⁷, Z³⁸, Z³⁹, Z⁴⁰, Z⁴¹,または Z⁴³は独立して単結合、―（CH ) ―、または— CH = CH—であり； Z³⁴, Z³⁵, Z³⁶,

2 2

Z⁴², Z⁴⁴,または Z⁴⁵は独立して単結合、または—（CH ) 一であり； Z³¹および Z³²のい

2 2

ずれか 1つは単結合であり； z³³および z³⁴のいずれ力 1つは単結合であり； z³⁵および

Z³⁶のいずれか 1つは単結合であり； Z³⁷, Z³⁸,および Z³⁹のいずれか 2つは単結合であり； z⁴。， z⁴¹,および z⁴²のいずれ力 ²つは単結合であり； z⁴³, z⁴⁴,および z⁴⁵のいずれか 2つは単結合である。

8.式（1 1 1)および（1 2— 1)のいずれか一つで表される化合物。

式 (1 - 式（1— 2— 1)において、 R 、および R は独立して炭素数 2〜 10の

31 アルキル、炭素数 1〜9のアルコキシまたは炭素数 2〜10のァルケ-ルであり；尺およびの一方はアルキルである。

[0027] 9.式（1 4 1)、（1 5— 1)および（1 6— 1)のいずれか一つで表される化合物

式（1—4— 1)、式（1— 5— 1)、式（1— 6— 1)において、 R 、および R は独立して炭素数 2〜10のアルキル、炭素数 1〜9のアルコキシまたは炭素数 2〜10のァルケ -ルであり； R³¹および R³²の一方はアルキルであり； Z³¹,または Z³²は独立して単結合、—（CH ) —、または— CH = CH であり；そして Z³¹または Z³²のいずれか 1つは

2 2

単結合である。

[0028] 10.式中の R³¹および R³²の一方がアルキルであり、もう一方がアルケニルである項 8 または 9記載の化合物。

[0029] 11.式中の R³¹および R³²がァルケ-ルである項 8または 9記載の化合物。

[0030] 12.項 1〜： L 1のいずれか 1項に記載した少なくとも 1つの化合物を含有する液晶組成物。

[0031] 13.下記の式（2)、（3)および (4)で表される化合物の群力選択された少なくとも一つの化合物をさらに含有する項 12に記載の液晶組成物。

式中、 R⁷は炭素数 1〜 10のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の CH—

2 は O または CH = CH で置き換えられてもよぐそして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく； X¹はフッ素、塩素、 OCF 、 -OCHF 、 -CF 、— CHF 、

3 2 3 2

-CH F、 -OCF CHF、または— OCF CHFCFであり；環 B、 Dおよび環 Dは独

2 2 2 2 3

立して 1, 4 シクロへキシレン、 1, 3 ジォキサン一 2, 5 ジィルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい 1, 4 フエ-レンであり、環 Eは 1, 4 シクロへキシレンまたは任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい 1, 4 フエ-レンであり； Z⁵、および Z⁶は独立して—（CH ) ―、—（CH ) ―、— COO—、— CF O—、— OCF

2 2 2 4 2 2 一、—CH = CH—、または単結合であり；そして L¹および L²は独立して水素またはフッ素である。

14.下記の式（5)および（6)で表される化合物の群力選択された少なくとも一つの化合物をさらに含有する項 12に記載の液晶組成物。

式中、 R⁸および R⁹は独立して炭素数 1〜10のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の一 CH—は一 O または一 CH = CH で置き換えられてもよぐそして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく； X²は— CNまたは C≡ C— CNであり；環 Gは 1, 4ーシクロへキシレン、 1, 4 フエ二レン、 1, 3 ジォキサン 2, 5 ジィノレ、またはピリミジン一 2, 5 ジィルであり； ^[は 1, 4 シクロへキシレン、ピリミジン一 2, 5 -ジィルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられてもよ、1, 4 フエ-レンであり；環 Kは 1, 4 シクロへキシレンまたは 1, 4 フエ-レンであり； Z⁷は一（CH ) ―、 -

2 2

COO—、— CF O—、 -OCF 一、または単結合であり； L³、 L⁴および L⁵は独立して

2 2

水素またはフッ素であり；そして b、 cおよび dは独立して 0または 1である。

15.下記の式（7)、（8)、（9)、（10)、および（11)で表される化合物の群力選択された少なくとも一つの化合物をさらに含有する項 12に記載の液晶組成物。

式中、 R および R は独立して炭素数 1〜10のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の— CH—は— O または— CH = CH で置き換えられてもよぐそして

2

任意の水素はフッ素で置き換えられてもよぐあるいは R^1C)はフッ素であってもよく；環 Mおよび環 Pは独立して 1, 4ーシクロへキシレン、 1, 4 フエ-レンまたはデカヒドロ —2, 6—ナフチレンであり； Z⁸および Z⁹は独立して—（CH ) ―、— COO または単

2 2

結合であり；そして L⁶および L⁷は独立して水素またはフッ素であり、 L⁶と L⁷の少なくとも一つはフッ素である。 16.下記の式（12)、（13)および（14)で表される化合物の群力選択された少なくとも一つの化合物をさらに含有する項 12に記載の液晶組成物。

2

任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；環 Q、環 Tおよび環 Uは独立して 1, 4 シクロへキシレン、ピリミジン— 2、 5 ジィル、または任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい 1, 4 フエ-レンであり；そして Z¹⁰および Z¹¹は独立して C≡C一、 COO—、 - (CH ) ―、— CH = CH―、または単結合である。

2 2

[0035] 17.項 14に記載の式（5)および (6)で表される化合物の群力も選択された少なくとも一つの化合物をさらに含有する項 13に記載の組成物。

[0036] 18.項 16に記載の式（12)、（13)および（14)で表される化合物の群力選択された少なくとも 1つの化合物をさらに含有する項 13に記載の組成物。

[0037] 19.項 16に記載の式（12)、（13)および（14)で表される化合物の群力選択された少なくとも 1つの化合物をさらに含有する項 14に記載の組成物。

[0038] 20.項 16に記載の式（12)、（13)および（14)で表される化合物の群力選択された少なくとも 1つの化合物をさらに含有する項 15に記載の組成物。

[0039] 21.少なくとも一つの光学活性ィ匕合物をさらに含有する項 12〜20のいずれか 1項に記載の液晶組成物。

[0040] 22.液晶性化合物の全重量に基づいて、第一成分の割合が 5〜90重量％の範囲である項 12〜21のいずれか 1項に記載の液晶組成物。

[0041] 23.項 12〜22のいずれか 1項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。

[0042] 24. VAまたは ECB効果に基づくアクティブマトリックス駆動を有する項 23に記載の液晶表示素子。 [0043] 25.項 12〜22のいずれか 1項に記載の液晶組成物の液晶表示素子における使用発明の効果

[0044] 本発明の化合物は、化合物に必要な一般的物性、熱、光などに対する安定性、適切な光学異方性、適切な誘電率異方性、他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する。本発明の液晶組成物は、これらの化合物の少なくとも一つを含有し、そしてネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性、低いしきい値電圧を有する。本発明の液晶表示素子は、この組成物を含有し、そして使用できる広い温度範囲、短い応答時間、大きなコントラスト比、低い駆動電圧を有する。

発明を実施するための最良の形態

[0045] この明細書における用語の使い方は次のとおりである。液晶性化合物は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物および液晶相を有しな、が液晶組成物の成分として有用な化合物の総称である。液晶性化合物、液晶組成物、液晶表示素子をそれぞれ化合物、組成物、素子と略すことがある。液晶表示素子は液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。ネマチック相の上限温度はネマチック相一等方相の相転移温度であり、そして単に上限温度と略すことがある。ネマチック相の下限温度を単に下限温度と略すことがある。式（1)で表わされる化合物を化合物（1)と略すことがある。この略記は式（2)などで表される化合物にも適用することがある。式（1)から式（11)において、

環、環 E、環 Mなどに対応する。成分または液晶性化合物の割合（百分率）は、液晶性ィ匕合物の全重量に基づいた重量百分率 (重量％)である。以下に本発明をさらに説明する。

[0046] 第一に、本発明の化合物（1)をさらに説明する。ナフタレン環などの縮合環は一環と数える。化合物（1)はテトラヒドロピラン環を有する二環、三環および四環の化合物である。この化合物は、素子が通常使用される条件下において物理的および化学的に極めて安定であり、そして他の液晶性化合物との相溶性がよい。この化合物を含有する組成物は素子が通常使用される条件下で安定である。この組成物を低、温度で保管しても、この化合物が結晶（またはスメクチック相）として析出することがない。この化合物は、化合物に必要な一般的物性、適切な光学異方性、そして適切な誘電率異方性を有する。

[0047] 化合物（1)の末端基、環および結合基を適切に選択することによって、光学異方性などの物性を任意に調整することが可能である。末端基 R¹および R²、環 A¹および A² 、結合基

および Z⁴の種類が、化合物（1)の物性に与える効果を以下に説明する。

[0048] R¹または R²が直鎖であるときは液晶相の温度範囲が広くそして粘度が小さ!/、。または R²が分岐鎖であるときは他の液晶性ィ匕合物との相溶性がよ!、。 R¹または R²が光学活性基である化合物は、キラルド一パントとして有用である。この化合物を組成物に添カ卩することによって、素子に発生するリバース 'ツイスト'ドメイン（Reverse twisted domain)を防止することができる。 R¹または R²が光学活性基でない化合物は組成物の成分として有用である。 R¹または R²がァルケ-ルであるとき、好ましい立体配置は二重結合の位置に依存する。好ましい立体配置を有するアルケニル化合物は、高い上限温度または液晶相の広い温度範囲を有する。 Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1985, 13 1, 109および Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1985, 131, 327に詳細な説明がある。

[0049] 環 A¹または A²が、 1, 4 フエ-レン、 2 フルオロー 1, 4 フエ-レン、または 3— フルオロー 1, 4 フエ-レンであるときは光学異方性が大きい。環 A¹および A²が、 1 , 4ーシクロへキシレンであるときは光学異方性が小さい。

[0050] 少なくとも二つの環が 1, 4ーシクロへキシレンであるときは、上限温度が高ぐ光学異方性が小さぐそして粘度が小さい。少なくとも一つの環が 1, 4 フエ-レンのときは、光学異方性が比較的大きぐそして配向秩序パラメーター（orientational order pa rameter) 大さい o

[0051] 結合基

Z³、または Z⁴が単結合、―（CH ) ― H O— CH = CH―

2 2 、— C

2 、または—（CH ) —であるときは粘度が小さい。結合基が単結合、―（CH ) ―、また

2 4 2 2 は CH = CH であるときは粘度がより小さい。結合基が CH = CH であるときは液晶相の温度範囲が広ぐそして弾性定数比 K /K (K ：ベンド弾性定数、 K

33 11 33 11

：スプレイ弾性定数)が大き、。結合基が C≡ C一のときは光学異方性が大き!/、。 [0052] 化合物（1)が二環または三環を有するときは粘度が小さ!、。化合物（1)が三環または四環を有するときは上限温度が高い。以上のように、末端基、環および結合基の種類、環の数を適当に選択することにより目的の物性を有する化合物を得ることができる。したがって、化合物（1)は PC、 TN、 STN、 ECB、 OCB、 IPS, VAなどの素子に用いられる組成物の成分として有用である。

[0053] 化合物（1)の好ましい例は、本発明の項 2に記載した化合物（1 1)、 (1 - 2) , (1 — 4)〜（1— 6)、および（1— 11)〜（1— 14)である。

R² 、 R³、 R⁴、 R⁵、 R⁶、

Z³、および Z⁴の記号の意味は、項 2に記載した記号の意味と同一である。

[0054] 化合物（1)は有機合成化学における手法を適切に組み合わせることにより合成する。出発物に目的の末端基、環および結合基を導入する方法は、オーガニックシンセシス（Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc)、オーガニック 'リアクションズ（O rganic Reactions, John Wiley & Sons, Inc)、コンプリヘンシブ'オーガニック 'シンセシス (Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press)、新実験ィ匕講 J坐、丸善)などの成書に記載されている。

[0055]

Z³または Z⁴を生成する方法の一例に関して、最初にスキームを示し、次に項 (I)〜項 (XI)でスキームを説明する。このスキームにおいて、 MSG¹または MSG²は少なくとも一つの環を有する 1価の有機基である。スキームで用いた複数の MSG¹ (または MSG²)は、同一であってもよいし、または異なってもよい。化合物（1 A)から（ 1K)は化合物（1)に相当する。

, , Pd(PPh₃)₄, Na₂C0₃aq

MSG¹— B(OH)₂ + Haト MSG² ^ MSG¹— MSG²

(21) (22) Hal = Br, I (1A)

Haト MSG²

i)n-BuLi,ii)ZnCI₂,iii)PdCI₂(PPh₃)₂ (22) Hal = Br, I

MSG¹-Hal ^ MSG¹— MSG²

(23) Hal = Br, I (1A)

i)n-BuLi, ii)C0₂ O DCCDMAP O

MSG¹— Hal MSG¹ MSG¹^?

OH O-MSG²

(23) Hal: Br, I

(24) (1B)

H₂0₂aq

MSG²— B(OH)₂ MSG² - OH

(21) (25)

O Lawesson's reagent S HF-Py,NBS F F

MSG¹—? ^ MSG¹^ MSG¹-^

O-MSG² O-MSG² O-MSG²

(1B) (26) (1C)

MSG¹ ~ \

PPh₃+Br

i)n-BuLi, ii)DMF O (27) t-BuOK

Hal— MSG² ^ MSG² ^ MSG¹-CH=CH-MSG²

H

(23) Hal = Br, I (₂8) (^1D)

[0057] H₂, Pd/C

MSG¹— CH=CH— MSG² MSG

-MSG

(1 D)

(1 E)

O '

MSG'

(28) t-BuOK H₂. Pd-C

MSG¹^^PPh₃+B「 MSG MSG

(29) ( 1 F)

2

OH Haト MSG

NaOH (22) Hal = Br,

MSG¹— Hal MSG ~ ^^MSG²

PdCI₂， Cul PdCI₂, Cul

(23) Hal = Br, (30) (1G)

[0058]

[0059] O NaBH₄ , HBr

MSG² MSG'

H HO

(28) (32)

MSG¹— OH

K₂CO₃

(25)

-MSG -MSG

Br' MSG

(33)

(U)

[0060] NaBH₄ 『，

MSG² MSG²

H HO

(28) (34)

[0061] (I)単結合の生成

ァリールホウ酸（21)と公知の方法で合成される化合物（22)とを、炭酸塩水溶液とテトラキス（トリフエ-ルホスフィン)パラジウムのような触媒の存在下で反応させて化合物（1A)を合成する。この化合物（1A)は、公知の方法で合成される化合物（23)に n —ブチルリチウムを、次いで塩化亜鉛を反応させ、ジクロロビス（トリフエ-ルホスフィン)パラジウムのような触媒の存在下で化合物（22)を反応させること〖こよっても合成される。

[0062] (ID—COO と OCO の生成

化合物（23)に n ブチルリチウムを、続いて二酸ィ匕炭素を反応させてカルボン酸（ 24)を得る。化合物（24)と、公知の方法で合成されるフエノール（25)とを DDC (1, 3—ジシクロへキシルカルボジイミド）と DMAP (4—ジメチルァミノピリジン）の存在下で脱水させて COO を有する化合物（ 1B)を合成する。この方法によって OCO を有する化合物も合成する。

[0063] (III) -CF O と OCF —の生成

2 2

化合物（1B)をローソン試薬のような硫黄化剤で処理して化合物（26)を得る。化合物（26)をフッ化水素ピリジン錯体と NBS (N ブロモスクシンイミド）でフッ素化し、 - CF O を有する化合物（1C)を合成する。 M. Kuroboshi et al.， Chem. Lett., 1992,

2

827.を参照。化合物（1C)は化合物（26)を (ジェチルァミノ)サルファートリフルオリド (DAST)でフッ素化しても合成される。 W. H. Bunnelle et al.， J. Org. Chem. 1990, 5 5, 768.を参照。この方法によって OCF を有する化合物も合成する。 Peer. Kirsc

2

h et al.， Anbew. Chem. Int. Ed. 2001, 40, 1480.に記載の方法によってこれらの結合基を生成させることも可能である。

[0064] (IV)— CH = CH の生成

化合物（23)を n—ブチルリチウムで処理した後、 N, N ジメチルホルムアミド（DM F)などのホルムアミドと反応させてアルデヒド（28)を得る。公知の方法で合成されるホスホ-ゥム塩（27)をカリウム tert ブトキシドのような塩基で処理して発生させたリンイリドを、アルデヒド（28)に反応させて化合物（1D)を合成する。反応条件によってはシス体が生成するので、必要に応じて公知の方法によりシス体をトランス体に異性化する。

[0065] (V)—（CH ) —の生成化合物（ID)をパラジウム炭素のような触媒の存在下で水素化することにより、化合物（1E)を合成する。

[0066] (VI)—（CH ) —の生成

2 4

ホスホ-ゥム塩 (27)の代わりにホスホ-ゥム塩 (29)を用い、項（IV)の方法に従つて一（CH ) —CH = CH を有する化合物を得る。これを接触水素化して化合物（1

2 2

F)を合成する。

[0067] (VII) C≡ C の生成

ジクロロパラジウムとハロゲン化銅との触媒存在下で、化合物（23)に 2—メチルー 3 ーブチン 2 オールを反応させたのち、塩基性条件下で脱保護して化合物（30) を得る。ジクロロパラジウムとハロゲン化銅との触媒存在下、化合物（30)をィ匕合物（2

2)と反応させて、化合物（1G)を合成する。

[0068] (VIII) CF = CF の生成

化合物（23)を n ブチルリチウムで処理したあと、テトラフルォロエチレンを反応させて化合物（31)を得る。化合物（22)を n ブチルリチウムで処理したあと化合物（3

1)と反応させて化合物（1H)を合成する。

[0069] (IX) -CH 0-または― OCH -の生成

2 2

化合物（28)を水素化ホウ素ナトリウムなどの還元剤で還元して化合物（32)を得る。これを臭化水素酸などでハロゲン化して化合物（33)を得る。炭酸カリウムなどの存在下で、化合物（33)を化合物（25)と反応させて化合物（1J)を合成する。

[0070] (X) - (CH ) O または— 0 (CH ) —の生成

2 3 2 3

化合物（32)の代わりに化合物（34)を用いて、項 (IX)の方法に従って化合物（1K )を合成する。

[0071] (XI) - (CF ) 一の生成

2 2

J. Am. Chem. So ， 2001, 123, 5414.に記載された方法に従い、ジケトン（一 COC

O ）をフッ化水素触媒の存在下、四フッ化硫黄でフッ素化して一（CF ) を有する

2 2 化合物を得る。

[0072] 次に i=0、 k>0、そして n=0のとき、式（1)で表されるテトラヒドロピランィ匕合物を合成する方法の一例を下記のスキームに示す。初めにラタトン骨格を有する合成中間体 (39)を合成するスキームを説明し、次、で (39)を出発物質としたテトラヒドロビラン化合物 (42)を合成する方法の一例を述べる。

1=—z²-A rR¹

[0074] 化合物（36)〜（39)において、 Q²は式（1)の構造単位である。構造単位はスキームに示した。

A²、および z²の記号の意味は、項 1に記載した記号の意味と同一である。

[0075] すなわち、化合物（37)は、化合物（36)とシクロへキシルァミンとの反応によって合成する。これらの反応は、好ましくはジェチルエーテル等の溶媒中、炭酸カリウムなどの塩基の存在下、室温から溶媒の沸点までの間の温度で行う。化合物（38)は、化合物（37)にアクリル酸ェチルを付加させた後、脱保護することにによって合成する。この反応は、アクリル酸ェチル自身を溶媒として用いるのが好ましいが、化合物（37) やアクリル酸ェチルと反応しな、トルエンなどを溶媒として使用しても良、。アクリル酸ェチルの重合を防ぐため、ヒドロキノンなどの重合禁止剤を共存させることが好ましい。この反応は、通常のガラス反応器を用いる場合は室温力溶媒の沸点までの間の温度で行うが、ステンレス製オートクレープなどの耐圧反応器を用いて溶媒の沸点以上の温度で反応を行うこともできる。付加反応が十分に進行した後、シユウ酸などの酸を添加することにより、シクロへキシルアミンを脱離させ、化合物（38)を得る。化合物（39)は、化合物（38)の環化反応によって合成する。この反応は、好ましくはィソプロノ V—ルなどの溶媒中、シァノ水素化ホウ素ナトリウムの存在下、室温程度の温度で行う。反応を促進させるために塩酸などの酸を添加してもよ、。

出発物である化合物（36)は有機合成化学の方法に従って容易に合成することができる。

[0076] 次に、化合物 (42)に関する合成法の一例を示す。

化合物（39)〜 (42)において、 Q¹または Q²は式（1)の構造単位である。構造単位はスキームに示した。

A²、 Z²、および Z³の記号の意味は、項 1に記載した記号の意味と同一である。

[0077] すなわち、化合物 (41)は、化合物（39)と化合物 (40)との反応によって合成する。この反応は、好ましくはテトラヒドロフラン等の溶媒中、 30°Cの温度で行う。化合物 (4 2)は、化合物 (41)をジクロロメタンなどの溶媒中、トリェチルシラン、三フッ化ホウ素ジェチルエーテル錯体の共存下、 50°C以下の温度で反応させることによって合成する。

化合物 (40)は有機合成化学の方法に従って容易に合成することができる。

[0078] i=0、 k>0、そして n=0以外のとき、式（1)で表されるテトラヒドロピランィ匕合物についても、同様の方法で合成することができる。

[0079] 次に、テトラヒドロピランィ匕合物 (46)を合成する方法の一例を述べる。

(43) (44) (46)

^Ql="f^z4-^{A2 z3}—^T¾^z2.^{A 1}—^τ1

化合物 (43)〜 (46)において、 Q¹または Q²は式（1)の構造単位である。構造単位はスキームに示した。

[0080] 化合物（44)は、化合物（43)を DIBAL— Hで還元することにより得られる。この反応は、好ましくはトルエン等の溶媒中、 60°C以下の温度で行う。化合物 (46)は、炭酸カリウムなどの存在下で、化合物 (44)を化合物 (45)と反応させることにより合成する。

化合物 (45)は有機合成化学の方法に従って容易に合成することができる。

[0081] 第二に、本発明の組成物をさらに説明する。好ましい組成物は化合物（1)から選択された少なくとも一つの化合物を 1〜99%の割合で含有する。この組成物は化合物（ 2)〜（14)の群から選択された成分を主として含有する。

[0082] 化合物（1)を含有する好ま、組成物は次のとおりである。好ま、組成物は化合物（2)、（3)および (4)の群力も選択された少なくとも一つの化合物を含有する。別の好まし、組成物は、化合物（5)および (6)の群から選択された少なくとも一つの化合物を含有する。別の好ましい組成物は、このような二つの群のそれぞれから選択された少なくとも二つの化合物を含有する。これらの組成物は、液晶相の温度範囲、粘度、光学異方性、誘電率異方性、しきい値電圧などを調整する目的で、化合物（12)、 ( 13)および（ 14)の群力選択された少なくとも一つの化合物をさらに含有してもよい。この組成物は、物性をさらに調整する目的で、化合物（7)〜（11)の群から選択された少なくとも一つの化合物をさらに含有してもよい。この組成物は、 AM—TN素子、 STN素子などに適合させる目的で、その他の液晶性化合物、添加物などの化合物をさらに含有してもよい。

[0083] 別の好ましい組成物は、化合物（7)〜（11)の群から選択された少なくとも一つの化合物を含有する。この組成物は、化合物（12)、（13)および（14)の群力選択された少なくとも一つの化合物をさらに含有してもよい。この組成物は、物性をさらに調整する目的で、化合物（2)〜（6)の群から選択された少なくとも一つの化合物をさらに含有してもよい。この組成物は、 VA素子などに適合させる目的で、その他の液晶性化合物、添加物などの化合物をさらに含有してもよ、。

[0084] 化合物（2)、 (3)および (4)は、誘電率異方性が正で大きいので、 AM— TN素子用の組成物に主として用いられる。この組成物において、これらの化合物の量は 1〜 99%である。好ましい量は 10〜97%である。より好ましい量は 40〜95%である。この組成物に化合物（12)、（13)または（14)をさらに添加する場合、この化合物の好まし、量は 60%以下である。より好ましヽ量は 40%以下である。

[0085] 化合物（5)および (6)は、誘電率異方性が正で非常に大きいので、 STN素子用の組成物に主として用いられる。この組成物において、これらの化合物の量は 1〜99% である。好ましい量は 10〜97%である。より好ましい量は 40〜95%である。この組成物に化合物（12)、（13)または（14)をさらに添加する場合、この化合物の好まし V、量は 60%以下である。より好まし、量は 40%以下である。

[0086] 化合物（7)、（8)、（9)、（10)、および（11)は、誘電率異方性が負であるので、 VA 素子用の組成物に主として用いられる。これらの化合物の好ましい量は 80%以下である。より好ましい量は 40〜80%である。この組成物に化合物（12)、（13)または（1 4)をさらに添加する場合、この化合物の好ましい量は 60%以下である。より好ましい量は 40%以下である。

[0087] 化合物（ 12)、（ 13)および（ 14)の誘電率異方性は小さ!/、。化合物（ 12)は粘度または光学異方性を調整する目的で主に使用される。化合物（13)および（14)は上限温度を上げて液晶相の温度範囲を広げる、または光学異方性を調整する目的で使用される。化合物（12)、（13)および（14)の量を増加させると組成物のしきい値電圧が高くなり、粘度が小さくなる。したがって、組成物のしきい値電圧の要求値を満たす力ぎり多量に使用してもよい。

[0088] 好ましい化合物（2)〜（14)は、それぞれ化合物（2— 1)〜（2— 9)、化合物（3— 1) 〜（3— 97)、化合物 (4 1)〜（4 33)、化合物（5— 1)〜（5— 56)、化合物（6— 1 )〜（6— 3)、化合物（7—1)〜（7—4)、化合物（8— 1)〜（8— 6)、化合物（9 1)〜 (9-4)、化合物（10— 1)、化合物（11 1)、化合物（12— 1)〜（12— 11)、化合物（13— 1)〜（13— 21)、および化合物（14 1)〜（14 6)である。これらの化合物において、 R R⁹、 X¹および X²の記号の意味は、化合物（2)〜（ 14)におけるこれらの記号の意味と同一である。

.T0/S00Zdf/X3d οε

.lO/SOOZdf/X3d

/.lO/SOOZdf/X3d

066.T0/S00ldf/X3d

一

(οζέ

.T0/S00Zdf/X3d

混合し、加熱によって互いに溶解させる。組成物に適当な添加物を加えて組成物の物性を調整してもよい。このような添加物は当業者によく知られている。メロシアニン、スチリル、ァゾ、ァゾメチン、ァゾキシ、キノフタロン、アントラキノン、テトラジンなどの化合物である二色性色素を添加して GH素子用の組成物を調製してもよい。一方、液晶のらせん構造を誘起して必要なねじれ角を与える目的でキラルド一パントが添カロされる。キラルド一パントの例は上記の光学活性ィ匕合物（Op— 1)〜（Op— 13)である。

[0108] キラルド一パントを組成物に添カ卩してねじれのピッチを調整する。 TN素子および T N—TFT素子用の好ましいピッチは 40〜200 μ mの範囲である。 STN素子用の好ましいピッチは 6〜20 mの範囲である。 BTN素子用の好ましいピッチは 1. 5〜4 mの範囲である。 PC素子用の組成物にはキラルド一パントを比較的多量に添加する。ピッチの温度依存性を調整する目的で少なくとも二つのキラルド一パントを添加してもよい。

[0109] 本発明の組成物は、 PC、 TN、 STN、 BTN, ECB、 OCB、 IPS, VAなどの素子に使用できる。これらの素子は駆動方式が PMであってもよいし、または AMであってもよい。この組成物をマイクロカプセル化して作製した NCAP (nematic curvilinear align ed phase)素子や、組成物中に三次元の網目状高分子を形成させた PD (polymer dis persed)素子、例えば PN (polymer network)素子にも使用できる。

実施例

[0110] 実施例により本発明を詳細に説明する。本発明は下記の実施例によって限定されない。 No. 1などの化合物番号は、実施例 5において表で示したィ匕合物のそれと対応する。表において、 1, 4ーシクロへキシレンおよび 1, 3 ジォキサン 2, 5 ジィルに関する立体配置はトランスである。 CH = CH の結合基に関する立体配置はトランスである。実施例において記号の後にある力つこ内の番号は好ましい化合物の番号に対応する。（一）の記号はその他の化合物を意味する。化合物の割合 (百分率 )は、組成物の全重量に基づいた重量百分率 (重量％)である。最後に、組成物の特 '性値をまとめた。

[0111] 特性値の測定は下記の方法にしたがった。それらの多くは、日本電子機械工業会規格 (Standard of Electric Industries Association of Japan)ELAJ'ED 2521Αίこ記載された方法、またはこれを修飾した方法である。

[0112] ネマチック相の上限温度 (NI;°C)：偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、 1°CZ分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。

[0113] ネマチック相の下限温度 (Tc;°C)：ネマチック相を有する試料を 0°C、—10°C、 2 0°C、一 30°C、および—40°Cのフリーザー中に 10日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が 20°Cではネマチック相のままであり、 30°Cでは結晶またはスメクチック相に変化したとき、 TCを≤— 20°Cと記載した。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。

[0114] 光学異方性 (屈折率異方性； An; 25°Cで測定）：測定は、波長 589nmの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率 n IIは偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率 n丄は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性の値は、 Δη=η II η丄、の式から計算した。試料が組成物のときはこの方法によって光学異方性を測定した。試料が化合物のときは、化合物を適切な組成物に混合したあと光学異方性を測定した。化合物の光学異方性は外揷値である。

[0115] 粘度（ 7? ; 20°Cと— 10°Cで測定; mPa's)：測定には E型粘度計を用いた。 20°Cで測定した値を r? (20°C)、—10°Cで測定した値を r? (— 10°C)と表記した。

[0116] 誘電率異方性（ Δ ε； 25°Cで測定）

△ εの値が正の組成物の場合： 2枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が 9 mであり、そしてツイスト角が 80度の TN素子に試料を入れた。この TN素子に 10ボルトを印カロして、液晶分子の長軸方向における誘電率（ ε II )を測定した。 0. 5ボルトを印加して、液晶分子の短軸方向における誘電率（ ε丄）を測定した。誘電率異方性の値は、 Δ ε = ε II ε丄、の式力計算した。正の誘電率異方性を有する組成物をこの方法によって測定した。試料が化合物のときは、化合物を適切な組成物に混合したあと誘電率異方性を測定した。化合物の誘電率異方性は外揷値である。

[0117] Δ εの値が負の組成物の場合： 2枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が 20 μ mである VA素子に試料を入れた。この VA素子に 0. 5ボルトを印加して、液晶分子の長軸方向における誘電率（ _ε II )を測定した。 2枚のガラス基板の間隔が 9 μ mである Τ N素子に試料を入れた。この TN素子に 0. 5ボルトを印加して、液晶分子の短軸方向における誘電率（ ε丄）を測定した。誘電率異方性の値は、 Δ ε = ε || - ε丄の式から計算した。負の誘電率異方性を有する組成物をこの方法によって測定した。試料が化合物のときは、化合物を適切な組成物に混合したあと誘電率異方性を測定した。化合物の誘電率異方性は外揷値である。

[0118] しき!/、値電圧 (Vth； 25°Cで測定; V)： 2枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が（0 . 5/ Δ η) /z mであり、ツイスト角が 80度であるノーマリーホワイトモード（normally whi te mode)の液晶表示素子に試料を入れた。 Δ ηは上記の方法で測定した光学異方性の値である。この素子に周波数が 32Hzである矩形波を印加した。印加電圧を上昇させ、 TN素子を通過する光の透過率が 90%になったときの電圧の値を測定した

[0119] らせんピッチ（20°Cで測定； μ m)：らせんピッチの測定には、カノのくさび型セル法を用いた。カノのくさび型セルに試料を注入し、セルカゝら観察されるディスクリネーションラインの間隔（a ;単位は/ z m)を測定した。らせんピッチ（P)は、式1³ = 2 ' & &11 0 から算出した。 Θは、くさび型セルのおける 2枚のガラス板の間の角度である。

[0120] 実施例 1

2 ェチル 5— (4 ペンチルシクロへキシル）テトラヒドロピラン（ィ匕合物 No. 1 - 1— 1— 1)の合成

[0121] 第一工程

(4 ペンチルシクロへキシル）ァセトアルデヒド（30. lg)をジェチルエーテ（40ml) に溶解し、シクロへキシルァミン（15. 2g)と炭酸カリウム（12g)をカ卩え、室温でー晚撹拌した。この懸濁液をセライトろ過し、ろ液を減圧下で濃縮した。得られた黄色油状のシクロへキシルー [2—（4 ペンチルシクロへキシル）ェチリデン]ァミン（40. 6g) を精製することなく第二工程に用いた。

[0122] 第二工程

第一工程で得られた粗製のシクロへキシルー [2- (4 ペンチルシクロへキシル）ェチリデン]ァミン（40. 6g)をアクリル酸ェチル（40ml)に溶解し、ヒドロキノン（0. 6g )を加え、 105°Cで 10時間加熱還流した。室温まで冷却し、 THF (500ml)をカロえ、飽和シユウ酸水溶液（300ml)を徐々に加え、ジェチルエーテルで抽出した。有機層を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮した。得られた褐色の残渣 (44. 93g)をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、黄色油状の 5 —ォキサ— 4— (4 ペンチルシクロへキシル）ペンタン酸ェチル（27. 4g)を得た。

[0123] 第三工程

第二工程で得られた 5—ォキサ 4一（4 ペンチルシクロへキシル）ペンタン酸ェチル（27. 4g)をイソプロパノール（200ml)に溶解し、シァノ水素化ホウ素ナトリウム（ 6. 5g)を加え、 HC1(2N)で常に phが約 3になるよう調整しながら室温で 3時間撹拌した。反応液に水（100ml)を加え、トルエンで抽出した。有機層を水で洗浄し、減圧下に濃縮した。得られた橙色の残渣（23. 3g)をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、淡黄色油状の 5— (4 ペンチルシクロへキシル)テトラヒドロピラン一 2— オン（14. Og)を得た。

[0124] 第四工程

トリメチルシリルアセチレン（16. 8ml)を THF ( 300ml)に溶解した後、—70°Cで n ブチルリチウム（1. 5M、へキサン溶液、 74. 2ml)を滴下し、同温度で 1時間撹拌した。この溶液に第三工程で得られた 5— (4—ペンチルシクロへキシル)テトラヒドロピラン— 2—オン（14. Og)を— 70°Cで滴下し、さらに 1時間同温度で撹拌し、その後徐々に室温まで昇温した。反応物を飽和塩ィ匕アンモ-ゥム水溶液 300mlに注ぎ、ジェチルエーテルで抽出した。有機層を水で洗浄し、減圧下に濃縮した。得られた褐色の残渣（20. 2g)をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、褐色固体 5— (4 —ペンチルシクロへキシル） 2—トリメチルシラニルェチニルテトラヒドロピラン一 2— オール（13. 9g)を得た。 [0125] 第五工程

第四工程で得られた 5— (4—ペンチルシクロへキシル）—2—トリメチルシラ -ルェチュルテトラヒドロピラン一 2—オール（13. 9g)をジクロロメタン（150ml)とァセトニトリル（30ml)に溶解し、 50°Cでトリェチルシラン（11. 8ml)を滴下し、続けて 3フッ化ホウ素—ジェチルエーテル錯体（7ml)を滴下した。ゆっくり 0°Cに昇温した後、氷水 300ml中に注ぎ、 n—ヘプタンで抽出した。有機層を水で洗浄し、減圧下に濃縮した。得られた褐色の残渣（11. Og)をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、黄色油状の 2 ェチュル一 5— (4—ペンチルシクロへキシル）テトラヒドロピラン（8. 9g)を得た。

[0126] 第六工程

第五工程で得られた 2 ェチニル 5—（4 ペンチルシクロへキシル)テトラヒドロピラン（2. 9g)をイソプロパノール（50ml)に溶解し、 Pd— C触媒 0. 15gをカ卩えた。真空ポンプで反応容器を減圧にした後、水素を常圧で導入し、常温で一晩撹拌した。反応液をろ過し、触媒を取り除いた後、減圧下に濃縮した。得られた無色の残渣 (2. 7g)をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、無色油状の 2 ェチル 5— ( 4 ペンチルシクロへキシル)テトラヒドロピラン（2. 4g)を得た。このものをさらに再結晶を繰り返すことにより精製し、純粋な 2 ェチル 5— (4—ペンチルシクロへキシル )テトラヒドロピラン (0. 5g)をえた。

[0127] 実施例 2

2 ビュル一 5— (4—ペンチルシクロへキシル）テトラヒドロピラン（ィ匕合物 No. 1 - 1 — 1—4)の合成

実施例 1の第五工程で得られた 2 ェチュル 5—（4 ペンチルシクロへキシル）テトラヒドロピラン（2. 7g)を n—ヘプタン（30ml)に溶解し、キノリン（0. 4ml)と Lindl ar触媒 0. 04gを加えた。真空ポンプで反応容器を減圧にした後、水素を常圧で導入し、常温で 90分撹拌した。反応液をろ過し、触媒を取り除いた後、減圧下に濃縮した。得られた淡黄色の残渣（2. 5g)をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、無色油状の 2 ビュルー5—（4 ペンチルシクロへキシル）テトラヒドロピラン（2. 2g) を得た。このものをさらに再結晶を繰り返すことにより精製し、純粋な 2 ビニル 5— (4 -ペンチルシクロへキシル）テトラヒドロピラン（ 1. 2g)を得た。

実施例 3

2 ビュル一 5— (4 プロビルシクロへキシル）テトラヒドロピラン（ィ匕合物 No. 1 - 1 — 1— 5)の合成

[0130] (4 ペンチルシクロへキシル）ァセトアルデヒドに替えて（4 プロビルシクロへキシル)ァセトアルデヒドを用い、実施例 2と同様に合成を行うことにより 2 ビュル一 5— ( 4 -プロビルシクロへキシル)テトラヒドロピランを合成した。

[0131] 実施例 4

2 ェチル 5— (4，一プロピル一ビシクロへキシル 4—ィル）テトラヒドロピラン（ィ匕合物 No. 1—4— 1— 2)の合成

[0132] (4 ペンチルシクロへキシル）ァセトアルデヒドに替えて（4，一プロピルビシクロへキシル 4—ィル)ァセトアルデヒドを用い、実施例 1と同様に合成を行うことにより 2— ェチル 5— (4，一プロピルビシクロへキシル 4—ィル）テトラヒドロピランを合成した。

[0133] 実施例 5

5- (4，一プロピルビシクロへキシル 4—ィル） 2 ビュル一テトラヒドロピラン（ィ匕合物 No. 1—4— 1— 6)の合成

[0134] (4 ペンチルシクロへキシル）ァセトアルデヒドに替えて（4，一プロピルビシクロへキシル 4—ィル)ァセトアルデヒドを用い、実施例 2と同様に合成を行うことにより 5— (4，一プロピルビシクロへキシル 4—ィル） 2 ビュル一テトラヒドロピランを合成した。実施例 6

2 プロピル一 5— (4，一ビュルビシクロへキシル 4—ィル）一テトラヒドロピラン（ィ匕合物 No. 1—4— 1—4)の合成

[0136] 第一工程

塩化メトキシメチルトリフエ-ルホスホ -ゥム（17. 9g)を THF (150ml)に懸濁し、—2 0°Cでカリウム— t—ブトキシド（5. 8g)の THF (150ml)溶液を滴下した。 20°Cで 3 0分撹拌した後、同温度で 4，—ビュルビシクロへキシルー 4 カルボアルデヒド（9. 0 g)の THFlOOml溶液を滴下し、同温度で 1時間撹拌した。室温まで昇温し、反応液に水（300ml)をカ卩え、トルエンで抽出した。有機層を水で洗浄し、減圧下に約 300 mほで濃縮し、 n—ヘプタン（1000ml)に強く撹拌しながら投入し、減圧ろ過した。ろ液を減圧下に濃縮し、得られた淡黄色の残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、淡黄色油状の 4一（2—メトキシビニル）ー4，ービニルビシクロへキシル（8 . 9g)を得た。

[0137] 第二工程

第一工程で得られた 4一（2—メトキシビュル） 4，一ビュルビシクロへキシル（8. 9g )をアセトン（100ml)に溶解し、 HCl (2N) 6mlをカ卩ぇ室温で 2時間撹拌した。反応液に水（100ml)を加え、トルエンで抽出した。有機層を水で洗浄し、減圧下に濃縮し、得られた淡黄色の残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、淡黄色油状の（4，—ビュル—ビシクロへキシル—4—ィル）—ァセトアルデヒド（8. 2g)を得た。

[0138] 第三工程

第一工程で得られた（4，—ビュル—ビシクロへキシル—4—ィル）—ァセトアルデヒド (8. 2g)を THF (100ml)に溶解し、シクロへキシルァミン（3. 5g)と炭酸カリウム（3g )を加え、室温で一晩撹拌した。この懸濁液をセライトろ過し、ろ液を減圧下で濃縮した。得られた黄色油状のシクロへキシルー [2—（4，一ビュルシクロへキシルー 4ーィル)ェチリデン]ァミン（11. 3g)を精製することなく第四工程に用いた。

[0139] 第四工程第一工程で得られた粗製のシクロへキシルー [2- (4，一ビュルシクロへキシルー 4 —ィル）ェチリデン]ァミン（11. 3g)をアクリル酸ェチル（20ml)に溶解し、ヒドロキノン (0. 2g)を加え、 110°Cで 15時間加熱還流した。室温まで冷却し、 THF ( 50ml)を加え、飽和シユウ酸水溶液（100ml)を徐々に力!]え、ジェチルエーテルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮した。得られた黄色の残渣（11. 9g)をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、無色油状の 5—ォキサー4一（4，一ビュルビシクロへキシルー 4一ィル）ペンタン酸ェチル（7. 8g)を得た。

[0140] 第五工程

第四工程で得られた 5—ォキサー4一（4，一ビュルビシクロへキシルー 4 ィル）ぺンタン酸ェチル（7. 8g)イソプロパノール（40ml)に溶解し、シァノ水素化ホウ素ナトリゥム（1. 2g)をカ卩え、 HC1(2N)で常に phが約 3になるよう調整しながら室温で 3時間撹拌した。反応液に水（100ml)を加え、トルエンで抽出した。有機層を水で洗浄し、減圧下に濃縮した。得られた無色の残渣（7. 3g)をシリカゲルカラムクロマトグラフィ一にて精製し、無色油状の 5— (4，—ビュルビシクロへキシル—4—ィル)テトラヒドロピラン一 2—オン (6. 0g)を得た。

[0141] 第六工程

細力べ切り分けた金属リチウム（0. 85g)をジェチルエーテル（50ml)にくわえ、室温で 1 ブロモプロパン（7. 4g)の THF (30ml)溶液を反応液が緩やかに還流するようゆっくり滴下し、同温度で 1時間撹拌したのち、室温で静置し固体を沈殿させ、上澄みを次の反応に用いた。別の反応装置に第五工程で得られた 5— (4'—ビニルビシクロへキシル 4 ィル）テトラヒドロピラン 2 オン（6. 0g)の THF溶液を投入し、— 70°Cに冷却し、先ほど得られた上澄みを滴下、さらに 1時間同温度で撹拌し、その後徐々に室温まで昇温した。反応物を飽和塩ィ匕アンモ-ゥム水溶液 100mlに注ぎ、ジェチルエーテルで抽出した。有機層を水で洗浄し、減圧下に濃縮した。得られた白色の固体（5. 4g)をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、白色固体 2 —プロピル一 5— (4，一ビュルビシクロへキシル 4—ィル） 2—テトラヒドロピラン 2 オール（1. 8g)を得た。 [0142] 第七工程

第六工程で得られた 2 プロピル 5—（4，一ビュルビシクロへキシルー 4 ィル） - 2 テトラヒドロピラン一 2—オール（ 1. 8g)をジクロロメタン (50ml)とァセトニトリル (10ml)に溶解し、 50°Cでトリエチルシラン（1. 5ml)を滴下し、続けて 3フッ化ホウ素—ジェチルエーテル錯体 (0. 9ml)を滴下した。ゆっくり 0°Cに昇温した後、氷水 5 Oml中に注ぎ、ジェチルエーテルで抽出した。有機層を水で洗浄し、減圧下に濃縮した。得られた白色固体（1. 8g)をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、白色固体の 2 プロピル— 5— (4，—ビュルビシクロへキシル—4—ィル）—テトラヒドロピラン（1. 4g)を得た。このものをさらに再結晶を繰り返すことにより精製し、純粋な 2 —プロピル一 5— (4，一ビュルビシクロへキシル 4—ィル）一テトラヒドロピラン（0. 6 g)を得た。

[0143] 実施例 7

2— [2—（4ーェチルシクロへキシル）ェチル ] 5—（4 ペンチルシクロへキシル) テトラヒドロピラン (ィ匕合物 No. 1— 5— 1— 10)の合成

第一工程

1—ェチル—4—ェチュルシクロへキサン（3. 5g)を THF (lOOml)に溶解した後、 — 70°Cで n—ブチルリチウム（1. 5M、へキサン溶液、 16. Oml)を滴下し、同温度で 1時間撹拌した。この溶液に実施例 1の第三工程で得られた 5— (4—ペンチルシクロへキシル)テトラヒドロピラン一 2—オン（5. 4g)を一 70°Cで滴下し、さらに 1時間同温度で撹拌し、その後徐々に室温まで昇温した。反応物を飽和塩ィ匕アンモ-ゥム水溶液 100mlに注ぎ、ジェチルエーテルで抽出した。有機層を水で洗浄し、減圧下に濃縮した。得られた褐色の残渣（7. 9g)をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製しゝ褐色固体 2—（4ーェチルシクロへキシルェチュル） 5—（4 ペンチルシクロへキシル）一テトラヒドロピラン一 2—オール（7. 4g)を得た。

[0144] 第二工程

第一工程で得られた 2—（4ーェチルシクロへキシルェチュル） 5—（4 ペンチルシクロへキシル）一テトラヒドロピラン一 2—オール（7. 4g)をジクロロメタン（50ml)とァセトニトリル（10ml)に溶解し、—50°Cでトリェチルシラン（5. 4ml)を滴下し、続けて 3フッ化ホウ素—ジェチルエーテル錯体（3. 2ml)を滴下した。ゆっくり 0°Cに昇温した後、氷水 50ml中に注ぎ、 n—ヘプタンで抽出した。有機層を水で洗浄し、減圧下に濃縮した。得られた褐色の残渣（7. 2g)をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、黄色油状の 2—（4ーェチルシクロへキシルェチュル） 5—（4 ペンチルシクロへキシル）一テトラヒドロピラン（6. 6g)を得た。

[0145] 第三工程

第二工程で得られた 2—（4ーェチルシクロへキシルェチュル） 5—（4 ペンチルシクロへキシル）一テトラヒドロピラン（3. Og)を n—ヘプタン（30ml)に溶解し、 Pd— C 触媒 0. 15gを加えた。真空ポンプで反応容器を減圧にした後、水素を常圧で導入し、常温で一晩撹拌した。反応液をろ過し、触媒を取り除いた後、減圧下に濃縮した。得られた淡黄色の残渣（2. 8g)をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、無色固体の 2— [2- (4ーェチルシクロへキシル）ェチル ]ー5—（4 ペンチルシクロへキシル）一テトラヒドロピラン（2. 5g)を得た。このものをさらに再結晶を繰り返すことにより精製し、純粋な 2— [2- (4 ェチルシクロへキシル）ェチル ]—5— (4 ペンチルシクロへキシル)テトラヒドロピラン（ 1. 5g)を得た。

[0146] 実施例 8

2— [2—（4 ェチルシクロへキシル）ビュル] 5—（4 ペンチルシクロへキシル）テトラヒドロピラン（ィ匕合物 No. 1— 5— 1— 19)の合成

[0147] 実施例 7の第二工程で得られた 2—（4ーェチルシクロへキシルェチュル） 5—（4 —ペンチルシクロへキシル）一テトラヒドロピラン（3. 6g)をジェチルエーテル（10ml) およびエタノール（10ml)に溶解させた。 Dewar冷却器にドライアイスメタノールを入れ、系内に乾燥アンモニアガスを導入し、液体アンモニア約 100mlを溜め、リチウム 0. 7gを少しずつ加えた。 3時間撹拌後、塩ィ匕アンモ-ゥム 50gを加え、 Dewar冷却器を取り外し、チッソ気流下アンモニアを系内から除去した。残渣に飽和塩化アンモ-ゥム水溶液

100mlを加え、ジクロロメタンで抽出した。有機層を水で洗浄し、減圧下に濃縮した。得られた黄色の残渣（3. 3g)をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、無色固体の 2— [2- (4ーェチルシクロへキシル）ビュル] 5—（4 ペンチルシクロへキシル)テトラヒドロピラン（2. 9g)を得た。このものをさらに再結晶を繰り返すことにより精製し、純粋な 2— [2—（4ーェチルシクロへキシル）ビュル ] 5—（4 ペンチルシクロへキシル)テトラヒドロピラン（1. 8g)を得た。

実施例 9

実施例 1〜4、さらに記載した合成法をもとに、下記の化合物 No. 1— 1 1 1〜1 —6— 3— 27を合成する。実施例 1〜4で得られたィ匕合物（No. 1— 1— 1— 1、 No. 1— 1— 1—4、 No. 1— 5— 1— 10、 No. 1— 5— 1— 19)もリストアップした。

---

§10

〔〕0154

ェ

〔¾015

O/JAVS8S900 S: 99:/vl2Ososfc 066/J

[0161] 調製例

4つの化合物を混合して、ネマチック相を有する組成物 A (母液晶）を調製した。 4 つの化合物は、 4— (4—プロビルシクロへキシル）ベンゾ-トリル（24%)、 4— (4— ペンチルシクロへキシル）ベンゾ-トリル（36%)、 4一（4一へプチルシクロへキシル) ベンゾ-トリル（25%)、 4一（4一（4 ペンチルシクロへキシル）フエ-ルペンゾ-トリル（15%)である。組成物 Aの物性値は次のとおりであった。上限温度 (NI) =71.7 °C、粘度（7? )=27. OmPa's、誘電率異方性（Δ ε ) = 11.0、光学異方性（ Δη)

20

=0. 137。

[0162] 実施例 10

調製例に記載した組成物 Αの 85%と実施例 1で得られた 2 -ェチル 5— (4 ぺンチルシクロへキシル）テトラヒドロピラン（化合物 No. 1-1-1- 1)の 15%とからなる組成物 Bを調製した。測定した組成物 Bの物性値を外挿して化合物 No.1-1-1 —1の物性値を算出した。上限温度 (NI) =31.0、誘電率異方性（Δ ε) = -0.6、光学異方性（Δη)=0.024。

[0163] 実施例 11

調製例に記載した組成物 Αの 85%と実施例 2で得られた 2 -ビュル— 5— (4 ぺンチルシクロへキシル）テトラヒドロピラン（化合物 No. 1-1- 1—4)の 15%とからなる組成物 Cを調製した。測定した組成物 Cの物性値を外挿して化合物 No. 1-1-1 —4の物性値を算出した。上限温度 (NI) =51.0、粘度（ 7?； mPa-s)—2.8、誘電率異方性（Δ ε )=0.3、光学異方性（Δη)=0.050。

[0164] 実施例 12

調製例に記載した組成物 Αの 85%と実施例 3で得られた 2 -ビニル 5— (4 プ口ビルシクロへキシル）テトラヒドロピラン（化合物 No.1-1-1- 5)の 15%とからなる組成物 Dを調製した。測定した組成物 Dの物性値を外挿して化合物 No. 1-1-1 5の物性値を算出した。上限温度 (NI) =37.7、誘電率異方性（Δ ε) = -0.4、光学異方性（Δη)=0.044。

[0165] 実施例 13

調製例に記載した組成物 Αの 85%と実施例 4で得られた 2 ェチルー 5—（4'ープ口ピル -ビシクロへキシル 4 ィル）テトラヒドロピラン（ィ匕合物 No .1— 4— 1— 2)の 15 %とからなる組成物 Eを調製した。測定した組成物 Eの物性値を外挿して化合物 No.1—4— 1—2の物性値を算出した。上限温度 (NI) =175.0、粘度（r?； mPa-s )45.5、誘電率異方性（Δ ε)=0.3、光学異方性（Δη)=0.077。 [0166] 実施例 14

調製例に記載した組成物 Aの 85%と実施例 5で得られた 5— (4'—プロピルビシク口へキシル 4—ィル） 2 ビュル一テトラヒドロピラン（ィ匕合物 No.1-4-1-6) の 15%とからなる組成物 Fを調製した。測定した組成物 Fの物性値を外挿して化合物 No.1—4— 1—6の物性値を算出した。上限温度 (NI) =196.4、誘電率異方性 (Δ ε )=2. 1、光学異方性（Δη)=0.097。

[0167] 実施例 15

調製例に記載した組成物 Αの 85%と実施例 6で得られた 2 プロピル— 5— (4' - ビュルビシクロへキシル 4—ィル）一テトラヒドロピラン（ィ匕合物 No.1—4—1—4) の 15%とからなる組成物 Gを調製した。測定した組成物 Gの物性値を外挿して化合物 No.1—4— 1—4の物性値を算出した。上限温度 (NI) =182.4、誘電率異方性 (Δ ε )=1.4、光学異方性（Δη)=0.084。

[0168] 実施例 16

調製例に記載した組成物 Αの 85%と実施例 7で得られた 2— [2- (4ーェチルシク口へキシル）ェチル]— 5— (4—ペンチルシクロへキシル）テトラヒドロピラン（化合物 N o.1— 5— 1— 10)の 15%とからなる組成物 Hを調製した。測定した組成物 Hの物性値を外挿して化合物 No.1— 5— 1— 10の物性値を算出した。上限温度 (NI) =141 .0、粘度 ;mPa's)36.5、誘電率異方性（Δ ε ) = -1.7、光学異方性（Δη) = 0.044。

[0169] 実施例 17

調製例に記載した組成物 Αの 85%と実施例 8で得られた 2— [2- (4ーェチルシク口へキシル）ビュル]— 5— (4—ペンチルシクロへキシル）テトラヒドロピラン（化合物 N o.1— 5— 1— 19)の 15%とからなる組成物 Iを調製した。測定した組成物 Iの物性値を外挿して化合物 No.1— 5— 1—19の物性値を算出した。上限温度 (NI) =174. 4、粘度 ;mPa's)34.3、誘電率異方性（Δ ε )=1.4、光学異方性（Δη)=0. 070

[0170] 本発明の代表的な組成物を組成物例 1〜15にまとめた。最初に、組成物の成分である化合物とその量 (重量％)を示した。化合物は下記の表 1の取り決めに従い、左末端基、結合基、環構造、および右末端基の記号によって表示した表 1 (匕 β^Ι¾Ι?¾Ξ¾去

R-(A1) -Z1 Z n-(A n) -X

I例 1 7-HB (F) — F 例 3 2— HdhH— 3

C，

I例 2 101-HBBH-5

GH，0GH-

[0173] 組成物例 1

5-Hdh2H-2 (1-5-1 -10) 10%

2— HdhH— 3 (1-5-1 -3) 5°/

5-HB-CL (2-1) 16%

3-HH-4 (12-1) 12%

3-HH-5 (12-1) 4%

3— HHB— F (3-1) 4%

3-HHB-CL (3-1) 3%

4-HHB-CL (3-1) 4%

3 -HHB (F)— F (3-2) 5%

4 -HHB (F)-F (3-2) 5%

5 -HHB (F)— F (3-2) 5%

7 -HHB (F)— F (3-2) 5%

5 -HBB (F)-F (3-23) 5% lOl— HBBH— 5 (14-1) 3%

3 -HHBB (F, F)-F (4-6) 2%

4 -HHBB (F, F)-F (4-6) 3%

5 -HHBB (F, F)-F (4-6) 3%

3-HH2BB (F, F)—F (4-15) 3% 4 HH2BB(F, F)— F (4— 15) 3%

NI=121.2°C; Δη=0.087; η (20°C)=20.8mPa-s; Δ ε =2.7;Vth=2.8 4V.

上記糸且成物 100咅に Op— 05を 0.25咅添カロしたときのピッチは 60. であつ組成物例 2

5- -Hdh-V (l-i-i -4) 3%

V- -Hdh-5 (l-i-i -7) 3%

V- -HdhVH-3 (1-5-1 -23) 3%

3- -HHB (F, F)- F (3-3) 9%

3- -H2HB (F, F) F (3-15) 9%

4- -H2HB (F, F) F (3-15) 8%

5- -H2HB (F, F) F (3-15) 8%

3- -HBB (F, F)- F (3-24) 20%

5- -HBB (F, F)- F (3-24) 14%

3- -H2BB (F, F) -F (3-27) 7%

5- -HHBB (F, F) F (4-6) 3%

5- -HHEBB-F (4) 2%

3- -HH2BB (F, F)-F (4-15) 3%

lOl-HBBH-4 (14-1) 4%

lOl-HBBH-5 (14-1) 4%

組成物例 3

5-Hdh-2 (1- 1-1- 1) 5'

5-Hdh2B-2 (1- 5-2- -8) 5'

5- HB-F (2- - 1) 12°/

2-HHB-OCF3 (3 -1) 7

t

C^ OI C C O O 〇^ OO ^ OO I ^ O cn cn c

cn O

^ ^ ϋ!

〔〕

) (131

½9 (s-sx) SO-9H- - ε

9 (i-zi) 9-ΗΗ- - ε

%0I (i-zi) 一 ΗΗ- - ε

%ε (ε-s) Λ-(Λ 'Λ) 9Η- -L

H-z) ΊΟ-9Η- -9

½ (01- -I-9-I) -9

ev-i-i-i) Λ-qPH- -9

9p}i¾W [8ΖΪ0]

%9 (9ε— ε) -(ή 'ή) 9Ή9Η- — ε

%9 (92-ε) Λ-(Λ) 99SH- — ε

%9 (92-ε) 99SH- -ζ

% (sx-ε) -(Λ 'Λ) 9Η^Η- -9

%9 (sx-ε) Λ — '^ί) 9HSH- -9

%0I (ιζ-ε) — ' 3Η Η- -9

%8 (ιζ-ε) £ήΟ — ' 3Η Η- — ε

%9 — ε) Λ-(Λ) 9ΗΗ- -9

%9 — ε) 9ΗΗ- — ε

½9 — ε) 9ΗΗ- - Λ

/₀9I (6ΐ-ε) SJOO-SH^H- -9

(εχ-ε) SJOO-9HSH- — ε

½ (ι-ε) SJOO-9HH- — ε

Z {ι-ζ) ΊΟ-9Η- -9

es - -S-9-I) -9

(si-Ι-9-Ι) ε-HsqpH- - Λ

.T0/S00Zdf/X3d I 3— HHB Ol (13-1) 5°/

2 - HHB (F)— F (3-2) 7%

3 - HHB (F)— F (3-2) 7% 5 -HHB (F)— F (3-2) 7%

3 -HHB (F, F)— F (3-3) 6%

3- H2HB (F, F)-F (3-15) 5%

4- H2HB (F, F)-F (3-15) 5% [0179] 組成物例 7

2- - HdhH -3 (1-5-1- -3) 5⁽ v- -HdhVH -3 (1-5-1- -23) 5

5- HB-CL (2-1) 3°A

7- HB (F)-F (2-2) 7%

3- HH-4 (12-1) 9%

3- HH-EMe (-) 13°

3- HHEB— F (3-10) 8°/

5- HHEB— F (3-10) 8°/

3- HHEB (F, F) F (3-12) 10%

4- HHEB (F, F) F (3-12) 5%

4- HGB(F, F)- F (3-91) 5%

5- HGB(F, F)- F (3-91) 6%

2- H2GB(F, F) — F (3-94) 4%

3- H2GB(F, F) — F (3-94) 5%

5- GHB(F, F)- F (3-97) 7%

[0180] 組成物例 8

5— Hdh— IV (1-1-1- -6) 5° 5 -HdhVH -2 (1-5-1- -19) 5« 3-HH-4 (12-1) 8% 3— HHB— 1 (13-1) 6°A ,)/() (0110HH2F 3Fo285—0Il

,)/() (0112HHB2F 3Fo28 3—0Il

,)/() (01HHB2F 3F28 30II1

,)/() (01 2HHB2F 3F180—I1

〔0181

; εthLl.2A9.6v= =

,,)/()() (0852 3BBF FXBF FF3II1

,)/() (024 l 3HBBF FF3—II

,)/() (0159 3 H2HBF FF3—0—I ,)/() (0310 3 HHF FF3—0—I NI = 85.6°C; Δη=0.075; η (20°C) =27.4mPa-s; Δ ε [0182] 組成物例 10

2 -HdhH -3 (1-5-1 -3) 5(

3 -dh2BH-2 (1-6-3- -20) 5°/

5 -HB-CL (2-1) 3°/

7- -HB (F)-F (5-3) 7%

3 -HH-4 (12-1) 9°

3 -HH-EMe (一） 13

3 —HHEB— F (3-10) 8°/

5 —HHEB— F (3-10) 8°/

3 -HHEB (F, F) F (3-12) 10%

4 -HHEB (F, F) F (3-12) 5%

4 -HGB(F, F)- F (3-91) 5%

5 -HGB(F, F)- F (3-91) 6%

2 -H2GB(F, F) — F (3-94) 4%

3 -H2GB(F, F) — F (3-94) 5%

5 -GHB(F, F)- F (3-97) 7%

[0183] 組成物例 11

3 — dhdh— V (1-3) 5%

3 -HdhB -2 (1-5-2) 4°/

5 -HB-CL (2-1) Ί。/、

3 -HH-4 (12-1) 8°/

3 — HHB— 1 (13-1) 5°/

3 -HHB (F, F)- F (3-3) 8%

3 -HBB (F, F)- F (3-24) 20%

5 -HBB (F, F)- F (3-24) 10%

3 -HHEB (F, F) F (3-12) 10%

4 -HHEB (F, F) F (3-12) 3% 5 -HHEB (F, F) F (3- -12) 3

2- -HBEB (F, F) -F (3- 36) 3(

3 -HBEB (F, F) -F (3- 36) 5⁽

5 -HBEB (F, F) -F (3- 36) 3(

3 -HHBB (F, F) F (4— -6) 6

[0184] 組成物例 12

5 -Hdh- IV (1-1-1-6) 4%

5 -Hdh2H- 2 (1-5-1-10) 4%

5 - HdhVH - 2 (1-5-1-19) 3%

2 -BEB (F)- C (5) 5%

3 -BEB (F)- C (5) 4%

4 -BEB (F)- C (5) 12%

1V2-BEB(F, F)-C (5) 16%

3-HB-02 (12-5) 3^C

3-HH-4 (12-1) 3^C

3 HHB— F (3-1) 3'

3— HHB— 1 (13-1) 4(

3 HHB Ol (13-1) 4

3— HBEB— F (3-34) 4⁽

3— HHEB— F (3-34) 7'

5— HHEB— F (3-34) 7'

3-H2BTB-2 (13-15) 4^

3 -H2BTB-3 (13- -15) 4

3 -H2BTB-4 (13- -15) 4

3 -HB (F)TB-2 (13- -14) 5^

NI = 92.7°C; Δη=0.138; η (20°C) =41.7mPa-s; Δ 28.0;Vth=l.0 7V.

[0185] 組成物例 13 v- - Hdh— 5 (l-i-i- -7) 10%

5- Hdh2B-2 (1-5-2- -8) 5%

3- BEB (F)-C (5) 8%

3- HB-C (5-2) 8% v- HB-C (5-2) 8%

IV -HB-C (5-2) 8%

3- HB-02 (12-5) 3%

3- HH-2V (12-1) 9%

3- HH-2V1 (12-1) 3%

V2 HHB— 1 (13-1) 9%

3- HHB— 1 (13-1) 5%

3- HHEB— F (3-10) 7%

3- H2BTB-2 (13-15) 6%

3- H2BTB-3 (13-15) 6%

3- H2BTB-4 (13-15) 5% 組成物例 14

v- Hdh2H- -3 (1-5-1- -13)10% v- - HdhVH - -3 (1-5-1 -23) 8⁰

5- BEB (F)- - C (5) 5% v- HB-C (5-2) 11%

5- PyB-C (5-8) 6%

4- BB-3 (12-8) 11%

3- HH-2V (12-1) 10%

5- HH-V (12-1) 11% v- HHB— 1 (13-3) 7%

V2 HHB— 1 (13-3) 3%

3- HHB— 1 (13-3) 3%

1V2-HBB-2 (13-4) 10% 3-HHEBH

組成物例 15

5-Hdh-2 (l-i-i- 1) 5⁽

V-Hdh-5 (l-i-i- -7) 6'

1V2-BEB(F, F)— C (5) 8%

3-HB-C (5-2) 18°/

2-BTB-l (12-10) 10%

5-HH-VFF (12-1) 20°,

3-HHB-l (13-1) 6°/

VFF-HHB-1 (13-1) 6^C

VFF2-HHB-1 (13-1) 6°

3-H2BTB-2 (13-15) 5°/

3-H2BTB-3 (13-15) 5°/

3-H2BTB-4 (13-15) 5°/

産業上の利用可能性

Δ εが小さく透明点の高い液晶性ィ匕合物、または Δ εが小さく相溶性に優れる液晶性化合物となる液晶性化合物であり、優れた液晶組成物となる、さらにいろんなモードの液晶表示素子となる。

Claims

請求の範囲

式（1)で表される化合物。

(¹ ) 式（1)において、 R¹および R²は独立して水素または炭素数 1〜10のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の— CH—は、— O—、— S―、— CO 、または— Si

2

2 2 2

—で置き換えられてもよく

2 2

3 2 2

、― OCHF、または— OCH Fで置き換えられてもよく； Z Z²、 z および Z⁴は独

3 2 2

立して単結合または炭素数 1〜4のアルキレンであり、このアルキレンにおいて任意の— CH—は— O—、― S―、—CO 、または— SiH—で置き換えられてもよぐそ

2 2

は 0または 1であり； j、 kおよび mは独立して 0、 1、または 2であり； nは 0または 1であり； i+j +k+m+nは 2、 3、または 4であり；そして i+k+nは 1、 2、 3、または 4であり； i +j +k+m+nが 2または 3のとき、 j、 kおよび mは独立して 0または 1であり； i+j +k +m+nが 4、 j +mが 3であり、 nが 1のとき、 jは 1であり； iが 0のとき、 jは 1または 2であり； n力のとき、 mは 1または 2であり； iが 1のとき、 R¹は炭素数 1〜10のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の— CH—は、— O—、― S—、 — CO 、または— Si

2

2 2 2

一で置き換えられてもよく；

nが 0のとき Z⁴は単結合であり； i+k+nが 1のとき、

Τ²および Τ³はテトラヒドロビラン— 2, 5 ジィルであり； i+j +k+m+nが 2のとき、 A¹および A²は独立して 1, 4— シクロへキシレンまたはデカヒドロナフタレン 2, 6 ジィルであり、これらの環において一つの— CH—は、 O—、— S—、— CO 、または— SiH—で置き換えられ

2 2

てもよく； i+j +k+m+nが 3、i+kが 0、 A¹が 1, 4ーシクロへキシレン、そして A²が 1 , 4—フエ-レンのとき、 R¹および R²の少なくとも一つはァルケ-ルであり； i+j +k+ m+nが 3、 i+k力^)、 A¹が 1, 4 シクロへキシレン、そして A²が 2 フルオロー 1, 4 フエ-レンのとき、 R²はアルコキシまたはァルケ-ルである。

[2] 式（1 1)、式（1 2)、式（1 4)〜式（1 6)、および式（1 11)〜式（1 14) で表される請求項 1に記載の化合物。

R³ ^ Z¹ A² R⁴ (1 -1 )

R⁴— —— A¹— — Z² - - R³ (1 -2)

R³ Z¹ A¹ Z² A² R⁴ (1 -4)

R¹ A¹ Z² Z³ A² R² (1 -5)

R⁴ A¹ Z² A² Z⁴ R³ (1 -6)

R⁵——、 —— Z¹ A¹ Z² A² A²—— R² (1 -1 "

R¹ A¹ Z²—— <° ")—— Z³ A² Z4 A²—— R² (1 -12)

式（1 1)、式（1 2)、式（1 4)〜式（1 6)、および式（1 11)〜式（1 14)において、 R\ R²、および R⁴は独立して水素または炭素数 1〜10のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の— CH—は、 O—、 — S―、 — CO 、または— SiH

2 2

置き換えられてもよく； R³および R⁵は独立して炭素数 1〜10のアルキルであり、このァルキルにおいて任意の— CH—は、 O—、 — S―、 —CO 、または— SiH—で

2 2

2

—は— O—、 ― S—、 —CO 、または— SiH—で置き換えられてもよぐ任意の—（

2

2 2

3 2 2 3 2 2 置き換えられてもよく；

2

2 2 2

H または、 C≡C—で置き換えられてもよく；式（1— 1)において A²が 1 , 4 フエ二レンのとき、 R³および R⁴の少なくとも一つはァルケ-ルであり；式（1— 2)において A¹が 1 , 4 フエ-レンのとき、 R³および R⁴の少なくとも一つはァルケ-ルであり；式（ 1—4)において A¹および A²が 1 , 4 フエ-レンのとき、 R³および R⁴の少なくとも一つはァルケ-ルであり；式（1— 6)において A¹が 1 , 4ーシクロへキシレン、そして A²が 1 , 4 フエ-レンのとき、 R³および R⁴の少なくとも一つはァルケ-ルであり；式（1— 6) において A¹が 1 , 4 シクロへキシレン、そして A²が 2 フルオロー 1 , 4 フエ-レンのとき、 R³はアルコキシまたはァルケ-ルであり；式（1— 6)において A A²が 1 , 4— フエ-レンのとき、 R³および R⁴の少なくとも一つはァルケ-ルであり；式（1— 14)において A¹が 1 , 4ーシクロへキシレンであり、 A²が 1 , 4 フエ-レンのとき、 R³および R⁴ の少なくとも一つはァノレケニノレである。 [3] 請求項 2に記載の式（1 1)、式（1 2)、式（1 4)〜式（1 6)、および式（1 1 1)〜式（1— 14)において、！^〜が独立して炭素数 2から 10のアルキル、炭素数 2 から 10のァルケ-ル、炭素数 1から 9のアルコキシ、炭素数 2から 9のアルコキシアルキル、炭素数 3から 9のァルケ-ルォキシ、炭素数 2から 10のポリフルォロアルキル、炭素数 1から 9のポリフルォロアルコキシ、または炭素数 2から 10のポリフルォロアルケ-ルであり； A¹および A²が独立して 1, 4 シクロへキシレン、 1, 4 フエ-レン、 2 —フノレ才ロ一 1, 4 フエ-レン、 3 フノレ才ロ一 1, 4 フエ-レン、デカヒドロナフタレンー 2, 6 ジィノレ、 1, 2, 3, 4ーテトラヒドロナフタレン 2, 6 ジィノレ、またはナフタレン— 2, 6 ジィルであり； ―、

一 CH=CH—、 -CH O—、 -OCH 一、一（CH ) 一、一 C≡C一、一 COO—、

2 2 2 4

— OCO—、 -CH CO—、 -COCH 一、 -CH SiH 一、 SiH CH 一、 0 (C

2 2 2 2 2 2

H ) O—、 - (CH ) COO—、 - (CH ) OCO 、一COO (CH ) 一、一OCO (C

2 2 2 2 2 2 2 2

H ) 一、 CH = CH— CH O 、または一 OCH— CH = CH である請求項 2に

2 2 2 2

記載の化合物。

[4] 請求項 2に記載の式（1 1)、式（1 2)、式（1 4)〜式（1 6)、および式（1 1 1)〜式（1— 14)において、 R¹〜R⁵が独立して炭素数 2〜 10のアルキル、炭素数 2 〜10のァルケ-ル、炭素数 1〜9のアルコキシ、炭素数 2〜9のアルコキシアルキル、または炭素数 3〜9のァルケ-ルォキシであり； A¹および A²が独立して 1, 4ーシクロへキシレン、 1, 4 フエ二レン、 2 フルオロー 1, 4 フエ二レン、または 3 フルォロ — 1, 4 フエ-レンであり； Z Z²、 Z³、および Z⁴が独立して単結合、―（CH ) ―、

2 2

― CH = CH 、一 CH O 、一 OCH —、 - (CH ) 一、または一 C≡C—である請

2 2 2 4

求項 2に記載の化合物。

[5] 請求項 2に記載の式（1 1)、式（1 2)、式（1 4)〜式（1 6)、および式（1 1 1)〜式（1— 14)において、 R¹〜R⁵が独立して炭素数 2〜 10のアルキル、炭素数 2 〜10のァルケ-ル、または炭素数 1〜9のアルコキシであり； A¹および A²が独立して 1, 4 シクロへキシレンまたは 1, 4 フエ-レンであり； Z Z²、 Z³、および Z⁴が独立して単結合、—（CH ) 一、または CH = CH である請求項 2に記載の化合物。

2 2

[6] 請求項 2に記載の式（1 1)および式（1— 2)において、 A¹および A²が 1， 4ーシク口へキシレンであり；請求項 2に記載の式（1—4)〜式（1— 6)にお!/、て、 A¹および A² が独立して 1, 4ーシクロへキシレンまたは 1, 4 フエ-レンであり、 A¹および A²の少なくとも 1つが 1 , 4 シクロへキシレンであり；請求項 2に記載の式（1— 11)〜式（ 1 14)において、 A¹および A²が独立して 1, 4ーシクロへキシレンまたは 1, 4 フエニレンであり、 A¹および A²の少なくとも 2つが 1, 4ーシクロへキシレンである請求項 2に記載の化合物。

式（1 1 1)、式（1 2— 1)、式（1 4 1)〜式（1 4 3)、式（1 5— 1)〜式（1 5— 3)、式（1 6— 1)〜式（1 6— 3)、式（1 11 1)〜式（1 11 4)、式（1— 12—1)〜式（1— 12— 4)、式（1— 13— 1)〜式（1— 13— 4)、式（1— 14 1)〜式（1 14-4)の!、ずれ力 1つで表される請求項 2〜6の!、ずれか 1項に記載の化合物。

寸

S

2 2

Z⁴², Z⁴⁴,または Z⁴⁵は独立して単結合、または—（CH ) —であり； Z³¹および Z³²のい

2 2

[8] 式（1 1 1)および（1 2— 1)の!、ずれか一つで表される化合物。

式 (1 - 式（1— 2— 1)において、 R 、および R は独立して炭素数 2〜 10のアルキル、炭素数 1〜9のアルコキシまたは炭素数 2〜10のァルケ-ルであり；尺およびの一方はアルキルである。

[9] 式（1 4 1)、（1 5— 1)および（1 6— 1)のいずれか一つで表される化合物。

2 2

単結合である。

[10] 式中の R³¹および R³²の一方がアルキルであり、もう一方がアルケニルである請求項

8または 9記載の化合物。

[11] 式中の R³¹および R³²がアルケニルである請求項 8または 9記載の化合物。

[12] 請求項 1〜 11の、ずれか 1項に記載した少なくとも 1つの化合物を含有する液晶組成物。

[13] 下記の式 (2)、（3)および (4)で表される化合物の群から選択された少なくとも一つの化合物をさらに含有する請求項 12に記載の液晶組成物。

式中、 R⁷は炭素数 1 10のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の CH—

2 は O または CH = CH で置き換えられてもよぐそして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく； X¹はフッ素、塩素、 OCF -OCHF -CF — CHF

3 2 3 2

-CH F -OCF CHF、または— OCF CHFCFであり；環 B Dおよび環 Dは独

2 2 2 2 3

立して 1, 4 シクロへキシレン、 1, 3 ジォキサン一 2, 5 ジィルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい 1, 4 フエ-レンであり、環 Eは 1, 4 シクロへキシレンまたは任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい 1, 4 フエ-レンであり； Z⁵ および Z⁶は独立して—（CH ) ― —（CH ) ― — COO— — CF O— — OCF

2 2 2 4 2 2 —CH = CH—、または単結合であり；そして L¹および L²は独立して水素またはフッ素である。

下記の式 (5)および (6)で表される化合物の群から選択された少なくとも一つの化合物をさらに含有する請求項 12に記載の液晶組成物。

式中、 R⁸および R⁹は独立して炭素数 1 10のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の CH—は O または CH CH で置き換えられてもよぐそして任

2

意の水素はフッ素で置き換えられてもよく； X²は— CNまたは― C≡ C― CNであり；環 Gは 1, 4ーシクロへキシレン、 1, 4 フエ二レン、 1, 3 ジォキサン 2, 5 ジィノレ、またはピリミジン一 2, 5 ジィルであり； ^[は 1, 4 シクロへキシレン、ピリミジン一 2, 5 -ジィルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられてもよ、1, 4 フエ-レンであり；環 Kは 1, 4 シクロへキシレンまたは 1, 4 フエ-レンであり； Z⁷は一（CH ) ― -

2 2

COO— ― CF O— -OCF または単結合であり； L³ L⁴および L⁵は独立して

2 2

水素またはフッ素であり；そして b cおよび dは独立して 0または 1である。

下記の式（7)、（8)、（9)、（10)、および（11)で表される化合物の群力選択された少なくとも一つの化合物をさらに含有する請求項 12に記載の液晶組成物。

2

2 2

結合であり；そして L⁶および L⁷は独立して水素またはフッ素であり、 L⁶と L⁷の少なくとも一つはフッ素である。

下記の式（12)、（13)および（14)で表される化合物の群力選択された少なくとも一つの化合物をさらに含有する請求項 12に記載の液晶組成物。

いて任意の— CH—は— O または— CH = CH で置き換えられてもよぐそして

2

2 2

[17] 請求項 14に記載の式（5)および (6)で表される化合物の群力も選択された少なくとも一つの化合物をさらに含有する請求項 13に記載の組成物。

[18] 請求項 16に記載の式（12)、（13)および（14)で表される化合物の群力選択された少なくとも 1つの化合物をさらに含有する請求項 13に記載の組成物。

[19] 請求項 16に記載の式（12)、（13)および（14)で表される化合物の群力選択された少なくとも 1つの化合物をさらに含有する請求項 14に記載の組成物。

[20] 請求項 16に記載の式（12)、（13)および（14)で表される化合物の群力選択された少なくとも 1つの化合物をさらに含有する請求項 15に記載の組成物。

[21] 少なくとも一つの光学活性ィ匕合物をさらに含有する請求項 12〜20のいずれか 1項に記載の液晶組成物。

[22] 液晶性ィ匕合物の全重量に基づいて、請求項 1〜11のいずれかに記載の化合物の割合が 5〜90重量％の範囲である請求項 12〜21のいずれか 1項に記載の液晶組成物。

[23] 請求項 12〜22のいずれか 1項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。

[24] VAまたは ECB効果に基づくアクティブマトリックス駆動を有する請求項 23に記載の液晶表示素子。

[25] 請求項 12〜22のいずれか 1項に記載の液晶組成物の液晶表示素子における使用。