WO2005036624A1

WO2005036624A1 - 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法

Info

Publication number: WO2005036624A1
Application number: PCT/JP2004/015332
Authority: WO
Inventors: Masahiko Yasuda; Takahiro Masada; Yuho Kanaya; Tadashi Nagayama; Kenichi Shiraishi
Original assignee: Nikon Corporation
Priority date: 2003-10-09
Filing date: 2004-10-12
Publication date: 2005-04-21
Also published as: EP1672680A4; KR101523456B1; EP2937734A1; TW201738932A; US9383656B2; KR20160044595A; KR20130105932A; KR101183850B1; KR20130006719A; TWI598934B; EP3206083B1; US20150227058A1; JP2019035983A; HK1164462A1; US20160313650A1; JP2017004029A; KR101832713B1; CN102360167A; US8130361B2; JP2016014901A

Abstract

　露光装置ＥＸは、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージＰＳＴと、基板ステージＰＳＴに保持された基板Ｐ上のアライメントマーク１を検出するとともに基板ステージＰＳＴに設けられた基準マークＰＦＭを検出する基板アライメント系５と、基板ステージＰＳＴに設けられた基準マークＭＦＭを投影光学系ＰＬを介して検出するマスクアライメント系６とを備える。基板アライメント系５を用いて基板ステージＰＳＴに設けられた基準マークＰＦＭを液体無しに検出するとともに、マスクアライメント系６を用いて基板ステージＰＳＴに設けられた基準マークＭＦＭを投影光学系ＰＬと液体とを介して検出して、基板アライメント系５の検出基準位置とパターンの像の投影位置との位置関係を求める。液浸露光においてアライメント処理を精確に行うことができる。

Description

明細書露光装置及び露光方法、デバイス製造方法技術分野

本発明は、投影光学系と液体とを介して基板にパターンを露光する露光装置及び露光方法、デバイス製造方法に関するものである。背景技術

半導体デノィスや液晶表示デゾ 'イス等のマイクロデバイスは、マスク上に形成されたバタ一ンを感光性の基板上に転写する、いわゆるフォトリソグラフィの手法により製造される。このフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置は、マスクを支持するマスクステージと基板を支持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写するものである。上記マイクロデバイスは基板上に複数層のパターンを重ね合わせて形成されるので、 2層目以降のパ夕一ンを基板上に投影露光する際には、基板上に既に形成されているパターンと次に露光するマスクのパターン像とを位置合わせするァライメント処理を精確に行うことが重要である。ァライメン卜方式としては、マーク検出系の一部として投影光学系を使用する所謂 T T L方式や、投影光学系を介さずに専用のマーク検出系を使用する所謂オフ■ァクシス方式がある。これらの方式はマスクと基板とを直接位置合わせするのではな〈露光装置内（一般には基板ステージ上）に設けられている基準マークを介して間接的に位置合わせを行う。このうち才フ-ァクシス方式では基板ステージの移動を規定する座標系内における上記専用のマーク検出系の検出基準位置とマスクのパターン像の投影位置との距離（位置関係）であるベースライン量（情報）を計測するベースライン計測が行われる。そして基板に対して重ね合わせ露光をする際には、例えば基板上の露光対象領域であるショヅ卜領域に形成されているァライメントマークをマーク検出系で検出して、マーク検出系の検出基準位置に対するショッ卜領域の位置情報（ずれ）を求め、そのときの基板ステ一ジの位置から上記ベースライン量及びマ一ク検出系で求めたショッ卜領域のずれ分だけ基板ステージを移動することで、マスクのパターン像の投影位置とそのショッ卜領域とを位置合わせし、その状態で露光する。こうすることにより、基板（ショッ卜領域）に既に形成されているパターンと次のマスクのパ夕 —ン像とを重ね合わせることができる。ところで、近年、デバイスパターンのより一層の高集積化に対応するために投影光学系の更なる高解像度化が望まれている。投影光学系の解像度は、使用する露光波長が短くなるほど、また投影光学系の開口数が大きいほど高くなる。そのため、露光装置で使用される露光波長は年々短波長化しており、投影光学系の開口数も増大している。そして、現在主流の露光波長は、 K r Fエキシマレーザの 2 4 8 n m であるが、更に短波長の A r Fエキシマレ一ザの 1 9 3 n mも実用化されつつある _c また、露光を行う際には、解像度と同様に焦点深度（D O F ) も重要となる。解像度 R、及び焦点深度 5はそれぞれ以下の式で表される。

R = k , - λ/ Ν A … ( 1 )

<5 = ± k ₂ - Λ / Ν A ² … ( 2 )

ここで、えは露光波長、 N Aは投影光学系の開口数、 k，、 k ₂はプロセス係数である。（ 1 )式、（2 )式より、解像度 Rを高めるために、露光波長 λを短くして、開口数 Ν Αを大きくすると、焦点深度 δが狭くなることが分かる。焦点深度 (Sが狭くなり過ぎると、投影光学系の像面に対して基板表面を合致させることが困難となり、露光動作時のフォーカスマ一ジンが不足する恐れがある。そこで、実質的に露光波長を短くして、且つ焦点深度を広くする方法として、例えば国際公開第 9 9 / 4 9 5 0 4号公報に開示されてい-る液浸法が提案されている。この液浸法は、投影光学系の下面と基板表面との間を水や有機溶媒等の液体で満たし、液体中での露光光の波長が、空気中の 1 / η ( ηは液体の屈折率で通常 1 . 2〜 1 . 6程度）になることを利用して解像度を向上するとともに、焦点深度を約 η倍に拡大するというものである。ところで、当然のことながら、液浸露光処理においてもマスクのパターン像と基板上の各ショッ卜領域とを精確に位置合わせすることが重要であり、上述したようなマスクのパターン像と基板との位置合わせを基準マークを介して間接的に行う場合に精確にベースライン計測及びァライメン卜処理をできるようにすることが重要である。また、基板ステージ上の周りには、基準マークのみならず、各種のセンサ等も配置されており、これらを使用する際に、液体の漏洩や浸入を極力避ける必要がある。また、基板ステージの内部に液体が浸入することによつても不具合が生じる可能性があるため、液体の浸入を防止する必要がある。発明の開示本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液体の漏洩や浸入を抑えることのできる露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。また、液浸露光においてもァライメン卜処理を精確に行うことができる露光装置及び露光方法を提供することを目的とする。さらにこれらの露光装置を用いるデバイス製造方法及びそれらの露光方法を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す図 1〜図 1 4に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。本発明の第 1の態様に従えば、液体（L Q ) _を介て基板（P ) 上にパターンの像を投影することによって、基板（P ) を露光する露光装置であって、基板（P ) 上にパターンの像を投影する投影光学系（P L ) と、基板（P ) を保持して移動可能な基板ステージ（P S T ) と、基板ステージ（P S T ) に保持された基板（P ) 上のァライメン卜マーク（ 1 ) を検出するとともに基板ステージ（P S T ) に設 Iナられた基準（P FM) を検出する第 1検出系（5) と、基板ステージ（P S T) に設けられた基準（MFM)を投影光学系（P L)を介して検出する第 2検出系（6) とを備え、第 1検出系（ 5 )を用いて基板ステージ（ P S T )に設けられた基準（ P FM) を、液体（LQ) を介さずに検出するとともに、第 2検出系（6) を用いて基板ステージ（P S T) に設けられた基準（MFM) を投影光学系（P L) と液体 (LQ) とを介して検出して、第 1検出系（5)の検出基準位置とパターンの像の投影位置との位置関係を求める露光装置（EX) が提供される。本発明によれば、基板ステ一ジ上の基準を第 1検出系で検出する際には液体を介さずに検出することで、液体の温度変化等の影響を受けることなく基準を良好に検出することができる。また、第 1検出系を液浸対応に構成する必要がなく、従来の検出系をそのまま利用できる。そして、第 2検出系を使って基板ステージ上の基準を検出する際には、液浸露光時と同様、投影光学系の像面側に液体を満たして、投影光学系と液体とを介して検出することにより、その検出結果に基づいてパターン像の投影位置を精確に検出することができる。そして、これら第 1、第 2検出系の検出動作中における基板ステージのそれぞれの位置情報に基づいて、第 1検出系の検出基準位置とパターン像の投影位置との位置関係（距離）であるベースライン量 (ベースライン情報）を精確に求めることができ、このべ一スライン量に基づいて、基板に対する重ね合わせ露光する際にも基板（ショッ卜領域）とマスクのパターン像とを精確 ίこ位置合わせすることができる。本発明の第 2の態様に従えば、液体（LQ) を介して基板（Ρ)上にパターンの像を投影することによって、基板（Ρ) を露光する露光装置であって、基板（Ρ) 上にパターンの像を投影する投影光学系（P L) と、基板（P) を保持する基板ホルダ（52) を有し、基板ホルダ（52) に基板（― P ) を保持して移動可能な基板ステージ（P S T) と、基板ステージ（P S T) に保持された基板（P)上のァラィメン卜マーク（ 1 ) を検出する第 1検出系（5) と、基板ステージ（P ST) に設けられた基準（MFM) を液体（LQ) を介して検出する第 2検出系（6) とを備え、第 2検出系（6) を用いて基板ステージ（P S T) に設けられた基準（MF M) を液体（LQ) を介して検出するときに、基板ホルダ（52) には基板（P) もしくはダミー基板（D P) が配置されている露光装置（EX) が提供される。本発明によれば、基準上に液体を配置した状態で検出するときにおいても、基板ホルダに基板あるいはダミー基板を配置しておくことにより、基板ホルダ内部や基板ステージ内部に大量の液体が浸入することを防止できる。したがって、浸入した液体に起因する基板ステージ内部の例えば電気機器の故障や漏電、あるいは基板ステージ内部の各部材の請び等の不都合の発生を防止することができる。本発明の第 3の態様に従えば、液体（LQ) を介して基板（P)上にパターンの像を投影することによって、前記基板を露光する露光装置であって、基板（P)上にパターンの像を投影する投影光学系（P L) と、上面が無段差の基準部材 (3) と、前記投影光学系（P L)の端面（2 a) と前記基準部材（ 3 ) の上面との間を液体で満たした状態で、前記基準部材 (3) に形成された基準（MFM) を検出する検出系（6) とを備える露光装置が提供される。本発明によれば、基準部材上面を無段差としたので、例えばドライ状態からゥェッ卜状態に切り替えた際にも、基準部材上の基準マーク部分（段差部分）に気泡が残留しにくくなる。また、ゥエツ卜状態からドライ状態に切り替えた際にも、マーク部分の液体の残留が防止される。したがって、基準部材上の水跡（所謂ウォー夕一マーク）の発生も防ぐことができる。本発明の第 4の態様に従えば、液体（LQ) を介して基板（P)上にパターンの像を投影することによって、基板（P) を露光する露光装置であって、基板（P) 上にパターンの像を投影する投影光学系（P L) ど、基板（P) を保持する基板ホルダ（P S H) を有し、基板ホルダ（P S H) に基板（P) を保持して移動可能な基板ステージ（P S T) と、基板ホルダ（P S H) に基板（P) もし〈はダミー基板（DP) が保持されているか否かを検出する検出器（94) と、検出器（94) の検出結果に応じて、基板ステージ（P S T)の可動領域を変更する制御装置（C ON T) とを備える露光装置（EX) が提供される。本発明によれば、基板ホルダに基板もしくはダミー基板が保持されているか否かに応じて、基板ステージの可動領域を決定するようにしたので、基板ホルダの保持面に液体が付着したり、基板ステージの内部に液体が浸入することを防止できる。本発明の第 5の態様に従えば、液体（LQ) を介して基板（P) 上にパターンの像を投影することによって、基板（P) を露光する露光装置であって、基板（P) 上にパターンの像を投影する投影光学系（P L) と、基板（P) を保持する基板ホルダ（ P S H ) を有し、基板ホルダ（ P S H ) に基板（ P ) を保持して移動可能な基板ステージ（ P S T ) と、液体（ L Q ) を供給する液体供給機構（ 1 0 ) と、基板ホルダ（P S H) に基板（P) もしくはダミー基板（D P) が保持されているか否かを検出する検出器（94) と、検出器（94) の検出結果に基づいて、液体供給機構（ 1 0)の動作を制御する制御装置（CO N T) とを備える露光装置（EX) が提供される。 . 本発明によれば、基板ホルダに基板もしくはダミー基板が保持されているか否かに応じて、液体供給機構の動作を制御するようにしたので、基板ホルダの保持面に液体が付着したり、基板ステージの内部に液体が浸入することを防止できる。本発明の第 6の態様に従えば、液体（LQ) を介して基板（P) 上にパターンの像を投影することによって、基板（P) を露光する露光装置であって、基板 (P) 上にパターンの像を投影する投影光学系（P L) と、基板（P) を保持する基板ホルダ（ P S H ) を有し、基板ホルダ（ P S H ) に基板（ P ) を保持して移動可能な基板ステージ（P S T) と、基板ホルダ（P S-H) 上に基板（P) 又はダミー基板 (D P) が保持されている場合に限り、基板ステージ（P S T) 上に液体（LQ) を供給する液体供給機構（ 1 0) とを備える露光装置（EX) が提供される。本発明によれば、基板ホルダ上に基板又はダミー基板が保持されている場合に限り、液体供給機構が基板ステージ上に液体を供給するので、基板ホルダの保持面に液体が付着したり、基板ステージ内部に液体が浸入したりすることを防止することができる。本発明の第 7の態様に従えば、液体（LQ) を介して基板（P)上にパターンの像を投影することによって、前記基板を露光する露光装置であって、基板上にパ夕一ンの像を投影する投影光学系（P L) と、前記基板を保持して移動可能な基板ステ一ジ（ P S T )と、前記基板ステージ（ P S T )に基板（ P )又はダミー基板（ D P )力保持されている場合に限り、前記基板ステージ上に液浸領域を形成する液浸機構（ 1 0) とを備える露光装置（EX) が提供される。第 7の態様の露光装置によれば、基板ステージに基板又はダミ一基板が保持されていない場合には、液浸機構が基板ステージ上に液浸領域を形成しないので、基板ステージ内部に液体が浸入することが有効に防止される。本発明の第 8の態様に従えば、液体（LQ) を介して基板（P)上にパターンの像を投影することによって、前記基板を露光する露光装置であって、基板（P)上にパターンの像を投影する投影光学系（P L) と、前記基板を保持するための凹部と、前記凹部の周囲に配置され、前記凹部（60)に保持された前記基板の表面とほぼ面一の平坦部とを有する基板ステージ（P S T) と、前記基板ステージ（P S T ) 上の凹部（60) に物体（ P、 D P) が配置され、前記物体表面と前記平坦部とがほぼ面一になつている場合に限り、前記基板ステージ上に液浸領域を形成する露光装置（EX),が提供される。第 8の態様の露光装置によれば、基板ステージの Ώ部に、物体が収容されていないかあるいは確実に物体が凹部に収容されていない場合には、基板ステージ上に液浸領域を形成しない。これにより、基板ステージ内部に液体が浸入することが有効に防止される。本発明の第 9の態様に従えば、液体（LQ) を介して基板 (P)上にパターンの像を投影することによって、基板（P) を露光する露光装置であって、基板（P) 上にパターンの像を投影する投影光学系（P L) と、投影光学系（P L)の像面側で移動可能なステージ（ 5丁）と、基板（）上のァライメン卜マーク（1 ) を検出するとともにステージ（P ST) に設けられた基準（P FM) を検出する第 1 検出系（5)と、ステージ（P S T)に設けられた基準（MFM)を投影光学系（P L) を介して検出する第 2検出系（6) とを備え、第 1検出系（5) を用いてステ —ジに設けられた基準（P FM) を、液体（LQ) を介さずに検出するとともに、第 2検出系（6) を用いてステージに設けられた基準（MFM) を投影光学系（P L) と液体（LQ) とを介して検出して、第 1検出系（5) の検出基準位置とパ夕ーンの像の投影位置との位置関係を求める露光装置（EX) が提供される。本発明の第 9の態様によれば、基板（ショウト領域）とパターン像とを精確に位置合わせすることができる。本発明の第 1 0の態様に従えば、投影光学系（P L) と液体（LQ) とを介して基板（P)上のパターンの像を投影することによって、基板（P) を露光する露光方法において、基板（P)上のァライメントマ一ク（1 )の位置情報を第 1検出系

(5) を用いて検出し、第 1検出系（·5) を用いて、基板（Ρ) を保持する基板ステ―ジ（P ST)上の基準（PFM)の位置情報を検出し、第 1検出系（5) によるァライメン卜マーク（ 1 )の位置情報の検出と基板ステージ（P ST)上の基準

(P FM)の位置情報の検出との両方が完了した後に、基板ステージ（P S Τ)上の基準（MFM)を投影光学系（P L) と液体 (LQ) とを介して第 2検出系（6) を用いて検出し、第 1検出系（5 ) によるァライメントマーク（ 1 )の位置情報の検出結果と、第 1検出系（5) による基板ステージ（P ST) 上の基準（P FM) の位置情報の検出結果と、第 2検出系（6) による基板ステージ（P S T)上の基準（MFM)の位置情報の検出結果とに基づいて、第 1検出系（5)の検出基準位置とパターンの像の投影位置との関係を求めるとともに、。ターンの像と基板（P) との位置合わせを行って、基板（P)上の複数のショヅ卜領域（S 1〜S 20)のそれぞれに順次パターンの像を投影して露光することを特徴とする露光方法が提供される。 . この露光方法によれば、はじめに液体を介さずに基板上のァライメントマークを第 1検出系で検出することによって基板上の複数のショウ卜領域の位置情報を求め、次いで液体を介さずに基板ステージ上の基準を検出してその位置情報を求め、次いで投影光学系の像面側に液体を満たして投影光学系と液体とを介して第 2検出系で基板ステージ上の基準を検出することによってパターン像の投影位置を求め、第 1検出系の検出基準位置とパターン像の投影位置との位置関係（距離）であるベースライン量を精確に求めた後、投影光学系と基板との間に液体を満たして基板を液浸露光するようにしたので、投影光学系の像面側に液体を満たさないドライ状態と投影光学系の像面側に液体を満たすゥエツト状態との切り替え回数を少なくすることができ、スループヅ卜を向上することができる。また、第 1検出系による基準の検出動作と、第 2検出系による投影光学系及び液体を介した基準の検出動作とを連続して行うようにしたので、第 1検出系による基準の検出動作時における検出状態に対して、第 2検出系による基準の検出動作時における検出状態が大きく変動して第 1検出系の検出基準位置とパターン像の投影位置との位置関係であるベースライン量が精確に計測できないといった不都合を回避することができる。そして、基板ステージ上の基準を第 1検出系で検出する際には液体を介さずに検出することで、液体の温度変化等の影響を受けることなく基準を良好に検出することができる。また、第 1検出系を液浸対応に構成する必要がなく、従来の検出系をそのまま利用できる。そして、第 2検出系を使って基板ステージ上の基準を検出する際には、液浸露光時と同様、投影光学系の像面側に液体を満たして投影光学系と液体とを介して検出することにより、その検出結果に基づいてバタ一ン像の投影位置を精確に検出することができる。そして、これら第、第 2検出系の検出動作中における基板ステージのそれぞれの位置情報に基づいて、第 1検出系の検出基準位置とパターン像の投影位置との位置関係（距離）であるベースライン量を精確に求めることができ、このベースライン量に基づいて、基板に対する重ね合わせ露光する際にも基板（ショッ卜領域）とマスクのパターン像とを精確に位置合わせすることができる。本発明の第 1 1の態様に従えば、液体（L Q ) を介して基板上にパターンの像を投影することによって前記基板（ P )を露光する露光方法であって、基準（M F M ) と基板ホルダ（ P S H ) が設けられた基板ステージ（ P S T ) に保持された前記基板上のァライメントマークを第 1 ·検出器（5 )で検出することと、前記基板ホルダ ( P S H ) に前記基板（ P ) またはダミー基板（D P ) を配置した状態で前記基準を液体を介して第 2検出器（ 6 )で検出することと、第 1及び第 2検出器（ 5、 6 ) の検出結果に基づいて基板とバタ―ンの像を位置合わせして、パターンの像で基板を露光することを含む露光方法が提供される。本発明の第 1 1の態様に従う露光方法によれば、基板ステージに設けられた基準を液体を介して第 2検出器で検出する際に、基板ホルダに前記基板またはダミー基板が配置されているので、基板ステージ内部に液体が浸入することが有効に防止される。本発明の第 1 2態様に従えば、移動可能な基板ステージ（P S T )の基板ホルダ ( P S H )に保持された基板上に液体を介してパ夕一ンの像を投影することによつて前記基板を露光する露光方法であって、前記基板ホルダ（ P S H )に前記基板（ P ) もしくはダミー基板（D P ) が保持されているか否かを検出することと、検出結果に応じて、前記基板ステージ（P S T )の可動領域を設定すること含む露光方法が提供される。本発明の第 1 2の態様に従う露光方法によれば、前記基板ホルダに前記基板もし〈はダミー基板が保持されていないことが検出された場合には、例えば、基板ステージ内部への液体の浸入が防止されるように、基板ステージの可動領域が設定され

本発明の第 1 3の態様に従えば、移動可能な基板ステージ（P S T ) に保持された基板（ P )上に液体を介してパ夕―ンの像を投影することによつて前記基板（ P ) を露光する露光方法であって、前記基板ステージ（P S T ) に前記基板（P ) もし〈はダミー基板（D P ) が保持されているか否かを検出することと、検出結果に応じて、前記基板ステージ上に液浸領域を形成するか否かを判断することを含む露光方法が提供される。本発明の第 1 3の態様に従う露光方法によれば、前記基板ステージに前記基板もしくはダミー基板が保持されていないことが検出された場合に、例えば、基板ステ一ジ上への液体の供給が中止されるので、基板ステージ内部への液体の浸入が防止される。本発明では、上記記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイス製造方法が提供される。また本発明では、上記記載の露光方法を用い ¾ことを特徴とするデバイス製造方法が提供される。本発明によれば、パターン像の投影位置と基板（ショッ卜領域）とを精確に位置合わせした状態で液浸露光処理できるので、所望の性能を発揮できるデバイスを製造することができる。また、液体の漏洩や浸入を抑えることのできる露光装置で、所望性能のデバイスを製造できる。 - 図面の簡単な説明図 1は、本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。

図 2は、液体供給機構及び液体回収機構を示す概略構成図である。

図 3は、液体供給機構及び液体回収機構を示す概略平面図である。

図 4は、基板ステージの平面図である。

図 5 ( a ) 及び（b ) は、基準部材を示す図である。

図 6は、本発明の露光方法の一実施形態を示すフローチヤ一卜図である。

図 7は、本発明に係る基板ステージの別の実施形態を示す模式図である。図 8は、本発明に係る基板ステージの別の実施形態を示す模式図である。

図 9は、ダミー基板の待機場所を備えた露光装置の一実施形態を示す平面図であ ο

図 1 0 ( a )及び（b ) は、本発明に係る基板ステージの別の実施形態を示す模式図である。

図 1 1 ( a )及び（b ) は、本発明に係る基板ステージの移動軌跡を説明するための図である。

図 1 2は、本発明に係る基板ステージの移動軌跡を説明するための図である。図 1 3 ( a )及び（b ) は、本発明に係る液体供給機構の動作を説明するための図である。

図 1 4は、半導体デバイスの製造工程の一例を示すフローチヤ一卜図である。発明を実施するための最良の形態以下、本発明の露光装置について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。図 1は本発明の露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。図 1において、露光装置 E Xは、マスク Mを支持するマスクステージ M S丁と、基板 Pを支持する基板ステージ P S Tと、マスクステージ M S Tに支持されているマスク Mを露光光 E Lで照明する照明光学系 Iしと、露光光 E Lで照明されたマスク Mのパターンの像を基板ステージ P S Tに支持されている基板 Pに投影露光する投影光学系 P L と、露光装置 E X全体の動作を統括制御する制御装置 C 0 N Tとを備えている。本実施形態の露光装置 E Xは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であつて、基板 P上に液体 L Qを供給する液体供給機構 1 0と、基板 P上の液体 L Qを回收する液体回収機構 2 0とを備えている。本矣施形態において、液体 L Qには純水が用いられる。露光装置 E Xは、少なくともマスク Mのパターン像を基板 P上に転写している間、液体供給機構 1 0から供給した液体 L Qにより投影光学系 P Lの投影領域 A R 1 を含む基板 P上の少なくとも一部に（局所的に）液浸領域 A R 2を形成する。具体的には、露光装置 E Xは、投影光学系 P Lの先端部の光学素子 2と基板 Pの表面（露光面）との間に液体 L Qを満たし、この投影光学系 P Lと基板 Pとの間の液体 L Q及び投影光学系 P Lを介してマスク Mのパターン像を基板 P上に投影することによって、基板 Pを露光する。ここで、本実施形態では、露光装置 E Xとしてマスク Mと基板 Pとを走査方向（所定方向）における互いに異なる向き（逆方向）に同期移動しつつマスク Mに形成されたパターンを基板 Pに露光する走査型露光装置（所謂スキャニングステツパ）を使用する場合を例にして説明する。以下の説明において、水平面内においてマスク Mと基板 Pとの同期移動方向（走査方向、所定方向）を X軸方向、水平面内において X軸方向と直交する方向を Y軸方向（非走査方向）、 X軸及び Y軸方向に垂直で投影光学系 P Lの光軸 A Xと一致する方向を Z軸方向とする。また、 X軸、 Y軸、及び Z軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、 0 X、 0 Y、及び 0 Z方向とする。なお、ここでいう「基板」は半導体ウェハ上にレジストを塗布したものを含み、「マスク」は基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。照明光学系 I Lは、マスクステージ M S Tに支持されているマスク Mを露光光 E しで照明するものであり、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均 —化するオプティカルィンテグレー夕、オプティカルィンテグレ一夕からの露光光 E Lを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、露光光 E Lによるマスク Mi の照明領域をスリッ卜 t ^に設定する可変視野絞り等を有している。マスク M上の所定の照明領域は照明光学系 I Lにより均一な照度分布の露光光 Eしで照明される。照明光学系 I Lから射出される露光光 E Lとしてば、例えば水銀ランプから射出される紫外域の輝線（9線、 h線、 i線）及び K r Fエキシマレ一ザ光（波長 2 4 8 n m ) 等の遠紫外光（D U V光）や、 A r Fエキシマレ一ザ光（波長 1 9 3 n m ) 及び F ₂レーザ光（波長 1 5 7 n m ) 等の真空紫外光（V U V光）などが用いられる。本実施形態では、 A r Fエキシマレーザ光が用いられる。上述したように、本実施形態における液体 L Qは純水であって、露光光 E Lが A r Fエキシマレ一ザ光であっても透過可能である。また、純水は紫外域の輝線（g線、 h線、 i線）及び K r Fエキシマレーザ光（波長 2 4 8 n m )等の遠紫外光（ D U V光）も透過可能である。マスクステージ M S Tは、マスク Mを保持して移動可能であって、投影光学系 P Lの光軸 A Xに垂直な平面内、すなわち X Y平面内で 2次元移動可能及び 0 Z方向に微小回転可能である。マスクステージ M S Tはリニアモ一夕等のマスクステージ駆動装置 M S T Dにより駆動される。マスクステージ駆動装置 M S T Dは制御装置 C O N Tにより制御される。マスクステージ M S T上にはマスクステージ M S Tと共に移動する移動鏡 5 0が設けられている。また、移動鏡 5 0に対向する位置にはレーザ干渉計 5 1が設けられている。マスクステージ M S T上のマスク Mの 2次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計 5 1によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置 C 0 N Tに出力される。制御装置 C 0 N Tはレ一ザ干渉計 5 1の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置 M S T Dを駆動することでマスクステージ M S Tに支持されているマスク Mの位置決めを行う。投影光学系 P Lは、マスク Mのパ夕ーンを所定の投影倍率^で基板 Pに投影露光するものであって、基板 P側の先端部に設けられた光学素子（レンズ） 2を含む複数の光学素子で構成されており、これら光学素子は鏡筒 P Kで支持されている。本実施形態において、投影光学系 P Lは、投影倍率 5が例えば 1 / 4あるいは 1 / 5 の縮小系である。なお、投影光学系 P Lは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系. P Lは反射素子と屈折素子とを含む反射屈折型の投影光学系であつてもよいし、反射素子のみを含む反射型の投影光学系であってもよい。また、本実施形態の投影光学系 P Lの先端部の光学素子 2は鏡筒 P Kに対して着脱（交換）可能に設けられている。また、先端部の光学素子 2は鏡筒 P Kより露出しており、液浸領域 A R 2の液体 L Qは光学素子 2に接触する。これにより、金属からなる鏡筒 P Kの腐蝕等が防止されている。光学素子 2は蛍石で形成されている。蛍石は純水との親和性が高いので、光学素子 2の液体接触面 2 aのほぼ全面に液体 L Qを密着させることができる。すなわち、本実施形態においては光学素子 2の液体接触面 2 aとの親和性が高い液体（水） L Qを供給するようにしているので、光学素子 2の液体接触面 2 aと液体 L Qとの密着性が高い。光学素子 2は水との親和性が高い石英であってもよい。また光学素子 2の液体接触面 2 aに親水化（親液化）処理を施して、液体 L Qとの親和性をより咼めるよつにしてもよしヽ。また、露光装置 E Xはフォーカス検出系 4を有している。フォーカス検出系 4は、発光部 4 aと受光部 4 bとを有し、発光部 4 aから液体 L Qを介して基板 P表面

(露光面）に斜め方向から検出光を投射し、その反射光を受光部 4 bで受光する。制御装置 C O N Tは、フォーカス検出系 4の動作を制御するとともに、受光部 4 b の受光結果に基づいて、所定基準面に対する基板 P表面の Z軸方向における位置

(フォーカス位置）を検出する。また、基板 P表面における複数の各点での各フォ —カス位置を求めることにより、フォーカス検出系 4は基板 Pの傾斜方向の姿勢を求めることもできる。なお、フォーカス検出系 4の構成としては、例えば特開平 8 - 3 7 1 4 9号公報に開示されているものを用いることができる。また、フォー力ス検出系 4は液体を介さずに基板 Pの表面に検出光を投射するものであってもよい o " 基板ステージ P S Tは、基板 Pを保持して移動可能であって、基板 Pを基板ホルダ P S Hを介して保持する Zステージ 5 2と、 Zステージ 5 2を支持する X Yステージ 5 3とを備えている。 X Yステージ 5 3はべ一ス 5 4上に支持されている。基板ステージ P S Tはリニアモー夕等の基板ステージ駆動装置 P S T Dにより駆動される。基板ステージ駆動装置 P S T Dは制御装置 C O N Tにより制御される。なお、 Zステージと X Yステージとを一体的に設けてよいことは言うまでもない。基板ステージ P S Tの X Yステージ 5 3を駆動することにより、基板 Pの X Y方向における立置（投影光学系 P Lの像面と実質的に平行な方向の位置）が制御される。基板ステージ P S T ( Zステージ 5 2 )上には、基板ステージ P S Tとともに投影光学系 P Lに対して移動する移動鏡 5 5が設けられている。また、移動鏡 5 5に対向する位置にはレーザ干渉計 5 6が設けられている。基板ステージ P S T上の基板 Pの 2次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計 5 6によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置 C 0 N Tに出力される。制御装置 C 0 N Tはレーザ干渉計 5 6の計測結果に基づいて、レーザ干渉計 5 6で規定される 2次元座標系内で基板ステージ駆動装置 P S T Dを介して X Yステージ 5 3を駆動することで基板ステージ P S Tに支持されている基板 Pの X軸方向及び Y軸方向における位置決めを亍ぅ。また、制御装置 C 0 Ν Τは基板ステージ駆動装置 P S T Dを介して基板ステージ P S Τの Ζステージ 5 2を駆動することにより、 Ζステージ 5 2に保持されている基板 Ρの Ζ軸方向における位置（フォーカス位置）、及び 0 Χ、方向における位置を制御する。すなわち、 Ζステージ 5 2は、フォーカス検出系 4の検出結果に基づく制御装置 C 0 Ν Τからの指令に基づいて動作し、基板 Ρのフォーカス位置 ( Ζ位置）及び傾斜角を制御して基板 Ρの表面（露光面）を投影光学系 P L及び液体 L Qを介して形成される像面に合わせ込む。基板ステージ P S Τ ( Ζステージ 5 2 )上には、基板 Ρを囲むように補助プレー卜 5 7が設けられている。補助プレー卜 5 7は基板ホルダ P S Ηに保持された基板 Ρの表面とぼぼ同じ高さの平面を有している。ここで、基板 Ρのエッジと補助プレ —卜 5 7との間には 0 . 1 ~ 2 m m程度の隙間があるが、液体 L Qの表面張力によりその隙間に液体 L Qが流れ込むことはほとんどなく、基板 Pの周縁近傍を露光する場合にも、補助プレート 5 7.により投影光学系 P Lの下に液体 L Qを保持することができる。なお、基板ホルダ P S Hは、基板ステージ P S T ( Zステージ 5 2 ) と別部材であってもよいし、基板ステージ P S T ( Zステージ 5 2 ) と一体的に設けることもできる。投影光学系 P Lの先端近傍には、基板 P上のァライメン卜マーク 1あるいは Zステージ 5 2上に設けられた基準部材 3上の基板側基準マーク P F Mを検出する基板ァライメント系 5が設けられている。また、マスクステージ M S Tの近傍には、マスク Mと投影光学系 P Lとを介して Zステージ 5 2上に設けられた基準部材 3 上のマスク側基準マーク M F Mを検出するマスクァライメント系 6が設けられている。なお、基板ァライメン卜系 5の構成としては、例えば特開平 4一 6 5 6 0 3 号公報に開示されているものを用いることができる。また基板ァライメン卜系 5の終端の光学素子（基板 P、基板ステージ P S Tに最も近い光学素子）のの周囲には液体の付着を防止するように撥液性のカバ一（不図示）が設けられている。また、基板ァラィメン卜系 5の終端の光学素子の表面は撥液性の材料で被膜されており、液体 L Qの付着が防止されているばかりでなく、終端の光学素子に液体が付着しても、オペレータが容易に拭き取れるようになつている。また、基板ァライメン卜系 5の終端の光学素子とその光学素子を保持する金物との間に液体の浸入を防止するための Vリングなどのシール部材が配置されている。また、マスクァライメント系 6の構成としては、例えば特開平 7— 1 7 6 4 6 8号公報に開示されているものや、特開昭 5 8 - 7 8 2 3号公報に閛示されているものを用いることができる。液体供給機構 1 0は、液浸領域 A R 2を形成するために基板 P上に所定の液体 L Qを供給し、液体 L Qを送出可能な液体供給装置 1 1 と、液体供給装置 1 1に供給管 1 2を介して接続され、この液体供給装置 1 1から送出された液体し Qを基板 P 上に供給する供給口を有する供給ノズル 1 3とを備えている。供給ノズル 1 3は基板 Pの表面に近接して配置されている。液体供給装置 1 1は、液体 L Qを収容するタンク、及び加圧ポンプ等を備えており、供給管 1 2及び供給ノズル 1 3を介して基板 P上に液体 L Qを供給する。また、液体供給装置 1 1の液体供給動作は制御装置 G 0 N Tにより制御され、制御装置 C O N Tは液体供給装置 1 1による基板 P上に対する単位時間あたりの液体供給量を制御可能である。また、液体供給装置 1 1は液体 L Qの温度調整機構を有しており、装置が収容されるチャンバ内の温度とほぼ同じ温度（例えば 2 3 °C)の液体 L Qを基板 P上に供給するようになっている。なお、液体 L Qを供給するためのタンクや加圧ポンプは必ずしも露光装置 E Xで備えている必要はなく、露光装置 E Xが設置されている工場などの設備を利用することもできる。液体回収機構 2 0は基板 P上の液体 L Qを回収し、基板 Pの表面に近接して配置された回収ノズル 2 3と、この回収ノズル 2 3に回収管 2 2を介して接続された液体回収装置 2 1 とを備えている。液体回収装置 2 1は例えば真空ポンプ等の真空系 (吸引装置）及び回収した液体 L Qを収容するタンク等を備えており、基板 P上の液体 L Qを回収ノズル 2 3及び回収管 2 2を介して回収する。液体回収装置 2 1の液体回収動作は制御装置 C 0 N Tにより制御され、制御装置 C 0 N Tは液体回収装置 2 1による単位時間あたりの液体回収量を制御可能である。なお、液体 L Qを回収するための真空系や夕ンクは必ずしも露光装置 E Xで備えている必要はなく、露光装置 E Xが設置されている工場などの設備を利用することもできる。図 2は、露光装置 E Xの投影光学系 P Lの先端部、液体供給機構 1 0、及び液体回収機構 2 0近傍を示す正面図である。走査露光時には、投影光学系 P Lの先端の光学素子 2の直下の投影領域 A R 1にマスク Mの一部のパターン像が投影され、投影光学系 P Lに対して、マスク Mが— X方向（又は + X方向）に速度 Vで移動するのに同期して、 X Yステージ 5 3を介して基板 Pが + X方向（又は— X方向）に速度^ · V ( は投影倍率）で移動する。そして、 1つのショッ卜領域への露光終了後に、基板 Pのステッピングによって次のショッ卜領域が走査開始位置に移動し、以下、ステップ'アンド■スキャン方式で各ショヅ卜領域に対する露光処理が順次行われる。本実施形態では、基板 Pの移動方向に沿って液体 L Qを流すように設定されている。図 3は、投影光学系 P Lの投影領域 A R 1 と-、液 : L Qを X軸方向に供給する供給ノズル 1 3 ( 1 3 A〜1 3 C )と、液体 L Qを回収する回収ノズル 2 3 ( 2 3 A、 2 3 B ) との位置関係を示す図である。図 3において、投影光学系 P Lの投影領域 A R 1の形状は Y軸方向に細長い矩形状となっており、その投影領域 A R 1を X軸方向に挾むように、 + X方向側に 3つの供給ノズル 1 3 A〜1 3 Cが配置され、— X方向側に 2つの回収ノズル 23 A、 23 Bが配置されている。そして、供給ノズル 1 3 A〜1 3 Cは供給管 1 2を介して液体供給装置 1 1に接続され、回収ノズル 23 A、 23 Bは回収管 22を介して液体回収装置 21に接続されている。また、供給ノズル 1 3 A〜1 3 Cと回収ノズル 23 A、 23 Bとをほぼ 1 80。回転した位置関係で、供給ノズル 1 5 A〜1 5 Cと、回収ノズル 25 A、 25 Bとが配置されている。供給ノズル 1 3 A〜1 3 Cと回収ノズル 25 A、 25 Bとは Y軸方向に交互に配列され、供給ノズル 1 5 A〜1 5 Cと回収ノズル 23 A、 23 とは丫軸方向に交互に配列され、供給ノズル 1 5 A〜1 5Cは供給管 1 6を介して液体供給装置 1 1に接続され、回収ノズル 25 A、 25 Bは回収管 26を介して液体回収装置 21に接続されている。そして、矢印 X aで示す走査方向（一 X方向）に基板 Pを移動させて走査露光を行う場合には、供給管 1 2、供給ノズル 1 3A〜1 3 C、回収管 22、及び回収ノズル 23 A、 23 Bを用いて、液体供給装置 1 1及び液体回収装置 21により液体 LQの供給及び回収が行われる。すわち、基板 Pが— X方向に移動する際には、供給管 1 2及び供給ノズル 1 3 ( 1 3A〜1 3 C)を介して液体供給装置 1 1から液体 LQが基板 P上に供給されるとともに、回収ノズル 23 ( 23 A、 23 B)及び回収管 22を介して液体 LQが液体回収装置 21に回収され、投影光学系 Pしと基板 Pとの間を満たすように— X方向に液体 LQが流れる。一方、矢印 X bで示す走査方向（+ X方向）に基板 Pを移動させて走査露光を行う場合には、供給管 1 6、供給ノズル 1 5 A〜1 5 C、回収管 26、及び回収ノズル 25 A、25 Bを用いて、液体供給装置 1 ί及び液体回収装置 2 1により液体 LQの供給及び回収が行われる。すなわち、基板 Ρが +Χ方向に移動する際には、供給管 1 6及び供給ノズル 1 5 ( 1 5 Α〜1 5 C)を介して液体供給装置 1 1から液体 LQが基板 Ρ上に供給されるとともに、回収ノズル 25 ( 25 Α、 25-Β)灰び回収管 26を介して液体 L Qが液体回収装置 21に回収され、投影光学系 P Lと基板 Ρとの間を満たすように + X方向に液体 LQが流れる。このように、制御装置 CO N Tは、液体供給装置 11及び液体回収装置 2 1を用いて、基板 Pの移動方向に沿って基板 Pの移動方向と同一方向へ液体 LQを流す。この場合、例えば液体供給装置 1 1から供給ノズル 1 3を介して供給される液体 L Qは基板 Pの一 X方向への移動に伴って投影光学系 P Lと基板 Pとの間に引き込まれるようにして流れるので、液体供給装置 1 1の供給エネルギーが小さくでも液体 L Qを投影光学系 P Lと基板 Pとの間に容易に供給できる。そして、走査方向に応じて液体 L Qを流す方向を切り替えることにより、 + X方向、又は— X方向のどちらの方向に基板 Pを走査する場合にも、投影光学系 P Lと基板 Pとの間を液体 L Qで満たすことができ、高い解像度及び広い焦点深度を得ることができる。図 4は、基板ステージ P S Tの Zステージ 5 2を上方から見た概略平面図である c 矩形状の Zステージ 5 2の互いに垂直な 2つの側面には移動鏡 5 5が配置されており、 Zステージ 5 2のぼぼ中央には不図示の基板ホルダ P S Hを介して基板 Pが保持されている。基板 Pの周囲には、上述したように、基板 Pの表面とほぼ同じ高さの平面を有する補助プレー卜 5 7が設けられている。そして、基板 P上には露光対象領域である複数のショッ卜領域 S 1〜S 2 0がマトリクス状に設定されており、各ショヅト領域 S 1〜S 2 0のそ.れそれに付随してァライメン卜マーク 1が形成されている。なお図 4では、各ショッ卜領域は互いに隣接するように図示されているが、実際には互いに離間しており、ァライメントマーク 1はその離間領域であるスクライブライン上に設けられている。

Zステージ 5 2の 1つのコーナーには基準部材 3が設けられている。基準部材 3 には、基板ァライメン卜系 5で検出される基準マーク P F Mと、マスクァライメン卜系 6で検出される基準マ一ク M F Mとが所定の位置関係で離れて配置されている。基準部材 3の基材にはガラス板部材等の光学部材が使用されており、その基材上に例えば互いに異なる材料（光反射率の異なる材料）でパターニングすることで、基準マーク p F M、 M F Mが形成されている。そし、基準マーク P F M、 M F M は無段差に形成されており、基準部材 3の表面はほぼ平坦となっている。したがつて、基準部材 3の表面はフォーカス検出系 4の基準面としての役割も果たすこともできる。図 5は基準部材 3を示す図であって、図 5 ( a )は平面図、図 5 ( b )は図 5 ( a ) の A— A矢視断面図である。基準部材 3は、ガラス板部材等からなる基材 3 3と、その基材 3 3上にパターニングされた互いに異なる光反射率を有する第 1材料 3 1及び第 2材料 3 2とを有している。本実施形態においては、第 1材料 3 1は、光反射率の低い酸化クロム（C r ₂ 0₃ ) により構成され、第 2材料 3 2は、酸化クロムよりも光反射率の高いクロム（C r ) により構成されている。そして、十字状に形成された基準マーク P F M、 M F Mは酸化クロムにより形成され、その周囲をクロムが取り囲むように配置され、更にその外側の領域に酸化クロムが配置されている。なお使用する材料としては上記材料の組み合わせに限定されず、例えば第 1 材料をアルミニウムにより構成し、第 2材料をクロムにより構成してもよい。そして、基準マーク P F M、 M F Mの上面は無段差に形成された無段差マークとなっている。 . このような無段差マークを形成するには、例えば基材 3 3上に酸化クロム膜を蒸着等により設けた後、エツチイング処,理等により酸ィ匕クロ厶膜の所定領域に溝を形成する。そして、前記溝の内部にクロムを設けた後、上面を C M P処理（化学的機械的研磨処理）などによつて研磨処理することにより、酸化クロム及びクロムからなる無段差マークを形成することができる。なお、基材 3 3に溝を形成し、その溝にクロムあるいは酸化クロムを埋め込んだ後、研磨処理することによつても、無段差マークを形成することができる。あるいは基材 3 3上に光処理（あるいは熱処理）によって変質する感光材等の材料を塗布し、形成する基準マークに応じた領域に光 (あるいは熱）を当ててその領域を変質（変色など）させることによつても、無段差マークを形成することができる。あるいは、基材 3 3のクロム膜の蒸着などによりマークを形成し、その上を、石英などの光透過性の材料でコーティングすることによって、基準部材 3上面を無段差化（平坦化）ずることもできる。基準部材 3の上面のうち、基準マーク P F M、 M F Mを含む少なくとも一部の領域は撥液性（撥水性）となっている。本実施形態では、基準部材 3の上面全域が撥液性となっている。また、本実施形態では、基準部材 3の上面は、撥液性を付与する撥液化処理を施されることによって撥液性となっている。撥液化処理としては、例えば撥液性を有する材料を使ったコーティング処理が挙げられる。撥液性を有する材料としては、例えばフッ素系化合物ゃシリコン化合物、あるいはァクリル系樹脂やポリエチレン等の合成樹脂が挙げられる。また、表面処理のための薄膜は単層膜であってもよいし複数の層からなる膜であってもよい。なお、基準マーク M F M、 P F Mを形成する上記第 1、第 2材料 3 1、 3 2として撥液性を有する材料を用いることによつても、基準部材 3の上面を撥液性にすることができる。また、第 1のガラス板部材上にク口厶等の所定の材料により基準マークを形成し、その上に第 2のガラス板部材を重ね、第 1、第 2のガラス板部材で上記クロム等からなる基準マークを挟むようにすることによつても、平坦な（無段差な）上面を有する基準部材を形成することができる。この場合、撥液化処理は第 2のガラス板部材に対して施せばよいので、撥液化処理を円滑に行うことができる _c なお、ここでは、基準マーク P F M、 M F Mは十文字状に形成されているが、その形状は十文字状に限られず、各検出系に最適なマーク形状が使用可能である。また、基準マーク P F M、 M F Mは強調されて図示されているが、実際には数 y m程度の線幅を有するものである。また、マスクァライメント系 6として、特開昭 5 8 - 7 8 2 3号公報に開示されているようなものを用いる場合には、基準部材 3には、基準マーク M F Mとして光透過部が形成される。この場合も、石英などの光透過性の材料を基準部材 3の光透過部に埋め込んだり、光透過性の材料で基準部材 3の上面をコ一ティングしたりして、基準部材 3の上面を無段差化しておくことが望ましい。また、上述したように基準部材 3の上面はフォーカス検出系 4の基準面として使われるが、フォーカス検出系 4の基準面を基準部材 3とは別に Zステージ 5 2上に設けてもよい。また、基準部材 3と補助プレ-一卜 5 7とは一体で設けられていてちょい。 . 次に、上述した露光装置 E Xを用いてマスク Mのパターンを基板 Pに露光する手順の一例について図 6のフローチャー卜図を参照しながら説明する。 Zステージ 5 2の基板ホルダ P S Hに基板 Pがロードされ、その基板ホルダ P S Hに基板 Pを保持させる（図 1参照）。そして、液体供給機構 1 0から液体 L Qの供給を行う前に、基板 P上に液体 L Qが無い状態で、まず計測処理が行われる。制御装置 C 0 N Tは、投影光学系 P Lの光軸 A Xが図 4の波線矢印 Cに沿つて進むようにレーザ干渉計 5 6の出力をモニタしつつ X Yステージ 5 3を移動する。その移動の途中で、基板ァライメント系 5は、ショッ卜領域 S 1〜S 2 0に付随して基板 P上に形成されている複数のァライメン卜マーク 1 を液体 L Qを介さずに順次検出する（ステップ S A 1 ) o

'ここで、基板ァライメント系 5がァライメントマークの検出を行うときは X Yステージ 5 3は停止され、基板ァライメント系 5がァライメン卜マーク 1の検出を行つているときの基板ステージ P S Τの位置はレ一ザ干渉計 5 6によつて計測される。その結果、.レーザ干渉計 5 6によって規定される座標系内での各ァライメン卜マーク 1の位置情報が計測される。基.板ァライメント系 5及びレーザ干渉計 5— 6を使って検出されたァライメン卜マーク 1の位置情報の検出結果は、制御装置 C O N 丁に出力される。なお本実施形態の基板ァライメン卜系 5では、基板ステージ P S Tを静止させてマーク上にハロゲンランプからの白色光等の照明光を照射して、得られたマークの画像を撮像素子により所定の撮像視野内で撮像し、画像処理によつてマークの位置を計測する F I A (フィールド .イメージ 'ァライメン卜）方式が採用されている。また、基板ァライメン卜系 5は、レーザ干渉計 5 6によって規定される座標系内に検出基準位置を有しており、ァライメン卜マーク 1の位置情報は、その検出基準位置との偏差として検出される。 - ' ここで、本実施形態では、例えば特開昭 6 1 - 4 4 4 2 9号公報に開示されているような、所謂 E G A (ェンハンスド■グローバル .ァライメン卜）方式によりショット領域 S 1〜S 2 0の位置情報が求められる。そのため、制御装置 C O N Tは、基板 P上に形成された複数のショ卜領域 S 1〜S 2 0のうち、少なくとも三つの領域（E G Aショッ卜領域）を指定し、各ショット領域に付随したァライメントマーク 1を基板ァライメン卜系 5を使って検出する。なお、基板ァライメン卜系 5は基板 P上の全てのァライメン卜マーク 1を検出してもよい。

' また、その X Yステージ 5 3の移動中に、フォーカス検出系 4により基板 Pの表面情報が液体 L Qを介さずに検出される。フォーカス検出系 4は、投影光学系 P L と液体 L Qとを介して形成されるパターン像の結像面と基板 P表面とのずれを検出する。フォーカス検出系 4による表面情報の検出は基板 P上の全てのショット領域 S 1〜S 2 0毎に行われ、検出結果は基板 Pの走査方向（X軸方向）の位置を対応させて制御装置 C O N Tに記憶される。なお、フォーカス検出系 4による表面情報の検出は、一部のショット領域に対して行うだけでもよい。次に、制御装置 C 0 N Tは、ァライメントマ一ク 1の位置情報の検出結果に基づいて、基板 P上の複数のショッ卜領域 S 1〜S 2 0それぞれの位置情報を演算処理 ( E G A処理）によって求める（ステップ S A 2 )。

E G A方式では、ステップ S A 1において指定された上記 E G Aショヅ卜領域に付随したァライメン卜マーク 1の位置情報（座標位置）を基板ァライメント系 5を使って検出した後、その検出値と設計値とに基づいて基板 P上のショッ卜領域 S 1 〜S 2 0の配列特性（位置情報）に関する誤差パラメ一夕（オフセヅ卜、スケール、回転、直交度）を最小二乗法等により統計演算して決定する。そして、この決定されたパラメ一夕の値に基づいて、基板 P上の全てのショヅ卜領域 S 1〜S 2 0に対してその設計上の座標値を補正する。これにより、基板ァライメント系 5の検出基準位置と、基板ステージ P S Tに載置された基板 P上の各ショッ卜領域との位置関係が決定される。すなわち、制御装置 C O N Tは、レーザ干渉計 5 6の出力から基板ァライメン卜系 5の検出基準位置に対して基板 P上の各ショット領域がどこに位置しているかを知ることができる。基板 Pのァライメントマーク 1の検出及び基板 Pの表面情報の検出が終了すると、基板ァライメン卜系 5の検出領域が基準部材 3上に位置決めされるように、制御装置 C ONTは XYステージ 53を移動する。基板ァライメント系 5は基準部材 3上の基準マーク P FMを液体無しに検出し、レーザ干渉計 56によって規定される座標系内での基準マーク P F Mの位置情報を検出する（ステップ S A3)。基準マーク P FMの位置情報を基板ァライメント系 5を使って検出したことにより、レーザ干渉計 56によって規定される座標系内での基板ァライメント系 5の検出基準位置と基準マーク P FMとの位置関係を検出したことになる。基板ァライメン卜系 5を用いたァライメントマーク 1の位置情報の検出とステージ 52上の基準マーク P FMの位置情報の検出との両方が完了した後に、制御装置 CON Tは、マスクァライメント系 6により基準部材 3上の基準マーク M FM を検出できるように XYステージ 53を移動する。マスクァライメン卜系 6は投影光学系 P Lを介して基準マーク MFIylを観察するので、投影光学系 Pしの先端部と基準部材 3とは対向している。ここで、制御装置 CO NTは液体供給機構 1 0及び液体回収機構 20による液体 L Qの供給及び回収を開始し、投影光学系 P Lの先端部の光学素子 2の先端面と基準部材 3の上面との間を液体 L Qで満たして液浸領域を形成する。なお、液浸領域 A R 2は、基準部材 3上のみに形成されるのが望ましいが、基準部材 3と補助プレー卜 57とに跨って形成されていてもよいし、基準部材 3と補助部レ一卜 57と基板 Pとに跨って形成されていてもよい。次に、制御装置 CON Tは、マスクァライメン卜系 6によりマスク M、投影光学系 P L、及び液体 LQを介して基準マーク MFMの検出を行う（ステップ SA4)。これにより投影光学系 P Lと液体 LQとを介して、 XY平面内におけるマスク M のバタ―ン像の投影位置情報が基準マーク M F Mを使って検出され、レーザ干渉計 56で規定される座標系内でのパ夕一ン像の投影位置と基準マーク M F Mとの位置関係が計測される。なお本実施形態のマスクァライメン卜系 6では、マークに対して光を照射し、 C C Dカメラ等で撮像したマークの画像データを画像処理してマーク位置を検出する V R A (ビジュアル ' レチクル .ァライメン卜）方式が採用されている。制御装置 C 0 N Tは、基板ァライメン卜系 5の検出基準位置とパターンの像の投影位置との間隔（位置関係）であるベースライン量を求める（ステップ S A 5 )。具体的には、ステップ S A 3で求めた基板ァライメン卜系 5の検出基準位置と基準マーク P F Mとの位置関係、ステツプ S A 4で求めたパ夕一ン像の投影位置と基準マーク M F Mとの位置関係、及び予め定められている基準マーク P F M (基準部材 3 a ) と基準マーク M F M (基準部材 3 b ) との位置関係から、レーザ干渉計 5 6で規定される座標系内でのパターン像の投影位置と基板ァライメント系 5の検出基準位置との位置関係（ベースライン量）が決定される。以上のような計測処理が終了する、制御装置 C 0 N Tは、液体供給機構 1 0による基準部材 3上への液体 L Qの供給動作を停止する。一方で、制御装置 C O N T は液体回収機構 2 0による基準部材 3上の液体 L Qの回収動作を所定期間継続する。そして、前記所定期間が経過した後、制御装置 C O N Tは、液体回収機構 2 0 による回収動作を停止する。こうする'ことで、基準部材 3上の液体 L Qが回収される。なお、基準部材 3と補助プレー卜 5 7とが一体的に設けられ、基準部材 3 bと基板 Pとが補助プレー卜 5 7を介してほぼ同じ高さで連続している構成が好ましく、この場合には、液体供給機構 1 0の液体供給動作を停止することなく、投影光学系 P Lの像面側に液体 L Qを保持した状態で、液体 L Qの液浸領域を基準部材 3 上から基板 P上に移動することができる。次いで、制御装置 C O N Tは、投影光学系 P Lと基板 Pとを対向させた状態で、制御装置 C 0 N Tは、液体供給機構 1 0及び液体回収機構 2 0を駆動し、基板 P i に対する液体供給動作及び基板 P上の液体回収動作を開始する。これにより、投影光学系 P Lと基板 Pとの間に液浸領域 A R 2が形成される。そして、基板 P上に液浸領域 A R 2を形成した後、基板 Pの複数のショッ卜領域のそれぞれが順次パターン像を投影されて液浸露光される（ステップ S A 6 )。より具体的には、ステップ S A 2で求めた基板ァライメン卜系 5の検出基準位置に対する各ショッ卜領域の位置情報、及びステップ S A 5で求めた基板ァラィメン卜系 5の検出基準位置とパ夕一ン像の投影位置との位置関係（ベースライン量）に基づいて、 X Yステージ 5 3を移動し、基板 P上の各ショヅ卜領域 S 1〜S 2 0とパターン像とを位置合わせしながら、各ショウ卜領域の液浸露光処理を行う。基板 P上の各ショッ卜領域 S 1〜S 2 0を走査露光する際には、前述の計測処理中に求めた各情報を使って露光処理が行われる。すなわち、ステップ S A 2で求めたショヅ卜領域の配列（位置情報）に基づいて、各ショヅ卜領域がパターン像の投影位置に位置合わせされて順次露光される。なお、基板 P上の各ショ卜領域内のァラィメントマーク 1 を基板ァライメン卜系 5で逐次検出してそのショヅ卜領域に重ね合わせ露光を行う所謂ダイ ■ 'ィ · ダイ方式を行ってもよいが、その場合、基板 Pのショット領域の露光中には基板 P上に液体 L Qを配置し、基板ァライメン卜系 5によるァライメントマ一ク 1の検出中には基板 P上には液体 L Qを配置しない動作を繰り返すことになるため、本実施形態のようにショット領域の配列（位置情報）を予め求め、その求めた配列によって基板 Pを逐次移動する構成が好ましい。また、各ショッ卜領域 S 1〜S 2 0に対する走査露光中は、液体 L Qの供給前に求めた基板 Pの表面情報に基づいて、フォーカス検出系 4を使うことなしに、基板 P表面と液体 L Qを介して形成される像面との位置関係が調整される。なお、液体し Qの供給前に基板 Pの表面情報を求めずに、走査 M光中に液体 L Qを介して基板 P表面と像面との位置関係を検出して調整を行うようにしてもよいし、両方を行うようにしてもよい。基板 P上の各ショッ卜領域 S 1〜S 2 0の走査露光が終了すると、制御装置 C〇 N Tは、液体供給機構 1 0による液体供給を停止する。一方、制御装置 CO Ν Τは、液体供給機構 1 0による液体供給を停止した後、液体回収機構 20の駆動を所定時間継続する。これにより、基板 P上の液体 LQが回収される。なお、基板 P上の液体 L Qを回収する際には、基板ステージ P S Tを駆動して、基板 Pと液体回収機構 20の回収ノズル 23とを相対的に移動しながら液体 L Qを回収するようにしてちょし、。基板 Pの露光完了後に、別の基板 P' を基板ステージ P S T上に保持して露光する際には、基板ステージ P S T上の基準マーク P FM、 MFMの位置情報の検出を行うことなく、基板 P'のショヅ卜領域とマスクのパターン像の投影位置とを位置合わせすることができる。その場合には、別の基板 P' を Zステージ 52上の基板ホルダ P S Hに保持させた後、ショヅ卜領域に付随して設けられたァライメントマ —ク 1の位置情報を基板ァライメン卜系 5を使って検出する。これにより、先に露光された基板 Pと同様に、 EG A処理を用いて、基板ァライメント系 5の検出基準位置に対する各ショヅト領域の位置情報が求められる。これにより、投影光学系 P しと基板 P，とが対向され、基板 P，上の各ショヅ卜領域とパターン像とが位置合わせされ、パターン像を基板 P' の各ショット領域に露光することができる。このように、複数の基板 P (Ρ') を順次露光する際、ベースライン量を求めるための基準マーク P FM、 MFMの検出動作は、 Zステージ 52 (基板ホルダ P S H) に別の基板 P，が保持された毎に行う必要はなく、 Zステージ 52に保持された（ロードされた）基板 P' 上のァライメン卜マーク 1の位置情報を検出し、先に求めたベースライン量に基づいて基板 P' を移動することで、基板 P' とパターン像とを効率良く高精度に位置合わせすることができる。そして、ベースライン量を求めるための基準マーク P FM、 M FMの検出動作は、予め設定された基板処理枚数毎やマスクを交換したとき毎など、所定期間毎に行えばよい。以上説明したように、 Zステージ 52上の基準マーク P FMを基板ァライメン卜系 5で検出する際には液体 LQを介さずに検出することで、液体 LQの温度変化等の影響を受けることなく基準マーク P F Mを良好に検出することができる。また、基板ァライメン卜系 5を液浸対応に構成する必要がなく、従来の検出系をそのまま利用できる。そして、マスクァライメン卜系 6を使って Zステージ 5 2上の基準マ —ク M F Mを検出する際には、液浸露光時と同様、投影光学系 P Lの像面側に液体 L Qを満たして投影光学系 P Lと液体 L Qとを介して検出することにより、その検出結果に基づいてパ夕一ン像の投影位置を精確に検出することができる。そして、これら基板ァライメン卜系 5及びマスクァライメント系 6の検出動作中における基板ステージ P S Tのそれぞれの位置情報に基づいて、基板ァライメント系 5の検出基準位置とパターン像の投影位置との位置関係（距離）であるベースライン量を精確に求めることができ、このベースライン量に基づいて、基板 Pに対する重ね合わせ露光する際にも基板 P (ショット領域 S 1〜S 2 0 )とマスク Mのパターン像とを精確に位置合わせすることができる。 . 本施形態では、基準マーク M F M (基準部材 3 )上に液体 L Qを配置した状態でマスクァライメン卜系 6によりマク検出が行われるが、その検出動作中においては Zステージ 5 2の基板ホルダ P S Hに基板 Pが配置されている。これにより、仮に基準部材 3上から液体 L Qが流出しても、基板ホルダ P S H内部や基板ステ一ジ P S T内部に液体 L Qが浸入することを防止できる。また、液浸領域 A R 2が補助プレー卜 5 7の内側エッジをはみ出す場合にも、基板ホルダ P S H内部や基板ステ一ジ P S T内部に液体 L Qが浸入することを防止できる。したがって、浸入した液体 L Qに起因する基板ステージ P S T内部の例えば電気機器の故障や漏電、あるいは基板ステージ P S T内部の各部材の鯖び等の不都合の発生を防止することができる。また、上述したように、本実施形態においては、 ¾準部材 3上の基準マーク P F M、 M F Mを検出する際に、基準部材 3上に液体 L Qが配置されるゥエツ卜状態と配置されないドライ状態とが切り替えられることになるが、図 5を参照して説明したように、基準部材 3上に形成される基準マーク P F M、 M F Mを無段差としたので、例えばドライ状態からゥエツ卜状態に切り替えた際にも、基準部材 3上の液体 LQ中のマーク部分に気泡が生成されにくくなる。また、ゥエツ卜状態からドライ状態に切り替えるために基準部材 3上から液体 L Qを回収する際にも、液体 L Qを良好に回収できてマーク部分に液体 LQを残留させることがない。特に本実施形態では、基準部材 3の上面は撥液性となっているので、液体 LQを更に良好に回収することができる。したがって、例えばマスクァライメン卜系 6は気泡等の影響を受けることなく基準マーク M F Mの検出を精確に行うことができる。基板ァライメン卜系 5は残留した液体 LQの影響を受けることなく基準マーク P FMの検出を精確に行うことができる。 . ところで、本実施形態では、基板ァライメント系 5で基準マーク P FMを検出する際には基準部材 3上に液体 L Qは配置されず、マスクァライメント系 6で基準マーク MFMを検出する際には基準部材 3上に液体 L Qが配置される。そして、マスク側基準マーク MFMと基板側基準マーク P FMとを別々に（非同時に）検出する構成であるが、基準部材 3上で基準マ一ク P F Mと基準マ一ク M F Mとが十分に—離れていて、基準マ一ク P F M部分が液体 L Qに曝されない場合には、基準マーク P FMを無段差マークにしなくてもよい。また、マスク側基準マーク MFMと基板側基準マーク P FMとを別々の基準部材に形成してもよい。その場合、本実施形態のように、マスク側基準マーク M FMと基板側基準マーク P FMとを非同時に検出するようにすることで、基準マーク P FMが形成された基準部材上には液浸領域を形成する必要がなくなる。したがって、基準マーク P F Mの無段差化などの液浸対応を行う必要がないばかりでなく、ゥ才一タ一マークなどの発生も防止できる。本実施形態では、はじめに液体 LQを介さずに基板 P上のァライメントマーク 1 を基板ァライメン卜系 5で検出することによつて基板 P上の複数のシヨット領域 S 1〜S 20の位置情報を求め（ステップ S A K S A 2), 次いで液体 L Qを介さずに基板ステージ P S T上の基準マーク P FMを検出し（ステップ S A 3)、次いで投影光学系 P Lの像面側に液体 LQを満たして投影光学系 P Lと液体 LQとを介してマスクァライメン卜系 6で基準マーク M FMを検出することによってパターン像の投影位置を求め（ステップ S A 4)、基板ァライメン卜系 5の検出基準位置とパターン像の投影位置との位置関係（距離）であるベースライン量を精確に求めた後（ステップ S A 5 )、基板 Pを液浸露光する（ステップ S A 6 ) 構成である。すなわち、上記ステップ S A 1〜ステップ S A 3においては投影光学系 Pしの像面側には液体 L Qは満たされず、ステツプ S A 4〜ステップ S A 6において投影光学系 P Lの像面側に液体 L Qが満たされる構成である。こうすることにより、投影光学系 P Lの像面側に液体 L Qを満たさないドライ状態と投影光学系 P Lの像面側に液体 L Qを満たすゥエツ卜状態との切り替え回数を少なくすることができ、スループヅ卜を向上することができる。例えばゥエツ卜状態からドライ状態に切り替えた場合、切り替え後において例えば基準部材 3の上面等に残存している液体 L Qを除去する作業が必要となるが、切り替え回数が増えるとその液体除去作業の回数も多くなり処理効率を低下させる。しかしながら、切り替え回数を低減することで、スループヅ卜を向上することができる。基板ァライメン卜系 5で基準マーク P F Mの検出を行った後（ステップ S A 3 )、基板 P上のァライメン卜マーク 1の椽出を行い（ステップ S A 1、 S A 2 )、次いで、マスクァライメン卜系 6で投影光学系 P L及び液体 L Qを介して基準マーク M F Mの検出を行った後（ステップ S A 4、 S A 5 )、基板 Pを液浸露光処理する（ステツプ S A 6 ) ことによつても、前述の本実施形態と同様にドライ状態とウエット状態との切り替え回数を少な〈するごとができる。一方、本実施形態のように、基板ァライメン卜系 5による基準マーク P F Mの検出動作と、マスクァライメント系 6による投影光学系 P L及び液体 L Qを介した基準マーク M F Mの検出動作とを連続して行うようにしたので、基板ァライメン卜系 5による基準マーク P F Mの検出動作時における検出状態に対して、マスクァライメント系 6による基準マーク M F Mの検出動作時における検出状態が大きく変動して基板ァライメント系 5の検出基準位置とパターン像の投影位置との位置関係であるベースライン量が精確に計測できないといつた不都合を回避することができる。例えば、ステ一ジ駆動を行うリニアモ一夕の停止時と駆動時との発熱量の違い等に起因する露光装置環境の熱的変動により、投影光学系 P Lとァライメン卜系 5との位置関係の物理的な変動、ァライメン卜系 5の光学特性の変動、及び基板ステージ P S Tの位置計測を行うレ一ザ干渉計 5 6の計測光路上の環境（温度）変動などが生じる可能性がある。その場合、基板ァライメン卜系 5による基準マーク P F Mの検出動作時と、マスクァラィメン卜系 6による基準マーク M F Mの検出動作時との時間的間隔が大きいと、前記熱的変動によりベースライン量を精確に計測できない不都合が生じる可能性がある。しかしながら、本実施形態のように、基板ァライメン卜系 5による基準マ一ク P F Mの検出動作と、マスクァライメント系 6による基準マーク M F Mの検出動作とを連続して行うことで上記不都合を回避することができる。なお、図 6のフローチヤ一卜で示したァライメントシーケンスにおいては、基板 P上のァライメントマーク 1を液体を介さずに検出して（ステップ S A 1 )、 E G A処理を行った（ステップ S A 2 )後に、基準マーク P F Mの検出を液体を介さずに行い（ステップ S A 3 )、さらにその後に、基準マーク M F Mの検出を投影光学系 P Lと液体とを介して実行している（ステップ S A 4 ) が、ステップ S A 2とステツプ S A 3とを入れ替えてもよい。この場合、基準マーク P F Mと基マ一ク M F Mとの検出間隔が図 6のシーケンスよりも多少長〈なってしまうが、図 6のシ一ケンスと同様に少ない回数の液体の供給■回収動作が可能であるので、スループッ卜の点で有利である。また上述の実施形態においては、基準マーク P F Mと基準マ —ク M F Mとを別々に設けているが、一つの基準マークを基板ァライメン卜系 5とマスクァライメン卜系 6とで検出するようにしてもよい。さらに、基準マーク P F Mの液体なしでの検出と基準マーク M F Mの液体を介しての検出とを実行して、ベ —スライン量を求めた後に、基板 P上のァライメントマーク 1を検出するようにしてもよい。図 7及び 8は本発明の別の実施形態を示す模式図である。図 7は投影光学系 P L が基板 P上に配置されている状態を、図 8は投影光学系 P Lが基準部材 3上に配置されている状態をそれぞれ示している。図 7及び 8において、 Zステージ 5 2上には、基板ホルダ P S H上に基板 Pを配置するための凹部 6 0が形成されているとともに、基準部材 3を配置するための凹部 6 1が形成されている。そして、凹部 6 0 に配置された基板 Pの上面と、凹部 6 1に配置された基準部材 3の上面と、 Zステージ 5 2の上面とはほぼ面一となるように設けられている。こうすることにより、基準部材 3上の基準マーク M F Mを液体 L Qを介して検出するために、図 7に示す状態から図 8に示す状態にする場合であつても、投影光学系 P Lの像面側に液体 L Qを保持した状態で基板ステージ P S Tを X Y方向に移動することができる。もちろん、図 8に示す状態から図 7に示す状態にする場合あっても、投影光学系 P Lの像面側に液体 L Qを保持した状態で基板ステージ P S Tを X Y方向に移動することができる。また、基準部材 3上の基準マーク M F Mを液体 L Qを介して検出している場合、基準部材 3上に形成される液体 L Qの液浸領域の大きさによっては、基準マーク M F Mの検出動作中に基準部材 3上の液浸領域の一部（端部）が基板ホルダ P S Hが配置されている凹部 6 0に配置される状況が発生することが考えられるが、凹部 6 0の基板ホルダ P S Hに基板 Pを配置しておくことで、凹部 6 0内部への液体 L Qの浸入を防止することができる。また、基板 Pを配置することで凹部 6 0を平坦にすることができ、凹部（段部）に起因する液浸領域の乱れを防止することができる。なお、基準マークが形成された基準部材 3を Zステージ 5 2の凹部 6 1に埋設する構成の他に、凹部 6 1.を設けずに Zステージ 5 2の上面に直接基準マークを形成するようにしてもよい。なお、上記実施形態では、基板 P上のァライメントマーク 1を検出した後に、マスクァライメン卜系 6による基準マーク M F Mの検出を行うシーケンスを採用しているため、マスクァライメント系 6による液体 L Qを介した基準マーク M F Mの検出動作中には、デバイスを製造するための基板 Pが基板ホルダ P S Hに配置されている。しかしながら、ベースライン量を単独で計測する場合や、ベースライン量の計測後に、基板 Pを基板ホルダ P S H上にロードするシーケンスなどが採用される可能性がある。その場合には、ダミー基板 D Pを基板ホルダ P S Hに配置することももちろん可能である。ここで、ダミー基板- D P—はデバイス製造用の基板 Pとほぼ同じ形状及び大きさを有する。またダミー基板 D Pは、基板 Pと同じ材料、例えばシリコンで形成したものでもよいが、液体 L Qとの接触による汚染物の溶出などが無いものであれば各種の材料をダミ一基板 D Pに用いることができる。その場合、基板ホルダ P S Hにダミー基板 D Pを配置した状態で、マスクァライメン卜系 6により投影光学系 P L及び液体 L Qを介した基準マーク M F Mの検出が行われる。次いで、基板ァライメン卜系 5により液体 L Q無しに基準マーク P F Mの検出が行われ、ベースライン量が計測される。その基板ァライメン卜系 5の検出動作の前又は後に、ダミー基板 D Pが基板ホルダ P S Hからアン口一ドされるとともに、デバイス製造用の基板 Pが基板ホルダ P S Hに口一ドされる。そして、基板 P上のァライメン卜マーク 1が基板ァライメン卜系 5により検出された後、基板 P上のァライメントマ一ク 1の位置情報とベースライン量とに基づいて、基板 P上のショッ卜領域とパターン像との位置合わせが行われ、液浸露光が行われる。図 9は、上記ダミー基板 D Pを保管するダミ一基板用ライブラリ 7 0 Aを備えた露光装置 E Xの一例を模式的に示した平面図である。図 9において、露光装置 E X は、チャンバ装置 C Hの内部に設けられている。チャンバ装置 C Hの内部は、空調系によって所定の環境（温度、湿度）に維持されている。基板ステージ P S Tは、チャンバ装置 C Hの内部において所定の可動範囲 S Rで移動可能に設けられている。露光装置 E Xには、基板 Pを搬送する搬送装置 8 0が接続されている。搬送装置 8 0には、基板 Pに感光材を塗布する機能と露光処理済みの基板 Pを現像する機能とを有するコ一タ 'デベロヅパ C/ Dがィンタ一フエ一ス部 I Fを介して接続されている。搬送装置 8 0は、基板 Pを保持して搬送する第 1アーム部 8 1及び第 2 アーム部 8 2を備えている。第 1、第 2アーム部 8 1、 8 2のそれぞれはガイド部 8 1 A、 8 2 Aに案内されつつ移動する。第 1、第 2アーム部 8 1 、 8 2及びガイド部 8 1 A、 8 2 Aは第 2チャンバ装置 C H 2の内部に設けられている。コ一夕 · デベロヅパ C / Dで感光材を塗布された露光処理前の基板 Pは、第 1アーム部 8 1 及び第 2ァ一厶部 8 2によって、露光装置 E Xのチャンバ装置 C H内部に搬送される。基板ステージ P S Tは、露光処理前の基板 Pが第 2アーム部 8 2によって口一ドされるとき、基板交換位置 R Pに移動される-。基板交換位置 R Pで基板 Pがロードされた基板ステージ P S Tは、投影光学系 P Lの下である露光処理位置 E Pに移動する。また、露光処理を終えた基板 Pを保持した基板ステージ P S Tは、基板交換位置 R Pに移動する。露光処理済みの基板 Pは、基板交換位置 R Pにおいて、第 2アーム部 8 2 (あるいは別のァ一厶部）によってアンロードされ、第 1ァ一厶部 8 1 (あるいな別のアーム部）によって、ィンターフェ一ス部 I Fを介してコ一夕 - デベロヅパ C / Dに搬送される。そして、ダミー基板 D Pを基板ホルダ P S Hに配置するときは、制御装置 C O N Tは、例えば第 2アーム部 8 2を使って、チャンバ装置 C Hの内部に設けられているダミー基板 D Pの待機場所であるダミー基板用ライブラリ 7 O Aよりダミー基板 D Pを取り出し、基板交換位置 R Pにおいて、基板ステージ P S Tの基板ホルダ P S Hにロードする。そして、基板ホルダ P S Hにダミー基板 D Pを保持した状態で、制御装置 C O N Tは、上述したような例えばマスクァライメント系 6による投影光学系 P L及び液体 L Qを介した基準マ一ク M F Mの検出を行う。また、上記液体 L Qを介した検出処理が終了した後、ダミー基板 D Pを基板ステージ P S Tよりアン口一ドするときは、まず、制御装置 C O N Tは液体回収機構 2 0などを使ってダミー基板 D Pに付着■残留している液体 L Qの除去作業を行う。そして、制御装置 C 0 N Tは、液体除去処理を施されたダミー基板 D Pを保持した基板ステージ P S Tを基板交換位置 R Pに移動する。そして、制御装置 C 0 N Tは、第 2アーム部 8 2 (あるいは別のアーム部）を使って基板ステージ P S Tよりダミ一基板 D Pをアンロードし、ダミー基板 D Pの待機場所であるダミ一基板用ライブラリ 7 O Aに収納する。なお、本実施形態においては、ダミー基板用ライブラリ 7 O Aは、露光装置 E X を収容するチャンバ装置 C Hの内部に設けられているが、図 9中、符号 7 0 Bで示すように、ダミ一基板用ライブラリを例えば搬送装置 8 0を収容する第 2チャンバ装置 C H 2の内部に設けてもよし、。あるいは、コ一夕 'デベロヅパ C / Dの内部に、ダミー基板用ライブラリを配置してもよい。 - ― なお、ダミー基板 D Pは撥液性を有していることが好ましい。本実施形態においては、ダミー基板 D Pは撥液化処理されて撥液性を有している。撥液化処理としては、例えば撥液性を有する材料を使ったコーティング処理が挙げられる。撥液性を有する材料としては、例えばフッ素系化合物ゃシリコン化合物、あるいはァクリル系樹脂やポリエチレン等の合成樹脂が挙げられる。また、表面処理のための薄膜は単層膜であってもよいし複数の層からなる膜であってもよい。また、ダミ一基板 D Pの撥液性は経時的に劣化する。そこで、ダミー基板 D Pを、その撥液性の劣化に応じて交換するようにしてもよい。また、ダミー基板 D Pを撥液性の材料（例えば、フッ素系の材料やアクリル）で形成してもよい。図 1 0は別の実施形態を示す模式図である。図 1 0に示すように、 Zステージ 5 2 (基板ステージ P S T ) に凹部 6 0を形成し、その凹部 6 0の内部に凹部 6 0に応じた形状を有する基板ホルダ P S Hを配置するとともに、 Zステージ 5 2内部に基板ホルダ P S Hを昇降する昇降装置 6 3を設けるようにしてもよい。そして、マスクァライメント系 6による液体 L Qを介した基準マ一ク M F Mの検出動作時においては、図 1 0 ( a ) に示すように、昇降装置 6 3は基板ホルダ P S Hを上昇して、 Zステージ 5 2の上面と基板ホルダ P S Hの上面とを面一にする。こうすることによっても、基準マーク M F Mを液体 L Qを介して計測するために基準部材 3上に形成された液浸領域の液体 L Qが Zステージ 5 2 (基板ステージ P S T )内部に浸入するなどの不都合の発生を防止することができる。そして、液浸露光するためにデバイス製造用の基板 Pを基板ホルダ P S Hに保持させる際には、図 1 0 ( b ) に示すように、昇降装置 6 3が基板ホルダ P S Hを下降することにより、基板 Pを配置するための凹部 6 0が設けられる。なお、基板 Pを載置する際に基板ホルダ P S H上に液体 L Qが付着している場合には、付着した液体 L Qを除去あるいは回収してから基板 Pに載置するとよい。なお、上述の実施形態においては、基板ステージ P^_ S T上の基準マーク M F Mを、投影光学系 P Lと液体 L Qとを介して検出するときに、基板 P、ダミー基板 D Pを基板ホルダ P S Hに保持して、 Zステージ 5 2内部に液体 L Qが浸入するのを防止しているが、基準マーク M F Mの検出に限ることなく、 Zステージ 5 2 (基板ステージ P S T )上の各種計測センサの使用時など、 Zステージ 5 2 (基板ステージ P S T )上面の周辺部に液浸領域 A R 2を形成するときには、基板 Pやダミー基板 D Pを基板ホルダ P S Hに保持したり、図 1 0のような構成を用いて Zステージ 5 2 (基板ステージ P S T ) 内部への液体 L Qの浸入を防止することが望ましい。ところで、上述したように、ベースライン量を求めるための基準マーク P F M、 M F Mの検出動作は、予め設定された基板処理枚数毎やマスク Mを交換したとき毎など、所定期間毎に行えばよい。そして、上述した実施形態においては、基板 Pを基板ホルダ P S H上にロードする前においてベースライン量を単独で計測するときなどに、基板ホルダ P S Hにダミー基板 D Pを保持してお〈ことで、基板ホルダ P S H内部や基板ステージ P S T内部に液体 L Qが浸入することを防止している。 —方で、ベースライン量を計測するときには、ダミー基板 D Pを基板ホルダ P S H に保持する代わりに、露光処理済みの基板 Pを基板ホルダ P S Hに保持した状態で、ベースライン量を求めるための基準マーク P F M、M F Mの検出動作を行うことによっても、基板ホルダ P S H内部や基板ステージ P S T内部に液体 L Qが浸入することを防止することができる。そして.、ベースライン量の計測を終了した後、その露光処理済みの基板 Pをアンロードすればよい。すなわち、基板 Pの露光を終了した後、その露光処理済みの基板 Pを基板ステージ P S Tに保持した状態で、基板ァライメン卜系 5による基板ステージ P S T上の基準マク P F Mの位置情報の検出とマスクァライメン卜系 6による基板ステージ P S T上の基準マーク M F Mの位置情報の検出とを行い、その基準マーク P F M、 M F Mの位置情報の検出結果に基づいてベースライン量を求めた後、その露光処理済みの基板 Pを基板ステージ P S Tより搬出することによって、基板ホルダ P S H内部や基板ステージ P S T内部に液体 L Qが浸入することを防止できる。なお、露光処理前の基板 Pを基板ホルダ P S Hに保持した状態で、ベースライン量を求めるための基準マーク P F M、 M F Mの検出動作を行う構成も考えられる。しかしながら、液体 L Qを介して基準マーク M F Mを検出するときなどに、露光処理前の基板 P上のァライメントマーク 1に液体 L Qが付着する可能性が高〈なる。基板 P上のァライメン卜マーク 1を検出する基板ァライメン卜系 5は、液体 L Qを介さずに（ドライ状態で）検出するように構成されているので、露光処理前の基板

P上のァライメントマ一ク 1を基板ァライメント系 5で検出するときに、ァライメン卜マーク 1上に液体 LQが付着していると、検出精度の劣化を招〈。したがって、ベースライン量を求めるための基準マーク P FM、MFMを検出するときに基板ホルダ P S Hに保持させておく基板 Pは、露光処理後の基板 Pであることが好ましいなお、 Zステージ 52 (基板ステージ P ST)上に基準部材ゃ各種の計測センサなどの計測部材が配置されていない場合であっても、 Zステージ 52 (基板ステージ P S T)上に液浸領域 A R 2を形成する場合には、基板 Pやダミ一基板 D Pを基板ホルダ P S Hに保持したり、図 1 0のような機構を用いて Zステージ 52 (基板ステージ P S T) 内部への液体 LQの浸入を防止することが望ましい。さらに言えば、 Zステージ 52 (基板ステージ P ST)上の基準部材ゃ各種の計測センサなどの計測部材の有無にかかわらず、 Zステージ 52 (基板ステージ P S T)の凹部 60が基板 Pやダミー基板 D Pなどで覆われていない場合に、 Zステージ 52 (基板ステージ P S T)上に液浸領域 A R 2を形成するのを禁止するのが望ましい。例えば、 Zステージ 52 (基板ステージ P S T)の凹部 60が基板 Pやダミー基板 D Pなどで覆われていない場合に、制御装置 CO N Tは、液体供給機構 1 0による液体供給を禁止したり、投影光学系 P Lの光学素子 2と Zステージ 52 (基板ステージ P S T) とが対向しないように、 Zステージ 52 (基板ステージ P S T) の X Y平面内での移動範囲を制限することができる。なお、制御装置 CO N Tは、露光装置 EX全体の動作を統括制御しているので、 Zステージ 52 (基板ステージ P S T)の凹部 60が基板 Pやダミー基板 D Pなどで覆われているか否かを判断することができるが、後述するように、基板 Pゃダミ —基板 D Pなどで覆われているか否かを検出する検出器を使うこともできる。また、基板ァライメント系 5で基板 P上のァライメン卜マーク 1を検出するとき、上述したように、基板 P上のァライメン卜マーク 1に液体 L Qが配置されていない (付着していない）状態にすることが望ましい。基板ステージ P S Tにロードされた露光処理前の基板 Pが、供給ノズル 1 3の下や回収ノズル 2 3の下、あるいは投影光学系 P Lの光学素子 2の下を通過するときに、供給ノズル 1 3や回収ノズル 2 3、又は光学素子 2に残留 .付着している液体 L Qが基板 P上に滴下あるいは飛散するおそれがある。そして、その滴下した液体 L Qが基板 P上のァライメン卜マーク 1上に配置されて（付着して）しまうと、基板ァライメン卜系 5はァライメン卜マーク 1の計測ができず計測エラーを発生したり、計測ができたとしてもァライメン卜マーク 1の像や波形信号が歪んで誤計測してしまい、ァラィメン卜計測精度が劣化する等の不都合が生じる。あるいは、基板ステージ P S T上のうちその基板ステージ P S Tに保持された基板 Pとは別の位置（例えば補助プレー卜 5 7上や Zステージ 5 2の上面上）に液浸領域 A R 2を形成しつつ、基板ァライ.メン卜系 5が基板 P上のァライメン卜マーク 1を液体 L Qを介さずに計測する構成も考えられる。あるいは、基板 P上の一部に (局所的に）液浸領域 A R 2を形成しつつ、その液浸領域 A R 2の外側でァライメン卜マーク 1を基板ァライメント系 5で液体 L Qを介さずに検出する構成も考えられる。この場合においても、液浸領域 A R 2から液体 L Qが飛散したり、液体し Qの回収が十分に行われないと、基板 P上のァライメントマーク 1上に液体 L Qが配置された状態で、そのァライメントマーク 1が基板ァライメン卜系 5に計測される不都合が生じる。そこで、制御装置 C 0 N Tは、基板ァライメン卜系 5の検出領域に配置される前の基板 P上のァライメントマーク 1が、供給ノズル— 1 3や回収ノズル 2 3、又は投影光学系 P Lの光学素子 2の下を通過しないように、基板ステージ P S Tの移動軌跡を決定する。そして制御装置 C O N Tは、決定した移動軌¾^こ基づいて基板ステ —ジ P S Tを移動しながら、基板ァライメン卜系 5を使って、基板 P上の複数のァライメン卜マーク 1のそれぞれを順次計測する。図 1 1は、基板 P上の複数のァライメントマ一ク 1のそれぞれを基板ァライメント系 5で順次計測するときの動作を説明するための図である。図 1 1において、投影光学系 P Lの光学素子 2の近傍には供給ノズル 1 3及び回収ノズル 2 3が配置されており、それら光学素子 2、供給ノズル 1 3、及び回収ノズル 2 3の + X側には基板ァラィメン卜系 5が配置されている。このような位置関係において、基板ァライメン卜系 5を使って基板 P上の複数のァライメン卜マーク 1のそれぞれを順次計測するとき、最初に制御装置 C O N Tは、図 1 1 ( a ) に示すように、基板 P 上の最も一 X側に設けられているショウ卜領域に付随したァライメントマーク 1 を基板ァライメン卜系 5の検出領域に配置し、そのァライメン卜マーク 1を基板ァライメン卜系 5で計測する。例えば制御装置 C 0 N Tは、基板 P上のショット領域 S 1 0や S 1 1 (図 4参照）などに付随したァライメン卜マーク 1を基板ァライメン卜系 5の検出領域に配置する。以下の説明では、最初に計測される上記ァラィメントマーク 1を「第 1ァライメン卜マーク」と称する。ここで、制御装置 C 0 N Tは、露光処理前の基板 Pを基板交換位置 R P (図 9参照）において基板ステージ P S T上に口一ドした後、基板 P上の第 1ァライメントマーク 1を基板ァライメント系 5の検出領域に配置するときに、基板 P上の複数のァライメントマーク 1のうち、少なぐとも基板ァライメント系 5の計測対象であるァライメン卜マーク 1が、供給ノズル 1 3や回収ノズル 2 3、あるいは光学素子 2 の下を通過しないように、基板ステージ P S Tを移動する。これにより、第 1ァラィメントマ一ク 1は、供給ノズル 1 3などの下を通過することなく、基板ァラィメント系 5の検出領域に配置される。したがって、第 1ァライメントマ一ク 1上に、供給ノズル 1 3などから滴下した液体 L Qが配置された状態で、その第 1ァライメン卜マーク 1が基板ァライメン卜系 5に計測される不都合を防止することができる第 1ァライメントマーク 1 の検出が終了した後、制御装置 C O N Tは、基板ステ —ジ P S Tを一X側に移動し、第 1ァライメン卜マーク 1よりも + X側に設けられた第 2ァライメン卜マーク 1 (例えばショッ卜領域 S 1 2や S 9などに付随したァライメン卜マーク 1 ) を基板ァライメン卜系 5の検出領域に配置する。ここで、制御装置 C 0 N Tは、基板ァライメン卜系 5の検出領域に計測対象であるァライメン卜マーク 1が、供給ノズル 1 3などの下を通過しないように、基板ステージ P S T の移動軌跡を決定しているので、基板 Pが基板ステージ P S Tにロードされた後、その基板 P上の第 2ァライメン卜マーク 1が基板ァライメント系 5の検出領域に配置されるまでの間に、第 2ァライメン卜マーク 1は供給ノズル 1 3などの下を通過しない。したがって、第 2ァライメントマーク 1上に、供給ノズル 1 3などから滴下した液体 L Qが配置される不都合が防止されている。なお、既に基板ァライメン卜系 5に計測された第 1ァライメン卜マーク 1は、供給ノズル 1 3などの下を通過してもよい。以下同様に、図 1 1 ( b ) に示すように、制御装置 C O N Tは、第 2ァライメン卜マーク 1よりも + X側に設けられた第 3、第 4ァライメン卜マーク 1を基板ァラィメン卜系 5の検出領域に順次配置て計測する。以上の動作は、制御装置 C〇 N Tが基板ステージ P S Tの位置をレーザ干渉計 5 6でモニタしつつ、露光レシピに基づいて基板ステージ駆動装置 P S T Dを制御することで行われる。なおここでは、制御装置。 0 N Tは基板ステージ P S Tを一 X側に移動し、基板ァライメン卜系 5の検出領域に基板 P上の— X側のァライメントマ一ク 1から + X側のァライメン卜マーク 1を順次配置しているが、基板ァライメント系 5が投影光学系 P Lの—X側に設けられている場合には、基板ステ一ジ P S Tは + X側に移動される。また、ァライメン卜マーク 1を検出する順番も、 X軸方向に沿った順番に限られない。また、上述したように、基板 P上に設けられた複数のァライメン卜マーク 1の全てを基板ァライメン卜系 5で検出する必要はない。したがって、基板ァライメン卜系 5の計測対象ではないァライメン卜マーク 1は、供給ノズル 1 3などの下を通過してもよい。要は、基板ァライメン卜系 5の検出領域に配置される前の計測対象であるァライメン卜マーク 1が、供給ノズル 1 3などの下を通過しなければよい。以上説明したように、制御装置 C O N Tは、基板ァライメン卜系 5の検出領域にァライメン卜マーク 1 を配置するための基板ステージ P S Tの移動軌跡を、基板ァライメン卜系 5と供給ノズル 1 3 (及び回収ノズル 2 3、光学素子 2 ) との位置関係に応じて決定しているので、基板ァライメント系 5で計測されるァライメン卜マ —ク 1に、供給ノズル 1 3などの下を通過したことに起因して液体 L Qが付着される不都合を防止することができる。したがって、基板ァライメント系 5が液体 L Q を付着された状態のァライメン卜マーク 1を計測する不都合が防止されるので、計測エラ一や誤計測を防止することができる。したがって、露光装置 E Xの稼働率が向上し、露光精度を高度に維持することができる。なお、図 1 1を参照して説明した実施形態の場合、投影光学系 P Lの像面側に液体 L Qを保持した状態で、基板ァライメン卜系 5によるァライメン卜マーク 1の検出を行なうようにしてもよい。この場合、基板ステージ P S T ( Zステ一ジ 5 2 ) 上面、あるいは基板ステージ P S T ±面と基板 P表面とに跨るように、あるいは基板 P表面に液浸領域 A R 2が形成されるが、図 1 1からも明らかなように、制御装置 C O N Tは、基板 Pのァライメン卜マーク 1が液浸領域 A R 2の液体 L Q (図 1 参照）に接触する前に基板ァライメン卜系 5で検出されるように基板ステージ P S Tの移動軌跡を決定しているので、基板ァライメン卜系 5が液体 L Qを付着された状態のァライメントマーク 1を計測する不都合が防止することができる。なお、ここでは、基板ァライメン卜系 5の検出領域に配置される前の基板 P上のァライメン卜マーク 1が、供給ノズル 1 3などの下を通過しないようにしているが、基板ァライメン卜系 5の検出領域に配置される前の基準マーク P F Mが、供給ノズル 1 3などの下を通過しないように、基板ステージ S Tの移動軌跡が決定されてもよい。このように、ァライメントマーク 1や基準マ一ク P F Mに限らず、ドライ状態で計測される基板ステージ P S T上のマーク（計測対象）が液体 L Qを滴下させる可能性のある部材の下を通過しないように基板ステージ P S Tの移動軌跡を決定するようにすることで、液体 L Qを介さないマーク計測精度を向上することができる。なお上述した実施形態においては、基板ステージ P S Tを基板交換位置 R Pから投影光学系 P L近傍（露光処理位置 E P ) まで移動させるときや、基板 P上の複数のァライメントマ一ク 1 を計測するときについての基板ステージ P S Tの移動軌跡について説明したが、基準部材 3上の基準マーク P F M、 M F Mを計測した後、基板 P上のァライメントマ一ク 1を計測するときなどにも、基板 P上のァライメントマ一ク 1が供給ノズル 1 3などの下を通過しないように、基板ステージ P S丁の移動軌跡が決定されることが好ましい。例えば、図 1 2において、基準部材 3上の基準マーク M F Mをマスクァライメン卜系 6を使って液体 L Qを介して計測するときは、制御装置 C 0 N Tは、基準部材 3上に液浸領域 A R 2を形成した状態で基準マーク M F Mを計測する。そして、基準マーク M F Mの液体 L Qを介した計測が終了した後、制御装置 C 0 N Tは、基準部材 3上の液体 L Qを液体回収機構 2 0などを使って回収する。その後、制御装置 C O N Tは、基板ァライメント系 5の検出領域に基板 P上のァライメン卜マーク 1を配置するときに、供給ノズル 1 3などが図 1 2の波破線矢印 Kに沿って進むようにレーザ干渉計 5 6の出力をモニタしつつ X Yステージ 5 3を移動する。そして、制御装置 C O N Tは、基板ァライメント系 5の検出領域に第 1ァライメントマーク 1 (例えばショッ卜領域 S 1 0に付随したァライメントマ一ク 1 ) を配置する。この場合においても、基板ァライメン卜系 5で計測される前のァライメントマ一ク 1は、供給ノズル 1 3などの下を通過しないので、 .供給ノズル 1 3などから滴下した液体 L Qが付着することがない。なお、ァライメン卜マーク 1に液体が付着して検出エラ一になった場合には、ァライメン卜マーク 1に異物が付着して検出エラーが生じた場合と同様に、そのァラィメントマークの検出を中止し、その近傍のァライメン卜マークを替わりに検出するようにしてもよいし、その基板 Pそのものを不良基板として扱うようにしてもよい。また、基板ァライメント系 5で基板 P上のァライメン卜マークをドライ状態で検出したときに得られるマーク像や信号波形を予め記憶しておき、実際に基板ァラィメン卜系 5でァライメン卜マーク 1を検出したときに得られたマーク像や信号波形が、記憶されているものと大きく異なる場合には、基板ァライメント系 5の終端の光学素子と、ァライメン卜マークとの少なくとも一方に液体が付着していると判断して、検出エラ一を出力し、オペレータなどに付着した液体の拭き取りなどを促すようにしてもよい。同様に、基板ァライメント系 5で基準マーク P F Mをドライ状態で計測したときに得られるマーク像や信号波形を記憶しておき、ベースライン量の計測などのときに実際に基板ァライメン卜系 5で基準マーク P F Mの取得したマーク像や信号波形が記憶されているものと大きく異なる場合には、基板ァライメント系 5の終端の光学素子と、基準マーク P F Mとの少なくとも一方に液体が付着していると判断して、検出エラーを出力し、オペレータなど.に付着した液体の拭き取りなどを促すようにしてもよい。なお、記憶されるマーク像や信号波形は、露光装置 E X内で基板ァライメント系 5を使って取得してもよいし、露光装置 E Xの外で取得するようにしてもよい。また、図 1 2に示す基板ステージ P S T上には、例えば特開昭 5 7— 1 1 7 2 3 8号公報に開示されているような照度ムラセンサ 4 0 0や、例えば特開 2 0 0 2 - 1 4 0 0 5号公報に開示されているような空間像計測センサ 5 0 0が設けられている。そして、これら計測用センサ 4 0 0、 5 0 0上に液浸領域 A R 2を形成した状態で、液体 L Qを介して計測処理を行うことが考えられる。その場合においても、制御装置 C O N Tは、センサ 4 0 0、 5 0 0による計測処理を終了した後、液体回収機構 2 0などを使って液体回収を行う。そして、基板 P上のァライメン卜マーク 1を基板ァライメン卜系 5の検出領域に配置するときは、制御装置 C O N Tは、基板ァライメン卜系 5の計測対象である基板 P上のァライメン卜マーク 1が供給ノズル 1 3などの下を通過しないように、基板ステージ P S Tの移動軌跡を決定する _c 図 1 3は、本発明の別の実施形態を示す模式図である。図 1 3 ( a ) において、露光装置 E Xは、基板ホルダ P S Hに基板 Pを吸着保持するための吸着保持機構 9 0を備えている。吸着保持機構 9 0は、基板ホルダ P S Hの上面の複数の位置のそれぞれに設けられた吸着孔 9 1 と、これら複数の吸着孔 9 1のそれぞれに流路 9 2 を介して接続された真空系 9 3とを備えている。制御装置 C 0 N Tは、真空系 9 3 を駆動することで、基板ホルダ P S Hの上面に載置された基板 Pの裏面を、吸着孔 9 1を介して真空吸着保持する。吸着保持機構 9 0の流路 9 2又は真空系 9 3の圧力に関する情報は、圧力検出器 9 4にモニタされるようになっている。圧力検出器 9 4は、検出した圧力に関する情報に基づいて、基板ホルダ P S H上に基板 P (もしくはダミー基板 D P ) が保持されているか否かを検出することができる。すなわち、圧力検出器 9 4は、吸着保持機構 9 0による吸着動作が実行され、圧力が低下しない場合には、基板ホルダ P S H上に基板 Pが保持されていないと判断し、圧力が低下した場合には、基板ホルダ P S H上に基板 Pが保持されていると判断する。また、圧力検出器 9 4の検出結果及び判断結果は、制御装置 C 0 N Tに出力される。液体供給機構 1 0の供給管 1 2の途中には、供給管 1 2の流路を開閉するバルブ 1 4が設けられている。バルブ 1 4の'動作は、制御装置 C O N Tに制御される。図 1 3 ( a )に示すように、基板ホルダ P S H上に基板 Pが保持されているとき、上述したように、圧力検出器 9 4は、圧力に関する情報に基づいて、基板ホルダ P S H上に基板 Pが保持されていることを検出することができる。そして、圧力検出器 9 4が基板 Pを検出したとき、制御装置 C 0 N Tは、圧力検出器 9 4の検出結果 (判断結果）に基づいて、液体供給機構 1 0に-液体供給可能の指令を出す。

—方、図 1 3 ( b ) に示すように、基板ホルダ P S H上に基板 Pが保持されていないとき、圧力検出器 9 4は、圧力に関する' It報に基づいて、基板ホルダ P S H上に基板 Pが保持されていないことを検出することができる。そして、圧力検出器 9 4が基板 Pを検出しないときには、制御装置 C 0 N Tは、圧力検出器 9 4の検出結果（判断結果）に基づいて、液体供給機構 1 0に液体供給不可の指令を出す。制御装置 C O N Tの指令を受けた液体供給機構 1 0は、例えばバルブ 1 4によって供給管 1 2の流路を閉じる。こうして、制御装置 C O N Tは、液体供給機構 1 0による液体供給を停止する。上述したように、基板ホルダ P S Hに基板 Pもしくはダミー基板 D Pが保持されていない状態において、液浸領域 A R 2が形成されたり、液体供給機構 1 0による液体供給が実行されると、基板ホルダ P S H内部や基板ステージ P S T内部に液体 L Qが浸入する可能性があり、例えば液体 L Qが基板ステージ P S T内部に浸入すると、鯖びを生じさせたり、内部に配置されている電気機器ゃ摺動部に不具合が生じ、修復に多大な時間を要してしまう。あるいは、基板ホルダ P S Hの保持面に液体 L Qがかかると、吸着孔 9 1を介して真空系 9 3に液体 L Qが流入する不都合が生じる。また、基板ホルダ P S Hの保持面に液体 L Qが付着すると、基板 Pが載置されたときに、その液体 L Qが潤滑膜として機能し、基板 Pを所望の位置に対してずれた状態で保持する不都合も生じる。そこで、本実施形態のように、基板ホルダ P S. Hに基板 Pもしくはダミー基板 D Pが保持されているか否かに応じて、液体供給機構 1 0の動作を制御することで、基板ホルダ P S Hの保持面に液体 L Qが付着したり、基板ステージ P S Tの内部 (こ液体が浸入することを防止できる。そして、基板ホルダ P S Hに基板 Pもしくはダミー基板 D Pが保持されていないときは、制御装置 C O N Tが液体供給機構 1 0による液体供給を停止することで、基板ステージ P S Tの内部への液体の浸入等を防止することができる。なお、本実施形態においては、圧力検出器 9 4の検出結果に基づいて、基板ホルダ P S Hに基板 P若しくはダミー基板 D Pが保持されているか否かが判断されているが、基板ステージ P S Tや基板ホルダ P S Hに、例えば接触式の基板有無セン. サを設け、その検出結果に基づいて、液体供給機構 1 0の動作を制御するようにしてもよい。あるいは、前述のフォーカス検出系 4を用いて、基板ホルダ P S Hに基板 P若しくはダミ一基板 D Pが保持されているか否かを判断し、その結果に基づいて、液体供給機構 1 0の動作を制御するようにしてもよい。また、基板ホルダ P S Hに基板 P (もしくはダミー基板 D P ) が保持されていないときに、 Zステージ 5 2 (基板ステージ P S T )上に液浸領域 A R 2が形成されないように、 Zステージ 5 2 (基板ステージ P S T )の供給ノズル 1 3や回収ノズル 2 3、あるいは光学素子 2の下への移動を禁止するようにしてもよい。また、制御装置 C O N Tは、圧力検出器 9 4の検出結果に応じて、基板ステージ P S Tの可動領域を変更するようにしてもよい。図 1 3を参照して説明した実施形態のように、基板ホルダ P S Hに基板 P (もしくはダミー基板 D P ) が保持されていないときに、液体供給機構 1 0による液体供給を停止したとしても、供給ノズル 1 3や回収ノズル 2 3、あるいは投影光学系 P Lの光学素子 2に残留 '付着している液体 L Qが滴下して、基板ホルダ P S H内部や基板ステージ P S T内部に浸入する可能性がある。その場合においても、基板ステージ P S T内部の電気機器の漏電を引き起こしたり、請びを生じさせたり、吸着孔 9 1 を介して液体 L Qが真空系 9 3に流入したり、あるいは基板ホルダ. P S Hの保持面に滴下した液体し Qが潤滑膜として機能して、所望位置に対してずれた状態で基板 Pを保持するなどの不都合が生じる。そこで、制御装置 C O N Tは、基板ホルダ P S Hに基板 Pが保持されているか否かを検出する検出器 9 4の検出結果に応じて、基板ステージ P S Tの可動領域を変更する。具体的には、基板ホルダ P S Hに基板 P (もしくはダミー基板 D P ) が保持されていないときは、換言すれば、圧力検出器 9 4が基板 Pを検出しないときは、制御装置 C O N Tは、基板ステージ P S Tの可動領域を、供給ノズル 1 3や回収ノズル 2 3、あるいは光学素子 2の下に基板ホルダ P S Hが位置しない領域とする。そして、制御装置 C O N Tは、基板ホルダ P S Hに基板 Pが保持されていない場合、レ一ザ干渉計 5 6の出力をモニタしつつ、基板ホルダ P S Hが供給ノズル 1 3などの下を通過しないように、基板ステージ P S Tを移動する。こうすることにより、仮に供給ノズル 1 3などから液体 L Qが滴下しても、基板ホルダ P S Hの内部や基板ステージ P S Tの内部への液体 L Qの浸入等を防止することができる。なお、上述の実施形態においては、基板ステージ P S T上に液浸領域 A R 2を形成するときに、供給ノズル 1 3から液体 L Qの供給を開始するようにしている力基板ステージ P S Tとは異なる所定の物体と投影光学系 P Lとの間に保持された液体を回収することなく、その所定物体上 (こ形成されている液浸領域 A R 2を基板ステージ P S T上に移動することによって、基板ステ—ジ P S T上に液浸領域 A R 2を形成することもできる。なお、上述の実施形態においては、基板 P上のァライメン卜マーク 1及び基準マーク P F Mを液体を介さずに検出し、基準マーク M F Mの検出は液体を介して実行するようになっているが、基準部材 3表面の撥液化、基準部材 3上面の無段差化、ダミー基板 D Pの使用などに関する発明は、基準マーク P F Mと基準マーク M F M とを同時に検出できるような構成を採用した場合にも適用可能であり、基板 P上のァライメン卜マーク 1及び基準マーク P F Mを液体を介して検出するような場合にも適用可能である。基準マーク P F.Mと基準マーク M F Mとを同時に検出できるような構成の露光装置は、例えば特開平 4— 4 5 5 1 2号（対応米国特許第 5， 1 3 8 , 1 7 6 )などに開示されており、本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて、それらの開示を援用して本文の記載の一部とする。また、基準部材 3上に液浸領域と非液浸領域とを分離して形成できる場合には、特開平 4— 4 5 5 1 2号公報に開示されているようにく基準マーク P F Mの液体なしでの検出と基準マーク M F Mの液体ありでの検出とを同時にできるような構成を採用してもよい。その場合には、例えば図 6に示したァライメントシ一ケンスにおいて、ステップ S A 3とステップ S A 4とを同時に行うことができるので、スル —プヅ卜の点で有利である。またさらに、基板ァライメント系 5が基板 P上のァラィメン卜マーク 1や基準マーク P F Mを液体を介して検出する構成の場合には、特開平 4— 4 5 5 1 2号公報に開示されているように基準マーク P F Mの検出と基準マーク M F Mの検出とを同時にできるような構成を採用してもよいことは言うまでもない。また、上述の実施形態においては、基準部材上に、基準マーク P F Mと基準マーク M F Mの二つの基準マークを設けたが、単一の基準マーク（基準）を使ってステップ S A 3とステップ S A 4を行うことも可能である。上述したように、本実施形態における液体 L Qは純水を用いた。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板 P上のフォ卜レジス卜や光学素子（レンズ）等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板 Pの表面、及び投影光学系 P Lの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。なお工場等から供給される純水の純度が低い場合には、露光装置が超純水製造器を持つようにしてもよい。そして、波長が 1 9 3 n m程度の露光光 E Lに対する純水（水）の屈折率 nはほぼ 1 . 4 4程度と言われており、露光光 E Lの光源として A r Fエキシマレ一ザ光 (波長 1 9 3 n m ) を用いた場合、基板 P上では 1 Z n、すなわち約 1 3 4 n m程度に短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約 n 倍、すなわち約 1 . 4 4倍程度に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合 Iこは、投影光学系 P Lの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。なお、上述したように液浸法を用いた場合には、投影光学系の開口数 N Aが 0 . 9〜1 . 3になることもある。このように投影光学系の開口数 N Aが大きくなる場合には、従来から露光光として用いられているランダム偏光光では偏光効果によつて結像性能が悪化することもあるので、偏光照明を用いるのが望ましし、。その場合、マスク（レチクル）のライン 'アンド .スペースパターンのラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明を行い、マスク（レチクル）のパターンからは、 S偏光成分（ラインパターンの長手方向に沿った偏光方向成分）の回折光が多く射出されるようにするとよし、。投影光学系 P Lと基板 P表面に塗布されたレジス卜との間が液体で満たされている場合、投影光学系 p Lと基板 P表面に塗布されたレジス卜との間が空気（気体）で満たされている場合に比べて、コントラス卜の向上に寄与する S偏光成分の回折光のレジス卜表面での透過率が高〈なるため、投影光学系の開口数 N Aが 1 . 0を越えるような場合でも高い結像性能を得ることができる。また、位相シフトマスクゃ特開平 6— 1 8 8 1 6 9号公報に開示されているようなラィンパターンの長手方向に合わせた斜入射照明法（特にダイボール照明法）等を適宜組み合わせると更に効果的である。また、マスク（レチクル）のラインパターンの長手方向に合わせた直線偏光照明 ( S偏光照明）だけでなく、特開平 6— 5 3 1 2 0号公報に開示されているように、光軸を中心とした円の接線（周）方向に直線偏光する偏光照明法と斜入射照明法との組み合わせも効果的である。特に、マスク（レチクル）のパターンが所定の一方向に延びるラインパターンだけでなく、複数の異なる方向に延びるラインパターンが混在する場合には、同じ〈特開平 6— 5 3 1 2 0号公報に開示されているように、光軸を中心とした円の接線方向に直線偏光する偏光照明法と輪帯照明法とを併用することによって、投影光学系の開口数 N Aが大きい場合でも高い結像性能を得ることができる。本実施形態では、投影光学系 P Lの先端に光学素子 2が取り付けられており、このレンズにより投影光学系 P Lの光学特性、例えば収差（球面収差、コマ収差等）の調整を行うことができる。なお、投影光学系 P Lの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系 P Lの光学特性の調整に用いる光学プレー卜であってもよい。あるいは露光光 E Lを透過可能な平行平面板であってもよい。液体 L Qと接触する '光学素子を、レンズより安価な平行平面板とすることにより、露光装置 E Xの運搬、組立、調整時等において投影光学系 P Lの透過率、板 P上での露光光 E Lの照度、及び照度分布の均一性を低下させる物質（例えばシリコン系有機物等）がその平行平面板に付着しても、液体 L Qを供給する直前にその平行平面板を交換するだけでよく、液体 L Qと接触する光学素子をレンズとする場合に比べてその交換コス卜が低くなるという利点がある。即ち、露光光 E Lの照射によりレジス卜から発生する飛散粒子、または液体 L Q中の不純物の付着などに起因して液体 L Qに接触する光学素子の表面が汚れるため、その光学素子を定期的に交換する必要があるが、この光学素子を安価な平行平面板とすることにより、レンズに比べて交換部品のコス卜が低く、且つ交換に要する時間を短くすることができ、メンテナンスコスト（ランニングコス卜）の上昇やスループッ卜の低下を抑えることができる。なお、液体 L Qの流れによって生じる投影光学系 P Lの先端の光学素子と基板 P との間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。なお、本実施形態では、投影光学系 P Lと基板 P表面との間は液体 L Qで満たされている構成であるが、例えば基板 Pの表面に平行平面板からなるカバ一ガラスを取り付けた状態で液体 L Qを満たす構成であってもよい。また、上述の液浸法を適用した露光装置は、投影光学系 P Lの終端光学素子 2の射出側の光路空間を液体 (純水）で満たしてウェハ基板 Pを露光する構成になっているが、国際公開第 2 0 0 4 / 0 1 9 1 2 8号に開示されているように、投影光学系 P Lの終端光学素子 2の入射側の光路空間も液体（純水）で満たすようにしてもよい。なお、本実施形態の液体 L Qは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光 E Lの光源が F ₂レーザである場合、この F ₂レーザ光は水を透過しないので、液体 L Qとしては F ₂レーザ光を透過可能な例えば、過フヅ化ポリエーテル（P F P E ) やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体 L Qと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。また、液体 L Qとしては、その他にも、露光光 E Lに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系 P Lや基板 P 表面に塗布されているフ才卜レジス卜に対して安定なもの（例えばセダ一油）を用いることも可能である。この場合も表面処理は用いる液体 L Qの極性に応じて行われる, なお、上記各実施形態の基板 Pとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウェハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気へッド用のセラミックウェハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウェハ）等が適用される。露光装置 EXとしては、マスク Mと基板 Pとを同期移動してマスク Mのパターンを走査露光するステヅプ'アンド ·スキャン方式の走査型寧光装置（スキャニングステツパ）の他に、マスク Mと基板 Pとを静止した状態でマスク Mのパターンを一括露光し、基板 Pを順次ステップ移動させるステップ'アンド · リピー卜方式の投影露光装置（ステツパ）にも適用することができる。また、本発明は基板 P上で少なくとも 2つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ.アンド ·スティツチ方式の露光装置にも適用できる。また、本発明は、ウェハ等の被処理基板を別々に載置して XY方向に独立に移動可能な 2つのステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツインステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平 1 0—1 63099 号及び特開平 1 0— 21 4783号（'対応米国特許 6, 341 , 007、 6， 40 0, 441、 6， 549, 269及び 6 , 590, 634)、特表 2000- 505 958号（対応米国特許 5, 969, 441 ) あるいは米国特許 6, 208, 40 7に開示されており、本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて、それらの開示を援用して本文の記載の一部とする。

2つのステージを備えたツインステージ型の露光装置では、基板の露光が行われる露光ステーションと基板上のショッ卜エリアの位置合わせが行われるァラィメン卜ステーションが独立に設けられている場合がある。この場合、スループッ卜向上のために、第 1ステージ上の基板が露光ステーションで露光されているときに、第 2ステージ上の基板がァライメン卜ステーションでァライメン卜される。そして、第 2ステージ上の基板がァライメン卜された後に、第 2ステージは露光ステ一ションに移動して、ァライメン卜ステーションで位置合わせされた基板が露光ステージョンで露光される。この際、第 2ステージ上の基板はァライメン卜ステーションにおいて、前述の実施形態で説明したような基板ステージに設けられた基準マークに対する相対位置が求められ、そして露光ステーションに第 2ステージが移動されたときに、露光ステーションでも基準マークを基準として結像位置が決定される。従つて、前述の実施形態で説明したような基準マークはツインステ一ジ型の露光装置で、露光及びァライメントステーションで有効利用される。また、上述の実施形態においては、投影光学系 P Lと基板 Pとの間を局所的に液体で満たす露光装置を採用しているが、露光対象の基板の表面全体が液体で覆われる液浸露光装置にも本発明を適用可能である。露光対象の基板の表面全体が液体で覆われる液浸露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平 6— 1 2 4 8 7 3号公報、特開平 1 0— 3 0 3 1 1 4号公報、米国特許第 5 , 8 2 5 , 0 4 3号などに詳細に記載されており、本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて、この文献の記載内容を援用して本文の記載の一部とする。また、本発明は、ウェハ等の被処理基板を保持して移動可能な露光ステージと、各種の基準部材ゃ計測センサなどの言¹ H則部材を備えた計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。この場合、上述の実施形態において基板ステ一ジ P S Tに配置されている基準部材ゃ各種計測センサの少なくとも一部を計測ステ一ジに配置することができる。露光ステージと計測ステ一ジとを備えた露光装置は、例えば特開平 1 1— 1 3 5 4 0 0号に記載されており、本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて、この文献の記載内容を援用して本文の記載の一部とする。 - 露光装置 E Xの種類としては、基板 P Iこ半導体素子パターンを露光する半導体素' 子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はデイスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気へヅド、撮像素子（C C D ) あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。基板ステージ P S Tやマスクステージ M S Tにリニアモ一夕を用いる場合は、ェァベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージ P ST、 MS Tは、ガィドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであつてもよい。ステージにリニアモー夕を用いた例は、米国特許 5, 623, 853及び 5, 528， 1 1 8に開示されており、それぞれ本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて、これらの文献の言.己載内容を援用して本文の記載の一部とする。各ステージ P S T、 MS Τの駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ュニッ卜と、二次元にコイルを配置した電機子ュニッ卜とを対向させ電磁力により各ステージ P S T、 M S Τを駆動する平面 ΐ一夕を用いてもよい。この場合、磁石ュニヅ卜と電機子ュニヅ卜とのいずれか一方をステージ P S T、 MS Tに接続し、磁石ュニヅ卜と電機子ュニヅ卜との他方をステージ PST、MSTの移動面側に設ければよい。基板ステージ P S Tの移動により発生する反力は、投影光学系 P Lに伝わらないように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。この反力の処理方法は、例えば、米国特許 5 , 528, 1 1 8 (特開平 8— 1 66475号公報）に詳細に開示されており、本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて、この文献の記載内容を援用して本文の記載の一部とする。マスクステージ MSTの移動により発生する-反力は、投影光学系 P Lに伝わらないように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。この反力の処理方法は、例えば、米国特許第 5， 874, 820 (特開平 8— 330224号公報）に詳細に開示されており、本国際出願で指定または選択された国の法令で許容される限りにおいて、この文献の開示を援用して本文の記載の一部とする。以上のように、本願実施形態の露光装置 E Xは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから攀光装置への組み立てェ程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリ —ン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図 1 4に示すように、マイクロデバイスの機能 ·性能設計を行うステップ 2 0 1、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ 2 0 2、デバイスの基材である基板を製造するステツプ 2 0 3、前述した実施形態の露光装置 E Xによりマスクのパターンを基板に露光する露光処理ステップ 2 0 4、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む） 2 0 5、検査ステップ 2 0 6等を経て製造される。産業上の利用可能性本発明によれば、精確にァライメン卜処理をできるので、所望のパターンを精度良く基板上に形成することが可能となる。また、基板ステ一ジの内部などへの液体の浸入を防止することができる。

Claims

請求の範囲

1 . 液体を介して基板上にパターンの像を投影することによって、前記基板を露光する露光装置であって、

基板上にパターンの像を投影する投影光学系と、

前記基板を保持して移動可能な基板ステージと、

前記基板ステージに保持された前記基板上のァライメン卜マークを検出するとともに前記基板ステージに設けられた基準を検出する第 1検出系と、

前記基板ステージに設けられた前記基準を前記投影光学系を介して検出する第

2検出系とを備え、

前記第 1検出系を用いて前記基板ステージに設けられた基準を、液体を介さずに検出するとともに、前記第 2検出系を用いて前記基板ステージに設けられた基準を前記投影光学系と液体とを介して検出して、前記第 1検出系の検出基準位置と前記バタ一ンの像の投影位置との位置関係を求める露光装置。

2 . 前記基板上に形成された複数のァライメン卜マークの位置情報を前記第 1検出系を用いて検出し、前記第 1検出系を用いて検出された位置情報、及び前記検出基準位置と前記投影位置との位置関係に基づいて前記基板を位置合わせして、前記墓板の露光を行う請求項 1に記載の露光装置。

3 . 前記第 1検出系による前記ァライメン卜マークの位置情報の検出は、液体を介さずに行われる請求項 1に記載の露光装置。

4 . 前記基板ステージは、前記基板を保持するための基板ホルダを有し、前記第 2検出系による前記基板ステージに設けられた基準の検出は、前記基板ホルダに前記基板もしくはダミー基板を保持した状態で行われる請求項 1に記載の露光装置。

5 . 前記基準が、前記第 1検出系で検出される第 1基準と前記第 2検出系で検出される第 2基準とを含み、第 1基準と第 2基準は所定の位置関係で離れて配置されている請求項 1に記載の露光装置。

6 . 前記第 1検出系による第 1基準の検出と、前記第 2検出系による第 2基準の検出とは同時に行われる請求項 5に記載の露光装置。

7 . 液体を供給する供給口及び液体を回収する回収口のうち少なくともいずれか —方を有するノズル部材と、前記第 1検出系の検出領域に前記ァライメントマークを配置するための前記基板ステージの移動軌跡を、前記第 1検出系と前記ノズル部材との位置関係に応じて決定する制御装置とを備える請求項 1に記載の露光装置。

8 . 前記制御装置は、前記第 1検出系の検出領域に配置される前の前記ァラィメン卜マークが、前記ノズル部材の下を通過しないように前記基板ステ―ジの移動軌跡を決定する請求項 7に記載の露光装置。

9 . 液体を介して基板上にバタ一ンの像を投影することによって、前記基板を露光する露光装置であって、

基板上にパターンの像を投影する投影光学系と、

前記基板を保持する基板ホルダを有し、前記基板ホルダに前記基板を保持して移動可能な基板ステージと、

前記基板ステ一ジに保持された前記基板上のァライメントマークを検出する第 1検出系と、

前記基板ステージに設けられた基準を液体を介して検出する第 2検出系とを備え、

前記第 2検出系を用いて前記基板ステージに設けられた基準を液体を介して検出するときに、前記基板ホルダには前記基板もしくはダミー基板が配置されている

1 0 . 前記第 2検出系は、前記パターンを有するマスクと前記投影光学系とを介して前記基板ステージ上の基準の検出を行う請求項 1 または 9に記載の露光装置。

1 1 . 前記基準は、前記基板ステージ上に配置された基準部材に形成され、前記第 2検出系で前記基準部材に形成された基準を検出する際に、前記投影光学系の端面と前記基準部材の上面との間に液体が満たされる請求項 1 まは 9に記載の露先衣 li o

1 2 . 前記基準部材の上面は無段差である請求項 1 1に記載の露装置。

1 3 . 液体を介して基板上にパターンの像を投影するこ.とによって、前記基板を露光する露光装置であって、

基板上に \°夕一ンの像を投影する投影光学系と、

上面が無段差の基準部材と、

前記投影光学系の端面と前記基準部材の上面との間を液体で満たした状態で、前記基準部材に形成された基準を検出する検出系とを備える露光装置。

1 4 . 前記投影光学系の像面側で移動可能なステージをさらに備え、

前記基準部材は、前記ステージに配置されている請求項 1 3に記載の露光装置。

1 5 . 前記ステージは、前記基板を保持する請求項 1 4に記載の露光装置。

1 6 . 前記基準部材の上面は、その少なくとも一部が撥液性である請求項 1 1または 1 3に記載の露光装置。

1 7 . 液体を介して基板上にパターンの像を投影することによって、前記基板を露光する露光装置であって、 - 基板上にパターンの像を投影する投影光学系と、

前記基板ホルダに前記基板もしくはダミー基板が保持されているか否かを検出する検出器と、

前記検出器の検出結果に応じて、前記基板ステージの可動領域を変更する制御装置とを備える露光装置。

1 8 . 前記基板上に液体を供給する供給口及び液体を回収する回収口のうち少な <ともいずれか一方を有するノズル部材を備え、前記検出器が前記基板もしくは前記ダミー基板を検出しないときは、前記制御装置は、前記基板ステージの可動領域を前記ノズル部材の下に前記基板ホルダが位置しない領域とする請求項 1 7に記

1 9 . 前記ノズル部材に液体を供給する液体供給機構を備え、前記検出器が前記基板ホルダに前記基板もしくはダミー基板を検出しないときは、前記制御装置は、前記液体供給機構による液体供給を停止する請求項 1 8に記載の露光装置。

2 0 . 液体を介して基板上にパター.ンの像を投影することによって、前記基板を露光する露光装置であって、

基板上にパターンの像を投影する投影光学系と、

液体を供給する液体供給機構と、

前記基板ホルダに基板もしくはダミー基板が保持されているか否かを検出する検出器と、

前記検出器の検出結果に基づいて、前記液体供給機構の動作を制御する制御装置とを備える露光装置。

2 1 . さらに、基板ホルダに基板を吸着するための基板吸着保持機構を備え、前記検出器は基板吸着保持機構と流体接続された圧力検出器である請求項 1 7または 2 0に記載の露光装置。

2 2 . 液体を介して基板上にパターンの像を投影することによって、前記基板を露光する露光装置であって、

基板上にパターンの像を投影する投影光学系と、

前記基板ホルダ上に基板又はダミー基板が保持されている場合に限り、前記基板ステージ上に液体を供給する液体供給機構とを備える露光装置。 .

2 3 . 液体を介して基板上にパターンの像を投影するこ.とによって、前記基板を露光する露光装置であって、

基板上にパターンの像を投影する投影光学系と、

前記基板を保持して移動可能な基板ステージと、

前記基板ステージに基板又はダミー基板が保持されている場合に限り、前記基板ステージ上に液浸領域を形成する液浸機構とを備える露光装置。

2 4 . 前記基板ステージは、その保持された基板又はダミー基板の周囲に、その保持された基板又はダミー基板の表面とほぼ面一の^¹坦部を有する請求項 2 3に

2 5 . 前記基板ステージの平坦部に配置された計測部材と、前記計測部材上の少なくとも一部に液浸領域を形成した状態で、前記計測部材からの光を検出する検出系とを備えた請求項 2 4に記載の露光装置。

2 6 . さらに、ダミー基板を収容するダミー基板ライブラリを備える請求項 1 7、 2 0、 2 2及び 2 3のいずれか一項に記載の露光装置。

2 7 . 液体を介して基板上にパターンの像を投影することによって、前記基板を. 露光する露光装置であって、

基板上にパターンの像を投影する投影光学系と、前記基板を保持するための凹部と、前記凹部の周囲に配置され、前記凹部に保持された前記基板の表面とほぼ面一の平坦部とを有する基板ステージと、

前記基板ステージ上の凹部に物体が配置され、前記物体表面と前記平坦部とがほぼ面一になっている場合に限り、前記基板ステージ上に液浸領域を形成する露光装

2 8 . 前記物体は、基板又はダミー基板を含む請求項 2 7に記載の露光装置。

2 9 . 前記凹部に前記物体が配置されていない場合、前 ^基板ステージ上に液浸領域を形成することを禁止する制御装置を備えた請求項 2 7に記載の露光装置。

3 0 . 前記液浸領域を形成するために液体を供給する液浸機構を更に備え、前記制御装置は、前記凹部に前記物体が配置されていない場合に、前記液浸機構による液体の供給を中止する請求項 2 8に記載の露光装置。

3 1 . 前記制御装置は、前記凹部に前記物体が配置されていない場合に、前記基板ステージと前記投影光学系の終端の光学素子とが対向しないように、前記基板ステージの移動を制御する請求項 2 8に記載の露光装置。

3 2 . 液体を介して基板上にパターンの像を投影することによって、前記基板を露光する露光装置であって、

基板上にノ \°ターンの像を投影する投影光学系と、

前記投影光学系の像面側で移動可能なステージと、

前記基板上のァライメン卜マークを検出するとともに前記ステージに設けられた基準を検出する第 1検出系と、 - 前記ステージに設けられた前記基準を前記投影光学系を介して検出する第 2検出系とを備え、

前記第 1検出系を用いて前記ステージに設けられた基準を、液体を介さずに検出するとともに、前記第 2検出系を用いて前記ステージに設けられた基準を前記投影光学系と液体とを介して検出して、前記第 1検出系の検出基準位置と前記パターンの像の投影位置との位置関係を求める露光装置。

3 3 . 請求項 1、 9、 1 3、 1 7、 2 0、 2 2、 2 3、 2 7及び 3 2のいずれか一項に記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。

3 4 . 投影光学系と液体とを介して基板上のパターンの像を投影することによつて、前記基板を露光する露光方法であって、

前記基板上のァライメントマークの位置情報を第 1検出^を用いて検出し、前記第 1検出系を用いて、前記基板を保持する基板ステージ上の基準の位置情報を検出し、

前記第 1検出系による前記ァライメン卜マークの位置情報の検出と前記基板ステ一ジ上の基準の位置情報の検出との両方が完了した後に、前記基板ステージ上の甚準を前記投影光学系'と液体とを介じて第 _2_ 出-系用て検出 -、 - 前記第 1検出系による前記ァライメ.ントマ一クの位置情報の検出結果と、前記第

1検出系による前記基板ステージ上の基準の位置情報の検出結果と、前記第 2検出系による前記基板ステージ上の基準の位置情報の検出結果とに基づいて、前記第 1 検出系の検出基準位置と前記パターンの像の投影位置との関係を求めるとともに、前記パターンの像と前記基板との位置合わせを行って、前記基板上の複数のショッ卜領域のそれぞれに順次前記パターンの像を投影して露光する露光方法。

3 5 . 前記基板の露光完了後に別の基板を前記基板ステージ上に保持して露光する際には、前記基板ステージ上の基準の位置情報の検出を行うことなく、前記別の基板上のァライメン卜ークの位置情報を第 1検出系を用いて検出し、前記第 1検出系を用いて検出された前記別の基板上のァライメン卜マークの位置情報、及び前記第 1検出系の検出基準位置と前記パターンの像の投影位置との関係に基づいて、前記別の基板上の複数のショッ卜領域のそれぞれに順次前記パターンの像を投影して前記基板を露光する請求項 3 4に記載の露光方法。 3 6：前記第 1検出系で検出される前記基板ステージ上の基準と、前記第 2検出系で検出される前記基板ステージ上の基準とは、所定の位置関係で離れて配置されている請求項 3 4に記載の露光方法。

3 7 . 前記基板の露光を終了した後、該基板を前記基板ステージに保持した状態で、前記第 1検出系による前記基板ステ一ジ上の基準の位置情報の検出と前記第 2 検出系による前記基板ステージ上の基準の位置情報の検出とを行い、該検出が終了した後、前記基板を基板ステージより搬出する請求項 3 4に記載の露光方法。

3 8 . 液体を介して基板上にバタ一ンの像を投影することによつて前記基板を露光する露光方法であって、

基準と基板ホルダが設けられた基板ステージに保持された前記基板上のァライメン卜マークを第 1検出器で検出することと、

一前記基板ホルダに前記基板またはダミー基板を配置した状態で、前記基準を液体を介して第 2検出器で検出することと、

第 1及び第 2検出器の検出結果に基づいて基板とパ夕一ンの像を位置合わせして、パ夕一ンの像で基板を露光することを含む露光方法。

3 9 . 移動可能な基板ステージの基板ホルダに保持された基板上に液体を介してパターンの像を投影することによって前記基板を露光する露光方法であって、前記基板ホルダに前記基板もしくはダミー基板が保持されているか否かを検出することと、

前記検出結果に応じて、前記基板ステージの可動領域を設定することを含む露光方法。

4 0 . 移動可能な基板ステージに保持され'た基板上に液体を介してパターンの像を投影することによって前記基板を露光する露光方法であって、

前記基板ステージに前記基板もしくはダミー基板が保持されているか否かを検出することと、前記検出結果に応じて、前記基板ステージ上に液浸領域を形成するか否かを判断することを含む露光方法。

4 1 . 請求項 3 4及び 3 8〜4 0のいずれか一項に記載の露光方法を用いることを特徴とするデバイス製造方法。