JP3387075B2 - 走査露光方法、露光装置、及び走査型露光装置 - Google Patents
走査露光方法、露光装置、及び走査型露光装置Info
- Publication number
- JP3387075B2 JP3387075B2 JP30761394A JP30761394A JP3387075B2 JP 3387075 B2 JP3387075 B2 JP 3387075B2 JP 30761394 A JP30761394 A JP 30761394A JP 30761394 A JP30761394 A JP 30761394A JP 3387075 B2 JP3387075 B2 JP 3387075B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- stage
- substrate stage
- optical system
- photosensitive substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
- G03F7/70891—Temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7096—Arrangement, mounting, housing, environment, cleaning or maintenance of apparatus
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子、又
は液晶表示素子等を製造する際に使用される露光装置に
関し、特に斜入射方式のＡＦセンサを用いてオートフォ
ーカス方式で感光基板の高さを投影光学系の結像面に合
わせ込んで露光を行う投影露光装置に適用して好適なも
のである。
は液晶表示素子等を製造する際に使用される露光装置に
関し、特に斜入射方式のＡＦセンサを用いてオートフォ
ーカス方式で感光基板の高さを投影光学系の結像面に合
わせ込んで露光を行う投影露光装置に適用して好適なも
のである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子等を製造する際に、マスクと
してのレチクルのパターンの縮小像をフォトレジストが
塗布されたウエハ（又はガラスプレート等）上の各ショ
ット領域に露光するために使用されるステッパー等の投
影露光装置においては、ウエハは、ウエハ上の各ショッ
ト領域を順次高速に露光フィールドに位置決めするため
のウエハステージ上に安定に保持されている。
してのレチクルのパターンの縮小像をフォトレジストが
塗布されたウエハ（又はガラスプレート等）上の各ショ
ット領域に露光するために使用されるステッパー等の投
影露光装置においては、ウエハは、ウエハ上の各ショッ
ト領域を順次高速に露光フィールドに位置決めするため
のウエハステージ上に安定に保持されている。
【０００３】図３は従来のウエハステージの上部の構成
を示し、この図３において、フォトレジストの塗布され
たウエハ１は、円板状のウエハホルダ２の表面に平行に
形成された直線状の凸部３Ａ〜３Ｅ上に真空吸着により
保持され、ウエハホルダ２はＺステージ４の表面に固定
され、Ｚステージ４はＹステージ５上に不図示のガイド
に沿って摺動自在に載置されている。ウエハホルダ２の
表面の凸部３Ａ〜３Ｅにはそれぞれ真空吸着用の排気孔
が形成されている。
を示し、この図３において、フォトレジストの塗布され
たウエハ１は、円板状のウエハホルダ２の表面に平行に
形成された直線状の凸部３Ａ〜３Ｅ上に真空吸着により
保持され、ウエハホルダ２はＺステージ４の表面に固定
され、Ｚステージ４はＹステージ５上に不図示のガイド
に沿って摺動自在に載置されている。ウエハホルダ２の
表面の凸部３Ａ〜３Ｅにはそれぞれ真空吸着用の排気孔
が形成されている。
【０００４】Ｚステージ４とＹステージ５との接触部は
斜めに形成され、Ｚステージ４をＹステージ５に対して
Ｘ方向に摺動させることにより、Ｚステージ４の表面の
高さ（Ｚ方向の位置）が変化するようになっている。更
に、Ｙステージ５は不図示のＸステージ上にＹ方向に移
動自在に載置され、Ｘステージ及びＹステージ５を駆動
することにより、Ｚステージ４をＸ方向及びＹ方向に位
置決めできるようになっている。なお、不図示である
が、Ｚステージ４内にはウエハホルダ２を回転させるた
めのθテーブル、及びウエハ１の傾斜角を調整するため
のレベリングテーブル等も備えられており、Ｚステージ
４、Ｙステージ５、及びＸステージ等からウエハステー
ジが構成されている。
斜めに形成され、Ｚステージ４をＹステージ５に対して
Ｘ方向に摺動させることにより、Ｚステージ４の表面の
高さ（Ｚ方向の位置）が変化するようになっている。更
に、Ｙステージ５は不図示のＸステージ上にＹ方向に移
動自在に載置され、Ｘステージ及びＹステージ５を駆動
することにより、Ｚステージ４をＸ方向及びＹ方向に位
置決めできるようになっている。なお、不図示である
が、Ｚステージ４内にはウエハホルダ２を回転させるた
めのθテーブル、及びウエハ１の傾斜角を調整するため
のレベリングテーブル等も備えられており、Ｚステージ
４、Ｙステージ５、及びＸステージ等からウエハステー
ジが構成されている。
【０００５】また、Ｚステージ４上のウエハホルダ２の
近傍に基準マーク部材８が固定され、基準マーク部材８
の外側にＸ軸用の移動鏡１０Ｘ、及びＹ軸用の移動鏡１
０Ｙが固定され、外部のレーザ干渉計１１Ｘから移動鏡
１０Ｘに計測用の１本のレーザビームが供給され、レー
ザ干渉計１１Ｙから移動鏡１０Ｙに２本のレーザビーム
が供給されている。そして、レーザ干渉計１１Ｘによる
計測値、及びレーザ干渉計１１Ｙによる２つの計測値の
平均値がそれぞれＺステージ４の１次元座標（Ｘ，Ｙ）
となり、レーザ干渉計１１Ｙによる２つの計測値の差分
より、Ｚステージ４の回転角が求められる。また、基準
マーク部材８の表面の遮光膜中にＸ方向に延びたスリッ
ト状開口よりなる基準マーク９Ｙ、及びＹ方向に延びた
スリット状開口よりなる基準マーク９Ｘが形成されてい
る。基準マーク９Ｘ，９Ｙは底部から照明され、基準マ
ーク９Ｘ及び９Ｙを基準として不図示のレチクルのアラ
イメントが行われるため、以下では基準マーク９Ｘ，９
Ｙを「発光マーク」と呼ぶ。
近傍に基準マーク部材８が固定され、基準マーク部材８
の外側にＸ軸用の移動鏡１０Ｘ、及びＹ軸用の移動鏡１
０Ｙが固定され、外部のレーザ干渉計１１Ｘから移動鏡
１０Ｘに計測用の１本のレーザビームが供給され、レー
ザ干渉計１１Ｙから移動鏡１０Ｙに２本のレーザビーム
が供給されている。そして、レーザ干渉計１１Ｘによる
計測値、及びレーザ干渉計１１Ｙによる２つの計測値の
平均値がそれぞれＺステージ４の１次元座標（Ｘ，Ｙ）
となり、レーザ干渉計１１Ｙによる２つの計測値の差分
より、Ｚステージ４の回転角が求められる。また、基準
マーク部材８の表面の遮光膜中にＸ方向に延びたスリッ
ト状開口よりなる基準マーク９Ｙ、及びＹ方向に延びた
スリット状開口よりなる基準マーク９Ｘが形成されてい
る。基準マーク９Ｘ，９Ｙは底部から照明され、基準マ
ーク９Ｘ及び９Ｙを基準として不図示のレチクルのアラ
イメントが行われるため、以下では基準マーク９Ｘ，９
Ｙを「発光マーク」と呼ぶ。
【０００６】更に、図３においては、不図示の投影光学
系の露光フィールド６内にウエハ１上の所定のショット
領域が位置決めされ、露光フィールド６の中心の計測点
に不図示の斜入射方式のＡＦセンサ（焦点位置検出系）
の照射光学系からスリット像７が斜めに投影されてい
る。そして、その計測点からの反射光が斜入射方式のＡ
Ｆセンサの受光光学系内で再結像され、このように再結
像された位置の横ずれ量からその計測点のＺ方向の位置
（焦点位置）が求められる。この焦点位置が結像面の位
置に合致するようにＺステージ４をＺ方向に駆動するこ
とによりオートフォーカスがかけられる。
系の露光フィールド６内にウエハ１上の所定のショット
領域が位置決めされ、露光フィールド６の中心の計測点
に不図示の斜入射方式のＡＦセンサ（焦点位置検出系）
の照射光学系からスリット像７が斜めに投影されてい
る。そして、その計測点からの反射光が斜入射方式のＡ
Ｆセンサの受光光学系内で再結像され、このように再結
像された位置の横ずれ量からその計測点のＺ方向の位置
（焦点位置）が求められる。この焦点位置が結像面の位
置に合致するようにＺステージ４をＺ方向に駆動するこ
とによりオートフォーカスがかけられる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来の投
影露光装置においては、ウエハステージの上部のＺステ
ージ４上にウエハホルダ２、基準マーク部材８、及び移
動鏡１０Ｘ，１０Ｙが突き出る状態で固定されていた。
また、投影露光装置は、通常温度調節された清浄な空気
が循環しているチャンバ内に設置されている。そのた
め、ウエハステージ上に突き出ている部材があると、そ
の部材により空気の流れが乱されて、投影光学系の結像
特性が悪化するという不都合があった。
影露光装置においては、ウエハステージの上部のＺステ
ージ４上にウエハホルダ２、基準マーク部材８、及び移
動鏡１０Ｘ，１０Ｙが突き出る状態で固定されていた。
また、投影露光装置は、通常温度調節された清浄な空気
が循環しているチャンバ内に設置されている。そのた
め、ウエハステージ上に突き出ている部材があると、そ
の部材により空気の流れが乱されて、投影光学系の結像
特性が悪化するという不都合があった。
【０００８】更に、投影光学系の露光フィールド内に斜
めにスリット像等を投影する斜入射方式のＡＦセンサに
おいても、ウエハステージ上で空気の流れの乱れに起因
する焦点検出用の光束の波面の揺らぎがあると、受光光
学系内で再結像されるスリット像等が不鮮明になり、焦
点位置の検出精度が悪化するという不都合がある。本発
明は斯かる点に鑑み、感光基板が載置されるステージの
上部での気体の流れの乱れが減少して、良好な結像特性
が得られる露光装置を提供することを目的とする。
めにスリット像等を投影する斜入射方式のＡＦセンサに
おいても、ウエハステージ上で空気の流れの乱れに起因
する焦点検出用の光束の波面の揺らぎがあると、受光光
学系内で再結像されるスリット像等が不鮮明になり、焦
点位置の検出精度が悪化するという不都合がある。本発
明は斯かる点に鑑み、感光基板が載置されるステージの
上部での気体の流れの乱れが減少して、良好な結像特性
が得られる露光装置を提供することを目的とする。
【０００９】更に、本発明は、斜入射方式のＡＦセンサ
を用いて感光基板の焦点位置の検出を行う露光装置にお
いて、検出用の光束の乱れを減少させて、ＡＦセンサに
よる焦点位置の検出精度を高めることを目的とする。
を用いて感光基板の焦点位置の検出を行う露光装置にお
いて、検出用の光束の乱れを減少させて、ＡＦセンサに
よる焦点位置の検出精度を高めることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による第１の露光
装置は、例えば図１及び図２に示すように、感光基板
（１）を保持する基板保持部（２）と、この基板保持部
を介して感光基板（１）を２次元的に位置決めする基板
ステージ（４，５，２７）とを有し、露光用の照明光の
もとで、マスク（Ｒ）上のパターンを感光基板（１）上
に露光する露光装置において、基板ステージ（４，５，
２７）の上面で感光基板（１）を囲む部分の高さと、そ
の感光基板の表面の高さとが実質的に等しくなるよう
に、基板保持部（２）を基板ステージ（４，５，２７）
の上面に埋め込むようにしたものである。
装置は、例えば図１及び図２に示すように、感光基板
（１）を保持する基板保持部（２）と、この基板保持部
を介して感光基板（１）を２次元的に位置決めする基板
ステージ（４，５，２７）とを有し、露光用の照明光の
もとで、マスク（Ｒ）上のパターンを感光基板（１）上
に露光する露光装置において、基板ステージ（４，５，
２７）の上面で感光基板（１）を囲む部分の高さと、そ
の感光基板の表面の高さとが実質的に等しくなるよう
に、基板保持部（２）を基板ステージ（４，５，２７）
の上面に埋め込むようにしたものである。
【００１１】この場合、その基板ステージを、感光基板
（１）を２次元的に位置決めするＸＹステージ（５，２
７）と、感光基板（１）を高さ方向に位置決めするＺス
テージ（４）とより構成し、基板保持部（２）をＺステ
ージ（４）の上面に埋め込むようにしてもよい。また、
その基板ステージの上方で所定の一方向に温度調整さ
れ、且つ風速分布が均一化された気体を供給する送風手
段（５５，５６）を設けることが望ましい。
（１）を２次元的に位置決めするＸＹステージ（５，２
７）と、感光基板（１）を高さ方向に位置決めするＺス
テージ（４）とより構成し、基板保持部（２）をＺステ
ージ（４）の上面に埋め込むようにしてもよい。また、
その基板ステージの上方で所定の一方向に温度調整さ
れ、且つ風速分布が均一化された気体を供給する送風手
段（５５，５６）を設けることが望ましい。
【００１２】更に、本発明の第２の露光装置は、例えば
図１及び図２に示すように、マスクパターン（Ｒ）の像
を感光基板（１）上に投影する投影光学系（ＰＬ）と、
感光基板（１）の投影光学系（ＰＬ）の光軸方向の位置
を制御する基板ステージ（４，５，２７）と、感光基板
（１）上に投影光学系（ＰＬ）の光軸に対して斜めに焦
点計測用のパターンを投影する照射光学系（４２）と、
感光基板（１）からの反射光を受光してその焦点計測用
のパターンの像を形成する受光光学系（４７）と、を有
し、その受光光学系内で再結像されるその焦点計測用の
パターンの横ずれ量に基づいて基板ステージ（４，５，
２７）を介して感光基板（１）の投影光学系（ＰＬ）の
光軸方向の位置を調整する露光装置において、照射光学
系（４２）の光軸に沿って温度調整され、且つ風速分布
が均一化された気体を流す送風手段（５５，５６）を設
けたものである。
図１及び図２に示すように、マスクパターン（Ｒ）の像
を感光基板（１）上に投影する投影光学系（ＰＬ）と、
感光基板（１）の投影光学系（ＰＬ）の光軸方向の位置
を制御する基板ステージ（４，５，２７）と、感光基板
（１）上に投影光学系（ＰＬ）の光軸に対して斜めに焦
点計測用のパターンを投影する照射光学系（４２）と、
感光基板（１）からの反射光を受光してその焦点計測用
のパターンの像を形成する受光光学系（４７）と、を有
し、その受光光学系内で再結像されるその焦点計測用の
パターンの横ずれ量に基づいて基板ステージ（４，５，
２７）を介して感光基板（１）の投影光学系（ＰＬ）の
光軸方向の位置を調整する露光装置において、照射光学
系（４２）の光軸に沿って温度調整され、且つ風速分布
が均一化された気体を流す送風手段（５５，５６）を設
けたものである。
【００１３】この場合、その送風手段（５５，５６）
は、投影光学系（ＰＬ）と基板ステージ（４，５，２
７）との間に、照射光学系（４２）の光軸と受光光学系
（４７）の光軸とを含む平面と基板ステージ（４，５，
２７）の上面との交線に沿った方向に、温度調整され、
且つ風速分布が均一化された気体を流すことが望まし
い。また、照射光学系（４２）の光路の一部を囲む筒体
（５４）を設け、この筒体内に送風手段（５５，５６）
からの気体を流すことが望ましい。次に、本発明による
第１の走査型露光装置は、例えば図１及び図２に示すよ
うに、マスク（Ｒ）のパターンを感光基板（１）に露光
する走査型露光装置であって、マスク（Ｒ）と感光基板
（１）とを走査し、マスク（Ｒ）のパターンを感光基板
（１）に露光する走査露光機構を有し、この走査露光機
構が感光基板（１）を保持する基板保持部（２）と、こ
の基板保持部（２）を保持するための第１の凹部（４
ａ）を有した基板ステージ（４）とを少なくとも有し、
基板保持部（２）が、基板ステージ（４）の上面と感光
基板（１）の表面とが実質的に同一平面となるように基
板ステージ（４）に保持されているものである。この場
合、基板ステージ（４）にこの基板ステージ（４）の位
置を計測するための移動鏡（１０Ｘ，１０Ｙ）を設けた
場合には、移動鏡（１０Ｘ，１０Ｙ）の上面と基板ステ
ージ（４）の上面とが実質的に同一平面となるように、
移動鏡（１０Ｘ，１０Ｙ）を基板ステージ（４）に設け
ることが望ましい。また、本発明による第２の走査型露
光装置は、例えば図１及び図２に示すように、マスク
（Ｒ）のパターンを感光基板（１）に露光する走査型露
光装置であって、マスク（Ｒ）と感光基板（１）とを走
査し、マスク（Ｒ）のパターンを感光基板（１）に露光
する走査露光機構を有し、この走査露光機構が感光基板
（１）を保持する基板保持部（２）と、この基板保持部
（２）を保持するための第１の凹部（４ａ）を有した基
板ステージ（４）と、この基板ステージ（４）に設けら
れた移動鏡（１０Ｘ，１０Ｙ）と協働して基板ステージ
（４）の位置を計測するレーザ干渉計（１１Ｘ，１１
Ｙ）と、を少なくとも有し、移動鏡（１０Ｘ，１０Ｙ）
の上面と基板ステージ（４）の上面とが実質的に同一平
面となるように、移動鏡（１０Ｘ，１０Ｙ）が基板ステ
ージ（４）に設けられているものである。 これらの場
合、走査露光機構は、マスク（Ｒ）のパターンを感光基
板（１）に投影する投影光学系（ＰＬ）を有しているこ
とが望ましい。また、基板ステージ（４）は、位置合わ
せ用に使用される基準マーク部材（８）を保持するため
の第２の凹部（４ｄ）を備えていることが望ましい。ま
た、基板ステージ（４）に温度調整され、且つ風速分布
が均一化された気体を供給する送風手段（５５，５６）
を備えていることが望ましい。次に、本発明による第１
の走査露光方法は、例えば図１及び図２に示すように、
マスク（Ｒ）のパターンを感光基板（１）に露光する走
査露光方法であって、感光基板（１）を保持可能な基板
保持部（２）を第１の凹部（４ａ）が形成された基板ス
テージ（４）に設ける際に、基板ステージ（４）の上面
と感光基板（１）の表面とが実質的に同一平面となるよ
うに基板保持部（２）を基板ステージ（４）に設けるス
テップと、マスク（Ｒ）と感光基板（１）とを走査し、
マスク（Ｒ）のパターンを感光基板（１）に露光するス
テップとを含むものである。この場合、干渉計の移動鏡
（１０Ｘ，１０Ｙ）をこの移動鏡（１０Ｘ，１０Ｙ）の
上面と基板ステージ（４）の上面とが実質的に同一平面
となるように基板ステージ（４）に設け、露光中にその
移動鏡を用いてその基板ステージの位置を計測すること
が望ましい。また、本発明による第２の走査露光方法
は、例えば図１及び図２に示すように、マスク（Ｒ）の
パターンを感光基板（１）に露光する走査露光方法であ
って、感光基板（１）を保持可能な基板保持部（２）を
第１の凹部（４ａ）が形成された基板ステージ（４）に
設けるステップと、基板ステージ（４）の位置を計測す
るための移動鏡（１０Ｘ，１０Ｙ）をこの移動鏡（１０
Ｘ，１０Ｙ）の上面と基板ステージ（４）の上面とが実
質的に同一平面となるように基板ステージ（４）に設け
るステップと、マスク（Ｒ）と感光基板（１）とを走査
し、マスク（Ｒ）のパターンを感光基板（１）に露光す
るステップとを含むものである。 これらの場合、基板ス
テージ（４）の第１の凹部（４ａ）とは異なる第２の凹
部（４ｄ）に所定のマークが形成された基準マーク部材
（８）を設置し、この基準マーク部材を用いて基板ステ
ージ（４）の位置合わせを行うことが望ましい。また、
基板ステージ（４）に温度調整され、且つ風速分布が均
一化された気体を供給することが望ましい。
は、投影光学系（ＰＬ）と基板ステージ（４，５，２
７）との間に、照射光学系（４２）の光軸と受光光学系
（４７）の光軸とを含む平面と基板ステージ（４，５，
２７）の上面との交線に沿った方向に、温度調整され、
且つ風速分布が均一化された気体を流すことが望まし
い。また、照射光学系（４２）の光路の一部を囲む筒体
（５４）を設け、この筒体内に送風手段（５５，５６）
からの気体を流すことが望ましい。次に、本発明による
第１の走査型露光装置は、例えば図１及び図２に示すよ
うに、マスク（Ｒ）のパターンを感光基板（１）に露光
する走査型露光装置であって、マスク（Ｒ）と感光基板
（１）とを走査し、マスク（Ｒ）のパターンを感光基板
（１）に露光する走査露光機構を有し、この走査露光機
構が感光基板（１）を保持する基板保持部（２）と、こ
の基板保持部（２）を保持するための第１の凹部（４
ａ）を有した基板ステージ（４）とを少なくとも有し、
基板保持部（２）が、基板ステージ（４）の上面と感光
基板（１）の表面とが実質的に同一平面となるように基
板ステージ（４）に保持されているものである。この場
合、基板ステージ（４）にこの基板ステージ（４）の位
置を計測するための移動鏡（１０Ｘ，１０Ｙ）を設けた
場合には、移動鏡（１０Ｘ，１０Ｙ）の上面と基板ステ
ージ（４）の上面とが実質的に同一平面となるように、
移動鏡（１０Ｘ，１０Ｙ）を基板ステージ（４）に設け
ることが望ましい。また、本発明による第２の走査型露
光装置は、例えば図１及び図２に示すように、マスク
（Ｒ）のパターンを感光基板（１）に露光する走査型露
光装置であって、マスク（Ｒ）と感光基板（１）とを走
査し、マスク（Ｒ）のパターンを感光基板（１）に露光
する走査露光機構を有し、この走査露光機構が感光基板
（１）を保持する基板保持部（２）と、この基板保持部
（２）を保持するための第１の凹部（４ａ）を有した基
板ステージ（４）と、この基板ステージ（４）に設けら
れた移動鏡（１０Ｘ，１０Ｙ）と協働して基板ステージ
（４）の位置を計測するレーザ干渉計（１１Ｘ，１１
Ｙ）と、を少なくとも有し、移動鏡（１０Ｘ，１０Ｙ）
の上面と基板ステージ（４）の上面とが実質的に同一平
面となるように、移動鏡（１０Ｘ，１０Ｙ）が基板ステ
ージ（４）に設けられているものである。 これらの場
合、走査露光機構は、マスク（Ｒ）のパターンを感光基
板（１）に投影する投影光学系（ＰＬ）を有しているこ
とが望ましい。また、基板ステージ（４）は、位置合わ
せ用に使用される基準マーク部材（８）を保持するため
の第２の凹部（４ｄ）を備えていることが望ましい。ま
た、基板ステージ（４）に温度調整され、且つ風速分布
が均一化された気体を供給する送風手段（５５，５６）
を備えていることが望ましい。次に、本発明による第１
の走査露光方法は、例えば図１及び図２に示すように、
マスク（Ｒ）のパターンを感光基板（１）に露光する走
査露光方法であって、感光基板（１）を保持可能な基板
保持部（２）を第１の凹部（４ａ）が形成された基板ス
テージ（４）に設ける際に、基板ステージ（４）の上面
と感光基板（１）の表面とが実質的に同一平面となるよ
うに基板保持部（２）を基板ステージ（４）に設けるス
テップと、マスク（Ｒ）と感光基板（１）とを走査し、
マスク（Ｒ）のパターンを感光基板（１）に露光するス
テップとを含むものである。この場合、干渉計の移動鏡
（１０Ｘ，１０Ｙ）をこの移動鏡（１０Ｘ，１０Ｙ）の
上面と基板ステージ（４）の上面とが実質的に同一平面
となるように基板ステージ（４）に設け、露光中にその
移動鏡を用いてその基板ステージの位置を計測すること
が望ましい。また、本発明による第２の走査露光方法
は、例えば図１及び図２に示すように、マスク（Ｒ）の
パターンを感光基板（１）に露光する走査露光方法であ
って、感光基板（１）を保持可能な基板保持部（２）を
第１の凹部（４ａ）が形成された基板ステージ（４）に
設けるステップと、基板ステージ（４）の位置を計測す
るための移動鏡（１０Ｘ，１０Ｙ）をこの移動鏡（１０
Ｘ，１０Ｙ）の上面と基板ステージ（４）の上面とが実
質的に同一平面となるように基板ステージ（４）に設け
るステップと、マスク（Ｒ）と感光基板（１）とを走査
し、マスク（Ｒ）のパターンを感光基板（１）に露光す
るステップとを含むものである。 これらの場合、基板ス
テージ（４）の第１の凹部（４ａ）とは異なる第２の凹
部（４ｄ）に所定のマークが形成された基準マーク部材
（８）を設置し、この基準マーク部材を用いて基板ステ
ージ（４）の位置合わせを行うことが望ましい。また、
基板ステージ（４）に温度調整され、且つ風速分布が均
一化された気体を供給することが望ましい。
【００１４】
【作用】斯かる本発明の第１の露光装置によれば、基板
ステージ（４，５，２７）上に基板保持部（２）が埋め
込まれ、基板保持部（２）に保持される感光基板（１）
の表面の高さがその周囲の基板ステージの上面の高さと
等しくなっているため、その基板ステージの上面がほぼ
平面となり、基板ステージ上を通過する気体の流れが乱
されない。従って、結像特性が良好に維持される。
ステージ（４，５，２７）上に基板保持部（２）が埋め
込まれ、基板保持部（２）に保持される感光基板（１）
の表面の高さがその周囲の基板ステージの上面の高さと
等しくなっているため、その基板ステージの上面がほぼ
平面となり、基板ステージ上を通過する気体の流れが乱
されない。従って、結像特性が良好に維持される。
【００１５】更に、基板ステージ（４，５，２７）上に
アライメント用の基準マーク部材や、レーザ干渉計用の
移動鏡等があるときには、それらの基準マーク部材や移
動鏡等もその基板ステージ上に埋め込むことにより、空
気の流れが更に安定化する。また、送風手段から基板ス
テージの上方で所定の一方向に温度調整され、且つ風速
分布が均一化された気体を供給するときには、その気体
が基板ステージ上で乱されることなくその所定の一方向
に流れるため、結像特性が所定の良好な状態に安定に維
持される。
アライメント用の基準マーク部材や、レーザ干渉計用の
移動鏡等があるときには、それらの基準マーク部材や移
動鏡等もその基板ステージ上に埋め込むことにより、空
気の流れが更に安定化する。また、送風手段から基板ス
テージの上方で所定の一方向に温度調整され、且つ風速
分布が均一化された気体を供給するときには、その気体
が基板ステージ上で乱されることなくその所定の一方向
に流れるため、結像特性が所定の良好な状態に安定に維
持される。
【００１６】次に、本発明の第２の露光装置によれば、
斜入射方式の焦点位置検出系（ＡＦセンサ）を構成する
照射光学系（４２）の光軸に沿って、温度調整され、且
つ風速分布が均一化された気体が供給されるため、検出
用の光束が通過する領域の屈折率分布が一様、且つ安定
になる。従って、その検出用の光束の乱れがなくなり、
焦点位置の検出精度が向上する。次に、本発明の走査型
露光装置及び走査露光方法によれば、基板ステージ
（４）の第１の凹部（４ａ）に感光基板（１）を保持す
る基板保持部（２）を保持しているので、基板ステージ
（４）上を通過する気体の流れが乱されない。従って、
結像特性が良好に維持される。基板ステージ（４）に移
動鏡（１０Ｘ，１０Ｙ）を設ける場合には、移動鏡（１
０Ｘ，１０Ｙ）の上面と基板ステージ（４）の上面とが
実質的に同一平面となるように、移動鏡（１０Ｘ，１０
Ｙ）を基板ステージ（４）に設けることにより、気体の
流れが更に安定する。また、位置合わせ用に使用される
基準マーク部材（８）を第２の凹部（４ｄ）に保持する
ことにより、気体の流れが更に安定する。また、基板ス
テージ（４）に温度調整され、且つ風速分布が均一化さ
れた気体を供給するときには、その気体が基板ステージ
（４）で乱されることもない。
斜入射方式の焦点位置検出系（ＡＦセンサ）を構成する
照射光学系（４２）の光軸に沿って、温度調整され、且
つ風速分布が均一化された気体が供給されるため、検出
用の光束が通過する領域の屈折率分布が一様、且つ安定
になる。従って、その検出用の光束の乱れがなくなり、
焦点位置の検出精度が向上する。次に、本発明の走査型
露光装置及び走査露光方法によれば、基板ステージ
（４）の第１の凹部（４ａ）に感光基板（１）を保持す
る基板保持部（２）を保持しているので、基板ステージ
（４）上を通過する気体の流れが乱されない。従って、
結像特性が良好に維持される。基板ステージ（４）に移
動鏡（１０Ｘ，１０Ｙ）を設ける場合には、移動鏡（１
０Ｘ，１０Ｙ）の上面と基板ステージ（４）の上面とが
実質的に同一平面となるように、移動鏡（１０Ｘ，１０
Ｙ）を基板ステージ（４）に設けることにより、気体の
流れが更に安定する。また、位置合わせ用に使用される
基準マーク部材（８）を第２の凹部（４ｄ）に保持する
ことにより、気体の流れが更に安定する。また、基板ス
テージ（４）に温度調整され、且つ風速分布が均一化さ
れた気体を供給するときには、その気体が基板ステージ
（４）で乱されることもない。
【００１７】
【実施例】以下、本発明による露光装置の一実施例につ
き図１及び図２を参照して説明する。本実施例は斜入射
方式のＡＦセンサを備えた投影露光装置に本発明を適用
したものである。図１は本実施例の投影露光装置の要部
の構成を示し、この図１において、不図示の光源から露
光用の照明光ＩＬがフライアイレンズ２１に供給されて
いる。照明光ＩＬとしては、水銀ランプからのｇ線、ｉ
線、あるいはエキシマレーザ光源からの紫外線パルス光
等が使用される。フライアイレンズ２１の射出面の多数
の光源像からの照明光ＩＬは、透過率が大きく反射率の
小さなビームスプリッター２２を通過した後、コンデン
サーレンズ２３及びミラー２４を経て、レチクルＲのパ
ターン領域ＰＡを均一な照度分布で落射照明する。レチ
クルＲはレチクルホルダ２５を介してレチクルステージ
２６上に保持され、レチクルステージ２６は所定の範囲
内でレチクルＲの位置決めを行うことができ、レチクル
ステージ２６の２次元的な位置、及び回転角が不図示の
レーザ干渉計により計測され、この計測結果が装置全体
を統轄制御する主制御系３０に供給されている。
き図１及び図２を参照して説明する。本実施例は斜入射
方式のＡＦセンサを備えた投影露光装置に本発明を適用
したものである。図１は本実施例の投影露光装置の要部
の構成を示し、この図１において、不図示の光源から露
光用の照明光ＩＬがフライアイレンズ２１に供給されて
いる。照明光ＩＬとしては、水銀ランプからのｇ線、ｉ
線、あるいはエキシマレーザ光源からの紫外線パルス光
等が使用される。フライアイレンズ２１の射出面の多数
の光源像からの照明光ＩＬは、透過率が大きく反射率の
小さなビームスプリッター２２を通過した後、コンデン
サーレンズ２３及びミラー２４を経て、レチクルＲのパ
ターン領域ＰＡを均一な照度分布で落射照明する。レチ
クルＲはレチクルホルダ２５を介してレチクルステージ
２６上に保持され、レチクルステージ２６は所定の範囲
内でレチクルＲの位置決めを行うことができ、レチクル
ステージ２６の２次元的な位置、及び回転角が不図示の
レーザ干渉計により計測され、この計測結果が装置全体
を統轄制御する主制御系３０に供給されている。
【００１８】レチクルＲのパターン領域ＰＡを通過した
照明光ＩＬは、両側テレセントリック（片側テレセント
リックも可）な投影光学系ＰＬを介してウエハ１上にパ
ターン領域ＰＡの像を形成する。ウエハ１は、ウエハホ
ルダ２上に真空吸着により保持され、ウエハホルダ２は
ウエハステージ上に埋め込まれている。本例のウエハス
テージは、Ｚステージ４、Ｙステージ５、Ｘステージ２
７、及びベース２８より構成されている。ここで、投影
光学系ＰＬの光軸ＡＸに平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直
な平面内で図１の紙面に平行にＸ軸を、図１の紙面に垂
直にＹ軸を取る。
照明光ＩＬは、両側テレセントリック（片側テレセント
リックも可）な投影光学系ＰＬを介してウエハ１上にパ
ターン領域ＰＡの像を形成する。ウエハ１は、ウエハホ
ルダ２上に真空吸着により保持され、ウエハホルダ２は
ウエハステージ上に埋め込まれている。本例のウエハス
テージは、Ｚステージ４、Ｙステージ５、Ｘステージ２
７、及びベース２８より構成されている。ここで、投影
光学系ＰＬの光軸ＡＸに平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直
な平面内で図１の紙面に平行にＸ軸を、図１の紙面に垂
直にＹ軸を取る。
【００１９】図４は、Ｚステージ４の上面の状態を示
し、この図４において、Ｚステージ４の上面の凹部４ａ
内にウエハホルダ２が固定され、ウエハホルダ２上に保
持されているウエハ１の表面の高さ（Ｚ方向の位置）
は、Ｚステージ４の上面の高さと等しく設定されてい
る。また、Ｚステージ４の上面の凹部４ａに近接して凹
部４ｄが形成され、この凹部４ｄ内に基準マーク部材８
が埋め込まれ、基準マーク部材８の表面の高さもＺステ
ージ４の上面の高さと等しく設定されている。基準マー
ク部材８はガラス基板よりなり、基準マーク部材８の表
面の遮光膜内に発光マーク９Ｘ，９Ｙが形成されてい
る。
し、この図４において、Ｚステージ４の上面の凹部４ａ
内にウエハホルダ２が固定され、ウエハホルダ２上に保
持されているウエハ１の表面の高さ（Ｚ方向の位置）
は、Ｚステージ４の上面の高さと等しく設定されてい
る。また、Ｚステージ４の上面の凹部４ａに近接して凹
部４ｄが形成され、この凹部４ｄ内に基準マーク部材８
が埋め込まれ、基準マーク部材８の表面の高さもＺステ
ージ４の上面の高さと等しく設定されている。基準マー
ク部材８はガラス基板よりなり、基準マーク部材８の表
面の遮光膜内に発光マーク９Ｘ，９Ｙが形成されてい
る。
【００２０】更に、Ｚステージ４の−Ｘ方向の端部の切
欠き部４ｂにＸ軸用の移動鏡１０Ｘが固定され、Ｚステ
ージ４の−Ｙ方向の端部の切欠き部４ｃにＹ軸用の移動
鏡１０Ｙが固定されている。移動鏡１０Ｘ，１０Ｙの上
面の高さもＺステージ４の上面の高さと同一に設定され
ている。そして、移動鏡１０Ｘ及び１０Ｙに対向するよ
うにそれぞれレーザ干渉計１１Ｘ及び１１Ｙが配置さ
れ、これらのレーザ干渉計１１Ｘ，１１ＹによりＺステ
ージ４の２次元の座標（Ｘ，Ｙ）、及び回転角が検出さ
れる。また、Ｚステージ４はＹステージ５上に斜めに摺
動自在に載置され、内部の送りねじ、及び駆動モータを
介してＺステージ４をＹステージ５に沿って摺動させる
ことによりＺステージ４のＺ座標を調整できるようにな
っている。この場合、予めその送りねじの回転角と、Ｚ
ステージ４のＺ方向への変位量との関係が求められ、そ
の送りねじの回転角をロータリエンコーダにより検出す
ることにより、Ｚステージ４のＺ方向への変位量がモニ
タできるようになっている。
欠き部４ｂにＸ軸用の移動鏡１０Ｘが固定され、Ｚステ
ージ４の−Ｙ方向の端部の切欠き部４ｃにＹ軸用の移動
鏡１０Ｙが固定されている。移動鏡１０Ｘ，１０Ｙの上
面の高さもＺステージ４の上面の高さと同一に設定され
ている。そして、移動鏡１０Ｘ及び１０Ｙに対向するよ
うにそれぞれレーザ干渉計１１Ｘ及び１１Ｙが配置さ
れ、これらのレーザ干渉計１１Ｘ，１１ＹによりＺステ
ージ４の２次元の座標（Ｘ，Ｙ）、及び回転角が検出さ
れる。また、Ｚステージ４はＹステージ５上に斜めに摺
動自在に載置され、内部の送りねじ、及び駆動モータを
介してＺステージ４をＹステージ５に沿って摺動させる
ことによりＺステージ４のＺ座標を調整できるようにな
っている。この場合、予めその送りねじの回転角と、Ｚ
ステージ４のＺ方向への変位量との関係が求められ、そ
の送りねじの回転角をロータリエンコーダにより検出す
ることにより、Ｚステージ４のＺ方向への変位量がモニ
タできるようになっている。
【００２１】なお、Ｚステージ４内にはウエハ１の傾斜
角を制御するためのレベリングステージ、及びウエハ１
を所定範囲内で回転させるθテーブル等も組み込まれて
いる。これに関して、Ｚステージ４としては、例えばそ
れぞれＺ方向に伸縮自在な３個の支点を介してステージ
の表面の高さ、及び傾斜角を制御するステージを使用し
てもよい。
角を制御するためのレベリングステージ、及びウエハ１
を所定範囲内で回転させるθテーブル等も組み込まれて
いる。これに関して、Ｚステージ４としては、例えばそ
れぞれＺ方向に伸縮自在な３個の支点を介してステージ
の表面の高さ、及び傾斜角を制御するステージを使用し
てもよい。
【００２２】図１に戻り、Ｙステージ５はＸステージ２
７上にＹ方向に移動自在に載置され、Ｘステージ２７は
ベース２８上にＸ方向に移動自在に載置されている。更
に、レーザ干渉計１１Ｘ，及び１１Ｙ（図２参照）で計
測されたＺステージ４の２次元座標（Ｘ，Ｙ）及び回転
角を示す位置情報Ｓ２、及びＺステージ４内のＺ方向へ
の変位を検出するためのエンコーダからの高さ情報Ｓ３
がステージ駆動系２９に供給されている。ステージ駆動
系２９は、主制御系３０からの制御情報Ｓ１、及び位置
情報Ｓ２に基づいて、Ｘステージ２７、Ｙステージ５の
Ｘ方向、Ｙ方向への位置を制御すると共に、その制御情
報Ｓ１、及び高さ情報Ｓ３に基づいてＺステージ４のＺ
方向への位置を制御する。
７上にＹ方向に移動自在に載置され、Ｘステージ２７は
ベース２８上にＸ方向に移動自在に載置されている。更
に、レーザ干渉計１１Ｘ，及び１１Ｙ（図２参照）で計
測されたＺステージ４の２次元座標（Ｘ，Ｙ）及び回転
角を示す位置情報Ｓ２、及びＺステージ４内のＺ方向へ
の変位を検出するためのエンコーダからの高さ情報Ｓ３
がステージ駆動系２９に供給されている。ステージ駆動
系２９は、主制御系３０からの制御情報Ｓ１、及び位置
情報Ｓ２に基づいて、Ｘステージ２７、Ｙステージ５の
Ｘ方向、Ｙ方向への位置を制御すると共に、その制御情
報Ｓ１、及び高さ情報Ｓ３に基づいてＺステージ４のＺ
方向への位置を制御する。
【００２３】次に、本例ではレチクルＲのウエハステー
ジに対する位置合わせを所謂イメージング・スリット・
センサ方式（以下、「ＩＳＳ方式」と呼ぶ）で行うの
で、以下ではそのための機構につき説明する。このＩＳ
Ｓ方式では、先ず図１において、レチクルＲのパターン
領域ＰＡに＋Ｘ方向に隣接するように、Ｘ方向に延びた
開口パターンよりなるアライメントマーク３６Ｙが形成
され、パターン領域ＰＡに＋Ｙ方向に隣接するように、
Ｙ方向に延びた開口パターンよりなるアライメントマー
ク３６Ｘが形成されている。アライメントマーク３６Ｘ
及び３６Ｙは、それぞれ図２の基準マーク部材８上に形
成された発光マーク９Ｘ及び９Ｙをレチクル側に投影し
た共役像と同じ大きさである。また、アライメントマー
ク３６Ｘの延長方向とアライメントマーク３６Ｙの延長
方向との交点が、レチクルＲの中心となっている。
ジに対する位置合わせを所謂イメージング・スリット・
センサ方式（以下、「ＩＳＳ方式」と呼ぶ）で行うの
で、以下ではそのための機構につき説明する。このＩＳ
Ｓ方式では、先ず図１において、レチクルＲのパターン
領域ＰＡに＋Ｘ方向に隣接するように、Ｘ方向に延びた
開口パターンよりなるアライメントマーク３６Ｙが形成
され、パターン領域ＰＡに＋Ｙ方向に隣接するように、
Ｙ方向に延びた開口パターンよりなるアライメントマー
ク３６Ｘが形成されている。アライメントマーク３６Ｘ
及び３６Ｙは、それぞれ図２の基準マーク部材８上に形
成された発光マーク９Ｘ及び９Ｙをレチクル側に投影し
た共役像と同じ大きさである。また、アライメントマー
ク３６Ｘの延長方向とアライメントマーク３６Ｙの延長
方向との交点が、レチクルＲの中心となっている。
【００２４】図１のＩＳＳ方式の照明系において、光源
３１は露光用の照明光ＩＬの波長と同一か、又はその近
傍の波長の照明光ＩＥを発生する。この照明光ＩＥはレ
ンズ３２、光ガイド３３を介してＺステージ４の内部の
基準マーク部材８の底部に送られる。光ガイド３３から
射出された照明光ＩＥは、レンズ３４によって集光さ
れ、ミラー３５で反射されて基準マーク部材８上の発光
マーク９Ｘ，９Ｙ（図２参照）を下側から照明する。発
光マーク９Ｘ，９Ｙの投影光学系ＰＬを介した像は、そ
れぞれレチクルＲに設けられたアライメントマーク３６
Ｘ，３６Ｙの近傍に結像する。
３１は露光用の照明光ＩＬの波長と同一か、又はその近
傍の波長の照明光ＩＥを発生する。この照明光ＩＥはレ
ンズ３２、光ガイド３３を介してＺステージ４の内部の
基準マーク部材８の底部に送られる。光ガイド３３から
射出された照明光ＩＥは、レンズ３４によって集光さ
れ、ミラー３５で反射されて基準マーク部材８上の発光
マーク９Ｘ，９Ｙ（図２参照）を下側から照明する。発
光マーク９Ｘ，９Ｙの投影光学系ＰＬを介した像は、そ
れぞれレチクルＲに設けられたアライメントマーク３６
Ｘ，３６Ｙの近傍に結像する。
【００２５】このとき、例えばレチクルＲのＹ方向の位
置を検出するために、主制御系３０はＹステージ５をＹ
方向に駆動することによって、アライメントマーク３６
Ｙと発光マーク９Ｙとを相対走査させる。アライメント
マーク３６Ｙを透過した照明光ＩＥは、ミラー２４、コ
ンデンサーレンズ２３を経てビームスプリッタ２２に入
射し、ビームスプリッタ２２で反射された光が光電検出
器３７で受光される。光電検出器３７からの光電信号Ｓ
ｉ、及びレーザ干渉計１１Ｘ，１１Ｙからの位置情報Ｓ
２がＩＳＳ処理回路３８に供給される。この場合、発光
マーク９Ｙの共役像がアライメントマーク３６Ｙと重な
るときに光電信号Ｓｉが最大となることを利用して、Ｉ
ＳＳ処理回路３８では光電信号Ｓｉが最大となるときの
Ｚステージ４のＹ座標、即ちレチクルＲの中心のＹ座標
を求めて主制御系３０に供給する。
置を検出するために、主制御系３０はＹステージ５をＹ
方向に駆動することによって、アライメントマーク３６
Ｙと発光マーク９Ｙとを相対走査させる。アライメント
マーク３６Ｙを透過した照明光ＩＥは、ミラー２４、コ
ンデンサーレンズ２３を経てビームスプリッタ２２に入
射し、ビームスプリッタ２２で反射された光が光電検出
器３７で受光される。光電検出器３７からの光電信号Ｓ
ｉ、及びレーザ干渉計１１Ｘ，１１Ｙからの位置情報Ｓ
２がＩＳＳ処理回路３８に供給される。この場合、発光
マーク９Ｙの共役像がアライメントマーク３６Ｙと重な
るときに光電信号Ｓｉが最大となることを利用して、Ｉ
ＳＳ処理回路３８では光電信号Ｓｉが最大となるときの
Ｚステージ４のＹ座標、即ちレチクルＲの中心のＹ座標
を求めて主制御系３０に供給する。
【００２６】同様に、アライメントマーク３６Ｘと発光
マーク９ＸとをＸ方向に走査走査した状態で、光電検出
器３７からの光電信号Ｓｉと位置情報Ｓ２とをモニタす
ることにより、ＩＳＳ処理回路３８でレチクルＲの中心
のＸ座標が検出されて主制御系３０に供給される。主制
御系３０は、必要に応じて不図示のレチクル駆動系を介
してレチクルステージ２６の位置を制御することによ
り、レチクルＲの位置を調整する。
マーク９ＸとをＸ方向に走査走査した状態で、光電検出
器３７からの光電信号Ｓｉと位置情報Ｓ２とをモニタす
ることにより、ＩＳＳ処理回路３８でレチクルＲの中心
のＸ座標が検出されて主制御系３０に供給される。主制
御系３０は、必要に応じて不図示のレチクル駆動系を介
してレチクルステージ２６の位置を制御することによ
り、レチクルＲの位置を調整する。
【００２７】次に、本例の投影露光装置はウエハ１上の
位置合わせ用のマーク（ウエハマーク）を検出するため
にオフ・アクシス方式のアライメント系を備えている。
このアライメント系の詳細な構成については特開昭６２
−１７１１２５号公報に開示されているのでここでは簡
単に説明する。そのアライメント系は、投影光学系ＰＬ
の側面に配置されたアライメント光学系３９、２次元Ｃ
ＣＤ等の撮像素子４０及び信号処理回路４１より構成さ
れている。
位置合わせ用のマーク（ウエハマーク）を検出するため
にオフ・アクシス方式のアライメント系を備えている。
このアライメント系の詳細な構成については特開昭６２
−１７１１２５号公報に開示されているのでここでは簡
単に説明する。そのアライメント系は、投影光学系ＰＬ
の側面に配置されたアライメント光学系３９、２次元Ｃ
ＣＤ等の撮像素子４０及び信号処理回路４１より構成さ
れている。
【００２８】アライメント光学系３９の光軸は投影光学
系ＰＬの光軸ＡＸから所定の距離だけＸ方向に離れ、ア
ライメント光学系３９は照明光としてある帯域幅を持つ
ブロードな波長分布の照明光をウエハ１上に照射する。
そして、アライメント光学系３９のウエハ１上における
検出中心は図２のレーザ干渉計１１Ｙの一方の測定軸に
一致するように定められている。
系ＰＬの光軸ＡＸから所定の距離だけＸ方向に離れ、ア
ライメント光学系３９は照明光としてある帯域幅を持つ
ブロードな波長分布の照明光をウエハ１上に照射する。
そして、アライメント光学系３９のウエハ１上における
検出中心は図２のレーザ干渉計１１Ｙの一方の測定軸に
一致するように定められている。
【００２９】この場合、ウエハ１上のウエハマークから
の反射光は再びアライメント光学系３９に入射し、その
ウエハマークの像はアライメント光学系３９中に設けら
れている指標板の下面に結像する。そして、そのウエハ
マークの像、及び指標板に形成された指標マークの像
が、アライメント光学系３９に装着された撮像素子４０
の撮像面に重畳して結像される。撮像素子４０からの撮
像信号Ｓｆ、及びレーザ干渉計１１Ｘ，１１Ｙからの位
置情報Ｓ２が信号処理回路４１に供給され、信号処理回
路４１ではそのウエハマークの座標（Ｘ，Ｙ）を求めて
主制御系３０に供給する。このようにして求められた座
標に基づいて、ウエハ１の各ショット領域の位置決めが
行われる。
の反射光は再びアライメント光学系３９に入射し、その
ウエハマークの像はアライメント光学系３９中に設けら
れている指標板の下面に結像する。そして、そのウエハ
マークの像、及び指標板に形成された指標マークの像
が、アライメント光学系３９に装着された撮像素子４０
の撮像面に重畳して結像される。撮像素子４０からの撮
像信号Ｓｆ、及びレーザ干渉計１１Ｘ，１１Ｙからの位
置情報Ｓ２が信号処理回路４１に供給され、信号処理回
路４１ではそのウエハマークの座標（Ｘ，Ｙ）を求めて
主制御系３０に供給する。このようにして求められた座
標に基づいて、ウエハ１の各ショット領域の位置決めが
行われる。
【００３０】さて、次に本装置に組み込まれている斜入
射方式のＡＦセンサ（焦点検出系）の構成について説明
する。本例の斜入射方式のＡＦセンサは、照射光学系４
２、受光光学系４７、及びＡＦ信号処理回路５２より構
成されている。照射光学系４２において、投光器４３か
らウエハ１に塗布されている感光材料（フォトレジスト
等）を感光させない波長帯の検出光（例えば赤外光等）
が射出される。この投光器４３中には送光用のスリット
板が設けられ、このスリット板中のスリットを通過した
検出光が、平行平板ガラス（プレーンパラレル）４５、
及び集光レンズ４６を通って、ウエハ１上にスリット像
７として照射される。このスリット像７の中心点は、投
影光学系ＰＬの光軸ＡＸとウエハ１の表面とが交差する
点に位置する。図１において、平行平板ガラス４５は投
光器４３内の送光用のスリット板の近傍に配置されてい
る。更に平行平板ガラス４５は図１の紙面と垂直なＹ方
向、及び図１の紙面に平行な方向にそれぞれ回転軸を有
し、これらの回転軸を中心に微小量回転できるようにな
っている。駆動部４４は平行平板ガラス４５を２つの回
転軸の回りにそれぞれ所定の角度範囲内で回転させる。
この回転によってスリット像７の結像位置、即ち焦点位
置の計測点はウエハ１の表面に沿ってほぼＸ方向及びＹ
方向に変位する。
射方式のＡＦセンサ（焦点検出系）の構成について説明
する。本例の斜入射方式のＡＦセンサは、照射光学系４
２、受光光学系４７、及びＡＦ信号処理回路５２より構
成されている。照射光学系４２において、投光器４３か
らウエハ１に塗布されている感光材料（フォトレジスト
等）を感光させない波長帯の検出光（例えば赤外光等）
が射出される。この投光器４３中には送光用のスリット
板が設けられ、このスリット板中のスリットを通過した
検出光が、平行平板ガラス（プレーンパラレル）４５、
及び集光レンズ４６を通って、ウエハ１上にスリット像
７として照射される。このスリット像７の中心点は、投
影光学系ＰＬの光軸ＡＸとウエハ１の表面とが交差する
点に位置する。図１において、平行平板ガラス４５は投
光器４３内の送光用のスリット板の近傍に配置されてい
る。更に平行平板ガラス４５は図１の紙面と垂直なＹ方
向、及び図１の紙面に平行な方向にそれぞれ回転軸を有
し、これらの回転軸を中心に微小量回転できるようにな
っている。駆動部４４は平行平板ガラス４５を２つの回
転軸の回りにそれぞれ所定の角度範囲内で回転させる。
この回転によってスリット像７の結像位置、即ち焦点位
置の計測点はウエハ１の表面に沿ってほぼＸ方向及びＹ
方向に変位する。
【００３１】ウエハ１上の計測点で反射された検出光
（反射光）は、受光光学系４７において、集光レンズ４
８、及び平行平板ガラス４９を通って受光器５０に受光
される。この受光器５０中には受光用スリット板が設け
られており、この受光用スリット板のスリットを通過し
た光が光電検出される。また、平行平板ガラス４９もＹ
方向に平行な回転軸を有し、駆動部５１によって平行平
板ガラス４９を所定の角度範囲内で回転できるようにな
っている。平行平板ガラス４９の回転により、受光器５
０における反射光の受光位置が調整できる。この反射光
の受光位置の調整方向は、ウエハ１がＺ方向に変位した
ときの受光位置の変位方向に合致し、ウエハ１上の計測
点のＺ方向の位置（焦点位置）が所定の基準面（例えば
結像面）に合致している状態で、受光器５０内での受光
位置が検出中心となるように平行平板ガラス４９の回転
角が調整される。
（反射光）は、受光光学系４７において、集光レンズ４
８、及び平行平板ガラス４９を通って受光器５０に受光
される。この受光器５０中には受光用スリット板が設け
られており、この受光用スリット板のスリットを通過し
た光が光電検出される。また、平行平板ガラス４９もＹ
方向に平行な回転軸を有し、駆動部５１によって平行平
板ガラス４９を所定の角度範囲内で回転できるようにな
っている。平行平板ガラス４９の回転により、受光器５
０における反射光の受光位置が調整できる。この反射光
の受光位置の調整方向は、ウエハ１がＺ方向に変位した
ときの受光位置の変位方向に合致し、ウエハ１上の計測
点のＺ方向の位置（焦点位置）が所定の基準面（例えば
結像面）に合致している状態で、受光器５０内での受光
位置が検出中心となるように平行平板ガラス４９の回転
角が調整される。
【００３２】受光器５０からはウエハ１上の計測点の焦
点位置の基準面からのずれ量に対応する焦点信号Ｓａが
出力され、この焦点信号Ｓａ、及びレーザ干渉計１０
Ｘ，１０Ｙからの位置情報Ｓ２が信号処理回路５２に供
給される。信号処理回路５２は、ウエハ１上の計測点と
基準面とのＺ方向への偏差量を検出して主制御系３０に
供給する。主制御系３０は、その偏差量が０になるよう
にオートフォーカス方式で、ステージ駆動系２９を介し
てＺステージ４のＺ方向の位置を制御する。
点位置の基準面からのずれ量に対応する焦点信号Ｓａが
出力され、この焦点信号Ｓａ、及びレーザ干渉計１０
Ｘ，１０Ｙからの位置情報Ｓ２が信号処理回路５２に供
給される。信号処理回路５２は、ウエハ１上の計測点と
基準面とのＺ方向への偏差量を検出して主制御系３０に
供給する。主制御系３０は、その偏差量が０になるよう
にオートフォーカス方式で、ステージ駆動系２９を介し
てＺステージ４のＺ方向の位置を制御する。
【００３３】更に、本例の斜入射方式のＡＦセンサにお
いて、照射光学系４２の光軸ＡＸ１、及び受光光学系４
７の光軸ＡＸ２に沿って温度調節され、且つ風速分布が
均一化された気体が流されている。即ち、図１におい
て、不図示の空調装置に接続された吹き出し口５３か
ら、所定の温度に調節された気体が吹き出している。気
体としては例えば外部から容易に取り込める空気が使用
できる。但し、その気体として窒素、又はヘリウムや、
これらの混合気体等を使用してもよい。その吹き出し口
５３の前面に、照射光学系４２の光軸ＡＸ１を囲むよう
に円筒５４が配置され、円筒５４内の吹き出し口５３の
直前に風速を一定にするための送風用のファン５５が設
置されている。但し、吹き出し口５３からはほぼ一定の
風速で気体が吹き出しているため、その送風用のファン
５５は必ずしも必要ではない。
いて、照射光学系４２の光軸ＡＸ１、及び受光光学系４
７の光軸ＡＸ２に沿って温度調節され、且つ風速分布が
均一化された気体が流されている。即ち、図１におい
て、不図示の空調装置に接続された吹き出し口５３か
ら、所定の温度に調節された気体が吹き出している。気
体としては例えば外部から容易に取り込める空気が使用
できる。但し、その気体として窒素、又はヘリウムや、
これらの混合気体等を使用してもよい。その吹き出し口
５３の前面に、照射光学系４２の光軸ＡＸ１を囲むよう
に円筒５４が配置され、円筒５４内の吹き出し口５３の
直前に風速を一定にするための送風用のファン５５が設
置されている。但し、吹き出し口５３からはほぼ一定の
風速で気体が吹き出しているため、その送風用のファン
５５は必ずしも必要ではない。
【００３４】また、円筒５４内で送風用のファン５５の
後に、風速分布を均一化するためのフィルタ装置５６が
設置されている。フィルタ装置５６は、微細な塵等を除
去するための所謂ＨＥＰＡ（High Efficiency Particul
ate Air ）フィルタと、メッシュ構造を有し内部を通過
する気体の風速分布を均一化する機械的なフィルタとよ
りなる。そのフィルタ装置５６の後の円筒５４内に、照
射光学系４２の大部分が収納され、円筒５４の周囲に設
けられた切欠き部に、投光器４３及び駆動部４４の一部
が取り付けられている。従って、フィルタ装置５６を通
過した後の所定の風速で、且つ風速分布が一定の気体５
７が照射光学系４２の光軸ＡＸ１に沿ってウエハ１側に
供給され、その気体５７内を投光器４３からの検出光が
通過している。
後に、風速分布を均一化するためのフィルタ装置５６が
設置されている。フィルタ装置５６は、微細な塵等を除
去するための所謂ＨＥＰＡ（High Efficiency Particul
ate Air ）フィルタと、メッシュ構造を有し内部を通過
する気体の風速分布を均一化する機械的なフィルタとよ
りなる。そのフィルタ装置５６の後の円筒５４内に、照
射光学系４２の大部分が収納され、円筒５４の周囲に設
けられた切欠き部に、投光器４３及び駆動部４４の一部
が取り付けられている。従って、フィルタ装置５６を通
過した後の所定の風速で、且つ風速分布が一定の気体５
７が照射光学系４２の光軸ＡＸ１に沿ってウエハ１側に
供給され、その気体５７内を投光器４３からの検出光が
通過している。
【００３５】一方、受光光学系４７の光軸ＡＸ２を囲む
ように円筒５８が配置され、円筒５８内に受光光学系４
７の大部分が設置され、駆動部５１、及び受光器５０の
一部が円筒５８の周囲の切欠き部に取り付けられてい
る。また、円筒５８のＺステージ４側の開放端の近傍
に、アライメント光学系３９、及びアライメント光学系
３９からの照明光を通過させる切欠き部が設けられてい
る。そして、円筒５４から照射光学系４２の光軸ＡＸ１
に沿って供給された気体５７は、ウエハ１の表面及びＺ
ステージ４の上面を通過して受光光学系４７の円筒５８
内に入り、円筒５８内を通過した気体が円筒５８の受光
器５０側の開放端から外部に排出されている。
ように円筒５８が配置され、円筒５８内に受光光学系４
７の大部分が設置され、駆動部５１、及び受光器５０の
一部が円筒５８の周囲の切欠き部に取り付けられてい
る。また、円筒５８のＺステージ４側の開放端の近傍
に、アライメント光学系３９、及びアライメント光学系
３９からの照明光を通過させる切欠き部が設けられてい
る。そして、円筒５４から照射光学系４２の光軸ＡＸ１
に沿って供給された気体５７は、ウエハ１の表面及びＺ
ステージ４の上面を通過して受光光学系４７の円筒５８
内に入り、円筒５８内を通過した気体が円筒５８の受光
器５０側の開放端から外部に排出されている。
【００３６】この際に、ウエハ１の表面、基準マーク部
材８の表面、及びＺステージ４の上面の高さは同一であ
るため、円筒５４から吹き出された気体は乱されること
なく円筒５８内に入る。そのため、投光器４３から射出
された斜入射方式のＡＦセンサの検出光は、一定の風速
で且つ風速分布が一様な気体の中、即ち屈折率分布が一
様な気体中を通過するため、スリット像７の結像状態が
良好であると共に、受光光学系４７内で再結像されるス
リット像の結像状態も良好である。従って、ウエハ１の
焦点位置の検出精度が高い利点がある。同様に、投影光
学系ＰＬからの露光用の照明光ＩＬも屈折率分布が一様
な気体中を通過するため、レチクルＲのパターン像が高
い解像度でウエハ１上に投影される。
材８の表面、及びＺステージ４の上面の高さは同一であ
るため、円筒５４から吹き出された気体は乱されること
なく円筒５８内に入る。そのため、投光器４３から射出
された斜入射方式のＡＦセンサの検出光は、一定の風速
で且つ風速分布が一様な気体の中、即ち屈折率分布が一
様な気体中を通過するため、スリット像７の結像状態が
良好であると共に、受光光学系４７内で再結像されるス
リット像の結像状態も良好である。従って、ウエハ１の
焦点位置の検出精度が高い利点がある。同様に、投影光
学系ＰＬからの露光用の照明光ＩＬも屈折率分布が一様
な気体中を通過するため、レチクルＲのパターン像が高
い解像度でウエハ１上に投影される。
【００３７】また、本例では照射光学系４２の光軸ＡＸ
１、及び受光光学系４７の光軸ＡＸ２のＺステージ４の
上面への投影像の方向はＸ軸に平行に設定されている。
更に、図２に示すように、レーザ干渉計１１Ｘからのレ
ーザビームはＸ軸に平行に移動鏡１０Ｘに照射され、レ
ーザ干渉計１１Ｙからの２本のレーザビームはＸ軸に垂
直に（Ｙ軸に平行に）移動鏡１０Ｙに照射されている。
従って、円筒５４からＺステージ４に吹き出される気体
は、レーザ干渉計１１Ｘ，１１Ｙからのレーザビームに
対してほぼ平行、又は垂直に流れため、それらのレーザ
ビームが乱されることがなく、Ｚステージ４の２次元座
標（Ｘ，Ｙ）が高精度に計測される。
１、及び受光光学系４７の光軸ＡＸ２のＺステージ４の
上面への投影像の方向はＸ軸に平行に設定されている。
更に、図２に示すように、レーザ干渉計１１Ｘからのレ
ーザビームはＸ軸に平行に移動鏡１０Ｘに照射され、レ
ーザ干渉計１１Ｙからの２本のレーザビームはＸ軸に垂
直に（Ｙ軸に平行に）移動鏡１０Ｙに照射されている。
従って、円筒５４からＺステージ４に吹き出される気体
は、レーザ干渉計１１Ｘ，１１Ｙからのレーザビームに
対してほぼ平行、又は垂直に流れため、それらのレーザ
ビームが乱されることがなく、Ｚステージ４の２次元座
標（Ｘ，Ｙ）が高精度に計測される。
【００３８】更に、オフ・アクシス方式のアライメント
系においても、アライメント光学系３９から射出された
照明光は、屈折率分布が安定な気体中を通過するため、
アライメント光学系３９によりウエハマークの像が高い
解像度で形成され、ウエハマークの位置が高精度に検出
される。従って、アライメント精度が向上する。同様
に、ＩＳＳ方式のアライメント系でも、基準マーク部材
８を通過した照明光の波面の乱れが減少するため、より
高精度にレチクルＲの位置を検出できる利点がある。
系においても、アライメント光学系３９から射出された
照明光は、屈折率分布が安定な気体中を通過するため、
アライメント光学系３９によりウエハマークの像が高い
解像度で形成され、ウエハマークの位置が高精度に検出
される。従って、アライメント精度が向上する。同様
に、ＩＳＳ方式のアライメント系でも、基準マーク部材
８を通過した照明光の波面の乱れが減少するため、より
高精度にレチクルＲの位置を検出できる利点がある。
【００３９】なお、上述実施例では、円筒５４から円筒
５８の方向に一定の風速の気体を流しているが、受光光
学系４７側の円筒５８を省略してもよい。これでも、受
光光学系４７の光軸ＡＸ２に沿ってほぼ屈折率分布の一
様な気体が流れるため、焦点検出用の光束の乱れは少な
い。更に、円筒５４及び５８を省いて、図１の−Ｘ方向
の不図示の吹き出し口よりＺステージ４に対して温度調
節され、且つ風速が一定の気体を供給するようにしても
よい。この場合でも、Ｚステージ４の上面はほぼ平面と
なっているため、その気体の流れは乱されることがな
く、レチクルＲのパターンの投影光学系ＰＬを介した像
が良好な状態でウエハ１の各ショット領域に投影され
る。更に、投光器４３からの焦点検出用の光束、及びア
ライメント光学系３９からの照明光の乱れも少なく、位
置計測用のレーザビームの乱れも少ない利点がある。
５８の方向に一定の風速の気体を流しているが、受光光
学系４７側の円筒５８を省略してもよい。これでも、受
光光学系４７の光軸ＡＸ２に沿ってほぼ屈折率分布の一
様な気体が流れるため、焦点検出用の光束の乱れは少な
い。更に、円筒５４及び５８を省いて、図１の−Ｘ方向
の不図示の吹き出し口よりＺステージ４に対して温度調
節され、且つ風速が一定の気体を供給するようにしても
よい。この場合でも、Ｚステージ４の上面はほぼ平面と
なっているため、その気体の流れは乱されることがな
く、レチクルＲのパターンの投影光学系ＰＬを介した像
が良好な状態でウエハ１の各ショット領域に投影され
る。更に、投光器４３からの焦点検出用の光束、及びア
ライメント光学系３９からの照明光の乱れも少なく、位
置計測用のレーザビームの乱れも少ない利点がある。
【００４０】更に、上述実施例では移動鏡１０Ｘ，１０
Ｙ及び基準マーク部材８の表面の高さをＺステージ４の
上面の高さに合わせているが、その代わりに例えば移動
鏡１０Ｘ，１０Ｙ、ウエハホルダ２のウエハ１の外周
部、及びそれ以外のＺステージ４の上面（基準マーク部
材８の上面を除く）を覆うように平坦なカバーを取付
け、このカバーによって空気の流れの乱れを減少させて
もよい。また、本発明はステップ・アンド・リピート方
式でウエハの位置決めを行う投影露光装置（ステッパー
等）のみならず、レチクルとウエハとを投影光学系に対
して走査して露光を行うステップ・アンド・スキャン方
式の投影露光装置にも適用できる。更に、プロキシミテ
ィ方式の露光装置においても、本発明を適用してウエハ
ステージの上面を平坦化することにより、結像特性を改
善することができる。このように本発明は上述実施例に
限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構
成を取り得る。
Ｙ及び基準マーク部材８の表面の高さをＺステージ４の
上面の高さに合わせているが、その代わりに例えば移動
鏡１０Ｘ，１０Ｙ、ウエハホルダ２のウエハ１の外周
部、及びそれ以外のＺステージ４の上面（基準マーク部
材８の上面を除く）を覆うように平坦なカバーを取付
け、このカバーによって空気の流れの乱れを減少させて
もよい。また、本発明はステップ・アンド・リピート方
式でウエハの位置決めを行う投影露光装置（ステッパー
等）のみならず、レチクルとウエハとを投影光学系に対
して走査して露光を行うステップ・アンド・スキャン方
式の投影露光装置にも適用できる。更に、プロキシミテ
ィ方式の露光装置においても、本発明を適用してウエハ
ステージの上面を平坦化することにより、結像特性を改
善することができる。このように本発明は上述実施例に
限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構
成を取り得る。
【００４１】
【発明の効果】本発明の第１の露光装置によれば、基板
保持部が基板ステージ上に埋め込まれ、感光基板の表面
の高さがその周囲の基板ステージの上面の高さとほぼ等
しくなっているため、その上を気体が乱されることなく
流れる。従って、マスクパターンから感光基板に達する
光束の波面の揺らぎが減少するため、良好な結像特性が
得られる利点がある。更に、例えば斜入射方式のＡＦセ
ンサや、各種アライメント系から感光基板上に光束を照
射する場合に、その光束の波面の乱れが減少するため、
焦点位置の検出精度がアライメント精度が向上する利点
もある。
保持部が基板ステージ上に埋め込まれ、感光基板の表面
の高さがその周囲の基板ステージの上面の高さとほぼ等
しくなっているため、その上を気体が乱されることなく
流れる。従って、マスクパターンから感光基板に達する
光束の波面の揺らぎが減少するため、良好な結像特性が
得られる利点がある。更に、例えば斜入射方式のＡＦセ
ンサや、各種アライメント系から感光基板上に光束を照
射する場合に、その光束の波面の乱れが減少するため、
焦点位置の検出精度がアライメント精度が向上する利点
もある。
【００４２】また、その基板保持部が感光基板を高さ方
向に位置決めするＺステージ上に埋め込まれるときに
は、基板ステージの最上段にＺステージが配置されるた
め、基板ステージの構成が簡略化される。また、基板ス
テージ上に送風手段から所定の一方向に温度調整され、
風速分布が均一化された気体を供給する場合には、基板
ステージ上の感光基板上での気体の屈折率分布が一様化
され、且つ所定の値に安定化されるため、結像特性が良
好な状態で安定に維持される。
向に位置決めするＺステージ上に埋め込まれるときに
は、基板ステージの最上段にＺステージが配置されるた
め、基板ステージの構成が簡略化される。また、基板ス
テージ上に送風手段から所定の一方向に温度調整され、
風速分布が均一化された気体を供給する場合には、基板
ステージ上の感光基板上での気体の屈折率分布が一様化
され、且つ所定の値に安定化されるため、結像特性が良
好な状態で安定に維持される。
【００４３】次に、本発明の第２の露光装置によれば、
斜入射方式の焦点位置検出系（ＡＦセンサ）の照射光学
系の光軸に沿って温度調整され、且つ風速分布が均一化
された気体が供給されるため、照射光学系からの焦点検
出用の光束の波面の揺らぎが減少し、受光光学系内で焦
点計測用のパターンが良好な状態で再結像される。従っ
て、焦点位置の検出精度が向上する。
斜入射方式の焦点位置検出系（ＡＦセンサ）の照射光学
系の光軸に沿って温度調整され、且つ風速分布が均一化
された気体が供給されるため、照射光学系からの焦点検
出用の光束の波面の揺らぎが減少し、受光光学系内で焦
点計測用のパターンが良好な状態で再結像される。従っ
て、焦点位置の検出精度が向上する。
【００４４】更に、その送風手段が、投影光学系と基板
ステージとの間に、照射光学系の光軸と受光光学系の光
軸とを含む平面と基板ステージの上面との交線に沿った
方向に、温度調整され、且つ風速分布が均一化された気
体を流すときには、投影光学系による結像特性も向上す
る利点がある。また、照射光学系の光路の一部を囲む筒
体を設け、この筒体内にその送風手段からの期待を流す
ときには、焦点検出用の光束が通過する領域の気体の屈
折率分布が更に安定化するため、焦点位置の検出精度が
より向上する。次に、本発明の走査型露光装置及び走査
露光方法によれば、基板ステージの第１の凹部に感光基
板を保持する基板保持部を保持しているので、基板ステ
ージ上を通過する気体の流れが乱されることなくマスク
のパターンを感光基板に露光することができる。
ステージとの間に、照射光学系の光軸と受光光学系の光
軸とを含む平面と基板ステージの上面との交線に沿った
方向に、温度調整され、且つ風速分布が均一化された気
体を流すときには、投影光学系による結像特性も向上す
る利点がある。また、照射光学系の光路の一部を囲む筒
体を設け、この筒体内にその送風手段からの期待を流す
ときには、焦点検出用の光束が通過する領域の気体の屈
折率分布が更に安定化するため、焦点位置の検出精度が
より向上する。次に、本発明の走査型露光装置及び走査
露光方法によれば、基板ステージの第１の凹部に感光基
板を保持する基板保持部を保持しているので、基板ステ
ージ上を通過する気体の流れが乱されることなくマスク
のパターンを感光基板に露光することができる。
【図１】本発明による露光装置の一実施例を示す一部を
断面とした構成図である。
断面とした構成図である。
【図２】実施例のウエハステージの上部の構成を示す斜
視図である。
視図である。
【図３】従来例のウエハステージの上部の構成を示す斜
視図である。
視図である。
Ｒ レチクル
ＰＬ 投影光学系
１ ウエハ
２ ウエハホルダ
４ Ｚステージ
５ Ｙステージ
８ 基準マーク部材
１０Ｘ，１０Ｙ 移動鏡
１１Ｘ，１１Ｙ レーザ干渉計
２７ Ｘステージ
２９ ステージ駆動系
３０ 主制御系
３９ アライメント光学系
４０ 撮像素子
４２ 斜入射方式のＡＦセンサの照射光学系
４７ 斜入射方式のＡＦセンサの受光光学系
５２ 信号処理回路
５４，５８ 円筒
５６ フィルタ装置
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平１−161832（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−160934（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−231820（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−283313（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−200090（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−6850（ＪＰ，Ａ)
特開 昭57−68835（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
G03F 7/20
Claims (18)
- 【請求項１】 感光基板を保持する基板保持部と、該基
板保持部を介して前記感光基板を２次元的に位置決めす
る基板ステージとを有し、露光用の照明光のもとで、マ
スク上のパターンを前記感光基板に露光する露光装置に
おいて、 前記基板ステージの上面で前記感光基板を囲む部分の高
さと、前記感光基板の表面の高さとが実質的に等しくな
るように、前記基板保持部を前記基板ステージの上面に
埋め込むことを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記基板ステージは、前記感光基板を２
次元的に位置決めするＸＹステージと、前記感光基板を
高さ方向に位置決めするＺステージとを有し、前記基板
保持部が前記Ｚステージの上面に埋め込まれることを特
徴とする請求項１記載の露光装置。 - 【請求項３】 前記基板ステージの上方で所定の一方向
に温度調整され、且つ風速分布が均一化された気体を供
給する送風手段を設けたことを特徴とする請求項１又は
２記載の露光装置。 - 【請求項４】 前記露光装置は、前記マスクと前記感光
基板とを走査して前記マスク上のパターンを前記感光基
板に露光する走査型露光装置であることを特徴とする請
求項１、２、又は３記載の露光装置。 - 【請求項５】 マスクパターンの像を感光基板上に投影
する投影光学系と、前記感光基板の前記投影光学系の光
軸方向の位置を制御する基板ステージと、前記感光基板
上に前記投影光学系の光軸に対して斜めに焦点計測用の
パターンを投影する照射光学系と、前記感光基板からの
反射光を受光して前記焦点計測用のパターンの像を形成
する受光光学系と、を有し、前記受光光学系内で再結像
される前記焦点計測用のパターンの横ずれ量に基づいて
前記基板ステージを介して前記感光基板の前記投影光学
系の光軸方向の位置を調整する露光装置において、 前記照射光学系の光軸に沿って温度調整され、且つ風速
分布が均一化された気体を流す送風手段を設けたことを
特徴とする露光装置。 - 【請求項６】 前記送風手段は、前記投影光学系と前記
基板ステージとの間に、前記照射光学系の光軸と前記受
光光学系の光軸とを含む平面と前記基板ステージの上面
との交線に沿った方向に、温度調整され、且つ風速分布
が均一化された気体を流すことを特徴とする請求項５記
載の露光装置。 - 【請求項７】 前記照射光学系の光路の一部を囲む筒体
を設け、該筒体内に前記送風手段からの気体を流すこと
を特徴とする請求項５又は６記載の露光装置。 - 【請求項８】 マスクのパターンを感光基板に露光する
走査型露光装置において、 前記マスクと前記感光基板とを走査し、前記マスクのパ
ターンを前記感光基板に露光する走査露光機構を有し、 前記走査露光機構は、前記感光基板を保持する基板保持
部と、前記基板保持部を保持するための第１の凹部を有
した基板ステージとを少なくとも有し、前記基板保持部が前記基板ステージの上面と前記感光基
板の表面とが実質的に同一平面となるように前記基板ス
テージに保持されている ことを特徴とする走査型露光装
置。 - 【請求項９】 マスクのパターンを感光基板に露光する
走査型露光装置において、 前記マスクと前記感光基板とを走査し、前記マスクのパ
ターンを前記感光基板に露光する走査露光機構を有し、 前記走査露光機構は、前記感光基板を保持する基板保持
部と、前記基板保持部を保持するための第１の凹部を有
した基板ステージと、該基板ステージに設けられた移動
鏡と協働して前記基板ステージの位置を計測するレーザ
干渉計と、を少なくとも有し、前記移動鏡の上面と前記基板ステージの上面とが実質的
に同一平面となるように、前記移動鏡が前記基板ステー
ジに設けられている ことを特徴とする走査型露光装置。 - 【請求項１０】 前記基板ステージは該基板ステージの
位置を計測するための移動鏡を有し、 前記 移動鏡の上面と前記基板ステージの前記上面とが実
質的に同一平面となるように、前記移動鏡が前記基板ス
テージに設けられていることを特徴とする請求項８記載
の走査型露光装置。 - 【請求項１１】 前記走査露光機構は、前記マスクのパ
ターンを前記感光基板に投影する投影光学系を有してい
ることを特徴とする請求項８、９、又は１０記載の走査
型露光装置。 - 【請求項１２】 前記基板ステージは、位置合わせ用に
使用される基準マーク部材を保持するための第２の凹部
を備えていることを特徴とする請求項８〜１１の何れか
一項記載の走査型露光装置。 - 【請求項１３】 前記基板ステージに温度調整され、且
つ風速分布が均一化された気体を供給する送風手段を設
けたことを特徴とする請求項８〜１２の何れか一項記載
の走査型露光装置。 - 【請求項１４】 マスクのパターンを感光基板に露光す
る走査露光方法において、前記感光基板を保持可能な基板保持部を第１の凹部が形
成された基板ステージに設ける際に、前記基板ステージ
の上面と前記感光基板の表面とが実質的に同一平面とな
るように前記基板保持部を前記基板ステージに設ける ス
テップと、 前記マスクと前記感光基板とを走査し、前記マスクのパ
ターンを前記感光基板に露光するステップとを含むこと
を特徴とする走査露光方法。 - 【請求項１５】 マスクのパターンを感光基板に露光す
る走査露光方法において、前記感光基板を保持可能な基板保持部を第１の凹部が形
成された基板ステージに設けるステップと、 前記基板ステージの位置を計測するための移動鏡を該移
動鏡の上面と前記基板ステージの上面とが実質的に同一
平面となるように前記基板ステージに設ける ステップ
と、 前記マスクと前記感光基板とを走査し、前記マスクのパ
ターンを前記感光基板に露光するステップとを含むこと
を特徴とする走査露光方法。 - 【請求項１６】 前記基板ステージの位置を計測するた
めの移動鏡を該移動鏡の上面と前記基板ステージの前記
上面とが実質的に同一平面となるように前記基板ステー
ジに設けるステップを含むことを特徴とする請求項１４
記載の走査露光方法。 - 【請求項１７】 前記基板ステージは前記第１の凹部と
は異なる第２の凹部を有し、位置合わせ用に使用される 基準マーク部材を前記第２の
凹部に保持するステップを含むことを特徴とする請求項
１４、１５、又は１６記載の走査露光方法。 - 【請求項１８】 前記基板ステージに温度調整され、且
つ風速分布が均一化された気体を供給するステップを含
むことを特徴とする請求項１４〜１７の何れか一項記載
の走査露光方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30761394A JP3387075B2 (ja) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | 走査露光方法、露光装置、及び走査型露光装置 |
| US08/549,118 US5633698A (en) | 1994-12-12 | 1995-10-27 | Exposure apparatus |
| KR1019950048620A KR100399814B1 (ko) | 1994-12-12 | 1995-12-12 | 노광장치 |
| US09/320,282 US6137561A (en) | 1994-12-12 | 1999-06-02 | Exposure apparatus for aligning photosensitive substrate with image plane of a projection optical system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30761394A JP3387075B2 (ja) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | 走査露光方法、露光装置、及び走査型露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08167549A JPH08167549A (ja) | 1996-06-25 |
| JP3387075B2 true JP3387075B2 (ja) | 2003-03-17 |
Family
ID=17971147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30761394A Expired - Lifetime JP3387075B2 (ja) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | 走査露光方法、露光装置、及び走査型露光装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5633698A (ja) |
| JP (1) | JP3387075B2 (ja) |
| KR (1) | KR100399814B1 (ja) |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09102454A (ja) * | 1995-10-03 | 1997-04-15 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| KR100542414B1 (ko) * | 1996-03-27 | 2006-05-10 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치및공조장치 |
| JPH09270385A (ja) | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Nikon Corp | 露光装置の環境制御装置 |
| US5959732A (en) * | 1996-04-10 | 1999-09-28 | Nikon Corporation | Stage apparatus and a stage control method |
| JP3838697B2 (ja) * | 1996-05-28 | 2006-10-25 | 富士写真フイルム株式会社 | 画像記録装置 |
| CN1309017C (zh) * | 1998-11-18 | 2007-04-04 | 株式会社尼康 | 曝光方法和装置 |
| US6507405B1 (en) * | 1999-05-17 | 2003-01-14 | Ultratech Stepper, Inc. | Fiber-optic interferometer employing low-coherence-length light for precisely measuring absolute distance and tilt |
| KR100307825B1 (ko) * | 1999-10-23 | 2001-11-02 | 윤종용 | 웨이퍼 예비정렬 스테이지에 사용되는 웨이퍼 온도 제어장치 |
| JP2002158154A (ja) | 2000-11-16 | 2002-05-31 | Canon Inc | 露光装置 |
| US6801301B2 (en) | 2001-10-12 | 2004-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| US7110081B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP3977324B2 (ja) | 2002-11-12 | 2007-09-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置 |
| SG121822A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US6781103B1 (en) * | 2003-04-02 | 2004-08-24 | Candela Instruments | Method of automatically focusing an optical beam on transparent or reflective thin film wafers or disks |
| SG2012031209A (en) | 2003-04-11 | 2015-07-30 | Nippon Kogaku Kk | Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly |
| US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR101528089B1 (ko) | 2003-06-13 | 2015-06-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
| KR101148811B1 (ko) | 2003-06-19 | 2012-05-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
| WO2005010611A2 (en) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
| JP2005085991A (ja) | 2003-09-09 | 2005-03-31 | Canon Inc | 露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 |
| TW200514138A (en) * | 2003-10-09 | 2005-04-16 | Nippon Kogaku Kk | Exposure equipment and exposure method, manufacture method of component |
| EP2717295B1 (en) * | 2003-12-03 | 2018-07-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing a device |
| US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| US7078712B2 (en) * | 2004-03-18 | 2006-07-18 | Axcelis Technologies, Inc. | In-situ monitoring on an ion implanter |
| KR101162938B1 (ko) | 2004-04-19 | 2012-07-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
| US7411657B2 (en) * | 2004-11-17 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| TWI649790B (zh) | 2004-11-18 | 2019-02-01 | 日商尼康股份有限公司 | 位置測量方法、位置控制方法、測量方法、裝載方法、曝光方法及曝光裝置、及元件製造方法 |
| US20060119811A1 (en) * | 2004-12-07 | 2006-06-08 | Asml Netherlands B.V. | Radiation exposure apparatus comprising a gas flushing system |
| US7352440B2 (en) | 2004-12-10 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Substrate placement in immersion lithography |
| US7355675B2 (en) * | 2004-12-29 | 2008-04-08 | Asml Netherlands B.V. | Method for measuring information about a substrate, and a substrate for use in a lithographic apparatus |
| USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| KR101614666B1 (ko) | 2007-07-18 | 2016-04-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 계측 방법, 스테이지 장치, 및 노광 장치 |
| EP2128703A1 (en) | 2008-05-28 | 2009-12-02 | ASML Netherlands BV | Lithographic Apparatus and a Method of Operating the Apparatus |
| US9228827B2 (en) * | 2013-06-10 | 2016-01-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Flexible wafer leveling design for various orientation of line/trench |
| KR102549429B1 (ko) * | 2018-05-31 | 2023-06-28 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 디지털 리소그래피 시스템들 상에서의 다중-기판 프로세싱 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DD160756A3 (de) * | 1981-04-24 | 1984-02-29 | Gudrun Dietz | Anordnung zur verbesserung fotochemischer umsetzungsprozesse in fotoresistschichten |
| US4650983A (en) * | 1983-11-07 | 1987-03-17 | Nippon Kogaku K. K. | Focusing apparatus for projection optical system |
| JP2516194B2 (ja) * | 1984-06-11 | 1996-07-10 | 株式会社日立製作所 | 投影露光方法 |
| JPS61160934A (ja) * | 1985-01-10 | 1986-07-21 | Canon Inc | 投影光学装置 |
| US5383217A (en) * | 1989-05-09 | 1995-01-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus with laser source requiring new gas introduction |
| JPH032504A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-08 | Nikon Corp | 位置合わせ装置 |
| NL9100410A (nl) * | 1991-03-07 | 1992-10-01 | Asm Lithography Bv | Afbeeldingsapparaat voorzien van een focusfout- en/of scheefstandsdetectie-inrichting. |
| US5469260A (en) * | 1992-04-01 | 1995-11-21 | Nikon Corporation | Stage-position measuring apparatus |
| JPH0634318A (ja) * | 1992-07-14 | 1994-02-08 | Nikon Corp | 干渉計測装置 |
| US5559584A (en) * | 1993-03-08 | 1996-09-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
| JPH06302493A (ja) * | 1993-04-13 | 1994-10-28 | Soltec:Kk | プロキシミティ露光方法及びその装置 |
| US5654553A (en) * | 1993-06-10 | 1997-08-05 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus having an alignment sensor for aligning a mask image with a substrate |
| US5581324A (en) * | 1993-06-10 | 1996-12-03 | Nikon Corporation | Thermal distortion compensated projection exposure method and apparatus for manufacturing semiconductors |
| US5696623A (en) * | 1993-08-05 | 1997-12-09 | Fujitsu Limited | UV exposure with elongated service lifetime |
| JP3453818B2 (ja) * | 1993-11-08 | 2003-10-06 | 株式会社ニコン | 基板の高さ位置検出装置及び方法 |
| JP3365571B2 (ja) * | 1993-11-10 | 2003-01-14 | 株式会社ニコン | 光学式計測装置及び露光装置 |
| US6002987A (en) * | 1996-03-26 | 1999-12-14 | Nikon Corporation | Methods to control the environment and exposure apparatus |
-
1994
- 1994-12-12 JP JP30761394A patent/JP3387075B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-10-27 US US08/549,118 patent/US5633698A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-12-12 KR KR1019950048620A patent/KR100399814B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-06-02 US US09/320,282 patent/US6137561A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100399814B1 (ko) | 2004-06-09 |
| JPH08167549A (ja) | 1996-06-25 |
| US6137561A (en) | 2000-10-24 |
| KR960024693A (ko) | 1996-07-20 |
| US5633698A (en) | 1997-05-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3387075B2 (ja) | 走査露光方法、露光装置、及び走査型露光装置 | |
| KR100443452B1 (ko) | 주사형노광장치 | |
| US6727980B2 (en) | Apparatus and method for pattern exposure and method for adjusting the apparatus | |
| KR20010089453A (ko) | 노광방법 및 장치 | |
| JP3513842B2 (ja) | 投影露光装置 | |
| US20020101574A1 (en) | Irradiance photometer and exposure apparatus | |
| US7626680B2 (en) | Exposure apparatus and device fabrication method using the same | |
| JPH0982626A (ja) | 投影露光装置 | |
| WO2002054460A1 (fr) | Dispositif d'exposition | |
| JP2002190438A (ja) | 露光装置 | |
| JP3551570B2 (ja) | 走査型露光装置及び露光方法 | |
| JP2001052986A (ja) | Ｘ線投影露光装置 | |
| JPH10294272A (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
| US20050128455A1 (en) | Exposure apparatus, alignment method and device manufacturing method | |
| JP2002246302A (ja) | 位置検出装置および露光装置 | |
| JPH0922870A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH10172900A (ja) | 露光装置 | |
| JP2001267196A (ja) | 位置検出装置、位置検出方法、露光装置、及び露光方法 | |
| JP2002057095A (ja) | 露光装置 | |
| JP2006013266A (ja) | 計測方法、露光方法、及び露光装置 | |
| JP2004342803A (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
| JP2002025893A (ja) | 露光装置、面位置調整装置、マスク、及びデバイス製造方法 | |
| JPH05343292A (ja) | 露光装置 | |
| JP3812015B2 (ja) | 露光装置、位置検出装置 | |
| JP3326446B2 (ja) | 露光方法及び装置、リソグラフィ方法、マーク焼き付け装置、及びプロキシミティ露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20021209 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150110 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |