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WO2005026841A1 - 感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物 - Google Patents

感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物 Download PDF

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Publication number
WO2005026841A1
WO2005026841A1 PCT/JP2004/012562 JP2004012562W WO2005026841A1 WO 2005026841 A1 WO2005026841 A1 WO 2005026841A1 JP 2004012562 W JP2004012562 W JP 2004012562W WO 2005026841 A1 WO2005026841 A1 WO 2005026841A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
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resin composition
insulating resin
photosensitive insulating
monomer
photosensitive
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/012562
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hirohumi Goto
Katsumi Inomata
Shin-Ichiro Iwanaga
Original Assignee
Jsr Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jsr Corporation filed Critical Jsr Corporation
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Priority to US10/571,108 priority patent/US20070027231A1/en
Priority to KR1020067004719A priority patent/KR101095711B1/ko
Publication of WO2005026841A1 publication Critical patent/WO2005026841A1/ja

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
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    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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    • HELECTRICITY
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    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/312Organic layers, e.g. photoresist

Definitions

  • the present invention relates to a photosensitive insulating resin composition used for a surface protective film (overcoat film) or an interlayer insulating film (passivation film) of an organic semiconductor element and the like, and a cured product obtained by curing the same. More specifically, a cured product that has excellent resolution as a permanent film resist and excellent properties such as low-temperature curability, electrical insulation, thermal shock resistance, and chemical resistance, and such a cured product can be obtained.
  • the present invention relates to a photosensitive insulating resin composition.
  • Organic semiconductor materials can be formed at a low temperature of 150 ° C or lower, and have a high degree of freedom in selecting a substrate to be used. There is an advantage that a semiconductor device can be easily manufactured with a simple manufacturing apparatus. As a result, many organic electroluminescence (EL) display devices that emit light, organic memory devices that use vinylidene fluoride as a ferroelectric layer, and organic photoelectric conversion devices that convert light energy into electrical energy are used. Organic semiconductor devices are being researched and developed.
  • EL organic electroluminescence
  • organic semiconductor materials have lower heat resistance than Si, GaAs, etc., and therefore, when forming a surface protective film, an interlayer insulating film, and the like, usually at a temperature of 300 ° C or more.
  • conventional materials and manufacturing processes such as photosensitive polyimide resin which need to be cured cannot be applied.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Publication No. 59-52822
  • the present invention solves the problems associated with the prior art as described above, and can be cured at a low temperature without impairing the functions of an organic semiconductor element or the like. It is an object of the present invention to provide a photosensitive insulating resin composition capable of obtaining a cured product excellent in various properties such as impact resistance and chemical resistance, and suitable for applications such as a surface protective film and an interlayer insulating film for semiconductor devices. And
  • the present inventors have conducted intensive studies to solve the above problems, and as a result, have found a photosensitive insulating resin composition having excellent characteristics, and have completed the present invention.
  • the photosensitive insulating resin composition of the present invention is a copolymer obtained by copolymerizing a monomer component containing a vinyl monomer having an epoxy group and a butyl monomer having an oxetanyl group. (A) and a photosensitive acid generator (B).
  • the copolymer (A) is obtained by copolymerizing a monomer component containing a vinyl monomer having an epoxy group, a vinyl monomer having an oxetanyl group, and another vinyl monomer. It is preferable to do so.
  • the photosensitive resin composition of the present invention contains 0.1 to 20 parts by weight of the photosensitive acid generator (B) based on 100 parts by weight of the copolymer (A). ,
  • the total content of the epoxy group-containing butyl monomer and the oxetanyl group-containing vinyl monomer contained in the monomer component is 20 parts by weight or more based on 100 parts by weight of the monomer component. .
  • the photosensitive insulating resin composition of the present invention can be cured at a low temperature, and forms a cured product having excellent resolution, electrical insulation, heat resistance, thermal shock resistance, and chemical resistance. be able to.
  • the photosensitive insulating resin composition of the present invention having such characteristics is suitable for applications such as a surface protective film and an interlayer insulating film of an electronic component such as an organic semiconductor device.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a substrate for evaluation of thermal shock resistance.
  • FIG. 2 is a schematic surface view of a substrate for evaluation.
  • the photosensitive insulating resin composition of the present invention comprises a copolymer (A) and a photosensitive acid generator (B). Further, the photosensitive insulating resin composition of the present invention may contain various additives, if necessary.
  • the copolymer (A) used in the present invention is a monomer component containing a vinyl monomer having an epoxy group and a butyl monomer having an oxetanyl group, and preferably further contains another butyl monomer And a monomer component containing
  • Examples of the epoxy group-containing monomer include glycidyl (meth) acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl (meth) acrylate, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl (meth) ) Athalylate, arylglycidyl ether and the like.
  • Examples of the biel monomer having an oxetanyl group include (3-ethyl-3-oxetanyl) methyl (meth) acrylate.
  • Unsaturated monocarboxylic acid esters such as methyl crotonate, ethyl crotonate, methyl cinnamate and ethyl cinnamate;
  • Fluoroalkyl (meth) acrylates such as trifluoroethyl (meth) acrylate, pentafluoropropyl (meth) acrylate, and heptafluorobutyl (meth) acrylate; trimethylsiloxanyldimethylsilylpropyl (meth) acrylate Siloxanyl compounds such as tris (trimethylsiloxanyl) silylpropyl (meth) atalylate, di (meth) atalyloylpropyldimethylsilyl ether;
  • Mono- or di (meth) acrylates of alkylene glycols such as ethylene glycol, 1,2-propanediol, 1,3-propanediol, 1,6-hexanediol; 2-methoxyethyl (meth) acrylate Alkoxyalkynole (meth) atalylates such as, 2-ethoxyethoxyl (meth) acrylate, and 3-ethoxypropyl (meth) acrylate.
  • (Meth) atalylates, and cyano compounds such as acrylonitrile and metathalilonitrile glycerin, 1,2,4-butanetriene, pentaerythritonole, trimethylonolelecan (alkane has 13 to 13 carbon atoms, for example), Oligo (meth) atariate such as di (meth) acrylate, tri (meth) acrylate or tetra (meth) acrylate for polyhydric alcohols such as tetramethylol alkane (alkane has, for example, 1 to 3 carbon atoms) Rates;
  • Hydroxyalkyl (meth) atalylates such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, and 3-hydroxypropyl (meth) acrylate; 2-hydroxyethyl crotonate Hydroxyalkyl esters of unsaturated carboxylic acids such as 2-hydroxypropyl crotonic acid, 2-hydroxypropyl cinnamate;
  • Unsaturated alcohols such as (meth) aryl alcohol
  • Unsaturated (mono) carboxylic acids such as (meth) acrylic acid, crotonic acid, and cinnamic acid;
  • Unsaturated polycarboxylic acids such as (anhydride) maleic acid, fumaric acid, (anhydride) itaconic acid and citraconic acid, and their diesters;
  • aromatic Bier compounds are preferred.
  • These other vinyl monomers may be used alone or as a mixture of two or more.
  • the copolymer (A) of the present invention can be produced, for example, by a well-known solution polymerization method or the like carried out in the presence of a chain transfer agent, if necessary, using a radical polymerization initiator.
  • a polymerization medium used for such solution polymerization an organic solvent can be suitably used.
  • Examples of the organic solvent include ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate and the like, and ethylene glycol monomethyl ether acetate monoethylene acetates such as ethylene glycol monomethyl ether acetate and ethylene glycol monomethyl ether acetate;
  • Propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol monomethyl enolate, propylene glycol monoethyl enolate, propylene glycol monopropyl enolate, propylene glycol monolebutenolate, and the like;
  • Propylene glycol dialkyl ethers such as propylene glycol / resin methine ether, propylene glycol / regetinole ether, propylene glycol dipropyl ether and propylene glycol dibutyl ether;
  • Propylene glycol monoalkyl ethereal acetates such as propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate;
  • Carbitols such as butyl carbitol
  • Lactic acid esters such as methyl lactate, ethyl lactate, n-propyl lactate, and isopropyl lactate ethyl acetate, n -propyl acetate, isopropyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, n-amyl acetate, isoamyl acetate, isopropyl propionate, propionate
  • Aliphatic carboxylic acid esters such as n-butyl acid and isobutyl propionate;
  • Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene
  • Ketones such as 2_heptanone, 3_heptanone, 4_heptanone, cyclohexanone;
  • Amides such as N-dimethylformamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone;
  • organic solvents can be used alone or as a mixture of two or more.
  • the content in the monomer component of the vinyl monomer having an epoxy group and the vinyl monomer having an oxetanyl group used in the present invention is such that the total of both is 100 parts by weight of the monomer component. 20 parts by weight or more, preferably 30 parts by weight or more.
  • the content of each of the epoxy group-containing monomer and the oxetanyl group-containing monomer is at least 1 part by weight, preferably at least 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the monomer component. .
  • the number average molecular weight (Mn) of the copolymer (A) of the present invention determined by gel permeation chromatography (GPC) is usually from 1,000 to 100,000, preferably from 3,000 to 50,000. I can do it.
  • the photosensitive acid generator (B) used in the present invention is a compound that generates an acid upon irradiation with radiation or the like, and the epoxy group and oxetanyl group in the copolymer (A) are catalyzed by the acid. Since the ring-opening polymerization reaction is caused to be cured, a negative pattern can be formed by using the photosensitive insulating resin composition according to the present invention.
  • the photosensitive acid generator (B) is not particularly limited as long as it is a compound that generates an acid upon irradiation with radiation or the like, and examples thereof include an ionic salt compound, a halogen-containing compound, a diazoketone compound, a sulfone compound, Examples thereof include a sulfonic acid compound, a sulfonimide compound, and a diazomethane compound.
  • an ionic salt compound e.g., a halogen-containing compound, a diazoketone compound, a sulfone compound
  • Examples thereof include a sulfonic acid compound, a sulfonimide compound, and a diazomethane compound.
  • specific examples thereof will be described.
  • sodium salt compound for example, odonium salt, sulfonium salt, phosphonium salt Salts, diazonium salts, pyridinium salts and the like.
  • preferred onium salts include diphenyl dimethyl trifluoromethanesulfonate, diphenyl iodonium p-toluene sulfonate, diphenyl ododium hexafluoroantimonate, diphenyl ododium hexafluorophosphate, Diphenyleodium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium trifluorothiomethanesulfonate, triphenyl enoles norephonium p_tonoleens olephonate, triphenyl enoles olenoforme hexafenoleoloantimonate, 4_t_butyl phenyle dimoleate Eny
  • halogen-containing compound examples include a haloalkyl group-containing hydrocarbon compound and a haloalkyl group-containing heterocyclic compound.
  • preferred halogen containing of compound 1, 10-jib port mode n cans, 1, 1- bis (4-black port phenylene Honoré) - 2, 2, 2-trichloromethyl E Tan, phenyl - bis S-triazines such as (trichloromethyl) S-triazine, 4-methoxyphenyl-bis (trichloromethinole) -S-triazine, styryl-bis (trichloromethyl) -S-triazine, naphthyl-bis (trichloromethyl) S-triazine The ability to name derivatives.
  • diazoketone compound examples include a 1,3-diketo-2-diazo compound, a diazobenzoquinone compound, and a diazonaphthoquinone diagonal compound.
  • preferred diazoketone compounds include 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonate compounds of phenols.
  • sulfone compound examples include a j3-ketosulfone compound, a j3-sulfonylsulfone compound, and a polyazo compound of these compounds.
  • preferred snolefone compounds include 4-trisphenacylsulfone, mesitylphenacylsnorefone, bis (phenacylsulfonyl) methane and the like.
  • sulfonic acid compound examples include alkyl sulfonic acid esters, haloalkyl Sulfonates, arylsulfonates, iminosulfonates and the like can be mentioned.
  • Specific examples of preferred sulfonic acid compounds include benzoin tosylate, pyrogallol tristrifluoromethanesulfonate, o-nitrobenzyltrifluoromethanesulfonate, o_nitrobenzyl p-tonolenesulfonate and the like. it can.
  • sulfonimide compound examples include N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) phthalimide, and N- (trifluoromethylsulfonyloxy) diphenyl.
  • Nilmaleimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept_5_2-ene-2,3-dicarboximide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) naphthylimide be able to.
  • diazomethane compound examples include bis (trifluoromethylsulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfoninole) diazomethane, and bis (phenylsulfoninole) diazomethane.
  • these photosensitive acid generators (B) can be used alone or in combination of two or more.
  • the amount of the photosensitive acid generator (B) to be added is preferably 0.1 to 100 parts by weight of the copolymer (A) from the viewpoint of ensuring the sensitivity, resolution and pattern shape of the resin composition of the present invention. It is 1 to 20 parts by weight, preferably 0.5 to 10 parts by weight. If the amount of the photosensitive acid generator (B) is lower than the above range, curing may be insufficient and heat resistance may decrease. If the amount exceeds the above range, transparency to radiation decreases, Pattern shape may be deteriorated.
  • additives can be added to the photosensitive insulating resin composition of the present invention as needed.
  • additives include polyimides, acrylic polymers, polyolefin-based elastomers, styrene-butadiene elastomers, silicon elastomers, diisocyanate conjugates such as tolylene diisocyanate or blocked products thereof, and phenol.
  • the photosensitive insulating resin composition according to the present invention comprises a monomer component containing a vinyl monomer having an epoxy group, a vinyl monomer having an oxetanol group, and another vinyl monomer.
  • the cured product has excellent electrical insulation, thermal shock resistance, heat resistance and chemical resistance
  • the photosensitive insulating resin composition of the present invention is particularly suitable for use as a material for a surface protective film and / or a material for an interlayer insulating film of an electronic component such as an organic semiconductor element. it can.
  • the cured product according to the present invention is obtained by curing the photosensitive resin composition described above. Specifically, it is as follows.
  • the photosensitive insulating resin composition according to the present invention is applied to a substrate such as a silicon wafer on which a wiring pattern has been formed, and dried to evaporate a solvent or the like to form a coating film. Thereafter, exposure is performed through a desired mask pattern, and heat treatment (hereinafter, this heat treatment is referred to as “PEB”) is performed to accelerate the curing reaction of the copolymer (A). Next, by developing with a developer, the unexposed portions are dissolved and removed, whereby a coating film on which a desired pattern is formed can be obtained. Further, a hardened film can be obtained by performing a heat treatment after the development in order to exhibit the properties of the insulating film.
  • PEB heat treatment
  • an application method such as a dive method, a spray method, a bar coat method, a roll coat method, a spin coat method, a curtain coat method, or the like can be used.
  • the radiation used for exposure includes, for example, a low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, Examples include ultraviolet rays such as id lamps, g-ray steppers, and i-ray steppers, electron beams, and laser beams.
  • the amount of exposure is appropriately selected depending on the light source used, the resin film thickness, and the like. If, in the resin film thickness 5-50 / m, 1, a 000- 20,000jZm 2 about.
  • PEB treatment is performed to accelerate the curing reaction of the copolymer (A) by the generated acid.
  • the conditions vary depending on the blending amount of the resin composition, the film thickness to be used, and the like, but are usually 150 ° C. or less, preferably 80 to 120 ° C., for about 1 to 60 minutes. In such a temperature range, the function of the organic semiconductor element is not hindered.
  • the image is developed with a developer, and the unexposed portions are dissolved and removed to form a desired pattern.
  • examples of the developing method include a shower developing method, a spray developing method, an immersion developing method, and a paddle developing method, and the developing condition is usually about 110 minutes at 2040 ° C. .
  • an organic solvent can be suitably used, and specific examples thereof include the organic solvents exemplified as the polymerization medium that can be used when producing the copolymer (A).
  • Power S can.
  • the film in order to sufficiently exhibit the properties as an insulating film after the development, the film can be sufficiently cured by performing a heat treatment.
  • a resin composition which does not impair the function of the organic semiconductor element by heating at a temperature of usually 150 ° C or lower, preferably 50 to 120 ° C for about 30 minutes to 10 hours. Can be cured.
  • heating may be performed in two stages in order to sufficiently promote curing or prevent deformation of the obtained pattern shape. Under such curing conditions, a general oven or an infrared furnace can be used as the heating equipment.
  • the resin composition was applied to a SUS substrate and heated on a hot plate at 110 ° C. for 3 minutes to produce a uniform resin coating having a thickness of 10 ⁇ m. Thereafter, using an aligner, ultraviolet light from a high-pressure mercury lamp was exposed through a pattern mask so that the exposure amount at a wavelength of 350 nm was 3,000 to 5,000 J / m 2 . Then, after heating (PEB) at 110 ° C. for 3 minutes on a hot plate, exposure to ultraviolet light from a high-pressure mercury lamp was again performed so that the exposure amount at a wavelength of 350 nm was 3,000 to 5,000 j / m 2 . The cured film was obtained by heating in a convection oven at 120 ° C. for 2 hours.
  • the resulting cured film was treated for 168 hours under the conditions of a temperature: 121 ° C., a humidity: 100%, and a pressure: 2.1 atm by using a pressure tucker tester (manufactured by Tabai Espec Corp.). The volume resistivity between the layers before and after the test was measured to confirm the resistance.
  • a photosensitive insulating resin composition is applied to a thermal shock evaluation substrate 1 having a patterned copper foil 3 on a substrate 2 as shown in FIG. 1 and FIG. C. for 3 minutes to produce a 10 / m thick resin coating on the conductor.
  • ultraviolet light from a high-pressure mercury lamp was applied through a pattern mask using an aligner so that the exposure amount at a wavelength of 350 nm was 5,000 j / m 2 .
  • heating (PEB) at 110 ° C for 3 minutes on a hot plate exposure to ultraviolet light from a high-pressure mercury lamp was performed so that the exposure amount at a wavelength of 350 nm was 3,000 to 5,000 j / m 2, and convection was performed.
  • the cured film was obtained by heating in an oven at 120 ° C for 2 hours.
  • This substrate for evaluation was subjected to a resistance test using a thermal shock tester (manufactured by Tabai Espec Corp.) with -55 ° CZ for 30 minutes and 150 ° C / 30 minutes for one cycle. The number of cycles until cracks and other defects occurred in the cured film was confirmed.
  • a photosensitive insulating resin composition was prepared by mixing a solution of the copolymer (A-1) having a solid content of 100 parts by weight and 5 parts by weight of an acid generator (B-1). did. The properties of this composition were measured according to the evaluation method described above. Table 2 shows the obtained results.
  • Example 2 shows the obtained results.
  • Example 2 shows the obtained results.

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Abstract

 〔解決課題〕  本発明は、有機半導体素子などの機能を阻害することなく低温硬化させることが可能であり、解像性、電気絶縁性、熱衝撃性および耐薬品性などの諸特性に優れた硬化物を得ることができ、半導体素子用の表面保護膜や層間絶縁膜などの用途に適した感光性絶縁樹脂組成物を提供する。  〔解決手段〕  本発明の感光性絶縁樹脂組成物は、エポキシ基を有するビニル単量体とオキセタニル基を有するビニル単量体とを含む単量体成分を共重合してなる共重合体(A)と、光感応性酸発生剤(B)とを含有することを特徴とする。前記共重合体(A)は、エポキシ基を有するビニル単量体と、オキセタニル基を有するビニル単量体と、その他のビニル単量体とを含む単量体成分を共重合してなることが好ましい。

Description

明 細 書
感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物
技術分野
[0001] 本発明は、有機半導体素子などの表面保護膜 (オーバーコート膜)または層間絶 縁膜 (パッシベーシヨン膜)などに用いられる感光性絶縁樹脂組成物およびそれを硬 化してなる硬化物に関する。より詳細には、永久膜レジストとして解像性に優れている とともに低温硬化性、電気絶縁性、熱衝撃性、耐薬品性などの特性に優れた硬化物 、およびそのような硬化物が得られる感光性絶縁樹脂組成物に関する。
^景技術
[0002] 近年、 Si、 GaAsに続く第三の半導体材料として注目されている有機半導体材料に 、次世代電子デバイス材料としての期待が強く寄せられており、その研究 ·開発が活 発になされている。
[0003] 有機半導体材料は、 150°C以下の低温で成膜することができ、し力も、使用する基 板の選択の自由度が高いことから、有機半導体材料を用いることにより、比較的安価 な製造装置で、簡便に半導体素子を作製できるという利点がある。そのため、発光特 性がある有機エレクトロルミネセンス (EL)表示素子、フッ化ビニリデンを強誘電体層 として使用する有機メモリー素子、光エネルギーを電気工ネルギ一に変換する有機 光電変換素子などの多くの有機半導体素子が研究'開発されている。
[0004] 従来、電子機器の半導体素子に用いられる表面保護膜および層間絶縁膜などに は、耐熱性、機械的特性および膜形成精度などに優れた感光性ポリイミド系樹脂(た とえば、特許文献 1参照)が広く用レ、られている。
[0005] し力、しながら、有機半導体材料は、 Siや GaAsなどに比べて耐熱性に劣るため、表 面保護膜や層間絶縁膜などを形成する際に、通常 300°C以上の温度で硬化させる 必要がある感光性ポリイミド系榭脂などの従来の材料および製造プロセスが適用でき ないという問題点がある。
特許文献 1:特公昭 59 - 52822号公報
発明の開示 発明が解決しょうとする課題
[0006] 本発明は、上記のような従来技術に伴う問題点を解決し、有機半導体素子などの 機能を阻害することなく低温硬化させることが可能であり、解像性、電気絶縁性、熱 衝撃性および耐薬品性などの諸特性に優れた硬化物を得ることができ、半導体素子 用の表面保護膜および層間絶縁膜などの用途に適した感光性絶縁樹脂組成物を提 供することを課題としている。
課題を解決するための手段
[0007] 本発明者らは、前記問題点を解決すべく鋭意研究した結果、優れた特性を有する 感光性絶縁樹脂組成物を見出し、本発明を完成するに至った。
[0008] すなわち、本発明の感光性絶縁樹脂組成物は、エポキシ基を有するビニル単量体 と、ォキセタニル基を有するビュル単量体とを含む単量体成分を共重合してなる共 重合体 (A)と、光感応性酸発生剤 (B)とを含有することを特徴としている。
[0009] 上記共重合体 (A)は、エポキシ基を有するビュル単量体と、ォキセタニル基を有す るビュル単量体と、その他のビュル単量体とを含む単量体成分を共重合してなること が好ましい。
[0010] また、本発明の感光性樹脂組成物は、上記共重合体 (A) 100重量部に対して、光 感応性酸発生剤(B) 0. 1一 20重量部の量で含有し、
単量体成分に含まれるエポキシ基を有するビュル単量体およびォキセタニル基を 有するビニル単量体の含有量の合計が、単量体成分 100重量部に対して 20重量部 以上であることが望ましい。
発明の効果
[0011] 本発明の感光性絶縁樹脂組成物は、低温硬化させることが可能であり、優れた解 像性、電気絶縁性、耐熱性、熱衝撃性および耐薬品性を有する硬化物を形成するこ とができる。このような特性を有する本発明の感光性絶縁樹脂組成物は、有機半導 体素子などの電子部品の表面保護膜や層間絶縁膜などの用途に適している。 図面の簡単な説明
[0012] [図 1]図 1は、耐熱衝撃性の評価基材の断面模式図である。 [図 2]図 2は、評価用基材の表面模式図である。
符号の説明
[0013] 1 · · ·評価用基材
2 · ·,基板
3 · ·,銅箔
発明を実施するための最良の形態
[0014] 以下、本発明の感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物について詳細に説明す る。
[0015] [感光性絶縁樹脂組成物]
本発明の感光性絶縁樹脂組成物は、共重合体 (A)と光感応性酸発生剤(B)とから 構成される。また、本発明の感光性絶縁樹脂組成物は、必要に応じ、各種添加剤な どを含有することもできる。
[0016] (A)共重合体
本発明において用いられる共重合体 (A)は、エポキシ基を有するビニル単量体と、 ォキセタニル基を有するビュル単量体とを含む単量体成分、好ましくは、さらにその 他のビュル単量体とを含む単量体成分を共重合してなる。
[0017] エポキシ基を有するビュル単量体としては、グリシジル(メタ)アタリレート、 3, 4—ェ ポキシシクロへキシルメチル(メタ)アタリレート、 2- (3, 4一エポキシシクロへキシル) ェチル (メタ)アタリレート、ァリルグリシジルエーテルなどが挙げられる。
[0018] ォキセタニル基を有するビエル単量体としては、(メタ)アクリル酸(3—ェチルー 3—ォ キセタニル)メチルなどが挙げられる。
[0019] その他のビエル単量体としては、スチレン、 α—メチルスチレン、 o—メチルスチレン、 m—メトキシスチレン、 p—ヒドロキシスチレン、 o—クロロスチレン、 m—クロロスチレン、 N , N_ジメチルー p—アミノスチレン、ジビエルベンゼンなどの芳香族ビニル化合物類; メチル (メタ)アタリレート、ェチル (メタ)アタリレート、 n-プロピルアタリレート、 n-ブチ ノレアタリレート、 2—ェチルへキシル(メタ)アタリレート、ステアリノレ(メタ)アタリレート、ィ ソボルニルアタリレート、トリシクロ〔5.2·1·02'6〕デカニル(メタ)アタリレートなどのアルキ
-ト類; クロトン酸メチル、クロトン酸ェチル、ケィ皮酸メチル、ケィ皮酸ェチルなどの不飽和モ ノカルボン酸エステル類;
トリフルォロェチル(メタ)アタリレート、ペンタフルォロプロピル(メタ)アタリレート、ヘプ タフルォロブチル(メタ)アタリレートなどのフルォロアルキル(メタ)アタリレート類; トリメチルシロキサニルジメチルシリルプロピル(メタ)アタリレート、トリス(トリメチルシロ キサニル)シリルプロピル(メタ)アタリレート、ジ(メタ)アタリロイルプロピルジメチルシリ ルエーテルなどのシロキサニル化合物類;
エチレングリコール、 1, 2—プロパンジオール、 1, 3_プロパンジオール、 1 , 6—へキ サンジオールなどのアルキレングリコールのモノー、またはジ一(メタ)アタリレート類; 2—メトキシェチル (メタ)アタリレート、 2—エトキシェチル (メタ)アタリレート、 3 —エトキシプロピル (メタ)アタリレートなどのアルコキシアルキノレ (メタ)アタリレート類;
ル (メタ)アタリレート類、およびアクリロニトリル、メタタリロニトリルなどのシァノ化合物 グリセリン、 1, 2, 4—ブタントリ才ーノレ、ペンタエリスリトーノレ、トリメチローノレ レカン( アルカンの炭素数は例えば 1一 3)、テトラメチロールアルカン(アルカンの炭素数は 例えば 1一 3)などの多価アルコール類のジ (メタ)アタリレート、トリ(メタ)アタリレートま たはテトラ (メタ)アタリレートなどのオリゴ (メタ)アタリレート類;
2—ヒドロキシェチル(メタ)アタリレート、 2—ヒドロキシプロピル(メタ)アタリレート、 3—ヒ ドロキシプロピル (メタ)アタリレートなどのヒドロキシアルキル (メタ)アタリレート類; クロトン酸 2—ヒドロキシェチル、クロトン酸 2—ヒドロキシプロピル、ケィ皮酸 2—ヒドロキ シプロピルなどの不飽和カルボン酸のヒドロキシアルキルエステル類;
(メタ)ァリルアルコールなどの不飽和アルコール類;
(メタ)アクリル酸、クロトン酸、ケィ皮酸などの不飽和(モノ)カルボン酸類;
(無水)マレイン酸、フマル酸、 (無水)ィタコン酸、シトラコン酸などの不飽和ポリカル ボン酸(無水物)類、およびそれらのモ人ジエステル類;
ブタジエン、イソプレンなどのジェン系化合物類;
塩化ビュル、酢酸ビュル、ケィ皮酸エステル、クロトン酸エステル、ジシクロペンタジェ ン、ェチリデンノルボルネン
などが挙げられる。これらの中では、芳香族ビエル化合物類が好ましい。上記その他 のビニル単量体は、 1種単独で用いても、 2種以上を混合して用いてもよい。
[0020] 本発明の共重合体 (A)は、たとえば、ラジカル重合開始剤を用い、必要に応じて連 鎖移動剤の存在下において行なう周知の溶液重合法などにより製造することができ る。このような溶液重合に用レ、る重合媒体としては、有機溶剤が好適に使用できる。
[0021] 上記有機溶剤としては、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ェチレ ングリコーノレモノェチノレエーテノレアセテートなどのエチレングリコーノレモノァノレキノレエ 一テルアセテート類;
プロピレングリコーノレモノメチノレエーテノレ、プロピレングリコーノレモノェチノレエーテノレ、 プロピレングリコーノレモノプロピノレエーテノレ、プロピレングリコーノレモノブチノレエーテ ノレなどのプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;
プロピレングリコー/レジメチノレエーテノレ、プロピレングリコー/レジェチノレエーテノレ、プ ロピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテルなど のプロピレングリコールジアルキルエーテル類;
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノェチル エーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレ ングリコールモノブチルエーテルアセテートなどのプロピレングリコールモノアルキル エーテノレアセテート類;
ェ =
ブチルカルビトールなどのカルビトール類;
乳酸メチル、乳酸ェチル、乳酸 n—プロピル、乳酸イソプロピルなどの乳酸エステル類 酢酸ェチル、酢酸 n -プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸 n -ブチル、酢酸イソブチル、 酢酸 n—ァミル、酢酸イソァミル、プロピオン酸イソプロピル、プロピオン酸 n—ブチル、 プロピオン酸イソブチルなどの脂肪族カルボン酸エステル類;
3—メトキシプロピオン酸メチル、 3—メトキシプロピオン酸ェチル、 3_エトキシプロピオ ン酸メチル、 3_エトキシプロピオン酸ェチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸ェチルな どの他のエステル類;
トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類;
2_ヘプタノン、 3_ヘプタノン、 4_ヘプタノン、シクロへキサノンなどのケトン類;
N—ジメチルホルムアミド、 N—メチルァセトアミド、 N, N—ジメチルァセトアミド、 N—メチ ルピロリドンなどのアミド類;
y—プチロラクンなどのラタトン類
などを挙げること力 Sできる。これらの有機溶剤は、 1種単独でまたは 2種以上を混合し て使用すること力 Sできる。
[0022] 本発明で用いられるエポキシ基を有するビュル単量体およびォキセタニル基を有 するビニル単量体の単量体成分中の含有量は、両者の合計が、単量体成分 100重 量部に対して 20重量部以上、好ましくは 30重量部以上である。
この含有量が 20重量部未満であると、十分な解像性が得られないことがある。また、 エポキシ基を有するビュル単量体およびォキセタニル基を有するビュル単量体の各 々の含有量は、単量体成分 100重量部に対して 1重量部以上、好ましくは 5重量部 以上である。
[0023] 本発明の共重合体 (A)のゲルパーミエーシヨンクロマトグラフィー(GPC)による数 平均分子量(Mn)は、通常、 1 , 000— 100, 000、好ましくは 3, 000— 50, 000で める。
[0024] (B)光感応性酸発生剤
本発明において用いられる光感応性酸発生剤(B)は、放射線などの照射により酸 を発生する化合物であり、この酸の触媒作用により共重合体 (A)中のエポキシ基お よびォキセタニル基が開環重合反応を起こして硬化するため、本発明に係る感光性 絶縁樹脂組成物を使用すると、ネガ型のパターンを形成することができる。
[0025] 光感応性酸発生剤(B)としては、放射線などの照射により酸を発生する化合物であ れば特に限定されないが、たとえばォニゥム塩化合物、ハロゲン含有化合物、ジァゾ ケトン化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物、スルホンイミド化合物、ジァゾメタ ン化合物などを挙げることができる。以下、その具体例を示す。
[0026] ォニゥム塩化合物としては、たとえばョードニゥム塩、スルホニゥム塩、ホスホニゥム 塩、ジァゾニゥム塩、ピリジニゥム塩などを挙げることができる。好ましいォニゥム塩の 具体例としては、ジフエ二ルョードニゥムトリフルォロメタンスルホネート、ジフエニルョ 一ドニゥム p—トルエンスルホネート、ジフエ二ルョードニゥムへキサフルォロアンチモ ネート、ジフエ二ルョードニゥムへキサフルォロホスフェート、ジフエ二ルョードニゥムテ トラフルォロボレート、トリフエニルスルホニゥムトリフリオロメタンスルホネート、トリフエ ニノレスノレホニゥム p_トノレエンスノレホネート、トリフエニノレスノレホニゥムへキサフノレオロア ンチモネート、 4_t_ブチルフエ二ノレ'ジフエニルスルホニゥムトリフルォロメタンスルホ ネート、 4_t_ブチルフエニル 'ジフエニルスルホニゥム p-トノレエンスルホネート、 4, 7 —ジ— n—ブトキシナフチルテトラヒドロチォフエニゥムトリフリオロメタンスルホネート、 (4 —フエ二ルチオ)フエニルジフエニルスルフォニゥムへキサフルオロフォスフェート、 (4 —フエ二ルチオ)フエニルジフエニルスルフォニゥムへキサフルォロアンチモネートなど を挙げることができる。
[0027] ハロゲン含有化合物としては、たとえばハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロ アルキル基含有複素環式化合物などを挙げることができる。好ましいハロゲン含有化 合物の具体例としては、 1 , 10—ジブ口モー n カン、 1 , 1—ビス(4—クロ口フエ二ノレ)— 2 , 2, 2—トリクロロェタン、フエニル-ビス(トリクロロメチル) S—トリァジン、 4—メトキシフ ェニル -ビス(トリクロロメチノレ)— S—トリァジン、スチリル-ビス(トリクロロメチル)—S—トリ ァジン、ナフチルービス(トリクロロメチル) S—トリァジンなどの S—トリァジン誘導体を 挙げること力 Sできる。
[0028] ジァゾケトン化合物としては、たとえば 1 , 3-ジケト -2-ジァゾ化合物、ジァゾベンゾ キノン化合物、ジァゾナフトキノンィ匕合物などを挙げることができる。好ましいジァゾケ トン化合物の具体例としては、フエノール類の 1, 2_ナフトキノンジアジド— 4_スルホ ン酸エステル化合物を挙げることができる。
[0029] スルホン化合物としては、たとえば j3 -ケトスルホン化合物、 j3—スルホニルスルホン 化合物およびこれらの化合物のひ—ジァゾ化合物を挙げることができる。好ましいス ノレホン化合物の具体例としては、 4—トリスフエナシルスルホン、メシチルフエナシルス ノレホン、ビス(フエナシルスルホニル)メタンなどを挙げることができる。
[0030] スルホン酸化合物としては、たとえばアルキルスルホン酸エステル類、ハロアルキル スルホン酸エステル類、ァリールスルホン酸エステル類、イミノスルホネート類などを 挙げること力 Sできる。好ましいスルホン酸化合物の具体例としては、ベンゾイントシレ ート、ピロガロールトリストリフルォロメタンスルホネート、 o—二トロべンジルトリフルォロ メタンスルホネート、 o_ニトロべンジル p—トノレエンスルホネートなどを挙げることができ る。
[0031] スルホンイミド化合物の具体例としては、 N—(トリフルォロメチルスルホニルォキシ) スクシンイミド、 N—(トリフルォロメチルスルホニルォキシ)フタルイミド、 N—(トリフルォ ロメチルスルホニルォキシ)ジフヱニルマレイミド、 N—(トリフルォロメチルスルホニル ォキシ)ビシクロ [2. 2. 1]ヘプト _5_ェン— 2, 3—ジカルボキシイミド、 N—(トリフルォ ロメチルスルホニルォキシ)ナフチルイミドなどを挙げることができる。
[0032] ジァゾメタン化合物の具体例としては、ビス(トリフルォロメチルスルホニル)ジァゾメ タン、ビス(シクロへキシルスルホニノレ)ジァゾメタン、ビス(フエニルスルホニノレ)ジァゾ メタンなどを挙げることができる。
[0033] 本発明においては、これらの光感応性酸発生剤(B)を 1種単独でまたは 2種以上を 混合して使用することができる。また、光感応性酸発生剤(B)の配合量は、本発明の 樹脂組成物の感度、解像度およびパターン形状などを確保する観点から、共重合体 (A) 100重量部に対して 0. 1— 20重量部、好ましくは 0. 5— 10重量部である。光感 応性酸発生剤(B)の配合量が上記範囲よりも低いと、硬化が不十分になり、耐熱性 が低下することがあり、上記範囲を超えると、放射線に対する透明性が低下し、パタ ーン形状の劣化を招くことがある。
[0034] 添加剤
本発明の感光性絶縁樹脂組成物には、必要に応じて各種添加剤を配合することが できる。添加剤の具体例としては、ポリイミド、アクリルポリマー、ポリオレフイン系エラ ストマー、スチレンブタジエンエラストマ一、シリコンエラストマ一、トリレンジイソシァネ ートなどのジイソシァネートイ匕合物またはそのブロック化物、フエノール性水酸基を有 する樹脂、エポキシ樹脂、ォキセタニル基を有する樹脂;高密度ポリエチレン、中密 度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、脂肪族ポリアミド、 ポリアミドイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリフエ二 レンスルフイド、(変性)ポリカルポジイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、変 性ポリフエ二レンォキシドなどの熱可塑性または熱硬化性の樹脂などが挙げられる。 さらに、密着助剤、増感剤、レべリング剤、無機フィラーなどを含有させることもできる 。このような添加剤は、 1種単独でまたは 2種以上を混合して使用することができる。
[0035] [硬化物]
本発明に係る感光性絶縁樹脂組成物は、エポキシ基を有するビニル単量体と、ォ キセタ二ル基を有するビュル単量体と、その他のビュル単量体とを含む単量体成分 を共重合してなる共重合体 (A)、光感応性酸発生剤(B)、および必要に応じて各種 添加剤を含有し、比較的低温で硬化させることが可能であり、解像性に優れていると ともに、その硬化物は電気絶縁性、熱衝撃性、耐熱性および耐薬品性に優れている
[0036] したがって、本発明の感光性絶縁樹脂組成物は、特に、有機半導体素子などの電 子部品の表面保護膜用材料および/または層間絶縁膜用材料などとして好適に使 用すること力 Sできる。
[0037] 本発明に係る硬化物は、前記した感光性樹脂組成物を硬化させてなる。具体的に は、以下のとおりである。
[0038] 本発明に係る感光性絶縁樹脂組成物を、配線パターンが施されたシリコンウェハ 一などの基板に塗工し、乾燥して溶剤などを揮発させて塗膜を形成する。その後、所 望のマスクパターンを介して露光し、加熱処理(以下、この加熱処理を「PEB」という) を行い、共重合体 (A)の硬化反応を促進させる。次いで、現像液により現像して、未 露光部を溶解、除去することにより所望のパターンが形成された塗膜を得ることがで きる。さらに、絶縁膜特性を発現させるために現像後に加熱処理を行うことにより、硬 化膜を得ることができる。
[0039] 樹脂組成物を基板に塗工する方法としては、たとえば、デイツビング法、スプレー法 、バーコート法、ロールコート法、スピンコート法、カーテンコート法などの塗布方法を 用いることができ、塗布の厚さは、塗布手段、感光性絶縁樹脂組成物の固形分濃度 や粘度を調節することにより、適宜制御することができる。
[0040] 露光に用いられる放射線としては、たとえば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハラ イドランプ、 g線ステッパー、 i線ステッパーなどの紫外線や電子線、レーザー光線な どが挙げられ、露光量としては使用する光源や樹脂膜厚などによって適宜選定され るが、たとえば高圧水銀灯からの紫外線照射の場合、樹脂膜厚 5— 50 / mでは、 1, 000— 20,000jZm2程度である。
[0041] 露光後は、発生した酸による共重合体 (A)の硬化反応を促進させるために PEBの 処理を行う。その条件は、樹脂組成物の配合量や使用膜厚などによって異なるが、 通常 150°C以下、好ましくは 80— 120°Cで、 1一 60分程度である。このような温度範 囲であれば、有機半導体素子の機能を阻害することがない。その後、現像液により現 像して、未露光部を溶解、除去することによって所望のパターンを形成する。この場 合の現像方法としては、シャワー現像法、スプレー現像法、浸漬現像法、パドル現像 法などを挙げることができ、現像条件としては通常、 20 40°Cで 1一 10分程度であ る。
[0042] 前記現像液としては、有機溶剤を好適に使用することができ、具体的には、共重合 体 (A)を製造する際に用いることができる重合媒体として例示した有機溶剤を挙げる こと力 Sできる。
[0043] さらに、現像後に絶縁膜としての特性を十分に発現させるために、加熱処理を行う ことによって十分に硬化させることができる。このような硬化条件としては、通常 150°C 以下、好ましくは 50— 120°Cの温度で、 30分一 10時間程度加熱することにより、有 機半導体素子の機能を阻害することなぐ樹脂組成物を硬化させることができる。ま た、硬化を十分に進行させたり、得られたパターン形状の変形を防止するために二 段階で加熱してもよい。このような硬化条件であれば、加熱設備として一般的なォー ブンや、赤外線炉などを使用することができる。
[0044] 〔実施例〕
以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれら実施例により何ら 限定されるものではなレ、。なお、硬化物の各特性については、下記の要領で実施し た。
[0045] 解像性
6インチのシリコンウェハーに感光性絶縁樹脂組成物をスピンコートし、ホットプレー トで 110°Cで 3分間加熱し、 10 / m厚の均一な塗膜を作製した。その後、ァライナー (Karl Suss社製 MA— 150)を用い、パターンマスクを介して高圧水銀灯からの紫 外線を、波長 350nmにおける露光量が 3, 000— 5, 000j/m2となるように露光した 。次いで、ホットプレートで 110°Cで 3分間加熱(PEB)し、プロピレングリコールモノメ チルエーテルアセテートを用いて 23°Cで 60秒間、浸漬現像した。得られたパターン の最小寸法を解像度とした。
[0046] m Mm^. (m mm)
樹脂組成物を SUS基板に塗布し、ホットプレートで 110°Cで 3分間加熱し、 10 x m 厚の均一な樹脂塗膜を作製した。その後、ァライナーを用い、パターンマスクを介し て高圧水銀灯からの紫外線を、波長 350nmにおける露光量が 3, 000— 5, 000J/ m2となるように露光した。次いで、ホットプレートで 110°Cで 3分間加熱(PEB)した後 、再度高圧水銀灯からの紫外線を、波長 350nmにおける露光量が 3, 000— 5, 00 0j/m2となるように露光し、対流式オーブンで 120°Cで 2時間加熱して硬化膜を得た 。この得られた硬化膜を、プレッシャータッカー試験装置 (タバイエスペック (株)社製) で、温度: 121°C、湿度: 100%、圧力: 2.1気圧の条件下で 168時間処理した。試験 前後での層間の体積抵抗率を測定し、耐性を確認した。
[0047] 熱衝擊性
図 1および図 2に示すような基板 2上にパターン状の銅箔 3を有している熱衝撃用の 評価用基材 1に、感光性絶縁樹脂組成物を塗布し、ホットプレートで 110°Cで 3分間 加熱し、導体上で 10 / m厚の樹脂塗膜を作製した。その後、ァライナーを用レ、、パタ ーンマスクを介して高圧水銀灯からの紫外線を、波長 350nmにおける露光量が 5, 0 00j/m2となるように露光した。次いで、ホットプレートで 110°Cで 3分間加熱(PEB) した後、高圧水銀灯からの紫外線を、波長 350nmにおける露光量が 3, 000— 5, 0 00j/m2となるように露光し、対流式オーブンで 120°Cで 2時間加熱して硬化膜を得 た。この評価用基材を冷熱衝撃試験器 (タバイエスペック (株)社製)で- 55°CZ30 分一 150°C/30分を 1サイクルとして耐性試験を行った。硬化膜にクラックなどの欠 陥が発生するまでのサイクル数を確認した。
[0048] 麵口0口十牛 6インチのシリコンウェハーに感光性絶縁樹脂組成物をスピンコートし、ホットプレー トで 110°Cで 3分間加熱し、 10 / m厚の均一な塗膜を作製した。その後、ァライナー を用い、パターンマスクを介して高圧水銀灯からの紫外線を、波長 350nmにおける 露光量が 5, OOOjZm2となるように露光した。次いで、ホットプレートで 110°Cで 3分 間加熱 (PEB)した後、高圧水銀灯からの紫外線を、波長 350nmにおける露光量が 3, 000 5, OOOjZm2となるように露光し、対流式オーブンで 120°Cで 2時間加熱し て硬化膜を得た。得られた基板をイソプロピルアルコール中、 60°Cで 10分間浸漬し 、硬化膜表面を光学顕微鏡で観察し、以下の基準で評価した。
〇:硬化膜表面に異常が認められない。
X:硬化膜表面が白化または荒れが認められた。
[0049] [合成例 1]
1Lセパラブルフラスコに、スチレン 195g、グリシジノレメタタリレート 133g、アクリル酸 (3—ェチルー 3—ォキセタニル)メチル 172g、 2, 2,ーァゾビスイソブチロニトリル (重合 開始剤、以下、「AIBN」という) 15gおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルァ セテート(以下、「PGMEA」という) 350gをカ卩ぇ攪拌を開始し、窒素ガス雰囲気とした 。次いで、反応液を 70°Cに昇温して 3時間攪拌後、 AIBNlOgを加え、同温度でさら に 1時間攪拌を続けた。次いで、反応液を 100°Cに昇温し、 3時間攪拌を続けた後、 加熱を止めて反応を完結させ、固形分 49重量%の共重合体 (A— 1)の溶液を得た。
[0050] [合成例 2]
1Lセパラブルフラスコに、スチレン 171g、グリシジノレメタタリレート 78g、メタアクリル 酸(3—ェチルー 3—ォキセタニル)メチル 101g、 AIBN15gおよび 2_ヘプタノン 350g をカロえ攪拌を開始し、窒素ガス雰囲気とした。次いで、反応液を 70°Cに昇温して 3時 間攪拌後、 AIBNlOgをカ卩え、同温度でさらに 1時間攪拌を続けた。次いで、反応液 を 100°Cに昇温し、 3時間攪拌を続けた後、加熱を止めて反応を完結させ、固形分 4 9重量%の共重合体 (A— 2)の溶液を得た。
[0051] [合成例 3]
1Lセパラブルフラスコに、スチレン 108g、グリシジノレメタタリレート 110g、アクリル酸 (3—ェチル—3—ォキセタニル)メチル 132g、 AIBN15gおよび PGMEA350gを加え 攪拌を開始し、窒素ガス雰囲気とした。次いで、反応液を 70°Cに昇温して 3時間攪 拌後、 AIBNlOgをカ卩え、同温度でさらに 1時間攪拌を続けた。次いで、反応液を 10 0°Cに昇温し、 3時間攪拌を続けた後、加熱を止めて反応を完結させ、固形分 49重 量%の共重合体 (A— 3)の溶液を得た。
[0052] [実施例 1]
表 1に示すとおり、固形分が 100重量部となる共重合体 (A— 1)の溶液と、酸発生剤 (B-1) 5重量部とを混合して感光性絶縁樹脂組成物を調製した。この組成物の特性 を前記評価方法にしたがって測定した。得られた結果を表 2に示す。
[0053] [実施例 2および 3]
実施例 1と同様にして、表 1に示した組成の感光性絶縁樹脂組成物を調製し、これ らの特性を実施例 1と同様に測定した。得られた結果を表 2に示す。
[0054] [比較例 1および 2]
実施例 1と同様にして、表 1に示した組成の感光性絶縁樹脂組成物を調製し、これ らの特性を実施例 1と同様に測定した。得られた結果を表 2に示す。
[0055] [表 1]
Figure imgf000015_0001
[0056] 表 1に記載の成分は以下のとおりである。
(B)光感応性酸発生剤
B-1: (4—フエ二ルチオ)フエニルジフエニルスルフォニゥムへキサフルオロフォスフエ ート
B-2: (4—フエ二ルチオ)フエニルジフエニルスルフォニゥムへキサフルォロアンチモ ネート
(c)エポキシ樹脂、ォキセタン化合物
C-1:エポキシ樹脂 (日本化薬製「NC— 7000L」)
C-2:ォキセタン化合物 (東亞合成製「XD〇」 )
[表 2] 電気絶縁性
解像性 贿撃性
前 s¾t後 耐薬品性
(jL/m) (Ω■ cm) (Ω · cm) (サイクル) 実施例 1 1 0 3 X 1 016 6 X 1 O14 1 000 〇 実施例 2 1 0 3 X 1 016 5 X 1 014 1 000 〇 実施例 3 1 0 5 1 016 3 X 1014 1 000 〇 n 10 3 X 1016 5 x 1 014 200 〇 比 j2 解像せず 6 X 10 β ショート 100 X

Claims

請求の範囲
[I] エポキシ基を有するビュル単量体と、ォキセタニル基を有するビュル単量体とを含 む単量体成分を共重合してなる共重合体 (A)と、
光感応性酸発生剤(B)とを含有することを特徴とする感光性絶縁樹脂組成物。
[2] 前記共重合体 (A)力 エポキシ基を有するビニル単量体と、ォキセタニル基を有す るビュル単量体と、その他のビュル単量体とを含む単量体成分を共重合してなること を特徴とする請求項 1に記載の感光性絶縁樹脂組成物。
[3] 前記その他のビュル単量体が芳香族ビニル化合物であることを特徴とする請求項 2 に記載の感光性絶縁樹脂組成物。
[4] 前記芳香族ビュル化合物がスチレンであることを特徴とする請求項 3に記載の感光 性絶縁樹脂組成物。
[5] 前記共重合体 (A) 100重量部に対し、前記光感応性酸発生剤(B)を 0. 1— 20重 量部の量で含有することを特徴とする請求項 1に記載の感光性絶縁樹脂組成物。
[6] 前記単量体成分に含まれるエポキシ基を有するビニル単量体およびォキセタニル 基を有するビニル単量体の含有量の合計が、単量体成分 100重量部に対して 20重 量部以上であることを特徴とする請求項 1に記載の感光性絶縁樹脂組成物。
[7] 前記エポキシ基を有するビュル単量体がグリシジノレ (メタ)アタリレートであることを 特徴とする請求項 1に記載の感光性絶縁樹脂組成物。
[8] 前記ォキセタニル基を有するビュル単量体が(メタ)アクリル酸(3—ェチルー 3—ォキ セタニル)メチルであることを特徴とする請求項 1に記載の感光性絶縁樹脂組成物。
[9] 前記光感応性酸発生剤(B)がォニゥム塩化合物であることを特徴とする請求項 1に 記載の感光性絶縁樹脂組成物。
[10] 請求項 1一 9のいずれかに記載の感光性絶縁樹脂組成物を硬化してなる硬化物。
[II] 請求項 1一 9のいずれかに記載の感光性絶縁樹脂組成物を用いて形成された表 面保護膜および/または層間絶縁膜を有することを特徴とする電子部品。
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