[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

WO2003004722A1 - Procede de nettoyage de cuve de reaction et systeme de depot de film - Google Patents

Procede de nettoyage de cuve de reaction et systeme de depot de film Download PDF

Info

Publication number
WO2003004722A1
WO2003004722A1 PCT/JP2002/002200 JP0202200W WO03004722A1 WO 2003004722 A1 WO2003004722 A1 WO 2003004722A1 JP 0202200 W JP0202200 W JP 0202200W WO 03004722 A1 WO03004722 A1 WO 03004722A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
reaction vessel
cleaning
film
gas
ruthenium
Prior art date
Application number
PCT/JP2002/002200
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Kazuhide Hasebe
Daisuke Nozu
Dong-Kyun Choi
Original Assignee
Tokyo Electron Limited
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Limited filed Critical Tokyo Electron Limited
Priority to US10/480,488 priority Critical patent/US7546840B2/en
Priority to KR1020047000022A priority patent/KR100861817B1/ko
Priority to EP02702843A priority patent/EP1422316B1/en
Priority to DE60236296T priority patent/DE60236296D1/de
Publication of WO2003004722A1 publication Critical patent/WO2003004722A1/ja

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/905—Cleaning of reaction chamber
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/906—Cleaning of wafer as interim step

Definitions

  • the present invention relates to a method and apparatus for cleaning a reaction vessel for forming a ruthenium film or a ruthenium oxide film.
  • This type of film can be deposited on a wafer by a CVD process using, for example, a Ru (EtCP) 2 material using a vertical heat treatment apparatus.
  • Et is an ethyl group and CP is cyclobenzene (C5H4).
  • C5H4 cyclobenzene
  • the reaction tube is made of quartz
  • the wafer boat is also made of quartz.
  • C 1 F 3 gas there is a problem that these quartz members are damaged, and the reaction gas enters from the process gas or the atmosphere.
  • HC 1 and HF remained on the inner walls of the reaction vessel and wafer boats by reacting with moisture and the like, and these could be scattered and enter the film of the wafer.
  • the present invention has been made under such circumstances, and its purpose is to clean the inside of a reaction vessel after forming a ruthenium film or a ruthenium oxide film on an object to be processed. It is therefore an object of the present invention to provide a technology capable of performing efficient cleaning without damaging the reaction vessel and without contaminating the object to be processed. Disclosure of the invention
  • the present invention provides a method for cleaning the inside of a reaction vessel in which a ruthenium film or a ruthenium oxide film has been formed on an object to be treated, the pressure inside the reaction vessel being reduced to 1.33 Kpa or less, and A high-temperature atmosphere of 50 ° C. or higher is provided, and oxygen gas, which is a cleaning gas, is supplied into the reaction vessel.
  • Another invention is a method for cleaning the inside of a reaction vessel in which a ruthenium film or a ruthenium oxide film is formed on an object to be processed, wherein the reaction vessel contains active oxygen, which is a cleaning gas. It is characterized by supplying gas.
  • the active oxygen is, for example, at least one of 03, an oxygen radical and a hydroxyl radical.
  • the apparatus of the present invention is a film forming apparatus for forming a ruthenium film or a ruthenium oxide film on an object to be processed in a reaction vessel, comprising: a pressure adjusting means for adjusting a pressure in the reaction vessel; 1.33 Kpa or less in order to clean the inside of the reaction vessel to which the ruthenium film or ruthenium oxide film has adhered.
  • a control unit having: BRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES
  • FIG. 1 is a vertical sectional side view showing a structure of a vertical heat treatment apparatus as an example of a film forming apparatus according to an embodiment of the method of the present invention.
  • FIG. 2A is an explanatory view showing a state in which an oxygen gas touches a ruthenium film to cause a reaction.
  • FIG. 2B is an explanatory diagram showing how the ruthenium film reacts with oxygen gas to become 02 (solid).
  • FIG. 2C is an explanatory view showing how Ru 02 (solid) is further exposed to oxygen to become Ru 04 (gas).
  • FIG. 3 is a characteristic diagram showing the relationship between the temperature in the reaction vessel and the X-ray reception intensity corresponding to the amount of ruthenium scattered.
  • FIG. 4 is a characteristic diagram showing the relationship between the pressure in the reaction vessel and the intensity of X-ray reception corresponding to the amount of scattered ruthenium.
  • FIG. 5 is a characteristic diagram showing the relationship between the flow rate of oxygen gas and the intensity of X-ray reception corresponding to the amount of ruthenium scattered.
  • FIG. 6 is a vertical sectional side view showing the structure of a vertical heat treatment apparatus as an example of a film forming apparatus according to another embodiment of the method of the present invention.
  • Reference numeral 1 in FIG. 1 denotes a double-tube reaction tube composed of an inner tube 1a and an outer tube 1b made of, for example, quartz. Hold 11 is provided.
  • the upper end of the inner tube 1a is opened, and is supported on the inner side of the manifold 11.
  • the upper end of the outer tube lb is closed, and the lower end is hermetically joined to the upper end of the manifold 11.
  • a reaction vessel is constituted by the inner tube la, the outer tube 1b and the manifold 11. 1 and 2 are base plates.
  • a large number of, for example, 126 wafers W to be processed are respectively provided in a horizontal state in the form of a shelf on a quartz wafer boat 2 which is a holding tool at intervals vertically. It is placed.
  • the wafer boat 2 is held on the lid 21 via an installation area of the heat retaining unit 22.
  • the heat insulation unit 22 is composed of a combination of a heat insulation unit such as a quartz fin and a heating element unit, and a rotating shaft 23 penetrates the center of the unit, and a motor provided on a boat elevator 24 is provided.
  • the wafer boat 2 is rotated by the M through the rotation axis 23.
  • the lid 21 is mounted on a boat elevator 24 for loading and unloading the wafer boat 2 into and out of the reaction tube 1.
  • the lower end of the manifold 11 is opened. It has a role of closing the lower end opening of the reaction vessel composed of the reaction tube 1 and the manifold 11.
  • a heating means 3 which is a heating means composed of, for example, a resistance heating wire, so as to surround the reaction tube 1.
  • a main heater that covers most of the heat treatment atmosphere in the reaction tube 1
  • a sub heater that is disposed above and below the main heater, and a sub heater that is provided on the ceiling portion are provided. 3 ".
  • a furnace body is provided around Heath 3.
  • a first gas supply pipe 4 for a film forming gas and a second gas supply pipe 5 for a cleaning gas are provided, each of which supplies a gas into the inner pipe 1 a. You can do it.
  • the first gas supply pipe 4 is connected to the vaporizer 41 via the valve V 1, and the Ru (EtCP) 2 liquid [screw] sent from the chemical liquid tank 42 via the flow rate control section 43.
  • [Ethylcyclopentene ruthenium] is vaporized by, for example, argon gas and supplied into the reaction tube 1.
  • Et is an ethyl group
  • CP is (C5H4).
  • the second gas supply pipe 5 is connected to an oxygen gas supply source 52 via a valve V 2 serving as a gas supply means and a flow rate control unit 51.
  • An exhaust pipe 13 is connected to the manifold 11 so that air can be exhausted from a space between the inner pipe 1a and the outer pipe 1b, for example, through a pressure adjusting means 14 composed of a butterfly valve.
  • a pressure adjusting means 14 composed of a butterfly valve.
  • the vertical heat treatment apparatus includes a control unit 6, and the control unit 6 stores a program including a recipe for a film forming process and a program including a recipe for a cleaning process in a storage unit. Based on these programs, means for controlling the power of heater 3, valves VI and V2, flow control units 43, 51, pressure control unit 14, etc. It has been.
  • a predetermined number of wafers W to be processed are held in a wafer boat 2 in a shelf shape, and the boat elevator 24 is raised.
  • the reaction tube 1 is carried into the reaction vessel (state in Fig. 1).
  • the inside of the reaction tube 1 is maintained at, for example, about 200 ° C., and after the wafer boat 2 is loaded and the lower end opening of the reaction vessel is closed by the lid 21, the reaction is performed.
  • the temperature in the vessel is raised to a process temperature of, for example, 300 ° C., and the inside of the reaction vessel is evacuated to a predetermined degree of vacuum by a vacuum pump 15 through an exhaust pipe 13.
  • the valve V1 is opened to open the vapor of the Ru (EtCP) 2 liquid vaporized by the vaporizer 41, a small amount of oxygen gas and carrier gas to promote the decomposition of the raw material.
  • the argon gas is supplied into the reaction vessel through the first gas supply pipe 4, the inside of the reaction vessel is adjusted to a predetermined vacuum degree by the pressure adjusting means 14, and the ruthenium (Ru) film is formed on the wafer W. Is formed.
  • wafer boat 2 is rotating by motor M.
  • the supply of the processing gas is stopped, the temperature in the reaction vessel is lowered to 200 ° C, and the wafer boat 2 is unloaded from the reaction vessel (unloading). I do.
  • a ruthenium film is also formed on the reaction vessel (reaction tube 1 and manifold 11), wafer boat 2, and heat retention unit 22. Since the ruthenium film has a property of reflecting light as described above, it is preferable to perform cleaning, for example, every time the film formation process is performed, in order to stabilize the processing temperature of the wafer. Therefore, for example, the following cleaning process is performed.
  • the inside of the reaction tube 1 is maintained at, for example, about 300 ° C., and the wafer boat 2 is loaded into the reaction vessel without mounting the wafer W, and is evacuated to a predetermined degree of vacuum.
  • the power supplied to the heater 3 is increased, and the temperature inside the reaction tube 1 is raised to, for example, 1000 ° C., and the valve V 2 is opened to supply oxygen gas, which is a cleaning gas, to the reactor for example.
  • oxygen gas which is a cleaning gas
  • the pressure in the reaction vessel is adjusted to, for example, 13 pa (1 Torr) to 13.3 Kpa (10 O Torr) by the pressure adjusting unit 14.
  • This state is maintained for a predetermined time and the cleaning process is performed.
  • the time for this process depends on the thickness of the ruthenium film formed on the wafer W and the cleaning cycle (the number of film forming processes before cleaning). For example, a ruthenium film with a target of 20 nm is formed on the wafer W. In this case, a cleaning process is performed, for example, for 20 minutes each time the film is formed.
  • FIG. 2B is a diagram showing a state in which the ruthenium film 72 is removed by oxygen gas.
  • Ru02 (solid) 73 is generated on the inner wall surface of the reaction vessel.
  • the Ru 02 (solid) becomes Ru 04 (gas) and sublimates, thereby cleaning the ruthenium film 72.
  • the reaction tube 1 is used as in the case of using C 1 F3 gas. Also, there is no problem that quartz products such as the wafer port 2 are damaged, and that chlorine and fluorine adhere to the inner wall of the reaction tube 1 and are taken into the ruthenium film. As is clear from the examples described later, cleaning can be performed in a short time because cleaning is performed in a high-temperature atmosphere of 850 ° C. or more and a reduced-pressure atmosphere of 1.33 Kpa. High equipment operation efficiency can be obtained.
  • the pressure in the reaction tube was set to 1.33 Kpa, and the temperature during cleaning (when supplying oxygen gas) was varied to evaluate the amount of ruthenium film removed.
  • the cleaning time was set to 30 minutes in each case.
  • the amount of ruthenium film removed was evaluated by irradiating the ruthenium film on the wafer before and after cleaning with X-rays, respectively, and determining the ruthenium film from the intensity of X-rays corresponding to the energy of ruthenium among the fluorescent X-rays reflected from the ruthenium film.
  • the amount of the film removed by cleaning is determined from the difference in the amount of ruthenium film before and after cleaning. The results are as shown in FIG. However, in FIG.
  • the amount of ruthenium film removed increases with increasing temperature. This is probably because the higher the temperature, the faster the reaction rate described in FIGS. 2A to 2C.
  • the inventor has determined that if the difference in received light intensity is 1.5 kcps, the operation efficiency of the device is sufficiently high. The reason is that if the difference in received light intensity is 1.5 kcps, the removal rate of the ruthenium film can be as high as about 3.6 nmZ, which is a very high removal rate. Looking at the results in Fig. 3, if the temperature is 850 ° C or higher, the difference in the received light intensity is 1.5 kcps or more even for the upper wafer where the ruthenium film removal rate is low. Should be 850 ° C or higher.
  • the temperature of 850 ° C or higher in the reaction tube 1 means that the area where the ruthenium film to be cleaned adheres is 850 ° C or higher, and in the above example, the inner tube 1 This means that the temperature of the inner wall of a is 850 ° C or more.
  • the ruthenium film adheres to the upper part of the outer tube 1b, but does not adhere to the lower part because a purge gas (not shown) flows during the process.
  • the removal amount of the ruthenium film increases as the temperature rises, so it is not particularly necessary to keep the temperature below this temperature, but it may be decided according to the policy of each site, From this experimental result, it is considered that cleaning can be performed with considerably high efficiency if the temperature is set to 900 ° C, for example.
  • the temperature inside the reaction tube was set to 850 ° C, and the pressure during cleaning (when supplying oxygen gas) was set to 133 pa (lTorr), 1.33 Kpa (10 Torr) s, and 13.3 Kpa (10 Torr).
  • the amount of ruthenium film removed was evaluated by setting.
  • the cleaning time was set to 30 minutes in each case.
  • the amount of ruthenium film removed was evaluated by the same method as described above. The results are as shown in FIG. As can be seen from Fig. 4, the removal amount of the ruthenium film increases as the pressure decreases, which is presumably because the lower the pressure, the faster the volatilization of Ru-4. From the results in Fig.
  • the pressure If the force is 1.33 Kpa or less, the difference in the received light intensity is 1.5 kcps or more even for the upper wafer where the ruthenium film removal rate is low, so the pressure condition is 1.33 Kpa.
  • the pressure may be lower than the pressure. Also, the lower the pressure, the greater the removal of the ruthenium film, so the pressure does not have to be lower.
  • the temperature inside the reaction tube was set at 850 ° C., the pressure was set at 1.33 Kpa, and the removal amount of the ruthenium film was evaluated by changing the flow rate of oxygen gas.
  • the cleaning time was set to 30 minutes in each case.
  • the amount of ruthenium film removed was evaluated in the same manner as described above. The results are as shown in FIG. Found that the removal amount of the ruthenium film increases as the flow rate of the oxygen gas from the results of FIG. 5 increases, the flow rate of the oxygen gas in the apparatus described above is at least 0. 2 c oxygen it can be seen that may be a sLm
  • the appropriate flow rate of the gas depends on the size of the reaction tube, etc., and is determined by conducting experiments in advance for each device.
  • the film to be cleaned in the present invention is not limited to the ruthenium film, but may be a ruthenium oxide film (Ru02).
  • the ruthenium oxide film is formed on the wafer W by supplying oxygen gas into the reaction vessel in addition to the vapor of the Ru (EtCP) 2 liquid.
  • This ruthenium oxide film can also be cleaned with oxygen gas in the same reduced-pressure atmosphere and high-temperature atmosphere as described above.
  • an active oxygen gas may be used as the cleaning gas.
  • the active oxygen gas for example, 03 gas, 0 * (oxygen radical) and OH * (hydroxy radical) can be used.
  • a gas containing at least one of these can be used. it can.
  • hydrogen gas and oxygen gas may be separately introduced into the reaction vessel and burned under a reduced pressure atmosphere, and 0 * and OH * generated in the burning process may be used.
  • FIG. 6 shows that a plasma generator 81 for applying a high voltage to a gas to generate a plasma is provided outside the reaction vessel, and the plasma generator 8 is supplied from an oxygen gas supply source 82 via a flow rate controller 83.
  • the oxygen gas sent to 1 is turned into plasma to generate a gas containing 0 *, which is supplied into the reaction vessel through a gas supply pipe 8 so that the ruthenium film is removed.
  • active oxygen is used in this manner, cleaning of the ruthenium film can be performed at a lower temperature than when no oxygen gas is activated.
  • the reaction container when cleaning the inside of the reaction container after forming the ruthenium film or the ruthenium oxide film on the object to be processed, the reaction container is not damaged and the object is not damaged. Cleaning can be performed efficiently without contaminating the processing object.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

明 細 書 反応容器のクリ一二ング方法及び成膜装置 技術分野
本発明はルテニウム膜あるいは酸化ルテニウム膜を成膜する反応容器のクリー 二ング方法及び成膜装置に関する。 背景技術
半導体デバイスにおいて、 電極と絶縁膜との界面に低誘電率の絶縁膜が形成さ れるのを防止するため、 酸化されないかまたは酸化されても金属導電性を示す材 料を用いる必要がある。 このような要求に応えるキャパシ夕の電極材料としてル テニゥム （R u) 膜あるいは酸化ルテニウム （R u 02) 膜を用いることが検討さ れている。
この種の膜は、 例えば縦型熱処理装置を用い、 R u (EtCP)2を原料として C VD 処理によりウェハ上に堆積することができる。 なお Etはェチル基、 CPはシクロべ ン夕ン （C5H4) である。 ところでルテニウム膜は光を反射する性質を持ってい るため、 反応管内に付着すると反応管の外のヒー夕からの輻射光がウェハに届か なくなってウェハの温度が不安定になるし、 また膜はがれによりパーティクル汚 染の要因にもなる。 このため頻繁に例えば 1ノ ッチ分の処理を行う毎に反応管の 内壁をクリ一ニングする必要があり、 例えば C 1 F 3ガスを用いてクリーニングを 行うことが検討されている。
しかしながら一般に反応管は石英で構成され、 またウェハボートも石英で作ら れているため、 C 1 F 3ガスを用いるとこれら石英部材が損傷するという課題があ り、 またプロセスガスあるいは大気から入り込んだ水分などと反応して H C 1や H Fが反応容器の内壁やウェハボートなどに残留し、 これらが飛散してウェハの 膜中に入り込むおそれもあった。
本発明はこのような事情の下になされたものであり、 その目的は、 被処理体に 対してルテニウム膜または酸化ルテニウム膜を成膜した後の反応容器内をクリ一 ニングするにあたり、 反応容器を損傷することなく、 また被処理体を汚染するこ となく、 効率よくクリーニングを行うことのできる技術を提供することにある。 発明の開示
本発明は、 被処理体に対してルテニウム膜または酸化ルテニウム膜の成膜処理 を行った反応容器内をクリーニングする方法において、 反応容器内を 1 . 3 3 Kp a以下の圧力に減圧すると共に 8 5 0 °C以上の高温雰囲気とし、 反応容器内にクリ 一二ングガスである酸素ガスを供給することを特徴とする。
この発明によれば、 石英製品を用いたとしても C 1 F 3ガスを用いたときのよう に損傷することがないし、 被処理体のルテニウムの膜を汚染するおそれもなく、 また短時間でクリーニングを行うことができる。
他の発明は、 被処理体に対してルテニウム膜または酸ィ匕ルテニウム膜の成膜処 理を行った反応容器内をクリーニングする方法において、 反応容器内にクリ一二 ングガスである活性酸素を含むガスを供給することを特徴とする。
この場合、 活性酸素は、 例えば 03、 酸素ラジカル及び水酸基ラジカルのうちの 少なくとも一種である。
また本発明の装置は、 反応容器内にて被処理体に対してルテニウム膜または酸 化ルテニウム膜を成膜する成膜装置において、 反応容器内の圧力を調節する圧力 調節手段と、 反応容器内を加熱する加熱手段と、 反応容器内に酸素ガスを供給す るガス供給手段と、 ルテニウム膜または酸化ルテニウム膜が付着した反応容器内 をクリーニングするために、 反応容器内を 1 . 3 3 Kpa以下の圧力に減圧すると共 に 8 5 0 °C以上の高温雰囲気とし、 反応容器内にクリーニングガスである酸素ガ スを供給するように作成されたプログラムとこのプログラムに基づいて各手段を 制御する手段とを有する制御部と、 を備えたことを特徴とする。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明方法の実施の形態に係る成膜装置の一例である縦型熱処理装置 の構造を示す縦断側面図である。
図 2 Aは、 ルテニウム膜に酸素ガスが触れて反応を生じる様子を示す説明図。 図 2 Bは、 ルテニウム膜が酸素ガスと反応して 02 (固体） になる様子を示 す説明図。
図 2 Cは、 R u 02 (固体） が更に酸素に触れて R u 04 (気体） になる様子を 示す説明図。
図 3は、 反応容器内の温度とルテニウムの飛散量に対応する X線の受光強度と の関係を示す特性図である。
図 4は、 反応容器内の圧力とルテニウムの飛散量に対応する X線の受光強度と の関係を示す特性図である。
図 5は、 酸素ガスの流量とルテニウムの飛散量に対応する X線の受光強度との 関係を示す特性図である。
図 6は、 本発明方法の他の実施の形態に係る成膜装置の一例である縦型熱処理 装置の構造を示す縦断側面図である。 発明を実施するための最良の形態
以下に本発明のクリーニング方法を実施する成膜装置を縦型熱処理装置に適用 した実施の形態について説明する。 図 1中の 1は、 例えば石英で作られた内管 1 a及び外管 1 bよりなる二重管構造の反応管であり、 反応管 1の下部側には金属 製の筒状のマ二ホールド 1 1が設けられている。前記内管 1 aは上端が開口され ており、 マ二ホールド 1 1の内方側にて支持されている。 外管 l bは上端が塞が れており、 下端がマ二ホールド 1 1の上端に気密に接合されている。 この例では、 内管 l a、 外管 1 b及びマ二ホールド 1 1により反応容器が構成されている。 1 2はべ一スプレートである。
前記反応管 1内には、 多数枚例えば 1 2 6枚の被処理体をなすウェハ Wが各々 水平な状態で上下に間隔をおいて保持具である石英製のウェハボ一ト 2に棚状に 載置されている。 ウェハボート 2は蓋体 2 1の上に保温ュニヅト 2 2の設置領域 を介して保持されている。 保温ュニヅトは 2 2は石英フィンなどの断熱ュニヅト 及び発熱体ユニットを組み合わせて成り、 その中央には、 回転軸 2 3が貫通して いてボ一トエレべ—夕 2 4に設けられたモ一夕 Mにより回転軸 2 3を介してゥェ ハボート 2が回転する。 前記蓋体 2 1は、 ウェハボート 2を反応管 1内に搬入、 搬出するためのボート エレべ一夕 2 4の上に搭載されており、 上限位置にあるときにはマ二ホールド 1 1の下端開口部、 即ち反応管 1とマ二ホールド 1 1とで構成される反応容器の下 端開口部を閉塞する役割を持つものである。
また反応管 1の周囲には、 これを取り囲むように例えば抵抗発熱ヒー夕素線よ りなる加熱手段であるヒ一夕 3が設けられている。 この例では反応管 1内の熱処 理雰囲気の大部分を受け持つメインヒー夕及びその上下に配置されたサブヒ一夕 並びに天井部に設けられたサブヒー夕が設けられているが、 符号は便宜上全て 「3」 を付してある。 なおヒー夕 3の周囲には図示していないが、 炉本体が設け られる。
前記マ二ホールド 1 1の周囲には成膜ガス用の第 1のガス供給管 4及びクリー ニングガス用の第 2のガス供給管 5が設けちれ、 夫々内管 1 aの中にガスを供給 できるようになつている。 第 1のガス供給管 4はバルブ V 1を介してべ一パライ ザ 4 1に接続され、 薬液タンク 4 2から流量調節部 4 3を介して送られた R u (E tCP)2液 [ビスェチルシクロペン夕ジェニルルテニウム] を例えばアルゴンガスに より気化して反応管 1内に供給するように構成されている。 Etはェチル基、 CPは ( C5H4) である。 また第 2のガス供給管 5は、 ガス供給手段をなすバルブ V 2 及び流量調節部 5 1を介して酸素ガス供給源 5 2に接続されている。
前記マ二ホールド 1 1には、 内管 1 aと外管 1 bとの間の空間から排気できる ように排気管 1 3が接続されており、 例えばバタフライバルブからなる圧力調節 手段 1 4を介して真空ポンプ 1 5により反応管 1内を所定の減圧雰囲気に維持で きるようになっている。
更にこの縦型熱処理装置は制御部 6を備えており、 この制御部 6は、 成膜処理 のレシピを含むプログラム及びクリ一二ング処理のレシピを含むプログラムを記 憶部に格納していて、 それらのプログラムに基づいて、 ヒータ 3の電力、 バルブ V I、 V 2、 流量調節部 4 3、 5 1及び圧力調節手段 1 4などを制御する手段例 えばデータ処理部である C P Uなどを備えた構成とされている。
次に上述の実施の形態の作用について述べる。 先ず被処理体であるウェハ Wを 所定枚数ウェハボート 2に棚状に保持してボートエレべ一夕 2 4を上昇させるこ とにより反応管 1詳しくは反応容器内に搬入する （図 1の状態） 。 ウェハボート 2の搬入時には反応管 1内は例えば 2 0 0 °C程度に維持されており、 ウェハボー ト 2が搬入されて反応容器の下端開口部が蓋体 2 1により塞がれた後、 反応容器 内の温度をプロセス温度例えば 3 0 0 °Cまで昇温させると共に、 排気管 1 3を通 じて真空ポンプ 1 5により所定の真空度に反応容器内を真空排気する。
こうして反応容器内がプロセス温度に安定した後、 バルブ V 1を開いてベーパ ライザ 4 1により気化された R u (EtCP)2液の蒸気、 原料の分解を促進するための 少量の酸素ガス及びキヤリァガスであるアルゴンガスを第 1のガス供給管 4を通 じて反応容器内に供給しながら圧力調節手段 1 4により反応容器内を所定の真空 度に調整し、 ウェハ Wにルテニウム （R u) 膜を成膜する。 このときウェハボー ト 2はモ—夕 Mにより回転している。 こうしてルテニウム膜の成膜処理が所定時 間行われた後、 処理ガスの供給を停止して反応容器内の温度を 2 0 0 °Cまで降温 し、 ウェハボート 2を反応容器から搬出 （アンロード） する。
このような成膜処理を行うと、 反応容器 （反応管 1及びマ二ホールド 1 1 ) 、 ウェハボート 2及び保温ュニット 2 2などにもルテニウムの膜が付く。 ルテニゥ ム膜は既述のように光を反射する性質をもっているので、 ウェハの処理温度を安 定化させるためには、 例えば成膜処理を行うたびに毎回クリ一ニングを行うこと が好ましい。 そこで例えば次のようなクリーニング処理を行う。 先ず反応.管 1内 を例えば 3 0 0 °C程度に維持しておいて、 ウェハ Wを搭載せずにウェハボート 2 を反応容器内に搬入し、 所定の真空度まで真空引きする。 次いでヒー夕 3への供 給電力を大きくして例えば 1 0 0 0 °Cまで反応管 1内を昇温し、 バルブ V 2を開 いてクリーニングガスである酸素ガスを反応容器内に例えば 0 . 2 sLm〜5 0 . 0 sLmの流量で供給しながら圧力調整部 1 4により反応容器内の圧力を例えば 1 3 3 pa ( 1 Torr) 〜 1 3 . 3 Kpa ( 1 0 O Torr) に調整し、 所定時間この状態を維持し クリーニング処理を行う。 この処理の時間は、 ウェハ Wに成膜するルテニウム膜 の膜厚及びクリーニングサイクル （クリーニングを行うまでの成膜処理の回数） によるが、 例えばウェハ Wに目標が 2 0 nmのルテニウム膜を成膜した場合には、 成膜の度に例えば 2 0分間クリーニング処理を行う。
図 2 A， 2 B， 2 Cは、 反応管 2の壁部 7 1を代表してその内面に成膜された ルテニウム膜 7 2が酸素ガスにより除去される様子を示す図であり、 先ず図 2 A に示すようにルテニウム膜 7 2に酸素が触れると R u + 02 R 11 02 (固体） の 反応が起こって、 図 2 Bに示すように反応容器の内壁面に R u 02 (固体） 7 3が 生成され、 次いでこの R U 02が更に酸素に触れると R u 02+ 02→R U 04 (気 体） の反応が起こり、 図 2 Cに示すように前記 R u 02 (固体） が R u 04 (気 体） となって昇華し、 こうしてルテニウム膜 7 2がクリーニングされる。
この実施の形態によれば、 酸素ガスを用いてクリーニングを行っているため、 「発明が解決しょうとする課題」 の項目で述べたごとく、 C 1 F3ガスを用いたと きのように反応管 1及びウェハポート 2などの石英製品が損傷することがないし、 塩素及びフッ素が反応管 1の内壁などに付着してそれがルテニウムの膜中に取り 込まれるといった問題もない。 そして後述の実施例からも明らかなように、 8 5 0 °C以上の高温雰囲気でかつ 1 . 3 3 Kpaの減圧雰囲気下でクリーニングを行って いることから短時間でクリーニングを行うことができ、 高い装置の稼働効率が得 られる。
(実施例）
次に本発明の効果を確認するための実験を行った。 ただし既述した縦型熱処理 装置の反応管内に膜を付けて除去する実験を行うことは、 評価が困難であること から、 ここではウェハに予めルテニウム膜を成膜しておき、 このウェハを反応管 内に搬入して酸素ガス雰囲気中にさらしてルテニウム膜を除去することでクリー ニング試験に代えている。
実施例 1
反応管内の圧力を 1 . 3 3 Kpaに設定し、 クリーニング時 （酸素ガス供給時） の 温度を種々変えてルテニウム膜の除去量を評価した。 クリーニング時間はいずれ も 3 0分間に設定した。 ルテニウム膜の除去量の評価については、 クリーニング 前後のウェハ上のルテニウム膜に夫々 X線を照射してルテニウム膜から反射され る蛍光 X線のうちルテニウムのエネルギーに対応する X線の強度からルテニウム 膜の量を夫々把握し、 クリーニング前後のルテニウム膜の量の差から、 クリ一二 ングで除去された膜の量を求めている。 結果は図 3に示す通りである。 ただし図 3ではクリ一ニングの前後の蛍光 X線の受光強度の差を求め、 この差をルテニゥ ム膜の除去量の指標としている。 また図 3中、 Xはウェハボート 2の下段側に載 置したウェハに対応し、 〇はウェハボート 2の上段側に載置したウェハに対応す る。 なおこの X、 〇の符号は図 4及び図 5においても同様である。
図 3から分かるように、 ルテニウム膜の除去量は温度が高くなるにつれて大き くなつている。 これは温度が高くなることにより図 2A〜2Cにて説明した反応 の速度が速くなるからであると思われる。 そして本発明者は受光強度の差が 1. 5 k cpsであれば、 装置の稼働効率は十分高いと判断している。 その理由は受 光強度の差が 1. 5k cpsであればルテニウム膜の除去速度が 3. 6nmZ分 程度とかなり早い除去速度が確保できるからである。 図 3の結果を見ると、 85 0°C以上であれば、 ルテニウム膜の除去速度が遅い上段側のウェハについても、 受光強度の差が 1. 5 kcp s以上であることから、 温度条件としては 850°C 以上であればよい。
ここでいう反応管 1内の温度が 850°C以上とは、 クリーニング対象であるル テニゥム膜が付着している箇所が 850°C以上という意味であり、 上述の例でい えば、 内管 1 aの内壁面の温度が 850°C以上であるということである。 なお外 管 1 bの上部にもルテニウム膜が付着するが、 下部側には図示しないパージガス がプロセス中に流れているのでルテニウム膜は付着しない。
温度の上限については、 温度が上昇するにつれてルテニウムの膜の除去量が多 くなっているので、 特にこの温度以下でなければならないというものではなく、 各現場の方針に応じて決めればよいが、 この実験結果からは例えば 900°Cに設 定すれば、 かなり高い効率でクリーニングすることができると思われる。
実施例 2
反応管内の温度を 850°Cに設定し、 クリーニング時 （酸素ガス供給時） の圧 力を 133pa ( lTorr)、 1. 33 Kpa ( 10 Torr) s 13. 3Kpa ( 10 OTor r)の 3通りに設定してルテニウム膜の除去量を評価した。 クリーニング時間はい ずれも 30分間に設定した。 ルテニウム膜の除去量の評価については、 上述の同 様の方法で行った。 結果は図 4に示すとおりである。 図 4から分かるように圧力 が低くなるにつれてルテニウム膜の除去量が多くなつているが、 この理由は Ru 〇4の揮発が低圧であるほど促進するからであると思われる。 図 4の結果から、 圧 力が 1 . 3 3 Kpa以下であれば、 ルテニウム膜の除去速度が遅い上段側のウェハに ついても、 受光強度の差が 1 . 5 k c p s以上であるから、 圧力条件としては 1 . 3 3 Kpaよりも低い圧力であればよい。 また圧力が低いほどルテニウム膜の除去量 は多くなつているので、 圧力は特にこれよりも低くしなければならないというも のではない。
実施例 3
反応管内の温度を 8 5 0 °Cに設定し、 また圧力を 1 . 3 3 Kpaに設定して、 酸素 ガスの流量を変えてルテニウム膜の除去量を評価した。 クリーニング時間はいず れも 3 0分間に設定した。 ルテニウム膜の除去量の評価については、 上述の同様 の方法で行った。 結果は図 5に示すとおりである。 図 5の結果から酸素ガスの流 量が大きくなるにつれてルテニウム膜の除去量が多くなることが分かり、 上述の 装置においては酸素ガスの流量が少なくとも 0 . 2 sLmであればよいことが分かる c 酸素ガスの適切な流量については、 反応管の大きさなどにより左右されるので、 各装置毎に予め実験を行って決めることになる。
以上において、 本発明でクリーニングの対象となる膜は、 ルテニウム膜に限ら ず酸化ルテニウム膜 （R u 02) であってもよい。 酸化ルテニウム膜は、 R u (Et CP)2液の蒸気に加えて酸素ガスを反応容器内に供給することによりウェハ W上に 成膜されるものである。 この酸化ルテニウム膜の場合も上述と同様の減圧雰囲気 かつ高温雰囲気において酸素ガスによりクリ一二ングすることができる。
またクリ一ニングガスとしては活性酸素ガスを用いるようにしてもよい。 活性 酸素ガスとしては、 例えば 03ガス、 0* (酸素ラジカル） 及び O H* (水酸基ラジ カル） などを用いることができ、 本発明では例えばこれらの少なくとも 1種が含 まれているガスを用いることができる。 なお活性酸素としては、 例えば反応容器 内に水素ガスと酸素ガスとを別々に導入して減圧雰囲気下で燃焼させ、 その燃焼 過程で生成される 0*及び O H*を用いてもよい。
図 6は、 反応容器の外部に例えば高電圧をガスに印加してプラズマ化するブラ ズマ発生装置 8 1を設け、 酸素ガス供給源 8 2から流量調節部 8 3を介して前記 プラズマ発生装置 8 1に送られた酸素ガスをここでプラズマ化して 0*を含むガス を生成し、 これをガス供給管 8を介して反応容器内に供給し、 ルテニウム膜のク リーニングを行う。 このように活性酸素を用いれば、 酸素ガスを活性化させない 場合に比べてより低温でルテニゥム膜のクリ一ニングが行える。
以上のように本発明によれば、 被処理体に対してルテニウム膜または酸化ルテ 二ゥム膜を成膜した後の反応容器内をクリーニングするにあたり、 反応容器を損 傷することなく、 また被処理体を汚染することなく、 効率よくクリーニングを行 うことができる。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 被処理体に対してルテニウム膜または酸化ルテニウム膜の成膜処理を行 つた反応容器内をクリーニングする方法において、
反応容器内を 1 . 3 3 Kpa以下の圧力に減圧すると共に 8 5 0 °C以上の高温雰囲 気とし、 反応容器内にクリーニングガスである酸素ガスを供給することを特徴と する反応容器のクリーニング方法。
2 . 被処理体に対してルテニウム膜または酸化ルテニウム膜の成膜処理を行 つた反応容器内をクリ一ニングする方法において、
反応容器内にクリーニングガスである活性酸素を含むガスを供給することを特 徴とする反応容器のクリーニング方法。
3 . 活性酸素は、 03、 酸素ラジカル及び水酸基ラジカルのうちの少なくとも 一種であることを特徴-とする請求項 2記載の反応容器のクリ一ニング方法。
4 . 反応容器内にて被処理体に対してルテニウム膜または酸化ルテニウム膜 を成膜する成膜装置において、 ·
反応容器内の圧力を調節する圧力調節手段と、
反応容器内を加熱する加熱手段と、
反応容器内に酸素ガスを供給するガス供給手段と、
ルテニウム膜または酸化ルテニウム膜が付着した反応容器内をクリーニングす るために、 反応容器内を 1 . 3 3 Kpa以下の圧力に減圧すると共に 8 5 0 °C以上の 高温雰囲気とし、 反応容器内にクリ一ニングガスである酸素ガスを供給するよう に作成されたプログラムとこのプログラムに基づいて各手段を制御する手段とを 有する制御部と、 を備えたことを特徴とする成膜装置。
PCT/JP2002/002200 2001-07-05 2002-03-08 Procede de nettoyage de cuve de reaction et systeme de depot de film WO2003004722A1 (fr)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/480,488 US7546840B2 (en) 2001-07-05 2002-03-08 Method for cleaning reaction container and film deposition system
KR1020047000022A KR100861817B1 (ko) 2001-07-05 2002-03-08 반응용기의 클리닝방법 및 성막장치
EP02702843A EP1422316B1 (en) 2001-07-05 2002-03-08 Method for cleaning reaction container
DE60236296T DE60236296D1 (ja) 2001-07-05 2002-03-08

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001204674A JP3364488B1 (ja) 2001-07-05 2001-07-05 反応容器のクリーニング方法及び成膜装置
JP2001-204674 2001-07-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2003004722A1 true WO2003004722A1 (fr) 2003-01-16

Family

ID=19041104

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2002/002200 WO2003004722A1 (fr) 2001-07-05 2002-03-08 Procede de nettoyage de cuve de reaction et systeme de depot de film

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7546840B2 (ja)
EP (1) EP1422316B1 (ja)
JP (1) JP3364488B1 (ja)
KR (1) KR100861817B1 (ja)
DE (1) DE60236296D1 (ja)
TW (1) TWI250571B (ja)
WO (1) WO2003004722A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1693483A3 (en) * 2002-08-02 2006-11-22 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Sputtering target, sintered article, conductive film fabricated by utilizing the same, organic el device, and substrate for use therein

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI365919B (en) * 2004-12-28 2012-06-11 Tokyo Electron Ltd Film formation apparatus and method of using the same
KR101627491B1 (ko) * 2007-07-06 2016-06-07 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 산화물 소결물체와 그 제조 방법, 타겟, 및 그것을 이용해 얻어지는 투명 도전막 및 투명 도전성 기재
RU2478565C2 (ru) * 2008-06-16 2013-04-10 Осака Гэс Ко., Лтд. Способ работы реактора с рутениевым катализатором
JP6125846B2 (ja) * 2012-03-22 2017-05-10 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
JP5766647B2 (ja) * 2012-03-28 2015-08-19 東京エレクトロン株式会社 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム
KR20230133353A (ko) * 2021-01-19 2023-09-19 램 리써치 코포레이션 금속 에칭 잔여물들을 갖는 챔버 컴포넌트들을 세정하는방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000200782A (ja) * 1998-10-26 2000-07-18 Hitachi Ltd 半導体製造装置のクリ―ニング方法
EP1020236A2 (en) * 1999-01-12 2000-07-19 Central Glass Company, Limited Cleaning gas and cleaning method
JP2000265275A (ja) * 1999-03-15 2000-09-26 Central Glass Co Ltd クリーニング方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5324683A (en) * 1993-06-02 1994-06-28 Motorola, Inc. Method of forming a semiconductor structure having an air region
CN1054702C (zh) * 1995-06-26 2000-07-19 现代电子产业株式会社 制造半导体器件电容器的方法
US6003526A (en) * 1997-09-12 1999-12-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd In-sit chamber cleaning method
US6635185B2 (en) * 1997-12-31 2003-10-21 Alliedsignal Inc. Method of etching and cleaning using fluorinated carbonyl compounds
US6143192A (en) * 1998-09-03 2000-11-07 Micron Technology, Inc. Ruthenium and ruthenium dioxide removal method and material
US6537461B1 (en) * 2000-04-24 2003-03-25 Hitachi, Ltd. Process for treating solid surface and substrate surface
US6176930B1 (en) * 1999-03-04 2001-01-23 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlling a flow of process material to a deposition chamber
EP1167568B1 (en) * 2000-06-21 2006-06-07 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus and cleaning method of the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000200782A (ja) * 1998-10-26 2000-07-18 Hitachi Ltd 半導体製造装置のクリ―ニング方法
EP1020236A2 (en) * 1999-01-12 2000-07-19 Central Glass Company, Limited Cleaning gas and cleaning method
JP2000265275A (ja) * 1999-03-15 2000-09-26 Central Glass Co Ltd クリーニング方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CHOI D. ET AL.: "Cleaning technique of hot-wall batch type Ru CVD equipment by oxygen gas", IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING, CONFERENCE PROCEEDINGS, 8 October 2001 (2001-10-08), pages 301 - 304, XP001079390 *
See also references of EP1422316A4 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1693483A3 (en) * 2002-08-02 2006-11-22 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Sputtering target, sintered article, conductive film fabricated by utilizing the same, organic el device, and substrate for use therein

Also Published As

Publication number Publication date
EP1422316B1 (en) 2010-05-05
EP1422316A1 (en) 2004-05-26
EP1422316A9 (en) 2007-07-04
KR100861817B1 (ko) 2008-10-07
KR20040030784A (ko) 2004-04-09
JP2003013232A (ja) 2003-01-15
US20040144320A1 (en) 2004-07-29
DE60236296D1 (ja) 2010-06-17
US7546840B2 (en) 2009-06-16
JP3364488B1 (ja) 2003-01-08
TWI250571B (en) 2006-03-01
EP1422316A4 (en) 2005-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI845538B (zh) 膜的方法
JP4449226B2 (ja) 金属酸化膜の改質方法、金属酸化膜の成膜方法及び熱処理装置
JP6959362B2 (ja) 高圧処理によるタングステンの脱フッ素化
KR100297284B1 (ko) 처리장치및드라이크리닝방법
US5028560A (en) Method for forming a thin layer on a semiconductor substrate
US5178682A (en) Method for forming a thin layer on a semiconductor substrate and apparatus therefor
TWI446404B (zh) 半導體裝置的製造方法、清潔方法及基板處理裝置
US20150221529A1 (en) Gas supply method and thermal treatment method
JP4994197B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
WO2017192249A1 (en) Plasma treatment process for in-situ chamber cleaning efficiency enhancement in plasma processing chamber
JP2010206050A (ja) 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
WO2022138655A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
KR102358308B1 (ko) 기판 처리 장치, 인젝터 내의 파티클 제거 방법 및 기판 처리 방법
KR100989028B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치
WO2003004722A1 (fr) Procede de nettoyage de cuve de reaction et systeme de depot de film
JP4754080B2 (ja) 基板処理装置のクリーニング方法及び基板処理装置
WO2005054543A1 (ja) クリーニング方法
JP3297857B2 (ja) クラスタツール装置
JP2004530294A (ja) 薄膜形成方法および薄膜形成装置
WO2004006317A1 (ja) 基板処理装置のクリーニング方法
JP2002008991A (ja) クリーニング方法
CN2735539Y (zh) 成膜装置
JP4607347B2 (ja) 被処理体の処理方法及び処理装置
JPH0249428A (ja) 半導体基板表面に薄膜を形成する方法およびその装置
JPH0786170A (ja) 枚葉式ホットウォール処理装置及びそのクリーニング方法

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): KR SG US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)

Free format text: EXCEPT/SAUF SG)

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2002702843

Country of ref document: EP

Ref document number: 10480488

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020047000022

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2002702843

Country of ref document: EP