WO2002032903A1

WO2002032903A1 - Procede de production d'un trimere de derive indole, trimere de derive indole et structure lamellee formee a partir de ce dernier

Info

Publication number: WO2002032903A1
Application number: PCT/JP2001/008442
Authority: WO
Inventors: Shinichi Maeda; Fumino Momose; Yoshikazu Saitoh; Takashi Saitoh
Original assignee: Mitsubishi Rayon Co., Ltd.
Priority date: 2000-10-17
Filing date: 2001-09-27
Publication date: 2002-04-25
Also published as: EP1327632B1; US20060211793A1; US7585981B2; US20040019097A1; EP1327632A1; JP4112973B2; DE60136837D1; EP1327632A4; US7115751B2; JPWO2002032903A1

Description

明細書

ィンドール誘導体三量体の製造方法及びィンドール誘導体三量体とその積層構造体技術分野

本発明はィンドール誘導体三量体の製造方法及びそれにより得られ得る新規なィンドしル誘導体三量体に関するものである。該三量体を主成分とする組成物は、各種帯電防止、制電、コンデンサ、電池、 EMIシールド、化学センサー、表示素子、有機 EL材料、非線形材料、防鲭剤、接着剤、繊維、帯電防止塗料、電着塗装、メツキプライマー、静電塗装用導電性プライマー、電気防食等に適用可能である。

背景技術

これまでに、ィンドールの化学重合法は、特開平 5— 148320号公報で酸化剤溶液中にインドール溶液を滴下する方法が提案されている。この方法は、無置換のインドールを原料とする場合についてのみ提案されているものであり、置換基を持つインドール誘導体については何ら記載されていない。また、生成物はインドールを線り返し単位とするボリマーであり、三量体の生成に関しては何ら記載されていない。

J . E l e c t r o a n a l . C h e m. ， 414 (1 996) 1 97頁に、無置換ィンドール、 4—ニトロインドール、 5—二トロインドールの電解反応によるポリマーの合成が、また、 J . C h e m. S o c . , F a r a d a y

T r a n s. , 93 ( 1 99 7) 3 79 1頁には、無置換ィンドール、 5—シァノインドールの電解反応による三量体の合成についてそれぞれ報告されている, これらの文献に記載されている方法で取得した無置換ィンド一ルゃ量換ィンドーノレでは、酸化還元テスト（サイクルテスト）を行うと、三量体の劣化が進行し、結果としてサイクル特性が悪く、導電性デバイスへの適用が困難であった ₃ さらに電解反応では三量体を大量に合成すろ二とは困難で、ェ桊的製法としては適用し難レ、と言 0問題点も有している, _ I-Ie t e r o c y c l e s, 1 2 (1 979) 471頁、 Ch em.

P h a r m. B u i 1. ， 29， (1 98 1 ) 3499頁に、 T i C 1 ₃あるいは F e S0₄と H₂0₂を用いた無置換インドール三量体の合成が報告されている。しかしながら、報告論文中にも記載されている通り、数種類の副生成物が混在していること、及び目的とする三量体の収率が低いなどの課題点が多かった。また、 S y n t h e t i c Me t a l s, 80 (1 996) 309頁でも，電解反応による無置換ィンドール三量体の合成が報告されており、その物性は、層間隔： 0. 658 ηπα、導電率： 0. O S S/c mである。

このように、従来技術で得られる無置換ィンドール三量体や置換ィンドール三量体ではサイクル特性、工業的製造への適性が不充分であり、髙酸化還元電位、高酸化還元容量、高サイクル特性を有するインドール誘導体三量体の開発と、これらの工業的な製造法の開発が当該分野では重要な課題となっていた。

本発明の目的は、ィンドール誘導体三量体を高純度で大量生産することができる工業的な製造方法およびその方法によって得られ得る、髙導電性を有し、高い酸化還元電位、高い酸化還元容量を有し、かつサイクル特性が良好な新規なインドール誘導体三量体を提供することにある。

発明の開示

すなわち、本発明の第一の態様は、下記一般式（1)

(式中、 I^i R は、水素、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜24の直鎮または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 24の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜24の直鎮または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜24の直鎮または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド¾およびハ αゲン基からなる'群からそれぞれ独立して選ばれた遛換墓:である,， ) で示される少なくとも一種のインドール誘導体（A ) を、少なくとも一種の酸化剤 ( B ) と少なくとも一種の溶媒を含む反応混合物中において酸化することを含む、下記一般式（2 )

(式中、；！^〜尺丄は、水素、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸ィォン、チォシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン. メタンスルホン酉イオン、 p—トルエンスルホン酸イオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフノレォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰ィオンであり、 aは Xのィオン価数を表し、】〜 3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示されるインドール誘導体三量体の製造方法に関する。

本発明の第二の態様は、前記一般式（1 ) で示される少なくとも一種のインドール誘導体 ( /\) と少なくとも一種の有機溶媒（C) を含む溶液屮に、少なくとも一種の酸化剤（B ) と少なくとも一種の有機溶媒（C ) と水を含む溶液を滴下して反応することを含む、前記一般式（2 ) で示されるインドール誘導体三量体の製造方法に関する。

本発明の第三の態様は、酸化剤（B ) 、無水塩化第二鉄、塩化第二鉄六水和物、硝酸第二鉄六水和物、硫酸第二鉄 n水和物、硫酸第二鉄アンモニゥム十二水和物、過塩素酸第二鉄 n水和物、塩化第二铜、テトラフルォロホウ酸第二銅、ォゾン、及び過硫酸アンモニゥムからなる群から選ばれた少なくとも一種である、前記第一または第二の態様に記載のィンドール誘導体三量体の製造方法に関する。本発明の第四の態様は、有機溶媒（C ) がァセトニトリルである前記第一〜第三の態様のいずれかに記載のィンドール誘導体三量体の製造方法に関する。

本発明の第五の態様は、反応終了後に酸性溶液を用いてドーピング処理を行うことをさらに含む、第一〜第四の態様のいずれかに記載のィンドール誘導体三量体の製造方法に関する。

本発明の第六の態様は、下記一般式（3 )

(式中、〜 ^は、いずれも水素、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のァルキル基、炭素数〜 2 4の直鎖または分岐のアルコキシ墓、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸墓、炭素数 1〜2 4の直鎮¾ たは分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、ァミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり .

〜R i。がすべて水素であるものを除き、または R ₂、 R ₆、および

R 0のすべてが同一の置換基で置換されていてかつその他がすべて水素であるものを除き、また、 x ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフツイ匕イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸ィォン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸イオン、トリフノレオ口酉乍酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜3価の陰ィォンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 aは Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示されるインドール誘導体三量体に関する。

本発明の第七の態様は、下記一般式（4 )

(式中、 R ₂〜R ₄、 R ₆〜R ₈、および R i。〜 2は、いずれも水素、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数].〜 2 4の直鎮または分岐のアルコキシ墓、炭素数 2〜 2 4の直鎮または分岐のァシル基、アルデヒド基、力ルポン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜 2 4の直鎮または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ墓、アミノ基、アミド甚ぉよびノ、口ゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p— トノレエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。 ) で示される 4一二トロインドール三量体誘導体に関する。

本発明の第八の態様は、下記一般式（5 )

(式中、 R 、 R ₂、 R ₄〜R ₆、 R ₈〜R _{1 0}、および R _{:1 2}は、いずれも水素、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸墓、炭素数 2〜 2 4の直鎮または分岐のカルボン酸： 3 ステル墓、スルホン酸基、炭素数 L〜2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル墓、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる鮮からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほ:）フク化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、ブロビオン酸イオン、メタンスルホン酉イオン、 p — 卜ルエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰ィオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜 3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示される 6—二トロインドル三量体誘導体に関する。

本発明の第九の態様は、下記一般式（6 )

(式中、 R R ^ R ₅〜R ₇、および R ₉〜R _{1 ;L}は、いずれも水素、炭素数 1〜2 4の直鎮または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のァルコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^{a _}は、塩素イオン、臭素イオン、ョゥ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p— トルエンスルホン酉イオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸ィオンからなる L

〜 3価の陰ィオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰ィオンであり、 aは Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である）で示される 7—二トロインドール三盘体誘導体に関する,.，本発明の第十の態様は、下記一般式（7 )

(式中、 R ₂〜R ₄、 R ₆〜R ₈、および R _{1 0}〜R _{1 2}は、いずれも水素、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、力ルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X. ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p— トルエンスノレホン酉ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰ィオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰ィオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、丄〜 3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示されるインドール一 4—カルボ二トリル三量体誘導体に関する。

本発明の第 +—の態様は、下記一般式（8 )

(式中、 R ₂、 R ₄〜R ₆、 R ₈〜R _{1 0}、および R _{1 2}は、いずれも水素、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、ァミノ墓、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^{a _}は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トノレエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示されるインドル一 6—カルボ二トリル三量体誘導体に関する。

本発明の第- 1-二の態様は、下記一般式（9 )

(式中、 R^ R g R ₅〜R ₇、および R ₉〜R _{1 :L}は、いずれも水素、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のァルコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ョゥ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピ才ン酸ィ才ン、メタンスノレホン酸ィ才ン、 p—トノレエンスルホン酸ィ才ン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1 〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 aは Xのイオン価数を表し、 1〜 3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示されるィンドール一 7—カルボ二卜リル三量体誘導体に関する。

本発明の第十三の態様は、下記一般式（1 0 )

(式中、 R₂〜R₄、 R₆〜R₈、および R_{1 0}〜R₁₂は、いずれも水素、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 24の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、力ルボン酸基、炭素数 2〜 24の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ墓、水酸基、ニトロ基、ァミノ墓、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸ィオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸ィォン、チォシァン酸ィオン、酢酸ィォン、プロピオン酸 ^ώイオン、メタンスルホン酸イオン、 ρ— トルエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0. 5である。）で示されるインドール一 4一力ルポン酸三量体誘導体に関する。

本発明の第十四の態様は、下記一般式（11)

(式中、 R .,、 R _{? N} R ₄〜R ₆、 R ' R 、および R _{1 2}は、いずれも水素、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 ρ—トルエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 '丄〜 3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示されるィンドール一 6—カルボン酸三量体誘導体に関する。

本発明の第十五の態様は、下記一般式（1 2 )

(式中、尺〜尺 ^ R ₅〜R ₇、および R ₉〜R _{1 ;1}は、いずれも永素、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルキル墓、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のァノレコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ョゥ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トノレエンスルホン酸イオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1 〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 aは Xのイオン価数を表し、 1〜 3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。 ) で示されるィンドール— 7—カルボン酸三量体誘導体に関する

本発明の第十六の態様は、下記一般式（1 3 )

(式中、 R ₂〜R ₄、 R ₆〜R ₈、ぉょぴ1^ _{1 0}〜尺_{1 2}は、いずれも水素、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、力ルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、：！.〜 3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示されるィンドール一 4—カルバルデヒド三量体誘導体に関する。

本発明の第十七の態様は、下記一般式（1 4 )

(式中、 Rい R₃〜R₅、 R₇〜R ₉、 R J J , および R_{l 2}は、いずれも水素、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびノヽロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p— トルエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0. 5である。 ) で示されるインドール一 5—カルバルデヒド三量体誘導体に関する。

本発明の第十八の態搽は、下記一般式（1 5)

(式中、 R ₂、 R ₄〜R ₆、 R ₈〜Rュ ₀、および R _{1 2}は、いずれも水素、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のアルキル墓、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル墓、スルホン酸基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。 ) で示されるインドール一 6—カルパルデヒド三量体誘導体に関する。

本発明の第十九の態様は、下記一般式（1 6 )

(式中、

は、いずれも水素、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のァルコキシ基、炭素数 2〜2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎮または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a一は、塩素イオン、臭素イオン、ョゥ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸イオン、卜リフルォロ鲊酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1 〜 3価の陰ィオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰ィオンであり、 aは Xのイオン価数を表し、 ]〜3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示されるィンド一ルー 7—カルバルデヒド三量体誘導体に関する。

本発明の第二十の態様は、下記一般式（1 7 )

(式中、 R₂〜； ₄、 R₆〜R₈、および R_{1 0}〜R_{1 2}は、いずれも水素、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜24の直鎮または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 24の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、力ルボン酸墓、炭素数 2〜 24の直鎮または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜 24の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド¾およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰ィオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰ィオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0. 5である。）で示される 4—プロモインドール三量体誘導体に関する。

本発明の第二 H "—の態様は、下記一般式（18)

(式中、 R₂、 R₄〜R₆、 R₈〜R₁₀、および R_{1 2}は、いずれも水素、炭素数 1〜 24の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜 24の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 24の直鎮または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 24の直鎮または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X^a一は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 ρ—トルエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜 3の整数であり、 mは 0〜0. 5である。）で示される 6—プロモインドール三量体誘導体に関する。

本発明の第二 +二の態様は、下記一般式（19)

(式中、 R^ R g R ₅〜R ₇、および R ₉〜R _{1 ;L}は、いずれも水素、炭素数；!〜 2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のァルコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル墓、スルホン酸基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ョゥ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピ才ン酸ィ才ン、メタンスノレホン酸ィ才ン、 p—トノレエンスルホン酸ィ才ン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1 〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 aは Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示される 7ーブロモインドール三量体誘導体に関する。

本発明の第二十三の態様は、下記一般式（2 0 )

(式中、 R₂〜R₄、 R₆〜R₈、および R_{1 0}〜R_{1 2}は、いずれも水素、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 24の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、力ルボン酸基、炭素数 2〜 24の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ墓、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸ィオン、チオシァン酸ィォン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0. 5である。 ) で示される 4—フルォロインドール三量体誘導体に関する。

本発明の第二十四の態様は、下記一般式（2 :1 )

(式中、 Rい R ₃〜R ₅、 R ₇〜R ₉、 R _{1 :L}、および R ] ₂は、いずれも水素、炭素数 1〜2 4の直鎮または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル墓、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜 2 4の直鎮または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ墓、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a一は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 ρ—トルエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示される 5—フルォロインドール三量体誘導体に関する。

本発明の第二十五の態様は、下記一般式（2 2 )

(式中、 R h R ₂、 R ₄〜R ₆、 R ₈〜： R _{1 0}、および R _{1 2}は、いずれも水素、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびノヽロゲン墓からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p— トルエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。 ) で示される 6—フルォロインドール三量体誘導体に関する _e

本発明の第二十六の態様は、下記一般式（2 3 )

(式中、 R _:L〜R ₃、 R ₅〜R ₇、および R ₉〜R _{1 ;1}は、いずれも水素、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎮または分岐のァルコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ墓、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基である。また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ョゥ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸イオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1 〜3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 aは Xのイオン価数を表し、 1〜 3の整数であり、 raは 0〜0 . 5である。）で示される 7—フルォロインドール三量体誘導体に関する。

本発明の第二十七の態様は、下記一般式（2 4 )

(式中、 R ₂〜R ₄、 R ₆〜R ₈、および R _{1 0}〜R _{1 2}は、いずれも水素、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎮または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎮または分岐のァシル基、アルデヒド基、力ルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示される 4一ァセチルインドール三量体誘尊体に関する。

本発明の第二十八の態様は、下記一般式（2 5 )

(式中、 Rh R₃〜R₅、 R₇〜R₉、 R_{l l} および R₁₂は、いずれも水素、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜24の直鎮または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 24の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 24の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜 24の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン醅イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0. 5である。）で示される 5—ァセチルインドール三量体誘導体に関する。

本発明の第二十九の態様は、下記一般式（26)

(式中、 R ₂、 R ₄〜R ₆、 R ₈〜R _{1 0}、および R _{1 2}は、いずれも永素、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド墓、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびノヽロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜 3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示される 6—ァセチルインドール三量体誘導体に関する。

本発明の第三十の態様は、下記一般式（2 7 )

(式中、 R i R g R ₅〜R ₇、および R ₉〜R _{1 ;L}は、いずれも水素、炭素数 1〜2 4の直鎮または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のァルコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸墓、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐の力 <レボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜 2 4の直鎮または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ墓、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびノヽロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ョゥ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸イオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1 〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 aは Xのイオン価数を表し、 1〜 3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示される 7—ァセチルインドール三量体誘導体に関する。

本発明の第三-! "一の態様は、下記一般式（2 8 )

(式中、 R₂〜R₄、 R₆〜R₈、および R₁₀〜R_{1 2}は、いずれも水素、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜24の直鎮または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 24の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、力ルボン酸基、炭素数 2〜 24の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 x^a-は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p— トルエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜 3の整数であり、 mは 0〜0. 5である。 ) で示きれる 4一力ルバモイルインドール三量体誘導体に関する。

本発明の第三十二の態様は、下記一般式（2 9)

(式中、 Rい R ₃〜R ₅、 R ₇〜R ₉、 R _{1 ]L}、および Rュ ₂は、いずれも水素、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ墓、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびノ、ロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰ィオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1.〜3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示される 5—力ルバモイルインドール三量体誘導体に関する c

本発明の第三十三の態様は、下記一般式（3 0 )

(式中、 R R ₂、 R ₄〜R ₆、 R ₈〜R _{1 0}、および ₂は、いずれも水素、炭素数 1〜2 4の直鎮または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 Ί〜3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示される 6—力ルバモイルインドール三量体誘導体に関する。

本発明の第三十四の態様は、下記一般式（3 1 )

(式中、 R R g R ₅〜R ₇、および R ₉〜R _{1 :L}は、いずれも水素、

1〜 2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のァルコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 x ^a -は、塩素イオン、臭素イオン、ョゥ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p— トルエンスルホン酸イオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1

〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 aは Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。 ) で示される

7—力ルバモイルインドール三量体誘導体に関する。

本発明の第三十五の態様は、前記第六〜第三十四の態様のいずれかに記載のィンドール誘導体三量体であつて、 X ^a—が塩素イオン、硫酸ィオン、ホゥフッ化イオンからなる群から選ばれた少なくとも一種であるインドール誘導体三量体に関する，

本発明の第三十六の態様は、前記第六〜第三十五の態機のい '^れ力 .、に記献のィンドール誘導体三量体であって、 m = 0 . 0 0 1〜0 . 5であるドープ型のィンドル誘導体三量体に関する。

本発明の第三十七の態様は、前記第六〜第三十五の態様のいずれかに記载のィンドール誘導体三量体であって、 m = 0である脱ド^"プ型のィンドール誘導体三量体に関する。

本発明の第三十八の態様は、粒径 0 . 1〜5 0 mの粒子である下記一般式 ( 2 )

(式中、 R ₁〜R _{1 2}は、水素、炭素数 1〜 2 4の直鎮または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルコキシ墓、炭素数 2〜 2 4の直鎮または分岐のァシル墓、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜2 4の直鎮または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハ口ゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸ィォン、チォシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p -トルエンスルホン酸イオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフノレオロメタンスルホン酸イオンからなる：1〜： 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰ィオンであり、 aは Xのィオン価数を表し、 Ί〜 3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である,， ) で示されるインド一ル誘導体三 ¾体に関する本発明の第三十九の態様は、インドール誘導体三量体が、前記第一〜第五の態様のいずれかに記載された方法により製造され得る、前記第三十八の態様に記載のィンドール誘導体三量体に関する。

本発明の第四十の態様は、インドール誘導体三量体が、前記第六〜第三十七の態様のいずれかに記載のものである、前記第三十八の態様に記載のィンドール誘導体三量体に関する。

本発明の第四十一の態様は、インドル誘導体三量体が下記一般式（3 2 )

(式中、 R ₂、 R ₆、および ₀のすべてがシァノ基またはカルボン酸基で置換されており、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ秦イオン、フッ素ィォン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化ィォン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸イオン、トリフルォロ酢酸ィオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 aは Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示されるインドール一 5 —力ルポ二トリル三量体またはィンドール一 5—力ルボン酸三量体である、前記第三十八または第三十九の態様に記載のィンドール誘導体三量体に関する。

本発明の第四十二の態様は、層間隔 0 . :1〜 0 . 6 n mの積層構造を有する、下記一般式（2 )

(式中、 R ^ R sは、氷素、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a一は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸ィオン、硫酸水素ィオン、リン酸ィオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸ィォン、チォシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酉イオン、 p— トルエンスルホン酸イオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 aは Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。 ) で示されるインドール誘導体三量体積層構造体に関する。

本発明の第四十三の態様は、インドール誘導体三量体が前記第 "第五の態様のいずれかに記載の方法により製造され得る、前記第四十二の態様に記载のィンドール誘導体三量体積層構造体に関する。

本発明の第四十四の態様は、インドール誘導体三量体が前記第六〜第三十七の態様のいずれかに記載のものである、前記第四十二の態棣に記,载のインドー/レ誘導体三量体積履構造体に関するひ本発明の第四十五の態様は、下記一般式（3 2 )

(式中、 R ₂、 R ₆、および R；! ₀のすべてがシァノ基あるいはカルボン酸基で置換されており、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素ィオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化ィオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p— トルエンスルホン酸イオン、トリフルォロ酢酸ィオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 aは Xのイオン価数を表し、：!〜 3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示されるインドール一 5—力ルボニトリル三量体あるいはィンドール— 5—力ルボン酸三量体である、前記第四十二または第四+三の態様に記載のィンドール誘導体三量体積層構造体に関する。

図面の簡単な説明

図 1は、実施例 1におけるィンドール一 6—カルボ二卜リル三量体の I Rチヤートである。

図 2は、実施例 2におけるィンドール一 5—カルボ二トリル三量体の I Rチヤ ―卜で toる。

図 3は、実施例 3における 6—二トロインドール三: S体の I Rチヤ一トである：図 4は、卖施例 4における 6—フ /レオ口インド一ル三愚:体の 1 Rチャートである,，図 5は、実施例 6における 5—フルォロインドール三量体の I Rチヤトである。

図 6は、実施例 2におけるインドール一 5—カルボ二トリル三量体の N M Rチャ一トであ o。

図 7は、実施例 4における 6—フルォロインドール三量体の NM Rチャートでめる。

図 8は、実施例 1 2におけるィンドール一 5—力ルボン酸三量体の NMRチヤ -トである。

発明を実施するための最良の形態

本発明の方法で用いられる一般式（1 ) で示されるインドール誘導体（ィ）は、具体的には、インドール、 4—メチルインドール、 5—メチルインドール、 6— メチルインド"ル、 7—メチルインド一ノレ、 4一ェチルインド一ル、 5—ェチノレインドノレ、 6—ェチルインドール、 7—ェチルインドール、 4— n—プロピノレィンドール、 5— n—プロピルインドーノレ、 6— n—プロピルインド一ル、 7— n—プロピルインドーノレ、 4— i s o—プロピルインドーノレ、 5— i s o—プロピルインドーノレ、 6— i s o—プロピルインドーノレ、 7— i s o—プロピノレインドール、 4一 n—ブチノレインドーノレ、 5— n—ブチノレインドール、 6— n -ブチノレインドール、 7― n—ブチノレインドーノレ、 4— s e c—ブチノレインドーノレ、 5 — s e c—ブチノレインドール、 6— s e c—ブチルインドーノレ、 7— s e c—ブチルインドール、 4— t—ブチルインドーノレ、 5— t—ブチルインドール、 6— —ブチルインドール、 7— t—ブチルインドールなどのアルキル基置換ィンド —ル類、 4—メトキシインド一ル、 5—メトキシインドール、 6—メトキシインドーノレ、 7—メトキシインド一ル、 4—エトキシインドール、 5—ェ卜キシインドール、 6—エトキシィンド一ノレ、 7—エトキシィンドール、 4— n—ブ'口ボキシィンドーノレ、 5 - n—ブロボキシィンドール、 6— n—プロボキシィンドール、 7— n—プロボキシィンドーノレ、 4 - i s 0—フ。ロボキシィンドール、 5— i s 0—プロボ'キシィンドール、 6— i s o—フ'口ボキシィンドール、 7 - i s o— プ口ポキシィンド一ル、 4— n—ブトキシィンドーノレ、 5— n—ブ卜キシィンド —ル、 6— n—ブ Ί、キシィンド—ノレ、 7— η—ブトキシィンドール、 4 ~ s e c —ブトキシィンドーノレ、 5— s e c—ブトキシィンドーノレ、 6— s e c—ブトキシィンドール、 7— s e c一ブトキシインドール、 4一 t—ブトキシィンドーノレ、 5一 t—ブトキシィンド"ル、 6— t—ブトキシインドル、 7— tーブトキシィンドールなどのアルコキシ基置換ィンドール類、 4一ァセチルインドール、 5 —ァセチルインドール、 6—ァセチルインドール、 7—ァセチルインドールなどのァシル基置換ィンドール類、ィンドール一 4—カルバルデヒド、インドルー 5—カノレバルデヒド、ィンドール一 6一力ノレバルデヒド、ィンドル一 7—力ノレバルデヒドなどのアルデヒド基置換ィンドール類、ィンドール一 4—カルボン酸、ィンドール一 5—力ルボン酸、ィンドール一 6—力ノレボン酸、ィンドル一 7 - カルボン酸などのカルボン酸基置換ィンドール類、ィンドール一 4—カルボン酸メチノレ、インドーノレ一 5—力ノレボン酸メチノレ、インドーノレ一 6—力ノレボン酸メチノレ、インドール一 7—力ルボン酸メチルなどのカルボン酸エステル基置換ィンド ^ノレ ϋ、インドーノレ一 4—スルホン酸、インドーノレ _ 5—スノレホン酉食、インドールー 6—スルホン酸、ィンドール一 7—スルホン酸などのスルホン酸基置換ィンドール類、インドールー 4—スノレホン酸メチル、インドーノレ一 5—スノレホン酸 ^メチル、ィンドール一 6—スルホン酸メチル、ィンドール一 7—スルホン酸メチルなどのスルホン酸エステル基置換ィンドール類、ィンドール一 4—カルボ二トリノレ、ィンド—ル一 5—カルボ二トリノレ、インド "ノレ一 6—力ノレボニトリノレ、インドール一 7—カルボ二トリルなどのシァノ基置換ィンドール類、 4—ヒドロキシインドール、 5—ヒドロキシインド"ル、 6—ヒドロキシインドーノレ、 7—ヒドロキシインドールなどのヒドロキシ基置換ィンドール類、 4—ニトロインドール、 5—ニトロインドーノレ、 6—ニトロインドーノレ、 7—ニトロインドーノレなどの二ト口基置換ィンド一ル類、 4—ァミノインドール、 5—ァミノインドール、 6 - ァミノインドール、 7—ァミノインドールなどのアミノ基置換ィンドール賴、 4 —力ルバ'モイルインドール、 5—力ルバモイノレィンド一ノレ、 6—力ノレノくモイルインドール、 7—力ルバモイルインド一ルなどのァミド基置換ィンドール類、 4一フルォロインド一ル、 5—フルォロインド—ル、 6—フルォロインド一ル、 7— フルォロインド一ノレ、 4—クロ口インド一ノレ、 5—クロ口インド一/レ、 6—クロロインドール 7—クロ口インドーノレ、 4—ブロモインド一ノレ、 5—ブロモインドーノレ、 6—ブロモインドーノレ、 7—ブロモインドーノレ、 4一ョードインドール、 5—ョードインドーノレ、 6—ョードィンドール、 7—ョ一ドィンド^ルなどのハ口ゲン基置換ィンドール類などを挙げることができる。

このなかでァシル基置換インドール類、カルボン酸基置換インドール類、シァノ基置換ィンドール類、ニトロ基置換ィンドール類、フルォロ基置換ィンドール類などが実用上好ましい。

本発明で用いる酸化剤（B ) には、特に限定されないが、例えば塩化第二鉄六水和物、無水塩化第二鉄、硝酸第二鉄九水和物、硫酸第二鉄 n水和物、硫酸第二鉄アンモニゥム十二水和物、過塩素酸第二鉄 n水和物、テトラフルォロホウ酸第二鉄、塩化第二銅、硝酸第二鉄、硫酸第二銅、テトラフルォロホウ酸第二銅、テトラフルォロホウ酸ニトロソニゥム、過硫酸アンモニゥム、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過ヨウ素酸カリウム、過酸化水素、オゾン、へキサシァノ第二鉄酸カリウム、硫酸四アンモニゥムセリウム（IV) 二水和物塩化第二鉄六水和物、臭素、ヨウ素などが包含される。好ましくは、酸化,剤 ( B ) は塩化第二鉄六水和物、無水塩化第二鉄、硝酸第二鉄九水和物、硫酸第二鉄 n水和物、硫酸第二鉄ァンモニゥム十二水和物、過塩素酸第二鉄 n水和物、テトラフルォロホウ酸第二鉄、塩化第二铜、硝酸第二鉄、硫酸第二銅、テトラフルォロホウ酸第二銅、テトラフルォ口ホウ酸ニトロソニゥム、過硫酸ァンモニゥム、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過ヨウ素酸カリウム、過酸化水素、オゾンである。より好ましくは、酸化剤（B ) は、塩化第二鉄六水和物、無水塩化第二鉄、硝酸第二鉄九水和物、硫酸第二鉄 n水和物、硫酸第二鉄アンモニゥム十二水和物、過塩素酸第二鉄 n水和物、テトラフルォロホウ酸第二鉄、塩化第二銅、硝酸第二鉄、硫酸第二銅、テトラフルォロホウ酸第二銅、過硫酸アンモニゥム、オゾンであり、その中でも、塩化第二鉄六水和物、無水塩化第二鉄、硝酸第二鉄九水和物、硫酸第二鉄 n水和物、硫酸第二鉄アンモニゥム十二水和物、過塩素酸第二鉄 n永和物、テ卜ラフルォロホウ酸第二鉄、過硫酸アンモニゥム、オゾンが最も実用上好ましい _c なお、これらの酸化剤はそれぞれ単独で用いても、また 2種以上を任意の割合で併用して用いてもよい,，

本発明で用いるインドール誘導体 ( Λ ) と、酸化剤 ( B ) とのモ /レ比は、 (A) ： ( B ) = 1 : 0 . 5〜： I 0 0、好ましくは 1 ： 1〜 5 0で用いられる。ここで、酸化剤の割合が低いと反応性が低下して原料が残存し、逆にその割合があまり高いと生成した三量体を過酸化して、生成物の劣化を引き起こすことがある。

本発明の方法で用いる有機溶媒（C ) には、特に限定されないが、メタノール、エタノール、イソプロパノール、アセトン、ァセトニトリル、プロピオ二トリル、テトラヒドロフラン、 1 , 4—ジォキサン、メチルイソブチルケトン、メチルェチノレケトン、 γ—ブチノレラタトン、プロピレンカ^ボネート、スルホラン、ニトロメタン、 Ν， Ν—ジメチルホノレムアミド、 Ν—メチルァセトアミド、ジメチルスノレホキシド、ジメチルスルホン、 Ν—メチノレピロリドン、ベンゼン、トノレェン、キシレン、塩化メチレン、クロ口ホルム、ジクロロェタンなどが包含される。なお、これらの有機溶媒（C) はそれぞれ単独で用いても、また 2種以上を任意の割合で混合して用いてもよい。これらの狯媒のなかでは、アセトン、ァセトニトリル、 1， 4一ジォキサン、 γ—ブチルラクトン、 Ν , Ν—ジメチルホルムアミドなどが好ましく、とくにァセトニトリルが実用上もっとも好ましい。

さらに本発明では、反時のインドール誘導体（Α ) の濃度は、有機溶媒 ( C ) に対して 0 . 0 1質量⁰ /。以上、好ましくは 0 . 1〜5 0質量⁰ /₀、より好ましくは 1〜 3 0質量⁰ /₀の範囲である。

また、本発明の方法では水と有機溶媒（C ) を共存させて反応させることが好ましい。前記インドール誘導体（Α ) と、氷との好ましい使用モル比は、 (Α) ：水 = 1 ： 1 0 0 0〜： 1 0 0 0 ： 1、より好ましくは 1 ： 1 0 0〜： 1 0 0 ： 1で用いられる。ただし、酸化剤が結晶水を持っている場合は、その結晶水量も水として計量する。ここで、水の割合が低いと反応が暴走して三量体を過酸ィ匕して構造劣化すると同時に、三量体に対してドーパントとなる X ^a—が効率良くドープできない場合があり、導電率が低下することがある。逆にその割合が髙すぎると酸化反応の進行を妨げて反応収率が低下することがある。

本発明の製造法における反応温度は、一 2 0〜 1 2 (TCの範,囲が好ましく、より好ましくは 0〜〗 0 0 'Cの範囲である。一 2 0 ¾以下では酸化反の進行が極めて遅く、三！：休に対してド一バントとなる X " —が効率良くド一ブできない場合があり、導電率が低下することがある。また 1 2 0 °C以上では三量体の構造劣化が進行し、導電性が低下する傾向にある。

また、本発明の製造法における反応方法は任意に選ぶことができるが、インドル誘導体（A) と有機溶媒（C ) の溶液中に、酸化剤（B ) と水の溶液或いは酸化剤 ( B ) と水と有機溶媒（C ) の溶液を添加する方法が好ましく用いられる。この時、酸化剤 ( B ) と水及び/または有機溶媒（C) は混合して添加してもよいし、分別して添加してもよい。酸化剤 ( B ) 及び/または水及び/または有機溶媒（C ) の添加時間は特に限定されないが、通常は、 1 5分以上であり、好ましくは 3 0〜 7 2 0分、より好ましくは 3 0〜1 8 0分である。 1 5分未満の時間で酸化剤（B ) と水及び/または有機溶媒（C ) を添加すると、反応混合物中に含まれる水の影響により酸化反応の進行度が荖しく低下し、収率の低下が起こることがあり、添加時間を箸しく長くしても生産性が低下するのみで効果の增大は望めない。

本発明における反応液の p Hは特に限定されないが、 7未満の酸性条件下の範囲で行うのが好ましく、より好ましくは 2以下の範囲、特に好ましくは 1未満が適用される。ここで p Hが 7以上の条件下で反応させると、酸化反応の進行が悪く収率が低下すると同時に、三量体に対してドパントとなる X ^a—が効率良くド―プできない場合があり、得られる三量体の導電率が低下する傾向にある。本発明の製造法で得られるィンドール誘導体三量体中の X ^a—はド^ "パントであり、重合中の酸化剤に由来するプロトン酸の陰イオンである。具体的には、

X ^a一は、例えば塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸イオン、トリフルォロ酢酸イオン、トリフルォロメタンスルホン酸イオン等の 1〜 3価の陰イオンであり、好ましくは塩素イオン、硫酸イオン、ホウフッ化イオンなどの:！〜 2価の陰イオンである。最も好ましくは、 X ^{a _}は塩素イオンなどの一価の陰イオンである,，例えば、酸化剤（口）として無水塩化第二鉄を選んで重合を行った場合、ィンドール誘導体三量体中のドーバン卜 X：' 'は塩素イオンとなり、トリフルォロ酢酸第二銅を用いて重合を行った場合は、ドーパント X ^a —はトリフルォ口酢酸イオンとなる。

本発明の製造法で得られるインドール誘導体三量体は、酸化剤として過酸化水素やオゾンを用いる場合以外はドーブ型のィンドール誘導体三量体であり、その三量体単位に対するドーパント X ^a—のモル比（ドープ率） mは 0 . 0 0 1〜 0 . 5である。酸化剤として過酸化水素やオゾンなどを用いるとドープ率 m = 0の脱ドープ型のィンドール三量体となる。

本発明のィンドール誘導体三量体を電池、コンデンサ等の電極に使用する場合、サイクル特性が良好であることが必要不可欠である。サイクル特性はドーパント

X ^a—の種類によってその優劣が影響する。サイクル特性が良好なィンドール誘導体三量体を与えるドーパント X ^a —は、 1〜3価の陰イオンであり、好ましくは 1〜2価の陰イオンであり、最も好ましくは、 1価の陰イオンである塩素ィォン、 2価の陰イオンである硫酸イオンである。

また、本発明の X ^a—成分の存在下における反応方法により得られ得るィンドール誘導体三量体は、従来から各種導電性ポリマー、電荷移動錯体の脱ドープェ程として公知の方法、すなわち、アンモニア水、水酸化ナトリウム、水酸化リチゥムなどのアル力リ性溶液中に導電性ポリマー、電荷移動錯体を懸濁させてドーパント X ^a—を除去する方法、により脱ドープ型のィンドール誘導体三量体（すなわち、ドープ率 m= 0 ) を容易に生成することができる。脱ドープ型のインドール誘導体三量体は、再度任意種類、任意の量のドープ剤による処理により任意のド^"パントを任意のドープ率だけ有するド一プ型のィンドール誘導体三量体に容易に変換することができる。例えば、塩素イオン以外の対イオンを有する酸化剤で重合したドープ型ィンドール誘導体三量体を、水酸化ナトリゥム溶液で脱ドープして脱ドーブ型のィンドール誘導体三量体とした後、それを塩酸水溶液に再懸濁させることで、塩素ドープ型ィンドール誘導体三量体へと誘導することも可能である。

特に、 4—ニトロインドール誘導体三量体、 6—二トロインドール誘導体三量体、 7—ニトロインド一ル誘導体三量体、ィンド一ルー 4一カルボ二卜リル誘導体三量体、ィンド一ルー 6—カルボ二トリル誘導体三量体、ィンド一ルー ⁷—力ルボニトリル誘尊体三量体、ィンドール一 4—カルボン酸誘導体三盘体、ィンド一ルー 6—カルボン酸誘導体三量体、ィンドルー 7—カルボン酸誘導体三量体、ィンドール一 4一カルバルデヒド誘導体三量体、ィンドール一 5一カルバルデヒド誘導体三量体、ィンドール一 6—カルバルデヒド誘導体三量体、ィンドール一 7—カルバルデヒド誘導体三量体、 4—力ルバモイルインドール誘導体三量体、 5—力ルバモイルインドール誘導体三量体、 6—力ルバモイルインドール誘導体三量体、 7—力ルバモイルインドール誘導体三量体、 4—ブロモインドール誘導体三量体、 6—ブロモインドール誘導体三量体、 7—ブロモインドール誘導体三量体、 4—フルォロインド一ル誘導体三量体、 6—フルォロインドル誘導体三量体、 7—フルォロインド一ル誘導体三量体、 4—ァセチルインド」ル誘導体三量体、 5—ァセチルインドール誘導体三量体、 6—ァセチルインドール誘導体三量体、および 7—ァセチルインドーノレ誘導体三量体は、本発明の製造法により髙収率で操作性よく工業的に有利に製造できるうえ、従来知られているインドール誘導体三量体と比較して、高い酸化s元電位を有し、またサイクル特性が極めて良好である。

これらの本発明の製造法で得られ得る新規なインドール誘導体三量体は、前述のようにドープ率 m = 0 . 0 0 1〜0 . 5のドープ型であるが、前記脱ドープ法により容易に対応する脱ドーブ型のィンドール誘導体三量体（ドプ率 m = 0 ) となり、さらには、再ドプにより任意のドーパントとドープ率を選ぶことにより所望の特性を有するドープ型インドール誘導体三量体の調製が可能である。また、反^終了後に生成したインドール誘導体三量体に対して、酸性溶液を用いてドーピング処理を行うことで、ドープ率を向上させ導電性を向上させることができる。酸性溶液は、具体的には、塩酸、硫酸、硝酸などの無機酸や、 p—トルエンスルホン酸、カンフアスルホン酸、安息香酸およびこれらの骨格を有する誘導体などの有機酸や、ボリスチレンスルホン酸、ボリビニルスルホン酸、ポリ ( 2—アクリルアミド一 2—メチルプロパン）スルホン酸、ボリビニル硫酸およびこれらの骨格を有する誘導体などの高分子酸を含む水渰液、あるいは、 ^^—有機溶媒の混合溶液である，なお、これらの無機酸、有機酸、高分子酸はそれぞれ単独で用いても、また 2種以上を任意の割合で混合して用いてもよい，

また、本発明の方法により得られたィンドール誘導体三 ¾体を、ィンド一ル誘導体三量体単独の導電性組成物として、あるいは導電補助剤として各種カーボン、あるいは添加剤としてコロイダルシリカ、各種バインダーと混練 '複合させてィンドール誘導体三量体複合体の導電性組成物として使用することができる。そのなかでも特に粒径 0. 1〜 50 μ mのインドール誘導体三量体の粒子を使用した導電性組成物が好ましい。この粒径調製方法は特に限定されないが、一般的にはスラリ一洗浄後にスプレードライを行う力、あるいは乾燥後の粉体を乳鉢、ボールミル、ブレンダ^"、超音波振動処理等で粉砕して行う。インドール誘導体三量体の粒径が 50 mを超えたものを使用して前述の導電性組成物を成型すると、成型品の機械的強度が脆くなる傾向にある。

さらに、本発明のィンドール誘導体三量体は、積層構造を有することにより導電機能が発現する。特に、インドール誘導体三量体が層間隔 0. 1〜0. 6 nm、より好ましくは 0. 35〜0. 60 nmである積層構造を有していることが望ましい。一般的に、超微細積層構造をもつ化合物は、剛性、強度、耐熱性などの物性が良好である。ただし、層間隔が 0. 1 nm未満であると積層構造が不安定となる傾向にある。また 0. 6 nmよりも層間隔が広がると、三量体相互間での電子ホッビング伝導に悪影響を与え、導電性が低下する傾向にある。

実施例

以下、本発明を実施例を挙げてさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものでない。

なお、本実施例において、 NMR測定は、日本電子製 J NM GX— 270で、 I Rスぺクトルは、パーキンエルマ一製（モデル 1600) の装置を用いて KB t-法でそれぞれ測定した。また、元素分析測定は、サーモクエスト社製 EA1 1 1 0で測定した。導電率測定は、三菱化学製口レスタ^"計 CP-T 350 (四 5¾子法）で測定した。電気化学的測定については、日亜計測社製ポテンシォスタットノガルバノスタツ卜 N P— G— 1 05 1 E Hと、ポテンシャルスキヤナ — E S— 5 1 2 Aを用いて測定した。さらに、 X線回折解祈（XRD) は、理学電機株式会社製 R I NT— 1 1 00 (管球： C u K_n X線）で、粒径分布測定は、 COUし T li R社製し S 1 0で測定した。

ぐ実施例 ,1 > 200 m Iの三ッロフラスコにァセトニトリノレ 1 0m lを入れ、インドール一 6一カルボ二トリノレ 1. 42 gを溶解した。一方、酸化剤溶液の調製はァセト二トリノレ 40 m 1に対して、無水塩化第二鉄 1 6. 2 g、水 5. 4 gを溶解して :1 0分間攪拌することにより行つた。次に、インドール一 6—カルボ二トリル溶液に 30分間かけて、調製した酸化剤溶液を滴下した後、 10時間、 60°Cにて攪拌した。反応溶液は若干の発熱を伴いながら黄色から綠色に変化し、ト1は1朱満であった。反応終了後、桐山漏斗で吸引濾過し、ァセトニトリル次いでメタノールで冼浄し、乾燥して、緑色の 6 , 1 1—ジヒドロ一 5 H—ジインドロ [ 2， 3 - a ： 2 ' , 3，一 c] カルバゾ一ル一 3, 8， 1 3— トリカルボ二トリノレ、 (ィンドール一 6—カルボ二トリル三量体） 1. 01 g (収率 71 %) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 1 Omm、厚さ 1mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 95 SZcmであった。元素分析の結果は（C₉. 0₀Η₄. 04 χ. 98 C 1 o. ₁₅) ₃であった。

<実施例 2〉

20 Ora 1の三ッ口フラスコにァセトニトリル 1 Om lを入れ、ィンドール一 5—カルボ二トリノレ 1. 42 gを溶解した。一方、酸化剤溶液の調製はァセト二トリノレ 40 m 1 に対して、無水塩化第二鉄 16. 2 g、水 5. 4 gを溶解して 1 0分間攪袢することにより行つた。次に、ィンド一ルー 5—力ルポ二トリル溶液に 30分間かけて、調製した酸化剤溶液を滴下した後、 10時間、 60°Cにて攪拌した。反応溶液は若千の発熱を伴いながら黄色から緑色に変化し、 1-1は1未満であった。反応終了後、桐山漏斗で吸引濾過し、ァセトニトリル次いでメタノールで洗浄し、乾燥して、緑色の 6, 1 1—ジヒドロ一 5 H—ジインドロ [2， 3— a : 2' ， 3 ' - c] カルバゾ一ルー 2， 9, 14— トリカルボ二トリノレ、 (ィンド一ル一 5—カルボ二トリル三量体） 1. 22 g (収率 86 %) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 10 mm、厚さ 1 mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 50 S/ c mであった _c 元素分析の結果は（C ₉. 0011₄ , _{ϋ 3}Ν丄. 9 ?C 1 0. L θ) 3であった。 ¾た、 X線回折結晶解析の結果、層間隔は 0. 44 nnr

く実施例 3 > 実施例 2においてィンドール一 5—力ルポ二トリルの代わりに 6—二トロインドールを使用する以外は実施例 2と同様な方法で重合を行った。反応溶液の p I-I は]未満であった。これにより暗青色の 6， 1 1—ジヒドロー 3, 8， 1 3—卜リニ卜ロー 5 H—ジインドロ〔 2， 3 - a ： 2 ' ， 3 ' — c ] 力ルバゾール、 (6—二トロインドール三量体） 1. 12 g (収率 79°/。）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 10 mm、厚さ 1 mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 83 SZc mであった。元素分析の結果は（C₈. ₀₀H₄. ₀₀N₂. 02〇1. 9₇C 1 ο. 15) 3であった。

ぐ実施例 4〉

実施例 2においてィンド^"ル一 5一カルボ二トリルの代わりに 6—フルォロインドルを使用する以外は実施例 2と同様な方法で重合を行った。反応溶液の pHは 1未満であった。これにより喑青色の 3， 8， 13—トリフルォロ一 6, 1 1ージヒドロー 5H—ジインドロ [2， 3— a ： 2 ' , 3 ' 一 c〕カルバゾノレ、（6—フルォロインドル三量体） 1. 01 g (収率 7 1%) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 1 Omm、厚さ lmmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 76 S7cmであった。元素分析の結果は（C 8. 00 H 4. 01 ^N 0. 99 ^F 0. 97 】 0. 16) 3 あつ '」。また、 X線回折結晶解析の結果、層間隔は 0. 38 nmであった。

<実施例 5〉

実施例 2において無水塩化第二鉄の代わりに無水塩化第二銅を使用する以外は実施例 2と同様な方法で重合を行つた。反応液の p Hは 1未満であつた。これにより緑色の 6， 1 1—ジヒドロ一 5H—ジインドロ [2， 3 - a ： 2' ， 3³ 一 c ] カノレバゾーノレ一 2， 9, 14一卜リカノレボニトリノレ、（インド一ル一 5— カルボ二トリル三量体）し 1 2 g (収率 79%) を得た。得られた Ξ量体を多定剤成型器で加圧成型させて直径〗 0 m m、厚さ〗 m mの形状に切り出して四 ϊ¾子法にて導電率を測定したところ、 0. 55 Sノ c mであった:，元素分析の結果は (C 9. 00¹¹4. 03 ^N；1. 97 ¹ 0. 1 ) 3であつ⁷こ。

<実施例 6〉

2 () 0 m 1の三ッ口フラスコにァセトン 1 5m l を入れ、 5—フル才コインドール 1. 62 gを溶解した。一方、酸化剤溶液の調製はァセトン 55 m 1 に対して、無水塩化第二銅 32. 2 g、水 , 1 2. 9 gを溶解し、 5分間攪拌した。次に、

5―フルォロインドール溶液に 2時間かけて、調製した酸化剤溶液を滴下した後、 5時間、 30°Cにて攪拌した。反応溶液は若干の発熱を伴いながら白色から紺色に変化した。反応溶液の p Hは 1未満であった。反応終了後、桐山漏斗で吸引濾過し、アセトン次いでメタノルで洗浄し、乾燥して、暗胄色の 2， 9， 1 4- トリフノレオロー 6, 1 1—ジヒドロ一 5 H—ジインドロ [2， 3 - a ： 2 ' , 3，一 c ] カルバゾール、（ 5—フルォロインドール三量体） 1. 04 g (収率

64%) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 1 Omm、厚さ 1 mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 88

S/cmであった。元素分析の結果は（C₈. 00 H 3. 95^N 1. 10 ^F 0. 96

C 1 o. 10) 3であった。

<実施例 Ί >

実施例 6において 5—フルォロインドールの代わりにィンドール一 5一カルボン酸を使用する以外は実施例 6と同様な方法で重合を行った。反応溶液の ρΗは 1未満であつた。これにより淡緑色の 6, 1 1—ジヒドロ一 5 Η—ジインド口 [2， 3— a : 2，， 3⁵ - c ] カノレバゾ"ノレ一 2， 9, 14一トリ力ノレボン酸、 (インドール一 5—力ルボン酸三量体） 1. 28 g (収率 79%) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 10mm、厚さ 1mmの形状に切り出して四子法にて導電率を測定したところ、 0. 41 SZc πιであった。元素分析の結果は（C₉. _0OH₄. g o i, ο θ χ. _{9 8} C 1 ₀. _{Χ 1}) 3であった。また、 X線回折結晶解析の結果、層間隔は 0. 48 nmであった。

<実施例 8 >

200m lの三ッロフラスコにジメチルホルムアミド 15m 1を入れ、インドール 1. 42 gを溶解した。一方、酸化剤溶液の調製はジメチルホルムァミド 6 0m lに対して、過硫酸アンモ-ゥム: 1 1. 4 g、水 2. 70 gを溶解し、 1 5 分間攪拌することにより行った。次に、インドール溶液に 60分問かけて、調製した酸化剤溶液を滴下した後、 ] 2時間、 50'·'じにて攪桦した _t, 反応溶液は若干の発熱を伴いながら黄色から青綠色に変化した反溶液の p 11は 1朱満でつた。反応終了後、桐山漏斗で吸引濾過し、ジメチルホルムアミド次いでメタノールで洗浄し、乾燥して、青緑色の 6， ] 1—ジヒドロー 5 H—ジィンドロ〔 2 , 3~a ： 2' , 3 ' - c ] カルバゾール、（インドール三量体） 1. 26 g (収率 96%) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 1 0mm、厚さ 1 mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 40 S/ cmであった。元素分析の結果は（C₈. ₀₀H₄. 9！ N₀. ₉₈

(S0₄) o. o 7) ₃であった。

<実施例 9 >

実施例 2においてィンドール— 5—カルボ二卜リルの代わりに 5—ァセチノレインドールを使用する以外は実施例 2と同様な方法で重合を行つた。反応溶液の pHは 1未満であった。緑色の 2， 9， 14—トリァセチル一 6， 1 1一ジヒド口 _ 5 H—ジインドロ [2， 3 - a ： 2 ' , 3' — c] 力ルバゾル、（5—ァセチルインドール三量体） 1. O l g (収率 71%) を得た。得られた三量体を綻剤成型器で加圧成型させて直径 1 0mm、厚さ 1 mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 76 Sノ c mであった。元素分析の結果は (C 1 0. 00 He. 97 N 0. 99リ o. 99 ^{c 1} 0. 14) 3 あった。

<実施例 10〉

実施例 2において水 5. 4 gを添加しないこと以外は実施例 2と同様な方法で重合を行った。反応溶液の p Hは 1未満であった。录茶色の 6, 1 1—ジヒドロ — 5 Η—ジインドロ〔2， 3— a ： 2，， 3，一 c ] 力ルバゾ一ル一2， 9， 1

4一トリカルボ二トリル、（インドールー 5—カノレボニトリル三量体） 1. 22 g (収率 86 %) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 1

0mm、厚さ 1 mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、

0. 40 SZc mであった。元素分析の結果は（C₉. 0₀M₄. ₀ i ^N 1.. 99 C 1 0. 07) 3であった- <実施例 1 1〉

200 m lの三ッロフラスコにァセトン 1 5m 1 を入れ、 5—フルォロインド —ルし 35 _Sを溶解した,. 一方、酸化剤溶液の調製はァセトン 55 m 1に対して、無水塩化第二銅 33. 6 g、水 3. 5 gを溶解し、 5分間攪桦することにより行った。次に、 5—フノレオ口インドール溶液に 2時間力ナて、調製した酸ィ匕剤溶液を滴下した後、 5時間、 4 0°Gにて攪拌した。反応溶液は若千の発熱を伴いながら白色から紺色に変化した。反応溶液の P Hは 1未満であつた。反応終了後、桐山漏斗で吸引濾過し、アセトン次いでメタノルで洗浄し、乾燥して、喑青色の 2 , 9， 1 4— トリフノレオロー 6 , 1 1 —ジヒドロー 5 H—ジインドロ

[2， 3 - a ： 2 ' , 3 ' — c〕カルパゾール、 (5—フノレオ口インドール三量体） 0. 8 6 g (収率 6 4%) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 1 O mm、厚さ 1 mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 8 8 SZc mであった。元素分析の結果は（C ₈. 00 H 3. ₉5 Ν _χ. _{1 0} F ₀, _{9 6} C 1 o. i o) ₃であった。

<実施例 1 2 >

実施例 1 1において 5—フルォロインドールの代わりにィンドール一 5—カルボン酸を使用する以外は実施例 1 1と同様な方法で重合を行った。反応溶液の p Hは 1以下であった。これにより淡緑色の 6， 1 1—ジヒドロ一 5 H—ジインドロ [2， 3— a ： 2 ' , 3 ' — c ] カルバゾーノレ一 2, 9， 1 4一トリカルボン酸、（インドール一 5—力ルボン酸三量体） 1. 0 7 g (収率 7 9 %) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 1 Omm、厚さ 1 mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 4 1 Sノ c mであった。元素分析の結果は（C 9. 00 H 4. 90 ^N 1. 09 ° 1. 98 ^C 1 1 1) 3でめつた。また、 X線回折結晶解析の結果、層間隔は 0. 4 8 n mであった。

<実施例 1 3 >

実施例 1 1において 5—フルォロインドールの代わりにィンドール一 7—カルバルデヒドを使用する以外は実施例 1 1と同様な方法で重合を行った。反応容液の p Hは 1未満であつた。淡緑色の 6， 1 Ί —ジヒドロ一 5 H—ジィンドロ [ 2， 3 - a ： 2 ' , 3 ' — c] カルバゾ一ルー 4， 7， 1 2— トリカルバルデヒド、 (インドール一 7—カルバルデヒド三量体） 0. 9 6 g (収率 7 1 %) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直怪 1 O mm、厚さ l_ mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したと二ろ、 0. 7 0 S /'じ mであつ†: 元索分析の結果は（C ₉, „₀ I-I . ₉ o N i . () 9 O ϋ . 9 S 1 o i ₄) であつた _c

<実施例 1 4〉

200 m lの三ッロフラスコにク口口ホルム 1 5m lを入れ、ィンドール 1. 1 7 gを溶解した。一方、酸化剤溶液の調製はクロロホルム 60m lに対して、過硫酸ァンモニゥム 1 1. 4 g、水 2. 70 gを溶解し、 1 5分間攪袢することにより行った。次に、インドール溶液に 6 0分間かけて、調製した酸化剤溶液を滴下した後、 1 2時間、 4 0°Cにて攪拌した。反応溶液は若干の発熱を伴いながら黄色から青緑色に変化した。反応溶液の pHは 1未満であった。反応終了後、桐山漏斗で吸引濾過し、クロ口ホルム次いでメタノールで洗浄し、乾燥して、青緑色の 6， 1 1—ジヒドロー 5H—ジインドロ〔2， 3-a ： 2' , 3' — c] カルバゾール、（インドール三量体） 1. 04 g (収率 96%) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 1 0 mm、厚さ 1 mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 40 SZcmであった。元素分析の結果は（C ₈. Q₀H₄. _{9 1}N₀. 98 (S 0₄) o. 07) 3であった。また、 X線回折結晶解析の結果、層間隔は 0. 3 7 nmであった。

<実施例 1 5〉

200m lの三ッロフラスコにァセトニトリノレ 15m lを入れ、インドール一 5—カルボン酸 1. 6 1 gを溶解した。一方、酸化剤溶液の調製はァセトニトリノレ 1 0 0 m 1に対して、テトラフルォロホゥ酸第二銅 · n水和物（C u ： 2 0% 含有） 47. 4 gを溶解し、 1 5分間攪拌した。反応溶液の pト1は 1未満であつた。次に、ィンドール— 5—力ルボン酸溶液に 6 0分間かけて、調製した酸ィ匕剤溶液を滴下した後、 5時間、 3 0°Cにて攪拌した。反応溶液は若干の発熱を伴いながら黄色から青緑色に変化した。反応終了後、桐山漏斗で吸引逾過し、ァセト二トリル次いでメタノルで冼净し、乾燥して、青緑色の 6 , ] 1—ジヒド口一 5 H—ジインドロ [2, 3-a ： 2 ' ， 3 ' — c] カノレバゾールー 2， 9， 4 —トリカルボン酸、（ィンド一ル一 5—力ルボン酸三量体） .し 43 g (収率 8 9%) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直痊 1 0 mm, 厚さ 1 mmの形状に切り出して四端子法にて導電,率を測定したところ、 0. 40 S ノ c mであつた.，元素分析の結果は（ C 9. (川 H ₄. 95 N〔) . _{9 ¾} 0 , H H C 1 o. 1 3) 3であった。

ぐ実施例 1 6 >

200m lの三ッロフラスコにァセトニトリノレ] 5 m 1 を入れ、 6—ァセチルィンドール 1. 59 gを溶解した。一方、酸化剤溶液の調製はァセトニトリノレ ]. 5 00m 1に対して、無水塩化第二鉄 16. 2 g、水 5. 4 gを溶解し、 1 5分間攪拌することにより行った。次に、酸化剤溶液に 60分間かけて、調製した 6— ァセチルインドール溶液を滴下した後、 5時間、 30°Cにて攪拌した。反応溶液は若干の発熱を伴いながら黄色から青緑色に変化した。反応溶液の p Hは 1未満であった。反応終了後、桐山漏斗で吸引濾過し、ァセトニトリル次いでメタノー0 ルで洗浄し、乾燥して、脊緑色の 3， 8， 1 3—トリァセチルー 6, 1 1—ジヒドロー 5H—ジインドロ [2， 3— a ： 2' ， 3' — c] カノレバゾーノレ、（6— ァセチルインドール三量体） 1. l l g (収率 70%) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 1 Omm、厚さ 1 mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. S O SZcmであった。元素分析の結。禾ま ( C _χ 0. 00 ^H 6. 99 ^N 0. 98 ° 0. 98 ^ ¹ 0. 10) 3でめった。

く実施例 1 7 >

実施例 12で合成したィンドール一 5—力ルボン酸三量体 1. 07 gを、 1 0 %硫酸一メタノール水溶液 30 m〗に懸濁きせて、 25 °C、 2時間攪拌させた。桐山漏斗で吸弓 I濾過し、メタノールで洗浄し、乾燥して、淡緑色の 6 , 1 1—ジ0 ヒドロー 5 H—ジインドロ [2, 3— a ： 2 ' ， 3³ — c ] カルバゾ一ルー 2，

9, 14—トリカルボン酸、（ィンドール一 5—カルボン酸三量体） 1. 00 g を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 1 Omm、厚さ 1 mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 55 S/cmであった。元素分析の結果は（C₉. 00 ^H 4. 9 o ^N i . 09 O 1. 985 C 1 o. 0 3 (S0₄) 0. 1 ₂) ₃であった。

<実施例 18〉

実施例 1 3で合成したィンドーノ！ 7—カルバルデヒド三量体 0. 96 gを、 5 % p -トルエンスルホン酸（以下、 p T s ) 50m lに懸濁させて、 25T：、 2時間撮禅させた.，桐山漏斗で吸引直過し、メタノールで洗净し、乾燥して、淡緑色の 6， 1 1—ジヒドロ一 5 H—ジインドロ [2, 3— a : 2' , 3' — c] カルバゾール一 4， 7， 12— トリ力ルノくノレデヒド、（ィンドルー 7―力ルバルデヒド三量体） 0. 90 gを得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 1 Omm、厚さ 1 mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 95 S/cmであった。元素分析の結果は（C₉. o₀H₄. ₉₀ 1. 09°0. 98 ^{C 1} 0. 02 (PT s) o. 1 0) 3であった。

<実施例 19 >

実施例 16で合成した 6—ァセチルインドール三量体 1. 1 1 gを、 10 %ポリビニルスルホン酸（以下、 PV s) 50πιΗこ懸濁させて、 25。C、 2時間攪拌させた。桐山漏斗で吸引濾過し、メタノールで洗浄し、乾燥して、青綠色の 3， 8， 1 3—トリァセチルー 6， 1 1—ジヒドロ一 5 H—ジインドロ [2， 3— a ： 2，， 3 ' - c] カルバゾール、（6—ァセチルインドール三量体） 1. 0 5 gを得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 1 Omm、厚さ Iramの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 88 SZ cmであった。元素分析の結果は（C₁₀. _0OH₆. 99^Ν 0. 98〇0. 98

C 1 ο. 02 (P s) o. _{1 4}) ₃であった。

<実施例 20〉

実施例 2においてィンドール一 5一カルボ二トリルの代わりに 4一二トロインドールを使用する以外は実施例 2と同様な方法で重合を行つた。反応溶液の p H は 1未満であった。これにより喑青色の 6， 1 1ージヒドロ一 1， 10， 1 5— トリニトロ一 5 H—ジインドロ [2， 3— a : 2，， 3' — c] カルバゾル、 (4一-トロインドール三量体） 1. 1 5 g (収率 81%) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 1 0 mm、厚さ 1 mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 58 Sノ c mであった。元素分析の結果は（C₈. _0OH₄. ₀₀N₂. _{0 1} 〇丄. ₉₈C 1 0. _{1 6}) ₃であった。

<実施例 21 >

実施例 2においてィンドール一 5—カルボ二トリルの代わりに 7—ニトロインドールを使用する以外は実施例 2と同様な方法で重合を行った,—. 反応溶液の p I-I は 1朱満であつた„ これにより暗脊色の 6， 1 1—ジヒドロー 4， 7, 1 2—卜リニトロー 5 H—ジインドロ [ 2 , 3 - a ： 2 ' , 3 ' — c ] 力ノレバゾール、 ( 7—ニトロインドール三量体） 1. 0 9 g (収率 7 7 %) を得た„ 得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 ] O mm, 厚さ 1 mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 8 5 SZ c mであった。元素分析の結果は（C ₈. _0OH ₃. _{9 9}N ₂. 0 ]〇₂. 1 0. ュ ₂) ₃であった。

<実施例 2 2 >

実施例 2においてィンドール一 5—カルボ二トリルの代わりにィンドール一 4 一カルボ二トリルを使用する以外は実施例 2と同様な方法で重合を行った。反応溶液の p Hは 1未満であった。これにより暗青色の 6， 1 1—ジヒドロー 5 H- ジインドロ [2， 3— a ： 2 ' , 3 ' — c] カルバゾールー 1 , 1 0， 1 5—トリカルボ二トリル、（インドール一 4—カルボ二トリル三量体） 1. 1 0 g (収率 7 7 %) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 1 0mra、厚さ 1 mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 7 5 SZ c mであった。元素分析の結果は（C ₉. 00 H 4. 02 N _X. 97

C 1 o. j ₀) ₃であった。

<実施例 2 3 >

実施例 2においてィンドルー 5—カノレボニトリルの代わりにィンドール一 7 —カルボ二トリルを使用する以外は実施例 2と同様な方法で重合を行った。反応溶液の p Hは 1未満であった。これにより暗青色の 6, 1 1—ジヒドロー 5 H— ジインドロ〔 2 , 3 - a ： 2 ' ， 3 ' — c ] カルバゾ一ル一 4， 7 , 1 2— トリカルボ二トリル、（ィンド一ルー 7—カルボ二トリル三量体） 1. 1 0 g (収率 7 7 %) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させてま径 1 0 mm、厚さ 1 mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 7 0 SZ c mであった _u 元素分析の結果は（C ₉. 00 H 4. 00 ^N 1. 99

C 1 o. i ι) 3であった。

ぐ実施例 2 4 >

実施例 2においてィンド一ル一 5—カルボ二トリルの代わりにィンドール一 4 一力ルボン酸を使用する以外は実施例 2と同様な方法で重合を行った。反応溶液の p 11は 1未満であつた,. これにより暗赍色の 6， 1 1—ジヒド σ— 511—ジィンドロ [2, 3 - a ： 2 ' ， 3 ' — c] カルバゾールー 1 , 10, 1 5— トリ力ルボン酸、（インドールー 4—カルボン酸三量体）し 20 g (収率 85%) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 1 Omm、厚さ l mm の形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 72 S/c mであった。元素分析の結果は（C ₉. Q₀H ₄. 98 ^N 1. ο οΟ_α. _{9 8} C 1 ο. _{1 3})

3であった。

<実施例 25 >

実施例 2においてィンドール一 5—カルボ二トリルの代わりにィンドール一 6 一力ルボン酸を使用する以外は実施例 2と同様な方法で重合を行った。反応溶液の pHは 1未満であった。これにより暗青色の 6， 1 ],ージヒドロー 5 H—ジィンドロ [2， 3— a : 2，， 3，一 c] カルバゾーノレ一 3， 8, 13—トリ力ノレボン酸、（インドール一 6—力ルボン酸三量体） 1. 1 9 g (収率 84%) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 10mm、厚さ 1 ramの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 77 S/cmであつた。元素分析の結果は（C ₉. _0OH₄. 9₉Ν ! . ο 1 Ο !. 98 C 1 ο. 14) 3 であった。

<実施例 26 >

実施例 2においてィンドール一 5—カルボ二トリルの代わりにィンドール一 7 —カルボン酸を使用する以外は実施例 2と同様な方法で重合を行った。反応溶液の pHは 1未満であった。これにより喑青色の 6， 1 1—ジヒドロー 5H—ジィンドロ [2, 3 - a ： 2 ' , 3' — c] カルバゾーノレ一 4, 7, 1 2—トリカノレボン酸、（インドールー 7—カルボン酸三量体） 1. 1 5 g (収率 81%) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 1 0mm、厚さ 1 mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 75 S/c mであつた。元素分析の結果は（C ₉. ()₀H₄. 9₇ !. o ₀O！ . 98 C 1 o. ₃) 3 であった。

<実施例 27 >

実施例' 1 Ίにおいて 5—フルォロインド一ルの代わりにインドール一 4—カルバルデヒドを使用する以外は実施例 1 1 と同様な方法で重合を行った,，反応溶液の pHは 1未満であった。淡緑色の 6， 1 1—ジヒドロー 5 H—ジインドロ [2， 3— a : 2' ， 3 ' ~ c ] カルバゾ」ルー 1 0, 1 5— トリカルバルデヒド、 (インドールー 4一カルバルデヒド三量体）し 08 g (収率 80%) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 1 Omm、厚さ l mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 75 Sズ cmであった。元素分析の結果は（C₉. _0OH₄. 9₇Ν_α. ο ₆Ο₀. 99 C 1 ο. ι ₅) ₃であつた。

<実施例 28〉

実施例 1 1において 5—フルォロインドールの代わりにィンドール一 5—カルバルデヒドを使用する以外は実施例 11と同様な方法で重合を行った。反応溶液の pHは 1未満であった。淡緑色の 6， 1 1ージヒドロー 5 H—ジインドロ [2， 3— a : 2，， 3 ' - c ] カノレバゾ一ノレ一 2， 9， 14一トリカノレノくノレデヒド、 (ィンドール一 5一カルバルデヒド三量体） 1. 18 g (収率 87 %) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 1 Omm、厚さ 1mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 82 S7cmであった。元素分析の結果は（C 9. 00 ^ 4. 99 N , 0 3リ 1. 01 *^ 1 Q . 1 5) 3でめつた。

<実施例 29 >

実施例 1 1において 5—フルォロインドールの代わりにィンドール一 6—カルバルデヒドを使用する以外は実施例 1 1と同様な方法で重合を行った。反応溶液の pHは 1未満であった。淡緑色の 6， 11—ジヒドロ一 5 H—ジインドロ [2, 3— a : 2' ， 3⁵ - c ] 力ルバゾール一3， 8, 1 3—トリカルバルデヒド、 (インドール一 6—カルバルデヒド三量体） 1. 10 g (収率 81%) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 10mm、厚さ 1mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 8 O Sノ c mであった。元素分析の結果は（C₉. ₀₀H₄. ₉9 N _Ί . ο 2 O j . o _Ί C 1 o . j ₃であつた。

く実施例 30〉

卖施例 (うにおいて 5—フル才ロインド一ルの代わりに 4—ブ口モインドールを使用する以外は実施例 6と同様な方法で重合を行った。反応溶液の p Hは 1未満であった。これにより淡緑色の 1 , 1. 0 , 1 5—トリブロモ一 6 , '1. Ί —ジヒドロー 5ト【ージインドロ [2， 3— a ： 2 ' ， 3 ' — c] カルバゾール、（4—ブロモインドール三量体） 1. 2 0 g (収率 74%) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 1 0 mm、厚さ 1 mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 7 1 S Z c mであった。元素分析の結果は

^ 8. 00 H 3. 97 ^N 1. 01 B ^r 0. 98 ^{C 1} 0. 1 0ノ 3でめった。

<実施例 3 1 >

実施例 6において 5—フルォ口インドールの代わりに 6—ブロモインド^ "ルを使用する以外は実施例 6と同様な方法で重合を行った。反応溶液の p Hは 1未満であった。これにより淡緑色の 3， 8， 1 3—トリブロモ一 6, 1 1—ジヒドロ — 5H—ジインドロ [2， 3— a ： 2 ' ， 3 ' 一 c] カルバゾール、 (6—ブロモインドール三量体） 1. 2 8 g (収率 7 9%) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 1 0 mm、厚さ 1 mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 7 3 Sノ c mであった。元素分析の結果は

(〇8. 00^Η4. 01 ^Ν 1. 01 ^{B r} 0. 99 ^- ¹ 0. 12) 3でめつ⁷こ。

<実施例 3 2〉

実施例 6において 5—フノレオロインドールの代わりに 7—ブロモインドールを使用する以外は実施例 6と同様な方法で重合を行つた。反応溶液の p Hは 1朱満であった。これにより淡緑色の 4， 7， 1 2—トリブロモー 6, 1 1—ジヒドロ — 5 H—ジインドロ [2， 3 - a ： 2' , 3 ' — c] カルバゾ一ル、（7—ブロモインドール三量体） 1. 3 2 g (収率 8 1 %) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 1 0 mm、厚さ丄 mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 7 4 S c mであった。元素分析の結果は (C₈. οθ^Η 3. 99^N 1. 02 Β Γ 0. 99じ ¹ 0. 14) ₃であった。

<実施例 3 3 >

実施例 6において 5—フルォロインドールの代わりに 4—フルォロインドールを使用すろ以外は実施例 6と同様な方法で重合を行った。反応溶液の ρ Ηは 1未満であった二れにより淡綠色の 1 , 1 0, 1 5— トリフルォ π - 6 , 1 1 —ジヒドロ一 5 H—ジインドロ〔2， 3 - a ： 2 ' , 3 ' — c] カルバゾール、 (4 —フルォロインドール三量体） 1. 32 g (収率 81%) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 :1 0mm, 厚さ ' 1 mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 79 SZ c mであった。元素分析の結果は（C₈. ₀₀H₃. 99^ 1. 02 ^ 0. 99〇 1 0. ！ ₂) ₃であった。

<実施例 34〉

実施例 6において 5—フルォロインドールの代わりに 7—フルォロインドールを使用する以外は実施例 6と同様な方法で重合を行った。反応溶液の p Hは 1未満であつだ。これにより淡緑色の 4， 7， 12—トリフルォロ一 6， 1 1ージヒドロー 5 H—ジインドロ [2, 3— a : 2' ， 3' — c] カノレバゾーノレ、（7— フルォロインドール三量体） 1. 35 g (収率 83%) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 10 mm、厚さ 1 mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 81 S/cmであった。元素分析の結果 fま ( ^ 8. 00^4. 01 ^N 3. O l^o. 99 1 (3. 14) 3で、あった。

<実施例 35>

実施例 16において 6—ァセチルインドールの代わりに 4—ァセチルインドールを使用する以外は実施例 16と同様な方法で重合を行った。反応溶液の pi-Iは

1未満であった。これにより青緑色の; I， 1 0, 1 5—トリァセチル一 6, 1 1

—ジヒドロ一 5 H—ジインドロ〔2， 3 - a ： 2 ' , 3⁵ — c] カノレバゾル、 (4—ァセチルインドール三量体） 1. 30 g (収率 82%) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 10 mm、厚さ 1 ramの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 80 S/c mであった。元素分析の結果は（C 1 0. 00 ^H 6. 99 N 0. 99〇0. 97 ^ ¹ 0. 12) 3であつ⁷こ。

<実施例; 6 >

実施例 .1 6において 6—ァセチルインドールの代わりに 7—ァセチルインド一ルを使用する以外は実施例 16と同様な方法で重合を行った。反応溶液の p Hは 1未満であった。これにより青-緑色の 4, 7， 1 2—トリァセチル一 6， 1 1 - ジヒドロ一 5 H—ジインドロ [ 2， 3 - a ： 2 ' ， 3 ' — c ] 力ルバゾ一ル、 (7—ァセチルインド一ル三量体） 1. 3 :3 g (収率 84%) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 1 0 mm、厚さ 1 mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 82 SZc mであった。元素分祈の結果は（C^ ₀. 00 7. 0 1 ₀. 99〇0. 9₉C 1 o. 1 3) 3であった。ぐ実施例 37 >

実施例 2においてインドール一 5—カルボ二トリルの代わりに 4—力ルバモイルインドールを使用する以外は実施例 2と同様な方法で重合を行った。反応溶液の pHは 1未満であった。これにより暗青色の 1， 10， 1 5—トリアミドー 6， 1 1—ジヒドロ一 5 H—ジインドロ〔2, 3 - a ： 2 ' , 3' — c]カノレバゾル、 (4—力ルバモイルインドル三量体） 1. 10 g (収率 77%) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 10 mm、厚さ 1 mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 85 SZcmであった。元素分析の結果は（C₉. 00 H ₆. 0₀N₂. 02〇0. 97 ^{C 1} 0. 14) 3であった。く実施例 38〉

実施例 2においてィンドーノレ一 5—カルボ二トリノレの代わりに 5—力ルバモイルインドールを使用する以外は実施例 2と同様な方法で重合を行った。反応溶液の pHは 1未満であった。これにより暗青色の 2， 9, 14—トリアミド一 6， 1 1—ジヒドロ一 5H—ジインドロ [2， 3 - a ： 2' , 3 ' — c〕lカルバゾノレ、 (5—力ルバモイルインドール三量体） 1. 23 g (収率 87%) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 10mra、厚さ 1 mmの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 95 SZcmであった。元素分析の結果は（C₉. ₀₀H₅. ₉₉N₂. o ₂0₀. ₉₈ C 1 o. 15) 3であった。ぐ実施例 39 >

実施例 1 1において 5—フノレオロインドールの代わりに 6—力ルバモイルインドールを使用する以外は実施例 1 1と同様な方法で重合を行った。反応溶液の p Hは 1未満であつた。これにより暗青色の 3， 8, 1 3—トリアミドー 6 , 1 1. ージヒドロ一 5 H—ジインドロ [2， 3— a ： 2' , 3' — c〕カルバゾール、

(6—力ルバモイルインド一ル三量体） 1.. 12 g (収率 83%) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 1 0mm、厚さ，1. mmの形状に^ り出して四端子法にて導電率を測定したところ、 0. 79 SZ mであった，元素分析の結果は（C₉. 00 H 5. 98 ^N 2. 00〇0. 9₉ C 1 o. 1 2) ₃であった。 <実施例 40〉

実施例 1 ；1において 5―フルォロインドールの代わりに 7—力ルバモイルインドールを使用する以外は実施例 1 1と同様な方法で重合を行った。反応溶液の p Hは 1未満であった。これにより喑青色の 4， 7, 1 2—トリアミド一 6， 1 1 ージヒドロ一 5 H——ジインドロ〔2, 3 - a ： 2 ' , 3，一 c]カノレバゾーノレ、

(7—力ルバモイルインドール三量体） 1. 0 7 g (収率 7 9%) を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径 1 0mm、厚さ 1mmの形状に切り出して四 ί耑子法にて導電率を測定したところ、 0. 80 Sノ eraであった。元素分析の結果は（C₉. 0₀H₆. 0 i^Nl. 99 °0. 99 C 1 0. 1 3) ₃であった。比較例

前述の代表的な 3種類のィンドール誘導体三量体と、ポリア二リン（J.

Polymer sci. , Plymer Chem. Ed., 26， 1531 (1988)) 、ポリジチォジァニリン (特開平 1 0— 2 6 5 5 6 7) について、電気化学的測定（サイクリックボルタンメトリー）を行い比較を行った。具体的には、 3種類のインドノレ誘導体三量体及びポリアニリン、ポリジチォジァニリン各々 5 00 m gについて 1 0 Οπα 1 の 1 Μ— N a Ο Η.水溶液に 20 °C、 2時間懸濁させて、桐山漏斗で分離後、水洗、乾燥を行って、続いて 2 0m 1のジメチルホルムアミドに溶解し、白金電極（5 mmX 5 mmの表面積）に塗布後 1 0 0°Cにてベータしてインドール誘導体三量体、ポリア二リン、ポリジチォジァニリン各薄膜電極を作製した。このようにして得られた各薄膜電極を作用電極とし、対電極を白金、参照電極を KC 1飽和カロメル電極（S C E) とし、また、電解質は L i C 1 0₄の水溶液（0. 2 M) を用いて、測定セルとした。各々薄膜電極について、一0. 3〜 1. 2 V (対 S C E) 間にてサイクルテス卜を実施し、得られたサイクリックボルタンダラム及び記録された酸化還元電位 E 0、全還元容量を測定した。

測定した 5種類の三量体について、酸化還元電位 E。、全還元容量、サイクル特性の比較を表 Ίに示す,，表 1

ここでいうサイクル特性とは、 1サイクル目での還元容量を 1 0 0とした時の、 1 0 0 0 0サイクル目での還元容量の割合である。

強度比較

実施例 2、 4、および 1 2に記載のィンドール誘導体三量体をそれぞれブレンダー（WA R I N G C OMM E R C 1 A L社製 H G B— S S型）で 1 1 0 0 0 回 X 3分間粉砕処理した。粉砕処理前後の三量体について、粒径分布と、 I R測定用ペレツ卜の機械的強度の比較を表 2に示す。

表 2

非常に強い、 o :強い、△:やや弱い産業上の利用可能性

以上のように、本発明により、導電性を有する酸化還元容量およびサイクル特性が良好なィンドール誘導体の三量体の工業的製造法が提供できた。本発明の化学酸化法は大量生產を可能とし、一度に多量の三量体を取得でき、工業的生産に非常に適している。一方、従 *の電,解酸化では装置面の特殊性より、大量生産は達成しがたい。また電解反^と異なり、化学反応では最後の環化反応が、ルイス酸によるマイルドな条 ίψでの酸化的環化反応でり、三 a体自身を過'酸化,する二とがないので、不純物の少ない、導電性の良好な三量体を取得することができる。こうして得られたィンドール誘導体三量体のなかで、 4—ニトロインドール誘導体三量体、 6—ニトロインドール誘導体三量体、 7—二トロインドール誘導体三量体、ィンドール一 4一カルボ二トリル誘導体三量体、ィンドル一 6—カルボ二トリル誘導体三量体、ィンドール一 7—カルボ二トリル誘導体三量体、ィンド一ルー 4—カルボン酸誘導体三量体、ィンドール一 6—力ルボン酸誘導体三量体、ィンドール— 7—力ルボン酸誘導体三量体、ィンドール一 4—カルバルデヒド誘導体三量体、ィンドール一 5—カルバルデヒド誘導体三量体、ィンドール一 6 - カルバルデヒド誘導体三量体、インドールー 7—カルバルデヒド誘導体三量体、 4一ブロモインドール誘導体三量体、 6—ブロモインドール誘導体三量体、 7― ブロモインドール誘導体三量体、 4—フルォ口インドール誘導体三量体、 5—フノレォロインドール誘導体三量体、 6—フルォロインドール誘導体三量体、 7—フノレォロインドール誘導体三量体、 4—力ルバモイルインドール誘導体三量体、 5 一力ルバモイルインドル誘導体三量体、 6—力ルバモイルインドール誘導体三量体、 7—力ルバモイルインドール誘導体三量体、 4—ァセチルインドール誘導体三量体、 5—ァセチルインドール誘導体三量体、 6—ァセチルインドール誘導体三量体、および 7—ァセチルインドール誘導体三量体は、従来知られているィンドール誘導体三量体と比較して、導電性、酸化還元電位及び Zまたは酸化還元容量、並びにサイクル特性が優れている。これらのインドール誘導体三量体は、各種帯電防止、静電、コンデンサ、電池、 E M Iシールド、化学センサー、表示素子、非線形材料、防锖剤、接着剤、繊維、帯電防止塗料、メツキプライマー、静電塗装の下地、電気防食等に幅広く適用可能である

Claims

請求の範囲下記一般式（ュ）

(式中、 R i R は、水素、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル墓、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎮または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基である。）で示される少なくとも一種のインドール誘導体（A) を、少なくとも一種の酸化剤 (B ) と少なくとも一種の有機溶媒（C) を含む反応混合物中において反応することを含む、下記一般式（2 )

(式中、 R 〜 R！ ₂は、水素、炭素数 1〜 2 4の直鎖ま

炭素数 1〜 2 4の直鎮または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎮または；、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ墓、ァミノ墓、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、

X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸ィォン、チォシアン酸イオン、酉乍酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸イオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォ口メタンスルホン酸ィオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 aは Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示されるインドール誘導体三量体の製造方法。

2. 前記一般式（1 ) で示される少なくとも一種のインドール誘導体（A ) と少なくとも一種の有機溶媒（C ) を含む溶液中に、少なくとも一種の酸化剤 ( B ) と少なくとも一種の有機溶媒 ( C ) と水を含む溶液を滴下して反応することを含む、前記一般式 ( 2 ) で示されるインドール誘導体三量体の製造方法。

3. 酸化剤（B ) 力無水塩化第二鉄、塩化第二鉄六水和物、硝酸第二鉄六水和物、硫酸第二鉄 n水和物、硫酸第二鉄アンモニゥム+ニ水和物、過塩素酸第二鉄 n水和物、塩化第二錮、テトラフルォロホウ酸第二銅、オゾン、及び過硫酸ァンモニゥムからなる群から選ばれた少なくとも一種である、請求項 1または 2記載のィンドール誘導体三量体の製造方法。

4. 有機溶媒（C ) がァセトニトリルである請求 1〜3のいずれか 1項に記载のィンドール誘導体三量体の製造方法。

5. 反応終了後に酸性溶液を用いてドーピング処理を行うことをさらに含む、請求項 1〜 4のいずれか 1項に記載のィンドール誘導体三量体の製造方法。

6. 下記一般式（3 )

(式中、 R R ;^は、いずれも水素、炭素数 1〜 2 4の直鎮または分岐のァルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルコキシ墓、炭素数 2〜2 4の直鎖または分岐のァシル墓、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎮または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、了ミド基およびノヽロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、ただし〜；！ ₂がすべて水素であるものを除き、または R ₂、 R ₆、および R ;!^ 0のすべてが同一の置換基で置換されていてかつその他がすべて水素であるものを除き、また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸ィォン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸イオン、トリフノレオ口酉酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる ]〜 3価の陰ィォンの群から選ばれた少なくとも一種の陰ィオンであり、 aは Xのィオン価数を表し、：！〜 3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。 ) で示されるインドール誘導体三量体。

7. 下記一般式（4 )

(式中、 R ₂〜R ₄、 R ₆〜R ₈、および R _{1 0}〜R _{1 2}は、いずれも水素、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎮または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、力ルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎮または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスノレホン酸イオン、 p—トノレエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である _u ) で示される 4一二トロインドール三量体誘導体。

8. 下記一般式（5 )

(式中、 R ₂、 R ₄〜R ₆、および R ₈〜R _{1 0}は、いずれも水素、炭素数

1〜2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のァルコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜2 4の直鎮または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a一は、塩素イオン、臭素イオン、ョゥ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスホン酸イオン、 ρ—トノレエンスルホン酸イオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1 〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 aは Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示される 6— -トロインドール三量体誘導体。

9. 下記一般式（6 )

(式中、 R i R ^ R ₅〜R ₇、および R g R i は、いずれも水素、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のァルコキシ基、炭素数 2〜2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎮または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜 2 4の直鎮または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ョゥ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p―トルエンスルホン酸イオン、トリフノレオ口酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1

〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 aは Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示される 7—ニトロインドール三量体誘導体。

10. 下記一般式（7 )

(式中、 R ₂〜R ₄、 R ₆〜R ₈、および R _{1 0}〜R _{1 2}は、いずれも水素、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜 2 4の直鎮または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、力ルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピ才ン酸ィ才ン、メタンスノレホン酉きィ才ン、 p— トノレエンスノレホン酉食ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜 3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示されるインドール一 4一カルボ二トリル三量体誘導体。

丄1, 下記一般式（8 )

(式中、 R]、 R₂、 R₄〜R₆、 R₈〜R₁₀、および R₁₂は、いずれも水素、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜24の直鎮または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜24の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜24の直鎮または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜 24の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0. 5である。）で示されるィンド^ "ル一 6—カルボ二トリル三量体誘導体 _c

12. 下記一般式（9)

(式中、 Ri Rg R₅〜R₇、および R₉〜R_{1 ;1}は、いずれも水素、炭素数 1〜24の直鎮または分岐のアルキル基、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のァルコキシ基、炭素数 2〜 24の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜24の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜 24の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X^a一は、塩素イオン、臭素イオン、ョゥ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p— トルエンスルホン酸イオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1 〜3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 aは Xのイオン価数を表し、 1〜 3の整数であり、 mは 0〜0. 5である。）で示されるィンドール一 7—カルボ二トリル三量体誘導体。

13. 下記一般式（ 1 0)

(式中、 R₂〜R₄、 R₆〜R₈、および R₁₀〜R₁₂は、いずれも水素、炭素数 1〜24の直鎮または分岐のアルキル基、炭素数 1〜24の直鎮または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 24の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、力ノレボン酸基、炭素数 2〜24の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの鮮から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0. 5である。）で示されるインド一ルー 4—カルボン酸三量体誘導体。

M. 下記一般式（11)

(式中、 Rい R₂、 R₄〜R₆、 R₈〜Rュ ₀、および R_{1 2}は、いずれも水素、炭素数 1〜24の直鎮または分岐のアルキル基、炭素数 1~24の直鎮または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜24の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 24の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびノ、ロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X^a一は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスノレホン酸イオン、 p— ト^レエンスノレホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜 3の整数であり、 mは 0〜0. 5である。）で示されるインドールー 6—カルボン酸三量体誘導体。

15. 下記一般式（1 2) (12)

(式中、 R i〜R ₃、 R ₅〜R ₇、および R ₉〜R ₁は、いずれも水素、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のァルコキシ基、炭素数 2〜2 4の直鎮または分岐のァシル基、アルデヒド墓、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ墓、永酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ョゥ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸イオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1 〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 aはのイオン価数を表し、；！〜 3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示されるィンドール一 7—カルボン酸三量体誘導体。

16. 下記一般式（1 3 )

(式中、 R ₂〜R ₄、 R ₆〜R ₈、および ₀〜Rュ ₂は、いずれも水素、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、力ルボン酸基、炭素数 2〜2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜2 4の直鎮または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびノヽロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酉水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示されるインドール一 4—力ルバルデヒド三量体誘導体。

17. 下記一般式（1 4 )

(式中、 R h R ₃〜R ₅、 R ₇〜R ₉、 R _{x l} および R _{1 2}は、いずれも水素、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、まだ、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過：^素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰ィオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰ィオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示されるィンドール一 5—カルバルデヒド三量体誘導体。

18. 下記一般式（1 5 )

(式中、 R R₂、 R₄〜R₆、 R₈〜R₁₀、および R_{1 2}は、いずれも水素、炭素数 1〜 24の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜 24の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 24の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 24の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜24の直鎮または分岐のスルホン酸ヱステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p— トルエンスノレホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰ィオン群から選ばれた少なくとも一種の陰ィオンであり、 aは Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0. 5である。）で示されるィンド一ルー 6—カルバルデヒド三量体誘導体。

19. 下記一般式（ 1 6)

(式中、 R R s R ₅〜R ₇、および R g R ；!は、いずれも水素、炭素数 1〜2 4の直鎮または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のァルコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ョゥ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸イオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1 〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 aは Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。 ) で示されるィンドルー 7—カルバルデヒド三量体誘導体。

20. 下記一般式（1 7 )

(式中、 R ₂〜R ₄、 R ₆〜R ₈、ぉょび尺_{1 0}〜尺_{1 2}は、いずれも水素、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルキル墓、炭素数 1〜2 4の直鎮または分岐のァノレコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、力ルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換 ¾であり、また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピ才ン酸ィ才ン、メタンスノレホン酸ィ才ン、 p—トノレエンスノレホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示される 4一ブロモインドール三量体誘導体。

21. 下記一般式（1 8 )

(式中、 R ₂、 R ₄〜R ₆、 R ₈〜R _{1 0}、および ₂は、いずれも水素、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルキル甚、炭素数 1〜2 4の直鎮または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜2 4の直鎮または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。 ) で示される 6—プロモインドール三量体誘導体。

22. 下記一般式（1 9 )

(式中、 Ri R^ R₅〜R₇、および R₉〜R_{1 ;1}は、いずれも水素、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のァノレコキシ基、炭素数 2〜24の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 24の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜 24の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびノヽロゲン墓からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X^a一は、塩素イオン、臭素イオン、ョゥ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸イオン、フ°ロピ才ン酸ィ才ン、メタンスノレホン酸ィ才ン、 p—トノレエンスルホン酸ィ才ン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1

〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 aは Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0. 5である。）で示される

7ーブロモインドール三量体誘導体。

23. 下記一般式（20)

(式中、 R₂〜R₄、 R₆〜R₈、および R_{1 0}〜R_{1 2}は、いずれも水素、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 24の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、力ルボン酸基、炭素数 2〜 24の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜²4の直鎖または分岐のスルホン酸ュステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピ才ン酸ィ才ン、メタンスノレホン酸 ^ィ才ン、 p—トノレエンスノレホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰ィオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0. 5である。）で示される 4—フルォロインドール三量体誘導体。

24. 下記一般式（2 1)

(式中、 R₃〜R₅、 R₇〜： R₉、および R_{l l} R_{1 2}は、いずれも水素、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜24の直鎮または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 24の直鎮または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 24の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸墓、炭素数 1〜 24の直鎮または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン墓からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トノレエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0. 5である。 ) で示される 5—フルォロインドール三量体誘導体。

25. 下記一般式（22)

(式中、 R_l R₂、 R₄〜R₆、 R₈〜R₁₀、および R_{1 2}は、いずれも水素、炭素数 1〜 24の直鎮または分岐のアルキル基、炭素数 1〜 24の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 24の直鎮または分岐のァシル基、アルデヒド墓、カルボン酸基、炭素数 2〜 24の直鎮または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜 24の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびノヽロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基である。また、 X^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0. 5である。）で示される 6—フルォロインドール三量体誘導体。

26. 下記一般式（23)

(式中、 R R ^ R ₅〜R ₇、および R ₉〜R ₁は、いずれも水素、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のァルコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜2 4.の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ墓、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ョゥ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸イオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1 〜 3価の陰ィオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 aは Xのイオン価数を表し、 1〜 3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示される 7—フルォロインドール三量体誘導体。

27. 下記一般式（2 4 )

(式中、 R₂〜R₄、 R₆〜R₈、および R_{1 0}〜R_{1 2}は、いずれも水素、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 24の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、力ルボン酸基、炭素数 2〜 24の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、永酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびノヽロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換 ίであり、また、 X^a一は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰ィオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0. 5である。）で示される 4—ァセチルインドール三量体誘導体。

28. 下記一般式（25)

(式中、 R_l R₃〜R₅、 R₇〜R₉、 R_{x l N} および R_{1 2}は、いずれも水素、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 24の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 24の直鎮または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ墓、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピ才ン酸ィ才ン、メタンスルホン酉ィ才ン、 p— トノレエンスノレホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0. 5である。）で示される 5—ァセチルインドール三量体誘導体。

29. 下記一般式（26)

(式中、 Rい R₂、 R₄〜R₆、 R₈〜R_{1 0}、および R_{1 2}は、いずれも水素、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 24の直鎮または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 24の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜 24の直鎮または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸ィ才ン、メタンスルホン酸イオン、 p—トノレエンスノレホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜 3の整数であり、 mは 0〜0. 5である。）で示される 6—ァセチルインド ^ル三量体誘導体。

30. 下記一般式（27)

(式中、 R R g R ₅〜R ₇、および R ₉〜R _{1 1}は、いずれも水素、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のァノレコキシ基、炭素数 2〜2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^{a _}は、塩素イオン、臭素イオン、ョゥ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスノレホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸イオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1

〜 3価の陰ィオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰ィオンであり、 aは Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示される

7一ァセチルインドール三量体誘導体。

31. 下記一般式（2 8 )

(式中、 R₂〜R₄、 R₆〜R₈、および R₁₀〜R₁₂は、いずれも水素、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のアルキル墓、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜24の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、力ルボン酸基、炭素数 2〜24の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜24の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびノヽロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X^a一は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピ才ン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰ィオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0. 5である。 ) で示される 4—力ルバモイルインドール三量体誘導体に関する。

32. 下記一般式（29)

(式中、 R ₃〜R ₅、 R ₇〜R ₉、 R _{x x} , および ₂は、いずれも水素、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a一は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p— トルエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰ィオンであり、 a は Xのイオン価数を表し、：！〜 3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。 ) で示される 5—力ルバモイルインドール三量体誘導体に関する。

33. 下記一般式（3 0 )

(式中、 R 、 R ₂、 R ₄〜R ₆、 R ₈〜R _{1 0}、および ₂は、いずれも水素、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ墓、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a一は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸ィォン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸ィオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰ィオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰ィオンであり、 a は: Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示される 6—力ルバモイルインドール三量体誘導体に関する。

34. 下記一般式（3 1 )

(式中、 R^ R ^ R ₅〜R ₇、および R ₉〜R _{3 1}は、いずれも水素、炭素数；!〜 2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎮または分岐のァノレコキシ基、炭素数 2〜2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ョゥ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p — トルエンスルホン酸イオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1

〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 aは Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示される

7—力ルバモイルインドール三量体誘導体に関する。

35. 請求項 6〜 3 4のいずれか 1項に記載のィンドール誘導体三量体であって、

X ^a —が塩素イオン、硫酸イオン、ホウフク化イオンからなる群から選ばれた少なくとも 1種であろ、上記ィンドール誘導体三量体。

36. 請求項 6〜 3 5のレ、ずれか 1項に記載のィンド一ル誘導体三：！体であつて、 m = 0 . () 0 1 〜（）. 5であるドブ '型の、上記インドール誘導体三体,，

37. 請求項 6〜 3 5のいずれか 1項に記載のィンドール誘導体三量体であって- m = 0である脱ド一プ型の、上記ィンドール誘導体三量体。

38. 粒径 0 . 〗〜 5 0 /i mの粒子である下記一般式（ 2 )

(式中、 R ₁〜R _{1 2}は、水素、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸甚、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、

X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸ィォン、チォシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p— トルエンスルホン酸イオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸ィオンからなる 1〜 3価の陰ィオンの鮮から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 aは Xのィオン価数を表し、 1〜 3の整数であり、 mは 0〜ϋ . 5である。）で示されるインドール誘導体三量体。

39. ィンドール誘導体三量体が請求項；！〜 5の!/、ずれか 1項に記載された方法により製造され得る、請求項 3 8記載のィンドール誘導体三量体「

40. ィンドール誘導体三量体が請求項 6〜 3 7のレ、ずれか 1項に記載のものである、請求項:； 8記載のィンドール誘導体三; a体.

41 . インドール誘導体三量体が下記一般式（3 2 )

(式中、 R ₂、 R ₆、および ₀のすべてがシァノ基またはカルボン酸基で置換されており、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素ィォン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化ィォン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸イオン、トリフルォロ酢酸ィオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 aは Xのイオン価数を表し、：!〜 3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示されるインドール一 5—力ルボニトリル三量体あるいはィンドール一 5—カルボン酸三量体である、請求項 3 8または 3 9記载のィンドール誘導体三量体。

42. 層間隔 0 . 1〜0 . 6 n mの積層構造を有する、下記一般式（2 )

(式中、 R R L Sは、水素、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数 1〜2 4の直鎮または分岐のアルコキシ基、炭素数 2〜2 4の直鎮または分岐のァシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数 2〜 2 4の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数 1〜 2 4の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シァノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド墓およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、

X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸ィォン、チォシアン酉イオン、酉乍酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p— トルエンスルホン酸イオン、トリフルォロ酢酸イオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 aは Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜 0 . 5である。）で示されるインドール誘導体三量体積層構造体。

43. ィンドール誘導体三量体が請求項：!〜 5のレ、ずれか 1項に記載の方法により製造される、請求項 4 2記載のインドール誘導体三量体積層構造体。

44. ィンドール誘導体三量体が請求項 6〜 3 7のいずれか 1項に記載のものである、請求項 4 2記載のィンドール誘導体三量体積層構造体。

45. 下記一般式， ( 2 )

(式中、 R ₂、 R ₆、および R i oのすべてがシァノ基あるいはカルボン酸基で置換されており、 X ^a—は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素ィオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化ィオン、過塩素酸イオン、チォシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、 p—トルエンスルホン酸イオン、トリフルォロ酢酸ィオン、及びトリフルォロメタンスルホン酸イオンからなる 1〜 3価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、 aは Xのイオン価数を表し、 1〜3の整数であり、 mは 0〜0 . 5である。）で示されるインドルー 5—力ノレボニトリル三量体またはィンドール一 5—力ルボン酸三量体である、請求項 4 2または 4 3記載のィンドール誘導体三量体積層構造体。