JP4112973B2

JP4112973B2 - インドール誘導体三量体の製造方法及びインドール誘導体三量体とその積層構造体

Info

Publication number: JP4112973B2
Application number: JP2002529649A
Authority: JP
Inventors: 晋一前田; 扶実乃百瀬; 嘉一齋藤; 隆司齋藤
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp; Mitsubishi Rayon Co Ltd
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp; Mitsubishi Rayon Co Ltd
Priority date: 2000-10-17
Filing date: 2001-09-27
Publication date: 2008-07-02
Anticipated expiration: 2021-09-27
Also published as: EP1327632B1; US20060211793A1; US7585981B2; US20040019097A1; EP1327632A1; DE60136837D1; EP1327632A4; US7115751B2; JPWO2002032903A1; WO2002032903A1

Description

技術分野
本発明はインドール誘導体三量体の製造方法及びそれにより得られ得る新規なインドール誘導体三量体に関するものである。該三量体を主成分とする組成物は、各種帯電防止、制電、コンデンサ、電池、ＥＭＩシールド、化学センサー、表示素子、有機ＥＬ材料、非線形材料、防錆剤、接着剤、繊維、帯電防止塗料、電着塗装、メッキプライマー、静電塗装用導電性プライマー、電気防食等に適用可能である。
背景技術
これまでに、インドールの化学重合法は、特開平５−１４８３２０号公報で酸化剤溶液中にインドール溶液を滴下する方法が提案されている。この方法は、無置換のインドールを原料とする場合についてのみ提案されているものであり、置換基を持つインドール誘導体については何ら記載されていない。また、生成物はインドールを繰り返し単位とするポリマーであり、三量体の生成に関しては何ら記載されていない。
Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏａｎａｌ．Ｃｈｅｍ．，４１４（１９９６）１９７頁に、無置換インドール、４−ニトロインドール、５−ニトロインドールの電解反応によるポリマーの合成が、また、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，ＦａｒａｄａｙＴｒａｎｓ．，９３（１９９７）３７９１頁には、無置換インドール、５−シアノインドールの電解反応による三量体の合成についてそれぞれ報告されている。これらの文献に記載されている方法で取得した無置換インドールや置換インドールでは、酸化還元テスト（サイクルテスト）を行うと、三量体の劣化が進行し、結果としてサイクル特性が悪く、導電性デバイスへの適用が困難であった。さらに電解反応では三量体を大量に合成することは困難で、工業的製法としては適用し難いと言う問題点も有している。
Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｅｓ，１２（１９７９）４７１頁、Ｃｈｅｍ．Ｐｈａｒｍ．Ｂｕｌｌ．，２９，（１９８１）３４９９頁に、ＴｉＣｌ_３あるいはＦｅＳＯ_４とＨ_２Ｏ_２を用いた無置換インドール三量体の合成が報告されている。しかしながら、報告論文中にも記載されている通り、数種類の副生成物が混在していること、及び目的とする三量体の収率が低いなどの課題点が多かった。
また、ＳｙｎｔｈｅｔｉｃＭｅｔａｌｓ，８０（１９９６）３０９頁でも，電解反応による無置換インドール三量体の合成が報告されており、その物性は、層間隔：０．６５８ｎｍ、導電率：０．０３Ｓ／ｃｍである。
このように、従来技術で得られる無置換インドール三量体や置換インドール三量体ではサイクル特性、工業的製造への適性が不充分であり、高酸化還元電位、高酸化還元容量、高サイクル特性を有するインドール誘導体三量体の開発と、これらの工業的な製造法の開発が当該分野では重要な課題となっていた。
本発明の目的は、インドール誘導体三量体を高純度で大量生産することができる工業的な製造方法およびその方法によって得られ得る、高導電性を有し、高い酸化還元電位、高い酸化還元容量を有し、かつサイクル特性が良好な新規なインドール誘導体三量体を提供することにある。
発明の開示
すなわち、本発明の第一の態様は、下記一般式（１）

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_４は、水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基である。）で示される少なくとも一種のインドール誘導体（Ａ）を、少なくとも一種の酸化剤（Ｂ）と少なくとも一種の溶媒を含む反応混合物中において酸化することを含む、下記一般式（２）

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_１２は、水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール誘導体三量体の製造方法に関する。
本発明の第二の態様は、前記一般式（１）で示される少なくとも一種のインドール誘導体（Ａ）と少なくとも一種の有機溶媒（Ｃ）を含む溶液中に、少なくとも一種の酸化剤（Ｂ）と少なくとも一種の有機溶媒（Ｃ）と水を含む溶液を滴下して反応することを含む、前記一般式（２）で示されるインドール誘導体三量体の製造方法に関する。
本発明の第三の態様は、酸化剤（Ｂ）が、無水塩化第二鉄、塩化第二鉄六水和物、硝酸第二鉄六水和物、硫酸第二鉄ｎ水和物、硫酸第二鉄アンモニウム十二水和物、過塩素酸第二鉄ｎ水和物、塩化第二銅、テトラフルオロホウ酸第二銅、オゾン、及び過硫酸アンモニウムからなる群から選ばれた少なくとも一種である、前記第一または第二の態様に記載のインドール誘導体三量体の製造方法に関する。
本発明の第四の態様は、有機溶媒（Ｃ）がアセトニトリルである前記第一〜第三の態様のいずれかに記載のインドール誘導体三量体の製造方法に関する。
本発明の第五の態様は、反応終了後に酸性溶液を用いてドーピング処理を行うことをさらに含む、第一〜第四の態様のいずれかに記載のインドール誘導体三量体の製造方法に関する。
本発明の第六の態様は、下記一般式（３）

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_１２は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、ただしＲ_１〜Ｒ_１２がすべて水素であるものを除き、またはＲ_２、Ｒ_６、およびＲ_１０のすべてが同一の置換基で置換されていてかつその他がすべて水素であるものを除き、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール誘導体三量体に関する。
本発明の第七の態様は、下記一般式（４）

（式中、Ｒ_２〜Ｒ_４、Ｒ_６〜Ｒ_８、およびＲ_１０〜Ｒ_１２は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される４−ニトロインドール三量体誘導体に関する。
本発明の第八の態様は、下記一般式（５）

（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４〜Ｒ_６、Ｒ_８〜Ｒ_１０、およびＲ_１２は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される６−ニトロインドール三量体誘導体に関する。
本発明の第九の態様は、下記一般式（６）

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_３、Ｒ_５〜Ｒ_７、およびＲ_９〜Ｒ_１１は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される７−ニトロインドール三量体誘導体に関する。
本発明の第十の態様は、下記一般式（７）

（式中、Ｒ_２〜Ｒ_４、Ｒ_６〜Ｒ_８、およびＲ_１０〜Ｒ_１２は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール−４−カルボニトリル三量体誘導体に関する。
本発明の第十一の態様は、下記一般式（８）

（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４〜Ｒ_６、Ｒ_８〜Ｒ_１０、およびＲ_１２は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール−６−カルボニトリル三量体誘導体に関する。
本発明の第十二の態様は、下記一般式（９）

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_３、Ｒ_５〜Ｒ_７、およびＲ_９〜Ｒ_１１は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール−７−カルボニトリル三量体誘導体に関する。
本発明の第十三の態様は、下記一般式（１０）

（式中、Ｒ_２〜Ｒ_４、Ｒ_６〜Ｒ_８、およびＲ_１０〜Ｒ_１２は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール−４−カルボン酸三量体誘導体に関する。
本発明の第十四の態様は、下記一般式（１１）

（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４〜Ｒ_６、Ｒ_８〜Ｒ_１０、およびＲ_１２は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール−６−カルボン酸三量体誘導体に関する。
本発明の第十五の態様は、下記一般式（１２）

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_３、Ｒ_５〜Ｒ_７、およぴＲ_９〜Ｒ_１１は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール−７−カルボン酸三量体誘導体に関する。
本発明の第十六の態様は、下記一般式（１３）

（式中、Ｒ_２〜Ｒ_４、Ｒ_６〜Ｒ_８、およびＲ_１０〜Ｒ_１２は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール−４−カルバルデヒド三量体誘導体に関する。
本発明の第十七の態様は、下記一般式（１４）

（式中、Ｒ_１、Ｒ_３〜Ｒ_５、Ｒ_７〜Ｒ_９、Ｒ_１１、およびＲ_１２は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール−５−カルバルデヒド三量体誘導体に関する。
本発明の第十八の態様は、下記一般式（１５）

（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４〜Ｒ_６、Ｒ_８〜Ｒ_１０、およびＲ_１２は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール−６−カルバルデヒド三量体誘導体に関する。
本発明の第十九の態様は、下記一般式（１６）

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_３、Ｒ_５〜Ｒ_７、およびＲ_９〜Ｒ_１１は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール−７−カルバルデヒド三量体誘導体に関する。
本発明の第二十の態様は、下記一般式（１７）

（式中、Ｒ_２〜Ｒ_４、Ｒ_６〜Ｒ_８、およびＲ_１０〜Ｒ_１２は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される４−ブロモインドール三量体誘導体に関する。
本発明の第二十一の態様は、下記一般式（１８）

（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４〜Ｒ_６、Ｒ_８〜Ｒ_１０、およびＲ_１２は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される６−ブロモインドール三量体誘導体に関する。
本発明の第二十二の態様は、下記一般式（１９）

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_３、Ｒ_５〜Ｒ_７、およびＲ_９〜Ｒ_１１は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される７−ブロモインドール三量体誘導体に関する。
本発明の第二十三の態様は、下記一般式（２０）

（式中、Ｒ_２〜Ｒ_４、Ｒ_６〜Ｒ_８、およびＲ_１０〜Ｒ_１２は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される４−フルオロインドール三量体誘導体に関する。
本発明の第二十四の態様は、下記一般式（２１）

（式中、Ｒ_１、Ｒ_３〜Ｒ_５、Ｒ_７〜Ｒ_９、Ｒ_１１、およびＲ_１２は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される５−フルオロインドール三量体誘導体に関する。
本発明の第二十五の態様は、下記一般式（２２）

（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４〜Ｒ_６、Ｒ_８〜Ｒ_１０、およびＲ_１２は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される６−フルオロインドール三量体誘導体に関する。
本発明の第二十六の態様は、下記一般式（２３）

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_３、Ｒ_５〜Ｒ_７、およびＲ_９〜Ｒ_１１は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基である。また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される７−フルオロインドール三量体誘導体に関する。
本発明の第二十七の態様は、下記一般式（２４）

（式中、Ｒ_２〜Ｒ_４、Ｒ_６〜Ｒ_８、およびＲ_１０〜Ｒ_１２は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される４−アセチルインドール三量体誘導体に関する。
本発明の第二十八の態様は、下記一般式（２５）

（式中、Ｒ_１、Ｒ_３〜Ｒ_５、Ｒ_７〜Ｒ_９、Ｒ_１１、およびＲ_１２は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される５−アセチルインドール三量体誘導体に関する。
本発明の第二十九の態様は、下記一般式（２６）

（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４〜Ｒ_６、Ｒ_８〜Ｒ_１０、およびＲ_１２は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される６−アセチルインドール三量体誘導体に関する。
本発明の第三十の態様は、下記一般式（２７）

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_３、Ｒ_５〜Ｒ_７、およびＲ_９〜Ｒ_１１は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される７−アセチルインドール三量体誘導体に関する。
本発明の第三十一の態様は、下記一般式（２８）

（式中、Ｒ_２〜Ｒ_４、Ｒ_６〜Ｒ_８、およびＲ_１０〜Ｒ_１２は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される４−カルバモイルインドール三量体誘導体に関する。
本発明の第三十二の態様は、下記一般式（２９）

（式中、Ｒ_１、Ｒ_３〜Ｒ_５、Ｒ_７〜Ｒ_９、Ｒ_１１、およびＲ_１２は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される５−カルバモイルインドール三量体誘導体に関する。
本発明の第三十三の態様は、下記一般式（３０）

（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４〜Ｒ_６、Ｒ_８〜Ｒ_１０、およびＲ_１２は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される６−カルバモイルインドール三量体誘導体に関する。
本発明の第三十四の態様は、下記一般式（３１）

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_３、Ｒ_５〜Ｒ_７、およびＲ_９〜Ｒ_１１は、いずれも水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される７−カルバモイルインドール三量体誘導体に関する。
本発明の第三十五の態様は、前記第六〜第三十四の態様のいずれかに記載のインドール誘導体三量体であって、Ｘ^ａ−が塩素イオン、硫酸イオン、ホウフッ化イオンからなる群から選ばれた少なくとも一種であるインドール誘導体三量体に関する。
本発明の第三十六の態様は、前記第六〜第三十五の態様のいずれかに記載のインドール誘導体三量体であって、ｍ＝０．００１〜０．５であるドープ型のインドール誘導体三量体に関する。
本発明の第三十七の態様は、前記第六〜第三十五の態様のいずれかに記載のインドール誘導体三量体であって、ｍ＝０である脱ドープ型のインドール誘導体三量体に関する。
本発明の第三十八の態様は、粒径０．１〜５０μｍの粒子である下記一般式（２）

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_１２は、水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール誘導体三量体に関する。
本発明の第三十九の態様は、インドール誘導体三量体が、前記第一〜第五の態様のいずれかに記載された方法により製造され得る、前記第三十八の態様に記載のインドール誘導体三量体に関する。
本発明の第四十の態様は、インドール誘導体三量体が、前記第六〜第三十七の態様のいずれかに記載のものである、前記第三十八の態様に記載のインドール誘導体三量体に関する。
本発明の第四十一の態様は、インドール誘導体三量体が下記一般式（３２）

（式中、Ｒ_２、Ｒ_６、およびＲ_１０のすべてがシアノ基またはカルボン酸基で置換されており、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール−５−カルボニトリル三量体またはインドール−５−カルボン酸三量体である、前記第三十八または第三十九の態様に記載のインドール誘導体三量体に関する。
本発明の第四十二の態様は、層間隔０．１〜０．６ｎｍの積層構造を有する、下記一般式（２）

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_１２は、水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール誘導体三量体積層構造体に関する。
本発明の第四十三の態様は、インドール誘導体三量体が前記第一〜第五の態様のいずれかに記載の方法により製造され得る、前記第四十二の態様に記載のインドール誘導体三量体積層構造体に関する。
本発明の第四十四の態様は、インドール誘導体三量体が前記第六〜第三十七の態様のいずれかに記載のものである、前記第四十二の態様に記載のインドール誘導体三量体積層構造体に関する。
本発明の第四十五の態様は、下記一般式（３２）

（式中、Ｒ_２、Ｒ_６、およびＲ_１０のすべてがシアノ基あるいはカルボン酸基で置換されており、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール−５−カルボニトリル三量体あるいはインドール−５−カルボン酸三量体である、前記第四十二または第四十三の態様に記載のインドール誘導体三量体積層構造体に関する。
発明を実施するための最良の形態
本発明の方法で用いられる一般式（１）で示されるインドール誘導体（イ）は、具体的には、インドール、４−メチルインドール、５−メチルインドール、６−メチルインドール、７−メチルインドール、４−エチルインドール、５−エチルインドール、６−エチルインドール、７−エチルインドール、４−ｎ−プロピルインドール、５−ｎ−プロピルインドール、６−ｎ−プロピルインドール、７−ｎ−プロピルインドール、４−ｉｓｏ−プロピルインドール、５−ｉｓｏ−プロピルインドール、６−ｉｓｏ−プロピルインドール、７−ｉｓｏ−プロピルインドール、４−ｎ−ブチルインドール、５−ｎ−ブチルインドール、６−ｎ−ブチルインドール、７−ｎ−ブチルインドール、４−ｓｅｃ−ブチルインドール、５−ｓｅｃ−ブチルインドール、６−ｓｅｃ−ブチルインドール、７−ｓｅｃ−ブチルインドール、４−ｔ−ブチルインドール、５−ｔ−ブチルインドール、６−ｔ−ブチルインドール、７−ｔ−ブチルインドールなどのアルキル基置換インドール類、４−メトキシインドール、５−メトキシインドール、６−メトキシインドール、７−メトキシインドール、４−エトキシインドール、５−エトキシインドール、６−エトキシインドール、７−エトキシインドール、４−ｎ−プロポキシインドール、５−ｎ−プロポキシインドール、６−ｎ−プロポキシインドール、７−ｎ−プロポキシインドール、４−ｉｓｏ−プロポキシインドール、５−ｉｓｏ−プロポキシインドール、６−ｉｓｏ−プロポキシインドール、７−ｉｓｏ−プロポキシインドール、４−ｎ−ブトキシインドール、５−ｎ−ブトキシインドール、６−ｎ−ブトキシインドール、７−ｎ−ブトキシインドール、４−ｓｅｃ−ブトキシインドール、５−ｓｅｃ−ブトキシインドール、６−ｓｅｃ−ブトキシインドール、７−ｓｅｃ−ブトキシインドール、４−ｔ−ブトキシインドール、５−ｔ−ブトキシインドール、６−ｔ−ブトキシインドール、７−ｔ−ブトキシインドールなどのアルコキシ基置換インドール類、４−アセチルインドール、５−アセチルインドール、６−アセチルインドール、７−アセチルインドールなどのアシル基置換インドール類、インドール−４−カルバルデヒド、インドール−５−カルバルデヒド、インドール−６−カルバルデヒド、インドール−７−カルバルデヒドなどのアルデヒド基置換インドール類、インドール−４−カルボン酸、インドール−５−カルボン酸、インドール−６−カルボン酸、インドール−７−カルボン酸などのカルボン酸基置換インドール類、インドール−４−カルボン酸メチル、インドール−５−カルボン酸メチル、インドール−６−カルボン酸メチル、インドール−７−カルボン酸メチルなどのカルボン酸エステル基置換インドール類、インドール−４−スルホン酸、インドール−５−スルホン酸、インドール−６−スルホン酸、インドール−７−スルホン酸などのスルホン酸基置換インドール類、インドール−４−スルホン酸メチル、インドール−５−スルホン酸メチル、インドール−６−スルホン酸メチル、インドール−７−スルホン酸メチルなどのスルホン酸エステル基置換インドール類、インドール−４−カルボニトリル、インドール−５−カルボニトリル、インドール−６−カルボニトリル、インドール−７−カルボニトリルなどのシアノ基置換インドール類、４−ヒドロキシインドール、５−ヒドロキシインドール、６−ヒドロキシインドール、７−ヒドロキシインドールなどのヒドロキシ基置換インドール類、４−ニトロインドール、５−ニトロインドール、６−ニトロインドール、７−ニトロインドールなどのニトロ基置換インドール類、４−アミノインドール、５−アミノインドール、６−アミノインドール、７−アミノインドールなどのアミノ基置換インドール類、４−カルバモイルインドール、５−カルバモイルインドール、６−カルバモイルインドール、７−カルバモイルインドールなどのアミド基置換インドール類、４−フルオロインドール、５−フルオロインドール、６−フルオロインドール、７−フルオロインドール、４−クロロインドール、５−クロロインドール、６−クロロインドール、７−クロロインドール、４−ブロモインドール、５−ブロモインドール、６−ブロモインドール、７−ブロモインドール、４−ヨードインドール、５−ヨードインドール、６−ヨードインドール、７−ヨードインドールなどのハロゲン基置換インドール類などを挙げることができる。
このなかでアシル基置換インドール類、カルボン酸基置換インドール類、シアノ基置換インドール類、ニトロ基置換インドール類、フルオロ基置換インドール類などが実用上好ましい。
本発明で用いる酸化剤（Ｂ）には、特に限定されないが、例えば塩化第二鉄六水和物、無水塩化第二鉄、硝酸第二鉄九水和物、硫酸第二鉄ｎ水和物、硫酸第二鉄アンモニウム十二水和物、過塩素酸第二鉄ｎ水和物、テトラフルオロホウ酸第二鉄、塩化第二銅、硝酸第二鉄、硫酸第二銅、テトラフルオロホウ酸第二銅、テトラフルオロホウ酸ニトロソニウム、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過ヨウ素酸カリウム、過酸化水素、オゾン、ヘキサシアノ第二鉄酸カリウム、硫酸四アンモニウムセリウム（ＩＶ）二水和物塩化第二鉄六水和物、臭素、ヨウ素などが包含される。好ましくは、酸化剤（Ｂ）は塩化第二鉄六水和物、無水塩化第二鉄、硝酸第二鉄九水和物、硫酸第二鉄ｎ水和物、硫酸第二鉄アンモニウム十二水和物、過塩素酸第二鉄ｎ水和物、テトラフルオロホウ酸第二鉄、塩化第二銅、硝酸第二鉄、硫酸第二銅、テトラフルオロホウ酸第二銅、テトラフルオロホウ酸ニトロソニウム、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過ヨウ素酸カリウム、過酸化水素、オゾンである。より好ましくは、酸化剤（Ｂ）は、塩化第二鉄六水和物、無水塩化第二鉄、硝酸第二鉄九水和物、硫酸第二鉄ｎ水和物、硫酸第二鉄アンモニウム十二水和物、過塩素酸第二鉄ｎ水和物、テトラフルオロホウ酸第二鉄、塩化第二銅、硝酸第二鉄、硫酸第二銅、テトラフルオロホウ酸第二銅、過硫酸アンモニウム、オゾンであり、その中でも、塩化第二鉄六水和物、無水塩化第二鉄、硝酸第二鉄九水和物、硫酸第二鉄ｎ水和物、硫酸第二鉄アンモニウム十二水和物、過塩素酸第二鉄ｎ水和物、テトラフルオロホウ酸第二鉄、過硫酸アンモニウム、オゾンが最も実用上好ましい。なお、これらの酸化剤はそれぞれ単独で用いても、また２種以上を任意の割合で併用して用いてもよい。
本発明で用いるインドール誘導体（Ａ）と、酸化剤（Ｂ）とのモル比は、（Ａ）：（Ｂ）＝１：０．５〜１００、好ましくは１：１〜５０で用いられる。ここで、酸化剤の割合が低いと反応性が低下して原料が残存し、逆にその割合があまり高いと生成した三量体を過酸化して、生成物の劣化を引き起こすことがある。
本発明の方法で用いる有機溶媒（Ｃ）には、特に限定されないが、メタノール、エタノール、イソプロパノール、アセトン、アセトニトリル、プロピオニトリル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、γ−ブチルラクトン、プロピレンカーボネート、スルホラン、ニトロメタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、Ｎ−メチルピロリドン、ベンゼン、トルエン、キシレン、塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタンなどが包含される。なお、これらの有機溶媒（Ｃ）はそれぞれ単独で用いても、また２種以上を任意の割合で混合して用いてもよい。これらの溶媒のなかでは、アセトン、アセトニトリル、１，４−ジオキサン、γ−ブチルラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどが好ましく、とくにアセトニトリルが実用上もっとも好ましい。
さらに本発明では、反応時のインドール誘導体（Ａ）の濃度は、有機溶媒（Ｃ）に対して０．０１質量％以上、好ましくは０．１〜５０質量％、より好ましくは１〜３０質量％の範囲である。
また、本発明の方法では水と有機溶媒（Ｃ）を共存させて反応させることが好ましい。前記インドール誘導体（Ａ）と、水との好ましい使用モル比は、（Ａ）：水＝１：１０００〜１０００：１、より好ましくは１：１００〜１００：１で用いられる。ただし、酸化剤が結晶水を持っている場合は、その結晶水量も水として計量する。ここで、水の割合が低いと反応が暴走して三量体を過酸化して構造劣化すると同時に、三量体に対してドーパントとなるＸ^ａ−が効率良くドープできない場合があり、導電率が低下することがある。逆にその割合が高すぎると酸化反応の進行を妨げて反応収率が低下することがある。
本発明の製造法における反応温度は、−２０〜１２０℃の範囲が好ましく、より好ましくは０〜１００℃の範囲である。−２０℃以下では酸化反応の進行が極めて遅く、三量体に対してドーパントとなるＸ^ａ−が効率良くドープできない場合があり、導電率が低下することがある。また１２０℃以上では三量体の構造劣化が進行し、導電性が低下する傾向にある。
また、本発明の製造法における反応方法は任意に選ぶことができるが、インドール誘導体（Ａ）と有機溶媒（Ｃ）の溶液中に、酸化剤（Ｂ）と水の溶液或いは酸化剤（Ｂ）と水と有機溶媒（Ｃ）の溶液を添加する方法が好ましく用いられる。この時、酸化剤（Ｂ）と水及び／または有機溶媒（Ｃ）は混合して添加してもよいし、分別して添加してもよい。酸化剤（Ｂ）及び／または水及び／または有機溶媒（Ｃ）の添加時間は特に限定されないが、通常は、１５分以上であり、好ましくは３０〜７２０分、より好ましくは３０〜１８０分である。１５分未満の時間で酸化剤（Ｂ）と水及び／または有機溶媒（Ｃ）を添加すると、反応混合物中に含まれる水の影響により酸化反応の進行度が著しく低下し、収率の低下が起こることがあり、添加時間を著しく長くしても生産性が低下するのみで効果の増大は望めない。
本発明における反応液のｐＨは特に限定されないが、７未満の酸性条件下の範囲で行うのが好ましく、より好ましくは２以下の範囲、特に好ましくは１未満が適用される。ここでｐＨが７以上の条件下で反応させると、酸化反応の進行が悪く収率が低下すると同時に、三量体に対してドーパントとなるＸ^ａ−が効率良くドープできない場合があり、得られる三量体の導電率が低下する傾向にある。
本発明の製造法で得られるインドール誘導体三量体中のＸ^ａ−はドーパントであり、重合中の酸化剤に由来するプロトン酸の陰イオンである。具体的には、Ｘ^ａ−は、例えば塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン等の１〜３価の陰イオンであり、好ましくは塩素イオン、硫酸イオン、ホウフッ化イオンなどの１〜２価の陰イオンである。最も好ましくは、Ｘ^ａ−は塩素イオンなどの一価の陰イオンである。例えば、酸化剤（ロ）として無水塩化第二鉄を選んで重合を行った場合、インドール誘導体三量体中のドーパントＸ^ａ−は塩素イオンとなり、トリフルオロ酢酸第二銅を用いて重合を行った場合は、ドーパントＸ^ａ−はトリフルオロ酢酸イオンとなる。
本発明の製造法で得られるインドール誘導体三量体は、酸化剤として過酸化水素やオゾンを用いる場合以外はドープ型のインドール誘導体三量体であり、その三量体単位に対するドーパントＸ^ａ−のモル比（ドープ率）ｍは０．００１〜０．５である。酸化剤として過酸化水素やオゾンなどを用いるとドープ率ｍ＝０の脱ドープ型のインドール三量体となる。
本発明のインドール誘導体三量体を電池、コンデンサ等の電極に使用する場合、サイクル特性が良好であることが必要不可欠である。サイクル特性はドーパントＸ^ａ−の種類によってその優劣が影響する。サイクル特性が良好なインドール誘導体三量体を与えるドーパントＸ^ａ−は、１〜３価の陰イオンであり、好ましくは１〜２価の陰イオンであり、最も好ましくは、１価の陰イオンである塩素イオン、２価の陰イオンである硫酸イオンである。
また、本発明のＸ^ａ−成分の存在下における反応方法により得られ得るインドール誘導体三量体は、従来から各種導電性ポリマー、電荷移動錯体の脱ドープ工程として公知の方法、すなわち、アンモニア水、水酸化ナトリウム、水酸化リチウムなどのアルカリ性溶液中に導電性ポリマー、電荷移動錯体を懸濁させてドーパントＸ^ａ−を除去する方法、により脱ドープ型のインドール誘導体三量体（すなわち、ドープ率ｍ＝０）を容易に生成することができる。脱ドープ型のインドール誘導体三量体は、再度任意種類、任意の量のドープ剤による処理により任意のドーパントを任意のドープ率だけ有するドープ型のインドール誘導体三量体に容易に変換することができる。例えば、塩素イオン以外の対イオンを有する酸化剤で重合したドープ型インドール誘導体三量体を、水酸化ナトリウム溶液で脱ドープして脱ドープ型のインドール誘導体三量体とした後、それを塩酸水溶液に再懸濁させることで、塩素ドープ型インドール誘導体三量体へと誘導することも可能である。
特に、４−ニトロインドール誘導体三量体、６−ニトロインドール誘導体三量体、７−ニトロインドール誘導体三量体、インドール−４−カルボニトリル誘導体三量体、インドール−６−カルボニトリル誘導体三量体、インドール−７−カルボニトリル誘導体三量体、インドール−４−カルボン酸誘導体三量体、インドール−６−カルボン酸誘導体三量体、インドール−７−カルボン酸誘導体三量体、インドール−４−カルバルデヒド誘導体三量体、インドール−５−カルバルデヒド誘導体三量体、インドール−６−カルバルデヒド誘導体三量体、インドール−７−カルバルデヒド誘導体三量体、４−カルバモイルインドール誘導体三量体、５−カルバモイルインドール誘導体三量体、６−カルバモイルインドール誘導体三量体、７−カルバモイルインドール誘導体三量体、４−ブロモインドール誘導体三量体、６−ブロモインドール誘導体三量体、７−ブロモインドール誘導体三量体、４−フルオロインドール誘導体三量体、６−フルオロインドール誘導体三量体、７−フルオロインドール誘導体三量体、４−アセチルインドール誘導体三量体、５−アセチルインドール誘導体三量体、６−アセチルインドール誘導体三量体、および７−アセチルインドール誘導体三量体は、本発明の製造法により高収率で操作性よく工業的に有利に製造できるうえ、従来知られているインドール誘導体三量体と比較して、高い酸化還元電位を有し、またサイクル特性が極めて良好である。
これらの本発明の製造法で得られ得る新規なインドール誘導体三量体は、前述のようにドープ率ｍ＝０．００１〜０．５のドープ型であるが、前記脱ドープ法により容易に対応する脱ドープ型のインドール誘導体三量体（ドープ率ｍ＝０）となり、さらには、再ドープにより任意のドーパントとドープ率を選ぶことにより所望の特性を有するドープ型インドール誘導体三量体の調製が可能である。
また、反応終了後に生成したインドール誘導体三量体に対して、酸性溶液を用いてドーピング処理を行うことで、ドープ率を向上させ導電性を向上させることができる。酸性溶液は、具体的には、塩酸、硫酸、硝酸などの無機酸や、ｐ−トルエンスルホン酸、カンファスルホン酸、安息香酸およびこれらの骨格を有する誘導体などの有機酸や、ポリスチレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリ（２−アクリルアミド−２−メチルプロパン）スルホン酸、ポリビニル硫酸およびこれらの骨格を有する誘導体などの高分子酸を含む水溶液、あるいは、水−有機溶媒の混合溶液である。なお、これらの無機酸、有機酸、高分子酸はそれぞれ単独で用いても、また２種以上を任意の割合で混合して用いてもよい。
また、本発明の方法により得られたインドール誘導体三量体を、インドール誘導体三量体単独の導電性組成物として、あるいは導電補助剤として各種カーボン、あるいは添加剤としてコロイダルシリカ、各種バインダーと混練・複合させてインドール誘導体三量体複合体の導電性組成物として使用することができる。そのなかでも特に粒径０．１〜５０μｍのインドール誘導体三量体の粒子を使用した導電性組成物が好ましい。この粒径調製方法は特に限定されないが、一般的にはスラリー洗浄後にスプレードライを行うか、あるいは乾燥後の粉体を乳鉢、ボールミル、ブレンダー、超音波振動処理等で粉砕して行う。インドール誘導体三量体の粒径が５０μｍを超えたものを使用して前述の導電性組成物を成型すると、成型品の機械的強度が脆くなる傾向にある。
さらに、本発明のインドール誘導体三量体は、積層構造を有することにより導電機能が発現する。特に、インドール誘導体三量体が層間隔０．１〜０．６ｎｍ、より好ましくは０．３５〜０．６０ｎｍである積層構造を有していることが望ましい。一般的に、超微細積層構造をもつ化合物は、剛性、強度、耐熱性などの物性が良好である。ただし、層間隔が０．１ｎｍ未満であると積層構造が不安定となる傾向にある。また０．６ｎｍよりも層間隔が広がると、三量体相互間での電子ホッピング伝導に悪影響を与え、導電性が低下する傾向にある。
実施例
以下、本発明を実施例を挙げてさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものでない。
なお、本実施例において、ＮＭＲ測定は、日本電子製ＪＮＭＧＸ−２７０で、ＩＲスペクトルは、パーキンエルマー製（モデル１６００）の装置を用いてＫＢｒ法でそれぞれ測定した。また、元素分析測定は、サーモクエスト社製ＥＡ１１１０で測定した。導電率測定は、三菱化学製ロレスター計ＭＣＰ−Ｔ３５０（四端子法）で測定した。電気化学的測定については、日亜計測社製ポテンシオスタット／ガルバノスタットＮＰ−Ｇ−１０５１ＥＨと、ポテンシャルスキャナーＥＳ−５１２Ａを用いて測定した。さらに、Ｘ線回折解析（ＸＲＤ）は、理学電機株式会社製ＲＩＮＴ−１１００（管球：ＣｕＫ_αＸ線）で、粒径分布測定は、ＣＯＵＬＴＥＲ社製ＬＳ１３０で測定した。
＜実施例１＞
２００ｍｌの三ツ口フラスコにアセトニトリル１０ｍｌを入れ、インドール−６−カルボニトリル１．４２ｇを溶解した。一方、酸化剤溶液の調製はアセトニトリル４０ｍｌに対して、無水塩化第二鉄１６．２ｇ、水５．４ｇを溶解して１０分間攪拌することにより行った。次に、インドール−６−カルボニトリル溶液に３０分間かけて、調製した酸化剤溶液を滴下した後、１０時間、６０℃にて攪拌した。反応溶液は若干の発熱を伴いながら黄色から緑色に変化し、ｐＨは１未満であった。反応終了後、桐山漏斗で吸引濾過し、アセトニトリル次いでメタノールで洗浄し、乾燥して、緑色の６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール−３，８，１３−トリカルボニトリル、（インドール−６−カルボニトリル三量体）１．０１ｇ（収率７１％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．９５Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_９．００Ｈ_４．０４Ｎ_１．９８Ｃｌ_０．１５）_３であった。
＜実施例２＞
２００ｍｌの三ツ口フラスコにアセトニトリル１０ｍｌを入れ、インドール−５−カルボニトリル１．４２ｇを溶解した。一方、酸化剤溶液の調製はアセトニトリル４０ｍｌに対して、無水塩化第二鉄１６．２ｇ、水５．４ｇを溶解して１０分間攪拌することにより行った。次に、インドール−５−カルボニトリル溶液に３０分間かけて、調製した酸化剤溶液を滴下した後、１０時間、６０℃にて攪拌した。反応溶液は若干の発熱を伴いながら黄色から緑色に変化し、ｐＨは１未満であった。反応終了後、桐山漏斗で吸引濾過し、アセトニトリル次いでメタノールで洗浄し、乾燥して、緑色の６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール−２，９，１４−トリカルボニトリル、（インドール−５−カルボニトリル三量体）１．２２ｇ（収率８６％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．５０Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_９．００Ｈ_４．０３Ｎ_１．９７Ｃｌ_０．１０）_３であった。また、Ｘ線回折結晶解析の結果、層間隔は０．４４ｎｍであった。
＜実施例３＞
実施例２においてインドール−５−カルボニトリルの代わりに６−ニトロインドールを使用する以外は実施例２と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１未満であった。これにより暗青色の６，１１−ジヒドロ−３，８，１３−トリニトロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール、（６−ニトロインドール三量体）１．１２ｇ（収率７９％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．８３Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_８．００Ｈ_４．００Ｎ_２．０２Ｏ_１．９７Ｃｌ_０．１５）_３であった。
＜実施例４＞
実施例２においてインドール−５−カルボニトリルの代わりに６−フルオロインドールを使用する以外は実施例２と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１未満であった。これにより暗青色の３，８，１３−トリフルオロ−６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール、（６−フルオロインドール三量体）１．０１ｇ（収率７１％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．７６Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_８．００Ｈ_４．０１Ｎ_０．９９Ｆ_０．９７Ｃｌ_０．１６）_３であった。また、Ｘ線回折結晶解析の結果、層間隔は０．３８ｎｍであった。
＜実施例５＞
実施例２において無水塩化第二鉄の代わりに無水塩化第二銅を使用する以外は実施例２と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１未満であった。これにより緑色の６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール−２，９，１４−トリカルボニトリル、（インドール−５−カルボニトリル三量体）１．１２ｇ（収率７９％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．５５Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_９．００Ｈ_４．０３Ｎ_１．９７Ｃｌ_０．１１）_３であった。
＜実施例６＞
２００ｍｌの三ツ口フラスコにアセトン１５ｍｌを入れ、５−フルオロインドール１．６２ｇを溶解した。一方、酸化剤溶液の調製はアセトン５５ｍｌに対して、無水塩化第二銅３２．２ｇ、水１２．９ｇを溶解し、５分間攪拌した。次に、５−フルオロインドール溶液に２時間かけて、調製した酸化剤溶液を滴下した後、５時間、３０℃にて攪拌した。反応溶液は若干の発熱を伴いながら白色から紺色に変化した。反応溶液のｐＨは１未満であった。反応終了後、桐山漏斗で吸引濾過し、アセトン次いでメタノールで洗浄し、乾燥して、暗青色の２，９，１４−トリフルオロ−６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール、（５−フルオロインドール三量体）１．０４ｇ（収率６４％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．８８Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_８．００Ｈ_３．９５Ｎ_１．１０Ｆ_０．９６Ｃｌ_０．１０）_３であった。
＜実施例７＞
実施例６において５−フルオロインドールの代わりにインドール−５−カルボン酸を使用する以外は実施例６と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１未満であった。これにより淡緑色の６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール−２，９，１４−トリカルボン酸、（インドール−５−カルボン酸三量体）１．２８ｇ（収率７９％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．４１Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_９．００Ｈ_４．９０Ｎ_１．０９Ｏ_１．９８Ｃｌ_０．１１）_３であった。また、Ｘ線回折結晶解析の結果、層間隔は０．４８ｎｍであった。
＜実施例８＞
２００ｍｌの三ツ口フラスコにジメチルホルムアミド１５ｍｌを入れ、インドール１．４２ｇを溶解した。一方、酸化剤溶液の調製はジメチルホルムアミド６０ｍｌに対して、過硫酸アンモニウム１１．４ｇ、水２．７０ｇを溶解し、１５分間攪拌することにより行った。次に、インドール溶液に６０分間かけて、調製した酸化剤溶液を滴下した後、１２時間、５０℃にて攪拌した。反応溶液は若干の発熱を伴いながら黄色から青緑色に変化した。反応溶液のｐＨは１未満であった。反応終了後、桐山漏斗で吸引濾過し、ジメチルホルムアミド次いでメタノールで洗浄し、乾燥して、青緑色の６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール、（インドール三量体）１．２６ｇ（収率９６％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．４０Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_８．００Ｈ_４．９１Ｎ_０．９８（ＳＯ_４）_０．０７）_３であった。
＜実施例９＞
実施例２においてインドール−５−カルボニトリルの代わりに５−アセチルインドールを使用する以外は実施例２と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１未満であった。緑色の２，９，１４−トリアセチル−６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール、（５−アセチルインドール三量体）１．０１ｇ（収率７１％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．７６Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_{１０．００}Ｈ_６．９７Ｎ_０．９９Ｏ_０．９９Ｃｌ_０．１４）_３であった。
＜実施例１０＞
実施例２において水５．４ｇを添加しないこと以外は実施例２と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１未満であった。緑茶色の６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール−２，９，１４−トリカルボニトリル、（インドール−５−カルボニトリル三量体）１．２２ｇ（収率８６％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．４０Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_９．００Ｈ_４．０１Ｎ_１．９９Ｃｌ_０．０７）_３であった。
＜実施例１１＞
２００ｍｌの三ツ口フラスコにアセトン１５ｍｌを入れ、５−フルオロインドール１．３５ｇを溶解した。一方、酸化剤溶液の調製はアセトン５５ｍｌに対して、無水塩化第二銅３３．６ｇ、水１３．５ｇを溶解し、５分間攪拌することにより行った。次に、５−フルオロインドール溶液に２時間かけて、調製した酸化剤溶液を滴下した後、５時間、４０℃にて攪拌した。反応溶液は若干の発熱を伴いながら白色から紺色に変化した。反応溶液のｐＨは１未満であった。反応終了後、桐山漏斗で吸引濾過し、アセトン次いでメタノールで洗浄し、乾燥して、暗青色の２，９，１４−トリフルオロ−６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール、（５−フルオロインドール三量体）０．８６ｇ（収率６４％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．８８Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_８．００Ｈ_３．９５Ｎ_１．１０Ｆ_０．９６Ｃｌ_０．１０）_３であった。
＜実施例１２＞
実施例１１において５−フルオロインドールの代わりにインドール−５−カルボン酸を使用する以外は実施例１１と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１以下であった。これにより淡緑色の６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール−２，９，１４−トリカルボン酸、（インドール−５−カルボン酸三量体）１．０７ｇ（収率７９％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．４１Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_９．００Ｈ_４．９０Ｎ_１．０９Ｏ_１．９８Ｃｌ_０．１１）_３であった。また、Ｘ線回折結晶解析の結果、層間隔は０．４８ｎｍであった。
＜実施例１３＞
実施例１１において５−フルオロインドールの代わりにインドール−７−カルバルデヒドを使用する以外は実施例１１と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１未満であった。淡緑色の６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール−４，７，１２−トリカルバルデヒド、（インドール−７−カルバルデヒド三量体）０．９６ｇ（収率７１％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．７０Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_９．００Ｈ_４．９０Ｎ_１．０９Ｏ_０．９８Ｃｌ_０．１４）_３であった。
＜実施例１４＞
２００ｍｌの三ツ口フラスコにクロロホルム１５ｍｌを入れ、インドール１．１７ｇを溶解した。一方、酸化剤溶液の調製はクロロホルム６０ｍｌに対して、過硫酸アンモニウム１１．４ｇ、水２．７０ｇを溶解し、１５分間攪拌することにより行った。次に、インドール溶液に６０分間かけて、調製した酸化剤溶液を滴下した後、１２時間、４０℃にて攪拌した。反応溶液は若干の発熱を伴いながら黄色から青緑色に変化した。反応溶液のｐＨは１未満であった。反応終了後、桐山漏斗で吸引濾過し、クロロホルム次いでメタノールで洗浄し、乾燥して、青緑色の６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール、（インドール三量体）１．０４ｇ（収率９６％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．４０Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_８．００Ｈ_４．９１Ｎ_０．９８（ＳＯ_４）_０．０７）_３であった。また、Ｘ線回折結晶解析の結果、層間隔は０．３７ｎｍであった。
＜実施例１５＞
２００ｍｌの三ツ口フラスコにアセトニトリル１５ｍｌを入れ、インドール−５−カルボン酸１．６１ｇを溶解した。一方、酸化剤溶液の調製はアセトニトリル１００ｍｌに対して、テトラフルオロホウ酸第二銅・ｎ水和物（Ｃｕ：２０％含有）４７．４ｇを溶解し、１５分間攪拌した。反応溶液のｐＨは１未満であった。次に、インドール−５−カルボン酸溶液に６０分間かけて、調製した酸化剤溶液を滴下した後、５時間、３０℃にて攪拌した。反応溶液は若干の発熱を伴いながら黄色から青緑色に変化した。反応終了後、桐山漏斗で吸引濾過し、アセトニトリル次いでメタノールで洗浄し、乾燥して、青緑色の６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール−２，９，１４−トリカルボン酸、（インドール−５−カルボン酸三量体）１．４３ｇ（収率８９％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．４０Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_９．００Ｈ_４．９５Ｎ_０．９８Ｏ_１．９８Ｃｌ_０．１３）_３であった。
＜実施例１６＞
２００ｍｌの三ツ口フラスコにアセトニトリル１５ｍｌを入れ、６−アセチルインドール１．５９ｇを溶解した。一方、酸化剤溶液の調製はアセトニトリル１００ｍｌに対して、無水塩化第二鉄１６．２ｇ、水５．４ｇを溶解し、１５分間攪拌することにより行った。次に、酸化剤溶液に６０分間かけて、調製した６−アセチルインドール溶液を滴下した後、５時間、３０℃にて攪拌した。反応溶液は若干の発熱を伴いながら黄色から青緑色に変化した。反応溶液のｐＨは１未満であった。反応終了後、桐山漏斗で吸引濾過し、アセトニトリル次いでメタノールで洗浄し、乾燥して、青緑色の３，８，１３−トリアセチル−６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール、（６−アセチルインドール三量体）１．１１ｇ（収率７０％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．９０Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_{１０．００}Ｈ_６．９９Ｎ_０．９８Ｏ_０．９８Ｃｌ_０．１０）_３であった。
＜実施例１７＞
実施例１２で合成したインドール−５−カルボン酸三量体１．０７ｇを、１０％硫酸−メタノール水溶液３０ｍｌに懸濁させて、２５℃、２時間攪拌させた。桐山漏斗で吸引濾過し、メタノールで洗浄し、乾燥して、淡緑色の６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール−２，９，１４−トリカルボン酸、（インドール−５−カルボン酸三量体）１．００ｇを得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．５５Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_９．００Ｈ_４．９０Ｎ_１．０９Ｏ_１．９８Ｃｌ_０．０３（ＳＯ_４）_０．１２）_３であった。
＜実施例１８＞
実施例１３で合成したインドール−７−カルバルデヒド三量体０．９６ｇを、５％ｐ−トルエンスルホン酸（以下、ｐＴｓ）５０ｍｌに懸濁させて、２５℃、２時間攪拌させた。桐山漏斗で吸引濾過し、メタノールで洗浄し、乾燥して、淡緑色の６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール−４，７，１２−トリカルバルデヒド、（インドール−７−カルバルデヒド三量体）０．９０ｇを得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．９５Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_９．００Ｈ_４．９０Ｎ_１．０９Ｏ_０．９８Ｃｌ_０．０２（ｐＴｓ）_０．１０）_３であった。
＜実施例１９＞
実施例１６で合成した６−アセチルインドール三量体１．１１ｇを、１０％ポリビニルスルホン酸（以下、ＰＶｓ）５０ｍｌに懸濁させて、２５℃、２時間攪拌させた。桐山漏斗で吸引濾過し、メタノールで洗浄し、乾燥して、青緑色の３，８，１３−トリアセチル−６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール、（６−アセチルインドール三量体）１．０５ｇを得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．８８Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_{１０．００}Ｈ_６．９９Ｎ_０．９８Ｏ_０．９ _８Ｃｌ_０．０２（ＰＶｓ）_０．１４）_３であった。
＜実施例２０＞
実施例２においてインドール−５−カルボニトリルの代わりに４−ニトロインドールを使用する以外は実施例２と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１未満であった。これにより暗青色の６，１１−ジヒドロ−１，１０，１５−トリニトロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール、（４−ニトロインドール三量体）１．１５ｇ（収率８１％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．５８Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_８．００Ｈ_４．００Ｎ_２．０１Ｏ_１．９８Ｃｌ_０．１６）_３であった。
＜実施例２１＞
実施例２においてインドール−５−カルボニトリルの代わりに７−ニトロインドールを使用する以外は実施例２と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１未満であった。これにより暗青色の６，１１−ジヒドロ−４，７，１２−トリニトロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール、（７−ニトロインドール三量体）１．０９ｇ（収率７７％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．８５Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_８．００Ｈ_３．９９Ｎ_２．０１Ｏ_２．０１Ｃｌ_０．１２）_３であった。
＜実施例２２＞
実施例２においてインドール−５−カルボニトリルの代わりにインドール−４−カルボニトリルを使用する以外は実施例２と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１未満であった。これにより暗青色の６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール−１，１０，１５−トリカルボニトリル、（インドール−４−カルボニトリル三量体）１．１０ｇ（収率７７％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．７５Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_９．００Ｈ_４．０２Ｎ_１．９７Ｃｌ_０．１０）_３であった。
＜実施例２３＞
実施例２においてインドール−５−カルボニトリルの代わりにインドール−７−カルボニトリルを使用する以外は実施例２と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１未満であった。これにより暗青色の６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール−４，７，１２−トリカルボニトリル、（インドール−７−カルボニトリル三量体）１．１０ｇ（収率７７％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．７０Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_９．００Ｈ_４．００Ｎ_１．９９Ｃｌ_０．１１）_３であった。
＜実施例２４＞
実施例２においてインドール−５−カルボニトリルの代わりにインドール−４−カルボン酸を使用する以外は実施例２と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１未満であった。これにより暗青色の６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール−１，１０，１５−トリカルボン酸、（インドール−４−カルボン酸三量体）１．２０ｇ（収率８５％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．７２Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_９．００Ｈ_４．９８Ｎ_１．００Ｏ_１．９８Ｃｌ_０．１３）_３であった。
＜実施例２５＞
実施例２においてインドール−５−カルボニトリルの代わりにインドール−６−カルボン酸を使用する以外は実施例２と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１未満であった。これにより暗青色の６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール−３，８，１３−トリカルボン酸、（インドール−６−カルボン酸三量体）１．１９ｇ（収率８４％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．７７Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_９．００Ｈ_４．９９Ｎ_１．０１Ｏ_１．９８Ｃｌ_０．１４）_３であった。
＜実施例２６＞
実施例２においてインドール−５−カルボニトリルの代わりにインドール−７−カルボン酸を使用する以外は実施例２と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１未満であった。これにより暗青色の６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール−４，７，１２−トリカルボン酸、（インドール−７−カルボン酸三量体）１．１５ｇ（収率８１％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．７５Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_９．００Ｈ_４．９７Ｎ_１．００Ｏ_１．９８Ｃｌ_０．１３）_３であった。
＜実施例２７＞
実施例１１において５−フルオロインドールの代わりにインドール−４−カルバルデヒドを使用する以外は実施例１１と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１未満であった。淡緑色の６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール−１，１０，１５−トリカルバルデヒド、（インドール−４−カルバルデヒド三量体）１．０８ｇ（収率８０％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．７５Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_９．００Ｈ_４．９７Ｎ_１．０６Ｏ_０．９９Ｃｌ_０．１５）_３であった。
＜実施例２８＞
実施例１１において５−フルオロインドールの代わりにインドール−５−カルバルデヒドを使用する以外は実施例１１と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１未満であった。淡緑色の６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール−２，９，１４−トリカルバルデヒド、（インドール−５−カルバルデヒド三量体）１．１８ｇ（収率８７％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．８２Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_９．００Ｈ_４．９９Ｎ_１．０３Ｏ_１．０１Ｃｌ_０．１５）_３であった。
＜実施例２９＞
実施例１１において５−フルオロインドールの代わりにインドール−６−カルバルデヒドを使用する以外は実施例１１と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１未満であった。淡緑色の６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール−３，８，１３−トリカルバルデヒド、（インドール−６−カルバルデヒド三量体）１．１０ｇ（収率８１％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．８０Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_９．００Ｈ_４．９９Ｎ_１．０２Ｏ_１．０１Ｃｌ_０．１１）_３であった。
＜実施例３０＞
実施例６において５−フルオロインドールの代わりに４−ブロモインドールを使用する以外は実施例６と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１未満であった。これにより淡緑色の１，１０，１５−トリブロモ−６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール、（４−ブロモインドール三量体）１．２０ｇ（収率７４％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．７１Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_８．００Ｈ_３．９７Ｎ_１．０１Ｂｒ_０．９８Ｃｌ_０．１０）_３であった。
＜実施例３１＞
実施例６において５−フルオロインドールの代わりに６−ブロモインドールを使用する以外は実施例６と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１未満であった。これにより淡緑色の３，８，１３−トリブロモ−６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール、（６−ブロモインドール三量体）１．２８ｇ（収率７９％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．７３Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_８．００Ｈ_４．０１Ｎ_１．０１Ｂｒ_０．９９Ｃｌ_０．１２）_３であった。
＜実施例３２＞
実施例６において５−フルオロインドールの代わりに７−ブロモインドールを使用する以外は実施例６と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１未満であった。これにより淡緑色の４，７，１２−トリブロモ−６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール、（７−ブロモインドール三量体）１．３２ｇ（収率８１％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．７４Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_８．００Ｈ_３．９９Ｎ_１．０２Ｂｒ_０．９９Ｃｌ_０．１４）_３であった。
＜実施例３３＞
実施例６において５−フルオロインドールの代わりに４−フルオロインドールを使用する以外は実施例６と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１未満であった。これにより淡緑色の１，１０，１５−トリフルオロ−６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール、（４−フルオロインドール三量体）１．３２ｇ（収率８１％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．７９Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_８．００Ｈ_３．９９Ｎ_１．０２Ｆ_０．９９Ｃｌ_０．１２）_３であった。
＜実施例３４＞
実施例６において５−フルオロインドールの代わりに７−フルオロインドールを使用する以外は実施例６と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１未満であった。これにより淡緑色の４，７，１２−トリフルオロ−６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール、（７−フルオロインドール三量体）１．３５ｇ（収率８３％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．８１Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_８．００Ｈ_４．０１Ｎ_１．０１Ｆ_０．９９Ｃｌ_０．１４）_３であった。
＜実施例３５＞
実施例１６において６−アセチルインドールの代わりに４−アセチルインドールを使用する以外は実施例１６と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１未満であった。これにより青緑色の１，１０，１５−トリアセチル−６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール、（４−アセチルインドール三量体）１．３０ｇ（収率８２％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．８０Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_{１０．００}Ｈ_６．９９Ｎ_０．９９Ｏ_０．９７Ｃｌ_０．１２）_３であった。
＜実施例３６＞
実施例１６において６−アセチルインドールの代わりに７−アセチルインドールを使用する以外は実施例１６と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１未満であった。これにより青緑色の４，７，１２−トリアセチル−６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール、（７−アセチルインドール三量体）１．３３ｇ（収率８４％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．８２Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_{１０．００}Ｈ_７．０１Ｎ_０．９９Ｏ_０．９９Ｃｌ_０．１３）_３であった。
＜実施例３７＞
実施例２においてインドール−５−カルボニトリルの代わりに４−カルバモイルインドールを使用する以外は実施例２と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１未満であった。これにより暗青色の１，１０，１５−トリアミド−６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール、（４−カルバモイルインドール三量体）１．１０ｇ（収率７７％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．８５Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_９．００Ｈ_６．００Ｎ_２．０２Ｏ_０．９７Ｃｌ_０．１４）_３であった。
＜実施例３８＞
実施例２においてインドール−５−カルボニトリルの代わりに５−カルバモイルインドールを使用する以外は実施例２と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１未満であった。これにより暗青色の２，９，１４−トリアミド−６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール、（５−カルバモイルインドール三量体）１．２３ｇ（収率８７％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．９５Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_９．００Ｈ_５．９９Ｎ_２．０２Ｏ_０．９８Ｃｌ_０．１５）_３であった。
＜実施例３９＞
実施例１１において５−フルオロインドールの代わりに６−カルバモイルインドールを使用する以外は実施例１１と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１未満であった。これにより暗青色の３，８，１３−トリアミド−６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール、（６−カルバモイルインドール三量体）１．１２ｇ（収率８３％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．７９Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_９．００Ｈ_５．９８Ｎ_２．００Ｏ_０．９９Ｃｌ_０．１２）_３であった。
＜実施例４０＞
実施例１１において５−フルオロインドールの代わりに７−カルバモイルインドールを使用する以外は実施例１１と同様な方法で重合を行った。反応溶液のｐＨは１未満であった。これにより暗青色の４，７，１２−トリアミド−６，１１−ジヒドロ−５Ｈ−ジインドロ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］カルバゾール、（７−カルバモイルインドール三量体）１．０７ｇ（収率７９％）を得た。得られた三量体を錠剤成型器で加圧成型させて直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの形状に切り出して四端子法にて導電率を測定したところ、０．８０Ｓ／ｃｍであった。元素分析の結果は（Ｃ_９．００Ｈ_６．０１Ｎ_１．９９Ｏ_０．９９Ｃｌ_０．１３）_３であった。
比較例
前述の代表的な３種類のインドール誘導体三量体と、ポリアニリン（Ｊ．Ｐｏｌｙｍｅｒｓｃｉ．，ＰｌｙｍｅｒＣｈｅｍ．Ｅｄ．，２６，１５３１（１９８８））、ポリジチオジアニリン（特開平１０−２６５５６７）について、電気化学的測定（サイクリックボルタンメトリー）を行い比較を行った。具体的には、３種類のインドール誘導体三量体及びポリアニリン、ポリジチオジアニリン各々５００ｍｇについて１００ｍｌの１Ｍ−ＮａＯＨ水溶液に２０℃、２時間懸濁させて、桐山漏斗で分離後、水洗、乾燥を行って、続いて２０ｍｌのジメチルホルムアミドに溶解し、白金電極（５ｍｍ×５ｍｍの表面積）に塗布後１００℃にてベークしてインドール誘導体三量体、ポリアニリン、ポリジチオジアニリン各薄膜電極を作製した。このようにして得られた各薄膜電極を作用電極とし、対電極を白金、参照電極をＫＣｌ飽和カロメル電極（ＳＣＥ）とし、また、電解質はＬｉＣｌＯ_４の水溶液（０．２Ｍ）を用いて、測定セルとした。各々薄膜電極について、−０．３〜１．２Ｖ（対ＳＣＥ）間にてサイクルテストを実施し、得られたサイクリックボルタングラム及び記録された酸化還元電位Ｅ_０、全還元容量を測定した。
測定した５種類の三量体について、酸化還元電位Ｅ_０、全還元容量、サイクル特性の比較を表１に示す。

ここでいうサイクル特性とは、１サイクル目での還元容量を１００とした時の、１００００サイクル目での還元容量の割合である。
強度比較
実施例２、４、および１２に記載のインドール誘導体三量体をそれぞれブレンダー（ＷＡＲＩＮＧＣＯＭＭＥＲＣＩＡＬ社製ＨＧＢ−ＳＳ型）で１１０００回×３分間粉砕処理した。粉砕処理前後の三量体について、粒径分布と、ＩＲ測定用ペレットの機械的強度の比較を表２に示す。

産業上の利用可能性
以上のように、本発明により、導電性を有する酸化還元容量およびサイクル特性が良好なインドール誘導体の三量体の工業的製造法が提供できた。本発明の化学酸化法は大量生産を可能とし、一度に多量の三量体を取得でき、工業的生産に非常に適している。一方、従来の電解酸化では装置面の特殊性より、大量生産は達成しがたい。また電解反応と異なり、化学反応では最後の環化反応が、ルイス酸によるマイルドな条件での酸化的環化反応であり、三量体自身を過酸化することがないので、不純物の少ない、導電性の良好な三量体を取得することができる。こうして得られたインドール誘導体三量体のなかで、４−ニトロインドール誘導体三量体、６−ニトロインドール誘導体三量体、７−ニトロインドール誘導体三量体、インドール−４−カルボニトリル誘導体三量体、インドール−６−カルボニトリル誘導体三量体、インドール−７−カルボニトリル誘導体三量体、インドール−４−カルボン酸誘導体三量体、インドール−６−カルボン酸誘導体三量体、インドール−７−カルボン酸誘導体三量体、インドール−４−カルバルデヒド誘導体三量体、インドール−５−カルバルデヒド誘導体三量体、インドール−６−カルバルデヒド誘導体三量体、インドール−７−カルバルデヒド誘導体三量体、４−ブロモインドール誘導体三量体、６−ブロモインドール誘導体三量体、７−ブロモインドール誘導体三量体、４−フルオロインドール誘導体三量体、５−フルオロインドール誘導体三量体、６−フルオロインドール誘導体三量体、７−フルオロインドール誘導体三量体、４−カルバモイルインドール誘導体三量体、５−カルバモイルインドール誘導体三量体、６−カルバモイルインドール誘導体三量体、７−カルバモイルインドール誘導体三量体、４−アセチルインドール誘導体三量体、５−アセチルインドール誘導体三量体、６−アセチルインドール誘導体三量体、および７−アセチルインドール誘導体三量体は、従来知られているインドール誘導体三量体と比較して、導電性、酸化還元電位及び／または酸化還元容量、並びにサイクル特性が優れている。これらのインドール誘導体三量体は、各種帯電防止、静電、コンデンサ、電池、ＥＭＩシールド、化学センサー、表示素子、非線形材料、防錆剤、接着剤、繊維、帯電防止塗料、メッキプライマー、静電塗装の下地、電気防食等に幅広く適用可能である。
【図面の簡単な説明】
図１は、実施例１におけるインドール−６−カルボニトリル三量体のＩＲチャートである。
図２は、実施例２におけるインドール−５−カルボニトリル三量体のＩＲチャートである。
図３は、実施例３における６−ニトロインドール三量体のＩＲチャートである。
図４は、実施例４における６−フルオロインドール三量体のＩＲチャートである。
図５は、実施例６における５−フルオロインドール三量体のＩＲチャートである。
図６は、実施例２におけるインドール−５−カルボニトリル三量体のＮＭＲチャートである。
図７は、実施例４における６−フルオロインドール三量体のＮＭＲチャートである。
図８は、実施例１２におけるインドール−５−カルボン酸三量体のＮＭＲチャートである。

Claims

下記一般式（１）

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_４は、水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基である。）で示される少なくとも一種のインドール誘導体（Ａ）を、少なくとも一種の酸化剤（Ｂ）と少なくとも一種の有機溶媒（Ｃ）を含む反応混合物中において反応することを含む、下記一般式（２）

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_１２は、水素、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群からそれぞれ独立して選ばれた置換基であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール誘導体三量体の製造方法。
前記一般式（１）で示される少なくとも一種のインドール誘導体（Ａ）と少なくとも一種の有機溶媒（Ｃ）を含む溶液中に、少なくとも一種の酸化剤（Ｂ）と少なくとも一種の有機溶媒（Ｃ）と水を含む溶液を滴下して反応することを含む、前記一般式（２）で示されるインドール誘導体三量体の製造方法。
酸化剤（Ｂ）が、無水塩化第二鉄、塩化第二鉄六水和物、硝酸第二鉄六水和物、硫酸第二鉄ｎ水和物、硫酸第二鉄アンモニウム十二水和物、過塩素酸第二鉄ｎ水和物、塩化第二銅、テトラフルオロホウ酸第二銅、オゾン、及び過硫酸アンモニウムからなる群から選ばれた少なくとも一種である、請求項１または２記載のインドール誘導体三量体の製造方法。
有機溶媒（Ｃ）がアセトニトリルである請求項１〜３のいずれか１項に記載のインドール誘導体三量体の製造方法。
反応終了後に酸性溶液を用いてドーピング処理を行うことをさらに含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載のインドール誘導体三量体の製造方法。
下記一般式（３）

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_４から選ばれる１つが、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群から選ばれた置換基であり、Ｒ _１〜Ｒ _４から選ばれる他の３つは水素であり、
式中、Ｒ _５〜Ｒ _８から選ばれる１つが、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群から選ばれた置換基であり、Ｒ _５〜Ｒ _８から選ばれる他の３つは水素であり、
式中、Ｒ _９〜Ｒ _１２から選ばれる１つが、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群から選ばれた置換基であり、Ｒ _９〜Ｒ _１２から選ばれる他の３つは水素であり、
ただしＲ _２、Ｒ_６、およびＲ_１０のすべてが同一の置換基で置換されてかつその他がすべて水素であるものを除き、
また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール誘導体三量体。
下記一般式（４）

（式中、Ｒ_２〜Ｒ_４、Ｒ_６〜Ｒ_８、およびＲ_１０〜Ｒ_１２は、いずれも水素であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される４−ニトロインドール三量体誘導体。
下記一般式（５）

（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４〜Ｒ_６、およびＲ_８〜Ｒ_１０は、いずれも水素であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される６−ニトロインドール三量体誘導体。
下記一般式（６）

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_３、Ｒ_５〜Ｒ_７、およびＲ_９〜Ｒ_１１は、いずれも水素であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される７−ニトロインドール三量体誘導体。
下記一般式（７）

（式中、Ｒ_２〜Ｒ_４、Ｒ_６〜Ｒ_８、およびＲ_１０〜Ｒ_１２は、いずれも水素であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール−４−カルボニトリル三量体誘導体。
下記一般式（８）

（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４〜Ｒ_６、Ｒ_８〜Ｒ_１０、およびＲ_１２は、いずれも水素であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール−６−カルボニトリル三量体誘導体。
下記一般式（９）

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_３、Ｒ_５〜Ｒ_７、およびＲ_９〜Ｒ_１１は、いずれも水素であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール−７−カルボニトリル三量体誘導体。
下記一般式（１０）

（式中、Ｒ_２〜Ｒ_４、Ｒ_６〜Ｒ_８、およびＲ_１０〜Ｒ_１２は、いずれも水素であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール−４−カルボン酸三量体誘導体。
下記一般式（１１）

（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４〜Ｒ_６、Ｒ_８〜Ｒ_１０、およびＲ_１２は、いずれも水素であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール−６−カルボン酸三量体誘導体。
下記一般式（１２）

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_３、Ｒ_５〜Ｒ_７、およびＲ_９〜Ｒ_１１は、いずれも水素であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール−７−カルボン酸三量体誘導体。
下記一般式（１３）

（式中、Ｒ_２〜Ｒ_４、Ｒ_６〜Ｒ_８、およびＲ_１０〜Ｒ_１２は、いずれも水素であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール−４−カルバルデヒド三量体誘導体。
下記一般式（１４）

（式中、Ｒ_１、Ｒ_３〜Ｒ_５、Ｒ_７〜Ｒ_９、Ｒ_１１、およびＲ_１２は、いずれも水素であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール−５−カルバルデヒド三量体誘導体。
下記一般式（１５）

（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４〜Ｒ_６、Ｒ_８〜Ｒ_１０、およびＲ_１２は、いずれも水素であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオン群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール−６−カルバルデヒド三量体誘導体。
下記一般式（１６）

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_３、Ｒ_５〜Ｒ_７、およびＲ_９〜Ｒ_１１は、いずれも水素であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール−７−カルバルデヒド三量体誘導体。
下記一般式（１７）

（式中、Ｒ_２〜Ｒ_４、Ｒ_６〜Ｒ_８、およびＲ_１０〜Ｒ_１２は、いずれも水素であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される４−ブロモインドール三量体誘導体。
下記一般式（１８）

（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４〜Ｒ_６、Ｒ_８〜Ｒ_１０、およびＲ_１２は、いずれも水素であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される６−ブロモインドール三量体誘導体。
下記一般式（１９）

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_３、Ｒ_５〜Ｒ_７、およびＲ_９〜Ｒ_１１は、いずれも水素であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される７−ブロモインドール三量体誘導体。
下記一般式（２０）

（式中、Ｒ_２〜Ｒ_４、Ｒ_６〜Ｒ_８、およびＲ_１０〜Ｒ_１２は、いずれも水素であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される４−フルオロインドール三量体誘導体。
下記一般式（２１）

（式中、Ｒ_１、Ｒ_３〜Ｒ_５、Ｒ_７〜Ｒ_９、およびＲ_１１、Ｒ_１２は、いずれも水素であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される５−フルオロインドール三量体誘導体。
下記一般式（２２）

（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４〜Ｒ_６、Ｒ_８〜Ｒ_１０、およびＲ_１２は、いずれも水素であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される６−フルオロインドール三量体誘導体。
下記一般式（２３）

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_３、Ｒ_５〜Ｒ_７、およびＲ_９〜Ｒ_１１は、いずれも水素であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される７−フルオロインドール三量体誘導体。
下記一般式（２４）

（式中、Ｒ_２〜Ｒ_４、Ｒ_６〜Ｒ_８、およびＲ_１０〜Ｒ_１２は、いずれも水素であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される４−アセチルインドール三量体誘導体。
下記一般式（２５）

（式中、Ｒ_１、Ｒ_３〜Ｒ_５、Ｒ_７〜Ｒ_９、Ｒ_１１、およびＲ_１２は、いずれも水素であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される５−アセチルインドール三量体誘導体。
下記一般式（２６）

（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４〜Ｒ_６、Ｒ_８〜Ｒ_１０、およびＲ_１２は、いずれも水素であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される６−アセチルインドール三量体誘導体。
下記一般式（２７）

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_３、Ｒ_５〜Ｒ_７、およびＲ_９〜Ｒ_１１は、いずれも水素であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される７−アセチルインドール三量体誘導体。
下記一般式（２８）

（式中、Ｒ_２〜Ｒ_４、Ｒ_６〜Ｒ_８、およびＲ_１０〜Ｒ_１２は、いずれも水素であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される４−カルバモイルインドール三量体誘導体。
下記一般式（２９）

（式中、Ｒ_１、Ｒ_３〜Ｒ_５、Ｒ_７〜Ｒ_９、Ｒ_１１、およびＲ_１２は、いずれも水素であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される５−カルバモイルインドール三量体誘導体。
下記一般式（３０）

（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４〜Ｒ_６、Ｒ_８〜Ｒ_１０、およびＲ_１２は、いずれも水素であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される６−カルバモイルインドール三量体誘導体。
下記一般式（３１）

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_３、Ｒ_５〜Ｒ_７、およびＲ_９〜Ｒ_１１は、いずれも水素であり、また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示される７−カルバモイルインドール三量体誘導体。
請求項６〜３４のいずれか１項に記載のインドール誘導体三量体であって、Ｘ^ａ−が塩素イオン、硫酸イオン、ホウフッ化イオンからなる群から選ばれた少なくとも1種である、上記インドール誘導体三量体。
請求項６〜３５のいずれか１項に記載のインドール誘導体三量体であって、ｍ＝０．００１〜０．５であるドープ型の、上記インドール誘導体三量体。
請求項６〜３５のいずれか１項に記載のインドール誘導体三量体であって、ｍ＝０である脱ドープ型の、上記インドール誘導体三量体。
粒径０．１〜５０μｍの粒子である下記一般式（２）

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_４から選ばれる１つが、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群から選ばれた置換基であり、Ｒ _１〜Ｒ _４から選ばれる他の３つは水素であり、
式中、Ｒ _５〜Ｒ _８から選ばれる１つが、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群から選ばれた置換基であり、Ｒ _５〜Ｒ _８から選ばれる他の３つは水素であり、
式中、Ｒ _９〜Ｒ _１２から選ばれる１つが、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群から選ばれた置換基であり、Ｒ _９〜Ｒ _１２から選ばれる他の３つは水素であり、
ただしＲ _２、Ｒ_６、およびＲ_１０のすべてが同一の置換基で置換されてかつその他がすべて水素であるものを除き、
また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール誘導体三量体。
インドール誘導体三量体が請求項１〜５のいずれか１項に記載された方法により製造され得る、請求項３８記載のインドール誘導体三量体。
インドール誘導体三量体が請求項６〜３７のいずれか１項に記載のものである、請求項３８記載のインドール誘導体三量体。
インドール誘導体三量体が下記一般式（３２）

（式中、Ｒ_２、Ｒ_６、およびＲ_１０のすべてがシアノ基またはカルボン酸基で置換されており、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール−５−カルボニトリル三量体あるいはインドール−５−カルボン酸三量体である、請求項３８または３９記載のインドール誘導体三量体。
層間隔０．１〜０．６ｎｍの積層構造を有する、下記一般式（２）

（式中、Ｒ_１〜Ｒ_４から選ばれる１つが、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群から選ばれた置換基であり、Ｒ _１〜Ｒ _４から選ばれる他の３つは水素であり、
式中、Ｒ _５〜Ｒ _８から選ばれる１つが、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群から選ばれた置換基であり、Ｒ _５〜Ｒ _８から選ばれる他の３つは水素であり、
式中、Ｒ _９〜Ｒ _１２から選ばれる１つが、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のアルコキシ基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のアシル基、アルデヒド基、カルボン酸基、炭素数２〜２４の直鎖または分岐のカルボン酸エステル基、スルホン酸基、炭素数１〜２４の直鎖または分岐のスルホン酸エステル基、シアノ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、アミド基およびハロゲン基からなる群から選ばれた置換基であり、Ｒ _９〜Ｒ _１２から選ばれる他の３つは水素であり、
ただしＲ _２、Ｒ_６、およびＲ_１０のすべてが同一の置換基で置換されてかつその他がすべて水素であるものを除き、
また、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール誘導体三量体積層構造体。
インドール誘導体三量体が請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法により製造される、請求項４２記載のインドール誘導体三量体積層構造体。
インドール誘導体三量体が請求項６〜３７のいずれか１項に記載のものである、請求項４２記載のインドール誘導体三量体積層構造体。
下記一般式（３２）

（式中、Ｒ_２、Ｒ_６、およびＲ_１０のすべてがシアノ基あるいはカルボン酸基で置換されており、Ｘ^ａ−は、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、硫酸水素イオン、リン酸イオン、ほうフッ化イオン、過塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、及びトリフルオロメタンスルホン酸イオンからなる１〜３価の陰イオンの群から選ばれた少なくとも一種の陰イオンであり、ａはＸのイオン価数を表し、１〜３の整数であり、ｍは０〜０．５である。）で示されるインドール−５−カルボニトリル三量体またはインドール−５−カルボン酸三量体である、請求項４２または４３記載のインドール誘導体三量体積層構造体。