[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

WO2001094963A3 - Wheatstonebrücke, beinhaltend brückenelemente, bestehend aus einem spin-valve-system, sowie ein verfahren zu deren herstellung - Google Patents

Wheatstonebrücke, beinhaltend brückenelemente, bestehend aus einem spin-valve-system, sowie ein verfahren zu deren herstellung Download PDF

Info

Publication number
WO2001094963A3
WO2001094963A3 PCT/EP2001/006486 EP0106486W WO0194963A3 WO 2001094963 A3 WO2001094963 A3 WO 2001094963A3 EP 0106486 W EP0106486 W EP 0106486W WO 0194963 A3 WO0194963 A3 WO 0194963A3
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
bridge
spin
bridge elements
producing
ions
Prior art date
Application number
PCT/EP2001/006486
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2001094963A2 (de
Inventor
Arno Ehresmann
Wolfgang-Dietrich Engel
Juergen Fassbender
Burkard Hillebrands
Roland Mattheis
Tim Mewes
Original Assignee
Inst Physikalische Hochtech Ev
Arno Ehresmann
Engel Wolfgang Dietrich
Juergen Fassbender
Burkard Hillebrands
Roland Mattheis
Tim Mewes
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inst Physikalische Hochtech Ev, Arno Ehresmann, Engel Wolfgang Dietrich, Juergen Fassbender, Burkard Hillebrands, Roland Mattheis, Tim Mewes filed Critical Inst Physikalische Hochtech Ev
Priority to US10/297,644 priority Critical patent/US6882145B2/en
Priority to EP01960282A priority patent/EP1287372A2/de
Publication of WO2001094963A2 publication Critical patent/WO2001094963A2/de
Publication of WO2001094963A3 publication Critical patent/WO2001094963A3/de

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/096—Magnetoresistive devices anisotropic magnetoresistance sensors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/01—Manufacture or treatment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12375—All metal or with adjacent metals having member which crosses the plane of another member [e.g., T or X cross section, etc.]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Wheatstonebrücke, beinhaltend üblich verschaltete Brückenelemente, bestehend aus einem Spin-Valve-System, sowie ein Verfahren zu deren Herstellung. Die Aufgabe der Erfindung, eine Wheatstonebrücke zu schaffen, bei denen jeweils benachbart liegende Halbbrücken jeweils eine antiparallele BMR aufweisen, wird dadurch gelöst, daß jeweils nicht benachbarte Brückenelemente (1, 3 oder 2, 4) unterhalb der gepinnten ferromagnetischen Schicht eines GMR- oder TMR-Spin-Valve-Schichtsystems mit einer Dotierung von implantierbaren Ionen mit einem Anteil zwischen 1. 1012 bis 5.1016 Atomen/cm2 versehen sind, wobei während eines Beschusses ausgewählter Brückenbereiche (1, 3) oder Flächenbereiche, die nicht mit einer Abdeckung (5) versehen sind, mit Ionen niedriger Dosis und niedriger Energie, die so groß festgelegt werden, daß die Ionen die gepinnte ferromagnetische Schicht durchdringen und alle Flächenbereiche oder Brückenelemente (1, 2, 3, 4) einem homogenen, gerichteten, ausreichend starken Magnetfeld ausgesetzt werden.
PCT/EP2001/006486 2000-06-09 2001-06-07 Wheatstonebrücke, beinhaltend brückenelemente, bestehend aus einem spin-valve-system, sowie ein verfahren zu deren herstellung WO2001094963A2 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/297,644 US6882145B2 (en) 2000-06-09 2001-06-07 Wheatstone bridge containing bridge elements, consisting of a spin-valve system and a method for producing the same
EP01960282A EP1287372A2 (de) 2000-06-09 2001-06-07 Verfahren zur herstellung einer wheatstonebrücke, beinhaltend brückenelemente bestehend aus einem spin-valve-system

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10028640A DE10028640B4 (de) 2000-06-09 2000-06-09 Wheatstonebrücke, beinhaltend Brückenelemente, bestehend aus einem Spin-Valve-System, sowie ein Verfahren zu deren Herstellung
DE10028640.2 2000-06-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2001094963A2 WO2001094963A2 (de) 2001-12-13
WO2001094963A3 true WO2001094963A3 (de) 2002-04-04

Family

ID=7645271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2001/006486 WO2001094963A2 (de) 2000-06-09 2001-06-07 Wheatstonebrücke, beinhaltend brückenelemente, bestehend aus einem spin-valve-system, sowie ein verfahren zu deren herstellung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6882145B2 (de)
EP (1) EP1287372A2 (de)
DE (1) DE10028640B4 (de)
WO (1) WO2001094963A2 (de)

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10214946B4 (de) * 2002-04-04 2006-01-19 "Stiftung Caesar" (Center Of Advanced European Studies And Research) TMR-Sensor
DE10217598C1 (de) * 2002-04-19 2003-10-16 Siemens Ag Schaltungseinrichtung mit mindestens zwei invertierte Ausgangssignale erzeugenden magnetoresistiven Schaltungselementen
DE10217593C1 (de) * 2002-04-19 2003-10-16 Siemens Ag Schaltungsteil mit mindestens zwei magnetoresistiven Schichtelementen mit invertierten Ausgangssignalen
DE10222395B4 (de) * 2002-05-21 2010-08-05 Siemens Ag Schaltungseinrichtung mit mehreren TMR-Sensorelementen
JP4117175B2 (ja) * 2002-10-03 2008-07-16 アルプス電気株式会社 回転角検出装置
US7259545B2 (en) * 2003-02-11 2007-08-21 Allegro Microsystems, Inc. Integrated sensor
US7009268B2 (en) * 2004-04-21 2006-03-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Wheatstone bridge scheme for sensor
US7777607B2 (en) * 2004-10-12 2010-08-17 Allegro Microsystems, Inc. Resistor having a predetermined temperature coefficient
SE529125C2 (sv) * 2005-03-02 2007-05-08 Tetra Laval Holdings & Finance Sätt och anordning för att bestämma läget hos ett förpackningsmaterial med magnetiska markeringar
JP2007024598A (ja) * 2005-07-13 2007-02-01 Denso Corp 磁気センサ
JP4573736B2 (ja) * 2005-08-31 2010-11-04 三菱電機株式会社 磁界検出装置
US7768083B2 (en) 2006-01-20 2010-08-03 Allegro Microsystems, Inc. Arrangements for an integrated sensor
FR2899377B1 (fr) * 2006-03-30 2008-08-08 Centre Nat Rech Scient Procede de realisation de structures en multicouches a proprietes controlees
DE102006039490A1 (de) * 2006-08-21 2008-03-27 Institut für Physikalische Hochtechnologie e.V. Magnetischer Sensor und Verfahren zu dessen Herstellung
US8415755B2 (en) * 2006-09-25 2013-04-09 Massachusetts Institute Of Technology Wheatstone-bridge magnetoresistive device
GB2446146B (en) 2007-01-31 2009-11-18 Gm Global Tech Operations Inc Arrangement of a two stage turbocharger system for an internal combustion engine
US7795862B2 (en) 2007-10-22 2010-09-14 Allegro Microsystems, Inc. Matching of GMR sensors in a bridge
US7816905B2 (en) * 2008-06-02 2010-10-19 Allegro Microsystems, Inc. Arrangements for a current sensing circuit and integrated current sensor
JP5662357B2 (ja) * 2009-03-10 2015-01-28 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ レランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティー 磁気抵抗センサにおける温度及びドリフト補償
JP4947321B2 (ja) * 2009-07-30 2012-06-06 Ｔｄｋ株式会社 回転角度検出装置
DE102010018874A1 (de) * 2010-04-30 2011-11-03 Siemens Aktiengesellschaft Wheatstonebrücke mit XMR-Spinvalve-Systemen
DE102010041646A1 (de) 2010-09-29 2012-03-29 Siemens Aktiengesellschaft Schaltungsanordnung zum Erfassen eines Magnetfelds und Verfahren zum Ermitteln dessen magnetischer Feldstärke
US8797024B2 (en) 2011-02-01 2014-08-05 Infineon Technologies Ag Sensor
US8416613B1 (en) 2011-04-27 2013-04-09 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Magnetoresistive bridge nonvolatile memory device
US8952686B2 (en) * 2011-10-25 2015-02-10 Honeywell International Inc. High current range magnetoresistive-based current sensor
JP6064816B2 (ja) * 2013-07-17 2017-01-25 株式会社デンソー 回転センサ
CN103592608B (zh) * 2013-10-21 2015-12-23 江苏多维科技有限公司 一种用于高强度磁场的推挽桥式磁传感器
JP2015129700A (ja) * 2014-01-08 2015-07-16 アルプス電気株式会社 磁界回転検知センサ及び磁気エンコーダ
US9625281B2 (en) * 2014-12-23 2017-04-18 Infineon Technologies Ag Fail-safe operation of an angle sensor with mixed bridges having separate power supplies
US9841469B2 (en) 2016-01-26 2017-12-12 Nxp Usa, Inc. Magnetic field sensor with multiple sense layer magnetization orientations
US9897667B2 (en) 2016-01-26 2018-02-20 Nxp Usa, Inc. Magnetic field sensor with permanent magnet biasing
US10545196B2 (en) 2016-03-24 2020-01-28 Nxp Usa, Inc. Multiple axis magnetic sensor
US10145907B2 (en) 2016-04-07 2018-12-04 Nxp Usa, Inc. Magnetic field sensor with permanent magnet biasing
US9933496B2 (en) * 2016-04-21 2018-04-03 Nxp Usa, Inc. Magnetic field sensor with multiple axis sense capability
US10901050B2 (en) 2017-12-21 2021-01-26 Isentek Inc. Magnetic field sensing device including magnetoresistor wheatstone bridge
US10935612B2 (en) 2018-08-20 2021-03-02 Allegro Microsystems, Llc Current sensor having multiple sensitivity ranges
CN210108386U (zh) * 2019-06-12 2020-02-21 芯海科技（深圳）股份有限公司 一种传感装置和电子设备
US11385306B2 (en) 2019-08-23 2022-07-12 Western Digital Technologies, Inc. TMR sensor with magnetic tunnel junctions with shape anisotropy
US11169226B2 (en) * 2019-08-27 2021-11-09 Western Digital Technologies, Inc. Magnetic sensor bias point adjustment method
US11170806B2 (en) * 2019-12-27 2021-11-09 Western Digital Technologies, Inc. Magnetic sensor array with single TMR film plus laser annealing and characterization
US11187764B2 (en) 2020-03-20 2021-11-30 Allegro Microsystems, Llc Layout of magnetoresistance element
US11567108B2 (en) 2021-03-31 2023-01-31 Allegro Microsystems, Llc Multi-gain channels for multi-range sensor
US11994541B2 (en) 2022-04-15 2024-05-28 Allegro Microsystems, Llc Current sensor assemblies for low currents

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0710850A2 (de) * 1994-11-04 1996-05-08 International Business Machines Corporation Magnetfeldfühler und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE19743335C1 (de) * 1997-09-30 1998-11-12 Siemens Ag Sensoreinrichtung mit einer Brückenschaltung ihrer einen großen magnetoresistiven Effekt zeigenden Brückenelemente
US5904996A (en) * 1996-07-05 1999-05-18 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing a magnetic field sensor
DE19830343C1 (de) * 1998-07-07 2000-04-06 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines Schichtaufbaus umfassend ein AAF-System sowie magnetoresistive Sensorsysteme
US6070333A (en) * 1997-01-24 2000-06-06 Siemens Aktiengesellschaft Electronic compass

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR940004986B1 (ko) * 1984-08-27 1994-06-09 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 자성막의 제조방법 및 그것을 사용한 자기헤드
DE4301704A1 (de) * 1993-01-22 1994-07-28 Siemens Ag Vorrichtung zum Erfassen einer Winkelposition eines Objektes
DE4317512C2 (de) * 1993-05-26 1995-03-30 Univ Schiller Jena Vorrichtung zur berührungslosen Nullpunkt-, Positions- und Drehwinkelmessung
DE19532674C1 (de) * 1995-09-05 1996-11-07 Inst Physikalische Hochtech Ev Drehwinkelgeber unter Verwendung von Giant Magnetowiderstandsmaterialien
DE19649265C2 (de) * 1996-11-28 2001-03-15 Inst Physikalische Hochtech Ev GMR-Sensor mit einer Wheatstonebrücke
EP1046048A1 (de) * 1998-08-14 2000-10-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Magnetfeldfühler mit einem spin-tunnel-sperrschichtelement
EP1892538A3 (de) * 1999-06-18 2008-08-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Magnetische Systeme mit unumkehrbaren Eigenschaften und Verfahren zur Herstellung, zur Wiederherstellung und zum Betrieb derartiger Systeme
DE60025146T2 (de) * 1999-06-18 2006-08-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Herstellungsverfahren für eine magnetische fühleranordnung

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0710850A2 (de) * 1994-11-04 1996-05-08 International Business Machines Corporation Magnetfeldfühler und Verfahren zu ihrer Herstellung
US5904996A (en) * 1996-07-05 1999-05-18 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing a magnetic field sensor
US6070333A (en) * 1997-01-24 2000-06-06 Siemens Aktiengesellschaft Electronic compass
DE19743335C1 (de) * 1997-09-30 1998-11-12 Siemens Ag Sensoreinrichtung mit einer Brückenschaltung ihrer einen großen magnetoresistiven Effekt zeigenden Brückenelemente
DE19830343C1 (de) * 1998-07-07 2000-04-06 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines Schichtaufbaus umfassend ein AAF-System sowie magnetoresistive Sensorsysteme

Also Published As

Publication number Publication date
WO2001094963A2 (de) 2001-12-13
DE10028640B4 (de) 2005-11-03
US20040023064A1 (en) 2004-02-05
EP1287372A2 (de) 2003-03-05
US6882145B2 (en) 2005-04-19
DE10028640A1 (de) 2001-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2001094963A3 (de) Wheatstonebrücke, beinhaltend brückenelemente, bestehend aus einem spin-valve-system, sowie ein verfahren zu deren herstellung
CA2205958C (en) Magnetic arrangement for therapeutic application
EP1106709A3 (de) Gepulste RF-Biasspannung für verbesserte Seitenwand-Deckung
WO2000017937A3 (de) Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelements
WO2000029617A3 (en) Water-soluble luminescent quantum dots and bioconjugates thereof
HK1040422A1 (zh) 磁性石榴石單晶膜及其製法，和使用該單晶膜的法拉第轉子
WO2003015109A1 (en) Composite magnetic material prepared by compression forming of ferrite-coated metal particles and method for preparation thereof
TW367493B (en) Reluctance component
AU1240801A (en) Coil structures and methods for generating magnetic fields
EP1227526A3 (de) Magnetischer Fühler und Verfahren zu seiner Herstellung
HK1044152A1 (en) Material for photo-alignment layer, photo-alignment layer and method of manufacturing the same
WO2001070984A3 (en) Anti-tissue factor antibodies with enhanced anticoagulant potency
MY120928A (en) Magnetoresistance effect element
SG97817A1 (en) Antiparallel (ap) pinned spin valve sensor with giant magnetoresistive (gmr) enhancing layer
EP0905802A3 (de) Magnetowiderstandseffektvorrichtung ,magnetoresistive Kopf und Verfahren zur Herstellung einer Magnetowiderstandseffektvorrichtung
EP0948043A3 (de) Verfahren mit verbesserter Kontrollierbarkeit einer vergrabenen Schicht
WO2000018439A3 (de) Verwendung von neoangiogenese-markern für diagnose und therapie von tumoren
EP1096513A3 (de) Komposit-Magnetmaterial und Induktor-Element
WO2003045309A3 (en) Peptides, peptide compositions,and methods of use in binding p 185
AU2142299A (en) Ski, especially an alpine ski
WO2002011762A3 (en) Methods and compositions for modulating tumor growth
EP0867864A3 (de) Magnetkopf mit einem magnetoresistivem Element mit Spinventil-Effekt und dessen Herstellungsverfahren
EP1149924A3 (de) Kornorientiertes Elektroblech mit ausgezeichneten magnetischen Eigenschaften
PL355477A1 (en) A body formed of set, initially pasty material and including an electrically conducting path and a method of making such a body
EP0996188A3 (de) Mikrowellen-Millimeterwellenschaltungsanordnung und Herstellungsverfahren mit Zirkulator oder Isolator

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): JP US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
AK Designated states

Kind code of ref document: A3

Designated state(s): JP US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A3

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10297644

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2001960282

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2001960282

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Ref document number: 2001960282

Country of ref document: EP