WO1992014245A1 - Method for reproducing signal in optically recording medium - Google Patents

Description

明 細 書 光記録媒体の信号再生方法 技 術 分 野 本発明は、 光記録媒体に対して光ビームを照射しながら信号を読 み取るような光記録媒体の信号再生方法に関し、 特に、 高密度情報 の再生が行える光記録媒体の信号再生方法に関する。

i o

背 景 技 術 光記録媒体は、 いわゆるコンパク トディスク等のような再生専用 媒体と、 光磁気ディスク等のような信号の記録が可能な媒体とに大 別できるが、 これらいずれの光記録媒体においても、 記録密度をさ らに高めるこ とが望まれている。 これは、 記録される信号としてデ イ ジタル · ビデオ信号を考慮する場合にディ ジタル · オーディオ信 号の数倍から十数倍ものデータ量を必要とするこ とや、 ディ ジタル • オーディォ信号を記録する場合でもディ スク等の媒体の寸法をよ 0 り小さ く してプレーヤ等の製品をさらに小型化したい等の要求があ るからである。 また、 一般のデータディスクとしても、 より大きな 記録容量が望まれている。

ところで、 光記録媒体への情報の記録密度は、 再生信号の S / N によって決められている。 従来の一般的な光学的な記録再生におい ては、 図 1 に示すように、 光記録媒体に対する レーザ光等の読み出 し光ビームの光照射領域であるビームスポッ ト S Pの領域の全てを 再生信号領域としている。 このため、 再生可能な記録密度は、 読み 出し光のビーム · スポッ トの径 D _{S P}により定まる。

例えば、 図 1 の Aに示すように、 読み出しレーザ光のビーム ' ス ポッ ト S Pの径 D _{S P}が記録ピッ ト R Pのピッチ qより も小さければ. スボッ ト S P内に 2個の記録ピッ トが入ることはなく、 再生出力波 形は図 1 の Bに示すようになり、 再生信号は読み取り可能である。 ところが、 図 1 の Cに示すように、 高密度で記録ピッ ト S Pが形成 されており、 ビーム ' スポッ ト S P内の径 D _{S P}が記録ピッ ト R Pの

I o ピッチ qよりも大きくなると、 スポッ ト S P内に 2個以上のピッ ト が同時に入り込むようになり、 再生出力波形は図 1 の Dに示すよう に略々一定となり、 その 2個の記録ピッ トを分離して再生すること ができず、 再生不能となる。

スボッ ト径 D _{S P}は、 レーザ光の波長； I と、 対物レンズの開口数 N 5 Aに依存しており、 このスボッ ト径 D _{S P}によって、 読み出し光ビ一 ムの走査方向 （記録トラック方向） に沿ったピッ 卜の密度 （いわゆ る線密度） や、 読み出し光ビームの走査方向に直交する方向の隣接 トラック間隔 （いわゆる トラック ピッチ） に応じた トラッ ク密度が 定められる。 すなわち、 これらの線密度やトラッ ク密度の物理光学 0 的限界は、 いずれも読み出し光の光源の波長ス及び対物レンズの開 口数 N Aによって決まり、 例えば信号再生時の空間周波数について は、 一般に 2 Ν Α Ζ λが読み取り限界とされている。 このことから、 光記録媒体において高密度化を実現するためには、 先ず再生光学系 の光源 （例えば半導体レーザ） の波長 Iを短く し、 対物レンズの開 口数 Ν Αを大きくすることが必要とされている。 ところで、 本件出願人は、 読み取り光ビームのスポッ ト径を変更 しなくても、 読み取り可能な線記録密度及びトラ ッ ク密度を高くで きるようにした光記録媒体及びその再生方法を先に提案している。 このような高密度情報の再生が可能な光記録媒体としては、 信号の 記録が可能な光磁気記録媒体と、 少なく とも再生が可能な反射率変 化型光記録媒体とが挙げられる。

上記光磁気記録媒体は、 例えばポリカーボネー ト等から成る透明 基板あるいは光透過性基体の一主面に、 膜面と垂直方向に磁化容易 軸を有し優れた磁気光学効果を有する磁性層 （例えば希土類一遷移

I o 金属合金薄膜） を、 誘電体層や表面保護層等と共に積層して構成さ れたものであり、 上記透明基板側からレーザ光等を照射して信号の 記録、 再生が行われる。 この光磁気記録媒体に対する信号記録は、 レーザ光照射等によって上記磁性層を局部的に例えばキュ リ一点近 傍の温度にまで加熱し、 この部分の保磁力を消滅させて外部から印

1 5 加される記録磁界の向きに磁化することにより行う、 いわゆる熱磁 気記録である。 また光磁気記録媒体からの信号再生は、 上記 性層 の磁化の向きにより レーザ光等の直線偏光の偏光面が回転する磁気 光学効果 （いわゆる磁気カー効果、 ファラディ効果） を利用して行 われる。

0 上記反射率変化型光記録媒体は、 位相ピッ トが形成された透明基 板上に、 温度によって反射率が変化する材料が形成されて成り、 信 号再生時には、 該記録媒体に読み出し光を照射し、 読み出し光の走 査スポッ ト内で反射率を部分的に変化させながら位相ピッ トを読み 取るものである。

以下、 上記記録可能な光磁気記録媒体における高密度再生、 ある いはいわゆる超高解像度再生について、 さらに説明する。

本件出願人は、 先に例えば特開平 1 一 1 4 3 0 4 1号公報、 特開 平 1 一 1 4 3 0 4 2号公報等において、 情報ビッ ト （磁区） を再生 時に拡大、 縮小あるいは消滅させることにより再生分解能を向上さ せるような光磁気記録媒体の信号再生方法を提案している。 この技 術は、 記録磁性層を再生層、 中間層、 記録層から成る交換結合多層 膜とし、 再生時において再生光ビームで加熱された再生層の磁区を 温度の高い部分で拡大、 縮小あるいは消去することにより、 再生時 の情報ビッ ト間の干渉を減少させ、 光の回折限界以下の周期の信号 を再生可能とするものである。 また、 特願平 1 一 2 2 9 3 9 5号の 明細書及び図面においては、 光磁気記録媒体の記録層を磁気的に結 合される再生層と記録保持層とを含む多層膜で構成し、 予め再生層 の磁化の向きを揃えて消去状態としておく とともに、 再生時にはレ 一ザ光の照射によって再生層を所定の温度以上に昇温し、 この昇温 された状態でのみ記録保持層に書き込まれた磁気信号を再生層に転 写しながら読み取るようにすることにより、 クロス トークを解消し て線記録密度、 トラック密度の向上を図る技術を提案している。

これらの高密度再生技術をまとめると、 消去型と浮き出し型とに 大別でき、 それぞれの概要を図 2及び図 3に示す。

先ず図 2の A、 B、 Cを参照しながら消去型の高密度再生技術に ついて説明する。 この消去型の場合には、 図 2の Bに示すように、 常温にて情報記録ピッ ト R Pが表れている状態の記録媒体にレーザ 光 L Bを照射して加熱することで、 照射レーザ光 L Bのビーム - ス ポッ ト S P内に記録消去領域 E Rを形成し、 ビーム · スポッ ト S P 内の残りの領域 R D内の記録ピッ ト R Pを読み取ることにより、 線 密度を高めた再生を行っている。 これは、 ビーム ' スポッ ト S P内 の記録ピッ ト R Pを読み取る際に、 記録消去領域 E Rをマスク とす ることで読み取り領域 （再生領域） R Dの幅 dを狭く し、 レーザ光 の走査方向 （ トラッ ク方向） に沿った密度 （いわゆる線記録密度） を高めた再生を可能とするものである。

この消去型高密度再生のための記録媒体は、 光磁気記録用ァモル ファス稀土類 （G d , T b ) —鉄属 （ F e , C o ) フェ リ磁性膜か ら成る交換結合磁性多層膜構造を有し、 図 2の Aに示す例では、 ポ リカーボネー ト等の透明基板 6 0の一主面 （図中下面） に、 第 1 の 磁性膜である再生層 6 1、 第 2の磁性膜である切断層 （中間層） 6 2、 及び第 3の磁性膜である記録保持層 6 3を順次積層した構造を 有している。 第 1 の磁性膜 （再生層） 6 1 は、 例えば G d F e C 0 でキユ リ一温度 T_{C 1} > 4 0 0 ° Cのものが用いられ、 第 2の磁性膜 (切断層、 中間層） 6 2は、 例えば T b F e C 0 A 1 でキュ リー温 度 T_C2= 1 2 0 ° Cのものが用いられ、 第 3の磁性膜 （記録保持層） 6 3は、 例えば T b F e C 0でキユ リ一温度 T_C3 = 3 0 0 ° Cのも のが用いられる。 なお、 図 2の C中の各磁性膜 6 1、 6 2、 6 3内 の矢印は各磁区の磁化の向きを示している。 また、 H_{r e ad}は再生磁 界の向きを示している。

再生時の動作を簡単に説明すると、 所定温度 TOPより下の常温で は記録媒体の各層 6 3、 6 2、 6 1 が静磁結合あるいは交換結合の 状態で磁気的に結合しており、 記録保持層 6 3の記録磁区が切断層 6 2を介して再生層 6 1 に転写されている。 この記録媒体に対して レーザ光 L Bを照射して媒体温度を高めると、 レーザ光の走査に伴 つて媒体の温度変化は遅延されて表れ、 上記所定温度 TOP以上とな る領域 （記録消去領域 E R) はビーム ' スポッ ト S Pよりもレーザ 走査方向の後方側にややずれて表れる。 このずれ量は上記レーザ光 の走査速度、 すなわち記録媒体の移動速度 （光磁気ディスクでは線 速度に相当） に応じたものとなる。 上記所定温度 TOP以上では記録 保持層 6 3 と再生層 6 1 との磁気的結合が消滅し、 再生層 6 1 の磁 区が再生磁界 H_{R E},_Dの向きに揃えられることにより、 媒体表面上で は記録ピッ 卜が消去された状態となる。 そして、 走査スポッ ト S P の領域の内、 上記所定温度 TOP以上となる領域 E Rとの重なり領域 を除く領域 R Dが実質的な再生領域となる。 すなわち、 レーザ光の ビーム · スポッ ト S Pは上記所定温度 TOP以上となる領域 E Rによ り一部がマスクされ、 マスクされない小さい領域が再生領域 R Dと なって、 高密度再生を実現している。

こう して、 レーザ光ビームの走査スポッ ト S Pがマスク領域 （記 録消去領域 E R) によりマスクされない小さい再生領域 （読み取り 領域 R D) からの反射光の例えば力一回転角を検出することにより ピッ トの再生が行われるので、 ビーム · スポッ ト S Pの径を小さ く したことに等しくなり、 線記録密度及びトラック密度を上げること ができる。

次に、 図 3の Bに示す浮き出し型の高密度再生技術では、 常温で 情報記録ピッ ト R Pが消えている状態 （初期化状態） の記録媒体に レーザ光を照射して加熱することにより、 照射レーザ光のビーム スポッ ト S P内に記録浮き出し領域である信号検出領域 D Tを形成 し、 この信号検出領域 D T内の記録ピッ ト R Pのみを読み取るよう にすることで再生線密度を高めている。

この浮き出し高密度再生のための記録媒体は、 静磁結合あるいは 磁気的交換結合の磁性多層膜構造を有するものであり、 図 3の Aの 例では、 ポリカーボネー ト等の透明基板 7 0の一主面 （図中下面） に第 1 の磁性膜である再生層 7 1 、 第 2の磁性膜である再生補助層 7 2、 第 3の磁性膜である中間層 7 3、 第 4の磁性膜である記録保 持層 7 4を順次積層した構造を有している。 第 1 の磁性膜 （再生層） 7 1 は、 例えば G d F e C 0でキユ リ一温度 T_c】 〉 3 0 0 ° Cのも の、 第 2の磁性膜 （再生補助層） 7 2は、 例えば T b F e C 0 A 1 でキュ リー温度 T_C2 1 2 0 ° Cのもの、 第 3の磁性膜 （中間層） 7 3は、 例えば G d F e C 0でキユ リ一温度 T_C3 2 5 0 ° Cのも ι o の、 第 4の磁性膜 （記録保持層） 7 4は、 例えば T b F e C 0でキ ュ リ一温度 T_C4 2 5 0 ° Cのものがそれぞれ用いられる。 ここで 初期化磁界 H _{i n}の大きさは、 再生層の磁化を反転させる磁界 H _CPよ り大き く （H _{i n}> H_CP) 、 また、 記録保持層の磁化を反転させる磁 界 H_{c r}より充分小さ く （H _{i n}《H_CP) 選定されている。 なお、 図 3 5

の C中の各磁性膜 7 1 、 7 2、 7 3、 7 4内の矢印は各磁区の磁化 の向きを示し、 H _{i n}は初期化磁界の向きを、 H _{r e ad}は再生磁界の向 きをそれぞれ示している。

記録保持層 7 4 は、 初期化磁界 H _{i n}、 再生磁界 H_{r e 4d}、 また再生 温度等に影響されずに記録ピッ トを保持している層であって、 室温、 0

再生温度において充分な保磁力がある。

中間層 7 3の垂直異方性は再生補助層 7 2、 記録保持層 7 4 に比 ベ小さい。 このため、 再生層 7 1 と、 記録層 7 4 との間に磁壁を作 る際、 磁壁が安定にこの中間層 7 3に存在する。 そのため、 再生層 7 1 、 再生補助層 7 2は、 安定に消去状態 （初期化状態） を維持す 5

る o 再生補助層 7 2は、 室温での再生層 7 1 の保磁力を大きくする働 きをしており、 このため、 初期化磁界によって揃えられた再生層 7 1、 再生補助層 7 2の磁化は、 磁壁が存在しても安定に存在する。 また、 再生補助層 7 2は、 再生時には、 再生温度 T _s 近傍で保磁力 が急激に小さ くなり、 このため、 中間層 7 3に閉じ込められていた 磁壁が再生補助層 1 3にまで拡がって最終的に再生層 7 1 を反転さ せ、 磁壁を消滅させる。 この過程により、 再生層 7 1 にピッ トが現 れるようになる。

再生層 7 1 は室温でも磁化反転磁界 H e pが小さ く、 その磁化は容 易に反転する。 このため、 再生層 7 1 は、 初期化磁界 H i _nにより、 その全面の磁化が同方向に揃う。 揃った磁化は、 再生補助層 7 2に 支えられて記録保持層 7 4 との間に磁壁がある場合でも安定な状態 が保たれる。 そして、 上述のように、 再生時には、 記録保持層 7 4 との間の磁壁が消滅することにより、 記録ピッ トが現れる。

再生時の動作を簡単に説明すると、 先ず再生前に初期化磁界 H _{i n} により再生層 7 1 及び再生補助曆 7 2の磁化の向きを一方向 （図 3 では上方向） に揃える。 このとき、 中間層 7 3に磁壁 （図 3では横 向きの矢印で示す） が安定に存在し、 再生層 7 1、 再生補助層 7 2 は、 安定に初期化状態を維持する。

次に、 逆方向の再生磁界 H _{r e e d}を印加しながらレーザ光 L Bを照 射する。 この再生磁界 H _{r e e d}としては、 レーザ光照射による昇温後 の再生温度 T _{R P}において、 再生層 7 1、 再生補助層 7 2を反転させ、 中間層 7 3の磁壁を消滅させる磁界以上の磁界が必要である。 また、 再生層 7 1 、 再生補助層 7 2が、 その磁界方向を反転してしまわな い程度の大きさとされる。 レーザ光 L Bの走査に伴って媒体の温度変化は遅延されて表れる から、 所定の再生温度 T _{R P}以上となる領域 （記録浮き出し領域） は ビーム · スポッ ト S Pより も走査方向の後方側にややずれて表れる このずれ量は上記レーザ光の走査速度、 すなわち記録媒体の移動速 度 （光磁気ディ スクでは線速度に相当） に応じたものとなる。 上記 所定再生温度 T _{R P}以上では、 再生補助層 7 2の保磁力が低下し、 再 生磁界 H _{r e} , _dが印加されることによって磁壁がなく なり、 記録保持 層 7 4の情報が再生層 7 1 に転写される。 これによつて、 レーザ光 L Bのビーム · スポッ ト S P内で上記再生温度 T _{R P}に達する前の領 域がマスクされ、 このスポッ ト S P内の残部が記録浮き出し領域で ある信号検出領域 （再生領域） D Tとなる。 この信号検出領域 D T からの反射光の偏向面の例えばカー回転角を検出することにより、 高密度再生が可能となる。

すなわち、 レーザ光 L Bのビーム · スポッ ト S Pの内部領域にお いて、 上記再生温度 T _{R P}に達する前の領域は、 記録ピッ トが現れな いマスク領域であり、 残りの信号検出領域 （再生領域） D Tは、 ス ポッ ト径ょり小さいので、 前述と同様に線記録密度及びトラ ッ ク密 度を高くすることができる。

さらに、 これらの消去型と浮き出し型とを混合した高密度再生技 術も考えられている。 この技術においては、 上述したように、 常温 で情報記録ピッ トが消えている状態 （初期化状態） の記録媒体にレ 一ザ光を照射して加熱することで、 照射レーザ光のビーム · スポッ 卜に対してレーザ光走査方向の後方側にややずれた位置に記録浮き 出し領域を形成すると共に、 この記録浮き出し領域内にさらに高温 の記録消去領域を形成している。 また、 本件出願人が先に提出した特願平 3 - 4 1 8 1 1 0号の明 細書及び図面においては、 少なく とも再生層、 中間層、 記録保持層 を有する光磁気記録媒体を用い、 再生層にレーザ光を照射すると共 に再生磁界を印加し、 このレーザ照射により生ずる温度分布を利用 して、 初期化状態を維持する部分、 記録保持層の情報が転写される 部分、 再生磁界方向に磁化の向きが揃えられる部分をレンズ視野内 に生ぜしめることにより、 レンズ視野内を光学的にマスク したのと 等価な状態とし、 線記録密度及びトラック密度を高め、 また、 再生 パワーが変動しても記録保持層の情報が転写される領域が縮小ある

I o いは拡大することがなく、 再生時の周波数特性も良好なものとした 光磁気記録媒体における信号再生方法を提案している。

これらの光磁気記録媒体を用いた高密度再生技術によれば、 ビー ム · スポッ ト S P内で、 実質的な信号再生領域である上記読み取り 領域 R Dや信号検出領域 D T内の記録ピッ ト R Pのみを読み取るよ うにしている。 この読み取り領域 R Dや信号検出領域 D Tの寸法が、 ビーム · スポッ ト S Pの寸法よりも小さ くなることから、 レーザ光 走査方向、 及びレーザ光走査方向に直交する方向のピッ ト配置間隔 を短くすることができ、 線密度及びトラック密度を上げて高密度化 が図れ、 媒体記録容量の増大が図れることになる。

0

ところで、 以上説明したような高密度の情報を再生する方法にお いて、 再生領域である上記図 2の領域 R Dや、 上記図 3の領域 D T の大きさは、 外部再生磁界が一定で、 レーザ光パワーが一定であつ ても、 レーザ光等の読み出し光の走査速度、 すなわち媒体移動速度 (光磁気ディスク等の線速度に相当） により変動してしまう。

5

例えば、 上記図 2 と共に説明した消去タイプの再生方法において は、 光磁気ディスク等の記録媒体の移動速度 （線速度） が低い場合 には、 単位移動距離当たりの走査スポッ ト S Pの通過時間が長くな るために、 レーザビーム照射による温度分布状態は、 図 4の Bの曲 線 aで示すように、 キュ リー温度 T _e を越える記録消去領域 （マス ク領域） が図 4の Aの低線速時マスク領域 E R _{L S}のように広くなる ので、 実質的な読み取り領域 （再生領域） R Dは小さ くなる。 また、 線速度が高い場合には、 単位移動距離当たりの走査スポッ ト S Pの通過時間が短く なるために、 図 4の Bの曲線 bで示すよう に、 レーザビ一厶照射による温度分布状態は、 キュ リー温度 T _e を i o 越える記録消去領域 （マスク領域） が図 4の Aの高線速度時マスク 領域 E R _{H T}のように狭くなるので、 実質的な読み取り領域 （再生領 域） R Dは大きくなる。

一方、 浮き出しタイプの場合には、 その原理から明らかなように- 光記録媒体の線速度が低い場合には、 再生領域が大き く なり、 光記

1 5

録媒体の線速度が高い場合には再生領域が小さ く なる。

以上のように、 消去タイプ及び浮き出しタイプの再生方法におい て、 媒体移動速度が変動すると、 S / Nの良い安定な再生を行う こ とができない虞れがある。 例えば回転速度一定 （ C A V ) で光磁気 ディスクを回転させて再生を行う場合には、 再生ビーム走査スポッ 0

ト位置すなわち再生位置が光磁気ディスクの半径方向に異なると、 線速度が異なるため、 再生位置により実質的な再生領域である上記 読み取り領域 R D又は信号検出領域 D Tの大きさが異なるこ とにな り、 常に S Z Nの良い安定な再生を行う ことができない。

また、 高密度再生あるいは超高解像度再生として、 前記反射率変 5

化型の光記録媒体を再生する際にも同様のことがいえ、 読み出し光 ビーム内で反射率の変化している部分の大きさが媒体移動速度 （線 速度） によって変化するため、 実質的な再生領域である反射率の高 い部分の大きさが媒体の線速度によって変動することになり、 安定 した再生が行えなくなる虞れがある。

本発明は、 このような実情に鑑みてなされたものであり、 光磁気 記録媒体や反射率変化型の光記録媒体の線速度の変化があっても、 上記の実質的な再生領域の大きさを一定に保ち、 安定な情報読み出 しができるような光記録媒体の再生方法の提供を目的とする。 i o 発 明 の 開 示

本発明に係る光記録媒体の再生方法は、 記録層と再生層とを有し、 記録層と、 再生層とが定常状態で磁気的に結合しており、 再生時の 読み出し光ビームの照射により所定温度以上に温度上昇する領域の 5 上記記録層と再生層との磁気的結合を消滅させ、 その磁気的結合消 滅領域を除く光照射領域において上記記録層に保持された記録情報 を前記再生層から読み出すようにする光記録媒体の再生方法におい て、 上記光記録媒体を一定の回転速度で回転させて再生を行う場合 に、 光記録媒体上の再生位置を検出し、 その再生位置での線速度に 0

応じて上記磁気的結合消滅領域の大きさを制御するようにしたもの である。

また、 本発明に係る光記録媒体の再生方法は、 記録層と再生層と を有し、 再生層の磁化の方向を揃えた後、 再生時の読み出し光ビー ムの照射により所定温度以上に温度上昇する領域の上記記録層に保 5

持された記録情報を再生層に転写させて浮き出させ、 この再生層の 浮き出し領域から前記記録情報を読み出すようにする光記録媒体の 再生方法において、 上記光記録媒体を一定の回転速度で回転させて 再生を行う場合に、 光記録媒体上の再生位置を検出し、 その再生位 置での線速度に応じて上記浮き出し領域の大きさを制御するように したものである。

さらに、 本発明に係る光記録媒体の再生方法は、 信号に応じて位 枏ピッ トが形成されるとともに温度によって反射率が変化する光デ ィスクに対して読み出し光ビームを照射し、 読み出し光ビームの走 查スポッ ト内で反射率を部分的に変化させながら位相ピッ トを読み 取るようにした光記録媒体の再生方法において、 上記光記録媒体を 一定の回転速度で回転させて再生を行う場合に、 光記録媒体上の再 生位置を検出し、 その再生位置での線速度に応じて上記読み出し光 ビームの走査スポッ ト内で反射率が変化している部分の大きさを制 御するようにしたものである。

上記光記録媒体の再生方法は、 上記光記録媒体の再生位置を検出 した出力に基づいて、 上記読み出し光ビームを上記光記録媒体に照 射するレーザ光源の出力制御を行うようにすることができる。 また 上記光記録媒体の再生位置を検出した出力と記憶手段に記憶された 上記光記録媒体の線速度に対応する上記レーザ光源の出力基準値と を比較した出力に基づいて上記レーザ光源の出力制御を行うように してもよい。 また、 上記光記録媒体を再生した出力のレベルに基づ いて上記磁気的結合消滅領域や、 上記浮き出し領域や、 上記反射率 が変化している部分の大きさを制御するようにしてもよい。

従って、 本発明に係る光記録媒体の信号再生方法によれば、 光記 録媒体の線速度が変化しても、 あるいは媒体上の再生位置が変化し てその位置での線速度が変化しても、 実質的な再生領域の大きさが 変わらないので、 安定に S Z Nの良い再生を行う ことができる。 図 面 の 簡 単 な 説 明 図 1 はレーザビームのスポッ ト径と、 再生可能な記録ピッ トの記 録密度との関係を説明するための図である。

図 2は消去タイプの光磁気記録媒体、 その再生方法及びその媒体 の実質的な再生領域を説明するための図である。

i o 図 3は浮き出しタイプの光磁気記録媒体、 その再生方法及びその 媒体の実質的な再生領域を説明するための図である。

図 4は光磁気記録媒体の線速度変化により実質的な再生領域が変 化することを説明するための図である。

図 5は本発明に係る光記録媒体の再生方法の一実施例が適用され たディスク再生装置の要部を示すプロック図である。

図 6は光磁気ディスクに記録するデータのセク夕フォーマツ トを 示すブロック図である。

図 7はレーザパワーを変えることによりマスク領域が変わること を説明するための図である。

0

図 8は外部磁界を変えることによりマスク領域が変わることを説 明するための図である。

図 9は本発明による再生方法の他の実施例が適用されたディスク 再生装置の要部を示すプロック図である。

図 1 0は本発明に係る光記録媒体の再生方法のさらに他の実施例 5

が適用されたディスグ再生装置の要部を示すプロック図である。 図 1 1 はモディ ファイ ド C A Vの回転駆動方式の光磁気ディスク を説明するための図である。

図 1 2は本発明に係る光記録媒体の再生方法のさらにまた他の実 施例が適用されたディスク再生装置の要部を示すプロッ ク図である, 図 1 3は上記図 1 2に示す実施例に用いられる反射率変化型光デ ィスクの一例となる相変化型光ディスクの一例の要部を示す概略断 面図である。

図 1 4 は上記相変化型光ディスクの他の例の要部を示す概略断面 図である。

i o 図 1 5は上記相変化型光ディスクのさらに他の例の要部を示す概 略断面図である。

図 1 6は上記相変化型光ディスクの説明に供する相変化状態を示 す図である。

図 1 7は上記相変化型光ディスクの説明に供する他の相変化状態 を示す図である。

図 1 8は上記相変化型光ディ スクの説明に供する読み出し光スポ ッ トと温度分布との関係を示す図である。

図 1 9は上記図 9に示す実施例に用いられる反射率変化型の光デ ィ スクの他の例の要部を示す概略断面図である。

0

図 2 0 は干渉フィルタにおける温度による反射率分光特性の変化 の様子を示す特性図である。

5 発明を実施するための最良の形態 以下、 本発明に係る光記録媒体のいくつかの実施例について、 図 面を参照しながら説明する。 すなわち、 先ず、 記録可能な媒体とし ての光磁気記録媒体に本発明を適用した実施例を説明し、 次に、 少 なく とも再生が可能な媒体としての反射率変化型光記録媒体に本発 明を適用した実施例を説明する。

図 5において、 光磁気記録媒体としては光磁気ディスク 1 1 を用 いており、 前述した消去タイプあるいは浮き出しタイプの再生方法 i o が適用されるものである。 この場合、 この光磁気ディスク 1 1 は、 回転数一定 （C A V ) 方式で回転駆動される。

例えば、 消去タイプの再生方法が適用される光磁気ディスクとし ては、 前記図 2 と共に説明したように、 光磁気記録用アモルファス 稀土類 （G d， T b ) 一鉄属 （F e， C o ) フヱ リ磁性膜から成る 5

交換結合磁性多層膜構造を有し、 記録保持層は例えば T b F e C 0 で構成され、 キユ リ一温度が 3 0 0 ° ( 、 切断層 （中間層） は例え ば T b F e C 0 A 1 でキュ リ一温度丁が 1 2 0 ° C、 再生層は例え ば G d F e C oでキュ リ一温度が 4 0 0。 C以上のものがそれぞれ 用いられるものが使用される。 また、 浮き出しタイプの再生方法が 0

適用される光磁気ディスクとしては、 記録保持層は例えば T b F e C oでキュ リ一温度が 2 5 0 ° (：、 中間層は例えば G d F e C 0で キユ リ—温度が 2 5 0 ° C、 再生捕助層は例えば T b F e C 0 A 1 でキュ リ一温度が 1 2 0 ° C , 再生層は例えば G d F e C 0でキュ リー温度が 3 0 0 ° C以上のものがそれぞれ用いられるものが使用 5

される。 この場合、 光磁気ディスク 1 1 には、 データが 1 トラッ ク当たり 複数のセクタとして順次記録されるが、 各セクタは、 例えば図 6の ように構成されている。 すなわち、 1 セクタはプリ フ ォーマッ ト部 と記録再生部とで構成される。 プリ フ ォーマッ ト部は、 予め光磁気 ディスク 1 1 にピッ トにより記録されている。 記録時には、 このプ リ フ ォーマツ ト部を検知して、 記録再生部にのみデータその他の記 録がなされる。

プリ フ ォーマッ ト部は、 セクタ同期部とァ ドレス部とからなり、 ア ドレス部には トラッ クア ドレスと、 セクタア ドレスを含むア ドレ スデータが記録されている。 トラッ クア ドレスは、 記録開始位置で ある例えば内周側から順次連続番号が付された トラック番号であり - この トラ ッ クァ ドレスは光磁気ディスク 1 1 の半径方向の位置に対 応している。 また、 セクタア ドレスは、 そのセクタがその トラッ ク 内における何番目のセクタであるかを示している。

この例では、 以下に説明するように、 前記トラックア ドレスを検 出するこ とにより、 光磁気ディスク 1 1 の半径方向の光ピッ クア ツ プ位置、 すなわち再生位置を検知し、 その再生位置における線速度 に応じてレーザ光パワーを制御することにより、 消去タイプの場合 の再生領域 （読み出し領域） R D又は浮き出しタイプの場合の再生 領域 （信号検出領域） D Tの大きさが常に一定になるようにしてい る

読み出し光として、 半導体レーザ等のレーザ光源 1 2からのレー ザ光ビームが光磁気ディスク 1 1 の再生層に入射する。

この例の場合、 再生磁界 H _{r e e d}が、 磁界発生コイル 3 1 に ドライ バ 3 2から駆動電流が供給されるこ とにより発生する。 磁界発生コ ィル 3 1 は、 光磁気ディスク 1 1 のレーザ光ビームを照射する面と は反対側の面側において、 レーザ光源 1 2 と対向する位置に設けら れる。 ドライバ 2 2には基準値発生回路 2 3からの基準値 M _{r e f} が 供給され、 磁界発生コイル 2 1 から発生する再生磁界 H _{r e a d}の大き さがこの基準値に応じた所定の一定値になるようにされている。 そして、 前述した消去タイプ又は浮き出しタイプの再生方法によ り、 レーザ光のビーム ' スポッ トの内の前記再生領域 R D又は D T からの反射光が図示しない光学系を介して再生用フォ トディテクタ 1 3に入射されて光電変換される。

o このフォ トディテクタ 1 3の出力信号は、 へッ ドアンプ 1 4 を介 して信号処理回路 1 5に供給されて R F信号が得られ、 これがデー 夕再生系に供耠されて復調される。

また、 レーザ光源 1 2のレーザ光の一部は、 レーザパワーモニタ 用のフ ォ トディテクタ 2 1 に入射される。 このフォ トディテクタ 2 1 の光電変換出力は、 オー トパワーコ ン トロール回路 2 2 に供給さ れる。 オー トパワーコン トロール回路 2 2では、 フ ォ トディテクタ 2 1 の出力と、 後述する再生レーザパワー設定基準値 R E Fとが比 較され、 その比較誤差出力がレーザドライブ回路 2 3に洪耠され、 レーザ光源 1 2の出力パワーが制御される。 以上の閉ループの制御 により、 レーザ光源 1 2の出力パワーが、 再生レーザパワー設定基 準値 R E Fに応じた値になるように制御される。

この例の場合、 再生レーザパワー設定基準値 R E Fは、 以下に説 明するように、 光磁気ディスク 1 1 の半径方向の各再生位置におけ る線速度に応じたものとなるようにされている。

すなわち、 光磁気ディスク 1 1 の各トラッ ク位置における線速度 に 1対 1 に対応する再生レーザパワー設定基準値 R E Fのテーブル を記憶している R O M 2 4が設けられる。 この場合、 この再生レー ザパワー設定基準値 R E Fとしては、 予め、 再生トラ ッ ク位置が各 トラ ッ ク位置であるときに、 その線速度の状態において、 消去タイ プの光磁気ディスク又は浮き出しタイプの光磁気ディスクを再生し たとき、 前述した実質的な再生領域 （読み出し領域 R D又は信号検 出領域 D T ) の大きさが、 常に再生に適切な一定の大きさとなるよ うな値が検出されて、 R O M 2 4 に記憶されている。

再生領域 R D又は D Tの大きさが最適の一定の大きさであるか否 かは、 例えば所定の基準パターンの情報を再生したときに信号処理 回路 1 5からの R F信号レベルが所定値になっているか否かにより 検出できる。

そして、 データ再生系 1 6のア ドレスデコーダ 1 7において、 再 生信号から トラ ッ クア ドレスが抽出されて識別される。 この トラッ クア ドレスは、 R O M 2 4 にその読み出しア ドレスとして供給され る。 R O M 2 4からは再生トラ ッ ク位置での線速度に応じて異なる 再生レーザパワー設定基準値 R E Fが読み出される。 そして、 読み 出された設定基準値 R E Fが、 オー トパワーコン トロール回路 2 2 に供給され、 レーザ光源 1 2の出力パワーが、 その時の光磁気ディ スク 1 1上の再生位置での線速度に応じて設定基準値 R E Fに応じ たものとなるように制御される。

前述したように、 光磁気ディスク 1 1上の半径方向の再生位置が 変わると、 レーザビーム走査スポッ 卜に対する温度分布は、 再生位 置でのディスクの線速度に応じて変化してしまうが、 レーザ出力パ ヮ一が変化すれば、 光磁気ディ スク 1 1 の線速度が一定でも、 図 7 に示すように、 所定の閾値温度 Τ Θを越える領域の大きさが S 1、 S 2のように変化する。 従って、 以上のようにレーザパワーをコン トロールすることにより、 再生位置での光磁気ディスク 1 1 の線速 度が変わっても、 前記再生領域 R D及び D Tの大きさを一定に保つ ことができるものである。

以上のようにして、 光磁気ディスク 1 1 の半径方向の再生位置が 変わって線速度が変化しても、 レーザパワーをコン トロールするこ とにより、 消去タイプ又は浮き出しタイプの再生方法における再生 領域 R D又は D Tを一定に保つことができるので、 常に、 安定な再 i o 生を行う ことができる。

なお、 再生レーザパワー設定基準値 R E Fの発生回路は、 R O M

2 4を用いる代わりに、 トラックア ドレスの情報から再生レーザパ ヮー設定基準値 R E Fを演算により求める回路を用いるようにして もよい。

I 5 また、 各 1 トラック毎にレーザパワー設定基準値を変更するので はなく、 複数トラッ ク毎に、 1つのレーザパワー設基準値を対応さ せるようにしてもよい。 その場合には、 例えばその複数トラッ クの 中央トラッ ク位置における線速度に対応するレーザパワー設定基準 値を、 その複数トラックに対するレーザパワー設定基準値として用 0

いるようにしることができる。

以上の例では、 レーザパワーをコン トロールして光磁気ディスク の線速度が変わっても上記再生領域 R D及び D Tの大きさを一定に するようにしたが、 外部磁界 （再生磁界 H _{r e} , _d) を制御するように しても、 同様の効果が得られる。

5

すなわち、 例えば消去タイプの再生方法を考えた場合、 前述の図 2 と共に説明した例において、 マスク領域 （記録消去領域） E Rが でき始める温度は、 正確には中間層 6 2のキュ リー温度 T_{c 2}ではな く、 再生磁界 Hr"_dも関与し、 再生層 6 1の保磁力を 再生層 6 1 と記録保持層 6 3 との間の交換結合力を H_w としたとき、

となる温度である。 再生層 6 1 と記録層 6 3間の交換結合力 H_w は. 温度が上がるに従い小さ くなり、 中間層 6 2のキュ リー温度 Tc ₂で 零になる。

Hci + Hw の温度特性を図示すると、 図 8のようになる。 この図 で T_c】は再生層 6 1 のキュ リー温度であり、 中間層のキュ リー温度 T_C2以上の温度では、 再生層が 1層の場合の保磁力と同様になる。

この光磁気ディスクの再生層 6 1の磁化を一方向に揃えるには、 上記 （ 1 ) 式に示したように、 H_el + H_w より大きい磁界をかけれ ば良い。 従って、 同じ温度分布状態でも、 図 8で再生磁界 H_readと して H _r。をかけた場合には、 キユ リ一温度 T_C2以上の範囲がマスク 領域 E Rとなるが、 再生磁界 H_re "の大きさが H_rlの場合には、 キ ユ リ一温度 T_C2より低い温度 Τ_β までの範囲がマスク領域 E Rとな り、 再生磁界 H _{r e ad}の大きさに応じてマスク領域の大きさが変わり、 この結果、 再生領域 RDの大きさが変わる。

従って、 光磁気ディスク 1 1の温度に応じて外部磁界、 例えば再 生磁界 H_reedを変えるコ ン トロールをすることにより、 常に再生領 域を一定の大きさにすることができる。

浮き出しタイプの再生方法の場合にも、 同様にして再生磁界をコ ン トロールするこ とにより、 再生領域 DTの大きさを一定にするこ とができる。 図 9は、 再生磁界を光磁気ディスクの線速度に応じてコン ト口一 ルする場合の再生装置の要部の一例である。 この例の場合も、 光磁 気ディスク 1 1は、 回転数一定 （ C A V) の回転駆動制御を行うの は前述の例と同様である。

この例の場合、 基準値発生回路 2 5からの一定のレーザパワー設 定基準値 R E Fがォー トパワーコン トロール回路 2 2に供給され、 レーザ光源 1 2の出力レーザパワーは、 この基準値 R E Fに応じた 一定値に制御される。

また、 基準値発生回路 3 3からの基準値 M_ref は、 加算回路 3 4 に洪耠され、 補正値発生用の R 0M 3 5 らの補正値と加算される。 そして、 その加算値の駆動信号がドライバ 3 2に供耠される。 従つ て、 再生磁界 H_re,_dの大きさは、 補正値が零の場合には、 基準値 R E Fに応じた所定値となり、 補正値に応じてその所定値を中心とし て変化するものとなる。

そして、 この例の場合、 R0M 3 5は、 再生位置での光磁気ディ スク 1 1の線速度に応じた補正値のテーブルを記憶するもので、 ァ ドレスデコーダ 1 7からの トラックア ドレスがこの R OM 3 5の読 み出しア ドレスとして入力される。 この例の場合も、 R OM 3 5に 記憶された補正値は、 光磁気ディスク 1 1の半径方向に異なる各再 生位置に応じた線速度のときにも、 上記再生領域 RD及び DTの大 きさが常に一定になる値とされている。

この場合にも、 上記再生領域 R D及び D Tの大きさが一定である か否かは、 例えば所定の基準パターンの情報を再生したときに信号 処理回路 1 5からの R F信号レベルが所定値になっているか否かに より検出できる。 従って、 再生時、 再生信号から トラッ クア ドレスがア ドレスデコ ーダ 1 7により検出され、 この トラッ クア ドレスにより R〇M 3 5 からは、 その再生位置の線速度に応じた補正値が読み出され、 加算 回路 5 4 に供給される。 これにより、 再生磁界 H _{r e} , _dの大きさが制 御され、 上記再生領域 R D及び D Tの大きさが常に一定になるよう にされる。

なお、 補正値の発生回路は、 R O M 3 5を用いる代わりに、 トラ ッ クァ ドレスの情報から補正値を演算により求める回路を用いるよ うにしても良い。

また、 上記の例のように、 ディスクの再生位置での線速度に応じ てレーザパワーや外部磁界をそれぞれ単独に制御しても良いが、 レ 一ザパワーと外部磁界を同時に制御するようにしてもよい。

光磁気ディスク 1 1 の上の再生時の光ピッ クァップの半径方向の 位置、 すなわち再生位置は、 上記の例のように再生信号中の トラ ッ クア ドレスを抽出して検出することもできるが、 光ピッ クアップの 位置を位置センサにより検出するようにしてもよい。

図 1 0の例は、 この場合の一例を示し、 さらにの例では、 レーザ パワーと、 再生磁界とを共に制御するようにしている。

図 1 0において、 光ピッ クアップ 4 0は、 レーザ光源 1 2、 フ ォ トディ テクタ 1 3及び 2 1 を具備すると共に、 図示しないが光学系 を具備している。 この光ピッ クアップ 4 0は、 半径方向送り機構 4 1 により、 光磁気ディスク 1 1 の半径方向に摺動移動されるように 構成されている。

この半径方向送り機構 4 1 には、 例えばポテンショ メータ等から なる位置センサ 4 2が設けられ、 この位置センサ 4 2により光ピッ クアップ 4 0からのレーザビーム走査スポッ トの光磁気ディスク 1 1の半径方向の位置、 すなわち再生位置が検知される。 この位置セ ンサ 4 2のセンサ出力は、 再生位置判別回路 4 3に供給される。 こ の 生位置判別回路 4 3からの光磁気ディスク 1 1上の再生位置出 力は、 前述した再生レーザパワー設定基準値発生用の R OM 2 4及 び再生磁界 H_re,_dを補正するための補正値発生用の R 0M 3 5に、 その読み出しァ ドレスとして供給される。

この例の場合には、 ROM2 4 と R 03 5には、 レーザパワー設 定基準値 R E Fと補正値との組により、 各再生位置の線速度が変化 しても再生領域 RD、 DTの大きさが変化せず、 常に一定となるよ うに、 それぞれ線速度に対応した各設定基準値及び補正値が記億さ れている。

従って、 再生位置の線速度に応じてレーザパワー及び再生磁界が 制御され、 前述した例と同様に、 光磁気ディスク 1 1のいずれの再 生位置においても、 常に一定の大きさの再生領域 R D又は D Tから の反射光により再生を行うので、 常に安定した再生が行う ことがで きるものである。

この例の場合も、 光磁気ディスク 1 1の半径方向を所定範囲毎に 分割し、 各分割範囲を代表する一の線速度にレーザパワー設定基準 値 R E F及び補正値が 1対 1 にが対応するようにして、 前記各分割 範囲毎に R 0M 2 4及び 3 5から異なる値を読み出すようにしても 良い。

なお、 前述の例と同様にして、 ROM2 4及び R0M 3 5の代わ りに位置センサ 4 2からの半径方向位置情報から再生レーザパワー 設定基準値 R E F及び補正値を求める演算回路を用いるようにして も良い。

以上の例では、 光磁気ディスクを C A V (回転速度一定） 方式で 回転駆動させるようにしたが、 この発明は、 いわゆるモディ フ ァイ ド C A V方式の回転駆動方式を採用する場合にも適用することがで きる。

すなわち、 モディ ファイ ド C A Vほ方式の光磁気ディスクにおい ては、 回転駆動方式は C A V方式を採るものであるが、 図 1 1 に示 すように、 ディスクの半径方向をいくつかのゾーン Z Nに分割し、 各ゾーン毎にデータクロッ ク周波数を変えて記録再生を行い、 ディ スクの内周側から外周側までの各ゾーン Z Nにおける線記録密度を 略々一定にして、 記録密度を高くするこ とができるようにしている, この場合、 各ゾーン Z N内では、 記録ピッ ト R Pは半径方向の ト ラ ッ ク位置に応じて線記録密度が変化するが、 その線記録密度の変 化はクロッ ク周波数に対してほとんど無視できる。

なお、 回転駆動方式として、 線速度一定 （ C L V ) 方式を採用す れば記録密度は高密度にするこ とができるが、 この C L Vの場合に は、 光磁気ディ スクの トラ ッ ク位置により回転数を変える制御が必 要であるため、 特にデータ記録用の場合に、 データアクセス時にス ピン ドルモータの回転数制御が複雑となり、 アクセス速度が遅く な つてしまう。 この点、 モディ ファイ ド C A V方式の場合には、 回転 駆動は C A Vで行う ことができ、 Ύクセス速度を速くするこ とがで き、 記録密度の向上と、 高速のデータアクセスを行う こ とができる という利点がある。

しかし、 光磁気ディ スクは回転数一定で回転するため、 上記の例 と同様に、 ディ スク半径方向の再生位置の違いにより線速度が異な り、 実質的な再生領域 R D又は D Tの大きさが異なってしまう こと

(こな o

そこで、 このモディ ファイ ド C A Vの回転駆動方式の光磁気ディ スク再生装置の場合には、 前述した再生位置での線速度に応じたレ 一ザパワーコン ト口ール又は再生磁界コン トロールあるいは両者の コン トロールを行って、 常に再生領域の大きさを一定にして、 安定 に再生を行う ものである。 この場合に、 このモディ ファイ ド C A V の場合には、 例えば内周側から何番目のゾーンかを示す情報がデー 夕中に書き込まれるので、 このゾーンの情報からそのゾーンの半径 方向の位置を検出し、 この半径位置情報に基づき、 ゾーン毎に一の 線速度を想定して前記のコン トロールを行うようにしてもよい。

以上のことから明らかなように、 上述したモディ フアイ ド C A V の回転駆動方式と、 消去タイプあるいは浮き出しタイプの再生方法 を組み合わせることにより、 回転駆動方式として C A Vを採用する 場合に比較して、 さらに高密度の記録再生ができるものである。 し かも、 この発明による再生方法をデータ記録用光磁気ディスクに適 用した場合に、 C L Vに比べてアクセス速度は速い。

さらに、 前述した消去型と浮き出し型とを混合したタイプの光磁 気ディスクに本発明を適用することもできる。

これらの光磁気記録媒体を用いた高密度再生技術によれば、 ビー ム · スポッ ト内の該ビーム · スポッ ト面積より も狭い部分の再生領 域のみから記録ピッ トの読み出しが可能となり、 しかも光磁気記録 媒体の線速度の変化があっても、 常に実質的な再生領域の大きさを 一定にすることができ、 安定に再生を行う ことができる。 従って、 高密度化が可能となり、 媒体記録容量の増大が図れると共に、 品質 のよい再生信号を常に得ることができる。

以上説明した本発明の実施例は、 信号の記録が可能な光磁気記録 媒体を用いる例であつたが、 次に、 本発明を反射率変化型の光記録 媒体に適用した実施例について、 以下に説明する。

この反射率変化型の光記録媒体に関する技術としては、 本件出願 人が先に特願平 2 — 9 4 4 5 2号の明細書及び図面において光ディ スクの信号再生方法を提案しており、 また、 特願平 2 - 2 9 1 7 7

3号の明細書及び図面において光ディスクを提案している。 すなわ ち、 前者においては、 信号に応じて位相ピッ トが形成されるととも に温度によって反射率が変化する光ディスクに対して読み出し光を 照射し、 読み出し光の走査スポッ ト内で反射率を部分的に変化させ ながら位相ピッ トを読み取ることを特徴とする光ディスクの信号再 生方法を提案しており、 後者においては、 位相ピッ トが形成された 透明基板上に、 相変化によって反射率が変化する材料層が形成され てなり、 読み出し光が照射されたときに、 上記材料層が、 読み出し 光の走査スボッ ト内で部分的に相変化するとともに、 読み出し後に は初期状態に戻ることを特徴とする、 いわゆる相変化型の光ディ ス クを提案している。

こ こで、 上記材料層として、 溶融後結晶化し得る相変化材料層を 用い、 読み出し光が照射されたときに、 この相変化材料層が読み出 し光の走査スポッ ト内で部分的に溶融結晶化領域で液相化して反射 率が変化すると共に、 読み出し後には結晶状態に戻るようにするこ とが好ま しい。

このような反射率変化型の光記録媒体、 特に相変化型の光ディ ス クを用いた本発明による再生方法の他の実施例が適用されたディ ス ク再生装置の要部を図 1 2に示す。

この図 1 2において、 光ディスク 1 0 0は、 反射率変化型、 特に 栢変化型の光ディスクであり、 読み出し光となる レーザ光が照射さ れて温度が上昇した部分の反射率が他の部分の反射率より低いもの が上記光磁気の場合の消去タイプに、 また、 温度が上昇した部分の 反射率が他の部分の反射率より高いものが上記光磁気の場合の浮き 出しタイプにそれぞれ対応する。 本実施例は、 いずれのタイプの相 変化型光ディスクも使用可能であるのみならず、 他の原理に基づく 反射率変化型の光ディスクも使用可能である。

I o この図 1 2の構成は、 上述した図 5の構成において、 磁界印加の ための磁界発生コィル 2 1、 ドライバ 2 2、 基準値発生回路 3 3を 除去し、 光磁気ディスク 1 1 の代わりに反射率変化型の光ディスク I 0 0を用いた点が異なるのみで、 他の構成は全く同じである。 すなわち、 この例においても、 前記トラックア ドレスを検出する 5

ことにより、 反射型光ディスク 1 0 0の半径方向の光ピックアップ 位置、 すなわち再生位置を検知し、 その再生位置における線速度に 応じてレーザ光パワーを制御することにより、 反射率が変化してい る部分の大きさを制御し、 レーザ光のビーム ' スポッ ト内の実質的 な再生領域である反射率の高い部分の大きさが常に一定になるよう 0

にしている。

図 1 2において、 レーザ光源 1 2からの光ビームが光ディスク 1 0 0に入射され、 レーザ光のビーム · スポッ トの内の一部領域とな る再生領域からの反射光が再生用フォ トディテクタ 1 3に入射され て光電変換され、 このフォ トディテクタ 1 3の出力信号は、 へッ ド 5

アンプ 1 4を介して信号処理回路 1 5に供耠されて R F信号が得ら れ、 これがデータ再生系に供給されて復調される。

また、 レーザ光源 1 2のレーザ光の一部は、 レーザパワーモニタ 用のフ ォ トディテクタ 1 6 に入射されて光電変換出力され、 オー ト ヮーコン トロール回路 2 2 に供給される。 ォ一 トパワーコ ン トロ ール回路 2 2では、 フ ォ トディテクタ 2 1 の出力と、 再生レーザ ヮ一設定基準値 R E Fとが比較され、 その比較誤差出力がレーザド ライブ回路 2 3 に供給され、 レーザ光源 1 2の出力パワーが制御さ 3 ø o

また、 レーザ光源 1 2のレーザ光の一部は、 レーザパワーモニタ 用のフ ォ トディテクタ 2 1 に入射される。 このフ ォ トディテクタ 2 1 の光電変換出力は、 以上の閉ループの制御により、 レーザ光源 1 2の出力パワーが、 再生レーザパワー設定基準値 R E Fに応じた値 になるように制御される。 この設定基準値 R E Fは、 反射率変化型 の光ディスク 1 0 0の半径方向の各再生位置における線速度に応じ たものとなるようにされている。

すなわち、 光ディスク 1 0 0の各トラッ ク位置における線速度に 1 対 1 に対応する再生レーザパワー設定基準値 R E Fのテーブルを 記憶している R O M 2 4が設けられる。 この場合、 この再生レーザ パワー設定基準値 R E Fとしては、 予め、 再生トラッ ク位置が各 ト ラ ッ ク位置であるときに、 その線速度の状態において、 光ディ スク 1 0 0の後述する実質的な再生領域の大きさが、 常に再生に適切な 一定の大きさとなるような値が検出されて、 R O M 2 4 に記憶され ている。 再生領域の大きさが最適の一定の大きさであるか否かは、 例えば所定の基準パターンの情報を再生したときに信号処理回路 1 5からの R F信号レベルが所定値になっているか否かにより検出で きる。

そして、 データ再生系 1 6のア ドレスデコーダ 1 7において、 再 生信号から トラッ クア ドレスが抽出されて識別される。 この トラ ッ クア ドレスは、 R O M 2 4にその読み出しア ドレスとして供給され る。 R O M 2 4からは再生トラッ ク位置での線速度に応じて異なる 再生レーザパワー設定基準値 R E Fが読み出される。 そして、 読み 出された設定基準値 R E Fが、 オー トパワーコン トロール回路 2 2 に供給され、 レーザ光源 1 2の出力パワーが、 その時の光ディ スク 1 0 0上の再生位置での線速度に応じて設定基準値 R E Fに応じた

I o ものとなるように制御される。

反射率変化型の光ディスク 1 0 0の場合も、 上述した光磁気ディ スクの場合と同様に、 光ディスク 1 0 0上の半径方向の再生位置が 変わると、 レーザビーム走査スポッ トに対する温度分布は、 再生位 置でのディスクの線速度に応じて変化してしまうが、 レーザ出力パ ヮ一が変化すれば、 反射率が変化する部分の大きさが変化する。 従 つて、 以上のようにレーザパワーをコントロールすることにより、 再生位置での光磁気ディスク 1 1 の線速度が変わっても、 上記再生 領域の大きさを一定に保つことができるものである。

以上のようにして、 反射率変化型の光ディスク 1 0 0の半径方向 0

の再生位置が変わって線速度が変化しても、 レーザパワーをコン ト ロールすることにより、 上記再生領域の大きさを一定に保つことが できるので、 常に、 安定な再生を行う ことができる。 この図 1 2の実施例の場合も、 上記光磁気ディスクを用いる場合 5

と同様な変形が可能であり、 例えばディスク回転驟動に伴う線速度 に基づいて、 読み出し光ビームの強度を制御するようにしたり、 光 記録媒体から読み出された信号のレベルに基づいて上記反射率の変 化している部分の大きさを制御するようにしてもよい。 また、 R〇 M 2 4を用いる代わりに、 設定値を演算により求めるようにしても よい。 さらに、 上記モディ ファイ ド C A Vの回転駆動方式を採用す る場合にも同様に適用することができる。

次に、 上記図 1 2の実施例に用いられる反射率変化型の光デイ ス ク 1 0 0 として、 溶融後結晶化し得る相変化材料層を用い、 読み出 し光が照射されたときに、 この相変化材料層が読み出し光の走査ス ポッ ト内で部分的に溶融結晶化領域で液相化して反射率が変化する と共に、 読み出し後には結晶状態に戻るような相変化型のディスク について説明する。

上記図 1 2の光ディスク 1 0 0 として用いられる上記相変化型の 光ディスクは、 図 1 3に要部の概略断面図を示すように、 位相ピッ ト 1 0 1 が形成された透明基板 1 0 2上 （図中では下面側） に、 第 1 の誘電体層 1 0 3を介して相変化材料層 1 0 4が形成され、 この 材料層 1 0 4の上 （図中の下面側、 以下同様） に第 2の誘電体層 1 0 5が形成され、 その上に反射膜 1 0 6が形成されてなつている。 これら第 1 の誘電体層 1 0 3及び第 2の誘電体層 1 0 5 によって光 学特性、 例えば反射率等の設定がなされる。

さらに必要に応じて、 反射膜 1 0 6の上に保護膜 （図示せず） が 被着形成されるこ とも多い。

この他、 この相変化型の光ディスクの構造としては、 例えば図 1 4 に示すように、 ピッ ト 1 0 1 が形成された透明基板 1 0 2上に直 接的に相変化材料層 1 0 4のみを密着形成したものを用いてもよく、 また、 図 1 5に示すように、 位相ピッ ト 1 0 1が形成された透明基 板 1 0 2上に、 第 1の誘電体層 1 0 3、 相変化材料層 1 0 4、 及び 第 2の誘電体層 1 0 5を順次形成したものを用いてもよい。

ここで、 上記透明基板 1 0 2としては、 ガラス基板、 ポリカーボ ネー トやメ夕ク リ レー ト等の合成樹脂基板等を用いることができ、 また、 基板上にフォ トポリマを被着形成してスタンパによって位栢 ピッ ト 1 0 1を形成する等の種々の構成を採ることができる。

上記相変化材料層 1 0 4に使用可能な材料としては、 読み出し光 の走査スポッ ト内で部分的に相変化し、 読み出し後には初期状態に i o 戻り、 相変化によって反射率が変化するものが挙げられる。 具体的 には、 S b₂ S e 3 、 S b 2 T e ₃ 等のカルコゲナイ ト、 すなわち カルコゲン化合物が用いられ、 また、 他のカルコゲナイ トあるいは 単体のカルコゲンとして、 S e、 T eの各単体、 さらにこれらの力 ルコゲナイ ト、 すなわち B i T e、 B i S e、 I n— S e、 I n— 5 S b— T e、 I n - S b S e、 I n— S e - T 1、 G e— T e— S b、 G e— T e等のカルコゲナイ ト系材料等が用いられる。 このよ うなカルコゲン、 カルコゲナイ トによって相変化材料相 1 0 4を構 成するときは、 その熱伝動率、 比熱等の特性を、 半導体レーザ光に よる読み出し光によって良好な温度分布を形成する上で望ましい特 0

性とすることができ、 後述するような溶融結晶化領域での溶融状態 の形成を良好に行う ことができ、 SZNあるいは CZNの高い超高 解像度の生成を行う ことができる。

また上記第 1の誘電体層 1 0 3及び第 2の誘電体層 1 0 5として は、 例えば S i 3 N₄ 、 S i〇、 S i 0₂ 、 A 1 N、 A 1₂ 〇₃ 、 5

Z n S. MgF₂ 等を用いることができる。 さらに、 上記反射膜 1 0 6 としては、 A l、 C u、 A g、 A u等を用いることができ、 こ れらの元素に少量の添加物が添加されたものであつてもよい。

以下、 相変化型の光ディスクの具体例として、 位相ピッ トが形成 された透明基板上に、 溶融後結晶化し得る相変化材料層が形成され てなり、 読み出し光が照射されたときに、 上記相変化材料層が読み 出し光の走査スポッ ト内で部分的に溶融結晶化領域で液相化して反 射率が変化すると共に、 読み出し後には結晶状態に戻るようなもの であって、 上記図 1 3の構成を有する光ディスクの具体例について 説明する。

図 1 3の透明基板 1 0 2 としては、 いわゆるガラス 2 P基板を使 用し、 この基板 1 0 2の一主面に形成される位相ピッ ト 1 0 1 は、 トラッ ク ピッチ 1 . 6 〃 m、 ピッ ト深さ約 1 2 0 0 A、 ピッ ト幅 0.

5 u mの設定条件で形成した。 そして、 このピッ ト 1 0 1 を有する 透明基板 1 0 2の一主面に厚さ 9 0 O Aの A 1 Nよりなる第 1 の誘 電体層 1 0 3を被着形成し、 これの上 （図では下面側、 以下同様） に相変化材料層 1 0 4 として S b ₂ S e ₃ を被着形成した。 さ らに、 これの上に厚さ 3 0 O Aの A 1 Nによる第 2の誘電体層 1 0 5を被 着形成し、 さらにこれの上に A 1 反射膜 1 0 6を 3 0 O Aの厚さに 被着形成した。

このような構成の光ディスクにおいて、 信号が記録されていない 部分すなわち位相ピッ ト 1 0 1 が存在しない鏡面部分を用いて、 先 ず以下の操作を行った。

すなわち、 最初に上記光ディ スクの 1 点にフ ォーカスさせるよう に例えば 7 8 0 n mのレーザ光を照射して、 徐冷して初期化 （結晶 化） する。 次に、 同一点にレーザパワー Pを、 0 < P≤ 1 0 m Wの 範囲で固定してレーザパルス光を照射した。 この場合、 パルス幅 t は、 2 6 0 n sec ≤ t ≤ 2 . 6 sec とした。 その結果、 パルス光 照射前と、 照射後の冷却 （常温） 後とで、 両固相状態での反射率が 変化すれば、 材料層が結晶から非晶質に変化したことになる。 そし て、 この操作で、 最初と最後で反射率変化がなかった場合でも、 パ ルス光の照射中に、 戻り光量が一旦変化したとすれば、 それは結晶 状態の膜が一旦液相化されて再び結晶化されたことを意味する。 こ のように一旦液相状態になって後、 温度低下によって再び結晶化状 態になり得る溶融化状態の領域を、 溶融結晶化領域と称する。

図 1 6は、 上述のように栢変化材料層 1 0 4 として S b ₂ S e ₃ を用いた場合において、 横軸に照射レーザ光パルス幅を、 縦軸にレ 一ザ光パワーをそれぞれとり、 これらの各値と相変化材料曆 1 0 4 の相状態を示したものである。 同図中、 曲線 aより下方の斜線を付 して示した領域 は、 相変化材料層 1 0 4が溶融化しない初期状 態を保持したままである場合の領域である。 同図において曲線 aよ り上方においてはレーザ光スポッ ト照射によって液相すなわち溶融 状態になるが、 特に曲線 a と b との間の領域 R ₂ は、 レーザ光スポ ッ トが排除されて （常温程度にまで） 冷却されることによって固相 化されたときに結晶化状態に戻る溶融結晶化領域であり、 これに対 して曲線 bより上方の交差斜線で示す領域 R ₃ は、 レーザ光スポッ トを排除して冷却されて固相化されたときに非晶質すなわちァモル ファス状態になる溶融非晶質化領域である。

本実施例の上記具体例においては、 図 1 6における溶融結晶化領 域 R ₂ での液栢状態が再生時に生じ得るように、 その再生時の読み 出し光の照射による加熱状態から常温までの冷却過程において、 そ の融点 M Pから固相化に至るに要する時間△ tが結晶化に要する時 間 t , より大となるように、 再生光パワー、 光ディスクの構成、 材 料、 各膜厚等の選定がなされる。

上記具体例において、 初期化状態の反射率すなわち結晶化状態の 反射率は 5 7 %、 溶融状態では 1 6 %であった。 そして、 その再生 パワーを 9 m Wとし、 線速を 3 m Z sec に設定して再生を行ったと きの C / Nは 2 5 d Bであった。

次に、 上述のような相変化型光ディ スクの他の具体例として、 相 変化材料層 1 0 4 に S b ₂ T e 3 を用いた場合において、 上記図 1 6 と同様にその相変化状態を測定した結果を図 1 7に示す。 この図 1 7において、 上記図 1 6 と対応する部分には同一符号を付して説 明を省略する。 この S b ₂ T e 3 を用いた具体例においては、 結晶 化状態、 すなわち初期化状態における反射率は 2 0 %、 溶融状態に おいては 1 0 %となった。

なお、 S b ₂ S e 3 、 S b 2 T e ₃ 等のカルコゲナイ トあるいは カルコゲンにおいて、 非晶質状態の反射率と、 溶融状態の反射率は 殆ど同程度の値を示す。 そして、 本発明の実施例に用いられる光デ イスクは、 その再生に当たって該光ディスクに対する走査スポッ ト 内における温度分布を利用して超高解像度をもって再生する。

こ こで、 上記相変化型光ディスクにレーザ光ビームを照射した場 合を、 図 1 8を参照しながら説明する。

図 1 8において、 横軸はスポッ トの走査方法 Xに関する位置を示 したもので、 今光ディ スクにレーザが照射されて形成されたビーム • スポッ ト S Pの光強度分布は、 同図中破線 aのようになる。 これ に対して相変化型材料層 1 0 4 における温度分布は、 ビーム · スポ ッ ト S Pの走査速度に対応してビーム走査方向 Xの後方側にやや遅 れて表れ、 同図中実線 bのようになる。

ここで、 レーザ光ビームが図中の矢印 X方向に走査されていると き、 媒体の光ディスクは、 ビーム ' スポッ ト S Pに対して、 走査方 向の先端側から次第に温度が上昇し、 遂には相変化型材料層 1 0 4 の融点 M P以上の温度となる。 この段階で、 相変化型材料層 1 0 4 は初期の結晶状態から溶融状態になり、 この溶融状態への移行によ つて、 例えば反射率が低下する。 この場合、 ビーム ' スポッ ト S P 内で図中斜線を付して示した領域 Ρ χ の反射率が低くなる。 すなわ

I o ち、 ビーム ■ スポッ ト S Ρ内で、 位相ピッ ト 1 0 1 の読み出しが殆 ど不可能な領域 Ρ χ と、 結晶化状態を保持した領域 Ρ _ζ とが存在す る。 従って、 図示のように同一スポッ ト S P内に例えば 2つの位相 ピッ ト 1 0 1 が存在している場合においても、 反射率が大なる領域 Ρ ζ に存在する 1 つの位相ピッ ト 1 0 1 に関してのみその読み出し

I 5 を行う ことができ、 他の位相ピッ トに関しては、 これが反射率が極 めて低い領域 にあってこれの読み出しがなされない。 このよう に、 同一スポッ ト S Ρ内に複数の位相ピッ ト 1 0 1 が存在しても、 単一の位相ピッ ト 1 0 1 に関してのみその読み出しを行うことがで きる。

0 従って、 上記読み出し光ビームの波長を； I、 対物レンズの開口数 を Ν Αとするとき、 上記読み出し光ビームの走査方向に沿った記録 信号の最短の位相ピッ ト間隔を Ι Ζ 2 Ν Α以下としても良好な読み 出しが行えることが明らかであり、 超高解像度をもつて信号の読み 出しを行う ことができ、 記録密度、 特に線密度の向上が図れ、 媒体 記録容量を増大させることができる。 ところで、 上述した例においては、 相変化材料層 1 0 4が溶融状 態のときに反射率が低く結晶状態で高い膜厚等の諸条件を設定した 場合であるが、 各層の構成、 厚さ、 相変化材料の構成、 厚さ等の諸 条件の選定によって溶融状態においての反射率を高め結晶状態にお ける反射率を低下させる構成とすることもでき、 この場合は、 図 1 8で示したレーザ光スボッ ト S P内の高温領域 P _x 内に 1 つの位相 ピッ ト 1 0 1 が存在するようにし、 この領域 P X にある 1 つの位相 ピッ ト 1 0 1 からのみその読み出しを行う構成とするこ とができる ( また、 レーザ光照射により温度が上昇して、 例えば上記溶融非晶質 化領域 R ₃ に達すること等により、 常温にまで冷却された状態では 上記結晶化状態等の初期状態に戻らないような不可逆的な相変化を 生ずる場合であっても、 何らかの手段で初期化する操作を行えばよ く、 本発明の要旨から逸脱するものではない。 例えば、 再生のため のレーザスボッ トの後に長円系のスポッ トを照射し、 相変化材料層 1 0 4を上記溶融結晶化領域 R ₂ にまで加熱したり、 融点 M P以下 で結晶化温度以上の温度に加熱してやれば、 相変化材料層 1 0 4 は 非晶質 （アモルフ ァス） 状態から結晶状態に復帰し、 いわゆる初期 化される。

また、 上述した実施例においては、 媒体の相変化により反射率を 変化させているが、 反射率変化はいかなる現象を利用したものであ つてもよ く、 例えば、 図 1 9 に示す本発明のさらに他の実施例のよ うに、 干渉フィルタにおける水分吸着による分光特性の変化を利用 して、 温度によって反射率を変化させてもよい。

すなわち、 この図 1 9 において、 位相ピッ ト 1 3 1 が形成された 透明基板 1 3 2上に、 屈折率の大き く異なる材料を、 それぞれ厚さ が再生光の波長 λの 1 /4となるように繰り返し成膜することによ り干渉フィル夕が形成されてなるものである。 本例では、 屈折率の 大きく異なる材料として、 Mg F層 1 3 3 (屈折率 1. 3 8 ) と、 Z n S層 1 3 4 (屈折率 2. 3 5 ) を採用した。 勿論、 これに限ら ず屈折率の差が大きくなる材料の組合せであれば如何なるものであ つてもよく、 例えば、 屈折率の小さな S i 0 (屈折率 1. 5) 等が 挙げられ、 また屈折率の大きな材料としては T i 0₂ (屈折率 2. 7 3) ゃ。 60₂ (屈折率 2. 3 5) 等が挙げられる。

上述の Mg F層 1 3 3や Z n S層 1 3 4は蒸着形成されるが、 こ れらを蒸着形成する際に、 到達真空度を例えば 1 0 _⁴ Torr 程度と 通常よりも低く設定すると、 膜構造がいわゆるポ一ラスなものとな り、 そこに水分が残留する。 そして、 この水分が残留した膜からな る干渉フィル夕においては、 室温と水の沸点近く まで温度を上げた 時とで、 例えば図 2 0に示すように、 反射率分光特性が大きく異な る。 すなわち、 室温では図中曲線 iで示すように波長； I _R を変曲点 とする特性を示すのに対して、 沸点近く にまで温度を上げると、 図 中曲線 iiで示すように波長 λ H を変曲点とする特性になり、 温度が 下がると再び曲線 iで示す特性に戻るというように、 急峻な波長シ フ トが観察される。 この現象は、 水分が気化することにより屈折率 が大き く変わり、 この影響で分光特性が変化することによるものと 考えられている。

従って、 再生光の光源の波長をこれら変曲点； I _R 、 λ Η の中間の 波長； I。 に選べば、 室温時と加熱時でダイナミ ッ クに反射率が変化 することになる。

本実施例では、 この反射率変化を利用して高密度再生を行う。 高 密度再生が可能となる原理は、 前述した図 1 8 とともに説明した通 りで、 この場合には水分が気化して波長シフ 卜が起こつた領域が高 反射率領域に相当し、 温度が上昇していない部分がマスクされた形 となる。 本例では温度が下がると反射率特性が元の状態に戻るので. 特別な消去操作は必要ない。

以上説明したような反射率変化型の光ディスクを、 上記図 1 2の 光ディ スク 1 0 0 として用いることにより、 光ディスク 1 0 0の半 径方向の位置に応じた線速度変化があっても、 常に実質的な再生領 域 （上記図 1 8の領域 P x 、 P z の内の反射率が高い方の領域） の 大きさを一定にすることができることから、 安定に再生を行う こと ができ、 品質の良い再生信号を常に得ることができる。

なお、 本発明は上記実施例のみに限定されるものではなく、 例え ば、 上記光記録媒体としては、 ディスク状のみならず、 カー ド状、 シー ト状等の記録媒体にも本発明を適用するこ とができる。

Claims

請 求 の 範 囲

1 . 記録層と再生層とを有し、 記録層と、 再生層とが定常状態で磁 気的に結合しており、 再生時の読み出し光ビームの照射により所定 温度以上に温度上昇する領域の前記記録層と再生層との磁気的結合 を消滅させ、 その磁気的結合消滅領域を除く光照射領域において前 記記録層に保持された記録情報を前記再生層から読み出すようにす る光記録媒体の再生方法において、

上記光記録媒体を一定の回転速度で回転させて再生を行う場合に、 光記録媒体上の再生位置を検出し、 その再生位置での線速度に応じ て上記磁気的結合消滅領域の大きさを制御するようにした光記録媒 体の再生方法。

2 . 上記光記録媒体の再生方法は、 上記光記録媒体の再生位置を検 出した出力に基づいて、 上記読み出し光ビームを上記光記録媒体に 照射するレーザ光源の出力制御を行うようにした請求項 1記載の光 記録媒体の再生方法。

3 . 上記光記録媒体の再生方法は、 上記光記録媒体の再生位置を検 出した出力と記億手段に記億された上記光記録媒体の線速度に対応 する上記レーザ光源の出力基準値とを比較した出力に基づいて上記 レーザ光源の出力制御を行うようにした請求項 2記載の光記録媒体 の再生方法。

4 . 上記光記録媒体の再生方法は、 上記光記録媒体を再生した出力 のレベルに基づいて上記磁気的結合消滅領域の大きさを制御するよ うにした請求項 1 記載の光記録媒体の再生方法。

5 . 記録層と再生層とを有し、 再生層の磁化の方向を揃えた後、 再 生時の読み出し光ビームの照射により所定温度以上に温度上昇する 領域の上記記録層に保持された記録情報を再生層に転写させて浮き 出させ、 この再生層の浮き出し領域から前記記録情報を読み出すよ うにする光記録媒体の再生方法において、

上記光記録媒体を一定の回転速度で回転させて再生を行う場合に 光記録媒体上の再生位置を検出し、 その再生位置での線速度に応じ て上記浮き出し領域の大きさを制御するようにした光記録媒体の再 生方法。

6 . 上記光記録媒体の再生方法は、 上記光記録媒体の再生位置を検 出した出力に基づいて、 上記読み出し光ビームを上記光記録媒体に 照射するレーザ光源の出力制御を行うようにした請求項 5記載の光 記録媒体の再生方法。

7 . 上記光記録媒体の再生方法は、 上記光記録媒体の再生位置を検 出した出力と記憶手段に記憶された上記光記録媒体の線速度に対応 する上記レーザ光源の出力基準値とを比較した出力に基づいて上記 レーザ光源の出力制御を行うようにした請求項 6記載の光記録媒体 の再生方法。

8 . 上記光記録媒体の再生方法は、 上記光記録媒体の再生位置を検 出した出力に基づいて、 上記読み出し光ビームと上記光記録媒体を 挟んで相対向する側より外部磁界発生手段によって上記光記録媒体 に印加される外部磁界の強さを制御するようにした請求項 5又は 6 記載の光記録媒体の再生方法。

9 . 上記光記録媒体の再生方法は、 上記光記録媒体の再生位置を検 出した出力と記億手段に記憶された上記光記録媒体の線速度に対応 する補正値を、 上記読み出し光ビームと上記光記録媒体を挟んで相 対向する側より上記光記録媒体に外部磁界を印加する外部磁界発生 手段の入力信号に加算することによって、 上記外部磁界発生手段か ら外部磁界の強さを制御するようにした請求項 5又は 6記載の光記 録媒体の再生方法。

1 0 . 上記光記録媒体の再生方法は、 上記光記録媒体を再生した出 力のレベルに基づいて上記磁気的結合消滅領域の大きさを制御する ようにした請求項 5記載の光記録媒体の再生方法。

1 1 . 信号に応じて位相ピッ トが形成されるとともに温度によって 反射率が変化する光ディスクに対して読み出し光ビームを照射し、 i o 読み出し光ビームの走査スポッ ト内で反射率を部分的に変化させな がら位栢ピッ トを読み取るようにした光記録媒体の再生方法におい て、

上記光記録媒体を一定の回転速度で回転させて再生を行う場合に、 光記録媒体上の再生位置を検出し、 その再生位置での線速度に応じ 5 て上記読み出し光ビームの走査スポッ ト内で反射率が変化している 部分の大きさを制御するようにした光記録媒体の再生方法。

1 2 . 上記光記録媒体の再生方法は、 上記光記録媒体の再生位置を 検出した出力に基づいて、 上記読み出し光ビームを上記光記録媒体 に照射するレーザ光源の出力制御を行うようにした請求項 1 1記載 0 の光記録媒体の再生方法。

1 3 . 上記光記録媒体の再生方法は、 上記光記録媒体の再生位置を 検出した出力と記億手段に記憶された上記光記録媒体の線速度に対 応する上記レーザ光源の出力基準値とを比較した出力に基づいて上 記レーザ光源の出力制御を行うようにした請求項 1 2記載の光記録 媒体の再生方法。

1 4 . 上記光記録媒体の再生方法は、 上記光記録媒体を再生した出 力のレベルに基づいて上記読み出し光ビームの走査スポッ ト内で反 射率が変化している部分の大きさを制御をするようにした請求項 1 1記載の光記録媒体の再生方法。