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TWI831860B - 基板處理裝置、開閉基板收納容器的蓋之方法、以及程式 - Google Patents

基板處理裝置、開閉基板收納容器的蓋之方法、以及程式 Download PDF

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TWI831860B
TWI831860B TW108139667A TW108139667A TWI831860B TW I831860 B TWI831860 B TW I831860B TW 108139667 A TW108139667 A TW 108139667A TW 108139667 A TW108139667 A TW 108139667A TW I831860 B TWI831860 B TW I831860B
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module
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遠藤榮幾
高塚宏行
向山達也
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明之課題為抑制微粒附著在基板收納容器內成為待機狀態的基板。 基板處理裝置係具有基板處理部與控制部。基板處理部係具有載置埠，該載置埠係構成為配置有至少收納有1片基板的基板收納容器。基板處理部係構成為會將基板從載置埠所配置之基板收納容器取出，來對該基板施予一連串處理。控制部係構成為會控制載置埠所配置之基板收納容器之蓋的開閉。控制部係以下述方式進行控制：當基板收納容器被配置於載置埠後會打開蓋。控制部係以下述方式進行控制：當基板處理部中發生異常狀態而經過預先設定的時間，且從基板收納容器所取出之基板當中沒有可回收至該基板收納容器的基板之情況，會關閉蓋。

Description

基板處理裝置、開閉基板收納容器的蓋之方法、以及程式
本揭示係關於一種基板處理裝置、開閉基板收納容器的蓋之方法、以及程式。
專利文獻1中揭示一種基板收納容器之吹淨方法，係在朝基板收納容器內持續供應乾燥氣體之狀態下，打開該基板收納容器的蓋，並在該基板收納容器內的基板處理結束後，會關閉蓋來停止該乾燥氣體的供應之方法。依據專利文獻1所記載之基板收納容器的吹淨方法，便可藉由將基板收納容器內維持在低濕度的狀態，來防止在基板收納容器內生成SiO2或氟酸，藉此將基板收納容器內的基板保持在良好的狀態。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2013-179287號公報
本揭示相關之技術係抑制微粒附著在基板收納容器內成為待機狀態的基板。
本揭示一樣態為一種基板處理部，具有：基板處理部，係具有載置埠，該載置埠係構成為配置有至少收納有1片基板的基板收納容器，該基板處理部係構成為會將基板從該載置埠所配置之該基板收納容器取出，來對該基板施予一連串處理；以及控制部，係構成為會控制該載置埠所配置之該基板收納容器之蓋的開閉；該控制部係以下述方式進行控制：當該基板收納容器被配置於該載置埠後，會打開該蓋；該控制部係以下述方式進行控 制：當該基板處理部中發生異常狀態而經過預先設定的時間，且從該基板收納容器所取出之基板當中沒有可回收至該基板收納容器的基板之情況，會關閉該蓋。
依據本揭示，便可抑制微粒附著在基板收納容器內成為待機狀態的基板。
1:晶圓處理裝置
100:晶圓匣盒
102:蓋
W:晶圓
圖1係顯示本實施型態相關之晶圓處理裝置的一構成例之平面圖。
圖2係顯示本實施型態相關之晶圓匣盒的一構成例之側視圖。
圖3係顯示本實施型態相關之晶圓處理一範例之流程圖。
圖4係概略顯示本實施型態相關之晶圓處理的處理路徑之說明圖。
圖5係依處理配方來顯示晶圓處理的一連串流程之說明圖。
圖6係依處理配方來顯示晶圓處理的一連串流程之說明圖。
圖7係依處理配方來顯示晶圓處理的一連串流程之說明圖。
圖8係依處理配方來顯示晶圓處理的一連串流程之說明圖。
圖9係依處理配方來顯示晶圓處理的一連串流程之說明圖。
圖10係依處理配方來顯示晶圓處理的一連串流程之說明圖。
圖11係依處理配方來顯示晶圓處理的一連串流程之說明圖。
半導體元件之製程係在例如被維持在高清潔度之所謂的潔淨室內進行。另一方面，伴隨著半導體晶圓(基板；以下稱作「晶圓」)以及用以處理晶圓之各種處理模組的大型化，潔淨室的運行成本日益上升。因此，近年來，係採用僅會高度地維持被使用於處理模組內部及處理模組間的晶圓傳遞且被稱作所謂的FOUP(Front-Opening Unified Pod)之基板收納容器(以下稱作「晶圓匣盒」)內部的清潔度之方法。
晶圓匣盒係構成為能夠以相互平行之狀態來多層地收納複數晶圓。該晶圓匣盒在被搬入至晶圓處理裝置的載置埠後，會打開蓋來將內部所收納之晶圓朝晶圓處理裝置的內部搬出。然後，針對從晶圓匣盒被搬出後的晶 圓，而在晶圓處理裝置內所設置之複數處理模組施予某種處理後，會朝例如與該晶圓被搬出後的晶圓匣盒相同之晶圓匣盒搬入(回收)，並關閉蓋。
如此般地，晶圓匣盒的蓋在搬出所收納的晶圓之際會被打開，且在該晶圓的處理結束，該晶圓再次被搬入(回收)至晶圓匣盒內的期間，會被維持為一直是打開的狀態。然而，若如此般地在晶圓的處理中來維持晶圓匣盒之蓋的打開狀態，則晶圓匣盒的內部便會被曝露在晶圓處理裝置的氛圍。其結果，晶圓匣盒的內部會被污染，而有前述微粒附著在晶圓匣盒內部之待機中的晶圓之虞。
尤其是例如當晶圓處理裝置中發生某種異常狀態，而變得無法搬送晶圓的情況，若維持晶圓匣盒之蓋的打開狀態，則晶圓匣盒的內部便會更長時間地被曝露在晶圓處理裝置的氛圍。亦即，微粒附著在晶圓匣盒內部之待機中的晶圓之可能性會提高。又，例如，即便是晶圓匣盒內部所收納之所有晶圓皆已被搬出至晶圓處理裝置的內部後之情況，如上述般地，會因晶圓匣盒的內部氛圍被污染，而有微粒附著在後續被回收的晶圓之虞。
如以上所述，尤其是當晶圓處理裝置中發生某種異常狀態的情況。為了抑制晶圓匣盒的內部被污染，便必須縮短載置埠所載置之晶圓匣盒的內部曝露在晶圓處理裝置的氛圍之時間。亦即，必須藉由縮短晶圓匣盒之蓋的打開時間，來抑制微粒附著在晶圓。然而，專利文獻1中並未記載在晶圓處理裝置發生異常狀態之際，例如藉由關閉晶圓匣盒的蓋，來將晶圓匣盒內部所收納之晶圓維持在良好狀態的情況。
因此，本揭示相關之技術係抑制微粒附著在晶圓匣盒內成為待機狀態中的晶圓。具體而言，係在晶圓處理裝置中發生異常狀態等條件下，會關閉載置埠所載置之晶圓匣盒的蓋。
以下，針對本實施型態，參見圖式來加以說明。此外，本說明書中，針對實質地具有相同功能構成之要素係賦予相同符號而省略重複說明。
<晶圓處理裝置>
圖1係顯示本實施型態相關之作為基板處理裝置的晶圓處理裝置1之構成概略之平面圖。本實施型態中係以晶圓處理裝置1乃具有會對晶圓W 進行COR處理、PHT處理及CST處理之各種處理模組的情況為例來加以說明。此外，晶圓處理裝置1的模組構成並未侷限於此，可任意選擇。
如圖1所示，晶圓處理裝置1係具有晶圓處理部2(基板處理部)與控制部80。晶圓處理部2係構成為會將晶圓W從後述載置埠31所配置之晶圓匣盒100取出，來對該晶圓W施予一連串處理。晶圓處理部2係具有被維持為大氣壓氛圍之大氣部10、被維持為減壓氛圍之減壓部11、以及加載互鎖模組20a、20b，大氣部10及減壓部11係透過加載互鎖模組20a、20b而相連接。
加載互鎖模組20a為了將從大氣部10的後述載置模組30所搬送之晶圓W傳遞至減壓部11的後述轉移模組60，會暫時地保持晶圓W。加載互鎖模組20a係具有用以保持晶圓W之儲存器21a。
加載互鎖模組20a係透過設置有閘閥22a之閘門23a而連接於載置模組30。又，加載互鎖模組20a係透過設置有閘閥24a之閘門25a而連接於轉移模組60。
此外，加載互鎖模組20b係具有與加載互鎖模組20a相同的構成。亦即，加載互鎖模組20b係具有儲存器21b、載置模組30側的閘閥22b與閘門23b、以及轉移模組60側的閘閥24b與閘門25b。
此外，加載互鎖模組20a、20b的數量或配置並未限定於本實施型態，可任意地設計。
大氣部10係具備有具有晶圓搬送機構40之載置模組30、配置有可收納及搬送1片或複數片晶圓W來作為基板收納容器的晶圓匣盒100之載置埠31、以及會在大氣壓氛圍下對晶圓W進行處理之大氣壓下處理模組。大氣壓下處理模組係具有會冷卻晶圓W之CST模組32，以及會調節晶圓W的水平方向方位之ORT模組33。
此外，載置埠31、CST模組32及ORT模組33的數量或配置並未限定於本實施型態，可任意地設計。
又，載置模組30係具有晶圓搬送機構40。晶圓搬送機構40係具有會保持並移動晶圓W之晶圓搬送臂41、可旋轉地支撐晶圓搬送臂41之旋轉台42、以及搭載有旋轉台42之旋轉載置台43。
晶圓搬送機構40可藉由晶圓搬送臂41的伸縮及旋轉台42的旋轉而在與載置埠31所載置之晶圓匣盒100、加載互鎖模組20a、20b、CST模組32及ORT模組33之間搬送晶圓W。
載置埠31如圖2所示，係具有會將晶圓匣盒100載置於上面之載置台50。晶圓匣盒100係以等間隔來多層且重疊般地收納複數(例如1批次25片)晶圓W。此外，晶圓匣盒100呈箱形，係於和形成載置模組30之區隔壁51呈對向所載置之面具有開口101，且具有嵌合於該開口101來將晶圓匣盒100密閉之蓋102。
載置台50係藉由區隔壁51的外面所設置之支撐組件(圖中未顯示)而被加以支撐。又，載置台50係構成為可藉由移動機構(圖中未顯示)而在水平方向上移動自如，並且載置台50會和晶圓匣盒100一起相對於區隔壁51而移動於前後方向。
區隔壁51對向於蓋102的位置係設置有埠門52。埠門52係構成為可讓載置台50移動來使蓋102抵接於埠門52，藉此保持蓋102。
又，埠門52係構成為會藉由驅動機構(圖中未顯示)而開閉自如，在埠門52與蓋102相抵接之狀態下，藉由使該驅動機構作動，便可開閉晶圓匣盒100的蓋102。如此般地，藉由打開埠門52與蓋102來使晶圓處理裝置1的內部與晶圓匣盒100的內部相連通，則晶圓搬送機構40便可相對於晶圓匣盒100來做存取。亦即，可將晶圓W從晶圓匣盒100搬入至晶圓處理裝置1。
回到圖1的說明。CST模組32會針對在後述PHT模組62中被加熱後的晶圓W來進行冷卻處理。
ORT模組33會調節晶圓W自基準位置(例如刻槽位置)之水平方向的方位。
減壓部11係具有會在減壓氛圍下搬送晶圓W之轉移模組60，以及會在減壓氛圍下針對從轉移模組60搬送而來的晶圓W進行處理之減壓下處理模組。減壓下處理模組係具有會進行COR處理之COR模組61，以及會進行PHT處理之PHT模組62。COR模組61及PHT模組62係相對於轉移模組60而設置為複數個(例如各3個)。
如上所述，轉移模組60係透過閘閥24a、24b而連接於加載互鎖模組20a、20b。轉移模組60係由內部為矩形的框體所構成，在將被搬入至加載互鎖模組20a之晶圓W搬送至一COR模組61，並依序施予COR處理與PHT處理後，會透過加載互鎖模組20b來搬出至大氣部10。
COR模組61會對台座63所載置之晶圓W進行COR處理。又，COR模組61係透過設置有閘閥64之閘門65而連接於轉移模組60。
PHT模組62會對台座66所載置之晶圓W進行PHT處理。又，PHT模組62係透過設置有閘閥67之閘門68而連接於轉移模組60。
又，轉移模組60的內部係設置有會搬送晶圓W之晶圓搬送機構70。晶圓搬送機構70係具有會保持並移動晶圓W之搬送臂71a、71b；可旋轉地支撐搬送臂71a、71b之旋轉台72；以及搭載有旋轉台72之旋轉載置台73。又，轉移模組60的內部係設置有延伸於轉移模組60的長邊方向之導軌74。旋轉載置台73係構成為設置於導軌74上，且會讓晶圓搬送機構70沿著導軌74移動。
轉移模組60中，會以搬送臂71a來收取加載互鎖模組20a中所保持的晶圓W並搬送至COR模組61。又，搬送臂71a會保持已施予COR處理後的晶圓W並搬送至PHT模組62。又，進一步地，搬送臂71b會保持已施予PHT處理後的晶圓W並搬出至加載互鎖模組20b。
如上所述，晶圓處理裝置1係設置有控制部80。控制部80係構成為會控制載置埠31所配置之晶圓匣盒100之蓋102的開閉。控制部80係構成為會控制晶圓處理部2的各模組(例如對象之控制相關的模組)。控制部80係以下述方式進行控制：當晶圓匣盒100被配置於載置埠31後會打開蓋102。控制部80係以下述方式進行控制：當晶圓處理部2的任一模組中發生異常狀態而經過預先設定的時間，且從晶圓匣盒100所取出之晶圓W當中沒有可回收至晶圓匣盒100的晶圓之情況，會關閉蓋102。控制部80係以下述方式進行控制：當經過預先設定的時間後，會將可回收之晶圓W回收至晶圓匣盒100。控制部80係以下述方式進行控制：當可回收之晶圓W被回收至晶圓匣盒100後，會關閉蓋102。控制部80係以下述方式進行控制：當晶圓處理部2中發生異常狀態的情況，會停止一連串處理。控制部80係以 下述方式進行控制：在經過預先設定的時間之前，當異常狀態已被解除的情況，不會關閉蓋102而是會再次開始一連串處理。控制部80係以下述方式進行控制：在關閉蓋102後，當異常狀態已被解除的情況，會再次打開蓋102。預先設定的時間可以各種觀點來任意做設定。例如，預先設定的時間可設定為以晶圓W從晶圓匣盒100被取出之時點來作為起點，或是設定為以發生異常狀態之時點來作為起點。控制部80為例如電腦，係具有程式儲存部(圖中未顯示)。程式儲存部係儲存有用以控制晶圓處理裝置1中之晶圓W的處理之程式。又，程式儲存部係儲存有用以藉由處理器來控制各種處理之控制程式，或用以對應於處理條件來將晶圓W搬送至晶圓處理裝置1的各構成部之程式，即搬送配方。此外，上述程式亦可被記錄在能夠讓電腦讀取之記憶媒體，且由該記憶媒體被安裝在控制部80。
此外，晶圓處理裝置1除了控制部80以外亦可相對於各模組而個別地設置有控制部(圖中未顯示)。亦即，亦可進一步地設置有例如用以控制COR模組61的動作之COR處理用控制部、用以控制PHT模組62的動作之PHT處理用控制部、或用以控制搬送模組的動作之搬送用控制部等。
此外，以下的說明中，會有將ORT模組33、COR模組61、PHT模組62、CST模組32及加載互鎖模組20a、20b合稱作「處理模組」的情況。又，會有將晶圓搬送機構40及晶圓搬送機構70合稱作「搬送模組」的情況。
<晶圓處理裝置1中的晶圓處理>
接下來，針對晶圓處理裝置1中的晶圓處理來加以說明。圖3係顯示晶圓處理裝置1中之一晶圓處理範例的一流程範例之流程圖。又，圖4係顯示圖3所示之晶圓處理的處理路徑之說明圖。
首先，將收納有複數晶圓W之晶圓匣盒100搬入並載置於晶圓處理裝置1的載置埠31(圖3之步驟S1、圖4之位置P1)。之後，使晶圓匣盒100的蓋102與埠門52相抵接，並連同埠門52的動作來打開蓋102(圖3之步驟S2)。
當晶圓匣盒100的蓋102被打開後，接著，控制部80會藉由匹配機構(mapping mechanism，圖中未顯示)來取得晶圓匣盒100所收納之晶圓W的資訊(圖3之步驟S3)。之後，控制部80會判斷是否開始對晶圓進行一連串 處理。例如，控制部8在檢測出晶圓處理部2的任一模組有異常之情況，會判斷為不開始一連串處理。此情況下，控制部80係以下述方式進行控制：不開始一連串處理，而是會關閉晶圓匣盒100的蓋102。
另一方面，控制部80在判斷為開始一連串處理之情況，會控制晶圓處理部2的各模組來將晶圓W從晶圓匣盒100取出。例如，晶圓搬送機構40的晶圓搬送臂41會相對於晶圓匣盒100來做存取。然後，相對於晶圓處理裝置1的晶圓處理部2，首先將1片晶圓W從晶圓匣盒100取出(圖3之步驟S4)，並開始一連串的晶圓處理工序(圖3之步驟S5)。此外，晶圓匣盒100所收納的其他晶圓W雖會隨著首先被搬出之晶圓W之晶圓處理的進行而依序被搬出，但直到如此般地被搬出為止的期間，會在晶圓匣盒100的內部中成為待機狀態。
晶圓W的處理時，從被搬入至載置埠31之晶圓匣盒100所搬出的晶圓W首先會藉由晶圓搬送機構40而被搬送至ORT模組33(圖3之步驟S5-1，圖4之位置P2)。在ORT模組33中，晶圓W會被調節(對位處理)自基準位置(例如刻槽位置)之水平方向的方位。
水平方向的方位已被調節後的晶圓W會藉由晶圓搬送機構40而被搬入至加載互鎖模組20a(圖4之位置P3)。
接著，藉由晶圓搬送機構70的搬送臂71a來保持晶圓W，並從加載互鎖模組20a搬入至轉移模組60。
接著，打開閘閥64來使保持有晶圓W之搬送臂71a進入至COR模組61。然後，將晶圓W從搬送臂71a來載置於台座63。
接著，關閉閘閥64並在COR模組61中對晶圓W進行COR處理(圖3之步驟S5-2，圖4之位置P4)。
接著，當COR模組61中的COR處理結束後，將晶圓W從台座63來傳遞至搬送臂71a，並以搬送臂71a來保持晶圓W。
接著，打開閘閥67來使保持有晶圓W之搬送臂71a進入至PHT模組62。然後，將晶圓W從搬送臂71a來載置於台座66。之後，關閉閘閥67來對晶圓W進行PHT處理(圖3之步驟S5-3，圖4之位置P5)。
另外，此時，取出在晶圓匣盒100中待機之下一晶圓W並搬入至加載互鎖模組20a，且透過轉移模組60來搬送至COR模組61。然後，對該下一晶圓W進行COR處理。
接下來，當晶圓W的PHT處理結束後，將晶圓W從台座66來傳遞至搬送臂71b，並以搬送臂71b來保持晶圓W。
之後，打開閘閥24b並藉由晶圓搬送機構70來將晶圓W搬入至加載互鎖模組20b(圖4之位置P6)。當晶圓W被搬入至加載互鎖模組20b內後，便關閉閘閥24b來使加載互鎖模組20b內被密閉而開放在大氣中。然後，打開閘閥22b並藉由晶圓搬送機構40來將晶圓W收納在CST模組32，而進行例如1分鐘的CST處理(圖3之步驟S5-4，圖4之位置P7)。
此時，藉由搬送臂71a來將COR處理結束後的下一晶圓W搬送至PHT模組62，而進行PHT處理。又，進一步地，從晶圓匣盒100來取出再下一晶圓W並搬入至加載互鎖模組20a，且透過轉移模組60來搬送至COR模組61。然後，對再下一晶圓W進行COR處理。如此般地，在晶圓匣盒100中待機之複數晶圓W便會依序朝晶圓處理裝置1的內部被搬出，來進行一連串的晶圓處理。
當CST處理完成後，藉由晶圓搬送機構40來將晶圓W搬入至載置埠31所載置的晶圓匣盒100(圖3之步驟S6，圖4之位置P1)。然後，被搬入至晶圓匣盒100之晶圓W直到該晶圓匣盒100所收納之其他晶圓W的晶圓處理完成且被回收至晶圓匣盒100為止會成為待機狀態。
當所有晶圓W皆被回收至晶圓匣盒100(圖3之步驟S6)，且處理模組所進行之一連串的晶圓處理結束後，會連同埠門52的動作來關閉蓋102(圖3之步驟S7)。
然後，當晶圓匣盒100的蓋102被關閉後，會從晶圓處理裝置1的載置埠31來將該晶圓匣盒100搬出(圖3之步驟S8)，便結束晶圓處理裝置1中的一連串處理。
此外，如圖1所示般地，當晶圓處理裝置1中設置有複數COR模組61及PHT模組62的情況，可使複數COR模組61及PHT模組62分別並行地 作動。亦即，例如晶圓W、前述下一晶圓W、前述再下一晶圓W係可同時進行COR處理及PHT處理。
又，在以上的說明中，晶圓W雖係以單片式，亦即，1片片地在晶圓處理裝置1的內部被處理，但晶圓處理裝置1的構成並未侷限於此。例如晶圓處理裝置1亦可構成為2片以上，亦即，可同時地在同一模組中搬送並處理即2片以上的晶圓W。
此外，以上的晶圓處理中，晶圓匣盒100從晶圓處理裝置1中之晶圓W的處理開始到結束為止(圖3之步驟S2~步驟S7)，會在打開蓋102之狀態下待機。亦即，被搬入至晶圓處理裝置1之晶圓匣盒100在晶圓處理開始時，蓋102便會被打開，而在晶圓處理的期間，則是會維持上述打開狀態，當晶圓處理結束且所有晶圓W皆被回收至晶圓匣盒100後，蓋102便會被關閉。
然而，當蓋102的開閉動作如上述般地被控制之情況，例如在晶圓處理中途發生異常狀態而無法將晶圓W朝晶圓匣盒100搬入(回收)之情況，則蓋102便會成為一直是維持在打開狀態下被加以載置之狀態。亦即，由於無法確認因異常狀態而無法被回收之晶圓W的搬入(回收)，故會判斷為繼續晶圓處理，而在打開蓋102之狀態下持續等待該無法回收之晶圓W的搬入。
上述情況下，晶圓匣盒100的內部便會成為與晶圓處理裝置1的內部相連通之狀態，而如上述般地，會有晶圓匣盒100的內部氛圍被污染，導致微粒附著在該晶圓匣盒100內部之待機中的晶圓W之虞。又同樣地，亦會有微粒附著在後續被回收的晶圓W之虞。
<本實施型態相關之晶圓匣盒之蓋的開閉>
關於用以抑制微粒附著在上述晶圓W之實施型態，參見圖式來加以說明。本實施型態係在晶圓處理裝置1中之晶圓處理當中，當因某種原因而難以相對於晶圓匣盒100來搬送晶圓W之情況，會藉由暫時地關閉晶圓匣盒100的蓋102，來抑制微粒附著在晶圓W。
關閉晶圓匣盒100的蓋102之條件大致地分類，舉例有例如以下(A)~(C)所示之3種模式的異常狀態。此外，蓋102的關閉條件並未限定於以下模式，而亦可設定為可在任意時間點關閉蓋102。
(A)在晶圓處理開始後，當晶圓處理裝置1所具備之任一處理模組中發生異常狀態的情況(亦即，在一連串的晶圓處理開始後，控制部80藉由訊號的接收等而檢測出任一處理模組發生異常狀態的情況)。
(B)在晶圓處理開始後，當晶圓處理裝置1所具備之任一處理模組中發生故障的情況(亦即，在一連串的晶圓處理開始後，控制部80藉由訊號的接收等而檢測出任一處理模組發生故障的情況)。
(C)在晶圓處理開始後，若晶圓處理裝置1中已無搬送中的晶圓W之情況(亦即，在一連串的晶圓處理開始後，當控制部80藉由訊號的接收等而檢測出無搬送中的晶圓W之情況)。
圖5~圖11係依處理配方來加以顯示晶圓處理裝置1之晶圓處理部2中的晶圓處理一連串流程之說明圖。此外，圖5~圖11中，舉一例，係顯示以1批次4片來進行晶圓處理之情況，針對上述4片晶圓W而分別從第一片晶圓依序賦予晶圓W1、W2、W3、W4的號碼。又，圖中左端列的縱軸係表示晶圓處理中的時間t，例如圖5的時間「t1」中，係表示所有晶圓W1~W4皆已被收納在晶圓匣盒100。
又，圖5~圖9、圖11中的白色叉記號係表示發生異常狀態的模組及其時間，晶圓W無法越過該白色叉記號來進行搬送。亦即，無法通過處理路徑中發生異常狀態的該模組。又，圖10中的黑色叉記號係表示遺失晶圓W及其時間。此外，圖5~圖11中之晶圓匣盒100的列所示之網塊係表示蓋102的關閉時間點。
(A)在晶圓處理開始後，當晶圓處理裝置1之晶圓處理部2所具備的任一處理模組中發生異常狀態之情況
首先，針對從晶圓匣盒100被搬出之晶圓W的處理路徑上所位處之處理模組已變得無法使用之情況來加以說明。此外，處理模組無法使用係指例如以下所示者。
(a)該處理模組中發生錯誤(故障)，而等待自該錯誤修復(復原)的情況。
(b)該處理模組成為維修保養狀態之情況。
(c)該處理模組中，從被搬入至晶圓處理裝置1之其他晶圓匣盒100所搬送之其他晶圓W的處理已先被進行之情況。
(A-I)較處理晶圓W1中的模組要位在下游路徑之處理模組已變得無法使用之情況
圖5係圖示t4中，較處理第一片晶圓W1中的COR模組61要位在下游路徑之例如PHT模組62已變得無法使用之情況。此情況下，晶圓搬送機構70會無法將晶圓W1搬入至PHT模組62。於是，由於無法對已開始的晶圓W1完成一連串的晶圓處理，故便無法將晶圓W1回收至晶圓匣盒100。因此，當控制部80檢測出PHT模組62發生異常狀態時，便會控制晶圓處理部2的各模組來停止一連串處理。此情況下，控制部80係以下述方式進行控制：例如會立即停止PHT模組62的處理。又，控制部80係以下述方式進行控制：例如在檢測出PHT模組62發生異常狀態之時點，當位在其上游側之COR模組61中已進行晶圓W的處理之情況，則是在COR處理完成後才停止COR模組61。此外，當其他PHT模組可正常地動作之情況，控制部80亦可不停止COR模組61，而是使用其他PHT模組來繼續一連串處理。然後，控制部80係以下述方式進行控制：在經過預先設定的時間後，亦即成為t5之際，當未檢測出該異常狀態已解除的情況，則會關閉晶圓匣盒100的蓋102。藉此，即便是發生異常狀態的情況，而仍可減少晶圓匣盒100的內部曝露在晶圓處理裝置1的氛圍之時間。亦即，尤其可抑制微粒附著在晶圓匣盒100中之待機中的晶圓W4。
又，如圖5所示，關於晶圓W2及W3，由於尚未開始COR處理，故可藉由晶圓搬送機構40來回收至晶圓匣盒100。基於以上所述，當控制部80檢測出發生異常狀態且經過預先設定的時間後，會控制晶圓處理部2的各模組，而在將晶圓W2及W3回收至晶圓匣盒100後才關閉晶圓匣盒100的蓋102。藉此，則不僅是晶圓匣盒100中成為待機狀態的晶圓W4，且亦可抑制微粒附著在已從晶圓匣盒100被搬出的晶圓W2及W3。基於以上所述，晶圓匣盒100的蓋102最好是在控制部80檢測出發生異常狀態且經過 預先設定的時間後，且為已無可回收至晶圓匣盒100的晶圓W之時間點會被關閉。
另一方面，控制部80在經過預先設定的時間之前，例如在圖5中的t5之前便檢測出該異常狀態已解除之情況，可控制晶圓處理裝置1而不關閉晶圓匣盒100的蓋102，而是再次開始一連串的晶圓處理。此時，控制部80在例如前述異常事態發生時，亦可控制晶圓處理部2的各模組，來將尚未進行從晶圓匣盒100的搬出之晶圓W4從晶圓匣盒100搬出。又，控制部80亦可控制晶圓處理部2的各模組，而在將已被搬出的晶圓W1~W3暫時回收至晶圓匣盒100後，會再次開始一連串的晶圓處理。抑或，控制部80在檢測出異常狀態已解除之時點，亦可控制晶圓處理部2的各模組，而中斷晶圓W1~W3的回收動作，並再次開始一連串的晶圓處理。
(A-II)處理批次第一片晶圓W1中的處理模組已變得無法使用之情況
圖6係圖示t4中，處理第一片晶圓W1中的COR模組61已變得無法使用之情況。此情況下，晶圓搬送機構70會無法將晶圓W1從COR模組61搬出。因此，當控制部80檢測出COR模組61發生異常狀態時，便會控制晶圓處理部2的各模組來停止一連串處理。此情況下，控制部80係以下述方式進行控制：例如會立即停止COR模組61的處理。另一方面，在檢測出COR模組61發生異常狀態之時點，當位在其下游側之PHT模組62中已進行晶圓W的處理之情況，則該晶圓W不會受到COR模組61的異常影響，仍可繼續進行一連串處理。因此，控制部80係以下述方式進行控制：判斷為可回收該晶圓W，並對該晶圓W繼續一連串處理。然後，控制部80係以下述方式進行控制：在經過預先設定的時間後，亦即成為t5之際，當未檢測出該異常狀態已解除的情況，則會關閉晶圓匣盒100的蓋102。藉此，即便是發生異常狀態的情況，而仍可減少晶圓匣盒100的內部曝露在晶圓處理裝置1的氛圍之時間。亦即，尤其可抑制微粒附著在晶圓匣盒100中之待機中的晶圓W4。
又，如圖6所示，關於晶圓W2及W3，可藉由晶圓搬送機構40來回收至晶圓匣盒100。基於以上所述，當控制部80檢測出發生異常狀態且經過預先設定的時間後，亦可控制晶圓處理部2的各模組，而在將晶圓W2 及W3回收至晶圓匣盒100後才關閉晶圓匣盒100的蓋102。藉此，則不僅是晶圓匣盒100中成為待機狀態的晶圓W4，且亦可抑制微粒附著在已從晶圓匣盒100被搬出但尚未開始一連串的晶圓處理之晶圓W2及W3。基於以上所述，晶圓匣盒100的蓋102最好是在控制部80檢測出發生異常狀態且經過預先設定的時間後，且為已無可回收至晶圓匣盒100的晶圓W之時間點會被關閉。
另一方面，控制部80在經過預先設定的時間之前，例如在圖6中的t5之前便檢測出該異常狀態已解除之情況，可控制晶圓處理部2的各模組而不關閉晶圓匣盒100的蓋102，而是再次開始一連串的晶圓處理。此時，控制部80在例如前述異常事態發生時，亦可控制晶圓處理部2的各模組，來將尚未進行從晶圓匣盒100的搬出之晶圓W4從晶圓匣盒100搬出。又，控制部80亦可控制晶圓處理部2的各模組，而在將已被搬出的晶圓W1~W3暫時回收至晶圓匣盒100後，會再次開始一連串的晶圓處理。抑或，控制部80在檢測出異常狀態已解除之時點，亦可控制晶圓處理部2的各模組，而中斷晶圓W1~W3的回收動作，並再次開始一連串的晶圓處理。
(A-III)較處理晶圓W1中的模組要位在上游路徑之處理模組已變得無法使用之情況
圖7係圖示t4中，第一片晶圓W1已完成處理後的處理模組(例如加載互鎖模組20a)已變得無法使用之情況。此情況下，晶圓搬送機構70即便是欲將晶圓W2從加載互鎖模組20a搬出而仍無法搬出。因此，當控制部80檢測出加載互鎖模組20a發生異常狀態時，便會控制晶圓處理部2的各模組來停止一連串處理。此情況下，控制部80係以下述方式進行控制：例如會立即停止加載互鎖模組20a的處理。另一方面，在檢測出加載互鎖模組20a發生異常狀態之時點，當位在其下游側之COR模組61等中已進行晶圓W的處理之情況，則該晶圓W不會受到加載互鎖模組20a的異常影響，仍可繼續進行一連串處理。因此，控制部80係以下述方式進行控制：判斷為可回收該晶圓W，並對該晶圓W繼續進行一連串處理。然後，控制部80係以下述方式進行控制：在經過預先設定的時間後，亦即成為t5之際，當未 檢測出該異常狀態已解除之情況，則會關閉晶圓匣盒100的蓋102。藉此，便可抑制晶圓匣盒100中微粒附著在待機中的晶圓W4。
此外，此時，位在加載互鎖模組20a處理路徑下游側的COR模組61之晶圓W1並不會受到加載互鎖模組20a中之異常狀態的影響，而可回收至晶圓匣盒100。又，關於晶圓W3或晶圓W1，亦可藉由晶圓搬送機構40及晶圓搬送機構70來回收至晶圓匣盒100。基於以上所述，控制部80最好是以下述方式來進行控制：當檢測出發生異常狀態且經過預先設定的時間後，如圖7所示般地，將晶圓W1及W3回收至晶圓匣盒100後，例如會在t8中關閉晶圓匣盒100的蓋102。藉此，即便是發生異常狀態的情況，而仍可減少晶圓匣盒100的內部曝露在晶圓處理裝置1的氛圍之時間。又，進一步地，由於可將晶圓W1及W3回收至晶圓匣盒100，故可抑制微粒附著在晶圓匣盒100中成為待機狀態的晶圓W1、W3及W4。
另一方面，控制部80在經過預先設定的時間之前，例如在圖7中的t5~t7中便檢測出該異常狀態已解除之情況，可控制晶圓處理部2的各模組而不關閉晶圓匣盒100的蓋102，而是再次開始一連串的晶圓處理。此時，控制部80在例如前述異常事態發生時，亦可控制晶圓處理部2的各模組，來將尚未進行從晶圓匣盒100的搬出之晶圓W4從晶圓匣盒100搬出。又，控制部80亦可控制晶圓處理部2的各模組，而在將已被搬出的晶圓W1~W3暫時回收至晶圓匣盒100後，會再次開始一連串的晶圓處理。抑或，控制部80在檢測出異常狀態已解除之時點，亦可控制晶圓處理部2的各模組，而中斷晶圓W1~W3的回收動作，並再次開始一連串的晶圓處理。
(B)在晶圓處理開始後，當晶圓處理裝置1的晶圓處理部2所具備之任一搬送模組中發生故障的情況
圖8係圖示t4中，當晶圓搬送機構70中發生故障(異常狀態)之情況(B-I)。當晶圓搬送機構70發生故障的情況，會變得無法進行被搬入至轉移模組60之晶圓W1的搬送，而變得無法回收至晶圓匣盒100。因此，控制部80係控制晶圓處理部2的各模組，而在當檢測出晶圓搬送機構70發生故障時，便會停止一連串處理。然後，控制部80係以下述方式進行控制：在經過預 先設定的時間後，亦即成為t5之際，當未檢測出該故障已解除的情況，便會關閉晶圓匣盒100的蓋102。
此外，如圖8所示，關於晶圓W2及W3，可藉由晶圓搬送機構40來回收至晶圓匣盒100。基於以上所述，當控制部80檢測出故障發生且經過預先設定的時間後，亦可控制晶圓處理部2的各模組，而在將晶圓W2及W3回收至晶圓匣盒100後，亦即在t6中會關閉晶圓匣盒100的蓋102。藉此，則不僅是晶圓匣盒100中成為待機狀態的晶圓W4，且亦可抑制微粒附著在已從晶圓匣盒100被搬出但尚未開始一連串的晶圓處理之晶圓W2及W3。基於以上所述，晶圓匣盒100的蓋102最好是在控制部80檢測出發生異常狀態且經過預先設定的時間後，且為已無可回收至晶圓匣盒100的晶圓W之時間點便會被關閉。
另一方面，控制部80在經過預先設定的時間之前，例如在圖8中的t5之前便檢測出該故障已解除之情況，可控制晶圓處理部2的各模組而不關閉晶圓匣盒100的蓋102，而是再次開始一連串的晶圓處理。此時，控制部80在例如前述異常事態發生時，亦可控制晶圓處理部2的各模組，來將尚未進行從晶圓匣盒100的搬出之晶圓W3、W4從晶圓匣盒100搬出。又，控制部80亦可控制晶圓處理部2的各模組，而在將已被搬出的晶圓W1、W2暫時回收至晶圓匣盒100後，會再次開始一連串的晶圓處理。抑或，控制部80在檢測出異常狀態已解除之時點，亦可控制晶圓處理部2的各模組，而中斷晶圓W1、W2的回收動作，並再次開始一連串的晶圓處理。
此外，搬送模組中的前述故障係指例如該搬送模組中發生錯誤(故障、異常狀態)，而等待自該錯誤修復(復原)之情況，或該搬送模組成為維修保養狀態之情況。
如此般地，即便是晶圓處理裝置1之晶圓處理部2中的模組中發生異常狀態之情況，當存在有可回收的晶圓W之情況，而仍可等待該可回收的晶圓W被搬入後才關閉蓋102。藉此，便可適當地減少晶圓匣盒100的內部曝露在晶圓處理裝置1的氛圍之時間，又，可抑制微粒附著在晶圓W。
此外，如圖9所示，例如t4中發生故障的搬送模組為晶圓搬送機構40之情況(B-II)，則會無法回收從晶圓匣盒100被搬出的所有晶圓W1、W2、 W3。因此，上述情況下，亦可在發生該故障後，且經過預先設定的時間後(即t5中)，不等待晶圓W1、W2、W3被回收即關閉蓋102。藉此，便可抑制微粒附著在晶圓匣盒100中成為待機狀態的晶圓W4。
(C)晶圓處理裝置1的晶圓處理部2中已無搬送中的晶圓W之情況
圖10係圖示t4中，當控制部80因訊號的接收等而檢測出錯誤(故障、異常狀態)之情況，例如控制部80檢測出因掉落等而遺失搬送中的晶圓W3之情況。此情況下，會無法搬送該晶圓W3而變得無法回收至晶圓匣盒100。因此，當控制部80檢測出該錯誤後，便會控制晶圓處理部2的各模組來停止一連串處理。然後，控制部80係以下述方式進行控制：在經過預先設定的時間後，亦即成為t5之際，當未檢測出該錯誤已解除之情況，會關閉晶圓匣盒100的蓋102。藉此，便可抑制微粒附著在晶圓匣盒100中之待機中的晶圓W4。
又，如圖10所示，關於在遺失晶圓W3之前便已開始一連串的晶圓處理之晶圓W1及W2，則是不會受到晶圓W3遺失的影響，仍可進行一連串處理並回收至晶圓匣盒100。基於以上所述，控制部80亦可控制晶圓處理部2的各模組，而在檢測出錯誤且經過預先設定的時間後，將晶圓W1及W2回收至晶圓匣盒100後(即t9中)，會關閉晶圓匣盒100的蓋102。藉此，便可至少抑制微粒附著在可回收至晶圓匣盒100的晶圓W1及W2，以及晶圓匣盒100中之待機狀態的晶圓W4。此外，即便是針對例如較被檢測出錯誤的晶圓W3要之後被進行處理的晶圓W4已開始晶圓處理的情況，仍可藉由針對該晶圓W4來追溯處理路徑，如此便不會受到晶圓W3被檢測出錯誤的影響，而仍可回收至晶圓匣盒100。基於以上所述，晶圓匣盒100的蓋102最好是在控制部80檢測出故障且經過預先設定的時間後，且為已無可回收至晶圓匣盒100的晶圓W之時間點會被關閉。
另一方面，控制部80在經過預先設定的時間之前，例如在圖10中的t5~t8中便檢測出該異常狀態已解除之情況，可控制晶圓處理部2的各模組而不關閉晶圓匣盒100的蓋102，而是再次開始一連串的晶圓處理。此時，控制部80在例如前述異常事態發生時，亦可控制晶圓處理部2的各模組，來將尚未進行從晶圓匣盒100的搬出之晶圓W4從晶圓匣盒100搬出。又， 控制部80亦可控制晶圓處理部2的各模組，而在將已被搬出的晶圓W1~W3暫時回收至晶圓匣盒100後，會再次開始一連串的晶圓處理。抑或，控制部80在檢測出異常狀態已解除之時點，亦可控制晶圓處理部2的各模組，而中斷晶圓W1~W3的回收動作，並再次開始一連串的晶圓處理。
此外，藉由以上的(A)~(C)的動作，控制部80可以下述方式進行控制：例如在檢測出成為該關閉的原因之異常狀態被解除後，會在任意時間點打開被關閉的蓋102。但為了將打開蓋102之時間盡量地控制為較少，最好是在已再次開始晶圓W的搬送，而在相對於晶圓匣盒100來進行任一晶圓W的搬出或搬入之階段才打開。
例如，t4中，當圖5之前述(A-I)所示之PHT模組62發生故障而在t5中關閉蓋102之情況，會將該故障視作已在t6中被解除。上述情況下，控制部80會控制晶圓處理部2的各模組而在故障已解除之t6中，將晶圓W1、W2、W3分別搬送至下一處理模組，即PHT模組62、COR模組61、加載互鎖模組20a。又，與此同時，由於必須將在晶圓匣盒100中待機的晶圓W4朝ORT模組33搬送，故上述情況下，控制部80係以下述方式進行控制：會在t6中打開蓋102。
又，例如圖11係顯示t5中，加載互鎖模組20b發生故障而無法將任一晶圓W回收至晶圓匣盒100，且在t6中關閉蓋102之情況。上述情況下，控制部80係以下述方式進行控制：例如在t7中檢測出故障已解除時，會控制晶圓處理部2的各模組來再次開始晶圓W的處理，且在最初已完成所有處理的晶圓W1被搬入至晶圓匣盒100之t9中會打開蓋102。如此般地，蓋102最好是如前述般地，會在相對於晶圓匣盒100來進行任一晶圓W的搬出或搬入之階段被打開。
依據以上實施型態，控制部80係以下述方式進行控制：當檢測出晶圓處理裝置1的晶圓處理部2中發生異常狀態且經過預先設定的時間，而晶圓匣盒100所收納之晶圓W的搬送路徑上已檢測出變得無法搬送該晶圓W之際，會關閉晶圓匣盒100的蓋102。亦即，即便是晶圓處理裝置1之晶圓處理部2的任一模組中，而在晶圓W的處理中發生某種異常狀態之情況，由於仍可縮短晶圓匣盒100的內部曝露在晶圓處理裝置1的氛圍之時間， 故可適當地抑制微粒附著在晶圓匣盒100內部之待機中的晶圓W。此外，如上所述，前述「預先設定的時間」可依各種觀點來任意做設定。例如，只要是至少可判斷前述搬送路徑上存在有可搬送的晶圓W，並確保將該可搬送的晶圓W回收至晶圓匣盒100之時間便足夠。又例如，亦可設定當作業員確認了發生異常狀態，直到做出是否可即早修復的判斷為止之時間。
此時，如上所述，即便是發生異常狀態的情況，當可回收至晶圓匣盒100之晶圓W殘留在晶圓處理裝置1內部的情況，控制部80係以下述方式進行控制：等待該可回收的晶圓W被搬入至晶圓匣盒100後才關閉蓋102。藉此，便可使能夠抑制微粒附著之晶圓W的片數變得適當。
又，如上所述，控制部80係以下述方式進行控制：當發生異常狀態且經過預先設定的時間後，便會關閉蓋102。因此，控制部80可以下述方式進行控制：在經過預先設定的時間之前，當該異常狀態已解除之情況，便不會關閉蓋102。藉此，便可進行與過去相等的晶圓處理，又，可抑制因蓋102的開閉動作而產生微粒。
又進一步地，如本實施型態相關之晶圓處理裝置1般，當設置有複數個用以處理晶圓W的處理模組(例如COR模組61或PHT模組62般的減壓下處理模組)之情況，會有即便是一處理模組中發生異常狀態的情況而仍可繼續一連串的晶圓處理之情況。例如，控制部80亦可進行晶圓處理部2之各模組的控制，而在即便是檢測出一處理模組中發生異常狀態之情況，並非關閉蓋102，而是使用其他處理模組來繼續處理對象的晶圓處理。
此外，當複數晶圓匣盒100已被搬入至晶圓處理裝置1的情況，較佳為關閉只有收納有因模組的異常狀態而變得無法回收的晶圓W之晶圓匣盒100的蓋102。亦即，較佳為不關閉存在有可回收至晶圓匣盒100的晶圓W之晶圓匣盒100的蓋102，而是僅關閉已無可回收的晶圓W之晶圓匣盒100的蓋102。上述判斷係基於例如各晶圓匣盒100所收納之晶圓W的搬送配方來進行。
此外，以上實施型態中，雖係為了簡化說明而針對1批次4片晶圓W來進行說明，但當然亦可將本揭示相關之技術應用在具有此以上片數的晶圓W之批次。即便是上述情況，只要是會以下述方式進行控制即可：從處 理模組中發生異常狀態到經過預先設定的時間，且變得沒有可被回收至晶圓匣盒100的晶圓W之際，便會關閉晶圓匣盒100的蓋102。
此外，以上的實施型態中，係以晶圓處理裝置1中發生異常狀態之時間點作為基準，來計算出用以判斷蓋102的關閉之預先設定的時間。但作為基準之時間點可任意做設定，例如，亦可以晶圓搬送機構40相對於晶圓匣盒100而最後做存取之時間點來作為基準。上述情況下，只要至少能夠在晶圓處理裝置1中經過晶圓處理所需的既定時間之際，便進行控制來關閉蓋102，則相較於過去，便不會有蓋102的打開時間變長之情況。亦即，可獲得因發生異常狀態而導致微粒附著之抑制效果。
本說明書所揭示之實施型態應被認為所有要點僅為例示而非用以限制本發明之內容。上述實施型態可在未背離添附的申請專利範圍及其要旨之範圍內，而以各種型態來做省略、置換或變更。
例如，上述範例中，雖係說明晶圓處理裝置1中會進行例如COR處理或PHT處理之情況，但模組構成並未侷限於此，可採取任意構成。亦即，例如本揭示相關之技術可應用於例如研磨處理裝置或測試器。又，亦可進一步地應用於例如塗佈顯影裝置或蝕刻裝置。
此外，下述般構成亦屬於本揭示之技術範圍。
(1)一種基板處理裝置，具有：基板處理部，係具有載置埠，該載置埠係構成為配置有至少收納有1片基板的基板收納容器，該基板處理部係構成為會將基板從該載置埠所配置之該基板收納容器取出，來對該基板施予一連串處理；以及控制部，係構成為會控制該載置埠所配置之該基板收納容器之蓋的開閉；該控制部係以下述方式進行控制：當該基板收納容器被配置於該載置埠後，會打開該蓋；該控制部係以下述方式進行控制：當該基板處理部中發生異常狀態而經過預先設定的時間，且從該基板收納容器所取出之基板當中沒有可回收至該基板收納容器的基板之情況，會關閉該蓋。
依據上述(1)，即便是基板處理裝置中發生異常狀態的情況，仍可減少基板收納容器的內部被曝露在基板處理裝置的氛圍之時間。其結果，便可抑制微粒附著在尤其是基板收納容器內之待機中的基板。
(2)如前述(1)所記載之基板處理裝置，其中該控制部係構成為會控制該基板處理部；該控制部係以下述方式進行控制：當經過該預先設定的時間後，會將可回收之該基板回收至該基板收納容器；該控制部係以下述方式進行控制：當可回收之該基板被回收至該基板收納容器後，會關閉該蓋。
(3)如前述(2)所記載之基板處理裝置，其中該控制部係以下述方式進行控制：當該基板處理部中發生異常狀態的情況，會停止該一連串處理；該控制部係以下述方式進行控制：在經過該預先設定的時間之前，當該異常狀態已被解除之情況，不會關閉該蓋而是會再次開始該一連串處理。
(4)如前述(2)或前述(3)所記載之基板處理裝置，其中該控制部係以下述方式進行控制：在關閉該蓋後，當該異常狀態已被解除之情況，會再次打開該蓋。
(5)如前述(1)~前述(4)任一者所記載之基板處理裝置，其中該異常狀態為該基板處理部中之基板處理路徑上的模組變得無法使用之狀態。
(6)如前述(5)所記載之基板處理裝置，其中該模組在因該模組中發生故障而從該故障成為待修復的狀態時，會變得無法使用。
(7)如前述(5)所記載之基板處理裝置，其中該模組在該模組成為維修保養狀態時，會變得無法使用。
(8)如前述(5)~前述(7)任一者所記載之基板處理裝置，其中該模組為處理模組或搬送模組。
(9)如前述(1)~前述(4)任一者所記載之基板處理裝置，其中該異常狀態為基板從該基板處理部中的基板處理路徑上消失之狀態。
(10)一種開閉基板收納容器的蓋之方法，具有以下步驟：在至少收納有1片基板之基板收納容器被配置於基板處理裝置內後，會打開該基板收納容器的蓋之步驟；將基板從該基板收納容器取出之步驟；以及 當該基板處理裝置中發生異常狀態而經過預先設定的時間，且從該基板收納容器所取出之基板當中沒有可回收至該基板收納容器的基板之情況，會關閉該蓋之步驟。
(11)一種程式，係在基板處理裝置的電腦上作動，而藉由該基板處理裝置來實施如前述(10)所記載之方法。

Claims (11)

  1. 一種基板處理裝置，具有：基板處理部，係具有載置埠，該載置埠係構成為配置有至少收納有1片基板的基板收納容器，該基板處理部係構成為會將基板從該載置埠所配置之該基板收納容器取出，來對該基板施予一連串處理；以及控制部，係構成為會控制該載置埠所配置之該基板收納容器之蓋的開閉；該控制部係以下述方式進行控制：當該基板收納容器被配置於該載置埠後，會打開該蓋；該控制部係以下述方式進行控制：當該基板處理部中發生異常狀態而經過預先設定的時間，且從該基板收納容器所取出之基板當中沒有可回收至該基板收納容器的基板之情況，會關閉該蓋。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該控制部係構成為會控制該基板處理部；該控制部係以下述方式進行控制：當經過該預先設定的時間後，會將可回收之該基板回收至該基板收納容器；該控制部係以下述方式進行控制：當可回收之該基板被回收至該基板收納容器後，會關閉該蓋。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中該控制部係以下述方式進行控制：當該基板處理部中發生異常狀態的情況，會停止該一連串處理；該控制部係以下述方式進行控制：在經過該預先設定的時間之前，當該異常狀態已被解除之情況，不會關閉該蓋而是會再次開始該一連串處理。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之基板處理裝置，其中該控制部係以下述方式進行控制：在關閉該蓋後，當該異常狀態已被解除之情況，會再次打開該蓋。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中該異常狀態為該基板處理部中之基板處理路徑上的模組變得無法使用之狀態。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中該模組在因該模組中發生故障而從該故障成為待修復的狀態時，會變得無法使用。
  7. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中該模組在該模組成為維修保養狀態時，會變得無法使用。
  8. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中該模組為處理模組或搬送模組。
  9. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中該異常狀態為基板從該基板處理部中的基板處理路徑上消失之狀態。
  10. 一種開閉基板收納容器的蓋之方法，具有以下步驟：在至少收納有1片基板之基板收納容器被配置於基板處理裝置內後，會打開該基板收納容器的蓋之步驟；將基板從該基板收納容器取出之步驟；以及當該基板處理裝置中發生異常狀態而經過預先設定的時間，且從該基板收納容器所取出之基板當中沒有可回收至該基板收納容器的基板之情況，會關閉該蓋之步驟。
  11. 一種程式，係在基板處理裝置的電腦上作動，而藉由該基板處理裝置來實施如申請專利範圍第10項之方法。
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