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TWI819354B - 用於半導體的黏著樹脂組成物、黏著膜及切割晶粒黏接膜 - Google Patents

用於半導體的黏著樹脂組成物、黏著膜及切割晶粒黏接膜 Download PDF

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TWI819354B
TWI819354B TW110130276A TW110130276A TWI819354B TW I819354 B TWI819354 B TW I819354B TW 110130276 A TW110130276 A TW 110130276A TW 110130276 A TW110130276 A TW 110130276A TW I819354 B TWI819354 B TW I819354B
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TW
Taiwan
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adhesive
meth
weight
acrylate
film
Prior art date
Application number
TW110130276A
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English (en)
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TW202216934A (zh
Inventor
張種民
李光珠
孫雨霖
Original Assignee
南韓商Ｌｇ化學股份有限公司
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Publication date
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Abstract

本揭露是有關於一種用於半導體的黏著樹脂組成物、黏 著膜及切割晶粒黏接膜，且具體而言，是有關於一種可藉由包含聚合物基質來減少在半導體封裝中產生的電磁干擾的用於半導體的黏著膜以及一種包括所述用於半導體的黏著膜的切割晶粒黏接膜，所述聚合物基質中分散有包括芯體及形成於芯體的表面上的塗層的磁性填料。

Description

用於半導體的黏著樹脂組成物、黏著膜及切割 晶粒黏接膜
本揭露是有關於一種用於半導體的黏著樹脂組成物、一種包含所述用於半導體的黏著樹脂組成物的用於半導體的黏著膜以及一種包含所述用於半導體的黏著樹脂組成物的切割晶粒黏接膜，且具體而言，是有關於一種可藉由包含其中分散有包括芯體及形成於芯體的表面上的塗層的磁性填料的聚合物基質來減少在半導體封裝中產生的電磁干擾的用於半導體的黏著樹脂組成物、一種包含所述用於半導體的黏著樹脂組成物的用於半導體的黏著膜以及一種包含所述用於半導體的黏著樹脂組成物的切割晶粒黏接膜。
本申請案主張於2020年8月19日向韓國智慧財產局提出申請的韓國專利申請案第10-2020-0104212號的提出申請日期的權益，所述韓國專利申請案的全部內容併入本案供參考。
近年來，隨著電子裝置的小型化、高功能化及擴容的趨 勢不斷擴大，且因此對半導體封裝的緻密化及高度積體的需求已迅速增加，半導體晶片的大小已變得越來越大。為達成在半導體裝置的積體密度方面的改善，用於將晶片堆疊成多層的堆疊封裝方法的使用逐漸增加。
端視如上所述的多層式半導體堆疊封裝的使用，晶片的厚度變得更薄，且電路的積體程度變得更高。然而，晶片自身的模數降低，從而導致製作製程及最終產品可靠性方面的問題。為克服該些問題，已嘗試增強用於半導體封裝製程中的黏著劑的物理性質。
另外，隨著半導體晶片近來已變得更薄，引起了一個問題，即晶片在現有的刀片切削製程中被損壞，從而導致良率降低。為克服此種問題，已提出利用刀片切削半導體晶片且然後對所述晶片進行研磨的製作製程。由於在此種製作過程中黏著劑不被劃分成多個部分，因此使用雷射切削黏著劑，且然後藉由在低溫下使基板膜膨脹的製程將黏著劑劃分成多個部分。另外，近年來，為保護晶片上的電路，已應用一種僅藉由低溫膨脹製程及熱收縮製程而不使用雷射將黏著劑劃分成多個部分的製程。
同時，近年來，隨著電子裝置及電子組件的重量變得更輕且大小變得更小，電性裝置的積體密度已增加，且在利用電能操作的電性裝置中電磁(EM)波(electromagnetic wave)的產生亦已大大增加。因此，對於改善有效地吸收或耗散自電子裝置產生的電磁波的性質的需求日益增長。
具體而言，圖1是示出常規技術中屏蔽電磁干擾(electromagnetic interference，EMI)的過程的示意圖。為解決與半導體封裝中由電磁干擾(EMI)引起的雜訊相關聯的問題，一般在封裝層級阻擋由電磁干擾(EMI)引起的雜訊。為此，由外部封裝或外部組件中產生的電磁干擾(EMI)引起的雜訊是透過噴射或濺鍍方法藉由在封裝外部形成的接地連接而被阻擋。
然而，隨著高頻時代，特別是第五代(fifth generation，5G)時代的到來，由於在晶片層級產生的近場電磁干擾(EMI)而出現雜訊，且需要阻擋晶片之間的電磁干擾(EMI)。因此，迫切需要開發一種用於阻擋此種雜訊及電磁干擾(EMI)的技術。
欲由本揭露達成的技術問題是提供一種用於半導體的黏著樹脂組成物以及一種包含所述黏著樹脂組成物的用於半導體的黏著膜及切割晶粒黏接膜，由於包含其中有效地分散有包括芯體及形成於芯體的表面上的塗層的磁性填料的聚合物基質以及控制芯體及塗層的組分及所述組分的含量，因此所述用於半導體的黏著樹脂組成物能夠最小化由電磁干擾引起的雜訊且能夠減少由半導體封裝的增加的積體密度引起的晶片間干擾。
然而，欲由本揭露達成的技術問題不限於上述問題，且藉由閱讀以下說明，熟習此項技術者將清楚地理解本文中所未提及的其他問題。
本揭露的一個實施例提供一種用於半導體的黏著樹脂 組成物，所述用於半導體的黏著樹脂組成物包含：聚合物基質，包括(甲基)丙烯酸酯系樹脂、固化劑及環氧樹脂，所述(甲基)丙烯酸酯系樹脂包括包含環氧系官能基的(甲基)丙烯酸酯系重複單元及包含芳香族官能基的(甲基)丙烯酸酯系重複單元(BzMA)，所述固化劑包括酚醛樹脂；以及磁性填料，分散於聚合物基質中且包括芯體及形成於芯體的表面上的塗層，其中塗層包含選自由氧化釔、氧化鎂、氧化鋁、氧化矽、鐵氧體及其組合組成的群組的一者。
本揭露的另一實施例提供一種用於半導體的黏著膜，所述用於半導體的黏著膜包含用於半導體的黏著樹脂組成物。
本揭露的又一實施例提供一種切割晶粒黏接膜，所述切割晶粒黏接膜包括：基板膜；第一黏著層，形成於基板膜上；以及第二黏著層，形成於第一黏著層上且包括所述用於半導體的黏著膜。
圖1是示出根據常規技術的屏蔽電磁干擾(EMI)的過程的示意圖。
圖2是示出根據本揭露一個實施例的減少電磁干擾(EMI)的過程的示意圖。
圖3是示出量測實例1及2以及比較例1中的每一者的體積電阻率的結果的曲線圖。
圖4是示出實例1以及比較例1及2的功率損耗的曲線圖。
圖5是示出實例1至3的功率損耗的曲線圖。
圖6示出利用掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope，SEM)拍攝的照片，以便分析比較例1以及實例2及5中所使用的磁性填料的顆粒形狀。
圖7是示出在比較例1以及實例1、2及5中的每一者中所使用的磁性填料的平均粒度相依於磁性填料中氧化釔的含量的曲線圖。
在本說明書通篇中，應理解，除非另有說明，否則當任何部分被稱為「包含(including)」任何組分時，其不排除其他組分，而是可更包括其他組分。
在本說明書通篇中，當任何構件被稱為位於另一構件「上(on)」時，其不僅指代其中任何構件與另一構件接觸的情形，而且指代其中所述兩個構件之間存在第三構件的情形。
在本說明書通篇中，單位「重量份」可指代組分之間的重量比。
在本說明書通篇中，用語「(甲基)丙烯酸酯」旨在包括丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯。
在本說明書通篇中，用語「A及/或B」指代「A及B」或「A或B」。
在本說明書通篇中，用語「重複單元」可指代單體在由 其反應形成的聚合物中重複出現的形式。具體而言，所述用語可指代其中在形成由聚合生產出的聚合物的主幹鏈(backbone)(例如主鏈或側鏈)的同時單體重複出現的形式。
在本說明書通篇中，任何化合物的「重量平均分子量」可使用所述化合物的分子量及分子量分佈來計算。具體而言，化合物的分子量及分子量分佈可藉由以下方法獲得：將四氫呋喃(tetrahydrofuran，THF)及化合物放置於1毫升玻璃瓶中，以製備其中化合物的濃度為1重量%的測試樣本；藉由過濾器(孔徑：0.45微米)過濾標準樣本(聚苯乙烯)及測試樣本；將樣本濾液中的每一者注射至凝膠滲透層析術(gel permeation chromatography，GPC)注射器中；以及對測試樣本的溶析時間與標準樣本的校準曲線進行比較。此時，無窮(Infinity)II 1260(安捷倫技術公司(Agilent Technologies,Inc.))可用作量測儀器，且流率及柱溫可分別設定為1.00毫升/分鐘及40.0℃。
在本說明書通篇中，「玻璃轉變溫度(Tg)」可使用示差掃描量熱術(differential scanning calorimetry，DSC)來量測。具體而言，可藉由以下方式使用示差掃描量熱計(DSC，DSC-STAR3，梅特勒-托利多(METTLER TOLEDO))來量測玻璃轉變溫度：在為-60℃至150℃的溫度範圍中執行雙循環實驗(two-cycle experiment)，同時以為5℃/分鐘的加熱速率在所述溫度範圍中加熱樣本，且然後量測自具有熱變化的點繪製的DSC曲線的中點。
在下文中，將更詳細地闡述本揭露。
本揭露的一個實施例提供一種用於半導體的黏著樹脂組成物，所述用於半導體的黏著樹脂組成物包含：聚合物基質，包括(甲基)丙烯酸酯系樹脂、固化劑及環氧樹脂，所述(甲基)丙烯酸酯系樹脂包括包含環氧系官能基的(甲基)丙烯酸酯系重複單元及包含芳香族官能基的(甲基)丙烯酸酯系重複單元(BzMA)，所述固化劑包括酚醛樹脂；以及磁性填料，分散於聚合物基質中且包括芯體及形成於芯體的表面上的塗層，其中塗層包含選自由氧化釔、氧化鎂、氧化鋁、氧化矽、鐵氧體及其組合組成的群組的一者。在本揭露通篇中，表達「塗層包含選自由氧化釔、氧化鎂、氧化鋁、氧化矽、鐵氧體及其組合組成的群組的一者」意指塗層包含金屬氧化物系化合物。
由於根據本揭露一個實施例的用於半導體的黏著樹脂組成物在聚合物基質中包含包括芯體及形成於芯體的表面上的塗層的磁性填料，因此可藉由增加黏著膜的體積電阻率來確保包含所述黏著樹脂組成物的用於半導體的黏著膜的介電性質。圖2是示出根據本揭露一個實施例的減少電磁干擾(EMI)的過程的示意圖。參照圖2，來自發生電磁干擾的地方的電磁波入射至用於半導體的黏著膜上，且電磁波被分散於用於半導體的黏著膜中的磁性填料轉換成熱，以使得電磁波減少。
根據本揭露的一個實施例，聚合物基質可包括(甲基)丙烯酸酯系樹脂，所述(甲基)丙烯酸酯系樹脂包括包含環氧系官能基的(甲基)丙烯酸酯系重複單元及包含芳香族官能基的(甲基)丙烯 酸酯系重複單元(BzMA)。由於(甲基)丙烯酸酯系樹脂包括包含芳香族官能基的(甲基)丙烯酸酯系重複單元(BzMA)，因此用於半導體的黏著膜可確保其中所包含的組分之間更高的相容性及黏接力，可具有高彈性，且可具有相對增強的初始拉伸模數。另外，由於(甲基)丙烯酸酯系樹脂包括包含芳香族官能基的(甲基)丙烯酸酯系重複單元(BzMA)，因此其可有利地作用於磁性填料的分散性，藉此確保填料的均勻分佈及提高填料的填充率。
根據本揭露的一個實施例，由於(甲基)丙烯酸酯系樹脂包括包含環氧系官能基的(甲基)丙烯酸酯系重複單元，因此用於半導體的黏著膜可具有更均勻及堅固的內部結構，且因此可確保超薄晶圓的多層堆疊期間的高耐衝擊性，且其亦可增強半導體製作之後的電性性質。
根據本揭露的一個實施例，在(甲基)丙烯酸酯系樹脂中包含芳香族官能基的(甲基)丙烯酸酯系重複單元的含量可為2重量%(wt%)至40重量%、3重量%至30重量%或者5重量%至25重量%。若(甲基)丙烯酸酯系樹脂中包含芳香族官能基的(甲基)丙烯酸酯系重複單元的含量過低，則增加(甲基)丙烯酸酯系樹脂與環氧樹脂或酚醛樹脂的相容性及填料的分散性的效果可能不顯著，且降低最終生產的黏著膜的吸濕性的效果亦可能不顯著。若(甲基)丙烯酸酯系樹脂中包含芳香族官能基的(甲基)丙烯酸酯系重複單元的含量過高，則用於半導體的黏著膜的黏著性可能降低。
根據本揭露的一個實施例，芳香族官能基可為具有6至 20個碳原子的芳基或者包括具有6至20個碳原子的芳基及具有1至10個碳原子的伸烷基的芳基伸烷基。
根據本揭露的一個實施例，(甲基)丙烯酸酯系樹脂可包括3重量%至30重量%的包含環氧系官能基的(甲基)丙烯酸酯系重複單元。在含有環氧系官能基的(甲基)丙烯酸酯系重複單元的含量被控制在以上範圍內的情況下，可增強用於半導體的黏著膜的固化密度及固化速率。
根據本揭露的一個實施例，包含環氧系官能基的(甲基)丙烯酸酯系重複單元可包括具有3至20個碳原子的(甲基)丙烯酸環氧環烷基甲基酯重複單元。「具有3至20個碳原子的環氧環烷基甲基」指代其中附接有環氧基的具有3至30個碳原子的環烷基被甲基取代的結構。具有3至20個碳原子的(甲基)丙烯酸環氧環烷基甲基酯的實例較佳為(甲基)丙烯酸縮水甘油酯或(甲基)丙烯酸3,4-環氧環己基甲基酯。
根據本揭露的一個實施例，(甲基)丙烯酸酯系樹脂可更包括選自由包含反應性官能基的乙烯基系重複單元及包含具有1至10個碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸酯系官能基重複單元組成的群組的至少一個重複單元。
根據本揭露的一個實施例，反應性官能基可包括選自由醇、胺、羧酸、環氧化物、醯亞胺、(甲基)丙烯酸酯、腈、降冰片烯、烯烴、聚乙二醇、硫醇及乙烯基組成的群組的至少一個官能基。
根據本揭露的一個實施例，當(甲基)丙烯酸酯系樹脂更包括選自由包含反應性官能基的乙烯基系重複單元及包含具有1至10個碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸酯系官能基重複單元組成的群組的至少一個重複單元時，(甲基)丙烯酸酯系樹脂可包含0.1重量%至20重量%或0.5重量%至10重量%的包含環氧系官能基的(甲基)丙烯酸酯系重複單元。
根據本揭露的一個實施例，(甲基)丙烯酸酯系樹脂可具有為0℃至20℃的玻璃轉變溫度。具體而言，(甲基)丙烯酸酯系樹脂的玻璃轉變溫度可為1℃至19℃、2℃至18℃、3℃至18℃、4℃至17℃、5℃至16℃或6℃至15℃。在(甲基)丙烯酸酯系樹脂的玻璃轉變溫度被控制在以上範圍內的情況下，用於半導體的黏著膜可確保高黏著性，且可容易地以薄膜或類似物的形式生產。
根據本揭露的一個實施例，(甲基)丙烯酸酯系樹脂可具有為50,000至1,000,000的重量平均分子量。具體而言，(甲基)丙烯酸酯系樹脂的重量平均分子量可為60,000至900,000、70,000至800,000、100,000至700,000或200,000至600,000。在(甲基)丙烯酸酯系樹脂的重量平均分子量被控制在以上範圍內的情況下，用於半導體的黏著膜可確保高黏著性，且可容易地以薄膜或類似物的形式生產。具體而言，若(甲基)丙烯酸酯系樹脂的重量平均分子量過低，則可能不容易形成用於半導體的黏著膜，且因此黏著膜的可切削性可能劣化，且因此封裝製作製程中的晶片拾取效能可能劣化。另外，若(甲基)丙烯酸酯系樹脂的重量平均分子量過高， 則用於半導體的黏著膜的黏度可能增加，且組成物的高溫流動性可能降低。因此，組成物的晶圓可濕性及嵌入性質可能降低，且因此在封裝裝配之後可能會餘留空隙(void)且使封裝的可靠性降級。
根據本揭露的一個實施例，用於半導體的黏著樹脂組成物中(甲基)丙烯酸酯系樹脂的重量對(甲基)丙烯酸酯系樹脂、環氧樹脂及酚醛樹脂的總重量的比率可為0.55至0.95。由於用於半導體的黏著樹脂組成物中(甲基)丙烯酸酯系樹脂的重量對(甲基)丙烯酸酯系樹脂、環氧樹脂及酚醛樹脂的總重量的比率被控制在上述範圍內，因此用於半導體的黏著膜可具有高彈性、極佳機械性質及高黏著性，同時在初始拉伸期間表現出相對高的模數。具體而言，若(甲基)丙烯酸酯系樹脂的重量對(甲基)丙烯酸酯系樹脂、環氧樹脂及酚醛樹脂的總重量的比率低於上述範圍的下限，則用於半導體的黏著膜的黏著性可能降低，且因此其在晶圓上的可濕性可能降低，從而使得可能無法確保黏著膜的均勻劃分性質，且晶圓與黏著膜之間的介面黏著力可能由於其間的低黏著而降低，從而導致降低的可靠性。若(甲基)丙烯酸酯系樹脂的重量對(甲基)丙烯酸酯系樹脂、環氧樹脂及酚醛樹脂的總重量的比率高於上述範圍的上限，則當將用於半導體的黏著膜在室溫下拉伸5%至15%時出現的模數可能不足，且黏著膜在室溫下的拉伸應變可能非常高。
根據本揭露的一個實施例，用於半導體的黏著樹脂組成 物中環氧樹脂與酚醛樹脂之間的重量比可慮及最終生產的產物的性質來控制。舉例而言，重量比可為10：1至1：10。
根據本揭露的一個實施例，酚醛樹脂可具有為80克/當量(g/eq)至400克/當量的羥基當量(equivalent weight)。具體而言，酚醛樹脂可具有為90克/當量至250克/當量、100克/當量至178克/當量或210克/當量至240克/當量的羥基當量。在酚醛樹脂具有在以上範圍內的羥基當量的情況下，即使當酚醛樹脂的含量低時，亦可藉由增加組成物的固化程度來賦予黏著樹脂組成物極佳的黏著性質。
根據本揭露的用於半導體的黏著樹脂組成物包含環氧樹脂。由於環氧樹脂是如上所述般被包含，因此其可用於控制用於半導體的黏著樹脂組成物的固化程度或提高其黏著效能。
根據本揭露的一個實施例，環氧樹脂可為選自由聯苯基系環氧樹脂、雙酚A環氧樹脂、雙酚F環氧樹脂、甲酚酚醛環氧樹脂、苯酚酚醛環氧樹脂、四官能環氧樹脂、三苯酚甲烷型環氧樹脂、烷基改質三苯酚甲烷型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂及雙環戊二烯改質苯酚型環氧樹脂組成的群組的至少一種聚合物樹脂。
根據本揭露的一個實施例，環氧樹脂的軟化點可為-50℃至100℃。若環氧樹脂的軟化點過低，則用於半導體的黏著樹脂組成物的黏著性可能增加，且因此切割之後的晶片拾取效能可能降低，且若環氧樹脂的軟化點過高，則用於半導體的黏著樹脂組成 物的高溫流動性可能降低，且用於半導體的黏著膜的黏著性可能降低。
根據本揭露的一個實施例，本揭露中所使用的環氧樹脂可為具有不同軟化點的二或更多種環氧樹脂的組合。在所使用的環氧樹脂是如上所述的具有不同軟化點的二或更多種環氧樹脂的組合的情況下，其可在封裝裝配製程中確保黏著樹脂組成物的足夠的流動性。
根據本揭露的一個實施例，環氧樹脂的環氧當量可為100克/當量至300克/當量。
根據本揭露的一個實施例，固化劑可更包括選自由胺系固化劑及酸酐系固化劑組成的群組的至少一種化合物。慮及最終生產的黏著膜的物理性質，可適當地選擇所使用固化劑的量。舉例而言，以100重量份的環氧樹脂計，可以為10重量份至700重量份或30重量份至300重量份的量使用固化劑。
根據本揭露的一個實施例，用於半導體的黏著樹脂組成物可更包含固化催化劑。固化催化劑用於促進固化劑的作用或在生產用於半導體的黏著膜的製程中加速固化，且可無特別限制地使用已知用於生產用於半導體的黏著膜的任何固化催化劑等。舉例而言，作為固化催化劑，可使用選自由磷系化合物、硼系化合物、磷硼系化合物及咪唑系化合物組成的群組的至少一者。所使用的固化催化劑的量可慮及最終生產的黏著膜的物理性質來適當地選擇。舉例而言，以100重量份的液體及固體環氧樹脂、(甲基) 丙烯酸酯系樹脂及酚醛樹脂的總重量計，固化催化劑可以為0.5重量份至10重量份的量被使用。
根據本揭露的一個實施例，用於半導體的黏著樹脂組成物可更包含離子清除劑，所述離子清除劑包括：金屬氧化物，包括選自由鋯、銻、鉍、鎂及鋁組成的群組的至少一種金屬；或多孔矽酸鹽；或多孔鋁矽酸鹽；或者沸石。
根據本揭露的一個實施例，金屬氧化物可為氧化鋯、氧化銻、氧化鉍、氧化鎂、氧化鋁、銻鉍系氧化物、鋯鉍系氧化物、鋯鎂系氧化物、鎂鋁系氧化物、銻鎂系氧化物、銻鋁系氧化物、銻鋯系氧化物、鋯鋁系氧化物、鉍鎂系氧化物、鉍鋁系氧化物或其二或更多者的混合物。
離子清除劑可用於吸附用於半導體的黏著膜中所存在的金屬離子或鹵素離子，藉此增強與黏著膜接觸的配線的電性可靠性。
根據本揭露的一個實施例，慮及離子清除劑與過渡金屬離子的反應性及組成物的可加工性，用於半導體的黏著樹脂組成物中離子清除劑的含量並無特別限制，但以用於半導體的黏著樹脂組成物的重量計，可為0.01重量%至20重量%、較佳為0.01重量%至10重量%。
根據本揭露的一個實施例，用於半導體的黏著樹脂組成物可更包含選自由偶聯劑及無機填料組成的群組的一或多種添加劑。偶聯劑及無機填料的具體實例並無特別限制，且可無特別限 制地使用已知用於半導體封裝的黏著劑中所使用的組分。
根據本揭露的用於半導體的黏著樹脂組成物包含分散於聚合物基質中且包括芯體及形成於芯體的表面上的塗層的磁性填料。由於黏著樹脂組成物如上所述包含包括芯體及形成於芯體的表面上的塗層的磁性填料，因此可最小化由自晶片等產生的電磁干擾引起的雜訊。
根據本揭露的一個實施例，以100重量份的聚合物基質計，磁性填料的含量可為30重量份至70重量份。具體而言，以100重量份的聚合物基質計，磁性填料的含量可為35重量份至65重量份或40重量份至60重量份。在磁性填料的含量被控制在上述範圍內的情況下，可增加功率損耗率。
根據本揭露的一個實施例，芯體可由選自由碳化鐵、鐵氧體、錫錳、氧化鐵(III)、三達斯特合金(鋁矽鐵粉)(sendust)、氮化鐵、錳系鐵氧體(Mn鐵氧體)、錳鎂鍶系鐵氧體(Mn-Mg-Sr鐵氧體)、石墨烯及其組合組成的群組的一者製成。在芯體的材料選自上述者的情況下，磁性填料可滿足電性可靠性且最大限度地吸收頻率為1吉赫(GHz)至6吉赫的電磁波。
根據本揭露的一個實施例，塗層的厚度可為10奈米至500奈米。具體而言，塗層的厚度可為50奈米至450奈米、100奈米至400奈米、150奈米至350奈米或200奈米至300奈米。在塗層的厚度被控制在以上範圍內的情況下，可確保用於半導體的黏著膜的介電性質。
根據本揭露的一個實施例，以100重量份的芯體計，磁性填料中所包括的塗層的含量可為50重量份至150重量份。具體而言，以100重量份的芯體計，磁性填料中所包括的塗層的含量為50重量份至150重量份、60重量份至140重量份、70重量份至130重量份、80重量份至120重量份或90重量份至110重量份。在磁性填料中所包括的塗層的含量被控制在上述範圍內的情況下，可最小化由自晶片等產生的電磁干擾引起的雜訊。
根據本揭露的一個實施例，以100重量份的塗層計，選自由氧化釔、氧化鎂、氧化鋁、氧化矽、鐵氧體及其組合組成的群組的一者的含量可為5重量份至15重量份。具體而言，選自由氧化釔、氧化鎂、氧化鋁、氧化矽、鐵氧體及其組合組成的群組的一者可指代金屬氧化物系化合物，且以100重量份的塗層計，金屬氧化物系化合物的含量可為5重量份至15重量份。更具體而言，以100重量份的塗層計，選自由氧化釔、氧化鎂、氧化鋁、氧化矽、鐵氧體及其組合組成的群組的一者的含量可為6重量份至14重量份、4重量份至16重量份或7重量份至13重量份。在選自由氧化釔、氧化鎂、氧化鋁、氧化矽、鐵氧體及其組合組成的群組的一者的含量被控制在以上範圍內的情況下，磁性填料可最大限度地吸收頻率為1吉赫至6吉赫的電磁波。
本揭露的另一實施例提供一種包含所述用於半導體的黏著樹脂組成物的用於半導體的黏著膜。
由於根據本揭露的一個實施例的用於半導體的黏著膜 在聚合物基質中包含包括芯體及形成於芯體的表面上的塗層的磁性填料，因此其可具有增加的體積電阻率，且因此可有效地減少電磁干擾。
根據本揭露的一個實施例，用於半導體的黏著膜可具有為1微米至300微米的厚度。另外，用於半導體的黏著膜可具有為1微米或大於1微米、或3微米或大於3微米、或5微米或大於5微米、或10微米或大於10微米的厚度。另外，用於半導體的黏著膜可具有為300微米或小於300微米、或100微米或小於100微米、或90微米或小於90微米、或70微米或小於70微米的厚度。
根據本揭露的一個實施例，當用於半導體的黏著膜應用於半導體晶片的多層封裝結構時，可達成更穩定的結構及極佳的機械性質(例如耐熱性及耐衝擊性)且防止迴流裂紋(reflow crack)或類似物的出現。具體而言，即使當封裝結構長時間暴露於半導體製作製程中所應用的高溫條件，空隙亦可實質上不出現。
根據本揭露的一個實施例，用於半導體的黏著膜具有高斷裂強度(breaking strength)及低斷裂伸長率(elongation at break)，且因此不僅適用於使用刀片切削晶圓的方法，而且適用於例如磨製前切割(dicing-before-grinding，DBG)等其他非接觸黏著切削方法。另外，用於半導體的黏著膜具有即使在切削之後在低溫下亦會被劃分成多個部分的極佳性質，且因此即使當在室溫下放置時亦具有低的再黏著可能性，藉此提高半導體製作製程的可靠性 及效率。
根據本揭露的一個實施例，黏著膜可用作晶粒附接膜(die attach film，DAF)，以用於將引線框架(lead frame)或基板黏接至晶粒或者用於晶粒之間的黏接。因此，黏著膜可以晶粒黏接膜(die bonding film)或切割晶粒黏接膜(dicing die-bonding film)的形式進行處理。
本揭露的又一實施例提供一種切割晶粒黏接膜，所述切割晶粒黏接膜包括：基板膜；第一黏著層，形成於基板膜上；以及第二黏著層，形成於第一黏著層上且包括用於半導體的黏著膜。
根據本揭露的一個實施例的切割晶粒黏接膜可最小化由半導體封裝之間發生的電磁干擾引起的雜訊，且可解決與由晶片之間的電磁干擾引起的雜訊相關聯的問題。
根據本揭露的一個實施例，包括於切割晶粒黏接膜中的基板膜的類型並無特別限制。舉例而言，此項技術中已知的塑膠膜或金屬箔可用作基板膜。舉例而言，基板膜可包含低密度聚乙烯、線性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、聚丙烯的隨機共聚物、聚丙烯的嵌段共聚物、均聚丙烯、聚甲基戊烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-離子聚合物共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丁烯、苯乙烯共聚物或其中的二或更多者的混合物。此處，包含二或更多種聚合物的混合物的基板膜意味著包括具有 其中分別包含上述聚合物的二或更多個膜彼此疊層的結構的膜，或者包含上述聚合物中的二或更多者的單層式膜。
根據本揭露的一個實施例，基板膜的厚度並無特別限制，且一般為10微米至200微米、較佳為50微米至180微米。若厚度小於10微米，則可能引起切割製程中對切削深度的控制不穩定的問題，且若厚度大於200微米，則可能引起切割製程中出現大量毛刺(burr)的問題，或者由於膜的降低的伸長率而無法準確地執行膨脹製程(expanding process)的問題。
根據本揭露的一個實施例，若有必要，則可使基板膜經歷例如消光處置(matting treatment)、電暈放電處置(corona discharge treatment)、底漆處置(primer treatment)或交聯處置(crosslinking treatment)等常規物理或化學處置。
根據本揭露的一個實施例，第一黏著層可包含可UV固化黏著劑或可熱固化黏著劑。當使用可UV固化黏著劑時，其黏著性藉由利用UV光照射基板膜側以提高黏著劑的黏聚性(cohesiveness)及玻璃轉變溫度而降低。當使用可熱固化黏著劑時，其黏著性藉由向其施加熱而降低。
根據本揭露的一個實施例，可UV固化黏著劑可包括(甲基)丙烯酸酯系樹脂、可UV固化化合物、光引發劑及交聯劑。
根據本揭露的一個實施例，(甲基)丙烯酸酯系樹脂可具有為100,000克/莫耳至1,500,000克/莫耳、較佳為200,000克/莫耳至1,000,000克/莫耳的重量平均分子量。若重量平均分子量小 於100,000克/莫耳，則可能引起可UV固化黏著劑的可塗佈性或黏聚性降低的問題，且因此在剝離之後殘留物餘留於黏著物上，或者發生黏著劑斷裂的現象。同時，若重量平均分子量大於1,500,000克/莫耳，則可能引起(甲基)丙烯酸酯系樹脂干擾可UV固化化合物的反應的問題，且因此黏著劑的剝離力不會有效地降低。
根據本揭露的一個實施例，(甲基)丙烯酸酯系樹脂可為例如(甲基)丙烯酸酯系單體與包含可交聯官能基的單體的共聚物。在此種情形中，(甲基)丙烯酸酯系單體的實例包括(甲基)丙烯酸烷基酯，且更具體而言，包括各自具有擁有1至12個碳原子的烷基的單體。更具體而言，(甲基)丙烯酸酯系單體可為選自(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯及(甲基)丙烯酸癸酯的一者或者二或更多者的混合物。當使用包含具有較大碳原子數目的烷基的單體時，最終共聚物的玻璃轉變溫度變得更低。因此，可端視所期望的玻璃轉變溫度來選擇適當的單體。
根據本揭露的一個實施例，包含可交聯官能基的單體的實例包括選自包含羥基的單體、包含羧基的單體及含氮單體的一者或者二或更多者的混合物。此處，含羥基化合物的實例包括但不限於(甲基)丙烯酸2-羥乙酯及(甲基)丙烯酸2-羥丙酯，且含羧基化合物的實例包括但不限於(甲基)丙烯酸，且含氮單體的實例包括 但不限於(甲基)丙烯腈、N-乙烯基吡咯啶酮及N-乙烯基己內醯胺。
根據本揭露的一個實施例，自改善例如相容性等其他功能性的角度來看，(甲基)丙烯酸酯系樹脂可更包括例如乙酸乙烯酯、苯乙烯或丙烯腈等含碳-碳雙鍵的低分子量化合物。
根據本揭露的一個實施例，可UV固化化合物的類型並無特別限制，且舉例而言，具有為100克/莫耳至300,000克/莫耳或500克/莫耳至100,000克/莫耳的重量平均分子量的多官能化合物(例如，多官能丙烯酸胺基甲酸酯、多官能丙烯酸酯單體或寡聚物等)可用作可UV固化化合物。此項技術中具有通常知識者可根據預期用途容易地選擇適當的化合物。重量平均分子量是藉由GPC方法量測的就聚苯乙烯而言的重量平均分子量。
根據本揭露的一個實施例，以100重量份的上述(甲基)丙烯酸酯系樹脂計，可UV固化化合物的含量可為5重量份至400重量份、較佳為10重量份至200重量份。若可UV固化化合物的含量小於5重量份，則可能引起拾取效能可能由於固化之後黏著性的降低不足而劣化的問題，且若可UV固化化合物的含量大於400重量份，則可能引起黏著劑在UV照射之前的黏聚性不足，或者不容易達成自釋放膜等剝離的問題。
根據本揭露的一個實施例，光引發劑的類型亦並無特別限制，且可使用此項技術中已知的常見光引發劑。以100重量份的可UV固化化合物計，光引發劑的含量可為0.05重量份至20重 量份。若光引發劑的含量低於0.05重量份，則可能引起藉由UV照射的固化反應不足且因此拾取效能劣化的問題，且若光引發劑的含量大於20重量份，則可能引起以下問題：固化製程期間的交聯反應以短單位發生，或者未反應的可UV固化化合物餘留下來並導致黏著物的表面上的殘留物，或者固化之後的剝離力過度降低，從而導致拾取效能劣化。
根據本揭露的一個實施例，包含於第一黏著層中以賦予黏著性及黏聚性的交聯劑的類型亦並無特別限制，且可使用例如異氰酸酯系化合物、氮丙啶系化合物、環氧系化合物或金屬螯合物系化合物等常規化合物作為交聯劑。以100重量份的(甲基)丙烯酸酯系樹脂計，交聯劑可以為2重量份至40重量份、較佳為2重量份至20重量份的量被包含。若交聯劑的含量小於2重量份，則可能引起黏著劑的黏聚性不足的問題，且若含量大於20重量份，則可能引起黏著劑在UV照射之前的黏著性不足的問題，且因此發生晶片散射(chip scattering)。
根據本揭露的一個實施例，第一黏著層可更包含例如松香樹脂、萜烯樹脂、酚醛樹脂、苯乙烯樹脂、脂肪族石油樹脂、芳香族石油樹脂或脂肪族/芳香族共聚物石油樹脂等增黏劑。
根據本揭露的一個實施例，在基板膜上形成包含上述組分的第一黏著層的方法並無特別限制。舉例而言，形成第一黏著層的方法可為藉由將本揭露的黏著組成物直接施加至基板膜上來形成第一黏著層的方法，或者為將黏著組成物施加至可剝離基板 上以形成第一黏著層且然後將第一黏著層自可剝離基板傳遞至基板膜上的方法。
根據本揭露的一個實施例，施加黏著組成物並對其進行乾燥的方法並無特別限制，且舉例而言，所述方法可為直接施加包含上述組分的組成物的方法，或者為在適合的有機溶劑中稀釋組成物、藉由已知手段(例如逗點式塗佈機(comma coater)、凹版印刷塗佈機(gravure coater)、模塗佈機(die coater)或反向塗佈機(reverse coater))施加稀釋物且然後藉由在60℃至200℃的溫度下乾燥達10秒至30分鐘來移除溶劑的方法。另外，在以上製程中，為達成黏著劑的充分交聯反應，可另外執行老化製程(aging process)。
根據本揭露的一個實施例，第一黏著層的厚度並無特別限制，但可例如在10微米至500微米的範圍內。
根據本揭露的一個實施例，第二黏著層可形成於第一黏著層上，且可包括根據上述實施例的用於半導體的黏著膜。關於用於半導體的黏著膜的細節包括以上所述的細節中的所有者。
根據本揭露的一個實施例，第二黏著層的厚度並無特別限制，但可例如在1微米至100微米或3微米至50微米的範圍內。
根據本揭露的一個實施例，切割晶粒黏接膜可更包括形成於第二黏著層上的釋放膜。可使用的釋放膜的實例包括選自聚對苯二甲酸乙二醇酯膜、聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、氯乙烯共聚物膜及聚醯亞胺膜的一或多 個塑膠膜。
根據本揭露的一個實施例，釋放膜的表面可利用醇酸系釋放劑、矽酮系釋放劑、氟系釋放劑、不飽和酯系釋放劑、聚烯烴系釋放劑及蠟系釋放劑中的一或多者進行釋放處置。在該些釋放劑中，耐熱的醇酸系釋放劑、矽酮系釋放劑或氟系釋放劑是尤其較佳的。
根據本揭露的一個實施例，釋放膜可被形成為具有為大體約10微米至500微米、較佳為20微米至200微米的厚度，但其厚度不限於此。
根據本揭露的一個實施例，生產上述切割晶粒黏接膜的方法並無特別限制，且可為例如在基板膜上依序形成第一黏著層、第二黏著層及釋放膜的方法，或者為單獨地製備切割膜(基板膜+第一黏著層)及上面形成有晶粒黏接膜或第二黏著層的釋放膜且然後將該些膜彼此疊層的方法。
根據本揭露的一個實施例，疊層方法並無特別限制，且可為熱軋疊層方法或疊層按壓方法。在該些方法中，就連續加工性(processability)及效率而言，熱軋疊層方法是較佳的。熱軋疊層方法可在10℃至100℃的溫度及0.1千克力/平方公分至10千克力/平方公分的壓力下執行，但其條件不限於此。
在下文中，將參照實例詳細闡述本揭露。然而，根據本揭露的實例可被修改成各種不同的形式，且本揭露的範圍不被解釋為限於以下所述的實例。提供本說明書的實例是為向熟習此項 技術者更完整地闡釋本揭露。
實例1
將70克丙烯酸丁酯、15克丙烯腈、5克甲基丙烯酸縮水甘油酯及10克甲基丙烯酸苄酯在100克甲苯中混合於一起，並容許其在80℃下反應達約12小時，藉此合成丙烯酸酯樹脂(重量平均分子量：約400,000克/莫耳，且玻璃轉變溫度：10℃)，縮水甘油基已作為支鏈引入至所述丙烯酸酯樹脂。
製備出了磁性填料(HF-03C，盧皮恩有限公司(Nopion Co.,Ltd.))，其包括作為芯體的氧化鐵(III)及藉由利用包含以下組分的組成物塗佈芯體以具有為50奈米的厚度而形成的塗層：作為環氧樹脂固化劑的4克酚醛樹脂KA-1160(由大日本油墨及化學品(Dainippon Ink and Chemicals，DIC)公司(DIC Corp.)製造，甲酚酚醛樹脂，羥基當量：190克/當量，軟化點：65℃)；2克環氧樹脂EOCN-103S(由日本化藥有限公司(Nippon Kayaku Co.,Ltd.)製造，甲酚酚醛型環氧樹脂，環氧當量：214克/當量，軟化點：80℃)；5克液體環氧樹脂RE-310S(由日本化藥有限公司製造，雙酚A環氧樹脂，環氧當量：180克/當量)及5重量%的氧化釔。藉由碾磨機在作為溶劑的甲基乙基酮中碾磨85克磁性填料。
然後，將4克丙烯酸酯樹脂(分子量：400,000，玻璃轉變溫度：10℃)、0.1克矽烷偶聯劑A-187(GE矽酮，γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷)、作為固化促進劑的0.1克二氰二胺 (dicyandiamide，DICY)及0.1克2MA-OK添加至碾磨磁性填料，並另外碾磨2小時，以獲得用於半導體的黏著樹脂組成物溶液(固體含量：50重量%)。使用自動塗佈機施加此種黏著樹脂組成物溶液，以獲得具有為20微米的膜厚度的用於半導體的黏著膜。
實例2
除使用磁性填料以外，以與實例1中相同的方式獲得了用於半導體的黏著膜，所述磁性填料包括藉由利用包含10重量%的氧化釔的組成物塗佈芯體氧化鐵(III)至為50奈米的厚度而形成的塗層。
實例3
除使用68克磁性填料以使用於半導體的黏著樹脂組成物溶液的固體含量被控制至40重量%以外，以與實例1中相同的方式獲得了用於半導體的黏著膜。
實例4
除使用102克磁性填料以使用於半導體的黏著樹脂組成物溶液的固體含量被控制至60重量%以外，以與實例1中相同的方式獲得了用於半導體的黏著膜。
實例5
除使用磁性填料以外，以與實例1中相同的方式獲得了用於半導體的黏著膜，所述磁性填料包括藉由利用包含15重量%的氧化釔的組成物塗佈芯體氧化鐵(III)以具有為100奈米的厚度而形成的塗層。
比較例1
除使用未利用氧化釔塗佈的磁性填料(HF-03，盧皮恩有限公司)以外，以與實例1中相同的方式獲得了用於半導體的黏著膜。
比較例2
除不使用磁性填料以外，以與實例1中相同的方式獲得了用於半導體的黏著膜。
比較例3
除使用磁性填料以外，以與實例1中相同的方式獲得了用於半導體的黏著膜，所述磁性填料包括藉由利用包含小於5重量%的氧化釔的組成物塗佈芯體氧化鐵(III)以具有為50奈米的厚度而形成的塗層。
比較例4
除使用磁性填料以外，以與實例1中相同的方式獲得了用於半導體的黏著膜，所述磁性填料包括藉由利用包含20重量%的氧化釔的組成物塗佈芯體氧化鐵(III)而形成的塗層。
實驗例1(量測體積電阻率)
使用體積電阻率計(日置韓國有限公司(Hioki Korea Co.,Ltd.))，將電壓V施加至在實例1及2以及比較例1中的每一者中獲得的用於半導體的黏著膜，且量測了流經用於半導體的黏著膜的電流Iv。使用所量測的值藉由以下方程式1計算出了體積電阻率Rv，且計算結果示於下表1中。
[方程式1]Rv=V/Iv
實驗例2(用於功率損耗量測的方法)
藉由網路分析儀(E5071C，安捷倫(Agilent))使用評價近場功率吸收的方法(微帶線(microstrip line))量測了在實例1及2以及比較例1及3中的每一者中獲得的用於半導體的黏著膜的功率損耗。
Figure 110130276-A0305-02-0030-1
圖3是示出量測在實例1及2以及比較例1中的每一者中獲得的黏著膜的體積電阻率的結果的曲線圖。參照上表1及圖3，證實了包含未利用氧化釔塗佈的磁性填料的比較例1具有低體積電阻率值且不具有介電性質。
另外，證實了量測比較例3的黏著膜(其包含包括塗層的磁性填料，以塗層計，所述塗層以為5重量%的量包含氧化釔)的體積電阻率的結果相似於比較例1的量測結果，此表明比較例3中所使用的磁性填料表現出與不具有塗層的磁性填料的效果相似的效果。
相比之下，證實了在實例1及2中的每一者中獲得的包含利用氧化釔塗佈的磁性填料的用於半導體的黏著膜相較於比較 例1的體積電阻率而言具有迅速增加的體積電阻率，且因此具有介電性質，此表明其藉由有效地屏蔽電磁波來降低晶片之間的雜訊。
圖4是示出在實例1及比較例1及2中的每一者中獲得的黏著膜的功率損耗的曲線圖。證實了包含利用氧化釔塗佈的磁性填料的實例1的黏著膜藉由吸收電磁波而顯示出增加的功率損耗。相比之下，包含未利用氧化釔塗佈的磁性填料的比較例1的黏著膜顯示出與實例1的功率損耗率相似的功率損耗率，但由於其低體積電阻率值而不具有介電性質。此外，證實了不包含磁性填料的比較例2的黏著膜顯示出低功率損耗率。
圖5是示出在實例1至3中的每一者中獲得的黏著膜的功率損耗的曲線圖。參照圖5，證實了黏著膜的功率損耗率隨著磁性填料的含量增加而增加。
實驗例3(分析磁性填料的粉末顆粒形狀及平均粒度)
圖6示出利用掃描電子顯微鏡(SEM)拍攝的照片，以分析比較例1及實例2及5中所使用的磁性填料的顆粒形狀。參照圖6，可證實隨著磁性填料的塗層中所包含的氧化釔的含量增加，磁性填料顆粒的聚集程度增加。
圖7是示出在比較例1及實例1、2及5中的每一者中所使用的磁性填料的平均粒度相依於磁性填料中氧化釔的含量的曲線圖。此外，下表2示出相依於塗層中氧化釔的含量(重量%)的晶圓可濕性。具體而言，將具有不同氧化釔含量的黏著膜中的 每一者切削成具有為22公分的直徑的圓形形狀。將如此製備的圓形膜中的每一者疊層至塗佈有黏著層的環氧丙烷(propylene oxide，PO)膜上，從而製備切割晶粒黏接膜。單獨地，將80微米的晶圓疊層於切割膜上並切削成為8毫米×8毫米的大小。然後，使用安裝裝置在70℃下將經劃分的晶圓及每一黏著膜彼此熱疊層，並檢查黏著膜是否將不會黏著至晶圓。黏著至晶圓的黏著膜被評價為良好，且未黏著至晶圓的黏著膜被評價為具有不良表面。評價的結果總結於下表2中。
Figure 110130276-A0305-02-0032-2
參照圖7及表2，可證實隨著磁性填料的塗層中氧化釔的含量增加，磁性填料的黏聚性增加，且因此其平均粒度增加。具體而言，證實了比較例1中的磁性填料的平均粒度為2.9微米，但其中磁性填料的塗層中氧化釔的含量為10重量%的實例2中的磁性填料的平均粒度為14.8微米，其相較於比較例1中的平均粒度而言增加了五倍。另外，證實了其中磁性填料的塗層中氧化釔的含量為15重量%的實例5中的磁性填料的平均粒度為29微米，且當磁性填料的塗層中氧化釔的含量進一步增加時，在包含磁性填料的60微米線上膜(film over wire，FOW)的B階表面(B-stage surface)上發現了大量磁性填料顆粒，此表明使用所述膜的晶圓疊層製程不容易。
因此，證實了藉由控制塗層中氧化釔的含量及控制黏著樹脂組成物中磁性填料的含量可有效地防止電磁干擾。
如上所述，根據本揭露的一個實施例的用於半導體的黏著樹脂組成物及包含所述用於半導體的黏著樹脂組成物的用於半導體的黏著膜可藉由由於在聚合物基質中包含包括芯體及形成於芯體的表面上的塗層的磁性填料而具有增大的體積電阻率來有效地減少電磁干擾。
根據本揭露的一個實施例的切割晶粒黏接膜可最小化由在半導體封裝之間發生的電磁干擾引起的雜訊，且解決與由晶片之間的電磁干擾引起的雜訊相關聯的問題。
本揭露的效果不限於上述效果，且熟習此項技術者將自本說明書及附圖中清楚地理解本文中所未提及的效果。
儘管以上已藉由有限的實施例闡述了本揭露，然而本揭露不限於此。應理解，在不背離本揭露的技術精神的情況下且在隨附申請專利範圍的等效範圍內，熟習此項技術者可對本揭露進行各種改變及修改。

Claims (9)

  1. 一種用於半導體的黏著樹脂組成物，包含：聚合物基質，包括(甲基)丙烯酸酯系樹脂、固化劑及環氧樹脂，所述(甲基)丙烯酸酯系樹脂包括包含環氧系官能基的(甲基)丙烯酸酯系重複單元及包含芳香族官能基的(甲基)丙烯酸酯系重複單元，所述固化劑包括酚醛樹脂；以及磁性填料，分散於所述聚合物基質中且包括芯體及形成於所述芯體的表面上的塗層，其中所述塗層包含選自由氧化釔、氧化鋁、及其組合組成的群組的一者，且其中以100重量份的所述塗層計，選自由氧化釔、氧化鋁及其組合組成的群組的一者以5重量份至15重量份的量被包含。
  2. 如請求項1所述的黏著樹脂組成物，其中以100重量份的所述聚合物基質計，所述磁性填料以30重量份至70重量份的量被包含。
  3. 如請求項1所述的黏著樹脂組成物，其中所述芯體由選自由碳化鐵、鐵氧體、錫-錳、氧化鐵(III)、三達斯特合金、氮化鐵、錳系鐵氧體(Mn鐵氧體)、錳-鎂-鍶系鐵氧體(Mn-Mg-Sr鐵氧體)、石墨烯及其組合組成的群組的一者製成。
  4. 如請求項1所述的黏著樹脂組成物，其中所述塗層具有10奈米至500奈米的厚度。
  5. 如請求項1所述的黏著樹脂組成物，其中以100重量 份的所述芯體計，所述磁性填料中所包括的所述塗層的含量為50重量份至150重量份。
  6. 如請求項1所述的黏著樹脂組成物，其中所述(甲基)丙烯酸酯系樹脂具有0℃至20℃的玻璃轉變溫度及50,000至1,000,000的重量平均分子量。
  7. 如請求項1所述的黏著樹脂組成物，其中所述(甲基)丙烯酸酯系樹脂包含3重量%至30重量%的含有所述環氧系官能基的所述(甲基)丙烯酸酯系重複單元。
  8. 一種用於半導體的黏著膜，包含如請求項1至請求項7中任一項所述的用於半導體的黏著樹脂組成物。
  9. 一種切割晶粒黏接膜，包括：基板膜；第一黏著層，形成於所述基板膜上；以及第二黏著層，形成於所述第一黏著層上且包括如請求項8所述的用於半導體的黏著膜。
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