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TWI738684B - 可脫黏組合物 - Google Patents

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TWI738684B
TWI738684B TW105138193A TW105138193A TWI738684B TW I738684 B TWI738684 B TW I738684B TW 105138193 A TW105138193 A TW 105138193A TW 105138193 A TW105138193 A TW 105138193A TW I738684 B TWI738684 B TW I738684B
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孔勝前
劉婭芸
曾文華
史蒂芬 海恩斯
約翰 G 伍茲
江波 歐陽
孫春雨
貝瑞姆 伊莎莉
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德商漢高智慧財產控股公司
德商漢高股份有限及兩合公司
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Abstract

本發明提供用於高溫黏著劑應用中且尤其用於將一個基板暫時以黏著方式附接至另一基板之雙固化組合物。該等雙固化黏著劑係基於聚矽氧之組合物，其可藉由曝光於UV輻射而B階段化以提供初始生坯強度，隨後C-階段固化以產生可經受200℃以上、尤其300℃以上之高溫製程但隨後易於脫黏以容許分離頂部及底部基板之黏著劑。

Description

可脫黏組合物
本發明提供用於高溫黏著應用中且尤其用於將一個基板暫時以黏著方式附接至另一基板之雙固化組合物。該等雙固化黏著劑係基於聚矽氧之組合物，其可藉由曝光於UV輻射而B階段化以提供初始生坯強度，隨後C-階段固化以產生可經受200℃以上、尤其300℃以上之高溫製程但隨後易於脫黏以容許分離頂部及底部基板之黏著劑。
在許多行業內，對撓性及/或極薄基板在商品、尤其消費品(如個人電子器件)之總成中之使用愈來愈感興趣。舉例而言，不銹鋼、矽晶圓、玻璃、陶瓷、聚醯亞胺及聚酯膜時常用作此等基板。撓性及極薄基板過脆而在下游製造條件中不能獨立處置，且必須支撐於適宜載體上以保持完好。在完成製造製程後，較佳在環境溫度下，基板必須可自未損壞之載體移除。 在電子行業中，作為一實例，成像顯示器、感測器、光伏打器件及RFID愈來愈需要薄及/或撓性基板以用於手機、個人數位助理、iPAD或TV之顯示應用。實例性基板係封裝有功能材料之極薄(100 µm)玻璃。將玻璃在400℃下處理以沈積薄膜電晶體(「TFT」)或在350℃下處理以沈積氧化銦錫(「ITO」)作為透明導體。由於玻璃之脆性及嚴苛處理條件，故此玻璃在製造期間必須經加強或藉由更穩定基板進行保護。 諸如此之用途要求高溫穩定黏著劑，其可容易且乾淨地脫黏，允許在高處理溫度下暫時黏合且不會危及基板之處置或性能。期望設計及研發此等黏著劑，此乃因其將容許諸如用於半導體、主動矩陣薄膜電晶體、觸控膜或光伏打器件之現有製造方法使用製造工具及機器之目前安裝基礎。大多數目前可用之暫時黏著劑在可高達400℃之製造步驟之最高處理溫度下係熱不穩定的。 適用於高溫暫時黏合應用之黏著劑(其可稍後在室溫下移除而不對目標組件造成損壞)將推進更薄及/或更撓性基板在各行業中之使用。 最近，國際專利公開案第WO2015/000150號闡述可脫黏黏著劑組合物，其包含(A) 1,3,5,7-四乙烯基-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷之乙烯基與具有末端Si-H氫之矽烷或矽氧烷之末端Si-H氫間之反應之矽氫化反應產物、(B)用於矽氫化反應產物之交聯劑及(C)金屬觸媒及/或自由基起始劑。 儘管可脫黏黏著劑中存在此最近進展(參考前述段落)，但為改良此等製程之產量，將高度期望在曝光於UV輻照後提供快速固定、隨後暴露於升高之溫度條件以熱固化黏著劑組合物來達到其最終固化狀態之黏著劑組合物。
本文中所揭示之黏著劑組合物及方法滿足該期望。 本發明組合物可在B-階段固化中在曝光於電磁譜中之輻射時自液體固化為凝膠或固體。狀態轉變形成壓敏性黏著劑，在25℃及1 Hz下達成G' ＞ 5.0×103 Pa、期望地＞ 1.0×104 Pa之儲存模數。該等性質提供足夠黏著強度。為賦予本發明組合物壓敏性黏著性質，對於黏性而言，根據達爾奎斯特準則(Dahlquist criterion)，期望在25℃及1 Hz下G'小於或等於3.0 × 105 Pa之儲存模數[參見Dahlquist, C. A.,Creep ,Handbook of Pressure Sensitive Adhesive Technology , Satas D.編輯，Warwick, RI (1999)]。在藉由曝光於升高之溫度條件之C-階段固化後，本發明組合物期望地在25℃及1 Hz下達成G' ＞ 1.0×106 Pa之儲存模數。該等性質提供具有無黏性表面之組合物，從而容許藉由該組合物附接至另一基板之基板易於分離/脫黏。 一般而言，本發明組合物係關於包含以下之組合物： (a)         具有一或多個乙烯基之聚矽氧烷樹脂； (b)         具有至少兩個(甲基)丙烯酸酯基之(甲基)丙烯酸化之聚矽氧烷樹脂；及 (c)         包含光起始劑及過氧化物及氫化矽氧烷或氫化聚矽氧烷中之一者之組合之起始劑。 本發明組合物可藉由兩種不同形式固化。第一，曝光於電磁譜中之輻射(例如，UV)，及第二暴露於升高之溫度條件。該等形式亦可串聯使用。 本發明組合物可用於各種方法中。例如，本文中提供使用本發明組合物黏合及脫黏之方法。 關於黏合之方法，提供將基板黏合至載體之方法。該方法包括以下步驟： (a)         提供基板及載體； (b)         將本發明組合物安置於基板及/或載體上； (c)         使基板及載體接觸以使得本發明組合物安置於載體與基板之間，從而形成總成； (d)         藉由以下固化本發明組合物： (i)    將總成暴露於升高之溫度條件，或 (ii)   將總成曝光於電磁譜中之輻射，或 (iii)  將總成曝光於電磁譜中之輻射，隨後暴露於升高之溫度條件。 關於脫黏之方法，提供將基板自載體脫黏之方法。該方法包括以下步驟： (a)         提供使用本發明組合物黏著地黏合至載體之基板；及 (b)         自載體分離基板。
如本說明書及申請專利範圍內所用，「基板」係指用於製造製程之目標組件，且「載體」係指「基板」之支撐結構。「B-階段」製程通常涉及時常使用UV或熱量之黏著劑系統之部分固化、溶劑蒸發或二者。此通常容許容易處置黏著劑或提供初始黏著劑強度，如在上文所述可脫黏黏著劑之情形中。然後在黏著劑系統在升高之溫度下加熱時，可發生黏著劑系統之更完全交聯且達到「C-階段」固化。 乙烯基聚矽氧樹脂係具有Si-CH=CH2 基團之直鏈或具支鏈聚矽氧烷化合物。 乙烯基聚矽氧樹脂之代表性結構顯示於下文中：
Figure 02_image001
其中R1 、R2 、R3 及R4 獨立地選自氫、具有或不具有雜原子或不飽和之C1-10 脂肪族烴或C6-10 芳香族烴，且w、x、y及z係重複單元之莫耳分數(w + x + y + z = 1, w＞0)。 通常，該等樹脂之鏈末端經三甲基矽基或乙烯基二甲基矽基封端。實例性乙烯基聚矽氧係自Gelest以產品名VDT購得。 (甲基)丙烯酸酯聚矽氧樹脂係在主鏈或鏈末端具有(甲基)丙烯酸酯基之直鏈或具支鏈聚矽氧烷化合物。 (甲基)丙烯酸酯聚矽氧樹脂之代表性結構係顯示於下文中：
Figure 02_image003
其中R1 、R2 及R3 獨立地選自氫、具有或不具有雜原子或不飽和之C1-10 脂肪族烴或C6-10 芳香族烴，X係選自具有或不具有雜原子或不飽和之C1-10 脂肪族或C6-10 芳香族烴之連接基，x1 、x2 、y1 、y2 及z係重複單元之莫耳分數(其中x1 + x2 + y1 + y2 + z = 1)且A係氫或(甲基)丙烯酸酯基。實例性(甲基)丙烯酸酯聚矽氧包括自Gelest Inc.以商標名DMS-R、RMS及UMS購得之產品，且用於釋放塗層之TEGO RC聚矽氧樹脂自Evonik購得。關於該等中之每一者之更多細節係提供於實例部分中。另外，丙烯酸酯聚矽氧亦自Siltech Corporation在Silmer ACR產品線下購得，例如Silmer ACR D208、Silmer ACR D2、Silmer ACR Di-10、Silmer ACR Di-50、Silmer ACR Di-1508、Silmer ACR Di-2510、Silmer ACR Di-4515-O，及Fluorosil ACR C7-F。 自由基熱起始劑係可在加熱下產生自由基物質以起始自由基反應之物質。典型熱起始劑係具有弱黏合及小黏合解離能之偶氮化合物及有機/無機過氧化物。 適宜自由基熱起始劑係眾所周知的且可選自過氧化二異丙苯、過氧化氫異丙苯及過氧化苯甲酸酯，例如過氧化苯甲酸第三丁基酯。自Arkema以Luperox商標名(例如Luperox 531M80 [1,1-二-(第三戊基過氧基)-環己烷])購得之有機過氧化物尤其可用於本文中。 氫化矽烷及氫化矽氧烷樹脂係具有能夠與乙烯基聚矽氧樹脂結構上之雙鍵進行矽氫化反應之Si-H基團之化合物。實例性化合物包括(但不限於)以下結構：
Figure 02_image005
Figure 02_image007
其中R1 、R2 、R3 及R4 獨立地選自氫、具有或不具有雜原子或不飽和之C1-10 脂肪族烴或C6-10 芳香族烴，且w、x、y、z係重複單元之莫耳分數(w + x + y + z = 1, w＞0)。 氫化矽烷及氫化矽氧烷樹脂亦可存在於環矽氧烷結構中，其實例係環三矽氧烷(D3)、環戊矽氧烷(D5)或甚至更高級者。 矽氫化觸媒(亦稱為氫矽烷化觸媒)促進Si-H鍵在不飽和雙鍵兩端之加成。該等通常係金屬觸媒，例如鉑及銠化合物。 在另一實施例中，本發明係基板及載體之總成，其中黏著劑組合物安置於基板之間。 在另一實施例中，提供使基板自載體脫黏之方法。該方法包含以下步驟：(a)提供基板及載體，(b)將可脫黏黏著劑安置於基板及/或載體上，(c)使基板及載體接觸以使得可脫黏黏著劑安置於中間，從而形成總成，(d)將總成暴露於有利於將基板黏附至載體之條件，此等條件為在升高之溫度下加熱、曝光於電磁譜中之輻射或曝光於電磁譜中之輻射隨後加熱及(e)自載體分離基板。 在步驟(d)涉及加熱時，溫度應在100℃至175℃範圍內持續1分鐘至30分鐘之時間段。在步驟(d)涉及輻射曝光時，可使用400瓦特燈產生並施加輻射達約1分鐘至4分鐘。在輻射及加熱之組合用於獲得期望固化時，在不使用過度實驗之情形下，熟習此項技術者可確定適宜條件。 實例 凝膠滲透層析用於測定聚矽氧材料之分子量。使用配備有自動進樣器及折射率檢測器之Waters 717GPC型，且各分子量之聚苯乙烯作為標準品(1.1 M - 162 Da)且四氫呋喃作為溶劑。 在下表中，顯示各聚矽氧材料之平均分子量(Mn及Mw，以道爾頓(Dalton)計，且相對於聚苯乙烯標準品)及多分散性(Mn/Mw)計算值。
Figure 105138193-A0304-0001
 以上數據對於VDT系列(乙烯基甲基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物，三甲基矽氧基封端)係說明性的，其由以下代表：
Figure 02_image009
Figure 105138193-A0304-0002
 以上數據對於DMS系列(乙烯基封端聚二甲基矽氧烷)係說明性的，其由以下代表：
Figure 105138193-A0304-0003
 以上數據對於PDV系列(二苯基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物)係說明性的，其由以下代表：
Figure 02_image013
TEGO RC-902係具有以下CAS編號：155419-56-且由製造商闡述為矽氧烷及聚矽氧；二-Me、氫封端；與丙烯酸及2-乙基-2[(2-丙烯基氧基)甲基]-1,3-丙二醇之反應產物之丙烯酸化聚矽氧；且 對於UMS系列，(丙烯醯氧基丙基)甲基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物，
Figure 02_image015
UMS-182：15-20% (丙烯醯氧基丙基)甲基矽氧烷重複單元 UMS-992：99-100% (丙烯醯氧基丙基)甲基矽氧烷重複單元。 實例1：丙烯酸化聚矽氧烷對乙烯基聚矽氧樹脂之UV固化之影響 將具有7-8%乙烯基之乙烯基聚矽氧樹脂VDT-731 (Gelest)與Irgacure 2100之100:0.9 (重量)摻合物在230 mW/cm2 UVA下固化。使用Anton Paar Physica MCR501光流變計使用8 mm板、1 mm間隙在1 Hz下監測固化。在60秒開始UV固化。將此試樣與VDT-731:UMS-182:Irgacure 2100之90:10:0.9摻合物(重量)比較，其中UMS-182 (Gelest)係沿聚矽氧聚合物鏈具有15-20%丙烯酸酯基之聚矽氧樹脂。如圖1中所示，少量丙烯酸化聚矽氧之使用使得固化速度顯著改良且儲存模數增加大致2個數量級。考慮到在組合物中之所有矽氧烷重複單元中丙烯酸酯官能基之量極低(約2%)，固化之改良係及其有效的。最重要的是，儲存模數超過104 Pa。根據耗損模數對儲存模數之比率ΔTan，亦注意到含有UMS-182之調配物在僅1.5秒膠凝。在不使用丙烯酸化聚矽氧之情形下，膠凝製程花費2分鐘以上。 Irgacure 2100具有以下結構
Figure 02_image017
使用VDT-731:UMS-182:Irgacure 2100之94.6:5.4:0.9摻合物(重量)將此進行重複。即使在極低量之丙烯酸酯官能度下仍再次觀察到極有效模數增長。(參見圖2)。 實例2：乙烯基矽氧烷及丙烯酸酯單體之模型研究 使用2重量% Darocur 1173將SIV9082:丙烯酸丁基酯之90:10 (重量)摻合物光聚合。將混合物密封於石英NMR管中且在約50 mW/cm2 UVA下輻射5分鐘。SIV9082 (Gelest) 係具有以下結構之乙烯基矽氧烷單體：
Figure 02_image019
Darocur 1173具有以下結構
Figure 02_image021
SIV9082:丙烯酸丁基酯摻合物具有4.6:1之莫耳比。此摻合物有助於促進兩種單體之間之共聚反應而非快速丙烯酸酯單體之均聚。 在UV輻照前及後實施1 H NMR分析。此外，在95℃下在400微米真空下自UV聚合之試樣移除殘餘單體，且1 H NMR證實形成納入乙烯基矽氧烷SIV9082及丙烯酸丁基酯單體二者之聚合物。 實例3：丙烯酸酯聚矽氧與甲基丙烯酸酯聚矽氧之比較 在此實例中，測試聚矽氧重複單元中具有7-9%甲基丙烯酸酯基之甲基丙烯酸化聚矽氧RMS-083 (Gelest)。將比率為90:10:0.9以及比率為80:20:0.9之VDT-731:RMS-083:Irgacure 2100摻合物與以上在實例1中製作且評估之丙烯酸化聚矽氧調配物比較。儘管觀察到較慢固化，但兩種試樣皆最終固化至5×103 Pa區。(參見圖3)。 實例4：高官能丙烯酸酯聚矽氧之使用 在此實例中，測試在所有矽氧烷重複單元上具有99-100%丙烯酸酯基之丙烯酸酯聚矽氧UMS-992 (Gelest)。將90:10:5:0.9比率之VDT-731:UMS-182:UMS-992:Irgacure 2100之摻合物藉由光流變法固化，且發現儲存模數為約104 Pa。 實例5：不同光起始劑之比較 在此實例中，以90:10:0.9比率製備VDT-731:UMS-182:光起始劑之樹脂摻合物。評估3種不同類型之光起始劑：Irgacure 2100、Darocur 1173及Irgacure MBF。Irgacure 2100係醯基膦氧化物型起始劑，Darocur 1173係α-羥基酮型起始劑且Irgacure MBF係苯乙酮酸酯起始劑。Irgacure MBF具有以下所示結構：
Figure 02_image023
在使用光流變法固化時，所有3者在固化後均產生儲存模數超過5×103 Pa之固化產物。然而，發現Irgacure 2100係最快光起始劑。(參見圖4)。另一方面，Darocur 1173在固化後產生較高儲存模數。 此外，將TEGO A18 (Evonik)作為Darocur 1173之揮發性較小之替代物測試且觀察到類似性能。此起始劑之結構顯示於下文中，其中R係具有C10-13烷基鏈之烷基：
Figure 02_image025
實例6：VDT731之熱固化 可脫黏黏著劑之重要屬性係在處理後易於剝去之能力。一般而言，儲存模數為106 Pa以上之黏著劑係在壓敏性黏著區之上且無黏性。將VDT-731與2重量%及4重量% Luperox 531M80摻和且於流變計上固化。將試樣藉由暴露於升高之溫度條件來固化，該等溫度條件係以10℃/分鐘間隔自室溫斜坡升至150℃之溫度且然後在150℃之溫度下保持1小時之時間段。如圖5中所示，經固化試樣使得儲存模數超過106 Pa。此實例展示基於此化學品之試樣適用於熱誘導之C階段固化。 實例7：雙固化調配物 將VDT-731 (9.0g)、UMS-182 (1.0g)、Irgacure 2100 (0.1g)及Luperox 531M80 (0.2g)混合在一起，且分配於玻璃晶粒(4 mm2 )上並將顯微鏡載玻片置於其上。將電磁譜中之輻射(50 mw/cm2 UVA)引導朝向玻璃晶粒/載玻片總成持續30秒之時間段。然後將總成暴露於150℃之升高之溫度條件持續60分鐘之時間段。然後，將總成在350℃或400℃下經受30分鐘之烘烤以模擬TFT/ITO製程。在該兩種烘烤條件下，該晶粒皆黏附至載玻片。然而，使用本文中所述剝離強度評估技術，觀察到該晶粒易於脫黏。 參考圖6，光流變測定法量測值指示最初在曝光於電磁輻射後且然後暴露於升高之溫度條件之模數之發展。 實例8：3種母料之製備 母料A含有20.0 g VDT-731、0.20 g Irgacure 2100及0.40 g Luperox 231。母料B含有10.0 g UMS-182、0.10 g Irgacure 2100及0.20 g Luperox 231。母料C含有10.0 g Tego RC-902丙烯酸酯聚矽氧樹脂(Evonik)、0.10 g Irgacure 2100及0.20 g Luperox 231。各種經摻和之試樣均係自該等母料製備且陳述於下表1中。將經摻和之試樣於光流變計中使用實例1之條件固化持續5分鐘之時間段。經摻和之試樣中之每一者之G’值亦記錄於表1中。表 1
Figure 105138193-A0304-0004
 自該等數據，似乎為達成本發明組合物之壓敏性黏著性質，乙烯基聚矽氧對丙烯酸酯聚矽氧比率期望地在97:3至40:60範圍內，以使得乙烯基官能度對丙烯酸酯官能度大致落入21:1至0.29:1範圍內。 實例9：3種母料之製備 將UMS-992 (具有99-100莫耳% (丙烯醯氧基丙基)甲基矽氧烷單元之丙烯酸酯聚矽氧樹脂)作為與VDT-731及起始劑包之摻和形式進行評估。將1滴各試樣置於2個顯微鏡載玻片之間且曝光於電磁譜中之輻射(50 mW/cm2 UVA)達60秒之時間段。然後將如此形成之總成暴露於150℃之升高之溫度條件下達1小時之時間段。結果匯總於表2中。表 2
Figure 105138193-A0304-0005
 IP (起始劑包)：1份Irgacure 2100加2份Luperox 231 CF：在脫黏期間內聚破壞 此處期望之乙烯基聚矽氧對丙烯酸酯聚矽氧比率在99:1至90:10範圍內且乙烯基官能度對丙烯酸酯官能度係大約在19:1至1.4:1範圍內。 實例10：各種乙烯基聚矽氧樹脂 將沿聚合物鏈具有不同量之乙烯基之各種乙烯基聚矽氧進行調配。將1滴各試樣置於2個顯微鏡載玻片之間且曝光於電磁譜中之輻射(50 mW/cm2 UVA)達60秒之時間段。然後將如此形成之總成暴露於150℃之升高之溫度條件下達1小時之時間段。結果匯總於表3中。表 3
Figure 105138193-A0304-0006
 VMS：乙烯基甲基矽氧烷重複單元 IP：1份Irgacure 2100加2份Luperox 231 AF：在脫黏期間黏著失效 CF：在脫黏期間內聚力失效 實例11：使用氫化矽氧烷熱固化之雙固化調配物 將VDT-731 (9.0g)、UMS-182 (1.0g)、Darocur 1173 (0.1g)、HMS-993 (0.6g)、3,5-二甲基-己炔-3-醇(0.05g)及SIP6830.3 (0.0062g)混合到一起。HMS-993 (Gelest)係在所有重複單元中均具有Si-H基團之氫化矽氧烷樹脂(根據製造商Gelest，其為聚甲基氫矽氧烷，三甲基矽氧基封端，分子量為2100-2400)，3,5-二甲基-己炔-3-醇係用於適用期穩定性之矽氫化抑制劑，SIP6830.3 (Gelest)係用於催化乙烯基矽氧烷樹脂及氫化矽氧烷樹脂之矽氫化固化之鉑觸媒。更特定而言，鉑觸媒可闡述為鉑-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物或卡斯特觸媒(Karstedt catalyst)，其中乙烯基封端之聚二甲基矽氧烷中存在3-3.5%鉑濃度，且錯合物闡述為Pt[O(SiMe2 CH=CH2 )2 ]1 .5 。將試樣於玻璃晶粒(4 mm2 )與顯微鏡載玻片之間在曝光於50 mW/cm2 UVA之輻射下固化60秒，隨後在150℃之溫度下加熱持續60分鐘之時間段。然後，將經固化之總成在350℃或400℃下經受30分鐘之烘烤。在該兩種烘烤條件下，晶粒黏附至載玻片。然而，觀察到晶粒易於脫黏。 於Cheminstrument 180°剝離黏附測試器上實施剝離測試評估。藉由以偏移方式將50 mm × 75 mm玻璃基板(0.12 mm厚度)黏附於50 mm× 75 mm玻璃基板(1 mm厚度)上來製備剝離測試試樣，如圖7中所示。重疊為50 mm。藉由厚度控制為0.125 mm之組合物來黏附玻璃基板。圖8顯示施加以分離經黏合總成之力。2N/25 mm以上之平均剝離力不視為可脫黏，此乃因在此等條件下通常將觀察到基板破壞。介於1.5-2N/25 mm之間之平均剝離力視為可半脫黏且小於1.5N/25 mm之平均剝離力視為可脫黏。 比較實例1：乙烯基-封端之聚二甲基矽氧烷 將一系列α,ω-乙烯基封端之直鏈聚二甲基矽氧烷在1重量% Darocur 1173存在下在曝光於50 mw/cm2 UVA之輻射下固化60秒之時間段。結果匯總於表4中。表 4
Figure 105138193-A0304-0007
 如表中所示，發現僅彼等分子量為60,000道爾頓以上之α,ω-乙烯基封端之直鏈聚二甲基矽氧烷可膠凝或顯示固化後可用作壓敏性黏著劑之潛力。將DMS-V51與1重量% Darocur 1173及2重量% Luperox 231混合，且將1滴置於2個顯微鏡載玻片之間。將載玻片總成曝光於電磁譜中在UV範圍中之輻射(50 mw/cm2 UVA)持續60秒之時間段。然後，將載玻片總成在150℃之溫度下加熱持續1小時之時間段。經固化之試樣顯示對載玻片之良好黏附，但觀察到渾濁且不均勻。難以藉由手來分離顯微鏡載玻片且因此不適於可脫黏黏著劑。 比較實例2：乙烯基封端之二苯基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物 將一系列α,ω-乙烯基封端之直鏈二苯基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物與1重量% Irgacure 2100及2重量% Luperox 231混合。將1滴各試樣置於2個顯微鏡載玻片之間，且曝光於電磁輻射(50 mW/cm2 UVA)達60秒之時間段且然後在150℃之溫度下達1小時之時間段。結果匯總於表5中。表 5
Figure 105138193-A0304-0008
 AF：在脫黏期間黏著失效 CF：在脫黏期間內聚力失效 該等樹脂中無一者有助於UV固化後具有壓敏性黏著性質之組合物。且在熱固化後，所有試樣載玻片均難以藉由手分離。 對表5中之調配物藉由在10℃/分鐘下自室溫斜坡至150℃且然後保持在150℃下持續1小時之時間段來實施流變學研究。最終儲存模數製表於表6中。表 6
Figure 105138193-A0304-0009
圖1：具有及不具有丙烯酸酯官能聚矽氧(UMS-182)之光起始之乙烯基矽氧烷(VDT-731)-自由基光起始劑(Irgacure 2100)組合物之儲存模數發展。 圖2：具有不同量之丙烯酸酯官能聚矽氧(UMS-182)之光起始之乙烯基矽氧烷(VDT-731)-自由基光起始劑(Irgacure 2100)組合物之儲存模數發展。 圖3：使用丙烯酸酯官能聚矽氧(UMS-182)對甲基丙烯酸酯官能聚矽氧(RMS-083)之光起始之乙烯基矽氧烷(VDT-731)-自由基光起始劑(Irgacure 2100)組合物之儲存模數發展。 圖4：使用不同自由基光起始劑之光起始之乙烯基矽氧烷(VDT-731)-丙烯酸酯官能聚矽氧(UMS-182)組合物之儲存模數發展。 圖5：熱起始之乙烯基矽氧烷(VDT-731)-自由基光起始劑(Irgacure 2100)/過氧化物起始劑(Luperox 531M80)組合物之儲存模數發展。 圖6：雙固化UV/熱起始之乙烯基矽氧烷(VDT-731)丙烯酸酯官能聚矽氧(UMS-182)/過氧化物起始劑(Luperox 531M80)組合物之儲存模數發展。 圖7：繪示剝離強度測試樣本之示意圖。 圖8：繪示剝離強度測試樣本之示意圖，顯示力F記錄為180°剝離測試器上之剝離力。

Claims (18)

  1. 一種組合物，其包含(a)具有一或多個側接乙烯基之直鏈或支鏈聚矽氧烷樹脂；(b)具有至少兩個(甲基)丙烯酸酯基之(甲基)丙烯酸酯聚矽氧烷樹脂；及(c)起始劑，其包含光起始劑與過氧化物或氫化矽烷或氫化聚矽氧烷中之一者之組合。
  2. 如請求項1之組合物，其中存在該氫化矽烷或氫化聚矽氧烷且進一步包含金屬觸媒。
  3. 如請求項1之組合物，其中該具有至少兩個(甲基)丙烯酸酯基之(甲基)丙烯酸酯聚矽氧烷樹脂具有側接(甲基)丙烯酸酯基。
  4. 如請求項1之組合物，其可藉由曝光於紫外線(UV)輻射以及暴露於升高之溫度條件中之二者而固化。
  5. 如請求項1之組合物，其中在曝光於UV輻射後，在室溫下在1Hz之頻率下量測之初始儲存模數超過103Pa。
  6. 如請求項1之組合物，其中在曝光於UV輻射後，在室溫下在1Hz之頻率下量測之初始儲存模數超過5×103Pa但小於106Pa。
  7. 如請求項1之組合物，其中在曝光於UV輻射後，在室溫下在1Hz之頻率下量測之初始儲存模數超過5×103Pa但小於3×105Pa。
  8. 如請求項1之組合物，其中在暴露於升高之溫度條件後，在室溫下在1Hz之頻率下量測之最終儲存模數超過106Pa。
  9. 如請求項1之組合物，其中該具有一或多個側接乙烯基之直鏈或支鏈聚矽氧烷樹脂具有莫耳%在1%至99%範圍內之乙烯基甲基矽氧烷單元。
  10. 如請求項1之組合物，其中該具有一或多個側接乙烯基之直鏈或支鏈聚矽氧烷樹脂具有莫耳%在4.0%至13.0%範圍內之乙烯基甲基矽氧烷單元。
  11. 如請求項1之組合物，其中具有一或多個側接乙烯基之直鏈或支鏈聚矽氧烷樹脂對(甲基)丙烯酸酯聚矽氧烷樹脂之重量比率係99：1至40：60。
  12. 如請求項1之組合物，其中乙烯基官能度對(甲基)丙烯酸酯官能度之比率係21：1至0.29：1。
  13. 如請求項1之組合物，其中該具有一或多個側接乙烯基之直鏈或支鏈聚矽氧烷樹脂(a)係三甲基矽氧基封端之乙烯基甲基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物；該具有至少兩個(甲基)丙烯酸酯基之(甲基)丙烯酸酯聚矽氧烷樹脂(b)係(丙烯醯氧基丙基)甲基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物；且該包含光起始 劑及過氧化物或氫化矽烷或氫化聚矽氧烷中之一者之該組合之起始劑(c)係(i)
    Figure 105138193-A0305-02-0023-3
    及1,1-二-(第三戊基 過氧基)-環己烷或(ii)
    Figure 105138193-A0305-02-0023-4
    ，三甲基矽氧基封端之聚甲基氫矽氧烷、3,5-二甲基-己炔-3-醇及鉑-二乙烯基四甲基二矽氧烷錯合物。
  14. 如請求項1之組合物，其藉由曝光於UV輻射而可固化以形成壓敏性黏著劑，並藉由暴露於升高之溫度條件而可固化以形成無黏性表面。
  15. 一種具有基板與載體之總成，其包含：基板，載體，及如請求項1至14中任一項之組合物，其安置於該載體與該基板之間。
  16. 一種用於將基板黏合至載體之方法，其包含：(a)提供基板；(b)提供載體；(c)將如請求項1至14中任一項之組合物安置於該基板或該載體中之至少一者上； (d)使該基板及載體接觸以使得該組合物安置於該載體與該基板之間，從而形成總成；及(e)藉由以下將該組合物自由基固化(i)將該總成曝光於UV輻射；(ii)將該總成暴露於升高之溫度條件，或(iii)(i)，隨後(ii)。
  17. 一種用於將基板自其以黏著方式黏合之載體脫黏之方法，其包含：(a)提供包含其間具有如請求項1至14中任一項之組合物之基板與載體之總成；及(b)自該載體分離該基板。
  18. 如請求項17之方法，其中該組合物顯示在曝光於UV輻射後，在室溫在1Hz之頻率下所量測之初始儲存模數超過103Pa；及在暴露於升高之溫度條件後，在室溫在1Hz之頻率下所量測之最終儲存模數超過106Pa。
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