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TWI735907B - 處理腔室與泵送系統 - Google Patents

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TWI735907B
TWI735907B TW108124040A TW108124040A TWI735907B TW I735907 B TWI735907 B TW I735907B TW 108124040 A TW108124040 A TW 108124040A TW 108124040 A TW108124040 A TW 108124040A TW I735907 B TWI735907 B TW I735907B
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麥克湯瑪斯 尼柯爾斯
以馬德 尤瑟夫
約翰安東尼 歐麥力三世
史蒂芬Ｅ 巴巴揚
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美商應用材料股份有限公司
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Abstract

本案揭露的實施例大體係關於用於電漿處理設備的泵送系統。泵送系統包括：第一泵路徑、第二泵路徑、第一閥和第二閥。第一泵路徑將處理腔室的基板支撐組件的開口耦接至處理腔室的排氣口。第二泵路徑將基板支撐組件的開口耦接至處理腔室的抽氣區域。第一閥定位在第一泵路徑中。第一閥可配置在第一狀態和第二狀態之間。第二閥定位於第二泵路徑中。第二閥可配置在第一狀態和第二狀態之間。

Description

處理腔室與泵送系統
本案所述的實施例大體係關於電漿處理設備，且更具體言之，係關於電漿處理設備的泵送系統。
電子元件(如平板顯示器和積體電路)通常透過一系列的製程步驟製造，其中層沉積在基板上，及所沉積的材料被蝕刻成所需的圖案。製程步驟通常包括物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)、電漿增強CVD(PECVD)和其他電漿處理。具體言之，電漿處理包括將處理氣體混合物供應到真空腔室，以及施加電功率或電磁功率(RF功率)以將處理氣體激發成電漿狀態。電漿將氣體混合物分解成施行所需沉積或蝕刻製程的離子物質。
在某些蝕刻應用中，處理設備以非常高的偏壓功率運行，這使得經配置而支撐基板的下電極中發展出大的RF電壓。下電極包括形成在其中的開口，開口允許升舉銷穿過下電極。當高RF電壓與開口中的高壓結合時，可能導致下電極中的不當的電漿放電(即「點亮(light up）」）或電弧，這可能導致災難性故障。習知的系統在開口和泵之間形成泵路徑，以在處理期間降低開口中的壓力。然而，這樣的連續泵送（如當不再存在有基板時）導致泵送電漿副產物，這可能導致腔室部件的侵蝕。
因此，需要改良泵送系統。
本案揭露的實施例大體係關於用於電漿處理設備的泵送系統。泵送系統包括：第一泵路徑、第二泵路徑、第一閥和第二閥。第一泵路徑將處理腔室的基板支撐組件的開口耦接至處理腔室的排氣口。第二泵路徑將基板支撐組件的開口耦接至處理腔室的抽氣區域。第一閥定位在第一泵路徑中。第一閥可配置在第一狀態和第二狀態之間。第二閥定位於第二泵路徑中。第二閥可配置在第一狀態和第二狀態之間。
在另一個實施例中，本案揭露電漿處理設備。電漿處理設備包括蓋組件、腔室主體、基板支撐組件、排氣組件、排氣口和泵送系統。蓋組件和腔室主體包圍處理區域。基板支撐組件設置在腔室主體中。基板支撐組件具有形成在其中的開口。排氣組件界定腔室主體內的抽氣區域。腔室主體包括繞基板支撐組件的中心軸對稱地設置的複數個通道，複數個通道將處理區域與抽氣區域流體連接。排氣口穿過腔室主體形成。泵送系統包括：第一泵路徑、第二泵路徑、第一閥和第二閥。第一泵路徑將基板支撐組件的開口耦接至處理腔室的排氣口。第二泵路徑將基板支撐組件的開口耦接至處理腔室的抽氣區域。第一閥定位在第一泵路徑中。第一閥可配置在第一狀態和第二狀態之間。第二閥定位在第二泵路徑中。第二閥可配置在第一狀態和第二狀態之間。
在另一個實施例中，本案揭露一種處理基板的方法。打開第一泵路徑，該第一泵路徑界定於電漿處理設備的基板支撐組件的開口與電漿處理設備的排氣口之間。在基板上施行處理步驟。關閉該第一泵路徑並打開一第二泵路徑，該第二泵路徑界定於基板支撐組件的開口至電漿處理設備的抽氣區域之間。在電漿處理設備中施行清洗製程。
圖1是根據一個實施例的電漿處理設備100的示意性截面圖，其具有耦接至升舉銷體積的泵送系統150。電漿處理設備100可以是電漿蝕刻腔室、電漿增強化學氣相沉積腔室、物理氣相沉積腔室、電漿處理腔室、離子植入腔室或其他適當的真空處理腔室，如可自加州聖克拉拉的應用材料公司商購的Sym3處理腔室。
電漿處理設備100大體包括源模組110、腔室主體組件140和排氣組件190，源模組110、腔室主體組件140和排氣組件190共同地包圍處理區域102和排出區域104。在實務中，處理氣體引入處理區域102中，並使用RF功率而將處理氣體點燃（ignite）為電漿。基板105定位於基板支撐組件160上並暴露於處理區域102中所產生的電漿，以在基板105上施行電漿製程（如蝕刻、化學氣相沉積、物理氣相沉積、植入、電漿退火、電漿處理、減弱或其他電漿製程）。藉由排氣組件190在處理區域102中保持真空，這使得廢處理氣體和副產物透過抽氣區域104而自電漿製程去除。
在一個實施例中，源模組110可以是電感耦合電漿源。源模組110大體包括上電極112（或陽極），上電極112與腔室主體組件140和腔室蓋件114隔離且由腔室主體組件140和腔室蓋件114支撐，腔室主體組件140和腔室蓋件114包圍上電極112。上電極112可包括外線圈組件120和內線圈組件122。外線圈組件120和內線圈組件122可連接至射頻（RF）電源124。氣體入口管126可沿著腔室主體組件140的中心軸（CA）設置。氣體入口管可與氣源132耦接以將一個或更多個處理氣體供應至處理區域102。
腔室主體組件140包括腔室主體142，腔室主體142由抵抗處理環境的導電材料製成的。基板支撐組件160居中地設置在腔室主體142內。基板支撐組件經定位以在處理區域102中繞中心軸對稱地支撐基板105。
處理區域102透過設置在腔室主體142中的狹縫閥管道（tunnel）141進出，狹縫閥管道141允許基板105進入及移除。上襯墊組件144具有穿過其設置的槽151，槽151與狹縫閥管道141匹配以允許基板105穿過。腔室主體組件140包括狹縫閥門組件191，狹縫閥門組件191包括致動器152，致動器152經定位及配置而垂直延伸狹縫閥門153以密封狹縫閥通道141和槽151，及垂直地收狹縫閥門153以允許經由狹縫閥管道141和槽151進出。可提供背襯墊，背襯墊附接於上襯墊組件144的槽及覆蓋上襯墊組件144的槽。背襯墊也與上襯墊組件144導電接觸，以保持與上襯墊組件144的電接觸和熱接觸。
基板支撐組件160大體包括下電極161（或陰極）和中空基座162。基板支撐組件160由中心支撐構件157支撐，中心支撐構件157設置在中心區域156中並由腔室主體142支撐。下電極161透過匹配網路（未圖示）及纜線（未圖示）而耦接至RF電源124，纜線佈線穿過基座162。當RF功率供應給上電極112和下電極161時，在上電極112和下電極161之間形成的電場將處理區域102中存在的處理氣體點燃成為電漿。
中心支撐構件157（如藉由緊固件和O形環（未圖示））密封連接（is sealed to）至腔室主體142。下電極161（如藉由波紋管）密封連接至中央支撐構件157。因此，中心區域156與處理區域102密封隔開（sealed from）且可保持在大氣壓力，而處理區域102保持在真空狀態。
致動組件163定位在中心區域156內且附接於腔室主體142和（或）中心支撐構件157。致動組件163包括致動器164（如馬達）、導螺桿165和耦接於基座162的螺母166。在實務中，致動器164旋轉導螺桿165，導螺桿165進而升高或降低螺母166，從而升高或降低基座162。由於下電極161由基座162支撐，致動組件163提供下電極161相對於腔室主體142、中心支撐構件157和上電極112的垂直運動。下電極161在處理區域102內的這種垂直移動在下電極161和上電極112之間提供可變縫隙，這允許增加對下電極161和上電極112之間形成的電場的控制，從而提供對處理區域102中形成的電漿的密度有更多的控制。此外，由於基板105由下電極161支撐，所以也可改變基板105和噴頭板116之間的縫隙，而使得更好地控制跨基板105上的處理氣體分配。
亦提供電漿屏159（其由下電極161支撐且與上襯墊144的內壁149重疊）以防止基板支撐組件160和波紋管158受處理區域102中的電漿影響。由於電漿屏159與基座162耦接且與基座162一起垂直移動，所以電漿屏159與上襯墊組件144的內壁149之間的重疊足以允許基座162在沒有電漿屏的情況下享有全範圍的運動以及上襯板組件144變得脫離且允許基座162下方的區域暴露而暴露於處理氣體。
基板支撐組件160進一步包括升舉銷組件167，以便於基板105的裝載和卸載。升舉銷組件167包括附接於升舉銷板169的升降銷168。升舉銷板169設置在下電極161內的開口170內，及升舉銷168延伸穿過設置在開口170和處理區域102之間的升舉銷孔171。升舉銷板169耦接至導螺桿172，導螺桿172延伸穿過下電極161中的孔洞173並進入中空基座162。致動器195（如馬達）可定位在基座162上。致動器195旋轉螺母，螺母推進或縮回導螺桿172。導螺桿172耦接至升舉銷板169。因此，當致動器195使得導螺桿172升高或降低升舉銷板169時，升降銷168延伸或縮回。因此，無論下電極161如何垂直定位，致動器195皆允許升舉銷168延伸或縮回。藉由提供升舉銷168的這種單獨致動，基板105的垂直定位可以與下電極161的垂直定位分開改變，從而允許在基板105的加載和卸載期間以及在基板105的處理期間對定位有更多的控制，例如藉由在處理期間提升基板以允許背側氣體從基板下方逸出。
基板支撐組件160進一步包括泵送系統150。泵送系統150經配置而泵送可能經由升舉銷孔171洩漏到開口170中的任何處理氣體。在某些蝕刻應用中，處理設備以非常高的偏壓功率運行，這導致在下電極161中發展出大的RF電壓。當高RF電壓與開口170中的高壓結合時，可能導致下電極161中的不當的電漿放電（即「點亮（light up）」）或電弧，這可能導致災難性故障。習知的泵送系統提供從開口170到排氣區域104，或是從開口170到排氣口196的單一泵路徑。由於蝕刻應用中所需的高偏壓功率，可調變開口170中的壓力，以最小化其中寄生（parasitic）電漿的形成。
在第一習知泵送系統中，泵管路定位於開口170和排氣口196之間，以產生從開口170中的高壓到排氣口196的低壓之低壓泵送路徑。儘管這充分地確保了低壓開口170，但是當基板不再存在於下電極上時（如在清洗期間），從開口170到排氣口196的持續泵送使得電漿副產物被泵送穿過下電極161。穿過下電極161泵送電漿副產物導致腔室部件（如密封件、下電極本身和沿著泵路徑的密封表面）的侵蝕。
在第二習知泵送系統中，排氣管路定位於開口170和抽氣區域104之間。儘管這產生了簡化的泵送路徑，但是該泵管路沒有解決在基板處理期間降低開口170中的壓力的問題。例如，將開口170和抽氣區域104之間的泵管路耦接僅在不存在有基板的製程中是有益的。當電漿處理設備100中的壓力不再均衡時，這種配置導致電漿電弧和「點亮」。
改良的泵送系統150實現了第一和第二習知泵送系統的正面好處（positives），而沒有第一和第二習知泵送系統的副作用。圖2繪示耦接至簡化版本的電漿處理設備100之改良的泵送系統150的示意圖。改良的泵送系統150包括泵管路174、第一閥202和第二閥204。泵管路174在開口170與第一閥202和第二閥204之間產生泵路徑。第二泵管路206在第一閥門202和排氣口196之間延伸，形成第一泵路徑208。第一閥202可在一第一狀態與一第二狀態之間配置。在某些實施例中，該第一狀態可為打開狀態，及該第二狀態可為關閉狀態。第三泵管路214在第二閥204和抽氣區域104之間延伸，形成第二泵路徑212。第二閥204可在一第一狀態與一第二狀態之間配置。在某些實施例中，該第一狀態可為打開狀態，及該第二狀態可為關閉狀態之間配置。改良的泵送系統150進一步包括耦接至第一閥202和第二閥204的控制器290。控制器290經配置而控制第一閥202和第二閥204在打開和關閉狀態之間的切換。
在操作中，當基板定位於下電極161上時，第一閥202處於打開狀態，及第二閥204處於關閉狀態。在打開狀態下，第一閥202形成從開口170到排氣口196的第一泵路徑208。第一泵路徑208產生從高壓開口170到排氣口196中的低壓之低壓路徑，使得開口170中的壓力降低，而在下電極161中產生高的RF電壓。因此，減少電漿放電和點亮的機會。
當基板不再定位於下電極161上時，控制器290將第一閥從打開狀態切換到關閉狀態，以及將第二閥204從關閉狀態切換到打開狀態。在打開狀態下，第二閥204形成從開口170到抽氣區域104的第二泵路徑212。不是將電漿副產物泵送穿過下電極161（這可能導致腔室部件的侵蝕），而是第二泵路徑212的產生藉由將開口170耦接至排氣口196來均衡開口170中的壓力。
在第一泵路徑208和第二泵路徑212之間的切換允許改良的泵送系統150具有第一傳統泵系統和第二傳統泵系統的所有優點，而不會損害（downfall）任一系統。改良的泵送系統150在具有高RF電壓和高壓的蝕刻製程期間最小化下電極161的開口170中的寄生電漿的形成，以及當基板不再存在於腔室中時防止腔室部件的侵蝕。
參考回圖1，基板支撐組件160亦可包括氣體埠176，氣體埠176設置穿過基板支撐組件160且經由氣體供應管線178耦接至惰性氣體供應177。氣體供應177將惰性氣體（如氦氣）透過氣體供應管線178和氣體埠176供應到基板105的背側，以幫助防止處理氣體處理基板105的背側。氣體供應管線178也佈線穿過空心基座162及透過複數個出入管（access tube）180中的一個出入管離開腔室主體142。
基板支撐組件160可進一步包括一個或更多個流體入口管線179與流體出口管線181，流體入口管線179與流體出口管線181從熱交換流體源198佈線到下電極161中的一或更多個熱交換通道（未圖示），以在處理期間為下電極161提供溫度控制。流體入口管線179和流體出口管線181從下電極161佈線穿過空心基座162及透過複數個出入管180中的一個出入管離開腔室主體142。
一個或更多個出入管180在腔室主體組件140的輻條（spokes，未圖示）內。如圖所示，輻條和出入管180繞電漿處理設備100的中心軸（CA）以輪輻圖案對稱地佈置。在所示的實施例中，三個相同的出入管180設置穿過腔室主體142到中心區域156中，以利於從腔室主體142的外部向下電極161供應複數個管道和纜線。為了利於下電極161的垂直移動，透過每個出入管180的開口183幾乎等於下電極161的垂直軌跡（vertical travel）。
為了進一步利於纜線佈線到下電極161，纜線佈線在複數個出入管180之間分配。因此，從腔室主體142的外部到下電極161所佈纜線的數量和體積分配在出入管180之間，以便最小化出入管180的尺寸，同時提供足夠的空隙以便於下電極161的移動。
抽氣通道繞中心軸（CA）對稱地定位在上襯墊組件144中。抽氣通道188允許透過抽氣區域104將氣體自處理區域102抽出氣體，以及透過排氣口196排出腔室主體142。排氣口196繞腔室主體組件140的中心軸（CA）置中，使得氣體均勻地被抽吸穿過抽氣通道188。抽氣襯墊187可分別定位在設置在腔室主體142中的抽氣通道188中的每個抽氣通道188下方，以便在抽氣期間防止腔室主體142受處理氣體影響。抽氣襯墊187可由類似於如上所述上襯墊組件144的材料構成。
抽氣組件190鄰近在主體142的底部處的抽氣區域104定位。抽氣組件可包括耦接至真空泵194的節流閥192。節流閥192可以是與真空泵194一起使用的提動式閥門（poppet style valve），以藉由透過抽氣通道188將排出氣體自處理區域102抽出以及透過置中的排氣口196將排出氣體抽離腔室來控制處理區域102內的真空條件，而進一步提供對處理區域102中的電漿條件更多的控制。如圖1所示，提動式閥門提供了均勻360度的縫隙，透過該均勻360度的縫隙排出氣體被抽出排氣口196。相比之下，習知的阻尼式節流閥對排出氣體的流動提供了不均勻的縫隙。例如，當阻尼式閥打開時，閥的一側比閥的另一側抽了更多的氣體。因此，提動式節流閥比電漿處理腔室中通常使用的傳統阻尼式節流閥具有較小的偏斜氣體傳導效應（skewing gas conductance）。
電漿處理設備100進一步包括控制器136。控制器136經配置有助於控制電漿處理設備100的製程參數。例如，控制器136可經配置而執行最終使用者針對待處理的基板所上傳的製程配方。控制器136可與控制器290通訊，使得可實現對製程參數及泵送系統150的有效控制。在一些實施例中，控制器136和控制器290可結合為單一控制器，經配置以同時管理製程參數和泵送系統150。
圖3是根據一個實施例在電漿處理設備（如電漿處理設備100）中處理基板的方法300之流程圖。方法300在方塊302處開始，其中基板已經定位在電漿處理設備100中。在開始製程步驟之前，控制器290將第一閥202配置為打開位置，以及將第二閥204配置為關閉位置。因此，控制器290打開從高壓開口170到低壓排氣口196的第一泵路徑208，同時關閉從開口170到抽氣區域104的第二泵路徑212。這樣的配置有助於減少開口170中的壓力，而在製程步驟期間在下電極161中產生高的RF電壓。
在方塊304，定位於電漿處理設備100中的基板經歷製程步驟。例如，基板可經歷以下製程中的一者：電漿蝕刻製程、電漿增強化學氣相沉積製程、物理氣相沉積製程、電漿處理製程、離子植入製程或任何其他合適的半導體製造製程。
在方塊306，在製程步驟完成之後，基板經歷解吸附（de-chuck）製程，其包含從下電極161機械地去除基板。在解吸附製程中，控制器290在第一泵路徑208和第二泵路徑212之間切換。因此，控制器290將第一閥202從打開位置配置到關閉位置，以及將第二閥204從關閉位置配置到打開位置。如此一來，開口170中的壓力均衡。
在方塊308，在從電漿處理設備100去除基板之後，設備經歷清洗製程。控制器290將第一閥202保持在關閉位置以及將第二閥204保持在打開位置。如此一來，泵送系統150不會透過下電極161泵送電漿副產物。這有助於防止在流動路徑中的腔室部件的侵蝕。
在第一泵路徑208和第二泵路徑212之間的切換允許改良的泵送系統150具有第一傳統泵系統和第二傳統泵系統的所有優點，而不會損害（downfall）任一系統。改良的泵送系統150在具有高RF電壓和高壓的蝕刻製程期間最小化下電極161的開口170中的寄生電漿的形成，以及當基板不再存在於腔室中時防止腔室部件的侵蝕。
圖4繪示根據一個實施例的計算平臺400。計算平臺400包括控制器290和控制器136。如圖所示，控制器290包括處理器402、記憶體404、儲存器406和網路介面408。在一些實施例中，控制器290可進一步包括耦接至控制器290的一個或更多個I/O裝置410。包括處理器402以代表單個處理器、多個處理器、具有多個處理核心的單個處理器等。
記憶體404包括程式碼422。程式碼422經配置而執行管理泵送系統150的指令。例如，程式碼422經配置而執行基於電漿處理設備100的狀態在第一泵路徑208和第二泵路徑212之間的切換。例如，控制器290可與控制器136通訊以決定這種狀態。
儲存器406可以是磁碟驅動儲存器。儘管所示為單一單元，但儲存器406可以是固定和（或）可拆卸式存儲設備的組合，如固定磁盤驅動器、可拆卸式記憶卡、光學儲存器、網路附接儲存器（NAS）或儲存區域網路（SAN）。網路介面408可以是允許控制器經由網路405（如控制器136）而與其他電腦通訊的任何類型的網路通訊。
控制器136包括處理器452、記憶體454、儲存器456和網路介面458。處理器452擷取並執行存儲在記憶體454中的程式指令（如程式碼462）。包括處理器452以代表單個處理器、多個處理器、具有多個處理核心的單個處理器等。
記憶體454包括程式碼462和製程配方464。程式碼422經配置而執行存儲在記憶體454中的製程配方464。例如，程式碼462經配置而執行涉及以下製程中的一者之處理配方464：電漿蝕刻製程、電漿增強化學氣相沉積製程、物理氣相沉積製程、電漿處理製程、離子植入製程或任何其他合適的半導體製造製程。
儲存器456可以是磁碟驅動儲存器。儘管所示為單一單元，但儲存器506可以是固定和（或）可拆卸式存儲設備的組合，如固定磁盤驅動器、可拆卸式記憶卡、光學儲存器、網路附接儲存器（NAS）或儲存區域網路（SAN）。網路介面458可以是允許控制器136經由網路405（如控制器290）而與其他電腦通訊的任何類型的網路通訊。
儘管前文針對特定實施例，但在不背離本揭示基本範圍及以下專利申請範圍所界定之範圍下，可設計其他與進一步的實施例。
100‧‧‧電漿處理設備 102‧‧‧處理區域 103‧‧‧RF電源 104‧‧‧抽氣區域 105‧‧‧基板 110‧‧‧源模組 112‧‧‧上電極 114‧‧‧腔室蓋件 116‧‧‧噴頭板 120‧‧‧外線圈組件 122‧‧‧內線圈組件 124‧‧‧電源 126‧‧‧氣體入口管 132‧‧‧氣源 136‧‧‧控制器 140‧‧‧腔室主體組件 141‧‧‧狹縫閥管道 142‧‧‧腔室主體 144‧‧‧上襯墊組件 149‧‧‧內壁 150‧‧‧泵送系統 151‧‧‧槽 152‧‧‧致動器 153‧‧‧狹縫閥門 154‧‧‧槽 155‧‧‧背襯墊 156‧‧‧中心區域 157‧‧‧中心支撐構件 158‧‧‧波紋管 159‧‧‧電漿屏 160‧‧‧基板支撐組件 161‧‧‧下電極 162‧‧‧中空基座 163‧‧‧致動組件 164‧‧‧致動器 165‧‧‧導螺桿 166‧‧‧螺母 167‧‧‧升舉銷組件 168‧‧‧升舉銷 169‧‧‧升舉銷板 170‧‧‧開口 171‧‧‧升舉銷孔 172‧‧‧導螺桿 173‧‧‧孔洞 174‧‧‧泵管路 176‧‧‧氣體埠 177‧‧‧氣體供應 178‧‧‧氣體供應管線 179‧‧‧流體入口管線 180‧‧‧出入管 181‧‧‧流體出口管線 183‧‧‧開口 187‧‧‧抽氣襯墊 188‧‧‧抽氣通道 190‧‧‧排氣組件 191‧‧‧狹縫閥門組件 192‧‧‧節流閥 194‧‧‧真空泵 195‧‧‧致動器 196‧‧‧排氣口 198‧‧‧熱交換流體源 202‧‧‧第一閥 204‧‧‧第二閥 206‧‧‧第二泵管路 208‧‧‧第一泵路徑 212‧‧‧第二泵路徑 214‧‧‧第三泵管路 290‧‧‧控制器 300‧‧‧方法 302‧‧‧方塊 304‧‧‧方塊 306‧‧‧方塊 308‧‧‧方塊 400‧‧‧計算平臺 402‧‧‧處理器 404‧‧‧記憶體 405‧‧‧網路 406‧‧‧儲存器 408‧‧‧網路介面 410‧‧‧I/O裝置 422‧‧‧程式碼 452‧‧‧處理器 454‧‧‧記憶體 456‧‧‧儲存器 458‧‧‧網路介面 462‧‧‧程式碼 464‧‧‧製程配方
本揭示之特徵已簡要概述於前，並在以下有更詳盡之討論，可以藉由參考所附圖式中繪示之本案實施例以作瞭解。然而，值得注意的是，所附圖式僅繪示了本揭示的典型實施例，而由於本揭示可允許其他等效之實施例，因此所附圖式並不會視為本揭示範圍之限制。
圖1繪示根據一個實施例的具有改良泵送系統的處理腔室之截面視圖。
圖2繪示根據一個實施例的圖1的處理腔室的簡化視圖。
圖3是根據一個實施例的處理基板的方法之流程圖。
圖4繪示根據一個實施例的計算平臺。
為了清楚起見，在可能的情況下，使用相同的元件符號代表圖示中相同的元件。另外，一個實施例的元件可以有利地適用於在本案所述的其他實施例中使用。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:電漿處理設備
102:處理區域
103:RF電源
104:抽氣區域
105:基板
110:源模組
112:上電極
114:腔室蓋件
116:噴頭板
120:外線圈組件
122:內線圈組件
124:電源
126:氣體入口管
132:氣源
136:控制器
140:腔室主體組件
141:狹縫閥管道
142:腔室主體
144:上襯墊組件
149:內壁
150:泵送系統
151:槽
152:致動器
153:狹縫閥門
154:槽
155:背襯墊
156:中心區域
157:中心支撐構件
158:波紋管
159:電漿屏
160:基板支撐組件
161:下電極
162:中空基座
163:致動組件
164:致動器
165:導螺桿
166:螺母
167:升舉銷組件
168:升舉銷
169:升舉銷板
170:開口
171:升舉銷孔
172:導螺桿
173:孔洞
174:泵管路
176:氣體埠
177:氣體供應
178:氣體供應管線
179:流體入口管線
180:出入管
181:流體出口管線
183:開口
187:抽氣襯墊
188:抽氣通道
190:排氣組件
191:狹縫閥門組件
192:節流閥
194:真空泵
195:致動器
196:排氣口
198:熱交換流體源
202:第一閥
204:第二閥
206:第二泵管路
208:第一泵路徑
212:第二泵路徑
214:第三泵管路
290:控制器

Claims (15)

  1. 一種處理腔室，包括：一腔室主體，一基板支撐組件，該基板支撐組件居中地設置在該腔室主體中；該基板支撐組件包含：一基座，一下電極，該下電極設置在該底座上，該下電極包含：一升舉銷組件，該升舉銷組件具有一開口；一第一泵管路，該第一泵管路流體耦接至該開口，一第二泵管路與一第三泵管路，該第二泵管路與該第三泵管路流體耦接至該第一泵管路，其中該第二泵管路與該第三泵管路係流體地並聯；一排氣口，該排氣口穿過該腔室主體設置，其中該第二泵管路將該排氣口耦接至該開口；及該腔室主體的一抽氣區域，其中該第三泵管路將該抽氣區域耦接至該開口。
  2. 如請求項1所述之處理腔室，進一步包括：一真空泵，該真空泵流體地耦接至該第一泵管路。
  3. 如請求項2所述之處理腔室，進一步包括：一第一閥，該第一閥定位於該第二泵管路上，該第一 閥可配置在一第一狀態和一第二狀態之間；及一第二閥，該第二閥定位於該第三泵管路上，該第二閥可配置在該第一狀態和該第二狀態之間。
  4. 如請求項3所述之處理腔室，其中該第一泵管路將該基板支撐組件的該開口耦接至該第一閥與該第二閥。
  5. 如請求項3所述之處理腔室，進一步包括：一控制器，該控制器耦接至該第一閥和該第二閥，該控制器經配置而將該第一閥在該第一狀態和該第二狀態之間切換，及將該第二閥在該第一狀態和該第二狀態之間切換。
  6. 如請求項5所述之處理腔室，其中耦接至該第一閥和該第二閥的該控制器與該處理腔室的一控制器通訊。
  7. 如請求項5所述之處理腔室，其中該第一閥處於該第一狀態，及該第二閥處於該第二狀態。
  8. 如請求項7所述之處理腔室，其中該第一狀態是將該基板支撐組件的該開口流體耦接至該排氣口的一打開狀態，及其中該第二狀態是不允許該基板支撐件組件與該抽氣區域之間有流體連通的一關閉狀態。
  9. 一種用於一電漿處理設備的泵送系統，包括： 一第一泵管路，該第一泵管路耦接至該電漿處理設備的一基板支撐組件的一開口，其中該開口經配置用於一升舉銷組件；一第二泵管路，該第二泵管路將該第一泵管路耦接至該電漿處理設備的一抽氣區域；一第三泵管路，該第三泵管路將該第一泵管路耦接至該電漿處理設備的一排氣口，其中該第二泵管路與該第三泵管路以並聯運行。
  10. 如請求項9所述之泵送系統，進一步包括：一第一閥，該第一閥定位於該第二泵管路上，該第一閥可配置在一第一狀態和一第二狀態之間；及一第二閥，該第二閥定位於該第三泵管路上，該第二閥可配置在該第一狀態和該第二狀態之間。
  11. 如請求項10所述之泵送系統，其中該第一泵管路將該基板支撐組件的該開口耦接至該第一閥與該第二閥。
  12. 如請求項10所述之泵送系統，進一步包括：一控制器，該控制器耦接至該第一閥和該第二閥，該控制器經配置而將該第一閥在該第一狀態和該第二狀態之間切換，及將該第二閥在該第一狀態和該第二狀 態之間切換。
  13. 如請求項12所述之泵送系統，其中該泵送系統的該控制器與該電漿處理設備的一控制器通訊。
  14. 如請求項10所述之泵送系統，其中該第一閥處於該第一狀態，及該第二閥處於該第二狀態。
  15. 如請求項14所述之泵送系統，其中該第一狀態是將該基板支撐組件的該開口流體耦接至該排氣口的一打開狀態，及其中該第二狀態是不允許該基板支撐件組件與該抽氣區域之間有流體連通的一關閉狀態。
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