JP2001196447A - 基板プロセス装置及びその基板プロセス装置を利用した基板のプロセス方法 - Google Patents
基板プロセス装置及びその基板プロセス装置を利用した基板のプロセス方法Info
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- JP2001196447A JP2001196447A JP2000001243A JP2000001243A JP2001196447A JP 2001196447 A JP2001196447 A JP 2001196447A JP 2000001243 A JP2000001243 A JP 2000001243A JP 2000001243 A JP2000001243 A JP 2000001243A JP 2001196447 A JP2001196447 A JP 2001196447A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 基板のプロセス中ステージ上に保持された基
板の熱応力の影響を受けることなく基板内部の結晶欠陥
の発生を防止する。 【解決手段】 ステージ２に設けた複数の吸着孔につな
がる排気管３ａ，３ｂには開度調整弁４と排気ポンプ５
とを備え、開度調整弁を制御し、ステージに設けられた
複数の静電電極には静電電極制御装置と電源とを備え、
静電電極制御装置を制御することにより、熱応力を緩和
する。
板の熱応力の影響を受けることなく基板内部の結晶欠陥
の発生を防止する。 【解決手段】 ステージ２に設けた複数の吸着孔につな
がる排気管３ａ，３ｂには開度調整弁４と排気ポンプ５
とを備え、開度調整弁を制御し、ステージに設けられた
複数の静電電極には静電電極制御装置と電源とを備え、
静電電極制御装置を制御することにより、熱応力を緩和
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体装置のウエ
ハや液晶装置の基板を昇温して処理する基板プロセス装
置、およびその装置を利用した基板のプロセス方法に関
するものである。
ハや液晶装置の基板を昇温して処理する基板プロセス装
置、およびその装置を利用した基板のプロセス方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４、図５に半導体ウエハや液晶基板等
の表面処理のひとつである従来のアッシング装置の模式
図を示す。図において図５は側断面図で、１は基板、５
は排気ポンプ、６はチャンバ、２０はステージ、３０ａ
は後述の吸着孔３０にそれぞれつながる排気管、３０ｂ
は前記３０ａのまとめ排気管、４０は開閉弁である。図
４は図５の基板１の無い状態でのステージ２０の平面図
であり、複数の吸着孔３０が設けられており、この吸着
孔３０にそれぞれつながる排気管３０ａを介し、基板１
を搭載時に排気ポンプ５で排気を行い、ステージ２０に
真空吸着を行う。ステージ２０は通常３００℃程度に加
熱されていて、基板１はステージ２０に搭載されること
で加熱され、アッシング等の処理が行われる。また図６
に示すように、ステージ２０ａ内全面に静電電極７０を
設け静電吸着によって基板１をステージ２０ａに保持す
る装置も使用されている。またさらに、図示省略したが
クランプによって基板外周部を固定する方法もある。
の表面処理のひとつである従来のアッシング装置の模式
図を示す。図において図５は側断面図で、１は基板、５
は排気ポンプ、６はチャンバ、２０はステージ、３０ａ
は後述の吸着孔３０にそれぞれつながる排気管、３０ｂ
は前記３０ａのまとめ排気管、４０は開閉弁である。図
４は図５の基板１の無い状態でのステージ２０の平面図
であり、複数の吸着孔３０が設けられており、この吸着
孔３０にそれぞれつながる排気管３０ａを介し、基板１
を搭載時に排気ポンプ５で排気を行い、ステージ２０に
真空吸着を行う。ステージ２０は通常３００℃程度に加
熱されていて、基板１はステージ２０に搭載されること
で加熱され、アッシング等の処理が行われる。また図６
に示すように、ステージ２０ａ内全面に静電電極７０を
設け静電吸着によって基板１をステージ２０ａに保持す
る装置も使用されている。またさらに、図示省略したが
クランプによって基板外周部を固定する方法もある。
【０００３】従来の図５に示す基板プロセス装置では、
基板１をステージ２０上に置き、常圧プロセスをするに
際し、前述のように基板１のステージ２０への保持を真
空吸着で行っている。真空吸着は、図４に示すようにス
テージ２０に同心円状に吸着孔３０をあけ、ここに真空
排気管３０ａを接続し、排気ポンプ５、開閉弁４０の動
作により行っている。真空吸着力は約−２０ＫＰａ程度
であり、基板１をステージ２０に搭載する直前に開閉弁
４０を開にし、プロセス終了後開閉弁４０を閉にするこ
とで基板１のステージ２０への保持と解除を行ってい
る。基板１をステージ２０に吸着保持させる主目的の１
つは、基板１とステージ２０との間の空気溜りにより基
板１の横滑りを防止することと、他の１つは基板をステ
ージに密着させることで加熱されているステージ２０か
ら一様に基板１を昇温させることにある。なお、図６に
示した静電吸着装置においても基板１のステージ２０ａ
への保持は、上記真空吸着装置と同様であるため説明を
省略する。
基板１をステージ２０上に置き、常圧プロセスをするに
際し、前述のように基板１のステージ２０への保持を真
空吸着で行っている。真空吸着は、図４に示すようにス
テージ２０に同心円状に吸着孔３０をあけ、ここに真空
排気管３０ａを接続し、排気ポンプ５、開閉弁４０の動
作により行っている。真空吸着力は約−２０ＫＰａ程度
であり、基板１をステージ２０に搭載する直前に開閉弁
４０を開にし、プロセス終了後開閉弁４０を閉にするこ
とで基板１のステージ２０への保持と解除を行ってい
る。基板１をステージ２０に吸着保持させる主目的の１
つは、基板１とステージ２０との間の空気溜りにより基
板１の横滑りを防止することと、他の１つは基板をステ
ージに密着させることで加熱されているステージ２０か
ら一様に基板１を昇温させることにある。なお、図６に
示した静電吸着装置においても基板１のステージ２０ａ
への保持は、上記真空吸着装置と同様であるため説明を
省略する。
【０００４】このような構造を有した基板プロセス装置
で、基板１を昇温してアッシング等の処理を行うが次の
ような問題点が発生していた。すなわち、基板１がステ
ージ２０に−２０ＫＰａ程度と強固に保持されているた
め、基板１の熱膨張による反りなどの変形が出来なく熱
応力が蓄積されてプロセス終了後に基板１をステージ２
０から拘束を解除すると、基板１内の結晶に欠陥が生じ
る場合がある。基板１に施してある膜厚やその膜構造に
よっては、基板１が加熱されることにより図７や図８に
示すように、基板１が上に凸または凹に熱変形しようと
する。このときの熱応力は数１００Ｐａであり、基板１
とステージ２０間の真空吸着力−２０ＫＰａ程度に比較
して吸着力が大き過ぎる為熱変形が阻止され、熱応力の
蓄積により基板１に結晶欠陥を発生させている。このよ
うな現象は、図６に示す静電吸着装置や図示省略したク
ランプ保持装置でも同じように発生していた。
で、基板１を昇温してアッシング等の処理を行うが次の
ような問題点が発生していた。すなわち、基板１がステ
ージ２０に−２０ＫＰａ程度と強固に保持されているた
め、基板１の熱膨張による反りなどの変形が出来なく熱
応力が蓄積されてプロセス終了後に基板１をステージ２
０から拘束を解除すると、基板１内の結晶に欠陥が生じ
る場合がある。基板１に施してある膜厚やその膜構造に
よっては、基板１が加熱されることにより図７や図８に
示すように、基板１が上に凸または凹に熱変形しようと
する。このときの熱応力は数１００Ｐａであり、基板１
とステージ２０間の真空吸着力−２０ＫＰａ程度に比較
して吸着力が大き過ぎる為熱変形が阻止され、熱応力の
蓄積により基板１に結晶欠陥を発生させている。このよ
うな現象は、図６に示す静電吸着装置や図示省略したク
ランプ保持装置でも同じように発生していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような基板プロ
セス装置では、基板１をステージ２０に保持する保持力
が大き過ぎ、また基板１の全面にわたって拘束を行って
いるためにプロセス中の基板昇温による熱変形が阻止さ
れ、その結果基板１の結晶欠陥が発生するという問題点
があった。
セス装置では、基板１をステージ２０に保持する保持力
が大き過ぎ、また基板１の全面にわたって拘束を行って
いるためにプロセス中の基板昇温による熱変形が阻止さ
れ、その結果基板１の結晶欠陥が発生するという問題点
があった。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたものであり、第１の目的は基板の処理プ
ロセス中の温度上昇に伴う基板の熱歪みを許容するよう
ステージ上の基板の保持力を弱くし、かつ制御可能とし
た装置を提供することにある。第２の目的は、ステージ
上の基板の保持点および保持力を外周部、内周部付近お
よび中央部で任意に変更可能とした。第３の目的は、上
記の装置を利用し結晶欠陥の発生のおそれの少ない基板
のプロセス方法を提供することにある。
ためになされたものであり、第１の目的は基板の処理プ
ロセス中の温度上昇に伴う基板の熱歪みを許容するよう
ステージ上の基板の保持力を弱くし、かつ制御可能とし
た装置を提供することにある。第２の目的は、ステージ
上の基板の保持点および保持力を外周部、内周部付近お
よび中央部で任意に変更可能とした。第３の目的は、上
記の装置を利用し結晶欠陥の発生のおそれの少ない基板
のプロセス方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る基板プロ
セス装置は、ステージ上に搭載された基板をステージに
設けられた複数の吸着孔で保持するものであって吸着孔
につながる排気管には開度調整弁と排気ポンプとを備
え、開度調整弁の開度を制御することにより、複数の吸
着孔を介して基板の保持を行うものである。
セス装置は、ステージ上に搭載された基板をステージに
設けられた複数の吸着孔で保持するものであって吸着孔
につながる排気管には開度調整弁と排気ポンプとを備
え、開度調整弁の開度を制御することにより、複数の吸
着孔を介して基板の保持を行うものである。
【０００８】また、ステージ上に搭載された基板を、ス
テージに設けられた複数の静電電極で保持するものであ
って、その複数の静電電極には静電電極制御装置と電源
とを備え、静電電極制御装置を制御することにより、複
数の静電電極を介して基板の保持を行うものである。
テージに設けられた複数の静電電極で保持するものであ
って、その複数の静電電極には静電電極制御装置と電源
とを備え、静電電極制御装置を制御することにより、複
数の静電電極を介して基板の保持を行うものである。
【０００９】また、ステージに設けられた複数の吸着孔
または静電電極は、基板の外周部付近、内周部付近に相
当する個所および中央部に設けられているものである。
または静電電極は、基板の外周部付近、内周部付近に相
当する個所および中央部に設けられているものである。
【００１０】また、複数の吸着孔または静電電極による
基板の保持力は５０〜１００Ｐａ程度とするものであ
る。
基板の保持力は５０〜１００Ｐａ程度とするものであ
る。
【００１１】また、基板の保持を外周部付近と内周部付
近に相当する個所および中央部でそれぞれ個別に行うよ
う開度調整弁または静電電極制御装置を制御する基板の
プロセス方法を提供するものである。
近に相当する個所および中央部でそれぞれ個別に行うよ
う開度調整弁または静電電極制御装置を制御する基板の
プロセス方法を提供するものである。
【００１２】また、基板の保持力は、外周部付近と内周
部付近に相当する個所および中央部でそれぞれ異なるよ
う開度調整弁または静電電極制御装置を制御する基板の
プロセス方法である。
部付近に相当する個所および中央部でそれぞれ異なるよ
う開度調整弁または静電電極制御装置を制御する基板の
プロセス方法である。
【００１３】また、基板の保持を外周部付近に相当する
個所のみとした基板のプロセス方法である。
個所のみとした基板のプロセス方法である。
【００１４】また、基板の保持を内周部付近に相当する
個所のみとした基板のプロセス方法である。
個所のみとした基板のプロセス方法である。
【００１５】また、基板の保持を中央部のみとした基板
のプロセス方法である。
のプロセス方法である。
【００１６】また、基板の保持を複数の外周部付近また
は内周部付近の保持個所のうちの一点のみで行う基板の
プロセス方法である。
は内周部付近の保持個所のうちの一点のみで行う基板の
プロセス方法である。
【００１７】また、基板の保持個所を基板処理のプロセ
スに伴い遂次変えていく基板のプロセス方法である。
スに伴い遂次変えていく基板のプロセス方法である。
【００１８】また、基板の保持を外周部付近と内周部付
近に相当する個所で行い、基板処理のプロセス中にどち
らか一方のみによる保持とする基板のプロセス方法であ
る。
近に相当する個所で行い、基板処理のプロセス中にどち
らか一方のみによる保持とする基板のプロセス方法であ
る。
【００１９】また、開度調整弁または静電電極制御装置
の制御を断続的に行うことにより、基板の保持を断続的
に行う基板のプロセス方法である。
の制御を断続的に行うことにより、基板の保持を断続的
に行う基板のプロセス方法である。
【００２０】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下この発明の実
施の形態１を図１、図２について説明する。図２は半導
体基板や液晶基板等の表面処理を行う常圧アッシング装
置の側断面図である。図において１は基板、２はステー
ジ、３は吸着孔、３ａ、３ｂは排気管で排気管３ｂは３
ａをまとめたものである。４は開度調整弁、５は排気ポ
ンプ、６はチャンバである。図１は図２に示す基板１の
無い状態でのステージ２の平面図を示す。複数の吸着孔
３はステージ２に搭載する基板１のサイズに合わせ、基
板１の外周部付近に相当する個所に設けた吸着孔３Ａ、
基板１の内周部付近に相当する個所に設けた吸着孔３
Ｂ、中央部に設けた３Ｃで構成されている。つまり、基
板１は半導体装置や液晶装置の技術進歩に伴い、そのサ
イズも拡大化、多様化している。これらの基板１のサイ
ズ変化に対し、プロセス装置は可能なかぎりフレキシブ
ルに対応し、複数の基板サイズに適応出来る装置である
ことが望ましい。それ故、吸着孔３Ａ、３Ｂは類似サイ
ズの基板１の外周部付近、内周部付近に設けられてい
る。一方、基板１のサイズの小さいものをプロセス処理
しようとしたとき、例えば吸着孔３Ｂが基板の外周部付
近の吸着孔に相当するケースがあっても装置の多面利用
という点からは望ましい。従って、ここでは吸着孔３
Ａ、３Ｂを基板１の外周部付近、中央部付近に設け、プ
ロセス装置の経済性を高めている。
施の形態１を図１、図２について説明する。図２は半導
体基板や液晶基板等の表面処理を行う常圧アッシング装
置の側断面図である。図において１は基板、２はステー
ジ、３は吸着孔、３ａ、３ｂは排気管で排気管３ｂは３
ａをまとめたものである。４は開度調整弁、５は排気ポ
ンプ、６はチャンバである。図１は図２に示す基板１の
無い状態でのステージ２の平面図を示す。複数の吸着孔
３はステージ２に搭載する基板１のサイズに合わせ、基
板１の外周部付近に相当する個所に設けた吸着孔３Ａ、
基板１の内周部付近に相当する個所に設けた吸着孔３
Ｂ、中央部に設けた３Ｃで構成されている。つまり、基
板１は半導体装置や液晶装置の技術進歩に伴い、そのサ
イズも拡大化、多様化している。これらの基板１のサイ
ズ変化に対し、プロセス装置は可能なかぎりフレキシブ
ルに対応し、複数の基板サイズに適応出来る装置である
ことが望ましい。それ故、吸着孔３Ａ、３Ｂは類似サイ
ズの基板１の外周部付近、内周部付近に設けられてい
る。一方、基板１のサイズの小さいものをプロセス処理
しようとしたとき、例えば吸着孔３Ｂが基板の外周部付
近の吸着孔に相当するケースがあっても装置の多面利用
という点からは望ましい。従って、ここでは吸着孔３
Ａ、３Ｂを基板１の外周部付近、中央部付近に設け、プ
ロセス装置の経済性を高めている。
【００２１】次に動作について説明する。３００℃程度
に加熱昇温されたステージ２に基板１を搭載する直前
に、排気ポンプ５につながる開度調整弁４を開にしてお
く。次に基板１をステージ２に搭載し真空吸着状態にす
る。この際の真空吸着力は５０〜１００Ｐａ程度となる
よう開度調整弁４の開度を調整する。本実施の形態１で
は、複数の吸着孔３のすべての吸着孔３Ａ、３Ｂ、３Ｃ
につながる排気管３ａの開度調整弁を開とする。従っ
て、基板１はステージ２に全面にわたって吸着、保持さ
れている。この状態で基板１のアッシング処理を行う
が、このプロセス中に基板１の温度が上昇し、基板１上
の絶縁膜等の寸法、構造にもよるが、基板１が従来例に
示した図７、図８の如く、上に凹、または凸に熱変形し
ようとする。このときの基板１の変形しようとする応力
は数１００Ｐａである。一方真空吸着力５０〜１００Ｐ
ａ程度と熱応力に比較して充分小さいので、基板１は熱
応力によりステージ２より離れることにより拘束を解か
れ基板１内に熱応力を蓄めることがなくなる。プロセス
の終了後は開度調整弁４を閉にすることで基板１のステ
ージ２に対する保持の解除を行う。このように、基板１
をステージ２に保持する真空吸着力５０〜１００Ｐａ程
度と、プロセス中の基板１内の発生熱応力数１００Ｐａ
に比較して小さい為、従来のようにプロセス中に基板１
の反りなどの熱変形が拘束されその結果熱応力が蓄積さ
れることなく、プロセス終了後に基板１の保持を解除し
たとき基板１内に結晶欠陥が入ることが防止される。
に加熱昇温されたステージ２に基板１を搭載する直前
に、排気ポンプ５につながる開度調整弁４を開にしてお
く。次に基板１をステージ２に搭載し真空吸着状態にす
る。この際の真空吸着力は５０〜１００Ｐａ程度となる
よう開度調整弁４の開度を調整する。本実施の形態１で
は、複数の吸着孔３のすべての吸着孔３Ａ、３Ｂ、３Ｃ
につながる排気管３ａの開度調整弁を開とする。従っ
て、基板１はステージ２に全面にわたって吸着、保持さ
れている。この状態で基板１のアッシング処理を行う
が、このプロセス中に基板１の温度が上昇し、基板１上
の絶縁膜等の寸法、構造にもよるが、基板１が従来例に
示した図７、図８の如く、上に凹、または凸に熱変形し
ようとする。このときの基板１の変形しようとする応力
は数１００Ｐａである。一方真空吸着力５０〜１００Ｐ
ａ程度と熱応力に比較して充分小さいので、基板１は熱
応力によりステージ２より離れることにより拘束を解か
れ基板１内に熱応力を蓄めることがなくなる。プロセス
の終了後は開度調整弁４を閉にすることで基板１のステ
ージ２に対する保持の解除を行う。このように、基板１
をステージ２に保持する真空吸着力５０〜１００Ｐａ程
度と、プロセス中の基板１内の発生熱応力数１００Ｐａ
に比較して小さい為、従来のようにプロセス中に基板１
の反りなどの熱変形が拘束されその結果熱応力が蓄積さ
れることなく、プロセス終了後に基板１の保持を解除し
たとき基板１内に結晶欠陥が入ることが防止される。
【００２２】実施の形態２．上記実施の形態１では、基
板１をステージ２に保持するのに排気ポンプ５、吸着孔
３による真空吸着力を利用するプロセス装置を示した
が、この実施の形態２では図３に示すように複数の静電
電極７をステージ２内に設け、この静電電極７につなが
る静電電極制御装置８および電源９の動作によって、基
板１をステージ２に静電吸着させても同等の効果を得る
ことができる。このとき、複数の静電電極７は、基板１
の外周部付近静電電極７Ａ、内周部付近静電電極７Ｂ、
中央部静電電極７Ｃで構成され、これら７Ａ〜７Ｃは平
面図による図示は省略したが実施の形態１で示した図１
の３Ａ〜３Ｃにそれぞれ相当する個所に設けてある。
板１をステージ２に保持するのに排気ポンプ５、吸着孔
３による真空吸着力を利用するプロセス装置を示した
が、この実施の形態２では図３に示すように複数の静電
電極７をステージ２内に設け、この静電電極７につなが
る静電電極制御装置８および電源９の動作によって、基
板１をステージ２に静電吸着させても同等の効果を得る
ことができる。このとき、複数の静電電極７は、基板１
の外周部付近静電電極７Ａ、内周部付近静電電極７Ｂ、
中央部静電電極７Ｃで構成され、これら７Ａ〜７Ｃは平
面図による図示は省略したが実施の形態１で示した図１
の３Ａ〜３Ｃにそれぞれ相当する個所に設けてある。
【００２３】実施の形態３．また実施の形態１、２で
は、基板１のステージ２への保持をステージ２に設けら
れたすべての複数の吸着孔３Ａ〜３Ｃまたは複数の静電
電極７Ａ〜７Ｃによって基板の保持する例を示したが、
この保持を外周部付近と内周部付近に相当する個所およ
び中央で、それぞれ個別に行えるように開度調整弁４の
開閉制御やまたは静電電極制御装置８のＯＮ−ＯＦＦ制
御を行ってもよい。
は、基板１のステージ２への保持をステージ２に設けら
れたすべての複数の吸着孔３Ａ〜３Ｃまたは複数の静電
電極７Ａ〜７Ｃによって基板の保持する例を示したが、
この保持を外周部付近と内周部付近に相当する個所およ
び中央で、それぞれ個別に行えるように開度調整弁４の
開閉制御やまたは静電電極制御装置８のＯＮ−ＯＦＦ制
御を行ってもよい。
【００２４】実施の形態４．また、複数の吸着孔３Ａ〜
３Ｃまたは複数の静電電極７Ａ〜７Ｃで、基板１の保持
力を５０〜１００Ｐａ程度とし総て同一の値で保持する
例を示したが、外周部付近と内周部付近に相当する個所
および中央部でそれぞれ異なる保持力となるよう開度調
整弁４または静電電極制御装置８の制御を行ってもよ
い。
３Ｃまたは複数の静電電極７Ａ〜７Ｃで、基板１の保持
力を５０〜１００Ｐａ程度とし総て同一の値で保持する
例を示したが、外周部付近と内周部付近に相当する個所
および中央部でそれぞれ異なる保持力となるよう開度調
整弁４または静電電極制御装置８の制御を行ってもよ
い。
【００２５】実施の形態５．また上記実施の形態１、２
では、基板１のステージ２への保持をステージ２に設け
られたすべての複数の吸着孔３Ａ、３Ｂ、３Ｃまたは複
数の静電電極７Ａ、７Ｂ、７Ｃで行う例を示したが、基
板１の保持を外周部付近に相当する３Ａまたは７Ａによ
る真空吸着または静電吸着とするよう、開度調整弁４ま
たは静電電極制御装置８の選択動作、つまり内周部付近
に相当する３Ｂまたは７Ｂおよび中央部の３Ｃまたは７
Ｃを動作させないことにより、保持個所を外周部付近相
当個所のみとし、より多様な基板１の熱変形モードに対
応することが可能となる。なお、上記外周部付近に相当
する個所を３Ａまたは７Ａとしたが、基板１のサイズに
よっては内周部付近に相当する個所３Ｂまたは７Ｂが、
外周部付近に相当する個所に代替したプロセス装置の利
用方法もある。
では、基板１のステージ２への保持をステージ２に設け
られたすべての複数の吸着孔３Ａ、３Ｂ、３Ｃまたは複
数の静電電極７Ａ、７Ｂ、７Ｃで行う例を示したが、基
板１の保持を外周部付近に相当する３Ａまたは７Ａによ
る真空吸着または静電吸着とするよう、開度調整弁４ま
たは静電電極制御装置８の選択動作、つまり内周部付近
に相当する３Ｂまたは７Ｂおよび中央部の３Ｃまたは７
Ｃを動作させないことにより、保持個所を外周部付近相
当個所のみとし、より多様な基板１の熱変形モードに対
応することが可能となる。なお、上記外周部付近に相当
する個所を３Ａまたは７Ａとしたが、基板１のサイズに
よっては内周部付近に相当する個所３Ｂまたは７Ｂが、
外周部付近に相当する個所に代替したプロセス装置の利
用方法もある。
【００２６】実施の形態６．またさらに、基板１の保持
を内周部付近に相当する３Ｂまたは７Ｂによる真空吸着
または静電吸着とするよう開度調整弁４または静電電極
制御装置８の選択動作を行ってもよい。
を内周部付近に相当する３Ｂまたは７Ｂによる真空吸着
または静電吸着とするよう開度調整弁４または静電電極
制御装置８の選択動作を行ってもよい。
【００２７】実施の形態７．さらに、基板１の保持を中
央部３Ｃまたは７Ｃによる真空吸着または静電吸着とす
るよう制御してもよい。
央部３Ｃまたは７Ｃによる真空吸着または静電吸着とす
るよう制御してもよい。
【００２８】実施の形態８．またさらに、基板１の保持
を外周部付近に相当する個所の３Ａまたは７Ａあるいは
内周部に相当する個所の３Ｂまたは７Ｂの複数個で行う
ことを示したが、これらの複数個の３Ａ、３Ｂまたは７
Ａ、７Ｂ内１点のみで保持を行ってもよい。
を外周部付近に相当する個所の３Ａまたは７Ａあるいは
内周部に相当する個所の３Ｂまたは７Ｂの複数個で行う
ことを示したが、これらの複数個の３Ａ、３Ｂまたは７
Ａ、７Ｂ内１点のみで保持を行ってもよい。
【００２９】実施の形態９．さらにまた、基板１の保持
個所を基板処理プロセスに伴い遂次変えて行く制御方法
を採用してもよい。
個所を基板処理プロセスに伴い遂次変えて行く制御方法
を採用してもよい。
【００３０】実施の形態１０．さらに、基板１の保持を
外周部付近と内周部付近に相当する個所で行い、基板処
理プロセスに伴い、どちらか一方のみによる保持となる
よう制御方法を採用してもよい。
外周部付近と内周部付近に相当する個所で行い、基板処
理プロセスに伴い、どちらか一方のみによる保持となる
よう制御方法を採用してもよい。
【００３１】実施の形態１１．さらにまた、基板１の真
空吸着や静電吸着による保持を基板処理プロセスに伴い
断続的に行うよう開度調整弁４または静電電極制御装置
８を制御してもよい。
空吸着や静電吸着による保持を基板処理プロセスに伴い
断続的に行うよう開度調整弁４または静電電極制御装置
８を制御してもよい。
【００３２】なお上記実施の形態１〜１１では、基板１
を半導体基板や液晶基板の処理をアッシングする例を示
したが、基板は上記に限られることもなく、またアッシ
ング処理に限らず他の微細構造を有する基板処理プロセ
スにも適用出来ることは云うまでもない。
を半導体基板や液晶基板の処理をアッシングする例を示
したが、基板は上記に限られることもなく、またアッシ
ング処理に限らず他の微細構造を有する基板処理プロセ
スにも適用出来ることは云うまでもない。
【００３３】
【発明の効果】この発明は以上述べたように構成されて
いるので、以下に示すような効果を奏する。
いるので、以下に示すような効果を奏する。
【００３４】基板をステージに保持する複数の吸着につ
ながる排気管に設けた開度調整弁の開度を制御すること
で基板の保持を行うので、基板のプロセス中の昇温に伴
う熱応力以下の保持力で基板を保持可能となり基板の結
晶欠陥の発生を防止できる。
ながる排気管に設けた開度調整弁の開度を制御すること
で基板の保持を行うので、基板のプロセス中の昇温に伴
う熱応力以下の保持力で基板を保持可能となり基板の結
晶欠陥の発生を防止できる。
【００３５】また、基板の保持をステージに設けた複数
の静電電極を制御して熱応力以下の保持力としているの
で同等の効果を奏する。
の静電電極を制御して熱応力以下の保持力としているの
で同等の効果を奏する。
【００３６】さらにまた、ステージに基板のサイズの外
周部や内周部付近に相当の個所及び中央部に複数の吸着
孔または静電電極を設け、これらの保持個所を任意に変
更可能なよう制御しているので、基板上の膜構造によっ
てはプロセス処理中に発生する多様な熱変形に対応した
基板の保持を行うことが可能なプロセス方法が採用でき
結晶欠陥の発生を防止できる。
周部や内周部付近に相当の個所及び中央部に複数の吸着
孔または静電電極を設け、これらの保持個所を任意に変
更可能なよう制御しているので、基板上の膜構造によっ
てはプロセス処理中に発生する多様な熱変形に対応した
基板の保持を行うことが可能なプロセス方法が採用でき
結晶欠陥の発生を防止できる。
【００３７】また、基板の保持力を外周部、内周部付近
に相当する個所および中央でそれぞれ異なる値とするこ
とができ同様の効果を奏する。
に相当する個所および中央でそれぞれ異なる値とするこ
とができ同様の効果を奏する。
【００３８】またさらに、基板プロセス中に保持個所を
変化させているので同様の効果を奏する。
変化させているので同様の効果を奏する。
【００３９】また、基板保持を基板プロセス中に断続的
に行うので同様の効果を奏する。
に行うので同様の効果を奏する。
【図１】 この発明の実施の形態１を示す平面図であ
る。
る。
【図２】 この発明の実施の形態１を示す側断面図であ
る。
る。
【図３】 この発明の実施の形態２を示す側断面図であ
る。
る。
【図４】 従来例のアッシング装置の平面図である。
【図５】 従来例のアッシング装置の側断面図である。
【図６】 従来例のアッシング装置の側断面図である。
【図７】 基板の反りを示す図である。
【図８】 基板の反りを示す図である。
１ 基板、２，２０，２０ａ ステージ、３，３０ 吸
着孔、３ａ，３ｂ，３０ａ，３０ｂ 排気管、３Ａ 外
周部付近吸着孔、３Ｂ 内周部付近吸着孔、３Ｃ 中央
部吸着孔、４，４０ 開度調整弁、５ 排気ポンプ、６
チャンバ、７，７０ 静電電極、７Ａ 外周部付近静
電電極、７Ｂ 内周部付近静電電極、７Ｃ 中央部静電
電極、８ 静電電極制御装置、９ 電源。
着孔、３ａ，３ｂ，３０ａ，３０ｂ 排気管、３Ａ 外
周部付近吸着孔、３Ｂ 内周部付近吸着孔、３Ｃ 中央
部吸着孔、４，４０ 開度調整弁、５ 排気ポンプ、６
チャンバ、７，７０ 静電電極、７Ａ 外周部付近静
電電極、７Ｂ 内周部付近静電電極、７Ｃ 中央部静電
電極、８ 静電電極制御装置、９ 電源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高田 誠治 兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地 菱電セミ コンダクタシステムエンジニアリング株式 会社内 (72)発明者 緒方 健一 兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地 菱電セミ コンダクタシステムエンジニアリング株式 会社内 Ｆターム(参考） 3C016 GA10 5F031 CA02 CA05 HA13 HA16 HA19 MA23
Claims (15)
- 【請求項１】 チャンバ内に設けられ基板を加熱処理す
る基板プロセス装置であって、前記基板を支持するステ
ージと、前記ステージに設けられ前記ステージに搭載さ
れた前記基板を保持する複数の吸着孔と、前記複数の吸
着孔につながる排気管と、前記排気管に設けられた開度
調整弁と、前記開度調整弁の後段に設けられた排気ポン
プとを備え、前記開度調整弁の開度を制御することによ
り、前記複数の吸着孔を介して前記基板の保持を行うこ
とを特徴とする基板プロセス装置。 - 【請求項２】 チャンバ内に設けられ基板を加熱処理す
る基板プロセス装置であって、前記基板を支持するステ
ージと、前記ステージに設けられ前記ステージに搭載さ
れた前記基板を保持する複数の静電電極と、前記複数の
静電電極に設けられた静電電極制御装置とその後段に設
けられた電源とを備え、前記静電電極制御装置を制御す
ることにより、前記複数の静電電極を介して前記基板の
保持を行うことを特徴とする基板プロセス装置。 - 【請求項３】 前記ステージに設けられた複数の吸着孔
または静電電極は、前記基板の外周部付近と内周部付近
に相当する個所、および中央部に設けられていることを
特徴とする請求項１または請求項２記載の基板プロセス
装置。 - 【請求項４】 前記複数の吸着孔または静電電極による
前記基板を保持する力は５０〜１００Ｐａ程度とするこ
とを特徴とする請求項１〜３記載の基板プロセス装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の基板プロセス装置を利用
した基板のプロセス方法。 - 【請求項６】 前記ステージに設けられた複数の吸着孔
による前記基板の保持を、外周部付近と内周部付近に相
当する個所および中央部で個別に行えるように、前記開
度調整弁の開度を制御することを特徴とする請求項５記
載の基板のプロセス方法。 - 【請求項７】 前記ステージに設けられた複数の静電電
極による前記基板の保持を、外周部付近と内周部付近に
相当する個所および中央部でそれぞれ個別に行うよう前
記静電電極制御装置を制御することを特徴とする請求項
５記載の基板のプロセス方法。 - 【請求項８】 前記基板を保持する力は、外周部付近と
内周部付近に相当する個所および中央部でそれぞれ異な
る保持力とすることを特徴とする請求項６または請求項
７記載の基板のプロセス方法。 - 【請求項９】 前記基板の保持を、外周部付近に相当す
る個所のみとした請求項６または請求項７記載の基板の
プロセス方法。 - 【請求項１０】 前記基板の保持を、内周部付近に相当
する個所のみとした請求項６または請求項７記載の基板
のプロセス方法。 - 【請求項１１】 前記基板の保持を、中央部のみとした
請求項６または請求項７記載の基板のプロセス方法。 - 【請求項１２】 前記基板の保持を、一点のみで行うこ
とを特徴とする請求項９または請求項１０記載の基板の
プロセス方法。 - 【請求項１３】 前記基板の保持個所を、基板処理のプ
ロセスに伴い、遂次変えていくことを特徴とする請求項
６〜８記載の基板のプロセス方法。 - 【請求項１４】 前記基板の保持を外周部付近と内周部
付近に相当する個所で行い、基板処理のプロセス中にど
ちらか一方のみによる保持とすることを特徴とする請求
項６または請求項７記載の基板のプロセス方法。 - 【請求項１５】 前記制御を断続的に行うことにより前
記基板の保持を行うことを特徴とする請求項６〜１４記
載の基板のプロセス方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000001243A JP2001196447A (ja) | 2000-01-07 | 2000-01-07 | 基板プロセス装置及びその基板プロセス装置を利用した基板のプロセス方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000001243A JP2001196447A (ja) | 2000-01-07 | 2000-01-07 | 基板プロセス装置及びその基板プロセス装置を利用した基板のプロセス方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001196447A true JP2001196447A (ja) | 2001-07-19 |
Family
ID=18530494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000001243A Pending JP2001196447A (ja) | 2000-01-07 | 2000-01-07 | 基板プロセス装置及びその基板プロセス装置を利用した基板のプロセス方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001196447A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013232630A (ja) * | 2012-04-04 | 2013-11-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板保持装置および基板保持方法 |
| WO2018039578A1 (en) * | 2016-08-26 | 2018-03-01 | Applied Materials, Inc. | Low pressure lift pin cavity hardware |
| US20230197495A1 (en) * | 2021-12-16 | 2023-06-22 | Applied Materials, Inc. | Substrate support gap pumping to prevent glow discharge and light-up |
-
2000
- 2000-01-07 JP JP2000001243A patent/JP2001196447A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013232630A (ja) * | 2012-04-04 | 2013-11-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板保持装置および基板保持方法 |
| WO2018039578A1 (en) * | 2016-08-26 | 2018-03-01 | Applied Materials, Inc. | Low pressure lift pin cavity hardware |
| TWI668727B (zh) * | 2016-08-26 | 2019-08-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 泵送系統與包括此泵送系統的電漿處理設備、以及處理基板的方法 |
| TWI735907B (zh) * | 2016-08-26 | 2021-08-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 處理腔室與泵送系統 |
| US20230197495A1 (en) * | 2021-12-16 | 2023-06-22 | Applied Materials, Inc. | Substrate support gap pumping to prevent glow discharge and light-up |
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060223 |
|
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