TWI731559B - 電子束觀察裝置,電子束觀察系統,電子束觀察裝置中的圖像修正方法及用於圖像修正的修正係數算出方法 - Google Patents
電子束觀察裝置,電子束觀察系統,電子束觀察裝置中的圖像修正方法及用於圖像修正的修正係數算出方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI731559B TWI731559B TW109101965A TW109101965A TWI731559B TW I731559 B TWI731559 B TW I731559B TW 109101965 A TW109101965 A TW 109101965A TW 109101965 A TW109101965 A TW 109101965A TW I731559 B TWI731559 B TW I731559B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- electron beam
- image
- pattern
- aforementioned
- sample
- Prior art date
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 507
- 238000012937 correction Methods 0.000 title claims abstract description 325
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 91
- 238000003702 image correction Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 title claims description 45
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 135
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 63
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 39
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 34
- 230000006870 function Effects 0.000 description 29
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 23
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 21
- 239000013074 reference sample Substances 0.000 description 19
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 16
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 8
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 5
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 5
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 4
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 3
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 229910021418 black silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000013523 data management Methods 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000003707 image sharpening Methods 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 231100000628 reference dose Toxicity 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/153—Electron-optical or ion-optical arrangements for the correction of image defects, e.g. stigmators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/222—Image processing arrangements associated with the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/22—Treatment of data
- H01J2237/221—Image processing
- H01J2237/223—Fourier techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2814—Measurement of surface topography
- H01J2237/2816—Length
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2817—Pattern inspection
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
藉由圖像修正而更加精度良好地使電子束觀察裝置的機械誤差減低。
一種於藉由將電子束掃描試料而生成圖像的電子束觀察裝置中,用於修正複數個電子束觀察裝置間的圖像之修正係數算出方法,其特徵為,第1電子束觀察裝置,包含於具有第1圖樣及形狀或大小和第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有第1圖樣之第1試料及具有第2圖樣之第2試料,對第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成第1圖像之步驟,第2電子束觀察裝置,包含對第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像之步驟,第1或第2電子束觀察裝置,包含算出從基於第1及第2圖像而算出的第1及第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數之步驟。
Description
本發明係使用電子束進行檢查或計測之電子束觀察裝置。
使用了電子束之試料的觀察或檢查或是計測中所使用的掃描電子顯微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)等電子束觀察裝置,是將從電子源放出的電子加速,藉由靜電透鏡或電磁透鏡令其收斂於試料表面上而照射。將此稱為一次電子。
藉由一次電子的入射,從試料會放出二次電子(有時亦分開將低能量的電子稱為二次電子、高能量的電子稱為反射電子)。一面將電子束偏向而掃描,一面檢測該些二次電子,藉此便能獲得試料上的微細圖樣或組成分布之掃描圖像。此外,藉由檢測被試料吸收之電子,亦可形成吸收電流像。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2017-27829號公報(對應美國專利公開公報US2012/0290990)
專利文獻2:日本特許第5596141號公報(對應美國專利第9702695號)
發明所欲解決之問題
電子束觀察裝置當中,從取得的圖像來測定半導體等的微細圖樣的尺寸之測長SEM(CD-SEM:Critical Dimension-Scanning Electron Microscope)裝置中,理想是複數裝置間的測長值的差異(機械誤差)小。一直以來,雖努力進行藉由硬體性或軟體性的調整來將機械誤差減小至能夠容許的範圍,但伴隨半導體等的圖樣的更加微細化,既有的機械誤差減低方法已逐漸接近極限。例如,專利文獻1中,揭示一種推定一次電子束的輪廓,以其為基礎而執行圖像的銳利化處理,來進行高精度的尺寸計測之方法。
但,專利文獻1所示習知例中,正確地求出用於修正的一次電子束的強度分布之方法並未載明。習知之掃描電子顯微鏡是將電子源的像形成於試料上,因此一次電子束的強度分布,會由電子源像、光學像差、射束振動等所決定。又,取得圖像中亦會顯現在試料內之電子束散射的影響。
此外,專利文獻2中,敍述了必須監控測長電子顯微鏡的計測精度,而實施裝置的調整或構成,以使半導體製造產線中使用的所有裝置中總是輸出同樣精度的測定結果。但,同文獻中,針對解決因電子束的形狀差等而發生之複數個裝置間的機械誤差(圖像差異)之手段,未必有載明。
正確地掌握電子束的形狀是極為困難的,因此藉由運用推定的電子束的輪廓之圖像修正,難以精度良好地使機械誤差減低。另一方面,由於裝置使用後的經年變化、或使用環境等的影響,會發生些微的電子束的形狀變化等,可能導致發生能夠容許的範圍以上之機械誤差(圖像差異)。此外,多射束裝置或多鏡柱裝置中,亦會由於裝置使用後的經年變化、或使用環境等的影響,而可能導致發生些微的電子束差(圖像差異)。本發明提出一種解決該些待解問題,而精度良好地使機械誤差減低之方法。
解決問題之技術手段
若要簡單說明本案中揭示的發明當中代表性者,則如下所述。
(1)一種用於電子束觀察裝置中的圖像修正之修正係數算出方法,係於藉由將電子束掃描試料而生成圖像的電子束觀察裝置中,用於修正複數個前述電子束觀察裝置間的圖像之修正係數算出方法,其特徵為,第1電子束觀察裝置,包含於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成第1圖像之步驟,第2電子束觀察裝置,包含對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像之步驟,前述第1或第2電子束觀察裝置,包含算出從基於前述第1及第2圖像而算出的第1及第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數之步驟。
(2)一種電子束觀察裝置中的圖像修正方法,係於藉由將電子束對試料掃描而生成圖像的電子束觀察裝置中,用於修正複數個前述電子束觀察裝置間的圖像之方法,其特徵為,第1電子束觀察裝置,包含於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成第1圖像之步驟,第2電子束觀察裝置,包含對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像之步驟,前述第1或第2電子束觀察裝置,包含算出從基於前述第1及第2圖像而算出的第1及第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數之步驟,前述第1或第2電子束觀察裝置,包含將藉由前述第1或第2電子束觀察裝置取得的第3圖像以前述修正係數修正之步驟。
(3)一種電子束觀察系統,係具備複數台藉由將電子束對試料掃描而生成圖像的電子束觀察裝置之電子束觀察系統,其特徵為,構成為,第1電子束觀察裝置,具備:第1電腦系統,於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成第1圖像,第2電子束觀察裝置,具備:第2電腦系統,對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像,前述第1或第2電腦系統,算出從基於前述第1及第2圖像而算出的第1及第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數,將藉由前述第1或第2電子束觀察裝置取得的第3圖像以前述修正係數修正之步驟。
(4)一種用於電子束觀察裝置中的圖像修正之修正係數算出方法,係於藉由將電子束掃描試料而生成圖像的電子束觀察裝置中,用於修正複數個前述電子束觀察裝置間的圖像之修正係數算出方法,其特徵為,第1電子束觀察裝置,包含於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成第1圖像之步驟,第1電子束觀察裝置,包含基於前述第1圖像而算出第1頻率特性之步驟,第2電子束觀察裝置,包含對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像之步驟,第2電子束觀察裝置,包含基於前述第2圖像而算出第2頻率特性之步驟,前述第1或第2電子束觀察裝置,包含算出從前述第1及第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數之步驟。
(5)一種電子束觀察裝置中的圖像修正方法,係於藉由將電子束對試料掃描而生成圖像的電子束觀察裝置中,用於修正複數個前述電子束觀察裝置間的圖像之方法,其特徵為,第1電子束觀察裝置,包含於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成第1圖像之步驟,第1電子束觀察裝置,包含基於前述第1圖像而算出第1頻率特性之步驟,第2電子束觀察裝置,包含對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像之步驟,第2電子束觀察裝置,包含基於前述第2圖像而算出第2頻率特性之步驟,前述第1或第2電子束觀察裝置,包含算出從前述第1及第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數之步驟,前述第1或第2電子束觀察裝置,包含將藉由前述第1或第2電子束觀察裝置取得的第3圖像以前述修正係數修正之步驟。
(6)一種電子束觀察系統,係具備複數台藉由將電子束對試料掃描而生成圖像的電子束觀察裝置之電子束觀察系統,其特徵為,構成為,第1電子束觀察裝置,具備:第1電腦系統,於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成第1圖像,基於前述第1圖像算出第1頻率特性,第2電子束觀察裝置,具備:第2電腦系統,對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像,基於前述第2圖像算出第2頻率特性,前述第1或第2電腦系統,算出從前述第1及第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數,將藉由前述第1或第2電子束觀察裝置取得的第3圖像以前述修正係數修正之步驟。
(7)一種用於電子束觀察系統中的圖像修正之修正係數算出方法,係於具備藉由將電子束對試料掃描而生成圖像的電子束觀察裝置、及管理複數個前述電子束觀察裝置間的圖像差異的電腦系統之電子束觀察系統中,用於修正複數個前述電子束觀察裝置間的圖像之修正係數算出方法,其特徵為,第1電子束觀察裝置,包含於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成圖像之步驟,第2電子束觀察裝置,包含對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像之步驟,前述電腦系統,包含算出從基於前述第1及第2圖像而算出的第1及第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數之步驟。
(8)一種電子束觀察裝置中的圖像修正方法,係於具備藉由將電子束對試料掃描而生成圖像的電子束觀察裝置、及管理複數個前述電子束觀察裝置間的圖像差異的電腦系統之電子束觀察系統中,修正複數個前述電子束觀察裝置間的圖像之方法,其特徵為,第1電子束觀察裝置,包含於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成圖像之步驟,第2電子束觀察裝置,包含對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像之步驟,前述電腦系統,包含算出從基於前述第1及第2圖像而算出的第1及第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數之步驟,前述第1或第2電子束觀察裝置,包含將藉由前述第1或第2電子束觀察裝置取得的第3圖像以前述修正係數修正之步驟。
(9)一種電子束觀察系統,係具備藉由將電子束對試料掃描而生成圖像的電子束觀察裝置、及管理複數個前述電子束觀察裝置間的圖像差異的第3電腦系統之電子束觀察系統,其特徵為,構成為,第1電子束觀察裝置,具備:第1電腦系統,於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成圖像,第2電子束觀察裝置,具備:第2電腦系統,對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像,前述第3電腦系統,算出從基於前述第1及第2圖像而算出的第1及第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數,前述第1或第2電腦系統,將藉由前述第1或第2電子束觀察裝置取得的第3圖像以前述修正係數修正之步驟。
(10)一種用於電子束觀察系統中的圖像修正之修正係數算出方法,係於具備藉由將電子束對試料掃描而生成圖像的電子束觀察裝置、及管理複數個前述電子束觀察裝置間的圖像差異的電腦系統之電子束觀察系統中,用於修正複數個前述電子束觀察裝置間的圖像之修正係數算出方法,其特徵為,第1電子束觀察裝置,包含於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成圖像之步驟,第1電子束觀察裝置,包含基於前述第1圖像而算出第1頻率特性之步驟,第2電子束觀察裝置,包含對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像之步驟,第2電子束觀察裝置,包含基於前述第2圖像而算出第2頻率特性之步驟,前述電腦系統,包含基於前述第1及第2頻率特性而辨明基準頻率特性之步驟,前述第1或第2電子束觀察裝置,包含算出從前述基準頻率特性及前述第1或第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數之步驟。
(11)一種電子束觀察裝置中的圖像修正方法,係於具備藉由將電子束對試料掃描而生成圖像的電子束觀察裝置、及管理複數個前述電子束觀察裝置間的圖像差異的電腦系統之電子束觀察系統中,修正複數個前述電子束觀察裝置間的圖像之方法,其特徵為,第1電子束觀察裝置,包含於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成圖像之步驟,第1電子束觀察裝置,包含基於前述第1圖像而算出第1頻率特性之步驟,第2電子束觀察裝置,包含對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像之步驟,第2電子束觀察裝置,包含基於前述第2圖像而算出第2頻率特性之步驟,前述電腦系統,包含基於前述第1及第2頻率特性而辨明基準頻率特性之步驟,前述第1或第2電子束觀察裝置,包含算出從前述基準頻率特性及前述第1或第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數之步驟,前述第1或第2電子束觀察裝置,包含將藉由前述第1或第2電子束觀察裝置取得的第3圖像以前述修正係數修正之步驟。
(12)一種電子束觀察系統,係於具備藉由將電子束對試料掃描而生成圖像的電子束觀察裝置、及管理複數個前述電子束觀察裝置間的圖像差異的第3電腦系統之電子束觀察系統中,修正複數個前述電子束觀察裝置間的圖像之方法,其特徵為,構成為,第1電子束觀察裝置,具備:第1電腦系統,於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成圖像,基於前述第1圖像算出第1頻率特性,第2電子束觀察裝置,具備:第2電腦系統,對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像,基於前述第2圖像算出第2頻率特性,前述第3電腦系統,基於前述第1及第2頻率特性而辨明基準頻率特性,前述第1或第2電腦系統,算出從前述基準頻率特性及前述第1或第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數,將藉由前述第1或第2電子束觀察裝置取得的第3圖像以前述修正係數修正之步驟。
(13)一種用於電子束觀察裝置中的圖像修正之修正係數算出方法,係於藉由將複數個電子束對試料掃描而生成圖像的電子束觀察裝置中,用於修正圖像之修正係數算出方法,其特徵為,前述電子束觀察裝置,包含於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成第1圖像之步驟,對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像之步驟,算出從基於前述第1及第2圖像而算出的第1及第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數之步驟。
(14)一種電子束觀察裝置中的圖像修正方法,係於藉由將複數個電子束對試料掃描而生成圖像的電子束觀察裝置中,修正圖像之方法,其特徵為,前述電子束觀察裝置,包含於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成第1圖像之步驟,對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像之步驟,算出從基於前述第1及第2圖像而算出的第1及第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數之步驟,將藉由前述電子束觀察裝置取得的第3圖像以前述修正係數修正之步驟。
(15)一種電子束觀察裝置,係藉由將複數個電子束對試料掃描而生成圖像的電子束觀察裝置,其特徵為,構成為,前述電子束觀察裝置,於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成第1圖像,對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像,算出從基於前述第1及第2圖像而算出的第1及第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數,將藉由前述電子束觀察裝置取得的第3圖像以前述修正係數修正。
發明之功效
藉由本發明,可將由於電子束的形狀差等而發生之複數個裝置間的機械誤差(圖像差異)、或多射束裝置或多鏡柱裝置中的電子束差異(圖像差異),藉由拍攝後的圖像處理予以減低。
以下參照圖面,說明本發明之實施形態。以下作為電子束觀察裝置的一例係以掃描電子顯微鏡為例來說明,但本發明亦可適用於掃描電子顯微鏡以外的電子束觀察裝置。
實施例1
圖1為實施例1之電子束觀察裝置(掃描電子顯微鏡)的概略構成示意方塊圖。圖示例子中,揭示透過資料匯流排或網路等的通訊手段121,而對電子束觀察裝置1-A連接有電子束觀察裝置1-B之電子束觀察系統。電子束觀察裝置1-A與電子束觀察裝置1-B,構成為透過通訊手段121而互相做資料的收發送。另,電子束觀察裝置1-A與電子束觀察裝置1-B的構成為同樣,故僅針對電子束觀察裝置1-A說明。另,當不指明電子束觀察裝置1-A、1-B的情形下,使用省略「-」以下之符號「1」。
首先,說明裝置構成。在從電子源(電子槍)101照射電子束(電子線)102之下游方向(圖中下方),配置有變形照明孔徑103、開口板154、檢測器104、掃描偏向用偏向器105、對物透鏡106。又,在電子光學系統,雖未圖示但還附加有一次射束的中心軸(光軸)調整用校準器、及像差修正器等。
另,本實施例1中的對物透鏡106是揭示藉由激磁電流來控制對焦之電磁透鏡的例子,但亦可為靜電透鏡或是電磁透鏡與靜電透鏡之複合。
電腦系統116,由系統控制部110、控制裝置109、輸出入部113所構成。
平台107構成為上面載置晶圓亦即試料108而移動。電子源101、檢測器104、掃描偏向用偏向器105、對物透鏡106、及平台107的各部連接至控制裝置109,又在控制裝置109連接有系統控制部110。
系統控制部110,功機上配置有記憶裝置111、及演算部112,連接至包含圖像顯示裝置之輸出入部113。此外,雖未圖示,但無需贅言地,控制系統、電路系統以外的構成要素係配置於真空容器內,做真空排氣而使其動作。此外,無需贅言地,具備從真空外將晶圓配置於平台107上之晶圓搬送系統。
另,系統控制部110,更具體而言,構成為具有演算部112亦即中央處理部或是記憶裝置111亦即記憶部,將此中央處理部訂為上述的演算部112而令其執行記憶裝置111中記憶的控制程式120或圖像處理部148等,藉此便能進行有關缺陷檢查或尺寸計測之圖像處理、或是控制裝置109等之控制。另,圖像處理部148為處理SEM圖像之程式。
本實施例1中,有時包含此系統控制部110、輸出入部113、控制裝置109等而統稱為控制部。又,輸出入部113,亦可分別構成為鍵盤或滑鼠等的輸入手段、與液晶顯示元件等的顯示手段來作為輸入部、輸出部,亦可藉由利用觸控面板等之一體型的輸出入手段來構成。
說明有關使用本實施例1之裝置而實施之圖像觀察。從電子源101放出的電子束102藉由對物透鏡106而對焦受到控制,在試料108上以射束徑成為極小之方式被聚焦。
掃描偏向用偏向器105藉由控制裝置109而被控制使得電子束102掃描試料108的規定的區域。到達試料108的表面之電子束102,與表面附近的物質相互作用。藉此,反射電子、二次電子、歐傑(Auger)電子等的二次性電子會從試料產生,成為應取得的訊號。
本實施例1中揭示訊號為二次電子之情形。從電子束102到達試料108的位置產生之二次電子114係藉由檢測器104而被檢測。檢測二次電子114的檢測器104的輸出訊號之訊號處理,是與從控制裝置109送至掃描偏向用偏向器105的掃描訊號同步進行,藉此生成圖像(SEM圖像),實施試料108的觀察。另,亦可替換該圖像(SEM圖像),而從檢測器104的輸出訊號生成訊號波形(例如,示意試料108的表面上的位置、與對應於該位置而檢測器104檢測出的二次電子114的量之關係的訊號輪廓)。
另,生成的圖像,能夠存放於記憶裝置111或非揮發性記憶裝置(圖示省略)。存儲於記憶裝置111或揮發性記憶裝置等的記憶部之圖像,藉由後述的圖像處理部148而被處理。
另,本實施例1中,檢測器104配置於比對物透鏡106或掃描偏向用偏向器105還上游,但配置的順序亦可調換。此外,雖未圖示但在電子源101與對物透鏡106之間配置修正電子束102的光軸之校準器,構成為當電子束102的中心軸相對於孔徑或電子光學系統偏離的情形下能夠修正。
電子束觀察裝置1-A、1-B(以下,裝置A、裝置B)中,當從取得的圖像測定試料108的圖樣的尺寸的情形下,理想是複數裝置間的測長值的差異(機械誤差)小。
習知例中,一直藉由努力進行圖1記載的各構成要素的硬體性調整、或軟體性調整,來將機械誤差減小至能夠容許的範圍。然而,由於裝置A、B使用後的經年變化、或使用環境等的影響,會發生些微的電子束的形狀差異等,可能導致發生能夠容許的範圍以上之測長值的差異(機械誤差)。
本實施例1中,提出將裝置A與裝置B的機械誤差藉由圖1中的圖像處理部148之圖像處理予以減低之方法。本實施例1中,說明使裝置A與裝置B的機械誤差減低之處理。
本實施例1中,揭示將裝置A訂為基準裝置,以讓裝置B的拍攝圖像成為和裝置A相同頻率特性之方式,來修正藉由裝置B拍攝出的圖像的例子。雖說明裝置A與裝置B為不同裝置,但裝置A與裝置B為相同亦無妨。在此情形下,便可因應裝置A由於時間變化而視同成為了裝置B之情形、裝置A中造成開口板154的形狀變化之情形等。
圖像處理部148所做的圖像之修正,為從藉由裝置A與裝置B拍攝出的各自的圖像算出修正係數,而基於算出的修正係數來進行。
圖2示意算出修正係數之手續的一例示意流程圖。
作為基準裝置的裝置A,拍攝特定的圖樣的試料(基準試料)108之SEM圖像(301)。裝置A,將拍攝出的圖像做傅立葉變換等,藉此算出圖像的頻率特性A(第1頻率特性)而保存(302)。
頻率特性的算出,能夠針對將圖像變換成頻率空間圖像時生成的係數的各者藉由係數的乘算或除算來進行。
同樣地裝置B,拍攝特定的圖樣的試料(基準試料)108之SEM圖像(303)。裝置A,將拍攝出的圖像做傅立葉變換等,藉此算出圖像的頻率特性B(第2頻率特性)而保存(304)。另,特定的圖樣的試料,理想是同一試料。此外,作為特定圖樣的試料,合適是使用能夠在較為廣的頻率頻帶下抽出峰值頻率之黑矽(black silicon)等。
若將裝置A訂為基準裝置,考量讓裝置B契合裝置A,則修正係數以,修正係數=裝置A的頻率特性A(第1頻率特性)/裝置B的頻率特性B(第2頻率特性).........(式1)
之方式算出。裝置A,使用該(式1),從頻率特性A(第1頻率特性)與頻率特性B(第2頻率特性)算出修正係數(305)。此修正係數,是對於將圖像變換成頻域之後的各像素算出。
圖2中,揭示裝置A取得裝置B的頻率特性B(第2頻率特性)而算出修正係數的例子。
圖25中,揭示設計成裝置A演算藉由裝置B拍攝出的圖像的頻率特性B(第2頻率特性)的情形下之流程圖的一例。
作為基準裝置的裝置A,拍攝特定的圖樣的試料(基準試料)108之SEM圖像(301)。同樣地裝置B,拍攝特定的圖樣的試料(基準試料)108之SEM圖像(303)。
接下來,裝置A,從藉由裝置A拍攝出的圖像算出頻率特性A(第1頻率特性)而保存,從藉由裝置B拍攝出的圖像算出頻率特性B(第2頻率特性)而保存(2503)。裝置A,從該頻率特性A(第1頻率特性)與頻率特性B(第2頻率特性),使用(式1)算出修正係數(305)。
頻率特性,雖從一張圖像也能取得,但為了減低噪訊等所造成之值的不均等影響,亦可將複數個拍攝圖像的頻率特性予以平均來使用。此外,為了減低頻率特性的噪訊等所造成之值的不均,亦可對算出的頻率特性進行平滑化處理。圖2及圖25,為從一張圖像取得頻率特性的例子,惟當使用複數張圖像的情形下會成為圖5所示般的處理手續。
圖5示意實施例1的變型例,為從複數個頻率特性算出修正係數之處理的一例示意流程圖。
裝置A中,拍攝特定的圖樣的試料(基準試料)108的SEM圖像(301),反覆N次從圖像算出頻率特性A(第1頻率特性)之處理(601)後(310),從N個的頻率特性A(第1頻率特性)算出平均頻率特性A(602)。
裝置B中亦依同樣方式,拍攝特定的圖樣的試料108的SEM圖像(303),反覆M次從圖像算出頻率特性B(第2頻率特性)之處理(603)後(311),從M個的頻率特性B(第2頻率特性)算出平均頻率特性B(604)。
分別於裝置A中拍攝N張,於裝置B中拍攝M張圖像,分別得到裝置A、B中的平均頻率特性A、B(602、604)。另,N與M為分別事先設定的1以上的整數值。
所謂頻率特性的平均,意指各頻率中的振幅特性的平均。修正係數的算出(306)方法,和後述的圖3的處理手續同樣。
圖20示意裝置B使用藉由前述的裝置A算出之修正係數(306、2505)而對藉由裝置B拍攝出的圖像施加修正,變換成和裝置A相同頻率特性之流程圖的一例。
裝置B,取得(2001)藉由裝置A算出的修正係數(306)。裝置B,將藉由裝置B拍攝出的實空間的圖像變換成頻率空間的圖像(2002),對於頻率空間的圖像的各像素,乘算(2003)修正係數(306)。裝置B,將乘算了修正係數(306)的頻率空間的圖像使用二維逆FFT(傅立葉變換)等手法再次變換成實空間的圖像(2004),輸出作為修正後的
圖像(2005)。修正後的圖像,被修正成為和裝置A相同頻率特性,因此裝置B與裝置A之機械誤差被減低。
從拍攝出的實空間的圖像得到修正後的實空間的圖像之程序的一例,若以方塊圖表示則如圖3般。拍攝出的實空間的圖像401,使用傅立葉變換等手法被變換成頻率空間的圖像(402)。接下來,對於頻率空間的圖像的各像素,乘算修正係數(403)。乘算了修正係數的頻率空間的圖像,藉由二維逆FFT(傅立葉變換)等公知或周知的手法再次被變換成實空間的圖像(404),輸出作為修正後的實空間的圖像405。
另,圖20的流程圖中,示意裝置B使用藉由裝置A算出的修正係數(306)來修正藉由裝置B拍攝出的圖像之例子,但亦可構成為裝置A使用藉由裝置A算出的修正係數(306)來修正藉由裝置B拍攝出的圖像。此外,亦可構成為裝置A使用藉由裝置A算出的修正係數(306)來修正藉由裝置A拍攝出的圖像。
圖9示意進行圖像修正的環境設定之GUI(Graphical User Interface)的一例。圖9為輸出至輸出入部113的圖像顯示裝置之環境設定畫面600的一例示意圖。設定畫面600,包含藉由ON或OFF而設定是否進行機械誤差的修正之開關610、及設定修正對象的裝置之修正目標620。
拍攝時,藉由開關610來設定是否執行圖像修正(機械誤差修正)。此時,能夠指定檔案作為修正目標620,來契合哪一裝置的頻率特性。
環境設定畫面600中指定的修正目標620,設想為記錄了修正對象的頻率特性之檔案。藉由設置本實施例1中說明的環境設定畫面600,可任意地設定圖像修正的有無、修正目標。另,作為GUI,能夠共用輸出入部113的顯示部。
像以上這樣按照圖5的實施例,藉由作為基準的裝置A,拍攝複數張特定的圖樣的試料,取得複數個圖像。利用傅立葉變換等取得該些圖像一張一張的空間頻率特性,將它們做統計處理,藉此得到就裝置A而言的空間頻率特性A。
接下來,藉由另一裝置B,拍攝複數張和前述裝置A中使用者相同圖樣的試料,取得複數個圖像。利用傅立葉變換等取得該些圖像一張一張的空間頻率特性,將它們做統計處理,藉此得到裝置B的空間頻率特性B。
藉由比較空間頻率特性A與空間頻率特性B,算出用來將圖像做頻率性的修正之修正係數。以不產生空間頻率特性A與空間頻率特性B的差異之方式,修正其中一個裝置的拍攝圖像,藉此使裝置A與裝置B之機械誤差。經實驗已判明,藉由將裝置間的頻率特性契合成相同特性,可減低測長值差異。可減低複數裝置間的機械誤差,而可正確地進行在具有複數裝置的站點之運用管理。
前述記為相同圖樣之試料108,較佳為實際施以測長處理之試料,但若為圖像中包含的頻率成分和測長處理中使用的圖像相似者,則為別的圖樣亦無妨。此外,為了算出前述修正係數而使用的試料、與測長所使用的試料可為同一,亦可為相異。
實施例2
實施例1中,記載了有關減低2台的裝置A、裝置B之機械誤差的方法,但在作為基準的裝置A的圖像,理想是盡可能包含高頻率的成分。
這是因為若圖像中未包含高頻率成分,意指圖像模糊,反之,若圖像中包含許多高頻率成分,意指圖像鮮明。故,藉由複數台的裝置,拍攝相同圖樣(試料108)的圖像,比較各自的圖像的頻率成分,將包含最多高頻率成分的裝置訂為基準裝置,藉此便可將藉由其他裝置拍攝出的圖像修正成更鮮明的圖像,而減低機械誤差。
圖4A、圖4B為頻率特性的一例示意圖表。圖4A為裝置A的頻率特性A示意圖表,圖4B為裝置B的頻率特性B示意圖表。圖示例子的頻率特性A、B,揭示頻率與功率(振幅)的關係,但不限定於此。
圖4A、圖4B中為了說明,僅示意對於水平頻率之功率。如該些圖般,當相對於藉由裝置A取得的圖像,藉由裝置B取得的圖像在頻率高的部分殘留功率的情形下,只要將裝置B訂為基準裝置,而進行將裝置A契合裝置B之圖像處理即可。
頻率高的區域是否有功率,例如可藉由就頻率特性而言高的部分的功率的大小來判斷,此外,可藉由既有的手法來判斷如比較高通濾波器的輸出的大小等。
圖10為實施例2之電子束觀察系統的概略構成示意圖。在電腦系統(管理系統)1001,透過資料匯流排或網路等的通訊手段1002,連接有K台(K≧2)的圖1所示之電子束觀察裝置。電腦系統1001,係適宜使用下述而構成,即,執行有關頻率特性之處理,將頻率特性與其隨附的資訊予以保存之頻率特性處理部1003、及用來透過輸出入部1004或通訊手段1002而做頻率特性的資料轉送之輸出入I/F部1005、及還可做各電子束觀察裝置的控制之全體控制部1006。
頻率特性處理部1003,具有執行有關頻率特性的演算之演算部1007、及保存資訊之記憶部1008。記憶部1008,係適宜使用下述而構成,即,記憶藉由各電子束觀察裝置得到的頻率特性之頻率特性記憶部1011、及對每一頻率特性記憶頻率特性以及從各電子束觀察裝置得到的拍攝條件等隨附資訊之隨附資訊記憶部1012。演算部1007,係適宜使用下述而構成,即,對於藉由各電子束觀察裝置得到的頻率特性或頻率特性記憶部1011中記憶的頻率特性進行演算之頻率特性演算部1009、及分析該些頻率特性之頻率特性分析部1013、及辨明用來調整機械誤差的作為基準的頻率特性之基準頻率特性辨明部1010。
電腦系統1001,具有下述功能,即,接受藉由複數台的電子束觀察裝置得到的頻率特性之輸入,而將頻率特性的演算結果或作為基準的頻率特性等輸出至輸出入部1004。輸出入部1004,為了對操作者之資料顯示及受理來自操作者的輸入而使用鍵盤、滑鼠、顯示器裝置等來構成。
此電腦系統1001,可將使用本發明而用來調整機械誤差的作為基準之頻率特性保持在記憶部1008,因應來自各裝置1-1~1-K的要求,能夠將該基準頻率特性傳送至各裝置。此外,各裝置1-1~1-K,能夠將藉由各裝置拍攝出的圖像的頻率特性當中任意的頻率特性傳送至電腦系統1001。此外,電腦系統1001,能夠透過通訊手段1002取得各裝置保有的任意的頻率特性,從該各裝置的頻率特性當中辨明應訂為基準之頻率特性。於各裝置,進行將拍攝圖像的頻率特性契合此基準頻率特性之處理。
各裝置1-1~1-K中,由從電腦系統1001取得的作為基準之頻率特性、與從藉由各裝置1-1~1-K拍攝出的圖像的頻率特性來算出修正係數,藉由該修正係數而修正圖像。在此情形下,裝置1-K中的修正係數,能夠以
修正係數=作為基準的頻率特性/裝置1-K的頻率特性………(式2)
之方式算出。
圖21示意實施例2中的流程圖的一例。各裝置1-1~1-K,拍攝特定的圖樣的試料(基準試料)的SEM圖像(2101),通過演算部112或圖像處理部148從該拍攝圖像取得各個頻率特性,保存於記憶部111(2102)。接下來,各裝置1-1~1-K,將該各個頻率特性傳送至電腦系統1001(2103)。在此情形下,電腦系統1001,亦可設計成取得各裝置的記憶部111中保存之期望的頻率特性(2103)。電腦系統1001,將該各個頻率特性與隨附資訊一起保存於頻率特性記憶部1011、隨附資訊記憶部1012(2108)。電腦系統1001的演算部1007的基準頻率特性辨明部1010,從記憶部1008中保存的頻率特性當中辨明作為基準之頻率特性(2104)。作為基準的頻率特性,理想為包含盡可能高頻率的成分之頻率特性。這樣的頻率特性的分析,可藉由頻率特性分析部1013進行。電腦系統1001,將辨明出的作為基準的頻率特性傳送至各裝置1-1~1-K(2105)。在此情形下,亦可設計成各裝置從電腦系統1001取得作為該基準的頻率特性(2105)。各裝置,從作為該基準之頻率特性與藉由各裝置拍攝出的特定的圖樣的試料(基準試料)的圖
像之頻率特性,使用(式2)算出修正係數(2106)。於各裝置,使用該修正係數進行藉由各裝置拍攝出的圖像之修正(2107)。
按照本實施例2,可減低複數個裝置1間的機械誤差,而可正確地進行在具有複數個裝置1的電子束觀察系統之運用管理。
此外,亦可設計成對每一裝置1-1~1-K,算出表現頻率特性的數值列而保持。作為表現頻率特性的數值列,例如能夠使用二維FFT的振幅等。
實施例3
本發明中,將特定的1台訂為基準裝置來契合機械誤差並非必須。機械誤差之減低所必要的,僅是圖像的頻率特性,因此藉由複數台裝置拍攝特定的圖樣(基準試料),將各自的圖像的頻率特性的平均值訂為作為基準之頻率特性,使用該基準之頻率特性來算出修正係數亦可。
本實施例3中,於圖10所示電子束觀察裝置的電腦系統,電腦系統1001使用各裝置的頻率特性,算出頻率特性的平均值(平均頻率特性)。在此情形下,裝置1-K中的修正係數,能夠以
修正係數=作為基準的頻率特性/裝置1-K的頻率特性
=各裝置的頻率特性的平均值(平均頻率特性)/裝置1-K的頻率特性………(式3)
之方式算出。
圖22示意本實施例中的流程圖的一例。電腦系統1001,將各裝置的頻率特性保存於記憶部1008後(2108),演算部1007的頻率特性演算部1009,算出各裝置的頻率特性的平均值(平均頻率特性),將該平均頻率特性辨明為作為基準之頻率特性(2201)。各裝置,從作為該基準之頻率特性與藉由各裝置拍攝出的特定的圖樣的試料(基準試料)的圖像之頻率特性,使用(式3)算出修正係數(2202)。其他步驟和圖21同樣。
按照本實施例3,可減低複數個裝置1間的機械誤差,而可正確地進行在具有複數個裝置1的電子束觀察系統之運用管理。此外,藉由將各裝置的頻率特性的平均值(平均頻率特性)訂為基準頻率特性,能夠將複數台的裝置看待作為基準裝置群,可達成電子束觀察系統的機械誤差修正(圖像差異修正)中的彈性的運用管理。
實施例4
如實施例3中所示,機械誤差之減低所必要的,僅是圖像的頻率特性,因此拍攝圖像的裝置,亦可為具有相異構造的電子束觀察裝置1。藉由各自的裝置拍攝特定的圖樣的試料108,以圖像的頻率特性為基礎,算出修正係數即可。
此外,藉由事先保存圖像的頻率特性,即使是同一裝置亦可以檢測電子束的時間變化(經年變化)為目的而使用,可藉由圖像的修正來減低電子束的時間變化。此外,針對伴隨維護而更換零件的情形下,例如亦可藉由圖像修正來減低開口板154或電子源101的更換所造成之電子束形狀的變化。
實施例5
實施例1中,揭示了以從拍攝圖像取得的圖像的頻率特性為基礎,能夠減低電子束的形狀差異對圖像帶來的影響。實施例1中,雖以減低裝置間之機械誤差為目的而進行圖像修正,但除此以外,於同一裝置中,當具有複數個開口板154,而將複數個開口板154切換使用的情形下,在將藉由特定的開口板154拍攝出的圖像的頻率特性契合藉由另一開口板154拍攝出的圖像的頻率特性之目的亦能活用。
本說明書中,包含孔徑形狀在內,是將電子束的試料到達能量、或試料108上的展開角、或試料照射電流量、光學倍率等決定照射至試料108的電子束形狀的所有設計、設定條件皆訂為光學條件。本實施例5中說明僅切換孔徑形狀之例子。
這在例如以解析力為優先之孔徑形狀、和拍攝具有深溝的試料108所適合的孔徑形狀相異之情形等能夠活用。藉由以解析力為優先的孔徑形狀,拍攝1張以上的複數個圖像,藉此事先取得使用了該孔徑的情形下之圖像的頻率特性。變更成深溝拍攝用的孔徑之後,將同一圖樣拍攝1張以上的複數個圖像,藉此事先取得圖像的頻率特性。
如同實施例1般只要事先算出使得從該圖像取得的頻率特性的差異減低之修正係數,則於其後的拍攝中,便可將藉由一方的孔徑拍攝出的圖像的頻率特性,往藉由另一方的孔徑拍攝出的圖像的頻率特性修正。
實施例6
電子束觀察裝置1的放大率(倍率),在修正係數之算出時與圖像之修正時亦可相異。修正係數,是具有每一頻率的係數,因此只要配合修正係數算出時的倍率與圖像修正時的倍率之比,適當地進行修正係數的頻率方向的縮放(scaling)之後進行圖像修正即可。
另,每一頻率的係數,於每一像素包含頻率與強度(振幅或功率)與相位,本實施例6中不使用相位,故能夠排除相位。
本實施例7中,說明算出複數個修正係數,將複數個修正係數平均化之例子。
前述實施例5中,揭示了算出用來將拍攝特定的孔徑形狀(訂為孔徑形狀A)而得之圖像的頻率特性,往藉由另一孔徑形狀(訂為孔徑形狀B)拍攝出的圖像的頻率特性修正之修正係數的例子。
本實施例7中,為了減低噪訊等所造成之值的不均的影響,亦可準備複數個修正係數而予以平均化,其方法為如圖6所示般的處理手續。
圖6為從頻率特性算出修正係數之處理的一例示意流程圖。裝置A,藉由孔徑形狀A拍攝特定的圖樣的試料108的SEM圖像(701),從圖像算出頻率特性A(第1頻率特性)(702)。
裝置B,藉由孔徑形狀B拍攝特定的圖樣的試料108的SEM圖像(703),從圖像算出頻率特性B(第2頻率特性)(704)。
裝置A,取得裝置B的頻率特性B(第2頻率特性)而如同前述實施例1般算出修正係數(306)。將上述步驟
701~704及步驟306反覆規定的L次(312),將上述步驟306中算出的修正係數的平均值算出作為平均修正係數(707)。
與前述的實施例1的圖5的差別在於,裝置A、裝置B在孔徑形狀A與孔徑形狀B有差異、及算出修正係數後才平均化。將修正係數的算出(306)反覆L次而得之平均值,訂為孔徑形狀A與孔徑形狀B的平均修正係數707,藉此便能抑制值的不均的影響。
本實施例8中說明於同一裝置、同一孔徑形狀,從藉由複數個孔徑形狀以外的光學條件拍攝出的圖像的頻率特性來算出修正係數的例子。
前述的實施例5中,揭示了能夠將藉由一方的孔徑形狀拍攝出的圖像的頻率特性往藉由另一方的孔徑形狀拍攝出的頻率特性修正,但亦可於同一裝置、同一孔徑形狀,將藉由某一光學條件拍攝出的圖像的頻率特性往藉由相異的光學條件拍攝出的圖像的頻率特性修正。
例如,在同一裝置、同一孔徑形狀中,針對藉由以解析力優先於照射電流之光學條件(小電流模式)、與藉由照射電流大優先於解析力之光學條件(大電流模式)拍攝出的圖像的頻率特性,如同實施例5般,藉由小電流模式與大電流模式取得同一圖樣的圖像,而取得修正係數,藉此便能將藉由大電流模式拍攝出的圖像的頻率特性往藉由高解析力模式取得的圖像的頻率特性修正。
於變更了上述光學條件的情形下之修正處理中,是將每一光學條件的圖像的頻率特性,如圖7所示關連至光學條件710而事先保有於裝置內作為資料庫700,藉此,裝置1能夠從資料庫700讀出修正的圖像的頻率特性之光學條件710與和修正後的圖像的頻率特性之光學條件710相對應的資料,算出修正係數,進行圖像的頻率特性之修正。
針對修正不存於資料庫700內之光學條件的圖像的情形,可於拍攝前算出修正係數,而儲於資料庫700,亦可從相近的光學條件710的圖像頻率特性推測相對應的修正係數。該些圖像的圖樣相同,為在拍攝條件或是圖像的劑量相等的條件下取得者。資料庫700內的資料可保有作為修正係數。
實施例9
前述的實施例8中,揭示了針對藉由複數個光學條件拍攝出的圖像的頻率特性亦可算出修正係數來做修正。於每一光學條件,圖像的亮度或SN比相異,因此亦可對於算出修正係數所使用的圖像設定基準(拍攝條件)。
所謂拍攝條件,是訂為拍攝時所設定之條件,如拍攝的圖像的大小、或將複數個拍攝圖像累計而形成一張圖像的情形下之圖幀累計數、或掃描速度等。
例如,無論在任何光學條件下,算出修正係數時使用的圖像皆訂為圖像的總劑量在事先設定好的基準範圍內,則小電流模式下每一像素的照射電流量少,因此可增加圖幀累計數,反之大電流模式的情形下每一像素的照射電流量雖多但對於試料108的表面附著之照射污染所造成之圖樣形狀變化的風險高,因此可減少圖幀累計數來拍攝。
本實施例9中是以從拍攝前設定的光學條件來選擇滿足基準的劑量之拍攝條件為前提來說明,但亦可設計成藉由任意的拍攝條件拍攝後,判斷不滿足基準範圍的圖像則不使用於修正係數算出。
實施例10
前述的實施例8中,揭示了將每一光學條件的圖像的頻率特性保存作為資料庫700。本實施例10中,揭示針對資料庫700中保存的圖像,判定錯誤圖像而予以摒除的例子。
圖8為裝置A更新資料之處理的一例示意流程圖。資料庫700內的資料,亦可每當變更光學條件便更新。此時,當取得了因噪訊或外擾等影響而紊亂之圖像的情形下,例如事先蓄積過去的資料,將頻率特性的平均值保有作為基準值,判定本次取得的頻率特性(901)是否偏離作為基準值的標準偏差的3σ(902),若為範圍內則更新資料(903),若為範圍外則予以摒除成為更新對象外(904)。另,判定的基準值不限定於本例。
本實施例中,說明算出在圖樣形狀或圖樣尺寸等為相異的複數個試料中也能共通地利用之修正係數的方法。作為一例,圖14(A)揭示當取得以圖樣寬幅W1及圖樣寬幅W2形成於試料上之複數個線圖樣的二次電子圖像的情形下,於相對於線圖樣的延伸方向而言垂直的方向掃描一次電子束時得到的二次電子的訊號輪廓(訊號波形)。此外,圖14(B)揭示上述線圖樣(試料)的二次電子圖像中的頻率特性、與對於上述線圖樣(試料)藉由圖2等所示流程圖求出的修正係數的頻率特性。如圖14(B)所示,當線圖樣的圖樣寬幅相異的情形下,對圖樣掃描電子束而得到的訊號的頻率特性相異,因此應修正的頻率(峰值頻率)會相異。因此,即使將藉由形成有圖樣寬幅W1的線圖樣之試料而算出的修正表格適用於形成有圖樣寬幅W2的線圖樣之試料,仍會發生無法修正和僅存在於圖樣W2的頻率峰值相對應之成分的問題(待解問題)。這樣的問題,不限於線圖樣的圖樣寬幅,當圖樣的尺寸(大小)相異的情形下也會發生。理想上,藉由在頻率頻帶全體存在訊號這樣的圖樣來作成修正係數表為佳,但實際的試料的半導體圖樣是藉由具有特定的周期構造之線與間隔(line-and-space)或孔圖樣等而形成,於頻率空間上僅在示意圖樣的形狀之頻率會出現峰值,因此難以作成修正頻率頻帶全體這樣理想的修正係數表。然而,若能夠僅抽出不和圖樣形狀相依的機械誤差成分,則於頻率特性相異的其他圖樣的拍攝圖像中
亦可做修正。
利用圖15的流程圖,說明算出對於這樣的圖樣尺寸相異的複數個圖樣(試料)也能共通利用之修正係數表或修正係數函數的方法的一例。
作為基準裝置的裝置A,拍攝複數張(一張以上)圖樣寬幅W1的線圖樣的試料(基準試料)108的SEM圖像(1501)。裝置A,將拍攝出的各圖像做傅立葉變換等,藉此算出圖像的頻率特性A(第1頻率特性)而保存(1502)。同樣地裝置B,拍攝複數張(一張以上)圖樣寬幅W1的線圖樣的試料(基準試料)108的SEM圖像(1503)。裝置A,將拍攝出的各圖像做傅立葉變換等,藉此算出圖像的頻率特性B(第2頻率特性)而保存(1504)。另,圖樣寬幅W1的線圖樣的試料,理想是同一試料。
接下來,抽出頻率特性A、B(第1、第2頻率特性)中的峰值頻率(1505)。峰值頻率的抽出,能夠從特定頻帶的頻率成分的最大值、或是頻率成分成為規定的閾值以上的頻率中選擇性地抽出。
下一步驟中,算出在各者的峰值頻率下之修正係數(1506)。此處,將裝置A訂為基準裝置,考量將裝置B契合裝置A的情形下,在各峰值頻率下之修正係數是使用(式1)算出。
其後,使用算出的在各峰值頻率下之修正係數,作成將峰值頻率間的修正係數予以插補而成之修正係數表、或是於頻率空間全體做直線或曲線近似而成之修正
係數函數(1507)。若為僅在峰值頻率之修正係數,則只能修正圖樣寬幅W1的圖樣形狀,但藉由作成將各峰值頻率之間的修正係數予以插補、或以在峰值頻率下之修正係數來將在頻率空間全體下之修正係數做直線或曲線近似而成之修正係數函數,則可在頻率空間全體表現電子束形狀的變化。藉由使用該修正係數表或修正係數函數來修正期望的圖像,便能不受圖樣形狀或圖樣尺寸左右而減低裝置間的機械誤差(圖像差異)或是多射束裝置或多鏡柱裝置中的電子束差異(圖像差異)。
本實施例11中,揭示了裝置A取得裝置B的頻率特性B(第2頻率特性)而算出修正係數的例子,但亦可設計成裝置A演算藉由裝置B拍攝出的圖像的頻率特性B(第2頻率特性)。頻率特性,雖從一張圖像也能取得,但為了減低噪訊等所造成之值的不均等影響,亦可將複數個拍攝圖像的頻率特性予以平均來使用。此外,為了減低頻率特性的噪訊等所造成之值的不均,亦可對算出的頻率特性進行平滑化處理。此外,於修正係數算出時,可如圖5流程般使用複數張圖像,亦可如圖6流程般適用在相異的孔徑形狀下之修正係數的平均值。同樣地,於修正係數算出時,可如圖10所示般構成與控制器1001連接而成之電子束觀察系統,亦可如圖19所示般構成與圖像處理裝置1901連接而成之電子束觀察系統。同樣地,於修正係數算出時,亦可將本實施例11適用於如圖11至13所示般的多射束裝置或多鏡柱裝置。此外,不限於該些,亦可藉由將本實
施例11與既述的實施例1~10或是後述的本實施例12~14組合而成之形態來實施。又,修正係數的插補亦可單純做從前後2點求出直線等之插補,直線或曲線的近似亦可使用將電子束形狀的變化予以模型化而成之指數函數等式子。基準裝置與修正對象的裝置的模糊(blur)的差異,若起因於電子束的高斯形狀的寬幅的差異,則可藉由指數函數來近似。
本實施例12中,利用圖16說明圖像的修正處理的一例。如先前講述般,當將掃描圖樣而得到的訊號以頻率空間表現時,線與間隔或孔洞這些圖樣的形狀資訊,主要是以在頻率峰值下之頻率資訊來表現。換言之,可說頻率峰值以外的頻率頻帶,幾乎不包含圖樣的形狀資訊。在此情形下,若僅在峰值頻率或僅在包含峰值頻率的鄰近的頻率頻帶使用修正係數來修正拍攝圖像,則針對其他頻率頻帶即使不進行修正,仍可減低機械誤差或射束差異所造成之圖像差異。圖16(A)揭示以圖樣寬幅W1形成於試料上之複數個線圖樣的二次電子圖像的頻率特性,圖16(B)及(C)揭示從藉由基準裝置與修正對象裝置拍攝出的寬幅W1及W2的線圖樣圖像而算出之在峰值頻率下之修正係數及對該修正係數做曲線近似而成之修正係數函數。寬幅W1的線圖樣的形狀資訊,僅藉由圖16(B)的黑圓所示峰值頻率及峰值頻率鄰近的頻率頻帶來表現,因此不需做曲線近似來求出修正係數函數,便可做圖像差異之修正。圖
16(A)的峰值頻率能夠藉由實施例11中說明的方法抽出,僅在其峰值頻率或包含峰值頻率之其鄰近頻帶適用修正係數。按照本實施例,不必作成曲線近似而成之修正係數函數而對頻率空間全體適用修正係數,因此能夠減輕修正處理的負荷,能夠縮短修正處理時間。此外,若比較圖16(B)與圖16(C),圖16(C)中存在複數個圖16(B)中看不到的峰值頻率。因應圖像的圖樣的形狀,來分別使用圖16(B)或(C)的修正係數函數,藉此亦可更加減低圖像差異。
本實施例中,說明使用圖樣尺寸相異的2個以上的試料來算出修正係數表或修正係數函數之方法。圖17(A)中揭示藉由對於圖樣寬幅W1、W2的線圖樣之一次電子束掃描而得到之二次電子的訊號輪廓、與圖樣寬幅W1、W2的線圖樣的二次電子圖像的頻率特性及抽出的峰值頻率、與從藉由基準裝置和修正對象裝置拍攝出的寬幅W1、W2的線圖樣圖像而算出之峰值頻率下之修正係數。例如,當試料的圖樣中包含之頻率峰值數少的情形下,會變得難以僅從峰值頻率中的訊號穩定地捕捉一次電子束形狀的變化。這樣的情形下,藉由抽出圖樣尺寸等為相異的複數個圖樣(試料)中的各自的頻率特性的峰值頻率,便能增加修正係數的插補或近似所利用之頻率。
圖23示意本實施例中的流程圖的一例。
作為基準裝置的裝置A,拍攝複數張(一張以
上)圖樣寬幅W1的線圖樣的試料(基準試料)的SEM圖像(2301)。接下來,裝置A,拍攝複數張(一張以上)圖樣寬幅W2的線圖樣的試料(基準試料)的SEM圖像(2302)。同樣地裝置B,拍攝複數張(一張以上)圖樣寬幅W1的線圖樣的試料(基準試料)與圖樣寬幅W2的線圖樣的試料(基準試料)的SEM圖像(2303、2304)。在此情形下,藉由裝置A與裝置B拍攝之圖樣寬幅W1的線圖樣的試料理想為同一試料,藉由裝置A與裝置B拍攝之圖樣寬幅W2的線圖樣的試料亦理想為同一試料。此外,圖樣寬幅W1的線圖樣與圖樣寬幅W2的線圖樣,亦可於同一試料(基準試料)上形成於相異位置。
裝置A,將拍攝出的寬幅W1、W2的線圖樣圖像做傅立葉變換等,藉此算出頻率特性AW1、AW2(第1頻率特性為AW1、AW2)而保存(2305)。同樣地裝置B,將拍攝出的寬幅W1、W2的線圖樣圖像做傅立葉變換等,藉此算出頻率特性BW1、BW2(第2頻率特性為BW1、BW2)而保存(2306)。接下來,抽出頻率特性AW1、BW1中的峰值頻率(2307)。同樣地,抽出頻率特性AW2、BW2中的峰值頻率(2307)。峰值頻率的抽出,能夠從特定頻帶的頻率成分的最大值、或是頻率成分成為規定的閾值以上的頻率中選擇性地抽出。
下一步驟中,算出在各者的峰值頻率下之修正係數(1506)。此處,將裝置A訂為基準裝置,考量將裝置B契合裝置A的情形下,在各峰值頻率下之修正係數是使用(式1)算出。
其後,使用算出的在各峰值頻率下之修正係數,作成將峰值頻率間的修正係數予以插補而成之修正係數表、或是於頻率空間全體做直線或曲線近似而成之修正係數函數(1507)。
首先,從掃描寬幅W1的線圖樣而得到之二次電子圖像的頻率特性中抽出峰值頻率,算出在峰值頻率下之修正係數。針對寬幅W2的線圖樣亦同樣地算出修正係數。接下來,使用從寬幅W1、W2的線圖樣圖像算出的在峰值頻率下之修正係數,藉由先前實施例11中講述的手法,作成修正係數表或修正係數函數。圖17(B)揭示做曲線近似而成之修正係數函數的例子。像這樣藉由使用圖樣寬幅相異的2個線圖樣的試料,能夠增加作成修正係數表或修正係數函數時之峰值頻率的數量,因此可作成圖像差異的減低效果更高之修正係數表或修正係數函數。
上述的處理,在3個以上的試料亦可同樣地執行。使用多數個頻率特性(峰值頻率)相異的圖樣(試料),作成汎用性更高的修正係數表或修正係數函數,藉此即使於頻率特性相異的種種圖樣的拍攝圖像中亦可做圖像差異之修正。在此情形下,作成汎用性更高,圖像差異減低效果更高的修正係數表或修正係數函數,再使用能夠在較為寬的頻率頻帶抽出峰值頻率之黑矽作為試料(基準試料),藉此便可減少試料(基準試料)的數量。此外,本實施例中,雖是從圖樣的二次電子圖像求出頻率特性而進行峰值頻率的抽出,但亦可從二次電子的訊號輪廓求出頻率特性而進行峰值頻率的抽出。例如,若為孔圖樣則理想是從圖像求出頻率特性,但若為線圖樣則即使從訊號輪廓求出頻率特性而進行峰值頻率的抽出,對於圖像之修正也能得到同等的效果。
實施例14
本實施例中,說明修正係數的平滑化方法。於拍攝圖樣構造(圖樣的形狀或圖樣排列的間距)為不規則的試料而成之圖像的頻率特性中,有時不會顯現特徴性的頻率峰值,若為藉由先前實施例中講述的手法而算出的峰值頻率下之修正係數,可能無法做最佳的圖像差異之修正。換言之,這樣的情形下,從藉由基準裝置與修正對象裝置取得的圖像的頻率特性而算出的修正係數表或修正係數函數,容易受到噪訊的影響,於進行期望的圖像之修正時會發生僅特定的頻率變得過度修正或是修正不足之問題。為了解決這樣的問題(為了減輕過度修正或修正不足的影響),以下說明將修正係數表或修正係數函數做平滑化之處理的流程。圖18中,沿著處理的流程以箭頭示意了基準裝置與修正對象裝置中拍攝圖樣構造(圖樣的形狀或圖樣排列的間距)為不規則的試料時之頻率特性、使用該頻率特性而算出之修正係數對映、將該修正係數對映於角度方向展開而成之修正係數及其輪廓、進一步將修正係數於角度方向平滑化而得到之平滑化修正係數對映、將該平滑化修正係數對映於角度方向展開而成之修正係數及其輪廓。首先,使用藉由基準裝置拍攝圖樣構造為不規則的試料而得之圖像的頻率特性1801(第1頻率特性)、與藉由修正對象裝置拍攝同試料而得之圖像的頻率特性1802(第2頻率特性),算出修正係數(1803),作成修正係數對映(1804)。基準裝置與修正對象裝置之機械誤差所造成之射束形狀的變化,在修正係數對映1504上會顯現成為二維的分布。以修正係數對映1804的二維分布的中心(頻率空間的直流成分)作為基準而對極座標展開(1805),於角度方向進行空間濾波所致之平滑化處理(1807),生成極座標展開而成之平滑化修正係數1508。與進行平滑化處理之前的修正係數輪廓1806比較,平滑化後會得到噪訊少的修正係數輪廓(1810)。其後,該平滑化修正係數對映1808變換成二維座標(x-y座標),求出平滑化修正係數對映1809。將修正係數對映1804做極座標展開之後於角度方向進行平滑化處理,藉此即使將空間濾波的濾波尺寸較為增大的情形下仍不會將修正係數過度地暈散化,而能夠得到一定的修正效果。此外,不限於上述方法,亦可做移動平均所致之噪訊除去、或於角度方向算出頻率特性而藉由低通濾波器進行平滑化。將依此方式進行了平滑化的修正表格利用於修正,藉此便能抑制噪訊的影響而解決特定的頻率的過度修正或修正不足之待解問題。
圖19為實施例15之電子束觀察系統的概略構
成示意圖。在電腦系統(管理系統)1901,透過通訊手段1002,連接有K台(K≧2)的圖1所示構成之電子束觀察裝置。電腦系統1901,係適宜使用下述來構成,即,執行有關圖像或修正係數等之處理,將圖像或修正係數等與隨附它們之資訊予以保存之修正係數處理部1902、及用來透過輸出入部1004或通訊手段1002而做圖像及二次訊號輪廓的資料轉送之輸出入I/F部1005、及還可做各電子束觀察裝置的控制之全體控制部1006。
修正係數處理部1902,具有執行有關修正係數等的演算之演算部1903、及保存資訊之記憶部1904。記憶部1904,係適宜使用下述來構成,即,記憶藉由各電子束觀察裝置得到的圖像之圖像記憶部1909、及記憶藉由各電子束觀察裝置得到的二次訊號輪廓之訊號波形記憶部1910、及對每一圖像或二次訊號輪廓記憶圖像或二次訊號輪廓以及從各電子束觀察裝置得到的拍攝條件等隨附資訊之隨附資訊記憶部1012、及記憶藉由演算部1903處理之頻率特性之頻率特性記憶部1011、及記憶藉由演算部1903處理之修正係數之修正係數記憶部1911。演算部1903,係適宜使用下述來構成,即,從藉由各電子束觀察裝置得到的圖像算出頻率特性之圖像演算部1905、及從藉由各電子束觀察裝置得到的二次訊號輪廓算出頻率特性之訊號波形演算部1906、及對藉由圖像演算部1905或訊號波形演算部1906算出之頻率特性(亦可為頻率特性記憶部1011中記憶著的頻率特性)進行演算之頻率特性演算部1009、及分析
它們的頻率特性之頻率特性分析部1013、及從複數個頻率特性算出修正係數之修正係數演算部1907、及辨明作為用來調整機械誤差的基準之修正係數之基準修正係數辨明部1908。
電腦系統1901,具有下述功能,即,接受藉由複數台電子束觀察裝置得到的圖像或二次訊號輪廓之輸入,將圖像或二次訊號輪廓、頻率特性,還有修正係數的演算結果或作為基準之修正係數等資料輸出至輸出入部1004。
電腦系統1901,使用藉由各裝置1-1~1-K取得的圖像或二次訊號輪廓,從它們的頻率特性(包含第1頻率特性及第2頻率特性)選擇性地抽出峰值頻率,算出在峰值頻率下之修正係數。此外,電腦系統1901,可在記憶部1903保持作為用來調整圖像差異的基準之修正係數,以該修正係數進行藉由各裝置1-1~1-K另行拍攝出的圖像之修正處理,顯示輸出入部1004的修正前後的圖像。此外,電腦系統1901,因應來自各裝置1-1~1-K的要求,將作為基準之修正係數或修正處理後的圖像傳送至各裝置。於各裝置,可使用該作為基準之修正係數來進一步修正別的圖像,亦可顯示被傳送之修正處理後的圖像。
圖24示意本實施例中的流程圖的一例。各裝置1-1~1-K,取得特定的圖樣的試料(基準試料)的SEM圖像或二次訊號輪廓,保存於記憶部111(2401)。各裝置1-1~1-K,將該各個圖像或二次訊號輪廓傳送至圖像處理裝
置1901(2402)。在此情形下,電腦系統1901,亦可設計成取得各裝置的記憶部111中保存之期望的頻率特性(2402)。電腦系統1901,將該各個圖像或二次訊號輪廓和隨附資訊一起保存於頻率特性記憶部1011、隨附資訊記憶部1012(2403)。電腦系統1901的演算部1903的圖像演算部1905或訊號波形演算部1906,從該各個圖像或二次訊號輪廓取得各自的頻率特性(包含第1頻率特性及第2頻率特性),保存於記憶部1904的圖像記憶部1909或訊號波形記憶部1910(2404)。電腦系統1901的演算部1903的頻率特性分析部1013,從各個頻率特性(包含第1頻率特性及第2頻率特性)抽出峰值頻率(2405)。其後,電腦系統1901的修正係數演算部1907,算出在各峰值頻率下之修正係數,保存於記憶部1904的修正係數記憶部1911(2406)。在此情形下,修正係數演算部1907,亦可基於該修正係數來作成修正係數表或修正係數函數,而保存於修正係數記憶部1911。電腦系統1901的演算部1903的基準修正係數辨明部1908,從修正係數記憶部1907中保存的修正係數當中辨明作為基準之修正係數(2407)。在此情形下,基準修正係數辨明部1908,亦可辨明作為基準之修正係數表或修正係數函數。電腦系統1901,將辨明出的作為基準的修正係數傳送至各裝置1-1~1-K(2408)。在此情形下,亦可設計成各裝置從電腦系統1901取得作為該基準的修正係數(2408)。各裝置,使用該作為基準之修止係數(亦可為修正係數表或修正係數函數)與(式3),對藉由各裝置取得的任意圖像進行修正(2409)。
按照本實施例15,可減低複數個裝置1間的機械誤差,而可正確地進行在具有複數個裝置1的電子束觀察系統之運用管理。此外,電腦系統1901,將藉由各個電子束觀察裝置取得的圖像或二次訊號輪廓和隨附資訊一起保存於記憶部1904,藉此可達成各裝置的測定資料的單一管理,因此電子束觀察系統中的資料管理變得容易。
實施例16
實施例1~15中,揭示了電子束觀察裝置內的電子束為1道之所謂的單射束裝置中的例子。實施例11中,揭示在如圖11般電子束觀察裝置內的電子束為2道以上之所謂的多射束裝置或多鏡柱裝置中適用本發明之例子。
多射束裝置或多鏡柱裝置中,藉由通過裝置內的複數個電子束的各者而取得的圖像的解析力、或使用了該圖像之試料圖樣的測長結果可能會不均一。這是因為藉由射束電流或透鏡而受到的像差等,於每一電子束相異的緣故。此處,如實施例1~15中說明般,理想是複數裝置間的解析力或測長值的差異(機械誤差)小。這在多射束裝置或多鏡柱裝置中的各電子束間的解析力或測長值的差異(電子束差異)亦同。是故,將實施例1~15所示之適用於藉由複數裝置取得的圖像之本發明手法,適用於藉由1台多射束裝置或多鏡柱裝置內的複數個電子束取得的圖像,藉此便可減低多射束裝置或多鏡柱裝置中的電子束差異。
本實施例中,作為代表,揭示將實施例1中複數裝置間替換成複數電子束間之內容。實施例2~15中亦同樣地,將複數裝置間替換成複數電子束間,藉此便成為減低多射束裝置或多鏡柱裝置中的電子束差異之內容,在此省略記載。
以下,本實施例中揭示電子束觀察裝置為多射束裝置的例子,但即使為同一裝置當中存在複數個鏡柱之多鏡柱裝置亦同。
圖11為實施例11之電子束觀察裝置的概略構成示意圖。首先,說明裝置構成。在從電子源(電子槍)1101照射電子束(電子線)1102之下游方向(圖中下方),配置有透鏡1103、多射束形成部1104、檢測器陣列1106、射束分光器1107、掃描偏向用偏向器1108。又,在電子光學系統,雖未圖示但還附加有一次射束的中心軸(光軸)調整用校準器、及像差修正器等。透鏡1103可為藉由激磁電流來控制對焦之電磁透鏡、靜電透鏡、或其複合之任一種。此外,本實施例中,多射束形成部1104是訂為開口陣列與透鏡陣列之組合,但本發明之範圍不限定於此。此外,本實施例中,電子源是訂為單一的電子源1101,但即使當電子源以和多射束的各電子束相對應之方式存在複數個的情形下,本發明仍不失效果。此外,檢測器陣列1106在其內部包含複數個檢測器1106a~e。
電腦系統116,由系統控制部110、控制裝置109、輸出入部113所構成。
平台1109構成為上面載置晶圓亦即試料1110而移動。電子源1101、透鏡1103、多射束形成部1104、檢測器陣列1106、射束分光器1107、掃描偏向用偏向器1108、平台1109的各部係連接至控制裝置109,又在控制裝置109連接有系統控制部110。
在系統控制部110,功機上配置有記憶裝置111、及演算部112,連接至包含圖像顯示裝置之輸出入部113。此外,雖未圖示,但無需贅言地,控制系統、電路系統以外的構成要素係配置於真空容器內,做真空排氣而使其動作。此外,無需贅言地,具備從真空外將晶圓配置於平台1109上之晶圓搬送系統。
另,系統控制部110,更具體而言,構成為具有演算部112亦即中央處理部或是記憶裝置111亦即記憶部,將此中央處理部訂為上述的演算部112而令其執行記憶裝置111中記憶的控制程式120或圖像處理部148等,藉此便能進行有關缺陷檢查或尺寸計測之圖像處理、或是控制裝置109等之控制。另,圖像處理部148為處理SEM圖像之程式。
本實施例中,有時包含此系統控制部110、輸出入部113、控制裝置109等而統稱為控制部。又,輸出入部113,亦可分別構成為鍵盤或滑鼠等的輸入手段、與液晶顯示元件等的顯示手段來作為輸入部、輸出部,亦可藉由利用觸控面板等之一體型的輸出入手段來構成。
說明有關使用本實施例之裝置而實施之圖像觀察。從電子源1101放出的電子束1102,藉由透鏡1103被匯整成略平行射束而入射至多射束形成部1104,成為多射束1105a~e。另,本實施例中雖揭示多射束的道數為5道(1105a~e)之例子,但射束的道數即使為此以上或此以下,仍不失本發明之效果。成為了多射束的電子束1105a~e通過了射束分光器1107之後,藉由掃描偏向用偏向器1108一面受到偏向作用一面以射束徑成為極小之方式被匯聚在試料1110上。
掃描偏向用偏向器1108藉由控制裝置109而被控制,使得成為了多射束的電子束1105a~e的各者掃描試料1110的規定區域。到達試料1110的表面之成為了多射束的電子束1105a~e,與表面附近的物質相互作用。藉此,反射電子、二次電子、歐傑(Auger)電子等的二次性電子會從試料產生,成為應取得的訊號。本實施例中揭示訊號為二次電子之情形。從成為了多射束的電子束1105a~e到達試料1110的位置產生之二次電子1111a~e,藉由射束分光器1107而與成為了多射束的電子束1105a~e軌道分離,藉由檢測器陣列1106中的複數個檢測器1106a~e的各者而被檢測。從檢測器陣列1106a~e被檢測出的二次電子1111a~e之訊號處理,是與從控制裝置109送至掃描偏向用偏向器1108的掃描訊號同步進行,藉此生成圖像(SEM圖像),實施試料1110的觀察。
另,生成的圖像,能夠存放於記憶裝置111或非揮發性記憶裝置(圖示省略)。存儲於記憶裝置111或揮發性記憶裝置等的記憶部之圖像,藉由後述的圖像處理部148而被處理。
另,本實施例中揭示之透鏡1103、多射束形成部1104、檢測器陣列1106、射束分光器1107、掃描偏向用偏向器1108的配置順序亦可調換,亦可包含圖11所示以外的電子光學元件等。此外,雖未圖示,但從電子源1101至試料1110之間,配置用來調整電子束1102或成為了多射束的電子束1105a~e的位置或角度之校準器,構成為當電子束1102或成為了多射束的電子束1105a~e的中心軸相對於各種電子光學元件偏離的情形下能夠修正。
此處,當從使用成為了多射束的電子束1105a~e而取得的圖像來測定試料1110的圖樣的尺寸的情形下,理想是在複數個電子束間之解析力、或探針電流量、測長值等的差異(電子束差異)小。習知例中,一直藉由努力進行圖11記載的各構成要素的硬體性調整、或軟體性調整,來將電子束差異減小至能夠容許的範圍。然而,由於裝置使用後的經年變化、或使用環境等的影響,會發生些微的電子束的形狀差異等,可能導致發生能夠容許的範圍以上之電子束差異。
本實施例中,將成為了多射束的電子束1105a~e之電子束差異藉由圖11中的圖像處理部148之圖像處理予以減低。也就是說,將某一電子束決定為基準的電子束,來修正藉由欲減低電子束差異的電子束而取得之圖像。
此處,實施例1中揭示使用圖2或圖5的流程圖,將裝置A訂為基準裝置,為了將裝置B契合裝置A而算出修正係數之例子。本實施例中,將該些流程圖中的「藉由裝置A或B取得的圖像」替換成「電子束1105a~e當中的其中一者取得的圖像」來思考,藉此便可減低電子束差異。除此以外,和實施例1說明的內容完全相同,因此此處恕不說明。
也就是說,當將電子束1105a訂為基準的電子束,而減低藉由電子束1105b取得的圖像之對於基準的電子束的電子束差異的情形下,將藉由電子束1105a取得的圖像適用於藉由裝置A取得的圖像,將藉由電子束1105b取得的圖像適用於藉由裝置B取得的圖像,藉此便能算出用來減低電子束差異之修正係數(306)。有關電子束1105c~e亦依同樣方式算出修正係數,藉此便能減低該電子束觀察裝置內的所有成為了多射束的電子束1105a~e之電子束差異。
另,如同實施例1,本實施例中亦進行藉由同一電子束(例如1105a)取得的圖像彼此之差異的減低,此當然亦包含於發明之範圍。例如可應對視同電子束1105a由於時間變化而變化了的情形等。
此外,將藉由該電子束觀察裝置以外的電子裝置拍攝出的圖像定義為基準的電子束,針對成為了多射束的電子束1105a~e的全部求出相對於作為基準的電子束之修正係數,而修正所有的圖像之情形下,仍不失發明之效果。
另,雖已說明過,惟本實施例中,圖像處理部148所做的圖像之修正,為從藉由成為了多射束的電子束1105a~e拍攝出的各自的圖像算出修正係數,而基於算出的修正係數來進行。
有關圖像修正處理方法,如同實施例1,例如遵照圖3所示說明圖即可。
接下來,有關為了減低多射束的電子束差異而取得修正係數之手續,使用圖12及13說明之。圖12為用來取得電子束差異減低用修正係數的流程圖。操作者,透過具備圖像顯示裝置之輸出入裝置113開始取得電子束差異減低用修正係數(圖12中步驟S1201)。圖像顯示裝置中會顯現圖13所示多射束電子束差異減低畫面。以下,除特別指明的情形外係參照圖13。操作者從條件選擇部1301的下拉選單選擇減低電子束差異之光學條件,則記憶裝置111中事先保存的加速電壓、展開角、射束電流或射束間距離等的條件會反映在圖像顯示裝置。另,該些光學條件不過是一例,它們未必一定要包含於光學條件,而設定其以外的光學條件亦無妨。操作者按下條件叫出按鈕1302,決定光學條件(步驟S1202)。本實施例中雖揭示從下拉選單選擇光學條件的例子,但亦可設計成直接輸入。此外,光學條件,為將透鏡的對焦條件、或電子束的射束電流、展開角、加速電壓、及光軸調整的結果等予以統整而成者,事前調整、設定好的結果被保存於記憶裝置111。一旦條件被選擇,則從系統控制部110透過控制裝置109對裝置送出控制訊號,設定期望的光學條件。
一旦條件設定完畢,操作者作為用來減低電子束差異之準備,係藉由基準電子束選擇部1303選擇作為基準的電子束而按下基準電子束設定按鈕(圖12中步驟S1203)。本實施例中,就作為基準的電子束而言揭示選擇了電子束1105a之情形。如已說明般,就作為基準的電子束而言,可選擇該電子束觀察裝置內的其中一個電子束,亦可選擇其以外的電子束觀察裝置的電子束,亦可選擇取得過去拍攝出的圖像時使用的電子束。在SEM圖像顯示部1304會顯示隨時更新的SEM圖像,此外,每當按下更新按鈕1305則會新拍攝圖像而更新。本實施例中,作為此SEM圖像,揭示顯示出使用基準電子束而拍攝出的SEM圖像、使用操作者透過顯示電子束選擇部1306選擇的電子束而拍攝出的SEM圖像、及藉由本發明之手法而減低了電子束差異的SEM圖像這3種類的例子。有關減低了電子束差異的SEM圖像後述之。另,針對未藉由顯示電子束選擇部1306選擇的電子束,也會取得SEM圖像,依畫面的構成而定,也可設想顯示藉由所有電子束拍攝出的SEM圖像的例子。
接下來操作者,按下修正係數算出按鈕1307,則進行修正係數算出(步驟S1204)。本步驟中,如已說明般,遵照記憶裝置111內保存著的圖2或圖5的流程圖,透過演算部112、圖像處理部148施加各種演算處理,藉此各自算出有關多射束亦即各電子束之修正係數,而暫時被保存於記憶裝置111。另,本實施例中,雖揭示全部電子束同時取得SEM圖像,修正係數亦並行地算出之例子,但依演算部112的規格、或是基準試料108的規格而定,亦可個別地取得各射束的修正係數。另,此流程中關於試料雖無特別記述,但亦可設計成在裝置內常備專用的試料,藉由叫出圖13的多射束電子束差異減低畫面,平台便自動地移動至該試料位置。
一旦修正係數的算出結束,在電子束差異顯示部1308,會顯示以上述的修正係數為基礎而藉由基於圖3的方法施加圖像處理後之減低了電子束差異後的電子束差異。本實施例中,作為示意此電子束差異的指標,係運用解析力及測長值,而設計了顯示各自的值相對於作為基準的電子束的SEM圖像的值而言為幾倍之例子。前述的指標只要為表現電子束差異者則可為任意,即使為解析力、測長值以外者仍不失本發明之效果。此外,雖揭示以相對於基準之比率來顯示的例子,但即使採用絕對值的比較等其他形態的情形下仍不失本發明之效果。此外,本實施例中,在此時間點SEM圖像顯示部1304會被更新。針對減低了電子束差異的SEM圖像,係顯示以上述的修正係數為基礎而藉由基於圖3的方法施加了圖像處理者。另,本實施例中雖未載明,但亦可構成為前次取得的修正係數被保存於記憶裝置111作為電子束差異減低用的修正係數的表格,其於基準電子束選擇步驟中被叫出,電子束差異顯示部1308的值被更新。藉由以上的流程而確認電子束差異之減低後,操作者按下完畢按鈕1309,則電子束差異減低用的修正係數的表格被更新,多射束的電子束差異減低完畢(S1205)。
像以上這樣,藉由事先作成多射束的電子束差異減低用的修正係數的表格,於進行試料的觀察或基於其之計測、檢查時,便可藉由圖3的方法進行圖像處理,而可即時地或是藉由事後處理取得減低了電子束差的圖像。
藉由以上,便能減低多射束裝置或多鏡柱裝置中的電子束差異。
<總結>
本發明之效果不限定於裝置間的機械誤差減低、或射束形狀的變換,於以拍攝圖像為基礎,將圖像在頻率空間修正時為廣泛有效的發明。
另,本發明並非由上述實施例所限定,還包含各式各樣的變形例。例如,上述實施例是為了便於說明本發明而詳加記載,並非限定於一定要具備所說明之所有構成。此外,可將某一實施例的一部分置換成其他實施例之構成,又,亦可於某一實施例之構成追加其他實施例之構成。此外,針對各實施例的構成的一部分,亦可單獨或組合運用其他構成的追加、刪除或置換。
此外,上述的各構成、功能、處理部、處理手段等,它們的一部分或全部,例如亦可藉由以積體電路設計等而由硬體來實現。此外,上述各構成、及功能等,亦可由處理器來分別解譯實現各功能之程式,並藉由執行而由軟體來實現。實現各功能的程式、表格、檔案等資訊,能夠置放於記憶體、或硬碟、SSD(Solid State Drive)等記錄裝置,或IC卡、SD卡、DVD等記錄媒體。
此外,控制線或資訊線係揭示說明上認為有必要者,未必揭示製品上所有控制線或資訊線。實際上可認為幾乎所有的構成均相互連接。
101:電子源
102:電子束
103:變形照明孔徑
104:檢測器
105:掃描偏向用偏向器
106:對物透鏡
107:平台
108:試料
109:控制裝置
110:系統控制部
111:記憶裝置
112:演算部
113:輸出入部
114:二次電子
115:光軸
116:電腦系統
120:控制程式
121:通訊手段
148:圖像處理部
154:開口板
[圖1] 示意本發明之實施例1,為電子束觀察裝置的一例示意方塊圖。
[圖2] 示意本發明之實施例1,為從頻率特性算出修正係數之處理的一例示意流程圖。
[圖3] 示意本發明之實施例1,為圖像修正方法的一例示意說明圖。
[圖4A] 示意本發明之實施例2,為裝置A的頻率特性示意圖表。
[圖4B] 示意本發明之實施例2,為裝置B的頻率特性示意圖表。
[圖5] 示意本發明之實施例1的變型例,為從頻率特性算出修正係數之處理的一例示意流程圖。
[圖6] 示意本發明之實施例7,為從頻率特性算出修正係數之處理的一例示意流程圖。
[圖7] 示意本發明之實施例8,為圖像修正方法的一例示意說明圖。
[圖8] 示意本發明之實施例10,為資料更新的一例示意流程圖。
[圖9] 示意本發明之實施例1,為圖像修正的設定畫面的一例示意GUI概略圖。
[圖10] 示意本發明之實施例2,為管理複數個電子束觀察裝置的電子束觀察系統的一例示意構成圖。
[圖11] 第16實施例之電子束觀察裝置的一例示意方塊圖。
[圖12] 第16實施例之用來取得電子束差異減低用修正係數的流程圖。
[圖13] 第16實施例之用來取得電子束差異減低用修正係數的畫面的一例。
[圖14] 示意本發明之實施例11,為修正係數的一例示意說明圖。
[圖15] 示意本發明之實施例11,為從頻率特性算出修正係數之處理的一例示意流程圖。
[圖16] 示意本發明之實施例12,為圖像修正方法的一例示意說明圖。
[圖17] 示意本發明之實施例13,為算出修正係數之處理的一例示意說明圖。
[圖18] 示意本發明之實施例14,為修正係數的平滑化處理的一例示意說明圖。
[圖19] 示意本發明之實施例15,為電子束觀察系統的一例示意說明圖。
[圖20] 示意本發明之實施例1,為圖像修正方法的一例示意流程圖。
[圖21] 示意本發明之實施例2,為圖像修正方法的一例示意流程圖。
[圖22] 示意本發明之實施例3,為圖像修正方法的一例示意流程圖。
[圖23] 示意本發明之實施例13,為算出修正係數之處理的一例示意流程圖。
[圖24] 示意本發明之實施例15,為圖像修正方法的一例示意流程圖。
[圖25] 示意本發明之實施例1,為從頻率特性算出修正係數之處理的一例示意流程圖。
Claims (21)
- 一種用於電子束觀察裝置中的圖像修正之修正係數算出方法,係於藉由將電子束對試料掃描而生成圖像的電子束觀察裝置中,用於修正複數個前述電子束觀察裝置間的圖像之修正係數算出方法,其特徵為,第1電子束觀察裝置,包含於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成第1圖像之步驟,第2電子束觀察裝置,包含對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像之步驟,前述第1或第2電子束觀察裝置,包含算出從基於前述第1及第2圖像而算出的第1及第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數之步驟。
- 如請求項1所述之修正係數算出方法,其中,前述第1及第2頻率特性,包含將前述第1及第2圖像變換成頻率空間圖像時的振幅。
- 如請求項2所述之修正係數算出方法,其中,前述第1及第2頻率特性的算出,是針對將前述第1及第2圖像變換成頻率空間圖像時生成係數的各者藉由係數 的乘算或除算來進行。
- 如請求項1所述之修正係數算出方法,其中,前述第1或第2電子束觀察裝置,包含包含:基於前述算出的修正係數而作成修正係數表或修正係數函數之步驟。
- 一種電子束觀察裝置中的圖像修正方法,係於藉由將電子束對試料掃描而生成圖像的電子束觀察裝置中,修正複數個前述電子束觀察裝置間的圖像之方法,其特徵為,第1電子束觀察裝置,包含於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成第1圖像之步驟,第2電子束觀察裝置,包含對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像之步驟,前述第1或第2電子束觀察裝置,包含算出從基於前述第1及第2圖像而算出的第1及第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數之步驟,前述第1或第2電子束觀察裝置,包含將藉由前述第1或第2電子束觀察裝置取得的第3圖像以前述修正係數修正之步驟。
- 一種電子束觀察系統,係具備複數台藉由將電子束對試料掃描而生成圖像的電子束觀察裝置之電子束觀察系統,其特徵為,構成為,第1電子束觀察裝置,具備:第1電腦系統,於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成第1圖像,第2電子束觀察裝置,具備:第2電腦系統,對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像,前述第1或第2電腦系統,算出從基於前述第1及第2圖像而算出的第1及第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數,將藉由前述第1或第2電子束觀察裝置取得的第3圖像以前述修正係數修正之步驟。
- 一種用於電子束觀察裝置中的圖像修正之修正係數算出方法,係於藉由將電子束掃描試料而生成圖像的電子束觀察裝置中,用於修正複數個前述電子束觀察裝置間的圖像之修正係數算出方法,其特徵為,第1電子束觀察裝置,包含於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電 子束而生成第1圖像之步驟,前述第1電子束觀察裝置,包含基於前述第1圖像而算出第1頻率特性之步驟,第2電子束觀察裝置,包含對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像之步驟,前述第2電子束觀察裝置,包含基於前述第2圖像而算出第2頻率特性之步驟,前述第1或第2電子束觀察裝置,包含算出從前述第1及第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數之步驟。
- 一種電子束觀察裝置中的圖像修正方法,係於藉由將電子束對試料掃描而生成圖像的電子束觀察裝置中,用於修正複數個前述電子束觀察裝置間的圖像之方法,其特徵為,第1電子束觀察裝置,包含於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成第1圖像之步驟,前述第1電子束觀察裝置,包含基於前述第1圖像而算出第1頻率特性之步驟,第2電子束觀察裝置,包含對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像之 步驟,前述第2電子束觀察裝置,包含基於前述第2圖像而算出第2頻率特性之步驟,前述第1或第2電子束觀察裝置,包含算出從前述第1及第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數之步驟,前述第1或第2電子束觀察裝置,包含將藉由前述第1或第2電子束觀察裝置取得的第3圖像以前述修正係數修正之步驟。
- 一種電子束觀察系統,係具備複數台藉由將電子束對試料掃描而生成圖像的電子束觀察裝置之電子束觀察系統,其特徵為,構成為,第1電子束觀察裝置,具備:第1電腦系統,於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成第1圖像,基於前述第1圖像算出第1頻率特性,第2電子束觀察裝置,具備:第2電腦系統,對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像,基於前述第2圖像算出第2頻率特性,前述第1或第2電腦系統,算出從前述第1及第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值 頻率下之修正係數,將藉由前述第1或第2電子束觀察裝置取得的第3圖像以前述修正係數修正之步驟。
- 一種用於電子束觀察系統中的圖像修正之修正係數算出方法,係於具備藉由將電子束對試料掃描而生成圖像的電子束觀察裝置、及管理複數個前述電子束觀察裝置間的圖像差異的電腦系統之電子束觀察系統中,用於修正複數個前述電子束觀察裝置間的圖像之修正係數算出方法,其特徵為,第1電子束觀察裝置,包含於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成圖像之步驟,第2電子束觀察裝置,包含對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像之步驟,前述電腦系統,包含算出從基於前述第1及第2圖像而算出的第1及第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數之步驟。
- 一種電子束觀察系統中的圖像修正方法,係於具備藉由將電子束對試料掃描而生成圖像的電子束觀察裝置、及管理複數個前述電子束觀察裝置間的圖像差異的電腦系統之電子束觀察系統中,修正複數個前述電 子束觀察裝置間的圖像之方法,其特徵為,第1電子束觀察裝置,包含於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成圖像之步驟,第2電子束觀察裝置,包含對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像之步驟,前述電腦系統,包含算出從基於前述第1及第2圖像而算出的第1及第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數之步驟,前述第1或第2電子束觀察裝置,包含將藉由前述第1或第2電子束觀察裝置取得的第3圖像以前述修正係數修正之步驟。
- 一種電子束觀察系統,係具備藉由將電子束對試料掃描而生成圖像的電子束觀察裝置、及管理複數個前述電子束觀察裝置間的圖像差異的第3電腦系統之電子束觀察系統,其特徵為,構成為,第1電子束觀察裝置,具備:第1電腦系統,於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成圖像, 第2電子束觀察裝置,具備:第2電腦系統,對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像,前述第3電腦系統,算出從基於前述第1及第2圖像而算出的第1及第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數,前述第1或第2電腦系統,將藉由前述第1或第2電子束觀察裝置取得的第3圖像以前述修正係數修正。
- 一種用於電子束觀察系統中的圖像修正之修正係數算出方法,係於具備藉由將電子束對試料掃描而生成圖像的電子束觀察裝置、及管理複數個前述電子束觀察裝置間的圖像差異的電腦系統之電子束觀察系統中,用於修正複數個前述電子束觀察裝置間的圖像之修正係數算出方法,其特徵為,第1電子束觀察裝置,包含於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成圖像之步驟,前述第1電子束觀察裝置,包含基於前述第1圖像而算出第1頻率特性之步驟,第2電子束觀察裝置,包含對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像之 步驟,前述第2電子束觀察裝置,包含基於前述第2圖像而算出第2頻率特性之步驟,前述電腦系統,包含基於前述第1及第2頻率特性而辨明基準頻率特性之步驟,前述第1或第2電子束觀察裝置,包含算出從前述基準頻率特性及前述第1或第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數之步驟。
- 如請求項13所述之修正係數算出方法,其中,前述基準頻率特性,為前述第1頻率特性或前述第2頻率特性。
- 如請求項13所述之修正係數算出方法,其中,前述基準頻率特性為複數個頻率特性的平均值,前述複數個頻率特性中包含前述第1及第2頻率特性。
- 一種電子束觀察系統中的圖像修正方法,係於具備藉由將電子束對試料掃描而生成圖像的電子束觀察裝置、及管理複數個前述電子束觀察裝置間的圖像差異的電腦系統之電子束觀察系統中,修正複數個前述電子束觀察裝置間的圖像之方法,其特徵為,第1電子束觀察裝置,包含於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第 2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成圖像之步驟,前述第1電子束觀察裝置,包含基於前述第1圖像而算出第1頻率特性之步驟,第2電子束觀察裝置,包含對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像之步驟,前述第2電子束觀察裝置,包含基於前述第2圖像而算出第2頻率特性之步驟,前述電腦系統,包含基於前述第1及第2頻率特性而辨明基準頻率特性之步驟,前述第1或第2電子束觀察裝置,包含算出從前述基準頻率特性及前述第1或第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數之步驟,前述第1或第2電子束觀察裝置,包含將藉由前述第1或第2電子束觀察裝置取得的第3圖像以前述修正係數修正之步驟。
- 一種電子束觀察系統,係於具備藉由將電子束對試料掃描而生成圖像的電子束觀察裝置、及管理複數個前述電子束觀察裝置間的圖像差異的第3電腦系統之電子束觀察系統中,修正複數個前述電子束觀察裝置間的圖像之方法,其特徵為,構成為 第1電子束觀察裝置,具備:第1電腦系統,於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成圖像,基於前述第1圖像算出第1頻率特性,第2電子束觀察裝置,具備:第2電腦系統,對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像,基於前述第2圖像算出第2頻率特性,前述第3電腦系統,基於前述第1及第2頻率特性而辨明基準頻率特性,前述第1或第2電腦系統,算出從前述基準頻率特性及前述第1或第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數,將藉由前述第1或第2電子束觀察裝置取得的第3圖像以前述修正係數修正之步驟。
- 一種用於電子束觀察裝置中的圖像修正之修正係數算出方法,係於藉由將複數個電子束對試料掃描而生成圖像的電子束觀察裝置中,用於修正圖像之修正係數算出方法,其特徵為,前述電子束觀察裝置,包含於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有 前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成第1圖像之步驟,對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像之步驟,算出從基於前述第1及第2圖像而算出的第1及第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數之步驟。
- 一種電子束觀察裝置中的圖像修正方法,係於藉由將複數個電子束對試料掃描而生成圖像的電子束觀察裝置中,修正圖像之方法,其特徵為,前述電子束觀察裝置,包含於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成第1圖像之步驟,對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像之步驟,算出從基於前述第1及第2圖像而算出的第1及第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數之步驟,將藉由前述電子束觀察裝置取得的第3圖像以前述修正係數修正之步驟。
- 一種電子束觀察裝置,係藉由將複數個電子束對試料掃描而生成圖像的電子束觀察裝置,其特徵為,構成為,前述電子束觀察裝置, 於具有第1圖樣及形狀或大小和前述第1圖樣相異的第2圖樣之試料,或是於具有前述第1圖樣之第1試料及具有前述第2圖樣之第2試料,對前述第1及第2圖樣掃描第1電子束而生成第1圖像,對前述第1及第2圖樣掃描第2電子束而生成第2圖像,算出從基於前述第1及第2圖像而算出的第1及第2頻率特性中選擇性地抽出之峰值頻率下之修正係數,將藉由前述電子束觀察裝置取得的第3圖像以前述修正係數修正。
- 如請求項1至4、7、10、13至15、18中任一項所述之修正係數算出方法、如請求項5、8、11、16、19中任一項所述之圖像修正方法、如請求項6、9、12、17中任一項所述之電子束觀察系統、及如請求項20所述之電子束觀察裝置,其中,前述第1頻率特性被算出複數個而被平均化,前述第2頻率特性被算出複數個而被平均化。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
WOPCT/JP2019/001968 | 2019-01-23 | ||
PCT/JP2019/001968 WO2020152795A1 (ja) | 2019-01-23 | 2019-01-23 | 電子ビーム観察装置、電子ビーム観察システム、電子ビーム観察装置における画像補正方法及び画像補正のための補正係数算出方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202029268A TW202029268A (zh) | 2020-08-01 |
TWI731559B true TWI731559B (zh) | 2021-06-21 |
Family
ID=71736238
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW109101965A TWI731559B (zh) | 2019-01-23 | 2020-01-20 | 電子束觀察裝置,電子束觀察系統,電子束觀察裝置中的圖像修正方法及用於圖像修正的修正係數算出方法 |
TW110117997A TW202135120A (zh) | 2019-01-23 | 2020-01-20 | 電子束觀察裝置,電子束觀察系統,電子束觀察裝置中的圖像修正方法及用於圖像修正的修正係數算出方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110117997A TW202135120A (zh) | 2019-01-23 | 2020-01-20 | 電子束觀察裝置,電子束觀察系統,電子束觀察裝置中的圖像修正方法及用於圖像修正的修正係數算出方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11791130B2 (zh) |
JP (1) | JP7058769B2 (zh) |
KR (1) | KR102577946B1 (zh) |
TW (2) | TWI731559B (zh) |
WO (1) | WO2020152795A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11791130B2 (en) | 2019-01-23 | 2023-10-17 | Hitachi High-Tech Corporation | Electron beam observation device, electron beam observation system, and image correcting method and method for calculating correction factor for image correction in electron beam observation device |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7431136B2 (ja) * | 2020-10-09 | 2024-02-14 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置、及び制御方法 |
KR20240012346A (ko) | 2021-01-19 | 2024-01-29 | 아토라이트 아게 | μLED들의 고용적 제조에서의 비용 효과적인 프로빙 |
US20220365010A1 (en) * | 2021-05-11 | 2022-11-17 | Nuflare Technology, Inc. | Multiple secondary electron beam alignment method, multiple secondary electron beam alignment apparatus, and electron beam inspection apparatus |
JPWO2023095315A1 (zh) * | 2021-11-29 | 2023-06-01 | ||
JPWO2023139668A1 (zh) * | 2022-01-19 | 2023-07-27 | ||
WO2023162856A1 (ja) * | 2022-02-22 | 2023-08-31 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置管理システム、支援装置、基板処理装置、チャンバ間性能比較方法およびチャンバ間性能比較プログラム |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050247860A1 (en) * | 2004-05-06 | 2005-11-10 | Chie Shishido | Electron microscope, measuring method using the same, electron microscope system, and method for controlling the system |
JP2006153837A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-06-15 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査型電子顕微鏡及びそれを用いたパターン計測方法並びに走査型電子顕微鏡の機差補正装置 |
CN102292790A (zh) * | 2009-01-22 | 2011-12-21 | 株式会社日立高新技术 | 电子显微镜 |
CN105518821A (zh) * | 2013-09-06 | 2016-04-20 | 株式会社日立高新技术 | 带电粒子束装置以及试样图像取得方法 |
TW201911360A (zh) * | 2017-07-27 | 2019-03-16 | 日商日立全球先端科技股份有限公司 | 電子束觀察裝置、電子束觀察系統及電子束觀察裝置之控制方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5596141U (zh) | 1978-12-25 | 1980-07-03 | ||
DE19745771B4 (de) * | 1997-10-16 | 2005-12-22 | Unaxis Deutschland Holding Gmbh | Verfahren für den Betrieb eines Hochleistungs-Elektronenstrahls |
JP2001304842A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-10-31 | Hitachi Ltd | パターン検査方法及びその装置並びに基板の処理方法 |
DE10200645A1 (de) * | 2002-01-10 | 2003-07-24 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Elektronenmikroskop mit ringförmiger Beleuchtungsapertur |
DE102006043895B9 (de) * | 2006-09-19 | 2012-02-09 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Elektronenmikroskop zum Inspizieren und Bearbeiten eines Objekts mit miniaturisierten Strukturen |
JP5596141B2 (ja) | 2010-05-27 | 2014-09-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 画像処理装置、荷電粒子線装置、荷電粒子線装置調整用試料、およびその製造方法 |
JP5537448B2 (ja) * | 2011-01-21 | 2014-07-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、及び画像解析装置 |
JP6470654B2 (ja) | 2015-07-24 | 2019-02-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
US10761034B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-09-01 | Kla-Tencor Corporation | Expediting spectral measurement in semiconductor device fabrication |
US10733744B2 (en) * | 2017-05-11 | 2020-08-04 | Kla-Tencor Corp. | Learning based approach for aligning images acquired with different modalities |
JP7058769B2 (ja) | 2019-01-23 | 2022-04-22 | 株式会社日立ハイテク | 電子ビーム観察装置、電子ビーム観察システム、電子ビーム観察装置における画像補正方法及び画像補正のための補正係数算出方法 |
-
2019
- 2019-01-23 JP JP2020567289A patent/JP7058769B2/ja active Active
- 2019-01-23 US US17/299,153 patent/US11791130B2/en active Active
- 2019-01-23 KR KR1020217011351A patent/KR102577946B1/ko active IP Right Grant
- 2019-01-23 WO PCT/JP2019/001968 patent/WO2020152795A1/ja active Application Filing
-
2020
- 2020-01-20 TW TW109101965A patent/TWI731559B/zh active
- 2020-01-20 TW TW110117997A patent/TW202135120A/zh unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050247860A1 (en) * | 2004-05-06 | 2005-11-10 | Chie Shishido | Electron microscope, measuring method using the same, electron microscope system, and method for controlling the system |
JP2005322423A (ja) * | 2004-05-06 | 2005-11-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡装置およびそのシステム並びに電子顕微鏡装置およびそのシステムを用いた寸法計測方法 |
JP2006153837A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-06-15 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査型電子顕微鏡及びそれを用いたパターン計測方法並びに走査型電子顕微鏡の機差補正装置 |
CN102292790A (zh) * | 2009-01-22 | 2011-12-21 | 株式会社日立高新技术 | 电子显微镜 |
CN105518821A (zh) * | 2013-09-06 | 2016-04-20 | 株式会社日立高新技术 | 带电粒子束装置以及试样图像取得方法 |
TW201911360A (zh) * | 2017-07-27 | 2019-03-16 | 日商日立全球先端科技股份有限公司 | 電子束觀察裝置、電子束觀察系統及電子束觀察裝置之控制方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11791130B2 (en) | 2019-01-23 | 2023-10-17 | Hitachi High-Tech Corporation | Electron beam observation device, electron beam observation system, and image correcting method and method for calculating correction factor for image correction in electron beam observation device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220051868A1 (en) | 2022-02-17 |
WO2020152795A1 (ja) | 2020-07-30 |
JPWO2020152795A1 (ja) | 2021-10-21 |
KR102577946B1 (ko) | 2023-09-14 |
US11791130B2 (en) | 2023-10-17 |
KR20210060564A (ko) | 2021-05-26 |
JP7058769B2 (ja) | 2022-04-22 |
TW202135120A (zh) | 2021-09-16 |
TW202029268A (zh) | 2020-08-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI731559B (zh) | 電子束觀察裝置,電子束觀察系統,電子束觀察裝置中的圖像修正方法及用於圖像修正的修正係數算出方法 | |
TWI691996B (zh) | 電子束觀察裝置、電子束觀察系統及電子束觀察裝置之控制方法 | |
JP2007218711A (ja) | 電子顕微鏡装置を用いた計測対象パターンの計測方法 | |
JP5325802B2 (ja) | 観察方法および観察装置 | |
JP2008177064A (ja) | 走査型荷電粒子顕微鏡装置および走査型荷電粒子顕微鏡装置で取得した画像の処理方法 | |
US20110233400A1 (en) | Pattern measurement apparatus and pattern measurement method | |
JP4500099B2 (ja) | 電子顕微鏡装置システム及び電子顕微鏡装置システムを用いた寸法計測方法 | |
JP5603421B2 (ja) | 自動収差補正法を備えた荷電粒子線装置 | |
KR101805276B1 (ko) | 하전 입자선 장치 | |
JP6470654B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
WO2014208202A1 (ja) | パターン形状評価装置及び方法 | |
JP4812318B2 (ja) | 走査型電子顕微鏡を用いたパターン寸法の計測方法 | |
US8294118B2 (en) | Method for adjusting optical axis of charged particle radiation and charged particle radiation device | |
JP6163063B2 (ja) | 走査透過電子顕微鏡及びその収差測定方法 | |
JP7288997B2 (ja) | 電子ビーム観察装置、電子ビーム観察システム、電子ビーム観察装置における画像補正方法及び画像補正のための補正係数算出方法 | |
JP6207893B2 (ja) | 試料観察装置用のテンプレート作成装置 | |
JP2012142299A (ja) | 走査型荷電粒子顕微鏡装置および走査型荷電粒子顕微鏡装置で取得した画像の処理方法 | |
WO2023095315A1 (ja) | 補正方法及び補正装置 |