TWI730820B - 聚合物薄膜 - Google Patents
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Abstract
實施例係關於一種聚合物薄膜。該聚合物薄膜包含選自由以下組成之群的聚合物樹脂：以聚醯胺為主之樹脂及以聚醯亞胺為主之樹脂，且具有3%或更低的在高壓釜處理之前的霧度(HZ0
)，及500%或更低的由等式1a表示之ΔHZ24
。
Description
發明領域
實施例係關於一種聚合物薄膜，其靜態撓曲特徵、摺疊特徵及透明度極佳，且在高溫及高濕下維持極佳光學特性及機械特性。
發明背景
以聚醯亞胺為主之樹脂，諸如聚(醯胺-醯亞胺) (PAI)，對摩擦、熱及化學品之抗性極佳。因此，其用於諸如此類應用：一次電絕緣、塗層、黏著劑、擠出用樹脂、耐熱漆、耐熱板、耐熱黏著劑、耐熱纖維及耐熱薄膜。
聚醯亞胺在各種領域中使用。舉例而言，聚醯亞胺製成粉末形式且用作金屬或磁線之塗料。聚醯亞胺與其他添加劑混合，視其應用而定。另外，聚醯亞胺與含氟聚合物一起用作用於裝飾及防腐蝕之漆。其亦起到將含氟聚合物鍵結至金屬基板之作用。另外，聚醯亞胺用於塗佈廚具，藉助於其耐熱性及耐化學性用作用於氣體分離之膜，且用於天然氣井以便過濾諸如二氧化碳、硫化氫之污染物及雜質。
近年來，已開發出呈薄膜形式之聚醯亞胺，其較便宜且具有極佳光學、機械及熱特徵。此類以聚醯亞胺為主之薄膜可應用於用於有機發光二極體(OLED)或液晶顯示器(LCD)及其類似物之顯示器材料，且應用於抗反射薄膜、補償薄膜，且若實現相位差特性，則可應用於相位差薄膜。
此類以聚醯亞胺為主之薄膜具有形成障壁層之問題，因為其物理特性在高溫及高濕環境下劣化。為了解決此問題，引入對濕氣具有抗性之添加劑，諸如黏土，在此情況下光學特性或相容性可能劣化。
另外，此類以聚醯亞胺為主之薄膜具有在其已經長時期摺疊時可恢復性不良的問題。當可恢復性不良時，可產生當薄膜應用於可摺疊顯示器及其類似物時螢幕失真之問題。
隨著近年來可摺疊顯示器、可撓性顯示器及其類似物的積極開發，持續需要關於開發在已經長時期摺疊且隨後展開時儘可能恢復至初始狀態之特徵及耐受反覆摺疊之特徵極佳的薄膜；及具有極佳機械特性及光學特性同時在高溫及高濕環境下維持極佳物理特性的薄膜的研究。
發明概要待解決之問題
實施例旨在提供一種聚合物薄膜，其靜態撓曲特徵、摺疊特徵及透明度極佳，且在高溫及高濕下維持極佳光學特性及機械特性。問題之解決方案
根據一實施例之聚合物薄膜包含選自由以下組成之群的聚合物樹脂：以聚醯胺為主之樹脂及以聚醯亞胺為主之樹脂，且在高壓釜處理之前的霧度(HZ0
)為3%或更低，且由以下等式1a表示之ΔHZ24
為500%或更低：
[等式1a] ∆HZ24
(%) =
× 100
在等式1a中，
HZ0
係指該薄膜在一高壓釜中處理之前的霧度，
HZ24
係指該薄膜在一高壓釜中處理之後的霧度，且該高壓釜處理意謂一高壓釜填充有水且一薄膜在其中在120℃之溫度及1.2 atm之壓力下處理24小時。
根據另一實施例之聚合物薄膜包含選自由以下組成之群的聚合物樹脂：以聚醯胺為主之樹脂及以聚醯亞胺為主之樹脂，且在高壓釜處理之前的模數(MO0
)為5 GPa或更大，且由以下等式1b表示之∆TS24
為15%或更低：
[等式1b] ∆TS24
(%) =
×100
在等式1b中，
TS0
係指該薄膜在一高壓釜中處理之前的模數，
TS24
係指該薄膜在一高壓釜中處理之後的模數，且該高壓釜處理意謂一高壓釜填充有水且一薄膜在其中在120℃之溫度及1.2 atm之壓力下處理24小時。
根據再一實施例之聚合物薄膜包含選自由以下組成之群的聚合物樹脂：以聚醯胺為主之樹脂及以聚醯亞胺為主之樹脂；及丁酸。本發明之有利效果
根據一實施例之聚合物薄膜不僅具有極佳靜態撓曲特徵、光學特性及機械特性，而且即使在高溫及高濕之苛刻條件下亦可維持極佳光學特性及機械特性。
另外，根據一實施例之聚合物薄膜在已經長時期摺疊且隨後藉由釋放施加至薄膜之力返回至展開狀態時可恢復性極佳。因此，當應用於可摺疊顯示器、可撓性顯示器及其類似物時，其可提供均一螢幕狀態。
此外，根據一實施例之聚合物薄膜的摺疊特徵極佳，使得其可有利地應用於顯示裝置之覆蓋窗及可摺疊顯示裝置、可捲曲顯示裝置或可撓性移動裝置。
較佳實施例之詳細說明
在下文中，將參考附圖詳細描述實施例，使得本發明所涉及之領域內熟習此項技術者可易於實踐該等實施例。不過，實施例可以許多不同方式實施且不限於本文所描述之彼等。
在本說明書通篇，在提及各薄膜、窗、面板、層或其類似物在另一薄膜、窗、面板、層或其類似物「上」或「下」形成之情況下，其不僅意謂一個元件直接在另一元件上或下形成，而且意謂一個元件間接在另一元件上或下形成，該等元件之間插入有(多個)其他元件。另外，就各元件而言之術語上或下可針對圖式提及。為了描述，附圖中個別元件之大小可誇張地描繪，且不指示實際大小。另外，在本說明書通篇，相同圖示元件符號指代相同元件。
在本說明書通篇，當一部分被稱為「包含」一元件時，應理解，除非另外具體說明，否則可包含其他元件，而非排除其他元件。
在本說明書中，除非另外規定，否則單數表述解釋為涵蓋在上下文中解釋的單數或複數數目。
另外，除非另外指示，否則本文所用之與組分之量、反應條件及其類似者相關的所有數字及表述應理解為經術語「約」修飾。
術語第一、第二及其類似者在本文中用以描述各種元件，且元件不應受該等術語限制。僅出於將一個元件與另一元件區分開來的目的使用該等術語。
另外，如本文所用之術語「經取代」意謂經至少一個選自由以下組成之群的取代基取代：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、酯基、酮基、羧基經取代或未經取代之烷基、經取代或未經取代之烯基、經取代或未經取代之炔基、經取代或未經取代之烷氧基、經取代或未經取代之脂環族有機基、經取代或未經取代之雜環基、經取代或未經取代之芳基及經取代或未經取代之雜芳基。以上列舉之取代基可彼此連接以形成環。聚合物薄膜
實施例提供一種聚合物薄膜，其靜態撓曲特徵、摺疊特徵、光學特性及機械特性極佳，且在高溫及高濕下維持極佳光學特性及機械特性。
根據一實施例之聚合物薄膜包含選自由以下組成之群的聚合物樹脂：以聚醯胺為主之樹脂及以聚醯亞胺為主之樹脂。
聚合物薄膜在高壓釜處理之前的霧度(HZ0
)為3%或更低。
具體而言，在高壓釜處理之前聚合物薄膜的霧度(HZ0
)可為2.5%或更低、2.0%或更低、1.5%或更低、1.0%更低、0.8%或更低或0.6%或更低，但其不限於此。
聚合物薄膜由以下等式1a表示之ΔHZ24
值為500%或更低：
[等式1a] ∆HZ24
(%) =× 100
在等式1a中，
HZ0
係指該薄膜在一高壓釜中處理之前的霧度，
HZ24
係指該薄膜在一高壓釜中處理之後的霧度，且該高壓釜處理意謂一高壓釜填充有水且一薄膜在其中在120℃之溫度及1.2 atm之壓力下處理24小時。薄膜置於高壓釜中，該薄膜未浸沒於水中且其可經由水產生之蒸氣處理。
具體而言，由以上等式1a呈現之聚合物薄膜的∆HZ24
值可為400%或更低、300%或更低、250%或更低或200%或更低，但其不限於此。
若聚合物薄膜在高壓釜處理之前的霧度(HZ0
)及由以上等式1a表示之ΔHZ24
在以上範圍內，則薄膜可具有極佳耐久性，尤其光學特性幾乎不改變，即使在高溫及高濕之苛刻條件下亦如此。藉助於此等特徵，其可有利地應用於用於顯示器之前面板及顯示裝置。
聚合物薄膜在高壓釜處理之前的黃色指數(YI0
)為3或更小。
具體而言，在高壓釜處理之前聚合物薄膜的黃色指數(YI0
)可為2.8或更小，或2.7%或更小，但其不限於此。
聚合物薄膜在高壓釜處理之前的平面內相位差(Ro0
)為180 nm或更小。
具體而言，在高壓釜處理之前聚合物薄膜之平面內相位差(Ro0
)可為170 nm或更小、160 nm或更小、150 nm或更小、10 nm至160 nm、20 nm至160 nm、50 nm至160 nm或80 nm至150 nm，但其不限於此。
聚合物薄膜由以下等式2a表示之∆YI24
值為30%或更低：
[等式2a] ∆YI24
(%) =
× 100
在等式2a中，
YI0
係指該薄膜在一高壓釜中處理之前的黃色指數，
YI24
係指該薄膜在一高壓釜中處理之後的黃色指數，且該高壓釜處理意謂一高壓釜填充有水且一薄膜在其中在120℃之溫度及1.2 atm之壓力下處理24小時。薄膜置於高壓釜中，該薄膜未浸沒於水中且其可經由水產生之蒸氣處理。
具體而言，由以上等式2a呈現之聚合物薄膜的∆YI24
值可為25%或更低、20%或更低、15%或更低、10%或更低或5%或更低，但其不限於此。
聚合物薄膜由以下等式3a表示之∆Ro24
值為8%或更低：
[等式3a] ∆Ro24
(%) =
× 100
在等式3a中，
Ro0
係指該薄膜在一高壓釜中處理之前的平面內相位差，
Ro24
係指該薄膜在一高壓釜中處理之後的平面內相位差，且該高壓釜處理意謂一高壓釜填充有水且一薄膜在其中在120℃之溫度及1.2 atm之壓力下處理24小時。薄膜置於高壓釜中，該薄膜未浸沒於水中且其可經由水產生之蒸氣處理。
具體而言，由以上等式3a表示之聚合物薄膜的∆Ro24
值可為7%或更低、6%或更低、5%或更低或4.8%或更低，但其不限於此。
聚合物薄膜在高壓釜中處理24小時之後的霧度(HZ24
)為3%或更低。該高壓釜處理意謂一高壓釜填充有水且一薄膜在其中在120℃之溫度及1.2 atm之壓力下處理24小時。薄膜置於高壓釜中，該薄膜未浸沒於水中且其可經由水產生之蒸氣處理。
具體而言，聚合物薄膜在高壓釜中處理24小時之後的霧度(HZ24
)可為2.5%或更低、2.0%或更低、1.8%或更低或1.6%或更低，但其不限於此。
聚合物薄膜在高壓釜中處理24小時之後的黃色指數(YI24
)為3或更小。該高壓釜處理意謂一高壓釜填充有水且一薄膜在其中在120℃之溫度及1.2 atm之壓力下處理24小時。薄膜置於高壓釜中，該薄膜未浸沒於水中且其可經由水產生之蒸氣處理。
具體而言，聚合物薄膜在高壓釜中處理24小時之後的黃色指數(YI24
)可為2.8或更小或2.7或更小，但其不限於此。
特定而言，若聚合物薄膜在高壓釜中處理24小時之後的黃色指數(YI24
)超過以上範圍，則透明度在高溫及高濕環境中劣化，使得該薄膜不適合應用於前面板或顯示裝置。此外，由於螢幕呈現淺藍色及黑暗，因此產生消耗較多電力來維持較亮螢幕以對此進行補償的問題。
聚合物薄膜在高壓釜中處理24小時之後的平面內相位差(Ro24
)為180 nm或更小。該高壓釜處理意謂一高壓釜填充有水且一薄膜在其中在120℃之溫度及1.2 atm之壓力下處理24小時。薄膜置於高壓釜中，該薄膜未浸沒於水中且其可經由水產生之蒸氣處理。
具體而言，聚合物薄膜在高壓釜中處理24小時之後的平面內相位差(Ro24
)可為160 nm或更小、150 nm或更小、145 nm或更小、20 nm至160 nm、40 nm至150 nm或60 nm至145 nm，但其不限於此。
特定而言，由於根據一實施例之聚合物薄膜具有低∆HZ24
值、低∆YI24
值及低∆Ro24
值，因此其可在高溫及高濕之苛刻條件下維持極佳光學特性。因此，其可有利地應用於顯示裝置。即使當聚合物薄膜所應用於之顯示裝置在高濕或高溫區域中使用時，仍有可能實現透明且清潔的螢幕。
此外，由於根據一實施例之聚合物薄膜具有以上範圍內之HZ0
、YI0
、Ro0
、HZ24
、YI24
、Ro24
、∆HZ24
、∆YI24
及∆Ro24
值，因此有可能不僅實現清潔光學特性而且實現極佳摺疊特徵。因此，其可有利地應用於可摺疊顯示裝置或可撓性移動裝置。
聚合物薄膜在高壓釜處理之前的抗拉強度(TS0
)為20公斤力/平方毫米或更大。
具體而言，聚合物薄膜在高壓釜處理之前的抗拉強度(TS0
)為20公斤力/平方毫米至35公斤力/平方毫米。替代地，聚合物薄膜在高壓釜處理之前的抗拉強度(TS0
)可為21公斤力/平方毫米或更大，但其不限於此。
聚合物薄膜在高壓釜處理之前的斷裂伸長率(EL0
)為15%或更高。
具體而言，聚合物薄膜在高壓釜處理之前的斷裂伸長率(EL0
)為15%至40%。替代地，聚合物薄膜在高壓釜處理之前的斷裂伸長率(EL0
)可為17%或更高、18%或更高、19%或更高或20%或更高，但其不限於此。
聚合物薄膜在高壓釜處理之前的模數(MO0
)為5.0 GPa或更大。
具體而言，聚合物薄膜在高壓釜處理之前的模數(MO0
)為5 GPa至10 GPa。替代地，聚合物薄膜在高壓釜處理之前的模數(MO0
)可為5.2 GPa或更大、5.3 GPa或更大或5.5 GPa或更大，但其不限於此。
聚合物薄膜由以下等式1b表示之∆TS24
值為15%或更低。
[等式1b] ∆TS24
(%) =× 100
在等式1b中，TS0
係指該薄膜在一高壓釜中處理之前的抗拉強度，TS24
係指該薄膜在一高壓釜中處理之後的抗拉強度，且該高壓釜處理意謂一高壓釜填充有水且一薄膜在其中在120℃之溫度及1.2 atm之壓力下處理24小時。薄膜置於高壓釜中，該薄膜未浸沒於水中且其可經由水產生之蒸氣處理。
具體而言，TS24
為20公斤力/平方毫米或更大。
另外，聚合物薄膜之TS24
可為12%或更低、10%或更低或8.5%或更低，但其不限於此。
聚合物薄膜由以下等式2b表示之∆EL24
值為30%或更低。
[等式2b] ∆EL24
(%) =
× 100
在等式2b中，EL0
係指該薄膜在一高壓釜中處理之前的斷裂伸長率，EL24
係指該薄膜在一高壓釜中處理之後的斷裂伸長率，且該高壓釜處理意謂一高壓釜填充有水且一薄膜在其中在120℃之溫度及1.2 atm之壓力下處理24小時。薄膜置於高壓釜中，該薄膜未浸沒於水中且其可經由水產生之蒸氣處理。
具體而言，EL24
係15%或更高。替代地，EL24
可為17%或更高或20%或更高，但其不限於此。
另外，聚合物薄膜之EL24
值可為28%或更低或25%或更低，但其不限於此。
聚合物薄膜由以下等式3b表示之∆MO24
值為15%或更低。
[等式3b] ∆MO24
(%) =
× 100
在等式3b中，MO0
係指該薄膜在一高壓釜中處理之前的模數，MO24
係指該薄膜在一高壓釜中處理之後的模數，且該高壓釜處理意謂一高壓釜填充有水且一薄膜在其中在120℃之溫度及1.2 atm之壓力下處理24小時。薄膜置於高壓釜中，該薄膜未浸沒於水中且其可經由水產生之蒸氣處理。
具體而言，MO24
為15%或更高。替代地，MO24
可為5 GPa或更大、5.1 GPa或更大、5.5 GPa或6.0 GPa或更大，但其不限於此。
另外，聚合物薄膜之MO24
值可為12%或更低或10%或更低，但其不限於此。
聚合物薄膜之∆SUM24
值為60%或更低。此處，∆SUM24
值為表示∆TS24
、∆EL24
及∆MO24
之總和的值。
具體而言，聚合物薄膜之∆SUM24
值可為50%或更低、40%或更低、或35%或更低，但其不限於此。
由於聚合物薄膜的∆TS24
、∆EL24
、∆MO24
及∆SUM24
值滿足以上範圍，因此薄膜即使在高溫及高濕下亦具有極佳耐久性，且物理特性幾乎不變形。因此，其可有利地應用於前面板及顯示裝置。
聚合物薄膜由以下等式4b表示之∆TS72
值為60%或更低。
[等式4b] ∆TS72
(%) =
× 100
在等式4b中，TS0
係指該薄膜在一高壓釜中處理之前的抗拉強度，TS72
係指該薄膜在一高壓釜中處理之後的抗拉強度，且該高壓釜處理意謂一高壓釜填充有水且一薄膜在其中在120℃之溫度及1.2 atm之壓力下處理72小時。薄膜置於高壓釜中，該薄膜未浸沒於水中且其可經由水產生之蒸氣處理。
具體而言，TS72
為5公斤力/平方毫米或更大、8公斤力/平方毫米或更大或9公斤力/平方毫米或更大。
另外，聚合物薄膜之TS72
值可為50%或更低、40%或更低或30%或更低，但其不限於此。
聚合物薄膜由以下等式5b表示之∆EL72
值為50%或更低。
[等式5b] ∆EL72
(%) =
× 100
在等式5b中，EL0
係指該薄膜在一高壓釜中處理之前的斷裂伸長率，EL72
係指該薄膜在一高壓釜中處理之後的斷裂伸長率，且該高壓釜處理意謂一高壓釜填充有水且一薄膜在其中在120℃之溫度及1.2 atm之壓力下處理72小時。薄膜置於高壓釜中，該薄膜未浸沒於水中且其可經由水產生之蒸氣處理。
具體而言，EL72
值為8%或更高、10%或更高或12%或更高。
另外，聚合物薄膜之∆ EL72
值可為45%或更低或40%或更低，但其不限於此。
聚合物薄膜由以下等式6b表示之∆MO72
值為60%或更低。
[等式6b] ∆MO72
(%) =
× 100
在等式6b中，MO0
係指該薄膜在一高壓釜中處理之前的模數，MO72
係指該薄膜在一高壓釜中處理之後的模數，且該高壓釜處理意謂一高壓釜填充有水且一薄膜在其中在120℃之溫度及1.2 atm之壓力下處理72小時。薄膜置於高壓釜中，該薄膜未浸沒於水中且其可經由水產生之蒸氣處理。
具體而言，MO72
值為2 GPa或更大或2.5 GPa或更大。
另外，聚合物薄膜之∆MO72
值可為50%或更低、40%或更低、30%或更低或20%或更低，但其不限於此。
聚合物薄膜之∆SUM72
值為160%或更低。此處，∆SUM72
值為表示∆TS72
、∆EL72
及∆MO72
之總和的值。
具體而言，聚合物薄膜之∆SUM72
值可為150%或更低、120%或更低、100%或更低或90%或更低，但其不限於此。
由於聚合物薄膜之∆TS72
、∆EL72
、∆MO72
及∆SUM72
值滿足以上範圍，因此薄膜即使在高溫及高濕下亦具有極佳耐久性，且物理特性幾乎不變形。因此，其可有利地應用於前面板及顯示裝置。
當基於50 μm厚度的根據一實施例之聚合物薄膜經摺疊以具有3 mm曲率半徑時，斷裂之前的摺疊數為100,000次或更多。
當薄膜經摺疊以具有3 mm曲率半徑且隨後展開時，摺疊數計數為一。
由於聚合物薄膜之摺疊數滿足以上範圍，因此其可有利地應用於可摺疊顯示裝置或可撓性顯示裝置。
當基於50 μm厚度的根據另一實施例之聚合物薄膜經摺疊以具有2 mm曲率半徑時，斷裂之前的摺疊數為200,000次或更多。
當薄膜經摺疊以具有2 mm曲率半徑且隨後展開時，摺疊數計數為一。
根據一實施例之聚合物薄膜其中具有2,500 ppm或更小或1,200 ppm或更小的殘餘溶劑含量。
舉例而言，殘餘溶劑含量可為2,200 ppm或更小、2,000 ppm或更小、1,800 ppm或更小、1,500 ppm或更小、1,000 ppm或更小、800 ppm或更小、500 ppm或更小、1 ppm至1,000 ppm、1 ppm至800 ppm、1 ppm至500 ppm、5 ppm至1,000 ppm、10 ppm至1,000 ppm或20 ppm至1,000 ppm，但其不限於此。
殘餘溶劑含量係指未在薄膜產生期間揮發的溶劑之量且在最終產生之薄膜中繼續存在。
若聚合物薄膜中之殘餘溶劑含量超過以上範圍，則在高溫及高濕條件下之薄膜耐久性及光學特性可能劣化，其尤其可能對薄膜之後續加工產生影響。具體而言，若殘餘溶劑含量超過以上範圍，則薄膜水解加快，導致機械特性或光學特性劣化。另外，若聚合物薄膜中之殘餘溶劑含量超過以上範圍，則薄膜之耐久性可能劣化，其可能對如上文所描述之靜態撓曲特徵及摺疊特徵產生影響。
根據一實施例之聚合物薄膜由以下等式7表示之IS值為5至160。
[等式7] IS = IM +
在等式7中，IM表示當該薄膜中醯亞胺重複單元及醯胺重複單元之總莫耳數係100時，該醯亞胺重複單元的莫耳數；且RS表示該薄膜中之殘餘溶劑含量(ppm)。
舉例而言，IS值可為5至150、10至150、30至150、50至150、5至80、5至60或5至50，但其不限於此。
若聚合物薄膜之IS值滿足以上範圍，則即使在高溫及高濕之苛刻條件下處理後薄膜亦可具有極佳光學特性及耐久性，且具有極佳摺疊特徵。
特定而言，若由於醯亞胺含量(IM)高或殘餘溶劑含量(RS)高而超過以上範圍，則薄膜之長期耐久性快速劣化。體而言，若醯亞胺含量過高且醯胺含量由此相對降低，則薄膜之吸濕性降低，使得其可能在高濕度條件下具有易受損特性。
聚合物薄膜由以下等式8表示之CT值為10或更小。
[等式8] CT =×
在等式8中，
HZ0
係指該薄膜在一高壓釜中處理之前的霧度，
HZ24
係指該薄膜在一高壓釜中處理之後的霧度，且該高壓釜處理意謂一高壓釜填充有水且一薄膜在其中在120℃之溫度及1.2 atm之壓力下處理24小時。薄膜置於高壓釜中，該薄膜未浸沒於水中且其可經由水產生之蒸氣處理。
另外，Ro0
係指該薄膜在一高壓釜中處理之前的平面內相位差。
CT可為指示耐熱性/耐濕性之指數，其反映結晶度。聚合物薄膜之結晶度愈高，ΔHZ24
可能愈低。亦即，聚合物薄膜之結晶度愈高，聚合物薄膜之耐熱性/耐濕性愈高。聚合物薄膜之結晶度愈高，聚合物薄膜之平面內相位差(Ro0
)可能愈高且光學特性可能愈低。
由於聚合物薄膜在適當製程中用適當組成製備，因此其可具有增強之光學特性及增強之耐熱性/耐濕性。舉例而言，聚合物薄膜用相對高醯胺含量、低殘餘溶劑含量、諸如丁酸之添加劑且在適當製程(諸如乾燥步驟及熱處理步驟)中製備。因此，聚合物薄膜可降低ΔHZ24
，同時降低平面內相位差。
因此，CT值可為10或更小。CT可為8或更小。CT可為6或更小。CT可為4或更小。CT可為4或更小。CT可為3或更小。CT可為2或更小。
由於聚合物薄膜具有低CT值，因此其可具有增強之耐熱性/耐濕性及增強之光學特性。因此，聚合物薄膜可有利地用於顯示器。具體而言，聚合物薄膜可有利地應用於對苛刻外部條件(諸如濕氣及/或熱量)敏感的移動顯示裝置。特定而言，聚合物薄膜可有利地應用於用於可摺疊顯示器之前面板。
除聚合物樹脂外，根據一實施例之聚合物薄膜包含丁酸。
根據一實施例之聚合物薄膜包含聚合物樹脂及丁酸。聚合物樹脂包含選自由以下組成之群的聚合物樹脂：以聚醯胺為主之樹脂及以聚醯亞胺為主之樹脂。聚合物薄膜包含聚合物樹脂，且聚合物樹脂包含多個醯亞胺重複單元。
丁酸由以下式T表示。
[式T]
具體而言，丁酸係指由以上式T表示之化合物。其不指代丁酸的一部分經取代之形式、丁酸之衍生物、鹽或酸酐。
聚合物薄膜包含丁酸，且基於聚合物薄膜之總重量計，薄膜中所含有之丁酸呈1 ppm至1,200 ppm之量。
具體而言，丁酸可以以下量含於薄膜中：1 ppm至1,000 ppm、5 ppm至1,000 ppm、10 ppm至1,000 ppm、50 ppm至1,000 ppm、100 ppm至1,000 ppm、500 ppm至1,000 ppm、1 ppm至800 ppm、1 ppm至700 ppm、1 ppm至500 ppm、1 ppm至300 ppm、10 ppm至300 ppm、30 ppm至300 ppm或50 ppm至270 ppm，但其不限於此。
含量係指未在薄膜產生期間揮發的溶劑之量且在最終產生之薄膜中繼續存在的丁酸之量。
若聚合物薄膜中之丁酸含量超過以上範圍，則可產生在高壓釜處理後一些物質可能在薄膜上溶離之問題，其快速提高薄膜霧度。
丁酸可為在製備薄膜之製程中作為pH調整劑添加之丁酸的殘餘物，或可為由其他反應產生之副產物，但其不限於此。亦即，在最終薄膜中繼續存在的丁酸可能由各種過程產生。
由於丁酸在聚合物薄膜中繼續存在，因此薄膜在已經長時期摺疊且隨後藉由釋放施加至薄膜之力返回至展開狀態時可恢復性極佳，且摺疊特徵極佳。因此，其可有利地應用於可摺疊顯示器、可撓性顯示器、可捲曲顯示器及其類似物。
若在聚合物薄膜中繼續存在的丁酸含量超過以上範圍，則薄膜之靜態撓曲特徵及摺疊特徵可能劣化，且諸如透射率及黃色指數之光學特性亦可能劣化。
當基於50 μm厚度的根據一實施例之聚合物薄膜經摺疊以具有2 mm曲率半徑，隨後薄膜在25℃下靜置24小時，且釋放施加至薄膜之力時，薄膜之內角為120°或更大。
具體而言，當基於50 μm厚度的根據一實施例之聚合物薄膜經摺疊以具有2 mm曲率半徑，隨後薄膜在25℃下靜置24小時，且釋放施加至薄膜之力時，薄膜之內角可為125°或更大、130°或更大或135°或更大，但其不限於此。
習知薄膜易受外部按壓損壞。特定而言，當其已經長時期摺疊時顯著變形。因此，當應用於顯示裝置時，其不展示均一螢幕狀態，導致螢幕失真之問題。具體而言，當基於50 μm厚度的習知薄膜經摺疊以具有2 mm曲率半徑，隨後薄膜在25℃下靜置24小時，且釋放施加至薄膜之力時，薄膜之內角小於120°，具體而言小於115°，導致靜態撓曲特徵的劣化。
相比之下，由於根據一實施例之聚合物薄膜在以上測試後內角為120°或更大，因此與習知薄膜相比，其確保極佳可恢復性。當其經歷後續製程(例如，其應用於可摺疊顯示器或可撓性顯示器)時，螢幕失真之問題得到解決。
在另一實施例中，聚合物薄膜在MD方向上以1.01至1.15倍之拉伸比拉伸。
若根據一實施例之聚合物薄膜在MD方向上之拉伸比滿足以上範圍，則其在已經長時期摺疊且隨後藉由釋放施加至薄膜之力返回至展開狀態時幾乎不變形，摺疊特徵極佳，且抵抗物理衝擊之耐久性極佳。具體而言，拉伸經由定向造成薄膜中結晶，藉此有可能獲得撓曲抗性極佳之薄膜。
若根據一實施例之聚合物薄膜在MD方向上的拉伸比超過以上範圍，則薄膜之可恢復性尤其劣化，且難以實現所需物理特性。
以聚醯胺為主之樹脂為含有醯胺重複單元的樹脂。以聚醯亞胺為主之樹脂為含有醯亞胺重複單元的樹脂。
另外，包含醯亞胺重複單元及醯胺重複單元的樹脂可被稱作以聚醯胺為主之樹脂且可被稱作以聚醯亞胺為主之樹脂。
舉例而言，聚合物樹脂可為包含以聚醯胺為主之樹脂的樹脂、包含以聚醯亞胺為主之樹脂的樹脂或包含以聚醯胺為主之樹脂及以聚醯亞胺為主之樹脂二者的樹脂。
根據一實施例之聚合物薄膜包含藉由使二胺化合物、二酐化合物及任擇地二羰基化合物聚合而製備之聚合物樹脂。
作為一實施例，二酐化合物與二羰基化合物之莫耳比為2:98至50:50、5:95至50:50、10:90至50:50、2:98至25:75、2:98至15:85、20:80至100:0、25:75至100:0、30:70至100:0、40:60至100:0或50:50至100:0。
若二酐化合物與二羰基化合物之莫耳比在以上範圍內，則可獲得在高溫及高濕環境中具有極佳光學特性及高耐久性之薄膜。另外，有可能獲得在已經長時期摺疊且隨後藉由釋放施加至薄膜之力返回至展開狀態時可恢復性極佳，且摺疊特徵極佳的透明薄膜。
作為另一實施例，二酐化合物可由一種、二種或更多種類型構成，且二羰基化合物可由零種、一種、二種或更多種類型構成。
聚合物樹脂包含衍生自二胺化合物與二酐化合物聚合之醯亞胺重複單元，及衍生自二胺化合物與二羰基化合物聚合之醯胺重複單元。
此處，聚合物樹脂可按以下莫耳比包含醯亞胺重複單元及醯胺重複單元：2:98至50:50、5:95至50:50、10:90至50:50、2:98至25:75、2:98至15:85、20:80至100:0、25:75至100:0、30:70至100:0、40:60至100:0或50:50至100:0，但其不限於此。
二胺化合物為與二酐化合物形成醯亞胺鍵且與二羰基化合物形成醯胺鍵以藉此形成共聚物之化合物。
二胺化合物不受特別限制，但其可為例如含有芳族結構之芳族二胺化合物。舉例而言，二胺化合物可為由以下式1表示之化合物。
[式1]
在式1中，
E可選自經取代或未經取代之二價C6
-C30
脂族環基、經取代或未經取代之二價C4
-C30
雜脂族環基、經取代或未經取代之二價C6
-C30
芳族環基、經取代或未經取代之二價C4
-C30
雜芳族環基、經取代或未經取代之C1
-C30
伸烷基、經取代或未經取代之C2
-C30
伸烯基、經取代或未經取代之C2
-C30
伸炔基、-O-、-S-、-C(=O)-、-CH(OH)-、-S(=O)2
-、-Si(CH3
)2
-、-C(CH3
)2
-及-C(CF3
)2
-。
e選自1至5之整數。當e為2或更大時，E可彼此相同或不同。
式1中之(E)e
可選自由以下式1-1a至1-14a表示之基團，但其不限於此。
具體而言，式1中之(E)e
可選自由以下式1-1b至1-13b表示之基團，但其不限於此。
更具體而言，式1中之(E)e
可為由以上式1-6b表示之基團或由以上式1-9b表示之基團。
在一實施例中，二胺化合物可包含具有含氟取代基之化合物或具有醚基(-O-)之化合物。
二胺化合物可由具有含氟取代基之化合物構成。在此類情況下，含氟取代基可為氟化烴基且具體而言可為三氟甲基。但其不限於此。
在另一實施例中，一種類別之二胺化合物可用作二胺化合物。亦即，二胺化合物可由單一組分構成。
舉例而言，二胺化合物可包含由以下式表示之2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-二胺基聯苯(TFDB)，但其不限於此。
替代地，二胺化合物可包含TFMB及4,4'-氧基二苯胺(ODA)，但其不限於此。
二酐化合物之雙折射率值低，使得其可有助於增強包含聚合物樹脂之薄膜的光學特性，諸如透射率。聚合物樹脂係指含有醯亞胺重複單元之樹脂。
二酐化合物不受特別限制，但其可為例如含有芳族結構之芳族二酐化合物或含有脂環族結構之脂環族二酐化合物。
舉例而言，芳族二酐化合物可為由以下式2表示之化合物。
[式2]
在式2中，G可由選自以下之鍵結基團鍵結：經取代或未經取代之四價C6
-C30
脂族環基、經取代或未經取代之四價C4
-C30
雜脂族環基、經取代或未經取代之四價C6
-C30
芳族環基、經取代或未經取代之四價C4
-C30
雜芳族環基，其中脂族環基、雜脂族環基、芳族環基或雜芳族環基可單獨存在或可彼此鍵結以形成稠環，經取代或未經取代之C1
-C30
伸烷基、經取代或未經取代之C2
-C30
伸烯基、經取代或未經取代之C2
-C30
伸炔基、-O-、-S-、-C(=O)-、-CH(OH)-、-S(=O)2
-、-Si(CH3
)2
-、-C(CH3
)2
-及-C(CF3
)2
-。
式2中之G可選自由以下式2-1a至2-9a表示之基團，但其不限於此。
舉例而言，式2中之G可為由以上式2-2a表示之基團、由以上式2-8a表示之基團或由以上式2-9a表示之基團。
另外，脂環族二酐化合物可包含具有環丁烷結構之化合物。具體而言，脂環族二酐化合物可為環丁烷-1,2,3,4-四甲酸二酐(CBDA)，但其不限於此。
在另一實施例中，二酐化合物可包含具有含氟取代基之化合物、具有聯苯基之化合物、具有酮基之化合物或具有環丁烷基之化合物。
二酐化合物可由具有含氟取代基之化合物構成。在此類情況下，含氟取代基可為氟化烴基且具體而言可為三氟甲基。但其不限於此。
在另一實施例中，二酐化合物可由單一組分或二種或更多種組分之混合物構成。
舉例而言，二酐化合物可包含由以下式表示之2,2'-雙-(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐(6FDA)，但其不限於此。
二胺化合物及二酐化合物可聚合以形成聚醯胺酸。
隨後，聚醯胺酸可經由脫水反應轉化為聚醯亞胺，且聚醯亞胺包含醯亞胺重複單元。
聚醯亞胺可形成由以下式A表示之重複單元。
[式A]
在式A中，E、G及e如上文所描述。
舉例而言，聚醯亞胺可包含由以下式A-1表示之重複單元，但其不限於此。
[式A-1]
在式A-1中，n為1至400之整數。
二羰基化合物不受特別限制，但其可為例如由以下式3表示之化合物。
[式3]
在式3中，
J可選自經取代或未經取代之二價C6
-C30
脂族環基、經取代或未經取代之二價C4
-C30
雜脂族環基、經取代或未經取代之二價C6
-C30
芳族環基、經取代或未經取代之二價C4
-C30
雜芳族環基、經取代或未經取代之C1
-C30
伸烷基、經取代或未經取代之C2
-C30
伸烯基、經取代或未經取代之C2
-C30
伸炔基、-O-、-S-、-C(=O)-、-CH(OH)-、-S(=O)2
-、-Si(CH3
)2
-、-C(CH3
)2
-及-C(CF3
)2
-。
j選自1至5之整數。當j為2或更大時，J可彼此相同或不同。
X為鹵素原子。具體而言，X可為F、Cl、Br、I或其類似物。更具體而言，X可為Cl，但其不限於此。
式3中之(J)j
可選自由以下式3-1a至3-14a表示之基團，但其不限於此。
具體而言，式3中之(J)j
可選自由以下式3-1b至3-8b表示之基團，但其不限於此。
更具體而言，式3中之(J)j
可為由以上式3-1b表示之基團、由以上式3-2b表示之基團、由以上式3-3b表示之基團或由以上式3-8b表示之基團。
在一實施例中，一種類型之二羰基化合物或彼此不同的至少二種類型之二羰基化合物之混合物可用作二羰基化合物。若使用二種或更多種二羰基化合物，則其中以上式3中之(J)j
選自由以上式3-1b至3-8b表示之基團的至少二種二羰基化合物可用作二羰基化合物。
在另一實施例中，二羰基化合物可為含有芳族結構之芳族二羰基化合物。
舉例而言，二羰基化合物可包含第一二羰基化合物及/或第二二羰基化合物。
第一二羰基化合物及第二二羰基化合物可分別為芳族二羰基化合物。
第一二羰基化合物及第二二羰基化合物可為彼此不同之化合物。
舉例而言，第一二羰基化合物及第二二羰基化合物可為彼此不同之芳族二羰基化合物，但其不限於此。
若第一二羰基化合物及第二二羰基化合物分別為芳族二羰基化合物，則其包含苯環。因此，其可促成由此產生之包含聚醯胺-醯亞胺樹脂之薄膜的機械特性(諸如表面硬度及抗拉強度)改良。
二羰基化合物可包含如由以下式表示之對酞醯氯(TPC)、1,1'-聯苯-4,4'-二羰基二氯化物(BPDC)、異酞醯氯(IPC)，或其組合。但其不限於此。
舉例而言，第一二羰基化合物可包含BPDC，且第二二羰基化合物可包含TPC，但其不限於此。
若以適當組合將BPDC用作第一二羰基化合物且將TPC用作第二二羰基化合物，則由此產生之包含聚醯胺-醯亞胺樹脂的薄膜可具有高抗氧化性。
替代地，第一二羰基化合物可包含IPC，且第二二羰基化合物可包含TPC，但其不限於此。
若以適當組合將IPC用作第一二羰基化合物且將TPC用作第二二羰基化合物，則由此產生之包含聚醯胺-醯亞胺樹脂的薄膜不僅可具有高抗氧化性，而且由於可降低成本亦為經濟的。
二胺化合物及二羰基化合物可聚合以形成由以下式B表示之重複單元。
[式B]
在式B中，E、J、e及j如上文所描述。
舉例而言，二胺化合物及二羰基化合物可聚合以形成由以下式B-1及B-2表示之醯胺重複單元。
替代地，二胺化合物及二羰基化合物可聚合以形成由以下式B-2及B-3表示之醯胺重複單元。
[式B-1]
在式B-1中，x為1至400之整數。
[式B-2]
在式B-2中，y為1至400之整數。
[式B-3]
在式B-3中，y為1至400之整數。
根據一實施例，聚合物樹脂可包含由以下式A表示之重複單元及任擇地由以下式B表示之重複單元：
[式A]
[式B]
在式A及B中，
E及J各自獨立地選自經取代或未經取代之二價C6
-C30
脂族環基、經取代或未經取代之二價C4
-C30
雜脂族環基、經取代或未經取代之二價C6
-C30
芳族環基、經取代或未經取代之二價C4
-C30
雜芳族環基、經取代或未經取代之C1
-C30
伸烷基、經取代或未經取代之C2
-C30
伸烯基、經取代或未經取代之C2
-C30
伸炔基、-O-、-S-、-C(=O)-、-CH(OH)-、-S(=O)2
-、-Si(CH3
)2
-、-C(CH3
)2
-及C(CF3
)2
-，
e及j各自獨立地選自1至5之整數，
當e為2或更大時，則二個或更多個E彼此相同或不同，
當j為2或更大時，則二個或更多個J彼此相同或不同，
G可由選自以下之鍵結基團鍵結：經取代或未經取代之四價C6
-C30
脂族環基、經取代或未經取代之四價C4
-C30
雜脂族環基、經取代或未經取代之四價C6
-C30
芳族環基、經取代或未經取代之四價C4
-C30
雜芳族環基，其中脂族環基、雜脂族環基、芳族環基或雜芳族環基可單獨存在或可彼此鍵結以形成稠環，經取代或未經取代之C1
-C30
伸烷基、經取代或未經取代之C2
-C30
伸烯基、經取代或未經取代之C2
-C30
伸炔基、-O-、-S-、-C(=O)-、-CH(OH)-、-S(=O)2
-、-Si(CH3
)2
-、-C(CH3
)2
-及-C(CF3
)2
-。
聚合物樹脂可按以下莫耳比包含由以下式A表示之重複單元及由以下式B表示之重複單元：2:98至50:50、5:95至50:50、10:90至50:50、2:98至25:75、2:98至15:85、20:80至100:0、25:75至100:0、30:70至100:0、40:60至100:0或50:50至100:0，但其不限於此。
若由以上式A表示之重複單元與由以上式B表示之重複單元的莫耳比在以上範圍內，則聚合物薄膜摺疊特徵極佳且在高溫及高濕下光學特性及機械特性極佳。
具體而言，由以上式B表示之重複單元中存在的CONH結構與OH基團具有高親和力，藉此展示吸引濕氣之極佳吸濕性，藉此具有滑動特性。因此，有可能實現在高溫及高濕下機械特性及光學特性幾乎不劣化的薄膜。
根據另一實施例，聚合物薄膜可進一步包含填充劑。
填充劑可為選自由以下組成之群之至少一者：硫酸鋇、二氧化矽及碳酸鈣。由於聚合物薄膜包含填充劑，因此有可能不僅增強粗糙度及可捲繞性，而且增強改良由薄膜製備中之滑動引起之刮痕的效果。
另外，填充劑之粒徑可為0.01 μm至1.0 μm或0.01 μm至小於1.0 μm。舉例而言，填充劑之粒徑可為0.05 μm至0.9 μm、0.1 μm至0.8 μm、0.1 μm至0.5 μm或0.1 μm至0.3 μm，但其不限於此。
基於聚合物薄膜之總重量計，聚合物薄膜可包含呈0.01至3.5重量%、0.01至3重量%或0.01至2.5重量%之量的填充劑。
聚合物薄膜之透射率可為80%或更高。舉例而言，透射率可為85%或更高、88%或更高、89%或更高、80%至99%、85%至99%或88%至99%。
聚合物薄膜之黃色指數為5或更小。舉例而言，黃色指數可為4或更小或3.5或更小，但其不限於此。
聚合物薄膜之霧度為2%或更低，具體而言，霧度可為1.8%或更低、1.5%或更低、1%或更低、0.8%或更低或0.5%或更低，但其不限於此。
聚合物薄膜之模數為4.0 GPa或更大、4.2 GPa或更大、4.5 GPa或更大或5.0 GPa或更大。具體而言，模數可為5.5 GPa或更大、6.0 GPa或更大、6.2 GPa或更大或6.0 GPa至8.0 GPa，但其不限於此。
聚合物薄膜之抗壓強度為0.3公斤力/微米或更大。具體而言，抗壓強度可為0.4公斤力/微米或更大、0.45公斤力/微米或更大或0.48公斤力/微米或更大，但其不限於此。
當以UTM壓縮模式使用2.5 mm球形尖端以10毫米/分鐘之速率對聚合物薄膜進行穿孔時，包括裂痕之穿孔的最大直徑(mm)為65 mm或更小。具體而言，穿孔之最大直徑可為60 mm或更小、5至60 mm、10至60 mm、15至60 mm、20至60 mm、25至60 mm或25至58 mm，但其不限於此。
聚合物薄膜之表面硬度為HB或更高。具體而言，表面硬度可為H或更高，或2H或更高，但其不限於此。
聚合物薄膜之抗拉強度為14公斤力/平方毫米或更大。具體而言，抗拉強度可為15公斤力/平方毫米或更大、16公斤力/平方毫米或更大、18公斤力/平方毫米或更大、20公斤力/平方毫米或更大、21公斤力/平方毫米或更大或22公斤力/平方毫米或更大，但其不限於此。
聚合物薄膜之伸長率為13%或更高。具體而言，伸長率可為15%或更高、16%或更高、17%或更高或17.5%或更高，但其不限於此。
根據一實施例之聚合物薄膜可確保就低霧度及黃色指數(YI)而言之極佳光學特性，及就高模數、抗壓強度、穿孔最大直徑、表面硬度、抗拉強度及伸長率而言之極佳機械特性，以及極佳摺疊特徵及在高溫及高濕下之極佳光學特性及機械特性。因此，有可能將長期穩定之機械特性及光學特性賦予需要就模數、伸長率、拉伸特徵、彈性恢復力及撓曲抗性而言之可撓性的基板。
如上文所描述之聚合物薄膜的物理特性係基於40 µm至60 µm之厚度或70 µm至90 µm之厚度。舉例而言，聚合物薄膜之物理特性係基於50 μm之厚度或80 μm之厚度。
如上文所描述之聚合物薄膜之組分及特性的特徵可彼此組合。
另外，如上文所描述之聚合物薄膜的特性係藉由將構成聚合物薄膜之組分的化學及物理特性與如下文所描述之用於製備聚合物薄膜之製程各步驟中之條件組合而實現的結果。用於顯示器之前面板
根據一實施例之用於顯示器之前面板包含聚合物薄膜及功能層。
聚合物薄膜包含選自由以下組成之群的聚合物樹脂：以聚醯胺為主之樹脂及以聚醯亞胺為主之樹脂。
根據一實施例之聚合物薄膜在高壓釜處理之前的霧度(HZ0
)為3%或更低，且由以上等式1a表示之ΔHZ24
值為500%或更低。
根據另一實施例之聚合物薄膜在高壓釜處理之前的模數(MO0
)為5 GPa或更大，且由以上等式1b表示之∆TS24
為15%或更低。
根據再一實施例之聚合物薄膜包含聚合物樹脂及丁酸。
關於聚合物薄膜之細節如上文所描述。
前面板可有利地應用於顯示裝置。
聚合物薄膜之摺疊特徵極佳，且即使在高溫及高濕之苛刻條件下亦可維持極佳光學特性及機械特性。特定而言，功能層，更不必說聚合物薄膜，摺疊特徵極佳，使得前面板可有利地應用於可摺疊顯示裝置或可撓性顯示裝置。顯示裝置
根據一實施例之顯示裝置包含顯示單元；及安置於該顯示單元上之前面板，其中該前面板包含聚合物薄膜。
另外，聚合物薄膜包含選自由以下組成之群的聚合物樹脂：以聚醯胺為主之樹脂及以聚醯亞胺為主之樹脂。
根據一實施例之聚合物薄膜在高壓釜處理之前的霧度(HZ0
)為3%或更低，且由以上等式1a表示之ΔHZ24
值為500%或更低。
根據另一實施例之聚合物薄膜在高壓釜處理之前的模數(MO0
)為5 GPa或更大，且由以上等式1b表示之∆TS24
為15%或更低。
根據再一實施例之聚合物薄膜包含聚合物樹脂及丁酸。
關於聚合物薄膜及前面板之細節如上文所描述。
圖1為根據一實施例之顯示裝置的剖面圖。
具體而言，圖1示出顯示裝置，其包含顯示單元(400)及安置於顯示單元(400)上之前面板(300)，其中前面板包含具有第一側(101)及第二側(102)之聚合物薄膜(100)及功能層(200)，及插入於顯示單元(400)與前面板(300)之間的黏著層(500)。
顯示單元(400)係用於顯示影像，且其可具有可撓性特徵。
顯示單元(400)可為用於顯示影像之顯示面板。舉例而言，其可為液晶顯示面板或有機電致發光顯示器面板。有機電致發光顯示器面板可包含前偏光片及有機EL面板。
前偏光片可安置於有機EL面板之前側上。具體而言，前偏光片可附接至有機EL面板中在上面顯示影像之側。
有機EL面板藉由像素單元之自發射顯示影像。有機EL面板可包含有機EL基板及驅動基板。有機EL基板可包含多個有機電致發光單元，其各自對應於一個像素。具體而言，其可包含陰極、電子傳輸層、發光層、電洞傳輸層及陽極。驅動基板可操作地耦接至有機EL基板。亦即，驅動基板可耦接至有機EL基板以便施加驅動信號(諸如驅動電流)，使得驅動基板可藉由將電流施加至各別有機電致發光單元驅動有機EL基板。
另外，黏著層(500)可插入於顯示單元(400)與前面板(300)之間。黏著層可為光學透明黏著層，但其不受特別限制。
前面板(300)安置於顯示單元(400)上。前面板位於顯示裝置之最外位置處以藉此保護顯示單元。
前面板(300)可包含聚合物薄膜及功能層。功能層可為選自由以下組成之群之至少一者：硬塗層、降低反射率之層、抗污層及防眩光層。功能層可塗佈於聚合物薄膜之至少一側上。用於製備聚合物薄膜之製程
一實施例提供一種用於製備聚合物薄膜之製程。
根據一實施例用於製備聚合物薄膜之製程包含在有機溶劑中製備包含選自由以下組成之群之聚合物樹脂的聚合物溶液：以聚醯胺為主之樹脂及以聚醯亞胺為主之樹脂；將聚合物溶液轉移至槽中；擠出且澆鑄槽中之聚合物溶液且隨後對其進行乾燥以製備凝膠薄片；以及對凝膠薄片進行熱處理，其中進行凝膠薄片之熱處理，直至殘餘溶劑含量為1,200 ppm或更小。
根據另一實施例用於製備聚合物薄膜之製程包含在聚合儀器中使二胺化合物、二酐化合物及二羰基化合物在有機溶劑中聚合，以製備包含聚合物樹脂之聚合物溶液；將聚合物溶液轉移至槽中；擠出且澆鑄槽中之聚合物溶液且隨後對其進行乾燥以製備凝膠薄片；以及對凝膠薄片進行熱處理，其中凝膠薄片之熱處理在80℃至500℃範圍內之溫度下進行5至180分鐘。
根據再一實施例用於製備聚合物薄膜之製程包含在有機溶劑製備包含聚合物樹脂之聚合物溶液；將聚合物溶液轉移至槽中；將槽中之聚合物溶液澆鑄至傳動帶上且隨後對其進行乾燥以製備凝膠薄片；以及在移動凝膠薄片的同時對其進行熱處理以製備固化薄膜。
參考圖2，用於製備聚合物薄膜之製程包含在聚合儀器中將二胺化合物、二酐化合物及任擇地二羰基化合物在有機溶劑中同時或依序混合，且使混合物反應以製備聚合物溶液(S100)；將聚合物溶液轉移至槽中(S200)；用惰性氣體吹掃(S300)；將槽中之聚合物溶液澆鑄至傳動帶上且隨後對其進行乾燥以製備凝膠薄片(S400)；在移動凝膠薄片的同時對其進行熱處理以製備固化薄膜(S500)；在移動固化薄膜的同時使其冷卻(S600)；以及使用捲繞機捲繞經冷卻之固化薄膜(S700)。
聚合物薄膜包含選自由以下組成之群的聚合物樹脂作為主要組分：以聚醯胺為主之樹脂及以聚醯亞胺為主之樹脂。
在用於製備聚合物薄膜之製程中，用於製備聚合物樹脂之聚合物溶液藉由在聚合儀器中將二胺化合物及二羰基化合物，或二胺化合物、二酐化合物及二羰基化合物在有機溶劑中同時或依序混合，且使混合物反應而製備(S100)。
在一實施例中，聚合物溶液可藉由將二胺化合物、二酐化合物及二羰基化合物在有機溶劑中同時混合且使其反應而製備。
在另一實施例中，製備聚合物溶液之步驟可包含將二胺化合物及二酐化合物在溶劑中混合且使其反應以產生聚醯胺酸溶液；及使聚醯胺酸溶液經歷脫水以產生聚醯亞胺(PI)溶液。
在再一實施例中，製備聚合物溶液之步驟可包含第一，將二胺化合物及二酐化合物在溶劑中混合且使其反應以產生聚醯胺酸(PAA)溶液；及第二，將聚醯胺酸(PAA)溶液及二羰基化合物混合且使其反應以形成醯胺鍵及醯亞胺鍵。聚醯胺酸溶液為包含聚醯胺酸之溶液。
替代地，製備聚合物溶液之步驟可包含第一，將二胺化合物及二酐化合物在溶劑中混合且使其反應以產生聚醯胺酸溶液；使聚醯胺酸溶液經歷脫水以產生聚醯亞胺(PI)溶液；及第二，將聚醯亞胺(PI)溶液及二羰基化合物混合且使其反應以進一步形成醯胺鍵。聚醯亞胺溶液為包含具有醯亞胺重複單元之聚合物的溶液。
在再一實施例中，製備聚合物溶液之步驟可包含第一，將二胺化合物及二羰基化合物在溶劑中混合且使其反應以產生聚醯胺(PA)溶液；及第二，將聚醯胺(PA)溶液及二酐化合物混合且使其反應以進一步形成醯亞胺鍵。聚醯胺溶液為包含具有醯胺重複單元之聚合物的溶液。
由此製備之聚合物溶液可為包含含有選自由以下組成之群之至少一者之聚合物的溶液：聚醯胺酸(PAA)重複單元、聚醯胺(PA)重複單元及聚醯亞胺(PI)重複單元。
舉例而言，聚合物溶液中所含有之聚合物可包含衍生自二胺化合物與二酐化合物聚合之醯亞胺重複單元。
替代地，聚合物溶液中所含有之聚合物可包含衍生自二胺化合物與二酐化合物聚合之醯亞胺重複單元，及衍生自二胺化合物與二羰基化合物聚合之醯胺重複單元。
聚合物溶液中所含有之固體含量可為10重量%至30重量%。替代地，聚合物溶液中所含有之固體含量可為15重量%至25重量%，但其不限於此。
若聚合物溶液中所含有之固體含量在以上範圍內，則聚合物薄膜可在擠出及澆鑄步驟中有效地產生。另外，由此製備之聚合物薄膜維持清潔外觀及透明度，同時確保特定範圍之光學滑動指數、最大靜摩擦係數及動摩擦係數，引起極佳防黏特性。此外，其可具有即使在高溫及高濕下亦幾乎不劣化之極佳機械特性及光學特性(諸如低黃度)，在長時期持續施加某一位準負載時幾乎不變形，且摺疊特徵極佳。
在一實施例中，製備聚合物溶液之步驟可進一步包含引入催化劑。
此處，催化劑可包含選自由以下組成之群之至少一者：β甲吡啶(picoline)、乙酸酐、異喹啉(IQ)及以吡啶為主之化合物，但其不限於此。
催化劑可以基於1莫耳聚醯胺酸計0.01至0.4莫耳當量之量添加，但其不限於此。
替代地，催化劑可以基於聚合物溶液之總重量計0.01至0.3重量%之量添加。具體而言，催化劑可以基於聚合物溶液之總重量計0.01至0.2重量%、0.01至0.15重量%、0.01至0.1重量%或0.02至0.1重量%之量添加，但其不限於此。
進一步添加催化劑可加快反應速率且增強重複單元結構之間或重複單元結構內之化學鍵結力。此外，有可能藉由使用催化劑製備具有低黃色指數之薄膜。
在一實施例中，製備聚合物溶液之步驟可進一步包含引入脫水劑。
在此類情況下，脫水劑可為乙酸酐，但其不限於此。
脫水劑可以基於聚合物溶液之總重量計0.01至10重量%、0.05至5重量%或0.05至3重量%之量添加，但其不限於此。
添加脫水劑產生製備具有低黃度及低霧度之薄膜的效果。
在另一實施例中，製備聚合物溶液之步驟可進一步包含調整聚合物溶液之黏度。
具體而言，製備聚合物溶液之步驟可包含(a)將二胺化合物、二酐化合物及任擇地二羰基化合物在有機溶劑中同時或依序混合且使其反應以製備第一聚合物溶液；(b)量測第一聚合物溶液之黏度且評估是否已達到目標黏度；以及(c)若第一聚合物溶液之黏度未達到目標黏度，則進一步添加二酐化合物或二羰基化合物以製備具有目標黏度之第二聚合物溶液。
目標黏度可為在室溫下100,000 cps至500,000 cps。具體而言，目標黏度可為100,000 cps至400,000 cps、100,000 cps至350,000 cps、100,000 cps至300,000 cps、150,000 cps至300,000 cps或150,000 cps至250,000 cps，但其不限於此。
在製備第一聚合物溶液及第二聚合物溶液之步驟中，聚合物溶液之黏度彼此不同。舉例而言，第二聚合物溶液之黏度高於第一聚合物溶液之黏度。
在製備第一聚合物溶液及第二聚合物溶液之步驟中，攪拌速度彼此不同。舉例而言，製備第一聚合物溶液時之攪拌速度比製備第二聚合物溶液時之攪拌速度快。
在再一實施例中，製備聚合物溶液之步驟可進一步包含調整聚合物溶液之pH。在此步驟中，聚合物溶液之pH可調整為4至7，例如4.5至7，或4.5至小於7，但其不限於此。
聚合物溶液之pH可藉由添加pH調整劑來調整。pH調整劑不受特別限制且可包括例如以胺為主之化合物，諸如烷氧基胺、烷基胺及烷醇胺，及基於羧酸之化合物，諸如乙酸及丁酸。
若將聚合物溶液之pH調整為以上範圍，則有可能防止後續製程中對設備造成損害，防止由聚合物溶液產生之薄膜中出現缺陷，且實現就黃色指數及模數而言之所需光學特性及機械特性。此外，可恢復性及摺疊特徵可能增強。
pH調整劑可以基於聚合物溶液之總重量計0.01至0.7重量%、0.01至0.5重量%或0.02至0.4重量%之量添加，但其不限於此。
替代地，pH調整劑可以基於聚合物溶液中單體之總莫耳數計0.1莫耳%至10莫耳%之量添加。
具體而言，若催化劑在聚合物溶液製備時添加，則進行利用催化劑之化學亞胺化或熱亞胺化。若以適當量使用催化劑，則可製備具有低黃色指數之透明薄膜。另一方面，當使用催化劑時，可能產生副產物，或一些物理特性可能劣化。在此類情況下，pH調整劑可改良物理特性之劣化。舉例而言，丁酸可用作pH調整劑。丁酸之一部分在最終薄膜中繼續存在，其使得有可能獲得在已經長時期摺疊且隨後藉由釋放施加至薄膜之力返回至展開狀態時可恢復性極佳，且摺疊特徵極佳的透明薄膜。
在許多情況下，衍生自用於產生聚合物樹脂之單體的氯端基或由在用於製備薄膜之製程期間產生之HCl產生的以Cl為主之副產物使反應性降低，藉此產生具有低分子量之聚合物。然而，若將丁酸用作pH調整劑，則催化劑之反應性經有效調整以減少具有低分子量之聚合物的量，且便於聚合達到高分子量。
此外，已存在由於在高壓釜處理之後(亦即，在高溫及高濕之苛刻條件下處理之後)聚合物中剩餘低分子量聚合物溶離，藉此使光學特性快速劣化之問題。另外，已存在高溫及高濕環境中習知聚合物薄膜中形成障壁層之問題。為了解決此問題，引入對濕氣具有抗性之添加劑，諸如黏土，在此情況下光學特性或相容性可能劣化。
相比之下，如在根據一實施例之聚合物薄膜中，在聚合製程期間添加丁酸可解決上文所提及之問題。有可能獲得即使在高溫及高濕之苛刻條件下處理後光學特性及機械特性亦幾乎不劣化且摺疊特徵極佳的聚合物薄膜。
在另一實施例中，製備聚合物溶液之步驟可進一步包含用惰性氣體吹掃。用惰性氣體吹掃之步驟可移除水分、減少雜質、提高反應產率且將極佳表面外觀及機械特性賦予最終產生之薄膜。
惰性氣體可為選自由以下組成之群之至少一者：氮氣、氦氣(He)、氖氣(Ne)、氬氣(Ar)、氪氣(Kr)、氙氣(Xe)及氡氣(Rn)，但其不限於此。具體而言，惰性氣體可為氮氣。
用於製備聚合物溶液之二酐化合物與二羰基化合物的莫耳比可為2:98至15:85。舉例而言，莫耳比可為3:97至15:85、5:95至15:85、7:93至15:85、2:98至25:75、2:98至15:85、20:80至100:0、25:75至100:0、30:70至100:0、40:60至100:0或50:50至100:0，但其不限於此。
若以以上莫耳比採用二酐化合物及二羰基化合物，則有利於實現由聚合物溶液製備之聚合物薄膜的所需機械及光學特性。
關於二胺化合物、二酐化合物及二羰基化合物之細節如上文所描述。
在一實施例中，有機溶劑可為選自由以下組成之群之至少一者：二甲基甲醯胺(DMF)、二甲基乙醯胺(DMAc)、N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)、間甲酚、四氫呋喃(THF)及氯仿。聚合物溶液中所採用之有機溶劑可為二甲基乙醯胺(DMAc)，但其不限於此。
接下來，在製備聚合物溶液之步驟後，將聚合物溶液轉移至槽中(S200)。
圖3示意性示出用於製備根據一實施例之聚合物薄膜的製程設備。參考圖3，在聚合儀器(10)中製備如上文所描述之聚合物溶液，且將由此產生之聚合物溶液轉移至且儲存於槽(20)中。
此處，一旦已製備聚合物溶液，則進行將聚合物溶液轉移至槽中之步驟，而不進行任何額外步驟。具體而言，將在聚合儀器中製備之聚合物溶液轉移至且儲存於槽中，而不進行用於移除雜質之任何獨立沈澱及再溶解步驟。在習知製程中，為了移除在聚合物溶液製備期間產生之雜質，諸如鹽酸(HCl)，經由獨立步驟純化由此製備之聚合物溶液以移除雜質，且隨後將純化聚合物溶液再溶解於溶劑中。然而，在此情況下已存在移除雜質之步驟中活性成分之損失增加，導致產率降低的問題。
因此，根據一實施例之製備製程最終使製備聚合物溶液之步驟中產生的雜質之量減至最小，或適當地控制後續步驟中之雜質(即使存在某一量之雜質)，以免使最終薄膜之物理特性劣化。因此，製程具有優點，此係因為在無獨立沈澱或再溶解步驟之情況下產生薄膜。
槽(20)為用於在將聚合物溶液成型為薄膜之前儲存聚合物溶液的場所，且其內部溫度可為-20℃至20℃。
具體而言，內部溫度可為-20℃至10℃、-20℃至5℃、-20℃至0℃或0℃至10℃，但其不限於此。
若槽(20)之內部溫度控制在以上範圍內，則有可能防止聚合物溶液在儲存期間劣化，且有可能降低水分含量以藉此防止由其產生之薄膜的缺陷。
用於製備聚合物薄膜之製程可進一步包含對轉移至槽(20)之聚合物溶液進行真空脫氣。
可在將槽之內部壓力減壓至0.1巴至0.7巴後進行真空脫氣，持續30分鐘至3小時。此等條件下之真空脫氣可減少聚合物溶液中之氣泡。因此，有可能防止由其產生之薄膜的表面缺陷且實現極佳光學特性，諸如霧度。
另外，用於製備聚合物薄膜之製程可進一步包含用惰性氣體吹掃轉移至槽(20)之聚合物溶液(S300)。
具體而言，吹掃係藉由在1 atm至2 atm之內部壓力下用惰性氣體吹掃槽進行。此等條件下之氮氣吹掃可移除聚合物溶液中之水分，減少雜質以藉此提高反應產率，且實現極佳光學特性(諸如霧度)及機械特性。
惰性氣體可為選自由以下組成之群之至少一者：氮氣、氦氣(He)、氖氣(Ne)、氬氣(Ar)、氪氣(Kr)、氙氣(Xe)及氡氣(Rn)，但其不限於此。具體而言，惰性氣體可為氮氣。
真空脫氣之步驟及用惰性氣體吹掃槽之步驟分別在獨立步驟中進行。
舉例而言，可進行真空脫氣之步驟，後接用惰性氣體吹掃槽之步驟，但其不限於此。
真空脫氣之步驟及/或用惰性氣體吹掃槽之步驟可改良由此產生之聚合物薄膜表面的物理特性。
其後，製程可進一步包含將聚合物溶液在槽(20)中儲存1小時至360小時。此處，槽內部之溫度可保持在-20℃至20℃下。
用於製備聚合物薄膜之製程可進一步包含將槽中之聚合物溶液擠出且澆鑄，且隨後對其進行乾燥以製備凝膠薄片(S400)。
聚合物溶液可澆鑄至鑄造體，諸如鑄軋輥或鑄造傳動帶上。
參考圖3，根據一實施例，可將聚合物溶液施加至作為鑄造體之鑄造傳動帶(30)上，且在將其移動的同時對其進行乾燥，以將其製成呈凝膠形式之薄片。
當將聚合物溶液注入至傳動帶(30)上時，注入速率可為300公克/分鐘至700公克/分鐘。若聚合物溶液之注入速率滿足以上範圍，則可將凝膠薄片均一地成型至適當厚度。
另外，聚合物溶液之澆鑄厚度可為200 µm至700 µm。若將聚合物溶液澆鑄至以上範圍內之厚度，則乾燥及熱處理後產生之最終薄膜可具有適當且均一厚度。
如上文所描述，聚合物溶液在室溫下之黏度可為100,000 cps至500,000 cps，例如100,000 cps至400,000 cps、100,000 cps至350,000 cps、150,000 cps至350,000 cps或150,000 cps至250,000 cps。若黏度滿足以上範圍，則可將聚合物溶液澆以均一厚度鑄至傳動帶上而不產生缺陷。
聚合物溶液經澆鑄，且隨後在60℃至150℃之溫度下乾燥5分鐘至60分鐘以製備凝膠薄片。具體而言，乾燥可用熱空氣在60℃至120℃下進行10分鐘至50分鐘。舉例而言，乾燥可用熱空氣在100℃下進行30分鐘。
聚合物溶液之溶劑在乾燥期間部分或完全揮發以製備凝膠薄片。
在乾燥時，凝膠薄片在鑄造體上之移動速度可為0.1公尺/分鐘至15公尺/分鐘，例如0.5公尺/分鐘至10公尺/分鐘，但其不限於此。
用於製備聚合物薄膜之製程包含在移動凝膠薄片的同時對其進行熱處理以製備固化薄膜(S500)。
參考圖3，凝膠薄片之熱處理可藉由使其通過熱固裝置(40)進行。
凝膠薄片之熱處理在80℃至500℃範圍內之溫度下進行5分鐘至180分鐘。具體而言，凝膠薄片之熱處理可以2℃/分鐘至80℃/分鐘之溫度升高速率在80℃至500℃範圍內之溫度下進行5分鐘至150分鐘。更具體而言，凝膠薄片之熱處理可以2℃/分鐘至80℃/分鐘之溫度升高速率在80℃至300℃範圍內之溫度下進行。
根據另一實施例，凝膠薄片可經熱空氣處理。
若用熱空氣進行熱處理，則可均一地供應熱量。若未均一地供應熱量，則無法實現令人滿意之機械特性。特定而言，無法實現令人滿意之表面粗糙度，其可能使表面張力升高或降低過多。
舉例而言，凝膠薄片可在200℃至320℃範圍內之溫度下經熱空氣處理5分鐘至60分鐘。更具體而言，凝膠薄片可在250℃至290℃範圍內之溫度下經熱空氣處理25分鐘至35分鐘。
根據再一實施例，凝膠薄片之熱處理可以二個或更多個步驟進行。
根據另一實施例，可進行熱處理，直至凝膠薄片中所含有之殘餘溶劑含量為1,200 ppm或更小或1,000 ppm或更小。
在熱處理中，第二熱處理步驟在第一熱處理步驟之後進行。在此類情況下，若在第二熱處理步驟後凝膠薄片中所含有之有機溶劑含量超過1,000 ppm或1,200 ppm，則可另外進行第三熱處理步驟。
具體而言，熱處理可包含在60℃至120℃範圍內進行5至30分鐘之第一熱處理步驟；及在150℃至350℃範圍內進行30分鐘至120分鐘之第二熱處理步驟。
舉例而言，第三熱處理步驟可在200℃至350℃範圍內進行，直至凝膠薄片中所含有之殘餘溶劑含量為1,200 ppm或更小或1,000 ppm或更小。
另外，在熱處理步驟中，凝膠薄片可在MD方向上拉伸1.01倍至1.05倍。在第一熱處理步驟與第二熱處理步驟之間，凝膠薄片可在MD方向上拉伸1.01倍至1.05倍。
在熱處理步驟中，凝膠薄片可在TD方向上拉伸1.01倍至1.05倍。在第二熱處理步驟中，凝膠薄片可在TD方向上拉伸1.01倍至1.05倍。
凝膠薄片可同時在MD方向及TD方向上拉伸1.01倍至1.05倍。凝膠薄片可依序地在MD方向上拉伸1.01倍至1.05倍，且隨後在TD方向上拉伸1.01倍至1.05倍。
此等條件下之熱處理可固化凝膠薄片以具有適當表面硬度及模數，且由此製備之固化薄膜可能摺疊特徵極佳，高溫及高濕下光學特性及機械特性極佳，且在已經長時期摺疊且隨後釋放施加至薄膜之力時可恢復性極佳。
用於製備聚合物薄膜之製程包含在移動固化薄膜的同時使其冷卻(S600)。
參考圖3，固化薄膜之冷卻在已使其通過熱固裝置(40)後進行。其可藉由使用獨立冷卻腔室(未圖示)或藉由在無獨立冷卻腔室之情況下形成適當溫度氛圍進行。
在移動固化薄膜的同時使其冷卻之步驟可包含使溫度以100℃/分鐘至1,000℃/分鐘之速率降低的第一降溫步驟，及使溫度以40℃/分鐘至400℃/分鐘之速率降低的第二降溫步驟。
在此類情況下，具體而言，第二降溫步驟在第一降溫步驟後進行。第一降溫步驟之降溫速率可比第二降溫步驟之降溫速率快。
舉例而言，第一降溫步驟之最大速率比第二降溫步驟之最大速率快。替代地，第一降溫步驟之最小速率比第二降溫步驟之最小速率快。
若使固化薄膜冷卻之步驟以此類多階方式進行，則有可能使固化薄膜之物理特性進一步穩定，且更穩定地長時期維持在固化步驟期間實現之薄膜的光學特性及機械特性。
凝膠薄片之移動速度與固化薄膜之移動速度相同。
用於製備聚合物薄膜之製程包含使用捲繞機捲繞經冷卻之固化薄膜(S700)。
參考圖3，經冷卻之固化薄膜可使用輥形捲繞機(50)捲繞。
在此類情況下，在乾燥時凝膠薄片在傳動帶上之移動速度與在捲繞時固化薄膜之移動速度的比可為1:0.95至1:1.40。具體而言，移動速度之比可為1:0.99至1:1.20、1:0.99至1:1.10、1:1.0至1:1.05或1:1.01至1:1.05，但其不限於此。
若移動速度之比在以上範圍外，則固化薄膜之機械特性可能受損，且可撓性及彈性特性可能劣化。
在用於製備聚合物薄膜之製程中，根據以下等式1之厚度差異(%)可為3%至30%。具體而言，厚度差異(%)可為5%至20%，但其不限於此。
[等式1]厚度差異(%) = {(M1 - M2)/M2} × 100
在以上等式1中，M1為凝膠薄片之厚度(μm)，且M2為在捲繞時經冷卻之固化薄膜的厚度(μm)。
藉由如上文所描述之製備製程製備的聚合物薄膜防黏特徵、光學特性及機械特性極佳。聚合物薄膜可適用於需要撓曲抗性、可撓性、耐久性及透明度之各種用途。舉例而言，聚合物薄膜可應用於太陽能電池、半導體裝置、感測器及其類似物，以及顯示裝置。
關於藉由用於製備聚合物薄膜之製程製備的聚合物薄膜之細節如上文所描述。
下文中，將藉由參考實例詳細描述以上描述。然而，闡述此等實例以說明本發明，且本發明之範疇不限於此。實例及評估實例
實例1a
在20℃下在氮氣氛圍下，向配備有溫度可控雙夾套之1公升玻璃反應器中裝入作為有機溶劑之二甲基乙醯胺(DMAc)。隨後，向其中緩慢添加2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-二胺基聯苯(TFMB) (0.2莫耳)以便其溶解。隨後，向其中緩慢添加2,2'-雙(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐(6FDA) (0.1莫耳)，且將混合物攪拌1小時。隨後，添加作為二羰基化合物之對酞醯氯(TPC) (0.1莫耳)，接著將混合物攪拌1小時，藉此製備聚合物溶液。
隨後，向聚合物溶液中添加17 g作為脫水劑之乙酸酐及4.5 g作為催化劑之異喹啉，接著攪拌1小時。其後，添加作為pH調整劑之丁酸，接著攪拌2小時以製備聚合物溶液。
將由此獲得之聚合物溶液塗佈於玻璃板上且隨後用熱空氣在100℃下乾燥30分鐘。隨後使其自玻璃板脫離且隨後固定於針腳框，將其在270℃下熱處理30分鐘以獲得厚度為50 μm之聚合物薄膜。
實例2a及3a及比較實例1a及2a
以與實例1a中相同之方式製備薄膜，其例外之處在於如以下表1中所示改變各別反應物之類型及含量及其類似者。
實例1a至3a及比較實例1a及2a中製備之薄膜各自針對以下特性經量測及評估。結果展示於以下表1中。
評估實例1a：薄膜厚度之量測
使用由Mitutoyo Corporation製造之數位測微計547-401在橫向方向上5個點處量測厚度。採用其平均值作為厚度。
評估實例2a：薄膜中殘餘溶劑含量之量測
在熱重分析儀(由Shimadzu Corporation製造之DTG-50)中使溫度在氮氣流中以15℃/分鐘之溫度升高速率自室溫升高至300℃，且在300℃下維持30分鐘。將藉由將溫度自150℃升高至300℃及在300℃下維持30分鐘期間減少之重量的總和除以樣品之初始重量獲得之值視為薄膜中之殘餘溶劑含量。
評估實例3a：薄膜中丁酸含量之量測
使用TD-GC MS分析來量測薄膜中之丁酸含量。具體而言，將0.02 g薄膜樣品負載至樣品管中，將其以10℃/分鐘之速率自25℃加熱至300℃。隨溫度升高產生之氣體吸附至吸附管(Tenax)中，其經瞬時加熱(脫附)且藉由氣相層析分離成各組分。分離的組分在質譜儀上偵測，且針對所獲得之層析圖中的組分類型及含量進行分析。
丁酸含量以基於薄膜總重量計之ppm量測。結果展示於以下表1中。
評估實例4a：透射率及霧度之量測
550 nm下之透射率使用由Nippon Denshoku Kogyo製造之霧度計NDH-5000W量測。
評估實例5a：黃色指數之量測
黃色指數(YI)用分光光度計(UltraScan PRO，Hunter Associates Laboratory)使用CIE色度系統量測。
評估實例6a：平面內相位差之量測
平面內相位差(Ro)用相位差量測裝置量測(Axometrics之Axoscan，量測波長：550 nm)。另外，作為用於量測相位差之基本資料的折射率用Abbe折射計量測(由Atago Co., Ltd.製造之NAR-4T，量測波長：589.3 nm)。
評估實例7a：高壓釜處理
將長度為10 cm、寬度為2 cm且厚度為50 μm之薄膜固定於高壓釜中，高壓釜填充有2公升水，且高壓釜隨後經閉合及加熱。在此類情況下，高壓釜之溫度設定為120℃，且壓力升高至1.2 atm，以便處理24小時。設定時間過去之後，高壓釜自動關閉。出口閥打開之後，取出薄膜且量測物理特性。薄膜未浸沒於水中。
評估實例8a：撓曲抗性之量測
當厚度為50 μm之薄膜經摺疊以具有3 mm曲率半徑且隨後展開時對摺疊數進行計數(在摺疊及展開後摺疊數計數為一)。若在重複摺疊100,000次後在摺疊側處未視覺觀測到變形，則其指示為○。若在重複摺疊100,000次後在摺疊側處視覺觀測到變形，則其指示為×。摺疊次數之數目使用YUASA U形摺疊設備計數。
[表1]
| 實例1a | 實例2a | 實例3a | 比較實例1a | 比較實例2a | |||
| 組成 | 二胺(莫耳) | TFMB 0.2 | TFMB 0.2 | TFMB 0.2 | TFMB 0.2 | TFMB 0.2 | |
| 二酐(莫耳) | 6FDA 0.1 | 6FDA 0.02 | CBDA 0.05 6FDA 0.05 | 6FDA 0.1 | 6FDA 0.02 | ||
| 二羰基化合物(莫耳) | TPC 0.1 | IPC 0.06 TPC 0.12 | TPC 0.1 | TPC 0.1 | IPC 0.06 TPC 0.12 | ||
| 醯亞胺:醯胺比(莫耳比) | 50:50 | 10:90 | 50:50 | 50:50 | 10:90 | ||
| 薄膜厚度(µm) | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | ||
| 薄膜中之殘餘溶劑含量(ppm) | 950 | 850 | 735 | 1350 | 1520 | ||
| 薄膜中之丁酸含量(ppm) | 1000 | 1000 | 700 | - | - | ||
| IS值 | 145 | 95 | 123.5 | 185 | 162 | ||
| 透射率 | % | 90.1 | 90.3 | 89.5 | 90.1 | 90.2 | |
| 霧度(HZ0 ) | % | 0.41 | 0.53 | 0.52 | 0.42 | 0.56 | |
| 黃色指數(HZ0 ) | - | 2.3 | 2.5 | 2.7 | 2.3 | 2.5 | |
| 平面內相位差(Ro0 ) | nm | 150 | 135 | 95 | 200 | 185 | |
| 高壓釜處理(24小時)之後 | 霧度(HZ24 ) | % | 1.22 | 1.53 | 1.15 | 3.58 | 4.31 |
| ∆HZ24 | % | 197.56 | 188.68 | 121.15 | 752.38 | 669.64 | |
| 黃色指數(YI24 ) | - | 2.3 | 2.6 | 2.7 | 3 | 3.2 | |
| ∆YI24 | % | 0 | 4 | 0 | 30.43 | 28 | |
| 平面內相位差(Ro24 ) | nm | 143 | 140 | 101 | 220 | 195 | |
| ∆Ro24 | % | 4.67 | 3.70 | 6.32 | 10 | 5.41 | |
| 撓曲抗性 | 3R, 100K | ○ | ○ | ○ | × | × | |
| CT值 | - | 2.96 | 2.55 | 1.15 | 15.05 | 12.39 |
如自以上表1可見，實例1a至3a之聚合物薄膜在薄膜中之殘餘溶劑含量為1,200 ppm或更小，且丁酸含量為1,200 ppm或更小。因此，即使在高溫及高濕之苛刻條件下處理之後其亦維持極佳光學特性。
相比之下，比較實例1a及2a之聚合物薄膜在薄膜中無剩餘丁酸，且殘餘溶劑含量超過1,200 ppm。聚合物中剩餘的低分子量聚合物在高壓釜處理後溶離。因此，光學特性，諸如霧度、黃度及平面內相位差顯著劣化。
實例1b
在20℃下在氮氣氛圍下，向配備有溫度可控雙夾套之1公升玻璃反應器中裝入585.68 g作為有機溶劑之二甲基乙醯胺(DMAc)。隨後，向其中緩慢添加0.2莫耳2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-二胺基聯苯(TFMB)以便其溶解。其後，緩慢添加0.02莫耳3,3',4,4'-二苯基酮(BTDA)，接著攪拌1小時。隨後，添加0.06莫耳異酞醯氯(IPC)，接著攪拌1小時。且添加0.12莫耳對酞醯氯(TPC)，接著攪拌1小時，藉此製備聚合物溶液。將由此獲得之聚合物溶液塗佈於玻璃板上且隨後用熱空氣在約80℃下乾燥20分鐘以製備凝膠薄片。使凝膠薄片自玻璃板脫離且隨後固定於針腳框。在將乾燥凝膠薄片分別在第一方向上及在垂直於第一方向之第二方向上拉伸1.03倍的同時將其固定於針腳框。將固定凝膠薄片在約270℃下熱處理30分鐘，以獲得厚度為50 μm之聚合物薄膜。
關於TFMB、BTDA、TPC及IPC之含量，基於100莫耳二胺化合物計的二酐化合物及二羰基化合物之莫耳數展示於表2中。
實例2b至6b及比較實例1b至3b
以與實例1b中相同之方式製備薄膜，其例外之處在於如以下表2中所示改變各別反應物之類型及含量、熱處理之時間及其類似者。
實例1b至6b及比較實例1b至3b中製備之薄膜各自針對以下特性經量測及評估。結果展示於以下表2中。
評估實例1b：薄膜厚度之量測
使用由Mitutoyo Corporation製造之數位測微計547-401在橫向方向上5個點處量測厚度。採用其平均值作為厚度。
評估實例2b：薄膜中殘餘溶劑之量測
取出0.02 g樣品且其使用Purge&Trap-GC/MSD裝置在30℃下吹掃1小時。在300℃下收集除氣10分鐘，其經定量及定性分析以量測殘餘溶劑之量。
評估實例3b：抗拉強度及斷裂伸長率之量測
以在垂直於薄膜主要收縮方向之方向上至少5 cm且在主要收縮方向上10 cm切斷樣品。其藉由以10 cm間隔安置之夾固定於通用測試機Instron UTM 5566A中。在將樣品在室溫下以12.5毫米/分鐘之速率拉伸的同時獲得應力應變曲線，直至樣品斷裂。由應力應變曲線量測抗拉強度及斷裂伸長率。
評估實例4b：模數之量測
以在垂直於薄膜主要收縮方向之方向上至少5 cm且在主要收縮方向上10 cm切斷樣品。其藉由以5 cm間隔安置之夾固定於通用測試機Instron UTM 5566A中。在將樣品在室溫下以5毫米/分鐘之速率拉伸的同時獲得應力應變曲線，直至樣品斷裂。應力應變曲線上相對於初始應變之負載的斜率視為模數(GPa)。
評估實例5b：高壓釜處理
將長度為10 cm、寬度為2 cm且厚度為50 μm之薄膜固定於高壓釜中，高壓釜填充有2公升水，且高壓釜隨後經閉合及加熱。在此類情況下，高壓釜之溫度設定為120℃，且壓力升高至1.2 atm，以便處理24小時或72小時。設定時間過去之後，高壓釜自動關閉。出口閥打開之後，取出薄膜且量測物理特性。薄膜未浸沒於水中。
評估實例6b：透射率之量測
550 nm下之透射率使用由Nippon Denshoku Kogyo製造之霧度計NDH-5000W量測。
評估實例7b：黃色指數之量測
黃色指數(YI)用分光光度計(UltraScan PRO，Hunter Associates Laboratory)使用CIE色度系統量測。
評估實例8b：撓曲抗性之量測
當厚度為50 μm之聚合物薄膜經摺疊以具有3 mm曲率半徑且隨後展開時對摺疊數進行計數(在摺疊及展開後摺疊數計數為一)。若其在重複摺疊100,000次後未斷裂，則其指示為○。若在重複摺疊100,000次之前斷裂，則其指示為×。摺疊次數之數目使用YUASA U形摺疊設備計數。
[表2]
| 實例1b | 實例2b | 實例3b | 實例4b | 實例5b | 實例6b | 比較實例1b | 比較實例2b | 比較實例3b | ||||
| 組成 | 二胺 | TFMB 100 | TFMB 80 ODA 20 | TFMB 65 ODA 35 | TFMB 100 | TFMB 80 ODA 20 | TFMB 100 | TFMB 100 | TFMB 80 ODA 20 | TFMB 65 ODA 35 | ||
| 二酐 | BTDA 10 | 6FDA 15 | 6FDA 7 | BTDA 10 | 6FDA 15 | 6FDA 10 | 6FDA 90 | 6FDA 80 | 6FDA 60 BPDA 40 | |||
| 二羰基化合物 | TPC 60 IPC 30 | TPC 55 IPC 30 | TPC 50 IPC 43 | TPC 60 IPC 30 | TPC 55 IPC 30 | TPC 75 SD 15 | TPC 10 | TPC 20 | - | |||
| 醯亞胺:醯胺 | 10:90 | 15:85 | 7:93 | 10:90 | 15:85 | 10:90 | 90:10 | 80:20 | 100:0 | |||
| 薄膜中之殘餘溶劑(ppm) | 150 | 340 | 300 | 100 | 1250 | 1420 | 80 | 100 | 750 | |||
| IS值 | 25 | 49 | 37 | 20 | 140 | 152 | 98 | 90 | 175 | |||
| 抗拉強度(TS0 ) | 公斤力/平方毫米 | 21 | 24 | 25 | 21 | 24 | 27 | 25 | 27 | 22 | ||
| 斷裂伸長率(EL0 ) | % | 20 | 21 | 20 | 20 | 21 | 18 | 20 | 30 | 24 | ||
| 模數(MO0 ) | GPa | 6.3 | 7.2 | 5.6 | 6.3 | 7.2 | 7.1 | 4.8 | 6.2 | 7.2 | ||
| 高壓釜處理(24小時)之後 | 抗拉強度(TS24 ) | 公斤力/平方毫米 | 20 | 22 | 20 | 22 | 25 | 26 | 25 | 22 | 15 | |
| ∆TS24 | % | 4.76 | 8.33 | 4.76 | 8.33 | 0 | 3.70 | 0 | 18.52 | 31.82 | ||
| 斷裂伸長率(EL24 ) | % | 25 | 20 | 25 | 20 | 18 | 17 | 20 | 18 | 16 | ||
| ∆EL24 | % | 25 | 4.76 | 25 | 4.76 | 10 | 5.56 | 0 | 40 | 33.33 | ||
| 模數(MO24 ) | GPa | 6.1 | 6.5 | 6.1 | 6.5 | 5.1 | 6.5 | 4.2 | 5.9 | 6.5 | ||
| ∆MO24 | % | 3.17 | 9.72 | 3.17 | 9.72 | 8.93 | 8.45 | 12.5 | 4.84 | 9.72 | ||
| ∆SUM24 | 32.94 | 22.82 | 32.94 | 22.82 | 18.93 | 17.71 | 12.5 | 63.36 | 74.87 | |||
| 高壓釜處理(72小時)之後 | 抗拉強度(TS72 ) | 公斤力/平方毫米 | 16 | 22 | 9 | 22 | 24 | 26 | 19 | 11 | 8 | |
| ∆TS72 | % | 23.81 | 8.33 | 57.14 | 8.33 | 4 | 3.7 | 24 | 59.26 | 63.64 | ||
| 斷裂伸長率(EL72 ) | % | 27 | 17 | 12 | 17 | 20 | 17 | 8 | 15 | 6 | ||
| ∆EL72 | % | 35 | 19.05 | 40 | 19.05 | 0 | 5.56 | 60 | 50 | 75 | ||
| 模數(MO72 ) | GPa | 5.1 | 5.9 | 2.6 | 5 | 4.6 | 6.1 | 3 | 3.5 | 3.4 | ||
| ∆MO72 | % | 19.05 | 18.06 | 58.73 | 30.56 | 17.86 | 14.08 | 37.5 | 43.55 | 52.78 | ||
| ∆SUM72 | 77.86 | 45.44 | 155.87 | 57.94 | 21.86 | 23.34 | 121.5 | 152.81 | 191.41 | |||
| 透光率 | % | 89 | 89.2 | 88.7 | 89 | 89.2 | 90.1 | 89.5 | 90.3 | 88.1 | ||
| YI | - | 3.8 | 2.7 | 3.2 | 3.8 | 5.6 | 3 | 2.6 | 3.5 | 4.2 | ||
| 製程 | 80℃(分鐘) | 20 | 15 | 15 | 10 | 8 | 15 | 15 | 15 | 15 | ||
| 270℃(分鐘) | 30 | 30 | 30 | 15 | 12 | 30 | 25 | 30 | 15 | |||
| 撓曲抗性 | 3R, 100K | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | ○ | × | × | × | ||
如自以上表2可見，當實例1b至6b之聚合物薄膜經歷反覆摺疊，達到3 mm曲率半徑時，斷裂之前的摺疊數為100,000次或更多。
另外，實例1b至6b之聚合物薄膜的黃色指數及透射率極佳，更不必說極佳摺疊特徵。
此外，實例1b至6b之聚合物薄膜具有高機械特性，諸如抗拉強度、斷裂伸長率及模數，且即使在高溫及高濕之苛刻條件下處理某一時間段之後亦維持極佳機械特性。
實例1c
在20℃下在氮氣氛圍下，向配備有溫度可控雙夾套之1公升玻璃反應器中裝入作為有機溶劑之二甲基乙醯胺(DMAc)。隨後，向其中緩慢添加2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-二胺基聯苯(TFMB)以便其溶解。隨後，向其中緩慢添加2,2'-雙(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐(6FDA)，且將混合物攪拌1小時。隨後，添加對酞醯氯(TPC)，接著將其攪拌2小時。
隨後，向聚合物溶液中添加作為催化劑之吡啶及作為脫水劑之乙酸酐。另外，添加作為pH調整劑之丁酸，接著攪拌2小時以製備聚合物溶液。
將由此獲得之聚合物溶液塗佈於玻璃板上且隨後用熱空氣在80℃下乾燥30分鐘。隨後將凝膠薄片以2℃/分鐘之溫度升高速率在80℃至300℃範圍內之溫度下乾燥，以獲得厚度為50 μm之聚合物薄膜。
關於二胺化合物(TFMB)、二酐化合物(6FDA)及二羰基化合物(TPC)之含量，其莫耳數展示於表3中。
另外，所添加之催化劑(吡啶)及丁酸之含量基於聚合物溶液之總重量轉換，且展示於表3中。
實例2c至5c及比較實例1c至3c
以與實例1c中相同之方式製備薄膜，其例外之處在於如以下表3中所展示改變各別反應物之類型及含量及其類似者。另外，在比較實例1c至3c中未添加丁酸。
實例1c至5c及比較實例1c至3c中製備之薄膜各自針對以下特性經量測及評估。結果展示於以下表3中。
評估實例1c：薄膜中丁酸含量之量測
使用TD-GC MS分析來量測薄膜中之丁酸含量。具體而言，將0.02 g薄膜樣品負載至樣品管中，將其以10℃/分鐘之速率自25℃加熱至300℃。隨溫度升高產生之氣體吸附至吸附管(Tenax)中，其經瞬時加熱(脫附)且藉由氣相層析分離成各組分。分離的組分在質譜儀上偵測，且針對所獲得之層析圖中的組分類型及含量進行分析。
丁酸含量以基於薄膜總重量計之ppm量測。結果展示於以下表3中。
評估實例2c：變形角之評估(靜態撓曲測試)
寬度為20 mm、長度為150 mm且厚度為50 μm之聚合物薄膜經摺疊以具有2 mm曲率半徑，隨後薄膜在25℃下靜置24小時，且釋放施加至薄膜之力。隨後，量測薄膜之內角。
評估實例3c：摺疊之評估
使厚度為50 μm之薄膜經歷反覆摺疊以具有2 mm曲率半徑，且隨後展開(在摺疊及展開後，摺疊數計數為一)。摺疊速度為60 rpm。若其在重複摺疊200,000次後未斷裂，則其指示為合格。若在重複摺疊200,000次之前斷裂，則其指示為不合格。摺疊次數之數目使用YUASA U形摺疊設備計數。
評估實例4c：透射率之量測
550 nm下之透射率使用由Nippon Denshoku Kogyo製造之霧度計NDH-5000W量測。
評估實例5c：黃色指數之量測
黃色指數(YI)用分光光度計(UltraScan PRO，Hunter Associates Laboratory)使用CIE色度系統量測。
評估實例6c：模數之量測
以在垂直於薄膜主要收縮方向之方向上至少5 cm且在主要收縮方向上10 cm切斷樣品。其藉由以5 cm間隔安置之夾固定於通用測試機Instron UTM 5566A中。在將樣品在室溫下以5毫米/分鐘之速率拉伸的同時獲得應力應變曲線，直至樣品斷裂。應力應變曲線上相對於初始應變之負載的斜率視為模數(GPa)。
[表3]
| 實例1c | 實例2c | 實例3c | 實例4c | 實例5c | 比較實例1c | 比較實例2c | 比較實例3c | |
| 二胺化合物(莫耳) | TFMB 0.2 | TFMB 0.2 | TFMB 0.2 | TFMB 0.2 | TFMB 0.2 | TFMB 0.2 | TFMB 0.2 | TFMB 0.2 |
| 二酐化合物(莫耳) | 6FDA 0.1 | 6FDA 0.2 | 6FPA 0.15 BPDA 0.05 | 6FDA 0.05 CBDA 0.1 | 6FDA 0.04 | 6FDA 0.1 | 6FDA 0.15 BPDA 0.05 | 6FDA 0.1 |
| 二羰基化合物(莫耳) | TPC 0.1 | - | - | TPC 0.05 | TPC 0.11 IPC 0.05 | TPC 0.1 | - | TPC 0.05 IPC 0.05 |
| 醯亞胺:醯胺(莫耳比) | 50:50 | 100:0 | 100:0 | 75:25 | 20:80 | 50:50 | 100:0 | 50:50 |
| 厚度(µm) | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 |
| 催化劑(重量%) | 吡啶0.04 | 吡啶0.06 | 吡啶0.06 | 吡啶0.06 | 吡啶0.06 | 吡啶0.04 | 吡啶0.04 | 吡啶0.04 |
| 丁酸(重量%) | 0.2 | 0.1 | 0.05 | 0.12 | 0.3 | - | - | - |
| 薄膜中之丁酸含量(ppm) | 201 | 97 | 60 | 130 | 250 | - | - | - |
| 透射率(%) | 89.1 | 89.5 | 88.8 | 88.9 | 89.1 | 89.1 | 88.7 | 88.5 |
| YI | 2.5 | 1 | 3.5 | 3.2 | 2.8 | 3.7 | 4.6 | 3.5 |
| 模數 (GPa) | 6 | 4.5 | 5.6 | 6.6 | 7.1 | 5.1 | 4.8 | 4.7 |
| 變形角(24小時，2R) | 160 | 165 | 165 | 135 | 155 | 110 | 115 | 110 |
| 摺疊評估(2R) | 合格 | 合格 | 合格 | 合格 | 合格 | 不合格 | 不合格 | 不合格 |
如自以上表3可見，實例1c至5c之聚合物薄膜中丁酸繼續存在。因此，在其已經長時期摺疊且隨後返回至展開狀態時可恢復性極佳。具體而言，實例1c至5c之聚合物薄膜在靜態撓曲測試中之變形角為120°或更大，而比較實例1c至3c之聚合物薄膜在靜態撓曲測試中之變形角為115°或更小，展示不良結果。
另外，當實例1c至5c之聚合物薄膜經歷反覆摺疊，達到2 mm曲率半徑時，斷裂之前的摺疊數為200,000次或更大。因此，其適合應用於可摺疊顯示器、可撓性顯示器、可捲曲顯示器及其類似物。相比之下，在摺疊測試中，比較實例1c至3c之聚合物薄膜在摺疊數為200,000次之前斷裂。
此外，實例1c至5c之聚合物薄膜維持極佳機械特性(諸如靜態撓曲特徵、摺疊特徵及模數)及光學特性(諸如透射率及黃色指數)。
10:聚合儀器
20:槽
30:傳動帶
40:熱固裝置
50:捲繞機
100:聚合物薄膜
101:第一側
102:第二側
200:功能層
300:前面板
400:顯示單元
500:黏著層
S100:製備聚合物溶液
S200:將聚合物溶液轉移至槽中
S300:用惰性氣體吹掃槽
S400:澆鑄聚合物溶液且隨後對其進行乾燥以製備凝膠薄片
S500:對凝膠薄片進行熱處理以製備固化薄膜
S600:使固化薄膜冷卻
S700:使用捲繞機捲繞經冷卻之固化薄膜
圖1為根據一實施例之顯示裝置的剖面圖。
圖2為根據一實施例用於製備聚合物薄膜之製程的示意性流程圖。
圖3示意性示出用於製備根據一實施例之聚合物薄膜的製程設備。
100:聚合物薄膜
101:第一側
102:第二側
200:功能層
300:前面板
400:顯示單元
500:黏著層
Claims (9)
- 一種聚合物薄膜，其包含選自由以下組成之群的一聚合物樹脂：一以聚醯胺為主之樹脂以及一以聚醯亞胺為主之樹脂，且其在高壓釜處理之前具有3%或更低之一霧度(HZ0)，且具有500%或更低的由以下等式1a表示之一△HZ24值：
- 如請求項1之聚合物薄膜，其具有30%或更低的由以下等式2a表示之一△YI24值，以及8%或更低的由以下等式3a表示之一△Ro24值：
- 如請求項1之聚合物薄膜，其具有5至160的由以下等式7表 示之一IS值：
- 如請求項1之聚合物薄膜，其進一步包含丁酸。
- 一種聚合物薄膜，其包含選自由以下組成之群的一聚合物樹脂：一以聚醯胺為主之樹脂以及一以聚醯亞胺為主之樹脂，且其具有5.0GPa或更大的在高壓釜處理之前的一模數(MO0)，以及15%或更低的由以下等式1b表示之一△TS24值：
- 如請求項5之聚合物薄膜，其具有20公斤力/平方毫米或更大的在該高壓釜處理之前的一抗拉強度(TS0)，以及15%或更高的在該高壓釜處理之前的一斷裂伸長率(EL0)。
- 如請求項5之聚合物薄膜，其中該薄膜中之殘餘溶劑含量係1,000ppm或更小。
- 如請求項5之聚合物薄膜，其具有500%或更低的由以下等式1a表示之一△HZ24值、30%或更低的由以下等式2a表示之一△YI24值以及8%或更低的由以下等式3a表示之一△Ro24值：
- 如請求項1之聚合物薄膜，其中當基於一厚度為50μm的該聚合物薄膜經摺疊以具有2mm之一曲率半徑，隨後該薄膜在25℃下靜置24小時，且釋放施加至該薄膜之力時，該薄膜之內角係120°或更大。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201249901A (en) * | 2011-06-14 | 2012-12-16 | Toyo Boseki | Copolyamide film |
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|---|---|---|---|---|
| TW201249901A (en) * | 2011-06-14 | 2012-12-16 | Toyo Boseki | Copolyamide film |
| TW201734090A (zh) * | 2015-12-11 | 2017-10-01 | Konica Minolta Inc | 聚醯亞胺薄膜、柔性印刷基板、ｌｅｄ照明裝置等 |
| TW201819470A (zh) * | 2016-09-30 | 2018-06-01 | 日商大日本印刷股份有限公司 | 聚醯亞胺膜、積層體、及顯示器用表面材料 |
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