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TWI710069B - 有機樹脂基板之製造方法、有機樹脂基板及半導體裝置 - Google Patents

有機樹脂基板之製造方法、有機樹脂基板及半導體裝置 Download PDF

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TWI710069B
TWI710069B TW105107854A TW105107854A TWI710069B TW I710069 B TWI710069 B TW I710069B TW 105107854 A TW105107854 A TW 105107854A TW 105107854 A TW105107854 A TW 105107854A TW I710069 B TWI710069 B TW I710069B
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organic resin
forming
metal pattern
resin film
film
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TW105107854A
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Inventor
牧原康二
渡部格
西谷佳典
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日商住友電木股份有限公司
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Abstract

根據本發明，提供一種有機樹脂基板之製造方法，其依序包括：於基底基板(10)上形成第1金屬圖案(50)之步驟；形成覆蓋上述第1金屬圖案(50)之第1有機樹脂膜(200)之步驟；研磨上述第1有機樹脂膜(200)而將其去除，使上述第1金屬圖案(50)之上表面露出之步驟；及以與上述第1金屬圖案(50)之至少一部分接觸的方式形成導體部(230)之步驟。

Description

有機樹脂基板之製造方法、有機樹脂基板及半導體裝置
本發明係關於一種有機樹脂基板之製造方法、有機樹脂基板及半導體裝置。
隨著近年來之電子機器之小型化及高性能化，電子零件之高密度積體化，進而高密度封裝化迅速發展。伴隨於此，對搭載上述電子零件之半導體封裝之配線基板要求較以往更高密度配線化及多端子化，進而要求製造成本之降低。
以往，作為上述半導體封裝之配線基板，可舉具有芯層之增層基板。而且，於上述具有芯層之增層基板之代表性製造製程中，進行於芯層之兩面藉由增層方法形成多層配線之步驟(例如專利文獻1等)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2011-114294號公報
如上述先前技術之項所述般，於以往之配線基板之製造製程中，為了實現高密度配線化及多端子化，以及製造成本之降低，而進行各種研究。然而，近年來，配線基板所要求之技術水準變得越來越高。因此，於以往之配線基板之製造製程中，就成品率良好地製造電連接性優異且小型化之配線基板之觀點而言，具有改善之餘地。
因此，本發明提供一種可成品率良好地製造電連接性優異且小型化之能夠使用於半導體裝置之製造中的有機樹脂基板之方法、藉由該方法所得之有機樹脂基板及使用上述有機樹脂基板之半導體裝置。
根據本發明，提供一種有機樹脂基板之製造方法，其依序包括：於基底基板上形成第1金屬圖案之步驟；形成覆蓋上述第1金屬圖案之第1有機樹脂膜之步驟；研磨上述第1有機樹脂膜而將其去除，使上述第1金屬圖案之上表面露出之步驟；及以與上述第1金屬圖案之至少一部分接觸的方式形成第1導體部之步驟。
進而，根據本發明，提供一種有機樹脂基板之製造方法，其依序包括：於基底基板上形成第1金屬圖案之步驟； 以與上述第1金屬圖案之至少一部分接觸的方式形成第1導體部之步驟；形成覆蓋上述第1金屬圖案及上述第1導體部之第1有機樹脂膜之步驟；及研磨上述第1有機樹脂膜而將其去除，使上述第1導體部之上表面露出之步驟。
進而，根據本發明，提供一種藉由上述有機樹脂基板之製造方法製得之有機樹脂基板。
進而，根據本發明，提供一種含有上述有機樹脂基板之半導體裝置。
根據本發明，可提供一種可成品率良好地製造電連接性優異且小型化之能夠使用於半導體裝置之製造的有機樹脂基板之方法、藉由該方法所得之有機樹脂基板及使用上述有機樹脂基板之半導體裝置。
10‧‧‧基底基板
20‧‧‧絕緣層/絕緣性樹脂膜
30‧‧‧開口部
40‧‧‧鍍敷膜
50‧‧‧第1金屬圖案
110‧‧‧第1金屬膜
170‧‧‧有機樹脂膜
200‧‧‧第1有機樹脂膜
210‧‧‧絕緣性樹脂膜
220‧‧‧開口部
230‧‧‧第1導體部
300‧‧‧第2有機樹脂膜
350‧‧‧第2金屬圖案
400‧‧‧第3有機樹脂膜
450‧‧‧第2導體部
500‧‧‧第4有機樹脂膜
600‧‧‧焊料凸塊
650‧‧‧半導體元件
700‧‧‧密封樹脂
1000‧‧‧有機樹脂基板
1100‧‧‧有機樹脂基板
1200‧‧‧有機樹脂基板
1400‧‧‧半導體裝置
1500‧‧‧半導體裝置
圖1係用以說明第1實施形態之有機樹脂基板的製造方法之一例的圖。
圖2係用以說明第1實施形態之有機樹脂基板的製造方法之一例的圖。
圖3係用以說明第1實施形態之有機樹脂基板的製造方法之一例的圖。
圖4係用以說明第2實施形態之有機樹脂基板的製造方法之一例的圖。
圖5係用以說明第3實施形態之半導體裝置的製造方法之一例的圖。
圖6係用以說明第4實施形態之有機樹脂基板的製造方法之一例的圖。
圖7係用以說明第5實施形態之有機樹脂基板的製造方法之一例的圖。
圖8係用以說明第7實施形態之半導體裝置的製造方法之一例的圖。
[第1實施形態]
本實施形態係關於有機樹脂基板之製造方法。該有機樹脂基板之製造方法(以下，表示為本製造方法)依序含有以下4個步驟。第1步驟係於基底基板上形成第1金屬圖案之步驟(以下，表示為金屬圖案形成步驟)。第2步驟係形成覆蓋第1金屬圖案之第1有機樹脂膜之步驟(以下，表示為有機樹脂膜形成步驟)。第3步驟係研磨第1有機樹脂膜而將其去除，使第1金屬圖案之上表面露出之步驟(以下，表示為有機樹脂膜去除步驟)。第4步驟係以與第1金屬圖案之至少一部分接觸的方式形成導體部之步驟(以下，表示為導體部形成步驟)。
以下，參照圖1~3對上述各步驟進行說明。再者，圖1~3均為用以說明本實施形態之有機樹脂基板的製造方法之一例的圖。
(金屬圖案形成步驟)
關於本實施形態之金屬圖案形成步驟，參照圖1進行說明。
於本實施形態中，記載金屬圖案為金屬配線之態樣。於本實施形態中，為了形成金屬圖案而設置於絕緣性樹脂膜之開口部為溝槽(溝)。又，為了形成導體部而設置於絕緣性樹脂膜之開口部為通孔(via hole)。
首先，如圖1(a)所示，準備基底基板10。該基底基板10於後述之製 造步驟中，作為用於保持構成有機樹脂基板之各層的平坦性之支持構件而使用。基底基板10如下所述般最終自所得之有機樹脂基板分離並去除。此種基底基板10較佳具有平坦性、剛性及耐熱性等特性。又，作為基底基板10，例如可使用金屬板。作為該金屬板之具體例，可列舉銅板、鋁板、鐵板、鋼鐵(steel)板、鎳板、銅合金板、42合金板、不鏽鋼板等。再者，上述鋼鐵(steel)板亦可為SPCC(Steel Plate Cold Commercial，冷軋鋼板)等冷軋剛板之態樣。又，金屬板可為加工成框架形狀之單片之形態或者環狀之形態。
其次，如圖1(b)所示，於基底基板10上積層絕緣層20(以下，亦表示為絕緣性樹脂膜20)。再者，關於形成上述絕緣性樹脂膜20之材料之詳細內容將於後文進行敍述，例如可使用感光性樹脂組成物等。又，於基底基板10上積層絕緣性樹脂膜20之方法可適當採用根據形成絕緣性樹脂膜20之材料的形態之方法。於形成上述絕緣性樹脂膜20之材料為液體狀之情形時，例如使用塗佈機或旋轉器等將該材料塗佈於基底基板10上之後，使其乾燥，藉此可形成所欲之絕緣性樹脂膜20。於形成上述絕緣性樹脂膜20之材料為糊狀之情形時，例如實施印刷處理等而於基底基板10上塗佈該材料之後，使其乾燥，藉此可形成所欲之絕緣性樹脂膜20。於形成上述絕緣性樹脂膜20之材料為乾膜的形態之情形時，例如藉由貼合機等將膜熱壓接於基底基板10上而進行層壓，藉此可形成所欲之絕緣性樹脂膜20。
其次，如圖1(c)所示，於基底基板10上之絕緣性樹脂膜20之特定區域設置開口部30。換言之，藉由去除絕緣性樹脂膜20中供金屬 圖案形成之區域，而於基底基板10上之絕緣性樹脂膜20設置具有與目標金屬配線對應之圖案之溝槽(溝)。於本實施形態中，該溝槽相當於開口部30。作為開口部30之形成方法，可列舉曝光顯影法或者雷射加工法等。於使用曝光顯影法之情形時，絕緣性樹脂膜20必須含有感光劑。於曝光顯影法中，首先，進行對於絕緣性樹脂膜20中形成開口部30之區域或者未形成開口部30之區域的任一區域選擇性地照射光之曝光。之後，使用鹼性水溶液等顯影液進行顯影，藉此可形成開口部30。之後，使絕緣性樹脂膜20熱硬化。作為上述曝光方法，可列舉密接遮罩圖案並照射紫外線之方法或者將雷射光直接照射於所欲區域之方法等。另一方面，於為了形成開口部30而使用雷射加工法之情形時，對設置開口部30之區域直接照射雷射光，藉由雷射光之能量選擇性地去除絕緣性樹脂膜20。於該情形時，絕緣性樹脂膜20無需含有感光劑，光之透射性亦無限制。
其次，如圖1(d)所示，於上述絕緣性樹脂膜20上形成鍍敷膜40以使設置於絕緣性樹脂膜20之開口部30被鍍敷膜40填充。作為上述鍍敷膜40之形成方法，可使用公知之方法，可使用電解電鍍法或無電電鍍法等方法。例如能夠使用藉由電鍍銅以鍍銅填充設置於絕緣性樹脂膜20之開口部30之方法等。作為形成上述鍍敷膜40之材料，可列舉銅、銅合金、42合金、鎳、鐵、鉻、鎢、金、焊錫等。
其次，如圖1(e)所示，去除鍍敷膜40，而形成第1金屬圖案50。於去除鍍敷膜40之步驟中，形成於絕緣性樹脂膜20上之鍍敷膜40藉由研磨而去除直至絕緣性樹脂膜20之上表面露出，填充於開口部30之鍍敷膜40未被去除而殘留。結果可形成嵌入至絕緣性樹脂膜20中之第1 金屬圖案50。作為研磨鍍敷膜40之方法，可舉使用化學機械研磨(CMP)裝置之研磨。於本實施形態中，第1金屬圖案50可為金屬配線。
其次，如圖1(f)所示，去除基底基板10上之絕緣性樹脂膜20。作為絕緣性樹脂膜20之去除方法，例如可列舉使用剝離液將上述絕緣性樹脂膜20剝離之方法、進行灰化處理而去除上述絕緣性樹脂膜20之方法、於進行灰化處理後藉由剝離液將附著於基底基板10上之絕緣性樹脂膜20的殘渣去除之方法等。其中，就提高有機樹脂基板之生產效率之觀點而言，較佳為使用剝離液將上述絕緣性樹脂膜20剝離之方法。又，作為上述剝離液之具體例，可列舉含有烷基苯磺酸之有機磺酸系剝離液、含有單乙醇胺等有機胺之有機胺系剝離液、對水混合有機鹼或氟系化合物等而得之水系抗蝕劑剝離液。
(有機樹脂膜形成步驟及有機樹脂膜去除步驟)
關於本實施形態之有機樹脂膜形成步驟及研磨步驟，參照圖2進行說明。
首先，如圖2(a)所示，使用有機樹脂膜形成用樹脂組成物，以覆蓋形成於基底基板10上之第1金屬圖案50之方式，於上述基底基板10上之整個區域形成第1有機樹脂膜200。再者，關於有機樹脂膜形成用樹脂組成物之詳細內容將於後文進行敍述，例如可使用含有熱硬化性樹脂之樹脂組成物。於本實施形態中，作為形成第1有機樹脂膜200之方法，並無特別之限定，可列舉轉移成形法、壓縮成形法、射出成型法、層壓法等。其中，為了於不會在基底基板10上殘留未填充部分之情況下藉由樹脂組成物覆蓋第1金屬圖案50，較佳為轉移成形法或者壓縮成形法、層壓法。因此，有 機樹脂膜形成用樹脂組成物較佳為顆粒、錠(tablet)或者片(sheet)之形態。再者，於藉由壓縮成形法形成第1有機樹脂膜200之情形時，亦可使用粉粒狀之樹脂組成物。
以下，例舉使用顆粒狀之有機樹脂膜形成用樹脂組成物形成第1有機樹脂膜200之情形，詳細說明有機樹脂膜形成步驟。
具體而言，於壓縮成形模具之上模與下模之間，設置收容有顆粒狀之有機樹脂膜形成用樹脂組成物之樹脂材料供給容器。其次，藉由夾具、如吸附般之固定手段，將具有圖1(f)所示之第1金屬圖案50之基底基板10固定於壓縮成型模具的上模與下模之一者。以下，例舉以使具有第1金屬圖案50之面與樹脂材料供給容器相對之方式固定於壓縮成型模具之上模之情形進行說明。
首先，於減壓下，縮小模具之上模與下模之間隔，並且藉由設置於樹脂材料供給容器的底面之擋板等之樹脂材料供給機構，將稱量之顆粒狀之有機樹脂膜形成用樹脂組成物供給至下模所具備的下模腔內。藉此，顆粒狀之有機樹脂膜形成用樹脂組成物於下模腔內被加熱至既定溫度，成為熔融狀態。其次，藉由使模具之上模與下模結合，而對固定在上模之基底基板10壓抵熔融狀態之有機樹脂膜形成用樹脂組成物。藉此，可由有機樹脂膜形成用樹脂組成物填充第1金屬圖案50，並且於基底基板10中可由熔融狀態之有機樹脂膜形成用樹脂組成物覆蓋形成有第1金屬圖案50之面。之後，保持使模具之上模與下模結合之狀態，並且使有機樹脂膜形成用樹脂組成物硬化。
此處，於進行壓縮成形之情形時，較佳於模具內減壓而進行 樹脂密封，進而較佳為真空下。藉此，可於不會在基底基板10上殘留未填充部分之情況下，藉由有機樹脂膜形成用樹脂組成物覆蓋第1金屬圖案50。
壓縮成形時之成形溫度並無特別限定，較佳為50~200℃，特佳為80~180℃。又，成形壓力並無特別限定，較佳為0.5~12MPa，特佳為1~10MPa。進而，成形時間較佳為30秒~15分鐘，特佳為1~10分鐘。藉由將成形溫度、壓力、時間設定為上述範圍，可防止於基底基板10上產生未填充熔融狀態之有機樹脂膜形成用樹脂組成物之部分。
又，藉由上述方法所得之第1有機樹脂膜200之玻璃轉移溫度較佳為100℃以上、250℃以下，進而較佳為130℃以上、220℃以下。若第1有機樹脂膜200之玻璃轉移溫度為上述範圍內，則可降低所得之有機樹脂基板之翹曲。
其次，如圖2(b)所示，研磨第1有機樹脂膜200之整個面而將其去除，使第1金屬圖案50之上表面露出。作為研磨第1有機樹脂膜200之方法，可舉使用化學機械研磨(CMP)裝置之方法等。又，於使用CMP裝置研磨第1有機樹脂膜200之情形時，藉由對使用之研磨劑所含有之研磨粒或添加劑的種類、CMP裝置所具備之研磨墊的材質或硬度等條件進行調整，可控制第1有機樹脂膜200之表面之平坦性。
(導體部形成步驟)
關於本實施形態之導體部形成步驟，參照圖3進行說明。作為本製造方法中之導體部，可列舉金屬配線、金屬墊或者焊料凸塊等。以下，例舉導體部為金屬墊之情形，詳細說明導體部形成步驟。
首先，如圖3(a)所示，以覆蓋露出之第1金屬圖案50之上表面之方 式，於第1有機樹脂膜200及第1金屬圖案50上積層絕緣性樹脂膜210。再者，形成上述絕緣性樹脂膜210之材料可使用與形成參照圖1(b)進行說明之絕緣性樹脂膜20之材料相同的材料。
其次，如圖3(b)所示，以使第1金屬圖案50之一部分露出之方式，於絕緣性樹脂膜210的既定之區域設置開口部220。開口部220之形成方法可使用與參照圖1(c)進行說明之開口部30之形成方法相同的方法。其中，用於製作金屬墊之開口部220為通孔，用於製作第1金屬圖案(金屬配線)之開口部30為溝槽。
其次，如圖3(c)所示，於設置在絕緣性樹脂膜210之開口部220填充導電性材料而形成第1導體部230。具體而言，與參照圖1(d)及圖1(e)而記載之第1金屬圖案50之形成方法相同，以於設置在絕緣性樹脂膜210之開口部220填充導電性材料之方式，於絕緣性樹脂膜210上形成導電性材料層。其次，藉由研磨導電性材料層，去除導電性材料層直至絕緣性樹脂膜210之上表面露出。藉此，形成與第1金屬圖案50之露出面接觸之第1導體部230。此處，作為上述導電性材料，可列舉銅、銅系合金、鋁、鋁系合金等金屬及該等之合金。其中，就使所得之有機樹脂基板的電特性良好之觀點而言，作為上述導電性材料，較佳使用銅或者銅系合金。
其次，如圖3(d)所示，去除絕緣性樹脂膜210。作為絕緣性樹脂膜210之去除方法，可使用與上述參照圖1(f)進行說明之方法相同的方法。
其次，如圖3(e)所示，使用有機樹脂膜形成用樹脂組成物，於第1有機樹脂膜200及第1金屬圖案50上，以覆蓋第1導體部230 之方式形成第2有機樹脂膜300。第2有機樹脂膜300之形成方法，能夠使用與上述參照圖2(a)進行說明之方法相同的方法。
之後，如圖3(f)所示，研磨第2有機樹脂膜300之整個面而將其去除，使第1導體部230之上表面露出。作為上述研磨第2有機樹脂膜300之整個面之方法，可舉使用化學機械研磨(CMP)裝置之方法等。
其次，如圖3(g)所示，藉由分離而選擇性地去除基底基板10，獲得2層結構之有機樹脂基板1000。再者，上述選擇性地去除基底基板10係指將基底基板10之一部分或者全部去除。作為去除基底基板10之方法，可列舉使用酸性液或鹼性液進行化學蝕刻之方法、進行物理研磨之方法、進行物理剝離之方法、電漿照射法、雷射剝蝕法等。其中，較佳為使用酸性液或者鹼性液進行化學蝕刻之方法。再者，作為此時使用之上述酸性液之具體例，可列舉混合酸、氯化鐵水溶液等。
以下，對關於本製造方法之效果進行說明。
根據本製造方法，與以往之製造製程相比，可成品率良好地製造電連接性優異且小型化之能夠使用於半導體裝置之製造的有機樹脂基板。又，根據本製造方法，可減少用於金屬圖案或導電部之形成的材料之使用量，故而與以往之製造製程相比，可降低製造成本。此外，根據本製造方法，能夠提高有機樹脂膜之耐久性，故而與以往之製造製程相比，可製作機械強度優異之配線基板。又，使用藉由本製造方法製作之有機樹脂基板的半導體裝置之可靠性優異。
[第2實施形態]
本實施形態係關於多層配線基板之製造方法。該製造方法係自圖3(f) 所示之於基底基板10上形成由第1有機樹脂膜200、第1金屬圖案50、第2有機樹脂膜300及第1導體部230構成之有機樹脂基板1000之結構體來製造多層配線基板。具體而言，於本實施形態之製造方法中，於圖3(f)所示之結構體上，藉由與第1實施形態之方法相同的方法，依序形成第2金屬圖案350、第3有機樹脂膜400、第2導體部450及第4有機樹脂膜500。於本實施形態，亦可獲得與第1實施形態相同之效果。
以下，關於本實施形態之製造方法，參照圖4進行說明。再者，關於4層結構之有機樹脂基板1200之製造方法將於後文進行敍述，但是本實施形態之製造方法並不限定於4層結構之多層配線基板。
首先，如圖4(a)所示，於圖3(f)所示之結構體上形成第2金屬圖案350。再者，第2金屬圖案350之形成方法可採用與參照圖1進行說明之第1金屬圖案50之形成方法相同之方法。
其次，如圖4(b)所示，使用有機樹脂膜形成用樹脂組成物，以覆蓋第2金屬圖案350之方式形成第3有機樹脂膜400。第3有機樹脂膜400之形成方法可採用與參照圖2(a)進行說明之第1有機樹脂膜200之形成方法相同的方法。其次，研磨第3有機樹脂膜400而將其去除，使第2金屬圖案350之上表面露出。該步驟可使用參照圖2(b)進行說明之方法而實施。
其次，如圖4(c)所示，以與第2金屬圖案350之至少一部分接觸的方式形成第2導體部450。第2導體部450之形成方法能夠使用與參照圖3(a)~(c)進行說明之第1導體部230之形成方法相同的方法。
其次，如圖4(d)所示，使用有機樹脂膜形成用樹脂組成 物，於第3有機樹脂膜400及第2金屬圖案350上，以覆蓋第2導體部450之方式形成第4有機樹脂膜500。第4有機樹脂膜500之形成方法可使用與參照圖2(a)進行說明之第1有機樹脂膜200之形成方法相同的方法。其次，研磨第3有機樹脂膜400而將其去除，使第2導體部450之上表面露出。該步驟可使用參照圖2(b)進行說明之方法而實施。
之後，如圖4(e)所示，藉由將基底基板10分離而去除，獲得4層結構之有機樹脂基板1200。再者，於製造多於4層之多層有機樹脂基板之情形時，只要於如圖4(d)所示之結構體上藉由與參照圖1~3進行說明之方法相同的方法於各層形成金屬圖案、導體部及有機樹脂膜即可。
[第3實施形態]
本實施形態係關於半導體裝置之製造方法。關於該製造方法，參照圖5進行說明。以下，對於本實施形態之半導體裝置之製造方法，例舉自圖4(e)所示之有機樹脂基板1200製造半導體裝置之情形進行說明。於本實施形態，亦可獲得與第1實施形態相同之效果。
首先，如圖5(a)所示，於有機樹脂基板1200之第2導體部450的露出面熔融並融合焊料凸塊600之端部。
其次，如圖5(b)所示，經由焊料凸塊600將半導體元件650配設、固定於有機樹脂基板1200上。又，於有機樹脂基板1200上，除半導體元件650以外，亦可進而配設例如作為電阻或電容發揮功能之電子零件等。作為上述半導體元件650，可列舉自半導體晶圓切割出之LSI晶片等。又，有機樹脂基板1200之第2導體部450與半導體元件650之連接墊係藉由焊料凸塊600電連接。又，第2導體部450與半導體元件650之連接 墊的電連接亦可使用接合線或導線代替焊料凸塊600。
其次，如圖5(c)所示，於有機樹脂基板1200之上表面、焊料凸塊600、及半導體元件650以覆蓋與上述焊料凸塊600連接之面之方式，使用密封樹脂700進行鑄模(mold)。作為該密封樹脂700，例如可使用含有環氧樹脂之樹脂組成物等。作為藉由密封樹脂700進行鑄模之方法，可使用轉移成形法、射出成形法、轉印法、塗佈法等。藉由將密封樹脂於例如150℃以上、200℃以下進行加熱而使其硬化。藉此，可製造本實施形態之半導體裝置1400。
[第4實施形態]
本實施形態係關於有機樹脂基板之製造方法。該製造方法之形成第1金屬圖案50之方法與第1實施形態不同。具體而言，本製造方法與第1實施形態不同點在於採用如下方法：於基底基板10上形成第1金屬膜110之後，以殘留該第1金屬膜110之既定區域之方式選擇性地去除上述第1金屬膜110而形成第1金屬圖案50。但是，於本實施形態中，亦可獲得與第1實施形態相同之效果。又，根據本製造方法，能夠簡化金屬圖案之製造步驟，故而可提高有機樹脂基板之製造效率。再者，本製造方法亦可用於製作多層配線基板之情形。
關於本製造方法之金屬圖案形成步驟，參照圖6進行說明。
首先，如圖6(a)所示，準備基底基板10。作為基底基板10，可使用與第1實施形態相同之基板。其次，如圖6(b)所示，於基底基板10上積層第1金屬膜110。其次，如圖6(c)所示，選擇性地去除第1金屬膜110，獲得具有第1金屬圖案之第1金屬膜110。具有既定圖案之第1金屬膜作為 金屬配線發揮功能。作為選擇性地去除第1金屬膜110之既定區域而形成金屬圖案之方法，可使用於該領域中通常使用之蝕刻等方法。
[第5實施形態]
本實施形態係關於有機樹脂基板之製造方法。該製造方法依序含有以下4個步驟。第1步驟係於基底基板上形成第1金屬圖案之步驟(以下，表示為第1金屬圖案形成步驟)。第2步驟係以與第1金屬圖案之至少一部分接觸的方式形成導體部之步驟(以下，表示為導體部形成步驟)。第3步驟係形成覆蓋第1金屬圖案及第1導體部之第1有機樹脂膜之步驟(以下，表示為有機樹脂膜形成步驟)。第4步驟係研磨第1有機樹脂膜之整個面而將其去除，使第1導體部之上表面露出之步驟(以下，表示為有機樹脂膜去除步驟)。該製造方法於在形成第1金屬圖案與第1導體部之後形成第1有機樹脂膜之方面與第1實施形態不同。但是，於本實施形態中，亦可獲得與第1實施形態相同之效果。又，根據本實施形態之製造方法，可使用有機樹脂膜形成用樹脂組成物一體地覆蓋第1金屬圖案與第1導體部，故而能夠提高有機樹脂基板之機械強度。
關於本製造方法，參照圖7進行詳細說明。再者，圖7係用以說明本實施形態之有機樹脂基板之製造方法之一例的圖。
首先，如圖7(a)所示，準備具備其中形成有第1金屬圖案50之絕緣性樹脂膜20之基底基板10(如圖1(e)所示)。於本實施形態中，除了於形成第1金屬圖案50之後不去除絕緣性樹脂膜20而殘留以外，可使用與參照圖1進行說明之方法相同之方法。
其次，如圖7(b)所示，以與第1金屬圖案50之至少一部 分接觸的方式形成第1導體部230。該第1導體部230之形成方法與參照圖3(a)~(c)進行說明之方法相同。於本實施形態中，除了於形成第1導體部230之後不去除絕緣性樹脂膜210而殘留之方面以外，可使用與參照圖3(a)~(c)進行說明之方法相同之方法。
其次，如圖7(c)所示，去除絕緣性樹脂膜20及210。絕緣性樹脂膜20及210之去除方法，可使用與參照圖1(f)進行說明之絕緣性樹脂膜20之去除方法相同的方法。
其次，如圖7(d)所示，使用有機樹脂膜形成用樹脂組成物，以覆蓋第1金屬圖案50及第1導體部230之方式形成有機樹脂膜170。藉此，可使用有機樹脂膜形成用樹脂組成物一體地覆蓋第1金屬圖案50與第1導體部230。再者，有機樹脂膜170之形成方法可使用與參照圖2(a)進行說明之第1有機樹脂膜200之形成方法相同之方法。
之後，如圖7(e)所示，研磨有機樹脂膜170之整個面而將其去除，使第1導體部230之上表面露出之後，如圖7(f)所示，藉由將基底基板10分離而去除，獲得2層結構之有機樹脂基板1100。
[第6實施形態]
本實施形態係關於多層配線基板之製造方法。該製造方法與第2實施形態不同方面在於其為如下方法：自圖7(e)所示之於基底基板10上形成由有機樹脂膜170、第1金屬圖案50及第1導體部230構成之有機樹脂基板1100之結構體，製造於上述結構體上藉由與第5實施形態中所述之方法相同之方法形成使用有機樹脂膜形成用樹脂組成物一體地覆蓋第2金屬圖案350與第2導體部450之層之2層結構的有機樹脂基板。於採用該製造方 法之情形時，亦可獲得與第1實施形態相同之效果。
[第7實施形態]
本實施形態係關於半導體裝置之製造方法。於該製造方法中，參照圖8進行說明。以下，關於本實施形態之半導體裝置之製造方法，例舉自圖4(e)所示之有機樹脂基板1200製造半導體裝置之情形進行說明。然而，於本實施形態中，亦可獲得與第1實施形態相同之效果。
本實施形態之半導體裝置之製造方法與第3實施形態不同方面在於：於有機樹脂基板1200之第1金屬圖案50經由焊料凸塊600配設半導體元件650。具體而言，根據本實施形態之半導體裝置之製造方法，首先，如圖8(a)所示，將焊料凸塊600之端部熔融並融合於第1金屬圖案50之露出面。其次，如圖8(b)所示，經由焊料凸塊600將半導體元件650配設、固定於有機樹脂基板1200上。其次，如圖8(c)所示，於有機樹脂基板1200之下表面、焊料凸塊600及半導體元件650以覆蓋與上述焊料凸塊600連接的面之方式，使用密封樹脂700進行鑄模。藉此，可製造本實施形態之半導體裝置1500。
[用於有機樹脂基板之製造製程之材料]
以下，對關於形成絕緣性樹脂膜20或者210之材料及有機樹脂膜形成用樹脂組成物之構成進行說明。
<形成絕緣性樹脂膜20或210之材料>
作為形成絕緣性樹脂膜20或210之材料，可使用電鍍阻劑所使用之公知之材料，例如可列舉光阻劑、抗蝕油墨、乾膜等感光性材料。再者，上述感光性樹脂組成物可為負型亦可為正型。
<有機樹脂膜形成用樹脂組成物>
有機樹脂膜形成用樹脂組成物較佳含有熱硬化性樹脂及填充材。作為熱硬化性樹脂，較佳使用環氧樹脂。作為上述環氧樹脂，不論其分子量、分子結構，可使用1分子內具有2個以上環氧基之單體、低聚物、聚合物之全部。作為此種環氧樹脂之具體例，可含有選自雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚E型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、雙酚M型環氧樹脂(4,4'-(1,3-伸苯基二異亞丙基(phenylenediisopropylidene))雙酚型環氧樹脂)、雙酚P型環氧樹脂(4,4'-(1,4-伸苯基二異亞丙基)雙酚型環氧樹脂)、雙酚Z型環氧樹脂(4,4'-環己二烯雙酚型環氧樹脂)等雙酚型環氧樹脂；苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、溴化苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、四酚基乙烷型酚醛清漆型環氧樹脂、具有縮合環芳香族烴結構之酚醛清漆型環氧樹脂等酚醛清漆型環氧樹脂；聯苯型環氧樹脂；伸茬基型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂等芳烷基型環氧樹脂；萘醚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、萘二醇型環氧樹脂、二官能至四官能環氧型萘樹脂、聯萘型環氧樹脂、萘芳烷基型環氧樹脂等具有萘骨架之環氧樹脂；蒽型環氧樹脂；苯氧基型環氧樹脂；二環戊二烯型環氧樹脂；降莰烯型環氧樹脂；金剛烷型環氧樹脂；茀型環氧樹脂、含磷環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、脂肪族鏈狀環氧樹脂、雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、聯二甲苯酚型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四酚基乙烷型環氧樹脂、三環氧丙基三聚異氰酸酯等雜環式環氧樹脂；N,N,N',N'-四環氧丙基間二甲苯二胺、N,N,N',N'-四環氧丙基雙胺基甲基環己烷、N,N-二環氧丙基苯胺等縮水甘油胺類；或者(甲 基)丙烯酸環氧丙酯與具有乙烯基不飽和雙鍵之化合物之共聚物、具有丁二烯結構之環氧樹脂、雙酚之二環氧丙醚化物、萘二醇之二環氧丙醚化物、酚類之環氧丙醚化物中之一種或兩種以上。該等之中，就提高與金屬圖案或導體部之密接性之觀點而言，更佳含有三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂。藉此，亦可實現有機樹脂基板之低線膨脹化及高彈性模數化。又，亦可提高有機樹脂基板之剛性而有助於作業性之提高，或實現半導體裝置中之耐回焊性之提高及翹曲之抑制。
環氧樹脂之含量較佳例如相對於有機樹脂膜形成用樹脂組成物之總固形物成分為3質量%以上，更佳為5質量%以上。藉由將環氧樹脂之含量設定為上述下限值以上，可有助於提高使用有機樹脂膜形成用樹脂組成物所形成之有機樹脂膜與金屬圖案及導電體之密接性。另一方面，環氧樹脂之含量較佳例如相對於有機樹脂膜形成用樹脂組成物之總固形物成分為30質量%以下，更佳為20質量%以下。藉由將環氧樹脂之含量設定為上述上限值以下，可實現使用有機樹脂膜形成用樹脂組成物所形成之有機樹脂膜的耐熱性或耐濕性之提高。再者，有機樹脂膜形成用樹脂組成物之總固形物成分係指有機樹脂膜形成用樹脂組成物中所含有之溶劑除外之全部成分。以下，於本說明書中相同。
又，上述有機樹脂膜形成用樹脂組成物可含有硬化劑。具體而言，作為上述硬化劑，可列舉：乙二胺、三亞甲基二胺、四亞甲基二胺、己二胺等碳數2~20之直鏈脂肪族二胺；間苯二胺、對苯二胺、對二甲苯二胺、4,4'-二胺基二苯甲烷、4,4'-二胺基二苯基丙烷、4,4'-二胺基二苯醚、4,4'-二胺基二苯基碸、4,4'-二胺基二環己烷、雙(4-胺基苯基)苯基甲 烷、1,5-二胺基萘、間二甲苯二胺、對二甲苯二胺、1,1-雙(4-胺基苯基)環己烷、二氰基二醯胺等胺基類；苯胺改質可溶酚醛樹脂或二甲醚可溶酚醛樹脂等可溶酚醛樹脂型酚樹脂；苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂；含伸苯基骨架之苯酚芳烷基樹脂、含伸聯苯基骨架之苯酚芳烷基樹脂等苯酚芳烷基樹脂；具有如萘骨架或蒽骨架般之縮合多環結構之酚樹脂；聚對羥基苯乙烯等之聚氧苯乙烯；包含六氫鄰苯二甲酸酐(HHPA)、甲基四氫鄰苯二甲酸酐(MTHPA)等酯環族酸酐、苯偏三酸酐(TMA)、焦蜜石酸二酐(PMDA)、二苯甲酮四羧酸(BTDA)等芳香族酸酐等酸酐；多硫化物、硫酯、硫醚等聚硫醇化合物；異氰酸酯預聚物、封端化異氰酸酯等異氰酸酯化合物；含羧酸之聚酯樹脂等有機酸類。該等可單獨使用1種亦可組合2種以上使用。又，該等之中，就可靠性等方面而言，較佳為1分子內具有至少2個酚性羥基之化合物，作為此種化合物，可例示：苯酚酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂；可溶酚醛樹脂型酚樹脂；聚對羥基苯乙烯等聚氧苯乙烯；含伸苯基骨架之苯酚芳烷基樹脂、含伸聯苯基骨架之苯酚芳烷基樹脂、三羥基苯基甲烷型酚樹脂等。
作為用於上述有機樹脂膜形成用樹脂組成物之填充材之具體例，可列舉熔融破碎二氧化矽、熔融球狀二氧化矽、結晶二氧化矽、2次凝聚二氧化矽等二氧化矽；氧化鋁；鈦白；氫氧化鋁；滑石；黏土；雲母；玻璃纖維等。該等之中，尤佳為熔融球狀二氧化矽。又，粒子形狀並無限制，較佳為真球狀。又，藉由混合粒子之大小不同者，可增大無機填充量， 關於其平均粒徑d50，若考慮對於模具腔內之金屬圖案周邊之填充性，則期望為0.1μm以上、20μm以下。
再者，填充材之平均粒徑d50例如可使用雷射繞射式粒度分佈測量裝置(堀場製作所公司製造，LA-500)進行測量。
有機樹脂膜形成用樹脂組成物例如可含有氰酸酯樹脂。藉此，可實現有機樹脂膜之低線膨脹化、彈性模數及剛性之提高。又，亦能有助於所得之半導體裝置的耐熱性或耐濕性之提高。
氰酸酯樹脂例如可含有選自酚醛清漆型氰酸酯樹脂；雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚E型氰酸酯樹脂、四甲基雙酚F型氰酸酯樹脂等雙酚型氰酸酯樹脂；藉由萘酚芳烷基型酚樹脂與鹵化氰之反應所得之萘酚芳烷基型氰酸酯樹脂；二環戊二烯型氰酸酯樹脂；聯苯烷基型氰酸酯樹脂中之一種或兩種以上。該等之中，就提高有機樹脂膜之低線膨脹化、彈性模數及剛性之觀點而言，更佳含有酚醛清漆型氰酸酯樹脂及萘酚芳烷基型氰酸酯樹脂中之至少一者，特佳含有酚醛清漆型氰酸酯樹脂。
氰酸酯樹脂之含量較佳例如相對於有機樹脂膜形成用樹脂組成物之總固形物成分為3質量%以上，更佳為5質量%以上。藉由將氰酸酯樹脂之含量設為上述下限值以上，可實現使用有機樹脂膜形成用樹脂組成物所形成之有機樹脂膜之更有效的低線膨脹化及高彈性模數化。又，可提高使用有機樹脂膜形成用樹脂組成物而形成之有機樹脂膜與金屬圖案及導電體之密接性。另一方面，氰酸酯樹脂之含量較佳例如相對於有機樹脂膜形成用樹脂組成物之總固形物成分為30質量%以下，更佳為20質量%以下。藉由將氰酸酯樹脂之含量設為上述上限值以下，可實現使用有機樹脂 膜形成用樹脂組成物所形成之有機樹脂膜的耐熱性或耐濕性之提高。
於上述有機樹脂膜形成用樹脂組成物中，亦可含有硬化促進劑。該硬化促進劑只要為促進環氧基與硬化劑之硬化反應者即可。具體而言，作為上述硬化促進劑，可列舉1,8-二氮(diaza)雙環(5,4,0)十一烯-7等二氮雙環烯烴及其衍生物；三丁基胺、苄基二甲基胺等胺系化合物；2-甲基咪唑等咪唑化合物；三苯膦、甲基二苯基膦等有機膦類；四苯基鏻四苯基硼酸、四苯基鏻四苯甲酸硼酸、四苯基鏻四萘甲酸(tetra-naphthoic acid)硼酸、四苯基鏻四萘甲醯氧基(tetra-naphthoyloxy)硼酸、四苯基鏻四萘基氧基硼酸等四取代鏻四取代硼酸；加成有苯醌之三苯基膦等。該等可單獨使用1種亦可組合使用2種以上。作為更佳者，可舉顆粒狀之有機樹脂膜形成用樹脂組成物於模具腔內熔融後的急遽增黏少之硬化促進劑。
於上述有機樹脂膜形成用樹脂組成物中，除上述各成分以外，亦可視需要添加選自偶合劑、整平劑、著色劑、脫模劑、低應力劑、感光劑、消泡劑、紫外線吸收劑、發泡劑、抗氧化劑、難燃劑及離子捕捉劑等中之一種或兩種以上之添加物。作為偶合劑，例如可列舉：環氧矽烷偶合劑、陽離子矽烷偶合劑、胺基矽烷偶合劑、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷偶合劑、苯基胺基丙基三甲氧基矽烷偶合劑、巰基矽烷偶合劑等矽烷偶合劑；鈦酸酯系偶合劑及聚矽氧油型偶合劑等。作為整平劑，可舉丙烯酸系共聚物等。作為著色劑，可舉碳黑等。作為脫模劑，可列舉天然蠟、褐煤酸酯(montanoic acid ester)等合成蠟、高級脂肪酸或其金屬鹽類、石蠟、氧化聚乙烯等。作為低應力劑，可列舉聚矽氧油、聚矽氧橡膠等。作為離子捕捉劑，可舉水滑石等。作為難燃劑，可列舉氫氧化鋁等。
如上所述，有機樹脂膜形成用樹脂組成物較佳為顆粒、錠或片之形態。
作為獲得上述顆粒狀之樹脂組成物之方法，例如可列舉：向由具有多個小孔之圓筒狀外周部與圓盤狀之底面構成的轉子之內側供給經熔融混練之樹脂組成物，藉由使轉子旋轉而得之離心力使該樹脂組成物通過小孔而獲得之方法(以下，亦稱作「離心製粉法」)；將各原料成分利用攪拌機進行預混合後，藉由輥、捏合機或擠出機等混練機進行加熱混練後，經由冷卻、粉碎步驟而獲得粉碎物，對所得的粉碎物使用篩進行粗粒及細粉之去除而獲得之方法(以下，亦稱作「粉碎篩分法」)；將各原料成分利用攪拌機進行預混合後，使用設置有於螺桿前端部配置多個小徑之模具之擠出機，進行加熱混練，並且藉由與模具面大致平行地滑動旋轉之切割機將自配置於模具之小孔擠出為線狀之熔融樹脂切斷而獲得之方法(以下，亦稱作「熱切割法」)等。於使用任一方法之情形時，藉由調整混練條件、離心條件、篩分條件、切斷條件等，均可獲得具有所欲粒度分佈或顆粒密度之顆粒狀樹脂組成物。作為特佳之製法，係離心製粉法，藉由該製造方法，可穩定地製造具有所欲粒度分佈及顆粒密度之顆粒狀的樹脂組成物。又，此種顆粒狀之樹脂組成物可於顆粒彼此不黏著之情況下進行搬送。又，藉由離心製粉法所得之顆粒狀之樹脂組成物由於其粒子表面相對光滑，故而不存在粒子彼此卡住或與搬送路面之摩擦阻力變大等情況，又，不存在產生通向搬送路徑的供給口中之橋(堵塞)或滯留於搬送路上之情況。又，於離心製粉法中，由於自熔融狀態使用離心力而形成，故而成為於粒子內含有某程度之空隙之狀態，可使顆粒密度某程度地降低，因此有利於壓縮 成形中之搬送性。
另一方面，粉碎篩分法雖需要研究因篩分而產生之大量細粉及粗粒之處理方法，但篩分裝置等使用於半導體密封用樹脂組成物之既有生產線，因此就可直接使用以往之生產線之方面而言較佳。又，關於粉碎篩分法，就於粉碎前對熔融樹脂進行片化之時的片厚度之選擇、粉碎時之粉碎條件或篩網之選擇、篩分時之篩之選擇等用以表現本發明之粒度分佈的可獨立控制之因素多，故而用於調整所欲之粒度分佈之手段的選擇項多，就該方面而言較佳。又，關於熱切割法，例如以於擠出機之前端附加熱切割機構之程度便可直接利用以往之生產線，就該方面而言亦較佳。
作為獲得上述錠狀之樹脂組成物之方法，例如將各原料成分藉由攪拌機等混合機進行混合，進而藉由輥、捏合機或者擠出機等混練機進行加熱熔融混練，於冷卻後將粉碎物打錠成型為錠狀而獲得。
作為獲得上述片狀之樹脂組成物之方法，例如可舉製備將各原料成分或者預先混合各成分而得之樹脂組成物溶解或分散於有機溶劑等中之清漆，並於膜上進行塗佈、乾燥而形成片狀之方法。塗佈方法並無特別限定，可列舉使用如缺角輪塗佈機(comma coater)或模具塗佈機般之塗佈機之塗佈方法、如模板印刷或凹版印刷般之印刷方法等。或者，亦可藉由直接利用捏合機等將樹脂組成物混練而製備混練物，並擠出所得之混練物而形成片狀。
又，於上述實施形態中，於形成有機樹脂膜時，例舉使用顆粒狀之樹脂組成物進行壓縮成形之情形進行了說明，但亦可藉由以下之方法使用加工成片狀之有機樹脂膜形成用樹脂組成物進行壓縮成形。
藉由夾具、如吸附般之固定手段，將形成有第1金屬圖案50之基底基板10固定於壓縮成形模具之上模與下模之一者。以下，例舉以使具有形成於基底基板10上之第1金屬圖案50的面與樹脂材料供給容器相對之方式固定於壓縮成型模具的上模之情形進行說明。
其次，以成為與在固定於模具之上模的基底基板10上形成之第1金屬圖案50對應的位置之方式於模具之下模腔內配置片狀之有機樹脂膜形成用樹脂組成物。其次，於減壓下，藉由縮小模具之上模與下模之間隔，而將片狀之有機樹脂膜形成用樹脂組成物於下模腔內加熱至既定溫度，成為熔融狀態。之後，藉由使模具之上模與下模結合，對於形成在固定於上模之基底基板10上的第1金屬圖案50壓抵熔融狀態之有機樹脂膜形成用樹脂組成物。藉此，可藉由有機樹脂膜形成用樹脂組成物掩埋第1金屬圖案50，並且可於基底基板10藉由熔融狀態之有機樹脂膜形成用樹脂組成物覆蓋形成有第1金屬圖案50之面。之後，保持使模具之上模與下模結合之狀態，並且經歷既定時間使有機樹脂膜形成用樹脂組成物硬化。藉此，可形成第1有機樹脂膜200。
又，加工成片狀之有機樹脂膜形成用樹脂組成物例如亦可藉由以下之方法進行層壓。
首先，將以輥形狀準備之片狀的有機樹脂膜形成用樹脂組成物安裝於真空加壓式貼合機之捲出裝置，並連接至捲取裝置。其次，將形成有第1金屬圖案50之基底基板10搬送至隔膜(彈性膜)式貼合機部。其次，當於減壓下開始壓製時，片狀之有機樹脂膜形成用樹脂組成物被加熱至既定溫度，成為熔融狀態，之後，藉由介隔隔膜對熔融狀態之有機樹脂膜形成用 樹脂組成物進行壓製，而將其壓抵於形成在基底基板10上之第1金屬圖案50，藉此，可藉由有機樹脂膜形成用樹脂組成物掩埋第1金屬圖案50，並且可於基底基板10藉由熔融狀態之有機樹脂膜形成用樹脂組成物覆蓋形成第1金屬圖案50之面。之後，歷時既定時間使有機樹脂膜形成用樹脂組成物硬化。藉此，可形成第1有機樹脂膜200。
再者，於對有機樹脂膜形成用樹脂組成物要求更高精度之平坦性之情形時，亦可於藉由隔膜式貼合機進行之壓製後，追加利用調整至高精度的平坦壓製裝置進行之壓製步驟而成型。
又，於形成第1有機樹脂膜200時，亦可藉由以下之方法使用加工成錠狀之有機樹脂膜形成用樹脂組成物進行轉移成形。
首先，準備設置了形成有第1金屬圖案50之基底基板10之成形模具。此處準備之成形模具具備：罐，其裝入錠狀之有機樹脂膜形成用樹脂組成物；柱塞，其具備之後為了施加壓力使有機樹脂膜形成用樹脂組成物熔融而插入至罐中之補助壓頭；以及澆道，其將熔融之有機樹脂膜形成用樹脂組成物送入成形空間內。
其次，於關閉成形模具之狀態下，於罐內裝入錠狀之有機樹脂膜形成用樹脂組成物。此處，裝入罐內之有機樹脂膜形成用樹脂組成物之形態亦可預先藉由利用預熱器等進行預熱而使之成為半熔融之狀態。其次，為了使裝入罐內之有機樹脂膜形成用樹脂組成物熔融，將具備補助壓頭之柱塞插入罐中而對有機樹脂膜形成用樹脂組成物施加壓力。之後，將熔融之有機樹脂膜形成用樹脂組成物經由澆道導入至成形空間內。其次，藉由加熱加壓，對填充於成形空間內之有機樹脂膜形成用樹脂組成物進行 硬化。有機樹脂膜形成用樹脂組成物硬化之後，打開成形模具，藉此，可形成藉由有機樹脂膜形成用樹脂組成物掩埋第1金屬圖案50，並且可於基底基板10藉由熔融狀態之有機樹脂膜形成用樹脂組成物覆蓋形成有第1金屬圖案50之面的第1有機樹脂膜200。
以上，對本發明之實施形態進行了敍述，但是該等係本發明之例示，亦可採用上述以外之各種結構。
[實施例]
以下，藉由實施例及比較例對本發明進行說明，但是本發明並不限定於該等。
<實施例1>
使用根據下述表1所示之摻合量摻合各成分之有機樹脂膜形成用樹脂組成物，藉由第1及第2實施形態(參照圖1~4)所述之方法製作有機樹脂基板之後，藉由第3實施形態(參照圖5)所述之方法製作半導體裝置。
Figure 105107854-A0202-12-0027-1
上述表1所示之有機樹脂膜形成用樹脂組成物的原料成分 之中，作為二氧化矽1~3，分別使用具有以下之特性者。
‧二氧化矽1：平均粒徑d50為4μm之粒子
‧二氧化矽2：平均粒徑d50為0.5μm之粒子
‧二氧化矽3：平均粒徑d50為1.5μm之粒子
使用電測試儀，對所得之有機樹脂基板測量有機樹脂基板的各接合點之導通。其結果，實施例1之有機樹脂基板之電連接性優異。又，形成於有機樹脂基板中之有機樹脂膜的玻璃轉移溫度為170℃。又，所得之半導體裝置於高溫使用時亦不存在上述有機樹脂基板之翹曲，機械強度及電連接性優異。
<實施例2>
使用將下述表2所示之摻合量的各成分進行摻合而得之有機樹脂膜形成用樹脂組成物，藉由第1及第2實施形態(參照圖1~4)中敍述之方法製作有機樹脂基板之後，藉由第3實施形態(參照圖5)中技述之方法製作半導體裝置。再者，下述表2所示之二氧化矽1~3係使用與實施例1相同者。
Figure 105107854-A0202-12-0028-2
使用電測試儀，對所得之有機樹脂基板測量有機樹脂基板中各接合點之導通。其結果，實施例2之有機樹脂基板具有優異之電連接性。又，形成於有機樹脂基板中之有機樹脂膜的玻璃轉移溫度為170℃。又，所得之半導體裝置於高溫使用時亦不存在上述有機樹脂基板之翹曲，機械強度及電連接性優異。
該申請案以於2015年3月26日提出申請之日本申請特願2015-63717號為基礎主張優先權，其揭示之全部內容引用於本說明書中。
10‧‧‧基底基板
50‧‧‧第1金屬圖案
200‧‧‧第1有機樹脂膜
210‧‧‧絕緣性樹脂膜
220‧‧‧開口部
230‧‧‧第1導體部
300‧‧‧第2有機樹脂膜
1000‧‧‧有機樹脂基板

Claims (19)

  1. 一種有機樹脂基板之製造方法，其依序包括：於基底基板上形成第1金屬圖案之步驟；形成覆蓋該第1金屬圖案之第1有機樹脂膜之步驟；研磨該第1有機樹脂膜而將其去除，使該第1金屬圖案之上表面露出之步驟；及以與該第1金屬圖案之至少一部分接觸的方式形成第1導體部之步驟，形成該第1金屬圖案之步驟包括：於該基底基板上形成絕緣層之步驟；於該絕緣層之特定部位設置開口之步驟；以掩埋該開口之方式，於該絕緣層的整個面形成金屬鍍敷膜之步驟；及研磨該金屬鍍敷膜，去除該絕緣層上之該金屬鍍敷膜，並且藉由使該金屬鍍敷膜殘留於該開口，而形成第1金屬圖案之步驟，形成第1有機樹脂膜之該步驟包括：準備含有熱硬化性樹脂及填充材的樹脂組成物之步驟；使用該樹脂組成物而埋設該第1金屬圖案之步驟；使該樹脂組成物硬化而形成該第1有機樹脂膜之步驟，該熱硬化性樹脂含有三羥基苯基甲烷型環氧樹脂。
  2. 一種有機樹脂基板之製造方法，其依序包括：於基底基板上形成第1金屬圖案之步驟； 以與該第1金屬圖案之至少一部分接觸的方式形成第1導體部之步驟；形成覆蓋該第1金屬圖案及該第1導體部之第1有機樹脂膜之步驟；及研磨該第1有機樹脂膜而將其去除，使該第1導體部之上表面露出之步驟，形成該第1金屬圖案之步驟包括：於該基底基板上形成絕緣層之步驟；於該絕緣層之特定部位設置開口之步驟；以掩埋該開口之方式，於該絕緣層的整個面形成金屬鍍敷膜之步驟；及研磨該金屬鍍敷膜，去除該絕緣層上之該金屬鍍敷膜，並且藉由使該金屬鍍敷膜殘留於該開口，而形成第1金屬圖案之步驟，形成第1有機樹脂膜之該步驟包括：準備含有熱硬化性樹脂及填充材的樹脂組成物之步驟；使用該樹脂組成物而埋設該第1金屬圖案之步驟；使該樹脂組成物硬化而形成該第1有機樹脂膜之步驟，該熱硬化性樹脂含有三羥基苯基甲烷型環氧樹脂。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之有機樹脂基板之製造方法，其進而包括：於形成該第1導體部之步驟後去除該基底基板之步驟。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之有機樹脂基板之製造方法，其依序包括：於形成該第1導體部之步驟或使該第1導體部之上表面露出之步驟 後，以與該第1導體部接觸的方式形成第2金屬圖案之步驟；形成覆蓋該第2金屬圖案之第2有機樹脂膜之步驟；研磨該第2有機樹脂膜而將其去除，使該第2金屬圖案之上表面露出之步驟；及以與該第2金屬圖案中之至少一部分接觸的方式形成第2導體部之步驟，形成第2有機樹脂膜之該步驟包括：準備含有熱硬化性樹脂及填充材的樹脂組成物之步驟；使用該樹脂組成物而埋設該第2金屬圖案之步驟；使該樹脂組成物硬化而形成該第2有機樹脂膜之步驟，該熱硬化性樹脂含有三羥基苯基甲烷型環氧樹脂。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之有機樹脂基板之製造方法，其依序包括：於形成該第1導體部之步驟或使該第1導體部之上表面露出之步驟後，以與該第1導體部接觸的方式形成第2金屬圖案之步驟；以與該第2金屬圖案之至少一部分接觸的方式形成第2導體部之步驟；形成覆蓋該第2金屬圖案及該第2導體部之第2有機樹脂膜之步驟；及研磨該第2有機樹脂膜而將其去除，使該第2導體部之上表面露出之步驟，形成第2有機樹脂膜之該步驟包括：準備含有熱硬化性樹脂及填充材的樹脂組成物之步驟； 使用該樹脂組成物而埋設該第2金屬圖案之步驟；使該樹脂組成物硬化而形成該第2有機樹脂膜之步驟，該熱硬化性樹脂含有三羥基苯基甲烷型環氧樹脂。
  6. 如申請專利範圍第4項之有機樹脂基板之製造方法，其進而包括：於使該第2導體部之上表面露出之步驟後，去除該基底基板之步驟。
  7. 如申請專利範圍第5項之有機樹脂基板之製造方法，其進而包括：於使該第2導體部之上表面露出之步驟後，去除該基底基板之步驟。
  8. 如申請專利範圍第4項之有機樹脂基板之製造方法，其中，形成該第1有機樹脂膜之步驟或形成該第2有機樹脂膜之步驟包括：準備含有熱硬化性樹脂與填充材之樹脂組成物之步驟；藉由該樹脂組成物覆蓋該第1金屬圖案或該第2金屬圖案之步驟；及使該樹脂組成物硬化而形成該第1有機樹脂膜或該第2有機樹脂膜之步驟。
  9. 如申請專利範圍第5項之有機樹脂基板之製造方法，其中，形成該第1有機樹脂膜之步驟或形成該第2有機樹脂膜之步驟包括：準備含有熱硬化性樹脂與填充材之樹脂組成物之步驟；藉由該樹脂組成物覆蓋該第1金屬圖案或該第2金屬圖案之步驟；及使該樹脂組成物硬化而形成該第1有機樹脂膜或該第2有機樹脂膜之步驟。
  10. 如申請專利範圍第8項之有機樹脂基板之製造方法，其中，該樹脂組 成物為顆粒、板(tablet)或片(sheet)之形態。
  11. 如申請專利範圍第9項之有機樹脂基板之製造方法，其中，該樹脂組成物為顆粒、板或薄片之形態。
  12. 如申請專利範圍第8項之有機樹脂基板之製造方法，其中，該填充材之平均粒徑d50為0.1μm以上、20μm以下。
  13. 如申請專利範圍第9項之有機樹脂基板之製造方法，其中，該填充材之平均粒徑d50為0.1μm以上、20μm以下。
  14. 如申請專利範圍第8項之有機樹脂基板之製造方法，其中，該樹脂組成物含有矽烷偶合劑。
  15. 如申請專利範圍第9項之有機樹脂基板之製造方法，其中，該樹脂組成物含有矽烷偶合劑。
  16. 如申請專利範圍第4項之有機樹脂基板之製造方法，其中，該第1有機樹脂膜或該第2有機樹脂膜之玻璃轉移溫度為100℃以上、250℃以下。
  17. 如申請專利範圍第5項之有機樹脂基板之製造方法，其中，該第1有機樹脂膜或該第2有機樹脂膜之玻璃轉移溫度為100℃以上、250℃以下。
  18. 一種有機樹脂基板，其藉由申請專利範圍第1至17項中任一項之有機樹脂基板之製造方法製得，該有機樹脂膜含有氰酸酯樹脂。
  19. 一種半導體裝置，其含有申請專利範圍第18項之有機樹脂基板。
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