TWI792687B - 有機發光二極體之沈積設備 - Google Patents
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Abstract
本揭露是有關於一種有機發光二極體之沈積設備,且具體而言是有關於一種藉由利用輔助腔室獨立地維持沈積材料來縮短對沈積材料的評估時間的有機發光二極體之沈積設備。
Description
本申請案主張於2020年11月18日向韓國智慧財產局提出申請的韓國專利申請案第10-2020-0154758號的優先權及權益,所述韓國專利申請案的全部內容併入本案供參考。
本揭露是有關於一種有機發光二極體之沈積設備,且具體而言是有關於一種藉由利用輔助腔室獨立地維持(mainting)沈積材料來縮短對沈積材料的評估時間的有機發光二極體之沈積設備。
有機發光二極體(organic light emitting diode,OLED)是一種主動發光裝置,其中有機膜設置於上下分開的兩個電極之間,且當電流流過所述兩個電極時,自所述兩個電極供應的電子及空穴結合於有機膜中以產生光。此種OLED薄而輕,且具有高亮度、低功耗等性質,且用於各種領域。具體而言,OLED作為下一代顯示器已受到關注,且亦可用作發射白光及單色光的照明物(illumination)。
在製造OLED時,要求形成有機薄膜的製程及形成導體薄膜的製程,且作為此種薄膜形成製程,主要使用蒸鍍沈積。
有機薄膜主要以此種方式製成:藉由使電流流向環繞坩堝的加熱配線(heating wire)來將容納低分子有機材料的坩堝加熱,傳遞至坩堝的熱量會增加坩堝中的有機材料的溫度,且隨著有機材料的溫度增加,有機材料以氣體形式離開坩堝且沈積於基板上。在此種使用熱沈積方法的有機薄膜的製造中,已使用OLED沈積裝置。
圖1是示出現有的OLED沈積裝置的剖視圖。
當參照圖1時,現有的OLED沈積裝置具有位於上部部分上的基板S,且在下部部分上,提供用於對原材料進行加熱及蒸鍍以將原材料沈積於基板S上的OLED沈積裝置源及用於量測沈積於基板上的薄膜的厚度的厚度量測感測器。
OLED沈積裝置源由其中容置有機材料、原材料的坩堝、包繞於坩堝周圍以對坩堝進行電性加熱的加熱器件(mean)、以及包括多個噴嘴的噴嘴單元形成,所述多個噴嘴設置有噴射藉由加熱器件自坩堝蒸鍍的原材料的噴射孔。
現有的OLED沈積裝置包括一個反應腔室中的所有沈積材料,且因此,每當更換蒸鍍源時,腔室中的真空狀態被排出,新的蒸鍍材料被放置,且腔室內部再次處於真空狀態以進行虛擬製程(dummy process),此會導致沈積時間及評估時間花費長的問題。
據以,已需要改善有機發光二極體之沈積設備,所述有機發光二極體之沈積設備能夠對所有沈積材料中的一些沈積材料進行評估或縮短沈積時間。
[技術問題]
已鑒於以上所述做出本揭露,且本揭露旨在提供一種有機發光二極體之沈積設備,所述有機發光二極體之沈積設備藉由包括多個輔助腔室來縮短當對沈積材料進行局部沈積時對沈積材料的評估時間,所述多個輔助腔室包括沈積材料且能夠獨立地進行維持。
[技術解決方案]
根據本揭露一個實施例的一種有機發光二極體之沈積設備,所述沈積設備包括:主腔室,對材料進行沈積及評估;輔助腔室,連接至所述主腔室,且待沈積的沈積材料被裝載至所述輔助腔室中;以及加熱單元,將被裝載至所述輔助腔室中的所述沈積材料加熱。
在一個實施例中,包括連接所述輔助腔室與所述加熱單元的波紋管。
在一個實施例中,所述輔助腔室包括將所述沈積材料裝載至所述主腔室的單元格(cell)中的裝載單元。
在一個實施例中,所述裝載單元更包括控制所述沈積材料的移動的閘閥。
在一個實施例中,更包括使所述輔助腔室內部處於真空狀態的真空單元。
在一個實施例中,所述輔助腔室被放置於所述主腔室下面。
在一個實施例中,所述輔助腔室在一個側上包括用於裝載及卸載所述沈積材料的打開/關閉單元。
在一個實施例中,所述打開/關閉單元更包括用於維持所述輔助腔室內部的氣氛的壓縮構件。
在一個實施例中,所述輔助腔室及所述加熱單元是能夠移動的。
在一個實施例中,更包括對所述波紋管進行壓縮及減壓的馬達。
[有利效果]
根據本揭露,當藉由包括多個輔助腔室來對沈積材料進行局部沈積時,獲得縮短對沈積材料的評估時間的效果,所述多個輔助腔室包括沈積材料且能夠獨立地進行維持。
對本揭露的詳細說明是為了向熟習此項技術者全面闡述本揭露。在說明書通篇中,對「包括」某一組成部分(constituent)或由某一結構及形狀「表徵(characterized)」的某一部件的說明不排除其他組成部分或不排除其他結構及形狀(且除非特別指出相反的情況),以及能夠包括其他組成部分、結構及形狀的器件。
本揭露可進行各種修改且可具有各種實施例,且因此,將在詳細說明中提供並詳細闡述特定實施例。然而,此並不是為了藉由實施例來限制本揭露的內容,而是需要被解釋成包括包含在本揭露的思想及技術範圍中的所有修改、等效範圍及替代物。
圖2是示出根據本揭露一個實施例的有機發光二極體之沈積設備100的立體圖,圖3是圖2所示部分A的放大立體圖,圖4的(a)是示出在操作加熱單元之前的輔助腔室20、加熱單元30及波紋管40的剖視圖,且圖4的(b)是示出當操作加熱單元30時的輔助腔室20及加熱單元30的剖視圖。
根據本揭露的有機發光二極體之沈積設備100包括主腔室10及沈積源A。在本文中,沈積源A包括輔助腔室20、加熱單元30及波紋管40,且沈積材料被獨立地分開。
主腔室10是在基板上對沈積材料進行沈積的構造,且可包括上面放置基板的基板支架。主腔室10被較佳地設置成使內部處於真空狀態的氣氛,以便在基板上對沈積材料進行沈積。據以,主腔室10可藉由真空/大氣壓控制閥單獨管理真空氣氛。
主腔室10可包括多個單元格(未示出)。單元格可連接至輔助腔室20的裝載單元21且將沈積材料裝載至主腔室10中。
輔助腔室20是連接至主腔室10且裝載沈積材料以進行沈積的構造。據以,輔助腔室20中可包括裝載沈積材料的容器,且輔助腔室20可放置於主腔室10下面。
輔助腔室20可獨立地進行維持,以便將沈積材料裝載至主腔室10的單元格中。換言之,根據本揭露的有機發光二極體之沈積設備100能夠藉由輔助腔室20獨立地維持一種沈積材料。在本文中,所述維持是用於進行虛擬製程的製程,且意指排出輔助腔室20的真空狀態,然後放置蒸鍍材料,在輔助腔室20內部再次形成真空狀態,且然後進行虛擬製程。虛擬製程意指將輔助腔室20加熱以移除輔助腔室20內部的雜質,使真空度穩定且對沈積材料進行蒸鍍。
據以,輔助腔室20可包括裝載單元21(LTC),以便將沈積材料裝載至主腔室10的單元格中。裝載單元21是連接輔助腔室20與主腔室10的構造,且可放置於輔助腔室20上方。換言之,裝載單元21可結合至主腔室10的單元格且將沈積材料裝載至主腔室10中。
在一個實施例中,裝載單元21可設置於兩個層階(level)中。在本文中,當插入至內部的一部分是裝載單元21中的所述兩個層階中的第二層階21a時,當主腔室10與輔助腔室20不連接時,僅第一層階21b可設置於裝載單元21中。藉由在進行虛擬製程時突出且插入至主腔室10的單元格中的第二層階21a,裝載單元21可連接主腔室10與輔助腔室20。
輔助腔室20可更包括閘閥22,用於控制移動經過裝載單元21的沈積材料。另外,閘閥22可將輔助腔室20內部的氣氛與主腔室10內部的氣氛分開。
閘閥22可放置於裝載單元21的中間中。閘閥22較佳地在裝載單元21連接至主腔室10的單元格之前關閉。
輔助腔室20可在一個側上更包括打開/關閉單元23,用於裝載及卸載沈積材料。換言之,沈積材料可經由打開/關閉單元23進入及離開輔助腔室20,且沈積材料可被更換於輔助腔室20中的容器中。
另外,打開/關閉單元23可更包括壓縮構件(未示出),以便維持輔助腔室內部的氣氛。壓縮構件可放置於其中輔助腔室20與打開/關閉單元23彼此接觸的表面上。
在將沈積材料裝載至輔助腔室20的容器中之後,輔助腔室20內部形成的氣氛需要與主腔室10內部的氣氛相同。據以,輔助腔室20可更包括使內部處於真空狀態的真空單元24。根據本揭露的有機發光二極體之沈積設備100更包括位於輔助腔室20與真空單元24之間的真空閥25,以維持輔助腔室20內部的氣氛且控制真空單元24。
加熱單元30是將裝載至輔助腔室20中的沈積材料加熱的構造。加熱單元30將輔助腔室20加熱至設定溫度,以使輔助腔室20內部的真空氣氛穩定,且可對沈積材料進行蒸鍍。
加熱單元30可上下移動,以有效地將所產生的熱量傳遞至輔助腔室20或停止虛擬製程。
在本文中,根據本揭露的有機發光二極體之沈積設備100可更包括連接輔助腔室20與加熱單元30的波紋管40。波紋管40可藉由壓縮及拉伸而向上/向下移動加熱單元30。加熱單元30中產生的熱量可藉由波紋管40傳遞至輔助腔室20。
在一個實施例中,在根據本揭露的有機發光二極體之沈積設備100中,當波紋管40被壓縮且加熱單元30朝向輔助腔室20移動時,裝載單元21的第二層階可突出以連接至主腔室10的單元格。在本文中,裝載單元21可藉由加熱單元30中加熱的熱量及壓力朝向主腔室10突出。
另外,根據本揭露的有機發光二極體之沈積設備100可更包括馬達(未示出),以便對波紋管40進行壓縮及減壓。
根據本揭露的有機發光二極體之沈積設備100可包括輔助腔室20及加熱單元30中的一或多者。舉例而言,當沈積三種沈積材料時,所述三種不同的沈積材料可各自被裝載至三個輔助腔室20中以進行維持。
在另一實施例中,輔助腔室20及加熱單元30是可移動的。在本文中,有機發光二極體之沈積設備100可更包括位於主腔室10下面的能夠支撐輔助腔室20及加熱單元30的支撐單元以及引導移動路徑的軌條,且輔助腔室20及加熱單元30可沿著主腔室10的單元格的位置移動。
已參照較佳實施例闡述本揭露,然而,熟習此項技術者可理解,在不背離所附申請專利範圍中闡述的本揭露的思想及範疇的範圍內,可對本揭露進行各種修改及改變。
10:主腔室
20:輔助腔室
21:裝載單元
21a:第二層階
21b:第一層階
22:閘閥
23:打開/關閉單元
24:真空單元
25:真空閥
30:加熱單元
40:波紋管
100:沈積設備
A:沈積源/部分
S:基板
圖1是示出現有的OLED沈積裝置的剖視圖。
圖2是示出根據本揭露一個實施例的有機發光二極體之沈積設備的立體圖。
圖3是圖2所示部分A的放大立體圖。
圖4的(a)是示出在操作加熱單元之前的輔助腔室、加熱單元及波紋管的剖視圖,且圖4的(b)是示出當操作加熱單元時的輔助腔室及加熱單元的剖視圖。
10:主腔室
100:沈積設備
A:沈積源/部分
Claims (10)
- 一種有機發光二極體之沈積設備,所述沈積設備包括:主腔室,對材料進行沈積及評估;輔助腔室,連接至所述主腔室,且待沈積的沈積材料被裝載至所述輔助腔室中,且所述沈積材料在所述輔助腔室中被蒸鍍;以及加熱單元,將被裝載至所述輔助腔室中的所述沈積材料加熱。
- 如請求項1所述的有機發光二極體之沈積設備,更包括連接所述輔助腔室與所述加熱單元的波紋管。
- 如請求項1所述的有機發光二極體之沈積設備,其中所述輔助腔室包括將所述沈積材料裝載至所述主腔室的單元格中的裝載單元。
- 如請求項3所述的有機發光二極體之沈積設備,其中所述裝載單元更包括控制所述沈積材料的移動的閘閥。
- 如請求項1所述的有機發光二極體之沈積設備,更包括使所述輔助腔室內部處於真空狀態的真空單元。
- 如請求項1所述的有機發光二極體之沈積設備,其中所述輔助腔室被放置於所述主腔室下面。
- 如請求項1所述的有機發光二極體之沈積設備,其中所述輔助腔室在一個側上包括用於裝載及卸載所述沈積材料的打開/關閉單元。
- 如請求項7所述的有機發光二極體之沈積設備,其中所述打開/關閉單元更包括用於維持所述輔助腔室內部的氣氛的壓縮構件。
- 如請求項1所述的有機發光二極體之沈積設備,其中所述輔助腔室及所述加熱單元是能夠移動的。
- 如請求項2所述的有機發光二極體之沈積設備,更包括對所述波紋管進行壓縮及減壓的馬達。
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---|---|---|---|---|
TW201522681A (zh) * | 2013-12-06 | 2015-06-16 | Applied Materials Inc | 沉積配置、沉積設備及其操作方法 |
TW201842224A (zh) * | 2017-04-11 | 2018-12-01 | 德商克瑞菲斯股份有限公司 | 鍍膜裝置以及用於在真空下於基板上進行反應性氣相沉積的方法 |
TW202033797A (zh) * | 2018-10-23 | 2020-09-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於坩鍋之自動替換的蒸發源及具有其之蒸發沈積系統 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3452617B2 (ja) * | 1993-12-10 | 2003-09-29 | 真空冶金株式会社 | ガスデポジション装置 |
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KR100958778B1 (ko) * | 2004-10-22 | 2010-05-18 | 황창훈 | 유기 박막 증착 공정용 증발원 연속 공급장치 |
EP2168643A1 (en) * | 2008-09-29 | 2010-03-31 | Applied Materials, Inc. | Evaporator for organic materials |
JP5298189B2 (ja) * | 2009-12-18 | 2013-09-25 | 平田機工株式会社 | 真空蒸着方法及び装置 |
TWI564427B (zh) * | 2009-12-18 | 2017-01-01 | 財團法人工業技術研究院 | 聚對二甲苯薄膜的形成方法 |
KR20160133589A (ko) | 2015-05-12 | 2016-11-23 | 주식회사 파인에바 | 선형 증발 증착 장치 |
KR102107288B1 (ko) * | 2017-01-02 | 2020-05-06 | 황창훈 | 프레임드 대면적 면증발원 장치 |
-
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-
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- 2021-11-17 WO PCT/KR2021/016862 patent/WO2022108326A1/ko unknown
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201522681A (zh) * | 2013-12-06 | 2015-06-16 | Applied Materials Inc | 沉積配置、沉積設備及其操作方法 |
TW201842224A (zh) * | 2017-04-11 | 2018-12-01 | 德商克瑞菲斯股份有限公司 | 鍍膜裝置以及用於在真空下於基板上進行反應性氣相沉積的方法 |
TW202033797A (zh) * | 2018-10-23 | 2020-09-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於坩鍋之自動替換的蒸發源及具有其之蒸發沈積系統 |
Also Published As
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