TWI791752B - 基板處理裝置、基板處理方法、及記憶媒體 - Google Patents

Abstract

[課題]高精度界定熱處理中產生溫度異常之區域。 [解決手段]熱處理單元(U2)具備：將晶圓(W)載置，並且對晶圓(W)供給熱的熱板(34)；對熱板(34)進行加熱的加熱器(38)；和熱板(34)之複數個通道對應而設置，對熱板(34)之溫度進行測定的複數個溫度感測器(39a~39g)；及控制器(100)；控制器(100)構成為執行：按複數個通道之每一個算出溫度感測器(39)之表示溫度與和加熱器(38)之設定對應的理想溫度間之差異亦即溫度偏移量，並對該溫度偏移量是否在規定之帶寬內進行判斷；及若存在溫度偏移量不在帶寬內的通道之情況下，將該通道界定為異常區域。

Description

基板處理裝置、基板處理方法、及記憶媒體

本揭示關於基板處理裝置、基板處理方法、及記憶媒體。

在藉由熱板對基板賦予熱的熱處理中，將熱板之溫度維持於規定之目標溫度為重要者。例如專利文獻1記載的技術中，設置對加熱構件(相當於上述熱板)之溫度進行檢測的溫度感測器，藉由該溫度感測器檢測出加熱構件之溫度異常，檢測不良情況之發生。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]特開2017-65126號公報

[發明所欲解決之課題]

作為進行熱處理之構成，例如可以考慮熱板按複數個通道(區域)之每一個分別被調溫器加熱而對基板賦予熱的構成。在這樣的構成中，藉由溫度感測器檢測出溫度異常之情況下，藉由在熱板之那一通道(區域)產生的不良情況可以界定溫度異常之產生。

本揭示有鑑於上述實情，目的為在熱處理中產生溫度異常之情況下，可以高精度界定引起該溫度異常的不良情況之產生區域。 [解決課題之手段]

本揭示之一態樣的基板處理裝置，係具備：熱板，用於載置基板，並且對基板賦予熱；調溫器，對熱板進行加熱；複數個溫度感測器，與熱板之複數個區域對應而設置，對熱板之溫度進行測定；及控制部；控制部構成為執行以下：按複數個區域之每一個算出溫度感測器之測定溫度與和調溫器之設定對應的理想溫度間之差異亦即溫度偏移量，且對該溫度偏移量是否在規定之正常範圍內進行判斷，及依據判斷結果對異常區域進行界定。

本揭示之一態樣的基板處理裝置中，與熱板之複數個區域對應分別設置溫度感測器。按複數個區域之每一個判斷測定溫度與理想溫度之差異亦即溫度偏移量是否在正常範圍內，依據該判斷之結果來界定異常區域。如此般，按複數個區域之每一個設置溫度感測器，按複數個區域之每一個判斷溫度偏移量是否在正常範圍內，藉由將該判斷結果使用於異常區域之界定，則可以考慮複數個區域各別的溫度狀況(溫度異常之產生有無等)而對異常區域進行界定。藉由考慮各區域之溫度狀況，例如和全體僅使用1個溫度感測器之情況比較，對於引起溫度異常的異常區域(不良情況之產生區域)可以進行高精度界定。亦即，依據本揭示之基板處理裝置，在熱處理中產生溫度異常之情況下，可以高精度界定引起該溫度異常的不良情況之產生區域。

控制部考慮溫度偏移量不在正常範圍內的區域之溫度偏移量，及溫度偏移量在正常範圍內的區域之溫度偏移量之雙方，而對異常區域進行界定亦可。例如考慮2個區域之中一方之區域之測定溫度高於另一方之區域之測定溫度，判斷僅一方之區域之溫度偏移量不在正常範圍內之情況。該情況下，例如推定2個區域之其中一方的實際溫度比正常時降低。若上述另一方之區域(判斷為溫度偏移量在正常範圍內的區域)中實際溫度降低，則另一方之區域之溫度偏移量在正常範圍內，另一方之區域之熱影響不會過度影響一方之區域，以一方之區域之溫度偏移量成為正常範圍內的方式適當地進行基於調溫器之控制，因此上述狀態(僅一方之區域之溫度偏移量不在正常範圍內的狀態)下可以考慮為不穩定。因此，可以考慮為在另一方之區域中實際溫度未降低。另一方面，假設一方之區域(判斷為溫度偏移量不在正常範圍內的區域)中實際溫度降低時，即使進行與一方之區域之測定溫度對應而應降低一方之區域之溫度的基於調溫器之控制之情況下(將與一方之區域對應的調溫器之輸出例如設為零(0)之情況下)，因為受到另一方之區域之熱影響而使實際溫度向上拉升，與該向上拉升量對應地測定溫度亦上升，溫度偏移量不在正常範圍內的狀態繼續著。因此，實際溫度降低之狀況下若判斷一方之區域之溫度偏移量不在正常範圍內，判斷另一方之區域之溫度偏移量在正常範圍內之情況下，一方之區域中實際溫度降低，可以將該一方之區域界定為異常區域。如此般，藉由考慮溫度偏移量不在正常範圍內的區域之溫度偏移量及正常範圍內的區域之溫度偏移量，可以適當地界定異常區域。

控制部考慮與複數個區域分別對應的調溫器之輸出量，而對異常區域進行界定亦可。例如針對異常區域進行了溫度控制之情況下，有可能該溫度控制之影響亦波及異常區域以外之區域，及使異常區域以外之區域之溫度偏移量成為正常範圍外之情況。關於異常區域以外之溫度偏移量成為正常範圍外之情況下，若僅單獨藉由溫度偏移量並無法界定異常區域。於此，調溫器之輸出量係與熱板之實際溫度對應地變化。因此，藉由控制部考慮調溫器之輸出量而對異常區域進行界定，可以適當地界定實際溫度變化較大的區域(亦即異常區域)。亦即，藉由考慮輸出量而對異常區域進行界定，可以更高精度對產生溫度異常的區域進行界定。

在複數個區域存在有輸出量與正常時之差量成為規定值以上之區域之情況下，控制部將該區域界定為異常區域，不存在之情況下，將溫度偏移量不在正常範圍內的區域界定為異常區域亦可。

例如基於溫度感測器之不良情況等之理由而作為溫度感測器之測定溫度偏離熱板之實際溫度之態樣，可以考慮為測定溫度高於實際溫度之狀況(測定溫度上升狀況)，及測定溫度低於實際溫度之狀況(測定溫度降低狀況)。測定溫度上升狀況下，依據該測定溫度使調溫器之設定變更(朝降低溫度之方向變更)，而成為該調溫器降低對應的區域(測定溫度上升區域)之測定溫度及實際溫度。測定溫度上升區域中的實際溫度降低之影響亦波及其他區域，導致其他區域之測定溫度及實際溫度亦稍許(按較測定溫度上升區域小的幅度)降低。如此般，測定溫度上升狀況下，相較於其他區域，測定溫度上升區域中的測定溫度變高，而且，實際溫度降低輸出量變小。測定溫度上升狀況下，測定溫度上升區域及其他區域之任一都會實際溫度降低且輸出量變小，因此在複數個區域中不存在與正常時之輸出量之差量變大的區域。而且，實際溫度比其他區域降低而成為異常區域的測定溫度上升區域，相較於其他區域其測定溫度變高溫度偏移量較大。基於以上之緣故，不存在與正常時之輸出量之差量變大的區域之情況下，藉由將溫度偏移量較大的(不在正常範圍內)區域界定為異常區域，可以高精度界定產生溫度異常之區域。又，測定溫度降低狀況下，若依據該測定溫度變更調溫器之設定(變更為上升溫度之方向)，則與該調溫器對應的區域(測定溫度降低區域)之測定溫度及實際溫度上升。測定溫度降低區域中的實際溫度上升之影響亦波及其他區域，其他區域之測定溫度及實際溫度亦稍許(以比測定溫度降低區域較小的幅度)上升。如此般，測定溫度降低狀況下，相較於其他區域，測定溫度降低區域中的測定溫度變低，而且，實際溫度上升，輸出量變大。測定溫度降低狀況下，可能成為異常區域的測定溫度降低區域之輸出量和其他區域比較突出而變大。而且，其他區域之測定溫度比起測定溫度降低區域高(亦即溫度偏移量較大)。基於以上，因此存在輸出量之差量變大的區域之情況下，並非以溫度偏移量較大區域而是以與正常時之輸出量之差量變大的區域作為異常區域來進行界定，據此，可以高精度界定產生溫度異常之區域。

在熱板之溫度成為恆定狀態之後，控制部開始進行溫度偏移量是否在正常範圍內之判斷亦可。據此，在從調溫器意圖變化施加於熱板的輸出量之升溫控制時之過渡期等不進行溫度偏移量之判斷，可以將異常區域之界定限定於必要的期間(恆定狀態之期間)而進行異常區域之界定的處理。

控制部將正常範圍設定成為比起作為正常運轉的熱板之恆定狀態中的測定溫度與理想溫度之差異而可能變動的範圍更廣亦可。據此，例如在到達恆定狀態後之裝置運轉中基板被搬入時等之正常的運轉狀態但測定溫度較大變動之狀態中，可以防止判斷為溫度偏移量不在正常範圍內。亦即，藉由上述控制可以防止妨礙到正常的製程。

調溫器構成為與事先設定的指令溫度對應地對複數個區域進行加熱，控制部可以構成為，藉由變更與異常區域相關的指令溫度，進一步執行以使該異常區域之溫度偏移量成為正常範圍內的方式進行補正控制。藉由變更設定於調溫器的指令溫度，可以簡單且適當地補正異常區域之溫度偏移量。

控制部，在指令溫度之變更後，在和異常區域相關的調溫器之輸出量與和正常時之指令溫度對應的調溫器之輸出量間之差異成為小於規定值的第1狀態為止，重複進行指令溫度之變更亦可。例如部分斷開的溫度感測器之測定溫度偏離熱板之實際溫度之情況下，可以考慮為溫度感測器之測定溫度不正確。即使在這樣之情況下，亦判斷和實際溫度對應的輸出量是否正常，不正常之情況下藉由重複進行變更指令溫度之處理，可以不受溫度感測器之測定溫度之正確性影響而對溫度異常進行補正。

控制部，在成為第1狀態之後，依據異常區域之測定溫度判斷可否繼續以後之處理亦可。成為第1狀態且溫度異常被補正之後(亦即實際溫度為正確之狀態)，對成為異常區域的區域之溫度感測器之測定溫度是否正確進行判斷，據此，可以適當地判斷可否繼續使用該溫度感測器進行處理。

控制部在熱板之溫度為恆定狀態之期間繼續進行溫度偏移量是否在正常範圍內之判斷亦可。藉由在恆定狀態之期間繼續進行異常區域之檢測，如此，則不需要異常區域之檢測之専用動作，在不影響通常之裝置運轉配方(recipe)之情況下可以進行異常區域之檢測。

本揭示之一態樣的基板處理方法，包含：算出對基板賦予熱的熱板之複數個區域之測定溫度與該複數個區域之理想溫度間之差異亦即溫度偏移量，並對該溫度偏移量是否在規定之正常範圍內進行判斷的工程；及依據判斷結果對異常區域進行界定的工程。

在對異常區域進行界定的工程中，可以考慮溫度偏移量不在正常範圍內的區域之溫度偏移量，及溫度偏移量在正常範圍內的區域之溫度偏移量之雙方，對異常區域進行界定。

在對異常區域進行界定的工程中，可以考慮與複數個區域分別對應的調溫器之輸出量，對異常區域進行界定。

在對異常區域進行界定的工程中，若複數個區域中存在輸出量與正常時之差量為規定值以上之區域之情況下，將該區域界定為異常區域，不存在之情況下，將溫度偏移量不在正常範圍內的區域界定為異常區域亦可。

在熱板之溫度成為恆定狀態之後，開始進行判斷的工程亦可。

將正常範圍設定成為比正常運轉的熱板之恆定狀態中的作為測定溫度與理想溫度間之差異而可能變動的範圍更廣，而執行判斷的工程亦可。

上述基板處理方法，進一步包含：藉由變更對熱板進行加熱的調溫器之指令溫度，以使異常區域之溫度偏移量成為正常範圍內的方式進行補正控制的工程亦可。

進行補正控制的工程中，在指令溫度之變更後，在成為和異常區域相關的調溫器之輸出量，與正常時之指令溫度所對應的調溫器之輸出量之差異小於規定值的第1狀態為止，重複進行指令溫度之變更亦可。

進行補正控制的工程中，在成為第1狀態之後，依據異常區域之測定溫度判斷可否繼續以後之處理亦可。

在熱板之溫度為恆定狀態之期間，繼續執行判斷的工程亦可。

本揭示之一態樣的電腦可以讀取的媒體，係記憶有使裝置執行上述基板處理方法之程式。 [發明效果]

依據本揭示的基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體，熱處理中產生溫度異常之情況下，可以高精度界定引起該溫度異常的不良情況之產生區域。

以下，參照圖面詳細說明實施形態。說明中，同一要素或具有同一功能的要素附加同一符號，並省略重複說明。

[基板處理系統] 基板處理系統1係對基板實施感光性被膜之形成、該感光性被膜之露光、及該感光性被膜之顯像的系統。處理對象之基板例如為半導體之晶圓W。感光性被膜例如為阻劑膜。

基板處理系統1具備塗布･顯像裝置2與曝光裝置3。曝光裝置3進行形成於晶圓W上的阻劑膜之曝光處理。具體言之，藉由液浸曝光等之方法對阻劑膜之曝光對象部分照射能量線。塗布･顯像裝置2，係在曝光裝置3進行曝光處理之前，在晶圓W之表面進行阻劑膜之形成之處理，曝光處理後進行阻劑膜之顯像處理。

(塗布･顯像裝置) 以下，作為基板處理裝置之一例對塗布･顯像裝置2之構成進行說明。如圖1~圖3所示，塗布･顯像裝置2具備：晶圓盒區塊4；處理區塊5；介面區塊6；及控制器100。

晶圓盒區塊4係進行對塗布･顯像裝置2內之晶圓W之導入及來自塗布･顯像裝置2內之晶圓W之導出。例如晶圓盒區塊4可以支撐晶圓W用之複數個晶圓盒11，內建有交接臂部A1。晶圓盒11例如收納圓形之複數片晶圓W。交接臂部A1係從晶圓盒11將晶圓W取出並傳遞至處理區塊5，從處理區塊5受取晶圓W並返回至晶圓盒11內。

處理區塊5具有複數個處理模組14、15、16、17。如圖2及圖3所示，處理模組14、15、16、17內建有複數個液處理單元U1、複數個熱處理單元U2、及對彼等單元進行晶圓W之搬送的搬送臂部A3。處理模組17進一步內建有不經由液處理單元U1及熱處理單元U2而進行晶圓W之搬送的直接搬送臂部A6。液處理單元U1將處理液塗布於晶圓W之表面。熱處理單元U2例如內建有熱板及冷卻板，藉由熱板對晶圓W進行加熱，加熱後之晶圓W經由冷卻板冷卻而進行熱處理。

處理模組14係藉由液處理單元U1及熱處理單元U2在晶圓W之表面上形成下層膜。處理模組14之液處理單元U1係將下層膜形成用之處理液塗布於晶圓W上。處理模組14之熱處理單元U2係進行伴隨下層膜之形成的各種熱處理。

處理模組15係藉由液處理單元U1及熱處理單元U2在下層膜上形成阻劑膜。處理模組15之液處理單元U1係將阻劑膜形成用之處理液(塗布液)塗布於下層膜之上。處理模組15之熱處理單元U2係進行伴隨阻劑膜之形成的各種熱處理。處理模組15之液處理單元U1之詳細如後述。

處理模組16係藉由液處理單元U1及熱處理單元U2在阻劑膜上形成上層膜。處理模組16之液處理單元U1係將上層膜形成用之處理液塗布於阻劑膜之上。處理模組16之熱處理單元U2係進行伴隨上層膜之形成的各種熱處理。

處理模組17係藉由液處理單元U1及熱處理單元U2進行曝光後之阻劑膜之顯像處理。處理模組17之液處理單元U1係在曝光完成之晶圓W之表面上塗布顯像用之處理液(顯像液)之後，藉由洗淨用之處理液(沖洗液)將其沖洗掉，進行阻劑膜之顯像處理。處理模組17之熱處理單元U2係進行伴隨顯像處理的各種熱處理。作為熱處理之具體例，可以舉出顯像處理前之加熱處理(PEB：Post Exposure Bake)、顯像處理後之加熱處理(PB：Post Bake)等。

在處理區塊5內的晶圓盒區塊4側設置有貨架單元U10。貨架單元U10被劃分為上下方向並列的複數個隔室。貨架單元U10之附近設置有升降臂部A7。升降臂部A7在貨架單元U10之隔室彼此之間升降晶圓W。在處理區塊5內的介面區塊6側設置有貨架單元U11。貨架單元U11被劃分為上下方向並列的複數個隔室。

介面區塊6係在與曝光裝置3之間進行晶圓W之交接。例如介面區塊6內建有交接臂部A8，連接於曝光裝置3。交接臂部A8，係將配置於貨架單元U11的晶圓W交接至曝光裝置3，並從曝光裝置3受取晶圓W使返回貨架單元U11。

控制器100例如以依據以下之順序執行塗布･顯像處理的方式對塗布･顯像裝置2進行控制。

首先，控制器100以使晶圓盒11內之晶圓W搬送至貨架單元U10的方式對交接臂部A1進行控制，使該晶圓W配置於處理模組14用之隔室的方式對升降臂部A7進行控制。

接著，控制器100以使貨架單元U10之晶圓W搬送至處理模組14內之液處理單元U1及熱處理單元U2的方式對搬送臂部A3進行控制，以在該晶圓W之表面上形成下層膜之的方式對液處理單元U1及熱處理單元U2進行控制。之後，控制器100以使形成有下層膜的晶圓W返回貨架單元U10的方式對搬送臂部A3進行控制，以使該晶圓W配置於處理模組15用之隔室的方式對升降臂部A7進行控制。

接著，控制器100以使貨架單元U10之晶圓W搬送至處理模組15內之液處理單元U1及熱處理單元U2的方式對搬送臂部A3進行控制，以在該晶圓W之下層膜上形成阻劑膜的方式對液處理單元U1及熱處理單元U2進行控制。之後，控制器100以使晶圓W返回貨架單元U10的方式對搬送臂部A3進行控制，以使該晶圓W配置於處理模組16用之隔室的方式對升降臂部A7進行控制。

接著，控制器100以使貨架單元U10之晶圓W搬送至處理模組16內之各單元的方式對搬送臂部A3進行控制，以在該晶圓W之阻劑膜上形成上層膜的方式對液處理單元U1及熱處理單元U2進行控制。之後，控制器100以使晶圓W返回貨架單元U10的方式對搬送臂部A3進行控制，以使該晶圓W配置於處理模組17用之隔室的方式對升降臂部A7進行控制。

接著，控制器100以使貨架單元U10之晶圓W搬送至貨架單元U11的方式對直接搬送臂部A6進行控制，以使該晶圓W輸送至曝光裝置3的方式對交接臂部A8進行控制。之後，控制器100從曝光裝置3受取已實施曝光處理之晶圓W並使返回貨架單元U11的方式對交接臂部A8進行控制。

接著，控制器100以使貨架單元U11之晶圓W搬送至處理模組17內之各單元的方式對搬送臂部A3進行控制，以在該晶圓W之阻劑膜實施顯像處理的方式對液處理單元U1及熱處理單元U2進行控制。之後，控制器100以使晶圓W返回貨架單元U10的方式對搬送臂部A3進行控制，以使該晶圓W返回晶圓盒11內的方式對升降臂部A7及交接臂部A1進行控制。藉由以上結束塗布･顯像處理。

又，基板處理裝置之具體的構成不限定於以上示出之塗布･顯像裝置2之構成。基板處理裝置只要具備被膜形成用之液處理單元U1(處理模組14、15、16之液處理單元U1)，及可以對其進行控制的控制器100即可，可為任一者。

[熱處理單元] 接著，對處理模組15之熱處理單元U2詳細進行說明。如圖4所示，熱處理單元U2具備框體90；加熱機構30；溫度調整機構50；及控制器100(控制部)。

框體90係收納加熱機構30及溫度調整機構50的處理容器。於框體90之側壁設置有晶圓W之搬入口91。又，於框體90內設置有將框體90內劃分為晶圓W之移動區域亦即上方區域與下方區域的床板92。

加熱機構30構成為對晶圓W進行加熱處理。加熱機構30具備支撐台31；天板部32；升降機構33；熱板34；支撐銷35；升降機構36；排氣管37；加熱器38(調溫器)；溫度感測器39(詳細為複數個溫度感測器39a~39g(參照圖5))。

支撐台31為在中央部分形成有凹部的呈圓筒形狀的構件。支撐台31對熱板34進行支撐。天板部32係和支撐台31相同程度之直徑之圓板狀之構件。天板部32例如在被框體90之天井部分支撐的狀態下，與支撐台31隔著間隙對置。於天板部32之上部連接有排氣管37。排氣管37進行腔室內之排氣。

升降機構33構成為對應於控制器100之控制使天板部32升降。藉由升降機構33使天板部32上升，據此，進行晶圓W之加熱處理的空間亦即腔室成為開啟之狀態，藉由天板部32之下降，腔室成為關閉之狀態。

熱板34，係呈圓形狀的平板(參照圖5)，嵌合於支撐台31之凹部。熱板34，用於載置晶圓W，並且對該晶圓W供給熱。熱板34經由加熱器38加熱。熱板34按複數個通道(區域)之每一個被加熱器38進行加熱。於熱板34之內部設置有按上述複數個通道之每一個來測定熱板34之溫度而構成的複數個溫度感測器39a~39g(參照圖5)。

加熱器38係對熱板34進行加熱的調溫器。加熱器38例如由電阻發熱體構成。加熱器38構成為與被控制器100設定的指令溫度對應地對熱板34之複數個通道進行加熱。亦即，於加熱器38按複數個通道之每一個設定有指令溫度。各通道之指令溫度可以藉由控制器100個別變更。加熱器38係按與熱板34之實際溫度對應的輸出量對熱板34進行加熱。

複數個溫度感測器39a~39g分別和熱板34之複數個通道(區域)呈一對一對應而設置，對對應的通道中的熱板34之溫度進行測定。複數個溫度感測器39a~39g可以設置於熱板34之內部，或設置於熱板34之下面。圖5係表示熱板34中的複數個溫度感測器39a~39g之配置之一例的模式圖。圖5所示例中，在呈圓形狀的熱板34之中心附近設置有溫度感測器39a，在熱板34之外緣附近沿周方向按大致等間隔設置有4個溫度感測器39d、39e、39f、39g，在直徑方向中的溫度感測器39a與溫度感測器39d之間設置有溫度感測器39b，在直徑方向中的溫度感測器39a與溫度感測器39f之間設置有溫度感測器39c。

支撐銷35為以貫穿支撐台31及熱板34的方式延伸而將晶圓W從下方進行支撐的構件。支撐銷35，藉由沿著上下方向升降，而將晶圓W配置於規定之位置。支撐銷35構成為在與進行晶圓W之搬送的溫度調整板51之間進行晶圓W之交接。支撐銷35例如在周方向等間隔地設置3個。升降機構36構成為與控制器100之控制對應地使支撐銷35升降。

溫度調整機構50構成為，在熱板34與外部之搬送臂部A3(圖3)之間進行晶圓W之交接(搬送)，並且將晶圓W之溫度調整為規定溫度。溫度調整機構50具有溫度調整板51及連結支架52。

溫度調整板51係進行載置的晶圓W之溫度調整的板，詳細言之，將經由熱板34加熱的晶圓W進行載置並使該晶圓W冷卻至規定溫度的板。溫度調整板51例如由高熱傳導率的鋁、銀或銅等之金屬構成，就防止熱變形之觀點等而言以由同一材料構成為較佳。於溫度調整板51之內部形成有使冷卻水及(或)冷卻氣體流通之冷卻流路(未圖示)。

連結支架52，係連結於溫度調整板51，並且，經由被控制器100控制的驅動機構53進行驅動，在框體90內移動。更詳細言之，連結支架52設為可以沿著從框體90之搬入口91至加熱機構30之附近為止延伸的導引軌條(未圖示)移動。藉由連結支架52沿著導引軌條(未圖示)移動，使溫度調整板51成為可以從搬入口91至加熱機構30為止進行移動。連結支架52例如由高熱傳導率的鋁、銀或銅等之金屬構成。

控制器100構成為執行，按熱板34之複數個通道之每一個，算出溫度感測器39之表示溫度(溫度感測器39所測定的測定溫度)與對應於加熱器38之設定的理想溫度間之差異亦即溫度偏移量，並對該溫度偏移量是否在規定之正常範圍內進行判斷，以及依據判斷結果對異常區域進行界定(例如存在有溫度偏移量不在正常範圍內的通道之情況下，將該通道界定為異常通道)。控制器100係考慮溫度偏移量不在正常範圍內的區域之溫度偏移量，及溫度偏移量在正常範圍內的區域之溫度偏移量之雙方，對異常區域進行界定。

控制器100係考慮與複數個通道分別對應的加熱器38之輸出量，對異常通道進行界定。若複數個通道之中存在輸出量與正常時之差量成為規定值以上的通道之情況下，控制器100將該通道界定為異常通道，不存在之情況下，將溫度偏移量不在正常範圍內的通道界定為異常通道。

在熱板34之溫度成為恆定狀態之後，控制器100開始進行溫度偏移量是否在正常範圍內之判斷。在熱板34之溫度為恆定狀態之期間，控制器100繼續進行溫度偏移量是否在上述正常範圍內之判斷。

控制器100係將上述正常範圍設為比起正常運轉的熱板34之恆定狀態中的作為溫度感測器39之表示溫度與上述理想溫度間之差異而可能變動的範圍更廣。

控制器100構成為進一步執行，藉由變更與異常通道相關的加熱器38之指令溫度，以使該異常通道之溫度偏移量成為正常範圍內的方式進行補正控制。控制器100，在上述指令溫度之變更後，在與異常通道相關的加熱器38之輸出量和與正常時之上述指令溫度對應的加熱器38之輸出量間之差異成為小於規定值的第1狀態為止，繼續重複進行指令溫度之變更。在成為第1狀態之後，控制器100依據異常通道中的溫度感測器39之表示溫度，判斷可否繼續以後之處理。

如圖4所示，控制器100具有作為功能模組的搬送控制部101、判斷部102、異常通道界定部103、及補正部104。

搬送控制部101對升降機構33進行控制而藉由天板部32之升降使腔室成為開啟/關閉。又，搬送控制部101對升降機構36進行控制，藉由支撐銷35之升降而在溫度調整板51與支撐銷35之間進行晶圓W之交接。又，搬送控制部101對驅動機構53進行控制以使溫度調整板51在框體90內移動。

判斷部102，係按熱板34之複數個通道之每一個，算出溫度感測器39之表示溫度與和加熱器38之設定對應的理想溫度間之差異亦即溫度偏移量，並對該溫度偏移量是否在規定之正常範圍(以下記載為「帶寬(bandwidth)」)內進行判斷。判斷部102按規定的時間間隔從複數個溫度感測器39a~39g取得表示溫度。和加熱器38之設定對應的理想溫度，係指和事先設定於加熱器38的指令溫度對應而作為熱板34之溫度(正常狀態之熱板34之溫度)被想定的溫度。判斷部102係將上述帶寬設定為比起正常運轉的熱板34之恆定狀態中的作為溫度感測器39之表示溫度與理想溫度間之差異而可能變動的範圍(例如基於腔室之開啟/關閉而可能變動的範圍)更廣。

判斷部102係在熱板34之溫度成為恆定狀態之後，開始進行溫度偏移量是否在帶寬內之判斷。亦即，判斷部102，係在製程之開始時意圖使施加於熱板34的輸出量變化的升溫控制時之過渡期或降溫控制時，不進行溫度偏移量之判斷，在熱板34之溫度成為恆定狀態之後開始該判斷。判斷部102在熱板34之溫度為恆定狀態之期間繼續進行溫度偏移量是否在帶寬內之判斷。

當溫度偏移量不在帶寬內的通道存在之情況下，異常通道界定部103將該通道界定為異常通道。又，異常通道界定部103係考慮與複數個通道分別對應的加熱器38之輸出量，對異常通道進行界定。如此般，異常通道界定部103係考慮溫度偏移量及加熱器38之輸出量對異常通道進行界定。

具體言之，若複數個通道之中存在加熱器38之輸出量與正常時之差量成為規定值以上的通道之情況下，異常通道界定部103將該通道界定為異常通道(界定處理2)，不存在之情況下，將溫度偏移量不在帶寬內的通道界定為異常通道(界定處理1)。

關於進行上述界定處理1之情況下之溫度偏移機制之一例，參照圖6(a)進行說明。圖6(a)中針對2個通道(CH1、CH2)分別示出表示溫度(與CH1對應的溫度感測器39a所測定的測定溫度，及與CH2對應的溫度感測器39b所測定的測定溫度)與實際溫度，縱軸示出溫度，橫軸示出時間。於圖6(a)，沿著時間之經過而示出正常狀態ST1、上升第1狀態ST2、及上升第2狀態ST3。

圖6(a)所示正常狀態ST1中，雙方之通道的表示溫度與實際溫度都設定為400℃前後。從該狀態起，例如溫度感測器39a中產生部分斷開導致溫度感測器39a之電阻值增加時，CH1之表示溫度偏離實際溫度而成為430℃前後，成為僅CH1之表示溫度上升的上升第1狀態ST2。這樣之情況下，加熱器38中的與CH1對應的指令溫度使CH1之溫度朝降低上升量的方向變更，因此成為CH1之表示溫度及實際溫度降低的上升第2狀態ST3。但是，基於與CH1近接的CH2之溫度之影響，因此於上升第2狀態ST3中，CH1之表示溫度未降低至原本之400℃。又，上升第2狀態ST3中，CH1之實際溫度降低之影響亦波及CH2，CH2之表示溫度及實際溫度亦稍許(按比起CH1較小的幅度)降低。

和正常狀態ST1比較，上升第2狀態ST3中，CH1及CH2之實際溫度都降低，因此不存在和實際溫度對應地變化的加熱器38之輸出量突出而變大的通道。又，上升第2狀態ST3中，CH1之表示溫度上升(亦即溫度偏移量變大)，而且，實際溫度大幅降低(亦即成為異常通道)。基於以上，若不存在輸出量與正常時之差量成為規定值以上之通道之情況下，進行界定處理1，藉由將溫度偏移量不在帶寬內的通道界定為異常通道，可以適當地界定異常通道。

參照圖6(b)針對進行上述界定處理2之情況下之溫度偏移機制之一例進行說明。圖6(b)中針對2個通道(CH1、CH2)分別示出表示溫度(與CH1對應的溫度感測器39a所測定的測定溫度，及與CH2對應的溫度感測器39b所測定的測定溫度)與實際溫度，縱軸表示溫度，橫軸表示時間。於圖6(b)，沿著時間之經過示出正常狀態ST101(左側所示狀態)，降低第1狀態ST102(正中央所示狀態)，及降低第2狀態ST103(右側所示狀態)。

在圖6(b)所示正常狀態ST101中，雙方之通道之表示溫度與實際溫度都設為400℃前後。自該狀態起，若溫度感測器39a之電阻值減少時，CH1之表示溫度偏離實際溫度而成為370℃前後，成為僅CH1之表示溫度降低的降低第1狀態ST102。這樣之情況下，加熱器38中的與CH1對應的指令溫度朝使CH1之溫度上升該降低量之方向變更，因此成為CH1之表示溫度及實際溫度上升了的降低第2狀態ST103。但是，受到與CH1近接的CH2之溫度之影響之故，在降低第2狀態ST103中，CH1之表示溫度未上升至原本之400℃。又，降低第2狀態ST103中，CH1之實際溫度上升之影響亦波及CH2，CH2之表示溫度及實際溫度亦稍許(比起CH1為較小的幅度)上升。

和正常狀態ST1比較，於降低第2狀態ST103中，CH1之實際溫度大幅上升(成為異常通道)，與CH1對應的加熱器38之輸出量突出而變大。又，降低第2狀態ST103中，CH2之表示溫度成為高於CH1之表示溫度(亦即CH2之溫度偏移量變大)。基於以上，存在有輸出量與正常時之差量成為規定值以上之通道之情況下，進行界定處理2，不是將溫度偏移量較大的通道而是將輸出量較大的通道界定為異常通道，據此，可以適當地界定異常通道。

參照圖7針對進行界定處理1及界定處理2之情況下之異常通道之界定進行說明。圖7所示7個通道(CH1~CH7)係和圖5所示CH1~CH7對應。亦即，和圖7所示CH1~CH7對應的溫度感測器39係分別為圖5所示溫度感測器39a~39g。圖7所示「CH1操作」係指使CH1之實際溫度上升或降低。關於「CH2操作」及「CH4操作」亦同樣，係指使CH2(或CH4)之實際溫度上升或降低。

圖7示出圖表g1~g9之9個圖表。圖表g1~圖表g3表示變化各通道之實際溫度時之各通道之溫度偏移量。詳言之，圖表g1表示使CH1之實際溫度上升20℃時及降低20℃時之各通道之溫度偏移量，圖表g2表示使CH2之實際溫度上升20℃時及降低20℃時之各通道之溫度偏移量，圖表g3表示使CH4之實際溫度上升20℃時及降低20℃時之各通道之溫度偏移量。又，圖表g4~圖表g6表示使各通道之實際溫度變化時之各通道之輸出量(加熱器38之輸出量)，及不變化實際溫度時之正常時之各通道之輸出量。詳細言之，圖表g4表示使CH1之實際溫度上升20℃時及降低20℃時之各通道之輸出量以及正常時之輸出量，圖表g5表示使CH2之實際溫度上升20℃時及降低20℃時之各通道之輸出量以及正常時之輸出量，圖表g6表示使CH4之實際溫度上升20℃時及降低20℃時之各通道之輸出量以及正常時之輸出量。又，圖表g7~圖表g9表示變化各通道之實際溫度時的各通道之輸出差量(與不變化溫度之正常時之間的輸出差量)。詳細言之，圖表g7表示使CH1之實際溫度上升20℃時及降低20℃時之輸出差量，圖表g8表示使CH2之實際溫度上升20℃時及降低20℃時之輸出差量，圖表g9表示使CH4之實際溫度上升20℃時及降低20℃時之輸出差量。

如圖7之圖表g1~g3所示，使實際溫度降低20℃時(圖表g1~g3中以「20℃」表示之情況下)，變化實際溫度而作為異常通道的通道之溫度偏移量變大。圖7所示例中例如藉由將帶寬設為1.5℃，可以僅抽出實際上溫度變化的異常通道。另一方面，如圖7之圖表g1~g3所示，實際溫度上升20℃時(圖表g1~g3中「-20℃」表示之情況下)，變化了實際溫度的通道以外之溫度偏移量變大。例如圖表g1中，CH1附近的(參照圖5)CH2及CH3之溫度偏移量變大。由此可知，存在僅由溫度偏移量無法對異常通道進行界定之情況。

如圖7之圖表g4~g6所示，使實際溫度上升20℃時(圖表g4~g9中以「-20℃」表示之情況下)，變化實際溫度而作為異常通道的通道之輸出量變大。該情況下，如圖7之圖表g7~g9所示，關於與正常時之輸出量之差量，在變化實際溫度而作為異常通道的通道上會變大。圖7所示例中例如將判斷輸出量之與正常值之差量是否為規定值以上的該規定值設為輸出量之20%左右，據此，可以僅抽出實際上溫度變化的異常通道(參照圖7之圖表g7~g9)。

由以上可知，異常通道界定部103，若複數個通道之中存在輸出量與正常時之差量成為規定值以上的通道之情況下，將該通道界定為異常通道(界定處理2)，不存在之情況下，將溫度偏移量不在帶寬內的通道界定為異常通道(界定處理1)，據此，可以高精度對異常通道進行界定。

補正部104，係藉由變更與異常通道相關的加熱器38之指令溫度，以使該異常通道之溫度偏移量成為正常範圍內的方式進行補正控制。具體言之，補正部104係從被異常通道界定部103界定為異常通道的通道之溫度感測器39取得熱板34之溫度，以朝改善溫度異常之方向進行溫度變化的方式來變更加熱器38之指令溫度。補正部104，在上述指令溫度之變更後，在直至成為第1狀態為止繼續重複進行指令溫度之變更，該第1狀態為，和異常通道相關的加熱器38之輸出量，和與正常時之上述指令溫度對應的加熱器38之輸出量間之差異小於規定值的狀態。補正部104，在成為上述第1狀態之後，係依據異常通道中的溫度感測器39之表示溫度判斷可否繼續以後之處理。具體言之，補正部104，若從異常通道之溫度感測器39取得的表示溫度接近該通道之理想溫度之情況下繼續以後之處理，不接近之情況下中止以後之處理。和成為第1狀態(輸出量成為正常實際溫度被正確進行補正而接近理想溫度)無關當溫度感測器39之表示溫度偏離理想溫度時，亦即表示溫度感測器39無法正常動作時，中止之後之處理為較佳。

控制器100係由一個或複數個控制用電腦構成。例如控制器100具有圖8所示電路120。電路120具有：一個或複數個處理器121；記憶體122；儲存裝置123；輸出入埠124；及定時器125。

輸出入埠124係在升降機構33、36、驅動機構53、溫度感測器39、及加熱器38之間進行電氣信號之輸出入。定時器125例如計數一定週期之基準脈衝而計測經過時間。儲存裝置123例如為具有硬碟等藉由電腦可以讀取的記錄媒體。於記錄媒體記錄有執行後述之基板處理順序之程式。記錄媒體可以是不揮發性之半導體記憶體，磁碟及光碟等之可以取出的媒體。記憶體122係暫時記憶由儲存裝置123之記錄媒體下載的程式及處理器121之演算結果。處理器121係和記憶體122一起動作執行上述程式而構成上述各功能模組。

又，控制器100之硬體構成未必限定於藉由程式構成各功能模組者。例如控制器100之各功能模組由専用之邏輯電路集成彼等的ASIC(Application Specific Integrated Circuit)構成亦可。

[基板處理順序] 接著，參照圖9說明作為基板處理方法之一例，亦即對應於控制器100之控制使熱處理單元U2執行之基板處理順序。圖9所示基板處理之序列，係和其他之基板處理並行被執行，在熱板34之溫度為恆定狀態之期間繼續被執行。

圖9所示處理中，最初步驟S1被執行。於步驟S1中，控制器100判斷表示溫度成為異常的通道(異常通道)是否存在。具體言之，控制器100，按熱板34之複數個通道之每一個，算出溫度感測器39之表示溫度與和加熱器38之設定對應的理想溫度間之差異亦即溫度偏移量，判斷該溫度偏移量是否在規定之帶寬內，若存在不在帶寬內的通道之情況下，判斷為異常通道存在。

接著，步驟S2被執行。於步驟S2中，控制器100判斷是否存在輸出量之上升程度大的通道。具體言之，控制器100判斷在複數個通道之中是否存在輸出量與正常時之差量成為規定值以上的通道。於步驟S2中，判斷為存在輸出量與正常時之差量成為規定值以上的通道之情況下執行步驟S3，判斷為不存在之情況下執行步驟S4。

於步驟S3中，控制器100將輸出量之上升程度大(輸出量與正常時之差量成為規定值以上)的通道界定為異常通道。於步驟S4中，控制器100將判斷為溫度偏移量不在帶寬內的通道(溫度偏移通道)界定為異常通道。

接著，步驟S5被執行。於步驟S5中，控制器100執行補正控制。以上為基板處理順序之一例。

參照圖10詳細說明上述基板處理順序之步驟5(補正控制)。圖10所示處理中，最初步驟S51被執行。於步驟S51中，控制器100變更與異常通道相關的加熱器38之指令溫度。具體言之，補正部104由被異常通道界定部103界定為異常通道的通道之溫度感測器39取得熱板34之溫度，變更加熱器38之指令溫度以使溫度朝改善溫度異常之方向變化。

接著，步驟S52被執行。於步驟S52中，控制器100判斷自步驟S51中的指令溫度之變更起是否經過規定時間(是否已待機了僅規定之穩定時間)。於步驟S52中若判斷為經過規定時間之情況下執行步驟S53，若未經過之情況下再度執行步驟S52。

於步驟S53中，控制器100針對是否成為和異常通道相關的加熱器38之輸出量(現在之輸出量)MV，與和正常時之上述指令溫度(亦即步驟S51中進行變更之前之指令溫度)的加熱器38(之輸出量(正常時之輸出量)MV´間之差異小於規定值的第1狀態進行判斷。步驟S53中若判斷未成為第1狀態之情況下再度執行步驟S51之處理，再度變更指令溫度。另一方面，步驟S53中若成為第1狀態之情況下執行步驟S54。

於步驟S54中，控制器100針對從異常通道之溫度感測器39取得的表示溫度PV與該通道之理想溫度SV間之差異是否小於規定值進行判斷。步驟S54中若判斷小於規定值(亦即表示溫度PV接近理想溫度SV)之情況下，控制器100判斷為正常處理並繼續之後之處理(步驟S55)。另一方面，步驟S54中若判斷為不小於規定值之情況下，控制器100判斷為異常處理並中止之後之處理(步驟S56)。以上為補正控制處理之一例。

[作用效果] 熱處理單元U2具備：將晶圓W載置，並且對晶圓W供給熱的熱板34；對熱板34進行加熱的加熱器38；和熱板34之複數個通道對應而設置，對熱板34之溫度進行測定的複數個溫度感測器39a~39g；及控制器100，且控制器100構成為執行以下：按複數個通道之每一個算出溫度感測器39之表示溫度與和加熱器38之設定對應的理想溫度間之差異亦即溫度偏移量，並針對該溫度偏移量是否在規定之帶寬內進行判斷，依據判斷結果對異常區域進行界定(例如當溫度偏移量不在帶寬內的通道存在之情況下，將該通道界定為異常區域)。

於該熱處理單元U2中，和熱板34之複數個通道對應地分別設置有溫度感測器39。按複數個通道之每一個，針對表示溫度與理想溫度間之差異亦即溫度偏移量是否在帶寬內進行判斷，依據該判斷之結果對異常通道進行界定。如此般，按複數個通道之每一個設置溫度感測器39a~39g，按複數個通道之每一個判斷溫度偏移量是否在帶寬內，該判斷結果被使用於異常通道之界定，因此可以考慮複數個通道各別的溫度狀況(溫度異常之產生之有無)對異常通道進行界定。藉由考慮各通道之溫度狀況，例如和全體僅設置1個溫度感測器之情況比較，可以高精度界定引起溫度異常的異常通道(不良情況產生區域)。

控制器100可以考慮溫度偏移量不在帶寬內的通道之溫度偏移量，及溫度偏移量在帶寬內的通道之溫度偏移量之雙方，對異常通道進行界定。例如考慮2個通道之中之一方之通道之表示溫度高於另一方之通道之表示溫度，僅一方之通道之溫度偏移量判斷為不在帶寬內之情況。該情況下，例如推斷在2個通道之其中一方實際溫度低於正常時。考慮到上述另一方之通道(判斷為溫度偏移量在帶寬內之通道)中設想實際溫度降低時，另一方之通道之溫度偏移量在帶寬內，另一方之通道之熱影響不會過度波及一方之通道，以使一方之通道之溫度偏移量成為帶寬內的方式適當地進行基於加熱器38之控制，因此上述狀態下(僅一方之通道之溫度偏移量不在帶寬內的狀態)不穩定。因此，考慮另一方之通道中實際溫度未降低。另一方面，設想一方之通道(判斷為溫度偏移量不在帶寬內的通道)中實際溫度降低時，即使進行和一方之通道之表示溫度對應而應降低一方之通道之溫度之基於加熱器38之控制之情況下(將和一方之通道對應的加熱器38之輸出例如設為零之情況下)，因為另一方之通道之熱影響之故使得實際溫度被向上拉升，和該向上拉升量對應地表示溫度亦上升，溫度偏移量不在帶寬內的狀態有可能繼續。因此，在實際溫度降低之狀況下若判斷為一方之通道之溫度偏移量不在帶寬內，且另一方之通道之溫度偏移量在帶寬內之情況下，於一方之通道中實際溫度會降低，而可以將該一方之通道界定為異常通道。如此般，藉由考慮溫度偏移量不在帶寬內的通道之溫度偏移量及在帶寬內的通道之溫度偏移量，可以適當地對異常通道進行界定。

控制器100係考慮和複數個通道分別對應的加熱器38之輸出量，對異常通道進行界定。例如針對異常通道進行溫度控制之情況下，該溫度控制之影響亦會波及異常通道以外之區域，而有可能造成異常通道以外之通道之溫度偏移量成為帶寬外之情況。異常通道以外的溫度偏移量成為帶寬外之情況下，無法僅由溫度偏移量唯一界定異常通道。於此，使加熱器38之輸出量對應於熱板34之實際溫度而變化。因此，藉由控制器100考慮加熱器38之輸出量來界定異常通道，可以適當地界定實際溫度大幅變化的通道(亦即異常通道)進行適當地界定。亦即，藉由考慮輸出量而對異常通道進行界定，可以更更高精度界定產生溫度異常的通道。

控制器100，若複數個通道之中存在輸出量與正常時之差量成為規定值以上的通道之情況下，將該通道界定為異常通道，不存在之情況下，將溫度偏移量不在帶寬內的通道界定為異常通道。

例如作為因為溫度感測器19之不良情況等之理由而造成溫度感測器19之測定溫度偏離熱板34之實際溫度之態樣，可以考慮表示溫度高於實際溫度之狀況(表示溫度上升之狀況)，及表示溫度低於實際溫度之狀況(表示溫度降低之狀況)。表示溫度上升狀況下，依據該表示溫度來變更加熱器38之設定(朝降低溫度之方向變更)，該加熱器38對應的通道(表示溫度上升通道)之表示溫度及實際溫度將降低。表示溫度上升通道中的實際溫度降低之影響亦會波及其他之通道，其他之通道之表示溫度及實際溫度亦稍許(以較表示溫度上升通道小的幅度)降低。如此般，在表示溫度上升狀況下，相比其他之通道，表示溫度上升通道中之表示溫度變高，而且實際溫度降低導致輸出量變小。在表示溫度上升狀況下，在表示溫度上升通道及其他之通道之任一中，都是實際溫度降低且輸出量變小，因此在複數個通道中不存在與正常時之輸出量之差量變大的通道。而且，實際溫度比起其他之通道降低而可能成為異常通道的表示溫度上升通道，相比其他之通道，其之表示溫度變高溫度偏移量變大。由以上可知，與正常時之輸出量之差量變大的通道不存在之情況下，藉由將溫度偏移量變大(不在帶寬內的)通道界定為異常通道，可以高精度界定產生溫度異常之通道。又，表示溫度降低狀況下，依據該表示溫度變更加熱器38之設定(朝上升溫度之方向變更)時，該加熱器38所對應的通道(表示溫度降低通道)之表示溫度及實際溫度上升。而且，表示溫度降低通道中的實際溫度上升之影響亦波及其他之通道，其他之通道之表示溫度及實溫度亦稍許(按比表示溫度降低通道小的幅度)上升。如此般，表示溫度降低狀況下，相比其他之通道，表示溫度降低通道中之表示溫度變低，而且實際溫度上升導致輸出量變大。表示溫度降低狀況下，有可能成為異常通道的表示溫度降低通道之輸出量比起其他之通道變為突出且變大。其他之通道之表示溫度高於表示溫度降低通道(亦即溫度偏移量變大)。由以上可知，輸出量之差量變大的通道存在之情況下，並非將溫度偏移量較大的通道而是將與正常時之輸出量之差量較大的通道界定為異常通道，據此，可以高精度界定產生溫度異常之通道。

在熱板34之溫度成為恆定狀態之後，控制器100開始進行溫度偏移量是否在正常範圍內之判斷。據此，在加熱器38施加於熱板34的輸出量意圖變化之升溫控制時之過渡期等不進行溫度偏移量之判斷，可以將異常通道之界定限定於必要的期間(恆定狀態之期間)進行異常通道之界定的處理。

控制器100，係將上述正常範圍設定成為比起作為正常運轉的熱板34之恆定狀態中的溫度感測器39之表示溫度與上述理想溫度間之差異而可能變動的範圍更廣。據此，例如在到達恆定狀態後之裝置運轉中晶圓W被搬入時(腔室開放時)等之正常的運轉狀態而且表示溫度較大變動之狀態中，可以防止判斷為溫度偏移量不在帶寬內。亦即，藉由上述控制可以防止妨礙到正常的製程。

加熱器38構成為和事先設定的指令溫度對應地對複數個通道進行加熱，控制器100構成為進一步執行藉由變更與異常通道相關的加熱器38之指令溫度，以使該異常通道之溫度偏移量成為正常範圍內的方式進行補正控制。藉由變更設定於加熱器38的指令溫度，可以簡易而且適當地補正異常通道之溫度偏移量。

控制器100，在上述指令溫度之變更後，在成為第1狀態為止繼續重複進行指令溫度之變更，該第1狀態為，和異常通道相關的加熱器38之輸出量與和正常時之上述指令溫度對應的加熱器38之輸出量間之差異小於規定值的狀態。例如部分斷開的溫度感測器19之表示溫度偏離熱板34之實際溫度之情況下，可以考慮溫度感測器19之表示溫度不正確。即使在這樣之情況下，針對和實際溫度對應的輸出量是否正常進行判斷，不正常之情況下重複進行變更指令溫度之處理，可以不依賴於溫度感測器19之表示溫度之正確性而對溫度異常進行補正。

控制器100，係在成為第1狀態之後，依據異常通道中的溫度感測器39之表示溫度，判斷可否繼續以後之處理。成為第1狀態且溫度異常被補正之後，(亦即實際溫度成為正確之狀態)，針對成為異常通道的通道之溫度感測器19之表示溫度是否正確進行判斷，據此，可以適當地判斷可否使用該溫度感測器19繼續處理。

控制器100在熱板34之溫度為恆定狀態之期間繼續進行溫度偏移量是否在上述正常範圍內之判斷。在恆定狀態之期間繼續進行異常通道之檢測，據此，不必要異常通道之檢測之専用動作，在不影響通常之裝置運轉配方之情況下可以進行異常通道之檢測。

以上，說明實施形態，但本揭示不限定於上述實施形態。

例如說明考慮加熱器38之輸出量對異常通道進行界定的例，但常時僅由溫度偏移量可以界定異常通道之情況下，不依賴於加熱器38之輸出量而僅藉由溫度偏移量對異常通道進行界定亦可。

2‧‧‧塗布･顯像裝置(基板處理裝置) 34‧‧‧熱板 38‧‧‧加熱器(調溫器) 39a、39b、39c、39d、39e、39f、39g‧‧‧溫度感測器 100‧‧‧控制器(控制部) W‧‧‧晶圓(基板)

[圖1]表示基板處理系統之概略構成的立體圖。 [圖2]沿著圖1中之II-II線的剖面圖。 [圖3]沿著圖2中之III-III線的剖面圖。 [圖4]表示熱處理單元之一例的概略縱剖面圖。 [圖5]表示熱板中的溫度感測器之配置之模式圖。 [圖6]對溫度偏移機制進行說明之圖。 [圖7]表示各通道之每一通道之溫度偏移量與輸出量的圖表。 [圖8]控制器之硬體構成圖。 [圖9]基板處理之流程圖。 [圖10]補正控制之流程圖。

U2‧‧‧熱處理單元

W‧‧‧晶圓(基板)

30‧‧‧加熱機構

31‧‧‧支撐台

32‧‧‧天板部

33‧‧‧升降機構

34‧‧‧熱板

35‧‧‧支撐銷

36‧‧‧升降機構

37‧‧‧排氣管

38‧‧‧加熱器(調溫器)

39、39a‧‧‧溫度感測器

50‧‧‧溫度調整機構

51‧‧‧溫度調整板

52‧‧‧連結支架

53‧‧‧驅動機構

90‧‧‧框體

91‧‧‧搬入口

92‧‧‧床板

100‧‧‧控制器

101‧‧‧搬送控制部

102‧‧‧判斷部

103‧‧‧異常通道界定部

104‧‧‧補正部

Claims (27)

1. 一種基板處理裝置，係具備：熱板，用於載置基板，並且對基板賦予熱；調溫器，對上述熱板進行加熱；複數個溫度感測器，與上述熱板之複數個區域對應而設置，對上述熱板之溫度進行測定；及控制部；上述控制部構成為執行以下：按上述複數個區域之每一個，算出上述溫度感測器之測定溫度與和上述調溫器之設定對應的理想溫度間之差異亦即溫度偏移量，且對該溫度偏移量是否在規定之正常範圍內進行判斷，及依據判斷結果對異常區域進行界定，上述控制部係考慮上述溫度偏移量不在上述正常範圍內的區域之上述溫度偏移量，及上述溫度偏移量在上述正常範圍內的區域之上述溫度偏移量之雙方，而對上述異常區域進行界定。
2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中上述控制部，係考慮和上述複數個區域分別對應的上述調溫器之輸出量，對上述對異常區域進行界定。
3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中 在上述複數個區域之中，存在上述輸出量與正常時之差量成為規定值以上之區域之情況下，上述控制部係將該區域界定為上述異常區域，不存在之情況下，將上述溫度偏移量不在上述正常範圍內的區域界定為上述異常區域。
4. 如申請專利範圍第1至第3項中任一項之基板處理裝置，其中上述控制部，係在上述熱板之溫度成為恆定狀態之後，開始對上述溫度偏移量是否在上述正常範圍內進行判斷。
5. 如申請專利範圍第1至第3項中任一項之基板處理裝置，其中上述控制部係將上述正常範圍設定為比起作為正常運轉的上述熱板之恆定狀態中的上述測定溫度與上述理想溫度間之差異而可能變動的範圍更廣。
6. 如申請專利範圍第1至第3項中任一項之基板處理裝置，其中上述調溫器構成為與事先設定的指令溫度對應地對上述複數個區域進行加熱，上述控制部構成為進一步執行，藉由變更和上述異常區域相關的上述指令溫度，以使該異常區域之上述溫度偏移量成為上述正常範圍內的方式 進行補正控制。
7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中上述控制部，在上述指令溫度之變更後，在成為第1狀態為止重複進行上述指令溫度之變更，該第1狀態為，和上述異常區域相關的上述調溫器之輸出量，與和正常時之上述指令溫度對應的上述調溫器之輸出量間之差異小於規定值的狀態。
8. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其中上述控制部，在成為上述第1狀態之後，係依據上述異常區域之上述測定溫度，判斷可否繼續以後之處理。
9. 如申請專利範圍第1至第3項中任一項之基板處理裝置，其中上述控制部，係在上述熱板之溫度為恆定狀態之期間繼續進行上述溫度偏移量是否在上述正常範圍內之判斷。
10. 一種基板處理裝置，係具備：熱板，用於載置基板，並且對基板賦予熱；調溫器，對上述熱板進行加熱；複數個溫度感測器，與上述熱板之複數個區域對應而設置，對上述熱板之溫度進行測定；及控制部； 上述控制部構成為執行以下：按上述複數個區域之每一個，算出上述溫度感測器之測定溫度與和上述調溫器之設定對應的理想溫度間之差異亦即溫度偏移量，且對該溫度偏移量是否在規定之正常範圍內進行判斷，及依據判斷結果對異常區域進行界定，上述控制部，係在上述熱板之溫度成為恆定狀態之後，開始對上述溫度偏移量是否在上述正常範圍內進行判斷。
11. 一種基板處理裝置，係具備：熱板，用於載置基板，並且對基板賦予熱；調溫器，對上述熱板進行加熱；複數個溫度感測器，與上述熱板之複數個區域對應而設置，對上述熱板之溫度進行測定；及控制部；上述控制部構成為執行以下：按上述複數個區域之每一個，算出上述溫度感測器之測定溫度與和上述調溫器之設定對應的理想溫度間之差異亦即溫度偏移量，且對該溫度偏移量是否在規定之正常範圍內進行判斷，及依據判斷結果對異常區域進行界定，上述控制部係將上述正常範圍設定為比起作為正常運轉的上述熱板之恆定狀態中的上述測定溫度與上述理想溫 度間之差異而可能變動的範圍更廣。
12. 一種基板處理裝置，係具備：熱板，用於載置基板，並且對基板賦予熱；調溫器，對上述熱板進行加熱；複數個溫度感測器，與上述熱板之複數個區域對應而設置，對上述熱板之溫度進行測定；及控制部；上述控制部構成為執行以下：按上述複數個區域之每一個，算出上述溫度感測器之測定溫度與和上述調溫器之設定對應的理想溫度間之差異亦即溫度偏移量，且對該溫度偏移量是否在規定之正常範圍內進行判斷，及依據判斷結果對異常區域進行界定，上述調溫器構成為與事先設定的指令溫度對應地對上述複數個區域進行加熱，上述控制部構成為進一步執行，藉由變更和上述異常區域相關的上述指令溫度，以使該異常區域之上述溫度偏移量成為上述正常範圍內的方式進行補正控制。
13. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中上述控制部，在上述指令溫度之變更後，在成為第1狀態為止重複進行上述指令溫度之變更，該第1狀態為， 和上述異常區域相關的上述調溫器之輸出量，與和正常時之上述指令溫度對應的上述調溫器之輸出量間之差異小於規定值的狀態。
14. 一種基板處理方法，包含：算出對基板賦予熱的熱板之複數個區域之測定溫度與該複數個區域之理想溫度間之差異亦即溫度偏移量，對該溫度偏移量是否在規定之正常範圍內進行判斷的工程；及依據判斷結果對異常區域進行界定的工程；在對上述異常區域進行界定的工程中，係考慮上述溫度偏移量不在上述正常範圍內的區域之上述溫度偏移量，及上述溫度偏移量在上述正常範圍內的區域之上述溫度偏移量之雙方，對上述異常區域進行界定。
15. 如申請專利範圍第14項之基板處理方法，其中在對上述異常區域進行界定的工程中，係考慮和上述複數個區域分別對應的調溫器之輸出量，對上述異常區域進行界定。
16. 如申請專利範圍第15項之基板處理方法，其中在對上述異常區域進行界定的工程中，在上述複數個區域之中，存在上述輸出量與正常時之差量成為規定值以上之區域之情況下，將該區域界定為上述異常區域，不存在之情況下，將上述溫度偏移量不在上述正常範圍內的區 域界定為上述異常區域。
17. 如申請專利範圍第14至第16項中任一項之基板處理方法，其中在上述熱板之溫度成為恆定狀態之後，開始上述判斷的工程。
18. 如申請專利範圍第14至第16項中任一項之基板處理方法，其中將上述正常範圍設定成為比起作為正常運轉的上述熱板之恆定狀態中的上述測定溫度與上述理想溫度間之差異而可能變動的範圍更廣，而執行上述判斷的工程。
19. 如申請專利範圍第14至第16項中任一項之基板處理方法，其中進一步包含：藉由變更對上述熱板進行加熱的調溫器之指令溫度，以使上述異常區域之上述溫度偏移量成為上述正常範圍內的方式進行補正控制的工程。
20. 如申請專利範圍第19項之基板處理方法，其中進行上述補正控制的工程中，在上述指令溫度之變更後，在成為第1狀態為止重複進行上述指令溫度之變更，該第1狀態為，和上述異常區域相關的上述調溫器之輸出量，與和正常時之上述指令溫度對應的上述調溫器之輸出 量間的差異小於規定值的狀態。
21. 如申請專利範圍第20項之基板處理方法，其中在進行上述補正控制的工程中，在成為上述第1狀態之後，依據上述異常區域之上述測定溫度判斷可否繼續以後之處理。
22. 如申請專利範圍第14至第16項中任一項之基板處理方法，其中在上述熱板之溫度為恆定狀態之期間，繼續執行上述判斷的工程。
23. 一種基板處理方法，包含：算出對基板賦予熱的熱板之複數個區域之測定溫度與該複數個區域之理想溫度間之差異亦即溫度偏移量，對該溫度偏移量是否在規定之正常範圍內進行判斷的工程；及依據判斷結果對異常區域進行界定的工程；在上述熱板之溫度成為恆定狀態之後，開始上述判斷的工程。
24. 一種基板處理方法，包含：算出對基板賦予熱的熱板之複數個區域之測定溫度與該複數個區域之理想溫度間之差異亦即溫度偏移量，對該溫度偏移量是否在規定之正常範圍內進行判斷的工程；及 依據判斷結果對異常區域進行界定的工程；將上述正常範圍設定成為比起作為正常運轉的上述熱板之恆定狀態中的上述測定溫度與上述理想溫度間之差異而可能變動的範圍更廣，而執行上述判斷的工程。
25. 一種基板處理方法，包含：算出對基板賦予熱的熱板之複數個區域之測定溫度與該複數個區域之理想溫度間之差異亦即溫度偏移量，對該溫度偏移量是否在規定之正常範圍內進行判斷的工程；及依據判斷結果對異常區域進行界定的工程；進一步包含：藉由變更對上述熱板進行加熱的調溫器之指令溫度，以使上述異常區域之上述溫度偏移量成為上述正常範圍內的方式進行補正控制的工程。
26. 如申請專利範圍第25項之基板處理方法，其中進行上述補正控制的工程中，在上述指令溫度之變更後，在成為第1狀態為止重複進行上述指令溫度之變更，該第1狀態為，和上述異常區域相關的上述調溫器之輸出量，與和正常時之上述指令溫度對應的上述調溫器之輸出量間的差異小於規定值的狀態。
27. 一種電腦可以讀取的記憶媒體，係記憶有用於使裝置執行如申請專利範圍第14至26項中任一項之基板處理方法的程式者。

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