TWI757506B

TWI757506B - 電漿處理裝置

Info

Publication number: TWI757506B
Application number: TW107119590A
Authority: TW
Inventors: 南雅人; 佐佐木芳彦
Original assignee: 日商東京威力科創股份有限公司
Priority date: 2017-06-22
Filing date: 2018-06-07
Publication date: 2022-03-11
Also published as: KR102013070B1; JP6794937B2; CN109119321B; CN109119321A; TW201917770A; KR20190000293A; JP2019009233A

Abstract

[課題] 在下部電極並列載置複數片基板進行電漿處理時，抑制下部電極中的異常放電的產生。　　[解決手段] 在將複數片例如2片基板(G)並列載置的下部電極(4)中，使構成環部(6)的帶狀構件(61~67)以如下之關係配置：亦即，在沿著基板(G)的四邊按順時針或逆時針巡迴的巡迴路徑上觀察時，以成為後方側的帶狀構件的前端部的側面接觸前方側的帶狀構件之後端面之關係的方式被配置。以和設置於2片基板(G)之間的境界區域(44)之帶狀構件(縱構件)(64)之後端面呈相接的方式而在橫方向配置於一直線上的2個帶狀構件(橫構件)(63、67)的端面彼此之間，係形成有用於吸收橫構件的熱引起之伸長的間隙(60)。構成為下部電極(4)不從該間隙(60)露出，因此即使電漿進入間隙(60)，亦可以抑制異常放電的產生。

Description

電漿處理裝置

本發明關於在下部電極之上載置四角形的基板，該下部電極係至少上部的側面遍及全周被由絕緣構件構成的環部圍繞者，藉由電漿對基板進行處理的電漿處理裝置。

在液晶顯示裝置(LCD)等的平板顯示器(FPD)的製造中，有對被處理基板之玻璃基板供給電漿化之處理氣體，進行蝕刻處理或成膜處理等的電漿處理的工程。例如電漿處理，係在形成為真空氛圍的處理容器內所設置之載置台上將基板載置之狀態下實施。載置台例如形成為角筒形狀，於其外周部設置有使電漿以良好均勻性分布於基板上的所謂稱為聚焦環(focus ring)等之絕緣性的環構件。該環構件，係角型的環狀體，例如將形成角型的一邊之構件複數個組合而形成。該等構件具有熱膨脹之性質，因此熱膨脹構件彼此相互推壓，有可能導致環構件的變形或破損。另外，若於構件彼此之間形成間隙，電漿進入該間隙，成為異常放電或載置台表面所形成的熔射膜被侵蝕(Erosion)的原因。

專利文獻1提案藉由4個構成元件構成角型的屏蔽構件，使一個構成元件的一端側的端面抵接在鄰接的另一構成元件的側面，而且在另一端側的側面，抵接著與鄰接的上述另一構成元件不同之另一構成元件的一端側的端面，以此方式將構成元件組合之技術。該例中，即使一個構成元件因為熱膨脹而伸長之情況下，亦不會推壓鄰接的另一構成元件，可以防止屏蔽構件與下部電極之間的間隙的產生。但是，專利文獻1為在載置台載置1片基板進行電漿處理者，並未考慮到在載置台並列載置複數片基板，對該等複數片基板同時進行電漿處理時。

又，專利文獻2記載有在將平板顯示器等的大面積基板的緣部按壓於基板支撐體而抑制基板的變形之陰影框架中，具備對基板的外緣進行覆蓋的遮罩面板、及對基板的中央進行覆蓋的遮罩面板之構成。另外，專利文獻3記載有，在EL(Electro-Luminescence)顯示器等的被蒸鍍構件的表面藉由真空蒸鍍形成EL材料時，在將蒸鍍遮罩固定於被蒸鍍構件的蒸鍍用冶具中，藉由在蒸鍍用冶具形成遮罩伸縮緩衝用溝，而吸收蒸鍍遮罩的熱變形之技術。但是，該等專利文獻2及專利文獻3，並未考慮到構成環構件之構件彼此的間隙的形成、或者異常放電的抑制，無法解決本發明的課題。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 專利第5885939號公報　　[專利文獻2] 專利第5064217號公報　　[專利文獻3] 專利第4795842號公報

[發明所欲解決之課題]

本發明有鑑於這樣的事情，目的在於提供在下部電極並列載置複數片基板進行電漿處理時，可以抑制下部電極中的異常放電的產生之技術。 [用以解決課題的手段]

本發明之電漿處理裝置，係在至少上部的側面遍及全周被由絕緣構件構成的環部圍繞的下部電極之上載置四角形的基板，藉由電漿對基板進行處理者，其特徵為：　　上述下部電極構成為，使複數片基板隔開間隔橫向並列載置而且使各基板依每一環部進行載置，　　相互鄰接的上述環部之一方係由帶狀構件構成，該帶狀構件為，在沿著基板的四邊按順時針巡迴的巡迴路徑上觀察時，若將上述巡迴的方向定義為前方，以成為後方側的帶狀構件的前端部的側面接觸前方側的帶狀構件之後端面之關係的方式來形成四邊者，　　相互鄰接的上述環部的另一方係由帶狀構件構成，該帶狀構件為，在沿著基板的四邊按逆時針巡迴的巡迴路徑上觀察時，若將上述巡迴的方向定義為前方，以成為後方側的帶狀構件的前端部的側面接觸前方側的帶狀構件之後端面之關係的方式來形成四邊者，　　構成上述環部的各帶狀構件，係在其後部側設置有用於限制長度方向之移動的被限制部，　　將與相互鄰接的基板對應之下部電極彼此之間的境界區域之伸長方向定義為縱方向，將設置於上述境界區域的帶狀構件定義為縱構件，將沿著橫方向伸長的帶狀構件定義為橫構件時，　　設置於上述境界區域的縱構件，對於上述相互鄰接的環部的各個巡迴路徑係被共通化，　　在前端部的側面分別與上述縱構件之後端面接觸的、屬於上述環部的一方之橫構件，與屬於上述環部的另一方之橫構件之間，形成有用於吸收橫構件的熱引起的伸長之間隙。

又，本發明的另一發明之電漿處理裝置，係在至少上部的側面遍及全周被由絕緣構件構成的環部圍繞的下部電極之上載置四角形的基板，藉由電漿對基板進行處理者，其特徵為：　　上述下部電極構成為，使複數片基板隔開間隔橫向並列載置而且各基板依每一環部進行載置，　　相互鄰接的上述環部均由帶狀構件構成，該帶狀構件為，在沿著基板的四邊按順時針巡迴的巡迴路徑及按逆時針巡迴的巡迴路徑之一方觀察時，若將上述巡迴的方向定義為前方時，以成為後方側的帶狀構件的前端部的側面接觸前方側的帶狀構件之後端面之關係的方式來形成四邊者，　　構成上述環部的各帶狀構件，係在其後部側設置有用於限制長度方向之移動的被限制部，　　將與相互鄰接的基板對應之下部電極彼此之間的境界區域之伸長方向定義為縱方向，將設置於上述境界區域的帶狀構件定義為縱構件，將沿著橫方向伸長的帶狀構件定義為橫構件時，　　設置於上述境界區域的縱構件，係由上述相互鄰接的環部的一方的巡迴路徑及另一方的巡迴路徑上各自所屬之一方的縱構件及另一方的縱構件構成，　　在上述一方之縱構件的前端部的側面與和該側面呈對向，且屬於上述另一方之環部的巡迴路徑上之橫構件的前端面之間，形成有用於吸收橫構件的熱引起的伸長之間隙，　　在上述另一方之縱構件的前端部的側面與和該側面呈對向，且屬於上述一方之環部的巡迴路徑上之橫構件的前端面之間，形成有上述間隙。 [發明效果]

依據本發明，以將複數片基板被並列載置之下部電極的至少上部的側面圍繞的方式設置環部時，構成環部的帶狀構件，係以帶狀構件的伸長方向的一端側呈開放，或在相互對向的帶狀構件間形成用於吸收熱引起的伸長之間隙的方式被設置。因此，電漿處理時即使帶狀構件熱膨脹之情況下，亦可以防止帶狀構件彼此的推壓造成之帶狀構件的破損或變形。又，用於吸收該等帶狀構件的熱引起的伸長之間隙，係形成在不與下部電極接觸的區域，成為下部電極不致於從帶狀構件彼此之間的間隙露出之構造，因此下部電極的側面不直接暴露於電漿中，可以抑制下部電極的表面上形成的熔射膜的侵蝕或異常放電的產生。【圖面簡單說明】

[圖1] 電漿處理裝置的一實施形態的縱剖側面圖。　　[圖2] 表示設置於電漿處理裝置的下部電極與環部的一實施形態的平面圖。　　[圖3] 表示構成環部的帶狀構件的橫構件之縱剖側面圖。　　[圖4] 表示下部電極與環部的平面圖。　　[圖5] 表示環部的其他例的平面圖。　　[圖6] 表示環部的其他實施形態的平面圖。　　[圖7] 表示環部的其他實施形態的平面圖。　　[圖8] 表示環部的其他實施形態的平面圖。

以下，參照圖面說明本發明的實施形態。本說明書及圖面中，針對實質上具有同一構成的構成要素，附加同一符號並省略重複說明。圖1表示本發明的電漿處理裝置1的一實施形態的縱剖側面圖。該電漿處理裝置1，係作為生成感應耦合電漿，例如對G6半基板這樣的四角形的基板進行蝕刻處理或灰化處理等的感應耦合電漿處理之電漿處理裝置而構成。G6半基板意味著，將G6尺寸(1500mm×1850mm)的基板的長邊的長度分割為一半之尺寸的基板，例如適用於使用有機發光二極體(OLED：Organic Light Emitting Diode)的有機EL顯示器者。以下，以G6半基板作為基板G進行說明。

該電漿處理裝置1具備由導電性材料、例如內壁面已實施陽極氧化處理的鋁構成，電性接地的角筒形狀的氣密的處理容器10。處理容器10例如藉由氧化鋁(Al₂ O₃ )等的陶瓷、或石英等構成的介電質窗2被上下劃分成為天線室11及處理室12。在處理容器10中的天線室11的側壁111與處理室12的側壁121之間設置有向內側突出的支撐構件13，於該支撐構件13之上載置有介電質窗2。在處理容器10的側面設置有對電漿處理的基板G進行交接的搬出入口14，構成為藉由柵閥15開/關自如。

在介電質窗2的下部側嵌入有氣體供給部21。該氣體供給部21，例如由導電性材料、例如其內面或外面已實施陽極氧化處理的鋁構成，被電性接地。在氣體供給部21的內部形成有水平延伸的氣體流路22，於該氣體流路22連通著朝向下方延伸的複數個氣體吐出孔23。於介電質窗2，以與該氣體流路22連通的方式設置氣體供給管24，該氣體供給管24，從處理容器10的天井貫穿其外側，而與包含處理氣體供給源及閥系統等的處理氣體供給系統25連接。

於天線室11內設置有高頻(RF)天線3。高頻天線部3，係將銅或鋁等的良導電性的金屬形成之天線31配置成為環狀或渦卷狀等的任意形狀而構成，通過由絕緣構件構成的間隔物32與介電質窗2分離而設置。高頻天線部3亦可以是具有複數個天線部的多重天線。在天線31的端子33連接有朝天線室11之上方延伸的供電構件34，於該供電構件34的另一端側經由供電線35透過匹配器36連接於高頻電源37。

在處理室12內的下方，隔著介電質窗2且與高頻天線部3呈對向的方式，設置載置複數例如2片G6半基板G的下部電極4。下部電極4具備第1電極體41、及設置於該第1電極體41的下方之第2電極體42。該等第1電極體41及第2電極體42例如由表面已實施陽極氧化處理的鋁或不鏽鋼等構成。

第1電極體41的表面成為基板載置面，例如圖2所示，以使2片基板G隔開間隔並列載置的方式，具備第1基板載置面51及第2基板載置面52。該等第1基板載置面51及第2基板載置面52構成為配合基板G的形狀而成為俯視狀態下四角形狀。如圖1所示，例如於第1電極體41的表面形成有凹部43。該凹部43係形成與相互鄰接的基板G對應之下部電極4彼此之間的境界區域44者，藉由該凹部43將第1電極體41的表面劃分為2個分別形成2個基板載置面51、52。因此，凹部43與第1及第2基板載置面51、52的長邊平行，例如形成於第1電極體41的長邊的中央部。

在第1電極體41之上面及側面，亦包含凹部43的內側面及底面在內，例如形成有由氧化鋁形成的絕緣性的熔射膜45。又，例如在設置於第1及第2基板載置面51、52之熔射膜45的內部，配設有未圖示的夾持用的電極，構成為藉由靜電吸附力將基板G進行保持。

下部電極4的底部經由絕緣構件46被支撐於中空的支柱47。該支柱47將處理容器10的底部維持於氣密狀態並貫穿，且連接於配設於處理容器10外之升降機構(未圖示)。例如在處理室12的底部，在與第1基板載置面51及第2基板載置面52分別對應之位置，分別設置未圖示的複數個交接銷等的基板交接機構。藉由下部電極4之升降，交接銷從下部電極4的表面伸出/縮回，據此，基板G的搬出入時下部電極4藉由升降機構進行升降驅動。在絕緣構件46與處理容器10的底部之間配設有將支柱47氣密包圍的波紋管48。在由該等第1電極體41及第2電極體42形成的下部電極4，係通過設置於中空的支柱47內之供電線53，透過匹配器54連接於高頻電源55。該高頻電源55，於進行電漿處理中，以使偏壓用的高頻電力施加於下部電極4者。

在第1電極體41的內部，例如設置有朝周方向延伸的環狀的冷卻流路411。從冷卻單元(未圖示)將規定溫度的熱傳導媒體、例如Galden(註冊商標)循環供給至該冷卻流路411，藉由熱傳導媒體的溫度對下部電極4上的基板G的處理溫度進行控制。又，在第1電極體41之上面，設置於第1電極體41內部之氣體供給路412之上端被開口，將熱傳輸用氣體例如氦(He)氣體供給至下部電極4的表面與基板G的背面之間而構成。

第2電極體42具備與第1電極體41的氣體供給路412的下端連通之流路421，該流路421與熱傳輸用氣體的配管連接。又，處理容器10的底面的排氣口16經由排氣路17與真空排氣機構18連接。該真空排氣機構18與未圖示的壓力調整部連接，據此，構成為將處理容器10內維持於所要的真空度。

於下部電極4，以在第1及第2基板載置面51、52的周圍遍及全周分別圍繞的方式，配設有由絕緣構件例如氧化鋁等的絕緣性陶瓷構成的環部6。該環部6，係以面對電漿產生空間的方式配置，因此經由該環部6使電漿分別集中於下部電極4上的2片基板G。例如載置有環部6時的環部6之上面，構成為與第1及第2基板載置面51、52對齊，下部電極4之上部的側面遍及全周被環部6圍繞。環部6，如圖2所示，例如將長條體之帶狀構件61~67組合而形成。

圖2係下部電極4的平面圖，表示第1及第2基板載置面51、52與環部6。在沿著基板(第1基板載置面51、第2基板載置面52)G的四邊按順時針或逆時針巡迴的巡迴路徑上觀察時，將巡迴的方向定義為前方進行說明。在第1基板載置面51的周圍形成按逆時針巡迴的第1巡迴路徑71，沿著該第1巡迴路徑71，帶狀構件61~64以成為後方側的帶狀構件的前端部的側面接觸前方側的帶狀構件之後端面之關係的方式被配置。又，在第2基板載置面52的周圍形成按順時針巡迴的第2巡迴路徑72，沿著該第2巡迴路徑72，帶狀構件64~67以成為後方側的帶狀構件的前端部的側面接觸前方側的帶狀構件之後端面之關係的方式被配置。

帶狀構件64配置於形成下部電極4的境界區域44之凹部43內。凹部43與帶狀構件64，在將帶狀構件64配置於凹部43內時，使電漿不進入凹部43與帶狀構件64之間的間隙，且帶狀構件64的表面的高度位置與第1及第2基板載置面51、52互相對齊的方式，配合彼此的形狀而形成。

該等帶狀構件61~67因熱產生熱膨脹而向長度方向伸長，因此將限制各自向長度方向移動的被限制部設置於其後部側。帶狀構件61~67的兩端部之中，將伸長方向的前方側設為一端側，將設置有被限制部之後部側設為另一端側。將上述另一端側設為限制端611、621、631、641、651、661、671，將上述一端側設為自由端612、622、632、642、652、662、672。又，將設置於境界區域44之帶狀構件64設為縱構件64，將縱構件64之伸長方向設為縱方向，於縱構件64的限制端641中，將側面相鄰接的帶狀構件63、67設為橫構件63、67，將橫構件63、67之伸長方向設為橫方向。

如此般，形成第1巡迴路徑71之帶狀構件61~64中，在帶狀構件61~64的限制端611~641的各自之端面，與鄰接的其他帶狀構件61~64的自由端612~642的側面抵接之狀態下，使相互鄰接的帶狀構件呈正交的方式被配置。又，形成第2巡迴路徑72之帶狀構件64~67中，在帶狀構件64~67的限制端641~671的各自之端面，與鄰接的其他帶狀構件64~67的自由端642~672的側面抵接之狀態下，使相互鄰接的帶狀構件呈正交的方式被配置。如該構成的環部6般在相互鄰接的環部6的境界區域44具備共通的縱構件64之構成中，相互鄰接的環部的巡迴的方向彼此成為逆向。

設置於第1巡迴路徑71之橫構件63與設置於第2巡迴路徑72之橫構件67係配置於一直線上。該等橫構件63的端面(自由端)632與橫構件67的端面(自由端)672互呈對向，在該等端面之間，使用於吸收該等橫構件63、67之熱引起的伸長之間隙60被形成於境界領域44之延長線上。該例中，設於境界領域44之縱構件64相對於第1巡迴路徑71及第2巡迴路徑72之各個係被共通化，透過間隙60使橫構件63之端面632及橫構件67之端面672彼此呈對向的方式進行配置。間隙60形成於境界領域44之延長線上，係指在縱構件64之限制端641之寬度之範圍内形成間隙60。間隙60之寬度A係考慮橫構件63、67之熱引起的伸長而被形成。

圖3表示間隙60附近中的橫構件63、67之縱剖側面圖。如該圖所示，在橫構件63、67之相互對向的端面632、672分別形成段部，將各個段部組合而構成。具體言之，橫構件63之端面632構成為，上部633突出於橫構件67側，而且橫構件67之端面672構成為，下部673突出於橫構件63側。以橫構件63之端面之上部633位處橫構件67之端面之下部673之上的方式相互進行組合。在該等橫構件63、67之端面632、672彼此之對向部分別形成間隙60。因此，從上方側觀察時，在橫構件63與橫構件67之間之間隙60之下方側，存在橫構件67之端面之下部673，成為構造體之表面不從橫構件63、67之下部側露出之狀態。

在第1電極體41及第2電極體42之周圍，於環部6之下方側，以覆蓋該等第1電極體41及第2電極體42之側面的方式配置側部絕緣構件73。該側部絕緣構件73例如藉由氧化鋁等之絕緣性陶瓷或聚四氟乙烯等之絕緣性樹脂，形成為俯視狀態下四角形狀之環形狀。另外，在側部絕緣構件73之周圍，配設有覆蓋側部絕緣構件73之側面且位於下部電極4之側部之最外側的外側環部74。該外側環部74例如藉由和環部6相同之材質形成為俯視狀態下四角形狀之環形狀，於該外側環部74之表面載置有環部6之背面側周緣部。側部絕緣構件73之下面被絕緣構件46支撐。圖1中，49為形成密封構件的O環。

接著，參照圖2對環部6之安裝構造進行說明。帶狀構件61~67具有設於各別之限制端611~671的限制用之孔部75、及在限制用之孔部75之前方側沿著長度方向分離設置之支撐用之孔部76。支撐用之孔部76至少設置1個，但亦可以與帶狀構件61~67之長度對應而設置2個或2個以上。限制用之孔部75係作為限制帶狀構件61~67之限制端611~671之長度方向之移動的被限制部之功能者，例如在與限制用之孔部75垂直的剖面中縫隙較少，平面上的形狀形成為正圓狀。

支撐用之孔部76係作為使帶狀構件61~67之自由端612~672在長度方向自由移位地被導引之被導引部之功能者，在與支撐用之孔部76垂直的剖面中在長度方向具有縫隙，平面上的形狀係形成為兩端成為半圓之矩形。支撐用之孔部76中的長徑係形成為具有，即使各帶狀構件61~67熱膨脹，裝配於支撐用之孔部76的後述之支撐銷不限制帶狀構件61~67之熱膨脹的程度之長度。

各帶狀構件61~67之限制端611~671，係分別藉由裝配於限制用之孔部75的限制銷77，例如被固定於側部絕緣構件73之上面或第1電極體41之上面。另外，帶狀構件61~67，係藉由嵌入支撐用之孔部76的支撐銷78，使各別之帶狀構件之自由端612~672被支撐成為相對於側部絕緣構件73之上面或第1電極體41之上面可以自由移位。據此，各帶狀構件61~67被支撐成為以限制端611~671為起點沿著長度方向可以熱膨脹或熱收縮。亦可以構成為，在該等限制用之孔部75及支撐用之孔部76之上部設置未圖示的絕緣性之披覆構件，使限制銷77、支撐銷78、孔部75、76不暴露於電漿。又，將限制用之孔部75及支撐用之孔部76作為沉頭孔設置於各帶狀構件61~67之背面側，並且將限制銷77及支撐銷78設置於側部絕緣構件73側或第1電極體41側，據此而構成為限制銷77、支撐銷78、孔部75、76不暴露於電漿亦可。

於電漿處理裝置1例如設置有由電腦構成之控制部100。該控制部100具備程式、記憶體、由CPU構成之資料處理部等，程式中組裝有指令可由控制部100對電漿處理裝置1的各部發送控制信號，並進行後述的各步驟而對基板G進行電漿處理。該程式儲存於電腦記憶媒體例如軟碟、光碟、MO(光磁碟)等的未圖示的記憶部而被安裝於控制部100。

於上述電漿處理裝置1中，首先開啟柵閥15藉由未圖示的搬送機構例如將2片基板G橫向並列保持並搬入處理室12內，使下部電極4升降，針對第1基板載置面51及第2基板載置面52，透過未圖示的基板交接機構使2片基板G同時載置於第1基板載置面51及第2基板載置面52上，使該等基板G被靜電吸附於下部電極4。亦可以藉由外部的搬送機構，1片片地搬入基板G，1片片地將基板G載置於第1基板載置面51及第2基板載置面52。接著，關閉柵閥15，從處理氣體供給系統25經由氣體供給部21的氣體吐出孔23將處理氣體供給至處理室12內，而且從排氣口16經由排氣路17藉由真空排氣機構18對處理室12內實施真空排氣，將處理室12內維持於例如0.66~26.6Pa左右的壓力氛圍。又，為了迴避基板G的溫度上昇或溫度變化，經由氣體供給路412對基板G的背面側供給He氣體。

接著，從高頻電源37例如將13.56MHz的高頻施加於高頻天線部3，據此，經由介電質窗2而在處理室12內形成均勻的感應電場，藉由該感應電場，在處理室12內生成處理氣體被電漿化之高密度的感應耦合電漿。藉由該電漿，對2片基板G進行電漿處理，例如對基板G的規定的膜同時進行電漿蝕刻。此時，從高頻電源55將作為偏壓用的高頻電力之例如頻率為6MHz的高頻電力施加於下部電極4，據此而將處理室12內生成的電漿中的離子吸引至下部電極4側，進行垂直性高的蝕刻處理。又，藉由設置於基板G的周圍之由絕緣構件形成的環部6，電漿集中於基板G上，可以提升蝕刻速度。

環部6暴露於電漿被加熱，如圖4之模式圖所示，構成環部6的帶狀構件61~67熱膨脹，向長度方向伸長。圖4中，帶狀構件61~67係以限制限制端611~671的限制銷77作為起點向自由端612~672方向伸長，自由端612~672的前端位置移位和基於熱膨脹而伸長之長度相當的尺寸。又，橫構件63、67之互呈對向的端面632、672雖以相互接近的方式伸長，但在該等伸長方向之間形成有間隙60，因此藉由該間隙60吸收熱引起的伸長。

如此般，構成環部6的帶狀構件61~67中，熱膨脹時的伸長方向的一端側(自由端612~672)呈開放，而且在相互對向的橫構件63、67間形成有用於吸收熱引起的伸長之間隙60。因此，進行電漿處理時即使帶狀構件61~67熱膨脹，亦不會發生鄰接的帶狀構件61~67彼此推壓產生應力、環部6變形或破損。

又，橫構件63、67間的間隙60係設置於境界區域44的延長上，形成於不與下部電極4接觸之區域。因此，從間隙60觀察時，在下部電極4側存在有縱構件64之後端面(限制端)641，成為下部電極4不露出的構造，因此電漿處理的開始時，即使電漿進入間隙60，亦可以抑制下部電極4的側面直接暴露於電漿中。據此，可以抑制基於電漿而發生的電場集中於下部電極4之上面與側面之間的角部、下部電極4引起異常放電、下部電極4表面的熔射膜45被侵蝕、熔射膜45無法保持絕緣性、異常放電的產生風險變高等問題。另外，橫構件63、67的互呈對向的端面632、672係將段部組合而形成，因此在間隙60的下方側存在有橫構件的一方，即使電漿進入間隙60，亦可以抑制電漿與位於下部側的側部絕緣構件73之間的接觸。

在此，如圖5所示，對配置構成環部68之帶狀構件681~685之例進行說明。以圍繞下部電極4之上部的側面的全周的方式設置之帶狀構件681~684，在按逆時針巡迴的巡迴路徑上觀察時，係以成為後方側的帶狀構件的前端部的側面接觸前方側的帶狀構件之後端面之關係的方式被配置。在該等帶狀構件681~684之後部側(限制端側)設置有限制用的孔部(未圖示)及限制銷691，在與限制銷691在長度方向隔離之位置設置有支撐用的孔部692及支撐銷693，構成為帶狀構件681~684熱膨脹時自由端側伸長。又，配置於境界區域44的帶狀構件685的限制端係與帶狀構件683的中央區域的側面接觸，在其自由端與帶狀構件681的側面之間形成有用於吸收帶狀構件685之基於熱的伸長之間隙69。

在這樣的構成中，從間隙69觀察時，在間隙69的側方存在有構成第1基板載置面51的下部電極4與構成第2基板載置面52的下部電極4。因此，電漿進入間隙69時，電漿與下部電極4接觸，發生下部電極4的異常放電、或熔射膜45的侵蝕之風險變高。

相對於此，依據上述實施形態，在以圍繞載置2片基板G之下部電極4之上部的側面的方式設置環部6時，在電漿處理時即使構成環部6的帶狀構件61~67熱膨脹之情況下，亦可以抑制環部6的變形或破損。另外，為了吸收熱引起的伸長而事先形成的間隙60，係以在不接觸下部電極4之位置使下部電極4不會露出的方式而構成，因此可以防止電漿引起的下部電極4的異常放電、或熔射膜45的侵蝕的產生。

接著，參照圖6說明其他實施形態的環部8。該環部8係將沿著第1基板載置區域501的四邊設置之帶狀構件81~84與沿著第2基板載置區域502的四邊設置之帶狀構件85~88組合而構成。帶狀構件81~84，在按逆時針巡迴的巡迴路徑711上觀察時，以成為後方側的帶狀構件的前端部的側面接觸前方側的帶狀構件之後端面之關係的方式被配置。又，帶狀構件85~88，在按逆時針巡迴的巡迴路徑712上觀察時，以成為後方側的帶狀構件的前端部的側面接觸前方側的帶狀構件之後端面之關係的方式被配置。

設置於第1及第2基板載置區域501、502的境界區域之帶狀構件(縱構件)，係由分別屬於相互鄰接的巡迴路徑711、712的第1縱構件84及第2縱構件86構成。又，在分別屬於巡迴路徑711、712且配置於一直線上的帶狀構件(橫構件)81、85之間，配設有第1縱構件84。在橫構件85的端面(自由端)與第1縱構件84的前端部的側面之間，形成用於吸收橫構件85之熱引起的伸長之第1間隙891。

另外，在分別屬於巡迴路徑711、712且配置於一直線上的帶狀構件(橫構件)83、87之間，配設有第2縱構件86。在橫構件83的端面(自由端)與第2縱構件86的前端部的側面之間，用於吸收橫構件83之熱引起的伸長之第2間隙892。該等第1及第2間隙891、892，係形成於境界區域的延長線上，從第1及第2間隙891、892側方觀察時，以下部電極4不露出的方式構成。

在各帶狀構件81~88之後部側設置有形成各個被限制部之限制用孔部(未圖示)及限制銷801，在比起該限制銷801更前方側，分別設置有構成被導引部之支撐用孔部802及支撐銷803。限制用孔部、限制銷801、支撐用孔部802、支撐銷803係和上述實施形態同樣之構成。各帶狀構件81~88構成為，通過限制銷801限制長度方向的移動之狀態下自由端側基於熱而伸長。如該構成的環部般，在相互鄰接的環部8的境界區域與每一個環部對應地具備縱構件之構成中，相互鄰接的環部的巡迴的方向彼此成為同一方向。

這樣的構成中，以圍繞載置2片基板G的下部電極4之上部的側面的方式設置環部8時，進行電漿處理時，即使構成環部8之帶狀構件81~88熱膨脹之情況下，亦可以抑制環部8的變形或破損。又，用於吸收熱引起的伸長而事先形成的間隙891、892，係在不與下部電極4接觸之位置，以使下部電極4不露出的方式構成，因此可以防止電漿引起的下部電極4的異常放電或侵蝕的產生。又，該例中，若將第1及第2縱構件84、86形成為一體，在一體形成的構件的第1基板載置區域501側與第2基板載置區域502側其之伸長方向相反，因此在與限制銷801接觸之部分中縱構件有可能龜裂。

如以上說明，本發明亦適用於在下部電極4將3片以上的基板彼此隔開間隔載置時。圖7所示例，係在下部電極4的表面形成第1~第3基板載置區域511、512、513，在設置於各個基板載置區域之間之境界區域分別配設有共通的縱構件之例。在第1基板載置區域511的周圍形成逆時針的巡迴路徑，沿著該巡迴路徑，以成為後方側的帶狀構件的前端部的側面接觸前方側的帶狀構件之後端面之關係的方式配置有帶狀構件910~913。在第2基板載置區域512的周圍形成順時針的巡迴路徑，沿著該巡迴路徑，以成為後方側的帶狀構件的前端部的側面接觸前方側的帶狀構件之後端面之關係的方式配置有帶狀構件913~916。在第3基板載置區域513的周圍形成逆時針的巡迴路徑，沿著該巡迴路徑，以成為後方側的帶狀構件的前端部的側面接觸前方側的帶狀構件之後端面之關係的方式配置有帶狀構件915、917~919。

縱構件913、915分別被相互鄰接的巡迴路徑的各個共用。如該構成的環部般在相互鄰接的環部的境界區域具備共通的縱構件之構成中，相互鄰接的環部的巡迴的方向彼此成為逆向。另外，在配置於一直線上的橫構件912與橫構件916之間，以及在配置於一直線上的橫構件914與橫構件919之間，分別形成有用於吸收橫構件的熱引起的伸長之第1間隙921及第2間隙922。該等第1及第2間隙921、922分別形成於境界區域的延長線上，以使下部電極4不從第1及第2間隙921、922露出的方式構成。在各帶狀構件910~919之後部側設置有構成各個被限制部之限制用孔部(未圖示)及限制銷923。又，在比起該限制銷923更前方側，設置有構成各個被導引部之支撐用孔部924及支撐銷925，各帶狀構件910~919在通過限制銷923限制長度方向的移動之狀態下，成為自由端側基於熱而伸長之構成。

在該例的第1間隙921及第2間隙922中，亦和上述實施形態的間隙60同樣地，分別將橫構件912、916與橫構件914、919的相互對向的端面彼此之各個段部組合來構成。如此則，從上方側觀察第1間隙921及第2間隙922時，成為位於橫構件912、916、橫構件914、919的下部側之構造體的表面不露出之構造。

又，圖8所示例，係在下部電極4的表面形成第1~第3基板載置區域511、512、513，在各個基板載置區域之間設置境界區域之情況下，於各個境界區域配設第1縱構件及第2縱構件之例。在第1~第3基板載置區域511~513的周圍分別形成逆時針的巡迴路徑，沿著該巡迴路徑，分別以成為後方側的帶狀構件的前端部的側面接觸前方側的帶狀構件之後端面之關係的方式，將帶狀構件931~934、帶狀構件941~944、帶狀構件951~954進行配置。

在第1及第2基板載置區域511、512的境界區域設置有第1縱構件934及第2縱構件942，在配置於一直線上的橫構件931及橫構件941之間配設有第1縱構件934。在橫構件941的端面(自由端)與第1縱構件934之間形成間隙961。同樣地，在配置於一直線上的橫構件933與橫構件943之間配設有第2縱構件942。在橫構件933的端面(自由端)與第2縱構件942之間形成間隙962。該等間隙961、962係用於吸收橫構件的熱引起的伸長者，設置於境界區域的延長線上。

又，在第2及第3基板載置區域512、513的境界區域設置有第1縱構件944及第2縱構件952。又，在配置於一直線上的橫構件941與橫構件951之間配設有第1縱構件944。在橫構件951的端面(自由端)與第1縱構件944之間形成間隙963。同樣地，在配置於一直線上的橫構件943與橫構件953之間配設有第2縱構件952。在橫構件943的端面(自由端)與第2縱構件952之間形成間隙964。該等間隙963、964係用於吸收橫構件的熱引起的伸長者，設置於境界區域的延長線上。

如該構成的環部般，在相互鄰接的環部8的境界區域與每一個環部對應地具備縱構件之構成中，相互鄰接的環部的巡迴的方向相互成為同一方向。在各帶狀構件之後部側，設置有構成各個被限制部之限制用孔部(未圖示)及限制銷971。又，在比起該限制銷971更前方側，設置有構成被導引部之支撐用孔部972及支撐銷973，各帶狀構件在通過限制銷971限制長度方向的移動之狀態下，成為自由端側基於熱而伸長之構成。

圖7及圖8所示構成中，在電漿處理時，用來抑制熱膨脹引起的構成環部之帶狀構件彼此之接觸，事先為了吸收橫構件的熱引起之伸長而形成的間隙961~964，係設置於不從下部電極4露出的區域，因此可以抑制下部電極4的異常放電或侵蝕的產生。

本實施形態中，環部係由絕緣性的陶瓷、例如由氧化鋁、釔、氮化矽、石英等構成。又，銷可以使用不鏽鋼銷、陶瓷銷、鋁銷等。又，帶狀構件的長度方向的移動的限制雖使用銷，但除了銷以外，關於帶狀構件之後端部的固定，例如亦可以使用螺固或藉由夾具等之壓接、或藉由帶狀構件與側部絕緣構件之嵌合構造的固定等。另外，關於自由端側的自由移位部分，可以使用通過帶狀構件與側部絕緣構件之嵌合式的軌條等可以限制沿著一方向移位之導引構件等。

在此，在處理室12的底部配置下部電極4之手法，不限定於如圖1所示透過被升降自如之支柱47支撐的絕緣構件46來設置。例如在由金屬製的處理容器10構成的處理室12的底面，將由絕緣構件構成的支撐台進行固定配置，於其上設置下部電極4亦可。此情況下，與外部搬送機構之間的基板G的交接，係使用具備驅動機構之基板交接機構來進行，藉由該驅動機構使對第1及第2基板載置面51、52可以伸出/縮回的交接銷升降。

又，於處理容器10形成的電漿，不限定於具備形成感應耦合電漿之高頻天線部3、介電質窗2之情況者。亦適用於替代介電質窗2改為透過由非磁性的金屬例如鋁或鋁合金構成的金屬壁(金屬窗)而設置有高頻天線部3之情況。此情況下，處理氣體並非由氣體供給部21而是通過在金屬壁設置氣體噴淋機構進行供給。另外，亦可以使用在下部電極4與金屬製的氣體供給部之間形成容量耦合電漿之構成。

使用本發明的電漿處理裝置實施的電漿處理的種類，不限定於上述說明的蝕刻處理或灰化處理，亦可以是對基板G的成膜處理。又，基板G的種類亦不限定於上述說明的G6半基板的例，亦可以是其他尺寸的矩形基板。另外，不限定於FPD用的矩形基板，亦適用於處理太陽電池等的其他用途的矩形基板。

4‧‧‧下部電極25‧‧‧處理氣體供給系統44‧‧‧境界區域51‧‧‧第1基板載置面52‧‧‧第2基板載置面6‧‧‧環部60‧‧‧間隙61~63：65~67‧‧‧帶狀構件(橫構件)64‧‧‧帶狀構件(縱構件)611：621：631：641：651：661：671‧‧‧限制端612：622：632：642：652：662：672‧‧‧自由端71‧‧‧第1巡迴路徑72‧‧‧第2巡迴路徑75‧‧‧限制用之孔部76‧‧‧支撐用之孔部77‧‧‧限制銷78‧‧‧支撐銷100‧‧‧控制部A‧‧‧間隙60之寬度

4‧‧‧下部電極

44‧‧‧境界區域

51‧‧‧第1基板載置面

52‧‧‧第2基板載置面

6‧‧‧環部

60‧‧‧間隙

61~63：65~67‧‧‧帶狀構件(橫構件)

64‧‧‧帶狀構件(縱構件)

611：621：631：641：651：661：671‧‧‧限制端

612：622：632：642：652：662：672‧‧‧自由端

71‧‧‧第1巡迴路徑

72‧‧‧第2巡迴路徑

75‧‧‧限制用之孔部

76‧‧‧支撐用之孔部

77‧‧‧限制銷

78‧‧‧支撐銷

A‧‧‧間隙60之寬度

Claims

一種電漿處理裝置，係在至少上部的側面遍及全周被由絕緣構件構成的環部圍繞的下部電極之上載置四角形的基板，藉由電漿對基板進行處理者，其特徵為：　　上述下部電極構成為，使複數片基板隔開間隔橫向並列載置而且使各基板依每一環部進行載置，　　相互鄰接的上述環部之一方係由帶狀構件構成，該帶狀構件為，在沿著基板的四邊按順時針巡迴的巡迴路徑上觀察時，若將上述巡迴的方向定義為前方，以成為後方側的帶狀構件的前端部的側面接觸前方側的帶狀構件之後端面之關係的方式來形成四邊者，　　相互鄰接的上述環部的另一方係由帶狀構件構成，該帶狀構件為，在沿著基板的四邊按逆時針巡迴的巡迴路徑上觀察時，若將上述巡迴的方向定義為前方，以成為後方側的帶狀構件的前端部的側面接觸前方側的帶狀構件之後端面之關係的方式來形成四邊者，　　構成上述環部的各帶狀構件，係在其後部側設置有用於限制長度方向之移動的被限制部，　　將與相互鄰接的基板對應之下部電極彼此之間的境界區域之伸長方向定義為縱方向，將設置於上述境界區域的帶狀構件定義為縱構件，將沿著橫方向伸長的帶狀構件定義為橫構件時，　　設置於上述境界區域的縱構件，對於上述相互鄰接的環部的各個巡迴路徑係被共通化，　　在前端部的側面分別與上述縱構件之後端面接觸的屬於上述環部的一方之橫構件，與屬於上述環部的另一方之橫構件之間，形成有用於吸收橫構件的熱引起的伸長之間隙。
一種電漿處理裝置，係在至少上部的側面遍及全周被由絕緣構件構成的環部圍繞的下部電極之上載置四角形的基板，藉由電漿對基板進行處理者，其特徵為：　　上述下部電極構成為，使複數片基板隔開間隔橫向並列載置而且使各基板依每一環部進行載置，　　相互鄰接的上述環部均由帶狀構件構成，該帶狀構件為，在沿著基板的四邊按順時針巡迴的巡迴路徑及按逆時針巡迴的巡迴路徑上之一方觀察時，若將上述巡迴的方向定義為前方時，以成為後方側的帶狀構件的前端部的側面接觸前方側的帶狀構件之後端面之關係的方式來形成四邊者，　　構成上述環部的各帶狀構件，係在其後部側設置有用於限制長度方向之移動的被限制部，　　將與相互鄰接的基板對應之下部電極彼此之間的境界區域之伸長方向定義為縱方向，將設置於上述境界區域的帶狀構件定義為縱構件，將沿著橫方向伸長的帶狀構件定義為橫構件時，　　設置於上述境界區域的縱構件，係由上述相互鄰接的環部的一方的巡迴路徑及另一方的巡迴路徑上各自所屬之一方的縱構件及另一方的縱構件構成，　　在上述一方之縱構件的前端部的側面與和該側面呈對向，且屬於上述另一方之環部的巡迴路徑上之橫構件的前端面之間，形成有用於吸收橫構件的熱引起的伸長之間隙，　　在上述另一方之縱構件的前端部的側面與和該側面呈對向，且屬於上述一方之環部的巡迴路徑上之橫構件的前端面之間，形成有上述間隙。
如申請專利範圍第1或2項電漿處理裝置，其中　　在上述帶狀構件中的比起被限制部更前方側，設置有將該帶狀構件導引向長度方向的被導引部。