JP2012109446A - 絶縁部材及び絶縁部材を備えた基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】シール部材のプラズマによる劣化を防止できる絶縁部材を提供する。
【解決手段】基板処理装置のチャンバ内でサセプタとチャンバの底部平面とを絶縁する絶縁部材14が、内側部材41と、外側部材42と、その間に配置されたOリング43とを有し、外側部材42は矩形のサセプタ12の各辺に対応する長尺状物44〜47の組合せ体からなり、各長尺状物の一端の端面が隣接する他の長尺状物の一端の側面に当接し、他端の側面が別の長尺状物の一端の端面に当接するように組合せられ、各長尺状物の一端が固定用のねじ孔48を介してチャンバ11の底部平面51に固定され、他端が支持用のねじ孔49を介して変位自在に支持されて配列されている。
【選択図】図2
【解決手段】基板処理装置のチャンバ内でサセプタとチャンバの底部平面とを絶縁する絶縁部材14が、内側部材41と、外側部材42と、その間に配置されたOリング43とを有し、外側部材42は矩形のサセプタ12の各辺に対応する長尺状物44〜47の組合せ体からなり、各長尺状物の一端の端面が隣接する他の長尺状物の一端の側面に当接し、他端の側面が別の長尺状物の一端の端面に当接するように組合せられ、各長尺状物の一端が固定用のねじ孔48を介してチャンバ11の底部平面51に固定され、他端が支持用のねじ孔49を介して変位自在に支持されて配列されている。
【選択図】図2
Description
本発明は、基板処理装置の処理室内に設けられた電極と処理室の内壁面とを電気的に絶縁する絶縁部材及び該絶縁部材を備えた基板処理装置に関する。
液晶表示装置(LCD)をはじめとするFPD(Flat Panel Display)の製造工程において、ガラス基板をはじめとする各種基板に対してプラズマ処理を施す基板処理装置が知られている。
このような基板処理装置においては、内部が真空領域である処理室(以下、「チャンバ」という。)内で基板を支持する基板載置台(サセプタ)と、該サセプタと処理空間を隔てて対向するように配置された上部電極とを有し、下部電極として機能するサセプタにプラズマ生成用の高周波電力(RF)を印加すると共に、チャンバ内の処理空間に処理ガスを導入してプラズマを生成させ、生成したプラズマを用いてサセプタに載置された基板に対して所定のプラズマ処理が施される。
サセプタは処理対象である基板と同様の矩形を呈しており、RFの絶縁を確保するためにサセプタとチャンバの内壁面、例えば底部壁面とを電気的に絶縁する絶縁部材は矩形の環状体からなる。絶縁部材は、通常、内側部材と、外側部材と、該内側部材と外側部材との間に配置されたシール部材とから主として構成されている。内側部材及び外側部材は、例えば、ポリテトラフルオロエチレン(商品名:テフロン(登録商標))をはじめとする絶縁性の材料で構成されており、内側部材で囲まれた領域は、大気に開放された大気領域となっている。従って、内側部材と外側部材との間に配置されたシール部材は、チャンバ内の真空領域と内部部材に囲まれた大気領域とを区画している。
絶縁部材を構成する内部部材及び外部部材は矩形の環状体であり、近年の産業界の要請等に伴う処理基板の大型化に伴って大型化しているために一体成形することが困難であること、また、形状の簡易化、コストダウン、部材の膨張による寸法変化への対策の観点から、通常、複数の構成部材の組合せによる組合せ体として形成されている。
図7は、従来技術における絶縁部材の構成を示す図であり、図7(A)は、絶縁部材全体の平面図、図7(B)は、絶縁部材の角部の部分拡大平面図、図7(C)は、絶縁部材の角部の部分拡大側面図である。
図7において、絶縁部材70は、矩形の内側部材71及び外側部材72と、該内側部材71及び外側部材72の間に挟持するように配置されたシール部材としての矩形のOリング73とから主として構成されている。内側部材71及び外側部材72は複数に分割された構成部材からなり、各構成部材は、図示省略したねじによってチャンバの底部壁面に固定されている。なお、矩形の角部に配置された構成部材はそれぞれL字状を呈している。
絶縁部材70は、処理目的に応じて加熱される下部電極からの伝熱によって加熱され、熱膨張する。従って、熱膨張時に、隣接する構成部材相互の当接面において相互に他方を押し合う力が発生して変形する虞がある。
そこで、各構成部材相互間には、あらかじめ熱膨張代として熱膨張分を吸収するための隙間74が設けられている。なお、プラズマの、例えば、縦方向の貫通を防止するために、各構成部材相互の当接部に段差部75が設けられており、隙間74は段差部75によって2つに分割されている。
しかしながら、隙間74は種々の処理条件における各構成部材の熱膨張を吸収するために十分な大きさに設計されていたために、基板処理時に構成部材が熱膨張しても隙間74が完全に閉じられず、殆どの場合、隙間74に幾分かの間隙が残留していた。
プラズマ処理時に、各構成部材相互間に隙間74が存在すると、該隙間74からプラズマが進入して外側部材72の内側に配置されたOリング73に至り、プラズマの照射を受けたOリング73が短時間のうちに劣化するという問題が生じる。
そこで、このような絶縁部材、シールドリングをはじめとするチャンバ内部品の熱膨張に伴って発生する問題を解決するために、チャンバ内部品を構成する各構成部材を相互に引きつけるように付勢する付勢部材又は各構成部材を該構成部材の組み立て体としてのチャンバ内部品の中心部に向かって付勢する付勢部材を取り付け、これによって、各構成部材相互間における隙間の発生を防止する技術が提案されている(例えば、「特許文献1」参照)。
しかしながら、チャンバ内部品を形成するための各構成部材に対して特定の方向に働く作用力を付与するための付勢部材を取り付けることは、必ずしも容易ではない。一方、熱膨張を吸収するための隙間をなくしたのでは、熱膨張による構成部材の変形または破損を招くことになり、また、熱膨張を十分吸収できる隙間を放置したのでは、該隙間からプラズマが進入して、例えばその内部に配置された他の構成部品の劣化を促進させるという問題がある。
本発明の課題は、シール部材の劣化を防止することができる絶縁部材及び該絶縁部材を備えた基板処理装置を提供することにある。
上記課題を解決するために、請求項1記載の絶縁部材は、矩形の基板にプラズマ処理を施す基板処理装置の処理室内で前記基板を載置する矩形の載置台と前記処理室の内壁面とを電気的に絶縁する絶縁部材であって、内側部材と、外側部材と、該内側部材及び外側部材の間に配置され前記処理室内の真空領域と前記内側部材で囲まれた大気領域とを区画する環状のシール部材と、を有し、前記外側部材は、前記矩形の載置台の各辺に対応して配置された絶縁性の長尺状物の組合せ体からなり、各長尺状物の長さ方向の一端の端面が、隣接する他の長尺状物の長さ方向の一端の側面に当接し、他端の側面が、前記隣接する他の長尺状物とは異なる隣接する別の長尺状物の長さ方向の一端の端面に当接するようにそれぞれ組合せられ、前記各長尺状物の長さ方向の一端が固定用のねじ孔を介して前記処理室の内壁面に固定され、他端が少なくとも1つの支持用のねじ孔を介して変位自在に支持されて配列されていることを特徴とする。
請求項2記載の絶縁部材は、請求項1記載の絶縁部材において、前記各長尺状物は、前記固定された一端を起点にして前記長尺状物の長さ方向に沿って熱膨張又は熱収縮可能に配列されていることを特徴とする。
請求項3記載の絶縁部材は、請求項1又は2記載の絶縁部材において、前記固定用のねじ孔は、該固定用のねじ孔に垂直な断面において真円形であり、前記支持用のねじ孔は、該支持用のねじ孔に垂直な断面において前記長尺状物の長さ方向に長い楕円形若しくは両端が半円である矩形であることを特徴とする。
請求項4記載の絶縁部材は、請求項3記載の絶縁部材において、前記固定用のねじ孔に装着される固定ねじの締め付けトルクを、前記支持用のねじ孔に装着される支持ねじの締め付けトルクよりも大きくしたことを特徴とする。
請求項5記載の絶縁部材は、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の絶縁部材において、前記外側部材は、前記環状のシール部材の長さ方向に直交する断面において前記環状のシール部材の外側面側にのみに存在していることを特徴とする。
請求項6記載の絶縁部材は、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の絶縁部材において、前記外側部材における前記長尺状物相互の当接部の内側面は曲面を呈しており、前記長尺状物の一端の側面に前記曲面を形成する突出部が設けられていることを特徴とする。
請求項7記載の絶縁部材は、請求項1乃至5のいずれか1項に記載の絶縁部材において、前記外側部材における前記長尺状物相互の当接部の内側面は実質的に直角の角部を形成しており、前記長尺状物は、突起部を有さない矩形の外形を有することを特徴とする。
請求項8記載の絶縁部材は、請求項1乃至7のいずれか1項に記載の絶縁部材において、前記各長尺状物の長さ方向の一端の端面と、前記隣接する他の長尺状物の長さ方向の一端の側面との当接部に段差構造の組合せ部が形成されていることを特徴とする。
請求項9記載の絶縁部材は、請求項8記載の絶縁部材において、前記段差構造の少なくとも一部は、前記各長尺状物の一端の端面と、前記隣接する他の長尺状物の前記一端の側面との当接部に形成された凹部に遊嵌された絶縁材料からなる入れ子部材で構成されていることを特徴とする。
請求項10記載の絶縁部材は、請求項9記載の絶縁部材において、前記凹部と前記入れ子部材との間に、前記長尺状物の長さ方向に沿った熱膨張又は熱収縮に起因する変位を吸収する隙間が設けられていることを特徴とする。
請求項11記載の絶縁部材は、請求項10記載の絶縁部材において、前記凹部における前記入れ子部材の挿入口は、サイドシールド部材で封止されていることを特徴とする。
請求項12記載の絶縁部材は、請求項1乃至11のいずれか1項に記載の絶縁部材において、前記環状のシール部材の一部は、前記処理室の内壁面に設けられた凹部に嵌合されていることを特徴とする。
請求項13記載の絶縁部材は、請求項1乃至12のいずれか1項に記載の絶縁部材において、前記内側部材は、複数の構成部材が組み合わされた組合せ体からなり、各構成部材の相互間に熱膨張を吸収するための隙間が設けられていることを特徴とする。
上記課題を解決するために、請求項14記載の基板処理装置は、請求項1乃至13のいずれか1項に記載の絶縁部材を備えていることを特徴とする。
本発明によれば、内側部材及び外側部材と、その間に配置された環状のシール部材とを有する絶縁部材における外部部材を長尺状物の組合せ体で絶縁部材を構成し、各長尺状物の長さ方向の一端の端面が、隣接する他の長尺状物の長さ方向の一端の側面に当接し、他端の側面が、隣接する他の長尺状物とは異なる隣接する別の長尺状物の長さ方向の一端の端面に当接するようにそれぞれ組合せ、各長尺状物の一端を固定するとともに、他端を変位自在に支持するようにしたので、外側部材の構成部材相互間に隙間を形成することなく、熱膨張を吸収して外部部材の内側に配置されたシール部材へのプラズマの進入を阻止し、これによって、プラズマが照射されることによるシール部材の劣化を防止することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
図1は、本発明の実施の形態に係る絶縁部材を備えた基板処理装置の概略構成を示す断面図である。この基板処理装置は、例えば、液晶表示装置(LCD)製造用のガラス基板にプラズマエッチング処理を施すものである。
図1において、基板処理装置10は、例えば1辺が数mの矩形のガラス基板G(以下、単に「基板」という。)を収容する処理室(チャンバ)11を有し、該チャンバ11内部の図中下方には基板Gを載置する載置台(サセプタ)12が配置されている。サセプタ12は、例えば、表面がアルマイト処理されたアルミニウムやステンレス等からなる基材13で構成されており、基材13は絶縁部材14を介してチャンバ11の内壁面である底部平面に支持されている。絶縁部材14は、サセプタ12とチャンバ11の底部平面とを電気的に絶縁する。基材13は断面凸型を呈しており、その上部平面は基板Gを載置する基板載置面13aとなっている。
基板載置面13aの周囲を囲むようにシールドリング15が設けられている。基材13の上部は静電電極板16を内蔵し、静電チャックとして機能する。静電電極板16には直流電源17が接続されており、静電電極板16に正の直流電圧が印加されると、基板載置面13aに載置された基板Gにおける静電電極板16側の面(以下、「裏面」という。)には負電荷が誘起され、これによって静電電極板16及び基板Gの裏面の間に電界が生じ、該電界に起因するクーロン力又はジョンソン・ラーベック力により、基板Gが基板載置面13aに吸着保持される。
基材13の内部には、基材13及び基板載置面13aに載置された基板Gの温度を調節するための温度調節機構(図示省略)が設けられている。この温度調節機構に、例えば、冷却水やガルデン(登録商標)等の冷媒が循環供給され、該冷媒によって冷却された基材13は基板Gを冷却する。
基材13の周囲には、シールドリング15と基材13との当接部を含む側面を覆うサイドシールド部材としての絶縁リング18が配置されている。絶縁リング18は絶縁性のセラミックス、例えばアルミナで構成されている。
チャンバ11の底部平面、絶縁部材14で囲まれた空間部及び基材13を貫通する貫通孔に、昇降ピン21が昇降可能に挿通されている。昇降ピン21は基板載置面13aに載置される基板Gの搬入及び搬出時に作動するものであり、基板Gをチャンバ11内に搬入する際又はチャンバ11から搬出する際には、サセプタ12の上方の搬送位置まで上昇し、それ以外のときには基板載置面13a内に埋設状態で収容されている。
基板載置面13aには、図示省略した複数の伝熱ガス供給孔が開口している。複数の伝熱ガス供給孔は伝熱ガス供給部に接続され、伝熱ガス供給部から伝熱ガスとして、例えばヘリウム(He)ガスが基板載置面13a及び基板Gの裏面の間隙に供給される。基板載置面13a及び基板Gの裏面の間隙に供給されたヘリウムガスは基板Gとサセプタ12の間で効果的に熱の伝達を行い、例えば、基板Gの熱をサセプタ12に抜熱して効果的に基板Gの冷却を行うことができる。
サセプタ12の基材13には、高周波電力を供給するための高周波電源23が整合器24を介して接続されている。高周波電源23からは、例えば13.56MHzの高周波電力(RF)が印加され、サセプタ12は下部電極として機能する。整合器24は、サセプタ12からの高周波電力の反射を低減して高周波電力のサセプタ12への印加効率を最大にする。
基板処理装置10では、チャンバ11の内部側壁とサセプタ12の側面とによって側方排気路26が形成される。この側方排気路26は排気管27を介して排気装置28に接続されている。排気装置28としてのTMP(Turbo Molecular Pump)及びDP(Dry Pump)若しくはMBP(Mechanical Booster Pump)(ともに図示省略)はチャンバ11内を真空引きして減圧する。具体的には、DP若しくはMBPはチャンバ11内を大気圧から中真空状態(例えば、1.3×10Pa(0.1Torr)以下)まで減圧し、TMPはDP若しくはMBPと協働してチャンバ11内を中真空状態より低い圧力である高真空状態(例えば、1.3×10−3Pa(1.0×10−5Torr)以下)まで減圧する。なお、チャンバ11内の圧力はAPCバルブ(図示省略)によって制御される。
チャンバ11の天井部分には、サセプタ12と対向するようにシャワーヘッド30が配置されている。シャワーヘッド30は内部空間31を有するとともに、サセプタ12との間の処理空間Sに処理ガスを吐出する複数のガス孔32を有する。シャワーヘッド30は接地されており、下部電極として機能するサセプタ12と共に一対の平行平板電極を構成している。
シャワーヘッド30は、ガス供給管36を介して処理ガス供給源39に接続されている。ガス供給管36には、開閉バルブ37及びマスフローコントローラ38が設けられている。また、処理チャンバ11の側壁には基板搬入出口34が設けられており、この基板搬入出口34はゲートバルブ35により開閉可能となっている。そして、このゲートバルブ35を介して処理対象である基板Gがチャンバ11に搬入出される。
基板処理装置10では、処理ガス供給源39から処理ガス導入管36を介して処理ガスが供給される。供給された処理ガスは、シャワーヘッド30の内部空間31及びガス孔32を介してチャンバ11の処理空間Sへ導入される。導入された処理ガスは、高周波電源23からサセプタ12を介して処理空間Sへ印加されたプラズマ生成用の高周波電力(RF)によって励起されてプラズマとなる。プラズマ中のイオンは、基板Gに向かって引きこまれ、基板Gに対して所定のプラズマエッチング処理を施す。
基板処理装置10の各構成部品の動作は、基板処理装置10が備える制御部(図示省略)のCPUがプラズマエッチング処理に対応するプログラムに応じて制御する。
図2は、本発明の実施の形態に係る絶縁部材の構成を示す平面図である。
図2において、絶縁部材14は、内側部材41と、外側部材42と、該内側部材41及び外側部材42の間に挟持されるように配置された環状のシール部材(以下、「Oリング」という。)43とから主として構成されている。
外部部材42は、矩形のサセプタ12の各辺に対応して配置された4つの長尺状物からなる矩形を呈しており、対向する2つの短辺を形成する長尺状物44、45と、対向する2つの長辺を形成する長尺状物46、47との組合せ体で構成されている。長尺状物44の固定端44aの端面は、隣接する他の長尺状物46の長さ方向の端部(自由端)46bの側面に当接し、他端である移動端44bの側面が、隣接する他の長尺状物46とは異なる隣接する別の長尺状物47の端部(固定端)47aの端面に当接するように配置されている。長尺状物45及び47は、それぞれ内部部材41で囲まれた空間部である大気領域50の中心点Cに対して長尺状物44及び46と点対象となるように組み合わされている。
長尺状物44〜47は、その長さ方向の一端である固定端に設けられた固定用のねじ孔48と、該固定用のねじ孔48とは長尺状物の長さ方向に離間して設けられた支持用のねじ孔49を有する。固定端44a〜47aはそれぞれ固定用のねじ孔48に装着された固定ねじ(図示省略)によってチャンバ11の底部平面に固定されている。一方、自由端44b〜47bは、支持用のねじ孔49を貫通する支持ねじ(図示省略)によって、チャンバ11の底部平面に対して長尺状物の長さ方向に沿って変位自在に支持されている。これによって、各長尺状物44〜47は固定端44a〜47aを起点にして長尺状物の長さ方向に沿って熱膨張又は熱収縮可能に支持されている。
固定用のねじ孔48は長尺状物の固定端44a〜47aをチャンバ11の底部平面に固定するためのものであり、ねじ孔に垂直な断面において遊びが少ない真円形に形成されている。一方、支持用のねじ孔49は、固定端44a〜47aに対向する他端である自由端44b〜47bを、固定端を起点として変位自在に支持するものであり、ねじ孔に垂直な断面において長尺状物の長さ方向に長い楕円形若しくは両端が半円となる矩形に形成されている。
支持用のねじ孔49は少なくとも1つ設けられるが、長尺状物44〜47の長さに応じて2つ又はそれ以上設けることもできる。このとき各支持用のねじ孔49は、例えば等間隔に設けることが好ましい。支持用のねじ孔49の長径は、各長尺状物44〜47が熱膨張しても、支持用のねじ孔49に装着された支持ねじが長尺状物の熱膨張を規制しない程度の長さを有するものとし、長径の長さは、例えば、第8世代と呼ばれるFPD用ガラス基板を処理する際には、16mm〜20mmであることが好ましいが、処理するガラス基板のサイズに応じて設定される。
固定用のねじ孔48に装着される固定ねじの締め付けトルクは、支持用のねじ孔49に装着される支持ねじの締め付けトルクよりも大きくすることが好ましい。これによって、長尺状物44〜47の固定端44a〜47aを確実に固定し、また、自由端44b〜47bを緩く支持して熱膨張時又は熱収縮時のその変位を確保することができる。
固定ねじの締め付けトルクは、例えば15〜20kgf・cm(1.5〜2.0N・m)程度であり、支持ねじの締め付けトルクは、固定ねじの締め付けトルクよりも若干小さく、例えば10〜15kgf・cm(1.0〜1.5N・m)程度である。ただし、膨張による延び量を制限する必要がある場合などにおいては、これらのトルクを、長尺状物が破損しない程度の範囲内でより強く締め、長尺状物の変位を制約することも可能である。
長尺状物44〜47相互の当接部の内側面は曲面を呈しており、各長尺状物44〜47の一端の側面には曲面を形成する突出部44c〜47cが設けられている。これによって、外側部材42と後述する内側部材41とでOリング43の全周を確実に支持することができ、Oリング43によるチャンバ11内部の真空領域と内部部材41で囲まれた大気領域50とを確実に区画することができる。
なお、長尺状物44〜47相互の当接部の内側面は実質的に直角の角部であってもよく、この場合、長尺状物44〜47として、突起部を有さない矩形の外形を有するものが適用される。
外側部材42は、Oリング43の長さ方向に直交する断面においてOリング43の外側面側にのみ存在する(図2及び図3参照)。すなわち、各長尺状物44〜47はOリング43を挟んだり、収容することがなく、Oリング43を拘束しない。これによって、後述の図4に示すように、外部部材を構成する各長尺状物44〜47が加熱され、その自由端44b〜47bがその長さ方向に沿って変位したとしても、長尺状物44〜47がOリング43をねじることがなく、チャンバ内の真空領域と大気領域50とを安定に区画する。また、Oリング43はねじられないので、Oリング43の損傷、磨耗、劣化などを防止することができる。
図3は、図2の絶縁部材を図1の基板処理装置に組み込んだ状態における要部を示す断面図である。
図3において、Oリング43の長さ方向に直交する断面形状(以下、単に「断面形状」という。)の高さは、外部部材42及び内部部材41の高さ寸法よりも若干大きい。Oリング43の断面形状における上下端はそれぞれそれ以外の部分よりも太くなっており、且つその一部である下方端は、チャンバ11の底部平面51に設けられた凹部に嵌合し、これによって安定に支持、固定されている。Oリング43の断面形状における上方端は、サセプタ12を形成する基材13の下側面に当接しており、これによってチャンバ11内の処理空間Sとしての真空領域と内部部材41で囲まれた大気領域50とを確実に区画して真空領域の真空度を維持している。
内部部材41は、複数に分割された構成部材の組合せ体で構成されており、各構成部材相互間には、熱膨張による変位を吸収するための隙間41aが形成されている。内部部材41を平面視した際に内部部材41の矩形の角部に相当する構成部材は、その外側面がOリング43の内側面を均等に支持できるような曲面を有するL字状の分割部材で構成されている。
このような構成の絶縁部材14を組み込んだ図1の基板処理装置10を用い、基板Gにプラズマエッチング処理を施す際、処理目的に応じて加熱される下部電極からの伝熱等によって絶縁部材14は加熱され、熱膨張する。
図4は、絶縁部材の角部の部分拡大図であって、図4(A)及び図4(C)は、熱膨張前の状態を示す図であり、図4(B)及び図4(D)は、熱膨張後の状態を示す図である。
図4(A)において、長尺状物44の自由端44bは、隣接する長尺状物47の固定端47aの側面よりも所定幅だけ引っ込んでいる。一方、熱膨張後の状態を示す図4(B)において、長尺状物44は固定端44a(図示省略)を起点としてその長さ方向に延伸し、これによって自由端44bは変位しており、自由端44bの端面は隣接する長尺状物47の固定端47aの側面と、いわゆる面一になっている。
本実施の形態によれば、外側部材42を構成する各長尺状物44〜47の長さ方向の一端である固定端の端面が、隣接する他の長尺状物の長さ方向の自由端の側面に当接し、他端である自由端の側面が、隣接する他の長尺状物とは異なる隣接する別の長尺状物の長さ方向の一端である固定端の端面に当接するようにそれぞれ隙間なく組合せられ、且つ各長尺状物44〜47の固定端44a〜47aを固定用のねじ孔48に装着される固定ねじによって確実に固定し、他端である自由端44b〜47bを支持用のねじ孔49に装着される支持ねじによって熱膨張又は熱収縮方向に変位可能に支持するようにしたので、自由端44b〜47bの移動方向に他の長尺状物が存在せず、これによって、長尺状物44〜47が熱膨張しても長尺状物相互間に相手を押圧する力及び隙間が発生することがない。従って、外側部材42の内部に配置されたOリング43へのプラズマの進入を阻止し、プラズマが照射されることによるOリング43の劣化を防止することができる。
また、本実施の形態によれば、外側部材42を長尺状物44〜47の組合せ体で構成したので、各長尺状物44〜47の形状を、例えば略短冊状の簡易形状とすることができ、これによって、長尺状物44〜47及び外側部材42、ひいては絶縁部材14の製作コストを削減することができる。
本実施の形態において、長尺状物44の自由端44bは、隣接する長尺状物47の固定端47aの外側面よりも該長尺状物44の熱膨張による延伸幅に相当する長さ分だけ引っ込んだ状態となるように長尺状物44の長さを選定しておくことが好ましい。これによって、長尺状物44が熱膨張によってその長さ方向に延伸したとしても、その自由端44bが隣接する長尺状物47の固定端47aの外側面から突出することがなく、他のチャンバ内構成部品への衝突を回避することができる。
なお、長尺状物44の自由端44bの端部を、図4(C)に示すようにあらかじめ隣接する長尺状物47の固定端47aの外側面とツライチにし、熱膨張時には図4(D)に示すように固定端47aの側面から突出するようにしておき、隣接する別のチャンバ内部品に、長尺状物44の熱膨張による延伸幅に相当する幅を有する凹部を設け、これによって当該隣接する別のチャンバ内部品と長尺状物44との衝突を避けるようにしてもよい。
本実施の形態において、長尺状物44の熱膨張によって、図4(B)に示したように、該長尺状物44とOリング43との間に隙間52が生じるが、長尺状物44の自由端44bの側面と長尺状物47の固定端47aの端面との当接状態は確保されるので、プラズマの進入によってOリング43の劣化が生じることはない。
本実施の形態において、外側部材41を構成する長尺状物44〜47は、絶縁性材料、例えばポリテトラフルオロエチレン(商品名:テフロン(登録商標))等で構成される。
本実施の形態において、長尺状物44〜47における固定用のねじ孔48は、該長尺状物44〜47の固定端44a〜47aの端面に極力近い位置にあることが好ましく、固定端の端部から、例えば、30〜40mmの位置に設けられる。固定用のねじ孔48と固定端の端面との間隔が数百mm以上となると、その部分の熱膨張が無視できなくなり、各長尺状物の固定端と、該固定端に当接する他のリング構成部品との接合面に歪みが発生する虞がある。
本実施の形態において、Oリング43は、耐熱性の弾性部材、例えばバイトン等で構成されている。
次に、本実施の形態の変形例について説明する。
図5は、本発明の実施の形態に係る絶縁部材の変形例の要部を示す図であって、図5(A)は、第1の変形例の要部を示す図、図5(B)は、第2の変形例の要部を示す図である。
図5(A)及び図5(B)において、この絶縁部材14a及び14bは、長尺状物の長さ方向の一端の端面と、該長尺状物に隣接する他の長尺状物の長さ方向の一端の側面との当接部に、プラズマの進入を阻止する段差構造の組合せ部を設けたものである。
図5(A)において、長尺状物57の長さ方向の一端である固定端57aの端面と、該長尺状物57に隣接する他の長尺状物54の長さ方向の一端である自由端54bの側面との当接部に、プラズマの進入を阻止するラビリンス状の段差構造が設けられている。長尺状物54の自由端54bは、長尺状物57の固定端57aの側面よりも長尺状物44の熱膨張による延伸幅に相当する長さ、例えば10〜20mmだけ引っ込んだ状態の長さに調整されている。
なお、前述の本実施形態の場合と同様に、図5(B)に示したように、長尺状物54の自由端54bの端面と長尺状物57の固定端57aの側面をツライチにしておき、隣接する別のチャンバ内部品に長尺状物54の熱膨張による延伸幅に相当する幅を有する凹部を設け、これによって当該隣接する別のチャンバ内部品と長尺状物54との衝突を避けるようにしても良い。
本実施の形態の第1の変形例によれば、長尺状物57の固定端57aの端面と、該長尺状物57に隣接する他の長尺状物54の自由端54bの側面との当接部に段差構造の組合せ部を設けたので、絶縁部材14の上部に配置された下部電極(図示省略)から絶縁部材14の下部に配置され且つグラウンドに接続されたチャンバ11の底部平面(図示省略)へ至る経路の長さを十分確保することができ、これによって、下部電極とチャンバ11の底部平面との間における短絡的な放電を回避して当接部におけるプラズマの発生を抑制することができ、ひいては、Oリング43の劣化及び近傍のチャンバ内部品の摩耗を防止することができる。
また、本実施の形態の第1の変形例によれば、各長尺状物の当接部に段差構造の組合せ部を設けたので、各長尺状物の当接部からのプラズマの進入がより有効に阻止され、その内部に配置されたOリングの劣化をより確実に防止することができる。なお、本実施の形態の第1変形例においては、外側部材42の外側面にはサイドシールド部材18(図1参照)が配設されており、これによって絶縁部材14の側面からのプラズマの進入が阻止されている。
図6は、本発明の実施の形態に係る絶縁部材の変形例の要部を示す図であって、図6(A)は、第3の変形例の要部を示す図、図6(B)は、第4の変形例の要部を示す図である。
図6(A)及び図6(B)において、この絶縁部材14c及び14dが、図5の絶縁部材14a及び14bと異なる点は、長尺状物の長さ方向の一端の端面と、該長尺状物に隣接する他の長尺状物の長さ方向の一端の側面との当接部に設けられた段差構造の一部を、長尺状物の一端の端面と、該長尺状物に隣接する他の長尺状物の一端の側面との当接部に形成された凹部に遊嵌された入れ子部材60で構成した点である。
図6(A)において、長尺状物67の固定端67aの端面、及び長尺状物64の自由端64bの側面には、それぞれ図中下方が四角柱状に削り取られた段差部が設けられている。これによって、長尺状物67の固定端67aの端面と長尺状物64の自由端64bの側面との当接部には、段差部と段差部とで形成される凹部が形成される。そして、この凹部には、入れ子部材60が遊嵌状に挿入され、段差構造の一部を形成している。
入れ子部材60と凹部との間には、熱膨張に起因して延伸する長尺状物64の変位を吸収するための隙間68が設けられている。入れ子部材60が遊嵌状に挿入された外側部材42の側面には、図示省略したサイドシールド部材18(図1参照)が配置され、垂直方向からだけでなく、水平方向からのプラズマの進入も阻止されている。
本実施の形態の第3の変形例においても、第1及び第2の変形例と同様、絶縁部材14の上部に配置された下部電極(図示省略)から絶縁部材14の下部に配置され且つグラウンドに接続されたチャンバの底部平面へ至る経路の長さを十分確保することができ、これによって、下部電極とチャンバの底部平面との間における短絡的な放電を回避して当接部におけるプラズマの発生を抑制することができ、ひいては、Oリング43の劣化及び近傍のチャンバ内部品の摩耗を防止することができる。
また、本実施の形態の第3の変形例によれば、段差構造の一部を入れ子部材60で構成することによって、長尺状物相互の当接部の構造が比較的単純な形状の部材により構成される。従って、各部材の製作が容易で、取り扱い時の破損の虞も少なくなる。
本実施の形態第3の変形例において、入れ子部材60は、長尺状物64、67及びチャンバ11の底部平面に固定されることなく、当該長尺状物相互間に形成される凹部に遊嵌した状態でチャンバ11の底部平面に載置されていることが好ましい。
なお、前述の本実施形態の場合と同様に、図6(B)に示したように、長尺状物64の自由端64bの端面と長尺状物67の固定端67aの側面をツライチにしておき、隣接する別のチャンバ内部品に長尺状物64の熱膨張による延伸幅に相当する幅を有する凹部を設け、これによって当該隣接する別のチャンバ内部品と長尺状物64との衝突を避けるようにしても良い。
以上、本発明を実施の形態を用いて詳細に説明したが、本発明は、これらの実施の形態に限定されるものではない。
上述した各実施の形態において、プラズマ処理が施される基板は、液晶ディスプレイ(LCD)用のガラス基板だけでなく、エレクトロルミネセンス(Electro Luminescence ;EL)ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル(PDP)等をはじめとするFPD(Flat Panel Display)に用いる各種基板であってもよい。
また、上述の実施形態では、平行平板電極による容量結合型のプラズマ発生方式を用いた装置について説明したが、誘導結合型プラズマ発生方式など他のプラズマ発生方式による装置であっても、基板の載置台とシールドリング若しくはそれに相当する部材を有する装置であれば本発明を適用できることは言うまでもない。
10 基板処理装置
11 処理室(チャンバ)
12 載置台(サセプタ)
13 基材
14 絶縁部材
41 内側部材
42 外側部材
43 Oリング
44〜47 長尺状物
44a〜47a 固定端
44b〜47b 自由端
48 固定用ねじ孔
49 支持用ねじ孔
50 大気領域
51 底部平面
G 基板
11 処理室(チャンバ)
12 載置台(サセプタ)
13 基材
14 絶縁部材
41 内側部材
42 外側部材
43 Oリング
44〜47 長尺状物
44a〜47a 固定端
44b〜47b 自由端
48 固定用ねじ孔
49 支持用ねじ孔
50 大気領域
51 底部平面
G 基板
Claims (14)
- 矩形の基板にプラズマ処理を施す基板処理装置の処理室内で前記基板を載置する矩形の載置台と前記処理室の内壁面とを電気的に絶縁する絶縁部材であって、
内側部材と、外側部材と、該内側部材及び外側部材の間に配置され前記処理室内の真空領域と前記内側部材で囲まれた大気領域とを区画する環状のシール部材と、を有し、
前記外側部材は、
前記矩形の載置台の各辺に対応して配置された絶縁性の長尺状物の組合せ体からなり、
各長尺状物の長さ方向の一端の端面が、隣接する他の長尺状物の長さ方向の一端の側面に当接し、他端の側面が、前記隣接する他の長尺状物とは異なる隣接する別の長尺状物の長さ方向の一端の端面に当接するようにそれぞれ組合せられ、
前記各長尺状物の長さ方向の一端が固定用のねじ孔を介して前記処理室の内壁面に固定され、他端が少なくとも1つの支持用のねじ孔を介して変位自在に支持されて配列されていることを特徴とする絶縁部材。 - 前記各長尺状物は、前記固定された一端を起点にして前記長尺状物の長さ方向に沿って熱膨張又は熱収縮可能に配列されていることを特徴とする請求項1に記載の絶縁部材。
- 前記固定用のねじ孔は、該固定用のねじ孔に垂直な断面において真円形であり、前記支持用のねじ孔は、該支持用のねじ孔に垂直な断面において前記長尺状物の長さ方向に長い楕円形若しくは両端が半円である矩形であることを特徴とする請求項1又は2記載の絶縁部材。
- 前記固定用のねじ孔に装着される固定ねじの締め付けトルクを、前記支持用のねじ孔に装着される支持ねじの締め付けトルクよりも大きくしたことを特徴とする請求項3記載の絶縁部材。
- 前記外側部材は、前記環状のシール部材の長さ方向に直交する断面において前記環状のシール部材の外側面側にのみに存在していることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の絶縁部材。
- 前記外側部材における前記長尺状物相互の当接部の内側面は曲面を呈しており、前記長尺状物の一端の側面に前記曲面を形成する突出部が設けられていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の絶縁部材。
- 前記外側部材における前記長尺状物相互の当接部の内側面は実質的に直角の角部を形成しており、前記長尺状物は、突起部を有さない矩形の外形を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の絶縁部材。
- 前記各長尺状物の長さ方向の一端の端面と、前記隣接する他の長尺状物の長さ方向の一端の側面との当接部に段差構造の組合せ部が形成されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の絶縁部材。
- 前記段差構造の少なくとも一部は、前記各長尺状物の一端の端面と、前記隣接する他の長尺状物の前記一端の側面との当接部に形成された凹部に遊嵌された絶縁材料からなる入れ子部材で構成されていることを特徴とする請求項8記載の絶縁部材。
- 前記凹部と前記入れ子部材との間に、前記長尺状物の長さ方向に沿った熱膨張又は熱収縮に起因する変位を吸収する隙間が設けられていることを特徴とする請求項9記載の絶縁部材。
- 前記凹部における前記入れ子部材の挿入口は、サイドシールド部材で封止されていることを特徴とする請求項10記載の絶縁部材。
- 前記環状のシール部材の一部は、前記処理室の内壁面に設けられた凹部に嵌合されていることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の絶縁部材。
- 前記内側部材は、複数の構成部材が組み合わされた組合せ体からなり、各構成部材の相互間に熱膨張を吸収するための隙間が設けられていることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載の絶縁部材。
- 請求項1乃至13のいずれか1項に記載の絶縁部材を備えていることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010257965A JP2012109446A (ja) | 2010-11-18 | 2010-11-18 | 絶縁部材及び絶縁部材を備えた基板処理装置 |
TW100141957A TW201234453A (en) | 2010-11-18 | 2011-11-17 | Insulating member and substrate processing device containing insulating member |
CN2011103687360A CN102468107A (zh) | 2010-11-18 | 2011-11-17 | 绝缘构件及包括绝缘构件的基板处理装置 |
KR1020110120374A KR101282487B1 (ko) | 2010-11-18 | 2011-11-17 | 절연 부재 및 절연 부재를 구비한 기판 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010257965A JP2012109446A (ja) | 2010-11-18 | 2010-11-18 | 絶縁部材及び絶縁部材を備えた基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012109446A true JP2012109446A (ja) | 2012-06-07 |
Family
ID=46071599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010257965A Pending JP2012109446A (ja) | 2010-11-18 | 2010-11-18 | 絶縁部材及び絶縁部材を備えた基板処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012109446A (ja) |
KR (1) | KR101282487B1 (ja) |
CN (1) | CN102468107A (ja) |
TW (1) | TW201234453A (ja) |
Families Citing this family (215)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
JP2016127185A (ja) * | 2015-01-06 | 2016-07-11 | 東京エレクトロン株式会社 | シールドリングおよび基板載置台 |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
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KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
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US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
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US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
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US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR102431354B1 (ko) | 2017-07-11 | 2022-08-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 화학기상 증착장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법 |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
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US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
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CN109559965B (zh) * | 2017-09-25 | 2021-05-14 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 制程设备及其组装方法 |
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US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
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KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
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TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
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-
2010
- 2010-11-18 JP JP2010257965A patent/JP2012109446A/ja active Pending
-
2011
- 2011-11-17 KR KR1020110120374A patent/KR101282487B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2011-11-17 TW TW100141957A patent/TW201234453A/zh unknown
- 2011-11-17 CN CN2011103687360A patent/CN102468107A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102468107A (zh) | 2012-05-23 |
TW201234453A (en) | 2012-08-16 |
KR101282487B1 (ko) | 2013-07-04 |
KR20120053974A (ko) | 2012-05-29 |
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