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TWI745072B - 具緩衝層及導熱摻物之線路板 - Google Patents

具緩衝層及導熱摻物之線路板 Download PDF

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Publication number
TWI745072B
TWI745072B TW109130563A TW109130563A TWI745072B TW I745072 B TWI745072 B TW I745072B TW 109130563 A TW109130563 A TW 109130563A TW 109130563 A TW109130563 A TW 109130563A TW I745072 B TWI745072 B TW I745072B
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TW
Taiwan
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layer
buffer layer
thermoelectric conductor
thermally conductive
thermal
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Application number
TW109130563A
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English (en)
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TW202211400A (zh
Inventor
文強 林
王家忠
Original Assignee
鈺橋半導體股份有限公司
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Publication date
Application filed by 鈺橋半導體股份有限公司 filed Critical 鈺橋半導體股份有限公司
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Abstract

本發明之線路板主要包括一互連基座、一熱電導體、一接合層、一頂部緩衝層、至少一導熱摻物及一頂部路由層。互連基座透過接合層附接於熱電導體外圍側壁周圍,而混有導熱摻物之頂部緩衝層則覆蓋於熱電導體及互連基座上,並位於頂部路由層與互連基座/熱電導體之間。該頂部緩衝層具有小於熱電導體之彈性模數,俾可提供應力緩衝作用。分散於頂部緩衝層中之導熱摻物則有利於組接於頂部路由層上之裝置所產生的熱得以自頂部路由層傳導至熱電導體。據此,本發明之線路板可展現優異的熱電效能及可靠度。

Description

具緩衝層及導熱摻物之線路板
本發明是關於一種線路板,尤指一種具緩衝層及導熱摻物之線路板。
高效能微處理器及ASIC需要高效能線路板,以信號互連。然而,隨著功率增加,半導體晶片所產生的大量熱會使元件效能劣化,並對晶片造成熱應力,因此選擇具有較佳散熱效益之絕緣基板已成為關鍵。陶瓷材料(如氧化鋁或氮化鋁)因其理想的電絕緣性、高機械強度及良好導熱性,已被廣泛應用於基板材料。雖然陶瓷材料同時具有導熱及電絕緣特性,但其於某些應用中仍無法滿足所需之散熱要求,且陶瓷材料應用於基板中所涉及之金屬化技術、佈線技術及成本高昂等問題亦使其應用受到限制。
此外,隨著板設計的複雜度提高,於某些應用中可能需要異構整合(heterogeneous integration)之路由構件,以解決諸多電性或熱性相關要求。然而,由於陶瓷材料具低CTE(熱膨脹係數)特性,故其與樹脂層壓板接合時容易因熱膨脹係數(CTE)不匹配而產生極大應力,因而導致可靠度不佳。
有鑑於現有基板之各種發展階段及限制,目前亟需發展可滿足所需之熱電效能且同時具高可靠度之線路板。
本發明之目的係提供一種線路板,其於熱電導體上方覆蓋一層混有導熱摻物之緩衝層,使得熱電導體上方之路由層可透過緩衝層而與熱電導體電性隔離,並同時利用緩衝層之較低彈性模數特性,以於側向延伸面上提供應力緩衝作用。藉此,本發明之線路板無需基於電絕緣性考量而受限於僅能選用具絕緣性但導熱性無法滿足散熱需求之陶瓷材料,此有利於大幅提高散熱效益,且緩衝層之較低彈性模數特性亦有助於改善線路板及其組體之可靠度。尤其,本發明更利用導熱摻物以有效地將裝置所產生的熱自路由層傳導至熱電導體,避免緩衝層阻礙熱傳導,進而同時達到優異電性及熱性效能與高可靠度之要求。
依據上述及其他目的,本發明提供一種線路板,其包括:一互連基座,其具有一頂部電路層於其頂面、一底部電路層於其底面、以及自該頂面延伸至該底面之一穿口;一熱電導體,其設於該互連基座之該穿口中;一接合層,其填入該熱電導體外圍側壁與該穿口內側壁之間之一間隙中;一頂部緩衝層,其自該熱電導體之一頂面側向延伸至及該互連基座之該頂面,其中該頂部緩衝層之彈性模數低於該熱電導體之彈性模數,且該緩衝層之導熱率低於該熱電導體之導熱率;至少一導熱摻物,其分散於該頂部緩衝層中,其中該至少一導熱摻物之導熱率高於該頂部緩衝層之該導熱率;以及一頂部路由層,其透過該頂部緩衝層與該熱電導體電性隔離,並透過導電貫孔電性連接至該互連基座之該頂部電路層,且藉由該至少一導熱摻物熱性導通至該熱電導體。
本發明之上述及其他特徵與優點可藉由下述較佳實施例之詳細敘述更加清楚明瞭。
在下文中,將提供一實施例以詳細說明本發明之實施態樣。本發明之優點以及功效將藉由本發明所揭露之內容而更為顯著。在此說明所附之圖式係簡化過且做為例示用。圖式中所示之元件數量、形狀及尺寸可依據實際情況而進行修改,且元件的配置可能更為複雜。本發明中也可進行其他方面之實踐或應用,且不偏離本發明所定義之精神及範疇之條件下,可進行各種變化以及調整。
[實施例1]
圖1-5為本發明第一實施例中,一種線路板之製作方法圖,該線路板包括互連基座、熱電導體、接合層、頂部緩衝層、導熱摻物及頂部路由層。
圖1為熱電導體30插入互連基座20穿口201中之剖視圖。互連基座20之穿口201自頂面延伸至底面,其可藉由各種技術來形成,如沖孔(punching)、鑽孔或雷射切割。互連基座20穿口201之內側壁側向環繞熱電導體30之外圍側壁,並與熱電導體30之外圍側壁間隔開。因此,間隙206位於互連基座20內側壁與熱電導體30外圍側壁之間的穿口201中。該間隙206側向環繞熱電導體30,並被互連基座20側向環繞。於本實施例中,該互連基座20包括絕緣層21、內電路層23、頂部電路層25及底部電路層27,而熱電導體30可由導熱且導電之無機材料製成,其導電率為100 W/mK以上。各層電路層(即內電路層23、頂部電路層25及底部電路層27)通常為圖案化之銅層,其以絕緣層21相互隔開,並藉由延伸貫穿絕緣層21之導電件(即導電通孔22及導電貫孔26)相互電性連接。更具體地說,於本實施例中,內電路層23間透過導電通孔22相互電性連接,而頂部電路層25及底部電路層27則分別透過導電貫孔26電性連接至內電路層23。據此,該頂部電路層25可與底部電路層27相互電性連接。此外,於此圖中,互連基座20之厚度實質上等於熱電導體30的厚度,故互連基座20之頂部電路層25及底部電路層27的外表面分別與熱電導體30之平坦頂面及底面呈實質上共平面。
圖2為接合層40填入該間隙206中之剖視圖。該接合層40側向覆蓋、環繞且同形被覆該互連基座20之內側壁及該熱電導體30之外圍側壁,以於互連基座20與熱電導體30之間提供牢固的機械性接合。較佳為,接合層40係選用彈性模數低於熱電導體30彈性模數之有機材料,以吸收互連基座20與熱電導體30間任何熱膨脹係數(CTE)不匹配所引起之應力。例如,接合層40之彈性模數可低於熱電導體30之彈性模數至少約 100 Gpa。於本實施例中,為達顯著效果,該接合層40係選用彈性模數小於約10 Gpa之材料(其低於互連基座20及熱電導體30兩者之彈性模數),以有效地釋放異質材料中熱-機械性引起之應力。
圖3為頂部緩衝層51覆蓋於互連基座20與熱電導體30頂面上且導熱摻物53分散於頂部緩衝層51中之剖視圖。該頂部緩衝層51之彈性模數較佳是低於熱電導體30之彈性模數,以利於吸收結構中熱-機械性引起之應力。例如,該頂部緩衝層51可由彈性模數低於該熱電導體30彈性模數至少約100 Gpa之有機材料所製成,以提供所需之應力緩衝作用,進而確保結構之可靠度。藉此,除了可藉由互連基座20與熱電導體30間之接合層40(其彈性模數通常小於頂部緩衝層51之彈性模數)吸收結構中熱-機械性引起之應力外,頂部緩衝層51更能在側向延伸面上提供應力緩衝作用。此外,由於頂部緩衝層51之導熱率通常低於熱電導體30之導熱率,故本實施例更利用導熱率高於頂部緩衝層51之導熱摻物53,使熱可有效通過頂部緩衝層51而傳導至熱電導體30。為達所需之導熱效果,導熱摻物53可由導熱率高於頂部緩衝層51導熱率至少約10 W/mk之無機材料所製成。藉此,導熱摻物53可適量(約30 %重量百分比)地混於頂部緩衝層51中即可達到所需之散熱效益,其無需為達所欲散熱效果而大量混於頂部緩衝層51中,故可避免大量導熱摻物53反而對頂部緩衝層51之應力緩衝作用造成不利影響。換言之,透過上述彈性模數與導熱率之參數調控,本實施例可同時達到所欲之應力緩衝及散熱效益。為進一步提高結構之可靠度,所述導熱摻物53之熱膨脹係數較佳是低於該頂部緩衝層51之熱膨脹係數,例如導熱摻物53之熱膨脹係數可低於頂部緩衝層51之熱膨脹係數至少約5 ppm/℃,以降低結構內部膨脹及收縮所引起的應力。據此,透過頂部緩衝層51彈性係數與導熱摻物53熱膨脹係數之雙重參數搭配,可降低應力對結構可靠度造成之不利影響。
圖4為頂部緩衝層51中形成盲孔57之剖視圖。盲孔57延伸穿過頂部緩衝層51,並對準頂部電路層25之選定部位。盲孔57可藉由各種技術形成,如雷射鑽孔、電漿蝕刻、及微影技術,其通常具有50微米之直徑。可使用脈衝雷射提高雷射鑽孔效能。或者,可使用掃描雷射光束,並搭配金屬光罩。
圖5為形成有一頂部路由層61之剖視圖。藉由金屬沉積及金屬圖案化製程形成頂部路由層61於頂部緩衝層51上。頂部路由層61自頂部電路層25朝上延伸,並填滿盲孔57,以形成直接接觸頂部電路層25之導電貫孔67,同時側向延伸於頂部緩衝層51上。因此,頂部路由層61可提供X及Y方向的水平信號路由以及穿過盲孔57的垂直路由,以作為頂部電路層25的電性連接。
頂部路由層61可藉由各種技術沉積為單層或多層,如電鍍、無電電鍍、蒸鍍、濺鍍或其組合。舉例來說,首先藉由將該結構浸入活化劑溶液中,使頂部緩衝層51與無電鍍銅產生觸媒反應,接著以無電電鍍方式被覆一薄銅層作為晶種層,然後以電鍍方式將所需厚度之第二銅層形成於晶種層上。或者,於晶種層上沉積電鍍銅層前,該晶種層可藉由濺鍍方式形成如鈦/銅之晶種層薄膜。一旦達到所需之厚度,即可使用各種技術圖案化被覆層,以形成頂部路由層61,如濕蝕刻、電化學蝕刻、雷射輔助蝕刻或其組合,並使用蝕刻光罩(圖未示),以定義出頂部路由層61。
此階段已完成線路板100之製作,其包括互連基座20、熱電導體30、接合層40、頂部緩衝層51、導熱摻物53及頂部路由層61。該互連基座20係藉由接合層40接合於熱電導體30外圍側壁的周圍,並提供水平及垂直信號路由。該頂部路由層61透過頂部緩衝層51與熱電導體30電性隔離,並透過導電貫孔67電性連接至互連基座20之頂部電路層25。該頂部緩衝層51不僅可作為頂部路由層61與熱電導體30間之電隔離層,其更因具有小於熱電導體30之彈性模數而於側向延伸面上提供應力緩衝作用,此搭配垂直延伸面上接合層40所提供之應力緩解作用,有利於提高結構可靠度。導熱摻物53則因其具有大於頂部緩衝層51之導熱率,使得組接於頂部路由層61上之晶片(圖未示)所產生的熱得以傳導至熱電導體30,因而提高組體的熱效能。
[實施例2]
圖6為本發明第二實施例之線路板剖視圖。
為了簡要說明之目的,上述實施例1中任何可作相同應用之敘述皆併於此,且無須再重複相同敘述。
該線路板200類似於圖5所示結構,不同處在於,該頂部緩衝層51中更含有加固摻物55,其與導熱摻物53共同摻混於頂部緩衝層51中,以提高頂部緩衝層51之可靠度。更具體地說,所述加固摻物55較佳為彈性模數大於頂部緩衝層51之纖維狀無機材料,例如加固摻物55之彈性模數可高於頂部緩衝層51之彈性模數至少約10 GPa。據此,具較低彈性模數之頂部緩衝層51與具較高彈性模數之加固摻物55兩者間之組合既可達到應力緩衝效果,又可維持適當剛性(stiffness)。此外,所述加固摻物55更可具有熱膨脹係數小於該頂部緩衝層51熱膨脹係數之特性,以與導熱摻物53共同降低結構內部膨脹及收縮所引起的應力。
[實施例3]
圖7為本發明第三實施例之線路板剖視圖。
為了簡要說明之目的,上述實施例中任何可作相同應用之敘述皆併於此,且無須再重複相同敘述。
該線路板300類似於圖5所示結構,不同處在於,其更包括一底部緩衝層52及一底部路由層62。該底部緩衝層52自熱電導體30底面側向延伸至互連基座20底面,以由下方覆蓋互連基座20、熱電導體30及接合層40。類似於頂部緩衝層51,該底部緩衝層52之彈性模數低於熱電導體30之彈性模數,例如,該底部緩衝層52之彈性模數低於熱電導體30之彈性模數至少約100 Gpa,以由結構下方提供側向延伸面之應力緩衝作用。該底部路由層62藉由金屬化貫孔66連接至該熱電導體30,並透過導電貫孔68電性連接至互連基座20之底部電路層27。藉此,組接於頂部路由層61之晶片(圖未示)可透過互連基座20電性連接至底部路由層62,且晶片所產生的熱傳導至頂部路由層61後可經由頂部緩衝層51中之導熱摻物53傳送至熱電導體30,隨後再透過金屬化貫孔66傳遞至底部路由層62以進一步散逸出。此外,於本實施例中,該頂部緩衝層51中之導熱摻物53除了如上所述具有小於頂部緩衝層51之熱膨脹係數外,其更可具有彈性模數大於頂部緩衝層51之特性,例如所述導熱摻物53之彈性模數可高於頂部緩衝層51之彈性模數至少約50 GPa,使得混有導熱摻物53之頂部緩衝層51具有適當剛性(stiffness)。
[實施例4]
圖8為本發明第四實施例之線路板剖視圖。
為了簡要說明之目的,上述實施例中任何可作相同應用之敘述皆併於此,且無須再重複相同敘述。
該線路板400類似於圖7所示結構,不同處在於,其更包括加固摻物55分散於頂部緩衝層51中以及額外導熱摻物54與額外加固摻物56分散於底部緩衝層52中,且底部路由層62未包含連接至熱電導體30之金屬化貫孔。該底部緩衝層52之導熱率通常低於熱電導體30之導熱率,據此,為使傳導至熱電導體30的熱能可有效散逸至底部路由層62,本實施例利用導熱率高於底部緩衝層52之導熱摻物54,例如所述導熱摻物54之導熱率高於底部緩衝層52之導熱率至少約10 W/mk,以達到所需之散熱效益。此外,所述導熱摻物54之熱膨脹係數可小於底部緩衝層52之熱膨脹係數,例如導熱摻物54之熱膨脹係數可低於底部緩衝層52之熱膨脹係數至少約5 ppm/℃,以降低結構內部膨脹及收縮所引起的應力。再者,該些加固摻物55、57較佳為彈性模數大於頂部及底部緩衝層51、52之纖維狀無機材,以於頂部及底部緩衝層51、52提供應力緩衝作用之同時足以維持適當剛性。同樣地,該些加固摻物55、56之熱膨脹係數亦可小於頂部及底部緩衝層51、52之熱膨脹係數,以與導熱摻物53、54共同降低結構內部膨脹及收縮所引起的應力。
如上述實施例所示,本發明建構出一種具有較佳可靠度之獨特線路板,其主要包括一互連基座、一熱電導體、一接合層、一頂部緩衝層、至少一導熱摻物及一頂部路由層。視情況地,本發明之線路板更可包括一底部緩衝層及一底部路由層。上述之線路板僅為說明範例,本發明尚可透過其他多種實施例實現。此外,上述實施例可基於設計及可靠度之考量,彼此混合搭配使用或與其他實施例混合搭配使用。例如,互連基座可包括排列成陣列形狀之多個穿口,且每一穿口可容納一熱電導體於內。
互連基座係位於熱電導體外圍側壁周圍,並包括一頂部電路層於其頂面、一底部電路層於其底面、及一絕緣層於頂部電路層與底部電路層之間,俾為線路板提供多層繞線能力。此外,該互連基座更可視需要選擇性地包括至少一內電路層及至少一額外絕緣層,其中每一內電路層位於頂部電路層與底部電路層之間,且每一內電路層與頂部電路層之間以及每一內電路層與底部電路層之間分別隔有至少一絕緣層。該頂部電路層、該底部電路層及可選的內電路層之間可藉由導電件(如導電貫孔及/或導電通孔)相互電性連接。據此,該頂部電路層可電性連接至該底部電路層,俾為線路板提供兩相反側之間的電性導通路由。
熱電導體可由具導電及導熱性之無機材料所組成,該無機材料之導熱率較佳為100 W/mK以上,以提供優異的散熱效益。於一較佳實施例中,該熱電導體之厚度實質上等於互連基座之厚度,俾使該熱電導體之頂面及底面分別與互連基座之頂部電路層及底部電路層外表面呈實質上共平面。此外。熱電導體之熱膨脹係數與彈性模數通常不同於互連基座之熱膨脹係數與彈性模數。
接合層側向覆蓋、環繞並同形被覆互連基座之穿口側壁及熱電導體之外圍側壁,以於互連基座與熱電導體之間提供牢固的機械接合力。 較佳為,接合層之彈性模數低於互連基座及熱電導體之彈性模數,例如接合層可由彈性模數低於熱電導體彈性模數約 100 Gpa以上之有機材料所製成,以吸收互連基座與熱電導體間因任何熱膨脹係數(CTE)不匹配所引起的應力。更具體地說,接合層之彈性模數可低於10 Gpa,以有效減輕異質材料中的熱應力。
頂部緩衝層自頂側覆蓋且接觸互連基座、熱電導體及接合層,而可選的底部緩衝層則自底側覆蓋且接觸互連基座、熱電導體及接合層。頂部緩衝層及底部緩衝層可由彈性模數小於熱電導體彈性模數之有機絕緣材料所製成,以於側向延伸面上提供應力緩衝作用。更進一步說,頂部緩衝層及底部緩衝層之彈性模數較佳是低於熱電導體之彈性模數約100 Gpa以上,且可高於接合層之彈性模數。藉此,頂部緩衝層及底部緩衝層不僅可分別作為頂部路由層與熱電導體之間及底部路由層與熱電導體之間的電隔離層,其彈性模數之特性更有利於降低應力對線路板可靠度造成之不利影響。
導熱摻物除了分散於頂部緩衝層中外,其亦可選擇性地分散於底部緩衝層中,使得組接於頂部路由層上之半導體裝置(如晶片)所產生的熱可透過頂部緩衝層中之導熱摻物傳導至熱電導體,再由底部緩衝層中之導熱摻物自熱電導體傳至底部路由層,以進一步散逸出。為達所需之散熱效益,導熱摻物較佳係由導熱率高於緩衝層導熱率約10 W/mk以上之無機材料所製成。此外,導熱摻物之熱膨脹係數較佳是低於緩衝層之熱膨脹係數,例如導熱摻物之熱膨脹係數可低於緩衝層之熱膨脹係數約5 ppm/℃以上,以降低結構內部膨脹及收縮所引起的應力。為使緩衝層與導熱摻物所構成之複合材具有適當剛性,導熱摻物之彈性模數可大於緩衝層之彈性模數,例如導熱摻物之彈性模數可高於緩衝層之彈性模數約 50 GPa以上,以於緩衝層提供應力緩衝作用之同時足以維持適當剛性。
頂部路由層為圖案化金屬層,其側向延伸於熱電導體及互連基座頂面上方,並透過頂部緩衝層而與熱電導體電性隔離,且藉由貫穿頂部緩衝層之導電貫孔而與互連基座之頂部電路層電性連接。同樣地,該底部路由層為圖案化金屬層,其側向延伸於熱電導體及互連基座底面下方,且藉由貫穿底部緩衝層之導電貫孔而與互連基座之底部電路層電性連接。此外,該底部路由層更可透過貫穿底部緩衝層之金屬化貫孔熱性導通至熱電導體。
本發明之線路板可視情況地進一步包括至少一加固摻物,其分散於頂部緩衝層及/或底部緩衝層中。加固摻物可為彈性模數大於緩衝層彈性模數之纖維狀無機材料,例如加固摻物之彈性模數可高於緩衝層之彈性模數約10 GPa以上,以提高材料層之剛性。此外,加固摻物之熱膨脹係數亦可小於緩衝層之熱膨脹係數,以與導熱摻物共同降低結構內部膨脹及收縮所引起的應力。
本發明亦提供一種半導體組體,其中半導體裝置(如晶片)接置於上述線路板之頂部路由層上。具體地說,半導體裝置可重疊於熱電導體之上方,並且電性耦接至頂部路由層。據此,半導體裝置可電性連接至互連基座,且半導體裝置所產生的熱可透過頂部緩衝層中之導熱摻物自頂部路由層傳導至熱電導體,以進一步散逸出。
該組體可為第一級或第二級單晶或多晶裝置。例如,該組體可為包含單一晶片或多枚晶片之第一級封裝體。或者,該組體可為包含單一封裝體或多個封裝體之第二級模組,其中每一封裝體可包含單一或多枚晶片。該半導體元件可為封裝晶片或未封裝晶片。此外,該半導體裝置可為裸晶片,或是晶圓級封裝晶粒等。
「覆蓋」一詞意指於垂直及/或側面方向上不完全以及完全覆蓋。例如,於一較佳實施例中,該頂部緩衝層覆蓋互連基座及熱電導體,而互連基座則側向覆蓋熱電導體之外圍側壁,不論另一元件(如接合層)是否位於互連基座與熱電導體之間。
「接置於」語意包含與單一或多個元件間之接觸與非接觸。例如,於一較佳實施例中,半導體裝置可接置於熱電導體頂側上,不論半導體裝置是否以凸塊、頂部路由層及頂部緩衝層而與熱電導體相隔。
「環繞」一詞意指元件間的相對位置,無論元件之間是否有另一元件。例如,於一較佳實施例中,互連基座側向環繞熱電導體,並以接合層與熱電導體相隔開。
「電性連接」、「電性耦接」之詞意指直接或間接電性連接。例如,於一較佳實施例中,頂部路由層可藉由互連基座,電性連接至底部路由層,但不與底部路由層接觸。
藉由此方法製備成的線路板係為可靠度高、價格低廉、且非常適合大量製造生產。本發明之製作方法具有高度適用性,且係以獨特、進步之方式結合運用各種成熟之電性及機械性連接技術。此外,本發明之製作方法不需昂貴工具即可實施。因此,相較於傳統技術,此製作方法可大幅提升產量、良率、效能與成本效益。
在此所述之實施例係為例示之用,其中該些實施例可能會簡化或省略本技術領域已熟知之元件或步驟,以免模糊本發明之特點。同樣地,為使圖式清晰,圖式亦可能省略重覆或非必要之元件及元件符號。
100、200、300、400:線路板 20:互連基座 201:穿口 206:間隙 21:絕緣層 22:導電通孔 23:內電路層 25:頂部電路層 26、67:導電貫孔 27:底部電路層 30:熱電導體 40:接合層 51:頂部緩衝層 52:底部緩衝層 53、54:導熱摻物 55、56:加固摻物 57:盲孔 61:頂部路由層 62:底部路由層 66:金屬化貫孔
參考隨附圖式,本發明可藉由下述較佳實施例之詳細敘述更加清楚明瞭,其中: 圖1為本發明第一實施例中,熱電導體插入互連基座中之剖視圖; 圖2為本發明第一實施例中,圖1結構中提供接合層之剖視圖; 圖3為本發明第一實施例中,圖2結構中提供頂部緩衝層及導熱摻物之剖視圖; 圖4為本發明第一實施例中,圖3結構上形成盲孔之剖視圖; 圖5為本發明第一實施例中,圖4結構上形成頂部路由層以完成線路板製作之剖視圖; 圖6為本發明第二實施例中,另一線路板之剖視圖; 圖7為本發明第三實施例中,又一線路板之剖視圖; 圖8為本發明第四實施例中,再一線路板之剖視圖。
100:線路板
20:互連基座
21:絕緣層
23:內電路層
25:頂部電路層
26、67:導電貫孔
27:底部電路層
30:熱電導體
40:接合層
51:頂部緩衝層
53:導熱摻物
61:頂部路由層

Claims (8)

  1. 一種線路板,包括:一互連基座,其具有一頂部電路層於其頂面、一底部電路層於其底面、以及自該頂面延伸至該底面之一穿口;一熱電導體,其設於該互連基座之該穿口中;一接合層,其填入該熱電導體外圍側壁與該穿口內側壁之間之一間隙中;一頂部緩衝層,其自該熱電導體之一頂面側向延伸至及該互連基座之該頂面,其中該頂部緩衝層之彈性模數低於該熱電導體之彈性模數至少100Gpa,且該頂部緩衝層之導熱率低於該熱電導體之導熱率;至少一導熱摻物,其分散於該頂部緩衝層中,其中該至少一導熱摻物之導熱率高於該頂部緩衝層之該導熱率;以及一頂部路由層,其透過該頂部緩衝層與該熱電導體電性隔離,並透過導電貫孔電性連接至該互連基座之該頂部電路層,且藉由該至少一導熱摻物熱性導通至該熱電導體。
  2. 如請求項1所述之線路板,其中該至少一導熱摻物之熱膨脹係數低於該頂部緩衝層之熱膨脹係數。
  3. 如請求項2所述之線路板,其中該至少一導熱摻物之該熱膨脹係數低於該頂部緩衝層之該熱膨脹係數至少5ppm/℃。
  4. 如請求項1至3中任一項所述之線路板,其中該至少一導熱摻物之該導熱率高於該頂部緩衝層之該導熱率至少10W/mk。
  5. 如請求項4所述之線路板,更包括至少一加固摻物分散於該頂部緩衝層中。
  6. 如請求項1所述之線路板,更包括:一底部緩衝層,其自該熱電導體之一底面側向延伸至該頂部基座之該底面,其中該底部緩衝層之彈性模數低於該熱電導體之彈性模數;以及一底部路由層,其透過額外導電貫孔電性連接至該互連基座之該底部電路層。
  7. 如請求項6所述之線路板,其中該底部緩衝層之導熱率低於該熱電導體之該導熱率,且該線路板更包括至少一額外導熱摻物分散於該底部緩衝層中,該至少一額外導熱摻物之導熱率高於該底部緩衝層之該導熱率。
  8. 如請求項6或7所述之線路板,其中該底部路由層更透過金屬化貫孔連接至該熱電導體。
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