TWI506509B - 觸控面板及觸控面板之驅動方法 - Google Patents

Description

觸控面板及觸控面板之驅動方法

本發明關於一種包括光感測器的觸控面板及其驅動方法。本發明特別關於一種包括分別設置有光感測器的多個像素的觸控面板及其驅動方法。再者，本發明還關於一種包括該觸控面板的電子裝置。

近年來，安裝有觸控感測器的顯示裝置引人注目。安裝有觸控感測器的顯示裝置被稱為觸控面板或觸控螢幕等(下面，將它們簡單地稱為“觸控面板”)。觸控感測器根據其操作原理的差異，有電阻膜式、靜電容量式、光式等的方式。無論採用上述哪一種方式都可以藉由使檢測物件和顯示裝置接觸或相近，來輸入資料。

例如，藉由作為光式觸控感測器將檢測光的感測器(也稱為“光感測器”)設置在顯示部，可以獲得顯示部兼作輸入區域的觸控面板。作為具有這種光式觸控感測器的裝置的一例，可以舉出作為進行圖像接收的密接型區域感測器的功能的顯示裝置(例如，參照專利文獻1)。在具有光式觸控感測器的觸控面板中，從觸控面板發射光，且該光的一部分被檢測物件反射。在觸控面板內的像素中設置有能夠檢測光的光感測器(有時還稱為“光電轉換元件”)，藉由檢測被反射的光，能夠知道在光檢測區域中存在著檢測物件。

目前正在進行在行動電話、可攜式資訊終端等的電子裝置中設置觸控面板來賦予個人識別功能等的研究開發(例如，參照專利文獻2)。作為身份識別，利用指紋、臉、手形、掌紋和手靜脈的形狀等。在將身份識別功能提供在與顯示部不同的部分中的情況下會有如下憂慮：導致零部件個數的增多而電子裝置的重量及價格增大。

此外，在觸控感測器的系統中，已知根據外光的亮度選擇檢測指尖位置的圖像處理方法的技術(例如，參照專利文獻3)。

[專利文獻1]日本專利申請公開第2001-292276號公報

[專利文獻2]日本專利申請公開第2002-033823號公報

[專利文獻3]日本專利申請公開2007-183706號公報

當在如具有身份識別功能的電子裝置中使用觸控面板時，需要收集設置在觸控面板的各像素的光感測器所檢測出光來產生的電信號，並且進行圖像處理。所以，對於觸控面板提供包括電晶體的電路。

若採用使用單晶矽的電晶體，則根據單晶矽基板的尺寸對區域感測器的尺寸有限制。換言之，使用單晶矽基板形成大型的區域感測器或兼用作大型的顯示裝置的區域感測器的方式是成本高而不符現實。

另一方面，使用非晶矽的薄膜電晶體(Thin Film Transistor：TFT)容易實現基板的大面積化，但是非晶矽膜的場效應遷移率低，對電路設計有限制，而且電路所佔有的面積增大。

使用多晶矽具有比非晶矽大的電場效應遷移率。但是使用多晶矽的薄膜電晶體常常採用藉由受激準分子雷射退火進行晶化的方法，因此存在有起因於受激準分子雷射退火的特性不均勻性。由此，使用由存在有特性均勻性的薄膜電晶體構成的電路的光感測器難以將檢測出來的光的強度分佈再現性良好地產生為電信號。

本發明的一個實施例的課題之一是提供一種觸控面板，該觸控面板可以在大型基板上大量製造，並包括具有均勻且穩定的電特性的光感測器。

此外，本發明的一個實施例的課題之一是提供一種觸控面板，該觸控面板具有高功能並能夠進行高速回應。

另外，本發明的一個實施例的課題之一是提供一種觸控面板，該觸控面板可以藉由獨立地控制光感測器的重置操作及讀出操作，提高拍攝的幀頻率。

在包括光感測器的觸控面板或安裝有觸控感測器的顯示裝置中採用設置包括使用氧化物半導體層的電晶體的電路的結構。

但是，氧化物半導體在薄膜形成製程中發生離化學算術成分的偏差。例如，產生氧的過多或不足，因此在成膜的前後氧化物半導體的導電率變化。此外，當形成氧化物半導體的薄膜時混入的氫、水分形成氧(O)-氫(H)鍵成為電子給體，且它成為使導電率變化的因素。再者，因為O-H具有極性，所以它成為如由氧化物半導體製造的薄膜電晶體那樣的主動裝置的特性的變動因素。

於是，在本發明說明所公開的使用氧化物半導體層的薄膜電晶體中，藉由如下方法實現氧化物半導體層的高純度化並使其I型(本質)化：從氧化物半導體層中意圖性地去除成為變動因素的氫、水分、羥基或氫化物(也稱為氫化合物)等的雜質以抑制其電特性變動，且供給當進行雜質的去除製程的同時減少的構成氧化物半導體的主要成分材料的氧。

由此，氧化物半導體中的氫及載子越少越佳，並且在本發明說明所公開的薄膜電晶體是使用氧化物半導體層來形成通道形成區的薄膜電晶體，其中將氧化物半導體所包含的氫濃度設定為5×10¹⁹ /cm³ 或以下，最好設定為5×10¹⁸ /cm³ 或以下，最好設定為5×10¹⁷ /cm³ 或以下，更佳設定為低於5×10¹⁶ /cm³ ，儘量去除氧化物半導體所包含的氫，即近於0，且使用將載子濃度設定為低於5×10¹⁴ /cm³ ，最好設定為5×10¹² /cm³ 或以下。

對於薄膜電晶體的反向特性而言，截止電流越少越佳。截止電流(也稱為洩漏電流)是指當施加-1V至-10V之間的任何閘極電壓時在薄膜電晶體的源極和汲極之間流過的電流。本發明說明所公開的使用氧化物半導體的薄膜電晶體的每通道寬度(w)1μm的電流值為100aA/μm或以下，最好為10aA/μm或以下，更佳為1aA/μm或以下。再者，由於沒有產生pn結及熱載子劣化，因此薄膜電晶體的電特性不受到這些的影響。

藉由二次離子質譜測定技術(SIMS：Secondary Ion Mass Spectrometry)或根據SIMS的資料而預計上述氫的濃度。此外，可以藉由霍爾效應測量求得載子濃度。作為霍爾效應測量器的例子，可舉出比電阻/霍爾測量系統ResiTest8310(日本TOYO Corporation製造)。比電阻/霍爾測量系統ResiTest8310可以進行AC(交流)霍爾測量，即以一定的週期改變磁場的方向和大小，並只檢測出與此同步地產生在樣品中的霍爾起電壓。也可以檢測出電場遷移率低且電阻率高的材料的霍爾起電壓。

作為再本說明書中使用的氧化物半導體層，可以使用四元類金屬氧化物的In-Sn-Ga-Zn-O膜、三元類金屬氧化物的In-Ga-Zn-O膜、In-Sn-Zn-O膜、In-Al-Zn-O膜、Sn-Ga-Zn-O膜、Al-Ga-Zn-O膜、Sn-Al-Zn-O膜、二元類金屬氧化物的In-Zn-O膜、Sn-Zn-O膜、Al-Zn-O膜、Zn-Mg-O膜、Sn-Mg-O膜、In-Mg-O膜、In-O膜、Sn-O膜、Zn-O膜等。此外，上述氧化物半導體層也可以包含SiO₂ 。

此外，作為氧化物半導體層，可以使用表示為InMO₃ (ZnO)_m (m>0)的薄膜。在此，M示出選自Ga、Al、Mn及Co中的一種或多種金屬元素。例如，M包括Ga、Ga及Al、Ga及Mn或Ga及Co等。在具有表示為InMO₃ (ZnO)_m (m>0)的結構的氧化物半導體層中，將具有包含Ga作為M的結構的氧化物半導體稱為上述In-Ga-Zn-O氧化物半導體，且將其薄膜稱為In-Ga-Zn-O非單晶膜。

本發明的一個實施例是一種觸控面板，包括：其每一個具有顯示元件和光感測器的多個像素；以及能夠獨立地控制光感測器的重置操作及讀出操作的控制電路，並且以不重複的方式執行重置操作及讀出操作。作為該光感測器，使用包括具有上述特徵的氧化物半導體層的薄膜電晶體。

本發明的一個實施例是一種觸控面板，包括：其每一個具有顯示元件和光感測器的多個像素；以及能夠獨立地控制光感測器的重置操作及讀出操作的控制電路，其中，光感測器包括光二極體和含有氧化物半導體層的電晶體，並且，控制電路以不同時進行的方式執行光感測器的重置操作及讀出操作。

此外，本發明的一個實施例是一種觸控面板，包括：其每一個具有顯示元件和光感測器的多個像素；以及能夠獨立地控制光感測器的重置操作及讀出操作的控制電路，其中，光感測器包括含有非晶半導體層的光二極體、含有氧化物半導體層的電晶體，並且，控制電路以不重複的方式執行光感測器的重置操作及讀出操作。

在上述結構中，薄膜電晶體中的氧化物半導體層可以包含銦、鎵或鋅。

此外，本發明的一個實施例是一種觸控面板的驅動方法，該觸控面板包括其每一個設置有具有光二極體、含有氧化物半導體層的第一電晶體及含有氧化物半導體層的第二電晶體的光感測器的多個像素，其中，各像素進行：將電連接到第二電晶體的源極及汲極中的一方的光感測器輸出信號線的電位設定為基準電位的第一操作；由光二極體的光電流改變第一電晶體的閘極電位的第二操作；以及改變第二電晶體的閘極電位，並藉由第一電晶體和第二電晶體使光感測器輸出信號線和電連接到第一電晶體的源極及汲極中的一方的光感測器基準信號線導通，來根據光電流改變光感測器輸出信號線的電位的第三操作。

本發明的一個實施例是一種觸控面板的驅動方法，該觸控面板包括其每一個設置有具有光二極體、第一電晶體及第二電晶體的光感測器的多個像素，其中，各像素進行：將電連接到第一電晶體的源極及汲極中的一方的光感測器輸出信號線的電位設定為基準電位的第一操作；由光二極體的光電流改變第一電晶體的閘極電位的第二操作；以及改變第二電晶體的閘極電位，並藉由第一電晶體和第二電晶體使光感測器輸出信號線和電連接到第二電晶體的源極及汲極中的一方的光感測器基準信號線導通，來根據光電流改變光感測器輸出信號線的電位的第三操作。

在上述本發明的一個實施例中的觸控面板的驅動方法中，在多個像素中的一個進行第一操作的同時，多個像素中的另一個進行第三的操作。

此外，在上述本發明的一個實施例中的觸控面板的驅動方法中，多個像素中的一個進行第一操作，在列方向上與一個像素相鄰的像素進行第一操作時，多個像素中的另一個進行第三操作。

此外，在上述本發明的一個實施例中的觸控面板的驅動方法中，多個像素中的一個進行第三操作，且在列方向上與一個像素相鄰的像素進行第三操作時，多個像素中的另一個進行第一操作。

本發明的一個實施例可以提供能夠進行高速拍攝的觸控面板。

此外，本發明的一個實施例可以提供能夠確保光感測器的操作時間，並且能夠進行高速拍攝的觸控面板的驅動方法。

此外，本發明的一個實施例可以提供能夠在使光感測器的操作穩定，並且能夠進行高速拍攝的觸控面板的驅動方法。

此外，本發明的一個實施例可以藉由具有使用氧化物半導體層的薄膜電晶體提供具有高功能並能夠進行高速回應的觸控面板。

[實施例]

下面，將參照附圖詳細說明實施例。但是，本發明的實施例可以藉由多種不同的方式來實施，所屬[發明所屬之技術領域]的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是其方式和詳細內容在不脫離本發明的宗旨及其範圍下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本實施例不應該被解釋為僅限於以下所示的實施例的記載內容。另外，在用於說明實施例的所有附圖中，使用相同的附圖標記來表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重複說明。

[實施例1]

在本實施例中，參照圖1至圖4、圖7、圖10、圖11說明根據本發明的一個實施例的觸控面板的結構及其驅動方法。

參照圖1說明觸控面板的結構的一例。觸控面板100包括像素電路101、顯示元件控制電路102及光感測器控制電路103。像素電路101包括在行列方向上配置為矩陣狀的多個像素104。各像素104包括顯示元件105及光感測器106。

顯示元件105包括薄膜電晶體(Thin Film Transistor：TFT)、儲存電容器、具有液晶層的液晶元件等。薄膜電晶體具有控制對儲存電容器的電荷植入或從儲存電容器的電荷排出的功能。儲存電容器具有保持施加到液晶層的電壓的功能。利用藉由對液晶層施加電壓，偏光方向改變的現象來形成透過液晶層的光的明暗(灰度)，從而實現圖像顯示。作為透過液晶層的光，使用由光源(背光燈)從液晶顯示裝置的背面照射的光。

另外，作為進行彩色圖像顯示的方式，可以舉出使用濾色片的方式，即，所謂的濾色片方式。在這個方式中，藉由使透過液晶層的光經過濾色片，進行特定顏色(例如，紅(R)、綠(G)、藍(B))的灰度顯示。在此，當採用濾色片方式時，將具有發射紅(R)、綠(G)、藍(B)中的任一種顏色的光的功能的像素104分別稱為R像素、G像素、B像素。

此外，作為進行彩色圖像顯示的另一方式，可以舉出所謂的場序制方式，即，利用特定顏色(例如，紅(R)、綠(G)、藍(B))的光源構成背光燈，且依次使各個顏色發光的方式。在場序制方式中，藉由在各個顏色的光源發光的期間中形成透過液晶層的光的明暗，可以形成該顏色的灰度。

另外，說明了顯示元件105具有液晶元件的情況，但是它也可以具有發光元件等的其他元件。發光元件是其亮度由電流或電壓控制的元件，具體地可以舉出發光二極體、EL元件(有機EL元件(Organic Light Emitting Diode：OLED)、無機EL元件)等。

光感測器106包括光二極體等的具有藉由接收光來發射電信號的功能的元件以及薄膜電晶體。作為光感測器106所接收的光，利用來自背光燈的光照射到檢測物件時的反射光。

顯示元件控制電路102是用來控制顯示元件105的電路，其包括藉由視頻資料信號線等的信號線(也稱為“源極信號線”)對顯示元件105輸入信號的顯示元件驅動電路107、以及藉由掃描線(也稱為“閘極信號線”)對顯示元件105輸入信號的顯示元件驅動電路108。例如，掃描線一側的顯示元件驅動電路108具有選擇配置在特定的列的像素所具有的顯示元件105的功能。此外，信號線一側的顯示元件驅動電路107具有對被選擇的列的像素所具有的顯示元件105提供任意電位的功能。另外，在被掃描線一側的顯示元件驅動電路108施加高電位的顯示元件中，薄膜電晶體成為導通狀態，供給由信號線一側的顯示元件驅動電路107提供的電荷。

光感測器控制電路103是用來控制光感測器106的電路，並且它包括與光感測器輸出信號線、光感測器基準信號線等連接的光感測器讀出電路109以及光感測器驅動電路110。光感測器驅動電路110具有對配置在特定的列的像素所具有的光感測器106進行後述的重置操作及選擇操作的功能。此外，光感測器讀出電路109具有提取被選擇的列的像素所具有的光感測器106的輸出信號的功能。另外，作為光感測器讀出電路109也可以採用如下結構：藉由利用運算放大器，將模擬信號的光感測器的輸出不加改變地提取到觸控面板外部；或者藉由利用A/D轉換電路，將所述輸出轉換為數位信號，然後，提取到觸控面板外部。

在包括光感測器的觸控面板100中採用設置包括使用氧化物半導體層的電晶體的電路的結構。

包括在含有光感測器的觸控面板100中的使用氧化物半導體層的薄膜電晶體藉由如下方法實現氧化物半導體層的高純度化並使其I型(本質)化：從氧化物半導體層中意圖性地去除成為變動因素的氫、水分、羥基或氫化物(也稱為氫化合物)等的雜質以抑制其電特性變動，且供給當進行雜質的去除製程的同時減少的構成氧化物半導體的主要成分材料的氧。

由此，氧化物半導體中的氫及載子越少越佳，並且在本發明說明所公開的薄膜電晶體中，將氧化物半導體所包含的氫設定為5×10¹⁹ /cm³ 或以下，最好設定為5×10¹⁸ /cm³ 或以下，更佳設定為5×10¹⁷ /cm³ 或以下或低於5×10¹⁶ /cm³ ，將氧化物半導體所包含的氫儘量去除得近於0，且將載子濃度設定為低於5×10¹⁴ /cm³ ，最好設定為5×10¹² /cm³ 或以下，藉由使用這樣的氧化物半導體層形成通道形成區。

對於薄膜電晶體的反向特性，截止電流越少越佳。截止電流是指當施加-1V至-10V之間的閘極電壓時流過在薄膜電晶體的源極和汲極之間的電流。本發明說明所公開的使用氧化物半導體的薄膜電晶體的通道寬度(w)的每1μm的電流值為100aA/μm或以下，最好為10aA/μm或以下，更佳為1aA/μm或以下。再者，由於沒有pn結及熱載子劣化，因此薄膜電晶體的電特性不受到這些因素的影響。

參照圖2說明像素104的電路圖的一例。像素104包括顯示元件105及光感測器106，該顯示元件105包括電晶體201、儲存電容器202及液晶元件203，該光感測器106包括光二極體204、電晶體205及電晶體206。在圖2中，電晶體201、電晶體205、電晶體206是使用氧化物半導體層的薄膜電晶體。

在電晶體201中，閘極電連接到閘極信號線207，源極及汲極中的一方連接到視頻資料信號線210，源極及汲極中的另一方電連接到儲存電容器202的一方電極及液晶元件203的一方電極。儲存電容器202的另一方電極及液晶元件203的另一方電極保持為一定電位。液晶元件203是包括一對電極及該一對電極之間的液晶層的元件。

當對閘極信號線207施加“H”時，電晶體201對儲存電容器202和液晶元件203施加視頻資料信號線210的電位。儲存電容器202保持被施加的電位。液晶元件203根據被施加的電位改變光透過率。

因為使用氧化物半導體層的薄膜電晶體的電晶體201、205、206的截止電流非常小，所以其儲存電容器可以非常小或可以不設置儲存電容器。

在光二極體204中，一方電極電連接到光二極體重置信號線208，而另一方電極藉由閘極信號線213電連接到電晶體205的閘極。在電晶體205中，源極及汲極中的一方電連接到光感測器基準信號線212，源極及汲極中的另一方電連接到電晶體206的源極及汲極中的一方。在電晶體206中，閘極電連接到閘極信號線209，源極及汲極中的另一方電連接到光感測器輸出信號線211。

另外，電晶體205和電晶體206的配置不侷限於圖2所示的結構。還可以採用如下結構：電晶體206的源極及汲極中的一方電連接到光感測器基準信號212，另一方電連接到電晶體205的源極及汲極中的一方，電晶體205的閘極電連接到閘極信號線209，源極及汲極中的另一方電連接到光感測器輸出信號線211。

接著，參照圖3說明光感測器讀出電路109的結構的一例。在圖3中，對應於光感測器讀出電路109所具有的一行像素的電路300包括電晶體301及儲存電容器302。此外，附圖標記211表示對應於該像素一行的光感測器輸出信號線，而附圖標記303表示預充電信號線。

注意，在本發明說明的電路圖中，為了明確地判斷是使用氧化物半導體層的薄膜電晶體，作為使用氧化物半導體層的薄膜電晶體的附圖標記記載有“OS”。在圖3中，電晶體301是使用氧化物半導體層的薄膜電晶體。

在對應於光感測器讀出電路109所具有的一行像素的電路300中，在像素內的光感測器操作之前將光感測器輸出信號線211的電位設定為基準電位。設定為光感測器輸出信號線211的基準電位可以是高電位或低電位。在圖3中，藉由將預充電信號線303設定為“H”，可以將光感測器輸出信號線211設定為作為基準電位的高電位。當光感測器輸出信號線211的寄生電容大時，就並不需要設置儲存電容器302。

接下來，使用圖4的時序圖說明觸控面板的光感測器的讀出操作的一例。在圖4中，信號401至信號404分別相當於圖2的光二極體重置信號線208的電位、與電晶體206的閘極連接的閘極信號線209的電位、與電晶體205的閘極連接的閘極信號線213的電位、光感測器輸出信號線211的電位。另外，信號405相當於圖3的預充電信號線303的電位。

在時刻A處，當將光二極體重置信號線208的電位(信號401)設定為“H”，換言之，以對光二極體施加正向偏壓的方式設定與光二極體電連接的光二極體重置信號線208的電位(重置操作)時，光二極體204導通，從而與電晶體205的閘極連接的閘極信號線213的電位(信號403)成為“H”。另外，當將預充電信號線303的電位(信號405)設定為“H”時，光感測器輸出信號線211的電位(信號404)被預充電到“H”。

在時刻B處，當將光二極體重置信號線208的電位(信號401)設定為“L”(累積操作)時，由於光二極體204的光電流，與電晶體205的閘極連接的閘極信號線213的電位(信號403)開始下降。當照射光時，光二極體204的光電流增大，因此與電晶體205的閘極連接的閘極信號線213的電位(信號403)根據光的照射量變化。也就是說，電晶體205的源極和汲極之間的電流變化。

在時刻C處，當將閘極信號線209的電位(信號402)設定為“H”(選擇操作)時，電晶體206導通，並且光感測器基準信號線212與光感測器輸出信號線211藉由電晶體205和電晶體206導通。於是，光感測器輸出信號線211的電位(信號404)開始下降。注意，在時刻C之前，將預充電信號線303的電位(信號405)設定為“L”，來結束光感測器輸出信號線211的預充電。在此，光感測器輸出信號線211的電位(信號404)的下降速度取決於電晶體205的源極和汲極之間的電流。也就是說，光感測器輸出信號線211的電位(信號404)根據照射到光二極體204的光量而變化。

在時刻D處，當將閘極信號線209的電位(信號402)設定為“L”時，電晶體206截止，從而在時刻D之後，光感測器輸出信號線211的電位(信號404)成為一定。在此，光感測器輸出信號線211的電位取決於照射到光二極體204的光量。因此，藉由獲得光感測器輸出信號線211的電位，可以知道照射到光二極體204的光量。

如上所述，在各光感測器的操作中，反復進行重置操作、累積操作及選擇操作。為了實現觸控面板的高速拍攝，需要高速進行所有像素的重置操作、累積操作、選擇操作。

簡單地說，如圖10所示的時序圖那樣，在所有像素的重置操作之後，進行所有像素的累積操作，然後進行所有像素的選擇操作，來可以實現所希望的拍攝。圖10是說明觸控面板的操作的一例的時序圖。在圖10中，信號1001、信號1002、信號1003、信號1004、信號1005、信號1006、信號1007分別是第一列、第二列、第三列、第m列、第(m+1)列、第(n-1)列、第n列的光二極體重置信號線的時序圖。此外，信號1011、信號1012、信號1013、信號1014、信號1015、信號1016、信號1017分別是第一列、第二列、第三列、第m列、第(m+1)列、第(n-1)列、第n列的閘極信號線的時序圖。期間1018是第m列的光感測器操作的期間，期間1019、期間1020、期間1021分別是進行重置操作、累積操作、選擇操作的期間。此外，期間1022是所有像素的一次拍攝所需的期間。注意，m和n是自然數，且滿足1<m<n。在此，圖10所示的期間T示出從某一列的重置操作的開始至下一列的重置操作的開始之間的期間。

在此，藉由利用圖7所示的時序圖的驅動方法，可以確保每個光感測器的操作時間，並且容易進行高速拍攝。

圖7是說明觸控面板的操作的一例的時序圖。在圖7中，信號701、信號702、信號703、信號704、信號705、信號706、信號707分別是第一列、第二列、第三列、第m列、第(m+1)列、第(n-1)列、第n列的光二極體重置信號線的時序圖。此外，信號711、信號712、信號713、信號714、信號715、信號716、信號717分別是第一列、第二列、第三列、第m列、第(m+1)列、第(n-1)列、第n列的閘極信號線的時序圖。期間718是第m列的光感測器操作的期間，期間719、期間720、期間721分別是進行重置操作、累積操作、選擇操作的期間。此外，期間722是所有像素的一次拍攝所需的期間。注意，m和n是自然數，且滿足1<m<n。在此，圖7所示的期間T示出從某一列的重置操作的開始至下一列的重置操作的開始之間的期間。

在圖7所示的時序圖的驅動方法中，在不同列同時進行重置操作、累積操作和選擇操作。例如，在某一列進行重置操作的同時在另一列進行選擇操作。在圖7中，在同時進行第m列的重置操作和第一列的選擇操作。

在此，當將圖7所示的時序圖的各列的光感測器的重置操作及選擇操作的期間設定為與圖10所示的時序圖相同時，可以使圖7所示的時序圖的所有螢幕的一次拍攝所需的時間(期間722)短於圖10所示的期間(期間1022)。因此，與圖10所示的時序圖的驅動方法相比，圖7所示的時序圖的驅動方法可以提高拍攝幀頻率，從而可以進行高速拍攝。

由此，藉由利用圖7所示的時序圖的驅動方法，可以在確保每個光感測器的操作時間的同時提高拍攝幀頻率，從而可以進行高速拍攝。

另外，為了實現圖7所示的時序圖的驅動方法，光感測器驅動電路110最好獨立地具有控制重置操作的驅動電路以及控制選擇操作的驅動電路。例如，最好地是，使用第一移位暫存器構成控制重置操作的驅動電路，而使用第二移位暫存器構成控制選擇操作的驅動電路。

此外，藉由利用圖11所示的時序圖的驅動方法，可以使光感測器的操作穩定。

在圖11中，信號1101、信號1102、信號1103、信號1104、信號1105、信號1106、信號1107分別是第一列、第二列、第三列、第m列、第(m+1)列、第(n-1)列、第n列的光二極體重置信號線的時序圖。此外，信號1111、信號1112、信號1113、信號1114、信號1115、信號1116、信號1117分別是第一列、第二列、第三列、第m列、第(m+1)列、第(n-1)列、第n列的閘極信號線的時序圖。期間1118是第m列的光感測器操作的期間，期間1119、期間1120、期間1121分別是進行重置操作、累積操作、選擇操作的期間。此外，期間1122是所有像素的一次拍攝所需的期間。在此，圖11所示的期間T示出從某一列的重置操作的開始至下一列的重置操作的開始之間的期間。在圖10所示的時序圖的期間T中，雖然在所有的列中不進行選擇操作，但是在圖11所示的時序圖的期間T的某一列中，進行選擇操作。例如，在圖11中，在從開始第m列的重置操作至開始第(m+1)列的重置操作的期間中，在第二列中進行選擇操作。

在圖11所示的時序圖的驅動方法中，不改變控制重置操作的驅動電路的操作頻率以及控制選擇操作的驅動電路的操作頻率，不在同時對不同列進行重置操作和選擇操作。換言之，在某一列的重置操作的結束和與該列相鄰的列的重置操作的開始之間進行另一列的選擇操作，不在同時進行重置操作和選擇操作。例如，在圖11中，在第m列的重置操作的結束和第(m+1)列的重置操作的開始之間進行第二列的選擇操作。此外，同樣地，在某一列的選擇操作的結束和與該列相鄰的列的選擇操作的開始之間進行另一列的重置操作，不在同時進行重置操作和選擇操作。例如，在圖11中，在第一列的選擇操作的結束和第二列的選擇操作的開始之間進行第m列的重置操作。

藉由利用圖11所示的時序圖的驅動方法，可以顯著地減少進行選擇操作的列的光感測器所導致的光感測器輸出信號線的電位變化對另一列的光感測器的重置操作造成的影響。因此，藉由利用圖11所示的時序圖的驅動方法，可以使光感測器的操作穩定。

在此，對重置操作造成影響的原因在於，在圖2中，因電晶體206的關態洩漏電流而洩漏電流從光感測器輸出信號線211經過電晶體205流到光感測器基準信號線212。對重置操作造成的影響有可能導致發生光感測器的操作缺陷，諸如：在重置操作中電晶體205的閘極電壓達不到所希望的電壓；或者光感測器輸出信號線211的電位以及光感測器基準信號線212的電位因洩漏電流而變得不穩定。

但是，在本發明說明所公開的發明中，因由使用氧化物半導體層的薄膜電晶體形成電晶體206而截止電流非常小，從而可以減少產生上述操作缺陷的可能性。

再者，藉由採用圖11所示的時序圖的驅動方法，使光感測器的操作穩定且提高拍攝的幀頻率，來可以進行高速拍攝。

另外，藉由採用圖11所示的時序圖的驅動方法，在重置期間中使光感測器輸出信號線的電位等於光感測器基準信號線的電位也是有效的。

另外，為了實現圖11所示的時序圖的驅動方法，光感測器驅動電路110最好包括彼此獨立的控制重置操作的驅動電路和控制選擇操作的驅動電路。例如，有效的是：使用第一移位暫存器構成控制重置操作的驅動電路，使用第二移位暫存器構成控制選擇操作的驅動電路，再者由相對於各列的移位暫存器的輸出只在所希望的期間設定為“H”的信號的邏輯或產生各列的控制信號。

圖22示出對圖2的光感測器106中的圖像拍攝的頻率進行電路算術而得出的結果。圖22示出構成光感測器106的電晶體205及206的電場效應遷移率和從讀出速度算出的拍攝幀頻率之間的關係。

在電路算術中，假設了如下條件：觸控面板是20英寸FHD規格(橫向為1920×RGB，縱向為1080像素)，各像素安裝有光感測器，光感測器輸出信號線211的寄生電容為20pF(相當於電容302)，電晶體205和電晶體206的通道長度為5μm，其通道寬度為16μm，電晶體301的通道長度為5μm，其通道寬度為1000μm。另外，對於算術，使用電路模擬器SmartSpice(Silvaco公司製造)。

在電路算術中，假設了如下操作：首先，使初期狀態為剛進行累積操作之後，即將閘極信號線213的電位設定為8V，將閘極信號線209的電位設定為0V，將光感測器輸出信號線211的電位設定為8V，將光感測器基準信號線212的電位設定為8V，將預充電信號線303的電位設定為0V。將預充電信號線303的電位從初期狀態改變為8V，且光感測器輸出信號線211的電位達到0V(預充電狀態)，然後將預充電信號線303的電位設定為0V，並將閘極信號線209的電位設定為8V。也就是說，開始選擇操作。另外，將基準電壓設定為0V。然後，光感測器輸出信號線211的電位為2V，即電位從進行預充電操作時的電位變化2V的時點成為終結狀態。上述操作中的初期狀態至終結狀態之間的時間為每一列所需的拍攝時間。

圖像拍攝所需的時間是上述每一列所需的拍攝時間的1080倍，並且圖像拍攝時間的倒數為圖像拍攝的頻率。作為一例，圖像拍攝的頻率是60Hz的情況相當於上述每一列所需的拍攝時間為1/60[Hz]/1080[行]=15.43[μs]的情況。

根據圖22的結果可以知道：在將電晶體205及206的電場效應遷移率設定為假設使用氧化物半導體的電晶體的10cm² /Vs至20cm² /Vs的情況下，圖像拍攝的頻率為70Hz至100Hz。另一方面，在將電晶體205及206的電場效應遷移率設定為假設使用非晶矽的電晶體的0.5cm² /Vs的情況下，圖像拍攝的頻率只達到5Hz左右。也就是說，最好將使用氧化物半導體的電晶體用作構成光感測器的電晶體是有效的。

藉由採用如上方式，可以提供包括確保操作時間且能夠進行高速拍攝的光感測器的觸控面板。此外，可以提供確保光感測器的操作時間且能夠進行高速拍攝的觸控面板的驅動方法。

此外，藉由採用如上方法，可以提供包括操作穩定且能夠進行高速拍攝的光感測器的觸控面板。此外，可以提供使光感測器的操作穩定且能夠進行高速拍攝的觸控面板的驅動方法。

此外，藉由包括使用氧化物半導體層的薄膜電晶體，可以提供具有高功能且能夠進行高速回應的觸控面板。

[實施例2]

在本實施例中，參照圖5說明根據本發明的一個實施例的觸控面板的結構。

圖5表示觸控面板的截面的一例。圖5所示的觸控面板在具有絕緣表面的基板501(TFT基板)上設置有光二極體502、電晶體540、電晶體503、液晶元件505。

在電晶體503、電晶體540上設置有氧化物絕緣層531、保護絕緣層532、層間絕緣層533、層間絕緣層534。光二極體502設置在層間絕緣層533上，並且光二極體502具有如下結構：在形成在層間絕緣層533上的電極層541和設置在層間絕緣層534上的電極層542之間從層間絕緣層533一側按順序層疊第一半導體層506a、第二半導體層506b及第三半導體層506c。

電極層541與形成在層間絕緣層534的導電層543電連接，且電極層542藉由電極層541與閘電極層545電連接。閘電極層545與電晶體540的閘電極層電連接，且光二極體502與電晶體540電連接。電晶體540對應於實施例1中的電晶體205。

包括在含有光感測器的觸控面板中的使用氧化物半導體層的電晶體503、電晶體540藉由如下方法實現氧化物半導體層的高純度化並使其I型(本質)化：從氧化物半導體層中意圖性地去除成為變動因素的氫、水分、羥基或氫化物(也稱為氫化合物)等的雜質以抑制其電特性變動，且供給當進行雜質的去除製程的同時減少的構成氧化物半導體的主要成分材料的氧。

由此，氧化物半導體層中的氫及載子越少越佳，並且在電晶體503、電晶體540中，使氧化物半導體所包含的氫儘量去除得近於0，以將氧化物半導體所包含的氫設定為5×10¹⁹ /cm³ 或以下，最好設定為5×10¹⁸ /cm³ 或以下，更佳設定為5×10¹⁷ /cm³ 或以下或低於5×10¹⁶ /cm³ ，且將載子濃度設定為低於5×10¹⁴ /cm³ ，最好設定為5×10¹² /cm³ 或以下，藉由使用這樣的氧化物半導體層形成通道形成區。

對於電晶體503、540的反向特性，截止電流越少越佳。截止電流是指當施加-1V至-10V之間的閘極電壓時流過在薄膜電晶體的源極和汲極之間的電流。本發明說明所公開的使用氧化物半導體的薄膜電晶體的通道寬度(w)的每1μm的電流值為100aA/μm或以下，最好為10aA/μm或以下，更佳為1aA/μm或以下。再者，由於沒有pn結及熱載子劣化，因此薄膜電晶體的電特性不受到這些因素的影響。

圖18示出使用氧化物半導體的反交錯型薄膜電晶體的縱截面圖。在閘電極(GE1)上隔著閘極絕緣膜(GI)設置氧化物半導體層(OS)，且在其上設置源極電極(S)及汲極電極(D)。

圖19A和19B示出沿著圖18所示的A-A'截面的能帶圖(模式圖)。圖19A示出使源極和汲極之間的電壓彼此相等(VD=0V)的情況。圖19B示出對於源極的電位對汲極施加正電位(VD>0V)的情況。

圖20A和20B是沿著圖18的B-B'的截面的能帶圖(圖形)。圖20A示出對閘電極(GE1)施加正電位元(+VG)的狀態，且在源極和汲極之間流過載子(電子)的導通狀態。此外，圖20B示出對閘電極(GE1)施加負電位(-VG)的截止狀態(少數載子不流過)。

圖21示出真空能級和金屬的功函數(ΦM)及氧化物半導體的電子親和力(χ)之間的關係。

現有的氧化物半導體一般是n型，在此情況下的費密能級(Ef)從位於帶隙中間的本質費密能級(Ei)離開再位於與傳導帶接近的部分。另外，一般認為，因為氫會成為施體，所以氫是在氧化物半導體中導致n型化的原因中之一。

針對於此，根據本發明的氧化物半導體層是如下氧化物半導體，即：藉由從氧化物半導體去除n型雜質的氫且以儘量不包含雜質的方式進行高純度化，實現本質(I型)或使其靠近本質型。也就是說，其特徵是：藉由儘量去除氫、水等的雜質來使本發明的氧化物半導體具有高純度化了的I型(本質半導體)或使其近於高純度化了的I型。由此，可以使費密能級(Ef)為與本質能級(Ei)相同的程度。

氧化物半導體的電子親和力(χ)被認是4.3eV。構成源極電極及汲極電極的鈦(Ti)的功函數與氧化物半導體的電子親和力(χ)大致相等。在此情況下，在金屬-氧化物半導體介面中，不形成肖特基型的電子勢壘。

也就是說，在金屬的功函數(ΦM)和氧化物半導體的電子親和力(χ)相等的情況下，當兩者接觸時得到圖19A所示的能帶圖(圖形)。

在圖19B中，黑色圓點(‧)表示電子，並且當對汲極電極施加正電位元時，電子跨越勢壘(h)植入到氧化物半導體層，然後流向汲極。雖然在此情況下，勢壘(h)的高度依賴於閘極電壓及汲極電壓而變化，而當被施加正的汲極電壓時，不施加電壓的圖19A的勢壘(h)高度低於帶隙(Eg)的1/2。

此時植入到氧化物半導體中的電子如圖20A所示那樣地流過氧化物半導體中。此外，在圖20B中，因為當對閘電極(GE1)施加負電位時，少數載子的電洞實際上不存在，所以電流成為儲量近於0的值。

例如，在薄膜電晶體的通道寬度W為1×10⁴ μm，且通道長度為3μm的元件中，截止電流為10^-13 A或以下，可以得到0.1V/dec.的次臨界值(S值)(subthreshold swing value)(閘極絕緣膜的厚度為100nm)。

像這樣，藉由以儘量不包含雜質的方式使氧化物半導體膜高純度化，可以實現優良的薄膜電晶體操作。

由此，上述使用氧化物半導體層的電晶體503、電晶體540是具有穩定的電特性且可靠性高的薄膜電晶體。

作為電晶體503、電晶體540所包含的氧化物半導體層，可舉出四成份金屬氧化物的In-Sn-Ga-Zn-O膜、三成份金屬氧化物的In-Ga-Zn-O膜、In-Sn-Zn-O膜、In-Al-Zn-O膜、Sn-Ga-Zn-O膜、Al-Ga-Zn-O膜、Sn-Al-Zn-O膜、二成份金屬氧化物的In-Zn-O膜、Sn-Zn-O膜、Al-Zn-O膜、Zn-Mg-O膜、Sn-Mg-O膜、In-Mg-O膜、In-O膜、Sn-O膜、Zn-O膜等。此外，也可以使上述氧化物半導體層包含SiO₂ 。

此外，作為氧化物半導體層，可以使用表示為InMO₃ (ZnO)_m (m>0)的薄膜。在此，M示出選自Ga、Al、Mn及Co中的一種或多種金屬元素。例如，M是Ga、Ga及Al、Ga及Mn或Ga及Co等。在具有表示為InMO₃ (Z_n O)_m (m>0)的結構的氧化物半導體層中，將具有作為M包含Ga的結構的氧化物半導體稱為上述In-Ga-Zn-O氧化物半導體，且將其薄膜稱為In-Ga-Zn-O非單晶膜。

在此，例示一種pin型的光二極體，其中層疊用作第一半導體層506a的具有p型的導電型的半導體層、用作第二半導體層506b的高電阻的半導體層(i型半導體層)、用作第三半導體層506c的具有n型的導電型的半導體層。

第一半導體層506a是p型半導體層，並且可以使用包含賦予p型的雜質元素的非晶矽膜而形成。使用包含屬於週期表中的第13族雜質元素(例如，硼(B))的半導體材料氣體並採用電漿CVD法形成第一半導體層506a。作為半導體材料氣體，使用矽烷(SiH₄ )，即可。或者，使用Si₂ H₆ 、SiH₂ Cl₂ 、SiHCl₃ 、SiCl₄ 、SiF₄ 等。此外，也可以在形成不包含雜質的非晶矽膜之後，使用擴散法或離子植入法對該非晶矽膜引入雜質元素。最好的是，在藉由採用離子植入法等引入雜質元素之後進行加熱等擴散雜質元素。在此情況下，作為形成非晶矽膜的方法，使用LPCVD法、氣相成長法或濺射法等，即可。最好將第一半導體層506a形成得具有10nm或以上且50nm或以下的厚度。

第二半導體層506b是i型半導體層(本質半導體層)，並且使用非晶矽膜而形成。作為第二半導體層506b，使用半導體材料氣體並採用電漿CVD法形成非晶矽膜。作為半導體材料氣體，使用矽烷(SiH₄ )即可。或者，也可以使用Si₂ H₆ 、SiH₂ Cl₂ 、SiHCl₃ 、SiCl₄ 、SiF₄ 等。也可以藉由LPCVD法、氣相成長法，濺射法等形成第二半導體層506b。將第二半導體層506b形成得具有200nm或以上且1000nm或以下的厚度。

第三半導體層506c是n型半導體層，並且使用包含賦予n型的雜質元素的非晶矽膜而形成。使用包含屬於週期表中的第15族雜質元素(例如，磷(P))的半導體材料氣體並採用電漿CVD法形成第三半導體層506c。作為半導體材料氣體，使用矽烷(SiH₄ )，即可。或者，使用Si₂ H₆ 、SiH₂ Cl₂ 、SiHCl₃ 、SiCl₄ 、SiF₄ 等。此外，也可以在形成不包含雜質的非晶矽膜之後，使用擴散法或離子植入法對該非晶矽膜引入雜質元素。最好的是，在藉由採用離子植入法等引入雜質元素之後進行加熱等擴散雜質元素。在此情況下，作為形成非晶矽膜的方法，使用LPCVD法、氣相成長法或濺射法等，即可。最好將第三半導體層506c形成得具有20nm或以上且200nm或以下的厚度。

此外，第一半導體層506a、第二半導體層506b及第三半導體層506c可以不使用非晶半導體形成，而使用多晶半導體或微晶(Semi Amorphous Semiconductor：SAS)半導體形成。

在考慮到吉布斯自由能時，微晶半導體屬於非晶和單晶的中間的准穩定狀態。也就是說，微晶半導體膜是具有在熱力學上穩定的第三狀態的半導體並具有短範圍順序及晶格應變。柱狀或針狀結晶在相對於基板表面的法線方向上生長。微晶半導體的典型例子的微晶矽的拉曼光譜轉移到比表示單晶矽的520cm^-1 低的頻率一側。即，微晶矽的拉曼光譜的峰值位於表示單晶矽的520cm^-1 和表示非晶矽的480cm^-1 之間。此外，包含至少1原子%或以上的氫或鹵素，以飽和懸空鍵(dangling bond)。再者，藉由使微晶半導體膜包含氦、氬、氪、氖等的稀有氣體元素而進一步促進晶格應變，可以得到熱力學上的穩定性高的微晶半導體膜。

可以藉由採用頻率為幾十MHz至幾百MHz的高頻電漿CVD法或頻率為1GHz以上的微波電漿CVD法形成該微晶半導體膜。典型的是，可以使用氫對SiH₄ 、Si₂ H₆ 、SiH₂ Cl₂ 、SiHCl₃ 的氫化矽等或SiCl₄ 、SiF₄ 等的鹵化矽進行稀釋來形成。此外，在氫化矽及氫的基礎上，還可以使用選自氦、氬、氪、氖中的一種或多種稀有氣體元素進行稀釋，形成微晶半導體層。在此情形中，相對於氫化矽之氫的流量比設定為5：1至200：1，最好設定為50：1至150：1，更佳設定為100：1。再者，也可以在含矽的氣體中混入CH₄ 、C₂ H₆ 等的炭化氫氣體、GeH₄ 、GeF₄ 等的鍺化氣體、F₂ 等。

此外，由於光電效應產生的電洞的電場遷移率低於電子的遷移率，因此將p型半導體層一側用作光接收面的pin型光二極體具有較好的特性。這裏示出將光二極體502從形成有pin型的光二極體的基板501的面接收的光轉換為電信號的例子。此外，由於來自導電型與光接收面上的半導體層一側的導電型相反的半導體層一側的光是干擾光，因此電極層最好使用具有遮光性的導電膜。另外，可以將n型半導體層一側的面用作光接收面。

液晶元件505包括像素電極507、液晶508、對置電極509、對準膜511、對準膜512。像素電極507形成在基板501上，並且在像素電極507上形成有對準膜511。此外，像素電極507藉由導電膜510與電晶體503電連接。此外，對置電極509形成在基板513(對置電極)上，在對置電極509上形成對準膜512，並且在對準膜511和對準膜512之間夾有液晶508。電晶體503對應於實施例1中的電晶體201。

像素電極507和對置電極509之間的單元間隙可以利用間隔物516而控制。在圖5中，使用藉由光石印法選擇性地形成的柱狀間隔物516來控制單元間隙，但是，也可以藉由將球狀間隔物分散在像素電極507和對置電極509之間來控制單元間隙。

另外，液晶508在基板501和基板513之間被密封材料圍繞。作為液晶508的植入方法，既可以利用分配器法(滴落法)，又可以利用浸漬法(泵浦方式)。

作為像素電極507可以使用具有透光性的導電材料。例如，可以使用銦錫氧化物(ITO)、含有氧化矽的銦錫氧化物(ITSO)、有機銦、有機錫、含有氧化鋅(ZnO)的銦鋅氧化物(IZO(Indium Zinc Oxide))、氧化鋅(ZnO)、含有鎵(Ga)的氧化鋅、氧化錫(SnO₂ )、含有氧化鎢的銦氧化物、含有氧化鎢的銦鋅氧化物、含有氧化鈦的銦氧化物、含有氧化鈦的銦錫氧化物等。此外，可以使用包含導電高分子(也稱為導電聚合物)的導電組成物形成像素電極507。作為導電高分子，可以使用所謂的π電子共軛類導電高分子。例如，可以舉出聚苯胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、或者這些材料中的兩種以上的共聚物等。

另外，在本實施例中，以透過型的液晶元件505為例子，所以與像素電極507同樣，對置電極509也可以使用上述具有透光性的導電材料。

在像素電極507和液晶508之間設置有對準膜511，並在對置電極509和液晶508之間設置有對準膜512。對準膜511和對準膜512可以使用聚醯亞胺、聚乙烯醇等的有機樹脂而形成，並對其表面進行了摩擦(rubbing)等用於使液晶分子向一定的方向對準的對準處理。藉由在對對準膜施加壓力的同時，使纏繞有尼龍等的布的滾筒轉動，而沿一定方向擦磨上述對準膜的表面，可以進行摩擦處理。注意，也可以不進行對準處理，而使用氧化矽等的無機材料藉由蒸鍍法直接形成具有對準特性的對準膜511和對準膜512。

另外，在基板513上與液晶元件505重疊地形成有能夠透過特定波長區域的光的濾色片514。可以將分散有顏料的丙烯酸類樹脂等的有機樹脂塗敷到基板513上，然後利用光石印法選擇性地形成濾色片514。此外，也可以將分散有顏料的聚醯亞胺類樹脂塗敷到基板513上，然後利用蝕刻選擇性地形成濾色片514。或者，也可以藉由利用噴墨法等的液滴噴射法選擇性地形成濾色片514。

另外，在基板513上與光二極體502重疊地形成有能夠遮擋光的遮擋膜515。藉由設置遮擋膜515，可以防止透過基板513而入射到觸控面板內的來自背光燈的光直接照射到光二極體502，並可以防止由於像素之間的液晶508的對準混亂而導致的旋錯(disclination)被識別到。作為遮擋膜515可以使用碳黑、低原子價氧化鈦等的包含黑色顏料的有機樹脂。此外，也可以利用使用鉻的膜形成遮擋膜515。

另外，在基板501的與形成有像素電極507的表面相反的表面上設置偏光板517，並在基板513的與形成有對置電極509的表面相反的表面上設置偏光板518。

可以使用絕緣材料，且根據該材料採用諸如濺射法、SOG法、旋塗、浸漬、噴塗、液滴噴出法(噴墨法、絲網印刷、膠版印刷等)等來形成氧化物絕緣層531、保護絕緣層532、層間絕緣層533、層間絕緣層534。

作為氧化物絕緣層531可以使用氧化矽層、氧氮化矽層、氧化鋁層或氧氮化鋁層等的氧化物絕緣層的單層或疊層。

作為用於保護絕緣層532的無機絕緣材料，可以使用氮化矽層、氮氧化矽層、氮化鋁層或氮氧化鋁層等的氮化物絕緣層的單層或疊層。此外，因為使用微波(2.45GHz)的高密度電漿CVD是能夠形成緻密、絕緣耐壓高、且具有高品質的絕緣層，所以是最好的。

作為層間絕緣層533、534，最好採用用作減少表面凹凸的平坦化絕緣膜的絕緣層。作為層間絕緣層533、534，例如可以使用聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、苯並環丁烯、聚醯胺或環氧樹脂等的具有耐熱性的有機絕緣材料。除了上述有機絕緣材料之外，還可以使用低介電常數材料(低-k材料)、矽氧烷類樹脂、PSG(磷矽玻璃)、BPSG(硼磷矽玻璃)等的單層或疊層。

如箭頭520所示，來自背光燈的光經過基板513、液晶元件505照射到位於基板501一側的檢測對象521。然後，被檢測物件521反射的光如箭頭522所示那樣入射到光二極體502。

作為液晶元件，除了TN(Twisted Nematic：扭轉向列)型之外，還可以採用VA(Vertical Alignment：垂直對準)型、OCB(Optically Compensated Birefringence：光學補償彎曲)型、IPS(In-Plane Switching：平面內切換)型等。替代地，可以使用表現出藍相的液晶，其不需要對準膜。藍相是液晶相之一，其在膽固醇相液晶的溫度升高的過程中，在即將膽固醇相變成各向同性相之前出現。由於藍相僅在窄的溫度範圍內出現，所以將混合有5wt%或以上的手性試劑的液晶組成物用於液晶508以便改善溫度範圍。包括呈現藍相的液晶和手性試劑的液晶組成物的回應時間短，即1msec或以下，因具有光學各向同性而不需要對準處理，並且視角依賴性小。此外，因可以不設置對準膜而不需要進行摩擦處理，從而可以防止摩擦處理所引起的靜電損壞並減輕製造製程中的觸控面板的故障或損壞。因此，可以提高觸控面板的生產率。

注意，雖然在本實施例中，以具有像素電極507和對置電極509之間夾有液晶508的結構的液晶元件505為例子進行說明，但是根據本發明的一個實施例的觸控面板不侷限於這種結構。也可以採用如IPS型那樣，一對電極都形成在基板501一側的液晶元件。

藉由採用如上結構，可以提供進行高速拍攝的觸控面板。另外，可以提供能夠進行高速拍攝的觸控面板的驅動方法。

此外，藉由具有使用氧化物半導體層的薄膜電晶體，可以提供具有高功能且能夠進行高速回應的觸控面板。

[實施例3]

在本實施例中，參照圖6說明根據本發明的一個實施例的觸控面板的另一結構。

圖6示出與實施例2不同的觸控面板的截面的一例。圖6所示的觸控面板示出一例，其中被檢測物件521反射的光透過形成有pin型的光二極體的基板501相對的基板513，然後入射到光二極體502，並且將它轉換為電信號。

如箭頭560所示，來自背光燈的光經過基板501及液晶元件505而照射到基板513一側的檢測對象521。而且，如箭頭562所示，被檢測物件521反射的光入射到光二極體502。另外，採用在箭頭562所示的光經過的區域不設置遮擋膜515的結構。此外，作為濾色片514，使用箭頭562所示的光經過的材料。

此外，由於光電效應產生的電洞的遷移率低於電子的遷移率，因此將p型半導體層一側用作光接收面的pin型光二極體呈現較好的特性。這裏，將光二極體502藉由對置基板513接收的光轉換為電信號。此外，由於來自導電型與光接收面上的半導體層一側的導電型相反的半導體層一側的光是干擾光，因此電極層541最好使用具有遮光性的導電膜。另外，可以將n型半導體層一側的面用於光接收面。

因此，在本實施例中，光二極體502具有如下結構：從與閘電極層545連接的電極層541一側按順序層疊具有n型的導電型的第三半導體層506c、高電阻的半導體層(i型半導體層)的第二半導體層506b、具有p型的導電型的第一半導體層506a、電極層542。

藉由採用上述方式，提供能夠進行高速拍攝的觸控面板。此外，可以提供能夠進行高速拍攝的觸控面板的驅動方法。

此外，藉由具有使用氧化物半導體層的薄膜電晶體，可以提供具有高功能且能夠進行高速回應的觸控面板。

[實施例4]

在本實施例中，作為根據本發明的一個實施例的觸控面板的例子，參照圖8說明安裝有觸控面板的液晶顯示裝置的結構。

圖8是一種透視圖，其表示安裝有根據本發明的一個實施例的觸控面板的觸控感測器的液晶顯示裝置的結構的一例。圖8所示的液晶顯示裝置包括在一對基板之間形成有包括液晶元件、光二極體、薄膜電晶體等的像素的液晶面板1601、第一擴散片1602、稜鏡片1603、第二擴散片1604、導光板1605、反射板1606、具有多個光源1607的背光燈1608、電路基板1609。

按順序層疊有液晶面板1601、第一擴散片1602、稜鏡片1603、第二擴散片1604、導光板1605、反射板1606。光源1607設置在導光板1605的端部，並且擴散到導光板1605內的來自光源1607的光由第一擴散片1602、稜鏡片1603及第二擴散片1604從對置基板一側(相對於液晶面板1601，設置有導光板1605等的一側)均勻地照射到液晶面板1601。

注意，雖然在本實施例中使用第一擴散片1602和第二擴散片1604，但是擴散片的數量不侷限於此而可以是單數或三個以上。而且，在導光板1605和液晶面板1601之間設置擴散片，即可。因此，既可以只有在稜鏡片1603和液晶面板1601之間設置擴散片，又可以只有在稜鏡片1603和導光板1605之間設置擴散片。

此外，稜鏡片1603的截面不侷限於圖8所示的鋸齒狀的形狀，只要是具有能夠將來自導光板1605的光聚焦到液晶面板1601一側的形狀。

在電路基板1609中設置有產生輸入到液晶面板1601的各種信號的電路、或者對這些信號進行處理的電路、對從液晶面板1601輸出的各種信號進行處理的電路等。並且，在圖8中，電路基板1609與液晶面板1601藉由FPC(Flexible Printed Circuit：撓性印刷電路)1611連接。注意，上述電路可以利用COG(Chip On Glass：玻璃上晶片)法連接到液晶面板1601，或者也可以利用COF(Chip On Film：薄膜上晶片)法將上述電路的一部分連接到FPC1611。

圖8表示在電路基板1609上設置有用於控制光源1607的驅動的控制類電路，並且該控制類電路與光源1607藉由FPC1610連接的例子。但是，上述控制類電路也可以形成在液晶面板1601上，並且在此情況下，液晶面板1601與光源1607藉由FPC等連接。

注意，圖8例示在液晶面板1601的端部配置光源1607的邊緣照光型的光源，但是根據本發明的一個實施例的觸控面板也可以是在液晶面板1601的正下方配置光源1607的正下型。

當檢測對象的手指1612從TFT基板一側(夾持液晶面板1601與背光燈1608相反一側)接近液晶面板1601時，來自背光燈1608的光穿過液晶面板1601，並且該光的一部分被手指1612反射，而再次入射到液晶面板1601。可以使用對應於各個顏色的像素104的光感測器106獲得檢測物件的手指1612的彩色拍攝資料。

本實施例可以與上述實施例適當地組合而實施。

[實施例5]

根據本發明的一個實施例的觸控面板具有能夠確保光感測器的操作時間且能夠進行高速拍攝的特徵。此外，根據本發明的一個實施例的觸控面板具有能夠在使光感測器的操作穩定且能夠進行高速拍攝的特徵。由此，使用根據本發明的一個實施例的觸控面板的電子裝置藉由作為結構因素追加觸控面板，可以安裝更高功能的應用軟體。

根據本發明的一個實施例的觸控面板可以適用於顯示裝置、筆記本式個人電腦、具備記錄媒體的圖像再現裝置(典型地是，能夠再現記錄媒體如DVD(Digital Versatile Disc：數位通用磁片)等並具有可以顯示其圖像的顯示器的裝置)中。此外，作為可以使用根據本發明的一個實施例的觸控面板的電子裝置，可以舉出行動電話、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端、電子書閱讀器、拍攝機、數位靜態照相機、護目鏡型顯示器(頭盔顯示器)、導航系統、音頻再現裝置(車載音響、數位音頻播放器等)、影印機、傳真機、印表機、複合式印表機、自動取款機(ATM)、自動售貨機等。

在本實施例中，參照圖9A至9D說明使用根據本發明的一個實施例的觸控面板的電子裝置的一例。

圖9A是顯示裝置，其包括框體5001、顯示部5002、支撐台5003等。根據本發明的一個實施例的觸控面板可以用於顯示部5002。藉由將根據本發明的一個實施例的觸控面板用於顯示部5002，可以獲得高解析度的拍攝資料，從而可以提供具有更高功能的應用程式的顯示裝置。另外，顯示裝置包括用於個人電腦、TV播放接收、廣告顯示等的所有用於資訊顯示的顯示裝置。

圖9B是可攜式資訊終端，其包括框體5101、顯示部5102、開關5103、操作鍵5104、紅外線埠5105等。根據本發明的一個實施例的觸控面板可以用於顯示部5102。藉由將根據本發明的一個實施例的觸控面板用於顯示部5102，可以獲得高解析度的拍攝資料，從而可以提供具有更高功能的應用程式的可攜式資訊終端。

圖9C是自動取款機，其包括框體5201、顯示部5202、硬幣投入口5203、紙幣投入口5204、卡片放入口5205、存款簿放入口5206等。根據本發明的一個實施例的觸控面板可以用於顯示部5202。藉由將根據本發明的一個實施例的觸控面板用於顯示部5202，可以獲得高解析度的拍攝資料，從而可以提供具有更高功能的應用程式的自動取款機。而且，使用根據本發明的一個實施例的觸控面板的自動取款機能夠以更高精度讀出用於生物認證的生物資訊，諸如指紋、臉、手形、掌紋和手靜脈的形狀、虹膜等。因此，可以減小在生物認證時本人被誤認為非本人的本人拒絕率和別人被誤認為本人的別人接納率。

圖9D是可攜式遊戲機，其包括框體5301、框體5302、顯示部5303、顯示部5304、麥克風5305、揚聲器5306、操作鍵5307、觸屏筆5308等。根據本發明的一個實施例的觸控面板可以用於顯示部5303或顯示部5304。藉由將根據本發明的一個實施例的觸控面板用於顯示部5303或顯示部5304，可以獲得高解析度的拍攝資料，從而可以提供具有更高功能的應用程式的可攜式遊戲機。另外，圖9D所示的可攜式遊戲機具有顯示部5303和顯示部5304的兩個顯示部，但是可攜式遊戲機所具有的顯示部的數量不侷限於此。

本實施例可以與上述實施例適當地組合而實施。

[實施例6]

本實施例示出可以應用於本發明說明所公開的觸控面板的薄膜電晶體的例子。本實施例所示的薄膜電晶體390可以應用於在上述實施例中表示的使用包括通道形成區的氧化物半導體層的薄膜電晶體(例如，實施例1中的電晶體201、205、206、301、實施例2、3中的電晶體503、540)。與上述實施例同一的部分或具有同樣的功能的部分及製程可以與上述實施例同樣地進行，而省略反復說明。另外，省略同一部分的詳細說明。

參照圖12A至12E說明本實施例的薄膜電晶體的製造方法的一個實施例。

圖12A至12E示出薄膜電晶體的截面結構的一個例子。圖12A至12E所示的薄膜電晶體390是底閘結構的一種，也稱為反交錯型薄膜電晶體。

另外，雖然使用單閘結構的薄膜電晶體說明薄膜電晶體390，但是也可以根據需要形成具有多個通道形成區的多閘結構的薄膜電晶體。

下面，參照圖12A至12E對在基板394上製造薄膜電晶體390的製程進行說明。

首先，在具有絕緣表面的基板394上形成導電膜之後，藉由第一光石印製程形成閘電極層391。如果形成了的閘電極層的端部的形狀為錐形，層疊在其上的閘極絕緣層的覆蓋性得到提高，因此這是最好的。另外，也可以使用噴墨法形成抗蝕劑掩模。如果使用噴墨法形成抗蝕劑掩模就不需要光掩模，由此可以降低製造成本。

雖然對可用於具有絕緣表面的基板394的基板沒有很大的限制，但是其需要至少具有能夠承受後面的加熱處理的程度的耐熱性。可以使用鋇硼矽酸鹽玻璃或鋁硼矽酸鹽玻璃等玻璃基板。

另外，當後面的加熱處理的溫度較高時，作為玻璃基板，可以使用應變點為730℃以上的玻璃基板。另外，作為玻璃基板，例如可以使用如鋁矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃或鋇硼矽酸鹽玻璃等的玻璃材料。藉由使其包含的氧化鋇(BaO)多於其包含的氧化硼，可以獲得更實用的耐熱玻璃。因此，最好使用使其包含的BaO多於其包含的B₂ O₃ 的玻璃基板。

另外，也可以使用如陶瓷基板、石英基板、藍寶石基板等的由絕緣體構成的基板代替上述玻璃基板。此外，也可以使用晶化玻璃基板等。另外，也可以適當地使用塑膠基板等。

也可以將成為基底膜的絕緣膜設置在基板394和閘電極層391之間。基底膜具有防止雜質元素從基板394擴散的功能，並且基底膜可以使用選自氮化矽膜、氧化矽膜、氮氧化矽膜和氧氮化矽膜中的一種或多種膜的疊層結構形成。

另外，作為閘電極層391，可以使用鉬、鈦、鉻、鉭、鎢、鋁、銅、釹、鈧等金屬材料或以這些金屬材料為主要成分的合金材料的單層或疊層形成。

例如，作為閘電極層391的兩層的疊層結構，以下結構是最好的：鋁層和層疊在鋁層之上的鉬層的兩層結構、銅層和層疊在銅層之上的鉬層的兩層結構、銅層和層疊在銅層之上的氮化鈦層或氮化鉭層的兩層結構、氮化鈦層和鉬層的兩層結構或氮化鎢層和鎢層的兩層結構。作為三層的疊層結構，最好層疊鎢層或氮化鎢層、鋁和矽的合金層或鋁和鈦的合金層以及氮化鈦層或鈦層。另外，也可以使用具有透光性的導電膜形成閘電極層。作為具有透光性的導電膜，例如可以舉出透光性導電氧化物等。

接著，在閘電極層391上形成閘極絕緣層397。

閘極絕緣層397可以藉由使用電漿CVD法或濺射法等並使用氧化矽層、氮化矽層、氧氮化矽層、氮氧化矽層、氧化鋁層、氮化鋁層、氧氮化鋁層、氮氧化鋁層或氧化鉿層的單層或疊層形成。在藉由濺射法形成氧化矽膜時，作為靶材使用矽靶材或石英靶材，並作為濺射氣體使用氧或氧及氬的混合氣體。

在此，由於藉由去除雜質實現I型化或實質上實現I型化了的氧化物半導體(高純度化了的氧化物半導體)對介面能級或介面電荷非常敏感，所以與閘極絕緣層之間的介面很重要。由此，與高純度化了的氧化物半導體接觸的閘極絕緣層397需要有高品質。

例如，使用微波(2.45GHz)的高密度電漿CVD可以形成緻密的絕緣耐壓高的高品質的絕緣層，因此是最好的。藉由使高純度化了的氧化物半導體與高品質的閘極絕緣層密接，可以降低介面能級並使介面特性良好。

當然，若作為閘極絕緣層可以形成良好的絕緣層，則可以應用其他成膜方法諸如濺射法或電漿CVD法等。另外，也可以使用由成膜後的熱處理改進閘極絕緣層的膜質及與氧化物半導體之間的介面特性的絕緣層。無論上述哪一種情況，當然需要當用作閘極絕緣層時的膜質良好，但只要能夠降低與氧化物半導體之間的介面能級密度並形成良好的介面即可。

閘極絕緣層397可以具有從閘電極層391一側依次層疊氮化物絕緣層和氧化物絕緣層的疊層結構。例如，作為第一閘極絕緣層藉由濺射法形成厚度為50nm或以上且200nm或以下的氮化矽層(SiN_y (y>0))，在第一閘極絕緣層上作為第二閘極絕緣層層疊厚度為5nm或以上且300nm或以下的氧化矽層(SiO_x (x>0))。閘極絕緣層的厚度根據薄膜電晶體被要求的特性適當地設定即可，也可以為350nm至400nm左右。

在閘極絕緣層397上形成氧化物半導體層393。在此，如氧化物半導體層393包含雜質，則雜質和氧化物半導體的主要成分之間的鍵因較強的電場或高溫等的壓力而截斷，並且所產生的懸空鍵導致臨界值電壓(Vth)的漂移。

因此，以儘量不包含雜質，特別是氫、水等的方式形成氧化物半導體層393及與其接觸的閘極絕緣層397。由此，可以得到具有穩定的特性的薄膜電晶體390。

為了在閘極絕緣層397、氧化物半導體層393中儘量不包含氫、羥基及水分，作為成膜的預處理，最好在濺射裝置的預熱室中對形成有閘電極層391的基板394或形成到閘極絕緣層397的基板394進行預熱，使吸附到基板394的氫、水分等雜質脫離並排出。另外，預熱的溫度設定為100℃或以上且400℃或以下，最好設定為150℃或以上且300℃或以下。另外，設置在預熱室中的排氣單元最好是低溫泵。另外，可以省略該預熱處理。另外，該預熱處理也可以在形成氧化物絕緣層396之前對形成到源極電極層395a及汲極電極層395b的基板394同樣地進行。

接著，在閘極絕緣層397上形成厚度為2nm或以上且200nm或以下的氧化物半導體層393(參照圖12A)。

另外，最好在使用濺射法形成氧化物半導體層393之前，進行引入氬氣體並產生電漿的反濺射，而去除附著在閘極絕緣層397的表面上的灰塵。反濺射是指使用RF電源在氬氣圍下對基板一側施加電壓來在基板附近形成電漿以進行表面改性的方法。另外，也可以使用氮、氦、氧等代替氬氣圍。

氧化物半導體層393藉由濺射法形成。作為氧化物半導體層393，使用In-Ga-Zn-O類、In-Sn-Zn-O類、In-Al-Zn-O類、Sn-Ga-Zn-O類、Al-Ga-Zn-O類、Sn-Al-Zn-O類、In-Zn-O類、Sn-Zn-O類、Al-Zn-O類、In-O類、Sn-O類、Zn-O類的氧化物半導體層。此外，氧化物半導體層393可以在稀有氣體(典型為氬)氣圍下、氧氣圍下、稀有氣體(典型為氬)及氧氣圍下藉由濺射法來形成。另外，當採用濺射法時，也可以使用包含2wt%或以上且10wt%或以下的SiO₂ 的靶材形成氧化物半導體層。在本實施例中，使用In-Ga-Zn-O類金屬氧化物靶材並藉由濺射法來形成氧化物半導體層393。

作為用於藉由濺射法製造氧化物半導體層393的靶材，可以使用以氧化鋅為主要成分的金屬氧化物的靶材。另外，作為金屬氧化物的靶材的其他例子，可以使用包含In、Ga及Zn的金屬氧化物靶材(組成比為In₂ O₃ ：Ga₂ O₃ ：ZnO=1：1：1[莫爾比])。另外，作為包含In、Ga及Zn的金屬氧化物靶材，可以使用具有In₂ O₃ ：Ga₂ O₃ ：ZnO=1：1：2[莫爾比]或者In₂ O₃ ：Ga₂ O₃ ：ZnO=1：1：4[莫爾比]的組成比的靶材。金屬氧化物靶材的填充率為90%或以上且100%或以下，最好為95%或以上且99.9%或以下。藉由使用填充率高的金屬氧化物靶材，所形成的氧化物半導體層成為緻密的膜。

在保持為減壓狀態的處理室內保持基板，使基板加熱到低於400℃的溫度。然後，一邊去除處理室內的水分一邊引入去除了氫及水分的濺射氣體，使用金屬氧化物作為靶材在基板394上形成氧化物半導體層393。為了去除處理室內的水分，最好使用吸附型真空泵。例如，最好使用低溫泵、離子泵、鈦昇華泵。另外，作為排氣單元，也可以使用設置有冷阱渦輪分子泵。由於使用低溫泵排氣的沉積室排出例如氫原子、水(H₂ O)等包含氫原子的化合物(最好也排出包含碳原子的化合物)等，所以可以降低在該沉積室中形成的氧化物半導體層所包含的雜質濃度。另外，藉由一邊使用低溫泵去除處理室內的水分一邊進行濺射成膜，形成氧化物半導體層393時的基板溫度可以為高於室溫且低於400℃。

作為成膜條件的一個例子，應用如下條件，即基板和靶材之間的距離為100mm，壓力為0.6Pa，直流(DC)電源為0.5kW，在氧(氧流量比率為100%)氣圍下。另外，脈衝直流(DC)電源是最好的，因為可以減少灰塵並且可以實現均勻的膜厚分佈。氧化物半導體層最好設定為5nm或以上且30nm或以下。另外，由於根據所應用的氧化物半導體材料適當的厚度不同，所以根據材料適當地選擇厚度即可。

作為濺射法，有作為濺射電源使用高頻電源的RF濺射法、DC濺射法，並且還有以脈衝方式施加偏壓的脈衝DC濺射法。RF濺射法主要用於絕緣膜的形成，而DC濺射法主要用於金屬膜的形成。

此外，還有可以設置多個材料不同的靶材的多元濺射裝置。多元濺射裝置既可以在同一處理室中層疊形成不同的材料膜，又可以在同一處理室中使多種材料同時放電而進行成膜。

另外，有利用磁控管濺射法或ECR濺射法的濺射裝置，磁控管濺射法在處理室內具備磁體機構，ECR濺射法不使用輝光放電而利用使用微波來產生的電漿。

另外，作為使用濺射法的成膜方法，還有：在成膜時使靶材物質與濺射氣體成分產生化學反應而形成它們的化合物薄膜的反應濺射法；以及在成膜時對基板也施加電壓的偏壓濺射法。

接著，藉由第二光石印製程將氧化物半導體層加工為島狀氧化物半導體層399(參照圖12B)。另外，也可以藉由噴墨法形成用於形成島狀氧化物半導體層399的抗蝕劑掩模。當使用噴墨法形成抗蝕劑掩模時不需要光掩模，由此可以降低製造成本。

另外，當在閘極絕緣層397中形成接觸孔時，其製程可以與在形成氧化物半導體層399時同時進行。

另外，此時的氧化物半導體層393的蝕刻可以採用濕蝕刻及乾蝕刻中的一方或兩者。

作為用於乾蝕刻的蝕刻氣體，最好地使用含氯的氣體(氯類氣體，例如氯(Cl₂ )、氯化硼(BCl₃ )、氯化矽(SiCl₄ )或四氯化碳(CCl₄ )等)。

另外，還可以使用含有氟的氣體(氟類氣體，例如四氟化碳(CF₄ )、六氟化硫(SF₆ )、三氟化氮(NF₃ )、三氟甲烷(CHF₃ )等)、溴化氫(HBr)、氧(O₂ )或對上述氣體添加了氦(He)或氬(Ar)等的稀有氣體的氣體等。

作為乾蝕刻法，可以使用平行平板型RIE(反應性離子蝕刻)法或ICP(感應耦合電漿)蝕刻法。適當地調節蝕刻條件(施加到線圈形電極的電力量、施加到基板一側的電極的電力量、基板一側的電極溫度等)，以便蝕刻為所希望的形狀。

作為用於濕蝕刻的蝕刻液，可以使用將磷酸、醋酸及硝酸混合而成的溶液、過氧化氫氨水(31wt%的過氧化氫水：28wt%的氨：水=5：2：2)等。此外，也可以使用ITO07N(關東化學株式會社製造)。

另外，藉由清洗去除濕蝕刻後的蝕刻液以及被蝕刻掉的材料。可以精製含有被去除材料的蝕刻劑的廢液，並重複使用廢液中含有的材料。從蝕刻之後的廢液收集氧化物半導體層中含有的諸如銦的材料並重複使用，來可以有效利用資源並降低成本。

根據材料適當地調節蝕刻條件(諸如蝕刻液、蝕刻時間以及溫度等)，以蝕刻為所希望的形狀。

另外，在形成下一製程的導電膜之前進行反濺射，最好去除附著在氧化物半導體層399及閘極絕緣層397的表面的抗蝕劑殘渣等。

接著，在閘極絕緣層397及氧化物半導體層399上形成導電膜。使用濺射法或真空蒸鍍法形成導電膜即可。作為成為源極電極層及汲極電極層(包括使用與其相同的層形成的佈線)的導電膜的材料，可以舉出選自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、W中的元素、以上述元素為成分的合金、組合上述元素的合金等。另外，也可以採用在Al、Cu等的金屬層的一方或兩者上層疊Cr、Ta、Ti、Mo、W等的高熔點金屬層的結構。另外，藉由使用添加有防止產生在Al膜中的小丘(hillock)或晶須(whisker)的元素諸如Si、Ti、Ta、W、Mo、Cr、Nd、Sc、Y等的Al材料，可以提高耐熱性。

另外，導電膜可以採用單層結構或兩層以上的疊層結構。例如，可以舉出：包含矽的鋁膜的單層結構；在鋁膜上層疊鈦膜的兩層結構；Ti膜、層疊在該Ti膜上的鋁膜、在其上層疊的Ti膜的三層結構等。

另外，作為成為源極電極層及汲極電極層(包括使用與其相同的層形成的佈線)的導電膜，也可以使用導電性的金屬氧化物形成。作為導電性的金屬氧化物，可以使用氧化銦(In₂ O₃ )、氧化錫(SnO₂ )、氧化鋅(ZnO)、氧化銦氧化錫混合氧化物(In₂ O₃ -SnO₂ ，簡稱為ITO)、氧化銦氧化鋅混合氧化物(In₂ O₃ -ZnO)或在所述金屬氧化物中包含矽或氧化矽的材料。

藉由第三光石印製程在導電膜上形成抗蝕劑掩模，選擇性地進行蝕刻來形成源極電極層395a、汲極電極層395b，然後去除抗蝕劑掩模(參照圖12C)。

作為第三光石印製程中的形成抗蝕劑掩模時的曝光使用紫外線、KrF雷射、ArF雷射。根據在氧化物半導體層399上相鄰的源極電極層395a的下端部與汲極電極層395b的下端部的距離決定後面形成的薄膜電晶體的通道長度L。另外，在進行通道長度L低於25nm的曝光時，使用其波長極短，即幾nm至幾十nm的超紫外線(Extreme Ultraviolet)進行第三光石印製程中的形成抗蝕劑掩模時的曝光。超紫外線的曝光的解析度高且其聚焦深度也大。從而，也可以將後面形成的薄膜電晶體的通道長度L設定為10nm或以上且1000nm或以下，並且可以使電路的操作速度高速化。再者，本實施例的薄膜電晶體的截止電流值極小，由此還可以實現低功耗化。

另外，適當地調節各個材料及蝕刻條件，以便防止在對導電膜進行蝕刻時完全去除氧化物半導體層399。

在本實施例中，作為導電膜使用Ti膜，作為氧化物半導體層399使用In-Ga-Zn-O類氧化物半導體，作為蝕刻劑使用過氧化氫氨水(31wt%的過氧化氫水：28wt%的氨水：水=5：2：2)。

另外，在第三光石印製程中，有時僅對氧化物半導體層399的一部分進行蝕刻，從而成為具有槽部(凹部)的氧化物半導體層。另外，也可以藉由噴墨法形成用來形成源極電極層395a、汲極電極層395b的抗蝕劑掩模。當使用噴墨法形成抗蝕劑掩模時不需要光掩模，由此可以降低製造成本。

另外，為了縮減在光石印製程中使用的光掩模數量及製程數，還可以使用由多色調掩模形成的抗蝕劑掩模來進行蝕刻製程，該多色調掩模是所透過的光具有多種強度的曝光掩模。使用多色調掩模形成的抗蝕劑掩模呈具有多種厚度的形狀，並且進行蝕刻來可以進一步地改變其形狀，所以可以將其用於加工為不同圖案的多個蝕刻製程。因此，利用一個多色調掩模可以形成對應於至少兩種以上的不同圖案的抗蝕劑掩模。因此，可以減少曝光掩模數量，並且可以削減相對應的光石印製程，所以可以簡化製程。

也可以藉由使用N₂ O、N₂ 或Ar等的氣體的電漿處理去除附著在被露出的氧化物半導體層的表面上的吸附水。另外，也可以使用氧和氬的混合氣體進行電漿處理。

在進行電漿處理時，以不使基板394接觸於大氣的方式繼續形成氧化物絕緣層396(參照圖12D)。注意，氧化物絕緣層396與氧化物半導體層399的一部分接觸並用作保護絕緣膜。在本實施例中，在氧化物半導體層399不與源極電極層395a、汲極電極層395b重疊的區域中，與氧化物半導體層399與氧化物絕緣層396接觸地形成。

在本實施例中，作為氧化物絕緣層396，在去除氫或水分的包含高純度氧的濺射氣體中，以室溫或低於100℃的溫度使用矽靶材來形成包含缺陷的氧化矽層。

例如，使用純度為6N的摻雜有硼的矽靶材(電阻值為0.01Ωcm)，基板和靶材之間的距離(T-S之間距離)為89mm，壓力為0.4Pa，直流(DC)電源為6kW，在氧(氧流量比率為100%)氣圍下，藉由脈衝DC濺射法形成氧化矽膜。膜厚度設定為300nm。另外，可以使用石英(最好為合成石英)作為用來形成氧化矽膜的靶材代替矽靶材。另外，作為濺射氣體使用氧或氧及氬的混合氣體。

在此情況下，最好在去除處理室內的水分之後形成氧化物絕緣層396。這是為了不使氧化物半導體層399及氧化物絕緣層396含有氫、羥基或水分。

為了去除處理室內的水分，最好使用吸附型真空泵。例如，最好使用低溫泵、離子泵、鈦昇華泵。另外，作為排氣單元，也可以使用設置有冷阱的渦輪分子泵。由於使用低溫泵排氣的沉積室排出例如氫原子、水(H₂ O)等包含氫原子的化合物等，所以可以降低在該沉積室中形成的氧化物絕緣層396所包含的雜質濃度。

另外，作為氧化物絕緣層396，可以使用氧氮化矽層、氧化鋁層或氧氮化鋁層等代替氧化矽層。

再者，也可以在氧化物絕緣層396與氧化物半導體層399接觸的狀態下以100℃至400℃進行加熱處理。由於本實施例中的氧化物絕緣層396包含很多缺陷，所以藉由該加熱處理將在氧化物半導體層399中含有的氫、水分、羥基或氫化物等的雜質擴散到氧化物絕緣層396，而可以進一步降低在氧化物半導體層399中包含的該雜質。

藉由上述製程，可以形成具有其中的氫、水分、羥基或氫化物的濃度被降低了的氧化物半導體層392的薄膜電晶體390(參照圖12E)。

在上述那樣形成氧化物半導體層時，藉由去除反應氣圍中的水分，可以降低該氧化物半導體層中的氫及氫化物的濃度。由此，可以實現氧化物半導體層的穩定化。

也可以在氧化物絕緣層上設置保護絕緣層。在本實施例中，在氧化物絕緣層396上形成保護絕緣層398。作為保護絕緣層398，可以使用氮化矽膜、氮氧化矽膜、氮化鋁膜或氮氧化鋁膜等。

作為保護絕緣層398，將形成了直到氧化物絕緣層396的基板394加熱到100℃至400℃，引入去除了氫及水分的包含高純度氮的濺射氣體，並使用矽靶材形成氮化矽膜。在此情況下，與氧化物絕緣層396同樣地，最好在去除處理室內的水分之後形成保護絕緣層398。

在形成保護絕緣層398的情況下，藉由在形成保護絕緣層398時將基板394加熱到100℃至400℃，可以使包含在氧化物半導體層392中的氫或水分擴散到氧化物絕緣層398中。在此情況下在形成上述氧化物絕緣層396之後也可以不進行加熱處理。

在作為氧化物絕緣層396形成氧化矽層，作為保護絕緣層398層疊氮化矽層的情況下，可以在同一處理室中使用共用的矽靶材形成氧化矽層和氮化矽層。首先引入包含氧的濺射氣體，使用設置在處理室內的矽靶材形成氧化矽層，接著將濺射氣體轉換成氮，使用同一矽靶材形成氮化矽層。由此，可以以不使氧化物絕緣層396暴露到大氣的方式連續形成氧化矽層和氮化矽層，所以可以防止氫或水分等雜質吸附到氧化物絕緣層396的表面上。此外，也可以在形成保護絕緣層398之後，進行加熱處理(溫度設定為100℃至400℃)，以便使包含在氧化物半導體層中的氫或水分擴散到氧化物絕緣層中。

在形成保護絕緣層之後，還可以在大氣中以100℃以上且200℃以下進行1小時以上且30小時以下的加熱處理。在該加熱處理中，既可以保持一定的加熱溫度來加熱，又可以反復從室溫到100℃以上且200℃以下的加熱溫度的升溫和從加熱溫度到室溫的降溫多次。此外，也可以在形成氧化物絕緣層之前在減壓下進行該加熱處理。當在減壓下進行加熱處理時，可以縮短加熱時間。藉由進行該加熱處理，可以進一步提高觸控面板的可靠性。

另外，如上所述，當在閘極絕緣層上形成成為通道形成區的氧化物半導體層時，藉由去除反應氣圍中的水分，可以降低該氧化物半導體層中的氫及氫化物的濃度。

上述製程可以用於液晶顯示面板、電致發光顯示面板、使用電子墨水的顯示裝置等的背板(形成有薄膜電晶體的基板)的製造。上述製程由於在400℃以下的溫度下進行，所以也可以應用於使用厚度為1mm或以下，一邊超過1m的玻璃基板的製造製程。另外，由於可以在400℃或以下的處理溫度下進行所有製程，所以為了製造顯示面板不需要浪費很多能量。

本實施例可以與其他實施例適當地組合而實施。

如上所述，藉由使觸控面板具有使用氧化物半導體層的薄膜電晶體，可以提供具有穩定的電特性且可靠性高的大型的觸控面板。

[實施例7]

本實施例示出可以應用於本發明說明所公開的觸控面板的薄膜電晶體的其他例子。本實施例所示的薄膜電晶體310可以應用於在上述實施例中表示的使用包括通道形成區的氧化物半導體層的薄膜電晶體(例如，實施例1中的電晶體201、205、206、301、實施例2、3中的電晶體503、540)。與上述實施例同一的部分或具有同樣的功能的部分及製程可以與上述實施例同樣地進行，而省略反復說明。另外，省略同一部分的詳細說明。

參照圖13A至13E說明本實施例的薄膜電晶體及薄膜電晶體的製造方法的一個實施例。

圖13A至13E示出薄膜電晶體的截面結構的一個例子。圖13A至13E所示的薄膜電晶體310是底閘結構的一種，也稱為反交錯型薄膜電晶體。

另外，雖然使用單閘結構的薄膜電晶體說明薄膜電晶體310，但是也可以根據需要形成具有多個通道形成區的多閘結構的薄膜電晶體。

下面，參照圖13A至13E對在基板305上製造薄膜電晶體310的製程進行說明。

首先，在具有絕緣表面的基板305上形成導電膜之後，藉由第一光石印製程形成閘電極層311。另外，也可以使用噴墨法形成抗蝕劑掩模。如果使用噴墨法形成抗蝕劑掩模就不需要光掩模，由此可以降低製造成本。

雖然對可用於具有絕緣表面的基板305的基板沒有很大的限制，但是其需要至少具有能夠承受後面的加熱處理的程度的耐熱性。可以使用鋇硼矽酸鹽玻璃或鋁硼矽酸鹽玻璃等玻璃基板。

另外，當後面的加熱處理的溫度較高時，作為玻璃基板，可以使用應變點為730℃以上的玻璃基板。另外，作為玻璃基板，例如可以使用如鋁矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃或鋇硼矽酸鹽玻璃等的玻璃材料。藉由使其包含的氧化鋇(BaO)多於其包含的氧化硼，可以獲得更實用的耐熱玻璃。因此，最好使用使其包含的BaO多於其包含的B₂ O₃ 的玻璃基板。

另外，也可以使用如陶瓷基板、石英基板、藍寶石基板等的由絕緣體構成的基板代替上述玻璃基板。此外，也可以使用晶化玻璃基板等。

也可以將成為基底膜的絕緣膜設置在基板305和閘電極層311之間。基底膜具有防止雜質元素從基板305擴散的功能，並且基底膜可以使用選自氮化矽膜、氧化矽膜、氮氧化矽膜和氧氮化矽膜中的一種或多種膜的疊層結構形成。

另外，作為閘電極層311，可以使用鉬、鈦、鉻、鉭、鎢、鋁、銅、釹、鈧等金屬材料或以該金屬材料為主要成分的合金材料的單層或疊層形成。

例如，作為閘電極層311的兩層的疊層結構，以下結構是最好的：鋁層和層疊在鋁層之上的鉬層的兩層結構、銅層和層疊在銅層之上的鉬層的兩層結構、銅層和層疊在銅層之上的氮化鈦層或氮化鉭層的兩層結構、氮化鈦層和鉬層的兩層結構或氮化鎢層和鎢層的兩層結構。作為三層的疊層結構，最好層疊鎢層或氮化鎢層、鋁和矽的合金層或鋁和鈦的合金層以及氮化鈦層或鈦層。

接著，在閘電極層311上形成閘極絕緣層307。

藉由利用電漿CVD法或濺射法等並使用氧化矽層、氮化矽層、氧氮化矽層、氮氧化矽層或氧化鋁層的單層或疊層，可以形成閘極絕緣層307。例如，可以作為成膜氣體使用SiH₄ 、氧及氮並藉由電漿CVD法來形成氧氮化矽層。將閘極絕緣層307的厚度設定為100nm或以上且500nm或以下。當採用疊層結構時，例如採用厚度為50nm或以上且200nm或以下的第一閘極絕緣層和第一閘極絕緣層上的厚度為5nm或以上且300nm或以下的第二閘極絕緣層的疊層。

在本實施例中，利用電漿CVD法形成厚度為100nm的氧氮化矽層作為閘極絕緣層307。

接著，在閘極絕緣層307上形成厚度為2nm或以上且200nm或以下的氧化物半導體層330。

另外，最好在使用濺射法形成氧化物半導體層330之前，進行引入氬氣體並產生電漿的反濺射，而去除附著在閘極絕緣層307的表面上的灰塵。另外，也可以使用氮、氦、氧等代替氬氣圍。

作為氧化物半導體層330，使用In-Ga-Zn-O類、In-Sn-Zn-O類、In-Al-Zn-O類、Sn-Ga-Zn-O類、Al-Ga-Zn-O類、Sn-Al-Zn-O類、In-Zn-O類、Sn-Zn-O類、Al-Zn-O類、In-O類、Sn-O類、Zn-O類的氧化物半導體層。此外，氧化物半導體層330可以在稀有氣體(典型為氬)氣圍下、氧氣圍下、稀有氣體(典型為氬)及氧氣圍下藉由濺射法來形成。另外，當採用濺射法時，也可以使用包含2wt%以上且10wt%以下的SiO₂ 的靶材形成氧化物半導體層。在本實施例中，使用In-Ga-Zn-O類氧化物半導體靶材並藉由濺射法來形成氧化物半導體層330。該步驟的截面圖相當於圖13A。

作為用於藉由濺射法製造氧化物半導體層330的靶材，可以使用以氧化鋅為主要成分的金屬氧化物的靶材。另外，作為金屬氧化物的靶材的其他例子，可以使用包含In、Ga及Zn的金屬氧化物靶材(組成比為In₂ O₃ ：Ga₂ O₃ ：ZnO=1：1：1[莫爾比])。另外，作為包含In、Ga及Zn的金屬氧化物靶材，可以使用具有In₂ O₃ ：Ga₂ O₃ ：ZnO=1：1：2[莫爾比]或者In₂ O₃ ：Ga₂ O₃ ：ZnO=1：1：4[莫爾比]的組成比的靶材。金屬氧化物靶材的填充率為90%或以上且100%或以下，最好為95%或以上且99.9%或以下。藉由使用填充率高的金屬氧化物靶材，所形成的氧化物半導體層成為緻密的膜。

作為在形成氧化物半導體層330時使用的濺射氣體最好使用將包含氫、水、羥基的物質或氫化物等的雜質被去除到濃度ppm左右、濃度ppb左右的高純度氣體。

在保持為減壓狀態的處理室內保持基板，使基板加熱到100℃或以上且600℃或以下，最好為200℃或以上且400℃或以下。藉由使基板邊加熱邊形成膜，可以降低包含在形成了的氧化物半導體層中的雜質濃度。另外，可以減少因濺射產生的損傷。然後，一邊去除處理室內的水分一邊引入去除了氫及水分的濺射氣體，使用金屬氧化物作為靶材在基板305上形成氧化物半導體層330。為了去除處理室內的水分，最好使用吸附型真空泵。例如，最好使用低溫泵、離子泵、鈦昇華泵。另外，作為排氣單元，也可以使用設置有冷阱的渦輪分子泵。由於使用低溫泵排氣的沉積室排出例如氫原子、水(H₂ O)等包含氫原子的化合物(最好也排出包含碳原子的化合物)等，所以可以降低在該沉積室中形成的氧化物半導體層所包含的雜質濃度。

作為成膜條件的一個例子，應用如下條件，即基板和靶材之間的距離為100mm，壓力為0.6Pa，直流(DC)電源為0.5kW，在氧(氧流量比率為100%)氣圍下。另外，脈衝直流(DC)電源是最好的，因為可以減少灰塵並且可以實現均勻的膜厚分佈。氧化物半導體層的厚度最好設定為5nm或以上且30nm或以下。另外，由於根據所應用的氧化物半導體材料適當的厚度不同，所以根據材料適當地選擇厚度即可。

接著，藉由第二光石印製程將氧化物半導體層330加工為島狀氧化物半導體層。另外，也可以藉由噴墨法形成用於形成島狀氧化物半導體層的抗蝕劑掩模。當使用噴墨法形成抗蝕劑掩模時不需要光掩模，由此可以降低製造成本。

接著，對氧化物半導體層進行第一加熱處理。藉由進行該第一加熱處理，可以進行氧化物半導體層的脫水化或脫氫化。第一加熱處理的溫度設定為400℃或以上且750℃或以下，最好為400℃或以上且低於基板的應變點。在此，將基板放入到加熱處理裝置之一的電爐中，在氮氣氣圍下對氧化物半導體層以450℃進行1小時的加熱處理，而得到氧化物半導體層331(參照圖13B)。

注意，加熱處理裝置不侷限於電爐而可以具備利用電阻發熱體等的發熱體所產生的熱傳導或熱輻射對被處理物進行加熱的裝置。例如，可以使用GRTA(Gas Rapid Thermal Anneal：氣體快速熱退火)裝置、LRTA(Lamp Rapid Thermal Anneal：燈快速熱退火)裝置等的RTA(Rapid Thermal Anneal：快速熱退火)裝置。LRTA裝置是利用從鹵素燈、金鹵燈、氙弧燈、碳弧燈、高壓鈉燈或高壓汞燈等的燈發出的光(電磁波)的輻射加熱被處理物的裝置。GRTA裝置是使用高溫的氣體進行加熱處理的裝置。作為氣體，使用在加熱處理中不與被處理物產生反應的惰性氣體如氬等的稀有氣體或氮。

例如，作為第一加熱處理，也可以進行GRTA，在該GRTA中，將基板移動到加熱到650℃至700℃的高溫的惰性氣體中，進行幾分鐘的加熱後，移動基板並從加熱到高溫的惰性氣體中取出該基板。藉由使用GRTA可以在短時間內進行高溫加熱處理。

另外，在第一加熱處理中，最好氮或氦、氖、氬等的稀有氣體不包含水、氫等。或者，最好將導入於加熱處理裝置中的氮或氦、氖、氬等的稀有氣體的純度設定為6N(99.9999%)或以上，更佳設定為7N(99.99999%)或以上(即，將雜質濃度為1ppm或以下，最好為0.1ppm或以下)。

另外，氧化物半導體層的第一加熱處理可以對在加工為島狀氧化物半導體層之前的氧化物半導體層330進行。在此情況下，在進行第一加熱處理之後，從加熱裝置取出基板，並進行光石印製程。

作為對氧化物半導體層的脫水化、脫氫化有效的加熱處理，可以在以下任一個製程之後進行：形成氧化物半導體層之後；在氧化物半導體層上層疊了源極電極層及汲極電極層之後；或者在源極電極層及汲極電極層上形成了保護絕緣膜之後。

另外，在閘極絕緣層307中形成接觸孔時，該製程也可以在對氧化物半導體層330進行脫水化或脫氫化處理之前或者之後進行。

另外，這裏的氧化物半導體層的蝕刻不限定於濕蝕刻，而也可以使用乾蝕刻。

根據材料適當地調節蝕刻條件(諸如蝕刻液、蝕刻時間以及溫度等)，以蝕刻為所希望的形狀。

接著，在閘極絕緣層307及氧化物半導體層331上形成用作源極電極層及汲極電極層(包括使用與其相同的層形成的佈線)的導電膜。使用濺射法或真空蒸鍍法形成導電膜即可。作為成為源極電極層及汲極電極層(包括使用與其相同的層形成的佈線)的導電膜的材料，可以舉出選自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、W中的元素、以上述元素為成分的合金、組合上述元素的合金等。另外，也可以採用在Al、Cu等的金屬層的一方或兩者上層疊Cr、Ta、Ti、Mo、W等的高熔點金屬層的結構。另外，藉由使用添加有防止產生在Al膜中的小丘(hillock)或晶須(whisker)的元素諸如Si、Ti、Ta、W、Mo、Cr、Nd、Sc、Y等的Al材料，可以提高耐熱性。

另外，導電膜可以採用單層結構或兩層以上的疊層結構。例如，可以舉出：包含矽的鋁膜的單層結構；在鋁膜上層疊鈦膜的兩層結構；Ti膜、層疊在該Ti膜上的鋁膜、在其上層疊的Ti膜的三層結構等。

另外，作為成為源極電極層及汲極電極層(包括使用與其相同的層形成的佈線)的導電膜，也可以使用導電性的金屬氧化物形成。作為導電性的金屬氧化物，可以使用氧化銦(In₂ O₃ )、氧化錫(SnO₂ )、氧化鋅(ZnO)、氧化銦氧化錫合金(In₂ O₃ -SnO₂ ，簡稱為ITO)、氧化銦氧化鋅合金(In₂ O₃ -ZnO)或在所述金屬氧化物材料中包含矽或氧化矽的材料。

當在形成導電膜之後進行加熱處理時，最好使導電膜具有耐受該加熱處理的耐熱性。

藉由第三光石印製程在導電膜上形成抗蝕劑掩模，選擇性地進行蝕刻來形成源極電極層315a、汲極電極層315b，然後去除抗蝕劑掩模(參照圖13C)。

作為第三光石印製程中的形成抗蝕劑掩模時的曝光使用紫外線、KrF雷射、ArF雷射。根據在氧化物半導體層331上相鄰的源極電極層的下端部與汲極電極層的下端部的距離決定後面形成的薄膜電晶體的通道長度L。另外，在進行通道長度L低於25nm的曝光時，使用其波長極短，即幾nm至幾十nm的超紫外線(Extreme Ultraviolet)進行第三光石印製程中的形成抗蝕劑掩模時的曝光。超紫外線的曝光的解析度高且其聚焦深度也大。從而，也可以將後面形成的薄膜電晶體的通道長度L設定為10nm或以上且1000nm或以下，可以使電路的操作速度高速化。再者，使用本實施例的氧化物半導體層的薄膜電晶體的截止電流值極小，由此可以實現低功耗化。

另外，適當地調節各個材料及蝕刻條件，以便防止在對導電膜進行蝕刻時完全去除氧化物半導體層331。

在本實施例中，作為導電膜使用Ti膜，作為氧化物半導體層331使用In-Ga-Zn-O類氧化物半導體，作為蝕刻劑使用過氧化氫氨水(31wt%的過氧化氫水：28wt%的氨水：水=5：2：2)。

另外，在第三光石印製程中，有時僅對氧化物半導體層331的一部分進行蝕刻，成為具有槽部(凹部)的氧化物半導體層。另外，也可以藉由噴墨法形成用來形成源極電極層315a、汲極電極層315b的抗蝕劑掩模。當使用噴墨法形成抗蝕劑掩模時不需要光掩模，由此可以降低製造成本。

此外，也可以在氧化物半導體層331和源極電極層315a及汲極電極層315b之間形成氧化物導電層。可以連續地形成用來形成氧化物導電層和源極電極層及汲極電極層的金屬層。可以將氧化物導電層用作源極區及汲極區。

作為源極區及汲極區，藉由將氧化物導電層設置在氧化物半導體層與源極電極層及汲極電極層之間，可以實現源極區及汲極區的低電阻化，從而可以使電晶體高速操作。

另外，為了縮減在光石印製程中使用的光掩模數量及製程數，還可以使用由多色調掩模形成的抗蝕劑掩模來進行蝕刻製程，該多色調掩模是所透過的光具有多種強度的曝光掩模。使用多色調掩模形成的抗蝕劑掩模呈具有多種厚度的形狀，並且進行蝕刻來可以進一步地改變其形狀，所以可以將其用於加工為不同圖案的多個蝕刻製程。因此，利用一個多色調掩模可以形成對應於至少兩種以上的不同圖案的抗蝕劑掩模。因此，可以減少曝光掩模數量，並且可以削減相對應的光石印製程，所以可以簡化製程。

接著，進行使用N₂ O、N₂ 或Ar等的氣體的電漿處理。藉由該電漿處理去除附著在被露出的氧化物半導體層的表面上的吸附水。另外，也可以使用氧和氬的混合氣體進行電漿處理。

在進行電漿處理後，以不使氧化物半導體層接觸於大氣的方式形成與氧化物半導體層的一部分接觸的成為保護絕緣膜的氧化物絕緣層316。

氧化物絕緣層316的厚度至少為1nm或以上，並且適當地使用濺射法等不將水、氫等雜質混入到氧化物絕緣層316的方法形成氧化物絕緣層。如果氧化物絕緣層316含有氫，會導致氧化物半導體層中進入氫或者由氫引起的氧化物半導體層中的氧的抽出，從而導致氧化物半導體層的背通道低電阻化(N型化)而形成寄生通道。因此，為了使氧化物絕緣層316儘量地不含有氫，作為成膜方法，不使用氫是重要的。

形成為與氧化物半導體層接觸的的氧化物絕緣層316使用不包含水分、氫離子、OH^- 等的雜質且阻擋上述雜質從外部侵入的無機絕緣膜，典型地使用氧化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜或者氧氮化鋁膜等。在本實施例中，使用濺射法形成厚度為200nm的氧化矽膜作為氧化物絕緣層316。將形成膜時的基板溫度設定為室溫或以上且300℃或以下即可，在本實施例中將該基板溫度設定為100℃。可以在稀有氣體(典型地是氬)氣圍下、氧氣圍下或者稀有氣體(典型地是氬)和氧氣圍下藉由濺射法形成氧化矽膜。另外，作為靶材，可以使用氧化矽靶材或矽靶材。例如，可以在氧及氮氣圍下使用矽靶材並藉由濺射法來形成氧化矽膜。

在此情況下，最好一邊去除處理室內的水分一邊形成氧化物絕緣層316。這是為了不使氧化物半導體層331及氧化物絕緣層316含有氫、羥基或水分。

為了去除處理室內的殘留水分，最好使用吸附型真空泵。例如，最好使用低溫泵、離子泵、鈦昇華泵。另外，作為排氣單元，也可以使用設置有冷阱的渦輪分子泵。由於使用低溫泵排氣的沉積室排出例如氫原子、水(H₂ O)等包含氫原子的化合物等，所以可以降低在該沉積室中形成的氧化物絕緣層316所包含的雜質濃度。

作為在形成氧化物絕緣層316時使用的濺射氣體最好使用將包含氫、水、羥基的物質或氫化物等的雜質被去除到濃度ppm左右、濃度ppb左右的高純度氣體。

接著，在惰性氣體氣圍或氧氣氣圍下進行第二加熱處理(最好為200℃或以上且400℃或以下，例如250℃或以上且350℃或以下)。例如，在氮氣圍下以250℃進行1小時的第二加熱處理。在第二加熱處理中，在氧化物半導體層的一部分(通道形成區)與氧化物絕緣層316接觸的狀態下進行加熱。

藉由上述製程，對成膜後的氧化物半導體層藉由用於脫水化或脫氫化的第一加熱處理進行低電阻化，然後藉由第二加熱處理與氧化物絕緣層316接觸的部分選擇性地成為氧過剩狀態。其結果是與閘電極層311重疊的通道形成區313成為I型，並與源極電極層315a重疊的高電阻源極區314a以及與汲極電極層315b重疊的高電阻汲極區314b以自對準的方式形成。藉由上述製程形成薄膜電晶體310(參照圖13D)。

另外，當作為氧化物絕緣層316使用包含多量缺陷的氧化矽層時，有如下效果，即藉由形成氧化矽層之後的加熱處理使氧化物半導體層含有的包含氫、水分、羥基的物質或氫化物等雜質擴散到氧化物絕緣層中，更降低在氧化物半導體層中的該雜質。

另外，藉由在與汲極電極層315b(及源極電極層315a)重疊的氧化物半導體層中形成高電阻汲極區314b(或高電阻源極區314a)，可以提高薄膜電晶體的可靠性。明確而言，藉由形成高電阻汲極區314b，可以形成如下結構：使導電性能從汲極電極層315b經過高電阻汲極區314b至通道形成區313階梯性地變化。由此，當將汲極電極層315b連接到供應高電源電位VDD的佈線來進行操作時，即使在閘電極層311和汲極電極層315b之間施加高電場，由於高電阻汲極區成為緩衝區而不施加局部性的高電場，所以可以提高電晶體的耐壓性。

另外，氧化物半導體層331中的高電阻源極區314a或高電阻汲極區314b，在氧化物半導體層331的厚度薄，即為15nm或以下時形成在膜厚度方向上的整體，而當氧化物半導體層331的厚度為30nm或以上時，也可以使氧化物半導體層331的一部分，即只有與源極電極層315a或汲極電極層315b接觸的區域，並且也可以使接近於閘極絕緣膜的區域為I型。

也可以在氧化物絕緣層316上還形成保護絕緣層308。保護絕緣層308使用不包含水分、氫離子、OH^- 等的雜質且阻擋上述雜質從外部侵入的無機絕緣膜諸如氧化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜或者氧氮化鋁膜等。例如，使用RF濺射法形成氮化矽膜。由於RF濺射法的量產性高，因此作為保護絕緣層的成膜方法是最好的。在本實施例中，使用氮化矽膜形成保護絕緣層308(參照圖13E)。

在本實施例中，作為保護絕緣層308，將形成了直到氧化物絕緣層316的基板305加熱到100℃至400℃，引入去除了氫及水分的包含高純度氮的濺射氣體，使用矽靶材形成氮化矽膜。在此情況下，與氧化物絕緣層316同樣地，最好一邊去除處理室內的殘留水分一邊形成保護絕緣層308。

在形成保護絕緣層308之後，還可以在大氣中以100℃或以上且200℃或以下進行1小時或以上且30小時或以下的加熱處理。在該加熱處理中，既可以保持一定的加熱溫度來加熱，又可以反復從室溫到100℃或以上且200℃或以下的加熱溫度的升溫和從加熱溫度到室溫的降溫多次。此外，也可以在減壓下進行該加熱處理。當在減壓下進行加熱處理時，可以縮短加熱時間。

也可以在保護絕緣層308上設置用來平坦化的平坦化絕緣層。

本實施例可以與其他實施例適當地組合而實施。

如上所述，藉由使觸控面板具有使用氧化物半導體層的薄膜電晶體，可以提供具有穩定的電特性且可靠性高的大型的觸控面板。

[實施例8]

本實施例示出可以應用於本發明說明所公開的觸控面板的薄膜電晶體的其他例子。本實施例所示的薄膜電晶體360可以應用於在上述實施例中表示的使用包括通道形成區的氧化物半導體層的薄膜電晶體(例如，實施例1中的電晶體201、205、206、301、實施例2、3中的電晶體503、540)。與上述實施例同一的部分或具有同樣的功能的部分及製程可以與上述實施例同樣地進行，而省略反復說明。另外，省略同一部分的詳細說明。

參照圖14A至14D說明本實施例的薄膜電晶體及薄膜電晶體的製造方法的一個實施例。

圖14A至14D示出薄膜電晶體的截面結構的一個例子。圖14A至14D所示的薄膜電晶體360是被稱為通道保護型(也稱為通道截止型)的底閘結構的一種，也稱為反交錯型薄膜電晶體。

另外，雖然使用單閘結構的薄膜電晶體說明薄膜電晶體360，但是也可以根據需要形成具有多個通道形成區的多閘結構的薄膜電晶體。

下面，參照圖14A至14D對在基板320上製造薄膜電晶體360的製程進行說明。

首先，在具有絕緣表面的基板320上形成導電膜之後，藉由第一光石印製程形成閘電極層361。另外，也可以使用噴墨法形成抗蝕劑掩模。如果使用噴墨法形成抗蝕劑掩模就不需要光掩模，由此可以降低製造成本。

另外，作為閘電極層361，可以使用鉬、鈦、鉻、鉭、鎢、鋁、銅、釹、鈧等金屬材料或以該金屬材料為主要成分的合金材料的單層或疊層形成。

接著，在閘電極層361上形成閘極絕緣層322。

在本實施例中，利用電漿CVD法形成厚度為100nm的氧氮化矽層作為閘極絕緣層322。

接著，在閘極絕緣層322上形成厚度為2nm以上且200nm以下的氧化物半導體層，藉由第二光石印製程將該氧化物半導體層加工為島狀氧化物半導體層。在本實施例中，使用In-Ga-Zn-O類金屬氧化物靶材並藉由濺射法來形成氧化物半導體層。

在此情況下，最好一邊去除處理室內的殘留水分一邊形成氧化物半導體層。這是為了不使氧化物半導體層含有氫、羥基或水分。

為了去除處理室內的殘留水分，最好使用吸附型真空泵。例如，最好使用低溫泵、離子泵、鈦昇華泵。另外，作為排氣單元，也可以使用設置有冷阱的渦輪分子泵。由於使用低溫泵排氣的沉積室排出例如氫原子、水(H₂ O)等包含氫原子的化合物等，所以可以降低在該沉積室中形成的氧化物半導體層所包含的雜質濃度。

作為在形成氧化物半導體層時使用的濺射氣體最好使用將氫、水、羥基或氫化物等的雜質被去除到濃度ppm左右、濃度ppb左右的高純度氣體。

接著，對氧化物半導體層進行脫水化或脫氫化。進行脫水化或脫氫化的第一加熱處理的溫度設定為400℃或以上且750℃或以下，最好為400℃或以上且低於基板的應變點。在此，將基板放入到加熱處理裝置之一的電爐中，在氮氣氣圍下對氧化物半導體層以450℃進行1小時的加熱處理後，不接觸於大氣而防止水、氫再混入到氧化物半導體層中，而得到氧化物半導體層332(參照圖14A)。

接著，進行使用N₂ O、N₂ 或Ar等的氣體的電漿處理。藉由該電漿處理去除附著在被露出的氧化物半導體層的表面上的吸附水。另外，也可以使用氧和氬的混合氣體進行電漿處理。

接著，在閘極絕緣層322及氧化物半導體層332上形成氧化物絕緣層之後，藉由第三光石印製程形成抗蝕劑掩模，並選擇性地進行蝕刻形成氧化物絕緣層366，然後去除抗蝕劑掩模。

在本實施例中，使用濺射法形成厚度為200nm的氧化矽膜作為氧化物絕緣層366。將形成膜時的基板溫度設定為室溫以上且300℃以下即可，在本實施例中將該基板溫度設定為100℃。可以在稀有氣體(典型地是氬)氣圍下、氧氣圍下或者稀有氣體(典型地是氬)和氧氣圍下藉由濺射法形成氧化矽膜。另外，作為靶材，可以使用氧化矽靶材或矽靶材。例如，可以在氧及氮氣圍下使用矽靶材並藉由濺射法來形成氧化矽。形成為與低電阻化了的氧化物半導體層接觸的的氧化物絕緣層366使用不包含水分、氫離子、OH^- 等的雜質且阻擋上述雜質從外部侵入的無機絕緣膜，典型地使用氧化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜或者氧氮化鋁膜等。

在此情況下，最好一邊去除處理室內的殘留水分一邊形成氧化物絕緣層366。這是為了不使氧化物半導體層332及氧化物絕緣層366含有氫、羥基或水分。

為了去除處理室內的殘留水分，最好使用吸附型真空泵。例如，最好使用低溫泵、離子泵、鈦昇華泵。另外，作為排氣單元，也可以使用設置有冷阱的渦輪分子泵。由於使用低溫泵排氣的沉積室排出例如氫原子、水(H₂ O)等包含氫原子的化合物等，所以可以降低在該沉積室中形成的氧化物絕緣層366所包含的雜質濃度。

作為在形成氧化物半導體層366時使用的濺射氣體最好使用將氫、水、羥基或氫化物等的雜質被去除到濃度ppm左右、濃度ppb左右的高純度氣體。

接著，可以在惰性氣體氣圍或氧氣氣圍下進行第二加熱處理(最好為200℃或以上且400℃或以下，例如250℃或以上且350℃或以下)。例如，在氮氣圍下以250℃進行1小時的第二加熱處理。藉由進行第二加熱處理，在氧化物半導體層的一部分(通道形成區)與氧化物絕緣層366接觸的狀態下受到加熱。

在本實施例中，在如氮那樣的惰性氣體氣圍或減壓下對設置有氧化物絕緣層366的其一部分被露出的氧化物半導體層332進行加熱處理。藉由對不由氧化物絕緣層366覆蓋的被露出的氧化物半導體層332的區域在如氮那樣的惰性氣體氣圍或減壓下進行加熱處理，可以使其低電阻化。例如，在氮氣圍下以250℃進行1小時的加熱處理。

由於在氮氣圍下對設置有氧化物絕緣層366的氧化物半導體層332進行加熱處理，氧化物半導體層332中的露出區域被低電阻化，並成為具有電阻不同的區域(在圖14B中用斜線及白地示出)的氧化物半導體層362。

接著，在閘極絕緣層322、氧化物半導體層362以及氧化物絕緣層366上形成導電膜之後，藉由第四光石印製程形成抗蝕劑掩模，選擇性地進行蝕刻形成源極電極層365a、汲極電極層365b，然後去除抗蝕劑掩模(參照圖14C)。

作為源極電極層365a、汲極電極層365b的材料，可以舉出選自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、W中的元素、以上述元素為成分的合金、組合上述元素的合金膜等。另外，也可以採用在Al、Cu等的金屬層的一方或兩者上層疊Cr、Ta、Ti、Mo、W等的高熔點金屬層的結構。另外，藉由使用添加有防止產生在Al膜中的小丘(hillock)或晶須(whisker)的元素諸如Si、Ti、Ta、W、Mo、Cr、Nd、Sc、Y等的Al材料，可以提高耐熱性。

另外，源極電極層365a、汲極電極層365b可以採用單層結構或兩層以上的疊層結構。例如，可以舉出：包含矽的鋁膜的單層結構；在鋁膜上層疊鈦膜的兩層結構；Ti膜、層疊在該Ti膜上的鋁膜、在其上層疊的Ti膜的三層結構等。

另外，作為源極電極層365a、汲極電極層365b可以使用導電性的金屬氧化物。作為導電性的金屬氧化物，可以使用氧化銦(In₂ O₃ )、氧化錫(SnO₂ )、氧化鋅(ZnO)、氧化銦氧化錫合金(In₂ O₃ -SnO₂ ，簡稱為ITO)、氧化銦氧化鋅合金(In₂ O₃ -ZnO)或在所述金屬氧化物材料中包含矽或氧化矽的材料。

藉由上述製程，在對成膜後的氧化物半導體層進行用於脫水化或脫氫化的加熱處理而使其低電阻化之後，選擇性地使氧化物半導體層的一部分成為氧過剩狀態。其結果是與閘電極層361重疊的通道形成區363成為I型，並與源極電極層365a重疊的高電阻源極區364a以及與汲極電極層365b重疊的高電阻汲極區364b以自對準的方式形成。藉由上述製程形成薄膜電晶體360。

另外，藉由在與汲極電極層365b(及源極電極層365a)重疊的氧化物半導體層中形成高電阻汲極區364b(或高電阻源極區364a)，可以提高薄膜電晶體的可靠性。明確而言，藉由形成高電阻汲極區364b，可以形成如下結構：使導電性能從汲極電極層365b經過高電阻汲極區364b至通道形成區363階梯性地變化。由此，當將汲極電極層365b連接到供應高電源電位VDD的佈線來進行操作時，即使在閘電極層361和汲極電極層365b之間施加高電場，由於高電阻汲極區成為緩衝區而不施加局部性的高電場，所以可以提高電晶體的耐壓性。

在源極電極層365a、汲極電極層365b、氧化物絕緣層366上形成保護絕緣層323。在本實施例中使用氮化矽膜形成保護絕緣層323(參照圖14D)。

另外，也可以在源極電極層365a、汲極電極層365b、氧化物絕緣層366上還形成氧化物絕緣層，並在該氧化物絕緣層上層疊保護絕緣層323。

本實施例可以與其他實施例適當地組合而實施。

如上所述，藉由使觸控面板具有使用氧化物半導體層的薄膜電晶體，可以提供具有穩定的電特性且可靠性高的大型的觸控面板。

[實施例9]

本實施例示出可以應用於本發明說明所公開的觸控面板的薄膜電晶體的其他例子。本實施例所示的薄膜電晶體350可以應用於在上述實施例中表示的使用包括通道形成區的氧化物半導體層的薄膜電晶體(例如，實施例1中的電晶體201、205、206、301、實施例2、3中的電晶體503、540)。與上述實施例同一的部分或具有同樣的功能的部分及製程可以與上述實施例同樣地進行，而省略反復說明。另外，省略同一部分的詳細說明。

參照圖15A至15D說明本實施例的薄膜電晶體及薄膜電晶體的製造方法的一個實施例。

另外，雖然使用單閘結構的薄膜電晶體說明薄膜電晶體350，但是也可以根據需要形成具有多個通道形成區的多閘結構的薄膜電晶體。

下面，參照圖15A至15D對在基板340上製造薄膜電晶體350的製程進行說明。

首先，在具有絕緣表面的基板340上形成導電膜之後，藉由第一光石印製程形成閘電極層351。在本實施例中，作為閘電極層351藉由濺射法形成厚度為150nm的鎢膜。

接著，在閘電極層351上形成閘極絕緣層342。在本實施例中，利用電漿CVD法形成厚度為100nm的氧氮化矽層作為閘極絕緣層342。

接著，在閘極絕緣層342上形成導電膜，藉由第二光石印製程在導電膜上形成抗蝕劑掩模，選擇性地進行蝕刻來形成源極電極層355a、汲極電極層355b，然後去除抗蝕劑掩模(參照圖15A)。

接著，形成氧化物半導體層345(參照圖15B)。在本實施例中，使用In-Ga-Zn-O類金屬氧化物靶材並藉由濺射法來形成氧化物半導體層345。藉由第三光石印製程將氧化物半導體層345加工為島狀氧化物半導體層。

在此情況下，最好一邊去除處理室內的殘留水分一邊形成氧化物半導體層345。這是為了不使氧化物半導體層345含有氫、羥基或水分。

為了去除處理室內的殘留水分，最好使用吸附型真空泵。例如，最好使用低溫泵、離子泵、鈦昇華泵。另外，作為排氣單元，也可以使用設置有冷阱的渦輪分子泵。由於使用低溫泵排氣的沉積室排出例如氫原子、水(H₂ O)等包含氫原子的化合物等，所以可以降低在該沉積室中形成的氧化物半導體層345所包含的雜質濃度。

作為在形成氧化物半導體層345時使用的濺射氣體最好使用將氫、水、羥基或氫化物等的雜質被去除到濃度ppm左右，濃度ppb左右的高純度氣體。

接著，對氧化物半導體層進行脫水化或脫氫化。進行脫水化或脫氫化的第一加熱處理的溫度設定為400℃或以上且750℃或以下，最好為400℃或以上且低於基板的應變點。在此，將基板放入到加熱處理裝置之一的電爐中，在氮氣氣圍下對氧化物半導體層以450℃進行1小時的加熱處理後，不接觸於大氣而防止水、氫再混入到氧化物半導體層中，而得到氧化物半導體層346(參照圖15C)。

另外，作為第一加熱處理，也可以進行GRTA，在該GRTA中，將基板移動到加熱到650℃至700℃的高溫的惰性氣體中，進行幾分鐘的加熱後，移動基板並從加熱到高溫的惰性氣體中取出該基板。藉由使用GRTA可以在短時間內進行高溫加熱處理。

接著，形成與氧化物半導體層346接觸的成為保護絕緣膜的氧化物絕緣層356。

氧化物絕緣層356的厚度至少為1nm或以上，並且適當地使用濺射法等不將水、氫等雜質混入到氧化物絕緣層356的方法形成氧化物絕緣層。如果氧化物絕緣層356中含有氫，會導致氧化物半導體層中進入氫，該氫抽出氧化物半導體層中的氧，因此導致氧化物半導體層的背通道低電阻化(N型化)而形成寄生通道。因此，為了使氧化物絕緣層356儘量地不含有氫，作為成膜方法，不使用氫是十分重要的。

在本實施例中，使用濺射法形成厚度為200nm的氧化矽膜作為氧化物絕緣層356。將形成膜時的基板溫度設定為室溫或以上且300℃或以下即可，在本實施例中將該基板溫度設定為100℃。可以在稀有氣體(典型地是氬)氣圍下、氧氣圍下或者稀有氣體(典型地是氬)和氧氣圍下藉由濺射法形成氧化矽膜。另外，作為靶材，可以使用氧化矽靶材或矽靶材。例如，可以在氧及氮氣圍下使用矽靶材並藉由濺射法來形成氧化矽。形成為與低電阻化了的氧化物半導體層接觸的氧化物絕緣層356使用不包含水分、氫離子、OH^- 等的雜質且阻擋上述雜質從外部侵入的無機絕緣膜，典型地使用氧化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜或者氧氮化鋁膜等。

在此情況下，最好一邊去除處理室內的殘留水分一邊形成氧化物絕緣層356。這是為了不使氧化物半導體層352及氧化物絕緣層356中含有氫、羥基或水分。

為了去除處理室內的殘留水分，最好使用吸附型真空泵。例如，最好使用低溫泵、離子泵、鈦昇華泵。另外，作為排氣單元，也可以使用設置有冷阱的渦輪分子泵。由於使用低溫泵排氣的沉積室排出例如氫原子、水(H₂ O)等包含氫原子的化合物等，所以可以降低在該沉積室中形成的氧化物絕緣層356所包含的雜質濃度。

作為在形成氧化物絕緣層356時使用的濺射氣體最好使用將氫、水、羥基或氫化物等的雜質被去除到濃度ppm左右、濃度ppb左右的高純度氣體。

接著，在惰性氣體氣圍或氧氣氣圍下進行第二加熱處理(最好為200℃或以上且400℃或以下，例如250℃或以上且350℃或以下)。例如，在氮氣圍下以250℃進行1小時的第二加熱處理。藉由進行第二加熱處理，在氧化物半導體層的一部分(通道形成區)與氧化物絕緣層356接觸的狀態下進行加熱。

藉由上述製程，對成膜後的氧化物半導體層進行用於脫水化或脫氫化的加熱處理而使其低電阻化之後，選擇性地使氧化物半導體層的一部分成為氧過剩狀態。其結果是形成I型的氧化物半導體層352。藉由上述製程形成薄膜電晶體350。

也可以在氧化物絕緣層356上還形成保護絕緣層。例如，使用RF濺射法形成氮化矽膜。在本實施例中，作為保護絕緣層，使用氮化矽膜形成保護絕緣層343(參照圖15D)。

也可以在保護絕緣層343上設置用來平坦化的平坦化絕緣層。

本實施例可以與其他實施例適當地組合而實施。

如上所述，藉由使觸控面板具有使用氧化物半導體層的薄膜電晶體，可以提供具有穩定的電特性且可靠性高的大型的觸控面板。

[實施例10]

本實施例示出可以應用於本發明說明所公開的觸控面板的薄膜電晶體的其他例子。本實施例所示的薄膜電晶體380可以應用於在上述實施例中表示的使用包括通道形成區的氧化物半導體層的薄膜電晶體(例如，實施例1中的電晶體201、205、206、301、實施例2、3中的電晶體503、540)。

在本實施例中，圖16示出薄膜電晶體的製造製程的一部分與實施例7不同的例子。因為圖16的結構除了一部分的製程之外與圖13A至13E相同，所以使用相同的附圖標記表示相同的部分而省略相同的部分的詳細說明。

根據實施例7，在基板370上形成閘電極層381，並層疊第一閘極絕緣層372a、第二閘極絕緣層372b。在本實施例中將閘極絕緣層為兩層結構，作為第一閘極絕緣層372a使用氮化物絕緣層，並且第二閘極絕緣層372b使用氧化物絕緣層。

作為氧化物絕緣層，可以使用氧化矽層、氧氮化矽層、氧化鋁層、氧氮化鋁層或氧化鉿層等。另外，作為氮化絕緣層，可以使用氮化矽層、氮氧化矽層、氮化鋁層或氮氧化鋁層等。

在本實施例中，採用從閘電極層381一側依次層疊氮化矽層和氧化矽層的結構。作為第一閘極絕緣層372a藉由濺射法形成厚度為50nm或以上且200nm或以下(在本實施例中為50nm)的氮化矽層(SiN_y (y>0))，在第一閘極絕緣層372a上作為第二閘極絕緣層372b層疊厚度為5nm或以上且300nm或以下(在本實施例中為100nm)的氧化矽層(SiO_x (x>0))，來形成厚度為150nm的閘極絕緣層。

接著，形成氧化物半導體層，然後藉由光石印製程將氧化物半導體層加工為島狀氧化物半導體層。在本實施例中，使用In-Ga-Zn-O類金屬氧化物靶材並藉由濺射法來形成氧化物半導體層。

在此情況下，最好一邊去除處理室內的殘留水分一邊形成氧化物半導體層。這是為了不使氧化物半導體層含有氫、羥基或水分。

為了去除處理室內的殘留水分，最好使用吸附型真空泵。例如，最好使用低溫泵、離子泵、鈦昇華泵。另外，作為排氣單元，也可以使用設置有冷阱的渦輪分子泵。由於使用低溫泵排氣的沉積室排出例如氫原子、水(H₂ O)等包含氫原子的化合物等，所以可以降低在該沉積室中形成的氧化物半導體層所包含的雜質濃度。

作為在形成氧化物半導體層時使用的濺射氣體最好使用將氫、水、羥基或氫化物等的雜質被去除到濃度ppm左右、濃度ppb左右的高純度氣體。

接著，對氧化物半導體層進行脫水化或脫氫化。進行脫水化或脫氫化的第一加熱處理的溫度設定為400℃或以上且750℃或以下，最好為425℃或以上。注意，當採用425℃或以上的溫度時加熱處理時間是1小時以下即可，但是當採用低於425℃的溫度時加熱處理時間為長於1小時。在此，將基板放入到加熱處理裝置之一的電爐中，在氮氣圍下對氧化物半導體層進行加熱處理，然後不使其接觸於大氣而防止水或氫再次混入到氧化物半導體層，而得到氧化物半導體層。然後，在相同的爐中引入高純度的氧氣體、高純度的N₂ O氣體或超乾燥空氣(ultra dry air)(露點為-40℃或以下，最好為-60℃或以下)來進行冷卻。最好不使氧氣體或N₂ O氣體包含水、氫等。或者，將引入到加熱處理裝置的氧氣體或N₂ O氣體的純度設定為6N(99.9999%)或以上，最好設定為7N(99.99999%)或以上(也就是說，將氧氣體或N₂ O氣體中的雜質濃度為1ppm或以下，最好為0.1ppm或以下)。

注意，加熱處理裝置不侷限於電爐，例如，可以使用GRTA(Gas Rapid Thermal Anneal：氣體快速熱退火)裝置、LRTA(Lamp Rapid Thermal Anneal：燈快速熱退火)裝置等的RTA(Rapid Thermal Anneal：快速熱退火)裝置。LRTA裝置是利用從鹵素燈、金鹵燈、氙弧燈、碳弧燈、高壓鈉燈或高壓汞燈等的燈發出的光(電磁波)的輻射加熱被處理物的裝置。此外，LRTA裝置除了燈以外還可以具備由從電阻發熱體等的發熱體的熱傳導或熱輻射來加熱被處理物的設備。GRTA是指使用高溫的氣體進行加熱處理的方法。作為氣體，使用即使進行加熱處理也不與被處理物產生反應的惰性氣體如氬等的稀有氣體或氮。也可以使用RTA法以600℃至750℃進行幾分鐘的加熱處理。

此外，也可以在進行脫水化或脫氫化的第一加熱處理之後，在氧氣體或N₂ O氣體氣圍下以200℃或以上且400℃或以下，最好以200℃或以上且300℃或以下的溫度進行加熱處理。

另外，氧化物半導體層的第一加熱處理可以對在加工為島狀氧化物半導體層之前的氧化物半導體層進行。在此情況下，在進行第一加熱處理之後，從加熱裝置取出基板，並進行光石印製程。

藉由上述製程，使整個氧化物半導體層成為氧過剩狀態，以實現高電阻化，即I型化。由此，可以得到整體都被I型化了的氧化物半導體層382。

接著，在氧化物半導體層382上形成導電膜，在該導電膜上藉由光石印製程形成抗蝕劑掩模，對該導電膜選擇性地進行蝕刻來形成源極電極層385a、汲極電極層385b。然後，在第二閘極絕緣層372b、氧化物半導體層382、源極電極層385a以及汲極電極層385b上藉由濺射法形成氧化物絕緣層386。

在此情況下，最好一邊去除處理室內的殘留水分一邊形成氧化物絕緣層386。這是為了不使氧化物半導體層382及氧化物絕緣層386含有氫、羥基或水分。

為了去除處理室內的殘留水分，最好使用吸附型真空泵。例如，最好使用低溫泵、離子泵、鈦昇華泵。另外，作為排氣單元，也可以使用設置有冷阱的渦輪分子泵。由於使用低溫泵排氣的沉積室排出例如氫原子、水(H₂ O)等包含氫原子的化合物等，所以可以降低在該沉積室中形成的氧化物絕緣層386所包含的雜質濃度。

作為在形成氧化物絕緣層386時使用的濺射氣體最好使用將氫，水、羥基或氫化物等的雜質被去除到濃度ppm左右、濃度ppb左右的高純度氣體。

藉由上述製程，可以形成薄膜電晶體380。

接著，為了減少薄膜電晶體的電特性的不均勻，也可以在惰性氣圍下，例如氮氣體氣圍下進行加熱處理(最好以150℃或以上且低於350℃)。例如，在氮氣圍下以250℃進行1小時的加熱處理。

在氧化物絕緣層386上形成保護絕緣層373。在本實施例中，作為保護絕緣層373，利用濺射法形成厚度為100nm的氮化矽膜。

由氮化物絕緣層構成的保護絕緣層373及第一閘極絕緣層372a不包含水分、氫、氫化物、羥基等的雜質，並具有防止這些雜質從外部侵入的效果。

從而，在形成保護絕緣層373之後的製造製程中，可以防止來自外部的水分等的雜質侵入。另外，在完成包括觸控面板的半導體裝置，如液晶顯示裝置等的裝置之後，也可以長期防止來自外部的水分等的雜質的侵入，所以能夠提高裝置的長期可靠性。

另外，也可以採用如下結構，即去除設置在由氮化物絕緣層構成的保護絕緣層373和第一閘極絕緣層372a之間的第二閘極絕緣層372b的一部分，以使保護絕緣層373與第一閘極絕緣層372a接觸。

從而，可以儘量減少氧化物半導體層中的水分、氫、氫化物、羥基等的雜質，防止該雜質的再次混入，並使氧化物半導體層中的雜質濃度維持得低。

本實施例可以與其他實施例適當地組合而實施。

如上所述，藉由使觸控面板具有使用氧化物半導體層的薄膜電晶體，可以提供具有穩定的電特性且可靠性高的大型的觸控面板。

[實施例11]

本實施例示出可以應用於本發明說明所公開的觸控面板的薄膜電晶體的其他例子。本實施例所示的薄膜電晶體可以應用於上述實施例1至10的薄膜電晶體。

本實施例示出將具有透光性的導電材料用於閘電極層、源極電極層及汲極電極層的例子。從而，其他部分可以與上述實施例同樣進行，而省略對與上述實施例相同的部分或具有相同功能的部分及製程的重複說明。另外，省略相同的部分的詳細說明。

例如，作為閘電極層、源極電極層、汲極電極層的材料，可以採用對可見光具有透光性的導電材料，例如In-Sn-O類、In-Sn-Zn-O類、In-Al-Zn-O類、Sn-Ga-Zn-O類、Al-Ga-Zn-O類、Sn-Al-Zn-O類、In-Zn-O類、Sn-Zn-O類、Al-Zn-O類、In-O類、Sn-O類、Zn-O類的金屬氧化物，並可以在50nm以上且300nm以下的範圍內適當地選擇其厚度。作為用於閘電極層、源極電極層、汲極電極層的金屬氧化物的成膜方法，使用濺射法、真空蒸鍍法(電子束蒸鍍法等)、電弧放電離子電鍍法、噴射法。另外，當採用濺射法時，也可以使用包含2wt%以上且10wt%以下的SiO₂ 的靶材進行成膜。

另外，對可見光具有透光性的導電膜的組成比的單位為atomic%，並且藉由使用電子探針顯微分析儀(EPMA：Electron Probe X-ray MicroAnalyzer)的分析進行評價。

另外，在配置有薄膜電晶體的像素中，藉由使用對可見光具有透光性的導電膜作為像素電極層或其他的電極層(電容電極層等)以及其他的佈線層(電容佈線層等)可以實現具有高孔徑比的顯示裝置。當然，最好也用於存在於像素中的閘極絕緣層、氧化物絕緣層、保護絕緣層、平坦化絕緣層。

在本發明說明中，對可見光具有透光性的膜是指具有可見光的透過率是75%至100%的膜，當該膜具有導電性時將該膜也稱為透明導電膜。另外，也可以使用對可見光半透明的導電膜作為用作閘電極層、源極電極層、汲極電極層、像素電極層或者其他的電極層、其他的佈線層的金屬氧化物。對可見光半透明是指對可見光的透過率為50%至75%。

藉由使薄膜電晶體具有透光性，由於即時薄膜電晶體與顯示區域、光感測器重疊地設置也可以透光，並不妨礙顯示或檢測光，所以可以提高孔徑比。另外，藉由薄膜電晶體的結構部件使用具有透光性的膜來實現廣視角，因此即使將一個像素分割為多個子像素也可以實現高孔徑比。即，即使配置高密度的薄膜電晶體群也可以確保大孔徑比，從而可以確保充分的顯示區域的面積。例如，當在一個像素內具有兩個至四個子像素時，由於薄膜電晶體具有透光性，所以可以提高孔徑比。另外，當使用與薄膜電晶體的結構構件同一製程和同一材料形成儲存電容器時，也可以使儲存電容器具有透光性，因此可以提高孔徑比。

本實施例可以與其他實施例適當地組合而實施。

[實施例12]

本實施例示出可以應用於本發明說明所公開的觸控面板的薄膜電晶體的例子。本實施例所示的薄膜電晶體650可以應用於在上述實施例中表示的使用包括通道形成區的氧化物半導體層的薄膜電晶體(例如，實施例1中的電晶體201、205、206、301、實施例2、3中的電晶體503、540)。

在本實施例中，圖17示出從截面看時由氮化物絕緣層圍繞氧化物半導體層的例子。由於圖17與圖12A至12E除了氧化物絕緣層的上表面形狀及端部的位置不同以及閘極絕緣層的結構不同之外其他結構都相同，所以使用相同的符號表示相同的部分並省略對相同部分的詳細說明。

圖17所示的薄膜電晶體650是底閘型薄膜電晶體，並在具有絕緣表面的基板394上包括閘電極層391、使用氮化物絕緣層形成的閘極絕緣層652a、使用氧化物絕緣層形成的閘極絕緣層652b、氧化物半導體層392、源極電極層395a及汲極電極層395b。另外，設置有覆蓋薄膜電晶體650且層疊在氧化物半導體層392上的氧化物絕緣層656。在氧化物絕緣層656上還形成有使用氮化物絕緣層形成的保護絕緣層653。保護絕緣層653採用與由氮化物絕緣層形成的閘極絕緣層652a接觸的結構。

在本實施例中，在薄膜電晶體650中閘極絕緣層採用從閘電極層一側依次層疊氮化物絕緣層和氧化物絕緣層而構成的疊層結構。此外，當形成由氮化物絕緣層形成的保護絕緣層653之前，選擇性地去除氧化物絕緣層656、閘極絕緣層652b以露出氮化物絕緣層652a。

至少最好使氧化物絕緣層656、閘極絕緣層652b的上表面寬於氧化物半導體層392的上表面，並且最好用氧化物絕緣層656、閘極絕緣層652b的上表面覆蓋薄膜電晶體650。

並且，形成氮化物絕緣層的保護絕緣層653，該保護絕緣層653覆蓋氧化物絕緣層656的上表面及氧化物絕緣層656及閘極絕緣層652b的側面且與氮化物絕緣層的閘極絕緣層652a接觸。

作為由氮化物絕緣層形成的保護絕緣層653及閘極絕緣層652a，使用藉由濺射法或電漿CVD法獲得的氮化矽膜、氧氮化矽膜、氮化鋁膜、氧氮化鋁膜等的不包含水分、氫離子或OH^- 等的雜質並阻擋上述雜質從外部侵入的無機絕緣膜。

在本實施例中，作為由氮化物絕緣層構成的保護絕緣層653，以圍繞氧化物半導體層392的下表面、上表面及側面的方式藉由RF濺射法形成厚度為100nm的氮化矽層。

藉由採用圖17所示的結構，氧化物半導體層藉由使用以接觸地圍繞的方式設置的閘極絕緣層652b及氧化物絕緣層656減少氫、水分、羥基或氫化物等的雜質，並且圍繞使用氮化物絕緣層形成的閘極絕緣層652a及保護絕緣層653而覆蓋其外面，所以可以在形成保護絕緣層653之後的製造製程中防止來自外部的水分的侵入。另外，在完成顯示面板如顯示裝置等的裝置之後，也可以長期防止來自外部的水分的侵入，所以能夠提高裝置的長期可靠性。

另外，雖然在本實施例中示出使用氮化物絕緣層圍繞一個薄膜電晶體的結構，但並不侷限於此，而還可以採用使用氮化物絕緣層圍繞多個薄膜電晶體的結構或者使用氮化物絕緣層圍繞像素部的多個薄膜電晶體的結構。以至少圍繞主動矩陣基板的像素部的邊緣的方式設置保護絕緣層653與閘極絕緣層652a接觸的區域即可。

本實施例可以與其他實施例適當地組合而實施。

100．．．觸控面板

101．．．像素電路

102．．．顯示元件控制電路

103．．．光感測器控制電路

104．．．像素

105．．．顯示元件

106．．．光感測器

107．．．顯示元件驅動電路

108．．．顯示元件驅動電路

109．．．電路

110．．．光感測器驅動電路

201．．．電晶體

202．．．儲存電容器

203．．．液晶元件

204．．．光二極體

205．．．電晶體

206．．．電晶體

207．．．閘極信號線

208．．．光二極體重置信號線

209．．．閘極信號線

210．．．視頻資料信號線

211．．．光感測器輸出信號線

212．．．光感測器基準信號

213．．．閘極信號線

300．．．電路

301．．．電晶體

302．．．儲存電容器

303．．．預充電信號線

305．．．基板

307．．．閘極絕緣層

308．．．保護絕緣層

310．．．薄膜電晶體

311．．．閘極絕緣層

313．．．通道形成區

314a．．．高電阻源極區

314b．．．高電阻汲極區

315a．．．源極電極層

315b．．．汲極電極層

316．．．氧化物絕緣層

320．．．基板

322．．．閘極絕緣層

323．．．保護絕緣層

330．．．氧化物半導體層

331．．．氧化物半導體層

332．．．氧化物半導體層

340．．．基板

342．．．閘極絕緣層

343．．．保護絕緣層

345．．．氧化物半導體層

346．．．氧化物半導體層

350．．．薄膜電晶體

351．．．閘極絕緣層

352．．．氧化物半導體層

355a．．．源極電極層

355b．．．汲極電極層

356．．．氧化物絕緣層

360．．．薄膜電晶體

361．．．閘極絕緣層

362．．．氧化物半導體層

363．．．通道形成區

364a．．．高電阻源極區

364b．．．高電阻汲極區

365a．．．源極電極層

365b．．．汲極電極層

366．．．氧化物絕緣層

370．．．基板

372a．．．閘極絕緣層

372b．．．閘極絕緣層

373．．．保護絕緣層

380．．．薄膜電晶體

381．．．閘極絕緣層

382．．．氧化物半導體層

385a．．．源極電極層

385b．．．汲極電極層

386．．．氧化物絕緣層

390．．．薄膜電晶體

391．．．閘極絕緣層

392．．．氧化物半導體層

393．．．氧化物半導體層

394．．．基板

395a．．．源極電極層

395b．．．汲極電極層

396．．．氧化物絕緣層

397．．．閘極絕緣層

398．．．保護絕緣層

399．．．氧化物半導體層

401．．．信號

402．．．信號

403．．．信號

404．．．信號

405．．．信號

410．．．薄膜電晶體

501．．．基板

502．．．光二極體

503．．．電晶體

505．．．液晶元件

506a．．．半導體層

506b．．．半導體層

506c．．．半導體層

507．．．像素電極

508．．．液晶

509．．．對置電極

510．．．導電膜

511．．．對準膜

512．．．對準膜

513．．．基板

514．．．濾色片

515．．．遮擋膜

516．．．間隔物

517．．．偏光板

518．．．偏光板

520．．．箭頭

521．．．檢測對象

522．．．箭頭

531．．．氧化物絕緣層

532．．．保護絕緣層

533．．．層間絕緣層

534．．．層間絕緣層

540．．．電晶體

541．．．電極層

542．．．電極層

543．．．導電層

545．．．閘極絕緣層

650．．．薄膜電晶體

653．．．保護絕緣層

652a．．．閘極絕緣層

652b．．．閘極絕緣層

656．．．氧化物絕緣層

701．．．信號

702．．．信號

703．．．信號

704．．．信號

705．．．信號

706．．．信號

707．．．信號

711．．．信號

712．．．信號

713．．．信號

714．．．信號

715．．．信號

716．．．信號

717．．．信號

718．．．期間

719．．．期間

720．．．期間

721．．．期間

722．．．期間

1001．．．信號

1002．．．信號

1003．．．信號

1004．．．信號

1005．．．信號

1006．．．信號

1007．．．信號

1011．．．信號

1012．．．信號

1013．．．信號

1014．．．信號

1015．．．信號

1016．．．信號

1017．．．信號

1018．．．期間

1019．．．期間

1020．．．期間

1021．．．期間

1022．．．期間

1101．．．信號

1102．．．信號

1103．．．信號

1104．．．信號

1105．．．信號

1106．．．信號

1107．．．信號

1111．．．信號

1112．．．信號

1113．．．信號

1114．．．信號

1115．．．信號

1116．．．信號

1117．．．信號

1118．．．期間

1119．．．期間

1120．．．期間

1121．．．期間

1122．．．期間

1601．．．液晶面板

1602．．．擴散片

1603．．．稜鏡片

1604．．．擴散片

1605．．．導光板

1606．．．反射板

1607．．．光源

1608．．．背光燈

1609．．．電路基板

1610．．．FPC

1611．．．FPC

1612．．．手指

4360．．．薄膜電晶體

5001．．．框體

5002．．．顯示部

5003．．．支撐台

5101．．．框體

5102．．．顯示部

5103．．．開關

5104．．．操作鍵

5105．．．紅外線埠

5201．．．框體

5202．．．顯示部

5203．．．硬幣投入口

5204．．．紙幣投入口

5205．．．卡片放入口

5206．．．存款簿放入口

5301．．．框體

5302．．．框體

5303．．．顯示部

5304．．．顯示部

5305．．．麥克風

5306‧‧‧揚聲器

5307‧‧‧操作鍵

5308‧‧‧觸屏筆

在附圖中：

圖1是說明觸控面板的結構的一例的圖；

圖2是說明像素的電路圖的一例的圖；

圖3是說明光感測器讀出電路的結構的一例的圖；

圖4是說明光感測器的讀出操作的一例的時序圖；

圖5是說明觸控面板的截面的一例的圖；

圖6是說明觸控面板的截面的一例的圖；

圖7是說明觸控面板的操作的一例的時序圖；

圖8是說明包括觸控面板的液晶顯示裝置的結構的一例的透視圖；

圖9A至9D是說明使用觸控面板的電子裝置的一例的圖；

圖10是說明觸控面板的操作的一例的時序圖；

圖11是說明觸控面板的操作的一例的時序圖；

圖12A至12E是說明薄膜電晶體及薄膜電晶體的製造方法的圖；

圖13A至13E是說明薄膜電晶體及薄膜電晶體的製造方法的圖；

圖14A至14D是說明薄膜電晶體及薄膜電晶體的製造方法的圖；

圖15A至15D是說明薄膜電晶體及薄膜電晶體的製造方法的圖；

圖16是說明薄膜電晶體的圖；

圖17是說明薄膜電晶體的圖；

圖18是使用氧化物半導體的反交錯型薄膜電晶體的縱截面圖；

圖19A是沿著圖18所示的A-A'截面的能帶圖(圖形)，圖19B是電壓施加時的能帶圖；

圖20A示出對閘極(G1)施加正電位元(+VG)的狀態，圖20B示出對閘極(G1)施加負電位元(-VG)的狀態；

圖21是示出真空能級和金屬的功函數(ΦM)及氧化物半導體的電子親和力(χ)之間的關係的圖；

圖22是說明藉由算術得到的電晶體的電場效應遷移率和圖像拍攝的頻率之間的關係的圖。

1101．．．信號

1102．．．信號

1103．．．信號

1104．．．信號

1105．．．信號

1106．．．信號

1107．．．信號

1111．．．信號

1112．．．信號

1113．．．信號

1114．．．信號

1115．．．信號

1116．．．信號

1117．．．信號

1118．．．期間

1119．．．期間

1120．．．期間

1121．．．期間

1122．．．期間

Claims (34)

1. 一種觸控面板，包括：包括顯示元件及光感測器的像素，其中該光感測器包括：第一信號線；第二信號線；第三信號線；第四信號線；及光二極體及第一電晶體與第二電晶體，其中該第一電晶體與該第二電晶體各包括形成有通道形成區的氧化物半導體層，及其中：該第一信號線電連接到該光二極體的第一端子；該光二極體的第二端子電連接到該第一電晶體的閘極；該第二信號線電連接到該第二電晶體的第二端子；該第二電晶體的第一端子電連接到該第一電晶體的第一端子；該第三信號線電連接到該第二電晶體的閘極；且該第四信號線電連接到該第一電晶體的第二端子。
2. 如申請專利範圍第1項之觸控面板，其中該像素位於一基板上，及其中該光二極體位於該第一電晶體上，且一絕緣層插 置於該光二極體及該第一電晶體之間。
3. 如申請專利範圍第1項之觸控面板，其中該光二極體之該第二端子僅電連接到該第一電晶體之該閘極。
4. 如申請專利範圍第1項之觸控面板，其中電連接於該第一電晶體的該閘極與該光二極體的該第二端子之導線不包含節點。
5. 如申請專利範圍第1項之觸控面板，其中該第一電晶體的該氧化物半導體層包含銦、鎵及鋅。
6. 如申請專利範圍第1項之觸控面板，其中該第二電晶體的該氧化物半導體層包含銦、鎵及鋅。
7. 如申請專利範圍第1項之觸控面板，其中該第一電晶體的該氧化物半導體層的氫濃度是5×10¹⁹ /cm³ 或以下。
8. 如申請專利範圍第1項之觸控面板，其中該第二電晶體的該氧化物半導體層的氫濃度是5×10¹⁹ /cm³ 或以下。
9. 如申請專利範圍第1項之觸控面板，其中該顯示元件是選自液晶元件及發光二極體。
10. 如申請專利範圍第1項之觸控面板，其中該第一信號線電連接到多個連成一線之該光二極體，該線包含該光二極體。
11. 一種包括多個像素的觸控面板之驅動方法，其中該多個像素配置為具有多個列的矩陣狀，其中該多個像素中的至少一個包括顯示元件及光感測器，其中該光感測器包括：第一信號線；第二信號線；第三信號線；第四信號線；及光二極體及第一電晶體與第二電晶體，其中該第一電晶體與該第二電晶體各包括形成有通道形成區的氧化物半導體層，及其中：該第一信號線電連接到該光二極體的第一端子；該光二極體的第二端子電連接到該第一電晶體的閘極；該第二信號線電連接到該第二電晶體的第二端子；該第二電晶體的第一端子電連接到該第一電晶體的第一端子；該第三信號線電連接到該第二電晶體的閘極；且該第四信號線電連接到該第一電晶體的第二端子，該驅動方法包括對每個該多個列依次進行重置操作、累積操作及選擇操作的步驟， 其中同時進行該多個列中之一的該重置操作及該多個列中之另一的該選擇操作。
12. 如申請專利範圍第11項之驅動方法，其中該多個像素之一位於一基板上，及其中該光二極體位於該第一電晶體上，且一絕緣層插置於該光二極體及該第一電晶體之間。
13. 如申請專利範圍第11項之驅動方法，其中該光二極體之該第二端子僅電連接到該第一電晶體之該閘極。
14. 如申請專利範圍第11項之驅動方法，其中電連接於該第一電晶體的該閘極與該光二極體的該第二端子之導線不包含節點。
15. 如申請專利範圍第11項之驅動方法，其中該第一電晶體的該氧化物半導體層包含銦、鎵及鋅。
16. 如申請專利範圍第11項之驅動方法，其中該重置操作包括如下步驟：將該第一信號線的電位設定為第一電位以將正向偏壓施加到該光二極體；以及對該第二信號線進行預充電。
17. 如申請專利範圍第11項之驅動方法，其中該第二電晶體的該氧化物半導體層包含銦、鎵及鋅。
18. 如申請專利範圍第11項之驅動方法， 其中該累積操作包括將該第一信號線的電位設定為第二電位來降低該第一電晶體的該閘極的電位的步驟。
19. 如申請專利範圍第11項之驅動方法，其中該選擇操作包括將該第三信號線的電位設定為第三電位以使該第二電晶體處於導通狀態的步驟，在該步驟之後進行將該第三信號線的該電位設定為第四電位以使該第二電晶體處於截止狀態的步驟。
20. 如申請專利範圍第11項之驅動方法，其中該第一電晶體的該氧化物半導體層的氫濃度是5×10¹⁹ /cm³ 或以下。
21. 如申請專利範圍第11項之驅動方法，其中該第二電晶體的該氧化物半導體層的氫濃度是5×10¹⁹ /cm³ 或以下。
22. 如申請專利範圍第11項之驅動方法，其中該顯示元件是選自液晶元件及發光二極體。
23. 一種包括多個像素的觸控面板之驅動方法，其中該多個像素配置為具有第一至第n列的矩陣狀，該n是大於2的自然數，其中該多個像素中的至少一個包括顯示元件及光感測器，其中該光感測器包括：第一信號線；第二信號線；第三信號線； 第四信號線；及光二極體及第一電晶體與第二電晶體，其中該第一電晶體與該第二電晶體各包括形成有通道形成區的氧化物半導體層，及其中：該第一信號線電連接到該光二極體的第一端子；該光二極體的第二端子電連接到該第一電晶體的閘極；該第二信號線電連接到該第二電晶體的第二端子；該第二電晶體的第一端子電連接到該第一電晶體的第一端子；該第三信號線電連接到該第二電晶體的閘極；且該第四信號線電連接到該第一電晶體的第二端子，該驅動方法包括對每個該第一至第n列依次進行重置操作、累積操作及選擇操作的步驟，其中在第m列的該重置操作的結束和第(m+1)列的順序重置操作的開始之間進行該第一至第n列中之另一的該選擇操作，且其中m是小於n的自然數。
24. 如申請專利範圍第23項之驅動方法，其中該多個像素之一位於一基板上，及其中該光二極體位於該第一電晶體上，且一絕緣層插置於該光二極體及該第一電晶體之間。
25. 如申請專利範圍第23項之驅動方法，其中該光二極體之該第二端子僅電連接到該第一電晶體之該閘極。
26. 如申請專利範圍第23項之驅動方法，其中電連接於該第一電晶體的該閘極與該光二極體的該第二端子之導線不包含節點。
27. 如申請專利範圍第23項之驅動方法，其中該第一電晶體的該氧化物半導體層包含銦、鎵及鋅。
28. 如申請專利範圍第23項之驅動方法，其中該重置操作包括如下步驟：將該第一信號線的電位設定為第一電位以將正向偏壓施加到該光二極體；以及對該第二信號線進行預充電。
29. 如申請專利範圍第23項之驅動方法，其中該第二電晶體的該氧化物半導體層包含銦、鎵及鋅。
30. 如申請專利範圍第23項之驅動方法，其中該累積操作包括將該第一信號線的電位設定為第二電位來降低該第一電晶體的該閘極的電位的步驟。
31. 如申請專利範圍第23項之驅動方法，其中該選擇操作包括將該第三信號線的電位設定為第三電位以使該第二電晶體處於導通狀態的步驟，在該步驟之後進行將該第三信號線的該電位設定為第四電位以使該 第二電晶體處於截止狀態的步驟。
32. 如申請專利範圍第23項之驅動方法，其中該第一電晶體的該氧化物半導體層的氫濃度是5×10¹⁹ /cm³ 或以下。
33. 如申請專利範圍第23項之驅動方法，其中該第二電晶體的該氧化物半導體層的氫濃度是5×10¹⁹ /cm³ 或以下。
34. 如申請專利範圍第23項之驅動方法，其中該顯示元件是選自液晶元件及發光二極體。