JP2017076187A - 金属パターン基板の製造方法、金属パターン基板、及び、タッチ位置検出機能付き表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性を確保した上で金属パターンをより細線化する。【解決手段】金属パターン基板の製造方法は、基板３２の表面に所定パターンの複数の溝Ｇ１を形成する溝形成工程と、溝内と、隣り合う溝間の基板上とに金属膜４０を形成する金属膜形成工程と、溝内に形成された金属膜上にレジスト層５０を形成するレジスト層形成工程と、レジスト層をマスクとして金属膜をエッチングするエッチング工程と、レジスト層を剥離する剥離工程と、を備える。【選択図】図４

Description

本発明は、金属パターン基板の製造方法、金属パターン基板、及び、金属パターン基板と表示装置とを組み合わせて得られるタッチ位置検出機能付き表示装置に関する。

今日、入力手段として、タッチパネル装置が広く用いられている。タッチパネル装置は、タッチパネルセンサ、タッチパネルセンサ上への接触位置を検出する制御回路、配線およびＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）を含んでいる。タッチパネル装置は、多くの場合、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等の表示装置が組み込まれた種々の装置等（例えば、券売機、ＡＴＭ装置、携帯電話、ゲーム機）に対する入力手段として、表示装置とともに用いられている。このような装置においては、タッチパネルセンサが表示装置の表示面上に配置されており、これによって、表示装置に対する極めて直接的な入力が可能になっている。タッチパネルセンサのうち表示装置の表示領域に対面する領域は透明になっており、タッチパネルセンサのこの領域が、接触位置（接近位置）を検出し得るアクティブエリアを構成するようになる。

タッチパネルセンサとして、投影型容量結合方式のタッチパネルセンサが知られている。容量結合方式のタッチパネルセンサにおいては、位置を検知されるべき外部導体（典型的には、指）が誘電体を介してタッチパネルセンサに接触（接近）する際、新たに奇生容量が発生する。この奇生容量に起因する静電容量の変化に基づいて、タッチパネルセンサ上における外部導体の位置が検出される。このような投影型容量結合方式のタッチパネルセンサは、例えば、ＰＥＴなどからなる基材と、基材の観察者側の面に設けられた複数の第１検出パターンと、基材の表示装置側の面に設けられた複数の第２検出パターンと、を備えている。第１検出パターンおよび第２検出パターンは、例えば、透光性および導電性を有する透明導電材料から構成される。第１検出パターンおよび第２検出パターンは、アクティブエリア内に配置されている。

また、タッチパネルセンサのアクティブエリアの周囲の非アクティブエリア（額縁領域）には、金属から構成された複数の引き出し配線（額縁配線）が設けられている。複数の引き出し配線は、それぞれ、対応する第１又は第２検出パターンと、基材の外縁近傍に配置された対応する端子との間に電気的に接続されている（例えば、特許文献１参照）。

このような引き出し配線は、次のように形成される。図９（ａ）〜（ｅ）は、従来の引き出し配線の製造方法を説明する図である。図９（ａ）〜（ｅ）は、タッチパネルセンサの非アクティブエリアの一部の断面を概略的に示す。

まず、図９（ａ）に示すように、基材３３上にオーバーコート層３４Ｘを形成する。

次に、図９（ｂ）に示すように、オーバーコート層３４Ｘ上に金属膜４０Ｘを形成する。オーバーコート層３４Ｘは、金属膜４０Ｘと基材３３との密着性を向上させる。

次に、図９（ｃ）に示すように、金属膜４０Ｘ上にレジスト層５０Ｘを形成し、レジスト層５０Ｘをパターニングする。レジスト層５０Ｘのパターンは、引き出し配線のパターンに対応する。

次に、図９（ｄ）に示すように、パターニングされたレジスト層５０Ｘをマスクとして、金属膜４０Ｘをエッチングする。

最後に、図９（ｅ）に示すように、レジスト層５０Ｘを剥離して、オーバーコート層３４Ｘ上に配線４１Ｘが形成される。配線４１Ｘは、引き出し配線として機能する。

ところで近年、非アクティブエリアの幅をより狭くすることが求められている。そのためには、引き出し配線の幅及び間隔をより狭くする必要がある。

特開２０１０−２７７３９２号公報

しかしながら、前述した製造方法においては、金属膜４０Ｘをエッチングする時、エッチングの進行に伴ってエッチング液がレジスト層５０Ｘの下方にも回り込み、レジスト層５０Ｘの下方の金属膜４０Ｘの一部もエッチングされてしまう。即ち、サイドエッチングが発生する。これにより、図９（ｅ）に示すように、形成された配線４１Ｘの断面形状は台形になり、特に配線４１Ｘの上部の幅が目標配線幅（即ち、パターニングされたレジスト層５０Ｘの幅）より狭くなってしまう。従って、配線４１Ｘの抵抗値が上昇したり、配線４１Ｘの一部が欠落したりするため、配線４１Ｘの細線化には限界がある。

また、配線４１Ｘの間隔が狭くなると、エレクトロマイグレーションが起こりやすくなり、隣り合う配線４１Ｘ，４１Ｘ同士がショートする恐れもある。

このような点は、タッチパネルセンサの引き出し配線に限らず、細線化が必要な金属パターン全般に関して問題となり得る。

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、信頼性を確保した上で金属パターンをより細線化できる金属パターン基板の製造方法、金属パターン基板、及び、タッチ位置検出機能付き表示装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様に係る金属パターン基板の製造方法は、
基板の表面に所定パターンの複数の溝を形成する溝形成工程と、
前記溝内と、隣り合う溝間の前記基板上とに金属膜を形成する金属膜形成工程と、
前記溝内に形成された前記金属膜上にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
前記レジスト層をマスクとして前記金属膜をエッチングするエッチング工程と、
前記レジスト層を剥離する剥離工程と、
を備える。

また、前記金属パターン基板の製造方法において、
前記金属膜形成工程において、前記金属膜の厚みが前記溝の深さより小さくなるように前記金属膜を形成してもよい。

また、前記金属パターン基板の製造方法において、
前記溝形成工程は、
基材上にオーバーコート層を形成して前記基板を得る工程と、
前記オーバーコート層に前記溝を形成する工程と、
を有してもよい。

また、前記金属パターン基板の製造方法において、
前記溝形成工程において、前記オーバーコート層を貫通して前記基材に達する前記溝を形成してもよい。

また、前記金属パターン基板の製造方法において、
前記基板は可塑性を有し、
前記溝形成工程は、
前記基板の表面に、前記所定パターンに対応した凹凸パターンを有する型を押し当てる工程と、
前記基板から前記型を取り外す工程と、
を有してもよい。

本発明の一態様に係る金属パターン基板は、
表面に所定パターンの複数の溝を有する基板と、
前記溝に埋め込まれた金属層と、
を備える。

また、前記金属パターン基板において、
前記金属層の厚みは、前記溝の深さより小さくてもよい。

また、前記金属パターン基板において、
前記基板は、
基材と、
前記基材上に設けられ、表面に前記溝を有するオーバーコート層と、
を有してもよい。

また、前記金属パターン基板において、
前記溝は、前記オーバーコート層を貫通して前記基材に達してもよい。

本発明の一態様に係るタッチ位置検出機能付き表示装置は、
表示装置と、
前記表示装置の表示面側に配置されたタッチパネルセンサと、を備え、
前記タッチパネルセンサは、
表面に所定パターンの溝を有する基板と、
前記溝に埋め込まれた金属層と、
を有する。

また、前記タッチ位置検出機能付き表示装置において、
前記タッチパネルセンサは、前記基板上のアクティブエリアに設けられた検出パターンを有し、
前記溝及び前記金属層は、前記アクティブエリアの周辺に位置する非アクティブエリアに設けられ、
前記金属層は、前記検出パターンに接続され、引き出し配線として機能してもよい。

本発明によれば、信頼性を確保した上で金属パターンをより細線化できる。

第１の実施形態に係るタッチ位置検出機能付き表示装置を示す分解図である。 観察者側から見た場合のタッチパネルセンサを示す平面図である。 図２のタッチパネルセンサのＩ−Ｉ線に沿った縦断面図である。 （ａ）〜（ｅ）は、第１の実施形態に係るタッチパネルセンサの製造方法を説明する図である。 （ａ）〜（ｅ）は、第２の実施形態に係るタッチパネルセンサの製造方法を説明する図である。 （ａ）〜（ｅ）は、第３の実施形態に係るタッチパネルセンサの製造方法を説明する図である。 （ａ）〜（ｄ）は、モールドの作製方法を説明する図である。 （ａ）〜（ｇ）は、マスターモールドの作製方法を説明する図である。 図９（ａ）〜（ｅ）は、従来の引き出し配線の製造方法を説明する図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、本明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。

（第１の実施形態）
タッチ位置検出機能付き表示装置
はじめに図１を参照して、タッチパネルセンサ（金属パターン基板）３０を備えたタッチ位置検出機能付き表示装置１０について説明する。図１に示すように、タッチ位置検出機能付き表示装置１０は、タッチパネルセンサ３０と、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどの表示装置１５とを組み合わせることによって構成されている。図示された表示装置１５は、フラットパネルディスプレイとして構成されている。表示装置１５は、表示面１６ａを有した表示パネル１６と、表示パネル１６に接続された表示制御部（図示せず）と、を有している。

表示パネル１６は、映像を表示することができるアクティブエリアＡ１と、アクティブエリアＡ１を取り囲むようにしてアクティブエリアＡ１の外側に配置された非アクティブエリア（額縁領域とも呼ばれる）Ａ２と、を含んでいる。表示制御部は、表示されるべき映像に関する情報を処理し、映像情報に基づいて表示パネル１６を駆動する。表示パネル１６は、表示制御部の制御信号に基づいて、所定の映像を表示面１６ａに表示する。すなわち、表示装置１５は、文字や図等の情報を映像として出力する出力装置としての役割を担っている。

アクティブエリアＡ１の形状は、本実施形態においては、図１に示すように、平面視において略矩形である。もっとも、アクティブエリアＡ１の平面視における形状は、他の形状であってもよく、例えば楕円形状であってもよい。

図１に示すように、タッチパネルセンサ３０は、表示装置１５の表示面１６ａに、例えば接着層（図示せず）を介して接着されている。

タッチパネルセンサ
タッチパネルセンサ３０は、どのような構成を有していてもよいが、一例として、図２に示す構成について説明する。

図２は、観察者側から見た場合のタッチパネルセンサ３０を示す平面図である。ここでは、タッチパネルセンサ３０が、投影型の静電容量結合方式のタッチパネルセンサとして構成される例について説明する。なお、「容量結合」方式は、タッチパネルの技術分野において「静電容量」方式や「静電容量結合」方式等とも呼ばれており、本件では、これらの「静電容量」方式や「静電容量結合」方式等と同義の用語として取り扱う。典型的な静電容量結合方式のタッチパネルセンサは、透光性を有する導電性のパターンを有しており、外部の導体（典型的には人間の指）がタッチパネルセンサに接近することにより、外部の導体とタッチパネルセンサの導電性のパターンとの間でコンデンサ（静電容量）が形成される。そして、このコンデンサの形成に伴った電気的な状態の変化に基づき、タッチパネルセンサ上において外部導体が接近している位置の位置座標が特定される。なお本実施形態によるタッチパネルセンサ３０は、自己容量方式のものであってもよく、相互容量方式のものであってもよい。

図２に示すように、タッチパネルセンサ３０は、観察者側を向く第１面３２ａおよび表示装置１５側を向く第２面３２ｂを含み透光性を有する基板３２と、基板３２の第１面３２ａ上に設けられ、第１方向Ｄ１に延びる複数の第１検出パターン（検出パターン）４２と、基板３２の第２面３２ｂ上に設けられ、第１方向Ｄ１に交差する、例えば第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に延びる複数の第２検出パターン（検出パターン）４６と、を備えている。図２に示すように、第１検出パターン４２および第２検出パターン４６はそれぞれ帯状に延びている。また、複数の第１検出パターン４２は一定の配列ピッチで第２方向Ｄ２に並べられており、複数の第２検出パターン４６も一定の配列ピッチで第１方向Ｄ１に並べられている。第１検出パターン４２および第２検出パターン４６の配列ピッチは、タッチ位置の検出に関して求められる分解能に応じて定められるが、例えば数ｍｍになっている。なお図２においては、基板３２の第１面３２ａ側に設けられている構成要素が実線で表され、基板３２の第２面３２ｂ側に設けられている構成要素が点線で表されている。

図２に示すように、タッチパネルセンサ３０の基板３２は、タッチ位置を検出され得る領域に対応する矩形状のアクティブエリアＡａ１と、アクティブエリアＡａ１の周辺に位置する矩形枠状の非アクティブエリアＡａ２と、を含んでいる。アクティブエリアＡａ１および非アクティブエリアＡａ２はそれぞれ、表示パネル１６のアクティブエリアＡ１および非アクティブエリアＡ２に対応して区画されたものである。

上述の第１検出パターン４２および第２検出パターン４６は、アクティブエリアＡａ１内に配置されている。また非アクティブエリアＡａ２のうち基板３２の第１面３２ａ上には、それぞれが対応する第１検出パターン４２に電気的に接続された複数の第１引き出し配線４４ａと、基板３２の外縁近傍に配置され、それぞれが対応する第１引き出し配線４４ａに電気的に接続された複数の第１端子部４４ｂと、が設けられている。さらに、非アクティブエリアＡａ２のうち基板３２の第２面３２ｂ上には、それぞれが対応する第２検出パターン４６に電気的に接続された複数の第２引き出し配線４９ａと、基板３２の外縁近傍に配置され、それぞれが対応する第２引き出し配線４９ａに電気的に接続された複数の第２端子部４９ｂと、が設けられている。

第１及び第２検出パターン４２，４６は、例えば、透光性および導電性を有する透明導電材料から構成される。または、第１及び第２検出パターン４２，４６は、透明導電材料よりも高い導電性を有する銀や銅などの金属材料から構成されてもよい。これにより、第１及び第２検出パターン４２，４６の電気抵抗値を低くすることができる。第１及び第２検出パターン４２，４６が金属材料から構成される場合、第１及び第２検出パターン４２，４６には、表示装置１５からの映像光を適切な比率で透過させるための開口部が形成されている。例えば第１及び第２検出パターン４２，４６は、金属材料からなり、網目状に配置された導線によって構成されてもよい。

第１及び第２引き出し配線４４ａ，４９ａ、並びに、第１及び第２端子部４４ｂ，４９ｂは、例えば、アルミニウム、モリブデン、銀、銅、又は、これらの合金などの金属材料から構成される。

図３は、図２のタッチパネルセンサ３０のＩ−Ｉ線に沿った縦断面図である。即ち、図３は、第２引き出し配線４９ａが形成された領域の断面を示している。

図３に示すように、基板３２は、表面（第２面）３２ｂに所定パターンの複数の溝Ｇ１を有する。溝Ｇ１のパターンは、第２引き出し配線４９ａのパターンに対応する。

基板３２は、基材３３と、基材３３上に設けられ、溝Ｇ１を有するオーバーコート層３４と、を有する。溝Ｇ１は、オーバーコート層３４を貫通して基材３３に達している。

基材３３は、タッチパネルセンサ３０において誘電体として機能するものである。基材３３を構成する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）やガラスなど、十分な透光性を有する材料が用いられる。第１検出パターン４２、第２検出パターン４６、引き出し配線４４ａ，４９ａや端子部４４ｂ，４９ｂを適切に保持することができる限りにおいて、基材３３の具体的な構成が特に限られることはない。

オーバーコート層３４は、透光性を有している。オーバーコート層３４の材料としては、例えばアクリル樹脂等が用いられ得る。オーバーコート層３４がフォトリソグラフィ法を用いて形成される場合、オーバーコート層３４は、光硬化型の感光剤を含んでいてもよい。後述する製造方法においては、オーバーコート層３４に光硬化型の感光剤が含まれている場合について説明する。

第２引き出し配線４９ａは、溝Ｇ１に埋め込まれた金属層４１から構成されている。金属層４１の厚みは、溝Ｇ１の深さより小さいことが好ましい。

金属層４１の厚みは、例えば、数百ｎｍであってもよい。オーバーコート層３４の厚み、即ち溝Ｇ１の深さは、例えば、数μｍであってもよい。

図示は省略するが、第１引き出し配線４４ａも、第２引き出し配線４９ａと同様に、溝Ｇ１に埋め込まれた金属層４１から構成される。この場合、金属層４１は、第１面３２ａ側に設けられる。

なお図１，２においては、第１検出パターン４２、第１引き出し配線４４ａおよび第１端子部４４ｂが基板３２の第１面３２ａ側に設けられ、第２検出パターン４６、第２引き出し配線４９ａおよび第２端子部４９ｂが基板３２の第２面３２ｂ側に設けられる例を示したが、これに限られることはない。例えば、第１検出パターン４２、第１引き出し配線４４ａおよび第１端子部４４ｂが基板３２の第１面３２ａ側に設けられ、第２検出パターン４６、第２引き出し配線４９ａおよび第２端子部４９ｂが追加の基板（図示せず）の一方の面側に設けられ、追加の基材の一方の面と基板３２の第２面３２ｂとが透明接着剤で貼り合わされていてもよい。

タッチパネルセンサの製造方法
次に、図４（ａ）〜（ｅ）を参照して、以上のような構成のタッチパネルセンサ３０を製造する方法について説明する。なお、第１及び第２引き出し配線４４ａ，４９ａ以外の第１及び第２検出パターン４２，４６等は、周知の方法により形成できるため、以下では説明を省略する。また、第１引き出し配線４４ａと第２引き出し配線４９ａは同じ方法で形成できるため、以下では第２引き出し配線４９ａの形成方法のみを説明する。

〔溝形成工程〕
最初に、図４（ａ）に示すように、基板３２の表面に所定パターンの複数の溝Ｇ１を形成する。具体的には、基材３３上にオーバーコート層３４を形成して基板３２を得る。そして、基板３２のオーバーコート層３４に、オーバーコート層３４を貫通して基材３３に達する溝Ｇ１を形成する。

オーバーコート層３４に溝を形成する方法は特に限られないが、例えば、フォトリソグラフィ法を用いることが好ましい。これにより、比較的微細な溝Ｇ１を精度良く形成できる。

フォトリソグラフィ法を用いる場合、まず、基材３３上に感光性オーバーコート層用塗工液（以下、塗工液と称す）を塗布する。

次に、基材３３上に塗布された塗工液を加熱（プリベイク）し、これによって、塗工液中の溶剤を除去する。この結果、基板３３上にオーバーコート層用材料が得られる。ネガ型およびポジ型のいずれのオーバーコート層用材料も使用され得るが、ここではネガ型を用いた一例について説明する。

次に、露光マスクを介して、オーバーコート層用材料を露光する。
次に、露光されたオーバーコート層用材料を現像液により現像し、これによって、オーバーコート層用材料のうち露光光が照射されなかった部分を現像液中に溶解させる。

最後に、基材３３上に残っているオーバーコート層用材料、即ち現像されたオーバーコート層用材料を焼成する。これによって、図４（ａ）に示すように、オーバーコート層３４に、オーバーコート層３４を貫通して基材３３に達する溝Ｇ１が形成される。

〔金属膜形成工程〕
次に、図４（ｂ）に示すように、スパッタ等の方法を用いて、溝Ｇ１が形成された側の基板３２の表面に金属膜４０を形成する。即ち、溝Ｇ１内と、隣り合う溝Ｇ１，Ｇ１間の基板３２上（即ちオーバーコート層３４上）とに金属膜４０を形成する。従って、金属膜４０は、溝Ｇ１内に埋め込まれた金属膜４０ａと、オーバーコート層３４上に配置された金属膜４０ｂと、を有する。金属膜４０には、溝Ｇ１に対応する位置に溝Ｇ２が形成される。ここで、金属膜４０の厚みが溝Ｇ１の深さより小さくなるように金属膜４０を形成する。

〔レジスト層形成工程〕
次に、図４（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ法を用いて、溝Ｇ１内に形成された金属膜４０ａ上に選択的にレジスト層５０を形成する。即ち、金属膜４０の溝Ｇ２内に選択的にレジスト層５０を形成する。

具体的には、まず、金属膜４０を覆う様に感光性レジスト材料を塗布して、硬化させる。ネガ型およびポジ型のいずれの感光性レジスト材料も使用され得るが、ここではポジ型を用いた一例について説明する。

次に、オーバーコート層３４に対応する位置、即ち金属膜４０ｂに対応する位置に開口を有する露光マスクを介して、感光性レジスト材料を露光する。

次に、露光された感光性レジスト材料を現像液により現像し、これによって、感光性レジスト材料のうち露光光が照射された部分を現像液中に溶解させる。よって、オーバーコート層３４の上方、即ち金属膜４０ｂ上の感光性レジスト材料は除去され、金属膜４０の溝Ｇ２内の感光性レジスト材料が残存する。最後に、焼成等の必要な処理を行い、金属膜４０の溝Ｇ２内にレジスト層５０が形成される。

ここで、前述のように、金属膜４０の厚みは溝Ｇ１の深さより小さい。そのため、溝Ｇ１内の金属膜４０ａの側面はオーバーコート層３４に覆われ、金属膜４０ａの上面はレジスト層５０に覆われるようになる。即ち、金属膜４０ａは、外方に殆ど露出しないようになる。

〔エッチング工程〕
次に、図４（ｄ）に示すように、レジスト層５０をマスクとして金属膜４０をエッチングする。金属膜４０のうち、金属膜４０ｂはレジスト層５０から露出しており、一方、金属膜４０ａはレジスト層５０に覆われている。従って、金属膜４０ｂはエッチングされるが、金属膜４０ａはエッチングされ難い。最終的には、金属膜４０ｂは、エッチング液に溶解して除去され、金属膜４０ａが残存する。

〔剥離工程〕
最後に、レジスト層５０を剥離する。これにより、図４（ｅ）に示すように、基板３２の複数の溝Ｇ１内に金属層４１（第２引き出し配線４９ａ）が形成される。

以上で説明したように、本実施形態によれば、基板３２の溝Ｇ１内に金属膜４０ａを形成し、溝Ｇ１内の金属膜４０ａ上にレジスト層５０を形成している。従って、溝Ｇ１内の金属膜４０ａはレジスト層５０で覆われている。そのため、隣り合う溝Ｇ１，Ｇ１間のオーバーコート層３４上の不要な金属膜４０ｂをエッチングする際に、溝Ｇ１内の金属膜４０ａはエッチングされ難い。

また、レジスト層５０の下方の角とオーバーコート層３４の上方の角との間に隙間があったとしても、溝Ｇ１内の金属膜４０ａは、オーバーコート層３４上の不要な金属膜４０ｂより深い位置にあるため、エッチング液が溝Ｇ１内の金属膜４０ａに到達する前に不要な金属膜４０ｂをエッチングして除去できる。そのため、このような場合にも溝Ｇ１内の金属膜４０ａはエッチングされ難い。

以上から、サイドエッチングを抑制できる。従って、断面形状が矩形に近く、目標配線幅に近い幅の金属層４１を形成できるため、金属層４１の抵抗値が上昇すること、及び、金属層４１の一部が欠落することを抑制できる。

また、金属層４１は溝Ｇ１に埋め込まれ、隣り合う金属層４１，４１間にオーバーコート層３４が介在しているので、エレクトロマイグレーションを抑制できる。従って、隣り合う金属層４１，４１の間隔が狭くなっても、隣り合う金属層４１，４１同士のショートを抑制できる。
このように、信頼性を確保した上で、金属パターンをより細線化できる。

従って、タッチパネルセンサ３０において、非アクティブエリアＡａ２の幅をより狭くすることができる。これにより、タッチパネルセンサ３０の面積を変更せずに、アクティブエリアＡａ１の面積を相対的に大きくすることができ、タッチ位置検出機能付き表示装置１０の表示性能を高めることができる。

なお、第１引き出し配線４４ａと第２引き出し配線４９ａの少なくとも一部が溝Ｇ１に埋め込まれた金属層４１から構成されていてもよい。この場合、第１引き出し配線４４ａが密集している部分において、第１引き出し配線４４ａは溝Ｇ１に埋め込まれた金属層４１から構成されていてもよい。第２引き出し配線４９ａについても同様である。

また、基材３３と、オーバーコート層３４及び金属膜４０ａとの間などに、追加の機能層が設けられていてもよい。

また、以上の説明では、溝Ｇ１に埋め込まれた金属層４１が第１及び第２引き出し配線４４ａ，４９ａとして用いられる一例について説明したが、これに限らない。例えば、第１及び第２検出パターン４２，４６が、網目状に配置された導線によって構成される場合、溝Ｇ１に埋め込まれた金属層４１が、第１及び第２検出パターン４２，４６を構成する導線として用いられてもよい。

さらに、金属パターン基板の一例としてタッチパネルセンサ３０について説明したが、これに限らない。金属パターン基板は、タッチパネルセンサ３０以外にも適用することができる。例えば、溝Ｇ１及び金属層４１を網目状に設け、半透明膜として機能する金属パターン基板を形成してもよい。この場合、本実施形態によれば、目標配線幅に近い幅の細線化した金属層４１を形成でき、金属層４１の一部が欠落することを抑制できる。従って、金属パターン基板の面内の位置によらず一様な幅の金属層４１を形成できるので、面内の位置によらず一様な透過率を得ることができる。このように、金属層４１は、電圧が印加される配線として用いられず、電圧が印加されない単なる金属パターンとして用いられてもよい。

（第２の実施形態）
第２の実施形態では、溝Ｇ１がオーバーコート層３４を貫通していない点において第１の実施形態と異なる。以下では、第１の実施形態との相違点を中心に説明する。

図５（ａ）〜（ｅ）は、第２の実施形態に係るタッチパネルセンサ３０の製造方法を説明する図である。図５（ａ）〜（ｅ）は、図４（ａ）〜（ｅ）に対応する。

〔溝形成工程〕
最初に、図５（ａ）に示すように、基板３２Ａの表面に所定パターンの複数の溝Ｇ１を形成する。具体的には、基板３２Ａのオーバーコート層３４Ａの表面に溝Ｇ１を形成する。即ち、溝Ｇ１と基材３３との間には、薄いオーバーコート層３４Ａが存在している。

オーバーコート層３４Ａに溝Ｇ１を形成する方法は特に限られないが、例えば、フォトリソグラフィ法を用いることが好ましい。本実施形態では、露光マスクとしてハーフトーンマスクなどの多階調マスクを用い、オーバーコート層用材料を露光する点において、第１の実施形態と異なる。これにより、溝Ｇ１が形成される領域と、溝Ｇ１が形成されない領域とにおいて露光量を異ならせることができる。そのため、現像により、図５（ａ）に示すように、溝Ｇ１と基材３３との間に薄いオーバーコート層３４Ａを残すようにして、オーバーコート層３４Ａの表面に溝Ｇ１が形成される。

以降の金属膜形成工程（図５（ｂ））、レジスト層形成工程（図５（ｃ））、エッチング工程（図５（ｄ））及び剥離工程は、第１の実施形態と同一である。これにより、図５（ｅ）に示すように、基板３２Ａの複数の溝Ｇ１内に金属層４１が形成される。金属層４１と基材３３との間には、薄いオーバーコート層３４Ａが介在している。

このような構成により、本実施形態によれば、金属層４１と基材３３との密着性を第１の実施形態よりも向上できる。また、第１の実施形態と同様の効果も得られる。

なお、製造コストについては、ハーフトーンマスクを用いない第１の実施形態の方が第２の実施形態より低い。

（第３の実施形態）
第３の実施形態は、型転写によって溝Ｇ１を形成する。以下では、第１の実施形態との相違点を中心に説明する。

図６（ａ）〜（ｅ）は、第３の実施形態に係るタッチパネルセンサ３０の製造方法を説明する図である。図６（ａ）〜（ｅ）は、図４（ａ）〜（ｅ）に対応する。

〔溝形成工程〕
基板３２Ｂは、例えば樹脂等で構成され、可塑性を有する。基板３２Ｂは、フィルムの形態であってもよい。まず、図６（ａ）に示すように、基板３２Ｂの表面に、形成されるべき溝Ｇ１のパターンに対応した凹凸パターンを有するモールド（型）６０を押し当てる。これにより、基板３２Ｂの表面形状は、モールド６０の凹凸パターンに対応したものになる。基板３２Ｂが樹脂で構成されている場合、モールド６０を押し当てる前に基板３２Ｂを加熱して軟化させておく。

次に、基板３２Ｂからモールド６０を取り外す。これにより、基板３２Ｂの表面に所定パターンの複数の溝Ｇ１が形成される。

モールド６０の材料としては、例えば、石英ガラスなどのガラス、又は、タンタルなどの金属を挙げることができる。

以降の金属膜形成工程（図６（ｂ））、レジスト層形成工程（図６（ｃ））、エッチング工程（図６（ｄ））及び剥離工程は、第１の実施形態と同一である。但し、金属膜形成工程に先立ち、基板３２Ｂの溝Ｇ１が形成されていない面に、ガラスキャリア７０を貼り付けておくことが好ましい。これにより、基板３２Ｂがフィルムの形態であって、柔軟性を有していても、金属膜形成工程、レジスト層形成工程及びエッチング工程を容易に実行することができる。ガラスキャリア７０は、剥離工程において除去する。

これにより、図６（ｅ）に示すように、基板３２Ｂの複数の溝Ｇ１内に金属層４１が形成される。

従って、本実施形態においても、第１の実施形態の効果が得られる。但し、本実施形態では、複数の基板３２Ｂを形成するために溝形成工程を複数回繰り返した後、基板３２Ｂの樹脂がモールド６０に付着する可能性があるため、モールド６０を新たなものに交換する必要がある。また、溝形成工程において、基板３２Ｂからモールド６０を取り外す工程も必要になる。そのため、本実施形態では、第１の実施形態と比較して製造コストが増加する可能性がある。

［モールドの作製方法］
モールド６０の作製方法は、特に限られないが、以下に一例を説明する。
図７（ａ）〜（ｄ）は、モールド６０の作製方法を説明する図である。まず、図７（ａ）に示すように、ガラス基板６１上にアクリル樹脂を塗布して、アクリル樹脂層６２を形成する。アクリル樹脂としては、例えば、ＰＭＭＡ樹脂を用いることができる。

次に、図７（ｂ）に示すように、アクリル樹脂層６２を加熱して軟化させた後、マスターモールド８０をアクリル樹脂層６２に押し当てる。マスターモールド８０は、例えば、石英ガラスなどのガラスから構成されてもよい。

これにより、図７（ｃ）に示すように、マスターモールド８０の凹凸パターンがアクリル樹脂層６２に転写される。その後、アクリル樹脂層６２を冷却して固化させ、マスターモールド８０を取り外す。

次に、図７（ｄ）に示すように、アクリル樹脂層６２をマスクとして、ガラス基板６１をエッチングする。これにより、マスターモールド８０の凹凸パターンに応じた凹凸パターンがガラス基板６１に形成される。最後に、アクリル樹脂層６２を除去することにより、モールド６０を得ることができる。

［マスターモールドの作製方法］
マスターモールド８０の作製方法も、特に限られないが、以下に一例を説明する。

図８（ａ）〜（ｇ）は、マスターモールド８０の作製方法を説明する図である。まず、図８（ａ）に示すように、ガラス基板８１上に樹脂層８２を形成し、樹脂層８２上に電子線レジスト層８３を形成する。

次に、図８（ｂ）に示すように、電子線レジスト層８３に対して電子ビームを照射して、電子線レジスト層８３を所定のパターンに加工する。これにより、光を用いたフォトリソグラフィ法よりも微細なパターンを形成することができる。

次に、図８（ｃ）に示すように、パターニングされた電子線レジスト層８３をマスクとして樹脂層８２をエッチングする。

次に、図８（ｄ）に示すように、電子線レジスト層８３の上方からクロム等をめっきすることにより、金属層８４を形成する。金属層８４は、電子線レジスト層８３上と、露出していたガラス基板８１の表面とに形成される。

次に、図８（ｅ）に示すように、樹脂層８２を溶かすことにより、樹脂層８２と、電子線レジスト８３と、電子線レジスト層８３上の金属層８４と、を除去する（リフトオフ）。これにより、ガラス基板８１の表面上の金属層８４が残存する。

次に、図８（ｆ）に示すように、金属層８４をマスクとしてガラス基板８１をエッチングする。

最後に、図８（ｇ）に示すように、金属層８４を除去して、マスターモールド８０を得る。

なお、本実施形態の型転写に代えて、例えば、エキシマレーザー等のレーザーを基板３２Ｂの表面に照射することにより、レーザーが照射された部分を溶解させて、溝Ｇ１を形成するようにしてもよい。

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

１０ タッチ位置検出機能付き表示装置
１５ 表示装置
Ａ１ アクティブエリア
Ａ２ 非アクティブエリア（額縁領域）
３０ タッチパネルセンサ（金属パターン基板）
３２，３２Ａ，３２Ｂ 基板
３３ 基材
３４，３４Ａ オーバーコート層
Ｇ１ 溝
４０，４０ａ，４０ｂ 金属膜
４１ 金属層
４２ 第１検出パターン（検出パターン）
４４ａ 第１引き出し配線（金属層）
４４ｂ 第１端子部
４６ 第２検出パターン（検出パターン）
４９ａ 第２引き出し配線（金属層）
４９ｂ 第２端子部
５０ レジスト層
６０ モールド（型）
７０ ガラスキャリア
８０ マスターモールド

Claims (11)

1. 基板の表面に所定パターンの複数の溝を形成する溝形成工程と、
   前記溝内と、隣り合う溝間の前記基板上とに金属膜を形成する金属膜形成工程と、
   前記溝内に形成された前記金属膜上にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
   前記レジスト層をマスクとして前記金属膜をエッチングするエッチング工程と、
   前記レジスト層を剥離する剥離工程と、
   を備える、金属パターン基板の製造方法。
2. 前記金属膜形成工程において、前記金属膜の厚みが前記溝の深さより小さくなるように前記金属膜を形成する、請求項１に記載の金属パターン基板の製造方法。
3. 前記溝形成工程は、
   基材上にオーバーコート層を形成して前記基板を得る工程と、
   前記オーバーコート層に前記溝を形成する工程と、
   を有する、請求項１又は請求項２に記載の金属パターン基板の製造方法。
4. 前記溝形成工程において、前記オーバーコート層を貫通して前記基材に達する前記溝を形成する、請求項３に記載の金属パターン基板。
5. 前記基板は可塑性を有し、
   前記溝形成工程は、
   前記基板の表面に、前記所定パターンに対応した凹凸パターンを有する型を押し当てる工程と、
   前記基板から前記型を取り外す工程と、
   を有する、請求項１又は請求項２に記載の金属パターン基板の製造方法。
6. 表面に所定パターンの複数の溝を有する基板と、
   前記溝に埋め込まれた金属層と、
   を備える金属パターン基板。
7. 前記金属層の厚みは、前記溝の深さより小さい、請求項６に記載の金属パターン基板。
8. 前記基板は、
   基材と、
   前記基材上に設けられ、表面に前記溝を有するオーバーコート層と、
   を有する、請求項６又は請求項７に記載の金属パターン基板。
9. 前記溝は、前記オーバーコート層を貫通して前記基材に達している、請求項８に記載の金属パターン基板。
10. 表示装置と、
    前記表示装置の表示面側に配置されたタッチパネルセンサと、を備え、
    前記タッチパネルセンサは、
    表面に所定パターンの溝を有する基板と、
    前記溝に埋め込まれた金属層と、
    を有する、タッチ位置検出機能付き表示装置。
11. 前記タッチパネルセンサは、前記基板上のアクティブエリアに設けられた検出パターンを有し、
    前記溝及び前記金属層は、前記アクティブエリアの周辺に位置する非アクティブエリアに設けられ、
    前記金属層は、前記検出パターンに接続され、引き出し配線として機能する、請求項１０に記載のタッチ位置検出機能付き表示装置。

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