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TWI397779B - 降低波前像差之方法及電腦程式產品 - Google Patents

降低波前像差之方法及電腦程式產品 Download PDF

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TWI397779B
TWI397779B TW096122345A TW96122345A TWI397779B TW I397779 B TWI397779 B TW I397779B TW 096122345 A TW096122345 A TW 096122345A TW 96122345 A TW96122345 A TW 96122345A TW I397779 B TWI397779 B TW I397779B
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pupil
wavefront aberration
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aberration
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TW096122345A
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TW200807183A (en
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Wim Tjibbo Tel
Freerk Adriaan Stoffels
Laurentius Catrinus Jorritsma
Tammo Uitterdijk
Klerk Johannes Wilhelmus De
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Asml Netherlands Bv
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Publication date
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Description

降低波前像差之方法及電腦程式產品
本發明係關於一種降低橫越一微影裝置之一投影系統的光波之波前像差之方法，以及一種包括用以控制一微影裝置以執行一器件製造方法的程式碼之電腦程式產品。
一種微影裝置係將一所需圖案應用於一基板上(通常於該基板之一目標部分上)的機器。一微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)的製造。在此情況下，另外稱為光罩或標線片的圖案化器件可用以產生欲形成於IC之個別層上的電路圖案。可以將此圖案傳輸至一基板(例如矽晶圓)上的一目標部分(例如包括一或若干晶粒之部分)上。該微影裝置包括用以照明該光罩的一照明系統以及用以經由成像將該圖案傳輸至提供於該基板上之一輻射敏感材料(光阻)層上的一投影系統(亦稱為投影透鏡)。一般而言，一單一基板將包含連續加以圖案化的鄰近目標部分之一網路。
已知的微影裝置包含所謂的步進機或步進與重複裝置，以及所謂的掃描器或步進與掃描裝置。在一步進機中，藉由每次將整個圖案曝露於每一個目標部分上而照射該目標部分，並且移動晶圓達預定量至下一位置以進行下一次曝光。在一掃描器中，每一個目標部分係藉由下列方式加以照射：透過一輻射束在一給定方向("掃描"方向)上掃描該圖案，而在平行或反平行於此方向上同步掃描該基板，並且將晶圓移動至下一位置以進行下一次曝光。
在用以製造IC器件之光學微影術的實務中，不斷需要根據輸出(即每單位時間可加以曝露的晶圓之數目)而增強微影投影裝置性能。輸出係直接與藉由與照明系統耦合之輻射源所提供的輻射之功率成比例。
隨著功率的增加，橫越投影透鏡的輻射藉由光學元件之材料或光學元件上的塗層之任何剩餘吸收亦在變得更大。透過投影透鏡傳播的輻射束會引起光學元件之局部、一般非均勻加熱。此一加熱可能會引起投影透鏡元件之熱變形，並因此引起光波像差誤差。
波像差係通常視為由加權、基本波像差成分的總和組成，該基本波像差成分集係一空間相位分佈集，其藉由採用垂直於投影透鏡之一光軸之一平面中的投影透鏡之光瞳座標所表達的對應標準化、正交多項式集加以說明。
用以補償或部分地補償波像差變化之傳統方法包含從投影透鏡之光學元件(透鏡、透鏡群組)之標稱位置及標稱方位應用較小的位移，或應用透鏡元件形狀之較小變形。另外，一投影透鏡係裝配以有限數目的透鏡操縱器。透鏡操縱器係與一控制器連接以計算並應用操縱器設定以及操縱器設定變化。可以使用操縱器設定降低與投影透鏡之光軸旋轉對稱的波像差誤差或較低級波像差誤差(例如，藉由光瞳座標中的第二級之多項式所說明)。然而，在出現較高級波像差誤差的情況下，採用傳統技術所獲得的補償結果並不令人滿意。無法校正的較高級波像差誤差保持出現在基板附近或其中的成像輻射束中。此一剩餘波像差係潛在的圖案影像以及處理的列印圖案之誤差的來源。例如，特徵尺寸誤差以及圖案不對稱誤差可能會出現。
本發明之一目的係降低一微影裝置之一投影系統的光波像差之效應，且特定言之，係關於減輕由較高級波像差誤差之出現引起的圖案誤差之問題。
依據本發明之一方面，提供一種降低橫越一微影裝置之一投影系統的一光波之一波前像差之方法，該裝置經構造及配置用以將一基板上的一輻射敏感層曝露於一圖案之一影像。該方法包括獲得關於該波前像差的資訊；計算該投影系統之至少一個光學元件的至少一個調整以降低該波前像差；將該計算的至少一個調整應用於該投影系統，因而該計算包含獲得關於如在曝露該輻射敏感層期間出現的該投影系統之一光瞳中以依據強度分佈的複數個強度值之形式的輻射強度之空間分佈的資訊；選擇強度分佈之最大強度與零之間之一範圍內的一臨界強度；界定該光瞳中的區域，在該等區域內一局部強度係高於該臨界強度；以及將該降低限於對應於該光瞳中的該等區域之波前的區域。
依據本發明之另一方面，提供一種包括用以控制一微影裝置以執行一器件製造方法的程式碼之電腦程式產品，該方法包括獲得關於該波前像差的資訊；計算該微影裝置之一投影系統之至少一個光學元件的至少一個調整，以及降低該波前像差；將該計算的至少一個調整應用於該投影系統，因而該計算包含：獲得關於如在曝露提供於一基板上的一輻射敏感層期間出現的該投影系統之一光瞳中的輻射強度之一空間分佈的資訊；選擇強度分佈之最大強度與零之間之一範圍內的一臨界強度；界定該光瞳中的區域，在該等區域內一局部強度係高於該臨界強度；以及將該降低限於對應於該光瞳中的該等區域之波前的區域。
依據本發明之一第一具體實施例，降低波前像差之方法係用於在一投影系統用以執行一微影曝光程序時減輕該投影系統內的局部透鏡加熱之效應。一IC層之特徵的一圖案包含圖1中解說的一產品結構100，其具有臨界尺度CD之稠密線及空間110。圖案100係具體化為玻璃上鉻圖案，並且線110及120係在光罩上沿微影裝置之x方向對準。產品結構100進一步包含亦沿x方向對準的二條線120且具有大於CD的寬度，以及沿y方向之類似非臨界尺寸的隔離線130。
如圖2所解說，y雙極照明模式200係用以照明光罩MA上的圖案100。二個輻射束210係從佈置在配置成照明圖案100的一照明系統IL之光瞳PUIL 中二個個別區域220發出。"極"220係佈置在平行於y方向的一軸上，而且在關於該照明系統之光軸230的相對位置處。
光束210係在橫越光罩圖案100之後繞射，並且圖3示意性地描述如出現在該裝置之一投影透鏡PS之光瞳PUPS 中的輻射強度之最終空間分佈I(r,θ)。座標r,θ係垂直於該投影透鏡之一光軸320(圖3中平行於Z軸)之一平面中的極座標，並且關於光軸而處於中心。或者，可採用笛卡兒光瞳座標xp ,yp 表達強度I之空間分佈：I＝I(xp ,yp )。在圖3中，沿z 軸繪製強度I之值。
可以使用商用微影程序模擬軟體來預測如在執行基板W上的一光阻層之曝光時出現的強度分佈I。結合產品結構100中的輻射之繞射的本雙極照明模式200產生投影透鏡之光瞳中的空間強度分佈I(r,θ)，其係成形為具有對應於圖案100之夫朗和裴(Fraunhofer)繞射影像的一強度圖案之一雙極照明光瞳強度分佈的捲積。
或者，可以使用如美國專利US 6,710,856中揭示的偵測模組及偵測方法測量該投影透鏡光瞳中的強度分佈I。
對於佈置在投影透鏡光瞳平面之鄰近者中的一透鏡元件300而言，投影束輻射藉由區域310中的透鏡之材料的剩餘吸收會引起該透鏡元件之熱變形。因此，關於標稱波前的波前像差可能會出現在圖4中的空間400中，其中提供光罩圖案100之影像形成，並且此一波前像差係由自光瞳PUPS 附近之一區域中的一標稱光波前WF之一光波前WF'(後者依據製造規格及公差)的對應波前像差△W所代表，如圖4所解說。在本具體實施例中，波前像差△W可能係由於圖案100之重複曝光而起，並且可達到一熱穩定狀態。像差可加以表達為輻射波長之一分數，並因此對應於波前WF'與標稱波前WF之間的相位差。在該投影透鏡之光瞳平面中，相位差△W係光瞳座標(r,θ)或光瞳座標(xp ,yp )之空間變化函數。
應瞭解，在本發明之本具體實施例中，可以使用(例如)剪切干涉計像差測量系統測量波前像差△W。像差測量系統係示意性地指示在圖4中且包含一來源模組SM，其可定位在處於標線片之位準的光束路徑中以調節輻射。來源模組SM經構造並配置用以均勻地照射投影透鏡光瞳PUPS 。從該來源模組發出的輻射橫越投影系統PS並接著入射在處於晶圓位準或佈置在微影裝置之晶圓台中的波前感測器單元SU上。感測器單元SU包含用於輻射強度測量的一偵測器(單一偵測器或多個偵測器之陣列)，因而由於剪切波前之間的干涉，所以一偵測的強度值係與一波前像差值相關。藉由執行連續的強度測量，在來源模組SM關於感測器單元SU的輕微位移情況下，調變偵測的輻射強度並且可以獲得代表一波前像差之一空間分佈(與光瞳座標成函數關係)的測量資料。接著將對應像差值△W(r,θ)儲存在一儲存媒體中，該媒體係配置用於計算透鏡元件之調整以降低波前像差以及隨後應用計算的調整。可從美國專利申請公告案2002/0001088收集剪切干涉計測量系統之細節。
可由加權多項式Pi (r,θ)的總和模擬波前像差△W(r,θ)。每一個多項Pi (其中i＝1、...、L)對總波前像差的貢獻係由係數Zi 所加權。係數Zi 係投影透鏡之數值孔徑NA以及指基板表面上的一場域或目標部分中的一位置X'之座標x',y'的函數，並且在光學上共軛至具有處於標線片位準的座標x,y之點X，如圖4所解說。因此，波前像差△W(r,θ)可寫為：
係數Zi 係稱為像差係數。多項式Pi 係一般視為任尼克(Zernike)多項式，其在圓形區域上係正交的。預選擇整數L決定用於近似值的多項式之數目，並因此決定其精確度。通常而言，近似值等式(1)包含前37個任尼克多項式。
表現投影系統特徵的像差係數Zi 可(例如)由於透鏡加熱而取決於時間t。時間相依像差係數之值Zi (x，y；NA；t)可使用上述剪切干涉測量系統加以測量，或可根據用以預測由於曝光期間輻射之吸收而引起的對係數Zi 之影響的一模型而加以估計。
以傳統方式降低一波前像差△W包含應用投影系統PS之光學元件(例如圖3中的透鏡元件300以及圖3中未顯示的其他透鏡元件)的一或多個調整。在本文及申請專利範圍中，光學元件或透鏡元件指在使用中由貢獻處於晶圓位準的影像形成之輻射所橫越的投影透鏡之元件。此類元件可以係(例如)透鏡、繞射元件、液體層、反射鏡、偏光元件、濾光片或任何其他光束成形器件。該投影透鏡係裝配以有限數目的透鏡操縱器Mj (其中j＝1...J)，以在一或多個尺度中移動一或多個透鏡或透鏡群組，或(例如)將變形應用於一或多個透鏡或反射鏡。透鏡操縱器係與一控制器連接，該控制器經構造及配置用以計算並應用操縱器設定Sj 以及設定變化△Sj ，其在以下亦稱為"調整"。設定Sj 以及設定變化△Sj 之計算可基於像差之測量或所需要的透鏡位置之前饋預測以及基於一控制模型的方位調整。
設定△Sj 之一變化可以係包含調整集{△Sj,k }的設定之多尺度變化(其中k＝1、2、...K)，其依據編號為"j"的K自由度之調整。該等調整可以包含(例如)位置調整，例如沿圖3及4中的光軸320的位移、或沿x及y軸的位移、或此類位移的組合。另外或此外，調整可包含透鏡元件以一或多度的旋轉自由度的旋轉移動。其他類型的調整可經配置用以改變投影系統之光學元件的實體特性，其影響橫越元件的波前之相位。
一投影系統之實際原處波前像差取決於設定Sj 之值。為簡單起見，假定標稱設定Sj 之值係零，則由於操縱器設定之變化而引起的像差係數△Zi 之變化可以在第一近似值中寫為： 其中，係數Ca；i,j,k 係表達一像差對一調整△Sj,k 的敏感度之敏感度係數：
應瞭解，敏感度係數Ca；i,j,k 可從像差測量獲得，並且依據等式(1)的模型與測量的像差之適配在應用已知調整集之後發生變化。可以從美國專利申請公告案US 2003/0071986收集用以獲得敏感度係數的此一程序之另外的細節。
降低波前像差△W之傳統方法包含最小化一象徵性格柵PG之點xPG, yPG 處的像差△W之均方根(RMS)值，該格柵覆蓋投影系統光瞳PUPS 的整個通光孔徑，並且與覆蓋處於光罩位準的照明場域之一象徵性格柵FG(圖中未顯示)上的預選擇物件點集(處於光罩位準)相關。圖5示意性地指示覆蓋投影系統光瞳PUPS 之通光孔徑的格柵PG之佈局。將像差△W之對應RMS值指示為RMS(△W、PG、FG)。
藉由用Zi －△Zi 替代等式(1)中的Zi 而獲得波前像差對調整的相依性： 並且用等式(2)替代△Zi 。接著，使用測量(或另外獲得)的波前像差資料(例如任尼克像差係數之值)而應用最小平方適配以解答調整△Sj,k 之需要的值，其最小化RMS(△W、PG、FG)。
圖6解說用於本具體實施例的此一傳統波前像差降低之結果，其中使用雙極照明模式200使圖案100成像。描述以nm表達的均等像差之輪廓線並且亦顯示對應灰色調影像。由於雙極照明模式200之使用，透鏡加熱出現在投影透鏡元件(例如佈置在光瞳PUPS 附近的透鏡元件300)之類似雙極區域中。使用有限數目的可用透鏡操縱器，可以僅部分地補償一最終波前像差。不管最佳選擇的透鏡操縱器設定，一剩餘鞍形波前像差分佈均保持出現。如圖6所示，沿投影透鏡光瞳PUPS 中的y軸，剩餘波前像差在中心(yp ＝0)處具有一正峰值並且在光瞳之邊緣處減小至一負相位誤差值(藉由利用輻射波長標準化輪廓線值而獲得)；然而沿x軸，波前像差之值在中心(xp ＝0)處具有一最小值並且朝光瞳之邊緣增加。將進一步降低其餘鞍形波前誤差。
依據本發明，儲存代表格柵PG上的空間強度分佈I(xPG ,yPG )之資料並且將局部強度與用於每一個格柵點xPG ,yPG 的預選擇臨界強度比較。從強度資料識別最大強度Imax ，並且從由(例如)最大強度的二分之一(0.5 Imax )以及等於最大強度的十分之一(0.1 Imax )之一強度所界定的一範圍內選擇一臨界強度IT ，該範圍係用於本方法的適當範圍。隨後，僅其中強度I>IT 的格柵點得以保留以用於波前像差△W之RMS值的最小方平適配最小化。
由減小的格柵點集(因而I>IT )組成的格柵係由RPG表示，且由圖7中的點(xRPG ,yRPG )示意性地加以指示。區域710及720係投影透鏡光瞳PUPS 中的區域，其中滿足強度關係I>IT 。透過佈置在光瞳通光孔徑之邊緣處的雙極狀區域710之出現，可以看見對圖案100之離軸雙極照明200的強度分佈I(xp ,yp )之形狀的效應，然而區域720對於半稠密及隔離式結構(例如圖案100之線120及130)的出現之影響係典型的。
在本發明之本具體實施例中，降低波前像差△W包含最小化如就出現在格柵RPG之有限格柵點(xRPG ,yRPG )集中的波前像差△W(r,θ)之RMS值。此有限集僅覆蓋投影系統光瞳PUPS 之圖7中的區域710及720。此外，RMS值包含用於覆蓋處於光罩位準的照明場域之一象徵性格柵FG上的預選擇物件點集(處於光罩位準)之此等波前像差。以下由RMS(△W、RPG、FG)表示對應RMS值。
圖8示意性地指示，在應用依據本發明的降低像差之方法之前，透過灰色調之變化，對應於該光瞳中的個別區域710及720的波前之區域710'及720'中的空間變化波前像差△W之出現。該波前像差對應於圖6中描述的像差，並且可由如以上說明的像差測量加以獲得。應瞭解波前像差之剪切干涉測量係基於使用像素影像偵測器(例如CCD偵測器之矩形陣列)來捕獲投影透鏡光瞳PUPS 之一影像中的干涉條紋之一圖案。該偵測器之每一個像素係與該光瞳PUPS 中的一對應位置相關聯，因此可以輕易地識別對應於該光瞳中的個別區域710及720的波前之區域710'及720'。
接著，藉由專門使用與格柵RGP之減小的格柵點集(xRPG ,yRPG )相關的測量(或另外獲得)波前像差資料而應用傳統最小平方適配演算法來最小化RMS值RMS(△W、RPG、FG)。以任尼克像差係數之值、不同於任尼克多項式的係數加權正交多項式之值、以及點xRPG ,yRPG 處的△W之"直接"值(即在未使用基於多項式中的展開之模型情況下獲得的值)的形式，可提供測量或另外獲得的波前像差資料。最小平方適配演算法提供若干等式，其可進行解答以獲得調整△Sj,k 之需要的值，該等值最小化RMS(△W、RPG、FG)。圖9解說用於本具體實施例的此一波前像差降低之結果。實質上缺少選擇光瞳區域中的灰色調之變化。因此，在實質上貢獻處於晶圓位準的局部影像形成的波前之區域710'及720'中降低鞍形像差分佈之貢獻。為獲得本結果，只需要進一步改變獲得光瞳PUPS (參見圖6)的整個通光孔徑之最佳像差校正所需要的任尼克像差係數Z4 、Z9 及Z16 之值。藉由將可用的透鏡操縱器自由度用於透鏡元件調整，可以輕易地提供與Z9 及Z16 (球面像差)相關聯的較高級像差。
本具體實施例之一優點係，對最小平方適配之格柵RPG之格柵點的限制實質上減小在最小平方適配演算法中出現的矩陣之尺寸以及最小平方適配所需要的計算量與計算時間。此一實質減小使生產環境中的透鏡元件設定能得以相對較快地原處最佳化。波像差降低對選擇區域的限制之另一優點係，在整個光瞳上保持無法校正的較高級像差(參見圖6)現在可於受限光瞳上加以校正並降低至實質較佳(較低)的大小位準。微影程序可獲得熱感應剩餘RMS波前誤差之降低達係數2，因而使用雙極照明模式。本方法(其中具有最高強度的透鏡光瞳之僅部分中的波像差得以降低)在由產品結構所圖案化標線片區域之相對較大部分時尤其有利，該等結構包含有CD尺寸的特徵或無法校正的較高級波像差誤差係超出對應潛在特徵影像或列印特徵之公差的誤差之來源的特徵。
應瞭解本發明特定解決與對增加輸出(且因此，用於曝光的輻射之較高功率)之要求關聯的傳統解析度增強技術相關聯的問題。用於成像並列印包含有CD尺寸的稠密特徵之圖案的傳統解析度增強技術一般包含使用離軸多極照明模式以照明標線片圖案。此一照明模式的特徵係照明系統之光瞳中的複數個分離、離軸明亮區域。與光罩圖案上的輻射之繞射組合的多極離軸照明通常在投影透鏡之光瞳中產生一空間強度分佈，其在空間上得以調變，因而相對較高輻射強度之複數個分離區域會出現。解析度增強技術不僅涉及COG圖案之成像，而且涉及與軸上照明或多極離軸照明組合的圖案化相移光罩之使用。在任一情況下，投影透鏡光瞳中的強調變強度輪廓均會出現，從而引起由成像輻射橫越且在一或多個曝光期間得到感應之投影透鏡元件中的類似空間調變透鏡溫度分佈。如以上詳細解釋，此一調變溫度分佈引起超出公差的光波像差誤差。因此，印列的圖案誤差亦可能在某一情形下超出公差，因而透鏡光瞳強度分佈的特徵為包含輻射通量之離軸明亮"極"的非均勻強度分佈。因此，本發明之本具體實施例之方法提供對如隨傳統高輸出、增強解析度微影程序出現的列印圖案誤差之改良控制。
圖10示意性地描述依據本發明之該具體實施例的一微影裝置。該裝置包括：－一照明系統(照明器)IL，其經組態用以調節一輻射束B(例如UV輻射、或由以248或193 nm之波長操作的準分子雷射所產生的DUV輻射、或由以13.6 nm操作的雷射點火電漿源所提供的EUV輻射)；－一支撐結構(例如光罩台)MT，其經構造用以支撐一圖案化器件(例如光罩)MA且與一第一定位器PM連接，該定位器經組態用以依據某些參數精確地定位該圖案化器件；－一基板台(例如晶圓台)WT，其經構造用以固持一基板(例如光阻塗布晶圓)W且與一第二定位器PW連接，該第二定位器經組態用以依據某些參數精確地定位該基板；以及－一投影系統(例如折射投影透鏡系統)PS，其經組態用以將由圖案化器件MA給予輻射束B的一圖案投影於基板W之一目標部分C(例如包括一或多個晶粒)上。
該照明系統可包含各種類型的光學組件，例如用以引導、成形或控制輻射的折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型的光學組件，或其任何組合。
該支撐結構支撐(即承載)該圖案化器件之重量。其以取決於該圖案化器件之方位、該微影裝置之設計以及其他條件(例如是否將該圖案化器件固持在真空環境中)的方式來固持該圖案化器件。該支撐結構可以使用機械、真空、靜電或其他夾緊技術來固持該圖案化器件。該支撐結構可以係一框架或台，例如其可按需要而固定或移動。該支撐結構可確保該圖案化器件係處於一所需位置，例如關於該投影系統的所需位置。本文中術語"標線片"或"光罩"之任何使用均可視為與更一般的術語"圖案化器件"同義。
本文中使用的術語"圖案化器件"應在廣義上解釋為指可用以給予一輻射束其斷面中的一圖案以便在該基板之一目標部分中建立一圖案之任何器件。應注意，給予該輻射束的圖案可能不會準確地對應於該基板之目標部分中的所需圖案，例如在該圖案包含相移特徵或所謂的輔助特徵情況下。一般而言，給予該輻射束的圖案將對應於建立在目標部分中的一器件之一特定功能層，例如一積體電路。
該圖案化器件可以係透射或反射的。圖案化器件之範例包含光罩、可程式化反射鏡陣列以及可程式化LCD面板。光罩在微影術中已為人熟知，且包含光罩類型，例如二進制、交替相移及衰減相移，以及各種混合光罩類型。一可程式化反射鏡陣列之一範例使用較小反射鏡之一矩陣配置，該等反射鏡之每一個可以個別傾斜以便在不同方向上反射一入射輻射束。傾斜的反射鏡給予一圖案一輻射束，其係由該反射鏡矩陣所反射。
本文中使用的術語"投影系統"應在廣義上解釋為包含任何類型的投影系統，包含折射、反射、折反射、磁性、電磁以及靜電光學系統，或其任何組合，其可適當地用於所使用的曝光輻射，或用於其他因素，例如浸漬液體之使用或真空之使用。本文中的術語"投影透鏡"之任何使用可視為與更一般的術語"投影系統"同義。
如本文所描述，該裝置係一透射類型(例如使用透射光罩)。或者，該裝置可以係一反射類型(例如使用如以上所參考的一類型之一可程式化反射鏡陣列，或使用一反射光罩)。
該微影裝置可以係具有二(雙級)或更多個基板台(及/或二或更多個光罩台)的一類型。在此類"多級"機器中，可並聯使用額外台，或可在一或多個台上實行預備步驟而將一或多個其他台用於曝光。
該微影裝置亦可以係下列類型：其中可由具有相對高折射率的液體(例如水)覆蓋該基板之至少一部分以便填充該投影系統與該基板之間的一空間。浸漬技術在該技術中已為人所熟知，其用以增加投影系統之數值孔徑。如本文中使用的術語"浸漬"並非意味著一結構(例如一基板)必須加以浸沒在一液體中，而僅意味著液體係在曝光期間定位在該投影系統與該基板之間。
參考圖10，照明器IL從一輻射源SO接收一輻射束。該來源以及該微影裝置可以係分離的實體，例如在該來源係一準分子雷射的情況下。在此類情況下，該來源並非視為形成該微影裝置之部分並且該輻射束係借助於包括(例如)適當引導反射鏡及/或光束擴張器之一光束遞送系統BD而從來源SO傳送至照明器IL。在其他情況下，該來源可以係該微影裝置之一整體部分，例如在該來源係一水銀燈的情況下。來源SO以及照明器IL與光束遞送系統BD(若需要)一起可稱為一輻射系統。
照明器IL可包括一調整器AD，其用以調整輻射束之角強度分佈。一般而言，可以調整該照明器之一光瞳平面中的強度分佈之至少外部及/或內部徑向範圍(分別統稱為σ－外部及σ－內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，例如一積分器IN及一聚光器CO。該照明器可用以調節該輻射束，以具有其斷面上的一所需均勻度及強度分佈。
輻射束B係入射在固持於該支撐結構(例如光罩台MT)上的該圖案化器件(例如光罩MA)上，且由圖案化器件所圖案化。橫越光罩MA之後，輻射束B穿過投影系統PS，其將該光束聚焦於基板W之一目標部分C上。借助於第二定位器PW以及位置感測器IF(例如一干涉器件、線性編碼器或電容感測器)，基板台WT可加以準確地移動(例如)以便將不同目標部分C定位在輻射束B之路徑中。同樣地，第一定位器PM以及另一位置感測器(其並未在圖10中加以明確描述)可用以關於輻射束B之路徑而準確地固定光罩MA，例如在從一光罩庫機械地取回之後，或在一掃描期間。一般而言，可借助於形成第一定位器PM之部分的一長衝程模組(粗略定位)及一短衝程模組(精細定位)而實現光罩台MT之移動。同樣地，可使用形成第二定位器PW之部分的一長衝程模組及一短衝程模組而實現基板台WT之移動。在步進機(與掃描器相反)情況下，光罩台MT可僅與一短衝程致動器連接，或可加以固定。可使用光罩對準標記M1、M2以及基板對準標記P1、P2而對準光罩MA以及基板W。儘管所解說的該等基板對準標記佔用專門的目標部分，但是其可加以定位在目標部分之間的空間中(此等標記係瞭解為劃線通道對準標記)。同樣地，於在光罩MA上提供多個晶粒的情形下，可將該等光罩對準標記定位在該等晶粒之間。
所描述的裝置可用於下列模式之至少一個：1.在步進模式中，將光罩台MT及基板台WT保持為本質上固定，而每次將給予該輻射束的整個圖案投影於一目標部分C上(即單一靜態曝光)。接著在X及/或Y方向上偏移基板台WT係以便可以曝露一不同目標部分C。在步進模式中，曝光場域之最大尺寸限制在單一靜態曝光中成像的目標部分C之尺寸。
2.在掃描模式中，同步掃描光罩台MT以及基板台WT，而將給予該輻射束的一圖案投影於一目標部分C上(即單一動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大(縮小)及影像反轉特徵而決定基板台WT相對於光罩台MT的速度及方向。在掃描模式中，曝光場域之最大尺寸於單一動態曝光中限制該目標部分之寬度(在非掃描方向上)，然而掃描運動之長度決定該目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，將光罩台MT保持為本質上固定，從而固持一可程式化圖案化器件，並且移動或掃描基板台WT，而將給予該輻射束的一圖案投影於一目標部分C上。在此模式中，一般而言，使用一脈衝式輻射源，並且在每次移動基板台WT之後或在一掃描期間的連續輻射脈衝之間按需要更新該可程式化圖案化器件。可將此操作模式輕易地應用於利用可程式化圖案化器件的無光罩微影術，例如如以上所參考的一類型之一可程式化反射鏡陣列。
亦可使用以上說明的使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
依據本發明之微影裝置包含如圖4所解說的一來源模組SM及一感測器單元SU，其經構造及配置用以執行干涉波前像差測量。來源模組SM可以係用以支撐圖案的該支撐結構之部分。或者，一光罩可具有一來源模組SM。基板台WT之一基點可加以具體化為感測器單元SU之部分或可包含一感測器單元SU。應瞭解本發明之方法並不限於具體實施例，因而該微影裝置包含一像差測量系統或一干涉像差測量系統。另外可依靠其他已知的空間分辨像差測量系統(例如基於哈特曼(Hartman)測試或包含在一光罩圖案中的專用測試結構之影像分析的系統)獲得關於波前像差的資訊。替代性系統不必係基於波前像差之干涉測量，該等系統亦不必係該微影裝置之部分。像差資料可與運行該程序分離而加以測量或預測(使用傳統模擬程式)，並且可加以儲存在一儲存媒體中以用於本方法。
依據本發明之第二方面，提供一種電腦程式產品，其包括用以控制一微影裝置以執行一器件製造方法的程式碼，該方法包括獲得關於波前像差△W的資訊；計算投影系統PS之至少一個光學元件的至少一個調整△Sj,k 以降低波前像差△W；將該計算的至少一個調整應用於該投影系統，因而該計算包含：獲得關於如在曝露一基板W之頂部上的一輻射敏感層期間出現的投影系統PS之一光瞳PUPS 中的輻射強度之一空間分佈I(xp ,yp )的資訊；選擇強度分佈I(xp ,yp )之最大強度Imax 與零之間之一範圍內的一臨界強度IT ；界定該光瞳中的區域，在該等區域內一局部強度係高於該臨界強度IT ；以及將該降低限於對應於該光瞳中的該區域之波前的區域。關於輻射強度之空間分佈I(xp ,yp )的資訊可(例如)由代表複數個個別不同位置xp ,yp 處的複數個強度值之資料組成。
該微影裝置之控制係用以降低橫越該微影裝置之一投影系統的一光波之波前像差△W。
圖11描述在一流程圖150中更詳細地顯示於該電腦程式產品之控制下執行的步驟。
選擇一產品結構100(步驟151)。該選擇產品結構可以係一IC層圖案之一部分，例如圖1中所描述。然而，應瞭解該產品結構亦可以係具有完全晶粒尺寸的一完整圖案或此一圖案之一部分，其於在一步進與掃描裝置中掃描光罩圖案期間得以照明。或者，該選擇產品結構亦可以係一IC層圖案之一組成部分，其中執行雙重圖案化微影程序，並且其中在此一程序中將本方法應用於一或二個成像步驟。
接著，應識別並選擇曝光條件(步驟152)。用於實際層圖案(例如具體化於一晶粒中)之實際微影曝光及列印的曝光條件包含較佳的照明模式。欲加以使用的照明模式可根據光罩圖案之細節而為多極照明模式(例如雙極及四極模式)、柔性多極模式、或一軸上傳統照明模式與離軸多極照明或環形照明之一組合。
在步驟154中，使用傳統方法且根據說明圖案特徵之幾何特徵及實體特徵的照明模式特徵及光罩圖案資料(包含關於產品結構的資料153)而計算強度分佈I(xp ,yp )。或者，一透鏡光瞳測量系統可用以獲得代表強度輪廓I(xp ,yp )的資料。
如第一具體實施例中所說明，下一步驟155係獲得強度輪廓之臨界值以識別並選擇光瞳中的區域，其中橫越光瞳的輻射之通量係最高。此等區域中的像差校正可最有效地用以減輕引起投影系統之光學元件之局部熱變形的輻射之吸收的效應。
從一儲存媒體取回使用傳統光波傳播分析程式透過像差測量或透過模擬所獲得的波前像差156，並且維持關於在步驟155中界定之光瞳中的區域之波前像差資料以後來計算所需要的投影系統之光學元件調整。
發現(步驟157)計算的調整為最小化在步驟155中決定之光瞳區域中的波前像差之均方根值的最小平方適配之解決方式。
最終，將該等調整應用於該投影系統之個別光學元件。
儘管可在本文中特定參考IC製造中的微影裝置之使用，但是應瞭解本文說明的微影裝置可具有其他應用，例如整合式光學系統的製造、用於磁域記憶體的導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。熟習技術人士應瞭解，在此類替代性應用的背景下，本文中的術語"晶圓"或"晶粒"之任何使用均可視為分別與更一般的術語"基板"或"目標部分"同義。本文中所參考的基板可在曝光之前或之後於(例如)循跡工具(通常將一光阻層應用於一基板並對曝露的光阻進行顯影之工具)、度量工具及/或檢查工具中加以處理。在適用的情況下，本文中的揭示內容可應用於此類及其他基板處理工具。此外，該基板可加以多次處理(例如)以便建立一多層IC，因此本文中使用的術語基板亦稱為已經包含多個處理層的基板。
儘管以上已特定參考光學微影術之背景下的本發明之具體實施例的使用，但是應瞭解本發明可用於其他應用。
本文中使用的術語"輻射"及"光束"包含所有類型的電磁輻射，包含紫外(UV)輻射(例如具有(或約)365、355、248、193、157或126 nm的波長)及遠紫外(EUV)輻射(例如具有5至20 nm之範圍內的波長)，以及粒子束(例如離子束或電子束)。
術語"透鏡"在背景允許的情況下可指各種類型的光學組件之任一者或組合，包含折射、反射、磁性、電磁以及靜電光學組件。
雖然以上已說明本發明之特定具體實施例，但是應瞭解可採用不同於以上說明的方式實施本發明。
以上說明係預計解說而非限制本發明。因此，熟習技術人士應明白，可如以上說明修改本發明而不脫離以下提出的申請專利範圍之範疇。
100．．．產品結構/圖案
110．．．線
120．．．線
130．．．線
200．．．雙極照明模式
210．．．輻射束
220．．．區域/極
230．．．光軸
300．．．透鏡元件
310．．．區域
320．．．光軸
400．．．空間
710．．．區域
710'．．．區域
720．．．區域
720'．．．區域
AD．．．調整器
B．．．輻射束
BD．．．光束遞送系統
C．．．目標部分
CO．．．聚光器
FG．．．象徵性格柵
IF．．．位置感測器
IL．．．照明系統/照明器
IN．．．積分器
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
MA．．．光罩/圖案化器件
MT．．．支撐結構/光罩台
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PG．．．象徵性格柵
PM．．．第一定位器
PS．．．投影透鏡/投影系統
PUIL ．．．光瞳
PUPS ．．．光瞳
PW．．．第二定位器
RPG．．．格柵
SM．．．來源模組
SO．．．輻射源/來源
SU．．．感測器單元
W．．．基板
WF．．．標稱光波前
WF'．．．光波前
WT．．．基板台/晶圓台
現在僅經由範例，參考其中對應參考符號指示對應零件的所附示意圖說明本發明之具體實施例，並且其中：圖1描述一器件圖案之一部分；圖2描述用以照明圖1所示之圖案的雙極照明模式；圖3解說投影系統之光瞳中的空間強度分佈以及經受由輻射引起的加熱之一透鏡元件中的對應區域；圖4描述一像差測量系統之一來源模組及一感測器單元，以及一投影系統光瞳之鄰近者中的一波前像差；圖5描述其中波前像差得到最小化之投影透鏡光瞳中的點之一傳統格柵；圖6描述投影系統之光瞳附近的剩餘波前像差之輪廓線(nm)，以及通常用於傳統像差降低方法之結果的一對應灰色調影像；圖7描述其中波前像差依據本發明得到最小化之投影透鏡光瞳中的點之區域以及一格柵；圖8描述對應於圖6之輪廓線以及圖7之區域的一灰色調影像；圖9描述針對圖7之光瞳區域，代表作為依據本發明之一像差降低的結果之剩餘像差的一灰色調影像；圖10描述解說製造依據本發明之一器件之方法的流程圖；以及圖11描述依據本發明之一具體實施例的一微影裝置。
710．．．區域
720．．．區域
PUPS ．．．光瞳
RPG．．．格柵

Claims (21)

  1. 一種降低橫越一微影裝置之一投影系統的一光波之一波前像差之方法，該裝置經構造及配置用以將一基板上的一輻射敏感層曝露於一圖案之一影像，該方法包括：- 獲得該波前像差的資訊；- 計算該投影系統之至少一個光學元件的至少一個調整以降低該波前像差；- 將該計算的至少一個調整應用於該投影系統，其中該計算包含：- 獲得依據如在該輻射敏感層之曝光期間出現的該投影系統之一光瞳中的輻射強度之一空間分佈的強度值；- 選擇一最大獲得的強度值與零之間之一範圍內的一臨界強度；- 界定該光瞳中的若干區域，在該等區域內一局部強度高於該臨界強度，以及- 將該降低限於對應於該光瞳中的該等區域的波前之區域。
  2. 如請求項1之方法，其中該輻射敏感層之該曝光包含採用一多極照明模式照明該圖案。
  3. 如請求項2之方法，其中該多極照明模式係一雙極照明模式以及一四極照明模式之一。
  4. 如請求項1之方法，其中該圖案係玻璃上鉻光罩圖案以及一相移光罩圖案之一圖案。
  5. 如請求項1之方法，其中該獲得關於該波前像差的資訊包含測量波前像差。
  6. 如請求項1之方法，其中該獲得關於該波前像差的資訊包含根據用以預測對該投影系統之至少一個光學元件的溫度變化之波前像差的影響之一模型而預測波前像差變化。
  7. 如請求項1之方法，其中該至少一個調整包含垂直於該投影系統之一光軸之一平面中的一位置調整、沿該光軸的一位置調整、以一旋轉自由度的一旋轉位置調整、以及一光學元件表面之一形狀的一變化之一。
  8. 如請求項1之方法，其中該獲得強度值包含測量輻射強度之該空間分佈。
  9. 如請求項1之方法，其中該獲得強度值包含根據包含代表一選擇照明模式的資料以及代表該圖案的資料而預測空間強度分佈。
  10. 如請求項1之方法，其中在該最大強度的二分之一與該最大強度的十分之一之間的一範圍內選擇該臨界強度。
  11. 如請求項1之方法，其中該界定該光瞳中的區域包含將在該光瞳內擴展的一象徵性格柵之格柵點處的局部強度值與該臨界強度值比較，並且保留其中該局部強度值係高於用於該至少一個調整之一隨後計算的該臨界強度值之格柵點。
  12. 如請求項1之方法，其中該降低包含應用一最小平方適配演算法以最小化複數個波前像差值之一均方根值，以 及適配該至少一個調整。
  13. 如請求項12之方法，其中該複數個波前像差值包含用於該光瞳中的該等區域中的複數個點之像差值，在該等區域中一局部強度係高於該臨界強度。
  14. 如請求項13之方法，其中該複數個波前像差值包含用於該影像中的複數個場點之像差值。
  15. 一種電腦程式產品，其包括用以控制一微影裝置以執行一器件製造方法的程式碼，該方法包括：- 獲得橫越該微影裝置之一投影系統的一光波之一波前像差的資訊；以及- 計算該微影裝置之一投影系統的至少一個光學元件之至少一個調整，以降低該波前像差；其中該計算包含：- 獲得如在曝露提供在一基板上的一輻射敏感層期間出現的該投影系統之一光瞳中的輻射強度之一空間分佈的資訊；- 選擇該強度分佈之一最大強度與零之間之一範圍內的一臨界強度；- 界定該光瞳內的若干區域，在該等區域內一局部強度係高於該臨界強度，以及- 將該降低限於對應於該光瞳中的該等區域的該波前之區域。
  16. 如請求項15之電腦程式產品，其中在該最大強度的二分之一與該最大強度的十分之一之間的一範圍內選擇該臨 界強度。
  17. 如請求項15之電腦程式產品，其中該界定該光瞳中的區域包含將在該光瞳內擴展的一象徵性格柵之格柵點處的局部強度值與該臨界強度值比較，並且保留其中該強度值係高於用於該至少一個調整之一隨後計算的該臨界強度值之格柵點。
  18. 如請求項15之電腦程式產品，其中該降低包含應用一最小平方適配演算法以最小化複數個波前像差值之一均方根值，以及適配該至少一個調整。
  19. 如請求項18之電腦程式產品，其中該複數個波前像差值包含用於該光瞳中的該等區域中的複數個點之像差值，在該等區域中一局部強度係高於該臨界強度。
  20. 如請求項19之電腦程式產品，其中該複數個波前像差值包含用於該影像中的複數個場點之像差值。
  21. 如請求項15之電腦程式產品，其中該獲得關於一光瞳中的輻射強度之一空間分佈的資訊包含根據代表一選擇照明模式的資料以及代表該圖案的資料而預測該空間強度分佈。
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Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8134683B2 (en) * 2007-02-09 2012-03-13 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, computer program and lithographic apparatus
JP2009071125A (ja) * 2007-09-14 2009-04-02 Canon Inc 露光条件を決定する方法及びプログラム
JP2009152251A (ja) * 2007-12-18 2009-07-09 Canon Inc 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US7832863B2 (en) * 2007-12-21 2010-11-16 Ophthonix, Inc. Customized Z-lens design program
JP5216347B2 (ja) 2008-02-04 2013-06-19 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置及び描画データの変換方法
NL1036905A1 (nl) * 2008-06-03 2009-12-04 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
DE102008042356A1 (de) 2008-09-25 2010-04-08 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage mit optimierter Justagemöglichkeit
NL2003806A (en) * 2008-12-15 2010-06-16 Asml Netherlands Bv Method for a lithographic apparatus.
NL2005449A (en) * 2009-11-16 2012-04-05 Asml Netherlands Bv Lithographic method and apparatus.
CN102844651B (zh) * 2010-04-05 2015-07-01 株式会社尼康 波前像差测定装置
NL2007642A (en) * 2010-11-10 2012-05-14 Asml Netherlands Bv Optimization flows of source, mask and projection optics.
JP6012628B2 (ja) 2011-01-20 2016-10-25 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィのための投影露光ツールを作動させる方法
JP5919628B2 (ja) * 2011-03-10 2016-05-18 ソニー株式会社 眼底イメージング装置および眼底イメージング方法
US8625078B2 (en) * 2011-04-06 2014-01-07 Nanya Technology Corp. Illumination design for lens heating mitigation
NL2008924A (en) 2011-06-22 2013-01-02 Asml Netherlands Bv System and method to ensure source and image stability.
NL2008957A (en) * 2011-07-08 2013-01-09 Asml Netherlands Bv Methods and systems for pattern design with tailored response to wavefront aberration.
CN102540763A (zh) * 2012-01-18 2012-07-04 上海华力微电子有限公司 一种降低光刻机镜头过热的方法
JP5789275B2 (ja) * 2012-02-03 2015-10-07 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． ３ｄレジストプロファイルのシミュレーション用のリソグラフィモデル
US10133184B2 (en) 2012-04-25 2018-11-20 Nikon Corporation Using customized lens pupil optimization to enhance lithographic imaging in a source-mask optimization scheme
US9651872B2 (en) 2013-03-13 2017-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection lens with wavefront manipulator
US9298102B2 (en) * 2013-03-13 2016-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Projection lens with wavefront manipulator
KR101668984B1 (ko) * 2013-09-14 2016-10-24 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피 투영 장치의 동작 방법
DE102013219986A1 (de) * 2013-10-02 2015-04-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
DE102014209348A1 (de) * 2014-05-16 2015-11-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Ermittlung einer korrigierten Größe
WO2016087388A1 (en) 2014-12-02 2016-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic method and apparatus
CN107003618B (zh) 2014-12-02 2019-03-15 Asml荷兰有限公司 光刻方法和设备
WO2016091536A1 (en) * 2014-12-09 2016-06-16 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for image analysis
JP6482285B2 (ja) * 2015-01-16 2019-03-13 株式会社タムロン 回折光学素子
NL2017368A (en) 2015-09-24 2017-03-30 Asml Netherlands Bv Method of reducing effects of reticle heating and/or cooling in a lithographic process, computer program, computer readable product, lithographic apparatus and device manufacturing method
JP6674250B2 (ja) * 2015-12-16 2020-04-01 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法、および物品の製造方法
JP6730850B2 (ja) * 2016-06-01 2020-07-29 キヤノン株式会社 露光条件の決定方法、プログラム、情報処理装置、露光装置、および物品製造方法
JP6445501B2 (ja) * 2016-09-20 2018-12-26 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィのための投影露光ツールを作動させる方法
JP6477850B2 (ja) * 2017-12-15 2019-03-06 株式会社ニコン 算出装置及び方法、プログラム、並びに露光方法
WO2019129468A1 (en) * 2017-12-29 2019-07-04 Asml Netherlands B.V. Method of processing data, method of obtaining calibration data
JP2019070812A (ja) * 2018-11-29 2019-05-09 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィのための投影露光ツールを作動させる方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002208549A (ja) * 2001-01-09 2002-07-26 Nikon Corp 露光装置の調整方法およびマイクロデバイスの製造方法
JP2004317375A (ja) * 2003-04-17 2004-11-11 Nikon Corp 光束の形状、光束中の光強度分布の決定方法、光束形状、光束中の光強度分布計測装置、波面測定装置、結像光学系の調整方法、及び露光装置の製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW550377B (en) 2000-02-23 2003-09-01 Zeiss Stiftung Apparatus for wave-front detection
EP1246014A1 (en) 2001-03-30 2002-10-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
KR100583692B1 (ko) 2000-09-01 2006-05-25 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 작동 방법, 리소그래피 장치, 디바이스제조방법, 및 이것에 의해 제조된 디바이스
CN1491427A (zh) * 2001-02-06 2004-04-21 ������������ʽ���� 曝光装置、曝光法和器件制造法
TWI220999B (en) * 2001-02-13 2004-09-11 Nikon Corp Measuring method of image formation characteristic, exposure method, exposure apparatus and its adjustment method, manufacture method of device, and recording medium
TWI285299B (en) * 2001-04-04 2007-08-11 Asml Netherlands Bv Lithographic manufacturing process, lithographic projection apparatus, and device manufactured thereby
DE10146499B4 (de) 2001-09-21 2006-11-09 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Optimierung der Abbildungseigenschaften von mindestens zwei optischen Elementen sowie Verfahren zur Optimierung der Abbildungseigenschaften von mindestens drei optischen Elementen
TWI255970B (en) * 2002-09-30 2006-06-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a measurement system
JP2004165483A (ja) * 2002-11-14 2004-06-10 Nikon Corp データ抽出方法及び装置、位置検出方法及び装置、並びに露光装置
JP2005175407A (ja) * 2003-12-15 2005-06-30 Canon Inc 計測方法及び装置、それを利用した露光方法及び装置、並びに、デバイス製造方法
US7221430B2 (en) 2004-05-11 2007-05-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7403264B2 (en) * 2004-07-08 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and a device manufacturing method using such lithographic projection apparatus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002208549A (ja) * 2001-01-09 2002-07-26 Nikon Corp 露光装置の調整方法およびマイクロデバイスの製造方法
JP2004317375A (ja) * 2003-04-17 2004-11-11 Nikon Corp 光束の形状、光束中の光強度分布の決定方法、光束形状、光束中の光強度分布計測装置、波面測定装置、結像光学系の調整方法、及び露光装置の製造方法

Also Published As

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