TWI395074B

TWI395074B - 稀釋劑組合物及利用該組合物移除光阻劑之方法

Info

Publication number: TWI395074B
Application number: TW094104033A
Authority: TW
Inventors: Seung-Hyun Ahn; Eun-Mi Bae; Baik-Soon Choi; Sang-Mun Chon; Dae-Joung Kim; Kwang-Sub Yoon; Sang-Kyu Park; Jae-Ho Kim; Shi-Yong Yi; Kyoung-Mi Kim; Yeu-Young Youn
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2004-02-10
Filing date: 2005-02-05
Publication date: 2013-05-01
Also published as: US20080214422A1; US7387988B2; JP2005227770A; TW200538889A; US7863231B2; KR100571721B1; CN100504621C; JP4580249B2; KR20050080603A; CN1655065A; US20050176607A1

Description

稀釋劑組合物及利用該組合物移除光阻劑之方法

一般而言，本發明係關於一稀釋劑組合物及使用該稀釋劑組合物移除一光阻劑之方法。更特定言之，本發明通常係關於一具改良溶解特性之稀釋劑組合物及一使用該稀釋劑組合物有效移除與多種光阻劑或抗反射材料相關之邊緣球狀物(edge bead)之方法。

本發明主張優先於2004年2月10日提出申請之韓國專利申請案第2004－8678號之權利，其全部內容以引用的方式倂入本文中。

隨著資訊處理裝置之持續發展，人們期望具有一高度整合及迅捷響應速度之半導體裝置。因此，人們已發展出製造半導體裝置之技術來改良半導體裝置之整合度、可靠度及響應速度。

為製造一傳統微型電路，舉例而言，將雜質準確植佈於一矽基板上之區域內，並隨後將該等雜質區域互相電連接以形成一極大規模之積體(VLSI)電路。使用一微影蝕刻製程形成圖案，以界定出該等雜質區域。在基板上形成一光阻劑膜後，將該光阻劑膜曝光，例如，曝光於紫外光線、電子束或X－射線。將該光阻劑膜顯影，並隨後移除基板上之已曝光部分。

傳統上，當一基板旋轉時以例如一旋塗製程塗佈一光阻劑；該光阻劑均勻地塗佈在基板之邊緣及背面上。然而，塗佈於基板之邊緣及背面上之光阻劑產生稱作邊緣球狀物之顆粒，其可在隨後諸如蝕刻製程或離子植佈製程等製程中導致製程失敗。因此，通常需要一利用一稀釋劑組合物之邊緣球狀物移除(EBR)製程來移除基板上不期望之顆粒。

有時，在一微影蝕刻製程期間可發生一光阻劑圖案失效。當該光阻劑圖案失效發生時，實施一修補製程以自基板上移除該失效光阻劑圖案。該修補製程係用來挽救該基板。

當半導體裝置上之圖案變得更精細時，係已藉由I－line射線或G－line射線顯影該光阻劑組合物。一光阻劑組合物通常包含一酚醛樹脂作為主要成份。另外，對一準分子雷射或一遠紫外射線敏感之增強光阻劑已經用於製造半導體裝置。由此，需要一種具有與該等類型光阻劑相關之優良溶解性之稀釋劑組合物。

舉例而言，美國專利第5,866,305號揭示一種含有乳酸乙酯及3－乙氧基丙酸乙酯之稀釋劑組合物，及亦揭示另一種含有乳酸乙酯、3－乙氧基丙酸乙酯及γ－丁內酯之稀釋劑組合物。儘管已經廣泛應用，但上述稀釋劑組合物具有相對於某些光阻劑（例如，增強光阻劑）不佳之溶解性。另外，該稀釋劑組合物因3－乙氧基丙酸乙酯用作主要成份而相對昂貴。進一步地，該稀釋劑組合物具有相對於使用一氟化氬(ArF)雷射之光阻劑不佳之溶解性及EBR特性。

美國專利第6,159,646號揭示另一種含有乳酸乙酯及γ－丁內酯之傳統稀釋劑組合物；一含有乳酸乙酯、3－乙氧基丙酸乙酯及γ－丁內酯之稀釋劑組合物；及一含有乳酸乙酯及3－乙氧基丙酸乙酯之稀釋劑組合物。製備含有3－乙氧基丙酸乙酯及γ－丁內酯之稀釋劑組合物之成本極為昂貴。該等稀釋劑組合物亦具有相對於利用一氟化氬雷射之光阻劑實質上不佳之溶解性。

上述傳統稀釋劑組合物係用在修補製程及EBR製程中；然而，該等稀釋劑組合物不合適於該等兩種製程。

如揭示於韓國專利特許公開申請案第2003－51129號之含有一乙酸酯化合物、γ－丁內酯及一非－醋酸鹽類型酯之一稀釋劑組合物可在一修補製程或一EBR製程中有效移除利用一I－line射線、一G－line射線及氟化氪雷射之光阻劑。然而，該稀釋劑組合物具有相對於一使用一氟化氬雷射之光阻劑不佳之溶解性。另外，該稀釋劑組合物具有不佳之EBR特性。需要一種相對於曝光於ArF雷射之光阻劑具優良溶解性之稀釋劑組合物，該稀釋劑組合物在一EBR製程中可有效移除不期望之光阻劑，且在一修補製程中有效。

本發明提供相對於數種類型之光阻劑及數種類型之抗反射層具極好溶解性質、邊緣球狀物移除特性及修補特性之稀釋劑組合物。

根據本發明之一態樣，一稀釋劑組合物包含丙二醇醚醋酸酯，至少一選自由乳酸乙酯、3－乙氧基丙酸乙酯及其混合物組成之群之酯化合物及2－羥基－2－甲基丙酸甲酯。

本發明之另一實施例提供一稀釋劑化合物，其包含約30至約65重量%之丙二醇單甲基醚醋酸酯、約15至約50重量%之3－乙氧基丙酸乙酯及約20至約55重量%之2－羥基－2－甲基丙酸甲酯。

一種使用本發明之稀釋劑組合物藉由在一基板上形成一光阻劑膜來移除一光阻劑及使用一包含丙二醇醚醋酸酯、2－羥基－2－甲基丙酸甲酯及至少一選自由乳酸乙酯、3－乙氧基丙酸乙酯及其混合物組成之群之酯化合物之稀釋劑組合物自該基板上移除該光阻劑膜之方法。

下文將參照附圖更加全面地闡述本發明，該等附圖顯示本發明之實例。然而，可採用多種不同之形式實施本發明，且不應將本發明解釋為僅限於本文所陳述之實施例；更確切地，提供該等實例係作為工作實例。應理解，當提及一元件（例如，一層、一區域或一基板）係位於另一元件「之上（on或onto）」時，它可直接位於另一元件之上或亦可存在介入元件。

本發明提供一種相對於一藉由一氟化氬(ArF)雷射曝光之光阻劑膜具有改良溶解特性、邊緣球狀物移除(EBR)特性及修補特性之稀釋劑組合物。

本發明之稀釋劑組合物含有丙二醇醚醋酸酯、一酯化合物及2－羥基－2－甲基丙酸甲酯。另外，丙二醇醚醋酸酯可包含丙二醇單甲基醚醋酸酯或丙二醇單乙基醚醋酸酯。該等化學藥品可單獨使用或以一組合形式使用。

當乳酸乙酯(EL)係用作該酯化合物時，該丙二醇單甲基醚醋酸酯在該稀釋劑組合物中之含量係較佳在一約40至約75重量%之範圍內。

當該稀釋劑組合物包含多於約75重量%之丙二醇單甲基醚醋酸酯時，該稀釋劑組合物之溶解度下降。當該稀釋劑組合物包含少於約40重量%之丙二醇單甲基醚醋酸酯時，該稀釋劑組合物之黏度上升，其劣化與一光阻劑相關之EBR特性。由此，該稀釋劑組合物較佳包含約40至75重量%之丙二醇單甲基醚醋酸酯。更佳地，該稀釋劑組合物包含約50至60重量%之丙二醇單甲基醚醋酸酯。

當3－乙氧基丙酸乙酯(EEP)係用作該酯化合物時，丙二醇單甲基醚醋酸酯在該稀釋劑組合物中之含量係較佳在約30至約65重量%範圍內。

當該稀釋劑組合物包含多於約65重量%之丙二醇單甲基醚醋酸酯時，該稀釋劑組合物之溶解度降低。當該稀釋劑組合物包含少於約30重量%之丙二醇單甲基醚醋酸酯時，該稀釋劑組合物之黏度上升，其劣化與一光阻劑相關之EBR特性。由此，該稀釋劑組合物較佳包含約30至65重量%之丙二醇單甲基醚醋酸酯。

本發明之稀釋劑組合物包含一酯化合物。該酯化合物較佳包含乳酸乙酯或3－乙氧基丙酸乙酯。該等化學藥品可單獨使用或以一組合形式使用。

當乳酸乙酯係用作該酯化合物時，該稀釋劑組合物較佳包含約5至約45重量%之乳酸乙酯。當該稀釋劑組合物包含多於約45重量%之乳酸乙酯時，該稀釋劑組合物之溶解度不佳，及該EBR特性劣化。當該稀釋劑組合物包含少於約5重量之乳酸乙酯時，該稀釋劑組合物之EBR特性相對於一光阻劑劣化。由此，乳酸乙酯在該稀釋劑組合物中之含量較佳在約5至約45重量%範圍內。

當3－乙氧基丙酸乙酯係用作該酯化合物時，該稀釋劑組合物較佳包含約15至約50重量%之3－乙氧基丙酸乙酯。當該稀釋劑組合物包含多於約50重量%之3－乙氧基丙酸乙酯時，該稀釋劑組合物之溶解度不佳。當該稀釋劑組合物包含少於約15重量之3－乙氧基丙酸乙酯時，該稀釋劑組合物之EBR特性相對於一光阻劑劣化。由此，3－乙氧基丙酸乙酯在該稀釋劑組合物中之含量較佳在約15至約50重量範圍內。例如，3－乙氧基丙酸乙酯之含量係在約15至約40重量%範圍內。

本發明之稀釋劑組合物包含2－羥基－2－甲基丙酸甲酯。

當乳酸乙酯係用作該酯化合物時，該稀釋劑組合物較佳包含約15至約50重量%之2－羥基－2－甲基丙酸甲酯。當該稀釋劑組合物包含少於約15重量%之2－羥基－2－甲基丙酸甲酯時，該稀釋劑組合物之溶解度相對於一光阻劑下降。當該稀釋劑組合物包含多於約50重量%之2－羥基－2－甲基丙酸甲酯時，該稀釋劑組合物之黏度上升，且該稀釋劑組合物之EBR特性相對於一光阻劑劣化。由此，2－羥基－2－甲基丙酸甲酯在該稀釋劑組合物中之含量係較佳在約15至約50重量%範圍內。更具體而言，2－羥基－2－甲基丙酸甲酯之含量係在約30至約40重量%範圍內。

當3－乙氧基丙酸乙酯係用作該酯化合物時，該稀釋劑組合物較佳包含約20至約55重量%之2－羥基－2－甲基丙酸甲酯。當該稀釋劑組合物包含少於約20重量%之2－羥基－2－甲基丙酸甲酯時，該稀釋劑組合物之溶解度下降。當該稀釋劑組合物包含多於約55重量%之2－羥基－2－甲基丙酸甲酯時，該稀釋劑組合物之黏度上升，其劣化與一光阻劑相關之EBR特性。由此，2－羥基－2－甲基丙酸甲酯在該稀釋劑組合物中之含量較佳在約20至約55重量%範圍內。更佳地，2－羥基－2－甲基丙酸甲酯之含量係在約30至約40重量%範圍內。

該稀釋劑組合物可另外包含一表面活性劑，例如，一含氟表面活性劑、一離子型表面活性劑及一非離子型表面活性劑。該稀釋劑組合物亦可包含約10至約550重量ppm之表面活性劑。

下文將參照實例及比較實例更加全面地闡述本發明。本發明不應被解釋為僅限於本文所陳述之實例。

實例1

為製備一稀釋劑組合物，將約50重量%之丙二醇單甲基醚醋酸酯、約10%重量%之乳酸乙酯及約40重量%之2－羥基－2－甲基丙酸甲酯在一容器中混合。該獲得的稀釋劑組合物之黏度在25°C溫度下係約1.5 cP。

實例2

為製備一第二稀釋劑組合物，將約45重量%之丙二醇單甲基醚醋酸酯、約15%重量%之3－乙氧基丙酸乙酯及約40重量%之2－羥基－2－甲基丙酸甲酯在一容器中混合。該獲得的稀釋劑組合物之黏度在25°C溫度下係約1.4 cP。

比較實例1

為製備一比較稀釋劑組合物，將丙二醇單甲基醚醋酸酯、γ－丁內酯及3－乙氧基丙酸乙酯在一容器中混合。該比較稀釋劑組合物包含約73重量%之丙二醇單甲基醚醋酸酯、約25重量%之3－乙氧基丙酸乙烯酯及約2重量%之γ－丁內酯。該獲得的比較稀釋劑組合物之黏度在25°C溫度下係約1.3 cP。

比較實例2

為製備一第二比較稀釋劑組合物，將3－乙氧基丙酸乙酯、乳酸乙酯及γ－丁內酯在一容器中混合。該第二比較稀釋劑組合物包含約75重量%之3－乙氧基丙酸乙酯、約20重量%之乳酸乙酯及約5重量%之γ－丁內酯。該獲得的第二稀釋劑組合物之黏度在25°C溫度下係約1.3 cP。

比較實例3

一第三比較稀釋劑組合物僅包含丙二醇單甲基醚醋酸酯。該獲得的第三稀釋劑組合物之黏度在25°C溫度下係約1.2 cP。

比較實例4

一第四比較稀釋劑組合物僅包含3－乙氧基丙酸乙酯。該獲得的第四稀釋劑組合物之黏度在25°C溫度下係約1.2 cP。

比較實例5

為製備一第五比較稀釋劑組合物，將丙二醇單甲基醚醋酸酯、丙二醇單甲基醚及γ－丁內酯在一容器中混合。該稀釋劑組合物包括約70重量%之丙二醇單甲基醚醋酸酯、約20重量%之丙二醇單甲基醚及約5重量%之γ－丁內酯。該獲得的第五稀釋劑組合物之黏度在25°C溫度下係約1.3 cP。

一光阻劑類型之相關溶解速率之評價 實驗1

利用在實例1中製備之稀釋劑組合物量測一典型光阻劑相關之溶解速率。將約4.0 cc擬由氟化氪雷射曝光之SEPR－430^T ^M （由Shin－Etsu製造）光阻劑旋轉塗佈在一基板上並以一約100°C之溫度連續輕度烘烤。由此形成之光阻劑膜具有一約12,000之厚度。將包含該光阻劑膜之基板浸在該稀釋劑組合物中來剝去該光阻劑膜，並隨後量測溶解速率。該觀察到的溶解速率係等於或大於約12,000/sec。

實驗2

將約4.0 cc擬由一I－line射線曝光之ip－3300^T ^M （由TOK製造）光阻劑旋轉塗佈在一基板，並以一約90°C之溫度連續輕度烘烤。由此形成之光阻劑膜具有一約12,000之厚度。將包含該光阻劑膜之基板浸在該稀釋劑組合物中來剝去該光阻劑膜，並隨後量測溶解速率。該觀察到的溶解速率係等於或大於約12,000/sec。

實驗3

將約4.0 cc擬由一氟化氬雷射曝光之RHR3640^T ^M （由Shin－Etsu製造）光阻劑旋轉塗佈在一基板並以一約105°C之溫度連續輕度烘烤。由此形成之光阻劑膜具有一約2,700之厚度。將包含該光阻劑膜之基板浸在該稀釋劑組合物中來剝去該光阻劑膜，並隨後量測溶解速率。該觀察到的溶解速率係等於或大於約2,700/sec。

實驗4

約4.0 cc擬由一氟化氬雷射曝光之AR46^T ^M （藉由Shipley製造）抗反射材料旋轉塗佈在一基板上，但未連續輕度烘烤。所獲得的抗反射層具有一約380之厚度。將包含該抗反射層之基板浸在該稀釋劑組合物中剝去該抗反射層，並隨後量測溶解速率。所觀察到的溶解速率係等於或大於約380/sec。

根據實驗1至4，在實例1中製備之稀釋劑組合物具有相對於所有不同類型之光阻劑皆優異之溶解速率。由此，該本發明之稀釋劑組合物可用於自一晶圓移除光阻劑。

一光阻劑類型之相關溶解力之評價

評價在實例1及2及比較實例1至5中製備的稀釋劑組合物之溶解力。該等評價結果在下列表1中給出。當一稀釋劑組合物相對於一光阻劑之混合比率係約5：1時，依據光阻劑之溶解量評價該溶解力。

在表1中，「E」表示極佳之溶解力。即，足量之光阻劑溶解於該稀釋劑組合物中。「R」表示中等之溶解力。亦即，部分光阻劑在混合24小時後會沈澱出來。「X」表示不佳之溶解力。即，該光阻劑在與稀釋劑組合物混合後會立即沈澱。

如表1所示，在實例1及2製備之稀釋劑組合物對於無論何種類型之光阻劑皆具極佳之溶解力。在比較實例5製備之稀釋劑組合物具優良之溶解力但具低劣之EBR特性。

一光阻劑類型之相關EBR特性之評價

評價實例1及2及比較實例1至5相對於光阻劑類型之EBR特性。藉由一塗佈機（由日本TEL Co., Ltd.製造）及藉由使用一氮(N₂ )氣對一基板加壓來評價該EBR特性。該壓力係約0.7至約1.0公斤/公分² ，及該氮氣係以一約13至約20 cc/min之流速提供至該基板且持續約6秒。結果在下列表2中給出。

在表2中，「N」表示在使用一乾淨之EBR線實施一EBR製程後基板上無殘餘光阻劑。「U」表示在一EBR製程後基板上無殘餘光阻劑，但該EBR線係不乾淨。「X」表示在一不乾淨之EBR線上實施一EBR製程後基板上存在殘餘光阻劑。

如表2所示，在實例1及2製備之稀釋劑組合物可有效移除無論何種類型之光阻劑。然而，當在該EBR製程中使用在比較實例1、2及5中製備之稀釋劑組合物時，殘餘光阻劑留存於基板上，但該等稀釋劑組合物具有相對於該SEPR－430光阻劑優良之EBR特性。另外，當在該EBR製程使用比較實例3及4中製備的稀釋劑組合物時，殘餘光阻劑亦留存於該基板上。

如上所述，本發明之新穎稀釋劑組合物可有效移除不論何種類型之光阻劑且不會損害基底層。具體而言，該稀釋劑組合物可有效移除一經氟化氬雷射曝光之光阻劑或抗反射材料。由此，該本發明之稀釋劑組合物可用來製造一具一小於約90奈米設計規則之半導體裝置。另外，該稀釋劑組合物係對環境友善。由此，可以經濟節儉方式製造一具改良可靠性之高整合半導體裝置。

本發明提供一使用本發明之稀釋劑組合物移除光阻劑之方法。

圖1係一流程圖，其闡明一使用本發明之稀釋劑組合物移除光阻劑之方法。

在步驟S110中，在一基板上形成一光阻劑膜。在步驟S120中，使用該稀釋劑組合物自基板上移除該光阻劑膜。

詳言之，在步驟S110中，使用一旋轉塗佈機在基板上形成該光阻劑膜。即，當該旋轉塗佈機旋轉該基板時將該光阻劑塗佈在基板上。依據該基板之旋轉，該光阻劑擴散至該基板之一邊緣，藉由離心力該光阻劑均勻地塗佈在該基板上。該光阻劑藉由離心力擴散至該基板之邊緣部分及該基板之背面。

在步驟S120中，使用本發明之稀釋劑組合物（其包含丙二醇醚醋酸酯、一酯化合物及2－羥基－2－甲基丙酸甲酯）自該基板移除該光阻劑膜。

該稀釋劑組合物在該基板之邊緣及背面上擴散以自該基板移除該光阻劑。此處，當旋轉該基板時，亦可將該稀釋劑組合物噴射到該基板之邊緣及/或背面上。具體而言，可使用一旋轉夾盤旋轉該基板，且使用一噴嘴噴射該稀釋劑組合物。

在步驟S130中，在使用該稀釋劑組合物自該基板上移除該光阻劑膜後，實施一EBR製程來乾燥該基板上之稀釋劑組合物。

根據該實施例，可有效防止該光阻劑在基板上產生污染。

圖2係一流程圖，其闡明另一使用本發明之稀釋劑組合物移除光阻劑之方法。

在步驟S210至S250中，在一基板上形成一光阻劑圖案。在步驟S260中，使用本發明之稀釋劑組合物自該基板上移除該光阻劑圖案。

詳言之，在步驟S210中，在基板上形成一光阻劑膜。該基板較佳係一用於半導體裝置之矽基板或一用於液晶顯示裝置之透明基板。該基板可包含一擬藉由一微影蝕刻製程圖案化之基底結構。此處，該基底結構可包含一氧化物層、一氮化物層、一矽層及一金屬層。

光敏材料係塗佈在基板上以在其上形成光阻劑膜。該光敏材料係正或負光敏材料。在一後續顯影製程中，可將一經部分曝光之正光敏材料自該基板上移除。

另外，可將六甲基二矽氮烷塗佈在基板上，以增強光阻劑膜與基板之間的黏合強度。進一步，可形成一抗反射層以在一連續光製程及顯影製程中防止光之漫反射。

在步驟S220中，在基板上形成該光阻劑膜後，可實施一EBR製程以防止基板上之污染。在該EBR製程中，較佳使用本發明之含有丙二醇醚醋酸酯、一酯化合物及2－羥基－2－甲基丙酸甲酯之稀釋劑組合物移除在基板之邊緣及背面上形成之部分光阻劑膜。

在步驟S230中，實施一輕度烘烤製程以自光阻劑膜中移除任何留存之水分。

在步驟S240中，使用一光罩部分曝光該光阻劑膜。在將該具一圖案之光罩定位於光阻劑膜上之後，穿過該光罩選擇性地曝光該光阻劑膜之預定部分。舉例而言，該光可係一G－line射線、一I－line射線、一氟化氪(KrF)雷射、一氟化氬(ArF)雷射、一電子束或X－射線。由此，該光阻劑膜之曝光部分具有實質上不同於該光阻劑膜之未曝光部分之溶解度。

在步驟S250中，使用一顯影溶液（例如，四甲基氫氧化銨(TMAH)）顯影該光阻劑膜，來完成該光阻劑圖案。當該光阻劑膜包含一正光敏材料時，自該基板移除該光阻劑膜之曝光部分。

藉由上述製程形成之光阻劑圖案可用來在半導體裝置表面形成多種精細圖案。然而，當發生一光阻劑圖案失效時，自經濟觀點看，移除該基板上之光阻劑圖案並再使用該基板甚為有利。因此，在步驟S260中，若存在一光阻劑圖案失效，實施一修補製程自該基板上移除該光阻劑圖案。

詳言之，係使用本發明之稀釋劑組合物自基板上移除該光阻劑圖案。

在步驟S270中，較佳實施一乾燥製程以移除該基板上任何殘餘稀釋劑組合物。

結合附圖參照下列詳細說明可更易理解本發明之態樣。

圖1係一流程圖，其闡明一根據本發明之一實例使用一稀釋劑組合物移除光阻劑之方法。

圖2係一流程圖，其闡明一根據本發明之另一實例使用一稀釋劑組合物移除光阻劑之方法。

Claims

一種稀釋劑組合物，其包括：約40至約75重量%之丙二醇單甲基醚醋酸酯；約5至約45重量%之乳酸乙酯；及約15至約50重量%之2-羥基-2-甲基丙酸甲酯。
如請求項1之組合物，其進一步包含一表面活性劑。
如請求項2之組合物，其中該表面活性劑包括一含氟表面活性劑、一非離子型表面活性劑或一離子型表面活性劑。
如請求項3之組合物，其中該稀釋劑組合物含有約10至約550 ppm之表面活性劑。
一種稀釋劑組合物，其包括：約30至約65重量%之丙二醇單甲基醚醋酸酯；約15至約50重量%之3-乙氧基丙酸乙酯；及約20至約55重量%之2-羥基-2-甲基丙酸甲酯。
如請求項5之組合物，其進一步包括一含氟表面活性劑、一非離子型表面活性劑或一離子型表面活性劑，其含量約10至約550 ppm。
一種移除光阻劑之方法，其包括：在一基板上形成一光阻劑膜；及使用一稀釋劑組合物自該基板上移除該光阻劑膜，該稀釋劑組合物包括丙二醇醚醋酸酯、2-羥基-2-甲基丙酸甲酯及至少一選自由乳酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯及其混合物組成之群之酯化合物。
如請求項7之方法，其中該丙二醇醚醋酸酯包括至少一由丙二醇單甲基醚醋酸酯、丙二醇單乙基醚醋酸酯及其混合物之組成之群之酯化合物。
如請求項8之方法，其中該稀釋劑組合物包括：約40至約75重量%之丙二醇單甲基醚醋酸酯；約5至約45重量%之乳酸乙酯；及約15至約50重量%之2-羥基-2-甲基丙酸甲酯。
如請求項8之方法，其中該稀釋劑組合物包括：約30至約65重量%之丙二醇單甲基醚醋酸酯；約15至約50重量%之3-乙氧基丙酸乙酯；及約20至約55重量%之2-羥基-2-甲基丙酸甲酯。
如請求項7之方法，其中藉由將該稀釋劑組合物提供至該基板之邊緣及背面來移除該光阻劑膜。
如請求項11之方法，其中藉由將該稀釋劑組合物噴射至該基板來移除該光阻劑膜。
如請求項7之方法，其進一步包括在移除該光阻劑膜後實施一乾燥製程。
如請求項9之方法，其中移除該光阻劑膜包括：輕度烘烤該光阻劑膜；使用一光罩曝光該光阻劑膜；藉由使用一顯影溶液顯影該光阻劑膜在該基板上形成一光阻劑圖案；及使用一稀釋劑組合物自該基板上移除該光阻劑膜，該稀釋劑組合物包括丙二醇醚醋酸酯、2-羥基-2-甲基丙酸甲酯及至少一選自由乳酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯及其混合物組成之群之酯化合物。
如請求項14之方法，其進一步包括使用該稀釋劑組合物自該基板之一邊緣及一背面移除該光阻劑膜。
如請求項7之方法，其中該稀釋劑組合物進一步包含一表面活性劑。
如請求項16之方法，其中該表面活性劑包括一含氟表面活性劑、一非離子型表面活性劑或一離子型表面活性劑。
如請求項16之方法，其中該稀釋劑組合物含有約10至約550 ppm之該表面活性劑。