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KR20130016881A - 감광성 수지 또는 반사방지막 제거용 신너 조성물 - Google Patents

감광성 수지 또는 반사방지막 제거용 신너 조성물 Download PDF

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Publication number
KR20130016881A
KR20130016881A KR1020110079065A KR20110079065A KR20130016881A KR 20130016881 A KR20130016881 A KR 20130016881A KR 1020110079065 A KR1020110079065 A KR 1020110079065A KR 20110079065 A KR20110079065 A KR 20110079065A KR 20130016881 A KR20130016881 A KR 20130016881A
Authority
KR
South Korea
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thinner composition
photoresist
photosensitive resin
thinner
propylene glycol
Prior art date
Application number
KR1020110079065A
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English (en)
Inventor
김성훈
오영남
이경호
Original Assignee
동우 화인켐 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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Abstract

본 발명은 프로필렌글리콜 알킬에테르, 알킬 락테이트 및 사이클로케톤을 포함하는 감광성 수지 또는 반사방지막 제거용 신너 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 감광성 수지 또는 반사방지막 제거용 신너 조성물은 반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시소자 제조방법에 사용되는 기판의 에지부위와 후면부위에 사용되어 불필요하게 부착된 감광막을 단시간에 효율적으로 제거할 수 있다.

Description

감광성 수지 또는 반사방지막 제거용 신너 조성물{Thinner composition for removing photosensitive resin or anti-reflective coating}
본 발명은 반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시소자 제조공정에 사용되는 감광성 수지 또는 반사방지막 제거용 신너 조성물에 관한 것이다.
보다 상세하게는, 본 발명은 다양한 포토레지스트 및 하부반사방지막(BARC)및 언더레이어(underlayer)에 대하여 우수한 용해성 및 EBR 특성을 가지며, 포토레지스트가 사용된 웨이퍼의 리워크(rework) 공정 및 포토레지스트의 도포성능을 향상시키기 위해 웨이퍼 표면을 전처리하는 공정에서도 우수한 특성을 갖는 신너 조성물에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조공정 중 포토리소그래피(photolithography) 공정은 웨이퍼 상에 감광성 수지 조성물을 도포하고, 사전에 설계된 패턴을 전사한 후 전사된 패턴에 따라 적절하게 식각 공정을 통하여 전자회로를 구성해나가는 작업으로 매우 중요한 작업 중의 하나이다.
이러한 포토리소그래피 공정은 (1)웨이퍼의 표면에 감광성 수지 조성물을 균일하게 도포하는 도포공정, (2)도포된 감광막으로부터 용매를 증발시켜 감광막이 웨이퍼의 표면에 부착되게 하는 소프트 베이킹(soft baking) 공정, (3)자외선 등의 광원을 이용하여 마스크 상의 회로패턴을 반복적, 순차적으로 축소 투영하면서 감광막을 노광시켜 마스크의 패턴을 감광막 상으로 전사하는 노광 공정, (4)광원에의 노출에 의한 감광에 따라 용해도 차와 같은 물리적 성질이 다르게 된 부분들을 현상액을 사용하여 선택적으로 제거하는 현상 공정, (5)현상작업 후 웨이퍼 상에 잔류하는 감광막을 웨이퍼에 보다 긴밀하게 고착시키기 위한 하드 베이킹(hard baking) 공정, (6)현상된 감광막의 패턴에 따라 일정부위를 에칭하는 식각 공정 및 (7)상기 공정 후 불필요하게 된 감광막을 제거하는 박리 공정 등으로 진행된다.
상기 포토리소그래피 공정 중에서 웨이퍼 상에 감광막을 공급하고 기판을 회전시켜 원심력에 의해 표면을 고르게 퍼지게 하는 회전도포 공정은 원심력으로 인해 기판의 에지부위와 후면에 감광막이 몰리게 되어 작은 구형물질이 형성된다. 상기 구형물질은 베이크 공정을 거친 후 기판의 이송도중 박리되어 장치 내의 파티클의 원인이 되기도 하고, 노광 시 디포커스(defocus)의 원인이 되기도 한다. 이런 불필요한 감광물질이 장비오염의 원인이 되어 반도체 소자의 제조공정에 있어서 수율을 저하시키므로, 기판의 에지부위와 후면부위의 상하에 분사노즐을 설치하고 상기 노즐을 통하여 에지부위와 후면부위에 유기용매 성분으로 구성된 신너 조성물을 분사하여 이를 제거하고 있다.
상기 신너 조성물의 성능을 결정짓는 요소로 용해속도 및 휘발성 등을 들 수 있다. 신너 조성물의 용해속도는 감광성 수지를 얼마나 효과적으로 빠르게 용해시켜 제거할 수 있는지를 결정하므로 매우 중요하다. 구체적으로 에지부위의 린스에 있어서, 적절한 용해속도를 가져야만 매끄러운 처리단면을 가질 수 있으며, 용해속도가 너무 높은 경우에는 기판에 도포된 감광막의 린스에서 감광막 어택(attack)이 나타날 수 있다. 반대로 용해속도가 너무 낮은 경우에는 기판에 도포된 감광막의 린스에서 테일링(tailing)이라고 하는 부분 용해된 감광막 테일(tail) 흐름 현상이 나타날 수 있다. 특히 최근 들어 반도체 직접회로의 고집적화, 고밀도화에 따른 기판의 대구경화로 인해, 회전도 포기를 이용한 린스공정의 경우 회전속도의 저회전(rpm)화는 필연적이라고 할 수 있다. 이런 린스의 공정에서 저회전에 따른 기판의 요동 현상 및 분사되는 신너 조성물의 접촉속도에서 적절한 용해속도를 지니지 못할 경우 튐(bounding) 현상이 나타나며, 불필요한 신너 조성물의 사용이 늘게 된다. 이와 같은 기판의 대구경화로 인해 저회전 린스 공정에서는 종래의 고회전 린스 공정보다 더욱 신너의 강력한 용해 속도가 요구되고 있다.
또한, 신너 조성물은 감광성 수지를 제거하고 난 후, 쉽게 휘발하여 기판의 표면에 잔류하지 않을 것이 요구된다. 휘발성이 너무 낮아 신너 조성물이 휘발되지 못하고 잔류하는 경우, 잔류하는 신너 자체가 각종의 공정, 특히 후속 식각 공정 등에서 오염원으로 작용하여 반도체 소자의 수율을 저하시키는 문제점으로 작용할 수 있다. 이와는 반대로 휘발성이 너무 높으면 기판이 급속히 냉각하여 도포된 감광막의 두께 편차가 심해지는 현상이 발생할 수 있고 사용 중에 대기 중으로 쉽게 휘발되어 청정성 자체를 오염시킬 수 있는 원인이 될 수 있다.
현재 반도체 리소그라피 공정에서 포토레지스트로 사용하고 있는 i-라인 포토레지스트, KrF, ArF, EUV, KrF 반사방지막, ArF 반사방지막 등은 모두 구성하고 있는 주성분이 다르다. 따라서, 이들 모두의 용해성 및 도포성을 향상시키기 위한 유기용매의 조성 함량의 조절이 필요하다.
대한민국 공개특허공보 특2003-0095033호는 웨이퍼에 감광성 수지 조성물을 균일하게 도포하는 공정에 있어서 웨이퍼 표면에 포토레지스트를 도포하기 이전에 신너를 먼저 도포하여 적은 량의 포토레지스트로 고르게 도포하는 공정을 개시하고 있다. 그러나, 이 경우에도 신너의 휘발성이 높으면 포토레지스트가 고르게 퍼지지 못하며 또한 휘발성이 너무 낮으면 포토레지스트 도포시에 잔존 신너에 의해 포토레지스가 어택을 받는 문제점이 발생한다.
따라서, 다양한 포토레지스트막, 하부 반사방지막(BARC) 및 언더레이어(underlayer)에 대하여 우수한 용해도를 가지며, 적절한 휘발도를 갖고 있어 포토레지스터를 도포하는데 있어서 우수한 도포 성능을 나타내는 신너 조성물이 요구되고 있다.
본 발명의 목적은 다양한 포토레지스트막, 하부 반사방지막(BARC) 및 언더레이어(underlayer)에 대하여 우수한 용해도를 가지며, 적절한 휘발도를 갖고 있어 포토레지스터를 도포하는데 있어서 우수한 도포 성능을 나타내는 신너 조성물을 제공하기 위한 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 프로필렌글리콜 알킬에테르, 알킬 락테이트 및 사이클로케톤을 포함하는 감광성 수지 또는 반사방지막 제거용 신너 조성물을 제공한다.
본 발명에 따른 감광성 수지 또는 반사방지막 제거용 신너 조성물은 반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시소자 제조방법에 사용되는 기판의 에지부위와 후면부위에 사용되어 불필요하게 부착된 감광막을 단시간에 효율적으로 제거할 수 있다. 본 발명에 따른 감광성 수지 또는 반사방지막 제거용 신너 조성물은 다양한 포토레지스트 및 하부반사방지막(BARC)에 대하여 우수한 용해성 및 EBR 특성을 가진다.
특히, EUV용 포토레지스트 및 언더레이어(underlayer)에 대하여 우수한 용해성 및 EBR 특성을 가지므로, 디자인 룰이 20nm이하인 반도체 공정에서 사용하는 포토레지스트 및 반사방지막 제거에 사용가능하다.
또한 포토레지스트가 도포된 웨이퍼의 리워크(rework) 공정에 사용시 우수한 특성을 나타내며 포토레지스트를 도포하기 이전에 포토레지스트의 도포성능을 향상시키기 위해 신너 조성물을 먼저 도포하는 공정에서도 우수한 성능을 가진다.
또한, 본 발명의 신너 조성물은 인체에 대한 독성이 없고, 냄새로 인한 불쾌감이 없어서 작업안정성이 높으며, 부식성이 낮은 특징을 갖고 있다. 또한, 본 발명의 신너 조성물은 컵홀더 등의 생산설비의 오염이나 배출구의 막힘 등이 발생하지 않아 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 웨이퍼 상에 도포된 포토레지스트의 종류에 따른 코팅 균일성을 평가한 지점을 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명의 구성 및 작용을 보다 상세히 설명한다.
본 발명의 신너 조성물은 프로필렌글리콜 알킬에테르, 알킬 락테이트 및 사이클로케톤을 포함한다.
본 발명의 신너 조성물은, 조성물 총 중량에 대하여, 프로필렌글리콜 알킬에테르 1~30중량%, 알킬 락테이트 10~70중량% 및 사이클로케톤 10~70중량%를 포함하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 본 발명의 신너 조성물은 프로필렌글리콜 알킬에테르 10~20중량%, 알킬 락테이트 30~50중량% 및 사이클로케톤 30~50중량%를 포함한다.
본 발명의 신너 조성물에 프로필렌글리콜 알킬에테르가 1중량% 미만으로 포함되는 경우 본 발명에서 목적으로 하는 효과를 얻기 어려우며, 20 중량%를 초과하여 포함되면 용해도가 떨어져서 RRC(reducing resist coating) 효과가 떨어져서 바람직하지 않다.
또한, 본 발명의 신너 조성물에 알킬 락테이트가 10중량% 미만으로 포함되는 경우 본 발명에서 목적으로 하는 효과를 얻기 어려우며, 70중량%를 초과하여 포함되면 휘발도가 떨어져서 EBR(엣지 비드 리무빙) 공정에서 포토레지스트의 테일링 현상이 발생하여 바람직하지 않다.
또한, 본 발명의 신너 조성물에 사이클로케톤이 10중량% 미만으로 포함되는 경우 본 발명에서 포토레지스트에 대한 용해도가 떨어져서 RRC(reducing resist coating) 효과가 떨어지며, 70중량%를 초과하여 포함되면 휘발도가 떨어져서 EBR(엣지 비드 리무빙) 공정에서 포토레지스트의 테일링 현상이 발생하여 바람직하지 않다.
상기 프로필렌글리콜 알킬에테르에서, 알킬기로는 탄소수 1 내지 10의 알킬기가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸 에테르 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종일 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 알킬 락테이트는 탄소수 1 내지 5의 알킬기가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 메틸 락테이트, 에틸 락테이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종일 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 사이클로케톤은 탄소수 1 내지 10의 알킬기가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 사이클로부타논, 사이클로헥사논 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종일 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 신너 조성물은 계면활성제를 더 포함할 수 있다. 상기 계면활성제로는 불소계열, 비이온성 계열 또는 이온성 계열의 계면활성제인 것이 바람직하다. 상기 계면활성제는 본 발명의 신너 조성물에 대하여 약 10 내지 500 중량ppm로 포함된다. 상술한 범위를 만족하면, EBR 특성이 개선된다.
또한, 본 발명의 신너 조성물은 감광성 수지 조성물이 도포된 기판의 에지부위 및 후면부위에 분사하여 불필요한 감광막을 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 또는 박막트랜지스터 액정표시소자의 제조방법에 사용될 수 있다. 이때, 상기 신너 조성물의 분사량은 5 내지 50cc/min인 것이 바람직하다. 이후 공정은, 반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시소자의 제조에 있어서 당기술 분야에 알려진 일반적인 기술에 의하여 제조될 수 있다.
본 발명의 감광성 수지 또는 반사방지막 제거용 신너 조성물은 반도체 소자의 제조에 사용되는 기판의 대구경화로 인하여 발생하는 기판의 에지부위나 후면부위에서의 불필요한 포토레지스트를 균일하게 그리고 단시간에 제거할 수 있다.
또한, 본 발명의 신너 조성물은 다양한 포토레지스트막, 하부 반사방지막(BARC)및 언더레이어(underlayer)에 대하여 우수한 용해도를 가지며, EBR 특성, 리워크(rework) 특성 및 포토레지스트의 도포성능을 향상시킬 수 있다. 특히, i-라인, KrF, ArF, EUV 용 포토레지스트의 경우 구성하는 감광성 레진의 기본 구조가 다르기 때문에, 이들 모두의 용해성 및 도포성을 향상시키기 위한 유기용매의 조성 함량의 조절이 필요하지만, 본 발명의 신너 조성물은 이를 만족시킨다.
또한, 본 발명의 신너 조성물은 극성이 높은 구조를 갖는 포토레지스트 및 반사방지막의 주요 성분들에 대한 용해능이 우수하여 EBR 공정, 웨이퍼 하부 세척공정 및 포토레지스트 도포이전의 웨이퍼 상부의 전처리 공정이 끝난 후, 코터의 컵홀더를 오염시키거나 배출구를 막는 현상이 발생하지 않아 생산성을 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예 등을 통하여 보다 구체적으로 설명하나, 본 발명의 권리범위가 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1~4 및 비교예 1~8: 감광성 수지 또는 반사방지막 제거용 신너 조성물의 제조
교반기가 설치되어 있는 혼합조에 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르(PGME), 에틸 락테이트(EL) 및 사이클로헥사논(CHN)을 표 1에 기재된 조성비로 첨가한 후, 상온에서 1시간 동안 500rpm의 속도로 교반하여 감광성 수지 또는 반사방지막 제거용 신너 조성물을 제조하였다.
PGME(중량%) EL(중량%) CHN(중량%) PGMEA(중량%)
실시예1 20 40 40 -
실시예2 20 30 50 -
실시예3 10 40 50 -
실시예4 10 50 40 -
비교예1 20 80 -
비교예2 10 - 90 -
비교예3 20 80 - -
비교예4 - - 100 -
비교예5 35 30 35 -
비교예6 40 30 30 -
비교예7 - 10 2 88
비교예8 - 40 40 20
*PGME: 프로필렌글리콜 모노메틸에테르
*EL: 에틸 락테이트
*CHN: 사이클로헥사논
*PGMEA: 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트
시험예 1: 감광성 수지 조성물에 대한 신너 조성물의 불필요한 감광막 제거 실험
4인치(inch) 산화 실리콘 기판에 하기 표 2에 기재되어 있는 감광성 수지 조성물을 도포한 후, 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 8의 신너 조성물을 표 3에 기재되어 있는 조건으로 에지부위의 불필요한 감광막을 제거하는 실험(Edge Bead Removing 실험: 이하 EBR 실험이라 함)을 진행하였다.
각 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 8의 신너 조성물들은 압력계가 장치된 가압통에서 공급되며, 이때의 압력은 1kgf이였고, EBR 노즐에서 나오는 신너 조성물의 유량은 10 내지 30cc/min으로 하였다. 그리고 광학현미경 및 주사전자현미경을 이용하여 불필요한 감광막의 제거성능을 평가하여, 그 결과를 하기의 표 4에 나타내었다.
구분 조성물 종류 레진 계열 막두께(㎛)
PR 1 i-라인용 PR Novolac 1.10
PR 2 KrF용 PR Acetal (PHS) 1.0
PR 3 ArF용 PR Acrylate 0.18
PR 4 EUV용 PR Acrylate 0.07
BARC-1 KrF용 BARC 0.06
BARC-2 ArF용 BARC 0.04
underlayer EUV용 underlayer 0.01
구분 회전속도(rpm) 시간(Sec)
분배(dispense)조건 300~2000 7
스핀코팅 감광막 두께에 따라 조절 15
EBR 조건1 2000 20
EBR 조건2 2000 25
건조 조건 1300 6
PR 1 PR 2 PR 3 PR 4 BARC-1 BARC-2 underlayer
실시예1 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
실시예2 ◎ ◎ ○ ◎ ◎ ◎ ◎
실시예3 ◎ ◎ ○ ◎ ○ ○ ◎
실시예4 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ◎
비교예1 ◎ ○ △ △ ○ △ △
비교예2 ◎ ○ △ △ ○ △ △
비교예3 ◎ ○ ○ △ ○ △ △
비교예4 ○ ○ △ △ △ △ △
비교예5 ○ ○ ○ △ △ △ △
비교예6 ○ ○ △ ○ △ △ △
비교예7 ○ ○ ○ X △ △ X
비교예8 △ △ ○ X △ X X
◎: EBR 후 감광막에 대한 EBR 라인 균일성(line uniformity)이 일정
○: EBR 후 감광막에 대한 EBR 라인 균일성이 75% 이상으로 양호한 직선 상태
△: EBR 후 에지 부분의 모양이 신너의 용해작용을 받아서 일그러진 상태
X: EBR 후 에지부위의 막에 테일링(tailing) 현상이 발생한 것
표 4를 참조하면, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 4의 신너 조성물들은 모든 감광막에 대하여 우수한 EBR 성능을 나타낸다. 반면, 비교예 1 내지 8은 감광막에 대한 침투현상을 억제하는데 있어서 실시예 1 내지 4에 따른 본 발명의 신너 조성물에 비해 제거성이 현저히 떨어짐을 확인할 수 있다. 특히 EUV용 PR 및 EUV용 언더레이어(underlayer)에 대하여 본 발명에 따른 실시예 1 내지 4의 신너 조성물은 우수한 EBR 성능을 나타내는데 비하여, 비교예 1 내지 8은 EBR 성능이 현저히 떨어진다. 본 발명의 신너 조성물은 많은 종류의 포토레지스트와 하부 반사 방지막(BARC)의 EBR 성능을 모두 만족 시킨다고 볼 수 있다.
또한, EBR의 회전 속도(rpm)조건을 변화시킬 경우에도 동등하게 우수한 형태를 유지하였다. 이는 본 발명에 따른 신너 조성물이 특정조건에서만 효과를 보이는 것이 아니라, 다양한 조건에서 동일한 성능을 보이는 것으로 공정조건의 변화에 대해 종래의 신너 조성물보다 안정하다는 것을 의미한다.
시험예 2: 포토레지스트 종류에 따른 용해 속도 실험
실시예 1 내지 4와 비교예 1 내지 8의 신너 조성물을 사용하여 표 2의 7가지의 포토레지스트에 대한 용해속도를 시험하였다. DRM 기기를 이용하여 6인치 산화실리콘 기판에 7가지 포토레지스트를 도포한 이후 소프트베이킹 공정이 끝난 웨이퍼를 노광하지 않고 전면을 각각의 신너 조성물에서 현상하면서 용해 속도를 측정하였다. BARC-1, BARC-2, underlayer 의 경우에는 도포 이후 열처리를 하지 않은 상태에서 전면을 각각의 신너 조성물에서 현상하면서 용해 속도를 측정하였다. 그 결과를 하기 표 5에 나타내었다.
PR 1 PR 2 PR 3 PR 4 BARC-1 BARC-2 underlayer
실시예1 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
실시예2 ◎ ◎ ○ ◎ ○ ◎ ◎
실시예3 ◎ ○ ○ ◎ ○ ○ ◎
실시예4 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ◎
비교예1 ◎ ○ ○ ○ ○ △ △
비교예2 ◎ ○ △ ○ ○ △ △
비교예3 ○ ○ ○ △ ○ △ X
비교예4 ○ ○ △ △ △ △ X
비교예5 ○ ○ △ ○ △ △ X
비교예6 ○ ○ △ △ ○ △ X
비교예7 ○ ○ ○ X △ △ X
비교예8 △ △ ○ △ △ X △
◎: 용해속도가 700nm/sec 이상인 경우.
○: 용해속도가 400nm/sec 이상에서 700nm/sec 미만인 경우.
△: 용해속도가 100nm/sec 이상에서 400nm/sec 미만인 경우.
X: 용해속도가 100nm/sec 이하인 경우
시험예 3: 포토레지스트 종류에 따른 코팅 균일성 평가
실시예 1 내지 4와 비교예 1 내지 8의 신너 조성물을 사용하여 표 2의 7가지의 포토레지스트에 대한 코팅 균일성을 시험하였다. 표 6과 같은 레시피에 따라 6인치 산화실리콘 기판 위에 포토레지스트를 도포 한 후 웨이퍼의 중앙과 웨이퍼의 중앙에서 1인치, 2인치 거리의 지점을 X자 모양으로 총 8곳, 모두 9곳(도 1 참조)을 측정하여 포토레지스트가 균일하게 도포 되었는지를 확인하였다. 그 결과를 하기 표 7에 나타내었다.
스텝 시간(sec) 스피드(rpm) 액셀(rpm/sec) 디스펜스 (cc)
1 5 0 10,000 2.0 (Thinner)
2 5 700 10,000 0
3 3 2,000 10,000 0
4 20 2,000 10,000 0.30 (PR)
5 5 700 10,000 0
6 5 0 10,000 0
PR 1 PR 2 PR 3 PR 4 BARC-1 BARC-2 underlayer
실시예1 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
실시예2 ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ◎ ◎
실시예3 ◎ ○ ○ ◎ ◎ ○ ◎
실시예4 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ◎
비교예1 ◎ △ ○ ○ ○ ○ △
비교예2 ◎ ○ △ ○ ○ △ △
비교예3 ○ ○ ○ △ ○ △ △
비교예4 ○ ○ △ △ △ △ △
비교예5 ○ ○ △ ○ △ △ △
비교예6 ○ ○ △ △ ○ △ △
비교예7 ○ ○ ○ X △ △ △
비교예8 △ △ ○ △ △ △ △
◎: 도포 막두께의 표준편차가 1% 이하인 경우
○: 도포 막두께의 표준편차가 2% 이하인 경우
△: 도포 막두께의 표준편차가 3% 이하인 경우
X: 도포 막두께의 표준편차가 3% 초과인 경우
시험예 4: 포토레지스트 종류에 따른 리워크 ( rework ) 성능 평가
실시예 1 내지 4와 비교예 1 내지 8의 신너 조성물을 사용하여 표 2의 7가지의 포토레지스트에 대한 리워크(rework) 성능을 시험하였다. 표 8과 같은 레시피에 따라 6인치 산화실리콘 기판에 7가지 포토레지스트를 도포한 이후 소프트베이킹 공정이 끝난 웨이퍼를 각각의 신너 조성물을 사용하여 리워크 공정을 실시하였다. BARC-1, BARC-2, 언더레이어(underlayer)의 경우에는 도포 이후 열처리를 하지 않은 상태에서 각각의 신너 조성물을 사용하여 리워크 공정을 실시하였다.
리워크된 산화실리콘 기판을 TOPCON사의 표면스캔(surface scan) 장비(Model명: WM-1500)를 사용하여 표면 상태를 평가하였다. 그 결과를 하기의 표 9에 나타내었다.
스텝 시간(sec) 스피드(rpm) 액셀(rpm/sec) 디스펜스 (cc)
1 2 0 10,000 0
2 2 1000 10,000 0
3 4 1000 10,000 2.0 (Thinner)
4 9.5 4000 10,000 0
5 0 0 10,000 0
PR 1 PR 2 PR 3 PR 4 BARC-1 BARC-2 underlayer
실시예1 ◎ ◎ ○ ◎ ◎ ◎ ◎
실시예2 ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ◎ ◎
실시예3 ◎ ○ ○ ◎ ◎ ○ ◎
실시예4 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ○ ◎
비교예1 ○ △ ○ ○ ○ ○ △
비교예2 ○ ○ △ ○ ○ △ △
비교예3 ○ △ ○ △ △ △ △
비교예4 ○ ○ △ X △ △ △
비교예5 ○ ○ △ △ △ △ △
비교예6 ○ ○ △ ○ △ △ △
비교예7 ○ ○ ○ X △ X X
비교예8 △ △ ○ X △ X X
◎: 표면스캔 결과 리워크된 산화실리콘 표면 파티클의 개수가 1000개 미만인 경우
○: 표면스캔 결과 리워크된 산화실리콘 표면 파티클의 개수가 1000개 이상 2000개 미만인 경우
△: 표면스캔 결과 리워크된 산화실리콘 표면 파티클의 개수가 2000개 이상 3000개 미만인 경우
X: 표면스캔 결과 리워크된 산화실리콘 표면 파티클의 개수가 3000개 이상인 경우

Claims (9)

  1. 프로필렌글리콜 알킬에테르, 알킬 락테이트 및 사이클로케톤을 포함하는 감광성 수지 또는 반사방지막 제거용 신너 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 신너 조성물 총 중량에 대하여, 프로필렌글리콜 알킬에테르 1~30중량%, 알킬 락테이트 10~70중량% 및 사이클로케톤 10~70중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 또는 반사방지막 제거용 신너 조성물.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 프로필렌글리콜 알킬 에테르는, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸 에테르 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 또는 반사방지막 제거용 신너 조성물.
  4. 청구항 2에 있어서, 상기 알킬 락테이트는 메틸 락테이트, 에틸 락테이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 또는 반사방지막 제거용 신너 조성물.
  5. 청구항 2에 있어서, 상기 사이클로케톤은 사이클로부타논, 사이클로헥사논 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 또는 반사방지막 제거용 신너 조성물.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 신너 조성물에 계면활성제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 또는 반사방지막 제거용 신너 조성물.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 감광성 수지는 i-라인, KrF, ArF 또는 EUV용 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 또는 반사방지막 제거용 신너 조성물.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 감광성 수지는 EUV용 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 또는 반사방지막 제거용 신너 조성물.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 신너 조성물은 EBR 공정, 리워크(Rework) 공정, 웨이퍼 하부면 세척공정 또는 포토레지스트의 도포 공정에서 포토레지스트를 도포하기 이전에 웨이퍼 표면을 전처리하는 공정에 사용되는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 또는 반사방지막 제거용 신너 조성물.
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