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TWI385582B - 記憶卡用配接器及記憶卡 - Google Patents

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TWI385582B
TWI385582B TW095104349A TW95104349A TWI385582B TW I385582 B TWI385582 B TW I385582B TW 095104349 A TW095104349 A TW 095104349A TW 95104349 A TW95104349 A TW 95104349A TW I385582 B TWI385582 B TW I385582B
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TW095104349A
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Inventor
Hideo Koike
Original Assignee
Renesas Electronics Corp
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Publication date
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Description

記憶卡用配接器及記憶卡
本發明係關於記憶卡用配接器及記憶卡技術，尤其係關於適用於如縮尺MMC(Multi Media Card，多媒體卡)等之比小型記憶卡更小之記憶卡的配接器及記憶卡之有效技術。
如多媒體卡(具有由多媒體卡協會實行標準化之標準：以下稱為MMC)或SD(Secure Digital，安全數位)卡(具有由SD協會實行標準化之標準)等之記憶卡係，一種將資訊記憶於其內部之半導體記憶體晶片中的記憶裝置。於該記憶卡中，由於其對形成於半導體記憶體晶片之非揮發性記憶體直接且電性地存取資訊，故而具有如下之優良特性，即無須對機械系統進行控制，且與其他記憶裝置相比，寫入、讀取之速度較快，並可進行記憶媒體之交換。又，由於其外形尺寸較小較輕，故而主要用作如可攜式個人電腦、行動電話或數位相機等之要求可攜性之機器的輔助記憶裝置。
MMC係重量為1.5 g、外形尺寸為32 mm×24 mm、厚度為1.4 mm之小型輕量之記憶卡，並且具有：含有經較大去角處理之角部之平面大致為四角形狀的薄板狀頂蓋，以及嵌入該零件收容面之凹部內之記憶體本體。記憶體本體具有配線基板、搭載於其主面之半導體晶片、以及對該半導體晶片進行密封之樹脂密封體。半導體晶片經由配線基板之配線，與配線基板底面之複數個外部端子電性連接。該複數個外部端子露出於外部，且與組合有MMC之電子機器電性連接。
又，縮尺MMC(Reduced Size MMC：以下稱為RSMMC)係尺寸大致為上述MMC一半(重量為0.8 g，外形尺寸為18 mm×24 mm，厚度為1.4 mm)之記憶卡。RSMMC之外部端子構造具有與MMC之相容性，並且可藉由使用記憶卡用配接器而作為MMC使用。
進而，上述SD卡係重量為3 g、外形尺寸為32 mm×24 mm、厚度為2.1 mm之除重量與厚度外，形狀與MMC相同之記憶卡，並且具有：含有經較大去角處理之角部之平面大致為四角形狀之薄板狀的2個盒，以及於夾持於該2個盒之間之狀態下收容之記憶體本體。於SD卡一方之盒之底面，形成有複數個開口部，且自該開口部露出有記憶體本體底面之複數個外部端子，經由該開口部，使SD卡之外部端子與併入有SD卡之電子機器電性連接。上述MMC可用於大部分對應SD卡之電子機器。
再者，至於記憶卡用配接器，於例如日本專利特開2004－348557號公報(專利文獻1)中有所揭示，且揭示有將如RSMMC等小型記憶卡轉換為一般MMC尺寸之配接器的結構。
又，於例如日本專利特開2004－133516號公報(專利文獻2)中揭示有如下結構，於如MMC等之記憶卡外部設置覆蓋IC本體之密封部，並由記憶卡盒與密封部夾持IC本體，以牢固地對其進行保持。
[專利文獻1]日本專利特開2004－348557號公報[專利文獻2]日本專利特開2004－133516號公報
然而，近年來，隨著插入記憶卡之電子機器之小型化，厚度略薄於上述MMC或SD卡且平面尺寸小於上述RSMMC之極小尺寸的記憶卡正逐步產品化，但存在如下重要問題，即如何將此種極小尺寸之記憶卡使用於對應尺寸大於其之MMC、SD卡或者RSMMC等機器中。
因此，本發明之目的在於提供一種可提高極小尺寸之記憶卡之通用性的技術。
本發明之上述以及其他目的與新穎特徵，由本說明書之記述及附圖當可明白。
茲簡單說明本專利申請案所揭示之發明中具代表性者之概要如下。
即，本發明係記憶卡用配接器，其具有與第1尺寸之記憶卡相同之平面尺寸，且具有可收容小於上述第1尺寸之第2尺寸之記憶卡的空間，且使上述記憶卡用配接器之上述空間內的內部端子之配置區域的厚度厚於上述記憶卡用配接器之複數個外部端子的配置區域。
又，本發明係記憶卡，其具有：半導體晶片，其安裝於配線基板之第1面，且包含有助於資訊記憶之記憶電路；電子零件，其安裝於上述配線基板之第1面之相反側的第2面；及複數個外部連接端子，其於上述配線基板之第2面配置在離開上述電子零件之位置，且電性連接於上述半導體晶片及上述電子零件，並且使安裝有上述記憶卡之上述電子零件之區域的厚度厚於配置有上述記憶卡之上述複數個外部連接端子之區域的厚度。
茲簡單說明本申請案所揭示之發明中由代表性者所獲得之效果如下。
即，本發明之記憶卡用配接器具有與第1尺寸之記憶卡相同之平面尺寸，且具有可收容小於上述第1尺寸之第2尺寸之記憶卡的空間，使上述記憶卡用配接器之上述空間內之內部端子之配置區域的厚度厚於上述記憶卡用配接器之複數個外部端子的配置區域，藉此可將極小尺寸之記憶卡轉換為尺寸大於其之記憶卡，故而可提高極小尺寸之記憶卡之通用性。
又，使安裝有上述記憶卡之上述電子零件之區域的厚度厚於配置有上述記憶卡之上述複數個外部端子之區域的厚度，藉此可提高記憶卡之性能。
於下述實施形態中，於方便且有必要時，將其分割為複數個部分或實施形態加以說明，但除特別明示之情形外，該等並非為互不相關者，而存在如下關係，即一方為他方之一部分或全部之變形例、詳細情況、補充說明等。又，於下述實施形態中，言及要素之數量等(包含個數、數值、量、範圍等)時，除特別明示之情形及原理上明確限定為特定數量之情形等外，不限定為其特定之數量，亦可大於等於或小於等於特定之數量。再者，於下述實施形態中，不言而喻，其構成要素(亦包含要素步驟等)，除特別明示之情形及原理上明確為必須之情形等外，並不一定為必須者。同樣，於下述實施形態中，涉及構成要素等之形狀、位置關係等時，除特別明示之情形及原理上明確並非如此之情形外，實質上包含與其形狀等接近或者類似者。此對於上述數值及範圍亦相同。又，對用以說明本實施形態之所有圖中，具有相同功能者付與相同符號，並盡可能省略其重複說明。以下，基於圖式，就本發明之實施形態加以詳細說明。
(實施形態1)
圖1係自本實施形態1之記憶卡用配接器之上面(第1面)側所觀察之整體立體圖，圖2係自圖1之記憶卡用配接器之底面(第2面)側所觀察之整體立體圖，圖3係圖1之記憶卡用配接器之上面之整體平面圖，圖4係圖1之記憶卡用配接器之底面之整體平面圖，圖5係自圖3之箭頭A所示方向觀察之記憶卡用配接器之正視圖，圖6係自圖3之箭頭B所示方向觀察之記憶卡用配接器之側視圖，圖7係自圖3之箭頭C所示方向觀察之記憶卡用配接器之後視圖。
本實施形態1之記憶卡用配接器(以下僅稱為配接器)1A係如下所揭示者，其含有於例如1個角部上具有索引用之較大倒角部CA1之平面矩形狀之較小薄板，具有與例如寬度W1為24 mm、長度L1為32 mm之所謂足尺(Full Size)之MMC(第1尺寸之記憶卡，IC(Integrated Circuit，積體電路)卡)相同平面尺寸(標準)，且具有可收容小於該MMC之下述極小尺寸之記憶卡(第2尺寸之記憶卡，IC卡)的卡收容空間。於此處，於MMC中亦例示有作為HS(High Speed，高速)MMC用而起作用之配接器。藉由將上述極小尺寸之記憶卡收容於該配接器1A之卡收容空間中，而可作為例如可攜式個人電腦等之資訊處理裝置、數位相機等圖像處理裝置或如行動電話等之通訊機器等，各種可攜式電子機器之MMC尺寸之輔助記憶裝置而使用。
然而，本實施形態1之配接器1A，其厚度之尺寸(標準)與MMC之標準不同，且具有相對較薄之第1部分與相對較厚之第2部分。相對較薄之第1部分係其厚度D1設為與一般之MMC之厚度尺寸(標準)相同之例如1.4 mm的部分。
於相對較薄之第1部分中，於配接器1A之底面配置有端子區域與導軌區域GR。於端子區域中，例如13個外部端子(第1外部端子)2於露出於外部之狀態下，沿配接器1A之長度方向(極小尺寸之記憶卡之長度方向，或者極小尺寸之記憶卡插入配接器1A之方向)而配置為2行。
上述導軌區域GR係自配接器1A之側面側向內側後退長度L2(例如0.8 mm以上)之區域，並且係對應於MMC之導軌區域之區域。即，配接器1A之導軌區域GR係，於將記憶卡內置之配接器1A併入上述電子機器時，電子機器側之組合有記憶卡用之導軌之處。由於若配接器1A之導軌區域GR較厚，則無法將記憶卡內置之配接器1A併入上述電子機器，故而該導軌區域GR形成為相對較薄之第1部分。
另一方面，於厚於上述第1部分之上述相對較厚之第2部分上，形成有向遠離配接器1A之底面之方向稍微突出之突出部H。相對較厚之第2部分之厚度D2設為例如1.6~2.1 mm(較好的是1.6~1.7 mm)左右。相對較厚之第2部分之突出部H配置為其外周自上述外部端子2之外周遠離長度L3。該長度L3於以按壓/彈出式自上述電子機器取出記憶卡內置之配接器時，考慮其過度撞擊而設為例如最低大於等於0.8 mm，較好的是1.0 mm左右。即，於本實施形態1之配接器1A中，相對較厚之第2部分之突出部H，以自外部端子2之外周遠離長度L3之位置為基點，自此處橫跨配接器1A之背面而形成。於此，除例示有相對較厚之第2部分之突出部H配置於上述第2行(後一行)之外部端子2之後方(朝向配接器1A背面之方向)之情形外，亦例示有其配置於自配接器1A之正面側之第2行(後一行)之外部端子2之行的最內側之外部端子2之鄰接間的情形。
又，於配接器1A之背面設置有開口部(第1開口部)3，其係用以將上述極小尺寸之記憶卡自外部插入配接器1A之內部之卡收容空間，或自卡收容空間取出至外部者。開口部3藉由設置於配接器1A背面之溝部(凹部)而形成。又，開口部3之平面形狀為長方形，其寬度W2大於上述極小之記憶卡之寬度，且小於配接器1A之寬度W1，例如為10~15 mm左右。又，開口部3之高度D3大於上述極小尺寸之記憶卡之厚度，且小於上述配接器1A之厚度D2，例如為1.0~1.5 mm左右。即，配接器1A之第2部分之厚度D2形成為厚於第1部分之厚度D1。雖於下詳細進行說明，但配接器1A之第2部分之厚度構成為相當於記憶卡5之厚度與連接器配線10之高度之和的厚度D2，藉此可於配接器1A內確保記憶卡5與連接器配線10之空間。
其次，圖8係本實施形態1之安裝上述極小尺寸之記憶卡時自配接器之上面(第1面)側所觀察的整體立體圖，圖9係安裝上述極小尺寸之記憶卡後自配接器之底面(第2面)側所觀察的整體立體圖，圖10係圖8之極小尺寸之記憶卡之上面的整體平面圖，圖11係圖10之極小尺寸之記憶卡之底面的整體平面圖，圖12係自圖10之箭頭A所示方向觀察之極小尺寸之記憶卡的正視圖，圖13係自圖10之箭頭B所示方向觀察之極小尺寸之記憶卡的側視圖，圖14係自圖10之箭頭C所示方向觀察之極小尺寸之記憶卡的後視圖。
極小尺寸之記憶卡5，如圖8及圖9所示，於其底面之複數個外部端子6朝向與配接器1A之複數個外部端子相同之方向的狀態下，經由配接器1之背面之開口部3而收容於配接器1之卡收容空間。該記憶卡5係外形尺寸小於所謂RSMMC之較小之記憶卡，其寬度W3例如為11 mm，長度L4短於配接器1A長度方向之長度L1之一半，例如為14 mm，厚度D4例如為1.0~1.2 mm左右。於記憶卡5正面側之底面上，於露出於外部之狀態下，例如11個外部端子(第2外部端子)6配置為1行。
其次，圖15係安裝極小尺寸之記憶卡後之配接器之上面的整體平面圖，圖16係安裝極小尺寸之記憶卡後之配接器之底面的整體平面圖，圖17係圖15之X1－X1線之剖面圖。再者，於圖15及圖16中，透過配接器1A內之記憶卡5而進行觀察。又，圖15及圖16之虛線表示配接器1A之長度方向(記憶卡5之長度方向，朝向記憶卡5之配接器1A之插入方向)之中心。
配接器1A具有配接器1A上面側之第1盒(第1殼體)8a、與配接器1A底面側之第2盒(第2殼體)8b。第1盒8a具有沿配接器1A之厚度方向而相互配置於相反側的上面(第1面)與底面(第2面)。於該第1盒8a之底面配置有上述複數個外部端子2，並且藉由例如超音波熱壓接法而接合有上述第2盒8b。
如圖17所示，於配接器1A中，僅第1盒8a處為上述厚度D1之相對較薄之第1部分，第1盒8a與第2盒8b之接合處為上述厚度D2之相對較厚之第2部分。即，第2盒8b形成上述突出部H。於該第1盒8a與第2盒8b之接合處，藉由使形成於第1盒8a與第2盒8b各自之對向面的凹部8a1、8b1相互重合，而形成有上述卡收容空間9。卡收容空間9配置於配接器1A之寬度方向(短方向)之中央。即，卡收容空間9之左右存在空閒區域。
第1盒8a及第2盒8b，自實現例如輕量化、易加工性及柔軟性之方面考慮，包含如聚碳酸酯、ABS(acrylonitrile butadiene styrene resin，丙烯腈－丁二烯－苯乙烯樹脂)樹脂、PBT(聚對苯二甲酸丁二醇酯：polybutylene terephthalate)、PPE(Poly Phenylen Ether；聚苯醚)、尼龍、LCP(液晶聚合物：liquid crystal polymer)、PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯：polyethylen terephtalate)或該等混合物等之熱可塑性樹脂。又，亦可將第1盒8a及第2盒8b分別形成複數個區塊。於此情形時，亦可由樹脂形成所有之複數個區塊，但亦可由金屬形成較薄之區塊部分。藉此，可提高較薄之配接器1A之機械強度。
上述外部端子2各自與連接器配線(配線)10之一端電性連接。該連接器配線10之他端延伸於卡收容空間9，且與一體形成於該連接器配線10之延伸端部之內部端子10a電性連接。該內部端子10a配置於卡收容空間9內，且若將記憶卡5收容於卡收容空間9內，則與記憶卡5之外部端子6電性連接。連接器配線10與內部端子10a之連接路徑部分形成為彎曲狀，並作為板彈簧而起作用。藉此，若將記憶卡5收容於卡收容空間9內，則於記憶卡5之外部端子6側向內部端子10a施力，壓住外部端子6，並且牢靠地與外部端子6接觸。
其次，圖18係配接器1A之厚度方向尺寸之說明圖。
本發明者已對將上述極小尺寸之記憶卡5轉換為MMC尺寸之配接器的製造加以研究。由於如上所述般，MMC之厚度為1.4 mm，另一方面，記憶卡5之厚度為1.0~1.2 mm左右，故而兩者之厚度差只剩0.2~0.4 mm左右。於此處存在如下問題，即若配接器盒之厚度最低必須為0.1 mm，則配接器厚度方向之上下盒之總厚度為0.2 mm，故而於配接器內無法確保配置上述內部端子10a之部分。
因此，於本實施形態1中，如上所述般，於配接器1A中形成較與MMC之厚度同等的第1部分更厚之第2部分。即，配接器1A中，至少內部端子10a之配置區域部分之厚度，厚於上述複數個外部端子2之配置區域之厚度。藉此，於配接器1A中，可確保內部端子10a之配置部分，故而可提供將極小尺寸之記憶卡5轉換為MMC之配接器1A。即，由於藉由將極小尺寸之記憶卡5收容於配接器1A中，而可將極小尺寸之記憶卡5轉換為大於其之MMC，故而可提高記憶卡5之通用性。
於此處，若內部端子10a之突出高度D5例如為0.1 mm左右，連接器配線10之板彈簧結構所需之高度D6例如為0.2~0.3 mm左右，則設置內部端子10a所需之高度(第2盒8b之厚度，吐出部H之高度)D7為高度D5＋高度D6，故而例如為0.3~0.4 mm左右。若第1盒8a之厚度D8為0.1 mm，則配接器1A之較厚之第2部分之厚度D2為極小尺寸之記憶卡5之厚度D4(1.2 mm)＋高度D7＋高度D8，例如為1.6~1.7 mm左右。併入有MMC之上述電子機器之插口由於為用以併入SD卡(厚度2.1 mm)之尺寸，故而配接器1A之較厚之第2部分之厚度D2的上限例如為2.1 mm。即，配接器1A之較厚之第2部分之厚度D2例如為1.6~2.1 mm。或者，設置內部端子10a所需之高度(第2盒8b之厚度，突出部H之高度)D7例如為0.3~0.7 mm。
(實施形態2)
圖19係上述實施形態1之配接器之底面之整體平面圖，圖20係記憶卡內置配接器併入電子機器之插口之情形時一例的整體平面圖，圖21係圖20之配接器之側視圖，圖22係本實施形態2之配接器之底面的整體平面圖，圖23係於已將記憶卡內置於圖22之配接器之狀態下進行記憶卡測試之圖式，圖24係於已將記憶卡內置於圖22之配接器之狀態下併入電子機器之插口之情形一例的側視圖。
於上述實施形態1中，突起部H之形狀為如圖19所示，例示有由配接器1A之正面側之區域RA與背面側之區域RB構成的平面凸起狀，但於本實施形態2中，對省略正面側之區域RA而形成之平面大致為四角形狀之情形加以敍述。
圖20及圖21表示已將圖19之配接器1A插入電子機器之插口內的情形。如圖20所示，電子機器插口內之端子12構成為自配接器1A之正面側向背面側延伸，並與配接器1A之外部端子2接觸。圖21係圖20之剖面圖(側視圖)，表示已將配接器1A插入電子機器插口內之情形。如該等圖式所示，可知配接器1A正面側之區域RA可省略。
於圖22中，例示有省略配接器1A正面側之區域RA之圖式。突起部H，其配接器1A之背面側為與上述實施形態1相同之構造，且僅存在於自第2行外部端子2之行至背面側。即，成為於第1行及第2行之外部端子2之行上，不形成突起部H之構造。藉此，可簡化突起部H之形狀，故而可簡化製造配接器1A時之製造工序。
又，本發明者研究有如下結構，即於記憶卡5發生動作不良時，可進行測試作業而無須自配接器1A取出記憶卡5。即，於記憶卡5極小時，假定無法由既存之測試裝置進行測試之情況，研究有可於記憶卡5包含於配接器1A內之狀態下，使用既存之MMC用之測試裝置進行測試作業之配接器的構造。
於圖22中，於省略配接器1A正面側之區域RA之空間上，設置有複數個測試端子TEST。該複數個測試端子TEST各自形成於自第1行及第2行之外部端子2行遠離長度L3之位置，以不與外部端子2接觸。即，測試端子TEST形成為遠離外部端子而不與其接觸。
各測試端子TEST為與外部端子12相區別，設為小於外部端子12之尺寸，且其形狀亦形成為不同之形狀。又，至於其配置，於此處，於記憶卡5之插入方向及與其插入方向正交之方向上等間隔地進行配置，但並非限定於此者，例如亦可為鋸齒狀配置。於此情形時，與等間隔地進行配置之情形相比，可配置更多之測試端子TEST。又，於此處，例示有形成為圓形測試端子TEST之情形，但並非限定於此，亦可形成為半圓形、橢圓形或多角形。
又，複數個測試端子TEST與配接器1A內之記憶卡5電性連接(未圖示)，但於記憶卡5內之控制晶片因靜電破壞等而無法動作時，若於非揮發性記憶體晶片上殘留有資料，則可經由測試端子TEST而直接對非揮發性記憶體晶片進行直接存取控制。圖23表示對該等測試端子TEST中既存之測試裝置進行檢測的狀態。於此處，作為既存之測試裝置，將測試探針簡化後進行圖示，但並非特別限定於此，亦可應用各種既有之測試裝置。
如此，於本實施形態中，藉由省略配接器1A正面側之區域RA，可簡化製造工序。又，藉由於省略正面側之區域RA之空間上設置複數個測試端子TEST,而可使用既存之測試裝置進行記憶卡5之測試作業。
(實施形態3)
圖25係自底面側對本實施形態3之配接器進行觀察之整體立體圖，圖26係自背面側對配接器進行觀察之整體立體圖。
於本實施形態3中，於配接器1C之開口部3及卡收容空間9內側之兩側面上，設有導引部13。導引部13自開口部3向卡收容空間9延伸，且除於將記憶卡5插入卡收容空間9時或自卡收容空間9取出記憶卡5時，具有輔助記憶卡5之水平移動之功能外，亦具有防止記憶卡5之插入方向錯誤(逆插入)之功能。除此以外配接器1C之結構與上述實施形態1之配接器1A相同。即，於本實施形態中，配接器1C之開口部3之平面形狀形成為多角形狀。於圖25及圖26所示之示例中，形成為於與記憶卡5之插入方向正交之方向上，具有開口部3之寬度不同之區域，且配接器1C之底面側之開口部3之寬度形成為，長於配接器1C之上面側之開口部3的寬度。
根據本實施形態3，藉由使開口部3為如上述般之構造，並設置導引部13，而可防止記憶卡5之逆插入，故而可防止因逆插入而引起之配接器1C內之內部端子10a或連接器配線10等之損傷及劣化。
又，亦可將本實施形態3之內容與上述實施形態2結合使用，於此情形時，可獲得各實施形態各自之效果。
(實施形態4)
圖27係自底面側對本發明之實施形態4之配接器進行觀察之整體立體圖，圖28係圖27之配接器之變形例，且係自底面側對配接器進行觀察之整體立體圖。
本實施形態4就非HSMMC用之一般MMC用之配接器1D、1E加以說明。於此情形時，於配接器1D、1E正面側之底面，於1行配置有例如7個外部連接端子2。上述相對較厚之第2部分之突出部H，以進一步自外部端子2之第2行之位置遠離上述長度L3的位置為基點，形成為自此處橫跨配接器1D、1E之背面。除此以外與上述實施形態1~3中所說明者相同。再者，圖27表示無上述導引部13時之示例，圖28表示有上述導引部13時之示例。於有導引部13之情形時，可獲得與上述實施形態3相同之效果。
(實施形態5)
圖29係自上面側對本實施形態5之配接器進行觀察之整體立體圖，圖30係自上面側對安裝記憶卡後之圖29之配接器進行觀察的整體立體圖，圖31係圖30之配接器之後視圖，圖32係圖30之X2－X2線之剖面圖。
於本實施形態5中，於配接器1F之上面，設置有自上述開口部3向上述卡收容空間9延伸之開口部(第2開口部)15。與上述實施形態1及2相同，該開口部15藉由形成於配接器1F之上面之溝部(凹部)而形成。
又，於該開口部15內側之兩側面之上部設有導引部16。該導引部16設置於形成開口部15之溝之側面，且藉由自該側面突起之突起部(凸起部)而構成。又，該突起部設置於較之溝部之底面側更靠近配接器1F之上面側的位置。
該導引部16除具有將記憶卡5插入卡收容空間9時或自卡收容空間9取出時，輔助記憶卡5之水平移動之功能，以及防止逆插入記憶卡5之功能外，亦具有壓住記憶卡5之功能，以使記憶卡5不會自卡收容空間9脫離。於此情形時，如圖30所示，成為如下狀態，即記憶卡5收容於配接器1F之卡收容空間9中，且記憶卡5之上面露出於外部。
再者，導引部16自配接器1F之背面側向正面側連續延伸。又，於記憶卡5之側面上，亦形成有用以對應上述導引部16之導引部5g。又，於記憶卡5之背面形成有使插入記憶卡5時之移動停止的止動部5s。除此以外與上述實施形態1~4中說明者相同。該導引部5g及止動部5s設置於記憶卡5之側面，且藉由自該側面突起之突起部(凸起部)而構成。導引部5g自記憶卡5之正面(與插入配接器1F之方向正交之面)向背面延伸。又，至於止動部5s，其成為於記憶卡5之背面附近，使突起部不延伸至背面，且使突起部消失之形狀。
藉由使記憶卡5為如此結構，如圖32所示，可使記憶卡5以相當於配接器1F之第1盒8a之上面部分之厚度，配置於上方向。即，可自記憶卡5之厚度減去第1盒8a之上面部分之厚度，故而與上述實施形態1~4之情形相比，可使配接器1F之相對較厚之第2部分之厚度D2更薄。
又，於自配接器僅使記憶卡5之背面側部分露出之結構時，由於記憶卡5較小，故而有時難以取出記憶卡5。與此相對，於本實施5之情形時，由於收容於配接器1F之卡收容空間9之記憶卡5的上面亦露出於外部，故而可較容易地取出記憶卡5。
(實施形態6)
圖33係自底面側對本實施形態6之配接器進行觀察之整體立體圖，圖34係圖33之配接器之變形例，且係自底面側對配接器進行觀察之整體立體圖，圖35係圖33及圖34之配接器之記憶卡插入側之側視圖，圖36係圖35之變形例，且係配接器之記憶卡插入側之側視圖，圖37係圖33及圖34之配接器之變形例，且係自上面側對配接器進行觀察之整體立體圖。
於本實施形態6中，於配接器1G、1H之側面形成有開口部3，該開口部3將記憶卡5插入卡收容空間9內或取出記憶卡5。
於開口部3形成於配接器之背面之情形時，配接器之背面自電子機器側之取出卡用之開口部露出，且記憶卡5之背面亦處於露出之狀態，故而有可能誤拔出記憶卡5。
相對於此，於本實施形態6中，於配接器1G、1H之側面上設置有開口部3，故而即使配接器1G、1H之背面自電子機器側之取出卡用之開口部露出，由於記憶卡5之背面未露出，故而不會產生誤拔出記憶卡5之情況。
再者，圖33表示具有13個外部端子2之HSMMC用配接器之示例，圖34表示具有7個外部端子2之一般之MMC用配接器之示例。又，於圖33及圖34中，例示有記憶卡5，其例如20個外部端子6配置為2行。又，圖35表示無導引部之開口部3之示例，圖36表示有導引部13時之開口部3之示例。該開口部3藉由形成於配接器1G、1H側面之溝部(凹部)而形成。如圖35所示，至於配接器1G，其剖面形狀及平面形狀設為與上述實施形態1相同之結構。又，如圖36所示，至於配接器1H，其剖面形狀及平面形狀設為與上述實施形態3相同之結構。於有導引部13之情形時，可獲得與上述實施形態3相同之效果。進而，圖37表示與上述實施形態5相同的，於配接器1G、1H之上面形成開口部15時之例。於此情形時，可獲得與上述實施形態5相同之效果。
(實施形態7)
圖38係自上面側對本實施形態7之配接器進行觀察之整體立體圖，圖39係圖38之配接器之變形例，且係自配接器之上面側進行觀察之整體立體圖。再者，於此處，例示有例如20個外部端子6配置為2行之記憶卡5。
於本實施形態7中，於配接器1J、1K之上面形成有開口部3，其將記憶卡5插入卡收容空間9內或取出記憶卡5。該開口部3藉由蓋20而可開閉。蓋20含有例如樹脂或金屬，且以藉由鉸鏈部而可開閉之狀態下，支撐於配接器1J、1K之上面側。
於圖38之配接器1J之情形時，於蓋20之端部一體地設有凸起狀之抑止部20a。該抑止部20a於將蓋20關閉時，位於卡收容空間9內之記憶卡5之背面側，且具有防止誤將記憶卡5自配接器1J拔出之功能。藉此，不會發生誤拔出配接器1J內之記憶卡5之情況。又，於構成配接器1J之開口部3之溝部之側面設有突起部3a。該突起部3a係用以於將記憶卡5插入開口部3時，確定記憶卡5之位置(距離構成開口部3之溝部之底面的高度)而設。因此，於插入記憶卡5之際，可使記憶卡5穩定地固定。又，此處表示有設有1個突起部3a之示例，但亦可藉由設置複數個該突起部3而使記憶卡5更穩定地固定。
又，於構成開口部3之溝部之底面設置有凹部8b2。於插入記憶卡5時，可藉由使該凹部8b2嵌入蓋20之抑止部20a，穩定地將記憶卡5安裝於配接器1J。
又，於蓋20並於與抑止部20a不同之邊上設置凹部(溝部)20b。於構成開口部3之溝部側面形成有與上述突起部3a不同之突起部3b，其比上述突起部3a更靠近配接器1J之表面，於插入記憶卡5時，可藉由嵌入該突起部3a與突起部3b，使比配接器1J更穩定地安裝記憶卡5。即，於蓋20之不同邊上分別設置抑止部20a及凹部20b，藉此使將蓋20嵌入配接器1J時之支點成為3點，故而與支點僅為1點之抑止部20a相比，可特別穩定地安裝記憶卡5。又，於此處，表示有將該凹部20b及突起部3b分別配置於2處之示例，但不言而喻，將其設置於2處以上，藉此可穩定地進行安裝。
又，於圖39之配接器1K之情形時，於配接器1K之背面側設置有抑止板21。於抑止板21之寬度方向之中央形成有凹部21a。若關閉蓋20，則蓋20之抑止部20a穩定地嵌入上述抑止板21之凹部21a。藉由此種結構，於配接器1K之情形時，不會產生誤拔出配接器1K內之記憶卡5的情況。又，於配接器1K上，與上述配接器1J相同，設置有突起部3a、突起部3b及凹部20b，並且分別可獲得與上述配接器1J之情形時相同之效果。
(實施形態8)
圖40係本實施形態8之配接器之上面的整體平面圖，圖41係圖40之配接器之底面的整體平面圖，圖42係自圖40之箭頭A所示方向觀察之配接器之正視圖，圖43係自圖40之箭頭B所示方向觀察之配接器之側視圖，圖44係自圖40之箭頭C所示方向觀察之配接器之後視圖。
本實施形態8之配接器1L係如下者，其具有與例如寬度W1為24 mm、長度L5為18 mm之所謂RSMMC(第1尺寸之記憶卡，IC卡)同一平面尺寸(標準)，且具有可收容小於該RSMMC之極小尺寸之記憶卡(第2尺寸之記憶卡，IC卡)的收容空間。於此處，於RSMMC中亦例示有作為HSMMC而起作用之配接器。由於可將上述極小尺寸之記憶卡收容於該配接器1L之卡收容空間內，故而可作為上述資訊處理裝置、圖像處理裝置或通訊機器等各種可攜式電子機器之輔助記憶裝置而使用。
其中，於本實施形態8中，配接器1L，其厚度尺寸(標準)與RSMMC之標準不同，且具有相對較薄之第1部分與相對較厚之第2部分。
相對較薄之第1部分係其厚度D1與一般RSMMC之厚度尺寸(標準)相同之，例如1.4 mm的部分。於相對較薄之第1部分中，於配接器1L之底面上，與上述實施形態1相同，配置有端子區域與導軌區域GR。於端子區域上，例如13個外部端子2以露出於外部之狀態，配置為沿配接器1L之短方向(極小尺寸之記憶卡之長度方向或極小尺寸之記憶卡之朝向配接器1L之插入方向)而形成為2行。導軌區域GR與於上述實施形態1中所說明者相同。
另一方面，於厚於上述第1部分之上述相對較厚之第2部分的配接器1L之底面，形成有突出部H。相對較厚之第2部分之厚度D2與上述實施形態1中說明者相同。相對較厚之第2部分之突出部H的平面配置與上述實施形態2中說明者相同。即，於本實施形態8之配接器1L中，相對較厚之第2部分之突出部H，以自第2行(後一行)之外部端子2之外周遠離長度L3之位置為基點，形成為自此處橫跨配接器1L之背面。再者，突出部H之平面配置亦可為如於上述實施形態1中說明般之配置。又，於配接器1L之背面設有開口部3。開口部3之形狀或尺寸與於上述實施形態1中說明者相同。
其次，圖45係安裝極小尺寸之記憶卡後之配接器之上面的整體平面圖，圖46係安裝極小尺寸之記憶卡後之配接器之底面的整體平面圖，圖47係圖45之X3－X3線之剖面圖，圖48係表示配接器內之連接器配線之配置例的配接器平面圖。再者，於圖45、圖46及圖48中，可透視配接器1L內之記憶卡5。又，圖45及圖46之虛線表示配接器1L之短方向(記憶卡5之長度方向，記憶卡5之朝向配接器1L之插入方向)之中心。
記憶卡5之結構與於上述實施形態1~7中說明者相同。於此情形時，記憶卡5之長度方向之長度長於配接器1L之短方向之長度的一半。又，記憶卡5將背面朝前後插入配接器1L。其原因在於，於RSMMC之情形時，記憶卡5之插入方向之長度短於MMC，若將正面朝前後將記憶卡5插入配接器1L，則記憶卡5之外部端子6之位置將位於無法厚於配接器1L的配接器1L之外部端子2之配置區域(端子區域)，從而無法配置配接器1L之內部端子10a。
配接器1L具有配接器1L上面側之第1盒(第1殼體)8c、以及配接器1L底面側之第2盒(第2殼體)8d。第1盒8c具有沿配接器1L之厚度方向而相互配置於相反側之上面(第1面)與底面(第2面)。與該第1盒8c之底面配置有上述複數個外部端子2，並且接合有上述第2盒8d。
僅配接器1L中第1盒8c處成為上述厚度D1之相對較薄之第1部分，第1盒8c與第2盒8d之接合處成為上述厚度D2之相對較厚之第2部分。即，第2盒8d形成上述突出部H。於該第1盒8c與第2盒8d之接合處，藉由使形成於第1盒8c與第2盒8d之各對向面之凹部8c1、8d1相互重合，形成上述卡收容空間9。卡收容空間9配置於配接器1L之寬度方向(長度方向)之中央。第1盒8c及第2盒8d之材料及結構與上述第1盒8a及第2盒8d相同。
各上述外部端子2與連接器配線(配線)10之一端電性連接。該連接器配線10之他端延伸於卡收容空間9，且與一體形成於該連接器配線10之延伸端部的內部端子10a電性連接。連接器配線10及內部端子10a之結構與於上述實施形態1中說明者相同。於此，複數個連接器配線10中，所期望之連接器配線10如圖48所示，配置於記憶卡5之寬度方向(短方向)左右之空白區域(尤其相對較厚之第2部分)。藉此，可於配接器1L之較薄且較小面積之範圍內，配置連接器配線10。即，配接器1L之第2部分之厚度構成為，相當於記憶卡5之厚度與連接器配線10之高度之和的厚度D2，藉此可於配接器1A內確保記憶卡5與連接器配線10之空間。
(實施形態9)
圖49係自上面側對本實施形態9之配接器進行觀察之整體立體圖，圖50係自上面側對安裝記憶卡後之圖49之配接器進行觀察之整體立體圖。
於本實施形態9中，與上述實施形態5等相同，於RSMMC用之配接器1M之上面，設置有自上述開口部3向上述卡收容空間9延伸之開口部(第2開口部)15。於該開口部15內側之兩側面之上部，設置有上述導引部16。於此情形時，如圖50所示，若將記憶卡5收容於配接器1M之卡收容空間9，則記憶卡5之上面成為露出於外部之狀態。於本實施形態9之情形時，亦可獲得與上述實施形態5相同之效果。
再者，由於記憶卡5向逆方向插入，故而於記憶卡5之背面未形成上述止動部。除此以外，與上述實施形態1~8中所說明者相同。
(實施形態10)
圖51係平行地沿其側面，將本實施形態10之記憶卡切斷之剖面圖，圖52係平行地沿其背面，將圖51之記憶卡切斷之剖面圖。
本實施形態10之記憶卡(半導體裝置、IC卡)25A係可作為例如可攜式電腦等之資訊處理裝置、數位相機等之圖像處理裝置或者行動電話等之通訊機器等，各種可攜式電子機器之輔助記憶裝置而使用的記憶卡。
該記憶卡25A含有於例如1個角部上具有索引用之較大倒角部CA1之平面矩形狀的較小薄板，其外形尺寸，例如寬度W1為24 mm，長度L1為32 mm，厚度D1為1.4 mm。該記憶卡25A係具有與所謂足尺(Full Size)之MMC相同平面尺寸及功能的卡。再者，記憶卡25A之上面(第1面)與圖3相同。又，記憶卡25A之底面(第2面)與圖4或圖22相同。長度L10例如為6.5 mm左右，長度L11例如為24.7 mm左右。
其中，本實施形態10之記憶卡25A，其厚度尺寸(標準)與MMC之標準不同，並且其具有相對較薄之第1部分與相對較厚之第2部分。相對較薄之第1部分係，其厚度D1與一般之MMC之厚度尺寸(標準)相同，例如為1.4 mm之部分。
相對較薄之第1部分中，於記憶卡25A之底面配置有端子區域與導軌區域GR。上述外部端子2以露出於外部之狀態而配置於端子區域。外部端子2之配置與上述實施形態1~9相同。導軌區域GR亦與於上述實施形態1中所說明者相同。另一方面，於厚於上述第1部分之上述相對較厚之第2部分上，形成有向遠離記憶卡25A之底面的方向稍微突出之突出部H。相對較厚之第2部分之厚度D2例如為1.6~2.1 mm(較好的是1.6~1.7 mm)左右。
該記憶卡25A具有：第1盒(第1殼體)8e、第2盒(第2殼體)8f、以及記憶體本體26。
記憶體本體26具有：配線基板27、安裝於配線基板27之主面(第1面)之複數個半導體晶片(以下，僅稱為晶片)28a、對該晶片28a進行密封之密封部(第1樹脂密封體)29a、安裝於配線基板27之底面(第2面)之晶片(電子零件)28b、以及對該晶片28b進行密封之密封部(第2樹脂密封體)29b。
構成記憶體本體26之配線基板27具有沿其厚度方向而互為相反側之主面(第1面)及底面(第2面)。配線基板27藉由將例如1層或大於等於2層之多層之金屬配線層(配線)配置於例如玻璃環氧系樹脂等絕緣體中而形成。配線基板27之主面(第1面)之配線經由通孔，電性連接於配線基板27之底面(第2面)之配線及複數個外部端子2。外部端子2係與上述電子機器之端子接觸並電性連接於記憶卡25與電子機器的端子。
於該配線基板27之主面上之複數個晶片8a，形成有助於對資訊進行記憶之快閃記憶體電路，總體而言，形成有例如16M位元組(128M位元)、32M位元組(256M位元)或64M位元組(512M位元)之記憶體容量。於此處，例示有將複數個記憶體用晶片28a層疊於配線基板27之厚度方向的情形。藉此，可以較小之佔有面積確保較大之容量。當然，亦可將複數個記憶體用晶片28a排列於配線基板27之主面上，藉此整體構成所期望之記憶體容量。各晶片28a藉由焊接線(以下僅稱為接線)30a而與配線基板27之配線電性連接，並藉此而電性連接於晶片28b或外部端子2。接線30a含有例如金(Au)。
對該複數個晶片28a進行密封之密封部29a含有例如鄰甲酚酚醛樹脂或雙苯酚型環氧樹脂等之熱硬化性樹脂，且以良好地對晶片28a及接線30a進行密封為主要目的之一。為了提高例如密封部29a之機械強度、低吸濕性及成形性或者調整(降低)熱膨脹係數，而於該密封部29a內，包含有較樹脂更硬之含有例如二氧化矽(SiO2 )之石英玻璃材料之複數個極細的填充材料。此外，於密封部29a上包含有促進劑(加快樹脂之反應之觸媒)、脫模劑、耐燃劑、著色劑等。作為著色劑使用有碳粒。上述第1盒8e以覆蓋該密封部29a之方式而被覆接合於配線基板27之整個主面。第1盒8e之材料與上述第1盒8a相同。
另一方面，於配線基板27底面之晶片28b上，形成有對例如上述晶片28a之快閃記憶體電路之動作進行控制的控制電路。晶片28b經由接線30b而電性連接於配線基板27之配線，並且經由該配線而電性連接於上述記憶體用晶片28a或外部端子2。接線30b含有例如金(Au)。將晶片28b配置於配線基板27之底面，藉此可於配線基板27之主面側配置更多之記憶體用晶片28a，故而可增大記憶體容量而無須改變記憶卡25A之平面尺寸。
又，代替晶片28b，亦可搭載具有例如介質天線、藍芽用鐵氧體系零件、線圈、電容器或者電阻(上拉電阻等)之被動元件的晶片零件(電子零件)。藉此，由於可將被動元件配置為更靠近快閃記憶體電路及控制電路，故而可提高記憶卡25A之電性特性。
對該晶片28b進行密封之密封部29b含有與上述密封部29a相同之材料，且以良好地對晶片28b及接線30b進行密封為主要目的之一。配線基板27之底面中，於自記憶卡25A之第2行(後一行)之外部端子2相距長度L3處，接合有上述第2盒8f，以覆蓋上述密封部29b。藉由該第2盒8f而形成上述突出部H。再者，長度L3之理由與於上述實施形態1中所說明者相同。又，第2盒8f之材料與上述第1盒8a相同。
(實施形態11)
圖53係平行地沿其側面，將本實施形態11之記憶卡切斷之剖面圖，圖54係平行地沿其背面，將圖53之記憶卡切斷之剖面圖。
本實施形態11之記憶卡25B中，上述第2盒8f未接合於記憶卡25B之底面，密封部29b露出於外部。於此情形時，由於突出部H為密封部29b之厚度，故而與上述實施形態10之記憶卡25A之情形相比，可使第2部分之厚度D2變薄。又，由於密封部29b露出，故而有可能因密封部29b中之填充材料等，而使電子機器之端子或導軌等之構成部損傷或者劣化。因此，於此情形時，較好的是，使密封部29b內之填充材料之量少於主面側之密封部29a，或者使用與密封部29a內之填充材料相比粒徑較小之填充材料。除此以外，與上述實施形態10相同。
(實施形態12)
圖55係平行地沿其側面，將本實施形態12之記憶卡切斷之剖面圖，圖56係圖55之記憶卡之底面側之第2部分的要部放大剖面圖。
本實施形態12之記憶卡(半導體裝置、IC卡)25C係，例如寬度W1為24 mm、長度L5為18 mm之具有與所謂RSMMC相同平面尺寸及功能的卡。再者，記憶卡25C之上面(第1面)與上述圖40相同。又，記憶卡25C之底面(第2面)與圖41相同。長度L12例如為10.6 mm左右。
於本實施形態12之記憶卡25C之情形時，其厚度尺寸(標準)與RSMMC之標準不同，且具有相對較薄之第1部分與相對較厚之第2部分。相對較薄之第1部分係，其厚度D1與一般RSMMC之厚度尺寸(標準)相同的例如為1.4 mm之部分。
相對較薄之第1部分中，於記憶卡25C之底面配置有端子區域與導軌區域GR。與上述實施形態1~11相同，上述外部端子2以露出於外部之狀態而配置於端子區域。導軌區域GR亦與於上述實施形態1中所說明者相同。另一方面，於厚於上述第1部分之上述相對較厚之第2部分上，形成有向遠離記憶卡25C底面之方向稍微突出的突出部H。相對較厚之第2部分之厚度D2例如為1.6~2.1 mm(較好的是1.6~1.7 mm)左右。
該記憶卡25C具有：第1盒(第1殼體)8g、第2盒(第2殼體)8h、以及記憶體本體26。
記憶體本體26具有：配線基板27；安裝於配線基板27之主面(第1面)之複數個半導體晶片28a、28b；對該晶片28a、28b進行密封之密封部(第1樹脂密封體)29a；安裝於配線基板27之底面(第2面)之被動元件(電子零件)31；以及對該被動元件31進行密封之密封部(第2樹脂密封體)29b。配線基板27、晶片28a、28b以及密封體29a、29b與於上述實施形態10、11中所說明者相同。
於此情形時，密封部29b以良好地對被動元件31進行密封為主要目的之一。於記憶卡25C之情形時，配線基板27之底面中，於與記憶卡25C之第2行(後一行)之外部端子2相距長度L3處，接合有上述第2盒8h，以覆蓋上述密封部29b。藉由該第2盒8h而形成上述突出部H。再者，長度L3之理由與上述實施形態1中所說明者相同。又，第2盒8g、8h之材料與上述第1盒8a相同。
於此處，作為被動元件31，例示有串聯連接於訊號用之外部端子2之上拉電阻，以防止高速訊號之振鈴波形。被動元件31具有：相互離開所期望之間隔而形成之電極31a、以及以橋接該電極31a間之方式而進行層疊之碳膏31b。電極31a係於含有例如銅(Cu)之本體表面上實施例如銀(Ag)電鍍處理而成，且經由配線基板27之配線而電性連接於上述外部端子2及晶片28a、28b。藉由該電極31a之鄰接間之碳膏31b部分而形成電阻(上拉電阻)。此種上拉電阻藉由例如印刷法而形成。再者，厚度D10為例如100 μm左右。
因此，若於晶片內形成上拉電阻，則由於由製造晶片時之熱處理而使電阻值產生不均，故而無法於晶片內形成要求高精度之上拉電阻。另一方面，若將上拉電阻配置於電子機器側，則有時因上拉電阻與記憶電路或控制電路之距離過於分開，故而無法獲得充分之電性特性。相對於此，本實施形態12中，與於晶片內形成電阻之情形相比，可提高電阻值之設定精度。又，將上拉電阻用之被動元件31設置於記憶卡25C之底面，藉此可縮短自被動元件31至記憶體用晶片28a及控制用晶片28b為止的距離。藉此，可提高記憶卡25C之電性特性。再者，代替上拉電阻，亦可搭載例如介質天線、藍芽用鐵氧體系零件、線圈、或者電容器之其厚度位於厚度D2之範圍內的其他被動元件31。
(實施形態13)
圖57係平行地沿其側面，將本實施形態13之記憶卡切斷之剖面圖。
本實施形態13之記憶卡25D中，於記憶卡25D之底面上未接合有上述第2盒8h，且密封部29b露出於外部。於此情形時，由於突出部H為密封部29b之厚度，故而與上述實施形態12之記憶卡25C之情形相比，可使第2部分之厚度D2變薄。又，由於密封部29b露出，故而有可能因密封部29b中之填充材料等，而使電子機器之端子或導軌等之構成部損傷或者劣化。因此，於此情形時，較好的是，使密封部29b內之填充材料之量少於主面側之密封部29a，或者使用與密封部29a內之填充材料相比粒徑較小之填充材料。除此以外，與上述實施形態12相同。
以上，已基於實施形態，就由本發明者開發而成之發明加以具體說明，但不言而喻，本發明並非限定於上述實施形態者，且可於不脫離其要旨之範圍內進行各種變更。
例如上述實施形態10~13中，設本發明為藉由接線而電性連接晶片與配線基板之結構，但本發明並非限定於此者，亦可設為藉由凸塊電極而電性連接晶片與配線基板之結構。於此情形時，晶片於其主面與配線基板之主面相對向之狀態下，經由凸塊電極而安裝於配線基板上。晶片主面之元件經由凸塊電極而連接於配線基板之配線，進而電性連接於外部端子。
於以上說明中，主要就將由本發明者開發而成之發明，適用於作為其背景技術領域之可攜式電腦、數位相機或者行動電話的情況加以說明，但本發明並非限定於此者，其亦可適用於例如PDA(Personal Digital Assistants，個人數位助理)等其他行動資訊處理裝置。
[產業上之可利用性]
本發明可適用於記憶卡用配接器及記憶卡之製造業。
1A~1H，1J~1M．．．記憶卡用配接器
2．．．外部端子(第1外部端子)
3．．．開口部(第1開口部)
3a．．．突起部
3b．．．凸部
5．．．極小尺寸之記憶卡(第2尺寸之記憶卡)
5g．．．導引部
5s．．．止動部
6．．．外部端子(第2外部端子)
8a，8c，8e，8g．．．第1盒(第1殼體)
8a1，8c1．．．凹部
8b，8d，8f，8h．．．第2盒(第2殼體)
8b1，8b2，8d1．．．凹部
9．．．卡收容空間(空間)
10．．．連接器配線(配線)
10a．．．內部端子
12．．．端子
13．．．導引部
15．．．開口部(第2開口部)
16．．．導引部
20．．．蓋
20a．．．抑止部
20b．．．凹部
21．．．抑止板
21a．．．凹部
25A~25D．．．記憶卡
26．．．記憶體本體
27．．．配線基板
28a．．．半導體晶片
28b．．．半導體晶片
29a．．．密封部(第1樹脂密封體)
29b．．．密封部(第2樹脂密封體)
30a，30b．．．接線
31．．．被動元件
31a．．．電極
31b．．．碳膏
CA1．．．倒角部
GR．．．導軌區域
TEST．．．測試端子
TP．．．測試探針
H．．．突出部
圖1係自本發明之一實施形態之記憶卡用配接器之上面側所觀察的整體立體圖。
圖2係圖1之記憶卡用配接器之底面側所觀察之整體立體圖。
圖3係圖1之記憶卡用配接器之上面之整體平面圖。
圖4係圖1之記憶卡用配接器之底面之整體平面圖。
圖5係自圖3之箭頭A所示方向觀察之記憶卡用配接器之正視圖。
圖6係自圖3之箭頭B所示方向觀察之記憶卡用配接器之側視圖。
圖7係自圖3之箭頭C所示方向觀察之記憶卡用配接器之後視圖。
圖8係安裝極小尺寸之記憶卡時之自記憶卡用配接器之上面(第1面)側所觀察之整體立體圖。
圖9係安裝極小尺寸之記憶卡後之自記憶卡用配接器之底面(第2面)側所觀察之整體立體圖。
圖10係圖8之極小尺寸之記憶卡之上面的整體平面圖。
圖11係圖10之極小尺寸之記憶卡之底面的整體平面圖。
圖12係自圖10之箭頭A所示方向觀察之極小尺寸之記憶卡的正視圖。
圖13係自圖10之箭頭B所示方向觀察之極小尺寸之記憶卡的側視圖。
圖14係自圖10之箭頭C所示方向觀察之極小尺寸之記憶卡的後視圖。
圖15係安裝極小尺寸之記憶卡後之記憶卡用配接器之上面的整體平面圖。
圖16係安裝極小尺寸之記憶卡後之記憶卡用配接器之底面的整體平面圖。
圖17係圖15之X1－X1線之剖面圖。
圖18係記憶卡用配接器之厚度方向尺寸之說明圖。
圖19係圖1之記憶卡用配接器之底面之整體平面圖。
圖20係已將圖1之記憶卡用配接器併入電子機器之插口時之一例的整體平面圖。
圖21係圖20之記憶卡用配接器之側視圖。
圖22係本發明之其他實施形態之記憶卡用配接器之底面的整體平面圖。
圖23係已將記憶卡內置於圖22之配接器之狀態下測試作業的說明圖。
圖24係圖23之記憶卡用配接器之側視圖。
圖25係自底面側對本發明之其他實施形態之記憶卡用配接器進行觀察之整體立體圖。
圖26係自背面側對圖25之記憶卡用配接器進行觀察之整體立體圖。
圖27係自底面側對本發明之其他實施形態之記憶卡用配接器進行觀察之整體立體圖。
圖28係圖27之記憶卡用配接器之變形例，且係自底面側對記憶卡用配接器進行觀察之整體立體圖。
圖29係自上面側對本發明之其他實施形態之記憶卡用配接器進行觀察之整體立體圖。
圖30係自上面側對安裝記憶卡後之圖29之記憶卡用配接器進行觀察的整體立體圖。
圖31係圖30之記憶卡用配接器之後視圖。
圖32係圖30之X2－X2線之剖面圖。
圖33係自底面側對本發明之其他實施形態之記憶卡用配接器進行觀察之整體立體圖。
圖34係圖33之記憶卡用配接器之變形例，且係自底面側對記憶卡用配接器進行觀察之整體立體圖。
圖35係圖33及圖34之記憶卡用配接器之記憶卡插入側之側視圖。
圖36係圖35之變形例，且係記憶卡用配接器之記憶卡插入側之側視圖。
圖37係圖33及圖34之記憶卡用配接器之變形例，且係自上面側對記憶卡用配接器進行觀察之整體立體圖。
圖38係自上面側對本發明之其他實施形態之記憶卡用配接器進行觀察之整體立體圖。
圖39係圖38之記憶卡用配接器之變形例，且係自上面側對記憶卡用配接器進行觀察之整體立體圖。
圖40係本發明之其他實施形態之記憶卡用配接器之上面的整體平面圖。
圖41係圖40之記憶卡用配接器之底面的整體平面圖。
圖42係自圖40之箭頭A所示方向觀察之配接器之正視圖。
圖43係自圖40之箭頭B所示方向觀察之配接器之側視圖。
圖44係自圖40之箭頭C所示方向觀察之配接器之後視圖。
圖45係安裝極小尺寸之記憶卡後之記憶卡用配接器之上面的整體平面圖。
圖46係安裝極小尺寸之記憶卡後之記憶卡用配接器之底面的整體平面圖。
圖47係圖45之X3－X3線之剖面圖。
圖48係表示記憶卡用配接器內之連接器配線之配置例之記憶卡用配接器的平面圖。
圖49係自上面側對本發明之其他實施形態之記憶卡用配接器進行觀察之整體立體圖。
圖50係自上面側對安裝記憶卡後之圖49之記憶卡用配接器進行觀察之整體立體圖。
圖51係平行地沿其側面，將本發明之其他實施形態之記憶卡切斷之剖面圖。
圖52係平行地沿其背面，將圖51之記憶卡切斷之剖面圖。
圖53係平行地沿其側面，將本發明之實施形態之記憶卡切斷之剖面圖。
圖54係平行地沿其背面，將圖53之記憶卡切斷之剖面圖。
圖55係平行地沿其側面，將本發明之其他實施形態之記憶卡切斷之剖面圖。
圖56係圖55之記憶卡之底面側之第2部分的要部放大剖面圖。
圖57係平行地沿其側面，將本發明之其他實施形態之記憶卡切斷之剖面圖。
1A．．．記憶卡用配接器
2、6．．．外部端子
3．．．開口部
5．．．記憶卡
H．．．突出部
CA1．．．倒角部
GR．．．導軌區域

Claims (15)

  1. 一種記憶卡用配接器，其特徵在於：其具有與第1尺寸之記憶卡相同之平面尺寸，且具有可收容小於上述第1尺寸之第2尺寸之記憶卡的空間；上述記憶卡用配接器具有：沿上述記憶卡用配接器之厚度方向而相互配置於相反側之第1面及第2面；厚度與上述第1尺寸之記憶卡相同之第1部分；及厚於上述第1部分之第2部分；複數個第1外部端子於露出於外部之狀態下，配置於上述記憶卡用配接器之上述第1部分之上述第2面；於上述記憶卡用配接器之上述第2部分上設置有上述空間以及第1開口部，該第1開口部用以將上述第2尺寸之記憶卡插入上述空間或者自上述空間取出；於上述空間配置有複數個內部端子，其接觸上述第2尺寸之記憶卡之複數個第2外部端子且電性連接；上述複數個內部端子經由複數個配線，電性連接於上述記憶卡用配接器之上述複數個第1外部端子。
  2. 如請求項1之記憶卡用配接器，其中上述記憶卡用配接器之上述複數個第1外部端子沿上述第2尺寸之記憶卡長度方向配置2行。
  3. 如請求項1之記憶卡用配接器，其中上述第2尺寸之記憶卡長度方向之長度短於上述第2尺寸之記憶卡長度方向之上述記憶卡用配接器的長度之一半。
  4. 如請求項1之記憶卡用配接器，其中上述第2尺寸之記憶 卡長度方向之長度長於上述第2尺寸之記憶卡長度方向之上述記憶卡用配接器的長度之一半。
  5. 如請求項1之記憶卡用配接器，其中於上述第2尺寸之記憶卡長度方向之一方端部側配置有上述第2尺寸之記憶卡之上述複數個第2外部端子，且上述第2尺寸之記憶卡之上述複數個第2外部端子以位於上述第2部分之方式被收容。
  6. 如請求項1之記憶卡用配接器，其中上述第1開口部設置於上述記憶卡用配接器之背面。
  7. 如請求項6之記憶卡用配接器，其中於上述第1開口部及上述空間中設置有導引部，該導引部係輔助上述第2尺寸之記憶卡於上述空間內之移動。
  8. 如請求項6之記憶卡用配接器，其中於上述記憶卡用配接器之第1面上設置有自上述第1開口部向上述空間延伸之第2開口部，且於上述第2開口部之內側側面上設置有導引部，該導引部係導引上述第2尺寸之記憶卡之移動，且壓住上述第2尺寸之記憶卡，以免上述第2尺寸之記憶卡自上述空間脫離。
  9. 如請求項1之記憶卡用配接器，其中上述第1開口部設置於上述記憶卡用配接器之側面。
  10. 如請求項9之記憶卡用配接器，其中於上述第1開口部及上述空間中設置有導引部，該導引部係導引上述第2尺寸之記憶卡於上述空間內之移動。
  11. 如請求項9之記憶卡用配接器，其中於上述記憶卡用配接 器之第1面上設置有自上述第1開口部向上述空間延伸之第2開口部，且於上述第2開口部之內側側面上設置有導引部，該導引部係導引上述第2尺寸之記憶卡之移動，且壓住上述第2尺寸之記憶卡，以免上述第2尺寸之記憶卡自上述空間脫離。
  12. 如請求項1之記憶卡用配接器，其中上述第1開口部設置於上述記憶卡用配接器之上述第1面，且蓋部以開閉自如之狀態而設置於上述第1開口部。
  13. 一種記憶卡用配接器，其特徵在於：其具有與第1尺寸之記憶卡相同平面尺寸，且具有可收容小於上述第1尺寸之第2尺寸之記憶卡的空間；上述記憶卡用配接器具有：第1殼體，其含有沿上述記憶卡用配接器之厚度方向而相互配置於相反側的第1面及第2面；複數個第1外部端子，其在露出於上述第1殼體之第2面之狀態下被配置；第2殼體，其於上述第1殼體之第2面中，在離開上述複數個第1外部端子之配置區域的位置，以於與上述第1殼體間形成上述空間之方式接合；複數個配線，其自上述記憶卡用配接器之上述複數個第1外部端子向上述空間內延伸；及複數個內部端子，其設置於延伸於上述空間內之上述配線之端部側，並於上述空間內，與上述第2尺寸之記憶卡之上述複數個第2外部端子接觸； 上述記憶卡用配接器之上述複數個內部端子的配置區域之厚度厚於上述記憶卡用配接器之上述複數個第1外部端子的配置區域之厚度。
  14. 如請求項13之記憶卡用配接器，其中上述記憶卡用配接器之上述複數個第1外部端子沿上述第2尺寸之記憶卡之長度方向配置2行。
  15. 如請求項13之記憶卡用配接器，其中於上述第2尺寸之記憶卡長度方向之一方端部側配置有上述第2尺寸之記憶卡之上述複數個第2外部端子，並且上述第2尺寸之記憶卡之上述複數個第2外部端子以沿上述第2尺寸之記憶卡長度方向位於與配置有上述複數個第1外部端子之上述記憶卡用配接器之端部側相反側的端部側之方式被收容。
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