TWI382959B - 氧化鈦粒子之製造方法 - Google Patents
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- TWI382959B TWI382959B TW097133448A TW97133448A TWI382959B TW I382959 B TWI382959 B TW I382959B TW 097133448 A TW097133448 A TW 097133448A TW 97133448 A TW97133448 A TW 97133448A TW I382959 B TWI382959 B TW I382959B
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 106
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 98
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 94
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 44
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 139
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 86
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 81
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 49
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 49
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 49
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 44
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 43
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 24
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 10
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 4
- 238000011027 product recovery Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008676 import Effects 0.000 description 3
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGWOWDFNMKCVLG-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[Ti+4].[Ti+4] Chemical compound [O--].[O--].[Ti+4].[Ti+4] HGWOWDFNMKCVLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 and further Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
本發明係關於一種具有10面體之箱型形狀之氧化鈦粒子之製造方法。
最近，有報告指出一種具有10面體之箱型形狀、且主要由銳鈦礦(anatase)型結晶所成之氧化鈦粒子(以下，稱為「10面體氧化鈦粒子」)及其製造方法(專利文獻1、2及非專利文獻1參照)。此外，在此等之報告中，亦報告10面體氧化鈦粒子係以光觸媒而高活性者。
在上述文獻所報告之10面體氧化鈦粒子之製造方法，幾乎都是將含有四氯化鈦及氧氣之氣體，在某種條件下，急速加熱再急速冷卻之方法。然而，以此種方法所得到之10面體氧化鈦粒子，其粒子徑幾乎都在100 nm以上者。因此，在過去之製造方法中，欲選擇性地獲得粒子徑在100 nm以下之10面體氧化鈦粒子，便有其困難，從而其課題即係存在於具有10面體之箱型形狀、且又將粒子徑減小者。
另一方面，在得到微粒子氧化鈦之方法上，已知有將四氯化鈦以氣相進行氧化時，使用氧氣及水蒸氣作為氧化性氣體之方法(專利文獻3參照)。
專利文獻1：國際公開04/063431號手冊專利文獻2：特開2006－52099號公報
專利文獻3：特許第3656355號公報
非專利文獻1：草野．寺田．阿部．大谷，第98回觸媒討論會(平成18年9月)討論會A預稿集，234頁
有鑒於傳統上存在之此種問題點，本發明之目的係提供一種能選擇性且有效率地製造小粒徑之10面體氧化鈦粒子之氧化鈦粒子之製造方法。
本發明者們，為解決上述課題而重複地努力進行檢討，其結果發現在將四氯化鈦以氣相高溫進行氧化時，如在特定條件下併用：急速加熱再急速冷卻之方法、以及使用水蒸氣作為氧化性氣體之方法時，可選擇性地獲得粒子徑在100 nm以下之10面體氧化鈦粒子。
亦即，本發明係提供以下之手段。
[1]一種氧化鈦粒子之製造方法，其係藉由將含有四氯化鈦蒸氣之氣體、及含有水蒸氣之氧化性氣體進行接觸，而選擇性地製造具有10面體之箱型形狀、且粒子徑又在1 nm~100 nm範圍之10面體氧化鈦粒子的氧化鈦粒子之製造方法；其特徵為包含：將各自已在500℃以上預熱之含有四氯化鈦蒸氣之氣體、及含有水蒸氣之氧化性氣體加以
混合，而送入加熱至800℃以上之環境之步驟。
[2]如前項[1]之氧化鈦粒子之製造方法，其中該含有四氯化鈦蒸氣之氣體係含有四氯化鈦蒸氣及氧氣之混合氣體。
[3]如前項[1]或[2]之氧化鈦粒子之製造方法，其中該含有水蒸氣之氧化性氣體係含有水蒸氣及氧氣之混合氣體。
[4]如前項[1]至[3]中任一項之氧化鈦粒子之製造方法，其中在該加熱至800℃以上之環境之氣體的滯留時間係在300毫秒以下。
[5]如前項[4]之氧化鈦粒子之製造方法，其中該滯留時間係100毫秒以下。
[6]如前項[1]至[5]中任一項之氧化鈦粒子之製造方法，其中該含有四氯化鈦蒸氣之氣體中之四氯化鈦濃度係3~40體積%。
[7]如前項[1]至[6]中任一項之氧化鈦粒子之製造方法，其中該含有四氯化鈦蒸氣之氣體中之(氧氣(O2
換算)之物質量[mol])/(四氯化鈦之物質量[mol])之比例係0.1~7。
[8]如前項[1]至[7]中任一項之氧化鈦粒子之製造方法，其中該含有水蒸氣之氧化性氣體中之水蒸氣之濃度係10~80體積%。
[9]如前項[1]至[8]中任一項之氧化鈦粒子之製造方法，其中該含有水蒸氣之氧化性氣體中之(氧氣(O2
換算)之
物質量[mol])/(水蒸氣之物質量[mol])之比例係0.1~5。
[10]如前項[1]至[9]中任一項之氧化鈦粒子之製造方法，其中該含有水蒸氣之氧化性氣體之量，相對於含有四氯化鈦蒸氣之氣體之量，以體積比計，係0.5~5倍。
[11]如前項[1]至[10]中任一項之氧化鈦粒子之製造方法，其中由該含有四氯化鈦蒸氣之氣體及含有水蒸氣之氣體所合併氣體之組成，係四氯化鈦：氧氣：水蒸氣＝1：0.5~13：0.3~5(體積比)。
[12]如前項[11]之氧化鈦粒子之製造方法，其中由該含有四氯化鈦蒸氣之氣體及含有水蒸氣之氣體所合併氣體之組成，係四氯化鈦：氧氣：水蒸氣＝1：1~6：0.3~3(體積比)。
如上所述，本發明之氧化鈦粒子之製造方法，其係藉由將四氯化鈦以氣相在高溫下進行氧化時，在一定條件下將：急速加熱再急速冷卻之方法以及使用水蒸氣作為氧化性氣體之方法，加以併用之方法，從而可選擇性且有效率地製造一種粒子徑在1 nm~100 nm範圍之10面體氧化鈦粒子。此外，所得到之小粒徑之氧化鈦粒子，其係適合作為光觸媒材料者。因此，根據本發明，可在工業上將適當的10面體氧化鈦粒子作為光觸媒材料而製造。
以下，茲就本發明之氧化鈦粒子之製造方法，參照圖面加以詳細地說明。
本發明之氧化鈦粒子之製造方法，其係藉由將含有四氯化鈦蒸氣之氣體、及含有水蒸氣之氧化性氣體進行接觸，而選擇性地製造具有10面體之箱型形狀、且粒子徑又在1 nm~100 nm範圍之10面體氧化鈦粒子的氧化鈦粒子之製造方法；其特徵為包含：將各自已在500℃以上預熱之含有四氯化鈦蒸氣之氣體、及含有水蒸氣之氧化性氣體加以混合，而送入加熱至800℃以上之環境之步驟。
具體言之，本發明所謂「10面體氧化鈦粒子」，係指與上述專利文獻1所定義之氧化鈦粒子為相同地，具有10面體之箱型形狀之氧化鈦粒子。
此外，所謂「選擇性地製造10面體氧化鈦粒子」，係指將所得到之氧化鈦粉末任意地進行取樣，並用電子顯微鏡觀察時，當任意之視野所觀察到的氧化鈦粒子至少在80%以上時，即該當上述之條件。
本發明所謂「含有水蒸氣之氧化性氣體」，係指含有水蒸氣、且與四氯化鈦蒸氣以高溫進行接觸時，可使氧化鈦生成之氣體。在本發明中，所謂含有水蒸氣之氧化性氣體，以至少含有氧氣及水蒸氣之2成份氣體為較佳。含有水蒸氣之氧化性氣體之具體例子，有：含有氧氣(O2
)及水蒸氣之氣體、或含有臭氧(O3
)及水蒸氣之氣體等。此外，
含有水蒸氣之氧化性氣體，可為將此等氣體加以混合者，亦可為此等氣體藉由不活性氣體進行稀釋者。因此，含有水蒸氣之氧化性氣體，可使用水蒸氣及氧氣之混合氣體、水蒸氣及不活性氣體之混合氣體、水蒸氣及氧氣及不活性氣體之混合氣體等，進一步，氧氣及不活性氣體之混合氣體，亦可使用空氣。
另一方面，在本發明中，含有四氯化鈦蒸氣之氣體，例如可使用四氯化鈦蒸氣及不活性氣體之混合氣體、四氯化鈦蒸氣及氧氣之混合氣體、四氯化鈦蒸氣及氧氣及不活性氣體之混合氣體等。此外，氧氣及不活性氣體之混合氣體，亦可使用空氣。
在本發明中，含有四氯化鈦蒸氣之氣體，其重要者係：於預熱步驟中不會使氧化鈦生成者。
然而，上述含有四氯化鈦蒸氣之氣體，如僅係四氯化鈦蒸氣及不活性氣體之混合氣體時，其混合氣體在被送入加熱至800℃以上之環境時，四氯化鈦蒸氣及氧氣之混合會不充足，欲選擇性地得到10面體形狀者將有其困難。
因此，在本發明中，含有四氯化鈦蒸氣之氣體，係以使用四氯化鈦蒸氣及氧氣之混合氣體、或四氯化鈦蒸氣及氧氣及不活性氣體之混合氣體之任一者為較佳。
在本發明中，如含有四氯化鈦蒸氣之氣體與含有水蒸氣之氧化性氣體一接觸時，就會立即產生反應。因此，為選擇性地得到10面體氧化鈦粒子時，接觸時之溫度係十分重要的。具體而言，四氯化鈦蒸氣含有水蒸氣之氧化性氣
體，必須要在接觸前，即先各自預熱在500℃以上。如預熱未達500℃時，在使含有四氯化鈦蒸氣之氣體與含有水蒸氣之氣體進行接觸時，就無法得到良好的10面體氧化鈦粒子。
在本發明中，含有四氯化鈦蒸氣之氣體與含有水蒸氣之氧化性氣體接觸後，必須將此等氣體送入加熱至800℃以上之環境中。其並以接觸後，立即送入加熱至800℃以上之環境中者為較佳。再者，在加熱至800℃以上之環境中之氣體滯留時間，係以300毫秒以下為較佳，並以100毫秒以下為最佳。氣體之滯留時間如超過300毫秒時，所得到之氧化鈦粒子之粒子徑會變大，且金紅石(rutile)型結晶亦會變多，很難得到良好的10面體氧化鈦粒子。
在本發明中，含有四氯化鈦蒸氣之氣體中之四氯化鈦濃度，係以3~40體積%為較佳。四氯化鈦濃度如未達3體積%時，所得到之10面體氧化鈦粒子之比例會變少。另一方面，四氯化鈦濃度如超過40體積%時，氧化鈦粒子之粒子徑會變大。因此，含有四氯化鈦蒸氣之氣體中之四氯化鈦濃度，係以3~40體積%之範圍為較佳，並以15~30體積%之範圍為最佳。
在本發明中，含有四氯化鈦蒸氣之氣體中之(氧氣(O2
換算)之物質量[mol])/(四氯化鈦之物質量[mol])之比例，係以0.1~7為較佳。
該值如未達0.1時，所得到之10面體氧化鈦粒子之比例會減少。另一方面，該值如超過7時，氧化鈦粒子之粒
子徑就會變大。因此，含有四氯化鈦蒸氣之氣體中之(氧氣(O2
換算)之物質量[mol])/(四氯化鈦之物質量[mol])之比例，係以0.1~7之範圍為較佳，並以2~5之範圍為最佳。
在本發明中，含有水蒸氣之氧化性氣體中之水蒸氣濃度，係以10~80體積%為較佳。水蒸氣之濃度如未達10體積%時，氧化鈦粒子之粒子徑會變大。另一方面，水蒸氣之濃度如超過80體積%時，所得到之10面體氧化鈦粒子之比例會減少。因此，含有水蒸氣之氧化性氣體中之水蒸氣濃度，係以10~80體積%之範圍為較佳，並以15~40體積%之範圍為最佳。
在本發明中，含有水蒸氣之氧化性氣體中之(氧氣(O2
換算)之物質量[mol])/(水蒸氣之物質量[mol])之比例，係以0.1~5為較佳。該值如未達0.1時，所得到之10面體氧化鈦粒子之比例會減少。另一方面，該值如超過5時，所得到之10面體氧化鈦粒子之比例會減少。因此，含有水蒸氣之氧化性氣體中之(氧氣(O2
換算)之物質量[mol])/(水蒸氣之物質量[mol])之比例，係以0.1~5之範圍為較佳，並以0.5~3之範圍為最佳。
在本發明中，含有水蒸氣之氧化性氣體之量，相對於含有四氯化鈦蒸氣之氣體之量，以體積比計，係以0.5~5倍為較佳。該體積比如未達0.5倍時，氧化鈦粒子之粒子徑會變大。另一方面，該體積比如超過5倍時，10面體氧化鈦粒子之比例會減少。因此，含有水蒸氣之氧化性氣體
之量，相對於含有四氯化鈦蒸氣之氣體之量，以體積比計，係以0.5~5倍之範圍為較佳，並以0.8~2之範圍為最佳。
在本發明中，由含有四氯化鈦蒸氣之氣體及含有水蒸氣之氣體所合併氣體中，四氯化鈦及氧氣及水蒸氣之體積比(四氯化鈦：氧氣：水蒸氣)係以1：0.5~13：0.3~5(體積比)之範圍為較佳，並以四氯化鈦：氧氣：水蒸氣＝1：1~6：0.5~3(體積比)之範圍為最佳。
如超過此範圍時，很難選擇性地得到10面體氧化鈦粒子。其原因目前尚不明瞭，惟推定係與：四氯化鈦因水蒸氣而加水分解時之濃度、速度、加水分解以後之未反應四氯化鈦與氧氣之反應速度、以及在反應區域之滯留時間等有關者。
如上所述，適用於本發明之氧化鈦粒子之製造方法，係將四氯化鈦以氣相在高溫下進行氧化時，在上述條件下併用：急速加熱再急速冷卻之方法以及使用水蒸氣作為氧化性氣體之方法，而可選擇性且有效率地製造粒子徑在1 nm~100 nm範圍之10面體氧化鈦粒子。此外，所得到之小粒徑之氧化鈦粒子，其係適合作為光觸媒材料者。因此，根據本發明，可在工業上將適當的10面體氧化鈦粒子作為光觸媒材料而製造。
其次，圖1中係表示：在適合本發明之氧化鈦粒子之製造方法上所使用反應裝置之一例。
該反應裝置，如圖1所示，係具備有：用以使含有四氯化鈦蒸氣之氣體、及含有水蒸氣之氧化性氣體進行接觸
之反應管1、用以將該反應管1之一部(加熱部1a)局部地進行加熱之紅外線電器爐2、用以將反應管1內所生成之氧化鈦粉末回收之生成物回收部3。
具體而言，反應管1，可使用例如由石英等所成之圓筒管。此外，在反應管1，在用以將含有水蒸氣之氧化性氣體導入之導入管4連接於一端側(上流側)之同時，該用以將含有四氯化鈦蒸氣之氣體導入之導入管5則由一端側(上流側)插入於內部。
在導入管4之上流側，係設有例如：將水及氧氣(O2
)及氮氣導入之導入口4a、及將該導入口4a所導入之水進行氣化之氣化器6。由導入口4a所導入之含有水蒸氣之氧化性氣體(含有水蒸氣及氧氣(O2
)及氮氣)，係藉由通過氣化器6，而變成水蒸氣、氧氣(O2
)、及氮氣之混合氣體，並由導入管4被導入反應管1。
在導入管5之上流側，係設有例如：將四氯化鈦(TiCl4
)導入之導入口5a、將氧氣(O2
)導入之導入口5b、及將該導入口5a所導入之四氯化鈦(TiCl4
)進行氣化之氣化器7。從而，由導入口5a所導入之含有四氯化鈦(TiCl4
)蒸氣之氣體(含有四氯化鈦及氧氣(O2
))，係藉由通過氣化器6，而變成四氯化鈦(TiCl4
)蒸氣及氧氣(O2
)之混合氣體，並由導入管5被導入反應管1。
此外，如前所述，導入管5係由反應管1之一端側(上流側)開始被收容於反應管1之內部。接著，在導入管5之前端上係照射由紅外線電器爐2而來之紅外線。接著，由
反應管1之他端側(下流側)開始，則插入有緩衝物8。緩衝物8，係將導入於反應管1內之氣體導引至成為高溫之反應管1之外周側者，其例如有將石英管之先端作成尖銳形狀且閉塞者。此外，緩衝物8的先端在反應管1內與導入管5的先端成相對方向，該導入管5之先端部分及緩衝物8之先端部分，係位置在反應管1之加熱部1a上。此外，緩衝物8，亦具有使在後述之反應區B上之氣體之滯留時間縮短之功能。
在加熱部1a之反應管1，係纏繞著白金板。加熱部1a，則藉由該白金板與紅外線電器爐2之組合，而能夠急速加熱再急速冷卻。亦即，藉由使紅外線電器爐2所照射之紅外線，由白金板吸收並發熱，而僅讓與白金接觸之部分局部地被加熱。藉此，可將加熱部1a加熱至1200℃左右。此外，加熱部1a之溫度，藉由將紅外線電器爐2之紅外線照射以溫度控制器(未圖示)加以控制，即可任意地加以設定。
再者，在白金板纏繞之加熱部1a之中，在導入管5之先端前，係含有四氯化鈦蒸氣之氣體及含有水蒸氣之氧化性氣體被預熱之部分(所謂「預熱區A」)；而由導入管5之先端往下流，更具體言之，係由導入管5之先端到加熱部1a之端部為止，則係將四氯化鈦以氣相在高溫下進行氧化之部分(所謂「反應區B」)。
生成物回收部3係袋濾器，其係將通過連接於反應管1之他端側(下流側)之排出管9而在反應管1內所生成之氧
化鈦粉末加以回收。再者，在生成物回收部3，其係以排出管9不會發生閉塞，且可由下游以幫浦(未圖示)吸引者為較佳。
在具有上述構成之反應裝置中，係將：由導入管4導入於反應管1之含有水蒸氣之氧化性氣體、及通過導入管5之含有四氯化鈦蒸氣之氣體，各自於預熱區A預熱至500℃以上後，再於反應區B進行混合，而加熱至800℃以上。含有四氯化鈦蒸氣之氣體及含有水蒸氣之氧化性氣體，係於反應區B接觸後立即發生反應，所得到之反應氣體，則以300毫秒以下之滯留時間通過反應區B。然後，通過反應區B之氣體，被立即冷卻後再送回生成物回收部3。
在使用此種反應裝置時，因為在將四氯化鈦以氣相高溫進行氧化時，可併用：急速加熱再急速冷卻之方法、以及使用水蒸氣作為氧化性氣體之方法之故，在上述條件下，即可選擇性且有效率地製得具有10面體之箱型形狀、且粒子徑在1 nm~100 nm範圍之10面體氧化鈦粒子。
以下茲舉出實施例進一步地詳細說明本發明之效果。惟本發明並不受這些實施例之任何限制；其可在不變更要旨之範圍內做適當的變更而實施。
在實施例1中，係使用上述圖1所示之反應裝置，並於
下述條件下實際地進行氧化鈦粉末之製造。
亦即，在反應管1之加熱部1a上將白金板纏繞約10 cm左右，在該部分(加熱部1a)上使紅外線加熱爐2之紅外線照射之情形下，將紅外線加熱爐2以溫度控制器控制，同時使白金板之表面溫度達到1200℃。
反應管1係使用內徑21.4 mm之石英管。緩衝物8，係使用外徑12.7 mm之石英管，並將該先端作成約30°之尖銳形狀且閉塞者。此外，加熱部1a之橫斷面積，係2.3 cm2
。
將含有四氯化鈦蒸氣之氣體導入之導入管5之先端，係配置於：由纏繞有白金板之加熱部1a(白金板之寬度係10 cm，因此加熱部1a之寬度亦為10 cm)之上流先端起算之6 cm下流處，到此作為預熱區A。由導入管5之先端起之下流處，直至加熱部1a之下流先端為止處，則為高熱之反應區B(4 cm)。
在含有水蒸氣之氧化性氣體，係使用含有水蒸氣及氧氣(O2
)及氮氣之混合氣體。水、氧氣、及氮氣之混合氣體在由導入口4a導入，並使其通過氣化器6之後，再由導入管5之先端將含有水蒸氣之氧化性氣體導入於反應管1。再者，通過氣化器6後之混合氣體之組成，係水蒸氣：氧氣：氮氣＝20：20：60(體積比)，且以流量合計係成為600 NmL/min之情形下而導入混合氣體。
在含有四氯化鈦蒸氣之氣體，係使用四氯化鈦蒸氣及氧氣(O2
)之混合氣體。將TiCl4
由導入口5a導入，再將氧
氣(O2
)由導入口5b導入，且使其通過氣化器7之後，再由導入管5之先端導入於反應管1。此外，通過氣化器7後之混合氣體之組成，係四氯化鈦：氧氣＝20：80(體積比)，且以流量合計係成為600 NmL/min之情形下而導入混合氣體。
再者，全反應氣體之組成，係四氯化鈦：氧氣：水蒸氣＝1：5：1，且在反應區B之反應氣體之滯留時間，約為50毫秒。
除含有水蒸氣之氧化性氣體，改成不含水蒸氣之氧化性氣體，亦即將氧氣及氮氣之混合氣體由導入口4a導入以外，其餘均與實施例1在同樣之條件下進行氧化鈦粉末之製造。
除不導入含有水蒸氣之氧化性氣體，僅將四氯化鈦蒸氣及氧氣(O2
)之混合氣體(四氯化鈦濃度為6%)由導入管5慢慢地(300 NmL/min)導入以外，其餘均與實施例1在同樣之條件下進行氧化鈦粉末之製造。
接著，將此等實施例1、比較例1、及比較例2所得到之氧化鈦粉末，以電子顯微鏡進行觀察。
以下，茲將實施例1、比較例1、及比較例2之各製造條件、以及所得到之氧化鈦粒子之觀察結果，整理如表1
中所示者。此外，氧化鈦粉末，係採用任意採樣之3處所之粉末，各自導入於掃描型電子顯微鏡之試料室中，並於5處所以上之視野下進行觀察。
如表1所示者，在實施例1所得到之氧化鈦粉末，其粒子徑係50~90 nm之範圍之10面體氧化鈦粒子。
另一方面，在比較例1所得到之氧化鈦粉末，其並非10面體氧化鈦粒子，且粒子徑亦顯示有30~200 nm範圍之廣泛分布。
此外，在比較例2所得到之氧化鈦粉末，其雖係10面體氧化鈦粒子，惟粒子徑顯示有70~150 nm範圍之廣泛分布，且含有粒子徑大者。
如上所述，根據本發明，可選擇性且有效率地製造具有10面體之箱型形狀、且粒子徑在1 nm~100 nm範圍之10面體氧化鈦粒子。
根據本發明之製造方法，可選擇性且有效率地製造粒子徑在1 nm~100 nm範圍之10面體氧化鈦粒子。此外，所得到之小粒徑氧化鈦粒子，其係適合作為光觸媒材料者。因此，根據本發明，可在工業上將適當的10面體氧化鈦粒子作為光觸媒材料而製造。
1‧‧‧反應管
1a‧‧‧加熱部
2‧‧‧紅外線電器爐
3‧‧‧生成物回收部
4‧‧‧導入管
5‧‧‧導入管
6‧‧‧氣化器
7‧‧‧氣化器
8‧‧‧緩衝物
9‧‧‧排出管
圖1：係適合於本發明之氧化鈦粒子之製造上使用之反應裝置之一例的部件圖。
1‧‧‧反應管
1a‧‧‧加熱部
2‧‧‧紅外線電器爐
3‧‧‧生成物回收部
4‧‧‧導入管
4a‧‧‧導入口
5‧‧‧導入管
5a‧‧‧導入口
5b‧‧‧導入口
6‧‧‧氣化器
7‧‧‧氣化器
8‧‧‧緩衝物
9‧‧‧排出管
Claims (12)
- 一種氧化鈦粒子之製造方法，其係藉由將含有四氯化鈦蒸氣之氣體、及含有水蒸氣之氧化性氣體進行接觸，而選擇性地製造具有10面體之箱型形狀、且粒子徑又在1 nm~100 nm範圍之10面體氧化鈦粒子的氧化鈦粒子之製造方法；其特徵為包含：將各自已在500℃以上預熱之含有四氯化鈦蒸氣之氣體、及含有水蒸氣之氧化性氣體加以混合，而送入加熱至800℃以上之環境之步驟。
- 如申請專利範圍第1項之氧化鈦粒子之製造方法，其中該含有四氯化鈦蒸氣之氣體係含有四氯化鈦蒸氣及氧氣之混合氣體。
- 如申請專利範圍第1項之氧化鈦粒子之製造方法，其中該含有水蒸氣之氧化性氣體係含有水蒸氣及氧氣之混合氣體。
- 如申請專利範圍第1項之氧化鈦粒子之製造方法，其中在該加熱至800℃以上之環境之氣體的滯留時間係在300毫秒以下。
- 如申請專利範圍第4項之氧化鈦粒子之製造方法，其中該滯留時間係100毫秒以下。
- 如申請專利範圍第1項之氧化鈦粒子之製造方法，其中該含有四氯化鈦蒸氣之氣體中之四氯化鈦濃度係3~40體積%。
- 如申請專利範圍第1項之氧化鈦粒子之製造方法，其中該含有四氯化鈦蒸氣之氣體中之(氧氣(O2 換算)之物 質量[mol])/(四氯化鈦之物質量[mol])之比例係0.1~7。
- 如申請專利範圍第1項之氧化鈦粒子之製造方法，其中該含有水蒸氣之氧化性氣體中之水蒸氣之濃度係10~80體積%。
- 如申請專利範圍第1項之氧化鈦粒子之製造方法，其中該含有水蒸氣之氧化性氣體中之(氧氣(O2 換算)之物質量[mol])/(水蒸氣之物質量[mol])之比例係0.1~5。
- 如申請專利範圍第1項之氧化鈦粒子之製造方法，其中該含有水蒸氣之氧化性氣體之量，相對於含有四氯化鈦蒸氣之氣體之量，以體積比計，係0.5~5倍。
- 如申請專利範圍第1項之氧化鈦粒子之製造方法，其中由該含有四氯化鈦蒸氣之氣體及含有水蒸氣之氣體所合併氣體之組成，係四氯化鈦：氧氣：水蒸氣＝1：0.5~13：0.3~5(體積比)。
- 如申請專利範圍第11項之氧化鈦粒子之製造方法，其中由該含有四氯化鈦蒸氣之氣體及含有水蒸氣之氣體所合併氣體之組成，係四氯化鈦：氧氣：水蒸氣＝1：1~6：0.3~3(體積比)。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007154016A JP4997552B2 (ja) | 2007-06-11 | 2007-06-11 | 酸化チタン粒子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201010949A TW201010949A (en) | 2010-03-16 |
| TWI382959B true TWI382959B (zh) | 2013-01-21 |
Family
ID=40232164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW097133448A TWI382959B (zh) | 2007-06-11 | 2008-09-01 | 氧化鈦粒子之製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4997552B2 (zh) |
| TW (1) | TWI382959B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101351159B1 (ko) * | 2009-08-24 | 2014-01-14 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 금속 산화물 입자의 제조 방법 및 제조 장치 |
| JP5669057B2 (ja) * | 2010-03-08 | 2015-02-12 | 国立大学法人北海道大学 | 酸化チタン粒子の製造方法及び製造装置 |
| CN111847507A (zh) * | 2020-07-06 | 2020-10-30 | 南通江山农药化工股份有限公司 | 一种气相法纳米二氧化钛的制备工艺 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10251021A (ja) * | 1997-03-10 | 1998-09-22 | Showa Denko Kk | 塩素含有量の少ない微粒子酸化チタン粉末及びその製造法 |
| US20050271578A1 (en) * | 2003-01-09 | 2005-12-08 | Fujikura Ltd. | Particulate titanium oxide, method and apparatus for manufacturing the same, and treatment methods using such titanium oxide |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4979174B2 (ja) * | 2000-04-25 | 2012-07-18 | 昭和電工株式会社 | 酸化チタン含有微粒子状酸化物複合体の製造方法 |
| JP4754197B2 (ja) * | 2004-08-10 | 2011-08-24 | 株式会社フジクラ | 酸化チタン粒子とその製造方法及びその利用 |
| JP5259767B2 (ja) * | 2011-04-01 | 2013-08-07 | 株式会社フジクラ | 酸化チタン粒子の結晶性評価方法、及び酸化チタン粒子の表面欠陥密度測定方法 |
-
2007
- 2007-06-11 JP JP2007154016A patent/JP4997552B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-09-01 TW TW097133448A patent/TWI382959B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH10251021A (ja) * | 1997-03-10 | 1998-09-22 | Showa Denko Kk | 塩素含有量の少ない微粒子酸化チタン粉末及びその製造法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201010949A (en) | 2010-03-16 |
| JP2008303126A (ja) | 2008-12-18 |
| JP4997552B2 (ja) | 2012-08-08 |
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