TW591320B - Liquid crystal display device and method for fabricating the same - Google Patents

Description

591320 _案號91108227_年月日 更正 五、發明說明（1) 發明所屬技術領域 本發明係關於一種液晶顯示器（1 i q u i d c r y s t a 1 display，LCD)裝置，特別是關於一種液晶顯示器裝置與 一種用於製造該同一規格，卻改善孔徑比（aperture ratio)的液晶顯不Is的方法。 先前技術 通常，一筆記型電腦監視器之薄膜電晶體（TFT)液晶 顯示器模組内的背光使用的電源消耗比例超過6 0 %。 為降 減低該電源消耗，該孔徑比必須增加。孔徑比的意義 是：用以產生主動對比的區域，相較於整個顯示區域的比 例。該孔徑比表示作用在真實光線穿透的有效透明區域。 影響該孔徑比因素的例子包括：一閘極線與一資料線 的厚度，介於一像素電極和一資料線或一閘極線的間隔， 一介於黑矩陣層和一像素電極的重疊間隔，一儲存電容， 和薄膜電晶體（TFT)的區域，等等。 因此，為實現高孔徑比，上述的尺寸因素必須減小， 並將本文以下的說明列入考慮。 換言之，在該資料線，該資料線的開口和遮罩對齊錯 誤應被列入考慮。閘極線上的導線電阻，隨閘極線上的導 線線寬，所形成的信號延遲，同時應被考慮。同時，介

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於該像素電極和資料線的間隔，一遮罩對齊錯誤，一介於 二電極間的短路，液晶的排排站立，都應是考慮的因^ "於該像素電極與該閘極線的間隔，遮罩對齊錯誤和寄生 電谷’也都必須考慮。同時’在介於黑矩陣層和該像素電 極的重疊間隔，該黑矩陣層的蝕刻損失，附著邊緣，和該 像素電極的對齊錯誤，皆應被列入考慮。在該電容，一 ^ 通裝置（feed through)，與在該薄膜電晶體（TFT)的再充貝 電率，都應被列入考慮。 除了上述導致該孔徑比的因素，與一像素電極電性連 接到的汲極電極，該汲極電極所在的區域，同時應被列入 考慮，以提南該孔徑比。若該沒極電極的面積小，覆蓋兮 汲極電極的上黑矩陣層，其面積是相對應地小，因而強^ 該孔徑比。 因此，與該液晶顯示器（L C D )裝置結構相關的技蔽將 解釋隨附圖式並解說。 圖一是依據相關技藝，液晶顯示器（L C D )裝置單位像素的 構造平面圖。圖二是沿圖一的的I - Γ線看的剖面圖。 如圖一顯示，複數個閘極線11 2是排列在一方向上的 一定間隔，且複數個資料線111，該複數個資料線111係垂 直於閘極線排列，以定義一矩陣外形的像素區域。同時， 一薄膜電晶體（TFT)，該薄膜電晶體具有源極和汲極電極 1 0 6和1 0 7，及閘極電極1 0 2，是形成在閘極線11 2和該資料 線111的交叉點。一像素電極10 9是形成在每個像素點的區 域。換言之’該薄膜電晶體（TFT)的源極電極1 〇 6，是連到

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該資料線11 1，該薄膜電晶體 到閘極線11 2，且該像素電極 體（TFT：^汲極電極1〇7。 (T F T )的閘極電極1 〇 2，是連 1 〇 9是電性連接到該薄膜電晶 同時，該薄膜電晶體的汲極電極丨〇 7，是延伸到該像 素電極1G9預先決定的區域，且穿過—在没極電極⑴形成 的接觸孔110’連接到該像素電極l〇g。 該薄膜電晶體（TFT)的戴面結構，與該裝置的 極將會被說明。 μ *換言之，如圖2顯示，閘極線112,該閘極線Π 2包括 該薄膜電晶體（TFT)的閘極電極1〇2，是形成在下基板1〇1 。了閘極絕緣薄膜103係沉積在該基板的整個表面，該基 板係包括該閘極電極1 〇 2和該閘極線。 同時，一半導體層1〇4形成在該資料線與—薄膜電晶 體*(TFT)要形成的區域，且在該閘極絕緣薄膜1〇3上。如果 該薄膜電晶體（TFT)提供源極電極1〇6，該源極電極1〇6係 ::導電金屬製造的，資料線ln將會形&，且該薄膜電 曰曰體（1?”的汲極電極107會形成，在相對該源極電極1〇6 的位置。一歐姆接觸層1〇5是形成在半導體層，該源極電 極1〇6,與該汲極電極107之間。一 SiNx的被動薄膜ι〇8是 形成在該基板的整個表面，包括該源極和該汲極電極1〇6 =1 〇 7 ’因此該接觸孔！丨0是形成在該汲極電極} 〇 7上方。 2素電極109，諸如銦錫氧化物（IT〇)是形成在該被動薄 、的像素區域，因此，可經過該接觸孔，電性連接汲 極電極1 〇 7。 591320 案號 91108227 五、發明說明（4) 雖然不顯示，一 體（TFT)’該間極線 傳送到，扣除上絕緣 濾層是形成在對應於 然而，上述有關 換言之，因為電性連 形成在該上基板 增加，以免光線傳送 案中’该液晶顯示器 更正 黑矩陣層是形成在對應到該薄膜電晶 ’和該資料線的一部份，以阻止光線 基板像素區域的區域。同時，一顏色 該像素區域的上絕緣基板。 裝置的習知技藝有下列問題。 接到該像素電極的薄膜電晶體（TFT) 的黑矩陣層，該黑矩陣層的面積必須 到下基板的薄膜電晶體（TFT)。在本 裝置的孔徑比，被相當程度地減少。 發明内容 、去，：2 i本發明係與液晶顯示器裝置有μ，且論及-方 排“知技Ϊ:於個液晶顯示器裝置’但實質上 又在上一個或更多的問題。 製造同一 j的優點在於提供一液晶顯示器裝置，和一用於 善其二徑t卜液=顯不器裝置的方法，該液晶顯示器裝置改 極電極；延伸至::：土改變該汲極電極的形狀，然後使汲 T巧邊像素電極。 述，部：：2的優點和特徵，部份將明示在稍後的描 知。本發日月的目Ϊ例中，為熟悉該技藝術人士所為顯見易 的目的和其他優點，將會在本說明書，申請專 五、發明說明（5) 】範：、’與相關圖式揭露。 在此i駟f*該些與其它優點，並依據本發明的目的，如同 交又的廣ί地描$，該裝置依照本發明，包括互相 形成的4胺4和貝料線’和在該間極線和該資料線交又點 成的溥膜電晶體（TFT)。 的汲極ΐ:孔兮觸孔係電性連接到薄膜電晶體（TFT) 電極和該料ϋ =區域的像素電極是形成纟，該沒極 1豕京£域預先決定的部份上。 )，肖；本.^明的其它方面，根據本發明的液晶顯示器（LCD 和、及# 么、有閘極線，資料線，閘極電極，源極電極， 列成體以ΐ:Γ;;匚r基板上排

：t (ΛΤ ^ ^ ^ ^ ^ t ,4 ,Γ；! ； I ϊΐί;=和該像素區域上形…像素電極係形 位“Ϊ方以便連接到該沒極電極’該没極電極係 汲極電極的邊緣部份 ’遮蔽背燈光線之汲 於此，该接觸孔係形成在穿越該 和毗連該邊緣部份的像素區域。因此 極電極之面積減少。 該薄膜電晶體（T F Τ)， 極；一閘極絕緣薄膜，該閘 ，該表面包括該閘極電極； 形成在該閘極絕緣薄膜上， 極的上方；源極和汲極電極 匕枯在暴板上形成的一閘極電 極絕緣薄膜係在整個表面形成 半導體層，該半導體層該係 該閘極絕緣薄膜係位於閘極' 形成在該半導體層的兩端；且另 591320 五、發明說明（6) 成在該基板的整個表面的一被動薄膜，該基板係包括源極 / >及極電極。 本發明的其它方面，一用於製造該液晶顯示器裝置 ^驟的方法，包括：在絕緣基板，提供有閘極電極，源極 ^及極電極，形成薄膜電晶體（TFT)的步驟，·在該基板的 表面，該基板係包括該薄膜電晶體（TFT)，形成一被 f膜的步驟；形成一接觸孔，該接觸孔係位於該汲極 垂虽和姊近於該汲極電極像素區域的上方；並形成一像素 士，在該像素區域，因此該像素電極，是穿越該接觸孔， 電性連接到該汲極電極。 ^此，該接觸孔的形成，是以選擇性地移走該被動薄 朽發"^動薄膜係位在該汲極電極的邊緣部份，與毗連汲 極電極邊緣部份的像素區域。 二成膜電晶體（TFT)的步驟，包括：在基板上形 個表：亟辞二：步驟；形成一閘極絕緣薄膜在該基板的整 一預先決二二P係包括該閘極電極；在該閘極絕緣薄膜的 的兩面Ϊ二i ‘朽，成一半導體層；且分別在該半導體層 面形成/原極和汲極電極。 該接觸孔的形成，县、弦μ ^ , 在該及極電極邊緣部严=；：擇性地移走則皮動薄膜，與 極邊緣部份的像素區：閘絕緣薄膜，和毗連該汲極電 讀者必須明白，太狢ΒΒ ‘丄 描述，是可當作範例J 刖f ” -般描述和下面的詳細 請專利範圍項目的說明。，並提供本發明更進一步，申 第10頁 591320 年月曰_更正 __案號 91108227 五、發明說明（7) 實施方式 本發明的詳細實施例將被提出，實施例的例子會隨圖 式一併解說，當於可能之處，所用類似數字編號，將會慣 於遍及該圖式，畫到參考該相同或所指部份。 圖3為依照本發明，液晶顯示器單位像素的構造平面 圖，和圖4 ’為圖3沿I I - I I，線的構造剖面圖。 如圖3顯示，複數個閘極線2 1 2是排列在一第一方向， 閘極線2 1 2取固定間隔，和複數個資料線2丨丨是排列在一第 二方向，例如（e· g·)實質上垂直於該閘極線212，在一矩 陣排列中’疋義複數個像素區域。同時，具有源極和沒極 電極2 0 6，2 0 7，及閘極電極2 〇 2的薄膜電晶體是形成在該 閘極線2 1 2和該資料線2 1 1的交叉點上。同時，一像素電極 2 0 9是形成在每個像素區域。換言之，該薄膜電晶體（τρτ) 的源極電極2 0 6，是連接到該資料線2丨丨，該薄膜電晶體 (TFf)的閘極電極2 0 2是連到該閘極線212，且該像素電極 2 0 9是電性連接到該薄膜電晶體（TFT)的汲極電極2〇7。 ^ 同時’該薄膜電晶體（TFT：^汲極電極2 0 7，不延伸到 遍像素電極2 0 9預先決定的部份。同時，一接觸孔2丨〇是形 成在沒極電極2 〇 7和該像素區域預先決定部份的上方，因 此該像素電極2 0 9，穿過該接觸孔2 1 〇，連到該汲極電極

第11頁 591320 案號 91108227 曰 更正 五、發明說明（8) 2 0 7 ° 依據本發明，薄膜電晶體（TFT)的剖面結構，和該液 晶顯示器裝置的像素電極將被詳細地解釋。 換言之，如圖4顯示，該閘極線2 1 2，包括該薄膜電晶 體（TFT)的閘極電極2 0 2，是形成在下絕緣基板201。同時 ，該閘極絕緣薄膜2 0 3是在基板的整個表面，該基板包括 該閘極電極2 0 2和該閘極線2 1 2。 同時，一半導體層2 0 4會形成在該閘極絕緣薄膜2 0 3 上，該資料線將會形成在該閘極絕緣薄膜2 0 3上，且該薄 膜電晶體（T F T )將會形成在該閘極電極2 〇 2上。然後，提供 有一傳導金屬之該薄膜電晶體（TFT)源極電極2 0 6，和有該 薄膜電晶體（TFT)i&極電極2 0 7，資料線21 1會形成在該半 導體層204。同時，該汲極電極2〇7，是形成在該薄膜電晶 體（TFT)到該源極電極2 0 6的相反侧。一歐姆接觸層2〇5， 是形成介於該半導體層204和該源極和該汲極電極2〇6和 2 0 7。同時，一 S iNx材料的被動薄膜2〇8,是形成在該基 板的整個表面’該基板包括：該源極和該沒極電極和 20 7。該汲極電極2 0 7的形成，不延伸到像素區域。同 :ΐ觸ί 系，形成在沒極電極207和一像素區域所在面的 上方，該接觸孔係在該被動薄膜2〇8上形 極電極2 0 7與一像辛雷極的,0Ϊ m 风，、位於5亥及 到該像素電極209。然後，_像辛 及極電極2〇7 物（ιτο)形成，穿越在一像二：】2 2〇9’諸如銦錫氧化 接到該沒極電極107。素的該接觸孔21〇,以便電性連 第12頁 五 畫號 9110R997 、發明說明（9) 208，$ #，該接觸孔210係形成，以經由移走該被動薄膜 露，且一^間極/巴緣薄膜2 0 3，因此該汲極電極的部份是暴 鄰近於二像素區域的絕緣基片201也是暴露，該像素區域 晶體（Τ^τί合極電極2〇?。該半導體層204可能只在該薄膜電 )曰形成的區域，以島型的方式形成。 在- 5二ί:纟相關的液晶顯示器裝置中，-接觸孔形成 :極電極上方，是為了連接到一像素電極，在本發明 :被動薄膜2〇8被移走和形成’是藉由形成該没極電極 ，因此，穿越該接觸孔210,該汲極電極2〇7的邊緣部 Ϊ連;沒極電極20 7該像素區域的絕緣基板2〇1是暴 該接觸孔210附近的暴露部份，是該汲極電 極20 7的邊緣部份，和該像素區域絕緣基板的表面部份。 因此，當金屬材料之汲極電極之大小減少至最小時， 於透射光線之面積擴大，且LCD裝置之螢幕變亮。豆孔俨 比（其表示：肖於產生活性對比之面積對於整個顯示面積 之比）增加，並且照片品質成為最佳。 雖然未顯示，此光線遮蔽材料之黑矩陣層 應於TFT、問極線、以及資料線之部份，以致於光線二 送至像素區。纟本發明中’當汲極電極面積減少時，在 對應於TFT之汲極電極部份之黑矩陣層面積亦減少。因 此，用於遮蔽光線之面積減少，並且LCD農置之螢幕 較亮。因而，在對應於像素區之上絕緣基板上形成濾 層。在將上基板與下基板彼此以固定間隔； 注入於上基板與下基板之間。__ 曰曰 第13頁 9l32〇

根據本發明的液晶顯示器裝置，相較於習知技藏，今 越觸孔的位置並不改變’且為了形成該汲極電極的位置也 戏少，因此改善孔徑比。 一用以製造根據本發明的液晶顯示器裝置的方法，蔣 會被解釋。 、 圖5A到5C是截面圖，顯示用以製造根據本發明的該液 晶顯示器裝置的方法。 ° 如圖5A顯示，一導電金屬，諸如鋁鈥（AINd)或銘（A1) ’是經由在下絕緣基板2 0 1使用濺鍍方法沉積而成。然後 ’該導電金屬的圖案是以照相钱刻法形成，因此形成該閘 f電極2 0 2和該閘極線2 1 2 °其次，該絕緣材料，諸如s丨Νχ 是經由化學氣相沉積法（CVD)，在該基板的整個表面沉積 而成’包括該閘極電極2 0 2及該閘極線212，因此形成該閘 極絕緣薄膜2 0 3。 " 稍後，如圖5 Β顯示，一石夕：氫和摻雜多數η型雜質的 矽：氫，是連續地沉積在閘極絕緣薄膜2 〇 3，且形成圖案， 因此形成該薄膜電晶體（TFT)層204，與該歐姆接觸層 2 0 5。同時，低阻抗金屬，諸如鉻（Cr)和鉬（M〇)， 是經由使用濺鍍方法沉積並形成圖案，因此，形成源 極和汲極電極2 0 6和2 0 7,且資料線（不顯示在圖5)。同時 ’該歐姆接觸層2 0 5，介於源極電極2 〇 6和該汲極電極2 〇 7 是被移開。 如圖5C顯示’絕緣材料諸如Si Nx，是置放在該基板的

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因：：5 U ί板包括：胃源極和沒極電極20 6和207， 匕^成該被動溥膜208。然後，該汲極電極2〇7的邊緣 ί俜素區域所使用的被動薄膜2〇8,該像素區 2具有像素電極’且該閘極絕緣薄膜2〇3，是選擇性地 移走’因此形成該接觸孔2 1 〇。 然後，銦錫氧化物（ΙΤ0)是，以經由濺鍍方法，愈形 ，圖案的方式’沉積在整個表面，因&，該像素電極2〇9 疋形成在該像素區域，以便穿越該接觸孔21〇，電性連接 到該汲極電極2 〇 7。 然後’雖然未顯示’將形成閘極線、資料線、TFT以 及像素電極之下基板，與形成黑矩陣層、濾色層、以及共 同電極之上基板，以固定間隔彼此附著。 隨後’將液晶注入於上基板與下基板之間，且將背燈 設置在經附著基板之後表面上，因此製成根據本發明之 LCD裝置。此LCD裝置是藉由將光線從背燈投射入經附著基 板中而顯示。在此時，此來自背燈之光線並未在對應於 TFT 閘極線、資料線、以及黑矩陣層之部份透射，而是 在對應於像素電極之部份透射。當在本發明中，TFT之汲 極電極面積與黑矩陣面積減少時，其螢幕變得較習知技術 者為亮’且背燈之功率消耗降低。因此，背燈亮度之功效 增加。 圖6，說明習知技藝在上基板和下基板黏合時，液晶

第15頁 591320 _魏91108227__年月 p 更正___ 五、發明說明（12) 顯示器裝置並不傳送光線到的部份單位像素。圖7說明， 在上基板和下基板黏合後，依照本發明，液晶顯示器裝置 並不傳送光線的部份單位像素。 一黑矩陣1 1 3，形成在相對側的上基板，以防止光線 傳到該資料線，該閘極線，該薄膜電晶體（T F T )。同時， 如同顯示在圖6和7，在相關的習知液晶顯示器裝置，該汲 極電極1 0 7係電性連接到該像素電極，該汲極電極1 〇 7並突 出朝向到像素區域，因此甚至該汲極電極1 〇 7週邊裝置空 位’是覆以黑矩陣1 1 3，因此降低孔徑比。另一方面，依 據本發明’在該裝置，該汲極電極2 〇 7延伸到該像素區域 的面積被減少，因此改進一孔徑比。 如同上述，依據本發明，為了製造該相同液晶顯示器 的裝置和方法，有以下優點。 ” σ 換言之，因為延伸到該像素區域的薄膜電晶體（tft) ’其没極電極面積減少，但是該汲極電極接觸區域和該像 素電極的面積擴大，在該上基板形成的一黑矩陣層 也同時減小，該黑矩陣層係用以阻止光線傳入薄&體 (TFT)，因此該液晶顯示器裝置的孔徑比改善^ ,, 9加皆燈 的明亮度和效率。 大凡熟悉該項技藝之人士，其所依本發明之私 作之變化或修飾，I應涵蓋在以下本發明之申請 βη Τ Θ寻利範圍

第16頁 591320 案號 91108227 年 月 曰 更正 圖式簡單說明 【圖式簡單說明】 提供的圖式，意在提供更進一步了解本發明，並加入 成為本申請案的一部份，圖示本發明的具體實施例，隨同 用以闡明本發明原理的文字說明，在圖式中： 圖1，依照習知相關液晶顯示器裝置，一單位像素的 結構平面圖； 圖2 ’圖一依I - I ’線的構造剖面圖； 圖3，依照本發明，一液晶顯示器裝置單位像素的結 構平面圖；

圖4為圖3沿I I - I Γ線的構造剖面圖； 圖5A到5C，為依據本發明，一液晶顯示器裝置的剖面 觀察圖； 圖6為一單位像素的平面圖，顯示一習知技藝液晶顯 示器裝置，當附著一上基板到一下基板時，光線不傳達到 的部份； 圖7為一單位像素平面圖，顯示本發明液晶顯示器裝 置，當附著一上基板到一下基板時，光線不傳送到的部 份；

【圖式編號說明】 101 基板 10 2 閘極電極 103 絕緣薄膜

第17頁 591320 案號91108227_年月曰 更正 圖式簡單說明 104 半 導 體 層 105 歐 姆 接 觸 層 106 源 極 電 極 107 汲 極 電 極 108 被 動 薄 膜 109 像 素 電 極 110 接 觸 孔 111 資 料 線 112 閘 極 線 113 黑 矩 陣 201 下 絕 緣 基 板 202 閘 極 電 極 203 閘 極 絕 緣 薄膜 204 半 導 體 層 205 歐 姆 接 觸 層 206 源 極 電 極 207 汲 極 電 極 208 被 動 薄 膜 209 像 素 電 極 210 接 觸 孔 211 資 料 線 212 閘 極 線

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Claims (1)

1. 六、申請專利範圍 六、申請專利範圍 資 料：種f晶f示器裝置，設置‘有複數個間極· 該資钭唆：：溥膜電晶冑（TFT)，其中該閑 二ί: 定義一像素區域和該薄膜電E 嗲資料域和薄膜電晶體（TFT)係形成; 上，其中-接觸孔係形成於ί 像素&域預先叮定部份的上方，該接 = >膜電晶體（TFT)的汲極電極，該薄膜電晶體 該像素區域的像素電極。 、日曰- 2 ·如申請專利範圍第1項所述之液晶頻示考汁 該薄膜電晶體（TFT)和該像素區域包括1 、裔^ 一閘極電極，其係形成在一絕緣基板； :閘極絕緣薄膜，其係形成在該絕緣基板 面，該絕緣基板包括該閘極電極； 极 一半導體層和一歐姆接觸層，其係 極絕緣薄膜的一預先決定部份； 運π地 複數個源極電極和汲極電極，其係在誃 往四面八方形成； Μ ’ 一被動薄膜，其係在該基板整個表面上形 包括該源極和沒極電極； 一接觸孔，其形成係藉由蝕刻該被動薄膜， 的預先決定部份與一絕緣基板的預先決定部份 一像素電極將於稍後形成；且 <、 在該被動薄膜和該接觸孔上，形成該像素電極。 I，複數個 極線係與 3體 :該閘極和 [没極電極 :電性連接 (TFT)具有 ，其中 整個表 積在該閘 接觸層， ’該基板 使一没極 露，其中 六 、申請專利範圍 MM ^ 91108227

   3 · 一種液晶顯示裝置，包括· 複數個閘極绫，佶甘+甘: 夺沒 m 、、灵使其在基板上的排列，盥眘钮括， 又又、’—因而定義一像素區域； 〇貝枓線形成 複數個薄膜電晶體，每個 雷極，族奴加、 母個，專膜電晶體都具有一個鬥此 體俜彤成，兮》原極電極，和複數個汲極電極，該薄膜；： 係开:1在該閑極線和該資料線的交叉點上；#膜電晶 方；與冑孔，其係形成在該沒極電極和該像素區域上 孔，；系在該像素區域形成，穿透該接觸 連接該像素電極到該汲極電極。 I·垃!°申睛專利範圍第3項所述之液晶顯示器裝置，其中 二 孔是在該汲極電極和該像素區域的邊緣部份的上方 形成，該像素區域係毗連該汲極電極的邊緣部份。 5 ·如申請專利範圍第3項所述之液晶顯示器裝置，其中 該每個薄膜電晶體，更進一步地包括·· 一基板’係具有該閘極電極位於該基板上； 一閘極絕緣薄膜，其係位在該基板的整個表面，該基 板包括該閘極電極； —一半導體層，其係位於該閘極絕緣薄膜，該閘極絕緣 薄膜係在該閘極電極上方； 該源極電極和該汲極電極，其係位在該半導體層的相

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   對側；且 被動薄膜’其係形成在該基板的整個表面，該基板 包括：該源極和没極電極。 6 ·如申請專利範圍第5項所述之液晶顯示器裝置，其中 該接觸孔係穿透被動薄膜形成，該被動薄膜係在該汲極電 極的邊緣部伤，且在她連該沒極電極邊緣的像素區域。 7 ·如申請專利範圍第5項所述之液晶顯示器裝置，其中 該接觸孔係穿透該被動薄膜與該閘極絕緣薄。膜形成/該閘 極絕緣薄膜係在該沒極電極邊緣部份，且 ，而該像素區域係毗連該汲極電極的邊_象/、， 8. 一種用於製造液晶顯示器裝置之方法，勺括 成複數個薄膜電晶體，1中I e"秸· 搞，一、W Φ , 、八 個溥膜電晶體都有 棼徊“ • 電極在該、绝緣基板上 形 閘極電極二 ，.一 |工γ —现性蒐極在該絕緣其招上. 在該J板整個表面上，形成一被、，：係 括該薄膜電晶體； 嗎这基扳係U 形成一接觸孔，在該汲極電極盥一 部份的上方，該像素係區域係輸亥沒域預先決疋 形成一像素電極在該像素區和，且 接觸孔與該汲極電極連接。 違像素區域係穿透該 其中該接觸孔是 如申請專利範圍第8項所述之方法 591320

   更正 f該；及極電極和該像素區域上形成，該像素區域係鄰近於 該汲極電極的邊緣部份。 i二.、如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該接觸孔是 = 込擇1±地移走被動薄膜，該被動薄膜在該汲極極 邊緣部价，η + π + 在像素區域上，該像素區域係w比連該沒極電 極的邊緣部份。 ·如申睛專利範圍第8項所述之方法，其中形成該薄膜 電晶體的步驟包括： 在該絕緣基板形成該閘極電極； 形成一閘極絕緣薄膜在絕緣基板的整個表面，該絕緣 基板係包括該閘極電極； 在該閘極絕緣薄膜預先決定的部份，形成一半導體層 ;且 在該半導體層相對面，分別形成複數個源極與複數個 没極電極。 u ·、如申請專利範圍第1 1項所述之方法，其中該接觸孔的 形成’係經由選擇性地移走該被動薄膜和閘極絕緣薄膜， 5亥問極絕緣薄膜係位在該汲極電極的邊緣部份與該像素區 域4 ’胃像素區域係毗連該汲極電極的邊緣部份。