TW480192B - Exhaust pipe provided with a device for preventing reaction byproduct from adhering thereto, and method therefor - Google Patents
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Description
480192 A7 B7 五、發明説明) [技術領域] . 本發明係有關用以半導體製造裝置等之真空室 (Vaccum Chamber)成為真空之真空排氣系的排氣管,特別 是有關在内面設置有用以防止反應副生成物附著的裝置的 排氣管’以及用以防止反應副生成物附著在排氣管内面之 方法。 [技術背景] 減壓化學氣相沉積裝置(CVD),具備有石英管反應爐 (真空室)’並於該反應爐藉由金屬製排氣管連接有真空 泵。如此的減壓化學氣相沉積裝置在特別是氧化膜、氮化 膜之形成過程中,會產生大量的反應副生成物。因此,因 反應副生成物的污染而真空泵容易在短期間即成為不能動 作的情況,又,由於為避免此種情況而需要定期性的清洗 之故,該裝置之運轉率降低而成為問題所在。 為防止因反應副生成物的污染而造成真空泵之不能動 作,而開發有設置於反應爐與真空泵之間之排氣管的種種 型式的截留閘(trap),並各有相當之效果。然而,反應爐與 截留咕間之排氣管上,仍然有反應副生成物在該排氣管内 面的附著堆積的問題。作為此對策,於排氣管外表面捲上 加熱用加熱器,藉由排氣管之加熱,而防止反應副生成物 之凝結附著。 但,在如此以往之方法中,由於加熱器之熱將釋放至 大氣側之故,不能有效提高排氣管溫度。特別是在氧化膜 之形成過程中,由於反應副生成物之昇華溫度較高,反應 本f張尺度適用中國國家標率(CNS) A4規格(21())< 297公釐) ' ' —--- 1 312319 —Id (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) • 11ϋ— 11 - -1 —-fn · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 480192 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ~____五、發明説明(2 ) . " 田,J生成物之產生量亦較多之故,未能充分達到防止反應副 生成物附著之效果。、 [發明之概述] 本發明係鑑於上述之問題而開發者,在連接真空室與 真二泵之間的排氣管上設置防止反應副生成物附著裝置, 藉以避免反應副生成物附著堆積於該排氣管内,並排除定 期維護之必要性,以提升半導體製造裝置之運轉率為主要 目的。 ' 亦即,本發明提供一種排氣管,其一個基本特徵在具 ,有:在内部具有排氣通路的内筒、及在該内筒之外側隔 著空隙而設置的外筒、以及安裝於内筒的加熱裝置,而前 述空隙係連通於前述排氣通路者。 由於空隙係連通於排氣通路之故,排氣之際,空隙將 隨著該排氣通路成為真空狀態而成為真空狀態,因此,可 抑制從其内側所設置的加熱裝置之熱量往外釋放,而可有 效加熱内筒,因而可防止排氣中所包含的反應副生成物等 疑結堆積於内筒内面。 Λ為1個實施例,係將内筒作成為較外筒為短,將該 内筒之上游端連結於外筒,並於下端部形成用以將前述空 隙連通於排氣、通路的連通口。又,亦可將内筒之下游端連 結於外筒,並將連通口設置於上游側。 又,亦可藉由沿著内筒之内壁面形成惰性氣體或氮氣 層,而能更有效防止上述凝結附著。作為此情形之具體例, 係可將惰性氣體等之導入口 ’不與前述空隙連通,而設置 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 2 312319 ί — ·1—雪 i I—-n .......... 1-1 i · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 IUK li 線 480192 五、發明説明(3 於貫通外筒與内筒之間的上游㈣ 、 端’以將前述惰性氣體等導 入排氣通路内。又,亦可於休Μ > 、 之Τ游端,連通於前述 空隙之方式設置氣體導入口, 向將别述惰性氣體等經由前 述空隙及連通口引導至排氣通路内。此時,藉由通過空隙 的惰性氣m從加熱裝置往外部釋放的熱,除能獲得因 該氣體所致的反應副生成物之附著防止效果之外,尚由於 沿著内冑面所流動的氣體而可有效加_該内冑φ。 、 作為其他的實施例,係將内筒與外筒作成為大略相同 長度,並將該等在兩端連結,同時將氣體導入口以連通於 前述空隙之方式設置於外筒,且以多孔質材構成内筒,以 及使導入於前述空隙的惰性氣體通過内筒之多數之孔使其 喷出於前述排氣通路内,藉此防止反應副生成物等之附 著。 再者’有關本發明的排氣管之另一基本特徵為··具有 在内部具有排氣通路的内筒、及設在該内筒外側的外筒、 及形成於内筒與外筒之間的密閉空間;以及設置於外筒, 而用以導入如液體氨等之極低溫冷媒至密封空間的冷媒導 入口。 在此排氣管中,由於對密閉空間供給如液態氮等的極 低溫冷媒而冷卻内筒内面,並由於在該内面附近導入氨 氣、氬氣、氮氣等氣體而使該等氣體凍結於該内面上,因 此可在排氣後’藉由使該凍結氣體氣化而進行排氣中所附 著的反應副生成物等之剝離。 [圖式之簡單說明] 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐 312319 ! I In -- ihl^h^ % (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .— -經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 h 社 印 製 五、發明説明 4 , 、第1圖係表示有關本發明第i實施例的防止反應副生 成物在排I f内附著之裝置之構成例的圖。 第 2圖孫表:一 θ $表示有關本發明第2實施例的防止反應副生 成物在排氣管内附著之裝置之構成例的圖。第 3 R從主 — 、 田乎、表示有關本發明第3實施例的防止反應副生 成物在排氣管内附著之裝置之構成例的圖。 、 圖係表示有關本發明第4實施例的防止反應副生 成物在排氣管内附著之裝置之構成例的圖。 [元件符號說明] 11内筒 _ 13加熱裝置 1 〇排氣管 12外筒 1 5空隙 17、21隔熱材 19連通口 2 3冷媒排出口 實施例之說明 根據圖式 余1圖中 在此實施例中 說明本發 16氣體導入 1 8氣體流層 2〇喷出層 24凝結膜 口 明之實施例如 10為有關本發明之一實 該排氣管10之左端部(未圖示)係連接於反 應真空室,右端部則連接於真空泵(或者連接於設置於真空 泵之上游側的未圖示的截留閘)者。 排氣管10係作成具有内筒u及外筒12的2重構造, 其中内筒11具有排氣通路10,’外筒12則隔著空隙15設 在内筒11的外側。在内筒U之外周設置有用以加熱該内 下 施例的排氣管,而 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0X 297公釐) 312319 Α7 五、發明説明(5 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 筒U的加熱裝置13。内筒11及外筒12,係由例如金屬材 =所構成,且其上游側(反應真空室側)之端部係互相連結 著准内筒1 7之上游側端部係使用如陶瓷材等之隔熱材 17所製成。内筒11係較外筒12者為短,該内筒n之下 游側端部係未連結於外筒12,而形成有使内筒n與外筒 12之間(實際上為加熱裝置13之外周面與外筒12之内周 面之間)之空隙與排氣通路10,連通之環狀連通口 。又, 在排氣管10之上游側端部設置有將惰性氣體(例如氬氣) 或氮氣(NO導入内筒^内的氣體導入口 16。 在上述構成之排氣中,如進行使甩真空泵的反應真空 至之排氣,則按從反應真空室往箭號14所示方向進行排 氣,而使該反應真空室成為真空。此時,内筒丨丨藉由加熱 裝置13而加熱,惟内筒u内之排氣通路ι〇,及該排氣通 路1〇,所連通的空隙15亦將被作成真空狀態之故,從加熱 裝置13往外部的熱釋放將抑制為最小限度,以致内筒u 將容易達到高溫(300。〇以上)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如此,由於内筒11之内壁面經維持於高溫之故,反應 田J生森不致凝結而可防止附著堆積於内壁面。又,從氣體 導^ 口 1 6沿著内筒11之内壁面導入惰性氣體或氮氣,並 沿著該内壁面形成氣體流層18。藉此,亦可防止反應副生 成物附著於内壁面。在此,作為上述加熱裝置13而言,電 加熱式加熱器或油加熱式加熱器等,祇要是能使内筒u 加熱為南溫者均可適用。 又,棑氣管變長時,為了防止形成於該棑氣管1Q之内 本尺度適用 fgj·標準(CNS) A4規格(21Qx 297ij----*-- 5 312319 ο 92 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明( 壁面(内筒11之内壁面)的惰性氣體或氮氣之氣體流層18 之制離’可將複數個上述構成之排氣管i 0串聯連接以構成 該排氣管。 第2圖係表不本發明的排氣管之第2實施例的圖。第 2圖中,附以與第!圖同一符號者表示同一或相當部分。 又,其他圖面的情形亦同。與第丨圖之實施例相反,内筒 11與外筒12係在下游側(真空泵側)之端部相連結,内筒 11之:游側端部係使用陶竟材等之隔熱材17製成,而在 該内琦11之上游側端部開設有環狀之連通口 i 9。在外筒 12 =下游側端部設置有將惰性氣體或氮氣導入空隙15内 的氣體導入口 16,從該氣體導入口 16導入空隙15内的氣 體係、座由連通口 19而通入内筒u内之排氣通路1〇,。 在上述構成之排氣管中,藉由真空泵進行反應真空室 之排氣時,係使用加熱裝置13加熱内筒u,同時透過氣 體導入口 16將惰性氣體或氮氣導入排氣管10内。 經導入的氣體,將通過空隙15而被加熱裝置13加埶, 並通過連通口 19而形成沿著該㈣之内面的氣體流層、 18。因此,内筒U藉由加熱裝置有效地加熱,該内筒u 之内面即成為300t以上之高溫。因& ’反屬副生成物不 致於凝結在内筒内面,而可防止其拊著堆積。 又,為防止第2圖所示的排氣管1〇之内壁面(内筒u 之内壁面)所形成的惰性氣體或氮氣之氣體流層Μ之剝 離可將複數個排氣f 1〇串聯連接以構成排氣管。 第3 表示本發明第3實施例的排氣管之構成例的 6 ^尺度適用中CNS ) A4規格(21〇x^^y 6 312319 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ Μ .1 —ill : mi -- ·1- 1 In In I— mi Hi > 480192 A7 B7 五、發明说明(7 圖。如圖所示,此排氣管10亦為 々 力与内同11與外筒12之2 重構造,而其特徵為··内筒1}係由 ^ * 田,具有多數個孔11a的多 (请先閲讀背面之注意事項存填寫本育) 孔質材(形成有夕數個孔lla者或多 夕札買陶瓷材)所構成, 加熱裝置13亦由具有多孔13 ,^ ^ t 幻夕孔質材所構成,以及將 内筒11作成與外筒12同一長度,並 並將彼等之兩端部相連 結之處。 於此排氣管中,藉由真空泵進行 %订汉應真空室之排氣 時,與前述實施例同樣,係使用加埶裝 …衣罝13加熱内筒11, 同時透過氣體導入口 16將惰性氣辦式务> 或氮氣導入排氣管10 __ 内。經導入的氣體,係通過由多孔質體所構成的加孰裝置 13及内筒11之孔13a、lla,到達排氣通路1〇,内,並沿著 内筒U之内面形成喷出層20。因此,内筒u藉由加ς裝 置而有效加熱,該内简Π之内面將成為3幻q 〇c以上之古 溫。因也’反應副生物不致凝結於内筒内面而可防止其附 著堆積。多孔質體之開口率可為一定,亦可為非特定者。 為使排氣管内之氣體流層為均勻,在第3圖之情況下,較 為理想的是愈離開氣體導入入口 16,開口率為愈小。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Λ 第4圖係表示本發明之第4實施例的排氣管之構成例 的圖。此排氣管10亦為内筒11與外筒12之2重構造,而 外筒12之内壁面上設置有隔熱材21,内筒Η之兩端係隔 著該隔熱材21而連結於外筒12。在隔熱材21之内面與内 筒11之外周面之間所形成的空隙1 5上,設置有用以導入 液體氮等之極低溫冷媒的冷媒導入口 22、及用以排出之Α 媒排出口 23。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Μ規格(21〇)<297公釐) 312319 480192 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明() 8 / 當進行反應真空室之排氣時,係事先對空隙1 5供給液 體氮等之極低溫冷媒以冷卻内筒11。在此狀態下對排氣管 10内導入氨氣、氬氣、氮氣,使此等氣體凝結於内筒11 之内面以形成凝結膜(固體膜)24。 反應過程完畢後,停止對空隙15之冷媒的供給,並從 空隙内部排出冷媒以停止冷卻内筒11。藉此,反應過程前 所凝結的凝結膜24將進行氣化之同時,排氣中附著於該凝 結膜的反應副生成物亦因該氣化而被剝離並被排出。 在此排氣管10,由於能如此防止反應副生成物之附著 之故,不需要棑氣管10内之清潔等的維護,而如採用為半 導體製造設備,則能大幅提升設備之運轉率。 產業上之利用可能性 有關本發明之排氣管,雖特別適用於半導體製造中使 角減壓化學氣相沉積裝置,在真空室内進行氧化膜或氮化 膜的形成時,進行有大量反應副生成物產生時之真空室的 排氣者,惟不限定於此,尚可有效利用於所排出的氣體中 v所含的浮遊物質附著於排氣管之内面,並因此而會發生一 f 些障礙的情形時。例如,亦可適用於AsSg(砷玻璃)膜之成 膜過程,在此情形,由於可防止As(砷)附著於排氣管内面 之故,可避免排氣管之維護時作業人員曝露於有毒環境之 危險性。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 312319 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 丁 I— I ill · 1 --=- I 1J 1 ---1 s 1....... 1»—: i ....... - _ -- _ -1 -I 1 - ---- - - - -- 線
Claims (1)
- ^υΐ92~、申請專利範圍 L 一種排氣管,其特徵在具有· 緩 濟 部 智 慧 財 產 局 員 X 消 費 合 作 社 印 製 在内部具有排氣通路的内筒; 在該内简之外側隔著办 ^ _ &隙而設置的外筒;以及 女裝於内筒的加熱裝置, 且前述空隙係經連诵於< 2 , φ ^ ^ 堤通於前述排氣通路者。 内^ * 、排氣管,其中,為了沿著前述 内同之内壁面形成惰性氣 或氮氣之層,於前述内筒内 具有因以導入惰性翕妒弋名 彳⑽就體或氮氣的裝置。 1如申請專利範圍第1項之 排虱管,其中,前述内筒與外 同係隔著隔熱構件而相連結。 4·如申睛專利範圍第1項 ,_ 弟3項中任一項之排氣管,其 中,則述内筒係較外筒為短, ,Λ/Γ 且該内同之上游端連結於 外同,而下游端則形成有用义 ^ 乂將刖述空隙連通至前述排 氣通路的連通口。 5·如申請專利範圍第4項之排翕其甘占 、+、+ 那虱管,其中,設有以不與前 ΐ空隙連通的方式貫通前述外筒與内筒的上游端而在内 同之内壁面開口的氣體導入D,並通過該氣體導入口而 導入前述惰性氣體或氮氣。 6·如申請專利範圍第1項至第3頊中 項宁任一項之排氣管,其 中:前述内筒係較外筒為短,且該内筒之下游端連結於 ,筒,而上游端則形成有用以將前述空隙連通至前述排 氣通路的連通口。 7.如申請專利範圍第6項之排氣管,其中,前述外筒之下 游端設置有連通於前述空隙的氣體導入口 ’而氣 t*' ------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 9 312319 480192 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 體導入口導入前述惰性氣體或氮氣,並通過前述空隙及 前述連通口導入前述排氣通路内。 8·如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之排氣管,其 中,將刖述内筒與外筒作成為大略相同長度並於其兩端 連結,在刖述外筒設置連通於前述空隙的氣體導入口, 炎使用多孔質材構成前述内筒,使前述惰性氣體或氮氣 經由前述氣體導入口導入前述空隙,通過使用前述多孔 質材構成的内筒之多數個孔而噴出於前述排氣通路内。 9. 一種排氣管,其特徵在具有: 在内部具有排氣通路的内筒; 設在該内筒外側的外筒; 形成於前述内筒與外筒之間的密閉空間;以及 設置於前述外筒之用以將如液體氮等之極低溫冷媒 導入前述密封空間的冷媒導入口。 10 · —種防止反應副生成物附著之方法,係用以防止反應真 空室所排出之排氣中的反應副生成物在排氣管内附著之 、方法’其特徵為* f 藉由形成覆蓋排氣管之内表面的氣體層,而防止排 氣中之反應副生成物附著於該内表面。 11 ·如申請專利範圍第10項之防止反應副生成物附著之方 法,其中,係由具有排氣通路的内筒、及隔著空隙而設 在該内筒外側的外筒構成前述排氣管, 並藉由加熱内筒而防止對該内筒之内表面的前述反 應副生成物之凝結。 ----------1----------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 10 312319經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 "+δυΐ92 、申μ專利範圍 12、 ·如申請專利範圍第U項之防止反應副生成物附著之方 去,其中,係藉由使前述内筒與外筒之間之前述空隙成 為真空狀態,而減低從前述内筒往外筒的熱的傳達。 13、 ·如申請專利範圍第12項之防止反應副生成物附著之方 法,其中,係藉由使該空隙連通於前述排氣通路,導入 因排氣而成為真空狀態的排氣通路之真空狀態,而使前 述空隙成為真空狀態。 I4· 一種防止反應副生成物附著之方法,係用以防止反應真 -至所排出之排氣中的反應副生成物在排氣管内附著之 方法’其特徵為: 藉由如液體氮等之極低溫冷媒冷卻前述排氣管之内 表面; 藉由將預定的氣體導入經冷卻的排氣管内,而於該 排氣管之内表面形成該氣體之凍結層;以及 在排氣作業之後,藉由解除因前述極低溫冷媒而產 生的前述氣體之凍結並使凍結氣體氣化, .而防止反應副生成物在前述排氣管之内表面上的 著。 1 5·如申請專利範圍第14項之防止反應副生成物附著之方 法,其中,刖述氣體,係從氨氣、氬氣、氮氣中選出者。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 钃 « --------i^T---------· ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公对 11 312319
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KR100475746B1 (ko) * | 2002-12-03 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체소자 제조설비의 배기 시스템 및 그 방법 |
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US20100083940A1 (en) * | 2008-10-04 | 2010-04-08 | Woodford Leon Vrazel | Cryogenic air cooler for improving power and fuel efficiency of a motor vehicle internal combustion engine |
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Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60136220A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-19 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
JPS62270777A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-25 | Ulvac Corp | プラズマcvd装置 |
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JP2997703B2 (ja) | 1990-04-27 | 2000-01-11 | 三井化学株式会社 | ポリカーボネート化合物の製造方法 |
CN1021528C (zh) * | 1991-03-19 | 1993-07-07 | 浙江大学 | 半导体气相外延的减压方法及系统 |
US5253613A (en) * | 1992-04-30 | 1993-10-19 | General Electric Company | High power AC traction inverter cooling |
JP3246708B2 (ja) * | 1995-05-02 | 2002-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | トラップ装置及びこれを用いた未反応処理ガス排気機構 |
US6332925B1 (en) * | 1996-05-23 | 2001-12-25 | Ebara Corporation | Evacuation system |
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US5935283A (en) * | 1996-12-31 | 1999-08-10 | Atmi Ecosys Corporation | Clog-resistant entry structure for introducing a particulate solids-containing and/or solids-forming gas stream to a gas processing system |
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