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TW202011657A - 二次電池保護電路、二次電池保護裝置、二次電池保護電路的控制方法以及電池組 - Google Patents

二次電池保護電路、二次電池保護裝置、二次電池保護電路的控制方法以及電池組 Download PDF

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TW202011657A
TW202011657A TW108124815A TW108124815A TW202011657A TW 202011657 A TW202011657 A TW 202011657A TW 108124815 A TW108124815 A TW 108124815A TW 108124815 A TW108124815 A TW 108124815A TW 202011657 A TW202011657 A TW 202011657A
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武田貴志
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日商三美電機股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種二次電池保護電路、二次電池保護裝置、二次電池保護電路、二次電池保護電路的控制方法以及電池組。防止NMOS電晶體意外動作。二次電池保護電路使用串聯地插入二次電池的正極與連接於負載或充電器的電源端子的正端子之間的電流路徑的第一NMOS電晶體及第二NMOS電晶體來保護二次電池，二次電池保護電路具備：升壓電路，生成利用閘極與充電控制端子連接的第一NMOS電晶體及閘極與放電控制端子連接的第二NMOS電晶體的各輸入電容升壓的控制電壓；驅動電路，用控制電壓使充電控制端子及放電控制端子的各輸出狀態成為高位準；檢測電路，檢測二次電池的狀態，並輸出檢測狀態及控制電路，使驅動電路基於檢測狀態從高位準、低位準及高阻抗的至少三個狀態選擇充電控制端子及放電控制端子的各輸出狀態。

Description

二次電池保護電路、二次電池保護裝置、二次電池保護電路的控制方法以及電池組
[0001] 本發明係關於一種二次電池保護電路、二次電池保護裝置、二次電池保護電路的控制方法以及電池組。
[0002] 以往，公知有使用串聯地插入二次電池的正極與連接於負載或充電器的電源端子的正端子之間的電流路徑的一對NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor；N通道金屬氧化物半導體)電晶體來保護二次電池的保護電路。這種保護電路具備有生成利用一對NMOS電晶體的各輸入電容而升壓的控制電壓的升壓電路(例如，參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻] [0003] 專利文獻1：日本特開2005-318303號公報。
(發明所欲解決之課題) [0004] 然而，根據NMOS電晶體的輸入電容所積蓄的電荷移動的時刻，存在NMOS電晶體進行不意圖的動作的可能性。 [0005] 因此本發明提供一種防止NMOS電晶體的意外動作的二次電池保護電路、二次電池保護裝置、二次電池保護電路的控制方法以及電池組。 (用以解決課題之手段) [0006] 本發明提供一種二次電池保護電路，係使用串聯地插入二次電池的正極與連接於負載或充電器的電源端子的正端子之間的電流路徑的第一NMOS電晶體以及第二NMOS電晶體來保護前述二次電池；前述二次電池保護電路具備：充電控制端子；放電控制端子；升壓電路，係生成利用閘極與前述充電控制端子連接的前述第一NMOS電晶體以及閘極與前述放電控制端子連接的前述第二NMOS電晶體的各輸入電容而升壓的控制電壓；驅動電路，係將前述控制電壓供給到前述充電控制端子以及前述放電控制端子，使前述充電控制端子以及前述放電控制端子的各輸出狀態成為高位準；檢測電路，係檢測前述二次電池的狀態，並輸出前述二次電池的檢測狀態；以及控制電路，係使前述驅動電路基於前述檢測狀態進行動作，以使前述驅動電路從高位準、低位準、以及高阻抗的至少三個狀態選擇前述充電控制端子以及前述放電控制端子的各輸出狀態。 [0007] 另外，本發明提供一種二次電池保護裝置，具備：第一NMOS電晶體，係被串聯地插入二次電池的正極與連接於負載或充電器的電源端子的正端子之間的電流路徑；第二NMOS電晶體，係被串聯地插入前述電流路徑；以及二次電池保護電路，係使用前述第一NMOS電晶體以及前述第二NMOS電晶體來保護前述二次電池，前述二次電池保護電路具備：充電控制端子；放電控制端子；升壓電路，係生成利用閘極與前述充電控制端子連接的前述第一NMOS電晶體以及閘極與前述放電控制端子連接的前述第二NMOS電晶體的各輸入電容而升壓的控制電壓；驅動電路，係將前述控制電壓供給到前述充電控制端子以及前述放電控制端子，使前述充電控制端子以及前述放電控制端子的各輸出狀態成為高位準；檢測電路，係檢測前述二次電池的狀態，並輸出前述二次電池的檢測狀態；以及控制電路，係使前述驅動電路基於前述檢測狀態進行動作，以使前述驅動電路從高位準、低位準、以及高阻抗的至少三個狀態選擇前述充電控制端子以及前述放電控制端子的各輸出狀態。 [0008] 另外，本發明提供一種電池組，具備：二次電池；第一NMOS電晶體，係串聯地插入前述二次電池的正極與和負載或充電器的電源端子連接的正端子之間的電流路徑；第二NMOS電晶體，係串聯地插入前述電流路徑；以及二次電池保護電路，係使用前述第一NMOS電晶體以及前述第二NMOS電晶體來保護前述二次電池；前述二次電池保護電路具備：充電控制端子；放電控制端子；升壓電路，係生成利用閘極與前述充電控制端子連接的前述第一NMOS電晶體以及閘極與前述放電控制端子連接的前述第二NMOS電晶體的各輸入電容而升壓的控制電壓；驅動電路，係將前述控制電壓供給到前述充電控制端子以及前述放電控制端子，使前述充電控制端子以及前述放電控制端子的各輸出狀態成為高位準；檢測電路，係檢測前述二次電池的狀態，並輸出前述二次電池的檢測狀態；以及控制電路，係使前述驅動電路基於前述檢測狀態進行動作，以使前述驅動電路從高位準、低位準、以及高阻抗的至少三個狀態選擇前述充電控制端子以及前述放電控制端子的各輸出狀態。 [0009] 另外，本發明提供一種二次電池保護電路的控制方法，前述二次電池保護電路使用串聯地插入二次電池的正極與連接於負載或充電器的電源端子的正端子之間的電流路徑的第一NMOS電晶體以及第二NMOS電晶體來保護前述二次電池；前述二次電池保護電路具備：充電控制端子；放電控制端子；升壓電路，係生成利用閘極與前述充電控制端子連接的前述第一NMOS電晶體以及閘極與前述放電控制端子連接的第二NMOS電晶體的各輸入電容而升壓的控制電壓；驅動電路，係將前述控制電壓供給到前述充電控制端子以及前述放電控制端子，使前述充電控制端子以及前述放電控制端子的各輸出狀態成為高位準；以及檢測電路，係檢測前述二次電池的狀態，並輸出前述二次電池的檢測狀態；使前述驅動電路基於前述檢測狀態進行動作，以使前述驅動電路從高位準、低位準、以及高阻抗的至少三個狀態選擇前述充電控制端子以及前述放電控制端子的各輸出狀態。 (發明功效) [0010] 根據本發明的一態樣，能夠防止NMOS電晶體的不意圖的動作。
[0012] 以下，參照圖式對本發明的實施形態進行說明。首先，在對本發明的一實施形態的構成進行說明之前，對用於與本發明的一實施形態相比較的一比較形態的構成進行說明。 [0013] 圖1係顯示一比較形態的二次電池保護電路的構成的示意圖。圖1所顯示的保護電路110使用串聯地插入二次電池170的正極與連接於未圖示的負載或充電器的電源端子的正端子105之間的正側電流路徑109a的一對NMOS電晶體，來保護二次電池170不會受到過放電等之影響。 [0014] 二次電池170對與正端子105和負端子106連接的未圖示的負載供給電力。另外，二次電池170能夠藉由與正端子105和負端子106連接的未圖示的充電器充電。 [0015] 二次電池170的正極和正端子105藉由正側電流路徑109a而連接，二次電池170的負極和負端子106藉由負側電流路徑109b而連接。在正側電流路徑109a上串聯地插入有開關電路103。 [0016] 開關電路103例如係具備閘極與COUT端子連接的充電控制電晶體101和閘極與DOUT端子連接的放電控制電晶體102。充電控制電晶體101和放電控制電晶體102均是NMOS電晶體。充電控制電晶體101具有寄生在閘極－源極間的輸入電容101a和寄生在閘極－汲極間的輸入電容101b。放電控制電晶體102具有寄生在閘極－源極間的輸入電容102a和寄生在閘極－汲極間的輸入電容102b。 [0017] 保護電路110藉由使充電控制電晶體101斷開來保護二次電池170不會受到過充電等充電異常的影響，藉由使放電控制電晶體102斷開來保護二次電池170不會受到過放電等放電異常、短路異常的影響。保護電路110是具備檢測電路120、電荷泵130、驅動電路150以及控制電路140的積體電路(IC)。 [0018] 檢測電路120監視VDD端子與VSS端子之間的電壓即監視電源電壓Vd。由於VDD端子與二次電池170的正極連接，VSS端子與二次電池170的負極連接，所以電源電壓Vd與二次電池170的電池(cell)電壓VBAT大致相等。因此，檢測電路120能夠藉由監視電源電壓Vd來檢測二次電池170的電池電壓VBAT。 [0019] 檢測電路120例如在檢測出電源電壓Vd比預定的過放電檢測電壓Vdet2低的情況下，輸出表示檢測出電源電壓Vd比過放電檢測電壓Vdet2低的過放電檢測信號。另外，檢測電路120例如在檢測出電源電壓Vd比預定的過放電恢復電壓Vrel2高的情況下，輸出表示檢測出電源電壓Vd比過放電恢復電壓Vrel2高的過放電恢復檢測信號。過放電檢出電壓Vdet2是過放電檢測用的臨限值，過放電恢復電壓Vrel2是過放電恢復檢測用的臨限值。過放電恢復電壓Vrel2被設定為比過放電檢測電壓Vdet2高的電壓值。 [0020] 電荷泵130是生成利用充電控制電晶體101以及放電控制電晶體102的輸入電容101a、101b、102a、102b作為電荷泵130的輸出電容而升壓的控制電壓Vcp的升壓電路。電荷泵130使電源電壓Vd升壓從而生成電壓值比電源電壓Vd高的控制電壓Vcp。電荷泵130具有公知的構成即可，例如具有專利文獻1所揭示的電路構成。 [0021] 驅動電路150使用控制電壓Vcp從COUT端子輸出使充電控制電晶體101導通的信號，並且從DOUT端子輸出使放電控制電晶體102導通的信號。驅動電路150將控制電壓Vcp供給到COUT端子並使COUT端子的輸出狀態成為高位準。另一方面，驅動電路150將控制電壓Vcp供給到DOUT端子而使DOUT端子的輸出狀態成為高位準。 [0022] 控制電路140在藉由檢測電路120檢測出二次電池170的過充電或充電過電流的情況下，在經過預定的延遲時間後，使驅動電路150進行動作以使COUT端子的輸出狀態從高位準成為低位準。藉由COUT端子的輸出狀態成為低位準而使充電控制電晶體101斷開，所以禁止了對二次電池170進行充電的方向的電流流過電流路徑9a。藉此，二次電池170的充電停止，能夠保護二次電池170不會受到過充電或充電過電流之影響。 [0023] 另一方面，控制電路140在藉由檢測電路120檢測出二次電池170的過放電或放電過電流的情況下，在經過預定的延遲時間後，使驅動電路150進行動作以使DOUT端子的輸出狀態從高位準成為低位準。藉由使DOUT端子的輸出狀態成為低位準而使放電控制電晶體102斷開，所以禁止了使二次電池170放電的方向的電流流過電流路徑9a。藉此，二次電池170的放電停止，能夠保護二次電池170不會受到過放電或放電過電流的影響。 [0024] 圖2係顯示圖1所顯示的保護電路110的動作的流程圖。圖2顯示出從藉由檢測電路120檢測出二次電池170的過放電而使二次電池170的放電停止，至藉由檢測電路120檢測出二次電池170的從過放電的恢復而二次電池170的放電停止被解除的過程。 [0025] 控制電路140在藉由檢測電路120檢測出比預定的過放電檢測電壓Vdet2低的電源電壓Vd(≈電池電壓VBAT)的情況下，判定從藉由檢測電路120檢測出該電源電壓Vd開始是否經過了預定的過放電檢測延遲時間tVdet2。控制電路140在比過放電檢測電壓Vdet2低的電源電壓Vd被檢測電路120持續檢測直至經過過放電檢測延遲時間tVdet2為止的情況下，使驅動電路150進行動作以使DOUT端子的輸出狀態從高位準成為低位準。藉由DOUT端子的輸出狀態在時刻t11後成為低位準而使放電控制電晶體102從導通成為斷開，所以二次電池170的放電停止。該情況下，控制電路140使驅動電路150動作，以使放電控制電晶體102的閘極從電荷泵130切離，且積蓄於放電控制電晶體102的輸入電容102a、102b的電荷向接地端放電。 [0026] 其後，控制電路140在藉由檢測電路120檢測出比預定的過放電恢復電壓Vrel2高的電源電壓Vd(≈電池電壓VBAT)的情況下，判定從藉由檢測電路120檢測出該電源電壓Vd開始是否經過了預定的過放電恢復延遲時間tVrel2。控制電路140在比過放電恢復電壓Vrel2高的電源電壓Vd被檢測電路120持續檢測直至經過過放電恢復延遲時間tVrel2為止的情況下，使驅動電路150進行動作以使DOUT端子的輸出狀態從低位準成為高位準。藉由DOUT端子的輸出狀態在時刻t12後成為高位準而使放電控制電晶體102從斷開成為導通，所以二次電池170的放電停止被解除。該情況下，控制電路140使驅動電路150進行動作，以使放電控制電晶體102的閘極與電荷泵130重新連接，電荷以控制電壓Vcp被充電到放電控制電晶體102的輸入電容102a、102b。 [0027] 然而，在時刻t12中，積蓄於充電控制電晶體101的輸入電容101a、101b的電荷的一半瞬間移動到放電控制電晶體102的輸入電容102a、102b。藉此，COUT端子和DOUT端子的各電壓以VSS端子基準瞬間與電源電壓Vd大致相等。其結果，充電控制電晶體101的閘極－源極間的電壓從電源電壓Vd大致降低為零，所以充電控制電晶體101成為斷開，在時刻t12中充放電被瞬間禁止。換句話說，發生了充電控制電晶體101的不意圖的動作(瞬間的斷開動作)。 [0028] 圖2係顯示在COUT端子為高位準的狀態下DOUT端子的輸出狀態從低位準成為高位準時充電控制電晶體101所發生的不意圖的動作。然而，在DOUT端子為高位準時COUT端子的輸出狀態從低位準成為高位準時，放電控制電晶體102也會有發生相同的不意圖的動作。 [0029] 相對於此，圖3所顯示的本發明的一實施形態的電池保護電路10具備從高位準、低位準、以及高阻抗的至少三個狀態選擇COUT端子以及DOUT端子的各輸出狀態的控制電路40。換句話說，電池保護電路10具備使COUT端子以及DOUT端子的各輸出狀態成為高阻抗的構成。藉由使與一個NMOS電晶體的閘極連接的控制端子的輸出狀態成為高阻抗，能夠防止積蓄於前述一個NMOS電晶體的各輸入電容的電荷移動到另一個NMOS電晶體的各輸入電容。因此，能夠防止前述一個NMOS電晶體的不意圖的動作(瞬間的斷開動作)。 [0030] 接下來，更詳細地對本發明的一實施形態進行說明。 [0031] 圖3係顯示一實施形態的電池組的構成的示意圖。圖3所顯示的電池組100具備內建的二次電池70和電池保護裝置80。 [0032] 二次電池70是能夠充放電的電池的一個例子。二次電池70向與正端子5(P＋端子)和負端子6(P－端子)連接的負載90供給電力。二次電池70能夠被與正端子5和負端子6連接的充電器91充電。作為二次電池70的具體例子，舉出了鋰離子電池、鋰聚合物電池等。電池組100既可以內建於負載90，也可以外部連接。 [0033] 負載90是將電池組100的二次電池70作為電源的負載的一個例子。作為負載90的具體例子，舉出了電動工具等電動機械、能夠攜帶的攜帶式裝置等電子設備。作為電子設備的具體例子可列舉有：行動電話、智慧手機、計算機、遊戲機、電視機、照相機等。負載90並不被限制於這些設備。 [0034] 電池保護裝置80是使二次電池70作為電源動作的二次電池保護裝置的一個例子，藉由控制二次電池70的充放電來保護二次電池70不會受到過充電、過放電等的影響。電池保護裝置80具備正端子5(P＋端子)、負端子6(P－端子)、正極端子7(B＋端子)、負極端子8(B－端子)、開關電路3以及電池保護電路10。 [0035] 正端子5是能夠連接負載90或充電器91的電源端子的端子的一個例子。負端子6是能夠連接負載90或充電器91的接地的端子的一個例子。正極端子7是用於將正側電流路徑9a與二次電池70的正極71連接的端子，負極端子8是用於將負側電流路徑9b與二次電池70的負極72連接的端子。 [0036] 二次電池70的正極71和正端子5藉由正側電流路徑9a連接，二次電池70的負極72和負端子6藉由負側電流路徑9b連接。正側電流路徑9a是二次電池70的正極71與正端子5之間的充放電電流路徑的一個例子，負側電流路徑9b是二次電池70的負極72與負端子6之間的充放電電流路徑的一個例子。 [0037] 開關電路3被串聯地插入二次電池70的正極71與能夠連接於負載90或充電器91的電源端子的正端子5之間的正側電流路徑9a。 [0038] 開關電路3例如具備充電控制電晶體1和放電控制電晶體2。充電控制電晶體1是阻斷二次電池70的充電路徑的充電路徑阻斷部的一個例子，放電控制電晶體2是阻斷二次電池70的放電路徑的放電路徑阻斷部的一個例子。在圖1的情況下，充電控制電晶體1阻斷二次電池70的充電電流流過的電流路徑9a，放電控制電晶體2阻斷二次電池70的放電電流流過的電流路徑9a。電晶體1、2是切換電流路徑9a的導通／阻斷的開關元件，被串聯地插入電流路徑9a。電晶體1、2例如是NMOS電晶體。 [0039] 充電控制電晶體1具有寄生在閘極－源極間的輸入電容1a和寄生在閘極－汲極間的輸入電容1b。放電控制電晶體2具有寄生在閘極－源極間的輸入電容2a和寄生在閘極－汲極間的輸入電容2b。 [0040] 電池保護電路10是二次電池保護電路的一個例子。電池保護電路10藉由使開關電路3斷開來進行二次電池70的保護動作。電池保護電路10是以二次電池70的正極71與負極72之間的電池電壓(也稱為“電池電壓”)工作的積體電路(IC)。電池保護電路10例如具備充電控制端子11(COUT端子)、放電控制端子12(DOUT端子)、監視端子18(V＋端子)、電源端子15(VDD端子)以及接地端子13(VSS端子)。 [0041] COUT端子與充電控制電晶體1的閘極連接且輸出使充電控制電晶體1導通或斷開的信號。DOUT端子與放電控制電晶體2的閘極連接且輸出使放電控制電晶體2導通或斷開的信號。 [0042] V＋端子用於監視正端子5的電位且與正端子5連接。V＋端子例如用於控制電路40監視負載90或充電器91的連接的有無，在電晶體1、2與正端子5之間經由電阻14與正側電流路徑9a連接。 [0043] VDD端子是電池保護電路10的電源端子，與二次電池70的正極71以及正側電流路徑9a連接。VSS端子是電池保護電路10的接地端子，與二次電池70的負極72以及負側電流路徑9b連接。電阻4a與電容器16的串聯電路以與二次電池70並聯連接的方式連接在正側電流路徑9a與負側電流路徑9b之間。由於VDD端子連接於電阻4a與電容器16之間的連接點，所以能夠抑制VDD端子中的電位的變動。 [0044] 電池保護電路10藉由使充電控制電晶體1斷開，來保護二次電池70不會受到過充電等充電異常的影響，藉由使放電控制電晶體2斷開來保護二次電池70不會受到過放電等放電異常或短路異常的影響。電池保護電路10係具備檢測電路20、電荷泵30、驅動電路50以及控制電路40的積體電路(IC)。 [0045] 檢測電路20檢測二次電池70的狀態，並輸出二次電池70的檢測狀態。檢測電路20監視VDD端子與VSS端子之間的電壓亦即監視電源電壓Vd。由於VDD端子與二次電池70的正極71連接，且VSS端子與二次電池70的負極72連接，所以電源電壓Vd與二次電池70的電池電壓VBAT大致相等。因此，檢測電路20能夠藉由監視電源電壓Vd，來檢測二次電池70的電池電壓VBAT。另外，檢測電路20監視以VDD端子為基準電位的V＋端子的電壓亦即監視電壓V＋。 [0046] 檢測電路20在例如檢測出比預定的過充電檢測電壓Vdet1高的電源電壓Vd的情況下，輸出表示檢測出比過充電檢測電壓Vdet1高的電源電壓Vd的過充電檢測信號。另外，檢測電路20在例如檢測出比預定的過充電恢復電壓Vrel1低的電源電壓Vd的情況下，輸出表示檢測出比過充電恢復電壓Vrel1低的電源電壓Vd的過充電恢復檢測信號。過充電檢測電壓Vdet1是過充電檢測用的臨限值，過充電恢復電壓Vrel1是過充電恢復檢測用的臨限值。過充電恢復電壓Vrel1被設定為比過充電檢測電壓Vdet1低的電壓值。 [0047] 檢測電路20在例如檢測出比預定的過放電檢測電壓Vdet2低的電源電壓Vd的情況下，輸出表示檢測出比過放電檢測電壓Vdet2低的電源電壓Vd的過放電檢測信號。另外，檢測電路20在例如檢測出比預定的過放電恢復電壓Vrel2高的電源電壓Vd的情況下，輸出表示檢測出比過放電恢復電壓Vrel2高的電源電壓Vd的過放電恢復檢測信號。過放電檢測電壓Vdet2是過放電檢測用的臨限值，過放電恢復電壓Vrel2是過放電恢復檢測用的臨限值。過放電恢復電壓Vrel2被設定為比過放電檢測電壓Vdet2高的電壓值。 [0048] 檢測電路20在例如檢測出比預定的放電過電流檢測電壓Vdet3低的監視電壓V＋的情況下，輸出表示檢測出比放電過電流檢測電壓Vdet3低的監視電壓V＋的放電過電流檢測信號。另外，檢測電路20在例如檢測出比預定的放電過電流恢復電壓Vrel3高的監視電壓V＋的情況下，輸出表示檢測出比放電過電流恢復電壓Vrel3高的監視電壓V＋的放電過電流恢復檢測信號。放電過電流檢測電壓Vdet3是放電過電流檢測用的臨限值，放電過電流恢復電壓Vrel3是放電過電流恢復檢測用的臨限值。放電過電流恢復電壓Vrel3被設定為比放電過電流檢測電壓Vdet3高的電壓值。 [0049] 檢測電路20在例如檢測出比預定的充電過電流檢測電壓Vdet4高的監視電壓V＋的情況下，輸出表示檢測出比充電過電流檢測電壓Vdet4高的監視電壓V＋的充電過電流檢測信號。另外，檢測電路20在例如檢測出比預定的充電過電流恢復電壓Vrel4低的監視電壓V＋的情況下，輸出表示檢測出比充電過電流恢復電壓Vrel4低的監視電壓V＋的充電過電流恢復檢測信號。充電過電流檢測電壓Vdet4是充電過電流檢測用的臨限值，充電過電流恢復電壓Vrel4是充電過電流恢復檢測用的臨限值。充電過電流恢復電壓Vrel4被設定為比充電過電流檢測電壓Vdet4低的電壓值。 [0050] 電荷泵30是生成利用充電控制電晶體1以及放電控制電晶體2的輸入電容1a、1b、2a、2b作為電荷泵30的輸出電容而升壓的控制電壓Vcp的升壓電路。電荷泵30使電源電壓Vd升壓，生成電壓值比電源電壓Vd高的控制電壓Vcp。電荷泵30具有公知的構成即可，例如具有專利文獻1所揭示的電路構成。電荷泵30藉由例如反覆將以電源電壓Vd對飛行電容(flying capacitor)31進行了充電的電荷轉送到輸入電容1a、1b、2a、2b，來生成電源電壓Vd的2倍的控制電壓Vcp。飛行電容31既可以內建於電池保護電路10也可以外部連接。 [0051] 驅動電路50使用控制電壓Vcp，從COUT端子輸出使充電控制電晶體1成為導通的信號，並且從DOUT端子輸出使放電控制電晶體2成為導通的信號。驅動電路50將控制電壓Vcp供給到COUT端子使COUT端子的輸出狀態成為高位準。另一方面，驅動電路150將控制電壓Vcp供給到DOUT端子使DOUT端子的輸出狀態成為高位準。 [0052] 控制電路40基於從檢測電路20輸出的二次電池70的檢測狀態，使驅動電路50進行動作，以使COUT端子以及DOUT端子的各輸出狀態成為高位準、低位準、以及高阻抗的任意一種。 [0053] 控制電路40在藉由檢測電路20檢測出二次電池70的過充電或充電過電流的情況下，在經過預定的延遲時間後，使驅動電路50進行動作，以使COUT端子的輸出狀態從高位準成為低位準。藉由COUT端子的輸出狀態成為低位準而使充電控制電晶體1斷開，所以禁止了對二次電池70進行充電的方向的電流流過電流路徑9a。藉此，二次電池70的充電停止，能夠保護二次電池70不會受到過充電或充電過電流的影響。 [0054] 另一方面，控制電路40在藉由檢測電路20檢測出二次電池70的過放電或放電過電流的情況下，在經過預定的延遲時間後，使驅動電路50進行動作，以使DOUT端子的輸出狀態從高位準成為低位準。藉由DOUT端子的輸出狀態成為低位準而使放電控制電晶體2斷開，所以禁止使二次電池70放電的方向的電流流過電流路徑9a。藉此，二次電池70的放電停止，能夠保護二次電池70不會受到過放電或放電過電流的影響。 [0055] 控制電路40例如不使用CPU(Central Processing Unit；中央處理器)，而是使用複數個類比的邏輯電路而形成。 [0056] 圖4係顯示圖3所顯示的電池保護電路10的動作的流程圖。圖4顯示出從藉由檢測電路20檢測出二次電池70的過放電而使二次電池70的放電停止，至藉由檢測電路20檢測出二次電池70的從過放電的恢復而二次電池70的放電停止被解除的過程。 [0057] 控制電路40在藉由檢測電路20檢測出比預定的過放電檢測電壓Vdet2低的電源電壓Vd(≈電池電壓VBAT)的情況下，判定從藉由檢測電路20檢測出該電源電壓Vd開始是否經過了預定的過放電檢測延遲時間tVdet2。控制電路40在比過放電檢測電壓Vdet2低的電源電壓Vd被檢測電路20持續檢測直至經過過放電檢測延遲時間tVdet2為止的情況下，使驅動電路50進行動作以使DOUT端子的輸出狀態從高位準成為低位準。藉由DOUT端子的輸出狀態在時刻t1後成為低位準而使放電控制電晶體2從導通成為斷開，所以二次電池70的放電停止。該情況下，控制電路40使驅動電路50進行動作，以使放電控制電晶體2的閘極從電荷泵30切離，且積蓄於放電控制電晶體2的輸入電容2a、2b的電荷向接地端放電。 [0058] 其後，控制電路40在藉由檢測電路20檢測出比預定的過放電恢復電壓Vrel2高的電源電壓Vd(≈電池電壓VBAT)的情況下，判定從藉由檢測電路20檢測出該電源電壓Vd開始是否經過了預定的過放電恢復延遲時間tVrel2。控制電路40在比過放電恢復電壓Vrel2高的電源電壓Vd被檢測電路20持續檢測直至經過過放電恢復延遲時間tVrel2為止的情況下，使驅動電路50進行動作以使DOUT端子的輸出狀態從低位準成為高位準。藉由DOUT端子的輸出狀態在時刻t2後成為高位準而使放電控制電晶體2從斷開成為導通，所以二次電池70的放電停止被解除。該情況下，控制電路40使驅動電路50進行動作，以使放電控制電晶體2的閘極與電荷泵30重新連接，電荷以控制電壓Vp被充電到放電控制電晶體2的輸入電容2a、2b。 [0059] 在此，本實施形態的控制電路40在使DOUT端子的輸出狀態從低位準切換為高位準時(時刻t2)，使驅動電路50進行動作以使COUT端子的輸出狀態從高位準暫時切換為高阻抗。例如，控制電路40使驅動電路50進行動作，以使電荷從COUT端子向DOUT端子移動的內部路徑被阻斷。藉由使驅動電路50這樣動作，能夠禁止積蓄於充電控制電晶體1的輸入電容1a、1b的電荷移動到放​​電控制電晶體102的輸入電容2a、2b。 [0060] 在COUT端子為暫時的高阻抗的狀態下，COUT端子的高位準被充電控制電晶體1的輸入電容1a、1b維持，所以充電控制電晶體1被維持在導通狀態。換句話說，充電控制電晶體1的閘極－源極間的電壓被維持在比充電控制電晶體1的臨限值電壓高的狀態。在COUT端子為暫時的高阻抗的狀態下，COUT端子的電壓也由於充電控制電晶體1的閘極電流洩漏、COUT端子的端子電流洩漏而逐漸地降低。但是，在DOUT端子的電壓上升到高位準的幾毫秒期間，COUT端子的電壓能夠維持在高位準的狀態即可。從將COUT端子的輸出狀態切換為高阻抗到返回高位準的時間(高阻抗時間tHiZ)既可以是固定值也可以是可變值。 [0061] 圖5係顯示控制電路的構成的示意圖。圖5所顯示的控制電路40具備充電側閂鎖電路41、放電側閂鎖電路42、狀態選擇電路43、狀態選擇電路44、振盪器45、計數器46、47。驅動電路50具備用於切換COUT端子的輸出狀態的開關COSW1、COSW2、用於切換DOUT端子的輸出狀態的開關DOSW1、DOSW2。 [0062] VD1係表示檢測電路20是否檢測出二次電池70的過充電的信號，高位準表示檢測狀態，低位準表示非檢測狀態。計數器46藉由對振盪器45輸出的恆定週期的時脈信號進行計數，來判定經過過充電檢測延遲時間tVdet1以及過充電恢復延遲時間tVrel1。在VD1從低位準切換為高位準後經過過充電檢測延遲時間tVdet1後，充電側閂鎖電路41將輸出信號COLATCH從高位準切換為低位準。在VD1從高位準切換為低位準後經過過放電恢復延遲時間tVrel2後，充電側閂鎖電路41將輸出信號COLATCH從低位準切換為高位準。 [0063] VD1也可以是表示檢測電路20是否檢測出二次電池70的充電過電流的信號，高位準表示檢測狀態，低位準表示非檢測狀態。計數器46藉由對振盪器45輸出的恆定週期的時脈信號進行計數，來判定經過充電過電流檢測延遲時間tVdet4以及充電過電流恢復延遲時間tVrel4。在VD1從低位準切換為高位準後經過充電過電流檢出延遲時間tVdet4後，充電側閂鎖電路41將輸出信號COLATCH從高位準切換為低位準。在VD1從高位準切換為低位準後經過充電過電流恢復延遲時間tVrel4後，充電側閂鎖電路41將輸出信號COLATCH從低位準切換為高位準。 [0064] 在輸出信號COLATCH為高位準時，開關COSW1的輸出位準如後述的圖6那樣係控制電壓Vcp(高位準)。在輸出信號COLATCH為低位準時，開關COSW1的輸出位準為接地電壓(低位準)。 [0065] 計數器47藉由對振盪器45輸出的恆定週期的時脈信號進行計數，來判定經過從將DOUT端子的輸出狀態切換為高阻抗到返回高位準的時間(高阻抗時間tHiZ)。若輸出信號COLATCH從低位準切換為高位準，則狀態選擇電路43將輸出信號HiZDO從低位準切換為高位準，在經過高阻抗時間tHiZ後，將輸出信號HiZDO從高位準切換為低位準。 [0066] 在輸出信號HiZDO為低位準時，如後述的圖6那樣使開關DOSW2成為導通，開關DOSW1和DOUT端子連接。在輸出信號HiZDO為高位準時，開關DOSW2成為斷開，開關DOSW1和DOUT端子被阻斷。 [0067] VD2係表示檢測電路20是否檢測出二次電池70的過放電的信號，高位準表示檢測狀態，低位準表示非檢測狀態。計數器46藉由對振盪器45輸出的恆定週期的時脈信號進行計數，來判定經過過放電檢測延遲時間tVdet2以及過放電恢復延遲時間tVrel2。在VD2從低位準切換為高位準後經過過放電檢測延遲時間tVdet2後，放電側閂鎖電路42將輸出信號DOLATCH從高位準切換為低位準。在VD2從高位準切換為低位準後經過過放電恢復延遲時間tVrel2後，放電側閂鎖電路42將輸出信號DOLATCH從低位準切換為高位準。 [0068] VD2可以是表示檢測電路20是否檢測出二次電池70的放電過電流的信號，高位準表示檢測狀態，低位準表示非檢測狀態。計數器46藉由對振盪器45輸出的恆定週期的時脈信號進行計數，來判定經過放電過電流檢出延遲時間tVdet3以及放電過電流恢復延遲時間tVrel3。在VD2從低位準切換為高位準後經過放電過電流檢出延遲時間tVdet3後，放電側閂鎖電路42將輸出信號DOLATCH從高位準切換為低位準。在VD2從高位準切換為低位準後經過放電過電流恢復延遲時間tVrel3後，放電側閂鎖電路42將輸出信號DOLATCH從低位準切換為高位準。 [0069] 在輸出信號DOLATCH為高位準時，開關DOSW1的輸出位準如後述的圖6那樣是控制電壓Vcp(高位準)。輸出信號DOLATCH為低位準時，開關DOSW1的輸出位準如後述的圖6那樣是接地電壓(低位準)。 [0070] 計數器47藉由對振盪器45輸出的恆定週期的時脈信號進行計數，來判定經過從將COUT端子的輸出狀態切換為高阻抗到返回高位準的時間(高阻抗時間tHiZ)。若輸出信號DOLATCH從低位準切換為高位準，則狀態選擇電路44將輸出信號HiZCO從低位準切換為高位準，在經過高阻抗時間tHiZ後，將輸出信號HiZCO從高位準切換為低位準。 [0071] 在輸出信號HiZCO為低位準時，如後述的圖6那樣開關COSW2成為導通，開關COSW1和COUT端子連接。在輸出信號HiZCO為高位準時，如後述的圖6那樣開關COSW2成為斷開，開關COSW1和COUT端子被阻斷。 [0072] 圖6係顯示控制電路的動作例的示意圖。圖6顯示從藉由檢測電路20檢測出二次電池70的過放電而二次電池70的放電停止到藉由檢測電路20檢測出二次電池70的從過放電的恢復而二次電池70的放電停止被解除的過程。參照圖5對圖6進行說明。 [0073] 過放電檢測延遲時間tVdet2以及過放電恢復延遲時間tVrel2係由振盪器45和計數器46所生成。計數器46藉由對振盪器45輸出的恆定週期的時脈信號進行計數，來判定經過過放電檢測延遲時間tVdet2以及過放電恢復延遲時間tVrel2。 [0074] VD2係表示檢測電路20是否檢測出二次電池70的過放電的信號，高位準表示檢測狀態，低位準表示非檢測狀態。 [0075] 在VD2從低位準切換為高位準後經過過放電檢測延遲時間tVdet2後，輸出信號DOLATCH從高位準切換為低位準。在VD2從高位準切換為低位準後經過過放電恢復延遲時間tVrel2過後，輸出信號DOLATCH從低位準切換為高位準。 [0076] 因為未檢測出過充電或充電過電流，所以輸出信號COLATCH是高位準。在輸出信號COLATCH為高位準時，開關COSW1的輸出位準為控制電壓Vcp(高位準)。 [0077] 因為未檢測出過充電或充電過電流，所以輸出信號HiZDO是低位準。在輸出信號HiZDO為低位準時，藉由開關DOSW2的導通而使開關DOSW1和DOUT端子連接。 [0078] 在輸出信號DOLATCH從低位準切換為高位準時，則輸出信號HiZCO從低位準切換為高位準。由於在輸出信號HiZCO為高位準的期間(高阻抗時間tHiZ)，開關COSW2成為斷開，所以COUT端子成為高阻抗。經過高阻抗時間tHiZ後，輸出信號HiZCO從高位準切換為低位準。 [0079] 在輸出信號DOLATCH從高位準切換為低位準時，則DOUT端子從控制電壓Vcp(高位準)切換為接地電壓(低位準)。在輸出信號DOLATCH從低位準切換為高位準時，則DOUT端子從接地電壓(低位準)切換為控制電壓Vcp(高位準)。 [0080] COUT端子在輸出信號HiZCO為高位準的期間(高阻抗時間tHiZ)成為高阻抗。由於COUT端子藉由充電控制電晶體1的輸入電容被維持在高位準，所以充電控制電晶體1可維持在導通狀態。 [0081] 如此，根據本實施形態，藉由使COUT端子的輸出狀態成為高阻抗，能夠防止積蓄於充電控制電晶體1的各輸入電容的電荷移動到放​​電控制電晶體2的各輸入電容。因此，能夠防止充電控制電晶體1的不意圖的動作(瞬間的斷開動作)。 [0082] 此外，圖4至圖6係顯示出能夠防止DOUT端子的輸出狀態藉由過放電的恢復檢測而從低位準成為高位準時在充電控制電晶體1產生的不意圖的動作(瞬間的斷開動作)。然而，根據前述的構成，也能夠防止DOUT端子的輸出狀態藉由放電過電流的恢復檢測而從低位準成為高位準時在充電控制電晶體1所產生的不意圖的動作(瞬間的斷開動作)。另外，根據前述的構成，能夠防止COUT端子的輸出狀態藉由過充電或充電過電流的恢復檢測而從低位準成為高位準時在放電控制電晶體2產生的不意圖的動作(瞬間的斷開動作)。 [0083] 然而，高阻抗時間tHiZ既可以是固定值(例如2毫秒等)，也可以是可變值。控制電路40具備可以改變高阻抗時間tHiZ的構成，從而能夠根據使用的電晶體1、2的變更或電晶體1、2的個體差別不一，來對高阻抗時間tHiZ進行微調。另一方面，藉由使高阻抗時間tHiZ成為固定值，能夠抑制電池保護電路10的電路規模的擴大。 [0084] 圖7係顯示具備高阻抗時間tHiZ的調整電路的控制電路的構成例的示意圖。調整電路48、49監視DOUT端子和COUT端子的各端子電壓，在檢測出臨限值VthHiZ以上的端子電壓的情況下，解除高阻抗。調整電路48在檢測出臨限值VthHiZ以上的COUT端子的端子電壓的情況下，判斷為COUT端子的端子電壓已充分上升，將開關DOSW2從斷開切換為導通，並使DOUT端子的輸出狀態從高阻抗返回高位準。調整電路49在檢測出臨限值VthHiZ以上的DOUT端子的端子電壓的情況下，判斷為DOUT端子的端子電壓已充分上升，使開關COSW2從斷開切換為導通，使COUT端子的輸出狀態從高阻抗返回高位準。 [0085] 圖8係顯示控制電路的變形例的示意圖。在圖8中，輸出信號HiZCO、HiZDO被輸入到電荷泵30。電荷泵30在COUT端子和DOUT端子中一個端子的輸出狀態是高阻抗的期間(高位準的輸出信號HiZCO或HiZDO的輸入期間)，提高用於升壓的開關速度。藉此，由於瞬間降低的控制電壓Vcp迅速上升，所以能夠縮短高阻抗時間tHiZ的設定值。 [0086] 另外，在COUT端子以及DOUT端子的輸出狀態為低位準時，各電晶體的閘極－源極間的電壓比該電晶體的臨限值電壓低即可。因此，COUT端子以及DOUT端子的輸出狀態為低位準時的端子電壓並不局限於VSS端子的電壓(接地電壓)。例如，若COUT端子的電壓為VDD端子的電壓(電源電壓Vd)，則充電控制電晶體1斷開，所以COUT端子的輸出狀態為低位準時的端子電壓也可以是與VDD端子相同的電壓(電源電壓Vd)。另外，例如，若DOUT端子的電壓是V＋端子的電壓，則放電控制電晶體2斷開，所以DOUT端子的輸出狀態為低位準時的端子電壓也可以是與V＋端子相同的電壓。 [0087] 另外，驅動電路50具有將三個狀態的邏輯(高位準、低位準、高阻抗)選擇性地輸出到COUT端子的驅動緩衝器、和將三個狀態的邏輯(高位準、低位準、高阻抗)選擇性地輸出到DOUT端子的驅動緩衝器。 [0088] 圖9係顯示驅動緩衝器的第一構成例的示意圖。圖10係顯示驅動緩衝器的第二構成例的示意圖。表1是圖9、10所顯示的驅動緩衝器的真值表。“0”、“1”、“HiZ”分別表示低位準、高位準、高阻抗。 [表1]
Figure 108124815-A0304-0001
 [0089] 圖9所顯示的驅動緩衝器50A具有使輸入邏輯反轉並輸出的邏輯反轉電路51、52、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor；互補式金屬氧化物半導體)反相器53以及傳輸閘54。CMOS反相器53具有PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor；P通道金屬氧化物半導體)電晶體53a和NMOS電晶體53b。傳輸閘54具有PMOS電晶體54a和NMOS電晶體54b。 [0090] 圖10所顯示的驅動緩衝器50B具有使輸入邏輯反轉並輸出的邏輯反轉電路55、56、CMOS反相器58、PMOS電晶體57以及NMOS電晶體59。CMOS反相器58具有PMOS電晶體58a和NMOS電晶體58b。CMOS反相器58藉由PMOS電晶體57的斷開而從控制電壓Vcp(高位準電壓)切離，藉由NMOS電晶體59的斷開而從接地電壓(低位準電壓)切離。 [0091] 另外，由於本實施形態中僅在輸入(IN)成為高位準時成為高阻抗，所以圖10所顯示的驅動緩衝器能夠變形為圖11所顯示的構成。圖11係顯示驅動緩衝器的第三構成例的示意圖。表2是圖11所顯示的驅動緩衝器的真值表。圖11所顯示的驅動緩衝器50C具有使輸入邏輯反轉並輸出的邏輯反轉電路60、PMOS電晶體61以及CMOS反相器62。CMOS反相器62具有PMOS電晶體62a和NMOS電晶體62b。CMOS反相器62藉由PMOS電晶體61的斷開從控制電壓Vcp(高位準電壓)切離。 [表2]
Figure 108124815-A0304-0002
 [0092] 這樣，根據本實施形態，由於能夠使COUT端子以及DOUT端子的各輸出狀態成為高阻抗，所以能夠防止由電荷從輸入電容放電引起的電晶體1、2的不意圖的動作。 [0093] 以上，藉由實施形態對二次電池保護電路、二次電池保護裝置、二次電池保護電路的控制方法以及電池組進行了說明，但本發明並不局限於前述實施形態。能夠在本發明的範圍內進行與其他的實施形態的一部分或全部的組合、置換等各種變形以及改進。 [0094] 例如，充電控制電晶體1和放電控制電晶體2的配置位置也可以相對於圖示的位置相互置換。
[0095] 1、101:充電控制電晶體 1a、1b、2a、2b、101a、101b、102a、102b:輸入電容 2、102:放電控制電晶體 3、103:開關電路 4a、14:電阻 5、105:正端子 6、106:負端子 7:正極端子 8:負極端子 9a、109a:正側電流路徑 9b、109b:負側電流路徑 10:電池保護電路 11:充電控制端子 12:放電控制端子 13:接地端子 15:電源端子 16:電容器 18:監視端子 20、120:檢測電路 30、130:電荷泵 31:飛行電容 40、140:控制電路 41:充電側閂鎖電路 42:放電側閂鎖電路 43、44:狀態選擇電路 45:振盪器 46、47:計數器 48、49:調整電路 50、150:驅動電路 50A、50B、50C:驅動緩衝器 51、52、55、56、60:邏輯反轉電路 53、58、62:CMOS反相器 53a、54a、57、58a、61、62a:PMOS電晶體 53b、54b、58b、59、62b:NMOS電晶體 54:傳輸閘 70、170:二次電池 71:正極 72:負極 80:電池保護裝置 90:負載 91:充電器 100:電池組 110:保護電路 COSW1、COSW2、DOSW1、DOSW2:開關 DOLATCH、HiZCO、HiZDO:輸出信號 tHiZ:高阻抗時間 tVrel2:過放電恢復延遲時間 tVdet2:過放電檢測延遲時間 Vcp:控制電壓 VD:電源電壓
[0011] 圖1係顯示一比較形態的二次電池保護電路的構成的示意圖。 圖2係顯示一比較形態的二次電池保護電路的動作的時序圖。 圖3係顯示具備一實施形態的二次電池保護電路的電池組的構成的示意圖。 圖4係顯示一實施形態的二次電池保護電路的動作的時序圖。 圖5係顯示控制電路的構成的方塊圖。 圖6係詳細地顯示一實施形態的二次電池保護電路的動作的時序圖。 圖7係顯示具備高阻抗時間的調整電路的控制電路的構成例的示意圖。 圖8係顯示控制電路的構成的方塊圖。 圖9係顯示驅動電路中的驅動緩衝器的第一構成例的示意圖。 圖10係顯示驅動電路中的驅動緩衝器的第二構成例的示意圖。 圖11係顯示驅動電路中的驅動緩衝器的第三構成例的示意圖。
1:充電控制電晶體
1a、1b、2a、2b:輸入電容
2:放電控制電晶體
3:開關電路
4a、14:電阻
5:正端子
6:負端子
7:正極端子
8:負極端子
9a:正側電流路徑
9b:負側電流路徑
10:電池保護電路
11:充電控制端子
12:放電控制端子
13:接地端子
15:電源端子
16:電容器
18:監視端子
20:檢測電路
30:電荷泵
31:飛行電容
40:控制電路
50:驅動電路
70:二次電池
71:正極
72:負極
80:電池保護裝置
90:負載
91:充電器
100:電池組
COSW1、COSW2、DOSW1、DOSW2:開關

Claims (6)

  1. 一種二次電池保護電路，係使用串聯地插入二次電池的正極與連接於負載或充電器的電源端子的正端子之間的電流路徑的第一N通道金屬氧化物半導體電晶體以及第二N溝通道金屬氧化物半導體電晶體來保護前述二次電池； 前述二次電池保護電路具備： 充電控制端子； 放電控制端子； 升壓電路，係生成利用閘極與前述充電控制端子連接的前述第一N溝通道金屬氧化物半導體電晶體以及閘極與前述放電控制端子連接的前述第二N溝通道金屬氧化物半導體電晶體的各輸入電容而升壓的控制電壓； 驅動電路，係將前述控制電壓供給到前述充電控制端子以及前述放電控制端子，使前述充電控制端子以及前述放電控制端子的各輸出狀態成為高位準； 檢測電路，係檢測前述二次電池的狀態，並輸出前述二次電池的檢測狀態；以及 控制電路，係使前述驅動電路基於前述檢測狀態進行動作，以使前述驅動電路從高位準、低位準、以及高阻抗的至少三個狀態選擇前述充電控制端子以及前述放電控制端子的各輸出狀態。
  2. 如請求項1所記載之二次電池保護電路，其中前述控制電路在將前述充電控制端子以及前述放電控制端子之中的一個控制端子的輸出狀態從低位準切換為高位準時，將另一個控制端子的輸出狀態從高位準暫時切換為高阻抗。
  3. 如請求項2所記載之二次電池保護電路，其中前述控制電路係能夠改變從將前述另一個控制端子的輸出狀態切換為高阻抗後回到高位準為止的時間。
  4. 一種二次電池保護裝置，具備： 第一N溝通道金屬氧化物半導體電晶體，係被串聯地插入二次電池的正極與連接於負載或充電器的電源端子的正端子之間的電流路徑； 第二N溝通道金屬氧化物半導體電晶體，係被串聯地插入前述電流路徑；以及 二次電池保護電路，係使用前述第一N溝通道金屬氧化物半導體電晶體以及前述第二N溝通道金屬氧化物半導體電晶體來保護前述二次電池； 前述二次電池保護電路具備： 充電控制端子； 放電控制端子； 升壓電路，係生成利用閘極與前述充電控制端子連接的前述第一N溝通道金屬氧化物半導體電晶體以及閘極與前述放電控制端子連接的前述第二N溝通道金屬氧化物半導體電晶體的各輸入電容而升壓的控制電壓； 驅動電路，係將前述控制電壓供給到前述充電控制端子以及前述放電控制端子，使前述充電控制端子以及前述放電控制端子的各輸出狀態成為高位準； 檢測電路，係檢測前述二次電池的狀態，並輸出前述二次電池的檢測狀態；以及 控制電路，係使前述驅動電路基於前述檢測狀態進行動作，以使前述驅動電路從高位準、低位準、以及高阻抗的至少三個狀態選擇前述充電控制端子以及前述放電控制端子的各輸出狀態。
  5. 一種電池組，具備： 二次電池； 第一N溝通道金屬氧化物半導體電晶體，係串聯地插入前述二次電池的正極與和負載或充電器的電源端子連接的正端子之間的電流路徑； 第二N溝通道金屬氧化物半導體電晶體，係串聯地插入前述電流路徑；以及 二次電池保護電路，係使用前述第一N溝通道金屬氧化物半導體電晶體以及前述第二N溝通道金屬氧化物半導體電晶體來保護前述二次電池； 前述二次電池保護電路具備： 充電控制端子； 放電控制端子； 升壓電路，係生成利用閘極與前述充電控制端子連接的前述第一N溝通道金屬氧化物半導體電晶體以及閘極與前述放電控制端子連接的前述第二N溝通道金屬氧化物半導體電晶體的各輸入電容而升壓的控制電壓； 驅動電路，係將前述控制電壓供給到前述充電控制端子以及前述放電控制端子，使前述充電控制端子以及前述放電控制端子的各輸出狀態成為高位準； 檢測電路，係檢測前述二次電池的狀態，並輸出前述二次電池的檢測狀態；以及 控制電路，係使前述驅動電路基於前述檢測狀態進行動作，以使前述驅動電路從高位準、低位準、以及高阻抗的至少三個狀態選擇前述充電控制端子以及前述放電控制端子的各輸出狀態。
  6. 一種二次電池保護電路的控制方法，前述二次電池保護電路使用串聯地插入二次電池的正極與連接於負載或充電器的電源端子的正端子之間的電流路徑的第一N溝通道金屬氧化物半導體電晶體以及第二N溝通道金屬氧化物半導體電晶體來保護前述二次電池； 前述二次電池保護電路具備： 充電控制端子； 放電控制端子； 升壓電路，係生成利用閘極與前述充電控制端子連接的前述第一N溝通道金屬氧化物半導體電晶體以及閘極與前述放電控制端子連接的第二N溝通道金屬氧化物半導體電晶體的各輸入電容而升壓的控制電壓； 驅動電路，係將前述控制電壓供給到前述充電控制端子以及前述放電控制端子，使前述充電控制端子以及前述放電控制端子的各輸出狀態成為高位準；以及 檢測電路，係檢測前述二次電池的狀態，並輸出前述二次電池的檢測狀態； 使前述驅動電路基於前述檢測狀態進行動作，以使前述驅動電路從高位準、低位準、以及高阻抗的至少三個狀態選擇前述充電控制端子以及前述放電控制端子的各輸出狀態。
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