TW201003969A - Light emitting diode - Google Patents

Description

201003969 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種發光二極體，特別是涉及一種發光二 極體之封裝改良結構。 【先前技術】 發光二極體（Light Emitting Diode，LED)具有環保、 亮度高、省電、壽命長等諸多特點，將漸漸成為主要照明 光源。然，發光二極體之中心軸線區域所發出之光線較為 集中，出光不均勻，這使得照明效果隨照射距離及照明面 積而發生變化。 【發明内容】 鑒於此，有必要提供一種出光均勻之發光二極體。 一種發光二極體，包括一發光二極體晶粒以及包覆於 該發光二極體晶粒週緣之一封裝體，該封裝體包括一頂面 及一側面，該頂面包括一凹陷部及一出光部，該凹陷部正 對發光二極體晶粒之中心轴線設置，該出光部環繞於該凹 陷部之週緣，該側面由出光部之外緣向下延伸形成，該侧 面呈階梯狀，包括複數台階，該側面之橫截面積自頂面向 下減少。 一種發光二極體，包括一發光二極體晶粒以及包覆於 該發光二極體晶粒週緣之一封裝體，該封裝體包括一頂面 及一側面，該頂面正對該發光二極體晶粒之中心軸線位置 6 201003969 設有一凹陷部，該 部，該發光二極體晶粒之週緣形成為出光 後射向物之側面，再經過==凹陷部發生反射 光部，並經由出光部射出封農體。㈣而射向頂面之出 線區光:::均:!光二極體晶粒中心軸 均句分佈。 先線刀佈’使得從封裝體射出之光線 【實施方式】 -二1 所示’發光二極體包括-基板1、-發光 難體3。基板1呈圓形板狀，包括上表 面12’上表面u與下表面以相對設置，基板 之兩端開設有第—導電柱131及第二導電柱132，第一導 電柱131及第二導電柱132分別貫通基板i之上表面^及 表面12基板1之上表面η設有第一内電極I。及第二 内電極112，基板1之下表面12設有第-外電極121及第 二外電極122，第-内電極m及第一外電極121分別位於 第一導電柱131之上下兩端周圍，第一導電柱131將第一 外電極121與第-内電極m電連接，第二内電極ιΐ2及 第二外電極122分別位於第二導電柱132之上下兩端周 圍弟·一導電柱132將第二外電極122與第二内電極U2 電連接。 發光二極體晶粒2固設於基板1之上表面u上且位於 基板1之中心，發光二極體晶粒2包括第一電極21及第二 7 201003969 電極22,第-電極21與基板χ之第一内電極ηι電連接， 第二電極22與基板1之第二内電極112電連接。 封裝體3由透光材料製成，如環氧樹脂、石夕勝、壓克 力等。該封裝體3包覆於發光二極體晶粒2之週緣。該封 裝體3包括-頂面31、-底面33及—侧面％，側面料 接於頂面31與側面32之間，封裝體3之底面33平貼於基 板1之上表面u。㈣31包括一凹陷部311及一出光部 312 ’該ίϋ光部312為圓環形平面，環繞於該凹陷部3ιι之 ，緣，該凹陷部m位於該頂面31之中央處即位於發光二 極體晶粒2之正上方’該凹陷部311為自出光部312之内 緣向封裝體3之中心逐漸凹陷且向外彎曲而成之外幫曲 面。該側面32由出光部3U之外緣向下延伸而成，該侧面 2由頂* 向下漸縮，使該侧自32之橫截面積自頂面3ι =下逐漸減少’該側面32呈階梯狀，包括複數台階％，每 :台階34包括一肩部342及一頭部341，該肩部如為一 2平面’該頸部341自肩冑342之内側向下且向内傾斜 ^ ° _ 32為全反射^ ’側φ 32 _可塗敷反射材料以 日加反射效果，反射材料可採用鋁、水銀及銀等。 封裝體3之凹陷部3η起到發散發光二極體晶粒2中 心輪線區賴糾光線之仙。發光L作時，發光 -極體晶粒2發出光線，發光二極體晶粒2之中心轴線區 域發出之光線射向封裝體3之凹陷部祀，發光二極體晶粒 2中心軸線區域發出之部分光線經由該凹陷部3ιι射出，而 其他大部分光線在凹陷部311之作用下發生全反射，該大 201003969 部分光線發生全反射後射向封裝體3之侧面32，再經過侧 面32之反射而向上射向頂面31之出光部312，並最終經由 出光部312射出封裝體3 ’從而可均衡發光二極體晶粒^ 中心軸線區域與週緣區域之光線分佈，使得從封裝體3射 出之光線均勻分佈。 圖3示出本發明發光二極體照明裝置之又一較佳實施 例’與上一實施例不同之處在於，出光部412為自該凹陷 部411之外緣向外並向下彎曲延伸而成之外彎曲面，凹陷 部411之中央處則開設一自頂面41向下漸縮之盲孔5，該 盲孔5呈圓錐狀或棱錐狀，即沿封裝體4之徑向向内，該 封裝體4之頂面41整體呈外凸之曲面狀，由頂面41之= 緣逐漸向上凸出形成外彎曲面狀之出光部412,再向下滑落 以形成外彎曲面狀之凹陷部411，並於封裝體4之中央處形 成一盲孔5。該盲孔5可增加全反射作用，使得發光二極體 晶粒2中心軸線區域發出之更多光線發生全反射，從而射 向封裝體4之侧面42’在經過侧面42之反射後射向出光部 412，該外彎曲面狀之出光部412起到聚光作用，使得射出 之光線豎直向上射出。 綜上所述’本發明符合發明專利之要件，爰依法提出 專利申請。惟以上所述者僅為本發明之較佳實施例，舉凡 熟悉本案技藝之人士’在爰依本發明精神所作之等效修飾 或變化’皆應涵蓋於以下之申請專利範圍内。 【圖式簡單說明】 9 201003969 圖1為本發明之發光二極體照明裝置之一較佳實施例 之立體示意圖。 圖2為圖1沿Π - Π之剖面示意圖。 圖3為本發明之發光二極體照明裝置之又一較佳實施 例之剖面示意圖。 【主要元件符號說明】 基板 1 上表面 11 下表面 12 第一内電極 111 第二内電極 112 第一外電極 121 第二外電極 122 第一導電柱 131 第二導電柱 132 發光二極體晶粒 2 第一電極 21 第二電極 22 封裝體 3、4 頂面 31、41 凹陷部 311 、411 出光部 312 、412 側面 32、 42台階 34 頸部 341 肩部 342 底面 33 盲孔 5 10

Claims (1)

1. 201003969 十、申請專利範圍 1. 二種發光二極體，包括一發光二極體晶粒以及包覆該 發光二極體晶粒之一封裝體，其改良在於：該封裝體 包括-頂面及-侧面’該頂面包括—凹陷部及一出光 部，該凹陷部正對發光二極體晶粒之中心軸線設置， 該出光部環繞於該凹陷部之週緣，該侧面由出光部之 外緣向下延伸形成，該側面呈階梯狀，包括複數台階， 該側面之橫截面積自頂面向下減少。 2. 根據中請專利範圍第i項所述之發光二極體，其中， 該凹陷部為自該出光部之内緣向封裝體之中心逐漸凹 )½且向外’考曲而成之外彎曲面。 3. 根據中請專利範圍第i項所述之發光二極體，其中， 该出光部為一圓環形平面。 4.根據中請專利範圍第i項所述之發光二極體，其中， 該出光部為自該凹陷之外緣向外並向下彎伸、 之外彎曲面。 ~ IT W 5. 根據中請專利範圍第1項所述之發光：極體，立中， 每:台階包括-頸部及一肩部，該頸部自該肩部之内 側向下且向内傾斜。 6. 根據ΐ請專利範圍第5項所述之發光二極體， 該肩部為一環形平面。 /、 7. 根據申請專圍第1ίΜ所述之發光二極體， =凹陷部之中央處開言卜自頂面向下漸縮之盲孔、，該 目孔位於發光二極體晶粒之正上方。 8. 根據申請專利範圍第7項所述之發光二極體，其中， 11 201003969 該盲孔呈圓錐或棱錐狀。 M艮據中請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中， 该側面塗敷反射材料。 二一種發光二極體’包括一發光二極體晶粒以及包覆 =二極體晶粒之一封裝體，其改良在於：該封裝 頂面及-側面’該頂面正對該發光二極體晶 軸線位置設有一凹陷部，該頂面環繞該凹陷 線經由兮形出光部’該發光二極體晶粒發出之光 過側而'"凹陷部發生反射後射向封裝體之側面，再經 出封裝體。 出先邛，並經由出光部射 面積1"頂®6頂面向下呈漸縮延伸，使該側面之橫截 面槓自頂面向下減少。 m據申請專利錢第1G項所述之發光二極體，其 :位：：：部之中央處向下開設—漸縮之窗孔，該盲 孔位於發光二極體晶粒之正上方。 1 中3.:據申請專利範圍第10項所述之發光二極體，其 為自該出光部之内緣向封裝體之中心逐 漸凹且向外彎曲而成之外彎曲面。 m申請專利範圍第13項所述之發光二極體，a :面該出光部為一圓環形平面或者為向外突出！外弯 12