201008411 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一埋入式結構及其製法。特定言之，本發 明係關於一埋入式電路板結構，其内壁上有較平坦的表面。 【先前技術】 電路板是電子裝置中一種重要的元件。電路板的功能是 用來界定在一固體表面上的預定圖案。在電子裝置不斷追求 尺寸縮小的趨勢下，電路板上導線的線寬與導線之間的距離 於是乎變的越來越小。 ❹ 就目前的技術而言，有兩種符合需求的方法以形成此等 電路板。第一種稱為轉印法，是將圖案化線路轉印至一介電 層上。另外一種方法則是使用雷射方式將基材圖案化，來定 義-鑲嵌形式的結構’再使用—導電材料來填滿在基材 形成的凹穴，以完成-埋入式結構。 料成功在==面要:經過活化，才能使得導電材 技術。更有甚者4 常是使用叫 種基材的材料是不需要先經過無電 201008411 極電鍍技術的活化步驟，就可以讓導電材料填入基材上的凹 穴中。 ” 第1-4圖例示一種形成埋入式結構之習知方法。如第1 * 圖所示’首先，提供基材101。第一圖案化銅層110位於基 材101上，並暴露出部分的基材101。第一介電層120則覆 蓋第一圖案化銅層110以及基材1〇1。 ❹ 再來’如第2圖所示，將第一介電層120圖案化以形成 焊墊開口 122、通孔121以及鄰接焊墊開口 122之溝槽123， 其中盲孔121暴露出部分的第一圖案化銅層no。由於第一 圖案化銅層110所暴露出的表面可能還留有膠渣，而且會妨 礙後續形成的電性連接品質，因此會進行一清孔步驟，如第 3圖所示，以移除第一圖案化銅層11()所暴露出表面可能還 留有的膠渣，以有利於後續形成的電性連接。可以使用電漿 或是氧化劑’例如過錳酸鹽來執行此等清孔除膠渣的步驟。 . 除了移除所有留在第一圖案化銅層110所暴露出表面上的殘 邊外’清孔步驟也會侵勉第一介電層12〇的表面，包括通孔 121、焊墊開口 122以及溝槽123之側壁，於是在第一介電 層120上形成了粗糙的表面。如果此等粗糙的表面再進一步 進行一鋼沉積步驟時，如第4圖所示，在過分粗化的表面下 具有活化基粒的待鍍表面反而容易在銅層130上形成不要的 瘤狀物131，而使孔壁銅層13〇千瘡百孔，並因此減損了銅 201008411 層130的品質，同時元件的信賴度表現不增反減。更有甚者， 溝槽123的粗糙表面使得電路崎嶇，並造成訊號損失。銅層 130的不良品質危及埋入式結構1〇〇、電路板、與其所製得 之電子裝置的可靠度。 ψ % 因此，需要一種具有更佳表面平整度的埋入式結構以及 一種新穎製造方法，以提供一種具有良好可靠度的電路板。 【發明内容】 本發明於是提出一種在側壁上具有較為光滑平整表面 ' 的新穎埋入式結構以及製作此等埋入式結構的方法。由於本 ' 發明埋入式結構的側壁上具有更為光滑平整的表面，當一層 的銅沉積在本發明埋入式結構的側壁上時，可以將銅層上瘤 狀物的形成機率減到最小，進而增進本發明埋入式結構的可 Θ 靠度。‘此外，在本發明的一實施例中，本發明的埋入式結構 ^ 具有實質上平整又光滑的外表面。 本發明首先提出一種埋入式結構。本發明的埋入式結構 中包含包含一介電層、位於介電層中之一焊塾開口，·與位於 焊墊開口中以及介電層中之一通孔，其中焊墊開口與通孔一 起定義出埋入式緒構，通孔之側壁更進一步具有粗糙度C、 焊墊開口之側壁具有粗糙度B，而介電層之外表面具有實質 201008411 上平坦光滑之粗糖度A。其中，粗糙度A、粗糖度B及粗糙 度C三者彼此不同。 • 本發明其次提出另一種埋入式結構。本發明的埋入式結 、 構包含一基材、位於基材上之一第一圖案化導體層並選擇性 暴露此基材、一第一介電層覆蓋第一圖案化導體層與基材、 位於第一介電層中之焊墊開口，與位於焊墊開口中並暴露第 Ο —圖案化導體層之通孔，其中焊墊開口與通孔一起定義出埋 入式結構，通孔之側壁更進一步具有粗糙度C、焊墊開口之 側壁具有粗糙度B，而第一介電層之外表面具有實質上平坦 之粗縫度A。其中，粗糙度A、粗糙度B及粗糖度C三者彼 此不同。 本發明又提出一種形成埋入式電路結構的方法。在本發 明形成埋入式電路結構的方法中，首先提供一介電層。其 〇 次，形成一有機膜層以覆蓋介電層。繼續，形成位於介電層 / 與有機膜層中之通孔。再來，進行一清潔步驟以粗化通孔之 側壁。然後，圖案化介電層與有機膜層，以在介電層中形成 與通孔重疊之焊墊開口。焊墊開口與通孔一起定義出埋入式 結構。介電層之外表面具有粗糙度A，焊墊開口之側壁具有 粗糙度B，通孔之側壁具有粗糙度C。其中，粗糙度A、粗 糙度B及粗糙度C三者彼此不同。 201008411 本發明再提出一種形成埋入式電路結構的方法。在本發 明形成埋入式電路結構的方法中，首先提供具有一圖案化導 體層位於其上之基材。其次，形成一第一介電層以覆蓋第一 " 圖案化導體層與基材。之後，形成一第一有機膜層以覆蓋第 * 一介電層。繼續，形成一穿過第一介電層與第一有機膜層並 暴露第一圖案化導體層之通孔。再來，進行一第一清潔步驟 以粗化通孔之側壁，或是清除殘留餘第一圖案化導體層上之 0 膠渣。然後，圖案化第一介電層與第一有機膜層，以在第一 介電層中形成與通孔重疊之焊墊開口。焊墊開口與通孔一起 定義出埋入式電路結構。第一介電層之外表面具有粗糙度 A，焊墊開口之側壁具有粗糙度B，通孔之側壁具有粗糙度 C。其中，粗糙度A、粗糙度B及粗糙度C三者彼此不同。 本發明更提出一種形成埋入式電路結構的方法。在本發 明另一種形成埋入式電路結構的方法中，首先提供具有一圖 ® 案化導體層位於其上之基材。其次，形成一第一介電層以覆 - 蓋第一圖案化導體層與基材。之後，形成一第一有機膜層以 覆蓋第一介電層。繼續，形成一穿過第一介電層與第一有機 膜層並暴露第一圖案化導體層之通孔。再來，進行一第一清 潔步驟以粗化通孔之側壁及/或清除殘留於第一圖案化導體 層上之膠渣。然後，移除第一有機膜層。接著，進行一第二 清潔步驟以清理第一圖案化導體層。隨後，形成一第二有機 膜層以覆蓋第一介電層。接下來，圖案化第一介電層與第二 7 201008411 _ 有機膜層，以在第一介電層中形成與通孔重疊之焊墊開口。 焊墊開口與通孔一起定義出埋入式電路結構。第一介電層之 外表面具有粗糙度A，焊墊開口之側壁具有粗糙度B，通孔 之側壁具有粗糙度C。其中，粗糙度A、粗經度B及粗糙度 ' C三者彼此不同。 由於本發明新穎的埋入式結構在清潔步驟之後，經過一 魏 圖案化步驟以定義出焊墊開口或是選擇性地定義出溝槽，本 〇 發明埋入式結構的内壁則具有較為光滑平整的表面，同時還 避免了清潔步驟對内壁表面的破壞。此等清潔步驟一方面可 以促進第一圖案化導體層的電性連接，另一方面又使得通孔 中之内連線，亦即内部電性連接，對於通孔之内壁具有較佳 之親和性，其亦可以一第二清潔步驟繼之而更加強化。倘若 此等清潔步驟過或不及，皆屬不欲。 ® 再者，本發明還會減少銅瘤狀物的形成，並在當後續的 • 銅層沉積在本發明埋入式結構的内壁上時’得到品質較佳的 導體層。此外，本發明埋入式結構還會由於有機膜層的保 護，會進一步具有實質上光滑的外表面。 【實施方式】 本發明提供一種新穎的埋入式結構以及製作一種埋入 201008411 w 式電路結構的方法。由於本發明的埋入式結構在清潔步驟之 後才經過一圖案化步驟，所以本發明埋入式結構的内壁係具 有較為平坦的表面，甚至還會減少銅瘤狀物的形成。並由於 ' 此等較為平坦的表面，使得後續銅層的沉積品質變好，更增 進了本發明埋入式結構的可靠度。還有，本發明埋入式結構 還因為製造過程中有機膜層的保護，會進一步具有實質上光 滑的外表面。 ❹ 本發明首先提供一種埋入式結構。第5圖例示本發明埋 入式結構之一實施例。如第5圖所示，本發明的埋入式結構 200包含介電層220、通孔221與焊墊開口 222。 ' 介電層220之外表面224係實質上光滑。例如，介電層 220之外表面224具有粗糙度A。粗糙度A可以使用參數Ra 值來表示。定義此參數Ra之細節部份，請參考JIS B ❹ 0601-1982之規定。若使用參數Ra值來表示粗糙度A時， . 粗糖度A的範圍小於0.5μιη。 在本發明之一具體實施態樣中，介電層220可以進一步 包含多個觸媒顆粒，其中觸媒顆粒可以包含金屬錯合物顆 粒、金屬螯合物顆粒、金屬氧化物顆粒或是金屬氮化物顆 粒，例如锰、鉻、纪、銘、銘、鋅、銅、銀、金、鎳、钻、 錢、銀、鐵、鶴、飢、组、銦、鈦其中之一或是其任意組合 9 201008411 的錯合物、螯合物、氧化物或氮化物。 顆粒例如县 。舉例而言， 疋氧化銅、氮化鋁、 顆粒或鈀金屬顆粒。一 銘姻雙金屬氮化物 這些觸媒 。一但活化以後， 220的活 ’例如使用雷射， 化表面可以輔助另一導電層的沉積。 vi〇3Nx) 介電層 所形成的焊墊開口 222位在介電層22〇之中。此外，通 孔221還形成在焊墊開口 222之中與介電層22〇之中。從俯 〇視角度來觀察，焊墊開口 222形成包圍通孔221 (圖未示）。 通孔221與焊墊開口 222 —起定義出本發明埋入式結構2〇〇 的電路圖樣。每只通孔221中會有至少一個焊墊開口 222。 換句話說’如第5圖所示，每只通孔221中會視情況需要有 •一個焊墊開口 222，或是兩個焊墊開口 222。 另外’介電層220更包含不包圍通孔221但選擇性與通 孔221相通之溝槽223，如第5圖所示。溝槽223則可能賦 有多種構造相異的形狀，如第24圖所示。 類似地，溝槽223的内壁具有粗糙度B，焊墊開口 222 之側壁具有粗糙度B，而通孔221之内壁具有粗糙度C。若 使用參數Ra值來表示，粗糙度B的範圍則介於〇.2μιη與 1.5/mi之間。同樣地，若使用參數Ra值來表示，粗糙度C 的範圍則介於0.5/xm與5·0μιη之間。同時，粗縫度A、粗縫 度B及粗糙度C三者彼此不同。舉例而言，粗糙度A、粗糙 201008411 度B及粗梭度c二本々, —有之間彼此的關係可以為粗輪度c>粗链 度B>粗糙度a。 在本發明之另—㈣實施態樣巾，導顏23G則會填滿 通孔221、焊塾開D 222與選擇性形成的溝槽223，以形成 本發明之埋入式電路結構。導體層23〇通常包含金屬，例如 銅或是1呂’其可以由無電電錢製程（electroless plating ❹Process)來形成。若是介電層22〇包含金屬錯合物顆粒、金 屬螯合物顆粒、金屬氧化物顆粒或是金屬氮化物顆粒時，當 形成於介電層220内壁的活化表面之時，即會作為用於導體 層230之晶種層。 為了要達成介電層220之外表面224為實質上光滑之表 面，在本發明又一具體實施態樣中，埋入式電路結構可以包 含覆蓋介電層220並選擇性暴露通孔221、焊墊開口 222與 ❹選擇性形成的溝槽223之有機臈層25〇，以保護第一介電層 .220之外表面224。有機膜層250不只可以選擇性覆蓋單邊 之介電層220之外表面224，還可以選擇性覆蓋雙邊之介電 層220之外表面224。 有機膜層250可以包含親水性高分子，使得必要時可以 用水洗去。例如’此等親水性高分子的特性官能基可以包含 羥基(-0H)、醯胺基(-C0NH2)、磺酸基(-S03H)、羧基(-C00H) 201008411 .其中之-的官能基團，或者前述各官能基團的任意組合。 或者’有機膜層250亦可以是疏水性高分子。例如，此 .等疏水性高分子㈣性官能基可以包含甲基㈣酸樹脂、苯 .乙烯樹月曰稀丙樹脂、聚丙烯酸樹脂、聚峻樹脂、聚稀烴樹 =、聚醯胺樹脂或聚發氧織脂其中之—的官能基團，或者 前述各官能基團的任意組合。 ❹ 本發明其次知：供另一種埋入式結構。第6圖例示本發明 埋入式結構之一實施例。如第6圖所示，本發明的埋入式結 構200包含基材201、第一圖案化導體層21〇、第一介電層 220、通孔221與焊墊開口 222。基材201通常為用於電路板 . 之非導電性材料。 第一導體層210形成於基材201上，以覆蓋基材201， 並選擇性地暴露出基材201。第一導體層210可以包含例如 ❿銅或是銘之金屬。此外，第一導體層210還被圖案化，以定 義一預定之電路而成為第一圖案化導體層210。 位於第一圖案化導體層210上者為覆蓋基材2〇1與第一 圖案化導體層210之第一介電層220。第一介電層220之外 表面224係實質上光滑。例如，第一介電層220之外表面224 可以具有如前所述之粗糙度A。若使用參數Ra值來表示粗 糙度A時’粗縫度A小於〇.5μιη。第一介電層220亦可以進 12 201008411 一步包含多個觸媒顆粒，其中觸媒顆粒可以是包含如前所述 之金屬錯合物顆粒、金屬螯合物顆粒、金屬氧化物顆粒或是 金屬氮化物顆粒。一但活化以後，例如使用雷射，第一介電 層220的活化表面可以辅助另〆導電層的沉積。 形成焊墊開口 222在第〆介電層220之上。此外’通孔 221還形成在焊墊開口 222之中，從俯視角度來觀察，焊墊 q 開口 222形成包圍通孔221。通孔221暴露出位於下方之第 一圖案化導體層210，使得通孔221與焊墊開口 222 —起定 義出本發明埋入式結構2〇〇的電路圖樣。另外，第一介電層 220更包含非包圍通孔221並選擇性與通孔221相通之溝槽 223,如圖6所示。溝槽223可能竦有多種構造相異的形狀， 如第24圖所示。 〇 類似地’溝槽223的内壁可以具有粗糖度如前所述之 B，焊墊開口 222之側壁具有如前所述之粗糙度b，而通孔 之内壁具有如前所述之粗縫度C。若使用參數尺&值來表示 粗链度A、_度B及粗糙度C三者彼此列。粗輪度^ 粗縫度B及粗縫度C三者之間彼此的關係為粗輪度 度B〉粗糙度A。 祖後 在本發明之另一具體實施態樣中，第二導體層 填滿通孔221、焊墊開口 222與選擇性形成的溝槽 13 201008411 形成本發明之埋入式電路結構。第二導體層230通常包含金 屬，例如銅或是銘，其可以由無電電錢製程（electroless plating process)來形成。若是第一介電層220包含金屬錯合 物顆粒、金屬螯合物顆粒、金屬氧化物顆粒或是金屬氮化物 ' 顆粒時，當形成於第一介電層220内壁的活化表面，即會作 為用於第二導體層230之晶種層。 @ 基材201包含用於電性連接第一圖案化導體層210與第 三圖案化導體層240之内連線214以及第三圖案化導體層 240，如第6圖所示。第三圖案化導體層240通常包含金屬， 例如銅或是銘。 ' 為了要達成第一介電層220之外表面224為實質上光滑 之表面，在本發明又一具體實施態樣中，埋入式電路結構可 以包含如前所述之有機膜層250，其覆蓋第一介電層220並 〇 選擇性暴露通孔221、焊墊開口 222與選擇性形成的溝槽 223，以保護第一介電層220之外表面224。 本發明又提供一形成埋入式電路結構的方法，並更進一 步用來形成埋入式電路結構。請參考第7-13圖，其例示本 發明用以形成埋入式電路結構的方法一實施例。如第7圖所 示，首先提供一介電層220。在本發明之一具體實施態樣中’ 介電層220可以進一步包含多個觸媒顆粒。一但使用例如雷 14 201008411 射活化乂後介電層220的活化表面，可以輔助另一導電層 的沉積。 其-人如第8圖所示’形成有機臈層250，以覆蓋介電 層220。因此，有機膜層250即會保護介電層220之外表面 224，免於任何不欲的損傷。有機膜層250可以選擇性覆蓋 單邊之介電層220之外表面224，或是雙邊之介電層220之 0 外表面224。 介電層220之外表面224具有一原始的粗糙度A，例如， 實質上為光滑。可以使用參數Ra值來表示粗糙度Λ。若以 .參數1^值來表示時，粗糙度Α的範圍小於〇.5μιη。 然後’如第9圖所示，在介電層220與有機膜層250之 ❹中形成至少一通孔221。通孔221穿透介電層220與有機膜 層250 ’以建立一穿透洞（thr0Ugh hole )。可以使用雷射來 移除部份的介電層220與部份的有機膜層250來形成通孔 221。每只通孔221中會有至少一個焊墊開口 222。換句話 說’每只通孔221中會視情況需要，有一個焊墊開口 222， 或是兩個焊墊開口 222。 再來，進行一清潔步驟來咬蝕介電層220與有機膜層 250的内壁，留下了介電層220與有機膜層250都有受攻擊 15 201008411 的内表面’亦即’粗化的表面，如第10圖所示。然而，由 於有機膜層250的保護與屏蔽，介電層220之外表面224即 免受清潔步驟所造成的攻擊，並維持其原始的粗輪度A，例 如，實質上為光滑。清潔步驟可以包含使用能量性粒子，例 如電漿’或是使用氧化劑，例如過鏟酸鹽。 有機膜層250會保護介電層220之外表面224，免受不 ❹欲的攻擊，有機臈層250可以包含親水性高分子，使得在必 要時可以用水洗去。例如，此等親水性高分子之特性官能基 可以包含經基(_〇H)、酿胺基(_c〇NH2)、續酸基(_s〇3h)、叛 基（C〇〇h)其中之一的官能基團，或者前述各官能基團的任 ' 意組合。或是，包含疏水性高分子。例如，此等疏水性高分 子之特性官能基可以包含曱基丙烯酸樹脂、苯乙烯樹脂、烯 丙樹脂、聚丙烯酸樹脂、聚醚樹脂、聚浠烴樹脂、聚醯胺樹 〇 知、聚矽氧烷樹脂其中之任一官能基團’或者前述各官能基 圈的住意組合。 如第11圖所示，之後將導體層210與有機膜層250圖 ”化以形成焊墊開口 222，並同時強化通孔221，或是再選 上眭形成溝槽223。焊墊開口 222環繞通孔221，或是換句 2說，焊墊開口 222與通孔221重疊。焊墊開口 222與通孔 22ι —起定義出本發明之埋入式電路結構。在本發明另一實 施態樣中，亦可以獨立定義出焊墊開口 222。如果焊墊開口 201008411 222中所形成之焊墊，無須藉通孔221而與其他相鄰導電層 電性連接時，焊墊開口 222與通孔221可以不必重疊。 與焊墊開口 222相比，溝槽223並不環繞通孔221，但 • 可選擇性地與通孔221相連接。同理，焊墊開口 222與選擇 性形成的溝槽223，可以使用雷射來移除部份的介電層220 與部份的有機膜層250來達成。當形成了焊墊開口 222與溝 ❹槽223時，則溝槽223的内壁具有粗糙度B，焊墊開口 222 之側壁具有粗糙度B。若使用參數Ra值來表示，粗糙度b 的範圍則介於〇.2μιη與1.5/mi之間。 在形成焊墊開口 222與選擇性形成的溝槽223時，會同 時強化通孔221，使得通孔221之内壁具有不同的粗糙度， 即為粗糙度C。若使用參數5^值來表示，粗糙度c的範圍 則介於〇.5ym與5.〇gm之間。其中，粗輪度a、粗糖度b、 ® 粗糖度C二者彼此不同。甚至，粗糖度a'粗糙度b、粗糖 — 度C二者之間彼此存在一關聯性。例如，為粗縫度c>粗缝 度B>粗糙度A。 如果介電層220包含多個觸媒顆粒，其中觸媒顆粒可以 是包含一金屬錯合物、一金屬螯合物、一金層氧化物或一金 屬氮化物’形成焊墊開口 222與選擇性形成的溝槽223時， 會同時活化此等金屬錯合物、金屬螯合物、金屬氧化物或是 17 201008411 舌化差：& W如使用雷射活化以後’形成的介電屉220的 活化表面即可辅助另—導電層的沉積。 電層挪的 進行明的埋入式電路結構，如第12圖所示， 奶之切使於通孔221、焊塾開口 222與溝槽 無電電二t 。其中，第一沉積步驟可以為- ❹ 媒顆粒二:。如果介電層22°包含多個觸媒顆粒，其中觸 一令厘_ u是包含一金屬錯合物顆粒、一金屬螯合物顆粒、 222與^化物顆粒或—金職化物顆粒，並於形成焊塾開口 為作U槽223的過程中活化，介電層’的活化表面可視 、、電電鑛製程時之晶種層。導體層23〇可 鋼或是鋁之金屬。 ！ ^此外，更可依實際需求，選擇性地再進行一第二沉積步 ❹驟，例如電鍍方法，使得導體層230填入通孔221、焊墊開 2與溝槽223之中。由於在清潔步驟後才形成焊墊開口 =2與溝槽223之内壁，或是同時強化了通孔22丨，於是在 車乂為平垣的表面上減少形成銅瘤狀物的發生。 另外’可以選擇性地保留或者移除有機膜層25〇。當選 擇移除有機膜層250後，介電層220表面為實質上光滑，如 第13圖所示。例如’當有機膜層250是一親水性高分子時， 有機膦層250就可以利用水洗的方式移除。 201008411 本發明再提供一形成埋入式電路結構的方法，並更進一 步用來形成埋入式電路結構。請參考第14-23圖，其例示本 ' 發明用以形成埋入式電路結構的方法一實施例。如第14圖 所示，首先提供一基材201，其中基材201具有一第一圖案 化導體層210位於其上，且第一圖案化導體層210選擇性的 暴露基材201。然後形成第一介電層220以覆蓋第一圖案化 q 導體層210與基材201。 基材201通常為用於電路板之非導電性材料。基材201 包含用於電性連接第一圖案化導體層210與第三圖案化導體 層240之内連線214與第三圖案化導體層240,如第14圖所 示。第一圖案化導體層210或是第三圖案化導體層240通常 包含金屬’例如銅或是銘。 © 第一介電層220之外表面224具有一原始的粗糙度A， 例如，實質上為光滑。可以使用參數Ra值來表示粗糙度A。 若以參數Ra值來表示時，粗链度A小於0.5μιη。 在本發明之一具體實施態樣中，第一介電層220可以進 一步包含多個觸媒顆粒，其中觸媒顆粒可以是如前所述。一 但使用例如雷射活化以後，第一介電層220的活化表面，可 以輔助另一導電層的沉積。 19 201008411 其次，如第15圖所示，形成第一有機膜層250，以覆蓋 第一介電層220。因此，第一有機膜層250即會保護第一介 電層220之外表面224，免於任何不欲的損傷。第一有機膜 層250之材料種類可為如前所述者。 然後，如第16圖所示，在第一介電層220與第一有機 Ο 膜層250之中形成至少一通孔221。通孔221穿透第一介電 層220與第一有機膜層250以暴露出位於下方之第一圖案化 導體層210。可以使用雷射來移除部份的第一介電層220與 部份的第一有機膜層250來形成至少一通孔221。 再來，進行一第一清潔步驟來清除暴露出的第一圖案化 導體層210表面之殘餘膠渣。如前所述，由於一些膠渣211 會散佈在暴露出的第一圖案化導體層210之表面，並因此妨 ❹ 礙後續的電性連接品質，所以一個清潔步驟是需要的，如第 . 17圖所示。 第一清潔步驟可以包含使用能量性粒子，例如電漿’或 是使用氧化劑，例如過錳酸鹽。如前所述，除了會清除散佈 在第一圖案化導體層210暴露出表面的所有膠渣211之外， 清潔步驟還會侵蝕第一介電層220與第一有機膜層250的内 壁，留下了第一介電層220與第一有機膜層250都有受攻擊 20 201008411 的内表面，亦即，粗化的表面，如第17圖所示。然而，由 於第一有機膜層250的保護與屏蔽，第一介電層220之外表 面224即免受清潔步驟所造成的傷害，並維持其原始的粗糙 度A，例如，實質上為光滑。 以下之步驟，為需視第一圖案化導體層210所暴露出表 面的品質情況而選擇性地進行另一清潔步驟。換言之，當第 q 一圖案化導體層210所暴露出表面的情況不需要進一步的清 潔，同時第一有機膜層250還保留在第一介電層220表面 上，即可以略過以下的另一清潔步驟。 •如果第一有機膜層250包含親水性高分子’第一有機膜 層250就可以用水洗去，如第18圖所示。繼續進行一第二 清潔步驟’例如微姓（micro-etching )，以再次清理暴露出之 第一圖案化導體層210表面，如第19圖所示。第二清潔步 ® 驟可以包含使用某些氧化劑，例如過硫酸納加上疏酸’或是 - 過氧化氫加上硫酸，或是僅使用稀硫酸本身。 在第二清潔步驟完成後，再次形成第二有機膜層250’ 以覆蓋第一介電層220與通孔221'如第20圖所示。若在未 進行前述的第二清潔步驟，以及未去除第一有機膜層25〇 時，則第一有機膜層250即成為第一有機膜層250’。在以下 的敘述中，皆統稱為有機膜層250’。 21 201008411 有機膜層250可以保.護第一介電層220之外表面224即 免受任何不欲的傷害。有機臈層25〇,可以包含親水性高分 子，使得必要時可以用水洗去。例如，此等親水性高分子的 特性官能基可以包含羥基(-〇H)、醯胺基(_c〇NH2)、磺酸基 (S〇3H)、|t基(-COOH)其中之一官能基團，或者前述各官能 基團的任意組合。 〇 或者，有機臈層250,亦可以包含疏水性高分子。例如， 此等疏水性高分子之特性官能基可以包含曱基丙烯酸樹 月曰本乙烯樹脂、烯丙樹脂、聚丙晞酸樹脂、聚趟樹脂、聚 烯烴樹脂、聚醯胺樹脂、聚矽氧烷樹脂其中之一官能基團， 或者前述各個官能基團的任意組合。 _ 無論是否要進行第二清潔步驟，如第21圖所示，之後 將第一導體層210與有機膜層250,圖案化以形成焊墊開口 222，並同時強化通孔221，以及選擇性形成溝槽223。焊墊 開口 222環繞通孔221，或是換句話說，焊墊開口 222與通 孔221重疊。焊墊開口 222與通孔221 —起定義出本發明之 埋入式電路結構。 與焊墊開口 222相比’溝槽223並不環繞通孔221，但 可選擇性地與通孔221相連接。同理，焊墊開口 222與選擇 22 201008411 性形成的溝槽223，可以使用雷射來移除部份的第一介電層 220與部份的第一有機膜層250’來達成。當形成了焊墊開口 222與溝槽223時，則溝槽223的内壁具有粗糙度B，焊墊 開口 222之侧壁具有粗糙度B。若使用參數Ra值來表示， 粗糖度B的範圍則介於0.2/mi與1.5/mi之間。 在形成焊墊開口 222與選擇性形成的溝槽223時，會同 0 時強化通孔221，而通孔221之内壁具有不同的粗糙度，即 為粗糙度C。若使用參數Ra值來表示，粗糙度C的範圍則 介於0.5/im與5.0/mi之間。其中，粗經度A、粗糖度B、粗 糙度C三者彼此不同。甚至，粗糙度A、粗糙度B、粗糙度 C三者之間彼此存在一關聯性。例如，為粗糙度C>粗糙度 3>粗縫度A。 如果第一介電層220包含多個觸媒顆粒’其中觸媒顆粒 @ 可以是包含一金屬錯合物、一金屬螯合物、一金屬氧化物或 一金屬氮化物，形成焊墊開口 222與選擇性形成的溝槽223 時會同時活化此等金屬錯合物、金屬螯合物、金屬氧化物或 是金屬氮化物。例如使用雷射活化以後，形成的第一介電層 220的活化表面即可輔助另一導電層的沉積。 為了要形成本發明的埋入式電路結構’如第22圖所示， 進行一第一沉積步驟’使於通孔221、焊墊開口 222與溝槽 23 201008411 "223之中形成一第二導體層230。其中，第一沉積步驟可以 為一無電電鍍製程。如果第一介電層220包含多個觸媒顆 粒，其中觸媒顆粒可以是包含一金屬錯合物顆粒、一金屬螯 合物顆粒、一金屬氧化物顆粒或一金屬氮化物顆粒，並於形 成焊墊開口 222與溝槽223的過程中活化，第一介電層220 的活化表面可視為作為無電電鍍製程時之晶種層。第二導體 層230可以包含例如銅或是鋁之金屬。 〇 此外，更可依實際需求，選擇性地再進行第二沉積步 驟，例如電鍍製程，使得第二導體層230填入通孔221、焊 墊開口 222與溝槽223之中。由於在清潔步驟後才形成焊墊 開口 222與溝槽223之内壁，或是同時強化了通孔221，於 是在較為平坦的表面上減少形成銅瘤狀物的發生’則可得到 較佳電性連接品質的導體層。 ® 另外，可以選擇性地保留或者移除有機膜層250’。當選 • 擇移除有機膜層250’後的第一介電層220表面為實質上光 滑，如第23圖所示。例如，當有機膜層250’是一親水性高 分子時，有機膜層250’就可以利用水洗的方式移除。 綜前所述，由於本發明的埋入式電路結構在清潔步驟 (第一清潔步驟）之後，才經過一圖案化步驟’本發明的通 孔、焊墊開口與溝槽的内壁於是具有較為光滑平整的表面’ 24 201008411 且該光滑平整的表面也會減少形成銅瘤狀物的發生’使得後 續的銅層沉積在本發明埋入式結構的側壁上時，巧*得到权隹 電性連接品質的導體層，並增進本發明埋入式結構的町办 度。此外’本發明的埋入式結構還可以因為製造過程中有機 膜層的保護，而可以具有實質上平整又光滑的外表面。 以上所述僅為本發明之一實施例，凡依本發明申請專利範圍所 © 做之均等變化與修飾’皆應屬本發明之涵蓋範圍。 【圖式簡單說明】 、 第I-4圖例示一種形成埋入式結構之習知方法。 第5圖例示本發明埋入式結構之一實施例。 第6圖例示本發明埋入式結構之另一實施例。 Q 第7_13圖例示本發明用以形成埋入式電路結構的方法 實施例。 第14-23圖例示本發明用以形成埋入式電路結構方法的 另〜實施例。 第24圖例示本發明溝槽多種構造形狀的實施例。 【主要元件符號說明】 1〇〇埋入式結構 25 201008411 101基材 110第一圖案化銅層 120第一介電層 121通孔 122焊墊開口 123溝槽 130銅層 0 131瘤狀物 200埋入式結構 201基材 • 210第一圖案化導體層 211膠渣 214内連線 220介電層、第一介電層 ^ 221通孔 ❹ 222焊墊開口 223溝槽 224外表面 230導體層、第二導體層 240第三圖案化導體層 250、250’有機膜層