TW200948184A - Organic electroluminescent device - Google Patents

Description

200948184 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於有機電激發光元件。特別是關於 具有高精細度，高辨識性，及優越的耐環境性，且 ' 優越之多色顯示之色變換方式之有機電激發光顯示 機電激發光元件。 ❹ 【先前技術】 對於使用有機電激發光元件而實現全彩顯示之 一，有著色變換方式。在色變換方式全彩顯示，作 素的光源，使用發光成藍色或藍綠色之有機電激發 ，在藍色（B)像素，使用藍色的濾光片而使藍色 ，在紅色（R)像素，使用色變換層，進行波長變 到紅色光。在綠色（G)像素，對應於所使用之有 發光元件的發色光，使用綠色綠光片，使綠色光透 〇 經由使用發光成綠色光之色變換層而得到綠色光。 有機電激發光元件係作爲RGB各像素的光源 ' 通使用。對於作爲彩色顯而使用時，在顯示白色時 、 能將RGB各像素的驅動電流作爲相等乃爲重要。； 各像素間，白色顯示時之驅動電流乃在差異大的情 長時間將顯示器點燈時，在RGB各像素之亮度降 產生變化，作爲其結果，色平衡乃產生崩潰。此係 再現性，特別是長期使用時之色再現性，成爲重大 使用於 可進行 器之有 方法之 爲各像 光元件 光透過 換而得 機電激 過，或 加以共 ，盡可 Ϊ RGB 況，於 低比例 對於色 的缺陷 200948184 對於在使用於色變換方式彩色顯示器時之有機電激發 光兀件的發光之紅色範圍，綠色範圍及藍色範圍各發光^ 度’係有某種程度之邊際。爲了作爲白色顯示時之驅動電 流之均一化’有必要補償有機電激發光元件之RGB各範 圍的發光亮度之平衡者。關於此問題，一·般而W，係胃_ 對於有機電激發光元件之發光層，添加非常微量（01%以 下）之紅色發光客體，將有機電激發光元件之發光光譜作 爲廣域化，裔善RGB各範圍之平衡者。 例如，提案有將有機發光層，由藍色發光層與慘雜紅 色發光客體之綠色發光層而構成者（參照專利文獻n 。 在其提案中，紅色發光客體的摻雜量乃作爲1〇·3〜10莫耳 %爲佳。 另外，提案有於1個或複數的帶隙所成之有機發光層 中，摻雜複數之發光攙雜劑，至少1種之發光攙雜劑乃磷 光發光性之有機電激發光元件（參照專利文獻2 )。 [專利文獻1]日本特開平7- 1 42 1 69號公報 [專利文獻2]日本特開2004-522276號公報 【發明內容】 [發明欲解決之課題] 但摻雜非常微量之紅色發光客體的方法係因添加量爲 微量，而添加量的控制乃困難，單一之有機電激發光元件 之發光面內的特性之不均，及製造群間之性能的不均則有 變大之問題。 -6 - 200948184 另外，使用多層構成之有機發光層之情況，流動於有 機電激發光元件之電流的電流密度產生變化時，經由電 洞-電子對的再結合之激發子的產生位置產生變化，由此 ’發光極大的位置，以及在發光極大之發光亮度則有產生 大的變化之虞。 隨之，本發明之課題乃爲了解決上述之問題點，而提 供攙雜劑之添加量的控制爲容易，且得到未依存於流動之 電流的電流密度之安定發光的有機電激發光元件。 [爲解決課題之手段] 本發明之有機電激發光元件係包含第1電極、和含有 電洞植入輸送層、有機發光層及電子植入輸送層之有機電 激發光層、和第2電極，其特徵乃前述有機發光層乃具有 與前述電洞植入輸送層或前述電子植入輸送層任一者接觸 之二個之外層、和挾持於前述二個之外層的內層；前述二 φ 個外層乃由主材料及第1螢光性攙雜劑所構成，前述內層 乃由主材料、第1螢光性攙雜劑及第2螢光性攙雜劑所構 成，前述第1螢光性攙雜劑之能帶隙乃較前述第2螢光性 - 攙雜劑之能帶隙爲大。在此，前述二個之外層各自乃期望 具有5 nm以上之膜厚。另外，有機發光層之二個的外層 係可經由主材料及第1螢光性攙雜劑之共蒸鍍所形成，以 及有機發光層之內層係可經由主材料及第1螢光性攙雜劑 及第2螢光性攙雜劑之共蒸鑛所形成。 200948184 [發明之效果] 經由採取以上之構成，將螢光性攙雜劑’特別是第2 螢光性攙雜劑之添加量’比較於均一地摻雜於有機發光層 全德之情況，可增加1位數’由此’添加量的控制則變爲 容易。此係可控制在有機電激發光元件之發光面內之特性 的不均，以及製造群間之性能的不均者。另外，將添加第 2螢光性攙雜劑的位置作爲有機發光層之內層，經由從電 洞植入輸送層及電子植入輸送層之界面作爲間隔之時，可 得到電流密度依存性少之安定的發光光譜者。 【實施方式】 於圖1，顯示本發明之有機電激發光元件之一例。本 發明之有機電激發光元件係於基板10上，依第1電極20 ，電洞植入輸送層31，有機發光層32，電子植入輸送層 33，及第2電極40的順序加以層積。有機發光層32係由 與電洞植入輸送層或電子植入輸送層之任一接觸之二個之 外層32a、和挾持於二個之外層32a的內層32b所構成。 然而，在圖1中，係顯示第1電極20乃陽極，第2電極 40乃陰極。 基板10乃亦可爲透明及不透明，可使用玻璃，矽， 陶瓷，各種塑料，各種薄膜等而形成者。如後述，製作具 有可複數獨立而控制之發光部的有機電激發光元件之情況 ’於對應於基板10表面上之有機電激發光元件之發光不 的位置’亦可設置複數之開關元件。複數之開關元件係亦 -8- 200948184 可爲例如，在TFT，MIM等該技術所知道之任意的元件。 另外，於基板1〇之表面上，亦可更設置爲了驅動有機電 激發光元件之配線，驅動電路等。 第1電極20及第2電極40之任一方乃陽極，另一方 ' 乃陰極。第1電極20及第2電極40係將任一方爲透明者 ' 作爲條件，亦可爲透明，亦可爲反射性（不透過性）。透 明之電極係例如，可使用ITO，氧化錫，氧化銦，IZO， 0 氧化鋅，鋅-鋁氧化物，鋅-鎵氧化物，或對於此等氧化物 而言，添加F，Sb等之攙雜劑的導電性透明金屬氧化物等 而形成。另一方面，反射性的電極係可使用高反射率之金 屬，非晶質合金，微結晶性合金而形成。高反射率之金屬 乃包含Al、Ag、Mo、W、Ni、Cr等。高反射率之非晶質 金屬乃包含NiP、NiB、CrP及CrB等。高反射率之微結 晶性合金係包含NiAl等。 當考慮電洞的植入之容易度時，期望爲將作爲陽極所 ❿ 使用之電極（第1電極20及第2電極40之任一）作爲透 明者。但，要求反射性之陽極的情況，係可將前述之反射 * 層材料所成的層，和前述之導電性透明金屬氧化物所成的 - 層之層積體，作爲陽極而使用者。 另外，可於作爲陰極所使用之電極（第1電極20及 第2電極40之任一）與有機電激發光層30之界面，設置 陰極緩衝層而使電子植入效率提昇者。陰極緩衝層係可從 Li、Na、K或Cs等之鹼金屬，Ba或Sr等之鹼土類金屬 ，稀土金屬，含有此等金屬之合金，或此等金屬之氟化物 -9 - 200948184 等而形成者。特別是要求透明性之陰極的情況，從確保透 明性之觀點，期望爲將陰極緩衝層的膜後座爲10ηιη以下 者°另一方面，對於要求反射性之陰極的情況，對於前述 之高反射率材料而言，亦可使用添加工作函數小之材料的 鋰’鈉’鉀等之鹼金屬，鈣，鎂，緦等之鹼土類金屬而合 金化之材料，形成反射性之陰極。 另外，將各第1電極20及第2電極40，由條紋形狀 的複數之部分電極而構成，經由使第1電極20之部分電 極的條紋延伸方向，和第2電極40之部分電極的條紋延 伸方向交叉（垂直交叉爲佳）之時，可得到具有可複數獨 立進行控制之發光部的被動矩陣驅動型有機電激發光元件 者。或者另外，於基板10之上方設置複數之開關元件， 將第1電極20分割爲與開關元件1對1加以連接之複數 的部分電極，經由將第2電極40做爲一體型之共通電極 之時，可得到具有可複數獨立進行控制之發光部的主動矩 陣驅動型有機電激發光元件者。 第1電極20及第2電極40係雖依存於所使用之材料 ，但可使用在蒸鍍，濺鍍，離子電鍍，雷射削剝等該技術 所知道之任意的手段而形成者。 電洞植入輸送層31係對於從陽極的電洞植入性優越 ，可作爲使用電洞輸送能力高的材料之單一的層而形成者 。但，一般而言，期望爲分爲促進從陽極對於有機層之電 洞植入的電洞植入層，和對於有機發光層32輸送電洞電 子之電洞輸送層之二層而形成者。使用二層構造之電洞植 -10- 200948184 入輸送層31的情況’期望爲使電洞植入層接觸於陽極， 使電洞輸送層接觸於發光層32之構造者。 做爲爲了形成電洞植入輸送層31之材料，可使用三 烯丙基胺部分構造，咔唑部分構造’噁二哩部分構造之材 ' 料等，一般在有機電激發光元件所使用之電洞輸送材料者 。具體而言，係含有N，N’-二苯N，N’-雙（3-甲基苯基）- 1，1’-聯苯-4,4’-二胺（TPD)、Ν,Ν,Ν’，Ν’-四（4-甲氧苯基 φ )-聯苯胺（MeO-TPD) 、4,4’，4”-三{1-萘基（苯基）氨 基}三苯胺（1-TNATA ) 、4,4’，4”-三{ 2-萘基（苯基） 氨基}三苯胺（2-TN ΑΤΑ) 、4,4’，4”-三（3-苯甲苯基氨 基）三苯胺（m-MTDATA ) 、4，4 ’ -雙{ N- ( 1 -萘基）-N- 苯胺基}聯苯（NPB) 、2,2’，7,7’-四（N，N-二苯氨基）-9,9’-螺聯芴（8?4〇-丁八0) 、N，N’-二（聯苯-4-基）-N，N’- 二苯基-(1,1’-聯苯）-4,4，-聯氨（？-8?0)、三（〇-聯三 苯-4-基）胺（o-TTA)、三（p-聯三苯-4-基）胺（p-TTA 〇 ) 、1,3,5 -四〔4-(3 -苯甲苯基氨基）苯基〕苯（m- MTDAPB) 、4,4’，4”-三-9-咔唑基三苯胺（TCTA)等。 * 將電洞植入輸送層31，由電洞植入層及電洞輸送層 - 之層積構造而形成之情況，可將電洞輸送層，由前述之電 洞輸送材料而形成，將電洞植入層，由銅酞花青複合物（ CuPc)等而形成。或者另外，亦可於前述之電洞輸送材料 ，添加電子受容性攙雜劑（p型摻雜）之材料，形成電洞 植入層。可使用之電子受容性攙雜劑係例如含有四氰代二 甲基苯醌衍生物等之有機半導體。做爲代表之四氰代二甲 -11 - 200948184 基苯醌衍生物乃2,3,5，6-四氟-7,7,8,8-四氰代二甲基苯醌 (F4-TCNQ)。或者另外，可將氧化鉬（Mo03)、氧化鎢 (W03 )、氧化釩（V205 )等之無機半導體，做爲電子受 容性攙雜劑而使用者。 電洞植入輸送層33係對於從陰極的電洞植入性優越 ，可作爲使用電洞輸送能力高的材料之單一的層而形成者 。但，一般而言，期望爲分爲促進從陰極對於有機層之電 洞植入的電洞植入層，和對於有機發光層32輸送電子之 電子輸送層之二層而形成者。使用二層構造之電子植入. 輸送層33的情況，期望爲採取使電子植入層接觸於陰極 ，使電子輸送層接觸於有機發光層32之構造者。 電子植入輸入層33係具體而言可使用如3_苯基( 萘基）-5-苯基-1,2,4-三唑（TAZ)之三唑衍生物；丨，3_ 雙〔（4-t-丁基苯基）-1，3,4-嚼二哩〕伸苯基（〇xd-7) 、2-(4-聯苯基）-5-(4-卜丁基苯基）-1，3,4-噪二嗤（ PBD )、如1，3,5-三（4-卜丁基苯基-1，3,4-卩惡二卩坐）苯（ TPOB)之噁二唑衍生物；5,5，-雙（二菜基氧硼基）_2,2，_ 聯二噻吩（BMB-2T)、如5,5’-雙（二菜基氧硼基）_2,2, :5’2’-聚噻吩（BMB-3T )之噻吩衍生物；如三鋁（8_唾 啉酚）（Alq3 )之鋁複合體；如4,7-聯苯-ijo•二氮雜菲 (BPhen ) 、2,9-二甲基- 4,7-聯苯-1,10-二氮雜菲（bcp) 之二氮雜菲衍生物；如2,5-二-(3-聯苯）·Μ，_二甲基_ 3,4-二苯環戊二烯（PPSPP) 、1，2-雙（1-甲基 _2,3,4,5•四 本環戊二烯）乙烷（2PSP) 、2,5-雙-(2,2-聯二啦陡·6· 200948184 基）·1，1-二甲基-3,4-二苯環戊二烯（PyPySPyPy)之 環戊二烯衍生物等之電子輸送材料。 電子植入輸入層33乃電子植入層及電子輸入适 2層構造之情況，可將電子輸送層，由前述之電子輻 料而形成者。另一方面，電子植入層係可使用Li20 - 、Na2S 、Na2Se、及NaO等之鹼金屬硫屬薄膜材

CaO、BaO、SrO、BeO、BaS、及 CaSe 等之鹼土類金 • 屬薄膜材料、LiF、NaF、KF、CsF、LiCl、KC1 及 等之金屬鹵化物、CaF2、BaF2、SrF2、MgF2及BeF2 鹼土類金屬之鹵化物、Cs2C03等之鹼金屬碳酸鹽。 此等材料而形成電子植層之情況，期望爲將電子植入 膜厚，做爲0.5〜l.Onm程度者。 或者另外，亦可將Li、Na、K、Cs等之鹼金屬 、Ba、Sr、Mg等之鹼土類金屬之薄膜（膜厚1.0〜ί 程度），做爲電子植入層而使用。 〇 或者另外，可使用於前述之電子輸送材料中，

Li、Na、K、Cs 等之鹼金屬、LiF、NaF、KF、CsF 等 * 金属鹵化物，Cs2C03等鹼金属碳酸鹽之材料，形成 ' 從陰極之電子植入的電子植入輸送層33。 本發明之有機發光層32係從主材料，第1螢光 雜劑及第2螢光性攙雜劑加以形成。在本發明之「螢 攙雜劑」係指從激子收容能量而成爲單一激發狀態， 一激發狀態轉換至基底狀態時，發光成螢光之化合物 1螢光性攙雜劑乃爲了從藍色得到藍綠色的發光之化 .矽雜 :層之 f送材 、LiO 料、 :屬硫 NaCl 等之 使用 層之 、Ca ).0 nm 摻雜 之鹼 促進 性攙 光性 從單 。第 合物 -13- 200948184 ，第2螢光性攙雜劑乃爲了得到紅色的發光之化合物。第 1螢光性攙雜劑之能帶隙（Eg 1 )乃較第2螢光性攙雜劑 之能帶隙（Eg2 )。可使用之第1螢光性攙雜劑係例如含 有：苯并噻唑系、苯并咪唑系、苯并噁二唑系之螢光增白 劑；金屬螯合化氧鎗化合物，苯乙烯基苯系化合物（4，4 ’ -雙（2,2’_聯苯乙烯）聯苯（DPVBi)等）；芳香族二甲基 系化合物等。可使用之第2螢光性攙雜劑係例如含有：紅 熒烯、如4-二氰甲烯-2-甲基-6- (p-二甲基氨基苯乙烯基 )喃之酞菁色素、Lumogen.F.red、nile red 等之公 知的材料。 主材料乃具有經由從電洞植入輸送層所植入的電洞， 從電子植入輸送層所植入的電子之再結合而生成激子，使 其能量移動於第1及第2螢光性攙雜劑之機能的化合物。 一旦移動於螢光性攙雜劑的能量乃爲了藉由主材料而防止 串接移動，主材料之能帶隙（Egh)係期望較第1螢光性 攙雜劑之能帶隙（Eg 1 )及第2螢光性攙雜劑之能帶隙（ Eg2 )爲大者。可在本發明所使用之主材料係例如含有： 9，1〇-二（2-萘基）蒽（0-入〇?〇、2-甲基-9，1〇-二（2-萘 基）蒽（MADN ) 、9,10-雙-(9,9-二（η-丙基）芴-2-基 )蒽（ADF) 、9-(2-萘基）-10-(9,9-二（η-丙基）-芴-2-基）蒽（ANF)等之蒽系化合物。 有機發光層32係由與電洞植入輸送層31或電子植入 輸送層33之任一接觸之二個之外層32a、和挾持於二個 之外層32a的內層32b所構成。外層32a乃從主材料，第 -14- 200948184 1螢光性攙雜劑所構成的層。另一方面，內層3 2b係從主 材料，第1螢光性攙雜劑及第2螢光性攙雜劑加以構成的 層。在本發明，外層32a係需要具有5nm以上，理想係 具有10nm以上之膜厚者。 ' 於具有如以上構成之有機發光層32之中，從電洞植 - 入輸送層或電子植入輸送層，各植入電洞及電子時，所植 入之電洞及電子係在主材料分子上再結合，生成激子。其 φ 激子係擴散在有機發光層32中同時，使能量移動於存在 於近旁之激發能量低之螢光性攙雜劑分子。並且，得到能 量之螢光性攙雜劑係以各攙雜劑故有的發光色所發光。在 此機構，激子得擴散距離係依存於所使用之材料種類及濃 度，但一般而言乃5nm至10nm程度。 激子得生成係通常在有機發光層32與電洞植入輸送 層31之界面，或有機發光層32與電子植入輸送層33之 界面得任一加以進行。因爲，經由產生於和與有機發光層 〇 鄰接的層（電洞植入輸送層31或電子植入輸送層33之任 一）之間的HOMO或LUMO之帶隙偏差，電洞及電子乃 ' 容易儲存於兩界面之任一附近之故。在有機發光層32 /電 洞植入輸送層31的界面或有機發光層3 2/電子植入輸送層 33的界面之任一，激子選擇性地生成乃由電洞及電子的 植入平衡所支配之故，而依存於流動在有機電激發光元件 之電流的電流密度。 假設，對於同數之第1及第2螢光性攙雜劑乃存在於 有機發光層32/電洞植入輸送層31的界面及有機發光層 -15- 200948184 32 /電子植入輸送層33的界面的情況，激子的能量係選擇 性地移動於具有較Egl爲小之Eg2之第2螢光性攙雜劑。 做爲其結果5成爲第1螢光性攙雜劑乃未發光，第2螢光 性攙雜劑乃選擇性地發光者。以往係爲了解決其發光的不 均一，有必要做爲將具有小Eg2之第2螢光性攙雜劑的天 加料，控制爲相當微量者。 對此，在本發明之構成，有機發光層32/電洞植入輸 送層31的界面或有機發光層32/電子植入輸送層33的界 面係由主材料與第1螢光性攙雜劑所成之外層3 2a所形成 ，而未存在有第2螢光性攙雜劑。隨之，在兩界面之任一 產生之激子的一部分乃在外層3 2a中，賦予能量至第1螢 光性攙雜劑，使第1螢光性攙雜劑發光。另外，所生成之 激子的一部分係從外層32a擴散至內層32b，於存在於內 層32b之第2螢光性攙雜劑，賦予能量而使第2螢光性攙 雜劑發光。如以上，經由採取具有未含有第2螢光性攙雜 劑之2個外層32a與含有第2螢光性攙雜劑之內層32b的 構成之時，可平衡佳地使第1及第2螢光性攙雜劑之兩者 發光者。 如此，經由分離第1及第2螢光性攙雜劑發光的位置 之時，比較於將第2螢光性攙雜劑之添加量，遍佈於以往 之有機發光層全體均一地加以添加之情況，可增加1位數 。並且經由添加量增加之時，添加量的控制則變爲容易， 可改善第2螢光性攙雜劑之面內分布及群間格差者。即， 可控制有機電激發光元件之發光面內的發光亮度平衡及群 -16- 200948184 間的發光亮度平衡者。 加上，從於位置於或有機發光層32/電洞植入輸送層 31及有機發光層32/電子植入輸送層33的界面之2個外 層3 2a，未存在有第2螢光性攙雜劑者，可控制經由依存 於電流密度之激子的生成位置之變化的發光光譜之變化（ - 即，發光色的變化）者。在本發明之構成，即使在位置於 任一界面之外層32a生成激子，在該位置之外層32a中， 0 亦引起第1螢光性攙雜劑的發光，以及經由從外層32a擴 散至內層3 2b之激子而引起第2螢光性攙雜劑之發光之故 ，可得.到前述之作用效果。 構成有機電激發光層30之各層，即電洞植入輸送層 31，有機發光層32及電子植入輸送層33係可使用在蒸鍍 法等之該技術所知道之任意方法而形成者。構成有機發光 層32之外層32a及內層32b係例如可經由特定的共蒸鍍 而形成者。 e [實施例] • [實施例1] - 最初，使用濺鍍法，遍佈於玻璃基板的全面，堆積膜 厚200nm之IZO膜。接著’由使用光阻劑「OFPR-800」 (東京應化工業製）之光微影法’進行圖案化’得到具有 寬度2mm之條紋狀之透明的第1電極。 接著，將形成第1電極之玻璃基板，裝置於阻抗加熱 蒸鍍裝置內，形成由電洞植入層及電洞輸送層所成之電洞 -17- 200948184 植入輸送層。在成膜時，將真空槽內壓，減壓至lxl〇_4pa 。蒸鍍銅酞菁（CuPc)，形成膜厚l〇〇nin之電洞植入層 。並且，蒸鍍4,4’-雙[N-(l=萘基）-N-苯胺]聯苯（a-NPD)， 形成膜厚20nm之電洞植入層。 接著，作爲不破壞真空，於電洞植入輸送層之上方， 形成有機發光層。在本實施例中，做爲主材料，使用β-ADN ( Egh = 3.0eV )、作爲第1螢光性攙雜劑，使用 DPVBi ( Egl=2.8eV )、作爲第2螢光性攙雜劑，使用紅 螢烯（Eg2 = 2.5eV )。最初，共蒸鍍β-ADN及DPVBi，形 成膜厚15nm之第1外層。此時，將β-ADN的蒸鍍速度作 爲1.9A/S ’將DPVBi的蒸鍍速度作爲〇.iA/s。接著，共 蒸鍍β-ADN，DPVBi及紅螢烯，形成膜厚5nm之內層。 此時’將β-ADN及DPVBi的蒸鍍速度作爲與前述相同， 將紅螢烯之蒸鍍速度作爲O.lA/s。最後，使用與第1外層 同樣的條件，形成膜厚1 5nm之第2外層。所得到之外層 及內層中的第1螢光性攙雜劑（DPVBi )之含有量乃5體 積％，內層中之第2螢光性攙雜劑（紅螢烯）之含有量乃 〇 . 5體積％。 接著，作爲不破壞真空，於有機發光層之上方，蒸鎪 Alq3，形成膜厚20nm之電子植入輸送層。 接著，作爲不破壞真空，於電子植入輸送層之上方， 形成第2電極。使用得到延伸於與第1電極之條紋垂直交 叉的方向之寬度2nm之條紋狀之光罩，蒸鍍Mg/Ag(質量 比10Π)，得到具有200rim的膜後級2mm的寬度之條紋形 200948184 狀的第2電極（反射性）。 最後，將所得到之層積體，在無菌箱內之乾燥氮素環 境（氧濃度及水份濃度雙方同時爲lOppm以下），使用 密封玻璃及UV硬化型黏接劑而加以密封，得到有機電激 發光元件。 (比較例1 ) ^ 除了以以下的步驟進行有機發光層之形成者，重複實 施例1之步驟而得到有機電激發光元件。接著，於電洞植 入輸送層之上方，共蒸鍍P-ADN，DPVBi及紅螢烯，形成 膜厚35nm之有機發光層。此時，將β-ADN的蒸鍍速度作 爲1.9A/S，將DPVBi的蒸銨速度作爲O.lA/s，將紅螢烯 的蒸鍍速度作爲O.OOlA/s。所得到之有機發光層係含有5 體積％之第1螢光性攙雜劑（DPVBi)，及遍佈於層全體 均一地加以添加之0.05%之第2螢光性攙雜劑（紅螢烯） ❹ • (比較例2) . 除了將紅螢烯的蒸鍍速度作爲0.01 A/s者，重複比較 例1之步驟而得到有機電激發光層。所得到之有機發光層 係含有5體積％之第1螢光性攙雜劑（DPVBi )，及遍佈 於層全體均一地加以添加之0.05%之第2螢光性攙雜劑（ 紅螢烯）。 200948184 [評估] 採用實施例1，比較例1及比較例2的步驟，個製作 5組之有機電激發光元件。對於所製作之有機電激發光元 件，施加得到0 .1 A/cm2之電流密度的電壓，從玻璃基板 側觀測2mmx2mm之發光範圍，測定此時之發光亮度（測 定波長400〜70Onm)。求取5組之有機電激發光元件之測 定値之平均値，評估從平均値之各組之元件的測定値之不 均。將結果示於表1。 第1表：有機電激發光元件之群間不均 第2螢光性攙雜劑 不均 添加量（體積％) 添加位置 實施例1 0.5 唯內層 ±5% 比較例1 0.05 對全體均一 ±20% 比較例2 0.5 對全體均一 ±15% 另外，於圖2 (比較例1 )、圖3 (比較例2 )、以及 圖4 (實施例1 )，顯示於在實施例1、比較例1及比較 例2所得到之有機電激發光元件，流動各種之電流密度之 電流時之發光光譜。然而，圖2〜圖4中所示之個光譜係 將波長470nm之發光強度作爲1地加以規格化而顯示。 在此，將波長470nm附近及波長50 4nm附近作爲峰値之 發光乃經由第1螢光性攙雜劑（DPVBi)者，波長576nm 附近之發光乃經由第2螢光性攙雜劑（紅螢烯）者。更且 ，圖5係顯示電流密度與波長576nm之發光強度（以波 -20- 200948184 長4 70nm之發光強度規格化）之關係。 從圖3及圖5 了解到，將第2螢光性攙雜劑，以比較 大之添加量添加於有機發光層全體之比較例2的有機電激 發光元件係對應於電流密度之變化，其發光光譜產生大變 化，無法得到安定之發光特性。加上，如第1表所示，群 • 間不均亦爲不能說是可容許之位準。 另一方面，從圖2及圖5 了解到，將添加於有機發光 φ 層全體之第2螢光性攙雜劑的添加量，作爲縮小1位數之 比較例1的有機電激發光元件係電流密度即使產生變化， 其發光光譜的變化亦小，顯示安定之發光特性。但，第2 螢光性攙雜劑之添加量乃相當微量之故，如第1表所示， 群間的發光亮度之不均爲大。即，呈現具有安定之發光特 性之有機電激發光元件的大量生產乃困難之製造上的問題 點。 比較於前述之比較例的有機電激發光元件，將有機發 φ 光層，從內層及2個外層加以構成，將第2螢光性攙雜劑 ，只添加於內層之實施例1之有機電激發光元件係電流密 • 度即使產生變化’其發光光譜的變化亦小，顯示安定之發 光特性。另外’如第1表所示，了解到亦控制群間不均者 【圖式簡單說明】 [圖1]乃顯示有機電激發光元件之剖面圖。 [圖2]乃顯示比較例1之有機電激發光裝置元件之發 -21 - 200948184 光光譜之電流密度依存性的圖。 [圖3]乃顯示比較例2之有機電激發光裝置元件之發 光光譜之電流密度依存性的圖。 [圖4]乃顯示實施例1之有機電激發光裝置元件之發 光光譜之電流密度依存性的圖。 [圖5]乃顯示在實施例1 ’比較例1及比較例2之有 機電激發光裝置元件之5 76nm的發光光譜亮度之電流密 度依存性的圖表。 【主要元件符號說明】 10 :基板 20 :第1電極 3〇:有機電激發光層 31 :電洞植入輸送層 32 :有機發光層 3 2 a :外層 3 2b :內層 33:電子植入輸送層 40 :第2電極 -22-

Claims (1)

1. 200948184 七、申請專利範圍： 1·一種有機電激發光元件，爲包含第1電極、和含有 電洞植入輸送層、有機發光層及電子植入輸送層之有機電 激發光層、和第2電極的有機電激發光元件’其特徵乃 ' 前述有機發光層乃具有與前述電洞植入輸送層或前述 * 電子植入輸送層任一者接觸之二個之外層、和挾持於前述 二個之外層的內層； 0 前述二個外層乃由主材料及第1螢光性攙雜劑所構成 ，前述內層乃由主材料、第1螢光性攙雜劑及第2螢光性 攙雜劑所構成， 前述第1螢光性攙雜劑之能帶隙乃較前述第2螢光性 攙雜劑之能帶隙爲大。 2. 如申請專利範圍第1項之有機電激發光元件，其中 ，前述二個之外層各爲具有5nm以上之膜厚。 3. 如申請專利範圍第1項或第2項之有機電激發光元 〇 件，其中，前述外層乃經由主材料及第1螢光性攙雜劑之 共蒸鍍而形成’以及前述內層乃經由主材料、第1螢光性 * 攙雜劑及第2螢光性攙雜劑之共蒸鍍而形成者。 -23-