TW200928662A - Current mode logic circuit and control apparatus therefor - Google Patents

Description

200928662 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 * 本發明係關於一種電流模式邏輯電路’尤其係關於一種允許 ' 作業速度之動態控制之電流模式邏輯電路及其控制裝置。 【先前技術】 ' 「第1圖」所示係為電流模式邏輯電路之第一實例之電路圖。 ^ 「第1圖」之實例中，參考標號N1和N2分別表示第一和第二N 型金氧半導體電晶體，參考標號R1和R2表示電阻器，參考標號 . 1表示恒流源（constant-current source)。此外，參考標號取表示 連接第一 N型金氧半導體電晶體N1之閘極之輸入終端，參考標 號OUT表示連接第一 N型金氧半導體電晶體N1之源極之輸出終 端。參考標號REF表示參考電壓之輸入終端，參考標號d表示節 點。參考標號B1和B2分別表示第一和第二N型金氧半導體電晶 Ο 體见和N2之主體終端。電流模式邏輯電路之第一實例依照以下 '方式被配置，第一和第二N型金氧半導體電晶體N1和N2之主體 -終端B1和B2耦合它們對應之閘極終端。透過如此配置，透過降 低N型金氧半導體電晶體之閥值電壓，可完成低電壓作業。其間， 因為作為電壓差值Vsb之基板偏壓比較小，第一 N型金氧半導體 電晶體N1之閥值電壓被降低。因此，在電流模式邏輯電路中，降 低N型金氧半導體電晶體之閥值電壓可以允許電源供應電壓之降 低。就是說，透過分職合第一和第二N型金氧半導體電晶體m 6 200928662 和N2之主體終端B1和B2，n型金氧半導體電晶體之閥值電壓可 以被減少’從而實現低輕作業和高速度作業。 第2圖」所不係為另—電流模式邏輯電路之第二實例之電 路圖。第2圖」之實例中，參考標號ρι和p2分別表示第一和第 - P型金氧半導體電晶體，參考標號肥*肥分別表示第一和 第二型金氧半導體電晶體P1和p2之主體終端。參考標號⑴和 汜表不卽點。此外’參考標號m和N2分別表示第三和第四n 型金氧半導體電晶體。其他元件與「第i圖」所示之第一實例相 同。 如「第2圖」實例所示’電流模式邏輯電路之第二實例中， 第-實例之電雜式麟電路之電阻器R1和Μ分職p型金氧 半導體電晶體P1和P2替代。此外，第—和第二p型金氧半導體 電晶體P1和P2之主體終端BP1和Bp2齡於它們對應之汲極， 第一和第二P型金氧半導體電晶體ρι和？2之閘極被接地。電流 模式邏輯之第二實例賴以下被配置，這樣第—和第二p型 金氧半導體電晶體P1和P2之主體終端BP1和BP2耦合它們之對 應沒極，透過控制第一和第二P型金氧半導體電晶體P1和P2之 主體電壓，可控制導通電阻。這樣可以獲得高速作業。作業中， 如果低位準電壓被輸入至輸入終端IN，N型金氧半導體電晶體 N1變為處於關狀態，N型金氧半導體電晶體N2變為處於開狀 態。然後’節點dl處的電壓升高，而節點d2處的電壓降低。因 7 200928662 此，受基板偏壓之影響，第一 Ρ型金氧半導體電晶體Ρ1之主體電 壓下降，並且第一 ρ型金氧半導體電晶體P1之閥值電壓下降。因 此，第- ρ型金氧半導體電晶體P1之導通電阻下降，而輸出終端 OUT之電壓升高至電源供應電壓。 Ο Φ 另一方面，如果高位準電壓被供應至輸入終端m，N型金氧 半導體電晶體N1變為處於開狀態，N型金氧半導體電晶體犯變 為處於關狀態。然後’ P型金氧半導體電晶體？1之主體終端肥 處之主體電Μ升高，因此P型金氧半導體電晶體ρι之_電壓升 高，這樣P型金氧半導體電晶體P1之導通電阻升高。這使得輸出 終端響之輸出電壓降低。如上所述，電流模式邏輯電路之第二 實例依照以下方式被配置，P型金氧半導體電晶體ρι㈣之主 體終端肥和肥輕合於它們之對應沒極。透過此配置，ρ型金 氧半導體電晶體!^和1>2之閥值電壓升高，輸出終端⑽之輸 電壓降低，從而實現高作業速度。換言之，為了獲得高速作業， ::以下配置’作為負载之p型金氧半導體電晶體ρ;、 P2之主體終細和肥分別交讀合於輸出節點也和 而根據輸触S㈣ρ型錄铸㈣雜ρι和P2 壓。上述電流模式邏輯電路中，降低的閥電 但是因為雜之控制取祕輪 了實心速作業’ 作業速度之動態控制。輪入和輪出電壓’所以無法獲得 8 200928662 【發明内容】 實施例係關於一種電流模式邏輯電路。實施例係關於一種允 許作業速度之絲控制之電麟式賴電路及其控制裝置。 實施例係關於一種電流模式邏輯電路，透過控制電流模式邏 輯電路之組成電晶體之基體偏壓（基體偏壓）而控制泄露電流，

並且當其應用需要高速作業而非泄露電流時，還可以控制基體偏 壓’從而實現此高速作業。 依照實施例，電流模式邏輯電路包含至少以下其一。第一 n 型金氧半導體電晶體之祕輕合第—負載，第—N型金氧半導體 電晶體之閘_合輸轉端，其巾龍透過此輸人終端被輸入。 第二N型金氧半導體電晶體之汲極輕合第二負載，第二N型金氧 半導體電晶體之閘絲合輸人終端，其巾貞參考電壓透過此輸入 終端被應用。第三_金氧半導體電晶體之汲極耗合第一和第二 N型金乳半導體電晶體之每—源極，第三n型金氧半導體電晶體 之閘極輕合輪入終端’其中參考電壓透過此輸入終端被應用。依 照實施例，第-、第二以及第三N型金氧半導體電晶體之基體偏 壓被調整以控制N型金氧半導體電晶體之泄露電流和/或作業速 度。 μ 依照實施例’電流模式邏輯電路包含複數個電晶體並且控制 電晶體之絲碰啸魏晶體之城電流和/雜業速产，此 電流模式邏輯之控繼置包含至知下其―。魏模二邏輯 9 200928662 單兀電路’此測試電路驗減化電晶體之基體偏壓並 且_電雜式频電路之戦細峨。電縣理單元應用基 體偏壓至1體以回應電壓控制訊號。控㈣比較接收自測試電 路之測雄纽號無定性能參考值’並且據此提供電壓控制訊 號至電源管理單元，細比較結果_性能為止。 依照實施例，組成電流模式邏輯電路之電晶體之基體偏壓被

Z以控輸露電流，並且該财轉高勒#_泄露電流 #實現作業速度之動態控制， 【實施方式】 幻圖」表示實施例之電流模式邏輯電路之電路圖。請來 考第3圖」之例子’參考標號N1、N_3分別表示第一、第 一以及第三N型金氧半導體電晶體。參考標號RWR2表示第- 電關。參考職1合於第—N型金氧半導體電晶 ❹’體之閘極之輸入終端。參考標號細表示第三Ν型金氧半導 :體電晶體Ν3之參考電壓輸入終端。參考標號驗表示第二_ 金氧半導體電晶㈣之參考電壓輸入終端。參考標靠 Ρ well-ι之基體偏壓，參考標號 照實施例，電阻㈣和κ；^^2之基體雜。依 犯為電流源。 “载第^型金氧半導體電晶體 Ν1 200928662 R1 ’第一 N型金氧半導體電晶體N1之閘極耦合輸入終端以，其 中資料透過輸入終端IN被輸入。第二N型金氧半導體電晶體N2 之汲極耦合第二負載電阻器R2 ’第二N型金氧半導體電晶體N2 之閘極耦合輸入終端Refii ’其中負參考電壓透過輸入終端Refc被

輸入。第三N型金氧半導體電晶體N3之汲極耦合第一和第二N 型金氧半導體電晶體N1和N2之每一源極，第三n型金氧半導 體電晶體N3之閘極耦合輸入終端Ref，其中參考電壓透過輸入終 〇 端Ref被輸入。此配置中，基體偏壓VB2被應用至第一 N型金氧 半導體電晶體N1和第二N型金氧半導體電晶體N2之主體終端， 基體偏壓VB3被應用至第三N型金氧半導體電晶體N3之主體終 端。 依照實施例’ P well-〗和P well-2單獨且獨立地控制第一 N型 金氧半導體電晶體N1和第二N型金氧半導體電晶體N2之基體 ❹偏壓VB2以及第三N型金氧半導體電晶體N3之基體偏壓娜。 ••依照實施例，可以依照以下被設計，#由每一 p你咖和p 之獨立控制，透過控制第一 N型金氧半導體電晶體Νι、第二n 型金氧半導體電晶體犯和第j型金氧半導體電晶體犯之每一 閥值電壓，從而實現期望的速度作業。依照實施例，第—N型金 氧半導體電晶體m、第二N型金氧半導體電晶體N2和第三N 型金氧半導體電晶體N3之每一閥值電壓透過基體偏壓電壓之控 制而被控制為下降或升高。這可控制電路之作業速度。 11 200928662 「第4圖」表示實施例之電流模式邏輯電路之電路圖。「第4 ®」之例子中’參考標號N卜N2和N3分別表示第一、第二和第 三N型金氧半導體電晶體。參考標號ρι和p2分絲示第一和第 二P型金氧半導體電晶體。參考標號IN表示耦合第一 金氧半 導體電晶體N1之閘極之輸人終端。參考標號Ref表示參考電壓輸 _入終端。參考標號Refil表示第二N型金氧半導體f晶體N2之參 考龟壓輸入終％。參考標號表示第一和第二p型金氧半導體 ©電晶體Ρ1和1>2之參考電壓輸人終端。參考標號聰表示Nweii 之基體偏壓，參考標號VB2表示P well之基體偏壓。 依照實蝴，裝置包含第—和第^型金氧半導體電晶體ρι 和P2，第一和第二p型金氧半導體電晶體朽和p2之閘極耦合於 輸入、’、端Re^，其中正參考電壓透過輸入終端Re^被應用。第一 N里金氧半導體電晶體见之没極輕合第__p型金氧半導體電晶體 ◎ P1之源極H—N型金氧半導體電晶體见之閘極麵合輸入終端 .IN，其中資料透過輸人終端取被輪人。第二N型金氧半導體電晶 體N2之汲極耦合第二卩型金氧半導體電晶體p2之雜，第二n t金氧半導體電日日體N2之閘極輕合輸人終端Regj，負參考電壓 透過輸入終端Refo被應用。第型金氧半導體電晶體N3之没 極耦all N型金氧半導體電晶體nj和第二n型金氧半導體電 晶體N2之每-源極’第三N型金氧半導體電晶體N3之閘極耦合 輸入終端Ref ’其中參考電壓透過輸入終端Ref被應用。依照實施 12 200928662 例’基體偏壓VB1被應用至第一和第二p型金氧半導體電晶體pi 和P2之主體終端，基體偏壓VB2被輸入至第一、第二和第三N 型金氧半導體電晶體Nl、N2和N3之主體終端。 依照實施例，上述實施例之電流模式邏輯電路之負載電阻器 R1和R2 (請參考「第3圖」）分別被第一和第二P型金氧半導體 電晶體P1和P2代替。此外，負載第一和第二p型金氧半導體電 •晶體P1和P2排列於Nwell中，其基體偏壓仰1被增加以獨立地 ® 控制負載電阻。 依照實施例，N well控制第一和第二P型金氧半導體電晶體 P1和P2之基體偏壓VB1之電壓，而P wdl獨立地控制第一、第 二和第三N型金氧半導體電晶體w、N2和N3之基體偏壓聰 之電壓。依照實施例，N well和P well之各自獨立控制允許第一 和第二P型金氧半導體電晶體？1和！>2以及第一、第二和第三n ❹型金氧半導體電晶體N1、N2和N3之各自閥值電壓之控制，從 ， 而獲得局速作業。 「第5圖」表示實施例之電流模式邏輯電路之電路圖。「第5 圖」之例子中’參考標號Nl、N2和N3分別表示第一、第二和第 二N型金氧轉體電晶體。參考標號ρι和p2分別表示第一和第 - P型金氧半導體電晶體。此外，參考標號μ表福合第一 n 型金氧半導體電晶體N1之閘極之輸人終端。參考標號制表示第 二Ν型金氧半導體電晶細之參考電壓輸人終端。參考標號驗 13 200928662 表不第二N型金氡半導體電晶體N2之參考電壓輸入終端。參考 標號Re§>表示第一和第二P型金氧半導體電晶體ρι和p2之參考 電壓輸入終端。參考標號VB〗表示NweU之基體偏壓。參考標號 VB2表不p wen_i之基體偏壓，參考標號表示p weU_2之基 體偏壓。 依照實施例，裝置包含第一和第二P型金氧半導體電晶體ρι 和P2 ’第一和第二P型金氧半導體電晶體P1和P2之閘極耦合於 ©· 輸入終端Re^)，其中正參考電壓透過輸入終端尺6年被應用。裝置 更包含第一 N型金氧半導體電晶體N1，第一 N型金氧半導體電 晶體N1之汲極耦合第一 P型金氧半導體電晶體ρι之源極，第一 N型金氧半導體電晶體N1之閘極耦合輸入終端m，其中資料透 過輸入終端IN被輸入。 裝置還包含第二N型金氧半導體電晶體N2，第二N型金氧 ^ 半導體電晶體N2之沒極耦合第二P型金氧半導體電晶體P2之源 v極，第一 N型金氧半導體電晶體N2之閘極麵合輸入終端， 其中負參考電壓透過輸入終端Reg；!被應用。裝置更包含第三N型 金氧半導體電晶體N3，第三N型金氧半導體電晶體N3之汲極耦 合第一 N型金氧半導體電晶體N1和第二N型金氧半導體電晶體 N2之每一源極，第三N型金氧半導體電晶體N3之閘極耦合輸入 終端Ref ’其中參考電壓透過輸入終端Ref被應用。 依照實施例，基體偏壓VBi被應用至第一和第二p型金氧半 14 200928662 V體電體P1和P2之主體終端。基體偏壓γβ2被輸人第一和第 - Ν型金氧半導體電晶體N1和犯之主體終端。紐偏壓侧 被應用至第三N型金氧半導體電晶體N3之主體終端。實施例之 電抓模式邏輯電路中，上述實施例之電流模式邏輯電路之p減 被劃分為P well-Ι和p weu_2。 依照實施例’ N well控制第一和第二p型金氧半導體電晶體 P1和P2之基體偏壓簡之電壓。P well-Ι控制第一和第二㈣ 金氧半導體電晶體]ΝΠ和N2之基體偏塵VB2之電麼。1>讀_2控 制第一 N型金氧半導體電晶體N3之基體偏壓之電壓。就是 說’ N well、P wdH和p weU_2之各自獨立控制允許第一和第二p 型金氧半導體電晶體ΡΗσΙ>2以及第一、第二和第三_金氧半 導體電晶體m、Ν2和Ν3之各自閥值電壓之控制。這樣可獲得高 速作業。 μ ^ 「第6圖」表示實施例之電流模式邏輯電路之控制裝置之方 ；框圖。請參考「第6圖」，電流模式邏輯電路之控制裝置包含電流 模式邏輯單元no,電流模式邏解元⑽包含電流模式邏輯電路L ⑴和測試電路113，測試電路113初始化電流模式邏輯電路出 之基體偏壓。電流模式邏輯電路之控制裝置還包含電源管理單元 12〇 ’電源管理單元12〇應、用基體偏塵至電流模式邏輯電路出以 回應賴控綱號。錢模式邏輯電路讀崎置還包含控制器 ⑽，控制器13〇比較職電路13所制的電流模柄輯電路】11 15 200928662 之測試輸出訊號與預定的性能參數值’並且據此提供電壓控制訊 號至電源官理卓元（p〇wer management unit) 120 ’直到比較結果· 達到期望性能為止。 「第7圖」表示實施例之電流模式邏輯電路之控制裝置之作 業程序之流程圖。將參考「第6圖」和「第7圖」描述電流模式 ' 邏輯電路之控制程序。 • 依照實施例，如果電流模式邏輯電路之控制裝置進入測試模 ©* 式，測試電路113初始化電流模式邏輯電路in之n型金氧半導 體電晶體和P型金氧半導體電晶體之基體偏壓VB1、Y32及 VB3 ’以回應來自控制器13〇之控制訊號（步驟S2〇1)。或者，當 作業開始時，不考慮來自控制器13〇之控制訊號，測試電路113 完成基體偏壓之初始化。 接下來’控制器13〇比較測試電路113所偵測的電流模式邏 ❹ 輯電路Π1之測試輸出訊號與預定的性能參數值，並且據此提供 .電壓控制訊號至電源管理單元12〇，直到比較結果達到期望性能為 止。依照實施例，因為電流模式邏輯電路111之基體偏壓可以在 初始作業時被初始化，所以控制器130為電源管理單元12〇提供 用於基體偏壓應用之電壓控制訊號。 依照實施例，電源管理單元12〇透過電流模式邏輯電路m 之N型金氧半導體電晶體和p型金氧半導體電晶體之主體終端應 用基體偏壓’以回絲自控制器⑽之電壓控制訊號。然後，測 16 200928662 試電路ns _電流模式邏輯電路m之測試輪出訊號，並且將 其提供至控制器13〇。 控制器130比較測試電路113所偵測的電流模式邏輯電路出 ^測試輸出訊賴駭雜能參練，並且據此提供電壓控制訊 號至電源管理單元12G，直到比較結果翻期望性能為止。因此， 應用至電流模式邏輯電路111之基體偏壓電壓可以被調整（步驟 S203和S205)。依照實施例，透過調整基體偏壓電壓以降低或升 高閥值電壓’控制器控制組成電流模式邏輯電路iu之址成 電晶體之每電壓’從而控制電路之作業迷度。依照實施例， 步驟S203和S205重複地被完成，直到電流模式邏輯電路⑴達 到期望性能即期望時序和功率為止。 當電賴式邏輯 111之輪出特性達_雜能時，控制 器⑽發侧喊至電縣理單元m，贿持基體當前 正被制至電賴式賴· m，鎌電賴式麵電路出進 入正常模式，並且提供正常輸出（步驟S2〇7)。 依照實施例’當電流模式邏輯電路⑴之作業不被需要時， 透過電源管理單元12G之制，控制器BG最大化組成錢模式 雜電路111之每一電晶體之閥值電壓。這樣可以最小化泄露電 流。 雖然本發明之實_已_描述，但是可㈣觸是，本領 域之技術人員在本揭露原理之精神和範_，可做出多種其他的 200928662 修正和實施例。尤其地，各種更動與修正可能為本發明揭露、圖 式以及申請專利範圍之内主題組合排列之組件部和/或排列。除 了組件部和/或_之更動與修正之外，本領域技術人員明顯還 可看出其他使用方法。 【圖式簡單說明】 第1圖所示為電流模式邏輯電路之第一實例之電路圖； 第2圖所示為電流模式邏輯電路之第二實例之電路圖； 第3圖所示為實施例之電流模式邏輯電路之電路圖； 第4圖所示為實施例之電流模式邏輯電路之電路圖； 第5圖所示為實施例之電流模式邏輯電路之電路圖； 第6圖所不為實施例之電流模式邏輯電路之控制裝置之方塊 圖；以及 第7圖所示為實施例之電流模式邏輯電路之控制裝置之作業 程序之流程圖。 【主要元件符號說明】 110 111 113 120 130

Nl、N2 和]Sf3 電流模式邏輯單元 電流模式邏輯電路 測試電路 電源管理單元 控制器 N型金氧半導體電晶體 18 200928662

R1 ' R2 電阻器 I 恒流源 IN 輸入終端 OUT 輸出終端 REF 輸入終端 d 節點 B1 ' B2 主體終端 PI > P2 P型金氧半導體電晶體 BP1 和 BP2 主體終端 dl、d2 節點 Ref 參考電壓輸入終端 Refii 參考電壓輸入終端 VB1 > VB2 ' VB3 基體偏壓 Rcfp 參考電壓輸入終端

19

Claims (1)

1. 200928662 十、申請專利範圍： 1. 一種裝置，包含有： ， 一第一 N型金氧半導禮電晶體，包含搞^"一第一負載之一 . 汲極以及耦合一輸入終端之一閘極，其中該輸入終端用於接收 輸入資料； • 一第二N型金氧半導體電晶體，包含耦合一第二負載之一 汲極以及耦合一輸入終端之一閘極’其中一負參考電源透過該 0 輸入終端被應用；以及 一第三N型金氧半導體電晶體，包含耦合該第一和第二n 型金氧半導體電晶體之每一源極之一汲極以及耦合一輸入終 端之一閘極’其中一參考電壓透過該輸入終端被應用， 其中該第一、第二及第三N型金氧半導體電晶體之基體偏 壓被調整以控制該N型金氧半導體電晶體之一泄露電流和一 作業速度至少其一。 © 2·如請求項！所述之裝置，其中該第—_金氧半導體電晶體之 ^ 該汲極輕合一第一負載電阻器作為該第-負载，該第型金 氧半導體電晶體之該祕耗合—第二負载電阻器作為該第二 負載。 月求項1所述之裝置，其巾―第—基體偏壓被提供至該第一 第N里金氧半導體電晶體，並且其中一第二基體偏壓被提 供至該第三N型金氧半導體雷曰 4.如請求項3所述之裝置，其中該第一基體偏壓和該第二基體偏 20 200928662 壓獨立地被調整。 5·如請求項4所述之裝置，其中該第u型錄轉體電晶體包 含一電流源。 6. 如請求項4所述之裝置，其中該第一和第二金氧半導體電 晶體包含_第-PweU，該第三Μ金氧半導體電晶體包含一 第二 P well 〇 7. 如請求項1所述之裝置，更包含—第—p型金氧半導體電晶體 以及一第二P型金氧半導體電晶體，其中該第一 N型金氧半導 體電晶體之該汲極耗合該第一 P型金氧半導體電晶體之一源極 作為該第-貞載，鄕二]^型錄半報電晶叙該汲極耗合 該第二1>型金氧半導體電晶體之—雜作為該第二負載，該第 和該第一 P型金氧半導體電晶體之每―閘極编合一輸入終 端，該輸入終端用於提供一正參考電壓。 8. 如明求項7所述之裝置，其巾—第—基體偏壓被提供至該第一 和第一P型金氧半導體電晶體，其中一第二基體偏麼被提供至 該第一、第二以及第三N型金氧半導體電晶體。 9. 如請求項8所述之裝置，其中該第一基體偏壓和該第二基體偏 壓獨立地被調整。 10. 如明求項9所述之裝置，其中該第—和第二卩型金氧半導體電 晶體包含-Nwen，該第—、第二以及第三㈣金氧半導體電 晶體包令—P well。 21 200928662 '如，i所述之裝置，更包含一第—p型金氧半導體電晶體 σ -P型錢轉體電晶體，其巾該第—N㈣氧半導體 電晶體之該汲_合該第一 p型金氧半導體電晶體之一源極作 為該第-負载’該第二;^型金氧半導體電晶體之該沒極搞合該 第二p型金氧半導體電晶體之一源極作為該第二負載，該第一 和第二p型金氧半導體電晶體之每一閘極輕合-輸入終端，一 正參考電麼透過該輸入終端被應用，其中一第一基體偏壓被提 7至該第-和第二p型金氧半導體電晶體，—第二基體偏壓被 提供至該第-和第二N型金氧轉體電晶體，—第三基體偏壓 被提供第型金氧半導體電晶體。 1Z如請求項U所述之技，其中該第—、第二錢第三基體偏 壓獨立地被調整。 13.如請求項12所述之敍，其中該第—和第二p型金氧半導體 電曰曰體包含-Nwell，該第一和第二\型金氧半導體電晶體包 含一第一 PweU，該第三N型金氧半導體電晶體包含一第二p well 〇 14· 一種裝置，包含： 。-電流&式邏輯單元，包含—測試電路以及—電流模式邏 輯電路’該漁]試電路用於初始化至少兩健體偏壓以被提供至 複數個電晶體之指定電晶體，並且用於細該電流模式邏輯電 路之一測試輪出訊號； 22 200928662 -電源管理單元，用於細駐少兩個基體偏壓至該複數 個電晶體之該指定電晶體’以回應一電壓控制訊號；以及 一控制器’餘比健收自綱試電路之制試輸出訊號 ^狀聽參考值，並且提賴電馳做號麵電源管理 單元，直到該比較結果達到規定性能基準為止。 15.如赫項14所述之裝置，其巾#該電流模式邏輯電路之作業 不被要求時，5織制器透過該電源管理單元控制該至少兩個基 體偏壓卩最大化該複數個電晶體之每一闕值電壓，從而最小 化一泄露電流。 16·如請求項14職之裝置，其巾魏定性能基準包含期望時序 和期望功率至少其一。 17. 如請求項14所述之裝置，其巾當該比較結果達_規定性能 基準時，該控制器發送該電壓控制訊號至該電源管理單元，以 保持*則正被應用至該電流模式邏輯電路之至少兩個基體偏 壓之各自的值，並且該電流模式邏輯電路進入一正常模式。 18. 如晴求項14所述之裝置，其中該至少兩個基體偏壓包含一第 基體偏壓以及—第二基體偏壓，該第—基體偏壓以及該第二 基體偏壓獨立地被控制。 19. =請求項18所述之裝置，其中該第一基體偏壓被提供至該電 机模式邏輯電路之—P weU，該第二基體偏馳提供至該電流 模式邏輯電路之一 N well。 23 200928662 20.如請求項18所述之裝置，其中該至少兩個基體偏壓包含一第 三基體偏壓，該第三基體偏壓獨立地控制該第一基體偏壓以及 ' 該第二基體偏壓。

   24