TW200417278A - Organic electroluminescent device - Google Patents
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Description
200417278 玖、發明說明: (一) 發明所屬之技術領域 本發明係關於一種可將電能量轉化成光以造成發光之 發光裝置,特別是有機電發光裝置,及一種可適當地用於包 括顯不兀件、顯不器、內部照明、發光光源、記錄光源、暴 露光源、讀取光源、信號、信號板、內部、及光學通訊之領 域之有機EL裝置。 (二) 先前技術 近年來已進行關於有機電發光裝置(有機電發光裝置在 馨 本發明中有時稱爲「發光裝置」、「有機EL裝置」、或「 EL裝置」)之積極硏究及發展,因爲在低電壓驅動下得到 具高發光度之發光。有機EL裝置通常由具一發光層或多個 其間安置一發光層之有機層之相對電極組成。有機EL裝置 係利用得自發光層中自陰極注射之電子與自陽極注射之電 洞重組形成之激子之發光,或利用以上激子能量轉移形成之 其他分子之激子之發光。 包括陽極、陰極與有機化合物膜之有機發光裝置據稱爲 # 一種其中有機化合物膜包括電洞傳輸區域(包括電洞傳輸材 料)與電子傳輸區域(包括電子傳輸層),含電洞傳輸材料 與電子傳輸材料之混合區域提供於電洞傳輸區域與電子傳 輸區域間,及將可造成發射三重項激態紅光之材料加入混合 區域中之有機發光裝置(例如,參見JP-A-2002-305085號 專利)。然而,任何改良藍與綠色EL裝置之效率及耐久性 之裝置完全未被揭示。 -5- 200417278 (三)發明內容 本發明之目的爲提供一種具有良好發光效率及耐久性 之綠或藍色EL裝置。本發明之另一個目的爲提供一種在發 光層中使用指定化合物之具有良好發光效率及耐久性之綠 或藍色EL裝置。 以上之問題已如下而達成。 (1) 一種有機電發光裝置,其包括一對電極及其間包括一發 光層之至少一層有機層,其中發光層含至少一種電子注 射化合物/傳輸化合物、至少一種電洞注射化合物/傳輸 化合物、及至少一種綠或藍色磷光化合物;而且此電子 注射化合物/傳輸化合物與電洞注射化合物/傳輸化合物 各具有等於或大於綠或藍色磷光化合物之最小三重項 態激子能量値(値)。 (2) 如以上(1)所述之有機電發光裝置,其中電洞注射化合 物/傳輸化合物具有5 · 6電子伏特至6.1電子伏特之游離 電位能(Ip値)。 (3) 如以上(1)或(2)所述之有機電發光裝置,其中電子注射 化合物/傳輸化合物具有2.0電子伏特至3.5電子伏特之 電子親和力(E a値)。 (4) 如以上(1)至(3)任一所述之有機電發光裝置,其中綠或 藍色磷光化合物爲一種可經三重項態激態發光之過渡 金屬錯合物。 (5) 如以上(1)至(4)任一所述之有機電發光裝置,其中電子 注射化合物/傳輸化合物、電洞注射化合物/傳輸化合物 一 6- 200417278 、及綠或藍色磷光化合物各具有62仟卡/莫耳(2 5 9仟 焦/莫耳)或更大之値;及得自綠或藍色磷光化合物 之磷光具有不大於500奈米之λιη ax (最大發射波長)。 (6) 如以上(1)至(5)任一所述之有機電發光裝置,其中電涧 注射化合物/傳輸化合物爲經取代或未取代吡咯化合物 〇 (7) 如以上(6)所述之有機電發光裝置,其中經取代或未取 代肚略化合物係由以下式(1 )表不。 式⑴
在此式中,R11至R15各表示氫原子或取代基,及此取代 基可彼此鍵結形成環結構。 (8)如以上(7)所述之有機電發光裝置,其中式(1)係由以下 式(3)表示。 式(3)
在此式中,R32至R3 5各與R12至R15同義;L31表示連接 基;L3 2表示二或更多價連接基;η31表示2或更大之整 數;及η32表示0至6之整數。 (9)如以上(1)至(5)任一所述之有機電發光裝置,其中電子 注射/傳輸化合物爲一種含至少兩個氮原子之雜環化合 -7 - 200417278 (10)如以上(9)所述之有機電發光裝置,其中含至少兩個氮 原子之雜環化合物爲以下式(2)表示之化合物。 式⑵ R21——Ν
在此式中,R21表示氫原子或取代基;X21、X22、X23、 與X24各表示氮原子或經取代或未取代碳原子;及X21 、χ22、χ23、與X24至少之一表示氮原子。 (1 1)如以上(10)所述之有機電發光裝置,其中式(2)係由以下 式(4)表示。 式(4)
在此式中’ R41、R42、與R43各表示氫原子或取代基; L41表示連接基;η41表示2或更大之整數;l4 2表示二或 更多價連接基;及η42表示0至6之整數。 (12)如以上(10)所述之有機電發光裝置,其中式(2)係由以下 式(5)表示。 式⑸
在此式中,R 、R53、
與R 各表示氫原子或取代基; -8- 200417278 L51表示連接基;η51表示2或更大之整數;L52表示二或 更多價連接基;及η5 2表示0至6之整數。 (13) 如以上(4)所述之有機電發光裝置,其中可經三重項態 激態發光之過渡金屬錯合物爲至少一員選自銥錯合物 、鉑錯合物、銶錯合物、釕錯合物、鈀錯合物、毙錯合 物、及稀土錯合物。 (14) 如以上(1)至(13)任一所述之有機電發光裝置,其中有機 層具有至少三層電洞傳輸層、一發光層、與一電子傳輸 層,而且電子傳輸層具有5.9電子伏特或更大之ip値。 (15) 如以上(1)至(14)任一所述之有機電發光裝置,其中含於 發光層之電子注射/傳輸化合物爲與含於電子傳輸層不 同之化合物。 (16) 如以上(1)至(15)任一所述之有機電發光裝置,其中含於 發光層之電洞注射/傳輸化合物爲與含於電洞傳輸層不 同之化合物。 (17) 如以上(1)至(16)任一所述之有機電發光裝置,其中含於 發光層之電子注射/傳輸化合物爲在其配位子不含經取 Φ 代或未取代8-羥基喹啉酚之過渡金屬錯合物。 (18) 如以上(1)至(1 7)任一所述之有機電發光裝置,其中至少 一種含於發光層之電洞注射/傳輸化合物係由以下式(6) 表示。
-9- 200417278 在此式中’ R61、R62、與R63各表示取代基。η61至η63 各表示〇至5之整數。 (19)如以上(1)至(18)任一所述之有機電發光裝置,其中至少 一種含於發光層之電洞注射/傳輸化合物係由以下式(7) 表示。 (7)
在此式中,R7()至R79各表示氫原子、烷基、芳基、或在 彼此鍵結時形成烴環之基。 (2 0)如以上(1)至(19)任一所述之有機電發光裝置’其中至少 一種含於發光層之電子注射/傳輸化合物爲含氮六員環 化合物。 (21)如以上(20)所述之有機電發光裝置’其中3氮八貝環化 合物係由以下式(8)、式(9)、式(1〇)、或通式(11)表示。
R83
】至 R94、Rl〇l 至 R104 0- 及 R11.1 200417278 至R113各表示氫原子或取代基。 (22) 如以上(1)至(2 1)任一所述之有機電發光裝置,其中至少 一種含於發光層之電子注射/傳輸化合物爲含氮雜環化 合物,及至少一種電洞注射/傳輸化合物爲吡咯化合物 〇 (23) 如以上(1)至(21)任一所述之有機電發光裝置,其中至少 一種含於發光層之電子注射/傳輸化合物爲含氮雜環化 合物,及至少一種電洞注射/傳輸化合物爲三芳胺爲主 化合物。 (24) 如以上(1)至(21)任一所述之有機電發光裝置,其中至少 一種含於發光層之電子注射/傳輸化合物爲含氮雜環化 合物,及至少一種電洞注射/傳輸化合物爲烴爲主芳族 化合物。 (25) 如以上(1)至(21)任一所述之有機電發光裝置,其中至少 一種含於發光層之電子注射/傳輸化合物爲烴爲主芳族 化合物,及至少一種電洞注射/傳輸化合物爲三芳胺爲 主化合物。 (2 6)如以上(1)至(21)任一所述之有機電發光裝置,其中至少 一種含於發光層之電子注射/傳輸化合物爲烴爲主芳族 化合物,及至少一種電洞注射/傳輸化合物爲吡咯化合 物。 (2 7)如以上(1)至(2 6)任一所述之有機電發光裝置,其中發光 層具有至少一個電子注射/傳輸化合物與電洞注射/傳輸 化合物之堆疊層結構。 -11- 200417278 (28)如以上(1)至(26)任一所述之有機電發光裝置,其中發光 層含多個電子注射/傳輸化合物與電洞注射/傳輸化合物 之域結構。 (四)實施方式 本發明係關於一種有機發光裝置,其包括一對電極及其 間包括一發光層之至少一層有機層,其中發光層含至少一種 電子注射/傳輸化合物、至少一種電洞注射/傳輸化合物、及 至少一種綠或藍色磷光化合物;而且電子注射/傳輸化合物 與電洞注射/傳輸化合物各具有等於或大於綠或藍色磷光化 It 合物之最小三重項態激子能量値(値)。 此發光層含至少三種電子注射/傳輸化合物、電洞注射/ 傳輸化合物、及綠或藍色磷光化合物。各化合物不應彼此相 同(例如,此發光層不應由僅兩種化合物組成)。然而, 例如,這些化合物可爲包括具有作爲單體單位之各種功能之 骨架(化合物)之聚合物共聚物或寡聚物。例如,此發光層 可由功能爲注射/傳輸電子之單體單位及功能爲注射/傳輸 電洞之單體單位及發射磷光之化合物之共聚物組成。 # 發光層中各電子注射/傳輸化合物、電洞注射/傳輸化合 物、及綠或藍色磷光化合物之含量並未特別地限制,但是較 佳爲電子注射/傳輸化合物與電洞注射/傳輸化合物至少之一 爲主成分,而綠或藍色磷光化合物爲次成分。 在本發明之EL裝置中,較佳爲使用一層含具有5.9電 子伏特或更高(較佳爲6.0電子伏特或更高)游離電位能之 化合物,而且更佳爲一層在陰極與發光層之間,具有5.9電 -12- 200417278 子伏特或更高游離電位能之電子傳輸層。 本發明係關於一種包括一對電極及至少一層其間包括 一發光層之有機餍之有機發光裝置。此有機層較佳爲一層包 括至少兩層發光層與電子注射/傳輸層(此電子注射/傳輸層 係在陰極側排列)之有機層,而且更佳爲一層包括至少三層 電洞傳輸層、發光層、與電子傳輸層之有機層,此電子傳輸 層具有5.9電子伏特之Ip値。進一步較佳爲此電子傳輸層含 式(2)表示之化合物。 (電子注射/傳輸化合物) Φ 含於發光層之電子注射/傳輸化合物意指扮演在發光層 中注射及傳輸電子之角色之化合物。在將此化合物引入發光 層時,在某些情形下促成電子之注射或傳輸。 在此有其中視使用化合物之模式而定,特定化合物之功 能爲發光層中電子注射/傳輸化合物或電洞注射/傳輸化合物 之情形。例如,烴爲主芳族化合物在結合具高電子注射/傳 輸能力之化合物(例示爲含氮雜環化合物、金屬錯合物等) 使用時,其功能爲電洞注射/傳輸化合物,及在結合具高電 β 洞注射/傳輸能力之化合物(例示爲三芳胺化合物等)使用 時,其功能爲電子注射/傳輸化合物。 此電子注射/傳輸化合物較佳爲具有2.0電子伏特至3.5 電子伏特,更佳爲2.3電子伏特至3.4電子伏特,而且進一 步較佳爲2.5電子伏特至3.3電子伏特之電子親和力(Ea値 )° 發光層中電子注射/傳輸化合物之含量較佳爲5重量% -13- 200417278 至9 0重量%,更佳爲10重量%至85重量%,進一步較佳爲 1〇重量%至80重量%,而且特佳爲10重量%至75重量%。 電子注射/傳輸化合物之較佳實例包括金屬錯合物(如 各包括2_羥基苯基苯并咪唑配位子之鋁錯合物與鋅錯合物 ,其條件爲包括8-羥基瞳啉酚衍生物(如2-甲基-8-羥基喹 啉酚)作爲其配位子之錯合物較不佳)、含氮雜環化合物( 如吡唑衍生物、吡啶衍生物、與三阱衍生物)、有機矽化合 物(如矽唑衍生物、芳基矽烷衍生物)、及芳族烴化合物( 如苯、蒽、蒗)。這些化合物中,含至少兩個氮原子之雜環 化合物與金屬錯合物更佳;含至少兩個氮原子之雜環化合 物進一步較佳;而且以式(2)表示之化合物作爲含至少雨個 氮原子之雜環化合物較佳。亦可適當地使用JP-A-2002- 1 00476 號專利中所述之式(A-III)、(A-IV)、(A-V)、(A)、(A-a) 、(A-b)、(A-c)、(B-II)、(B-III)、(B-IV)、(B-V)、(B-VI) 、(B-VII)、(B-VIII)、與(B-IX)表示之化合物,及 JP-A-2000-302754號專利中所述之式(1)至(4)表示之化合物(其較 佳範圍敘述於 JP-A-2002-1 00476 號與 JP-A-2000-3 02 7 54 號 專利)。 式(2)敘述於下。R21表示氫原子或取代基。至於R2!上 之取代基,可計入下述R11所述之基。R21較佳爲烷基、芳 基、或雜芳基;更佳爲烷基或雜芳基;而且進一步較佳爲芳 基與含氮雜芳基。 X21、X22、X23、與X24各表示氮原子或經取代或未取 代碳原子。X21、X22、X23、與X24至少之一爲氮原子。至 -14- 200417278 於碳原子上之取代基,可計入下述R!2所述之基。其中院基 、芳基、與雜芳基較佳。 較佳爲X21爲經取代或未取代碳原子,X22爲氮原子, 及X23與X24各爲經取代碳原子。亦較佳爲X23與X24上之 取代基彼此鍵結形成芳環。 式(2)表示之化合物之較佳具體實施例爲式(4)或式(5) 表不之化合物;而且式(2)表示之化合物之更佳具體實施 例爲式(4 )表示之化合物。 式(4)敘述於下。R41、R42、與R43各表示氫原子或取 鲁 代基。至於取代基,例如,可計入下述R12所述之基。 R41較佳爲烷基、芳基、或雜芳基;更佳爲烷基或芳基 :而且進一步較佳爲烷基。 R42與RU各較佳爲烷基、芳基、雜芳基、或在彼此鍵 結時可形成芳環之基;而且更佳爲在彼此鍵結時可形成芳 環之基。 L41表示連接基。此連接基可爲聚烯、聚酯等之聚合物 主鏈(例如,其可形成聚乙烯基咪唑衍生物)。L41較佳爲 · 芳基連接基、雜芳基連接基、烷基連接基、或伸烷基聚合 物主鏈;更佳爲芳基連接基或雜芳基連接基;而且進一步 較佳爲含氮雜芳基連接基。 η41表示2或更大之整數。在其中L41不爲聚合物主鏈 之情形,η41較佳爲2至6,而且更佳爲3至4。在其中L41 爲聚合物主鏈之情形,η41爲對應聚合物主鏈之重複單位之 値(例如,在1 〇 〇員乙烯基苯并咪唑之情形,η41爲1 0 〇 ) - 1 5 _ 200417278 L42與η42係各與下述l3 2與η32同義,而且其較佳範圍 亦相同。 式(5)敘述於下。R52與R5 3各表示氫原子或取代基。至 於取代基,例如,可計入下述R12所述之基。 R52與R53各較佳爲烷基、芳基、雜芳基、或在彼此鍵 結時可形成芳環之基;更佳爲在彼此鍵結時可形成芳環之 基;而且進一步較佳爲在彼此鍵結時可形成含氮芳環之基 R54表示氫原子或取代基。至於取代基,例如,可計入 下述R11所述之基。R54較佳爲烷基、芳基、或雜芳基;更 佳爲院基或芳基;而且進一步較佳爲烷基。 L51、L52、n51、與 η52 係各與以上 L41、L42、η41、與 η42同義,而且其較佳範圍亦相同。 至於本發明之電子注射/傳輸化合物,含氮六員環形化 合物亦較佳。無特別之限制,此含氮六員環形化合物包括, 例如,吡啶、吡畊、嘧啶、嗒畊、三畊、及包括這些環之縮馨 合環化合物(喹啉、喹噚啉等)。含氮六員單環化合物更佳 〇 至於含氮六員環形化合物,式(8)至(11)表示者較佳,式 (8)、(10)、與(11)表示者更佳,式(8)與(11)表示者仍更佳, 而且式(11)表示者特佳。 以下解釋式(8)至(11)。R81至R85、R91至r94、RlQ1至 R '及Rl11至Rl 13各表示氫原子或取代基。至於此取代基 200417278 ’可提及下示R1 1解釋者。此取代基可彼此鍵結形成縮合環 結構(例示爲苯縮合環、吡啶縮合環等)。 1181至R85、^^至R94、…。,至Rl〇4、及尺…至Rll3各 較佳爲表不氫原子、院基、芳基、雜芳基、氟原子、與胺基 。其中,氫原子、烷基、雜芳基更佳。 此外,作爲本發明之電子注射/傳輸化合物,JP-A-2002-3 5 6489號專利所述之式⑴與(II)所表示及JP-A-2002-3 3 8 5 7 9號專利所述之式(I)所表示之含氮5-或6-員環形化合 物較佳。這些化合物之較佳範圍及化合物實例敘述於JP-A-2002-356489 號及 JP-A-2002-338579 號專利中。 (電洞注射/傳輸化合物) 含於發光層之電洞注射/傳輸化合物意指扮演在發光層 中注射及傳輸電洞之角色之化合物。在將此化合物引入發光 層時,在某些情形下促成電洞之注射或傳輸。 在此有其中視使用化合物之模式而定,特定化合物之功 能爲發光層中電洞注射/傳輸化合物或電子注射/傳輸化合物 之情形。例如,烴爲主芳族化合物在結合具高電子注射/傳 輸能力之化合物(例示爲含氮雜環化合物、金屬錯合物等) 使用時,其功能爲電洞注射/傳輸化合物,及在結合具高電 洞注射/傳輸能力之化合物(例示爲三芳胺化合物等)使用 時,其功能爲電子注射/傳輸化合物。 此電洞注射/傳輸化合物較佳爲具有5 · 6電子伏特至6.1 電子伏特,更佳爲5.7電子伏特至6.1電子伏特,而且進一 步較佳爲5.7電子伏特至6.0電子伏特,而且特佳爲5.8電 200417278 子伏特至6.0電子伏特之Ip値(游離電位能)。 發光層中電洞注射/傳輸化合物之含量較佳爲1 0重量% 至95重量%,更佳爲15重量%至90重量%,進一步較佳爲 30重量%至85重量%,而且特佳爲30重量%至80重量%。 電洞注射/傳輸化合物之較佳實例包括烴爲主芳族衍生 物(如苯衍生物、蒽衍生物、與蒗衍生物)、吡唑衍生物( 如吡唑衍生物、吲哚衍生物、與咔唑衍生物)、及氮呼衍生 物(如三苯并氮呼衍生物)。這些化合物中,吡唑衍生物更 佳,而且式(1)表示之化合物進一步較佳。 式(1)敘述於下。R11至R15各表示氫原子或取代基,及 此取代基可彼此鍵結形成環結構(如苯環與吡啶環)。R11 表示之取代基之實例包括烷基(較佳爲具1至30個碳原子 ,更佳爲1至20個碳原子,而且特佳爲1至1〇個碳原子, 如甲基、乙基、異丙基、第三丁基、正辛基、正癸基、正十 六碳基、環丙基、環戊基、與環己基)、烯基(較佳爲具2 至30個碳原子,更佳爲2至20個碳原子,而且特佳爲2至 10個碳原子,如乙烯基、烯丙基、2-丁烯基、與3-戊烯基 )、炔基(較佳爲具2至30個碳原子,更佳爲2至20個碳 原子,而且特佳爲2至10個碳原子,如炔丙基與3-戊炔基 )、芳基(較佳爲具6至30個碳原子,更佳爲6至20個碳 原子,而且特佳爲6至12個碳原子,如苯基、對甲基苯基 、萘基、與蒽基)、醯基(較佳爲具1至30個碳原子,更 佳爲1至20個碳原子,而且特佳爲1至12個碳原子,如乙 醯基、苯甲醯基、甲醯基、與三甲基乙醯基)、磺醯基(較 -1 8 - 200417278 佳爲具1至30個碳原子,更佳爲1至20個碳原子,而且特 佳爲1至12個碳原子,如甲磺醯基與甲苯磺醯基)、雜環 基(較佳爲具1至30個碳原子,而且更佳爲1至12個碳原 子,其中雜原子之實例包括氮原子、氧原子、與硫原子,如 咪唑基、吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、六氫吡啶基、 嗎啉基、苯并噚唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、咔唑基、 與氮呼基)、及矽烷基(較佳爲具3至40個碳原子,更佳 爲3至30個碳原子,而且特佳爲3至24個碳原子,如三甲 基矽烷基與三苯基矽烷基)。這些取代基可進一步經取代。 鲁 R12至R15表示之取代基包括以下取代基A之一。 (取代基A ) 實例包括烷基(較佳爲具1至30個碳原子,更佳爲1 至20個碳原子,而且特佳爲1至1〇個碳原子,如甲基、乙 基、異丙基、第二丁基、正辛基、正癸基、正十六碳基、環 丙基、環戊基、與環己基)、烯基(較佳爲具2至30個碳 原子,更佳爲2至20個碳原子,而且特佳爲2至1〇個碳原 子,如乙烯基、烯丙基、2-丁烯基、與3-戊烯基)、炔基( 馨 較佳爲具2至30個碳原子,更佳爲2至20個碳原子’而且 特佳爲2至1 〇個碳原子,如炔丙基與3 -戊炔基)、芳基( 較佳爲具6至30個碳原子,更佳爲6至20個碳原子,而且 特佳爲6至12個碳原子,如苯基、對甲基苯基、萘基、與 蒽基)、胺基(較佳爲具〇至30個碳原子,更佳爲0至20 個碳原子,而且特佳爲0至10個碳原子,如胺基、甲胺基 、二甲胺基、二乙胺基、二苄胺基、二苯胺基、與二甲苯胺 - 1 9 - 200417278 基)、烷氧基(較佳爲具1至30個碳原子,更佳爲1至20 個碳原子,而且特佳爲1至10個碳原子,如甲氧基、乙氧 基、丁氧基、與2 -乙基己氧基)、芳氧基(較佳爲具6至30 個碳原子,更佳爲6至20個碳原子,而且特佳爲6至12個 碳原子,如苯氧基、1-萘氧基、與2-萘氧基)、雜環氧基( 較佳爲具1至30個碳原子,更佳爲1至20個碳原子’而且 特佳爲1至1 2個碳原子,如吡啶氧基、吡唑氧基、嘧啶氧 基、與喹啉氧基)、醯基(較佳爲具1至30個碳原子,更 佳爲1至20個碳原子,而且特佳爲1至12個碳原子’如乙 鲁 醯基、苯甲醯基、甲醯基、與三甲基乙醯基)、烷氧基羰基 (較佳爲具2至30個碳原子,更佳爲2至20個碳原子,而 且特佳爲2至12個碳原子,如甲氧基羰基與乙氧基羰基) 、芳氧基羰基(較佳爲具7至30個碳原子,更佳爲7至20 個碳原子,而且特佳爲7至12個碳原子,如苯氧基羰基) 、醯氧基(較佳爲具2至30個碳原子,更佳爲2至20個碳 原子,而且特佳爲2至10個碳原子,如乙醯氧基與苯甲醯 氧基)、醯基胺基(較佳爲具2至30個碳原子,更佳爲2 ® 至20個碳原子,而且特佳爲2至10個碳原子,如乙醯基胺 基與苯甲醯基胺基)、烷氧基羰基胺基(較佳爲具2至30 個碳原子,更佳爲2至20個碳原子,而且特佳爲2至12個 碳原子,如甲氧基羰基胺基與乙氧基羰基胺基)、芳氧基羰 基胺基(較佳爲具7至30個碳原子,更佳爲7至20個碳原 子,而且特佳爲7至12個碳原子,如苯氧基羰基胺基)、 磺醯基胺基(較佳爲具1至30個碳原子,更佳爲1至20個 -20 - 200417278 碳原子,而且特佳爲1至12個碳原子,如甲擴醯基胺基與 苯磺醯基胺基)、胺磺醯基(較佳爲具0至30個碳原子’ 更佳爲〇至20個碳原子,而且特佳爲〇至12個碳原子’如 胺磺醯基、甲胺磺醯基、二甲胺磺醯基、與苯胺磺醯基)、 胺甲醯基(較佳爲具1至30個碳原子,更佳爲1至20個碳 原子,而且特佳爲1至12個碳原子,如胺甲醯基、甲基胺 甲醯基、二乙基胺甲醯基、與苯基胺甲醯基)、烷硫基(較 佳爲具1至30個碳原子,更佳爲1至20個碳原子’而且特 佳爲1至12個碳原子’如甲硫基與乙硫基)、芳硫基(較 © 佳爲具6至30個碳原子,更佳爲6至20個碳原子’而且特 佳爲6至I2個碳原子,如苯硫基)、雜環硫基(較佳爲具1 至30個碳原子,而且更佳爲1至12個碳原子,如吡啶硫基 、2 -苯并咪唑硫基、2 -苯并噚唑硫基、與2 -苯并噻唑硫基) 、磺醯基(較佳爲具1至30個碳原子,更佳爲1至20個碳 原子,而且特佳爲1至12個碳原子,如甲磺醯基與甲苯磺 醯基)、亞磺醯基(較佳爲具1至30個碳原子,更佳爲1 至20個碳原子,而且特佳爲1至12個碳原子,如甲亞磺醯 ® 基與苯亞磺醯基)、脲基(較佳爲具1至30個碳原子,更 佳爲1至20個碳原子,而且特佳爲1至12個碳原子,如脲 基、甲脲基、與苯脲基)、磷酸醯胺基(較佳爲具1至30 個碳原子,更佳爲1至20個碳原子,而且特佳爲1至12個 碳原子,如二乙磷酸醯胺基、與苯磷酸醯胺基)、羥基、氫 硫基、鹵素原子(如氟原子、氯原子、溴原子、與碑原子) 、氛基、硫基、殘基、硝基、氧§5酸基、亞礦基、餅基、亞 -2 1- 200417278 胺基、雜環基(較佳爲具1至30個碳原子’而且更佳爲1 至12個碳原子,其中雜原子之實例包括氮原子、氧原子、 與硫原子,如咪唑基、吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、 六氫吡啶基、嗎啉基、苯并噚唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑 基、咔唑基、與氮呼基)、矽烷基(較佳爲具3至40個碳 原子,更佳爲3至30個碳原子,而且特佳爲3至24個碳原 子,如三甲基矽烷基與三苯基矽烷基)、及矽烷氧基(較佳 爲具3至4〇個碳原子,更佳爲3至30個碳原子,而且特佳 爲3至24個碳原子,如三甲基矽烷氧基與三苯基矽烷氧基 參 )°這些取代基可進一步經取代。 R11較佳爲烷基、芳基、或雜芳基,而且更佳爲烷基或 芳基。
Rl2至R15各較佳爲氫原子、烷基、或可彼此鍵結形成 苯環之基。式(1)表示之化合物較佳爲經取代或未取代吲哚 或經取代或未取代咔唑。 式(1)表示之化合物較佳爲式(3)表示之化合物。 式(3)敘述於下。R32至R35各與以上之:^2至同義,€1 而且其較佳範圍亦相同。 L 表示連接基。此連接基可爲聚烯、聚酯等之聚合物 主鍵(例如,其可形成聚乙烯基咪唑衍生物)。較佳爲 方基連接基、雜芳基連接基、烷基連接基、胺基連接基( n 3 2較住@伞一 1主爲袠不1或更大之整數)、或伸烷基聚合物主鏈, 而且更佳爲芳基連接基、胺基連接基(η32較佳爲表示〖或 更大之整數)、或伸烷基主鏈。 -22- 200417278 L32表示二或更多價連接基。L32較佳爲伸烷基、伸芳基 、雜伸芳基、氧連接基、羰基連接基、或胺基連接基,而且 更佳爲伸烷基或伸芳基。 η31表示2或更大之整數。在其中η31爲複數之情形, 多個含氮雜環基可爲相同或不同。在其中L31不爲聚合物 主鏈之情形,η31較佳爲2至6,而且更佳爲3至4。在其 中L31爲聚合物主鏈之情形,η31爲對應聚合物主鏈之重複 單位之値(例如,在100員乙烯基咔唑之情形,η31爲100 )。 ❿ η3 2表示0至6,較佳爲0至3,更佳爲0至1之整數 。在其中η32爲複數之情形,多個L32’s可爲相同或不同。 電子注射/傳輸化合物及電洞注射/傳輸化合物各較佳 爲具有.100°C至500 °C,更佳爲110°C至300。(:,而且進一步 較佳爲1 2 0 °C至2 5 0 °C之玻璃轉移溫度。 至於作爲電洞注射/傳輸化合物之三芳胺衍生物,式(6) 表不者較佳。 式(6)解釋於下。R61、R62、與R63各表示取代基。至於 β 取代基,可提及上述R11所述之基。兩個取代基可彼此鍵結 形成環形結構。R61、R62、與R63各表示烷基、芳基 '雜芳 基、烯基、烷氧基、與胺基。其中,烷基、芳基、與雜芳基 更佳’而且芳基(例如,苯基、萘基、菲基、三伸苯基、四 伸苯基等)、雜芳基(例如,吡啶基、吡唑基、嘧啶基、三 口井基 '苯并咪唑基、苯并噚唑基、噚二唑基等)仍更佳。 η6 ^ η62、與η6 3各表示〇至5之整數,而1至5較佳且 -23~ 200417278 1至3更佳。在其中、n62、與n63爲2至5之情形,多個 R61、R62、與R63可彼此相同或不同。 至於式(6)表示之三芳胺衍生物,單胺衍生物(其在分 子中具有僅一個三芳胺結構)較佳。 至於作爲電洞注射/傳輸化合物之烴爲主芳族化合物, 式(7 )表示之化合物較佳。 以下解釋式(7)。 R7Q與R71各表示烷基、芳基、及在彼此鍵結時可形成 烴環(例如,萘環、菲環、三伸苯環、四伸苯基環等)之基 鲁 。這些取代基可進一步具有取代基(如以上R11所解釋者) 〇 各R7°與R7i較佳爲氫原子、芳基、或在彼此鍵結時可 形成烴環之基。特別地,較佳爲R7()與R71至少之二、或R7Q 與ru至少一對爲在彼此鍵結時可形成烴環之基。 (綠或藍色磷光化合物) 用於本發明之綠或藍色磷光化合物(在本說明書中有時 僅稱爲「磷光化合物」)表示在含於EL裝置之發光層時, ® 因在一對電極間施加電場之來自電子注射/傳輸化合物及/或 電洞注射/傳輸化合物之能量轉移而發射綠或藍色磷光之化 合物。雖然綠或藍色磷光化合物並未特別地限制,可使用可 同時發射螢光者。在含於EL裝置之發光層時,相較於自有 機EL裝置之發光層發射之螢光強度具有2或更多倍磷光強 度之化合物較佳。這些化合物中’具有10或更多倍磷光強 度或更多倍磷光強度者更佳’而且具有100或更多倍磷光強 -24- 200417278 度或更多倍磷光強度者進一步較佳。 發射綠或藍色磷光表示磷光發光之峰波長在400奈米 至590奈米之間,較佳爲410奈米至570奈米之間,更佳爲 410奈米至560奈米之間,而且仍更佳爲420奈米至550奈 米之間。· 在本發明中,作爲磷光化合物,可發射螢光之過渡金屬 錯合物較佳;銥錯合物、鉑錯合物、銶錯合物、釕錯合物、 鈀錯合物、铑錯合物、及稀土錯合物更佳;銥錯合物與鉑錯 合物進一步較佳;正碳金屬化銥錯合物特佳;而且具有二 氟苯基吡啶配位子之正碳金屬化銥錯合物最佳。JP-A-2002-235076、JP-A-2002- 1 70684號專利、及日本專利申請 案2001-239281與2001-248165號所述之具有二氟苯基吡啶 配位子之正碳金屬化銥錯合物亦較佳。 此外,亦可使用發射藍至綠光之磷光化合物,其敘述於 各種專利文獻,包括US 6303238 Bl、US 6097147號專利、 WO 00/57676、WO 00/70655、WO 01/08230、WO 01/39234 A2 、WO 01/41512 Al、WO 02/027 14 A2、WO 02/1 5645 A1 號 專利、JP-A-2 00 1 -2478 5 9號專利、日本專利申請案 2000-3 3 5 6 1號、日本專利申請案200 1 - 1 8 95 3 9號、日本專利申請 案200 1-248165號、日本專利申請案2001-33684號、日本 專利申請案2001-239281號、日本專利申請案2001-219909 號、EP 1211257 號專利、:iP-A-2002-226495、JP-A-2002-2348 94 、 JP-A-20 0 1 -247 8 5 9 、JP-A-20 0 1 -29 8 47 0 、JP-A-2002-173674、 JP-A-2002-203678、 JP-A-2002-203679 號專利 200417278 等。 在本發明中,發光層中磷光化合物之濃度較佳爲1重量 %至30重量%,更佳爲2重量%至20重量%,而且進一步較 佳爲3重量%至15重量%。 關於藍色電發光裝置,得自本發明EL裝置之磷光化合 物之磷光較佳爲具有350奈米至500奈米,更佳爲400奈米 至500奈米,而且進一步較佳爲420奈米至500奈米之λιη ax (最大發射波長)。 關於藍色電發光裝置,在本發明之EL裝置中,較佳爲 馨 本發明之電子注射/傳輸化合物、電洞注射/傳輸化合物、及 磷光化合物各具有62仟卡/莫耳或更高之1^値,及得自本發 明磷光化合物之磷光具有3 5 0奈米至5 00奈米之λιη ax(最大 發射波長);更佳爲本發明之電子注射/傳輸化合物、電洞 注射/傳輸化合物、及磷光化合物各具有63仟卡/莫耳或更高 之L値,及得自本發明磷光化合物之磷光具有3 5 0奈米至 490奈米之λιη ax (最大發射波長);進一步較佳爲本發明之 電子注射/傳輸化合物、電洞注射/傳輸化合物、及磷光化合 ® 物各具有64仟卡/莫耳或更高之Tl値,及得自本發明磷光化 合物之磷光具有3 5 0奈米至4 8 0奈米之Xmax(最大發射波長 );而且特佳爲本發明之電子注射/傳輸化合物、電洞注射/ 傳輸化合物、及磷光化合物各具有65仟卡/莫耳或更高之L 値’及得自本發明磷光化合物之磷光具有350奈米至475奈 米之Xmax (最大發射波長)(作爲參考,1仟卡/莫耳可轉 換成4· 1 84仟焦/莫耳)。 -26- 200417278 關於本發明EL裝置之綠色電發光裝置,較佳爲電子注 射/傳輸化合物、電洞注射/傳輸化合物、及磷光化合物各具 有53仟卡/莫耳或更高之Τι値,及得自本發明磷光化合物之 磷光具有590奈米或更短之^max(最大發射波長);更佳爲 電子注射/傳輸化合物、電洞注射/傳輸化合物、及磷光化合 物各具有55仟卡/莫耳或更高之1\値,及得自本發明磷光化 合物之磷光具有570奈米或更短之Xmax(最大發射波長); 仍更佳爲電子注射/傳輸化合物、電洞注射/傳輸化合物、及 磷光化合物各具有56仟卡/莫耳或更高之八値,及得自本發 馨 明磷光化合物之磷光具有5 60奈米或更短之Xmax(最大發射 波長);而且特佳爲電子注射/傳輸化合物、電洞注射/傳輸 化合物、及磷光化合物各具有5 7仟卡/莫耳或更高之T 1値, 及得自本發明磷光化合物之磷光具有550奈米或更短之 Xmax (最大發射波長)。 本發明磷光化合物之磷光壽命(在室溫)並未特別地限 制’但是較佳爲1毫秒或更短,更佳爲1 00微秒更短,而且 仍更佳爲1 0微秒更短。 本發明之式(1)至(5)表示之化合物各可爲低分子量化合 物或可爲寡聚物化合物或聚合物化合物(重量平均分子量( 還原成聚苯乙烯)較佳爲1,〇〇〇至5,000,000,更佳爲2,000 至1,000,000,而且進一步較佳爲3,000至100,000)。在聚 合物化合物之情形,各式(1)至(5)之結構可含於聚合物主鏈 中或可含於聚合物側鏈中。在聚合物化合物之情形,聚合物 化合物亦可爲同元聚合物或共聚物。 -27- 200417278 其次,本發明化合物之指定實例示於以下;但是其不應 視爲限制本發明。
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-33 200417278
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-3 5- 200417278 B-15
B-16
-36- 200417278
37- 200417278
38- 200417278
-39- 200417278
-40- 200417278
41 - 200417278
-42- 200417278
-43- 200417278
4 4 200417278
重量平均分子量(還原成聚苯乙烯):21,100
重量平均分子量(還原成聚苯乙烯):14,000 -45- 200417278
重量平均分子量(還原成 聚苯乙烯):84, 000
重量平均分子量(還原成 聚苯乙烯):100.000 B — 5 9
重量平均分子量(還原成 聚苯乙烯):14, 000
重量平均分子量(還原成 聚苯乙烯):71,000 B — 6 2 B — 6 1
重量平均分子量(還原成 聚苯乙烯)·· 32, 000
重量平均分子量(還原成 聚笨乙烯):110,000
-46 - 200417278 B-64
B-63 0¾ 重量平均分子量(還原成 聚苯乙烯):35,000 0¾ 重量平均分子量(還原成 B-65
聚苯乙烯):26, 000 B—66
B-68
-47- 200417278 C-1 G-2
-48- 200417278
Oil 012
-49- 200417278 c 一 17 018
-50- 200417278
-5 1- 200417278 (本發明之EL裝置) 以下敘述本發明之EL裝置。本發明之EL裝置關於系 統、驅動方法、及用法具體實施例並未特別地限制。 本發明EL裝置之有機化合物層之形成方法並未特別地 限制。實例包括電阻加熱蒸氣沈積法、電子束法、噴鍍法、 分子層壓法、塗覆法(如噴塗、浸塗、浸漬、輥塗、凹版塗 覆、反相塗覆、輥刷塗覆、空氣刀塗覆、簾塗、旋塗、流動 塗覆、棒塗、微凹版塗覆、空氣刮刀塗覆、輪葉塗覆、擠塗 、轉移輥塗覆、貼塗、鑄塗、擠製塗覆、網棒塗覆、與網塗 )、噴墨法、印刷法、及轉移法。考量特性及製造,以上之 中以電阻加熱蒸氣沈積法、塗覆法、與轉移法較佳。 本發明之EL裝置爲一種其中在一對陽極與陰極之電極 間形成一發光層或含一發光層之多層有機化合物膜之裝置 。除了發光層,本發明之EL裝置可具有電洞注射層、電洞 傳輸層、電子注射層、電子傳輸層、及保護層。這些層亦各 可同時具有其他功能。在形成各層時,可使用各種材料。 本發明之EL裝置可以各種已知手段改良取光效率。其 可藉由改良取光效率而增強外部量子效率,例如,藉以下之 手段:處理撐體之表面組態(例如,形成細微之凹凸圖樣) ,控制撐體、ITO層與有機層之折射率,調節撐體、ITO層 與有機層之厚度等。 本發明之EL裝置可爲所謂之上發光型,其中發射之光 係取自陰極側。 用於本發明EL裝置之撐體材料並未特別地限制,而且 200417278 包括無機材料,如經氧化鉻安定釔、玻璃等,巨分子量材料 ’如聚酯(例示爲聚(對酞酸伸乙酯)、聚(對酞酸伸丁醋 )、聚(萘甲酸伸乙酯)等)、聚乙烯、聚碳酸酯、聚醚碾 '聚烯丙酯、烯丙基二甘醇碳酸酯、聚醯亞胺、聚環烯烴、 降冰片烯樹脂、聚(氯三氟乙烯)、鐵氟龍、聚四氟乙烯_ 聚乙烯共聚物等。 本發明之有機電發光裝置可組合使用單線激子爲主之 藍色電發光裝置。 依照本發明之有機電發光裝置之發光層可包括至少一 H 個電子傳輸化合物與電洞傳輸化合物之堆疊結構。發光層中 ’可存在其他型式之層結構。堆疊層數量較佳爲2至50,更 佳爲4至30,而且仍更佳爲6至20。 各組成堆疊層結構之層之厚度並未特別地限制,而且較 佳爲0.2奈米至20奈米,更佳爲0.4奈米至15奈米,仍更 佳爲0.5奈米至10奈米,而且特佳爲1奈米至5奈米。 在本發明有機電發光裝置之發光層中,各電子傳輸化合 物與電洞傳輸化合物可具有多個域結構。此發光層可進一步 ® 含其他型式之域結構。此個別域之大小較佳爲0.2奈米至10 奈米,更佳爲0.3奈米至5奈米,仍更佳爲0.5奈米至3奈 米,而且特佳爲〇·7奈米至2奈米。 陽極將電洞進料至電洞注射層、電洞傳輸層、發光層等 之中。至於陽極,可使用金屬、合金、金屬氧化物、導電性 化合物、或其混合物。其中,具有4電子伏特或更高之作業 函數之材料較佳。指定實例包括導電性金屬氧化物’如氧化 -53- 200417278 錫、氧化鋅、氧化銦、與氧化銦錫(ITο);金屬,如金、銀 、鉻、與鎳;以上金屬與導電性金屬氧化物之混合物或層壓 物;無機導電性物質,如碘化銅與硫化銅;有機導電性材料 ,如聚苯胺、聚噻吩、與聚吡咯;及其與ΙΤΟ之混合物或層 壓物。其中導電性金屬氧化物較佳,而且由生產力、高導電 性、與透明度之觀點,ΙΤΟ特佳。雖然可依照材料適當地選 擇陽極之膜厚,通常其較佳爲10奈米至5微米,更佳爲50 奈米至1微米,而且進一步較佳爲100奈米至500奈米之範 圍。 至於陽極,使用形成於基材(如鹼石灰玻璃、無鹼玻璃 、與透明樹脂)上之層。在使用玻璃之情形,關於材料品質 ’爲了減少自玻璃溶離之離子,較佳爲使用無鹼玻璃。在使 用鹼石灰玻璃之情形,亦較佳爲使用其上提供如矽石之屏障 塗料者。此基材之厚度並未特別地限制,只要其足以保持機 械強度。在使用玻璃之情形,通常使用具有0.2毫米或更大 ,而且較佳爲0.7毫米或更大之厚度者。 至於陽極之製備,依照材料可使用各種方法。例如,在 ΙΤΟ之情形,膜形成係藉由電子束法、噴鍍法、電阻加熱蒸 氣沈積法、化學反應法(如溶膠法)、塗覆氧化銦錫分散液 等進行。 在陽極中,可藉淸洗或其他處理降低裝置之驅動電壓及 增強發光效率。例如,在ΙΤΟ之情形,UV-臭氧處理、電漿 處理等爲有效的。 陰極將電子進料至電子注射層、電子傳輸層、發光層等 一 54- 200417278 之中,而且考量相鄰層(如電子注射層、電子傳輸層、與發 光層)對陰極之黏著性、游離電位能、安定性等而選擇。至 於陰極之材料,可使用金屬、合金、金屬鹵化物、金屬氧化 物、導電性化合物、或其混合物。指定實例包括鹼金屬(如 Li、Na、與K)或其氟化物、鹼土金屬(如Mg與Ca)或其 氟化物、金、銀、鉛、鋁、鈉-鉀合金、或其混合金屬、鋰-銘合金或其混合金屬、錢-銀合金或其混合金屬、及稀土金 屬(如銦與鏡)。其中,具有不超過4電子伏特之作業函數 之材料較佳;而且鋁、鋰-鋁合金或其混合金屬、及鎂-銀合 金或其混合金屬更佳。除了以上化合物或混合物之單層結構 ,陰極亦可爲含以上化合物或混合物之層壓物結構。例如, 如鋁/鋰氟化物及鋁/鋰氧化物之層壓物結構較佳。雖然可依 照材料適當地選擇陰極之膜厚,通常其較佳爲10奈米至5 微米,更佳爲50奈米至1微米,而且進一步較佳爲100奈 米至1微米之範圍。 至於形成陰極,可使用電子束法.、噴鍍法、電阻加熱蒸 氣沈積法、塗覆法、轉移法等。單一金屬可以蒸氣沈積,或 二或更多種成分可同時蒸氣沈積。此外,可使多種金屬同時 接受蒸氣沈積而形成合金電極。亦可將已事先製備之合金蒸 氣沈積。較佳爲陽極與陰極之片電阻低,而且較佳爲小於數 百Ω/Ε] ( Ω/平方)。 至於發光層之材料,可使用可形成在施加電場時具有不 僅可注射來自陽極或電洞注射層或電洞傳輸層之電洞,亦可 注射來自陰極或電子注射層或電子傳輸層之電子之功能,具 200417278 有轉移所注射電荷之功能,或具有可提供電洞與電子重組場 而造成發光之功能之層之任何材料。本發明化合物以外之材 料之實例包括苯并噚唑、苯并咪唑、苯并噻唑、苯乙烯基苯 、聚苯、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、萘醯亞胺、異丙苯 、褒、perinone、曙二哩、醛連氮、pyrralizine、環戊二嫌 、貳苯乙烯基蒽、喹吖啶、吡咯吡啶、噻二唑吡啶、環戊二 烯、苯乙烯胺、芳族二亞甲基化合物、8-喹啉酚金屬錯合物 或稀土錯合物代表之各種金屬錯合物、聚合物化合物(如聚 噻吩、聚伸苯基、與聚伸苯基伸乙烯)、有機矽烷、銥参苯 · 基吡啶錯合物、鉑卟啉錯合物代表之可發射磷光之過渡金屬 錯合物·、及其衍生物。雖然發光層之膜厚並未特別地限制, 通常其較佳爲1奈米至5微米,更佳爲5奈米至1微米,而 且進一步較佳爲10奈米至500奈米之範圍。
發光層之形成方法並未特別地限制。實例包括電阻加熱 蒸氣沈積法、電子束法、噴鍍法、分子層壓法、塗覆法、噴 墨法、印刷法、L B法、及轉移法。這些方法中,電阻加熱 蒸氣沈積法與塗覆法較佳。 I 發光層可爲單層或多層,而且各層造成發光度彼此不同 之發光。例如,可造成白色發光。白色發光可由單一發光層 發射。 至於電洞注射層與電洞傳輸層之材料,可使用具有注射 來自陽極之電洞之功能、傳輸電洞之功能、或阻礙自陰極注 射之電子之功能任何之一之任何材料。指定實例包括咔唑、 三唑、噚唑、噚二唑、咪唑、聚芳基烷屬烴、吡唑啉、吡唑 -56- 200417278 畊、伸苯二胺、芳基胺、經胺基取代查酮、苯乙烯基i、苐 酮、肼、二苯乙烯、矽氮烷、芳族三級胺化合物、苯乙烯基 胺化合物、芳族二亞甲基爲主化合物、卟啉爲主化合物、導 電性高分子寡聚物(如聚矽烷爲主化合物、聚乙烯基咔 唑、苯胺爲主共聚物、噻吩寡聚物、與聚噻吩)、有機矽烷 、碳膜、本發明之化合物、及以上化合物之衍生物。雖然電 洞注射層及電洞傳輸層之膜厚並未特別地限制,通常其較佳 爲1奈米至5微米之範圍,更佳爲5奈米至1微米之範圍, 而且進一步較佳爲10奈米至5 00奈米之範圍。各電洞注射 層與電洞傳輸層可具有由一或二或更多種以上材料製成之 單層結構,或可具有包括多層相同調配物或彼此不同調配物 之多層結構。 電洞注射層與電洞傳輸層之形成方法之實例包括真空 沈積法、LB法、塗覆以上電洞注射/傳輸材料於溶劑中之溶 液或分散液之方法、噴墨法、印刷法、及轉移法。在塗覆法 之情形,電洞注射/傳輸材料可隨樹脂成分一起溶解或分散 。樹脂成分之實例包括聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚 甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸丁酯、聚酯、聚碾、聚環氧 苯、聚丁二烯、聚(N-乙烯基咔唑)、烴樹脂、酮樹脂、苯 氧基樹脂、聚醯胺、乙基纖維素、聚乙酸乙烯酯、ABS樹脂 、聚胺甲酸酯、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、醇酸樹脂 、環氧樹脂、與聚矽氧樹脂。 至於電子注射層與電子傳輸層之材料,可使用具有注射 來自陰極之電子之功能、傳輸電子之功能、或阻礙自陽極注 -57- 200417278 射之電子之功能任何之一之任何材料。指定實例包括三畊、 噚唑、噚二唑、咪唑、莽酮、蒽氫醌二甲烷、蒽酮、二苯基 醒、二氧化硫呢喃、碳化二醯亞胺、亞莽基甲院、二苯乙嫌 基哌畊、萘、芳環四羧酸酐(如藶)、金屬錯合物(如酞氰 與8 -喹啉酚衍生物之金屬錯合物,及含金她酞氰、苯并曝唑 、或苯并噻唑作爲配位子之金屬錯合物所代表)、有機矽烷 、及以上化合物之衍生物。雖然電子注射層及電子傳輸層之 膜厚並未特別地限制,通常其較佳爲1奈米至5微米之範圍 ,更佳爲5奈米至1微米之範圍’而且進一步較佳爲1〇奈 · 米至500奈米之範圍。各電子注射層及電子傳輸層可具有由 一或二或更多種以上材料製成之單層結構,或可具有包括多 層相同調配物或彼此不同調配物之多層結構。 電子注射層與電子傳輸層之形成方法之實例包括真空 沈積法、L Β法、塗覆以上電子注射/傳輸材料於溶劑中之溶 液或分散液之方法、噴墨法、印刷法、及轉移法。在塗覆法 之情形,電子注射/傳輸材料可隨樹脂成分一起溶解或分散 。樹脂成分之實例包括以上電洞注射/傳輸層所計之樹脂。 φ 至於保護層之材料,可使用具有阻礙易促成裝置降解之 物質(如水與氧)進入裝置中之功能之任何材料。指定實例 包括金屬(如 In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、與 Ni) 、金屬氧化物(如 MgO、SiO、Si02、Al2〇3、GeO、NiO、
CaO、BaO、Fe203、Y2 0 3、與 Ti02)、金屬氟化物(如 MgF2 、LiF、A1F3、與 CaF2 )、氮化物(如 SiNx 與 SiOxNy )、聚 乙烯、聚丙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醯亞胺、聚脲、聚四 - 58- 200417278 氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚二氯二氟乙烯、氯三氟乙烯與二 氯二氟乙烯之共聚物、藉由共聚合乙烯與至少一種共單體之 單體混合物得到之共聚物、在共聚合主鏈中具環形結構之含 氟共聚物、具1 %或更大之吸水係數之吸水物質、及具不超 過1 %之吸水係數之防水物質。 保護層之形成方法並未特別地限制。實例包括真空蒸氣 沈積法、噴鍍法、反應性噴鑛法、MBE (分子束外延)法、 團簇離子束法、離子電鍍法、電漿聚合法(高頻離子電鍍法 )、電漿CVD法、雷射CVD法、熱CVD法、氣體來源CVD φ 法、塗覆法、印刷法、及轉移法。 實例 本發明在以下參考實例而詳述,但是其不應視爲限制本 發明。
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lr 3 G-1 (lr(ppy)3)
CHa PBD 實例
使用具有25毫米x 25毫米x 〇·7毫米之大小之玻璃基 材作爲透明支撐基材,其上15〇奈米厚之it 〇( T〇ky〇 Sany〇 Vacuum Co.,Ltd.製造)接受膜形成。將此透明支撐基材倉虫 刻及淸洗。在此ITO玻璃基材上旋塗Baytron P( Bayer AG製 造之PEDOT-PSS (聚乙烯二氧基噻吩-聚苯乙烯磺酸摻雜材 料)分散液,然後在1 〇〇°C真空乾燥1小時,因而提供電洞 傳輸層(膜厚:約100奈米)。將40毫克作爲電洞傳輸化 合物之之聚-N-乙烯基咔唑(PVK)、1毫克之磷光化合物G-1 (Ir(ppy)3)、及6毫克之電子傳輸化合物ET-1溶於3.8克之 氯仿中,及將此溶液旋塗於以上之基材上(膜厚:約5 0至 -60- 200417278
Topcon Corporation製造之發光計BM-8測量發光度’及使 用Hamamatsu Photonics K.K.製造之光譜分析儀PMA-11測 量發光波長與CIE色度座標。外部量子效率係基於依照發光 還原法所得之數値而計算。得到之結果歸納於下表。
一 62- 200417278 i嗽 Μ 00 00 r-H 卜 (N g 外部量子效率 (%) 00 VO o σ\ vd CN On cn· t—H 啤(^ 键米 r—H r-H CS VD 寸 (N VO 寸 電子傳輸層 ET-2 ET-2 ET-2 ET-1 ET-1 發光層 電子傳輸材料 r-H έ ET-2 ET-1 Q OQ PL, 客化合物 r-H ό 0 1—4 6 <N o (N o 主化合物 PVK J PVK PVK PVK PVK 實例1 實例2 比較例1 實例3 比較例2 200417278 此外,各化合物之L能量程度値室於下表。 表2 _ 化合物 卩含量(仟卡/莫耳) ET-1 68 ET-2 60 - PBD 55 PVK 65 G-1 60 "" G-2 65 奮例4 =
使實例3之裝置及比較例1之裝置各以3 00 cd/平方米 發光且測量發光半生期。實例3之裝置具有比較例i之裝置 之約2倍之半生期。 眚例5 : Ο 將丁卩0(1>^’-二苯基-11^-二(鄰甲苯基)聯苯胺) 以50奈米之厚度蒸氣沈積於ITO基材上,其上然後以36奈 米之厚度共同地蒸氣沈積A-10 (本發明之化合物,1\ = 65仟 卡/莫耳)及ET-1 (本發明之化合物)與G-2 (本發明之化 合物,T1 = 65仟卡/莫耳),其重量比例爲65/3 5。進一步將 ΕΤ-1 (本發明之化合物)以36奈米之厚度蒸氣沈積於其上 。以如實例1之相同方式蒸氣沈積陰極而製備裝置。評估之 結果爲’以12%之外部量子效率得到ELmax==465 奈米之藍 色發光。 實例6 : 以如實例1之相同方式製備裝置,除了使用Β-68( 1^ = 60 仟卡/莫耳)取代ΕΤ-1及使用G-1取代G-1,然後評估。結 果’以18%之外部量子效率得到ELmax = 5 2 0奈米之綠色發 -64- 200417278 光。 比較例3 : 將40毫克之PVK、12毫克之PBD、及丨毫克之g-1 (T,6 0仟卡/莫耳)溶於2.5毫升之二氯甲烷中,及將此溶 液旋塗於IΤ Ο基材上(在2,0 〇 〇 r p m 2 0秒)。以如實例1 之相同方式蒸氣沈積陰極而製備裝置。評估之結果爲,以3 % 之外部量子效率得到ELmax==515奈米之綠色發光。 比較例4 : 使用綠色發光材料G -1取代J P - A - 2 0 0 2 - 3 0 5 0 8 5號專利 之實例3所述之紅色EL裝置之紅色磷光材料(PtOEP)而製備 裝置。將酞氰銅以20奈米之厚度蒸氣沈積於IT0基材上, 其上然後以30奈米之厚度蒸氣沈積a-NPD(N,N’-二苯基-N,N’-二(a-萘基)聯苯胺)。此外,將BAlq2 (貳(8-羥基 -2-甲基喹啉基)_聯苯氧基-鋁錯合物,T,不超過55仟卡/ 莫耳)、a-NPD(Ip = 5.5電子伏特,不超過57仟卡/莫耳 )、及G-1以20/8 0/4之重量比例共同地蒸氣沈積於其上。 進一步將BAlq2W 10奈米之厚度蒸氣沈積於其上,其上然 後以40奈米之厚度蒸氣沈積Alq (参(8-羥基喹啉基)鋁錯 合物)。然後以如實例1之相同方式蒸氣沈積陰極而製備裝 置。評估之結果爲,以6%之外部量子效率得到ELmax = 5 15 奈米之綠色發光。 比較JL1: 以如比較例4之相同方式製備裝置,除了使用藍色發光 材料G-2取代G-1,然後評估。結果爲,以3%之外部量子 -65- 200417278 效率得到ELmax = 465奈米之藍色發光。 比較例6 = 將酞氰銅以1〇奈米之厚度蒸氣沈積於經淸洗ITO基材 上,其上以50奈米之厚度蒸氣沈積NPD。然後在NPD層上 以3 6奈米之厚度蒸氣沈積本發明化合物之一,質量比例1 7 : 1 之仟卡/莫耳)與Ir(ppy)3 ( Ί\ = 60仟卡/莫耳) 。此外,在此層上以36奈米之厚度蒸氣沈積本發明化合物 之一,ΕΤ-2 ( 1^ = 60仟卡/莫耳)。然後以如實例1之相同方 式蒸氣沈積陰極而製備裝置。評估之結果爲,以5%之外部 量子效率得到ELmax = 515奈米之綠色發光。
以如比較例6之相同方式製備裝置,其使用質量比例 1 :1之本發明化合物之混合物A-2 8(電子注射/傳輸化合物, 1 = 65仟卡/莫耳)與C-12 (電洞注射/傳輸化合物,T1 = 62 仟卡/莫耳)取代CBP。如此製備之裝置之評估結果爲,得 到ELmax = 5 15奈米之源自Ir(ppy)3之綠色發光。而且得到 5%之外部量子效率。評估在5 00 cd/平方米之操作耐久性而 得到爲比較例6裝置之約4倍之衰減半生期。 實例8 : 以如比較例6之相同方式製備裝置,其使用質量比例 1 : 1 0之ET-2 (電子注射/傳輸化合物)與CBP (電洞注射/ -66- 200417278 傳輸化合物)之混合物取代CBP。如此製備之裝置之評估結 果爲,得到ELmax = 515奈米之源自Ir(PPy)3之綠色發光。而 且得到7%之外部量子效率。評估在50〇 cd/平方米之操作耐 久性而得到爲比較例6裝置之約3倍之衰減半生期。 實例9 : 以如比較例6之相同方式製備裝置,其使用質量比例 1:1之C-18 (電子注射/傳輸化合物,T1==65仟卡/莫耳)與 C-12 (電洞注射/傳輸化合物,T,62仟卡/莫耳)之混合物 取代CBP。如此製備之裝置之評估結果爲,得到ELmax = 515 奈米之源自Ir(ppy)3之綠色發光。而且得到6%之外部量子 效率。評估在500 cd/平方米之操作耐久性而得到爲比較例6 裝置之約兩倍之衰減半生期。 實例1 0 : 以如比較例6之相同方式製備裝置,其使用質量比例 1:2之C-2 2 (電子注射/傳輸化合物,1\ = 68仟卡/莫耳)與 C-12 (電洞注射/傳輸化合物,1\ = 65仟卡/莫耳)之混合物 取代CBP。如此製備之裝置之評估結果爲,得到ELmax = 515 奈米之源自Ir(ppy)3之綠色發光。而且得到7%之外部量子 效率。評估在5 00 cd/平方米之操作耐久性而得到爲比較例6 裝置之約3倍之衰減半生期。 實例1 1 : 將酞氰銅以10奈米之厚度蒸氣沈積於經淸洗ITO基材 上,其上以50奈米之厚度蒸氣沈積NPD。在如此製備層上 以1奈米之厚度蒸氣沈積質量比例17:1之本發明化合物C- -67- 200417278 12(電洞注射/傳輸化合物’ τι = 6〇仟卡/莫耳)與ir(ppy)3 。然後以1奈米之厚度蒸氣沈積質量比例17:1之A-28 (電 子注射/傳輸化合物,Τ^65仟卡/莫耳)與Ir(ppy)3。將此循 環重複18次而提供約36奈米厚之發光層。藉由在此發光層 上以36奈米之厚度蒸氣沈積ET-2而以如比較例6之相同方 式製備裝置。如此製備之裝置之評估結果爲,得到 ELmax = 515奈米之源自Ir(PP3〇3之綠色發光。而且得到8% 之外部量子效率。評估在5 00 cd/平方米之操作耐久性而得 到爲比較例6裝置之約5倍之衰減半生期。 由以上之結果可注意到,相較於其中將PBD加入發光 層及其中發光層僅含兩種化合物之裝置,依照本發明之裝置 (其中將具高L之電子傳輸材料加入發光層)具有高外部 量子效率。其中調節能量程度之依照本發明之裝置亦可以高 效率發光度實現發射藍及/或綠光。 依照本發明可提供可實現發射綠或藍光,具有高發光度 與高外部量子效率,而且具有優良耐久性之發光裝置。 本申請案係基於2002年12月27日提出之日本專利申 請案JP-2002-381014號、及2003年12月8日提出之日本專 利申請案JP-2003-4 09 1 83號,其全部內容在此倂入作爲參考 ,如同完全敘述。 -68-
Claims (1)
- 200417278 拾、申請專利範圍: 1· 一種有機電發光裝置,其包括: 一對電極;及 在此一對電極間之至少一層有機層,此至少一層有機層包 括一發光層, 其中發光層含至少一種電子注射化合物/傳輸化合物、至 少一種電洞注射化合物/傳輸化合物、及至少一種綠或藍 色磷光化合物;而且此電子注射化合物/傳輸化合物與電 洞注射化合物/傳輸化合物各具有等於或大於綠或藍色磷 光化合物之最小三重項態激子能量値。 2 ·如申請專利範圍第1項之有機電發光裝置,其中電洞注射 化合物/傳輸化合物具有5.6電子伏特至6.1電子伏特之游 離電位能。 3 ·如申請專利範圍第〗項之有機電發光裝置,其中電子注射 化合物/傳輸化合物具有2·〇電子伏特至3·5電子伏特之電 子親和力。 4·如申請專利範圍第1項之有機電發光裝置,其中綠或藍色 磷光化合物爲一種可經三重項態激態發光之過渡金屬錯 合物。 5 ·如申請專利範圍第1項之有機電發光裝置,其中電子注射 化合物/傳輸化合物、電洞注射化合物/傳輸化合物、及綠 或監色憐光化合物各具有62仟卡/莫耳或更大之τ!値; 及侍自綠或藍色磷光化合物之憐光具有不大於奈米 之 λ m a X ° -69- 200417278 6 ·如申請專利範圍第丨項之有機電發光裝置,其中電洞注射 化合物/傳輸化合物爲經取代或未取代吡咯化合物。 7 .如申請專利範圍第6項之有機電發光裝置,其中經取代或 未取代吡略化合物係由式(1)表示: (1)其中R11至R15各表示氫原子或取代基,及此取代基可彼 此鍵結形成環結構。 8 ·如申請專利範圍第7項之有機電發光裝置,其中式(1 )係 由式(3)表示: (3)其中R32至R35各表示氫原子或取代基,及此取代基可彼 此鍵結形成環結構;L31表示連接基;L3 2表示二或更多價 連接基;η31表示2或更大之整數;及η32表示〇至6之整 數。 9·如申請專利範圍第丨項之有機電發光裝置,其中電子注射 /傳輸化合物爲一種含至少兩個氮原子之雜環化合物。 1 0 .如申請專利範圍第9項之有機電發光裝置,其中含至少 兩個氮原子之雜環化合物爲式(2)表示之化合物: -70- 200417278其中R21表示氫原子或取代基;X21、X22、X23、與X24各 表示氮原子或經取代或未取代碳原子;及χ21、χ22、χ23 、與X24至少之一表示氮原子。 11.如申請專利範圍第10項之有機電發光裝置,其中式(2) 係由式(4)表不: (4)其中R41、R42、與R43各表示氫原子或取代基;L41表示連 接基;η41表示2或更大之整數;L42表示二或更多價連接 基;及η42表示0至6之整數。 1 2 .如申請專利範圍第1 〇項之有機電發光裝置,其中式(2) % 係由式(5)表示: (5)其中R52、R53、與R54各表示氫原子或取代基;L51表示 連接基;η51表示2或更大之整數;L52表示二或更多價連 接基;及η52表示0至6之整數。 -71 - 200417278 柒、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:第(無)圖。 (二) 本代表圖之元件代表符號簡單說明: 捌、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式:⑩ (1)-4-
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