TR201807606T4 - Detektör. - Google Patents
Detektör. Download PDFInfo
- Publication number
- TR201807606T4 TR201807606T4 TR2018/07606T TR201807606T TR201807606T4 TR 201807606 T4 TR201807606 T4 TR 201807606T4 TR 2018/07606 T TR2018/07606 T TR 2018/07606T TR 201807606 T TR201807606 T TR 201807606T TR 201807606 T4 TR201807606 T4 TR 201807606T4
- Authority
- TR
- Turkey
- Prior art keywords
- electron
- anode
- substrate
- face
- charge
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 46
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 8
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 5
- 230000003416 augmentation Effects 0.000 claims description 4
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2921—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras
- G01T1/2935—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions; Radio-isotope cameras using ionisation detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/045—Position sensitive electron multipliers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/06—Electrode arrangements
- H01J43/12—Anode arrangements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/29—Measurement performed on radiation beams, e.g. position or section of the beam; Measurement of spatial distribution of radiation
- G01T1/2914—Measurement of spatial distribution of radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/49—Pick-up adapted for an input of electromagnetic radiation other than visible light and having an electric output, e.g. for an input of X-rays, for an input of infrared radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
Bir elektron çoğaltıcısı için bir detektör, aşağıdakileri içermektedir: bir yalıtkan malzeme içeren substrat (102), substratın birinci yüze (110) ve karşılıklı ikinci yüze (108) sahip olduğu; substratın (102) birinci yüzüne (110) bitişik sağlanan bir yük toplayıcısı (122); substratın (102) içinde bir anot (104a-d), yük toplayıcısına (122) indüklenen yükün anot (104a-d) üzerinde bir görüntü yükü oluşturması için, anodun (104a-d) kapasitif halde yük toplayıcısı (122) ile eşlendirildiği, birinci yüzden (110) mesafelendirilen anot; ve anot (104a-a) ile eşlendirilmiş ve substratın (102) içinden substratın (108) ikinci yüzüne (108) geçen bir kanal kontağı (106a-d).
Description
TARIFNAME
DETEKTÖR
Bu bulus bir detektör ile ilgilenmektedir. Özellikle, ama münhalelolmamak üzere, bulus bir
elektron çogaltlîlîilçin bir detektör ve elektron detektörünü içeren bir elektron çogaltlElîile
ilgilenmektedir.
Elektron çogaltlîllârlîtek elektronlar. veya kuanta veya taneciklerin varllgillîlalg llâmak için
kullanllâbilmektedir. Sekil 2 önceki teknige göre bir elektron çogaIt-IJZOO) çapraz kesimli
bir sekilde göstermektedir.
Genellikle, bir elektron çogaltlEElJZOO) yan duvarlar (204), bir ön kapak (206) ve bir arka
kapak (208) taraflEUan tanIiIanan bir oda (202) içermektedir. Ön kapak (206) çogaIt-I
(200) algllâmaslîilçin tasarlandlgllîlluanta veya tanecige geçirgen olmaktadlîl
Oda ( içermektedir. Çlgl
mekanizmasII (210) ön güzüne gelen tek bir elektron (212) emilir ve arka yüzden bir
elektron çlgJII (214) yayllÜiasIßaglamaktadlEl
Elektron çogaltEllârElQOO) gelen elektronlarlÇI kuanta veya diger tanecikleri dogrudan
algllâmak için kullanllâbilmektedir. Çig] mekanizmasE(210) bir elektron, kuanta veya diger
tanecigin emilmesine cevap olarak bir elektron ç[gil:lbaslatabilmektedir. Örnegin, elektron çlglü
elektronlarlEl, pozitif yüklü veya negatif yüklü iyonlarI veya fotonlarlEl emilmesine cevap
olarak baslatllâbilmektedir.
Alternatif bir sekilde, Sekil 2'de gösterildigi gibi, elektron çogaltlElgEQOO) bir dönüstürücü
(216) içerebilmektedir. Dönüstürücü (216) ön yüzünden bir gelen kuanta veya tanecik (218)
(mesela bir foton veya iyon) emmektedir, ve arka yüzünden tek bir elektron (212)
yaymaktadlEl Bu durumda, elektron çogaltElîüZOO) gelen kuanta veya tanecigi temsil eden
bir elektron alglEmaktadE
Sekil 2'de gösterilen örnekte, tek bir foton (218) dönüstürücü (216) taraflîitian emilir, bu tek
bir elektron (212) yaymaktadlü Tek elektron (212) sonra ç[gl mekanizmasüZlO) tarafIan
emilir, bu bir elektron ç[g]l:ýaymaktadlîl(214).
Elektron ç[g]|:l(214), çig] mekanizmaslîitlan (210) sonra saglanan bir sensor (Sekil 2'de
gösterilmeyen) tarafIan algllânmaktadlB Bilinmektedir ki, örnegin, sensor elektrikli
baglantllârüyan duvarlar (204) veya arka kapaktan (208) saglanan odanI (202) içinde
saglanabilmektedir. Bu kuanta ve taneciklerin varliglllllgllâmak için ve, örnegin, kuanta ve
taneciklerin miktarlßaymak için kullan llâbilmektedir.
Elektron çogaltlEEEQOO) tek bas. saglanabilir, bu durumda yan duvarlarI (204) dlgüön
kapak (206) ve arka kapak (208) ortam sartlar_ açllâolmaktadE
Elektron çogaltlEIQXZOO) aynEkamanda daha büyük bir vakum sistemi ile eslendirilebilinir.
Elektron çogaIt-I daha büyük bir vakum sistemi ile eslendirildigi örneklerde, elektron
çogaltlElgîbüyük vakum içerisinde, veya büyük vakumu olusturan bir gövdeye bitisik bir
sekilde tutulabilmektedir (büyük vakumu tanllayan gövde elektron çogalt_I ön kapagEI
(206) ile hizalanmlgbir sekilde gelen kuanta veya tanecigi algllâmak için bir cam içermelidir).
Elektron çogaltlElglElI (200) daha büyük bir vakum sistemi ile eslendirildigi baska bir örnekte,
oda (202) büyük vakumun bir parçaslîblarak, ön kapak (206) dahil edilmeden, ve yan
duvarlarI (204) vakumu tanIilayan gövdeye dogrudan birlestigi bir sekilde
olusturulmaktadlü
Elektron çogaIt-Elbüyük vakum ile eslendirmek Için herhangi bir uygun vaslß
kullanllâbilmektedir.
Bu tür çig] mekanizmalarlîq genellikle
teknikte iyi bilinmektedir. Ancak, yan duvarlardan (204) geçen elektrik baglantllârlîisensörün
uygulanmasIIZI zorlastIElnaktadlEl Dahaslýla, bazEl uygulamalarda, algüânan kuanta ve
taneciklerin konumunu bilmek önemli olabilmektedir.
Kuanta veya tanecigin ( çogaltlîlîl
(200) süresince konumunu korumalIlEl Böylece, çig] mekanizmaleUa (210) elektron çlglEl
(214) gelen elektronun (212) emildigi aynlIQIki boyutla) konumdan yayllîhaktadlü Benzer bir
sekilde, dönüstürücüde (216), tek elektron (212) gelen kuanta veya tanecigin (218) emildigi
aynlIQiki-boyutlu) konumdan yayUBwaIIlEl
Çig] mekanizmasII (210) (ve dönüstürücünün) gelen kuanta veya tanecigin (218)
konumunu korudugu için, elektron çlglll (214) konumunu belirleyerek elektron çogalt-I
(200) yüzünden kuanta veya tanecigin (218) hangi konumdan geldigini belirlemek mümkün
olmaktadm
Elektron çlglE(214) önce klgia bir süre için yüksek-dirençli bir toplaylEZi/asltâsMa vakumun
içinde toplanmaktadlEl SonrasIa elektron çlgJleapasitif halde bir görüntü yükü olarak, arka
kapaktan (208) dlgiarülerilmektedir. Bu odanI (202) dEIEUa, bir düsük-dirençli anot katmanEl
yoluyla yapilüiaktadE
Anot katmanEbirden çok kontak bölgesi içermektedir. Görüntü yükü kapasitif halde kontra-
substrat. içinden eslendirildikçe yayUBiaktadlEl bu sekilde görüntü yükü birden çok kontak
bölgesine gelmektedir. Gelen elektronun konumu farklEkontak bölgelerine indüklenen yükleri
isleyerek belirlenebilmektedir (aynüamanda "kütle merkezleme" olarak bilinmektedir).
US 5 686 721 bir gelen elektronun konumunu belirlemek için kullanllâbilen bir sensorun bir
örnegidir.
Iki olay (kuantanI (218) algilânmasD] eger kontak bölgelerinin birine veya daha fazlasi
görüntü yükü gelmesiyle sonuçlanlîsa, eszamanIÇl veya neredeyse-eszamanlü olarak
görülmektedir. Eszamanlülieya neredeyse-eszamanllImlaylar bir veya birden fazla aynElkontak
bölgesinde görüntü yüküne sebep olursa, kütle-merkezleme iki ayrü olaylIl
belirleyememektedir. Bunun yerine, iki indüklenen yükler tek bir olay olarak algHânlEl bunun
konumu iki indüklenen görüntü yükünü tek bir görüntü yükü olarak görülmesinden
türemektedir. Böylece, kütle-merkezleme birbirine yakI olan seri olaylara (örn. ard arda)
sIlEllIlElve eszamanllîl'eya neredeyse-eszamanl@laylarülgllâmak için kullanllâmamaktadlîl
Bulusun birinci bir yönüne göre, bir elektron çogaltlîlîljçin bir detektör saglanmaktadlB
detektör asaglîllakileri içermektedir; yaliflkan malzeme içeren bir substrat, bu substrat. birinci
yüzü ve karsiIJIZlEikinci yüzü olup; substrat. birinci yüzüne bitisik saglanan bir yük toplaylîlgîl
substratI içerisinde bir anot, bu anot yük toplay- gelen yükün anot üzerinde bir
görüntü yükü üretmesi için, anodun yük toplay- kapasitif halde eslendirildigi sekilde,
anodun birinci yüzden mesefelendirildigi; ve anotla eslendirilmis ve substrat. içinden
substrat katmanII ikinci yüzüne geçen bir kanal kontak.
Anodu substratI içine gömmek demektir ki, bütün arka duvarI üzerinden elektrik baglantlîlîl
gerektirmeden görüntü yükü algllânmadan önce daha az yayllhiaktadiü Bu demektir ki
anodun ortak kontaglEh görüntü yükü indüklemeden iki eszamanlü'eya neredeyse-eszamanlEl
olayI birbirine yakI meydana gelme ihtimali daha az olmaktadEi bu detektörün
çözünürlügünü gelistirmektedir.
Substrat bir yallfkan katman içerip birinci yüzü olusturabilmektedir. Anot yaliükan katman.
içerisinde veya yalEkan katman. ucunda saglanmaktadlEl
Substrat Ikinci yüzü olusturmak için bir seramik katman içerebilmektedir. Anot seramik
katman ve yallflkan katman aras-aki ara yüzde saglanabilmektedir.
Substrat ve anodun birinci yüzü arasIdaki arallElen fazla 1 mm olabilmektedir.
Kanal kontak substratI içinden geçen bir yol kEinlÃl'e, substratI ikinci yüzünde bir düzlemsel
k-i içerebilmektedir.
Detektör dahaslýla kanal kontak ile eslendirilmis devre sistemi içerebilmektedir. Devre sistemi
anotta indüklenen görüntü yükünü dlgartýla vermek için düzenlenebilir ve, algllânan yüke
göre, yük toplay- indüklenen bir elektron çigiII konumunu belirlemek için düzenlenen
bir islemci içerebilmektedir.
Anot birden çok elektrige karsljialifllhganot plagüçerebilmektedir. Her anot plakasEilarklEibir
kanal kontag- eslendirilebilir ve devre sistemi her anot plakaleUan görüntü yükünü ayrlEh
dEarÜermek için düzenlenebilmektedir.
Devre sistemi indüklenen yükü en az iki anot plakasIa eszamanlEbir sekilde dlgiarÜ/ermek
için düzenlenebilmektedir.
Islemci komsu anot plakalarIa eszamanlljlndüklenen görüntü yükünü karsllâstülnak Için ve
karsllâstlElnaya göre yük toplay- indüklenen elektron çigill konumunu belirlemek için
düzenlenebilmektedir.
Yük toplaylîlglîbir rezistif katman olabilmektedir. Rezistif katman en az 250 kohm / kare
degerinde serit direncine sahip olabilmektedir. Rezistif katman 500 kohm / kare; 750 kohm /
kare veya 1 Mohm / kare degerinde serit direncine sahip olabilmektedir.
Bulusun ikinci bir yönüne göre, tek bir elektronun algllânmaleb cevap olarak bir elektron
çigiII baslatilüiasüiçin vasß içeren bir elektron çogaltlEEßaglanmaktadlÜ elektron çiglîitek
elektronun algllândigilîlkonumda yayllöiaktadlEi ve, birinci yöne göre, elektron çigilülgllâmak
için ve algllânan elektron çig.. konumundan tek elektronun konumunu alglßmam için bir
detektör.
Elektron çogaltlEEEl/akumda bir elektron çlglübaslatma vasltâsiEla sahip bir ölçme odasiZl
içerebilmektedir. Oda bir gövde tarafIan tanIilanabilir, substrat gövdeyi en az klîinen
olusturmakta, ve yük toplaylagîivakum içinde ve substrat. ikinci yüzün vakum dlSlEUa
tutulmaktadE
Elektron çogaltlEEDdahaslîLla birinci yüz ve karsiliKlElikinci yüze sahip olan bir elektron
dönüstürücüsü içerebilmekte, elektron dönüstürücüsü, birinci yüzde birinci bir konumda bir
foton veya diger kuanta almak için düzenlenmis olup, ve, gelen foton veya kuantaya cevap
olarak, vasltâiya dogru yayllân elektronun bir elektron çlglEliJaslatmak için oldugu, ikinci yüzde
birinci bir konumdan bir elektron yayabilmektedir.
SonrasIa, sadece örnek yoluyla, bulusun yapiiândlîrlnalarII açllîlamalarÇi eslik eden
sekillere referans ile açiklanmaktadiî] burada:
Sekil 1 bulusun yapilândlünalar- göre bir elektron çogaltlîlgjlçin bir detektörü sematik
olarak göstermektedir; ve
Sekil 2 önceki teknige göre bir elektron çogaIt-I sematik temsilini göstermektedir.
Sekil 1 bulusun bir yapllândlEinas. göre bir elektron çogalt-da (200) kullanIi için bir
detektör (100) göstermektedir. Detektörün (100) hususlarEiodanI (202) arka kapagII
(208) gövdesinin içinde saglanmaktadlEl
Simdiki yapllândIEmada, detektör (100) bir substrat katmanE(102) içermektedir. Substrat
katmanII (102) birinci bir yani:[110) odanI (202) içinde ve böylece vakumun içerisinde
saglanmak için düzenlenmektedir. KarslÃlan (108) odanI (202) dlSlEtla düzenlenmektedir.
Substrat katmanI (102) vakum yanII (110) üstünden bir rezistif katman (122)
saglanmaktadlü Rezistif katman (122) bir yük toplaylîlgjolarak çaliglnaktadlü Rezistif
katmana ( yük birikimine yol
açmaktadlEi
Anot plakalarEü104a-d), detektör (100) için bir anot (104) olusturmak için substrat katmanlElai
toplanan yükün kapasitif halde anot piakalarIa (104) bir görüntü yükü indükledigi bir
sekilde mesafelendirilmelidir.
(102) vakum-olmayan yanIda (108) saglanan arka kontaklara (112a-d) elektrik ile
baglamaktadlü Her anot plakasE(104a-d) ve iliskin kanal kontagE(106a-d) ve arka kontak
yalifilîhiglolmaktadiîi Böylece, her anot plakasIa (104) indüklenen görüntü yükü ilgili arka
yüz kontaktan (112) dlgiarüierilebilmektedir.
Substrat katmanE(102) ve rezistif katman (122) (tek baslEia veya beraber) vakum odasi.
( saglamak için kullaniiBiaktadlEi Bu sekilde, kapasitif baglasli,
odanI (202) duvarlarIan karmasiiZi kontaklarI saglanmasü gerekmeden, optimize
edilebilmektedir.
Digiarü/erme devre sistemi (114) arka yüz kontaklariEb (112) elektrik ile eslendirilmektedir.
Dlgarlîl verme devre sistemi (114) dlgiarlîl verme kontaklarEl (116a-d) ve bir islemci
(gösterilmeyen) içermektedir. Her dgrü/erme kontagüllö) bir tek arka yüz kontagiîidan
(112) yükü algiiâmak için ve yükü islemciye iletmek için düzenlenmektedir. Islemci elektron
çig]IE(214) baslatan kuanta (218) veya tanecigin konumunu belirlemek için ölçülen yükleri
analize etmektedir.
Islemci farklElanot plakalarE(104) tarafIan saglanan yükleri aylîli edebilmektedir. Islemci
her anot plakasIE(104) konumu ile bagdastün bilgi içermektedir. Bir kuanta veya tanecik
(218) bir anot plakasII (104) merkezinden dogrudan gelince, görüntü yükü sadece bir anot
plakasIa (104) indüklendigi sekilde elektron çigilüdan (214) yük yayiIBiaktadB Kuanta veya
tanecik bir anot plakasII (104) periferisinden gelince, veya anot plakalar. (104) arasIan,
görüntü yükü komsu anot plakalarIa (104) indüklenmektedir. Islemci kuanta veya
tanecigin (218) konumunu belirlemek için komsu anot plakalarlEUa (104) indüklenen yükü
karsllâstlBibilmektedir.
Bu Sekilde, detektör (100), kuanta veya tanecikler (218) bir veya birden fazla anot
plakasIa (104) görüntü yükü indüklemedikleri sürece, birbirine yakI olup, eszamanlElIeya
neredeyse-eszamanllîkuanta veya tanecik (218) çarpma olaylarlßlgllâylp] konumlarIEllespit
edebilmektedir.
Su anki yapüândlîilnada, substrat katmanEl (102) bir katman yaplîlîl tarafIdan
olusturulmaktadlE SubstratI (102) vakum-olmayan yanIa (108) bir seramik katman (118)
saglanmaktadlEl Anot plakalarlI(104) seramik katmanda (118) klginen gömülü olacak sekilde
ve seramik katmandan (118) dgrüizanmalarüçin saglanmaktadlEl Anot plaklarI (104)
üstünden bir yalEkan malzeme katmanEKIZO) saglanmaktadlü Sonra yallfkanIEl üstünden
yallfkan katman (122) saglanmaktadE
Tercih edilen yük toplama performans. ulasmak için, rezistif katman (122) en az 250 kohm
/ kare degerinde bir serit direncine sahip olmalIlEl Bir örnekte, rezistif katman 500 kohm /
kare degerinde bir serit direncine sahip olmaktadlE Diger bir örnekte, rezistif katman 750
kohm / kare veya lMohm / kare degerinde bir serit direncine sahip olmaktadlEl
Takdir edilir ki Sekil 1'in sadece bir dizi anot plakasEgöstermesine ragmen, anot plakalarEl
veya birden fazla) olabilir, ve anot plakalarEI(104) aynElzamanda, anot plakalar. (104)
aralar-a uygun mesafe olmak üzere, herhangi bir sekilde olup ve herhangi bir uygun
sekilde düzenlenebilmektedir. Örnegin, anot plaklarIZkare veya dairesel olabilir ve bir kare
sebeke veya esmerkezli daireler seklinde düzenlenebilmektedir. Genel olarak, anot plaklarü
(104) ne kadar küçük olursa ve aralilZlar birbirine ne kadar yakI olursa, detektörün (100)
mekansal çözünürlügü 0 kadar iyi olmaktadlE
Bazü/apllândünalarda, anot plakalarI (104) boyutlarÇlelektron çlglII (214) rezistif katman
(122) tarafian nerede emildigini göze almadan, bir görüntü yükünün birden çok plakaya
(104) indüklenecegi biçimde olabilmektedir. Bu tür yapllândlEinalarda, komsu plaklarI (104)
sinyalleri geregince islenmektedir.
Seramik katman (118), yallflkan katman (120) ve rezistif katman (122) herhangi uygun
malzemelerden üretilebilmektedir.
Anot plakalarlE] (104) rezistif katman (122) ile aralariaki mesafe rezistif malzemeye (122),
yaliflkan malzemeye (120) ve anot plakalar. (104) boyutlar. baglEblmaktadE Baska bir
mm kalIiglIa bir yalifkan katman tarafIan saglanabilmektedir.
Anot plaklarü104) substrat. (102) katmanlEyap-I içinde herhangi bir uygun konumda
gömülebilmektedir. Örnegin, yallflkan katman. (120) içerisinde kaplüilabilmektedirler.
Baska bir yapllândlünada, substrat (102) istenen kapasitif performansa ulasabilen ve odanI
(202) arka kapagIlIG208) olusturabilen bir tek malzeme içerebilmektedir.
Takdir edilir ki substrat katman. (102) yaplîlîhe olursa olsun, substrat katmanI (102)
toplam kalIigilZbdadaki (202) istenen vakumu elde etmek için herhangi bir uygun degerde
olabilmektedir. Bir örnekte, substrat (102) 2 mm kalI[g]Ia olabilmektedir.
Takdir edilir ki, sekil 1'de gösterilen yapllândlElnanI substrat katman. vakum-olmayan
yüzünde (108) arka kontaklar (112) saglanmasi ragmen, kontaklar (112) herhangi bir
uygun yönde saglanabilmektedir. Örnegin, bunlar substrat. (102) vakum-olmayan yüzüne
(108) tamamen veya kliinen gömülebilmektedir. BazlZyapllândlEilnalarda, arka yüz kontaklarü
tamamen dahil edilmeyebilir ve dlglarEl/erme kontaklarE(116) dogrudan kanal kontaklarlEla
(106) eslendirilebilmektedir.
Aynüamanda takdir edilir ki anot plakalarlEtlaki (104) yükleri algilâyLöl islemek için herhangi
bir uygun dlgarlîlerme devre sistemi (114) kullanllâbilmektedir.
Yukari açllZlanan detektör (100) herhangi bir uygun türden elektron çogaIt-ia (200)
kullanilâbilmektedir. Aynüamanda takdir edilir ki aynlîprensip diger herhangi bir türde yük
algilâmak için uygulanabilmektedir.
Daha da takdir edilir ki farklEyapilândlElnalarda açllZlanan özellikler tek bir yapllândlülnada
birlestirilebilmektedir. Benzer bir sekilde, tek bir yapliândlünamada birkaç özelligin birlesik
halde açlKIandiglIa, bu tür özellikler aynlâamanda ayrßlarak veya uygun alt-bilesmelerde
saglanabilmektedir.
Claims (15)
1. Bir elektron çogaltlîlgîçin bir detektör (100) olup, asagldhkileri içermektedir: bir yalilîlkan malzeme içeren substrat (102), substrat birinci yüze ve zlîlbir ikinci yüze sahiptir; substrat. birinci yüzüne bitisik olarak bulunan bir yük toplayiElîGlZZ); bir anot (104a-d); anot, yük toplay- kapasitif halde eslenecek sekilde birin yüzden araliElandBiimaktadIB böylece yük toplay- gelen yük, anot üzerinde bir görüntü yükü üretmektedir ve anot ile eslendirilmis ve substrat. içinden substrat. ikinci yüzüne geçen bir kanal kontag [EiI (106a-d), söz konusu anodun substrat. içerisinde olmasEile karakterize edilmektedir. .
SubstratI birinci yüzü ve/veya ikinci yüzü olusturan seramik katmanüblusturdugu bir yaliflkan katman içerdigi, Istem 1'e göre detektör. .
Anodun, yallHkan katmanI içerisinde veya yallflkan katmanlEl kenarIda saglandEgiÇl Istem Z'ye göre detektör. .
Anodun, seramik katmanlEI ve yaliElkan katman. arasIaki ara yüzde saglandigilÇl Istem 3'e göre detektör. .
SubstratI birinci yüzü ve anodun araslîidaki mesafenin en fazla 1 mm oldugu, önceki istemlerden herhangi birine göre detektör. .
Kanal kontagIITJl, substrat. içinden geçen bir yol klîlnü/e, substrat. ikinci yüzünde bir düzlemsel ku içerdigi, önceki istemlerden herhangi birine göre detektör. .
Devre sistemini içeren, kanal kontagEliIe eslendirilen, devre sisteminin anotta Indüklenen görüntü yükünü dgrlýla vermek için düzenlendigi ve algllânan yüke göre, yük toplay- indüklenen bir elektron çlglll konumunu belirlemek için düzenlenen bir islemci içerdigi, önceki istemlerden herhangi birine göre detektör. .
Anodun birden çok elektrige karslJallEllüilglanot plakasükserdigi ve genellikle her anot plakasII farkIEbir kanal kontag. eslendirildigi ve burada devre sisteminin ayrlîla her anot plakasIan görüntü yükünü ayrlîia dlgiarEl/ermek için düzenlendigi, önceki istemlerden herhangi birine göre detektör.
9. Devre sisteminin, indüklenen yükü en az iki anot plakaleda eszamanllîbir sekilde dlghrüermek için düzenlendigi, Istem 8'e göre detektör.
10. Istem 8 veya Istem 9'a göre detektör olup, burada islemci asag-kileri gerçeklestirmek için düzenlenmektedir: komsu anot plakalarIa eszamanIEl indüklenen görüntü yükünün karsilâstlîllüiaslîle karsilâstlElnaya göre yük toplay- indüklenen elektron çiglII konumunun belirlenmesi.
11. Yük toplay-IEl, tercihen en az 250 kohm / kare degerinde levha direncine sahip olan bir rezistif katman oldugu, önceki istemlerden herhangi birine göre detektör.
12. Bir elektron çogaltlîlîlîcblup, asaglöhkileri içermektedir: algilânan tek bir elektrona cevap olarak bir elektron çigJII baslatilûiasüçin vasiß; elektron çiglÇltek elektronun algilând lgllâynlîkonumda yayilIhaktadlÜ ve elektron çlgllEbIglEmak için ve algllânan elektron çlglll konumundan tek elektronun konumunu alglIâmak için, istemler 1 ila 14'ten herhangi birine göre detektör.
13. Vakumda bir elektron çlgiEbaslatma vasltâsIEb sahip bir ölçme odasEIçeren, istem 15'e göre elektron çogaltlîlgîl
14. OdanI bir gövde tarafian belirlendigi, substratI gövdeyi en az klâtnen olusturdugu ve yük toplay-I vakum içinde ve substratI ikinci yüzünün vakum dlgüda tutuldugu, Istem 16'ya göre elektron çogaltlîlgj
15. Istemler 12 ila 14'ten herhangi birine göre detektör, ayrlEla asagldhkileri içermektedir: birinci yüz ve karsiÜKIElikinci yüze sahip olan elektron dönüstürücüsü; elektron dönüstürücüsü, birinci yüzde birinci bir konumda bir foton veya diger kuanta almak Için ve gelen foton veya kuantaya cevap olarak, ikinci yüzde bir birinci konumdan bir elektronun yayiIIhasEiçin düzenlenmektedir, elektron, bir elektron çlglII baslatllüiasEl için araçlara dogru yayilüiaktadlEl
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB1510859.0A GB2539506A (en) | 2015-06-19 | 2015-06-19 | Detector |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TR201807606T4 true TR201807606T4 (tr) | 2018-06-21 |
Family
ID=53784239
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TR2018/07606T TR201807606T4 (tr) | 2015-06-19 | 2016-06-17 | Detektör. |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10054696B2 (tr) |
EP (1) | EP3107115B1 (tr) |
ES (1) | ES2672422T3 (tr) |
GB (1) | GB2539506A (tr) |
RS (1) | RS57326B1 (tr) |
TR (1) | TR201807606T4 (tr) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10197441B1 (en) * | 2018-01-30 | 2019-02-05 | Applied Materials Israel Ltd. | Light detector and a method for detecting light |
CN110068393A (zh) * | 2019-04-03 | 2019-07-30 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 一种用于光电探测成像的位敏阳极及位敏阳极探测器 |
US11268849B2 (en) | 2019-04-22 | 2022-03-08 | Applied Materials Israel Ltd. | Sensing unit having photon to electron converter and a method |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2253302A (en) * | 1991-02-05 | 1992-09-02 | Kratos Analytical Ltd | Ion detector |
US5493111A (en) * | 1993-07-30 | 1996-02-20 | Litton Systems, Inc. | Photomultiplier having cascaded microchannel plates, and method for fabrication |
US5461226A (en) * | 1993-10-29 | 1995-10-24 | Loral Infrared & Imaging Systems, Inc. | Photon counting ultraviolet spatial image sensor with microchannel photomultiplying plates |
DE4429925C1 (de) * | 1994-08-23 | 1995-11-23 | Roentdek Handels Gmbh | Verfahren und Detektoreinrichtung zur elektronischen positionsbezogenen Erfassung von Strahlung |
KR100716495B1 (ko) * | 2005-11-23 | 2007-05-10 | 창원대학교 산학협력단 | 기체전자증폭기를 이용한 디지털 영상 광 검출장치 |
EP2199830B1 (en) * | 2008-12-19 | 2014-07-02 | Leibniz-Institut für Neurobiologie | A position resolved measurement apparatus and a method for acquiring space coordinates of a quantum beam incident thereon |
EP2562563A1 (en) * | 2011-08-26 | 2013-02-27 | CERN - European Organization For Nuclear Research | Detector-readout interface for an avalanche particle detector |
GB201203561D0 (en) * | 2012-02-29 | 2012-04-11 | Photek Ltd | Electron multiplying apparatus |
-
2015
- 2015-06-19 GB GB1510859.0A patent/GB2539506A/en not_active Withdrawn
-
2016
- 2016-06-17 TR TR2018/07606T patent/TR201807606T4/tr unknown
- 2016-06-17 RS RS20180638A patent/RS57326B1/sr unknown
- 2016-06-17 EP EP16175120.1A patent/EP3107115B1/en active Active
- 2016-06-17 US US15/186,271 patent/US10054696B2/en active Active
- 2016-06-17 ES ES16175120.1T patent/ES2672422T3/es active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB201510859D0 (en) | 2015-08-05 |
EP3107115B1 (en) | 2018-05-02 |
RS57326B1 (sr) | 2018-08-31 |
ES2672422T3 (es) | 2018-06-14 |
US10054696B2 (en) | 2018-08-21 |
US20160370476A1 (en) | 2016-12-22 |
EP3107115A1 (en) | 2016-12-21 |
GB2539506A (en) | 2016-12-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6037595A (en) | Radiation detector with shielding electrode | |
EP2748639B1 (en) | Radiation detector | |
CN101542315B (zh) | 在敏感层上具有多个电极的辐射探测器 | |
EP2005215B1 (en) | Multi-layer pixellated gamma-ray detector | |
KR20160026858A (ko) | 이온 트랩에서 이온 검출 | |
JP2006506829A (ja) | 連結検出器ピクセル、光子/パルスカウント輻射線像形成素子 | |
TR201807606T4 (tr) | Detektör. | |
WO2010073189A1 (en) | Radiation detector with improved charge collection and minimized leakage currents | |
US8513617B2 (en) | Edge-on two-dimensional detector arrays | |
JP2017037783A (ja) | 荷電粒子検出器およびその制御方法 | |
US8461542B2 (en) | Radiation detector with a stack of converter plates and interconnect layers | |
JP2000241555A (ja) | 半導体放射線検出器 | |
US20060033029A1 (en) | Low-voltage, solid-state, ionizing-radiation detector | |
US6586742B2 (en) | Method and arrangement relating to x-ray imaging | |
JP4170514B2 (ja) | 放射線検出器 | |
US9188681B2 (en) | Ion detector | |
US11978617B2 (en) | Focal plane detector | |
US20040021088A1 (en) | Radiation detectors and autoradiographic imaging apparatuses comprising such detectors | |
WO2014131949A1 (en) | Detector for detecting neutrons and x- and gamma ray photons | |
EP2985632B1 (en) | Radiation image detection device | |
NL1039339C2 (en) | Photon detector with high time resolution and high spatial resolution. | |
US8466424B2 (en) | Device for detecting radiation with improved arrangement | |
US10811555B2 (en) | Particle detector capable of separating in-time signals from out-of-time signals | |
JP5221058B2 (ja) | 検出素子、検出器、及び検出素子の製造方法 |