SU834723A1 - Device for simulating semiconductor element - Google Patents
Device for simulating semiconductor element Download PDFInfo
- Publication number
- SU834723A1 SU834723A1 SU792822923A SU2822923A SU834723A1 SU 834723 A1 SU834723 A1 SU 834723A1 SU 792822923 A SU792822923 A SU 792822923A SU 2822923 A SU2822923 A SU 2822923A SU 834723 A1 SU834723 A1 SU 834723A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistor
- operational amplifier
- output
- resistor
- input
- Prior art date
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
Изобретение относится к радиоэлектронике, а именно к исследованию и измерению параметров транзисторов, и может быть использовано для анализа поведения радиоэлектронных устройств в условиях воздействия различного рода облучения: длительногонейтронного, -^-илучения, <1-излучения, протонного.The invention relates to electronics, in particular to the study and measurement of transistor parameters, and can be used to analyze the behavior of electronic devices under the influence of various kinds of radiation: long-neutron, - ^ - radiation, <1 radiation, proton.
Известно устройство для моделирования полупроводникового элемента, содержащее генератор напряжения и генератор тока Г1].A device for simulating a semiconductor element containing a voltage generator and a current generator G1].
Недостаток устройства - невысокая точность моделирования.The disadvantage of this device is the low accuracy of the simulation.
Наиболее близким.к предлагаемому является устройство для моделирования полупроводникового элемента, содержащее генератор напряжения, генератор тока, операционные усилители, делитель напряжения и транзистор [2].Closest to the proposed is a device for modeling a semiconductor element containing a voltage generator, a current generator, operational amplifiers, a voltage divider and a transistor [2].
Данное устройство позволяет моделировать изменение коэффициента передачи тока транзистора без изменения входных и выходных характеристик, что25обеспечивает высокую точность соответствия модели поведению транзистора Недостаток устройства заключается в том, что точность моделирования определяется точностью совпадения харак теристик парноподобных транзисторов. Так как подобрать пару транзисторов с. полным совпадением характеристик не удается, то неточность подбора влияет на точность моделирования. Другой недостаток - невозможность изменять одновременно входное сопротивление и коэффициент передачи по току,что не позволяет моделировать поведение транзистора в условиях нейтронного облучения.This device allows you to simulate a change in the current transfer coefficient of the transistor without changing the input and output characteristics, which 25 provides high accuracy of the model matching the behavior of the transistor. The disadvantage of this device is that the modeling accuracy is determined by the accuracy of matching characteristics of paired-like transistors. So how to pick up a pair of transistors with. complete coincidence of the characteristics fails, the inaccuracy of selection affects the accuracy of the simulation. Another drawback is the inability to simultaneously change the input impedance and current transfer coefficient, which does not allow simulating the behavior of a transistor under neutron irradiation.
Цель изобретения - расширение частотного диапазона.The purpose of the invention is the expansion of the frequency range.
Указанная цель достигается тем, что в устройство для моделирования полупроводникового элемента, содержащее транзистор, база которого соединена с одним выводом делителя напряжения и операционный усилитель, введены эталонный резистор и усилитель мощности, выход которого соединен с другим выводом делителя напряжения, один вывод эталонного резистора подключен к шине нулевого потенциала и к неинвертирующему входу операционного усилителя, другой вы . вод эталонного резистора соединен с эмиттером транзистора и через мас’штабный резистор подключен к инвер30 тирующему входу операционного усили3 теля, выход которого подключен ко входу усилителя мощности.This goal is achieved by the fact that in the device for simulating a semiconductor element containing a transistor, the base of which is connected to one terminal of the voltage divider and an operational amplifier, a reference resistor and a power amplifier are introduced, the output of which is connected to another terminal of the voltage divider, one terminal of the reference resistor is connected to to the zero potential bus and to the non-inverting input of the operational amplifier, another you. The water of the reference resistor is connected to the emitter of the transistor and through a large-scale resistor is connected to the inverting input of the operational amplifier3, the output of which is connected to the input of the power amplifier.
На чертеже Представлена схема устройства.The drawing shows a diagram of the device.
Устройство для моделирования полупроводникового элемента состоит из операционного усилителя 1, в цепь обратной связи которого включен резистор 2. Операционный усилитель 1 'соединен с усилителем мощности 3, выход которого связан с базовой цепью транзистора 4 через делитель 5 * напряжения в эмиттерную«цепь транзистора 4 введен эталонный резистор 6, связанный с неинвертирующим входом операционного усилителя 1, инвертирующий вход последнего связан через 1 масштабный резистор 7 с транзистором 4. . ·A device for simulating a semiconductor element consists of an operational amplifier 1, in the feedback circuit of which a resistor 2 is connected. An operational amplifier 1 'is connected to a power amplifier 3, the output of which is connected to the base circuit of a transistor 4 through a voltage divider 5 * into the emitter "transistor 4 circuit is introduced reference resistor 6, connected to the non-inverting input of the operational amplifier 1, the inverting input of the latter is connected through 1 scale resistor 7 to the transistor 4.. ·
Устройство работает следующим образом.The device operates as follows.
На транзистор 4 подается напряже- 2 нив», которое вызывает протекание тока в транзисторе. Сигнал управления, снимаемый с резистора 6, подается на вход операционного усилителя 1. Точный подбор резисторов 2 и 7 поз- ? воляет получить нужное усиление oneрационного усилителя. С выхода операционного усилителя усиленный сигнал поступает на вход усилителя 3 мощности, а затем через делитель 5 напряжения - в базовую цепь транзистора. Регулировкой глубины обратной связи посредством переменного резистора имитируется изменение коэффициента передачи по току Ку и Rgy транзистора. Частотный диапазон предлагаемого устройства выше на 1-2 порядка по сравнениюс известным (2].A voltage of 2 "is applied to transistor 4, which causes a current to flow in the transistor. The control signal taken from the resistor 6 is fed to the input of the operational amplifier 1. The exact selection of resistors 2 and 7 pos-? wants to get the desired gain of a one-way amplifier. From the output of the operational amplifier, the amplified signal is fed to the input of the power amplifier 3, and then through the voltage divider 5 to the base circuit of the transistor. Adjusting the feedback depth by means of a variable resistor imitates a change in the current transfer coefficient Ku and R gy of the transistor. The frequency range of the proposed device is higher by 1-2 orders of magnitude compared with the known (2].
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU792822923A SU834723A1 (en) | 1979-09-21 | 1979-09-21 | Device for simulating semiconductor element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU792822923A SU834723A1 (en) | 1979-09-21 | 1979-09-21 | Device for simulating semiconductor element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU834723A1 true SU834723A1 (en) | 1981-05-30 |
Family
ID=20852012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU792822923A SU834723A1 (en) | 1979-09-21 | 1979-09-21 | Device for simulating semiconductor element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU834723A1 (en) |
-
1979
- 1979-09-21 SU SU792822923A patent/SU834723A1/en active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SU834723A1 (en) | Device for simulating semiconductor element | |
| SU928376A1 (en) | Device for simulating bipolar transistor | |
| Greef | Instruments for use in electrode process research | |
| JPS5797466A (en) | Testing method for analogically printed board | |
| RU2028010C1 (en) | Device for modelling parameters of transistors | |
| Vagapov et al. | Modelling of a photovoltaic array using Analog System Lab Kit Pro board | |
| SU881898A2 (en) | Device for simulating semiconductor element | |
| Sanderson et al. | A simplified noise theory and its application to the design of low-noise amplifiers | |
| SU631944A1 (en) | Arrangement for simulating semiconductor element | |
| SU602022A1 (en) | Nuclear reactor analogue simulator | |
| SU419914A1 (en) | DEVICE FOR SOLVING THE BOUNDARY PROBLEMS OF THEORY AND FIELD | |
| US3508347A (en) | Phonocardiogram simulator | |
| US2944216A (en) | Current measuring circuit | |
| Prasada Rao et al. | A note on the measurement of FET parameters | |
| SU928377A1 (en) | Transistor model | |
| SU673941A1 (en) | Field-effect mds-transistor simulator | |
| Wilson et al. | Modeling for computation of IC-gate yield from Processing data | |
| SU732917A1 (en) | Apparatus for modelling semiconductor device | |
| Klapp | Empirical parameter variation analysis for electronic circuits | |
| Roy et al. | Simple electronic analogue for teaching on the nerve cell | |
| SU1262419A1 (en) | Device for checking magnetic field intensity meter | |
| SU574730A1 (en) | Cathodic protection-simulating apparatus | |
| SU1049932A1 (en) | Device for simulating input characteristics of transistor | |
| RU2099785C1 (en) | High-precision simulator of random changes of direct voltage | |
| JPS573052A (en) | Earth resistance tester |