SU485762A1 - Inductor for heating a growing single crystal - Google Patents
Inductor for heating a growing single crystalInfo
- Publication number
- SU485762A1 SU485762A1 SU1945206A SU1945206A SU485762A1 SU 485762 A1 SU485762 A1 SU 485762A1 SU 1945206 A SU1945206 A SU 1945206A SU 1945206 A SU1945206 A SU 1945206A SU 485762 A1 SU485762 A1 SU 485762A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- single crystal
- heating
- inductor
- growing single
- conductors
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
1one
Изобретение относитс к металлургии иолупроводников и может быть использовано при бестигельной зонной плавке кремни и других полупроводниковых материалов.This invention relates to metallurgy of i-conductors and can be used in the crucibleless zone melting of silicon and other semiconductor materials.
Известны индукторы дл подогрева растущего монокристалла в процессе бестигельной зонной плавки, состо щие из нескольких плоских витков.Inductors are known to preheat a growing single crystal during a crucibleless zone melting process, consisting of several flat turns.
Однако такие индукторы неравномерно нагревают монокристалл по длине зоны нагрева . Кроме того, индуктор с одним витком из волнообразно изогнутого токопровода создает неравномерный нагрев по окружности.However, such inductors unevenly heat the single crystal along the length of the heating zone. In addition, an inductor with a single turn of a wavelike curved conductor creates uneven heating around the circumference.
Цель изобретени - повысить равиомерность нагрева по длине и окружности монокристалла .The purpose of the invention is to increase the raviomernost of heating along the length and circumference of a single crystal.
Дл этого индуктор выполнен из нескольких витков, последовательно расположенных по его оси так, что рассто ние между токопроводами соседних витков меньше амплитуд волн.For this, the inductor is made of several turns arranged in series along its axis so that the distance between the conductors of the adjacent turns is less than the amplitudes of the waves.
На чертеже изображена схема процесса бестигельной зонной плавки с подогревом растущего монокристалла при помощи предлагаемого индуктора.The drawing shows a diagram of the process of crucibleless zone melting with a heated growing single crystal using the proposed inductor.
Индуктор 1 дл подогрева растущего монокристалла 2 расположен под плавильным индуктором 3, создающим расплавленную зону 4, и выполнен из нескольких витков 5, последовательно расположенных по его оси так, что рассто ние h между токопроводами соседних внтков меньще амплитуд S волн. Количество витков при этом должно обеспечивать требуемую высоту зоны нагрева до температуры пластичности выращиваемого монокристалла .Inductor 1 for heating the growing single crystal 2 is located under the melting inductor 3, creating the molten zone 4, and is made of several turns 5, successively located along its axis so that the distance h between the conductors of the adjacent inner waves is smaller than the amplitudes of the S waves. The number of turns in this case should provide the required height of the heating zone to the plasticity temperature of the single crystal being grown.
Согласное направление тока в токопроводах волн, идущих последовательно по оси монокристалла , повыщает равномерность нагрева его поверхности.The consonant direction of the current in the conductors of waves traveling successively along the axis of the single crystal increases the uniformity of heating of its surface.
Предмет изобретени Subject invention
Индуктор дл подогрева растущего монокристалла в процессе бестигельной зонной плавки с волнообразно изогнутым по окружности токопроводом, о т л и ч а ю щ и и с тем, что, с целью повышени равномерности нагрева , он выполнен из нескольких витков, последовательно расположенных до его оси так, что рассто ние между токопроводами соседних витков .меньще амплитуд волн.Inductor for heating a growing single crystal in the process of crucibleless zone melting with a conductor wavy around the circumference, so that, in order to increase the heating uniformity, it is made of several turns arranged in series to its axis so such that the distance between the conductors of adjacent turns is smaller than the amplitudes of the waves.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1945206A SU485762A1 (en) | 1973-06-25 | 1973-06-25 | Inductor for heating a growing single crystal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU1945206A SU485762A1 (en) | 1973-06-25 | 1973-06-25 | Inductor for heating a growing single crystal |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU485762A1 true SU485762A1 (en) | 1975-09-30 |
Family
ID=20560340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU1945206A SU485762A1 (en) | 1973-06-25 | 1973-06-25 | Inductor for heating a growing single crystal |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU485762A1 (en) |
-
1973
- 1973-06-25 SU SU1945206A patent/SU485762A1/en active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SU485762A1 (en) | Inductor for heating a growing single crystal | |
| SU603352A3 (en) | Method of strengthening metal material liable to internal oxidation | |
| US1884600A (en) | Induction process of graphitizing carbon | |
| US4500366A (en) | Process for producing a grain-oriented electromagnetic steel strip or sheet | |
| US3754110A (en) | A susceptor having grooves | |
| US2673080A (en) | Strip heating | |
| US3124633A (en) | Certificate of correction | |
| SE7511643L (en) | SET THAT HEATING HAND MATERIAL IN SPOLG FORM | |
| GB1387762A (en) | Inductive heating | |
| CS185667B2 (en) | Furnace with the direct electric resistance heating particularly for the production of silicon carbide | |
| FR2436190A1 (en) | PROCESS FOR HEAT TREATING AN ALUMINUM TAPE | |
| GB1284068A (en) | Improvements in or relating to the drawing of crystalline bodies | |
| SU1147764A1 (en) | Device for gas-flame heating of gears | |
| IT971048B (en) | INDUCTIVE HEATING COIL FOR PROGRESS ZONE MELTING GOES WITHOUT A CRUCIBLE OF SEMICONDUCTOR RODS OF MATERIAL | |
| SU384900A1 (en) | INSTALLATION FOR CONTINUOUSLY SEQUENTIAL HANGING SPRINGS WITH HEATING CURRENTS HIGH | |
| GB1358817A (en) | None-crucible zone melting of rods of crystalline material | |
| SU387790A1 (en) | METHOD OF OBTAINING CARBIDES | |
| SU542781A1 (en) | Induction heater in the living materials | |
| GB1331912A (en) | Furnaces for production of planar transistors and integrated circuits | |
| SU1303793A1 (en) | Method for gas heating of gears | |
| SU1691431A1 (en) | Graphite heater | |
| JPS60224217A (en) | Two step diffusion furnace | |
| SU529239A1 (en) | The method of indirect radiative heating of the metal | |
| SU473514A1 (en) | Method of growing single crystals of crucibleless zone melting | |
| JPS60633Y2 (en) | Continuous heating furnace |