SU1587438A1 - Способ обнаружени дефектов в издели х - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к неразрушающему контролю и может быть использовано дл  контрол  поверхностных дефектов в издели х по сигналам акустической эмиссии (АЭ). Целью изобретени   вл етс  повышение достоверности за счет раскрыти  поверхностных дефектов механическим нагружением издели  и уменьшени  АЭ бездефектного материала предварительным локальным охлаждением поверхности. Изделие нагружают, локально охлаждают, нанос т менетрант и охлаждают повторно. При охлаждени х регистрируют АЭ и по отношению ее параметров при двух охлаждени х суд т о качестве изделий. 1 ил.

Description

Изобретение относитс  к области неразрушающего контрол  и может быть использовано дл  контрол  поверхностных дефектов в издели х по сигналам акустической змиссии (АЭ).

Целью изобретени   вл етс  повышение достоверности за счет раскрыти  поверхностных дефектов механическим нагружением издели  и уменьшени  АЭ бездефектного материала предварительным локальным охлаждением поверхности .

На чертеже представлено устройство дл  реализации способа обнаружени  дефектов в издели х,

Устройство содержит сосуд 1 Дюара с жидким хладагентом (например, азотом ), электронагреватель 2, помещенный внутрь сосуда 1 Дюара, хладопро- вод 3, насадку 4, дросселирующую прокладку 5, выполненную из волокнистого или пористого материала, термопару 6, прижимаемую к локальному участку пот

верхности контролируемого издели  7, измеритель 8, подключенньй к выходу термопары, пьезопреобразовагель 9 и акустико-эмиссиокный прибор 10, соединенный с выходом льезопреобразовате- л  9.

Способ обнаружени , дефектов в издели х осуществл ют следующим образом .

Контролируемое изделие 7 механически нагружают до заданной нагрузки, например создают раст гивающие напр жени  в Стенках контролируемой емкости путем Обеспечени  внутри емкости избыточного давлени . Устанавливают пьезопреобразователь 9 на поверхность издели  7 на рассто нии L от контролируемого локального участка поверхности , измер ют параметры сигналов АЭ прибором 10 и ожидают, когда АЭ, св занна  с напр женным состо нием материала , прекратитс  (давление внутри емкос ги остаетс  посто нным весь пе3

(Л

ел

00

Olib

СО

риод испытаний). Затем хладопровод 3 с насадкой 4 подвод т к контролируемому участку поверхности издели  7 (емкости) и накладывают прокладку 5 на поверхность. Производ т локальное охлаждение поверхности издели  7, при этом зона охлаждени  определ етс  размерами прокладки 5, через которую дросселируют газообразный хладоагент. Размер насадки 4 выбирают таким, что- вне ее не происходило кристаллизации вод ных паров на поверхности издели  7, т.е. температура поверхности была больше 0°С,

Измер ют температуру локального контролируемого участка термопарой 6 и измерителем 8, Скорость и степень охлаждени  регулируют электронагревателем 2, Перемещают прокладку 5 на следующий контролируемзШ участок и производ т его локальное охлаждение.

30

35

Таким образом сканируют все участки издели , подлежащие контролю (на- 25 пример, сварной шов), при этом регистрируют параметры сигналов АЭ приборами 10.

Затем участки издели  7, подлежащие контролю, тщательно очищают от загр зне ни , обезжиривают и высушивают , тем самым полностью освобождают поверхностные дефекты от загр знени  и влаги. Нанос т на участки издели  7 слой жидкого индикаторного вещества, обладающего высокой проникающей способностью , например пенетранта, с температурой кристаллизации С. Затем с помощью очистител , например этилово.го спирта, пенетрант удал ют с поверхности издели  7 таким образом , чтобы сохранилась та его часть, котора  заполнила полости открытых поверхностных дефектов. После повторной сушки контролируеи 1е участки издели  повторно локально охлаждают в пор дке, аналогичном первоначальному охлаждению (первое и повторное охлаждени  производ т до одинаковой температуры t.,), и производ т регистра40

45

Таким образом, сп высить достоверность предварительного мех жени  и локального ности издели .

Claims (1)

1. Формула из

   Способ обнаружени ли х, заключающийс  верхность издели  на го вещества, способн крытые поверхностные его с поверхности, о т х дефектов, произв охлаждение поверхнос пературы охлаждени  кристаллизации жидко гистрируют сигналы а сии, по их параметра дефектов, о тлич что, с целью повьш1ен производ т предварит кое нагружение издел лаждение поверхности ратуры, равной темпе охлаждени , а о нали д т по отношению пар кой эмиссии при перв

   цию параметров сигналов АЭ. Сравиива- 5 кальных охлаждени х.

   0

   5

   0

   5

   ют параметры АЭ при первом и повторном охлаждени х и по их отношению суд т о наличии дефектов.

   Если при повторном охлаждении сигналы АЭ не наблюдаютс  или их уровень значительно меньше, чем при первом охлаждении, то делают вывод о бездефектности контролируемого участка издели  (в силу эффекта Кайзера дл  бездефектного материала при повторном нагружении, вызванном термическим воздействием до первоначальной температуры , АЭ -отсуствует). Если при повторном термическом нагружении регистри- . руютс  интенсивные сигналы АЭ, делают вывод о наличии на контролируемом участке поверхностных дефектов, поскольку охлаждение сопровождаетс  кристаллизацией пенетранта в полости дефекта .

   Таким образом, способ позвол ет повысить достоверность контрол  за счет предварительного механического нагру- жени  и локального охлаждени  поверхности издели .

   Формула из

   обретени 

   Способ обнаружени  дефектов в издели х , заключающийс  в том, что на поверхность издели  нанос т слой жидкого вещества, способного заполн ть открытые поверхностные дефекты, удал ют его с поверхности, оставл   в полост х дефектов, производ т локальное охлаждение поверхности издели  до температуры охлаждени  ниже температуры кристаллизации жидкого вещества, регистрируют сигналы акустической эмиссии , по их параметрам суд т о наличии дефектов, о тлич ающий с  тем, что, с целью повьш1ени  достоверности, производ т предварительное механическое нагружение издели  и локальное охлаждение поверхности издели  до температуры , равной температуре повторного охлаждени , а о наличии дефектов суд т по отношению параметров акустической эмиссии при первом и втором локальных охлаждени х.

   /

   5