RU2702915C1 - Functional component of magnonics on multilayer ferromagnetic structure - Google Patents
Functional component of magnonics on multilayer ferromagnetic structure Download PDFInfo
- Publication number
- RU2702915C1 RU2702915C1 RU2019102092A RU2019102092A RU2702915C1 RU 2702915 C1 RU2702915 C1 RU 2702915C1 RU 2019102092 A RU2019102092 A RU 2019102092A RU 2019102092 A RU2019102092 A RU 2019102092A RU 2702915 C1 RU2702915 C1 RU 2702915C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- grooves
- functional component
- msw
- ferromagnetic layers
- msws
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/215—Frequency-selective devices, e.g. filters using ferromagnetic material
- H01P1/218—Frequency-selective devices, e.g. filters using ferromagnetic material the ferromagnetic material acting as a frequency selective coupling element, e.g. YIG-filters
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к СВЧ технике и может быть использовано при конструировании приборов на магнитостатических волнах в гигагерцовом диапазоне частот.The invention relates to microwave technology and can be used in the design of devices on magnetostatic waves in the gigahertz frequency range.
Устройства на магнитостатических спиновых волнах (МСВ) обладают возможностью перестройки параметров (коэффициенты передачи, время задержки) и частотных режимов работы за счет как величины, так и угла магнитного поля (см., например, обзор «Магноника - новое направление спинтроники и спин-волновой электроники», УФЫ, т. 185, №10, 2015, с.с. 1099-1128). Эти характеристики позволяют реализовать устройства для обработки сигналов с множеством функций, например, задержки сигналов, направленного ответвления, фильтрации и пр. Технологии микроэлектроники дают возможность выполнить на подложках магнитные пленки с особой конфигурацией, толщиной и различными параметрами. Описано устройство на основе магнонного кристалла, используемый для управления частотой спиновых волн (WO 2009145579 А2, Magnonic crystal spin wave device capable of controlling spin wave frequency, Seoul National University Industry Foundation, 03.12.2009). Устройство состоит из волновода на основе тонкой магнитной пленки. Волновод имеет три секции, одна из которых представляет собой периодическую структуру - магнонный кристалл, образованный путем периодического изменения ширины либо толщины ферромагнитной пленки. Недостатком данного устройства является отсутствие возможности управления свойствами спектра спиновых волн путем изменения управляющих параметров.Magnetostatic spin wave (MSW) devices have the ability to tune parameters (transmission coefficients, delay time) and frequency modes of operation due to both magnitude and magnetic field angle (see, for example, the review “Magnonika - a new direction of spintronics and spin-wave Electronics ”, UFY, t. 185, No. 10, 2015, S.S. 1099-1128). These characteristics make it possible to implement devices for processing signals with many functions, for example, signal delay, directional branching, filtering, etc. Microelectronic technologies make it possible to perform magnetic films on substrates with a special configuration, thickness, and various parameters. A device based on a magnon crystal used to control the frequency of spin waves is described (WO 2009145579 A2, Magnonic crystal spin wave device capable of controlling spin wave frequency, Seoul National University Industry Foundation, 03/03/2009). The device consists of a waveguide based on a thin magnetic film. The waveguide has three sections, one of which is a periodic structure - a magnon crystal formed by periodically changing the width or thickness of the ferromagnetic film. The disadvantage of this device is the inability to control the properties of the spectrum of spin waves by changing the control parameters.
Наиболее близким к патентуемому устройству является функциональный компонент магноники - пленочный магнито-оптический демультиплексор (GB 1531883 (A), INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION, USA, 18.03.1976 - прототип). В данном устройстве управление фазой светового пучка осуществляется путем изменения магнитного поля и поворота плоскости поляризации света. Устройство также может выполнять функции мультиплексора, в случае дополнительного использования поляризаторов и анализаторов. Недостатком устройства является отсутствие возможности управляемой в широком частотном диапазоне перестройки сигнала и многоблочное исполнение устройства.Closest to the patented device is a functional component of magnonics - film magneto-optical demultiplexer (GB 1531883 (A), INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION, USA, 03/18/1976 - prototype). In this device, the phase control of the light beam is carried out by changing the magnetic field and rotating the plane of polarization of light. The device can also serve as a multiplexer, in the case of additional use of polarizers and analyzers. The disadvantage of this device is the lack of control over a wide frequency range of signal tuning and multi-block device execution.
Настоящее изобретение направлено на решение проблемы создания функционального компонента магноники, обладающего расширенными возможностями в части реализации многомодового режима и управления характеристиками магнитостатических волн.The present invention is directed to solving the problem of creating a functional component of magnonics, which has advanced capabilities in terms of the implementation of multimode mode and control the characteristics of magnetostatic waves.
Функциональный компонент магноники содержит подложку из немагнитного диэлектрика, ферромагнитные слои железоиттриевого граната (ЖИГ), микрополосковые преобразователи для возбуждения и приема магнитостатических спиновых волн (МСВ), источник магнитного поля.The functional component of magnonics contains a nonmagnetic dielectric substrate, ferromagnetic layers of yttrium iron garnet (YIG), microstrip transducers for exciting and receiving magnetostatic spin waves (MSW), and a magnetic field source.
Отличие состоит в том, что он выполнен в виде многослойной 3D структуры, включающей внешний и внутренний ферромагнитные слои, отделенные друг от друга прослойкой немагнитного вещества и расположенные один над другим. Поверхность подложки в сечении имеет форму меандра, образованного совокупностью периодических канавок, продольная ось которых перпендикулярна направлению распространения МСВ. Внешний и внутренний ферромагнитные слои имеют период, совпадающий с периодом образованных канавками на поверхности подложки выступов, боковых граней и пазов, а магнитное поле источника магнитного поля ориентировано перпендикулярно к плоскости подложки с возможностью возбуждения в обоих ферромагнитных слоях объемных МСВ.The difference is that it is made in the form of a multilayer 3D structure, including the external and internal ferromagnetic layers, separated from each other by a layer of non-magnetic substance and located one above the other. The surface of the substrate in the cross section has the shape of a meander formed by a set of periodic grooves, the longitudinal axis of which is perpendicular to the direction of propagation of the MSW. The outer and inner ferromagnetic layers have a period coinciding with the period of protrusions, lateral faces and grooves formed by grooves on the substrate surface, and the magnetic field of the magnetic field source is oriented perpendicular to the plane of the substrate with the possibility of excitation of bulk MSWs in both ferromagnetic layers.
Компонент может характеризоваться тем, что внешний и внутренний ферромагнитные слои повторяют контуры выступов, боковых граней и пазов, образованных канавками на поверхности подложки таким образом, что выступу на внутреннем ферромагнитном слое соответствует выступ на внешнем ферромагнитном слое, а также тем, что внешний ферромагнитный слой повторяет контур внутреннего ферромагнитного слоя, образованного на выступах, боковых гранях и пазах канавок на поверхности подложки таким образом, что выступу на внутреннем ферромагнитном слое соответствует паз на внешнем ферромагнитном слое. Подложка и прослойка немагнитного вещества могут быть выполнены из галлий-гадолиниевого граната.The component can be characterized in that the outer and inner ferromagnetic layers follow the contours of the protrusions, side faces and grooves formed by grooves on the surface of the substrate so that the protrusion on the inner ferromagnetic layer corresponds to the protrusion on the outer ferromagnetic layer, and also that the outer ferromagnetic layer repeats the contour of the inner ferromagnetic layer formed on the protrusions, side faces and grooves of the grooves on the surface of the substrate so that the protrusion on the inner ferromagnetic layer with corresponds to the groove on the outer ferromagnetic layer. The substrate and a layer of non-magnetic substance can be made of gallium-gadolinium garnet.
Компонент может характеризоваться и тем, что глубина w канавок составляет от 0,1 до 0,5 толщины d ферромагнитных слоев, период Т канавок составляет от 50 до 100 толщины d ферромагнитных слоев, а кроме того, тем, что прослойка немагнитного вещества имеет толщину S в диапазоне от 0,5 до 10,0 мкм.The component can be characterized by the fact that the depth w of the grooves is from 0.1 to 0.5 of the thickness d of the ferromagnetic layers, the period T of the grooves is from 50 to 100 of the thickness d of the ferromagnetic layers, and in addition, the interlayer of a non-magnetic substance has a thickness S in the range from 0.5 to 10.0 microns.
Протяженность ферромагнитных слоев в направлении распространения МСВ может составлять от 5000 до 6000 мкм при ширине b=150-250 мкм и толщине d=0,5-2,5 мкм, а ферромагнитные слои - намагниченность М насыщения в диапазоне от 130 до 150 Гс.The length of the ferromagnetic layers in the direction of propagation of the MSW can be from 5000 to 6000 μm with a width of b = 150-250 μm and a thickness of d = 0.5-2.5 μm, and ferromagnetic layers - the magnetization M of saturation in the range from 130 to 150 G.
Компонент может характеризоваться, кроме того, тем, что микрополосковые преобразователи для возбуждения и приема МСВ размещены вдоль длины внешнего и внутреннего ферромагнитных слоев и/или на выступах и/или на боковых гранях выступов и/или в пазах, образованных канавками, с возможностью приема прямых и обратных объемных МСВ.The component can also be characterized by the fact that microstrip transducers for exciting and receiving MSWs are placed along the length of the outer and inner ferromagnetic layers and / or on the protrusions and / or on the side faces of the protrusions and / or in the grooves formed by grooves, with the possibility of receiving straight and inverse bulk MSWs.
Компонент может характеризоваться, также тем, что в режиме демультиплексора микрополосковый преобразователь для возбуждения объемных МСВ размещен на одном конце внутреннего ферромагнитного слоя вдоль его длины, а микрополосковые преобразователи для приема объемных МСВ размещены на другом конце внутреннего ферромагнитного слоя, а также на концах внешнего ферромагнитного слоя вдоль его длины, и выполнены с возможностью приема прямых объемных МСВ на выступах и в пазах, образованных канавками.The component can also be characterized by the fact that in the demultiplexer mode, a microstrip transducer for exciting bulk MSWs is placed at one end of the inner ferromagnetic layer along its length, and microstrip transducers for receiving bulk MSWs are located at the other end of the inner ferromagnetic layer, as well as at the ends of the outer ferromagnetic layer along its length, and made with the possibility of receiving direct volumetric MSW on the protrusions and in the grooves formed by the grooves.
Компонент может характеризоваться, и тем, что в режиме демультиплексора микрополосковый преобразователь для возбуждения объемных МСВ размещен на одном конце внутреннего ферромагнитного слоя вдоль его длины, а микрополосковые преобразователи для приема объемных МСВ размещены на другом конце внутреннего ферромагнитного слоя, а также на концах внешнего ферромагнитного слоя вдоль его длины, и выполнены с возможностью приема обратных объемных МСВ на боковых гранях выступов, образованных канавками.The component can also be characterized by the fact that in the demultiplexer mode, a microstrip transducer for exciting bulk MSWs is placed at one end of the inner ferromagnetic layer along its length, and microstrip transducers for receiving bulk MSWs are located at the other end of the inner ferromagnetic layer, as well as at the ends of the outer ferromagnetic layer along its length, and made with the possibility of receiving inverse volume MSW on the side faces of the protrusions formed by grooves.
Технический результат - расширение функциональных возможностей в телекоммуникационных системах с большой плотностью информационного сигнала за счет обеспечения многомодового режима распространения МСВ и возможности приема прямых и обратных объемных МСВ.The technical result is the expansion of functionality in telecommunication systems with a high density of the information signal by providing a multimode mode of propagation of MSWs and the possibility of receiving forward and reverse bulk MSWs.
Существо изобретения поясняется на чертежах, где:The invention is illustrated in the drawings, where:
фиг. 1 - показан принцип выполнения многослойной ферромагнитной структуры при симметричном расположении выступов и пазов в направлении перпендикулярном плоскости подложки;FIG. 1 - shows the principle of a multilayer ferromagnetic structure with a symmetrical arrangement of protrusions and grooves in the direction perpendicular to the plane of the substrate;
фиг. 2 - пример выполнения многослойной ферромагнитной структуры при антисимметричном расположении выступов и пазов и размещение микрополосковых преобразователей МСВ (укрупнено).FIG. 2 - an example of a multilayer ferromagnetic structure with an antisymmetric arrangement of the protrusions and grooves and the placement of microstrip transducers MSV (enlarged).
Патентуемый функциональный компонент на магнитостатических спиновых волнах содержит подложку 1 из немагнитного диэлектрика, например, из галлий-гадолиниевого граната, на которой выполнена многослойная 3D структура. Поверхность подложки 1 в сечении имеет форму меандра, образованного совокупностью периодических канавок 2, продольная ось 21 которых перпендикулярна направлению распространения МСВ.The patented functional component on magnetostatic spin waves contains a
Многослойная 3D структура включает внешний 31 и внутренний 32 ферромагнитные слои, отделенные друг от друга прослойкой 4 немагнитного вещества толщиной G и расположенные один над другим. Ферромагнитные слои 31 и 32 представляют собой пленки железоиттриевого граната (ЖИГ). Компонент содержит ряд микрополосковых преобразователей для возбуждения и приема МСВ, а также источник магнитного поля (на фигуре не показан).The multilayer 3D structure includes an external 31 and an internal 32 ferromagnetic layers, separated from each other by a
Вектор Н напряженности магнитного поля направлен по нормали к плоскости подложки 1 с образованной на ее поверхности структурой и совпадает с направлением Z тройки векторов (показанной на фиг. 1). Направление X совпадает с длиной подложки 1 структуры, направление Y - с шириной b структуры. Внешний источник магнитного поля выполнен регулируемым в диапазоне напряженностей Н=2-10 кЭ.The vector H of the magnetic field is directed normal to the plane of the
Внешний 31 и внутренний 32 ферромагнитные слои имеют период Т, совпадающий с периодом t образованных канавками 2 на поверхности подложки 1 выступов 22, боковых граней 23 и пазов 24. Период Т канавок 2 выбран таким, чтобы толщина d ферромагнитных слоев 31, 32 была много меньше других линейных размеров структуры.The outer 31 and inner 32 ferromagnetic layers have a period T coinciding with a period t formed by
Толщина d ферромагнитных слоев 31,32 выбирается в диапазоне 0,1-10 мкм. Глубина канавок w (w1) не превышает двух толщин d ферромагнитной пленки и определяется желаемыми свойствами фильтрации объемных МСВ.The thickness d of the
На фиг. 1 показана топология структуры при симметричном расположении выступов 22 и пазов 24 в направлении перпендикулярном плоскости подложки 1. Соответственно ферромагнитные слои 31, 32 повторяют контуры выступов 22, боковых граней 23 и пазов 24 таким образом, что выступу 221 на внутреннем ферромагнитном слое 32 соответствует выступ 22 на внешнем ферромагнитном слое 31.In FIG. 1 shows the structure topology with a symmetrical arrangement of the
На фиг. 2 показан пример выполнения многослойной ферромагнитной 3D структуры при антисимметричном расположении выступов 22 и пазов 24: выступу 221 на внутреннем ферромагнитном слое 32 соответствует паз 24 на внешнем ферромагнитном слое 31.In FIG. Figure 2 shows an example of a multilayer ferromagnetic 3D structure with an antisymmetric arrangement of the
Глубина w (w1) канавок 2 составляет от 0,1 до 0,5 толщины d ферромагнитных слоев 31,32, период Т канавок 2 составляет от 50 до 100 толщины d ферромагнитных слоев 31, 32.The depth w (w 1 ) of the
Прослойка 4 немагнитного вещества, которым, в частности, может быть пленка галлий-гадолиниевого граната, имеет неравномерную толщину S по направлению X по длине подложки 1, обусловленную формой меандра и имеет минимальный размер G. Величина связи мод МСВ обратно пропорциональна G. Толщина S находится в диапазоне от 0,5 до 10,0 мкм. Прослойка может быть выполнена из любого диэлектрика, в том числе в виде воздушного зазора.The
Протяженность ферромагнитных слоев 31, 32 в направлении распространения МСВ (направление X) составляет от 5000 до 6000 мкм при ширине b=150-250 мкм (направление Y) и толщине d=0,5-2,5 мкм. Ферромагнитные слои 31, 32 имеют намагниченность М насыщения в диапазоне от 130 до 150 Гс.The length of the
Микрополосковые преобразователи 51, 52, 53, 54 для возбуждения и приема МСВ могут быть размещены вдоль длины (в направлении X) внешнего 31 и внутреннего 32 ферромагнитных слоев на выступах 22, на их боковых гранях 23 и/или в пазах 24, образованных канавками 2, с возможностью приема прямых и обратных объемных МСВ. Соответственно преобразователи 51, 52, 53, 54 являются входными и выходными портами устройства обработки сигналов.
Например, при реализации демультиплексора мощности СВЧ сигнала на основе патентуемого компонента входной микрополосковый преобразователь 51 для возбуждения объемных МСВ конструктивно может быть размещен на одном конце 321 внутреннего ферромагнитного слоя 32. Микрополосковые преобразователи 52, 53, 54 для приема объемных МСВ, то есть выходные порты демультиплексора, размещены на другом конце 322 пленки внутреннего ферромагнитного слоя 32, а также на концах 311, 312 внешнего ферромагнитного слоя 31. Микрополосковые преобразователи 52, 53, 54 могут размещаться для приема прямых и обратных объемных МСВ на боковых гранях выступов 22 и/или в пазах 24, образованных канавками 2.For example, when implementing a microwave signal power demultiplexer based on a patented component, the
Преимуществом патентуемого компонента является возможность функционировать в многомодовом режиме за счет наличия связи между расположенными один над другим ферромагнитными слоями 31, 32 пленок ЖИГ и распространяющимися в этой многослойной структуре объемными МСВ. Это позволяет расширить функциональные возможности телекоммуникационных систем с большой плотностью информационного сигнала, в частности использовать патентуемый функциональный компонент при реализации, например, делителя мощности (RU 2666969) или направленного ответвителя (RU 2623666) в магнонных сетях.An advantage of the patented component is the ability to function in multimode mode due to the presence of a bond between the YIG films located one above the other on the
В зависимости от места расположения микрополосковых преобразователей возможно снимать сигналы с разным фазовым набегом. Ввиду наличия периодичности обеих вертикальных структур, для данного демультиплексора имеются, во-первых, запрещенные зоны на периодах соответствующих брэгговским. При параметре, когда глубина канавок w больше толщины d ферромагнитных слоев 31, 32 (w>d), возможно подавление сигнала за счет преобразования волны из прямой объемной МСВ в обратную объемную МСВ на границах (П.А.Попов, А.Ю.Шараевская, Д.В. Калябин, А.И. Стогний, Е.Н.Бегинин, А.В.Садовников, С.А.Никитов, Объемные спиновые магнитостатические волны в трехмерных ферромагнитных структурах // Радиотехника и Электроника, 2018, том 63, No 12, с. 1-9).Depending on the location of the microstrip converters, it is possible to record signals with different phase incursions. Due to the periodicity of both vertical structures, for this demultiplexer there are, firstly, forbidden zones at periods corresponding to the Bragg ones. With a parameter when the depth of the grooves w is greater than the thickness d of the
Принцип действия патентуемого многослойного компонента в качестве демультиплексора обеспечивается за счет нелинейного перераспределения сигнала на связанных модах колебаний МСВ. В зависимости от входной мощности и фазы СВЧ сигнала импульс выйдет через один из выходных портов структуры. Входным портом СВЧ сигнала для возбуждения МСВ во внутреннем ферромагнитном слое 32 является микрополосковый преобразователь 51, а выходными портами - преобразователи 52, 53, 54. В зависимости от величины Н управляющего магнитного поля, после возбуждения входным преобразователем 51 объемная МСВ распространяется либо в том же канале, а именно в слое 32 и принимается выходным преобразователем 52, либо за счет связи волноводных каналов возбуждается во втором канале, а именно в слое 31 и принимается выходными преобразователями 53, 54. Таким образом, возможно переключение сигнала из порта в порт, перекачка, а также полное подавление сигнала в зависимости от параметров подаваемого управляющего импульса. Кроме того, принципиальная схема устройств на связанных модах колебаний является более простой, так как не требует дополнительных элементов: фазовращателей, аттенюаторов и делителей мощности, поскольку все эти функции могут быть реализованы самой связанной структурой. Существует также дополнительная возможность управления описанными выше эффектами посредством изменения внешнего магнитного поля (Морозова М.А, Матвеев О.В., Шараевский Ю.П. // ФТТ, т. 58, вып. 10, с. 1899-1906, 2016).The principle of operation of the patented multilayer component as a demultiplexer is ensured by the nonlinear signal redistribution on the coupled modes of MSW oscillations. Depending on the input power and phase of the microwave signal, the pulse will exit through one of the output ports of the structure. The input port of the microwave signal for excitation of the MSW in the inner
Следует ожидать, что патентуемый компонент позволит расширить функциональные возможности в телекоммуникационных системах с большой плотностью информационного сигнала за счет обеспечения многомодового режима распространения МСВ и возможности приема прямых и обратных объемных МСВ.It should be expected that the patented component will expand the functionality in telecommunication systems with a high density of the information signal by providing a multi-mode propagation mode of MSWs and the possibility of receiving forward and reverse bulk MSWs.
Claims (14)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2019102092A RU2702915C1 (en) | 2019-01-25 | 2019-01-25 | Functional component of magnonics on multilayer ferromagnetic structure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2019102092A RU2702915C1 (en) | 2019-01-25 | 2019-01-25 | Functional component of magnonics on multilayer ferromagnetic structure |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2702915C1 true RU2702915C1 (en) | 2019-10-14 |
Family
ID=68280128
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2019102092A RU2702915C1 (en) | 2019-01-25 | 2019-01-25 | Functional component of magnonics on multilayer ferromagnetic structure |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2702915C1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2736922C1 (en) * | 2020-06-22 | 2020-11-23 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Element for spatial-frequency filtration of a signal based on magnon crystals |
RU205097U1 (en) * | 2020-12-23 | 2021-06-28 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" | FILTER BASED ON 3D MAGONIC STRUCTURE |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4199737A (en) * | 1978-10-18 | 1980-04-22 | Westinghouse Electric Corp. | Magnetostatic wave device |
US4419637A (en) * | 1981-02-13 | 1983-12-06 | Thomson-Csf | Magnetostatic wave dioptric device |
RU2594382C1 (en) * | 2015-07-31 | 2016-08-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Adjustable microwave delay line on surface magnetostatic waves |
RU2617143C1 (en) * | 2016-03-30 | 2017-04-21 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Functional element on magnetostatic spin waves |
-
2019
- 2019-01-25 RU RU2019102092A patent/RU2702915C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4199737A (en) * | 1978-10-18 | 1980-04-22 | Westinghouse Electric Corp. | Magnetostatic wave device |
US4419637A (en) * | 1981-02-13 | 1983-12-06 | Thomson-Csf | Magnetostatic wave dioptric device |
RU2594382C1 (en) * | 2015-07-31 | 2016-08-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Adjustable microwave delay line on surface magnetostatic waves |
RU2617143C1 (en) * | 2016-03-30 | 2017-04-21 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Functional element on magnetostatic spin waves |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
M. A. Morozova, A. Yu. Sharaevskaya, A. V. Sadovnikov, S. V. Grishin,1 D. V. Romanenko, E. N. Beginin, Yu. P. Sharaevskii, and S. A. Nikitov, Band gap formation and control in coupled periodic ferromagnetic structures, * |
M. A. Morozova, A. Yu. Sharaevskaya, A. V. Sadovnikov, S. V. Grishin,1 D. V. Romanenko, E. N. Beginin, Yu. P. Sharaevskii, and S. A. Nikitov, Band gap formation and control in coupled periodic ferromagnetic structures, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 120, 2016. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2736922C1 (en) * | 2020-06-22 | 2020-11-23 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Element for spatial-frequency filtration of a signal based on magnon crystals |
RU205097U1 (en) * | 2020-12-23 | 2021-06-28 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" | FILTER BASED ON 3D MAGONIC STRUCTURE |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2623666C1 (en) | Three-channel directed coupler of microwave signal on magnetostatic waves | |
RU2666968C1 (en) | Frequency filter of uhf signal on magnetic waves | |
RU2617143C1 (en) | Functional element on magnetostatic spin waves | |
Demidov et al. | Electrical tuning of dispersion characteristics of surface electromagnetic-spin waves propagating in ferrite-ferroelectric layered structures | |
RU2702915C1 (en) | Functional component of magnonics on multilayer ferromagnetic structure | |
US20150380790A1 (en) | Voltage tuning of microwave magnetic devices using magnetoelectric transducers | |
RU2686584C1 (en) | Controlled microwave signal coupler at magnetostatic waves | |
RU2697724C1 (en) | Functional element of magnonics | |
RU2594382C1 (en) | Adjustable microwave delay line on surface magnetostatic waves | |
RU166410U1 (en) | FREQUENCY-SELECTIVE POWER TAPE BASED ON LATERALLY CONNECTED MULTIFERROID STRUCTURES | |
RU2707391C1 (en) | Reconfigurable input/output multiplexer based on ring resonator | |
RU167504U1 (en) | DOUBLE CONTROLLED MICROWAVE FILTER BASED ON A FERRITE-FERROELECTRIC STRUCTURE | |
US3748605A (en) | Tunable microwave filters | |
RU2771455C1 (en) | Multiplexer based on a ring resonator | |
RU2736286C1 (en) | Controlled four-channel spatially distributed multiplexer on magnetostatic waves | |
RU2702916C1 (en) | Device on magnetostatic waves for spatial separation of microwave signals of different power level | |
RU2707756C1 (en) | Controlled by electric field power divider on magnetostatic waves with filtration function | |
RU2454788C1 (en) | Microwave modulator on surface magnetostatic waves | |
Vysotskii et al. | Bragg resonances of magnetostatic surface waves in a ferrite-magnonic-crystal-dielectric-metal structure | |
RU2706441C1 (en) | Controlled multichannel filter for microwave signal based on magnonic crystal | |
RU2754086C1 (en) | Filter-demultiplexer of microwave signal | |
RU2690020C1 (en) | Logic device based on phase changer of microwave signal on magnetostatic waves | |
RU2736922C1 (en) | Element for spatial-frequency filtration of a signal based on magnon crystals | |
RU2691981C1 (en) | Demultiplexer at magnetostatic waves | |
RU209990U1 (en) | MICROWAVE DEMULTIPLEXER |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20210126 |